JP2012093066A - クリーンルーム - Google Patents

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Abstract

【課題】循環風量が少なくても、必要なダウンフローの風速を確保でき、しかもフィルタリーク試験も簡単に行えるクリーンルームを提供する。
【解決手段】クリーンルーム10のクリーンゾーン11の温調された清浄空気の吹出口が、複数のプレートノズル20で形成されたものである。
【選択図】図1

Description

本発明は、半導体製造、液晶基板製造、医薬品や食品製造等に用いられるクリーンルームに係り、特に、クリーンゾーンに精密温調された清浄空気を吹き出す吹出口を改良したクリーンルームに関するものである。
半導体製造、液晶基板製造、医薬品や食品製造等の製造工場では、建屋全体をクリーンルーム化している。
クリーンルームとしては、図8に示す一方向流式(層流式)と、図9に示す非一方向式(乱流式)の2方式がある。
図8に示した一方向流式クリーンルーム40は、製造設備Mが設置されるクリーンゾーン41の天井の略全面にわたって給気チャンバ42が設けられ、その給気チャンバ42の吹出口43に高性能フィルタ(HEPAまたはULPA)44が設けられ、床45の下部にはレターンチャンバ46が形成され、レターンチャンバ46と給気チャンバ42とを結んで循環路47が接続され、その循環路47に空調機48が接続されて構成される。
図9に示した非一方向式クリーンルーム50では、クリーンゾーン41の天井部の必要箇所にそれぞれフィルタユニット51を設けたものである。フィルタユニット51は、給気チャンバ52の吹出口53に高性能フィルタ54を設けて構成される。この図9のクリーンルーム50では、フィルタユニット51を除いて、レターンチャンバ46、循環路47、空調機48の構成は図8のクリーンルーム40と同じである。
図8に示した一方向流式クリーンルーム40では、給気チャンバ42の吹出口43に設けられたフィルタ44から清浄空気が均一にクリーンゾーン41に給気され、クリーンゾーン41をダウンフローで床45からレターンチャンバ46に排気(還気)される気流となるため、クリーンゾーン41内で発生した粒子が拡散することなくレターンチャンバ46に流れ、クリーンゾーン41の清浄度を高めると共に温度分布の均一化を図ることができる。
一方、図9に示した非一方向式クリーンルーム50では、クリーンゾーン41の天井部の必要箇所にフィルタユニット51が設置されるため、フィルタユニット51、51間では、清浄空気が流れず滞留が生じ乱流となるが、製造設備Mの設置の位置に合わせてフィルタユニット51を配置することで、必要箇所で粒子の拡散を防止することができる。しかし、非一方向式の場合、クリーンゾーン41内で要求される熱負荷を処理するために給気温度を制御しても、フィルタユニット51の直下とそれ以外では差のついた温度分布となる。
クリーンゾーン41で発生した粒子の拡散を制御し、製造設備Mの装置等からの発熱を除去するためには、ダウンフローの面風速は、0.15〜0.5m/secが必要であり、図8の一方向流式では、膨大な空気循環量を必要とする問題がある。この点では、図9の非一方向式は、必要箇所にフィルタユニット51を設置することにより、総風量は一方向流式より少なくてすむ。
特開2010−112646号公報号公報
ところで、最近は、製造設備Mも大型化しており、クリーンゾーン41の高さも6m以上も必要とされており、非一方向式で、フィルタ54から温調された清浄空気を吹き出しても、床45に到達する際には拡散してしまい、必要箇所でのダウンフローとなる風速(0.15〜0.5m/sec)が得られない問題がある。
従って、一方向流式のようにクリーンゾーンの水平断面の全体をダウンフローで流すのが好ましいが、循環総風量が多くなる問題が解消されない。
また、両方式ともフィルタから清浄空気を吹き出すため、フィルタにピンホールがあるかどうか、給気側から給気と共にエアロゾルを流してフィルタリーク試験を行う必要がある。このフィルタリーク試験は、フィルタの下面のサンプリングプローブを縦横に走査してリークしたエアロゾルの有無とピンホールの位置を特定するものであるが、検査には膨大な時間がかる問題がある。
そこで、本発明の目的は、上記課題を解決し、循環風量が少なくても、温度制御および清浄度確保に必要なダウンフローの風速を確保でき、しかもフィルタリーク試験も簡単に行えるクリーンルームを提供することにある。
上記目的を達成するために本発明のクリーンルームは、クリーンゾーンの温調された清浄空気の吹出口が、複数のプレートノズルで形成されたことを特徴とするものである。
本発明のクリーンルームは、製造設備が設置されるクリーンゾーンと、該クリーンゾーンの天井に、下部が開口して設けられた給気チャンバと、前記クリーンゾーンの床下に設けられたレターンチャンバと、該レターンチャンバと前記給気チャンバとを結ぶ空気循環路と、空気循環路に接続された空調機と、空調機と前記給気チャンバを結ぶ循環路に設けられた高性能フィルタと、前記給気チャンバとクリーンゾーンの天井の開口を覆うように設けられた複数のプレートノズルとを備えてなるものである。
