KR20120057571A - 크린 룸 - Google Patents
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Abstract
본 발명은, 순환 풍량이 적어도, 필요한 다운 플로우의 풍속을 확보할 수 있고, 게다가 필터 리크 시험도 간단하게 할 수 있는 크린 룸을 제공한다.
크린 룸(10)의 크린 존(11)의 온도조절된 청정공기의 취출구가, 복수의 플레이트 노즐(20)로 형성된 것이다.
크린 룸(10)의 크린 존(11)의 온도조절된 청정공기의 취출구가, 복수의 플레이트 노즐(20)로 형성된 것이다.
Description
본 발명은, 반도체 제조, 액정기판 제조, 의약품이나 식품 제조 등에 이용되는 크린 룸에 관한 것으로, 특히 크린 존에 정밀 온도조절(溫調)된 청정공기를 불어내는 취출구(吹出口)를 개량한 크린 룸에 관한 것이다.
반도체 제조, 액정기판 제조, 의약품이나 식품 제조 등의 제조공장에서는, 건물 전체를 크린 룸화하고 있다.
크린 룸으로는, 도8에 나타낸 일방향 흐름식(층류식)과, 도9에 나타낸 비일방향식(난류식)의 2가지 방식이 있다.
도8에 나타낸 일방향 흐름식 크린 룸(40)은, 제조설비(M)가 설치되는 크린 존(41)의 천정의 거의 전면에 걸쳐 급기(給氣) 챔버(42)가 설치되고, 그 급기 챔버(42)의 취출구(43)에 고성능 필터(HEPA 또는 ULPA)(44)가 설치되고, 마루(45)의 하부에는 리턴 챔버(46)가 형성되고, 리턴 챔버(46)와 급기 챔버(42)를 이어 순환로(47)가 접속되고, 그 순환로(47)에 공조기(48)가 접속되어 구성된다.
도9에 나타낸 비일방향식 크린 룸(50)은, 크린 존(41)의 천정부의 필요 개소에 각각 필터 유닛(51)을 설치한 것이다. 필터 유닛(51)은, 급기 챔버(52)의 취출구(53)에 고성능 필터(54)를 설치하여 구성된다. 이 도9의 크린 룸(50)에서는, 필터 유닛(51)을 제외하고, 리턴 챔버(46), 순환로(47), 공조기(48)의 구성은 도8의 크린 룸(40)과 같다.
도8에 나타낸 일방향 흐름식 크린 룸(40)에서는, 급기 챔버(42)의 취출구(43)에 설치된 필터(44)로부터 청정공기가 균일하게 크린 존(41)에 급기되고, 크린 존(41)을 다운 플로우로 마루(45)에서 리턴 챔버(46)로 배기(환기)되는 기류가 되기 때문에, 크린 존(41) 내에서 발생한 입자가 확산하지 않고 리턴 챔버(46)로 흘러, 크린 존(41)의 청정도를 높임과 동시에 온도 분포의 균일화를 도모할 수 있다.
한편, 도9에 나타낸 비일방향식 크린 룸(50)에서는, 크린 존(41)의 천정부의 필요 개소에 필터 유닛(51)이 설치되기 때문에, 필터 유닛(51, 51) 사이에서는, 청정공기가 흐르지 않고 대류가 생겨 난류(亂流)로 되지만, 제조설비(M)의 설치 위치에 맞추어 필터 유닛(51)을 배치함으로써, 필요 개소에서 입자의 확산을 방지할 수 있다. 그러나, 비일방향식의 경우, 크린 존(41) 내에서 요구되는 열 부하를 처리하기 위해 급기 온도를 제어해도, 필터 유닛(51)의 바로 아래와 그 이외에서 차이가 나는 온도 분포가 된다.
크린 존(41)에서 발생한 입자의 확산을 제어하여, 제조설비(M)의 장치 등으로부터의 발열을 제거하기 위해서는, 다운 플로우의 면(面) 풍속은 0.15?0.5 m/sec가 필요하고, 도8의 일방향 흐름식에서는, 팽대한 공기 순환량을 필요로 하는 문제가 있다. 이 점에서는, 도9의 비일방향식은, 필요 개소에 필터 유닛(51)을 설치함으로써, 총 풍량은 일방향 흐름식보다 적다.
그런데, 최근에는 제조설비(M)도 대형화되고 있고, 크린 존(41)의 높이도 6 m 이상이나 필요로 하고 있어, 비일방향식으로, 필터(54)에서 온도조절된 청정공기를 불어내도, 마루(45)에 도달할 때에는 확산해버려, 필요 개소에서의 다운 플로우가 되는 풍속(0.15?0.5 m/sec)을 얻을 수 없는 문제가 있다.
따라서, 일방향 흐름식과 같이 크린 존의 수평 단면의 전체를 다운 플로우로 흘리는 것이 바람직하지만, 순환 총 풍량이 많아지는 문제가 해소되지 않는다.
또, 양 방식 모두 필터로부터 청정공기를 불어내기 때문에, 필터에 핀 홀이 있는지 없는지, 급기 쪽에서 급기와 함께 에어로졸을 흘려 필터 리크 시험을 할 필요가 있다. 이 필터 리크 시험은, 필터의 아랫면의 샘플링 프로브를 종횡으로 주사하여 리크한 에어로졸의 유무와 핀 홀의 위치를 특정하는 것이지만, 검사에는 팽대한 시간이 걸리는 문제가 있다.
그래서, 본 발명의 목적은, 상기 과제를 해결하여, 순환 풍량이 적어도, 온도 제어 및 청정도 확보에 필요한 다운 플로우의 풍속을 확보할 수 있고, 게다가 필터 리크 시험도 간단하게 할 수 있는 크린 룸을 제공하는데 있다.
