TWI431229B - Clean room - Google Patents

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TWI431229B
TWI431229B TW100126993A TW100126993A TWI431229B TW I431229 B TWI431229 B TW I431229B TW 100126993 A TW100126993 A TW 100126993A TW 100126993 A TW100126993 A TW 100126993A TW I431229 B TWI431229 B TW I431229B
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Shinji Warabino
Kiyotaka Waki
Motohiko Nakamura
Tamiki Murayama
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Asahi Kogyosha
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    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F24—HEATING; RANGES; VENTILATING
    • F24F—AIR-CONDITIONING; AIR-HUMIDIFICATION; VENTILATION; USE OF AIR CURRENTS FOR SCREENING
    • F24F3/00—Air-conditioning systems in which conditioned primary air is supplied from one or more central stations to distributing units in the rooms or spaces where it may receive secondary treatment; Apparatus specially designed for such systems
    • F24F3/12—Air-conditioning systems in which conditioned primary air is supplied from one or more central stations to distributing units in the rooms or spaces where it may receive secondary treatment; Apparatus specially designed for such systems characterised by the treatment of the air otherwise than by heating and cooling
    • F24F3/16—Air-conditioning systems in which conditioned primary air is supplied from one or more central stations to distributing units in the rooms or spaces where it may receive secondary treatment; Apparatus specially designed for such systems characterised by the treatment of the air otherwise than by heating and cooling by purification, e.g. by filtering; by sterilisation; by ozonisation
    • F24F3/167—Clean rooms, i.e. enclosed spaces in which a uniform flow of filtered air is distributed
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F24—HEATING; RANGES; VENTILATING
    • F24F—AIR-CONDITIONING; AIR-HUMIDIFICATION; VENTILATION; USE OF AIR CURRENTS FOR SCREENING
