CN105068336A - 阵列基板的制作方法及阵列基板 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种阵列基板的制作方法和一种阵列基板。该方法包括在基板上形成多个控制电极，以使相邻的两个控制电极之间形成第一色阻区域、第二色阻区域、第三色阻区域和第四色阻区域；依次在第一色阻区域形成第一色阻、在第二色阻区域形成第二色阻、在第三色阻区域形成第三色阻；在形成有控制电极、所述第一色阻、第二色阻、第三色阻的基板和第四色阻区域内涂布透明光阻以形成平坦层。本发明的制作方法进一步提高了阵列基板的生产效率。

Description

阵列基板的制作方法及阵列基板
技术领域
本发明属于液晶显示技术领域，具体涉及一种阵列基板的制作方法以及一种阵列基板。
背景技术
RGBW技术是在RGB(三色型像素技术)的基础上增加了W像素(透明像素)，RGB技术产生的白光是通过RGB的混色来实现白光的出射，而RGBW技术中的W像素可直接透过背光源发出的白光，这便增加了白光的出射率，即增加了液晶显示面板的亮度。
现有技术中的RGBW技术的做法是将R、G、B、W四种像素均形成在彩膜基板上，随后将透明树脂材料涂布在彩膜基板上作为平坦层，该平坦层一方面可作为各像素的保护层以及平坦层，另一方面其透明材料可使经过W像素的光透过该平坦层。然而，由于现有技术中在制作彩膜基板时，需分别制作好R、G、B、W四种像素后才另外形成平坦层，其制作流程较为繁杂；另外，由于在阵列基板与彩膜基板的制作过程中，需分别在彩膜基板的各个色阻的表面以及阵列基板的控制电极的表面形成平坦层，因此需要经过两道平坦层的制程，这便增加了阵列基板与彩膜基板的制作流程，从而降低了生产效率。
针对上述技术存在的问题，在本领域中希望寻求一种阵列基板的制作方法及阵列基板，该阵列基板的制作方法可有效减少其制程，从而大大提高生产效率。
发明内容
本发明根据现有技术的不足之处，提出了一种阵列基板的制作方法以及一种应用该方法制作的阵列基板。
根据本发明提供的一种阵列基板的制作方法，包括：
在基板上形成多个控制电极，以使相邻的两个控制电极之间形成色阻区域，各色阻区域依次为第一色阻区域、第二色阻区域、第三色阻区域和第四色阻区域；
依次在第一色阻区域形成第一色阻、在第二色阻区域形成第二色阻、在第三色阻区域形成第三色阻；
在形成有控制电极、第一色阻、第二色阻、第三色阻的基板和第四色阻区域内涂布透明光阻以形成平坦层。
本发明的阵列基板的制作方法中，将各个控制电极和各个色阻形成在同一基板上，随后对各个控制电极和各个色阻以及色阻区域统一涂覆透明光阻从而形成平坦层。与现有技术相比，本发明的阵列基板的制作方法无需在彩膜基板的各个色阻的表面以及阵列基板的控制电极的表面分别形成平坦层，这便节省了一道平坦层的制程，从而提高了生产效率。另外，本发明的阵列基板的制作方法中，在形成第三色阻后，将透明光阻完全涂覆在控制电极、第一色阻、第二色阻、第三色阻和第四色阻区域内，从而无需单独形成第四色阻区域内的相应色阻，即第四色阻区域内的相应色阻直接由透明光阻形成，因此又减少了一道单独制作该相应色阻的制程，从而进一步提高了阵列基板的生产效率。
在一些实施方案中，第四色阻区域内的色阻由平坦层直接形成。该方案无需单独形成第四色阻区域内的相应色阻，即第四色阻区域内的色阻直接由平坦层形成，因而减少了一道单独制作第四色阻区域内的色阻的制程。
在一些实施方案中，第一色阻、第二色阻和第三色阻分别为红色色阻、绿色色阻和蓝色色阻。该方案中可根据具体的出光需要对红色色阻、绿色色阻和蓝色色阻进行选材，如在某一颜色的色阻可透过相应的光的波长范围内，选取能够透过某一波段的光的色阻材料，以便提高色域显示，从而使光透过各个色阻后形成更好的画面显示。
在一些实施方案中，平坦层优选采用透明树脂材料制成，可以为透明正性光阻材料或透明负性光阻材料。进一步优选地，其厚度优选为1.5微米至5.5微米。该平坦层一方面对各色阻和控制电极起平坦化的作用，另一方面还对其起到保护作用。
在一些实施方案中，在形成平坦层后还包括以下步骤：
在平坦层上形成过孔；