また高性能フィルタは、前記空気循環路に接続する代わりに給気チャンバ内に設けるようにしてもよい。
本発明に用いられるプレートノズルは、薄型箱状に形成されたプレートと、そのプレートの縦横に多数のノズルが、そのプレートと一体に樹脂成形して形成される。ノズルの内径は2〜40mmの範囲内のいずれかに形成される。
また、本発明においては、プレートノズルのプレートには、一定の角度で清浄空気を吹き出す内径の大きなノズルと、そのノズル間に配置され、内径が小さく清浄空気を広角度で清浄空気を吹き出すノズルが設けられるようにしてもよい。
本発明において、プレートノズルのノズルから吹き出された清浄空気が、風速0.5m/secとなる有効噴射距離をノズル内径に応じて予め求めておき、前記床上のある高さの面で風速0.15〜0.5m/secとなるように、前記ノズルの有効噴射距離からノズル内径を選定する。
また、各ノズルから吹き出された清浄空気は、有効噴射距離に達する間に一定の広がり角で吹き出され、ノズル同士の間隔は、隣接するノズルから吹き出された清浄空気の広がり角で、前記有効噴射距離内で隣接するノズルからの清浄空気が相互に交わるように設定される。
本発明は、次のような優れた効果を発揮する。
(1)クリーンゾーンの清浄空気の吹出口が、複数のプレートノズルで形成されることで、プレートノズルの各ノズルから吹き出す温調された清浄空気の風速とその到達距離を自在に選定することができる。
(2)クリーンルームの天井が高くてもノズルの到達距離とクリーンゾーンが必要とする風速を最適化することができる。
(3)クリーンルーム内での空気の総循環量を従来のクリーンルームの1/3〜1/10にすることができる。
(4)高性能フィルタは、循環系路や給気チャンバに設けるため、フィルタリーク試験などの検査が簡単にできる。
本発明の一実施の形態を示す全体図である。 本発明の他の実施の形態を示す全体図である。 図1、図2おいて、給気チャンバにプレートノズルを取り付ける状態を示す部分斜視図である。 図1、図2おいて、給気チャンバにプレートノズルを取り付けた状態の部分拡大断面図である。 本発明において、ノズルの各内径の違いによる、ノズルから吹き出される風速と到達距離の関係を示す図である。 本発明において、プレートノズルの各ノズルから吹き出された清浄空気の広がり状態を説明する図である。 本発明において、プレートノズルに、広がり角の違うノズルを設けたときの、両ノズルから吹き出された清浄空気の広がり状態を説明する図である。 従来の一方向流式クリーンルームを示す全体図である。 従来の非一方向式クリーンルームを示す全体図である。
以下、本発明の好適な一実施の形態を添付図面に基づいて詳述する。
図1は、本発明のクリーンルームの全体図を示したものである。
先ずクリーンルーム10は、製造設備Mが設置されるクリーンゾーン11の天井には、略全面にわたって複数の給気チャンバ12が相互に隣接するように設けられ、クリーンゾーン11の床15の下部にはレターンチャンバ16が形成され、レターンチャンバ16と給気チャンバ12とを結んで循環路17が接続され、その循環路17に空調機18が接続されて構成される。
本実施の形態においては、循環路17に高性能フィルタ(HEPAまたはULPA)19が設けられ、給気チャンバ12の開口部に、複数のプレートノズル20を設けて吹出口が構成される。
空調機18は、蒸発器21と循環ファン22を有し、その吸込側に外気OAの導入ライン13が接続され、空調機18に至る循環路17には、循環空気の一部を排気する排気ファンを備えた排気ライン14が接続される。
このクリーンルーム10は、クリーンゾーン11の天井がプレートノズル20のノズル24で形成され、ノズル24から、空調機18で空調され、高性能フィルタ19で除塵された清浄空気CAが吹き出されるため、クリーンゾーン11の天井高さが高くてもノズル径を自由に選定することで、床15上の必要高さ(ユースポイント)、例えば床15から1mの高さで、必要なダウンフローとなる風速(0.15〜0.5m/sec)を確保することができると共に、必要な空気循環量も従来の1/3〜1/10の風量とすることが可能となる。
また、高性能フィルタ19は、循環路17に接続するだけであり、そのフィルタリーク試験も簡単に行える。
図2は、本発明の他のクリーンルームの全体図を示したものである。
図2のクリーンルーム10は、図1のクリーンルーム10と基本構成は同じであるが、高性能フィルタ19を給気チャンバ12内に設けたものである。図2のクリーンルーム10は、高性能フィルタ19の取り付け位置が、図1と相違する以外は、図1と同じであるので、図2に図1と同じ符号を付してその説明は省略する。
この図1、図2に示したクリーンルーム10において、クリーンゾーン11の天井に取り付ける給気チャンバ12は、複数個並べて天井の略全面に設置して、一方向流式クリーンルームを構成する例を示したが、給気チャンバ12を天井の必要箇所に設置して非一方向式クリーンルームを構成するようにしてもよい。