    • F24F7/00—Ventilation
    • F24F7/04—Ventilation with ducting systems, e.g. by double walls; with natural circulation
    • F24F7/06—Ventilation with ducting systems, e.g. by double walls; with natural circulation with forced air circulation, e.g. by fan positioning of a ventilator in or against a conduit
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    • F24F7/06—Ventilation with ducting systems, e.g. by double walls; with natural circulation with forced air circulation, e.g. by fan positioning of a ventilator in or against a conduit
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Description

清淨室
本發明，是有關於半導體製造、液晶基板製造、醫藥品和食品製造等所使用的一種清淨室，特別是，有關於改良了在清淨區域將被精密溫調的清淨空氣吹出的吹出口的一種清淨室。
對於半導體製造、液晶基板製造、醫藥品和食品製造等的製造工場，會將建屋整體清淨室化。
清淨室，具有：第8圖所示的單向流式(層流式)、及第9圖所示的非單向流式(亂流式)的2種方式。
如第8圖所示的單向流式清淨室40，是橫跨設有製造設備M的清淨區域41的頂棚的大致全面設有給氣室42，在該給氣室42的吹出口43設有高性能過濾器(HEPA或ULPA)44，在地板45的下部形成有返回室46，由循環路47將旋轉室46及給氣室42連結，在其循環路47連接有空調機48而構成。
在如第9圖所示的非單向流式清淨室50中，在清淨區域41的頂棚部的需要處各別設有過濾器組件51。過濾器組件51，是在給氣室52的吹出口53設置高性能過濾器54。在此第9圖的清淨室50中，除了過濾器組件51以外，返回室46、循環路47、空調機48的構成是與第8圖的清淨室40相同。
在如第8圖所示的單向流式清淨室40中，因為清淨空氣是從設在給氣室42的吹出口43的過濾器44均一地朝清淨區域41被給氣，並成為從清淨區域41由向下流動從地板45朝返回室46排氣(還氣)的氣流，使在清淨區域41內發生的粒子不會擴散地朝返回室46流動，來可以達成提高清淨區域41的清淨度並且是溫度分布的均一化。
另一方面，在如第9圖所示的非單向流式清淨室50中，因為在清淨區域41的頂棚部的需要處設置過濾器組件51，所以在過濾器組件51、51之間，清淨空氣是不流動而產生滯留而成為亂流，但是藉由配合製造設備M的設置的位置來配置過濾器組件51，就可以在需要處防止粒子的擴散。但是，非單向流式的情況，即使為了在清淨區域41內處理所要求的熱負荷而控制給氣溫度，仍會在過濾器組件51的正下及其以外成為溫差較大的溫度分布。
為了控制在清淨區域41發生的粒子的擴散，將來自製造設備M的裝置等的發熱除去，對於向下流動的面風速，需要0.15～0.5m/sec，在第8圖的單向流式中，具有需要膨大的空氣循環量的問題。在此點中，第9圖的非單向流式，是藉由在需要處設置過濾器組件51，使總風量比單向流式少。
[先行技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2010-112646號公報
但是最近，製造設備M也大型化，清淨區域41的高度也需要6m以上，由非單向流式，即使從過濾器54將被溫調的清淨空氣吹出，到達地板45時仍會擴散，成為具有無法在需要處中獲得預定(需要)的向下流動的風速(0.15～0.5m/sec)的問題。
因此，如單向流式的方式將清淨區域的水平剖面的整體由向下流動流動雖較佳，但是無法消解循環總風量變多的問題。
且因為兩者皆從過濾器將清淨空氣吹出，所以為了確認在過濾器是否有針孔，有需要進行從給氣側給氣並且將噴霧流的過濾器洩漏試驗。此過濾器洩漏試驗，是將過濾器的下面的取樣探針縱橫掃描來界定洩漏的噴霧的有無及針孔的位置，但是具有在檢查時需要膨大時間的問題。
在此，本發明的目的，是解決上述課題，提供一種清淨室，即使循環風量減少，也可以確保所需要的向下流動的風速來確保溫度控制及清淨度，且過濾器洩漏試驗也可簡單地進行。
