CN107643657B - 一种改善面板外围tito残留的方法及光罩 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种光罩，设置于一面板上方；面板上设有平坦层，且平坦层上有多个沟槽，平坦层上方涂抹有一层TITO；光罩设有全透光区、半透光区和不透光区；全透光区分别设置于面板显示区外围所对应沟槽的正上方；半透光区分别设置于面板显示区所对应沟槽的正上方；不透光区分别设置于面板所对应除沟槽之外的每一个地方的正上方。全透光区导引具有预设光强的光线曝光并去除干净显示区外围每一沟槽内的TITO；半透光区虽减弱该预设光强光线的强度，但也曝光并去除干净显示区上每一沟槽内的TITO；而不透光区阻挡该预设光强的光线避免曝光TITO。实施本发明，能够改善在面板外围区有TITO残留的现象，从而提高抗静电等信赖性。

Description

一种改善面板外围TITO残留的方法及光罩
技术领域
本发明涉及液晶显示技术领域，尤其涉及一种改善面板外围顶部铟锡氧化物(TITO，Top Indium Tin Oxide)残留的方法及光罩。
背景技术
如图1和图2所示，在使用低温多晶硅(LTPS，Low Temperature Poly-silicon)元件制作面板过程中，光罩1/设置于面板2/的上方，该光罩1/在与面板2/的显示区A/及其外围B/都需相应被蚀刻的区域设计成全透光区11/，而不需被蚀刻的区域保留为不透光区13/，然而由于面板2/显示区外围B/需要被曝光的面积较大，使得面板的显示区A/及其外围B/因图形密度不同而存在曝光程度不一致的现象，因此造成面板显示区外围B/所对应平坦层21/沟槽L/内有部分光阻残留，从而在TITO湿蚀刻时不能蚀刻干净光阻下面的膜层，使得TITO 22/残留在外围基板上，缩短了切割线到面板周边环绕防静电线路M/的距离，降低了抗静电力。
发明内容
本发明实施例所要解决的技术问题在于，提供一种改善面板外围TITO残留的方法及光罩，能够改善在面板外围区有TITO残留的现象，从而提高抗静电等信赖性。
为了解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种光罩，其设置于一面板上方；其中，所述面板上设有平坦层，且所述平坦层上蚀刻有多个开口向上的沟槽，并在所述平坦层上方涂抹有一层顶部铟锡氧化物；所述光罩上设有全透光区、半透光区和不透光区；
其中，所述全透光区分别设置于所述面板显示区外围所对应平坦层上每一个沟槽的正上方；
所述半透光区分别设置于所述面板显示区所对应平坦层上每一个沟槽的正上方；
所述不透光区分别设置于所述面板显示区及显示区外围所对应平坦层上除所述多个沟槽之外的每一个地方的正上方；
其中，所述全透光区直接导引具有预设光强的光线曝光并去除干净所述面板显示区外围所对应平坦层上每一沟槽内的顶部铟锡氧化物；所述半透光区减弱所述具有预设光强的光线的强度至一定程度后曝光并去除干净所述面板显示区所对应平坦层上每一沟槽内的顶部铟锡氧化物；所述不透光区阻挡所述具有预设光强的光线避免曝光所述面板显示区及显示区外围所对应平坦层上除所述多个沟槽之外的每一个地方的顶部铟锡氧化物。
其中，所述平坦层的每一沟槽的外部轮廊线均呈倒梯形状或倒三角形状，且所述平坦层的每一沟槽顶部的开口直径均大于其底部开口直径。
其中，所述全透光区的长度均与位于所述显示区外围内其对应沟槽朝向所述光罩方向一端的开口直径相等。
其中，所述半透光区的长度均与位于所述显示区内其对应沟槽朝向所述光罩方向一端的开口直径相等。
其中，所述不透光区的长度均与所述平坦层上除所述多个沟槽之外其对应的某一地方的长度相等。
本发明实施例还提供了一种改善面板外围TITO残留的方法，包括：
选定一面板；其中，所述面板上设有平坦层，且所述平坦层上蚀刻有多个开口向上的沟槽，并在所述平坦层上方涂抹有一层顶部铟锡氧化物；
在所选面板上方设置一光罩，且所述光罩上设有全透光区、半透光区和不透光区；
其中，所述方法进一步包括：将所述全透光区分别对应设置于所述面板显示区外围所对应平坦层上每一个沟槽的正上方，将所述半透光区分别对应设置于所述面板显示区所对应平坦层上每一个沟槽的正上方，以及将所述不透光区分别对应设置于所述面板显示区及显示区外围所对应平坦层除所述多个沟槽之外的每一个地方的正上方；
