CN105068373B - Tft基板结构的制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种TFT基板结构的制作方法。本发明的TFT基板结构的制作方法，利用半色调光罩通过一次曝光在平坦层上形成过孔与沟槽，通过半色调光罩上的半透光性的图案实现半曝光，在扇出区的平坦层上形成深度较浅的沟槽，从而使得扇出区的平坦层上的沟槽的坡度变缓，避免了在进行光阻曝光显影时沟槽角落处的光阻曝光不彻底而导致透明导电层在沟槽角落处残留的现象，进而避免了扇出区的金属线路之间出现短路的现象，同时不影响有效显示区的开口率，大大提高了液晶显示面板的显示品质；并通过加宽扇出区的平坦层上的沟槽的宽度，避免了由于沟槽坡度变缓、深度减少而带来的封框胶粘附力变差的现象，进而保证了液晶显示面板内的封框胶的粘附性不受影响。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种TFT基板结构的制作方法。
背景技术
在显示技术领域，液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)与有机发光二极管显示器(Organic Light Emitting Diode，OLED)等平板显示器已经逐步取代CRT显示器，广泛的应用于液晶电视、手机、个人数字助理、数字相机、计算机屏幕或笔记本电脑屏幕等。
薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)是目前液晶显示装置和有源矩阵驱动式有机电致发光显示装置(Active Matrix/Organic Light-Emitting Diode，简称AMOLED)中的主要驱动元件，直接关系到高性能平板显示装置的发展方向。薄膜晶体管具有多种结构，制备相应结构的薄膜晶体管的材料也具有多种，低温多晶硅(Low TemperaturePoly-silicon，简称LTPS)材料是其中较为优选的一种，由于低温多晶硅的原子规则排列，载流子迁移率高，对电压驱动式的液晶显示装置而言，多晶硅薄膜晶体管由于其具有较高的迁移率，可以使用体积较小的薄膜晶体管实现对液晶分子的偏转驱动，在很大程度上缩小了薄膜晶体管所占的体积，增加透光面积，得到更高的亮度和解析度；对于电流驱动式的有源矩阵驱动式有机电致发光显示装置而言，低温多晶硅薄膜晶体管可以更好的满足驱动电流要求。
如图1所示，液晶显示面板可分成有效显示区(active area)110以及周边线路区(peripheral circuit area)120。有效显示区110内配置有多个像素以形成像素阵列(未标示)，每个像素均包括一薄膜晶体管和与该薄膜晶体管连接的像素电极，且每个像素都被两条相邻的扫描线130以及两条相邻的数据线140包围，周边线路区120则设计有扇出(fanout)引线，扇出引线集中的区域即为扇出区120S。通常，扫描线130以及数据线140会由有效显示区110延伸至周边线路区120，并通过扇出引线与驱动芯片(driver IC)500即COF端电连接。
在液晶显示面板的制作过程中，如图2所示，已经形成薄膜晶体管的基板100上需要覆盖一层高介电常数的有机膜作为平坦层(planarization，PLN)200，以改变下层膜表面的平整性，防止有效显示区内电场互相干扰，减少电容耦合效应，提高穿透率；在有效显示区110外，平坦层200上的沟槽210能够增加框胶的粘附性、增加框胶的接触面积，避免出现液晶汽包(LC Bubble)、框胶穿刺等显示不良。
平坦层200通常为感旋光材料，如图3所示，利用光罩，通过曝光显影工艺可在平坦层200上形成沟槽210；之后，如图4所示，需要在平坦层200上沉积氧化铟锡(ITO)薄膜300以用作于共通电极(COM)；由于共通电极与TFT电性绝缘，因此，如图5所示，需要通过在ITO薄膜300上涂覆光阻400(photo resist，PR)；之后，如图6所示，对光阻400曝光、显影，但是由于平坦层200厚度较大，一般约为2.5μm，平坦层200上的沟槽210的坡度(taper)较陡峭，在进行光阻涂覆时，光阻流动性大，taper角位置处光阻偏厚，会导致曝光不彻底，从而造成沟槽210内taper角位置处光阻残留；之后，如图7所示，将未被光阻400覆盖的平坦层沟槽210内的ITO刻蚀掉，但是，由于沟槽210内taper角位置处光阻残留从而造成ITO 300’残留。
然而，在扇出区120s内有ITO残留则会引起下方的金属线路短路，从而造成画面异常、画面分屏等画质不良。
目前业界改善ITO残留最常用的方法是采用的是埋沟和架桥技术，制程复杂且成本较高。
发明内容
本发明的目的在于提供一种TFT基板结构的制作方法，采用半色调光罩工艺，使得位于扇出区的平坦层上的沟槽的坡度变缓，避免透明导电层在沟槽角落处残留的现象，可大大提高液晶显示面板的显示品质，且工艺简单、易于实现。
为实现上述目的，本发明提供一种TFT基板结构的制作方法，包括如下步骤：
步骤1、提供一基板，所述基板上设有薄膜晶体管；所述基板包括有效显示区和围绕所述有效显示区的周边线路区，所述周边线路区包括扇出区和非扇出区；在所述基板上涂布形成平坦层；