為了達成上述目的之本發明的清淨室，是在清淨區域的頂棚，設有作為被溫調的清淨空氣的吹出口用的開口部，在該開口部，將在托板的下面形成了複數噴嘴的噴嘴板複數枚並列設置，而形成前述吹出口。
本發明的清淨室，具備：設有製造設備的清淨區域；及給氣室，是設在該清淨區域的頂棚，在下部，具有形成被溫調的清淨空氣的吹出口用的開口部；及設在前述清淨區域的地板下的返回室；及將該返回室及前述給氣室連結的空氣循環路；及與空氣循環路連接的空調機；及設在將空調機及前述給氣室連結的循環路上的高性能過濾器；及複數噴嘴板，是在托板的下面形成複數噴嘴，將前述給氣室的下部的開口部覆蓋的方式被複數枚並列設置，在前述清淨區域的頂棚形成前述吹出口用。
且高性能過濾器，可取代與前述空氣循環路連接，而設在給氣室內也可以。
本發明所使用的噴嘴板，是具有：形成薄型箱狀的托板、及在該托板的縱橫方向從該托板突出的複數噴嘴，且托板及複數噴嘴是由樹脂成形一體地形成。噴嘴的內徑是2～40mm的範圍內的其中任一，噴嘴的高度是20～200mm的範圍內的其中任一。
且在本發明中，是在噴嘴板的托板中，設有：內徑大且由一定的吹出角度將清淨空氣吹出的噴嘴、及被配置於該噴嘴間且內徑小且將清淨空氣由廣角度將清淨空氣吹出的噴嘴也可以。
在本發明中，從噴嘴板的噴嘴被吹出清淨空氣，是對應噴嘴內徑預先求得成為風速0.5m/sec的有效噴射距離，使在前述地上的某高度的面成為風速0.15～0.5m/sec的方式，依據前述噴嘴的有效噴射距離選用噴嘴內徑。
且從各噴嘴被吹出的清淨空氣，是在到達有效噴射距離期間由一定的擴散角被吹出，噴嘴彼此之間隔，是由從相鄰接的噴嘴被吹出清淨空氣的擴散角，使來自在前述有效噴射距離內相鄰接的噴嘴的清淨空氣相互交叉的方式被設定。
本發明，可發揮如以下的優異效果。
(1)藉由使清淨區域的清淨空氣的吹出口，由複數噴嘴板形成，就可以自由地選用從噴嘴板的各噴嘴吹出的被溫調的清淨空氣的風速及其到達距離。
(2)清淨室的頂棚即使較高，也可以最適化噴嘴的到達距離及清淨區域所需要的風速。
(3)清淨室內中的空氣的總循環量可以成為習知的清淨室的1/3～1/10。
(4)因為高性能過濾器，是設在循環系路和給氣室，所以過濾器洩漏試驗等的檢查可以簡單化。
以下，依據添附圖面詳述本發明的最佳的一實施例。
第1圖，是顯示本發明的清淨室的整體圖。
首先清淨室10，是在設有製造設備M的清淨區域11的頂棚，是使複數給氣室12相互地相鄰接的方式橫跨大致全面被設置，在清淨區域11的地板15的下部形成有返回室16，且連接有將返回室16及給氣室12連結的循環路17，在該循環路17連接有空調機18。
在本實施例中，在循環路17設有高性能過濾器(HEPA或ULPA)19，且在給氣室12的開口部設置複數噴嘴板20而構成吹出口。
空調機18，是具有蒸發器21及循環風扇22，在其吸入側連接有外氣OA的導入線13，在至空調機18的循環路17中，連接有具備將循環空氣的一部分排氣的排氣風扇之排氣線14。
此清淨室10，是使清淨區域11的頂棚由噴嘴板20的噴嘴24形成，為了從噴嘴24吹出被空調機18空調且由高性能過濾器19被除塵的清淨空氣CA，即使清淨區域11的頂棚高度較高，藉由自由地選用噴嘴徑，就可以確保在地板15上的需要高度(使用點)，例如從地板15約1m的高度，成為需要的向下流動的風速(0.15～0.5m/sec)，並且需要的空氣循環量也可成為習知的1/3～1/10的風量。
且高性能過濾器19，是只與循環路17連接，其過濾器洩漏試驗也可簡單地進行。
第2圖，是顯示本發明的其他的清淨室的整體圖。
第2圖的清淨室10，其基本構成雖是與第1圖的清淨室10相同，但是將高性能過濾器19設在給氣室12內。第2圖的清淨室10，其高性能過濾器19的安裝位置，是與第1圖相異的以外，因為是與第1圖相同，所以在第2圖中附加與第1圖相同符號並省略其說明。
在如此第1圖、第2圖所示的清淨室10中，安裝在清淨區域11的頂棚的給氣室12，雖顯示複數並列設在頂棚的大致全面地構成單向流式清淨室的例，但是在頂棚的需要處設置給氣室12地構成非單向流式清淨室也可以。
且給氣室12，是可取代複數並列，將頂棚的大致全面覆蓋的方式由1個給氣室12構成也可以。
其次，第3圖，是顯示將本發明的噴嘴板20安裝在給氣室12的開口部時的部分擴大立體圖，第4圖是顯示將噴嘴板20安裝於給氣室12的部分剖面圖。
噴嘴板20，是使用模具由樹脂成形使薄型箱狀的托板23及噴嘴24被一體成型。
此噴嘴板20，是由例如30cm×30cm、50cm×50cm的尺寸，托板23的周圍的厚度是形成10～20mm程度，噴嘴24的高度，是在20～200mm、內徑是在Φ 2～40mm的範圍適宜地形成。
