TWI423259B - 用於相變記憶體的更新電路 - Google Patents

用於相變記憶體的更新電路 Download PDF

Info

Publication number
TWI423259B
TWI423259B TW098132122A TW98132122A TWI423259B TW I423259 B TWI423259 B TW I423259B TW 098132122 A TW098132122 A TW 098132122A TW 98132122 A TW98132122 A TW 98132122A TW I423259 B TWI423259 B TW I423259B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
memory
array
phase change
reference array
memory cell
Prior art date
Application number
TW098132122A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201103023A (en
Inventor
Hsiang Lan Lung
Original Assignee
Macronix Int Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Macronix Int Co Ltd filed Critical Macronix Int Co Ltd
Publication of TW201103023A publication Critical patent/TW201103023A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI423259B publication Critical patent/TWI423259B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
    • G11C13/0002—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
    • G11C13/0004—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements comprising amorphous/crystalline phase transition cells
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/56—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using storage elements with more than two stable states represented by steps, e.g. of voltage, current, phase, frequency
    • G11C11/5678—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using storage elements with more than two stable states represented by steps, e.g. of voltage, current, phase, frequency using amorphous/crystalline phase transition storage elements
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
    • G11C13/0002—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
    • G11C13/0021—Auxiliary circuits
    • G11C13/0033—Disturbance prevention or evaluation; Refreshing of disturbed memory data
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
    • G11C13/0002—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
    • G11C13/0021—Auxiliary circuits
    • G11C13/004—Reading or sensing circuits or methods
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/34—Determination of programming status, e.g. threshold voltage, overprogramming or underprogramming, retention
    • G11C16/3418—Disturbance prevention or evaluation; Refreshing of disturbed memory data
    • G11C16/3431—Circuits or methods to detect disturbed nonvolatile memory cells, e.g. which still read as programmed but with threshold less than the program verify threshold or read as erased but with threshold greater than the erase verify threshold, and to reverse the disturbance via a refreshing programming or erasing step

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)