また給気チャンバ12は、複数個並べる代わりに、天井の略全面を覆うように1つの給気チャンバ12で構成するようにしてもよい。
さて、図3は、本発明のプレートノズル20を給気チャンバ12の開口部に取り付ける際の部分拡大斜視図を示し、図4はプレートノズル20を給気チャンバ12に取り付けた部分断面図を示したものである。
プレートノズル20は、金型を用いて樹脂成形にて薄型箱状のプレート23とノズル24が一体成形される。
このプレートノズル20は、例えば30cm×30cm、50cm×50cmのサイズで、プレート23の周囲の厚さ10〜20mm程度に形成され、ノズル24の高さは、20〜200mm、内径はφ2〜40mmの範囲で適宜形成される。
使用する樹脂は、エンジニアリングプラスチックで、ポリアセタール、ポリイミド、ポリカーボネート、変性ポリフェニレンエーテル、ポリブチレンテレフタレートのいずれかを選択できる。また樹脂にカーボンブラックや黒鉛粉末、酸化亜鉛などの導電性粉末やノニオン系又はアニオン系界面活性剤等からなる帯電防止剤を添加するようにしてもよい。
また、プレート23の周囲には、後述するビス止めのためのビス用穴25が各辺に3箇所形成される。
次にプレートノズル20の給気チャンバ12への取り付けを説明する。
先ず、プレートノズル20は、SUSやアルミニウムなど金属角パイプで形成した支持枠30に並べて支持される。この支持枠30は、プレートノズル20を支持する方形枠31、31を有し、その方形枠31に、プレートノズル20のビス用穴25に対向してネジ穴32が設けられる。
プレートノズル20を支持枠30に取り付ける際に、その間をシールするシール材26が設けられる。シール材26は、支持枠30の方形枠31の枠体形状に形成され、また支持枠30のネジ穴32と一致する位置にビス穴27が形成される。
支持枠30へのプレートノズル20の取り付けは、支持枠30上に枠状のシール材26を載置し、そのシール材26上にプレートノズル20を前後左右に並べる。その状態で、ビス用穴25にビス28を、シール材26のビス穴27を通して支持枠30のネジ穴32にねじ込んで、プレートノズル20を支持枠30に取り付ける。
このようにプレートノズル20は、シール材26を介して支持枠30にビス止めして取り付けた後、その支持枠30を、給気チャンバ12に取り付ける。
この給気チャンバ12は、図4に示すように、開口部が角パイプで直方体状に形成されたボックス上のフレーム33を有し、そのフレーム33の周面と上面にカバー35が取り付けられて構成される。支持枠30は、フレーム33の上面に、シール材38を介してボルト・ナット39にて取り付けられる。
このように、給気チャンバ12に、プレートノズル20を取り付けた支持枠30を取り付けたのち、図1、図2に示したクリーンゾーン11の天井に給気チャンバ12を取り付けると共に循環路17のダクトと接続することでクリーンルーム10が構成される。
次に、クリーンゾーン11の天井の吹出口を形成するプレートノズル20のノズル24の形状とその内径及びその取り付け間隔について説明する。
先ずノズル24の形状は、図3,4に示すように、逆ロート状に形成されるが、円筒状に形成してもよい。
次に、ノズル24の配置数について説明する。
先ず従来の高性能フィルタから吹き出す清浄空気を、面積1m2当たり、面風速を0.05m/secとしたときの風量(3m3/min)を基準とし、ノズル内径を、それぞれφ2mm、φ5mm、φ10mm、φ20mm、φ40mmとし、同一風量(3m3/min)を吹き出すときのノズル本数は、次のようになる。
φ2mmのノズルではノズル数1591個(40×40個)、φ5mmのノズルではノズル数254個(16×16個)、φ10mmのノズルではノズル数63個(8×8個)、φ20mmのノズルではノズル数16個(4×4個)、φ40mmのノズルではノズル数4個(2×2個)となる。従って、これらの本数を、1m2当たり、縦横に四角形状に等間隔で、或いはジグザグに三角形状に等間隔で並べるように設ければよい。
次に、φ2mm、φ5mm、φ10mm、φ20mm、φ40mmのノズルから下方に吹き出される清浄空気の風速(m/sec)と到達距離(m)について、シミュレーションした結果を図5により説明する。
先ず、従来のフィルタでは、風速0.05m/secで吹き出したときの到達距離は、5mが最大であり、5mに達すると風速がゼロとなる。
これに対して、φ2mmのノズルでは、到達距離5m、φ5mmのノズルでは、到達距離6.5m、φ10mmのノズルでは、到達距離7.2m、φ20mmとφ40mmのノズルでは、到達距離8mと、ノズル径が大きくなると到達距離が長くなり、φ20mm〜φ40mmの範囲のノズルでは、到達距離に差がないことがわかる。
ここで、クリーンゾーンの床から必要な高さ面で、粒子の拡散を制御し、製造設備の装置等からの発熱を除去できる最小の風速0.15m/secを得ようとする場合、φ2mmのノズルでは、ノズル位置から床上の必要な高さ面(例えば高さ1m、通常高さ2m以内)までの距離(以下有効噴射距離という)は約3m、φ5mmのノズルでは、有効噴射距離は約5m、φ10mmのノズルでは有効噴射距離は6.5m、φ20mmのノズルでは、有効噴射距離は7m、φ40mmのノズルでは、有効噴射距離は8mとなる。つまり、必要な高さ面からノズルまでの距離が、そのノズルの有効噴射距離内であれば、必要な高さ面で、風速0.15m/sec以上の十分な風速が得られることが分かる。
