TWI442152B - 顯示裝置及其製造方法 - Google Patents
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Description
本發明係有關於一種顯示裝置，特別有關於一種顯示裝置的陣列基板及其製造方法。
第1圖顯示習知液晶顯示面板的陣列基板之上視圖，閘極線(gate lines)12由一金屬層形成，而資料線(data lines)11、源極電極11S與汲極電極11D則由另一金屬層形成，畫素電極14形成於相鄰的兩條閘極線12與相鄰的兩條資料線11所定義的畫素區P內，在形成資料線11、源極電極11S及汲極電極11D的金屬層與畫素電極14之間具有鈍態保護層(passivation layer)(未繪出)，為了讓汲極電極11D與畫素電極14產生電性連接，需要在汲極電極11D的上方形成接觸孔(contact hole)16於鈍態保護層中，並將畫素電極14填充於接觸孔16內，以與汲極電極11D電性連接。
為了承接接觸孔16，汲極電極11D需要具有一凸出的金屬圖案11P設置於畫素區P內，然而，汲極電極11D凸出的金屬圖案11P會造成習知液晶顯示面板的開口率下降。
此外，在習知液晶顯示面板的陣列基板的外圍區域，形成閘極線12的金屬層與形成資料線11、源極電極11S及汲極電極11D的另一金屬層通常需要進行電性連接，以符合電路設計的要求。由於在習知液晶顯示面板的陣列基板的外圍區域上，這兩層金屬層的位置沒有重疊的區域，因此需要在這兩層金屬層上方的絕緣層及鈍態保護層內形成多個接觸孔，分別暴露出這兩層金屬層，並利用形成畫素電極14的透明電極材料填充這些接觸孔，以電性連接位於外圍區域的這兩層金屬層。然而，形成畫素電極14的透明電極材料的電阻值較高，因此會造成外圍區域的電路之電阻值增加。
另外，在習知的液晶顯示面板中，還具有彩色濾光片(color filter；簡稱CF)基板與陣列基板對向設置，在彩色濾光片基板與陣列基板之間需要設置間隔物(spacer)，以控制這兩片基板之間的間距，間隔物通常是利用感光材料形成於彩色濾光片基板上，稱為彩色濾光片上的間隔物(spacer on CF；簡稱SOC)，因此需要一道光罩以及一道曝光與顯影製程去完成彩色濾光片上的間隔物之製作。
本發明之實施例提供一種顯示裝置及其製造方法，其特點在於顯示區內不需設置接觸孔，因此無需於顯示區內設置承接接觸孔的金屬圖案，藉此可以克服習知液晶顯示面板的問題，增加顯示裝置的開口率，降低陣列基板外圍區域的電路之電阻值，以及減少顯示裝置的製程步驟，並節省製造成本。
依據本發明之一實施例，提供一種顯示裝置，顯示裝置具有顯示區及圍繞顯示區的周邊區，顯示裝置包括：第一金屬層設置於顯示區及周邊區；絕緣層設置於顯示區及周邊區，覆蓋第一金屬層；圖案化半導體層設置於顯示區的絕緣層上；第二金屬層設置於圖案化半導體層上及周邊區的絕緣層上；透明導電層直接覆蓋位於顯示區的第二金屬層；以及保護層全面性地覆蓋第二金屬層、圖案化半導體層及透明導電層，其中保護層包含第一部分、第二部分及貫穿孔，且第一部分的高度大於第二部分的高度。
依據本發明之一實施例，提供一種顯示裝置的製造方法，顯示裝置具有顯示區及圍繞顯示區的周邊區，其製造方法包括：形成第一金屬層於顯示區及周邊區；形成絕緣層於顯示區及周邊區，覆蓋第一金屬層；形成圖案化半導體層於顯示區的絕緣層上；形成第二金屬層於圖案化半導體層上及周邊區的絕緣層上；形成透明導電層直接覆蓋位於顯示區的第二金屬層；以及形成保護層，全面性地覆蓋第二金屬層、圖案化半導體層及透明導電層，其中保護層包含第一部份、第二部分及貫穿孔，且第一部份的高度大於第二部分的高度。
為了讓本發明之上述目的、特徵、及優點能更明顯易懂，以下配合所附圖式，作詳細說明如下：