在平坦层上顺次形成公共电极和像素电极，像素电极通过过孔与控制电极相连。该过孔的形成用于实现控制电极与像素电极的电连通，以便实现阵列基板的电控功能。
在一些实施方案中，形成各控制电极的方法包括依次形成栅极、源极和漏极，并且漏极与像素电极相连。该实施方案中漏极通过平坦层上的过孔与像素电极相连通，以使漏极与像素电极电连通。
根据本发明提供的一种阵列基板，包括：基板；间隔式设置在基板上的多个控制电极；位于顺次相邻控制电极之间的第一色阻区域、第二色阻区域、第三色阻区域和第四色阻区域，第一色阻区域、第二色阻区域、第三色阻区域分别设置有第一色阻、第二色阻和第三色阻；以及完全覆盖控制电极、第一色阻、第二色阻、第三色阻和第四色阻区域的平坦层。
在本发明的阵列基板中，各个控制电极和各个色阻均设置在同一基板上，并被平坦层统一覆盖，与现有技术中将各个控制电极和各个色阻分别设置在不同的基板上相比，本发明的阵列基板大大降低了生产成本，提高了生产效率。另外，本发明的阵列基板中的第四色阻区域完全由平坦层制成，无需单独形成第四色阻区域内相应的色阻，因此减少了一道单独制作该相应色阻的制程，从而进一步提高了生产效率。同时，本发明的阵列基板上设置的第四色阻区域用于增加阵列基板中的像素种类，提高了色域的同时还大大提升了光的出射率，即增加了阵列基板出光的亮度。
在一些实施方案中，第一色阻、第二色阻和第三色阻分别为红色色阻、蓝色色阻和绿色色阻。
在一些实施方案中，第四色阻区域内的色阻由平坦层制成。该方案无需单独形成第四色阻区域内的色阻，从而简化了阵列基板的制作工艺流程，提高了生产效率。
与现有技术相比，本发明具有以下优点：
1)本发明的阵列基板的制作方法中，各色阻和控制电极均设置在同一基板上，大大降低了生产成本，提高了生产效率。同时也改善了传统阵列基板和彩膜基板之间的对组精度，即提高了应用该阵列基板的液晶显示器的开口率；
2)平坦层完全覆盖第四色阻区域，使第四色阻区域内的相应色阻直接由平坦层制成，从而节省了单独制作该相应色阻的材料；同时也提高了光在第四色阻区域处的透过率，进而提高了阵列基板出光的亮度；
3)本发明的阵列基板的制作方法较现有技术相比，制作流程更为简单，大大减少了工艺制程，提高了生产效率。
附图说明
在下文中将基于实施例并参考附图来对本发明进行更详细的描述。其中：
图1是根据本发明的阵列基板的制作方法的流程图；
图2是根据本发明的阵列基板的制作方法中形成各控制电极的示意图；
图3是根据本发明的阵列基板的制作方法中形成第一色阻的示意图；
图4是根据本发明的阵列基板的制作方法中形成第二色阻的示意图；
图5是根据本发明的阵列基板的制作方法中形成第三色阻的示意图；
图6是根据本发明的阵列基板的制作方法中形成平坦层的示意图；
图7是根据本发明的阵列基板的制作方法中在平坦层上形成过孔的示意图；
图8是根据本发明的阵列基板的制作方法中形成公共电极的示意图；
图9是根据本发明的阵列基板的制作方法中形成像素电极的示意图；
图10是根据本发明的阵列基板的结构示意图；
在附图中，相同的部件使用相同的附图标记，附图并未按照实际的比例绘制。
具体实施方式
下面将结合附图对本发明作进一步说明。
这里所介绍的细节是示例性的，并仅用来对本发明的实施例进行例证性讨论，它们的存在是为了提供被认为是对本发明的原理和概念方面的最有用和最易理解的描述。关于这一点，这里并没有试图对本发明的结构细节作超出于基本理解本发明所需的程度的介绍，本领域的技术人员通过说明书及其附图可以清楚地理解如何在实践中实施本发明的几种形式。
图1显示了根据本发明提供的一种阵列基板的制作方法，这里以a-SiFFS(非晶硅边缘场开关)技术为例作具体阐述。具体包括以下步骤：
步骤S100：结合图2所示，在基板10上形成多个控制电极11，以使相邻的两个控制电极11之间形成色阻区域，各色阻区域依次为第一色阻区域12、第二色阻区域13、第三色阻区域14和第四色阻区域15；
步骤S200：结合图3至图5所示，依次在第一色阻区域12形成第一色阻121、在第二色阻区域13形成第二色阻131、在第三色阻区域14形成第三色阻141；第一色阻121、第二色阻131和第三色阻141的制作方法均通过相应的光罩进行曝光、显影、蚀刻后得到，其制作方法与现有技术中的制作方法相同，这里不再赘述。