従って、図1、図2に示したクリーンゾーン11の天井高さから、床15の必要高さ面で、風速0.15m/sec以上が得られるノズル内径とその配置本数も自在に設計できることが可能となり、総循環風量もフィルタ全面から吹き出す方式に比べて1/3〜1/10の風量にすることができる。
図6は、プレートノズル20の各ノズル24から吹き出される温調された清浄空気CAの広がり状態を模式的に示したものである。
先ず、各ノズル24から吹き出される温調された清浄空気CAは、下向きに吹き出されると共に、ノズル24の吹出形状により、一定の広がり角θをもつ。ここで上述のように、例えば、φ10mmのノズルを選定した場合、風速0.15m/secの有効噴射距離Lは6.5mであり、その到達距離L以内で、図6に示すように隣接するノズル24からの温調された清浄空気CA同士が重なり合えば、床面からの必要高さ(例えば1m)での面全体を均一な風速、均一な温度の気流にすることができる。
また、図6では、クリーンゾーン11の天井近くでは、ノズル24同士が間隔を置いて設けられるため、吹き出された温調された清浄空気CA間では、空気の滞留が生じるが、滞留する空気は、その周囲が各ノズル24からの温調された清浄空気CAで包囲されるため、滞留空気中に粒子が発生しても、いずれかの温調された清浄空気CAに同伴して広くは拡散することなくレターンチャンバに流れる。
図7は、クリーンゾーン11の天井近くで粒子が発生した場合の拡散を確実に防止する例を示したものである。
本例においては、広がり角θをもつノズル24θ、24θの間に、より角度のある広がり角αをもつノズル24αを配置されるようにプレートノズル20を形成する例を示したものである。
この広がり角αをもつノズル24αは、ノズル24θ、24θから吹き出される清浄空気CA間に吹き付けるだけであり、到達距離は短くてすむ。従って、ノズル24αは、ノズル24θ、24θの内径より小さな、例えばφ2mmのノズルを用いても5mの到達距離があり、しかもノズルの吹出角度αは自由に選定でき、より確実な発生粒子の拡散を防止できる。
また、プレートノズル20のプレート23に形成するノズル24の内径を変える他に、本発明では、ノズル内径の違うプレートノズル20を種々形成しておき、これをクリーンゾーン11の製造設備Mの配置状況に応じて、ノズル径の違うプレートノズル20をクリーンゾーン11に清浄空気を吹き出す給気チャンバ12に取り付けることで、クリーンゾーン11のエリア全体の風速分布も自在に設定することができる。すなわち粒子拡散が要求されるエリア上の天井には、内径の大きなノズルからなるプレートノズル20を配置し、粒子拡散の影響のないエリアでは、ノズル内径の小さなプレートノズル20を配置することで、循環風量をより抑えた、一方向流式と非一方向流式との中間の吹出方式とすることもできる。
以上本発明の実施の形態を説明したが、本発明では種々の変更が可能である。すなわち、クリーンルームとして説明したが、クリーンルームとは広義のものであり、例えば液晶基板を露光する露光装置内に形成されるクリーンルームや局所的に形成されたクリーンルームでも適用できることは勿論である。
10 クリーンルーム
11 クリーンゾーン
12 給気チャンバ
16 レターンチャンバ
20 プレートノズル
23 プレート
24 ノズル
上記目的を達成するために本発明のクリーンルームは、クリーンゾーンの天井に、温調された清浄空気の吹出口を形成するための開口部を形成し、その開口部に、プレートの下面に複数のノズルを形成したプレートノズルを複数枚並べて設けて、前記吹出口を形成したことを特徴とするものである。
本発明のクリーンルームは、製造設備が設置されるクリーンゾーンと、該クリーンゾーンの天井に設けられ、下部に、温調された清浄空気の吹出口を形成するための開口部を有する給気チャンバと、前記クリーンゾーンの床下に設けられたレターンチャンバと、該レターンチャンバと前記給気チャンバとを結ぶ空気循環路と、空気循環路に接続された空調機と、空調機と前記給気チャンバを結ぶ循環路に設けられた高性能フィルタと、プレートの下面に複数のノズルを形成して構成され、前記給気チャンバの下部の開口部を覆うように複数枚並べて設けられ、前記クリーンゾーンの天井に前記吹出口を形成するための複数のプレートノズルとを備えてなるものである。
本発明に用いられるプレートノズルは、薄型箱状に形成されたプレートと、そのプレートの縦横に複数のノズルが、そのプレートの下面から突出するようにプレートと一体に樹脂成形して形成される。ノズルの内径は2〜40mmの範囲内のいずれかに形成され、ノズルの高さは20〜200mmの範囲内のいずれかに形成される。

Claims (16)

  1. クリーンゾーンの温調された清浄空気の吹出口が、複数のプレートノズルで形成されたことを特徴とするクリーンルーム。