步骤2、提供第一光罩，所述第一光罩上具有对应于所述有效显示区的第一图案、对应于所述周边线路区的非扇出区的第二图案、及对应于所述扇出区的第三图案；所述第二图案、第三图案用于在所述周边线路区的平坦层上形成沟槽；所述第一光罩为半色调光罩，所述第一图案、第二图案为全透光，所述第三图案为半透光；
利用所述第一光罩对所述平坦层进行曝光、显影，通过第一光罩上的第一图案实现全曝光从而在有效显示区上方形成过孔；通过第一光罩上的第二图案实现全曝光从而在非扇出区的平坦层上形成第一沟槽；通过第一光罩上的第三图案实现半曝光从而在扇出区的平坦层上形成第二沟槽；
步骤3、在所述平坦层上形成透明导电层；
步骤4、在所述透明导电层上涂覆光阻；提供第二光罩，利用第二光罩对所述光阻进行曝光、显影，去除位于所述第一沟槽、第二沟槽上的光阻；
步骤5、以剩余的光阻为遮挡，对所述透明导电层进行蚀刻，并剥离剩余的光阻，得到电极。
所述第二沟槽的深度小于所述第一沟槽的深度。
所述薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管。
所述步骤1中形成的平坦层的材料为有机光阻。
所述步骤1中形成的平坦层的厚度为2.5μm。
所制作的TFT基板用于形成液晶显示面板，所述液晶显示面板内的封框胶粘附于所述第一沟槽、第二沟槽内。
所述第二沟槽的宽度大于所述第一沟槽的宽度。
所述步骤5中形成的电极为液晶显示面板的共通电极。
所述步骤3中形成的透明导电层的材料为ITO，所述透明导电层通过物理气相沉积法形成。
所述步骤5采用湿法蚀刻制程对所述透明导电层进行蚀刻。
本发明的有益效果：本发明的TFT基板结构的制作方法，利用半色调光罩通过一次曝光在平坦层上形成过孔与沟槽，位于有效显示区的平坦层的过孔设计不受周边线路区的沟槽设计的影响，从而保证了液晶显示面板的开口率；通过半色调光罩上的半透光性的图案实现半曝光从而在位于扇出区的平坦层上形成深度较浅的沟槽，从而使得位于扇出区的平坦层上的沟槽的坡度变缓，避免了在进行光阻曝光显影时沟槽角落处的光阻曝光不彻底而导致透明导电层在沟槽角落处残留的现象，进而避免了扇出区的金属线路之间出现短路的现象，进而大大提高了液晶显示面板的显示品质；并且通过加宽位于扇出区的沟槽的宽度，避免了由于沟槽坡度变缓、深度减少而带来的封框胶粘附力变差的现象，进而保证了液晶显示面板内的封框胶的粘附性不受影响。
附图说明
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
附图中，
图1为现有液晶显示面板中阵列基板的结构示意图；
图2为现有阵列基板中平坦层上的沟槽在周边线路区分布示意图；
图3为现有的阵列基板的制作方法中在平坦层上形成沟槽的示意图；
图4为现有的阵列基板的制作方法中在平坦层上形成导电薄膜的示意图；
图5为现有的阵列基板的制作方法中在导电薄膜上涂布光阻的示意图；
图6为现有的阵列基板的制作方法中对导电薄膜上的光阻进行曝光显影的示意图；
图7为现有的阵列基板的制作方法中对导电薄膜进行蚀刻的示意图；
图8为本发明的TFT基板结构的制作方法的流程示意图；
图9为本发明的TFT基板结构的制作方法的步骤1中所提供的基板的示意图；
图10为本发明的TFT基板结构的制作方法的步骤2中所提供的光罩的示意图；
图11为本发明的TFT基板结构的制作方法的步骤2的示意图；
图12为本发明的TFT基板结构的制作方法的步骤2中在平坦层上形成的沟槽的示意图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
请参阅图8，本发明提供一种TFT基板结构的制作方法，包括如下步骤：
步骤1、如图9与图11所示，提供一基板10，所述基板10上设有薄膜晶体管；所述基板10包括有效显示区11和围绕所述有效显示区11的周边线路区12，所述周边线路区12包括扇出区121和非扇出区；在所述基板10上涂布形成平坦层20。
具体的，平坦层20的材料为有机光阻。
具体的，所述薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管。
具体的，所述平坦层20的厚度为2.5μm。
步骤2、提供第一光罩50，如图9-12所示，所述第一光罩50上具有对应于所述有效显示区11的第一图案51、对应于所述周边线路区12的非扇出区的第二图案52、及对应于所述扇出区121的第三图案53；所述第二图案52、第三图案53用于在位于所述周边线路区12的平坦层20上形成沟槽；所述第一光罩50为半色调光罩，所述第一图案51、第二图案52为全透光，所述第三图案53为半透光；
利用所述第一光罩50对所述平坦层20进行曝光、显影，通过第一光罩50上的第一图案51实现全曝光从而在有效显示区11上方形成过孔；通过第一光罩50上的第二图案52实现全曝光从而在所述平坦层20上形成第一沟槽21；通过第一光罩50上的第三图案53实现半曝光从而在平坦层20上形成第二沟槽22；所述第一沟槽21位于所述非扇出区上方，所述第二沟槽22位于所述扇出区121上方；