使用的樹脂，是工程塑料，可以選擇聚縮醛、聚醯亞胺、聚碳酸酯、變性聚苯乙醚、聚對苯二甲酸丁二醇酯的其中任一。且在樹脂添加碳黑和黑鉛粉末、氧化鋅等的導電性粉末和非離子系或是由陰離子系界面活性劑等所構成的帶電防止劑也可以。
且在托板23的周圍，後述的小螺絲固定用的小螺釘用孔25是在各邊分別形成3處。
接著說明噴嘴板20的朝給氣室12的安裝。
首先，噴嘴板20，是被並列支撐於由SUS和鋁等金屬方形管形成的支撐框30。此支撐框30，具有將噴嘴板20支撐的方形框31、31，在該方形框31，設有與噴嘴板20的小螺釘用孔25相面對的螺紋孔32。
將噴嘴板20安裝在支撐框30時，設有將其間密封的密封材26。密封材26，是形成支撐框30的方形框31的框體形狀，且在與支撐框30的螺紋孔32一致的位置形成有小螺釘孔27。
朝支撐框30的噴嘴板20的安裝，是將框狀的密封材26載置在支撐框30上，在該密封材26上將噴嘴板20朝前後左右並列。在該狀態下，將小螺釘28通過小螺釘用孔25，並通過密封材26的小螺釘孔27而螺入支撐框30的螺紋孔32，將噴嘴板20安裝在支撐框30。
如此噴嘴板20，是透過密封材26螺絲固定地安裝在支撐框30之後，將該支撐框30，安裝在給氣室12。
此給氣室12，是如第4圖所示，具有開口部是由方形管形成的直方體狀的盒上的框架33，在該框架33的周面及上面安裝有蓋35。支撐框30，是透過密封材38由螺栓及螺帽39被安裝在框架33的上面。
如此，在給氣室12，安裝了已安裝了噴嘴板20的支撐框30之後，藉由將給氣室12安裝在如第1圖、第2圖所示的清淨區域11的頂棚並且與循環路17的導管連接而構成清淨室10。
接著，說明形成清淨區域11的頂棚的吹出口的噴嘴板20的噴嘴24的形狀及其內徑及其安裝間隔。
首先噴嘴24的形狀，是如第3、4圖所示，形成倒漏斗狀，但是形成圓筒狀也可以。
接著，說明噴嘴24的配置數量。
首先將從習知的高性能過濾器吹出的清淨空氣，每面積1m2 ，以面風速為0.05m/sec時的風量(3m3 /min)作為基準，噴嘴內徑，各別為Φ 2mm、Φ 5mm、Φ 10mm、Φ 20mm、Φ 40mm，將同一風量(3m3 /min)吹出時的噴嘴個數，是成為如下。
在Φ 2mm的噴嘴中，噴嘴數為1591個(40×40個)，在Φ 5mm的噴嘴中，噴嘴數為254個(16×16個)，在Φ 10mm的噴嘴中，噴嘴數為63個(8×8個)，在Φ 20mm的噴嘴中，噴嘴數為16個(4×4個)，在Φ 40mm的噴嘴中，噴嘴數為4個(2×2個)。因此，將這些的個數，在每1m2 ，由縱橫四角形狀等間隔，或是由鋸齒狀三角形狀等間隔並列的方式設置即可。
接著，由第5圖說明模擬從Φ 2mm、Φ 5mm、Φ 10mm、Φ 20mm、Φ 40mm的噴嘴朝下方被吹出的清淨空氣的風速(m/sec)及到達距離(m)的結果。
首先，在習知的過濾器中，由風速0.05m/sec吹出時的到達距離，是5m為最大，到達5m的話風速是成為零。
對於此，在Φ 2mm的噴嘴中，到達距離為5m，在Φ 5mm的噴嘴中，到達距離為6.5m，在Φ 10mm的噴嘴中，到達距離為7.2m，在Φ 20mm及Φ 40mm的噴嘴中，到達距離為8m，噴嘴徑愈大的話到達距離愈長，在Φ 20mm～Φ 40mm的範圍的噴嘴中，可知其到達距離沒有差。
在此，在清淨區域的地板上預定(需要)的高度面，可以獲得控制粒子的擴散，將來自製造設備的裝置等的發熱除去的最小的風速0.15m/sec的情況，在Φ 2mm的噴嘴中，從噴嘴位置直到地上的需要的高度面(例如高度1m、通常高度2m以內)為止的距離(以下稱有效噴射距離)是約3m，在Φ 5mm的噴嘴中，有效噴射距離是約5m，在Φ 10mm的噴嘴中有效噴射距離是6.5m，在Φ 20mm的噴嘴中，有效噴射距離是7m，在Φ 40mm的噴嘴中，有效噴射距離是成為8m。即，從需要的高度面直到噴嘴為止的距離，是在該噴嘴的有效噴射距離內的話，在需要的高度面，可獲得風速0.15m/sec以上的充分的風速。
因此，從如第1圖、第2圖所示的清淨區域11的頂棚高度，在地板15上的需要高度面，可獲得風速0.15m/sec以上的噴嘴內徑及其配置個數也成為可自由地設計，與從過濾器全面吹出的方式相比總循環風量也可以成為1/3～1/10的風量。
第6圖，是示意從噴嘴板20的各噴嘴24被吹出的被溫調的清淨空氣CA的擴散狀態。
首先，從各噴嘴24被吹出的被溫調的清淨空氣CA，是朝下方地被吹出，並且依據噴嘴24的吹出形狀，具有一定的擴散角θ。在此如上述，例如選用Φ 10mm的噴嘴的情況，風速0.15m/sec的有效噴射距離L是6.5m，在其到達距離L以內，與來自如第6圖所示相鄰接的噴嘴24的被溫調的清淨空氣CA彼此疊合的話，地板面上的需要(預定)高度(例如1m)中的面整體，可以成為均一的風速、均一的溫度的氣流。