參閱第2圖，其顯示依據本發明之一實施例，顯示裝置的陣列基板之局部上視圖。第2圖中所顯示的薄膜電晶體(thin-film transistor；簡稱TFT)I為I型元件(I type device)，其包含閘極(未繪出)、絕緣層(未繪出)、圖案化半導體層106、源極電極110S及汲極電極110D。如第2圖所示，兩條相鄰的閘極線GL與兩條相鄰的資料線DL之間定義出畫素區(pixel)P，閘極(未繪出)、閘極線GL由第一金屬層102(參閱第3圖)形成，資料線DL、源極電極110S及汲極電極110D則由第二金屬層110(參閱第3圖)形成，畫素電極112P由透明導電層112(參閱第3圖)形成，畫素電極112P設置於畫素區P內，且延伸至汲極電極110D上，在畫素電極112P與汲極電極110D之間沒有鈍態保護層存在，畫素電極112P直接覆蓋汲極電極110D而產生電性連接。因此，依據本發明之實施例，在汲極電極110D上方不需設置接觸孔，汲極電極110D不需因承接接觸孔而額外增加金屬圖案在畫素區P內，因此汲極電極110D不會佔據畫素區P，藉此可以提高顯示裝置的開口率。
第3圖係顯示沿著第2圖的剖面線A-A’，本發明一實施例之陣列基板的局部剖面示意圖。形成閘極(未繪出)、閘極線GL的第一金屬層102形成於第一基板100上，絕緣層104形成於第一金屬層102上，圖案化半導體層106形成於絕緣層104上，圖案化半導體層106例如為非晶矽層(a-Si)，源極電極110S與汲極電極110D形成於圖案化半導體層106上。此外，在源極電極110S、汲極電極110D與圖案化半導體層106之間還具有歐姆接觸層(ohmic contact layer)108，歐姆接觸層108可以是N型重摻雜的矽層(N+
-Si)。形成畫素電極112P的透明導電層112直接覆蓋汲極電極110D，且畫素電極112P與圖案化半導體層106部分地重疊。保護層114全面性地覆蓋在源極電極110S、汲極電極110D、圖案化半導體層106、畫素電極112P及絕緣層104上。
參閱第4圖，其係顯示依據本發明之另一實施例，顯示裝置的陣列基板之局部上視圖。第4圖中所顯示的薄膜電晶體U為U型元件(U type device)，其包含閘極(未繪出)、絕緣層(未繪出)、圖案化半導體層106、源極電極110S及汲極電極110D。如第4圖所示，兩條相鄰的閘極線GL與兩條相鄰的資料線DL之間定義出畫素區P，閘極(未繪出)、閘極線GL由第一金屬層102(參閱第5圖)形成，資料線DL、源極電極110S及汲極電極110D則由第二金屬層110(參閱第5圖)形成，畫素電極112P由透明導電層112(參閱第5圖)形成，畫素電極112P設置於畫素區P內，且延伸至汲極電極110D上，在畫素電極112P與汲極電極110D之間沒有鈍態保護層存在，畫素電極112P直接覆蓋部分的汲極電極110D而產生電性連接。因此，依據本發明之實施例，在汲極電極110D上方不需設置接觸孔，汲極電極110D不需因承接接觸孔而額外增加金屬圖案在畫素區P內，因此汲極電極110D不會佔據畫素區P，藉此可以提高顯示裝置的開口率。
第5圖係顯示沿著第4圖的剖面線B-B’，本發明一實施例之陣列基板的局部剖面示意圖。形成閘極(未繪出)、閘極線GL的第一金屬層102形成於第一基板100上，絕緣層104形成於第一金屬層102上，圖案化半導體層106形成於絕緣層104上，形成源極電極110S與汲極電極110D的第二金屬層110形成於圖案化半導體層106上，此外，在源極電極110S、汲極電極110D與圖案化半導體層106之間還具有歐姆接觸層108。形成畫素電極112P的透明導電層112直接覆蓋部分的汲極電極110D，且畫素電極112P與圖案化半導體層106之間沒有重疊。保護層114全面性地覆蓋在源極電極110S、汲極電極110D、圖案化半導體層106、畫素電極112P及絕緣層104上。
第6A至6J圖係顯示依據本發明之一實施例，製造顯示裝置的各中間階段之剖面示意圖，其中薄膜電晶體是以U型元件為例進行說明，然而，此製造方法也可以應用在其他類型的薄膜電晶體，例如I型元件。第6A至6J圖係描繪出顯示裝置的顯示區100A以及圍繞顯示區100A的周邊區100B，在顯示區100A中僅繪製一個薄膜電晶體元件做為代表，在周邊區100B中則為顯示裝置的周邊電路。
參閱第6A圖，首先提供第一基板100，作為陣列基板的基底，首先在第一基板100上沈積第一金屬層102，並且利用微影與蝕刻製程將第一金屬層102圖案化，在顯示區100A形成閘極102G、閘極線(未繪出)，同時在周邊區100B形成由第一金屬層102製成的周邊電路102B。接著，在第一金屬層102上覆蓋絕緣層104，並且在絕緣層104上依序形成半導體層106、歐姆接觸層108以及第一光阻層120。