상기 목적을 달성하기 위해 본 발명의 크린 룸은, 크린 존의 온도조절된 청정공기의 취출구가, 복수의 플레이트 노즐로 형성된 것을 특징으로 하는 것이다.
본 발명의 크린 룸은, 제조설비가 설치되는 크린 존과, 상기 크린 존의 천정에, 하부가 개구하여 설치된 급기 챔버와, 상기 크린 존의 마루 아래에 설치된 리턴 챔버와, 상기 리턴 챔버와 상기 급기 챔버를 잇는 공기 순환로와, 공기 순환로에 접속된 공조기와, 공조기와 상기 급기 챔버를 잇는 순환로에 설치된 고성능 필터와, 상기 급기 챔버와 크린 존의 천정의 개구를 덮도록 설치된 복수의 플레이트 노즐을 갖추어 이루어지는 것이다.
또 고성능 필터는, 상기 공기 순환로에 접속하는 대신에 급기 챔버 내에 설치하도록 해도 좋다.
본 발명에 이용되는 플레이트 노즐은, 박형(薄型) 상자형상으로 형성된 플레이트와, 그 플레이트의 종횡으로 다수의 노즐이, 그 플레이트와 일체로 수지 성형하여 형성된다. 노즐의 내경은 2?40 mm의 범위 내의 어느 하나로 형성된다.
또, 본 발명에 있어서, 플레이트 노즐의 플레이트에는, 일정 각도로 청정공기를 불어내는 내경이 큰 노즐과, 그 노즐 사이에 배치되고, 내경이 작아 청정공기를 광각도로 청정공기를 불어내는 노즐이 설치되도록 해도 좋다.
본 발명에 있어서, 플레이트 노즐의 노즐로부터 불어져 나온 청정공기가, 풍속 0.5 m/sec가 되는 유효 분사 거리를 노즐 내경에 따라 미리 구해 두고, 상기 마루 위의 어느 높이의 면에서 풍속 0.15?0.5 m/sec가 되도록, 상기 노즐의 유효 분사 거리로부터 노즐 내경을 선정한다.
또, 각 노즐로부터 불어져 나온 청정공기는, 유효 분사 거리에 도달하는 동안에 일정한 분산 각도로 불어져 나오고, 노즐끼리의 간격은, 인접하는 노즐로부터 불어져 나온 청정공기의 분산 각도로, 상기 유효 분사 거리 내에서 인접하는 노즐로부터의 청정공기가 상호 교차하도록 설정된다.
본 발명은, 다음과 같은 우수한 효과를 발휘한다.
(1) 크린 존의 청정공기의 취출구가, 복수의 플레이트 노즐로 형성됨으로써, 플레이트 노즐의 각 노즐에서 불어내는 온도조절된 청정공기의 풍속과 그 도달 거리를 자유롭게 선정할 수 있다.
(2) 크린 룸의 천정이 높아도 노즐의 도달 거리와 크린 존이 필요로 하는 풍속을 최적화할 수 있다.
(3) 크린 룸 내에서의 공기의 총 순환량을 종래의 크린 룸의 1/3?1/10으로 할 수 있다.
(4) 고성능 필터는, 순환계로나 급기 챔버에 설치하기 때문에, 필터 리크 시험 등의 검사를 간단하게 할 수 있다.
도1은 본 발명의 한 실시형태를 나타낸 전체도이다.
도2는 본 발명의 다른 실시형태를 나타낸 전체도이다.
도3은 도1, 도2에 있어서, 급기 챔버에 플레이트 노즐을 설치하는 상태를 나타낸 부분 사시도이다.
도4는 도1, 도2에 있어서, 급기 챔버에 플레이트 노즐을 설치한 상태의 부분 확대 단면도이다.
도5는 본 발명에 있어서, 노즐의 각 내경의 차이에 의한, 노즐로부터 불어져 나오는 풍속과 도달 거리의 관계를 나타낸 도면이다.
도6은 본 발명에 있어서, 플레이트 노즐의 각 노즐로부터 불어져 나온 청정공기의 분산(퍼짐) 상태를 설명하는 도면이다.
도7은 본 발명에 있어서, 플레이트 노즐에, 분산 각도가 다른 노즐을 설치한 때의, 양 노즐로부터 불어져 나온 청정공기의 확산 상태를 설명하는 도면이다.
도8은 종래의 일방향 흐름식 크린 룸을 나타낸 전체도이다.
도9는 종래의 비일방향식 크린 룸을 나타낸 전체도이다.
도2는 본 발명의 다른 실시형태를 나타낸 전체도이다.
도3은 도1, 도2에 있어서, 급기 챔버에 플레이트 노즐을 설치하는 상태를 나타낸 부분 사시도이다.
도4는 도1, 도2에 있어서, 급기 챔버에 플레이트 노즐을 설치한 상태의 부분 확대 단면도이다.
도5는 본 발명에 있어서, 노즐의 각 내경의 차이에 의한, 노즐로부터 불어져 나오는 풍속과 도달 거리의 관계를 나타낸 도면이다.
도6은 본 발명에 있어서, 플레이트 노즐의 각 노즐로부터 불어져 나온 청정공기의 분산(퍼짐) 상태를 설명하는 도면이다.
도7은 본 발명에 있어서, 플레이트 노즐에, 분산 각도가 다른 노즐을 설치한 때의, 양 노즐로부터 불어져 나온 청정공기의 확산 상태를 설명하는 도면이다.
도8은 종래의 일방향 흐름식 크린 룸을 나타낸 전체도이다.
도9는 종래의 비일방향식 크린 룸을 나타낸 전체도이다.
이하, 본 발명의 바람직한 한 실시형태를 첨부도면에 기초하여 상술한다.