由于第一沟槽21通过全曝光形成，第二沟槽22通过半曝光形成，第二图案52和第三图案53的区域的曝光量不同，因而第一沟槽21的深度大于所述第二沟槽22的深度；
步骤3、在所述平坦层20上形成透明导电层；
步骤4、在所述透明导电层上涂覆光阻；提供第二光罩，利用第二光罩对所述光阻进行曝光、显影，去除位于所述第一沟槽21、第二沟槽22上的光阻；
步骤5、以剩余的光阻为遮挡，对所述透明导电层进行蚀刻，并剥离剩余的光阻，得到电极。
具体的，该步骤5采用湿法蚀刻制程对所述透明导电层进行蚀刻；
由于位于扇出区121的第二沟槽22的深度较浅，所以步骤3中对所述光阻进行曝光、显影后，位于所述第二沟槽22角落处的光阻能够完全被去除掉，从而可以保证步骤5中透明导电层能够被完全蚀刻掉，不形成残留；
具体的，上述制作的TFT基板用于形成液晶显示面板，所述液晶显示面板内的封框胶粘附于所述第一沟槽21、第二沟槽22内。
如图11与图12所示，所述第二沟槽22的宽度大于所述第一沟槽21的宽度；由于第二沟槽22的深度小于第一沟槽21的深度，通过将扇出区121的第二沟槽22的宽度设置为大于第一沟槽21的宽度，从而在减少扇出区的平坦层的沟槽深度的同时增加其宽度，以使得在形成液晶显示面板时，封框胶的粘附力不受影响。
具体的，所述步骤2中，由于第一光罩50为半色调光罩，第一图案51仍采用全透光性，从而可以保证液晶面板的有效显示区的平坦层上的过孔设计不受有效显示区外的影响，从而保证开口率。
具体的，所述步骤5中形成的电极为液晶显示面板的共通电极；所述步骤3中形成的透明导电层30的材料为ITO，所述透明导电层通过物理气相沉积法形成。
综上所述，本发明的TFT基板结构的制作方法，利用半色调光罩通过一次曝光在平坦层上形成过孔与沟槽，位于有效显示区的平坦层的过孔设计不受周边线路区的沟槽设计的影响，从而保证了液晶显示面板的开口率；通过半色调光罩上的半透光性的图案实现半曝光从而在位于扇出区的平坦层上形成深度较浅的沟槽，从而使得位于扇出区的平坦层上的沟槽的坡度变缓，避免了在进行光阻曝光显影时沟槽角落处的光阻曝光不彻底而导致导电层在沟槽角落处残留的现象，进而避免了扇出区的金属线路之间出现短路的现象，进而大大提高了液晶显示面板的显示品质；并且通过加宽位于扇出区的沟槽的宽度，避免了由于沟槽坡度变缓、深度减少而带来的封框胶粘附力变差的现象，进而保证了液晶显示面板内的封框胶的粘附性不受影响。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明后附的权利要求的保护范围。
Claims (10)
1.一种TFT基板结构的制作方法，包括：
步骤1、提供一基板(10)，所述基板(10)上设有薄膜晶体管；所述基板(10)包括有效显示区(11)和围绕所述有效显示区(11)的周边线路区(12)，所述周边线路区(12)包括扇出区(121)和非扇出区；在所述基板(10)上涂布形成平坦层(20)；
其特征在于，包括：
步骤2、提供第一光罩(50)，所述第一光罩(50)上具有对应于所述有效显示区(11)的第一图案(51)、对应于所述周边线路区(12)的非扇出区的第二图案(52)、及对应于所述扇出区(121)的第三图案(53)；所述第二图案(52)、第三图案(53)用于在所述周边线路区(12)的平坦层(20)上形成沟槽；所述第一光罩(50)为半色调光罩，所述第一图案(51)、第二图案(52)为全透光，所述第三图案(53)为半透光；
利用所述第一光罩(50)对所述平坦层(20)进行曝光、显影，通过第一光罩(50)上的第一图案(51)实现全曝光从而在有效显示区(11)上方形成过孔；通过第一光罩(50)上的第二图案(52)实现全曝光从而在非扇出区的平坦层(20)上形成第一沟槽(21)；通过第一光罩(50)上的第三图案(53)实现半曝光从而在扇出区(121)的平坦层(20)上形成第二沟槽(22)；
步骤3、在所述平坦层(20)上形成透明导电层；
步骤4、在所述透明导电层上涂覆光阻；提供第二光罩，利用第二光罩对所述光阻进行曝光、显影，去除位于所述第一沟槽(21)、第二沟槽(22)上的光阻；
步骤5、以剩余的光阻为遮挡，对所述透明导电层进行蚀刻，并剥离剩余的光阻，得到电极。
2.如权利要求1所述的TFT基板结构的制作方法，其特征在于，所述第二沟槽(22)的深度小于所述第一沟槽(21)的深度。
3.如权利要求1所述的TFT基板结构的制作方法，其特征在于，所述薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管。
4.如权利要求1所述的TFT基板结构的制作方法，其特征在于，所述步骤1中形成的平坦层(20)的材料为有机光阻。
5.如权利要求1所述的TFT基板结构的制作方法，其特征在于，所述步骤1中形成的平坦层(20)的厚度为2.5μm。
6.如权利要求1所述的TFT基板结构的制作方法，其特征在于，所制作的TFT基板用于形成液晶显示面板，所述液晶显示面板内的封框胶粘附于所述第一沟槽(21)、第二沟槽(22)内。
7.如权利要求6所述的TFT基板结构的制作方法，其特征在于，所述第二沟槽(22)的宽度大于所述第一沟槽(21)的宽度。