在第一光阻層120上方提供半調式遮罩(halftone mask)130，半調式遮罩130可以是灰階光罩(gray photomask)、半調式光罩(halftone photomask)或具有狹縫(slit)的光罩，其具有光線穿透率約為0%的不透光圖案130A、光線穿透率約為50%的半透光圖案130B以及光線穿透率約為100%的透光圖案130C。利用半調式遮罩130對第一光阻層120進行曝光及顯影製程，形成圖案化的第一光阻層120，如第6B圖所示。
圖案化的第一光阻層120包含第一部份122形成於顯示區100A的薄膜電晶體元件區上，亦即位於閘極102G的上方，第二部分124形成於薄膜電晶體元件區以外的顯示區100A與周邊區100B上，以及貫穿孔(through hole)126形成於周邊區100B的第一金屬層102之電路102B上方，其中第一部份122對應至不透光圖案130A，第二部分124對應至半透光圖案130B，而貫穿孔126則對應至透光圖案130C，使得第一部份122的高度大於第二部分124的高度，而貫穿孔126內則無第一光阻層120存在。
參閱第6C圖，利用圖案化第一光阻層120作為遮罩，經由圖案化第一光阻層120的貫穿孔126(參閱第6B圖)對周邊區100B的絕緣層104、半導體層106及歐姆接觸層108進行蝕刻製程，形成開口128，暴露出周邊區100B內由第一金屬層102形成的電路102B。
接著，可使用氧氣灰化(O2
asher)的方式除去圖案化第一光阻層120的第二部分124，於第二部分124完全除去之後，剩餘的第一部份122的高度也會降低，如第6D圖所示。
接著，使用圖案化第一光阻層120剩餘的第一部份122作為遮罩，對半導體層106及歐姆接觸層108進行蝕刻製程，在顯示區100A形成圖案化的半導體層106及圖案化的歐姆接觸層108，然後將剩餘的第一部份122剝除，如第6E圖所示。
參閱第6F圖，在第一基板100上方沈積第二金屬層110，並利用微影與蝕刻製程將第二金屬層110圖案化，在顯示區100A形成源極電極110S、汲極電極110D及資料線(未繪出)，同時在周邊區100B形成由第二金屬層110製成的周邊電路110B。此時，在源極電極110S與汲極電極110D之間的部分歐姆接觸層108以及部分圖案化半導體層106利用蝕刻製程除去。
參閱第6G圖，在第一基板100上方沈積透明導電層112，並利用微影與蝕刻製程將透明導電層112圖案化，在顯示區100A形成畫素電極112P，畫素電極112P直接覆蓋部分的汲極電極110D，同時在周邊區100B也形成透明導電層圖案112B，透明導電層圖案112B直接覆蓋由第二金屬層110製成的周邊電路110B。在另一實施例中，當第二金屬層110的材料為活性較低的金屬材料，則在周邊電路110B上不需形成透明導電層圖案112B來保護周邊電路110B。
參閱第6H圖，在第一基板100上方塗佈第二光阻層140，第二光阻層140的材料為絕緣感光材料，在第二光阻層140上方提供半調式遮罩150，其具有光線穿透率約為0%的不透光圖案150A、光線穿透率約為50%的半透光圖案150B以及光線穿透率約為100%的透光圖案150C。利用半調式遮罩150對第二光阻層140進行曝光及顯影製程，形成保護層114，如第6I圖所示。
保護層114包含第一部份114A形成於顯示區100A的不透光區域上，例如為薄膜電晶體元件U的上方，或者如第2圖和第4圖所示的閘極線GL或資料線DL的上方，或者對應至黑色矩陣層(black matrix；簡稱BM)的位置而設置。保護層114還具有貫穿孔114C形成於周邊區100B的透明導電層圖案112B上，且貫穿孔114C暴露出透明導電層圖案112B。在另一實施例中，當第二金屬層110的材料為活性較低的金屬材料，周邊電路110B上不需要透明導電層圖案112B保護，此時貫穿孔114C暴露出位於周邊區100B的部份周邊電路110B。此外，保護層114還包含第二部分114B，形成於第一部份114A與貫穿孔114C以外的顯示區100A與周邊區100B上，其中第一部份114A對應至不透光圖案130A，第二部分114B對應至半透光圖案130B，而貫穿孔114C則對應至透光圖案130C，使得第一部份114A的高度大於第二部分114B的高度。