도1은, 본 발명의 크린 룸의 전체도를 나타낸 것이다.
먼저 크린 룸(10)은, 제조설비(M)가 설치되는 크린 존(11)의 천정에는, 거의 전면(全面)에 걸쳐 복수의 급기 챔버(12)가 상호 인접하도록 설치되고, 크린 존(11)의 마루(15)의 하부에는 리턴 챔버(16)가 형성되고, 리턴 챔버(16)와 급기 챔버(12)를 연결하여 순환로(17)가 접속되고, 그 순환로(17)에 공조기(18)가 접속되어 구성된다.
본 실시형태에 있어서는, 순환로(17)에 고성능 필터(HEPA 또는 ULPA)(19)가 설치되고, 급기 챔버(12)의 개구부에, 복수의 플레이트 노즐(20)을 설치하여 취출구가 구성된다.
공조기(18)는, 증발기(21)와 순환 팬(22)을 갖고, 그 흡입 쪽에 외기(外氣)(OA)의 도입 라인(13)이 접속되고, 공조기(18)에 이르는 순환로(17)에는, 순환공기의 일부를 배기하는 배기 팬을 갖춘 배기 라인(14)이 접속된다.
이 크린 룸(10)은, 크린 존(11)의 천정이 플레이트 노즐(20)의 노즐(24)로 형성되고, 노즐(24)로부터, 공조기(18)에서 공조되고, 고성능 필터(19)로 제진(除塵)된 청정공기(CA)가 불어져 나오기 때문에, 크린 존(11)의 천정 높이가 높아도 노즐 직경을 자유롭게 선정함으로써, 마루(15) 위의 필요 높이(유스 포인트), 예를 들어 마루(15)에서 1 m의 높이에서, 필요한 다운 플로우가 되는 풍속(0.15?0.5 m/sec)을 확보할 수 있음과 동시에, 필요한 공기 순환량도 종래의 1/3?1/10의 풍량으로 할 수 있게 된다.
또, 고성능 필터(19)는, 순환로(17)에 접속할 뿐이고, 그 필터 리크 시험도 간단하게 할 수 있다.
도2는, 본 발명의 다른 크린 룸의 전체도를 나타낸 것이다.
도2의 크린 룸(10)은, 도1의 크린 룸(10)과 기본 구성은 같지만, 고성능 필터(19)를 급기 챔버(12) 내에 설치한 것이다. 도2의 크린 룸(10)은, 고성능 필터(19)의 설치 위치가, 도1과 상이한 이외는, 도1과 동일하기 때문에, 도2에 도1과 같은 부호를 붙이고 그 설명은 생략한다.
상기 도1, 도2에 나타낸 크린 룸(10)에 있어서, 크린 존(11)의 천정에 설치하는 급기 챔버(12)는, 복수 개 나열하여 천정의 거의 전면에 설치하여, 일방향 흐름식 크린 룸을 구성하는 예를 나타내었으나, 급기 챔버(12)를 천정의 필요 개소에 설치하여 비일방향식 크린 룸을 구성하도록 해도 좋다.
또 급기 챔버(12)는, 복수 개 나열하는 대신에, 천정의 거의 전면을 덮도록 하나의 급기 챔버(12)로 구성하도록 해도 좋다.
그리고, 도3은 본 발명의 플레이트 노즐(20)을 급기 챔버(12)의 개구부에 설치할 때의 부분 확대 사시도를 나타내고, 도4는 플레이트 노즐(20)을 급기 챔버(12)에 설치한 부분 단면도를 나타낸 것이다.
플레이트 노즐(20)은, 금형을 이용하여 수지 성형으로 박형 상자형상의 플레이트(23)와 노즐(24)이 일체 성형된다.
상기 플레이트 노즐(20)은, 예를 들어 30 cm × 30 cm, 50 cm × 50 cm의 사이즈로, 플레이트(23)의 주위 두께 10?20 mm 정도로 형성되고, 노즐(24)의 높이는 20?200 mm, 내경은 Φ 2?40 mm의 범위로 적절히 형성된다.
사용하는 수지는, 엔지니어링 플라스틱으로, 폴리아세탈, 폴리이미드, 폴리카보네이트, 변성 폴리페닐렌에테르, 폴리부틸렌텔레프탈레이트의 어느 하나를 선택할 수 있다. 또 수지에 카본 블랙이나 흑연분말, 산화아연 등의 도전성 분말이나 노니온계 또는 아니온계 계면활성제 등으로 이루어지는 대전방지제를 첨가하도록 해도 좋다.
또, 플레이트(23)의 주위에는 후술하는 비스 고정을 위한 비스용 구멍(25)이 각 변에 3개소 형성된다.
다음에 플레이트 노즐(20)의 급기 챔버(12)에의 설치를 설명한다.
먼저, 플레이트 노즐(20)은, SUS나 알루미늄 등 금속 각파이프로 형성한 지지틀(30)에 나열하여 지지된다. 상기 지지틀(30)은, 플레이트 노즐(20)을 지지하는 사각형 틀(31, 31)을 갖고, 그 사각형 틀(31)에, 플레이트 노즐(20)의 비스용 구멍(25)에 대향하여 나사구멍(32)이 설치된다.
플레이트 노즐(20)을 지지틀(30)에 설치할 때, 그 사이를 실링하는 실링재(26)가 설치된다. 실링재(26)는, 지지틀(30)의 사각형 틀(31)의 틀 형상으로 형성되고, 또 지지틀(30)의 나사구멍(32)과 일치하는 위치에 비스 구멍(27)이 형성된다.