且在第6圖中，在清淨區域11的頂棚附近，噴嘴24彼此因為是隔有間隔設置，所以在被吹出被溫調的清淨空氣CA之間，空氣的滯留會發生，但是滯留的空氣，因為是其周圍是被來自各噴嘴24的被溫調的清淨空氣CA包圍，所以即使在滯留空氣中發生粒子，也可不會與其中任一的被溫調的清淨空氣CA一起擴散地朝返回室流動。
第7圖，是顯示在清淨區域11的頂棚附近發生粒子的情況時可確實地防止擴散的例。
在本例中，顯示在具有擴散角θ的噴嘴24θ、24θ之間，配置具有更大角度的擴散角α的噴嘴24α的方式形成噴嘴板20的例。
具有此擴散角α的噴嘴24α，因為只有吹到從噴嘴24θ、24θ被吹出的清淨空氣CA之間，所以到達距離可縮短。因此，噴嘴24α，即使是使用比噴嘴24θ、24θ的內徑小的例如Φ 2mm的噴嘴也具有5m的到達距離，且噴嘴的吹出角度α可以自由地選用，可更確實地防止發生粒子的擴散。
且除了改變形成於噴嘴板20的托板23的噴嘴24的內徑以外，在本發明中，藉由預先形成各種噴嘴內徑相異的噴嘴板20，將此對應清淨區域11的製造設備M的配置狀況，將噴嘴徑的相異噴嘴板20安裝朝清淨區域11將清淨空氣吹出的給氣室12，就也可以自由地設定清淨區域11的區域整體的風速分布。即在粒子擴散被要求的區域上的頂棚中，配置由內徑較大的噴嘴所構成的噴嘴板20，在不受粒子擴散影響的區域中，藉由配置噴嘴內徑較小的噴嘴板20，使更抑制循環風量的單向流式及非單向流式的中間的吹出方式也可以。
以上雖說明本發明的實施例，但是在本發明可進行各種變更。即，雖說明清淨室，但是清淨室是廣義者，例如形成於將液晶基板曝光的曝光裝置內的清淨室和局部形成的清淨室當然也可以適用。
CA．．．清淨空氣
M．．．製造設備
OA．．．外氣
10．．．清淨室
11．．．清淨區域
12．．．給氣室
13．．．導入線
14．．．排氣線
15．．．地板
16．．．返回室
17．．．循環路
18．．．空調機
19．．．高性能過濾器
20．．．噴嘴板
21．．．蒸發器
22．．．循環風扇
23．．．托板
24．．．噴嘴
25．．．小螺釘用孔
26．．．密封材
27．．．小螺釘孔
28．．．小螺釘
30．．．支撐框
31．．．方形框
32．．．螺紋孔
33．．．框架
35．．．蓋
38．．．密封材
39．．．螺栓及螺帽
40．．．清淨室
41．．．清淨區域
42．．．給氣室
43．．．吹出口
44．．．過濾器
45．．．地板
46．．．返回室
47．．．循環路
48．．．空調機
50．．．清淨室
51．．．過濾器組件
52．．．給氣室
53．．．吹出口
54．．．過濾器
[第1圖]顯示本發明的一實施例的整體圖。
[第2圖]顯示本發明的其他的實施例的整體圖。
[第3圖]顯示第1圖、第2圖中，將噴嘴板安裝在給氣室的狀態的部分立體圖。
[第4圖]第1圖、第2圖中，將噴嘴板安裝在給氣室狀態的部分擴大剖面圖。
[第5圖]顯示本發明中的內徑不同的各噴嘴的從噴嘴被吹出的風速及到達距離的關係的圖。
[第6圖]說明本發明的從噴嘴板的各噴嘴被吹出的清淨空氣的擴散狀態的圖。
[第7圖]說明本發明的在噴嘴板設有擴散角相異的噴嘴時的從兩噴嘴被吹出的清淨空氣的擴散狀態的圖。
[第8圖]顯示習知的單向流式清淨室的整體圖。
[第9圖]顯示習知的非單向流式清淨室的整體圖。
CA．．．清淨空氣
M．．．製造設備
OA．．．外氣
10．．．清淨室
11．．．清淨區域
12．．．給氣室
13．．．導入線
14．．．排氣線
15．．．地板
16．．．返回室
17．．．循環路
18．．．空調機
19．．．高性能過濾器
20．．．噴嘴板
21．．．蒸發器
22．．．循環風扇
24．．．噴嘴

Claims (16)

  1. 一種清淨室，其特徵為：在清淨區域的頂棚，設有形成作為被溫調的清淨空氣的吹出口用的開口部，並將在托板的下面形成有複數噴嘴的噴嘴板由複數枚並列設在該開口部的方式形成前述吹出口。
  2. 如申請專利範圍第1項的清淨室，其中，前述噴嘴板，具有：形成薄型箱狀的托板、及在該托板的縱橫方向從該托板的下面突出的複數噴嘴，且前述托板及前述複數噴嘴是由樹脂成形一體地形成。
  3. 如申請專利範圍第2項的清淨室，其中，前述噴嘴的內徑是2~40mm的範圍內的其中任一，前述噴嘴的高度是20~200mm的範圍內的其中任一。
  4. 如申請專利範圍第3項的清淨室，其中，在前述托板中，設有：內徑大且由一定的吹出角度將清淨空氣吹出的噴嘴、及被配置於前述噴嘴間且內徑小且將清淨空氣由廣角度將清淨空氣吹出的噴嘴。