參閱第6J圖，提供第二基板200與第一基板100對向設置，第二基板200例如為彩色濾光片基板，在第二基板200與第一基板100之間填充顯示介質層300，例如為液晶層，並且在周邊區100B設置框膠160密封顯示介質層300，完成顯示裝置400的製作。
如第6J圖所示，保護層114的第一部份114A可作為第二基板200與第一基板100之間的間隔物(spacer)，第一部份114A稱為陣列基板上的間隔物(spacer on array；簡稱SOA)，可支撐第二基板200。保護層114的第二部份114B則可以保護第一基板100上的全部元件，而保護層114的貫穿孔114C則暴露出周邊區100B的透明導電層圖案112B或直接暴露出周邊電路110B，使得顯示裝置400的外部電路(未繪出)經由貫穿孔114C與周邊區100B的周邊電路110B產生電性連接。當第二金屬層110的材料為活性較高的金屬材料時，透明導電層圖案112B可以保護由第二金屬層110製成的周邊電路110B，避免周邊電路110B外露而被侵蝕。
此外，在周邊區100B由第二金屬層110形成的周邊電路110B經由絕緣層104的開口128與由第一金屬層102形成的周邊電路102B直接接觸而產生電性連接，藉此將外部電路的電性訊號傳送至顯示裝置400而顯示影像。
依據本發明之實施例所提供的顯示裝置及其製造方法，在形成汲極電極110D的第二金屬層110與形成畫素電極112P的透明導電層112之間沒有鈍態保護層存在，畫素電極112P直接接觸汲極電極110D而產生電性連接，因此，相較於習知液晶顯示面板的汲極電極，本發明實施例的汲極電極110D不需要為了承接接觸孔而額外形成位於於畫素區P內的金屬圖案，因此可增加顯示裝置400的開口率。同時，相較於習知液晶顯示面板的製程，本發明之實施例可節省一道形成鈍態保護層的沈積製程，以及一道形成鈍態保護層內的接觸孔的蝕刻製程。
此外，依據本發明之實施例，位於周邊區100B由第二金屬層110形成的周邊電路110B是經由絕緣層104的開口128與由第一金屬層102形成的周邊電路102B直接接觸而產生電性連接。相較於習知液晶顯示面板必須使用透明電極材料，並透過個別的接觸孔電性連接位於周邊區的第一金屬層與第二金屬層，由於習知液晶顯示面板所使用的透明電極材料的電阻值較金屬材料的電阻值高，因此，本發明實施例之周邊區100B的周邊電路的電阻值較習知液晶顯示面板的周邊電路的電阻值低，可節省顯示裝置的電力。
同時，由於本發明實施例之周邊區100B的絕緣層104的開口128是利用半調式遮罩130對第一光阻層120進行曝光及顯影製程，然後利用圖案化的第一光阻層120作為遮罩蝕刻絕緣層104而形成，因此不會增加光罩的數目。
另外，本發明之實施例還利用半調式遮罩150對第二光阻層140進行曝光及顯影製程而形成保護層114，保護層114的第一部份114A可以作為間隔物，第二部份114B則可用於保護陣列基板上的全部元件，相較於習知的液晶顯示面板，本發明之實施例不需要為了形成間隔物而另外多一道光罩以及一道曝光與顯影製程，間隔物與保護層可同時形成，因此，本發明之實施例可減少一道間隔物的製程步驟，並降低製造成本。
綜上所述，本發明實施例的顯示裝置及其製造方法可以增加顯示裝置的開口率，降低周邊電路的電阻值，以及減少顯示裝置的製程步驟，並節省製造成本。
雖然本發明已揭露較佳實施例如上，然其並非用以限定本發明，任何熟悉此項技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可做些許更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定為準。
12、GL．．．閘極線
11、DL．．．資料線
11S、110S．．．源極電極
11D、110D．．．汲極電極
11P．．．汲極電極11D凸出的金屬圖案
14、112P．．．畫素電極
16．．．接觸孔
P．．．畫素區
I、U．．．薄膜電晶體
100．．．第一基板
100A．．．顯示區
100B．．．周邊區
102．．．第一金屬層
102G．．．閘極
102B．．．第一金屬層的周邊電路
104．．．絕緣層
106．．．半導體層、圖案化半導體層
108．．．歐姆接觸層