지지틀(30)에의 플레이트 노즐(20)의 설치는, 지지틀(30) 위에 틀 형상의 실링재(26)를 놓고, 그 실링재(26) 위에 플레이트 노즐(20)을 전후좌우로 나열한다. 그 상태로, 비스용 구멍(25)에 비스(28)를, 실링재(26)의 비스 구멍(27)을 통하여 지지틀(30)의 나사구멍(32)에 삽입하여, 플레이트 노즐(20)을 지지틀(30)에 설치한다.
이와 같이 플레이트 노즐(20)은, 실링재(26)를 사이에 두고 지지틀(30)에 비스 고정하여 설치한 후, 그 지지틀(30)을 급기 챔버(12)에 설치한다.
상기 급기 챔버(12)는, 도4에 나타낸 바와 같이, 개구부가 각파이프로 직육면체 형상으로 형성된 박스상의 프레임(33)을 갖고, 그 프레임(33)의 둘레면과 윗면에 커버(35)가 설치되어 구성된다. 지지틀(30)은, 프레임(33)의 윗면에, 실링재(38)를 사이에 두고 볼트?너트(39)로 설치된다.
이와 같이, 급기 챔버(12)에, 플레이트 노즐(20)을 설치한 지지틀(30)을 설치한 후, 도1, 도2에 나타낸 크린 존(11)의 천정에 급기 챔버(12)를 설치함과 동시에 순환로(17)의 덕트와 접속함으로써 크린 룸(10)이 구성된다.
다음에, 크린 존(11)의 천정의 취출구를 형성하는 플레이트 노즐(20)의 노즐(24)의 형상과 그 내경 및 그 설치 간격에 대해서 설명한다.
먼저 노즐(24)의 형상은, 도3, 4에 나타낸 바와 같이, 역 깔때기(누두)형상으로 형성되지만, 원통형상으로 형성해도 좋다.
이어서, 노즐(24)의 배치 수에 대해서 설명한다.
먼저, 종래의 고성능 필터에서 불어내는 청정공기를, 면적 1 ㎡당, 면 풍속을 0.05 m/sec로 했을 때의 풍량(3 ㎥/min)을 기준으로 하고, 노즐 내경을, 각각 Φ 2 mm, Φ 5 mm, Φ 10 mm, Φ 20 mm, Φ 40 mm로 하여, 동일 풍량(3 ㎥/min)을 불어낼 때의 노즐 수는 다음과 같이 된다.
Φ 2 mm의 노즐에서는 노즐 수 1591개(40×40개), Φ 5 mm의 노즐에서는 노즐 수 254개(16×16개), Φ 10 mm의 노즐에서는 노즐 수 63개(8×8개), Φ 20 mm의 노즐에서는 노즐 수 16개(4×4개), Φ 40 mm의 노즐에서는 노즐 수 4개(2×2개)가 된다. 따라서 이들 수를, 1 ㎡당, 종횡으로 사각형상으로 등간격으로, 또는 지그재그로 삼각형상으로 등간격으로 나열하도록 설치하면 된다.
이어서, Φ 2 mm, Φ 5 mm, Φ 10 mm, Φ 20 mm, Φ 40 mm의 노즐에서 아래쪽으로 불어져 나오는 청정공기의 풍속(m/sec)과 도달 거리(m)에 대해서, 시뮬레이션한 결과를 도5에 의해 설명한다.
먼저, 종래의 필터로는, 풍속 0.05 m/sec로 불어냈을 때의 도달 거리는 5 m가 최대이고, 5 m에 도달하면 풍속이 제로가 된다.
이에 대하여, Φ 2 mm의 노즐에서는 도달 거리 5 m, Φ 5 mm의 노즐에서는 도달 거리 6.5 m, Φ 10 mm의 노즐에서는 도달 거리 7.2 m, Φ 20 mm와 Φ 40 mm의 노즐에서는 도달 거리 8 m로, 노즐 직경이 커지면 도달 거리가 길어지고, Φ 20 mm?Φ 40 mm 범위의 노즐에서는 도달 거리에 차이가 없음을 알 수 있다.
여기에서, 크린 존의 마루로부터 필요한 높이 면(面)에서, 입자의 확산을 제어하여, 제조설비의 장치 등으로부터의 발열을 제거할 수 있는 최소의 풍속 0.15 m/sec를 얻고자 할 경우, Φ 2 mm의 노즐에서는, 노즐 위치에서 마루 위의 필요한 높이 면(예를 들어 높이 1 m, 통상 높이 2 m 이내)까지의 거리(이하 유효 분사 거리라 한다)는 약 3 m, Φ 5 mm의 노즐에서는 유효 분사 거리는 약 5 m, Φ 10 mm의 노즐에서는 유효 분사 거리는 6.5 m, Φ 20 mm의 노즐에서는 유효 분사 거리는 7 m, Φ 40 mm의 노즐에서는 유효 분사 거리는 8 m가 된다. 결국, 필요한 높이 면에서 노즐까지의 거리가 그 노즐의 유효 분사 거리 내이면, 필요한 높이 면에서 풍속 0.15 m/sec 이상의 충분한 풍속이 얻어짐을 알 수 있다.
따라서, 도1, 도2에 나타낸 크린 존(11)의 천정 높이로부터, 마루(15)의 필요한 높이 면에서, 풍속 0.15 m/sec 이상이 얻어지는 노즐 내경과, 그 배치 수도 자유롭게 설계할 수 있게 되고, 총 순환 풍량도 필터 전면에서 불어내는 방식에 비해 1/3?1/10의 풍량으로 할 수 있다.
도6은, 플레이트 노즐(20)의 각 노즐(24)에서 불어져 나오는 온도조절된 청정공기(CA)의 확산 상태를 모식적으로 나타낸 것이다.