采用具有预设光强的光线通过所述光罩对所选面板进行曝光处理，使得所述全透光区直接导引所述具有预设光强的光线曝光并去除干净所述面板显示区外围所对应平坦层上每一沟槽内的顶部铟锡氧化物，使得所述半透光区减弱所述具有预设光强的光线的强度至一定程度后曝光并去除干净所述面板显示区所对应平坦层上每一沟槽内的顶部铟锡氧化物，以及使得所述不透光区阻挡所述具有预设光强的光线避免曝光所述面板显示区及显示区外围所对应平坦层除所述多个沟槽之外每一个地方的顶部铟锡氧化物。
其中，所述平坦层的每一沟槽的外部轮廊线均呈倒梯形状或倒三角形状，且所述平坦层的每一沟槽顶部的开口直径均大于其底部开口直径。
其中，所述全透光区的长度均与位于所述显示区外围内其对应沟槽朝向所述光罩方向一端的开口直径相等。
其中，所述半透光区的长度均与位于所述显示区内其对应沟槽朝向所述光罩方向一端的开口直径相等。
其中，所述不透光区的长度均与所述平坦层上除所述多个沟槽之外其对应的某一地方的长度相等。
实施本发明实施例，具有如下有益效果：
与传统的光罩相对比，本发明将传统光罩对应面板显示区所在沟槽上方的全透光区全部改变成半透光区，使得在增强曝光强度情况下，不仅能将面板显示区外围所对应平坦层内每一个沟槽内的TITO均被曝光并被去除干净，而且通过半透光区自动减弱该相同光线曝光强度，即不会影响面板显示区所对应平坦层内每一个沟槽内的TITO正常曝光并被去除干净，同时也不会影响面板显示区非曝光范围曝光(即不会对光罩不透光区对应面板上TITO的曝光)，因此能够改善在面板外围区有TITO残留的现象，从而提高抗静电等信赖性，而且还不影响面板显示区原有曝光范围及不曝光范围。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，根据这些附图获得其他的附图仍属于本发明的范畴。
图1为现有技术中传统光罩与面板结合的俯视平面结构图；
图2为图1的局部剖视图；
图3为本发明实施例一提供的光罩与面板结合的局部剖视图；
图4为本发明实施例二提供的改善面板外围TITO残留的方法的流程图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明作进一步地详细描述。
如图3所示，为本发明实施例一中，提出的一种光罩1，其设置于一面板2上方；其中，该面板2上设有平坦层21，且平坦层21上蚀刻有多个开口向上的沟槽L，并在平坦层21上方涂抹有一层顶部铟锡氧化物22；
其中，该光罩1上设有全透光区11、半透光区12和不透光区13；其中，
全透光区11分别设置于面板2显示区外围B所对应平坦层21上每一个沟槽L的正上方；
半透光区12分别设置于面板2显示区A所对应平坦层21上每一个沟槽L的正上方；
不透光区13分别设置于面板2显示区A及显示区外围B所对应平坦层21上除多个沟槽L之外的每一个地方的正上方；
其中，全透光区11直接导引具有预设光强的光线T曝光并去除干净面板2显示区外围B所对应平坦层21上每一沟槽L内的顶部铟锡氧化物；半透光区12减弱具有预设光强的光线T的强度至一定程度后曝光并去除干净面板2显示区A所对应平坦层21上每一沟槽L内的顶部铟锡氧化物；不透光区13阻挡具有预设光强的光线T避免曝光面板2显示区A及显示区外围B所对应平坦层21上除多个沟槽L之外的每一个地方的顶部铟锡氧化物22。
可以理解的是，本发明实施例一中的光罩1在面板2显示区外围B采用全透光设计，这样显示区A需要将顶部铟锡氧化物的光阻去除干净就需要更大的光强，同时也增大了面板周边电路的光强，就可以使面板周边平坦层21沟槽L中的顶部铟锡氧化物光阻去除干净。应当说明的是，因本发明实施例一中的光罩1在面板2显示区A采用半透光设计，主要是避免增加光强的光线T能自动减弱强度，使得光线T在面板2显示区A内强度有过渡效果，而不会对不透明区13对应面板2显示区A所在的顶部铟锡氧化物产生曝光影响，即保持传统光罩在面板2显示区A对顶部铟锡氧化物的曝光程度。