8.如权利要求1所述的TFT基板结构的制作方法，其特征在于，所述步骤5中形成的电极为液晶显示面板的共通电极。
9.如权利要求1所述的TFT基板结构的制作方法，其特征在于，所述步骤3中形成的透明导电层的材料为ITO，所述透明导电层通过物理气相沉积法形成。
10.如权利要求1所述的TFT基板结构的制作方法，其特征在于，所述步骤5采用湿法蚀刻制程对所述透明导电层进行蚀刻。
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Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10510781B2 (en) * | 2016-02-22 | 2019-12-17 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
| CN105549250B (zh) | 2016-02-26 | 2017-11-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板、显示面板及其相应制备方法和显示装置 |
| CN106293252B (zh) | 2016-09-09 | 2020-02-07 | 上海中航光电子有限公司 | 阵列基板及显示装置 |
| CN106646968B (zh) * | 2016-11-15 | 2020-05-08 | 上海中航光电子有限公司 | 一种显示基板及制作方法、液晶显示面板和液晶显示装置 |
| CN106597723A (zh) * | 2016-12-23 | 2017-04-26 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种阵列基板 |
| WO2018119652A1 (zh) * | 2016-12-27 | 2018-07-05 | 深圳市柔宇科技有限公司 | 阵列基板制作方法 |
| CN107748460B (zh) * | 2017-10-25 | 2020-09-01 | 昆山龙腾光电股份有限公司 | 基板结构及基板结构的制作方法 |
| CN107643657B (zh) * | 2017-10-31 | 2019-10-11 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种改善面板外围tito残留的方法及光罩 |
| CN109991817A (zh) | 2017-12-29 | 2019-07-09 | 上海视涯信息科技有限公司 | 一种硅基显示面板及其形成方法以及其曝光工艺的光罩 |
| CN109273503B (zh) | 2018-09-27 | 2021-01-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板、显示面板及显示装置 |
| CN109411411A (zh) * | 2018-12-07 | 2019-03-01 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Goa阵列基板的制作方法及液晶显示器 |
| CN109742087B (zh) * | 2018-12-27 | 2021-08-24 | 武汉华星光电技术有限公司 | 阵列基板及其制备方法 |
| CN111261577B (zh) * | 2020-02-04 | 2022-11-25 | 武汉华星光电技术有限公司 | 阵列基板、显示面板及阵列基板的制作方法 |
| CN111462615B (zh) * | 2020-04-27 | 2022-04-08 | Tcl华星光电技术有限公司 | 显示面板及其制作方法 |
| CN112635493B (zh) * | 2020-12-21 | 2022-09-20 | 昆山国显光电有限公司 | 显示面板的制备方法、显示面板和显示装置 |
| CN113341622B (zh) * | 2021-05-31 | 2022-11-25 | 长沙惠科光电有限公司 | 阵列基板、阵列基板的加工工艺及显示面板 |
| CN114935856B (zh) * | 2022-05-30 | 2023-10-13 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及其制作方法和显示装置 |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1869809A (zh) * | 2005-05-27 | 2006-11-29 | Lg.菲利浦Lcd株式会社 | 半色调掩模及制造方法和采用该掩模制造显示器件的方法 |
| KR100707019B1 (ko) * | 2003-03-25 | 2007-04-11 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 박막트랜지스터 액정표시장치의 어레이 기판 제조방법 |