먼저, 각 노즐(24)에서 불어져 나오는 온도조절된 청정공기(CA)는, 아래쪽으로 불어져 나옴과 동시에, 노즐(24)의 취출 형상에 의해, 일정한 분산 각(θ)을 갖는다. 여기에서 상술한 바와 같이, 예를 들어, Φ 10 mm의 노즐을 선정한 경우, 풍속 0.15 m/sec의 유효 분사 거리(L)는 6.5 m이고, 그 도달 거리 이내에서, 도6에 나타낸 바와 같이 인접하는 노즐(24)로부터의 온도조절된 청정공기(CA)끼리 서로 겹칠 수 있으면, 마루면으로부터의 필요 높이(예를 들어 1 m)에서의 면 전체를 균일한 풍속, 균일한 온도의 기류로 할 수 있다.
또, 도6에서는, 크린 존(11)의 천정 가까이에서는, 노즐(24)끼리 간격을 두고 설치되기 때문에, 불어져 나온 온도조절된 청정공기(CA) 사이에서는, 공기의 대류가 생기지만, 대류하는 공기는 그 주위가 각 노즐(24)로부터의 온도조절된 청정공기(C)로 포위되기 때문에, 대류공기 중에 입자가 발생해도, 어느 온도조절된 청정공기(CA)에 동반하여 넓게는 확산하지 않고 리턴 챔버로 흐른다.
도7은, 크린 존(11)의 천정 가까이에서 입자가 발생한 경우의 확산을 확실하게 방지하는 예를 나타낸 것이다.
본 예에 있어서는, 확산 각(θ)을 갖는 노즐(24θ, 24θ) 사이에, 보다 각도가 있는 분산 각(α)을 갖는 노즐(24α)을 배치하도록 플레이트 노즐(20)을 형성하는 예를 나타낸 것이다.
상기 분산 각(α)을 갖는 노즐(24α)은, 노즐(24θ, 24θ)로부터 불어져 나오는 청정공기(CA) 사이에 내뿜을 뿐이고, 도달 거리는 짧다. 따라서, 노즐(24α)은, 노즐(24θ, 24θ)의 내경보다 작은, 예를 들어 Φ 2 mm의 노즐을 이용해도 5 m의 도달 거리가 있고, 게다가 노즐의 취출 각도(α)는 자유롭게 선정할 수 있어, 보다 확실한 발생 입자의 확산을 방지할 수 있다.
또, 플레이트 노즐(20)의 플레이트(23)에 형성하는 노즐(24)의 내경을 바꾸는 외에, 본 발명에서는, 노즐 내경이 다른 플레이트 노즐(20)을 여러 종류 형성해 두고, 이것을 크린 존(11)의 제조설비(M)의 배치상황에 따라, 노즐 직경이 다른 플레이트 노즐(20)을 크린 존(11)에 청정공기를 불어내는 급기 챔버(12)에 설치함으로써, 크린 존(11)의 에어리어 전체의 풍속 분포도 자유롭게 설정할 수 있다. 즉, 입자 확산이 요구되는 에어리어 위의 천정에는, 내경이 큰 노즐로 이루어지는 플레이트 노즐(20)을 배치하고, 입자 확산의 영향이 없는 에어리어에서는, 노즐 내경이 작은 플레이트 노즐(20)을 배치함으로써, 순환 풍량을 보다 억제한, 일방향 흐름식과 비일방향 흐름식의 중간의 취출 방식으로 할 수도 있다.
이상 본 발명의 실시형태를 설명했으나, 본 발명에서는 각종 변경이 가능하다. 즉, 크린 룸으로서 설명했으나, 크린 룸은 넓은 의미의 것이며, 예를 들어 액정기판을 노광하는 노광장치 내에 형성되는 크린 룸이나 국소적으로 형성된 크린 룸에서도 적용할 수 있는 것은 물론이다.
10: 크린 룸 11: 크린 존
12: 급기 챔버 16: 리턴 챔버
20: 플레이트 노즐 23: 플레이트
24: 노즐
12: 급기 챔버 16: 리턴 챔버
20: 플레이트 노즐 23: 플레이트
24: 노즐
Claims (16)
- 크린 존의 천정에, 온도조절된 청정공기의 취출구를 형성하기 위한 개구부를 형성하고, 그 개구부에, 플레이트의 아랫면에 복수의 노즐을 형성한 플레이트 노즐을 여러 장 나열하여 설치하여, 상기 취출구를 형성한 것을 특징으로 하는 크린 룸.
- 제1항에 있어서, 상기 플레이트 노즐은, 박형 상자형상으로 형성된 플레이트와, 상기 플레이트의 종횡으로 복수의 노즐이, 그 플레이트의 아랫면에서 돌출하도록 플레이트와 일체로 수지 성형하여 형성되는 것을 특징으로 하는 크린 룸.
- 제2항에 있어서, 상기 노즐의 내경이 2?40 mm의 범위 내의 어느 하나로 형성되고, 상기 노즐의 높이가 20?200 mm의 범위 내의 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 크린 룸.
- 제3항에 있어서, 상기 플레이트에는, 내경이 크고, 그리고 일정한 취출 각도로 청정공기를 불어내는 노즐과, 상기 노즐 사이에 배치되고, 내경이 작고 청정공기를 광각도로 청정공기를 불어내는 노즐이 설치되는 것을 특징으로 하는 크린 룸.