  5. 一種清淨室，其特徵為，具備：清淨區域，其中設有製造設備；及給氣室，是設在該清淨區域的頂棚，在下部，具有供作為被溫調的清淨空氣的吹出口用的開口部；及返回室，是設在前述清淨區域的地板下；及空氣循環路，是將該返回室及前述給氣室連結；及空調機，是與空氣循環路連接；及高性能過濾器，是設在將空調機及前述給氣室連結的循環路上；及複數噴嘴板，在托板的下面形成複數噴嘴，將前述給氣室的下部的開口部覆蓋的方式被複 數枚並列設置，供在前述清淨區域的頂棚形成前述吹出口用。
  6. 如申請專利範圍第5項的清淨室，其中，在前述給氣室的下部的開口部，設有被開設有複數方形開口的支撐框，在該支撐框的各開口，透過密封材安裝有前述噴嘴板。
  7. 如申請專利範圍第5項的清淨室，其中，前述噴嘴板，具有：形成薄型箱狀的托板、及在該托板的縱橫方向從該托板突出的複數噴嘴，且前述托板及前述複數噴嘴是由樹脂成形一體地形成。
  8. 如申請專利範圍第7項的清淨室，其中，前述噴嘴的內徑是2~40mm的範圍內的其中任一，前述噴嘴的高度是20~200mm的範圍內的其中任一。
  9. 如申請專利範圍第8項的清淨室，其中，從前述噴嘴板的各噴嘴被吹出的清淨空氣，是對應噴嘴內徑預先求得成為風速0.15m/sec的有效噴射距離，使在前述地上的某高度的面成為風速0.15~0.5m/sec的方式，依據前述噴嘴的有效噴射距離選用噴嘴內徑。
  10. 如申請專利範圍第9項的清淨室，其中，從各噴嘴被吹出的清淨空氣，是在到達有效噴射距離期間由一定的擴散角被吹出，噴嘴彼此之間隔，是由從相鄰接的噴嘴被吹出清淨空氣的擴散角，使來自前述有效噴射距離內相鄰接的噴嘴的清淨空氣相互交叉地被設定。
  11. 一種清淨室，其特徵為，具備：清淨區域，其中 設有製造設備；及給氣室，是設在該清淨區域的頂棚，在下部，具有供作為被溫調的清淨空氣的吹出口用的開口部；及返回室，是設在前述清淨區域的地板下；及空氣循環路，是將該返回室及前述給氣室連結；及空調機，是與空氣循環路連接；及高性能過濾器，是設在給氣室內；及複數噴嘴板，是在托板的下面形成複數噴嘴，將前述給氣室的下部的開口部覆蓋的方式被複數枚並列設置，供在前述清淨區域的頂棚形成前述吹出口用。
  12. 如申請專利範圍第11項的清淨室，其中，在前述給氣室的下部的開口部，設有被開設有複數方形的開口的支撐框，在該支撐框的各開口，透過密封材安裝有噴嘴板。
  13. 如申請專利範圍第11項的清淨室，其中，前述噴嘴板，具有：形成薄型箱狀的托板、及在該托板的縱橫方向從該托板突出的複數噴嘴，且前述托板及前述複數噴嘴是由樹脂成形一體地形成。
  14. 如申請專利範圍第13項的清淨室，其中，噴嘴的內徑是2~40mm的範圍內的其中任一，前述噴嘴的高度是20~200mm的範圍內的其中任一。
  15. 如申請專利範圍第14項的清淨室，其中，從前述噴嘴板的各噴嘴被吹出的清淨空氣，是對應噴嘴內徑預先求得成為風速0.15m/sec的有效噴射距離，使在前述地上的某高度的面成為風速0.15~0.5m/sec的方式，依據前述噴嘴的有效噴射距離選用噴嘴內徑。
  16. 如申請專利範圍第15項的清淨室，其中，從各噴嘴被吹出的清淨空氣，是在到達有效噴射距離期間由一定的擴散角被吹出，噴嘴彼此之間隔，是由從相鄰接的噴嘴被吹出清淨空氣的擴散角，使來自前述有效噴射距離內相鄰接的噴嘴的清淨空氣相互交叉的方式被設定。
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Families Citing this family (261)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
CN102818323B (zh) * 2012-08-02 2015-03-11 青岛海信日立空调系统有限公司 基于喷射送风的热泵空调系统
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
CN103267340B (zh) * 2013-05-29 2016-03-16 苏州大学 一种洁净手术室变风量变级别的送风装置
CN105339740B (zh) * 2014-01-14 2017-12-22 株式会社日本医化器械制作所 块式吸引单元、块式送气单元、块式供气单元和使用这些单元的环境控制装置
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
CN105674393A (zh) * 2014-11-18 2016-06-15 奇鼎科技股份有限公司 基板快速均温装置