Description

用於相變記憶體的更新電路
本發明是有關於一種基於相變基礎之記憶體材料(包含基於硫族化物之材料)且基於其他可程式化電阻性材料的高密度記憶體裝置，以及用於更新此類裝置的方法。
可藉由施加處於適合在積體電路中實施之位準的電流，來致使基於相變之記憶體材料(如基於硫族化物的材料及類似材料)在非晶相與結晶相之間變相。大體非晶態之特徵在於電阻率高於大體結晶態之電阻率，此可容易被感測到以指示資料。此等特性使人們對使用可程式化電阻性材料來形成可用隨機存取來讀取及寫入的非揮發性電路感興趣。
自非晶態變為結晶態(本文中稱之為設定)通常為較低電流操作。自結晶變為非晶(本文中稱之為重設)通常為較高電流操作，所述操作包含較短的高電流密度脈衝，用以熔化或擊穿結晶結構，在此之後，相變材料迅速冷卻，從而使相變過程驟熄，並允許相變材料的至少一部分穩定於非晶態。
已觀察到，一些處於重設狀態之相變記憶體單元會經歷電阻隨時間的過去而降低至低於臨限值，臨限值用以區分重設狀態與設定狀態，從而導致彼等記憶體單元的資料保持問題及位元錯誤。舉例而言，活性區已被重設為大體非晶態的記憶體單元可能會隨時間的過去而在活性區中形成結晶區分佈。若此等結晶區連接以形成穿過活性區之低電阻路徑，則當所述記憶體單元被讀取時，將偵測到較低電阻狀態，且導致資料錯誤。見Gleixner之「Phase Change Memory Reliability」(2007年第22期NVSMW)。
一種旨在解決因電阻隨時間的過去而降低所導致之資料保持問題的嘗試是使設定狀態與重設狀態之間維持相對較大的讀取邊限。然而，相對較大的讀取邊限通常需要較緩慢的設定操作及較高重設電流，以便獲得設定狀態與重設狀態之間較大的電阻差。相對較緩慢的設定操作及較高重設電流會限制裝置的操作速度，從而限制將基於相變之記憶體電路用作高速記憶體。
因此，使用基於相變之記憶體電路的積體電路通常亦包含其他類型的記憶體電路，以便滿足積體電路之各種功能對記憶體效能的要求。此等不同類型之記憶體電路嵌入於積體電路中之各位置處，且通常包含SRAM及DARM記憶體電路，以便為積體電路提供高存取速度記憶體。然而，將用於各種記憶體應用之不同類型的記憶體電路整合於積體電路內可能較為困難，且導致高度複雜的設計。
亦已提出藉由週期性地更新相變記憶體單元以抵消可能隨時間的過去而發生之任何電阻變化來解決資料保持問題。
一種方法是週期性地讀取陣列中之每一記憶體單元的電阻，以判定何時對所述特定記憶體單元選擇性地執行更新操作。見Happ等人之標題為「Resistive Memory Including Selective Refresh Operation」的美國專利申請公開案第US 2008/0117704號以及Parkinson等人之標題為「Refreshing Memory Cells of a Phase Change Material Memory Device」的美國專利第6,768,665號。
另一種方法是在相變記憶體已被存取大於預定數目之次數時執行更新操作。見Sheu等人之標題為「Driving Method and System for a Phase Change Memory」的美國專利申請公開案第US 2008/0170431號。
另一種方法是基於對記憶體單元之主陣列執行之讀取操作及寫入操作的數目而對虛設記憶體單元組施加應力，且偵測虛設組之電阻的變化，以判定何時更新記憶體單元的主陣列。見Fuji之標題為「Memory Device」的美國專利申請案第2006/0158948號。
因此，需要提供基於相變之記憶體裝置及用於操作此類裝置的方法，其可解決上文所論述之資料保持問題，且使資料儲存效能得以改良。
如本文所述之記憶體裝置包含相變記憶體單元的參考陣列及相變記憶體單元的記憶體陣列，其中儲存於參考陣列中之當前資料集與預期資料集之間的差異用以判定何時更新記憶體陣列。
所述記憶體裝置包含偏壓電路，用以在記憶體陣列中及參考陣列中建立低電阻狀態及高電阻狀態。參考陣列之高電阻狀態為「部分重設」狀態，其最小阻值小於記憶體陣列之高電阻狀態的最小阻值。
所述裝置更包含：感測電路，用以讀取參考陣列，並在儲存於參考陣列中之當前資料集與預期資料集之間存在差異的情況下產生更新命令信號；以及控制電路，其回應於更新命令信號以對記憶體陣列執行更新操作。
由於參考陣列之部分重設狀態的最小阻值較低，所以參考陣列之資料保留效能比記憶體陣列之資料保留效能差，且被用作對記憶體陣列中存在位元錯誤且需要執行更新操作的早期預示。
參考陣列之記憶體單元數目與記憶體陣列之記憶體單元數目相比較小。在一個實例中，參考陣列可具有大約100個記憶體單元，而記憶體陣列可具有數百萬個或數十億個記憶體單元。
由於參考陣列中之記憶體單元的數目相對較小，所以與直接在記憶體陣列中偵測位元錯誤相比，對參考陣列中之資料中之位元錯誤的偵測可更加快速地執行。此外，偵測位元錯誤所需之控制及感測電路的複雜性得以大幅簡化。
由於任何特定記憶體單元中出現位元錯誤之機率較佳較小，所以與使用單一參考單元可達成之情形相比，參考陣列亦提供對記憶體陣列中之可能位元錯誤的更切合的統計預示。
本文中亦揭露用於操作包括相變單元之記憶體陣列及相變單元之參考陣列之記憶體裝置的方法。
在審閱以下圖式、詳細描述及申請專利範圍後，可看出本發明的其他態樣及優點。
參看圖1至圖8A至圖8E提供對本發明之實施例的詳細描述。