- 제조설비가 설치되는 크린 존;
상기 크린 존의 천정에 설치되고, 하부에, 온도조절된 청정공기의 취출구를 형성하기 위한 개구부를 갖는 급기 챔버;
상기 크린 존의 마루 아래에 설치된 리턴 챔버;
상기 리턴 챔버와 상기 급기 챔버를 잇는 공기 순환로;
공기 순환로에 접속된 공조기;
공조기와 상기 급기 챔버를 잇는 순환로에 설치된 고성능 필터; 및
플레이트의 아랫면에 복수의 노즐을 형성하여 구성되고, 상기 급기 챔버의 하부의 개구부를 덮도록 여러 장 나열하여 설치되고, 상기 크린 존의 천정에 상기 취출구를 형성하기 위한 복수의 플레이트 노즐;
을 갖춘 것을 특징으로 하는 크린 룸.
- 제5항에 있어서, 상기 급기 챔버의 하부의 개구부에, 사각형의 개구가 복수 형성된 지지틀이 설치되고, 그 지지틀의 각 개구에, 실링재를 사이에 두고 상기 플레이트 노즐이 설치되는 것을 특징으로 하는 크린 룸.
- 제5항에 있어서, 상기 플레이트 노즐은, 박형 상자형상으로 형성된 플레이트와, 상기 플레이트의 종횡으로 다수의 노즐이, 그 플레이트로부터 돌출하도록 플레이트와 일체로 수지 성형하여 형성되는 것을 특징으로 하는 크린 룸.
- 제7항에 있어서, 상기 노즐의 내경이 2?40 mm의 범위 내의 어느 하나로 형성되고, 상기 노즐의 높이가 20?200 mm의 범위 내의 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 크린 룸.
- 제7항에 있어서, 상기 플레이트 노즐의 각 노즐로부터 불어져 나온 청정공기가, 풍속 0.15 m/sec가 되는 유효 분사 거리를 노즐 내경에 따라 미리 구해 두고, 상기 마루 위의 한 높이 면에서 풍속 0.15?0.5 m/sec가 되도록, 상기 노즐의 유효 분사 거리로부터 노즐 내경을 선정하는 것을 특징으로 하는 크린 룸.
- 제9항에 있어서, 각 노즐로부터 불어져 나온 청정공기는, 유효 분사 거리에 도달하는 동안에 일정한 분산 각으로 불어져 나오고, 노즐끼리의 간격은, 인접하는 노즐로부터 불어져 나온 청정공기의 분산 각으로, 상기 유효 분사 거리 내에서 인접하는 노즐로부터의 청정공기가 상호 교차하도록 설정되는 것을 특징으로 하는 크린 룸.
- 제조설비가 설치되는 크린 존;
상기 크린 존의 천정에 설치되고, 하부에, 온도조절된 청정공기의 취출구를 형성하기 위한 개구부를 갖는 급기 챔버;
상기 크린 존의 마루 아래에 설치된 리턴 챔버;
상기 리턴 챔버와 상기 급기 챔버를 잇는 공기 순환로;
공기 순환로에 접속된 공조기;
급기 챔버 내에 설치된 고성능 필터; 및
플레이트의 아랫면에 복수의 노즐을 형성하여 구성되고, 상기 급기 챔버의 하부의 개구부를 덮도록 여러 장 나열하여 설치되고, 상기 크린 존의 천정에 상기 취출구를 형성하기 위한 복수의 플레이트 노즐;
을 갖춘 것을 특징으로 하는 크린 룸.
- 제11항에 있어서, 상기 급기 챔버의 하부의 개구부에, 사각형의 개구가 복수 형성된 지지틀이 설치되고, 그 지지틀의 각 개구에, 실링재를 사이에 두고 플레이트 노즐이 설치되는 것을 특징으로 하는 크린 룸.
- 제11항에 있어서, 상기 플레이트 노즐은, 박형 상자형상으로 형성된 플레이트와, 상기 플레이트의 종횡으로 다수의 노즐이, 그 플레이트로부터 돌출하도록 플레이트와 일체로 수지 성형하여 형성되는 것을 특징으로 하는 크린 룸.
- 제13항에 있어서, 노즐의 내경이 2?40 mm의 범위 내의 어느 하나로 형성되고, 상기 노즐의 높이가 20?200 mm의 범위 내의 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 크린 룸.
- 제14항에 있어서, 상기 플레이트 노즐의 각 노즐로부터 불어져 나온 청정공기가, 풍속 0.15 m/sec가 되는 유효 분사 거리를 노즐 내경에 따라 미리 구해 두고, 상기 마루 위의 한 높이 면에서 풍속 0.15?0.5 m/sec가 되도록, 상기 노즐의 유효 분사 거리로부터 노즐 내경을 선정하는 것을 특징으로 하는 크린 룸.
- 제15항에 있어서, 각 노즐로부터 불어져 나온 청정공기는, 유효 분사 거리에 도달하는 동안에 일정한 분산 각으로 불어져 나오고, 노즐끼리의 간격은, 인접하는 노즐로부터 불어져 나온 청정공기의 분산 각으로, 상기 유효 분사 거리 내에서 인접하는 노즐로부터의 청정공기가 상호 교차하도록 설정되는 것을 특징으로 하는 크린 룸.