110．．．第二金屬層
110B．．．第二金屬層的周邊電路
112．．．透明導電層
112B．．．透明導電層圖案
114．．．保護層
114A．．．保護層的第一部份
114B．．．保護層的第二部份
114C．．．保護層的貫穿孔
120．．．第一光阻層、圖案化第一光阻層
122．．．圖案化第一光阻層的第一部份
124．．．圖案化第一光阻層的第二部份
126．．．圖案化第一光阻層的貫穿孔
128．．．開口
130、150．．．半調式遮罩
130A、150A．．．不透光圖案
130B、150B．．．半透光圖案
130C、150C．．．透光圖案
140．．．第二光阻層、圖案化第二光阻層
160．．．框膠
200．．．第二基板
300．．．顯示介質層
400．．．顯示裝置
第1圖係顯示習知的液晶顯示面板的陣列基板之上視圖。
第2圖係顯示依據本發明之一實施例，顯示裝置的陣列基板之局部上視圖。
第3圖係顯示沿著第2圖的剖面線A-A’，本發明一實施例之陣列基板的局部剖面示意圖。
第4圖係顯示依據本發明之另一實施例，顯示裝置的陣列基板之局部上視圖。
第5圖係顯示沿著第4圖的剖面線B-B’，本發明一實施例之陣列基板的局部剖面示意圖。
第6A至6J圖係顯示依據本發明之一實施例，製造顯示裝置的各中間階段之剖面示意圖。
100．．．第一基板
100A．．．顯示區
100B．．．周邊區
102．．．第一金屬層
102G．．．閘極
102B．．．第一金屬層形成的周邊電路
104．．．絕緣層
106．．．圖案化半導體層
108．．．歐姆接觸層
110．．．第二金屬層
110B．．．第二金屬層形成的周邊電路
110S．．．源極電極
110D．．．汲極電極
112．．．透明導電層
112B．．．周邊區的透明導電層圖案
112P．．．畫素電極
P．．．畫素區
U．．．薄膜電晶體
114．．．保護層
114A．．．保護層的第一部份
114B．．．保護層的第二部份
114C．．．保護層的貫穿孔
128．．．開口
160．．．框膠
200．．．第二基板
300．．．顯示介質層
400．．．顯示裝置
Claims (24)
- 一種顯示裝置，具有一顯示區及圍繞該顯示區的一周邊區，該顯示裝置包括：一第一金屬層，設置於該顯示區及該周邊區；一絕緣層，設置於該顯示區及該周邊區，覆蓋該第一金屬層；一圖案化半導體層，設置於該顯示區的該絕緣層上；一第二金屬層，設置於該圖案化半導體層上及該周邊區的該絕緣層上；一透明導電層，直接覆蓋位於該顯示區的該第二金屬層；以及一保護層，全面性地覆蓋該第二金屬層、該圖案化半導體層及該透明導電層，其中該保護層包含一第一部分、一第二部分及一貫穿孔，且該第一部分的高度大於該第二部分的高度。
- 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中位於該圖案化半導體層上的該第二金屬層上方無接觸孔，且該顯示區內無該第二金屬層。
- 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中位於該周邊區的該絕緣層具有一開口，暴露出該第一金屬層，且位於該周邊區的該第二金屬層經由該開口直接接觸該第一金屬層。
- 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，更包括：一第一基板，設置於該第一金屬層下方；一第二基板，與該第一基板對向設置；以及一顯示介質層，設置於該第一基板與該第二基板之間。
- 如申請專利範圍第4項所述之顯示裝置，其中該保護層的該第一部分為支撐該第二基板的一間隔物，設置於該顯示區的一不透光區。
- 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中該保護層的該貫穿孔設置於該周邊區，且暴露出位於該周邊區的該第二金屬層。
- 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中該透明導電層更包括一部份直接覆蓋位於該周邊區的該第二金屬層。
- 如申請專利範圍第7項所述之顯示裝置，其中該保護層的該貫穿孔設置於該周邊區，且暴露出位於該周邊區的該透明導電層的該部分。