步骤S300：结合图6所示，在形成有控制电极11、第一色阻121、第二色阻131、第三色阻141的基板10和第四色阻区域15内涂布透明光阻以形成平坦层20。平坦层20优选采用透明树脂材料制成。
本发明的阵列基板的制作方法中，将各个控制电极11和各个色阻形成在同一基板10上，随后对各个控制电极11和各个色阻以及色阻区域统一涂覆透明光阻从而形成平坦层20。与现有技术相比，本发明的阵列基板的制作方法无需在彩膜基板的各个色阻的表面以及阵列基板的控制电极的表面分别形成平坦层，这便节省了一道平坦层的制程，从而提高了生产效率。另外，本发明的阵列基板的制作方法中，在形成第三色阻141后，将透明光阻完全涂覆在控制电极11、第一色阻121、第二色阻131、第三色阻141和第四色阻区域15内，从而无需单独形成第四色阻区域15内的相应色阻，即第四色阻区域内的相应色阻直接由透明光阻形成，因此又减少了一道单独制作该相应色阻的制程，从而进一步提高了阵列基板的生产效率。
根据本发明，第四色阻区域15内的色阻由平坦层20直接形成。该方案无需单独形成第四色阻区域15内的相应色阻，即第四色阻区域15内的色阻直接由平坦层20形成，因而减少了一道单独制作第四色阻区域15内的色阻的制程。
优选地，第一色阻121、第二色阻131和第三色阻141分别为红色色阻、绿色色阻和蓝色色阻。该方案中可根据具体的出光需要对红色色阻、绿色色阻和蓝色色阻进行选材，如在某一颜色的色阻可透过相应的光的波长范围内，选取能够透过某一波段的光的色阻材料，以便提高色域显示，从而使光透过各个色阻后形成更好的画面显示。
根据本发明，平坦层20可以为透明正性光阻材料或透明负性光阻材料，其厚度优选为1.5微米至5.5微米。该平坦层20一方面对各色阻和控制电极11起平坦化的作用，另一方面还对其起到保护作用。
根据本发明，如图7至图9所示，在形成平坦层20后还包括以下步骤：
如图7所示，在平坦层20上形成过孔21；
如图8和图9所示，在平坦层20上顺次形成公共电极30和像素电极40，像素电极40通过过孔21与控制电极11相连。该过孔21的形成用于实现控制电极11与像素电极40的电导通，以便实现阵列基板的电控功能。该步骤中顺序形成的公共电极30、绝缘层31以及像素电极40与现有技术中的制程做法相同，这里不再赘述。
此外，根据本发明，如图2所示，形成各控制电极11的步骤包括依次形成栅极111、源极112和漏极113。这里首先包括在基板10上制作出栅极111和栅信号线，其次在栅极111上形成非晶硅有源层，有源层112形成后紧接着形成源极112、漏极113和相应的信号线，这三道制程与现有的非晶硅制程相同，这里也不再赘述。其中，像素电极40具体是与漏极113电连接。
图10显示了根据本发明提供的阵列基板100的结构示意图。该阵列基板100包括基板10；间隔式设置在基板10上的多个控制电极11；结合图2所示，阵列基板100还包括位于顺次相邻控制电极11之间的第一色阻区域12、第二色阻区域13、第三色阻区域14和第四色阻区域15，第一色阻区域12、第二色阻区域13、第三色阻区域14分别设置有第一色阻121、第二色阻131和第三色阻141；以及完全覆盖控制电极11、第一色阻121、第二色阻131、第三色阻141和第四色阻区域15的平坦层20。
在本发明的阵列基板100中，各个控制电极11和各个色阻均设置在同一基板10上，并被平坦层20统一覆盖，与现有技术中将各个控制电极和各个色阻分别设置在不同的基板上相比，大大降低了生产成本，提高了生产效率。另外，本发明的阵列基板100中的第四色阻区域15完全由平坦层20制成，无需单独形成相应的色阻，因此减少了一道单独制作该相应色阻的制程，从而进一步提高了生产效率。同时，本发明的阵列基板100上设置的第四色阻区域15用于增加阵列基板100中的像素种类，其大大提升了光的出射率，即增加了阵列基板100出光的亮度。
优选地，第一色阻121、第二色阻131、第三色阻141分别优选为红色色阻、蓝色色阻和绿色色阻。