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20220043878A (ko) * | 2020-09-29 | 2022-04-05 | 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 | 송풍기 및 전자 부품의 실장 장치 |
Families Citing this family (265)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9394608B2 (en) | 2009-04-06 | 2016-07-19 | Asm America, Inc. | Semiconductor processing reactor and components thereof |
US8802201B2 (en) | 2009-08-14 | 2014-08-12 | Asm America, Inc. | Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species |
US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
US9017481B1 (en) | 2011-10-28 | 2015-04-28 | Asm America, Inc. | Process feed management for semiconductor substrate processing |
CN102818323B (zh) * | 2012-08-02 | 2015-03-11 | 青岛海信日立空调系统有限公司 | 基于喷射送风的热泵空调系统 |
US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
CN103267340B (zh) * | 2013-05-29 | 2016-03-16 | 苏州大学 | 一种洁净手术室变风量变级别的送风装置 |
JP5802855B1 (ja) * | 2014-01-14 | 2015-11-04 | 株式会社日本医化器械製作所 | ブロック式吸引ユニット、ブロック式給気ユニット、及びこれらを用いた環境制御装置 |
US11015245B2 (en) | 2014-03-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof |
US10858737B2 (en) | 2014-07-28 | 2020-12-08 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead assembly and components thereof |
US9890456B2 (en) | 2014-08-21 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system for in situ formation of gas-phase compounds |
US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
CN105674393A (zh) * | 2014-11-18 | 2016-06-15 | 奇鼎科技股份有限公司 | 基板快速均温装置 |
US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
US10190213B2 (en) | 2016-04-21 | 2019-01-29 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
US10865475B2 (en) | 2016-04-21 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides and silicides |
US10367080B2 (en) | 2016-05-02 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
JP2017219219A (ja) * | 2016-06-06 | 2017-12-14 | 清水建設株式会社 | クリーンルーム用空調システム |
US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
KR102532607B1 (ko) | 2016-07-28 | 2023-05-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 가공 장치 및 그 동작 방법 |
US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US10643826B2 (en) | 2016-10-26 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for thermally calibrating reaction chambers |
US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
US10229833B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-03-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
KR20180068582A (ko) | 2016-12-14 | 2018-06-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
KR102700194B1 (ko) | 2016-12-19 | 2024-08-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US10867788B2 (en) | 2016-12-28 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
CN107796079B (zh) * | 2017-03-06 | 2023-04-25 | 江苏嘉合建设有限公司 | 顶送顶回净化通风系统 |
US10529563B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
KR102457289B1 (ko) | 2017-04-25 | 2022-10-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US10892156B2 (en) | 2017-05-08 | 2021-01-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US10886123B2 (en) | 2017-06-02 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures |
US12040200B2 (en) | 2017-06-20 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus |
US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
US10541333B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
KR102491945B1 (ko) | 2017-08-30 | 2023-01-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
KR102401446B1 (ko) | 2017-08-31 | 2022-05-24 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR102630301B1 (ko) | 2017-09-21 | 2024-01-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치 |
US10844484B2 (en) | 2017-09-22 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
US10923344B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
US10910262B2 (en) | 2017-11-16 | 2021-02-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure |
US11022879B2 (en) | 2017-11-24 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer |
WO2019103610A1 (en) * | 2017-11-27 | 2019-05-31 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus including a clean mini environment |
JP7214724B2 (ja) | 2017-11-27 | 2023-01-30 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置 |
US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
TWI799494B (zh) | 2018-01-19 | 2023-04-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
CN111630203A (zh) | 2018-01-19 | 2020-09-04 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法 |
US11018047B2 (en) | 2018-01-25 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Hybrid lift pin |
KR101859593B1 (ko) * | 2018-01-31 | 2018-05-18 | 오영근 | 크린룸용 기류제어 시스템 |
USD880437S1 (en) | 2018-02-01 | 2020-04-07 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus |
US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
JP7124098B2 (ja) | 2018-02-14 | 2022-08-23 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 周期的堆積プロセスにより基材上にルテニウム含有膜を堆積させる方法 |
KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR102501472B1 (ko) | 2018-03-30 | 2023-02-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
TWI843623B (zh) | 2018-05-08 | 2024-05-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構 |
US12025484B2 (en) | 2018-05-08 | 2024-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film forming method |
KR20190129718A (ko) | 2018-05-11 | 2019-11-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조 |
KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
TWI840362B (zh) | 2018-06-04 | 2024-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 水氣降低的晶圓處置腔室 |
US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
TW202409324A (zh) | 2018-06-27 | 2024-03-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於形成含金屬材料之循環沉積製程 |
WO2020003000A1 (en) | 2018-06-27 | 2020-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
KR102686758B1 (ko) | 2018-06-29 | 2024-07-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10767789B2 (en) | 2018-07-16 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components |
US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
US10883175B2 (en) | 2018-08-09 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein |
US10829852B2 (en) | 2018-08-16 | 2020-11-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution device for a wafer processing apparatus |
US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR102707956B1 (ko) | 2018-09-11 | 2024-09-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
TWI844567B (zh) | 2018-10-01 | 2024-06-11 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基材保持裝置、含有此裝置之系統及其使用之方法 |
US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
KR20200051105A (ko) | 2018-11-02 | 2020-05-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
US12040199B2 (en) | 2018-11-28 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
JP7504584B2 (ja) | 2018-12-14 | 2024-06-24 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム |
TWI819180B (zh) | 2019-01-17 | 2023-10-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
KR20200091543A (ko) | 2019-01-22 | 2020-07-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
CN109629006A (zh) * | 2019-01-31 | 2019-04-16 | 长江存储科技有限责任公司 | 炉管机台和洁净室 |
CN111524788B (zh) | 2019-02-01 | 2023-11-24 | Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法 |
KR102626263B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-01-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치 |
JP2020136678A (ja) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置 |
KR20200102357A (ko) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법 |
TWI845607B (zh) | 2019-02-20 | 2024-06-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備 |
TWI842826B (zh) | 2019-02-22 | 2024-05-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基材處理設備及處理基材之方法 |