- 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中該保護層的材料包括絕緣感光材料。
- 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中該透明導電層與該圖案化半導體層部分地重疊。
- 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中該透明導電層與該圖案化半導體層沒有重疊。
- 一種顯示裝置的製造方法，其中該顯示裝置具有一顯示區及圍繞該顯示區的一周邊區，該製造方法包括：形成一第一金屬層於該顯示區及該周邊區；形成一絕緣層於該顯示區及該周邊區，覆蓋該第一金屬層；形成一圖案化半導體層於該顯示區的該絕緣層上；形成一第二金屬層於該圖案化半導體層上及該周邊區的該絕緣層上；形成一透明導電層，直接覆蓋位於該顯示區的該第二金屬層；以及形成一保護層，全面性地覆蓋該第二金屬層、該圖案化半導體層及該透明導電層，其中該保護層包含一第一部份、一第二部分及一貫穿孔，且該第一部份的高度大於該第二部分的高度。
- 如申請專利範圍第12項所述之顯示裝置的製造方法，其中位於該圖案化半導體層上的該第二金屬層上方無接觸孔形成，且該顯示區內無該第二金屬層形成。
- 如申請專利範圍第12項所述之顯示裝置的製造方法，其中形成該圖案化半導體層的步驟包括：形成一半導體層於該顯示區及該周邊區，覆蓋該絕緣層；在該顯示區及該周邊區塗佈一第一光阻層，覆蓋該半導體層；提供一第一半調式遮罩，對該第一光阻層進行一曝光與顯影製程，形成一圖案化光阻層，其中該圖案化光阻層包含一第一部份、一第二部分及一貫穿孔，該第一部份的高度大於該第二部分的高度，且該貫穿孔位於該周邊區的該第一金屬層之上；除去該圖案化光阻層的該第二部分，留下該第一部份；利用該圖案化光阻層的該第一部分作為遮罩，蝕刻該半導體層；以及除去該圖案化光阻層的該第一部分，形成該圖案化半導體層。
- 如申請專利範圍第14項所述之顯示裝置的製造方法，其中該第一半調式遮罩具有一不透光圖案、一半透光圖案以及一透光圖案，且其中該不透光圖案對應至該圖案化光阻層的該第一部份，該半透光圖案對應至該圖案化光阻層的該第二部份，且該透光圖案對應至該圖案化光阻層的該貫穿孔。
- 如申請專利範圍第14項所述之顯示裝置的製造方法，更包括經由該圖案化光阻層的該貫穿孔蝕刻該周邊區的該半導體層及該絕緣層，在該半導體層及該絕緣層中形成一開口，暴露出位於該周邊區的該第一金屬層。
- 如申請專利範圍第16項所述之顯示裝置的製造方法，其中在形成該圖案化半導體層之後，更包括將形成於該周邊區的該絕緣層上的該第二金屬層填充在該絕緣層的該開口中，與位於該周邊區的該第一金屬層直接接觸。
- 如申請專利範圍第12項所述之顯示裝置的製造方法，其中形成該保護層的步驟包括：在該顯示區及該周邊區塗佈一第二光阻層，覆蓋該第二金屬層、該圖案化半導體層及該透明導電層；以及提供一第二半調式遮罩，對該第二光阻層進行一曝光與顯影製程，形成該保護層。
- 如申請專利範圍第18項所述之顯示裝置的製造方法，其中該第二半調式遮罩具有一不透光圖案、一半透光圖案以及一透光圖案，且其中該不透光圖案對應至該保護層的該第一部份，該半透光圖案對應至該保護層的該第二部份，且該透光圖案對應至該保護層的該貫穿孔。
- 如申請專利範圍第12項所述之顯示裝置的製造方法，更包括：提供一第一基板，其中該第一金屬層形成於該第一基板上；提供一第二基板，與該第一基板對向設置，且面對該保護層；以及在該第一基板與該第二基板之間填充一顯示介質層。
- 如申請專利範圍第20項所述之顯示裝置的製造方法，其中該保護層的該第一部分為支撐該第二基板的一間隔物，且該保護層的該第一部分的位置對應至該顯示區的一不透光區。
- 如申請專利範圍第12項所述之顯示裝置的製造方法，其中該透明導電層更包括一部份直接覆蓋位於該周邊區的該第二金屬層。
- 如申請專利範圍第22項所述之顯示裝置的製造方法，其中該保護層的該貫穿孔形成於該周邊區，且暴露出位於該周邊區的該透明導電層的該部分。
- 如申請專利範圍第12項所述之顯示裝置的製造方法，其中該保護層的該貫穿孔形成於該周邊區，且暴露出位於該周邊區的該第二金屬層。
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