  2. プレートノズルは、薄型箱状に形成されたプレートと、そのプレートの縦横に複数のノズルが、そのプレートと一体に樹脂成形して形成される請求項1記載のクリーンルーム。
  3. ノズルの内径が2〜40mmの範囲内のいずれかに形成される請求項2記載のクリーンルーム。
  4. プレートには、内径が大きく、かつ一定の吹出角度で清浄空気を吹き出すノズルと、そのノズル間に配置され、内径が小さく清浄空気を広角度で清浄空気を吹き出すノズルが設けられる請求項3記載のクリーンルーム。
  5. 製造設備が設置されるクリーンゾーンと、該クリーンゾーンの天井に、下部が開口して設けられた給気チャンバと、前記クリーンゾーンの床下に設けられたレターンチャンバと、該レターンチャンバと前記給気チャンバとを結ぶ空気循環路と、空気循環路に接続された空調機と、空調機と前記給気チャンバを結ぶ循環路に設けられた高性能フィルタと、前記給気チャンバとクリーンゾーンの天井の開口を覆うように設けられた複数のプレートノズルとを備えたことを特徴とするクリーンルーム。
  6. 給気チャンバの開口部に、方形の開口が複数形成された支持枠が設けられ、その支持枠の各開口部に、シール材を介してプレートノズルが取り付けられる請求項5記載のクリーンルーム。
  7. プレートノズルは、薄型箱状に形成されたプレートと、そのプレートの縦横に多数のノズルが、そのプレートと一体に樹脂成形して形成される請求項5記載のクリーンルーム。
  8. ノズルの内径が2〜40mmの範囲内のいずれかに形成される請求項7記載のクリーンルーム。
  9. プレートノズルのノズルから吹き出された清浄空気が、風速0.15m/secとなる有効噴射距離をノズル内径に応じて予め求めておき、前記床上のある高さの面で風速0.15〜0.5m/secとなるように、前記ノズルの有効噴射距離からノズル内径を選定する請求項7記載のクリーンルーム。
  10. 各ノズルから吹き出された清浄空気は、有効噴射距離に達する間に一定の広がり角で吹き出され、ノズル同士の間隔は、隣接するノズルから吹き出された清浄空気の広がり角で、前記有効噴射距離内で隣接するノズルからの清浄空気が相互に交わるように設定される請求項9記載のクリーンルーム。
  11. 製造設備が設置されるクリーンゾーンと、該クリーンゾーンの天井に、下部が開口して設けられ、給気チャンバと、前記クリーンゾーンの床下に設けられたレターンチャンバと、該レターンチャンバと前記給気チャンバとを結ぶ空気循環路と、空気循環路に接続された空調機と、給気チャンバ内に設けられた高性能フィルタと、前記給気チャンバとクリーンゾーンの天井の開口を覆うように設けられた複数のノズルプレレートとを備えたことを特徴とするクリーンルーム。
  12. 給気チャンバの開口部に、方形の開口が複数形成された支持枠が設けられ、その支持枠の各開口部に、シール材を介してプレートノズルが取り付けられる請求項11記載のクリーンルーム。
  13. プレートノズルは、薄型箱状に形成されたプレートと、そのプレートの縦横に多数のノズルが、そのプレートと一体に樹脂成形して形成される請求項11記載のクリーンルーム。
  14. ノズルの内径が2〜40mmの範囲内のいずれかに形成される請求項13記載のクリーンルーム。
  15. プレートノズルのノズルから吹き出された清浄空気が、風速0.15m/secとなる有効噴射距離をノズル内径に応じて予め求めておき、前記床上のある高さの面で風速0.15〜0.5m/secとなるように、前記ノズルの有効噴射距離からノズル内径を選定する請求項14記載のクリーンルーム。
  16. 各ノズルから吹き出された清浄空気は、有効噴射距離に達する間に一定の広がり角で吹き出され、ノズル同士の間隔は、隣接するノズルから吹き出された清浄空気の広がり角で、前記有効噴射距離内で隣接するノズルからの清浄空気が相互に交わるように設定される請求項15記載のクリーンルーム。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102818323A (zh) * 2012-08-02 2012-12-12 青岛海信日立空调系统有限公司 基于喷射送风的热泵空调系统
JP2022056167A (ja) * 2020-09-29 2022-04-08 芝浦メカトロニクス株式会社 送風器及び電子部品の実装装置

Families Citing this family (240)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
CN103267340B (zh) * 2013-05-29 2016-03-16 苏州大学 一种洁净手术室变风量变级别的送风装置
CN105339740B (zh) * 2014-01-14 2017-12-22 株式会社日本医化器械制作所 块式吸引单元、块式送气单元、块式供气单元和使用这些单元的环境控制装置
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
CN105674393A (zh) * 2014-11-18 2016-06-15 奇鼎科技股份有限公司 基板快速均温装置