US11742198B2 (en) | 2019-03-08 | 2023-08-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structure including SiOCN layer and method of forming same |
KR20200108243A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
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KR20200116033A (ko) | 2019-03-28 | 2020-10-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치 |
KR20200116855A (ko) | 2019-04-01 | 2020-10-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자를 제조하는 방법 |
CN110043982B (zh) * | 2019-04-16 | 2020-08-28 | 北京联合大学 | 动态自适应压差波动控制系统及方法 |
KR20200123380A (ko) | 2019-04-19 | 2020-10-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 층 형성 방법 및 장치 |
KR20200125453A (ko) | 2019-04-24 | 2020-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
KR20200130121A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기 |
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KR20200130652A (ko) | 2019-05-10 | 2020-11-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조 |
JP2020188255A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
JP2020188254A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD935572S1 (en) | 2019-05-24 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Gas channel plate |
USD922229S1 (en) | 2019-06-05 | 2021-06-15 | Asm Ip Holding B.V. | Device for controlling a temperature of a gas supply unit |
KR20200141003A (ko) | 2019-06-06 | 2020-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템 |
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USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
USD931978S1 (en) | 2019-06-27 | 2021-09-28 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead vacuum transport |
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JP7499079B2 (ja) | 2019-07-09 | 2024-06-13 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
KR20210010307A (ko) | 2019-07-16 | 2021-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
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US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
TWI839544B (zh) | 2019-07-19 | 2024-04-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法 |
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CN112309843A (zh) | 2019-07-29 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法 |
CN112309899A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112309900A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
CN118422165A (zh) | 2019-08-05 | 2024-08-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于化学源容器的液位传感器 |
USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
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US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
KR20210029090A (ko) | 2019-09-04 | 2021-03-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법 |
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US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
KR20210042810A (ko) | 2019-10-08 | 2021-04-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
TWI846953B (zh) | 2019-10-08 | 2024-07-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理裝置 |
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US12009241B2 (en) | 2019-10-14 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette |
TWI834919B (zh) | 2019-10-16 | 2024-03-11 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法 |
US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
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CN113028532A (zh) * | 2019-12-09 | 2021-06-25 | 上海奇康再生医学技术有限公司 | 一种自循环新风管理系统的洁净室 |
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US11527403B2 (en) | 2019-12-19 | 2022-12-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
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US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
US11781243B2 (en) | 2020-02-17 | 2023-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon |
TW202203344A (zh) | 2020-02-28 | 2022-01-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 專用於零件清潔的系統 |
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CN113394086A (zh) | 2020-03-12 | 2021-09-14 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法 |
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US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
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US11996289B2 (en) | 2020-04-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods |
JP2021172884A (ja) | 2020-04-24 | 2021-11-01 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化バナジウム含有層を形成する方法および窒化バナジウム含有層を含む構造体 |
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KR20210134226A (ko) | 2020-04-29 | 2021-11-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고체 소스 전구체 용기 |
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KR102702526B1 (ko) | 2020-05-22 | 2024-09-03 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치 |
TW202201602A (zh) | 2020-05-29 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202212620A (zh) | 2020-06-02 | 2022-04-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法 |
TW202218133A (zh) | 2020-06-24 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
TW202217953A (zh) | 2020-06-30 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
KR102707957B1 (ko) | 2020-07-08 | 2024-09-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
TW202219628A (zh) | 2020-07-17 | 2022-05-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於光微影之結構與方法 |
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US12040177B2 (en) | 2020-08-18 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes |
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US11946137B2 (en) | 2020-12-16 | 2024-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Runout and wobble measurement fixtures |
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USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
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USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0668408B2 (ja) * | 1986-05-29 | 1994-08-31 | 高砂熱学工業株式会社 | クリ−ンル−ム用空気吹出装置およびこれを利用した高天井クリ−ンル−ム |
JPH01131934A (ja) * | 1987-11-18 | 1989-05-24 | Hitachi Ltd | 動的シングルクロツクトレース方式 |
JPH0522745Y2 (ko) * | 1988-03-02 | 1993-06-11 | ||
JPH0666439A (ja) * | 1992-08-13 | 1994-03-08 | Kawasaki Steel Corp | クリーンルーム及びエアサプライユニット |
JPH11218353A (ja) * | 1998-02-02 | 1999-08-10 | Toshiba Air Conditioning Co Ltd | クリーンルームへの吹出し風速調整装置 |
KR200241269Y1 (ko) * | 1999-04-26 | 2001-09-25 | 김희남 | 클린부스의 구조 |
JP2002106943A (ja) * | 2000-10-03 | 2002-04-10 | Shin Nippon Air Technol Co Ltd | 局所空間清浄化ノズルおよび局所空間清浄化ユニット |
JP4824885B2 (ja) * | 2001-09-28 | 2011-11-30 | 高砂熱学工業株式会社 | エアシャワー装置,清浄装置の配置構造及び運転方法 |
JP2008107033A (ja) * | 2006-10-26 | 2008-05-08 | Takenaka Komuten Co Ltd | ファンフィルタユニット |
JP5330805B2 (ja) * | 2008-11-07 | 2013-10-30 | パナソニック株式会社 | クリーンルーム |
-
2010
- 2010-10-28 JP JP2010242798A patent/JP4755307B1/ja active Active
- 2010-11-12 CN CN201080025662.4A patent/CN102656410B/zh active Active
- 2010-11-12 KR KR1020117027760A patent/KR101284022B1/ko active IP Right Grant
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-
2011
- 2011-07-29 TW TW100126993A patent/TWI431229B/zh active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20220043878A (ko) * | 2020-09-29 | 2022-04-05 | 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 | 송풍기 및 전자 부품의 실장 장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201217719A (en) | 2012-05-01 |
KR101284022B1 (ko) | 2013-07-09 |
TWI431229B (zh) | 2014-03-21 |
JP4755307B1 (ja) | 2011-08-24 |
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JP2012093066A (ja) | 2012-05-17 |
CN102656410B (zh) | 2015-07-01 |
WO2012056592A1 (ja) | 2012-05-03 |
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