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
JP2017219219A (ja) * 2016-06-06 2017-12-14 清水建設株式会社 クリーンルーム用空調システム
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
TWI671792B (zh) 2016-12-19 2019-09-11 荷蘭商Ａｓｍ知識產權私人控股有限公司 基板處理設備
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
CN107796079B (zh) * 2017-03-06 2023-04-25 江苏嘉合建设有限公司 顶送顶回净化通风系统
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
TWI791689B (zh) * 2017-11-27 2023-02-11 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股私人有限公司 包括潔淨迷你環境之裝置
JP7214724B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-30 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
WO2019142055A2 (en) 2018-01-19 2019-07-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
KR101859593B1 (ko) * 2018-01-31 2018-05-18 오영근 크린룸용 기류제어 시스템
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
JP7124098B2 (ja) 2018-02-14 2022-08-23 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 周期的堆積プロセスにより基材上にルテニウム含有膜を堆積させる方法
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
TWI843623B (zh) 2018-05-08 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR20210024462A (ko) 2018-06-27 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 필름 및 구조체
JP7515411B2 (ja) 2018-06-27 2024-07-12 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 金属含有材料ならびに金属含有材料を含む膜および構造体を形成するための周期的堆積方法
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TW202037745A (zh) 2018-12-14 2020-10-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN109629006A (zh) * 2019-01-31 2019-04-16 长江存储科技有限责任公司 炉管机台和洁净室
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
JP7509548B2 (ja) 2019-02-20 2024-07-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
CN110043982B (zh) * 2019-04-16 2020-08-28 北京联合大学 动态自适应压差波动控制系统及方法
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh) 2019-08-05 2024-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
CN112635282A (zh) 2019-10-08 2021-04-09 Asm Ip私人控股有限公司 具有连接板的基板处理装置、基板处理方法