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
JP2017219219A (ja) * 2016-06-06 2017-12-14 清水建設株式会社 クリーンルーム用空調システム
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
CN107796079B (zh) * 2017-03-06 2023-04-25 江苏嘉合建设有限公司 顶送顶回净化通风系统
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
CN111316417B (zh) * 2017-11-27 2023-12-22 阿斯莫Ip控股公司 与批式炉偕同使用的用于储存晶圆匣的储存装置
TWI791689B (zh) * 2017-11-27 2023-02-11 荷蘭商Asm智慧財產控股私人有限公司 包括潔淨迷你環境之裝置
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
KR20200108016A (ko) 2018-01-19 2020-09-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 플라즈마 보조 증착에 의해 갭 충진 층을 증착하는 방법
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 沈積方法
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
KR101859593B1 (ko) * 2018-01-31 2018-05-18 오영근 크린룸용 기류제어 시스템
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
EP3737779A1 (en) 2018-02-14 2020-11-18 ASM IP Holding B.V. A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR20190128558A (ko) 2018-05-08 2019-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
WO2020003000A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
JP2021529254A (ja) 2018-06-27 2021-10-28 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 金属含有材料ならびに金属含有材料を含む膜および構造体を形成するための周期的堆積方法
KR20200002519A (ko) 2018-06-29 2020-01-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP2020096183A (ja) 2018-12-14 2020-06-18 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN109629006A (zh) * 2019-01-31 2019-04-16 长江存储科技有限责任公司 炉管机台和洁净室
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TW202044325A (zh) 2019-02-20 2020-12-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
TW202104632A (zh) 2019-02-20 2021-02-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
TW202100794A (zh) 2019-02-22 2021-01-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
CN110043982B (zh) * 2019-04-16 2020-08-28 北京联合大学 动态自适应压差波动控制系统及方法
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP2021015791A (ja) 2019-07-09 2021-02-12 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
CN112242296A (zh) 2019-07-19 2021-01-19 Asm Ip私人控股有限公司 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh) 2019-08-05 2024-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TW202129060A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Asm Ip控股公司 基板處理裝置、及基板處理方法