可以理解的是，本发明实施例一中的光罩1采用不透光材料制作而成，首先确定全透光区11、半透光区12和不透光区13，其次对全透光区11和半透光区12均采用蚀刻工艺全部刻掉形成全透光区11，然后选出半透光区12采用半透光材料形成膜层，则剩下就形成为不透光区13。
为了更好的并完全曝光显示区外围B内全透光区11和显示区A半透光区12所对应的顶部铟锡氧化物，因此平坦层21的每一沟槽L的外部轮廊线均呈倒梯形状或倒三角形状，且平坦层21的每一沟槽L顶部的开口直径均大于其底部开口直径，这样预设强度的光线T可以完全照射到平坦层21的每一沟槽L内的每一个地方。当然，如果平坦层21的每一沟槽L的外部轮廊线均呈上面小下面大的梯形状或三角形状，则沟槽L底部的顶部铟锡氧化物就有可能存在一部分无法曝光。
为了减少对显示区外围B不透光区13所对应的顶部铟锡氧化物曝光，并还能实现对显示区外围B全透光区11内每一沟槽L的顶部铟锡氧化物完全曝光，因此全透光区11的长度均与位于显示区外围B内其对应沟槽L朝向光罩方向一端的开口直径相等，这样就能实现曝光效果最佳。
同样，为了减少对显示区A不透光区13所对应的顶部铟锡氧化物曝光，并还能实现对显示区A半透光区12内每一沟槽L的顶部铟锡氧化物完全曝光，因此半透光区12的长度均与位于显示区A内其对应沟槽L朝向光罩方向一端的开口直径相等。
同样，为了避免对显示区A和显示区外围B不透光区13所对应的顶部铟锡氧化物曝光，并还能实现对显示区A半透光区12以及显示区外围B全透光区11内每一沟槽L的顶部铟锡氧化物完全曝光，因此不透光区13的长度均与平坦层21上除多个沟槽L之外其对应的某一地方的长度相等。
如图4所示，为本发明实施例二中，提出的一种改善面板外围TITO残留的方法，所述方法包括：
步骤S1、选定一面板；其中，所述面板上设有平坦层，且所述平坦层上蚀刻有多个开口向上的沟槽，并在所述平坦层上方涂抹有一层顶部铟锡氧化物；
步骤S2、在所选面板上方设置一光罩，且所述光罩上设有全透光区、半透光区和不透光区，并将所述全透光区分别对应设置于所述面板显示区外围所对应平坦层上每一个沟槽的正上方，将所述半透光区分别对应设置于所述面板显示区所对应平坦层上每一个沟槽的正上方，以及将所述不透光区分别对应设置于所述面板显示区及显示区外围所对应平坦层除所述多个沟槽之外的每一个地方的正上方；
步骤S3、采用具有预设光强的光线通过所述光罩对所选面板进行曝光处理，使得所述全透光区直接导引所述具有预设光强的光线曝光并去除干净所述面板显示区外围所对应平坦层上每一沟槽内的顶部铟锡氧化物，使得所述半透光区减弱所述具有预设光强的光线的强度至一定程度后曝光并去除干净所述面板显示区所对应平坦层上每一沟槽内的顶部铟锡氧化物，以及使得所述不透光区阻挡所述具有预设光强的光线避免曝光所述面板显示区及显示区外围所对应平坦层除所述多个沟槽之外每一个地方的顶部铟锡氧化物。
其中，所述平坦层的每一沟槽的外部轮廊线均呈倒梯形状或倒三角形状，且所述平坦层的每一沟槽顶部的开口直径均大于其底部开口直径。
其中，所述全透光区的长度均与位于所述显示区外围内其对应沟槽朝向所述光罩方向一端的开口直径相等。
其中，所述半透光区的长度均与位于所述显示区内其对应沟槽朝向所述光罩方向一端的开口直径相等。
其中，所述不透光区的长度均与所述平坦层上除所述多个沟槽之外其对应的某一地方的长度相等。
实施本发明实施例，具有如下有益效果：
与传统的光罩相对比，本发明将传统光罩对应面板显示区所在沟槽上方的全透光区全部改变成半透光区，使得在增强曝光强度情况下，不仅能将面板显示区外围所对应平坦层内每一个沟槽内的TITO均被曝光并被去除干净，而且通过半透光区自动减弱该相同光线曝光强度，即不会影响面板显示区所对应平坦层内每一个沟槽内的TITO正常曝光并被去除干净，同时也不会影响面板显示区非曝光范围曝光(即不会对光罩不透光区对应面板上TITO的曝光)，因此能够改善在面板外围区有TITO残留的现象，从而提高抗静电等信赖性，而且还不影响面板显示区原有曝光范围及不曝光范围。
以上所揭露的仅为本发明一种较佳实施例而已，当然不能以此来限定本发明之权利范围，因此依本发明权利要求所作的等同变化，仍属本发明所涵盖的范围。

Claims (10)