| CN1996147A (zh) * | 2005-12-28 | 2007-07-11 | 上海广电Nec液晶显示器有限公司 | Tft阵列半曝光光刻工艺 |
| CN101110430A (zh) * | 2006-07-18 | 2008-01-23 | 统宝光电股份有限公司 | 具有薄膜晶体管装置的图像显示系统及其制造方法 |
| CN101807549A (zh) * | 2009-02-18 | 2010-08-18 | 北京京东方光电科技有限公司 | Tft-lcd阵列基板及其制造方法 |
| CN102468308A (zh) * | 2010-10-28 | 2012-05-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制造方法和液晶显示器 |
| JP2013083716A (ja) * | 2011-10-06 | 2013-05-09 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法 |
| CN103560088A (zh) * | 2013-11-05 | 2014-02-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板的制作方法 |
| CN104347641A (zh) * | 2013-08-05 | 2015-02-11 | 瀚宇彩晶股份有限公司 | 薄膜晶体管阵列基板 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8040444B2 (en) * | 2005-06-03 | 2011-10-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Display device, method of manufacturing the same and mask for manufacturing the same |
-
2015
- 2015-09-11 CN CN201510581903.8A patent/CN105068373B/zh active Active
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100707019B1 (ko) * | 2003-03-25 | 2007-04-11 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 박막트랜지스터 액정표시장치의 어레이 기판 제조방법 |
| CN1869809A (zh) * | 2005-05-27 | 2006-11-29 | Lg.菲利浦Lcd株式会社 | 半色调掩模及制造方法和采用该掩模制造显示器件的方法 |
| CN1996147A (zh) * | 2005-12-28 | 2007-07-11 | 上海广电Nec液晶显示器有限公司 | Tft阵列半曝光光刻工艺 |
| CN101110430A (zh) * | 2006-07-18 | 2008-01-23 | 统宝光电股份有限公司 | 具有薄膜晶体管装置的图像显示系统及其制造方法 |
| CN101807549A (zh) * | 2009-02-18 | 2010-08-18 | 北京京东方光电科技有限公司 | Tft-lcd阵列基板及其制造方法 |
| CN102468308A (zh) * | 2010-10-28 | 2012-05-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制造方法和液晶显示器 |
| JP2013083716A (ja) * | 2011-10-06 | 2013-05-09 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法 |
| CN104347641A (zh) * | 2013-08-05 | 2015-02-11 | 瀚宇彩晶股份有限公司 | 薄膜晶体管阵列基板 |
| CN103560088A (zh) * | 2013-11-05 | 2014-02-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板的制作方法 |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| 2T1C像素电路的AM OLED数字驱动方法研究;贾一鸣 等;《液晶与显示》;20150831;第30卷(第4期);第655-659页 |
| TFT用掩模版与TFT-LCD阵列工艺;李文波 等;《半导体技术》;20100630;第35卷(第6期);第525-526页 |
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| Publication number | Publication date |
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