本发明提供的阵列基板100中，第四色阻区域15内的色阻由平坦层20制成。由于无需单独形成第四色阻区域内的色阻，从而简化了阵列基板的制作工艺流程，提高了生产效率。
可以理解的是，由于本发明的阵列基板同时包括了各个色阻以及控制电极11，因此在后续制作彩膜基板时只需完成黑矩阵和隔离子两道制程即可。优选地，黑矩阵层也可形成在阵列基板100上，如在步骤S100中形成各个色阻后形成。该设置可补偿阵列基板与彩膜基板的对准误差，进一步提高了阵列基板与彩膜基板的对准精度。
本发明的阵列基板100适用于多种显示领域和显示技术。如适用于移动显示领域和大尺寸的显示领域；适用于LTPS(低温多晶硅)以及a-Si结构的产品设计中；本发明还适用于FFS/TN/VA/IPS等显示结构。另外，本发明还可适用于incelltouch(内嵌式触控技术)结构的产品设计以及RGBW的显示技术中。
应注意的是，前面所述的例子仅以解释为目的，而不能认为是限制了本发明。虽然已经根据示例性实施例对本发明进行了描述，然而应当理解，这里使用的是描述性和说明性的语言，而不是限制性的语言。在当前所述的和修改的所附权利要求的范围内，在不脱离本发明的范围和精神的范围中，可以对本发明进行改变。尽管这里已经根据特定的方式、材料和实施例对本发明进行了描述，但本发明并不仅限于这里公开的细节；相反，本发明可扩展到例如在所附权利要求的范围内的所有等同功能的结构、方法和应用。

Claims (10)

1.一种阵列基板的制作方法，包括：
在基板上形成多个控制电极，以使相邻的两个所述控制电极之间形成色阻区域，各所述色阻区域依次为第一色阻区域、第二色阻区域、第三色阻区域和第四色阻区域；
依次在所述第一色阻区域形成第一色阻、在所述第二色阻区域形成第二色阻、在所述第三色阻区域形成第三色阻；
在形成有所述控制电极、所述第一色阻、第二色阻、第三色阻的基板和所述第四色阻区域内涂布透明光阻以形成平坦层。
2.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第四色阻区域内的色阻由所述平坦层直接形成。
3.根据权利要求1或2所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第一色阻、第二色阻和第三色阻分别为红色色阻、绿色色阻和蓝色色阻。
4.根据权利要求1或2所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述平坦层由透明树脂材料制成。
5.根据权利要求1或2所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述平坦层的厚度为1.5微米至5.5微米。
6.根据权利要求1或2所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，在形成所述平坦层后还包括以下步骤：
在所述平坦层上形成过孔；
在所述平坦层上顺次形成公共电极和像素电极，所述像素电极通过所述过孔与所述控制电极相连。
7.根据权利要求6所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，形成各控制电极的方法包括依次形成栅极、源极和漏极，并且所述漏极与所述像素电极相连。
8.一种阵列基板，包括：
基板，
间隔式设置在所述基板上的多个控制电极，
位于顺次相邻所述控制电极之间的第一色阻区域、第二色阻区域、第三色阻区域和第四色阻区域，所述第一色阻区域、第二色阻区域、第三色阻区域分别对应设置有第一色阻、第二色阻和第三色阻，以及
完全覆盖所述控制电极、所述第一色阻、所述第二色阻、所述第三色阻和所述第四色阻区域的平坦层。
9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述第一色阻、所述第二色阻和所述第三色阻分别为红色色阻、蓝色色阻和绿色色阻。
10.根据权利要求8或9所述的阵列基板，其特征在于，所述第四色阻区域内的色阻由所述平坦层制成。
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