1.一种光罩，其设置于一面板(2)上方；其中，所述面板(2)上设有平坦层(21)，且所述平坦层(21)上蚀刻有多个开口向上的沟槽(L)，并在所述平坦层(21)上方涂抹有一层顶部铟锡氧化物(22)；所述光罩上设有全透光区(11)、半透光区(12)和不透光区(13)；
其特征在于，所述全透光区(11)分别设置于所述面板(2)显示区外围(B)所对应平坦层(21)上每一个沟槽(L)的正上方；
所述半透光区(12)分别设置于所述面板(2)显示区(A)所对应平坦层(21)上每一个沟槽(L)的正上方；
所述不透光区(13)分别设置于所述面板(2)显示区(A)及显示区外围(B)所对应平坦层(21)上除所述多个沟槽(L)之外的每一个地方的正上方；
其中，所述全透光区(11)直接导引具有预设光强的光线曝光并去除干净所述面板(2)显示区外围(B)所对应平坦层(21)上每一沟槽(L)内的顶部铟锡氧化物；所述半透光区(12)减弱所述具有预设光强的光线的强度至一定程度后曝光并去除干净所述面板(2)显示区(A)所对应平坦层(21)上每一沟槽(L)内的顶部铟锡氧化物；所述不透光区(13)阻挡所述具有预设光强的光线避免曝光所述面板(2)显示区(A)及显示区外围(B)所对应平坦层(21)上除所述多个沟槽(L)之外的每一个地方的顶部铟锡氧化物(22)。
2.如权利要求1所述的光罩，其特征在于，所述平坦层(21)的每一沟槽(L)的外部轮廊线均呈倒梯形状或倒三角形状，且所述平坦层(21)的每一沟槽(L)顶部的开口直径均大于其底部开口直径。
3.如权利要求2所述的光罩，其特征在于，所述全透光区(11)的长度均与位于所述显示区外围(B)内其对应沟槽(L)朝向所述光罩方向一端的开口直径相等。
4.如权利要求3所述的光罩，其特征在于，所述半透光区(12)的长度均与位于所述显示区(A)内其对应沟槽(L)朝向所述光罩方向一端的开口直径相等。
5.如权利要求4所述的光罩，其特征在于，所述不透光区(13)的长度均与所述平坦层(21)上除所述多个沟槽(L)之外其对应的某一地方的长度相等。
6.一种改善面板外围TITO残留的方法，包括：
选定一面板；其中，所述面板上设有平坦层，且所述平坦层上蚀刻有多个开口向上的沟槽，并在所述平坦层上方涂抹有一层顶部铟锡氧化物；
在所选面板上方设置一光罩，且所述光罩上设有全透光区、半透光区和不透光区；
其特征在于，所述方法进一步包括：所述全透光区分别对应设置于所述面板显示区外围所对应平坦层上每一个沟槽的正上方，将所述半透光区分别对应设置于所述面板显示区所对应平坦层上每一个沟槽的正上方，以及将所述不透光区分别对应设置于所述面板显示区及显示区外围所对应平坦层除所述多个沟槽之外的每一个地方的正上方；
采用具有预设光强的光线通过所述光罩对所选面板进行曝光处理，使得所述全透光区直接导引所述具有预设光强的光线曝光并去除干净所述面板显示区外围所对应平坦层上每一沟槽内的顶部铟锡氧化物，使得所述半透光区减弱所述具有预设光强的光线的强度至一定程度后曝光并去除干净所述面板显示区所对应平坦层上每一沟槽内的顶部铟锡氧化物，以及使得所述不透光区阻挡所述具有预设光强的光线避免曝光所述面板显示区及显示区外围所对应平坦层除所述多个沟槽之外每一个地方的顶部铟锡氧化物。
7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述平坦层的每一沟槽的外部轮廊线均呈倒梯形状或倒三角形状，且所述平坦层的每一沟槽顶部的开口直径均大于其底部开口直径。
8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述全透光区的长度均与位于所述显示区外围内其对应沟槽朝向所述光罩方向一端的开口直径相等。
9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述半透光区的长度均与位于所述显示区内其对应沟槽朝向所述光罩方向一端的开口直径相等。
10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述不透光区的长度均与所述平坦层上除所述多个沟槽之外其对应的某一地方的长度相等。
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