TW202115273A (zh) 2019-10-10 2021-04-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
KR20210045930A (ko) 2019-10-16 2021-04-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN113028532A (zh) * 2019-12-09 2021-06-25 上海奇康再生医学技术有限公司 一种自循环新风管理系统的洁净室
CN112992667A (zh) 2019-12-17 2021-06-18 Asm Ip私人控股有限公司 形成氮化钒层的方法和包括氮化钒层的结构
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
KR20210095050A (ko) 2020-01-20 2021-07-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210117157A (ko) 2020-03-12 2021-09-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210132605A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
KR20210132576A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 나이트라이드 함유 층을 형성하는 방법 및 이를 포함하는 구조
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202147383A (zh) 2020-05-19 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基材處理設備
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
TW202212623A (zh) 2020-08-26 2022-04-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法、半導體結構、及系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0668408B2 (ja) * 1986-05-29 1994-08-31 高砂熱学工業株式会社 クリ−ンル−ム用空気吹出装置およびこれを利用した高天井クリ−ンル−ム
JPH01131934A (ja) * 1987-11-18 1989-05-24 Hitachi Ltd 動的シングルクロツクトレース方式
JPH0522745Y2 (ja) * 1988-03-02 1993-06-11
JPH0666439A (ja) * 1992-08-13 1994-03-08 Kawasaki Steel Corp クリーンルーム及びエアサプライユニット
JPH11218353A (ja) * 1998-02-02 1999-08-10 Toshiba Air Conditioning Co Ltd クリーンルームへの吹出し風速調整装置
KR200241269Y1 (ko) * 1999-04-26 2001-09-25 김희남 클린부스의 구조
JP2002106943A (ja) * 2000-10-03 2002-04-10 Shin Nippon Air Technol Co Ltd 局所空間清浄化ノズルおよび局所空間清浄化ユニット
JP4824885B2 (ja) * 2001-09-28 2011-11-30 高砂熱学工業株式会社 エアシャワー装置,清浄装置の配置構造及び運転方法
JP2008107033A (ja) * 2006-10-26 2008-05-08 Takenaka Komuten Co Ltd ファンフィルタユニット
JP5330805B2 (ja) * 2008-11-07 2013-10-30 パナソニック株式会社 クリーンルーム

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102818323A (zh) * 2012-08-02 2012-12-12 青岛海信日立空调系统有限公司 基于喷射送风的热泵空调系统
CN102818323B (zh) * 2012-08-02 2015-03-11 青岛海信日立空调系统有限公司 基于喷射送风的热泵空调系统
JP2022056167A (ja) * 2020-09-29 2022-04-08 芝浦メカトロニクス株式会社 送風器及び電子部品の実装装置

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