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN113028532A (zh) * 2019-12-09 2021-06-25 上海奇康再生医学技术有限公司 一种自循环新风管理系统的洁净室
US11885013B2 (en) 2019-12-17 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming vanadium nitride layer and structure including the vanadium nitride layer
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
KR20210089079A (ko) 2020-01-06 2021-07-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 채널형 리프트 핀
JP2021109175A (ja) 2020-01-06 2021-08-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR20210117157A (ko) 2020-03-12 2021-09-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
CN113555279A (zh) 2020-04-24 2021-10-26 Asm Ip私人控股有限公司 形成含氮化钒的层的方法及包含其的结构
KR20210132605A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR20210145080A (ko) 2020-05-22 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
US11725280B2 (en) 2020-08-26 2023-08-15 Asm Ip Holding B.V. Method for forming metal silicon oxide and metal silicon oxynitride layers
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
JP2022056167A (ja) * 2020-09-29 2022-04-08 芝浦メカトロニクス株式会社 送風器及び電子部品の実装装置
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0668408B2 (ja) * 1986-05-29 1994-08-31 高砂熱学工業株式会社 クリ−ンル−ム用空気吹出装置およびこれを利用した高天井クリ−ンル−ム
JPH01131934A (ja) * 1987-11-18 1989-05-24 Hitachi Ltd 動的シングルクロツクトレース方式
JPH0522745Y2 (zh) * 1988-03-02 1993-06-11
JPH0666439A (ja) * 1992-08-13 1994-03-08 Kawasaki Steel Corp クリーンルーム及びエアサプライユニット
JPH11218353A (ja) * 1998-02-02 1999-08-10 Toshiba Air Conditioning Co Ltd クリーンルームへの吹出し風速調整装置
KR200241269Y1 (ko) * 1999-04-26 2001-09-25 김희남 클린부스의 구조
JP2002106943A (ja) * 2000-10-03 2002-04-10 Shin Nippon Air Technol Co Ltd 局所空間清浄化ノズルおよび局所空間清浄化ユニット
JP4824885B2 (ja) * 2001-09-28 2011-11-30 高砂熱学工業株式会社 エアシャワー装置，清浄装置の配置構造及び運転方法
JP2008107033A (ja) * 2006-10-26 2008-05-08 Takenaka Komuten Co Ltd ファンフィルタユニット
JP5330805B2 (ja) * 2008-11-07 2013-10-30 パナソニック株式会社 クリーンルーム

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Publication number Publication date
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