在相變記憶體中，藉由在相變材料之活性區中引起非晶態與結晶態之間的轉變來儲存資料。圖1為若干記憶體單元之電阻的實例分佈，所述記憶體單元每一者包括具有兩種狀態之一(儲存單一資料位元)的相變記憶體元件。記憶體單元之相變記憶體元件可程式化為高電阻重設(經抹除)狀態102及較低電阻設定(經程式化)狀態100(儲存單一資料位元)，每一狀態對應於一不重疊的阻值範圍。
自高電阻狀態102改變為較低電阻狀態100通常為較低電流操作，其中電流將相變材料加熱至高於轉變溫度，以引起自非晶相至結晶相的轉變。自較低電阻狀態100改變為較高電阻狀態102通常為較高電流操作，所述操作包含較短的高電流密度脈衝，用以熔化或擊穿結晶結構，在此之後，相變材料迅速冷卻，從而使相變過程驟熄，並允許相變材料的至少一部分穩定於非晶相。
較低電阻狀態100之最高電阻R1與高電阻重設狀態102之較低電阻R2之間的差界定讀取邊限101，其用以區分處於較低電阻狀態100的單元與處於高電阻狀態102的單元。可藉由以下方式來判定儲存於記憶體單元中的資料：判定記憶體單元之電阻是對應於較低電阻狀態100還是對應於高電阻狀態102，例如藉由量測記憶體單元之電阻是高於還是低於讀取邊限101內的臨限電阻值RSA 103。
為了可靠地區分重設狀態102與設定狀態100，維持相對較大的讀取邊限101是重要的。然而，已觀察到，一些處於重設狀態102的相變記憶體單元可能經歷無規律的「尾部位元」效應，其中記憶體單元之電阻隨時間的過去而減小至低於臨限電阻值RSA 103，從而導致彼等記憶體單元出現資料保持問題及位元錯誤。電阻之減小速率取決於若干因素，包含陣列上之結構變更、單元中之製造缺陷以及裝置所暴露於的環境條件。
此外，為了滿足高速記憶體要求(諸如DRAM及SRAM通常所需之高速記憶體要求)，基於相變之記憶體電路必須以較高的設定操作速度及重設操作速度操作，並使用較少的操作電流。此等高設定速度及重設速度以及低操作電流使狀態100與102之間的電阻差減小，此舉進一步增加資料保持問題及位元錯誤的可能性。
圖2為包含相變記憶體單元之記憶體陣列212及相變記憶體單元之參考陣列250之積體電路210之第一實施例的方塊圖。陣列212、250之記憶體單元包含存取裝置(諸如二極體或電晶體)，以及相變記憶體元件。
如下文中更詳細地描述，積體電路210包含控制器234，其控制偏壓電路電壓與電流源236的施加，偏壓電路電壓與電流源236用以在記憶體陣列212之記憶體單元中及參考陣列250之記憶體單元中建立低電阻狀態及高電阻狀態。
參考陣列250之高電阻狀態為「部分重設」狀態，其最小阻值小於記憶體陣列212之高電阻狀態的最小阻值。因此，隨時間的過去，參考陣列250之資料保持效能比記憶體陣列212之資料保持效能差，且參考陣列250中之位元錯誤可被用作對記憶體陣列212存在位元錯誤且需要執行更新操作的早期預示。因此，在判定儲存於參考陣列250中之當前資料集與預期資料集之間的差異之後，執行對記憶體陣列212之記憶體單元的更新操作。
參考陣列250之記憶體單元數目與記憶體陣列212之記憶體單元數目相比較少，且因此可更加迅速且更加容易地被讀取。在一個實例中，參考陣列250可具有100個或100個以上記憶體單元，而記憶體陣列212可具有數百萬個或數十億個記憶體單元。由於參考陣列250中之記憶體單元的數目相對較小，所以與試圖直接在記憶體陣列212中偵測位元錯誤相比，對參考陣列250中之資料中之位元錯誤的偵測可更加快速地執行。此外，偵測位元錯誤所需之控制及感測電路的複雜性得以大幅簡化。
而且，由於任何特定記憶體單元中出現位元錯誤之機率較佳較小，所以與使用單一參考單元可達成之情形相比，參考陣列250中之記憶體單元提供對記憶體陣列212中之可能位元錯誤的更切合的統計預示。
字元線解碼器214耦合至多個字元線216並與之電連通，所述多個字元線216沿記憶體陣列212及參考陣列250中之列配置。位元線(行)解碼器與多個位元線220電連通，所述多個位元線220沿記憶體陣列212及參考陣列250中之行配置。將位址在匯流排222上供應至字元線解碼器及驅動器214以及位元線解碼器218。方塊224中之感測電路及資料輸入結構(包含記憶體陣列212及參考陣列250的感測放大器電路)經由資料匯流排226耦合至位元線解碼器218。經由資料輸入線228將資料自積體電路上之輸入/輸出埠供應至方塊224中的資料輸入結構。積體電路210上可包含其他電路230，諸如通用處理器或專用應用電路，或提供由陣列212支援之晶片上系統功能性之模組的組合。經由資料輸出線232將資料自方塊224中之感測放大器供應至積體電路210上之輸入/輸出埠，或積體電路210內部或外部的其他資料目的地。
在此實例中使用偏壓配置狀態機實施的控制器234控制偏壓電路電壓與電流源236之施加，以對記憶體陣列212及參考陣列250之記憶體單元施加偏壓配置，諸如讀取、程式化、抹除、抹除驗證、程式化驗證及更新。自控制器234發送之信號的特性決定待存取之陣列212、250以及待執行之操作。可使用此項技術中已知的專用邏輯電路來實施控制器234。在替代實施例中，控制器234包括通用處理器，其可實施於同一積體電路上，用以執行電腦程式以控制裝置的操作。在其他實施例中，可利用專用邏輯電路與通用處理器的組合來實施控制器234。如下文更詳細地描述，控制器234回應於來自方塊224之參考陣列感測電路的更新命令而實施更新模式，以更新記憶體陣列212及參考陣列250的記憶體單元，所述更新命令指示儲存於參考陣列中之當前資料集與預期資料集之間的差異。
記憶體陣列212及參考陣列250可以同一陣列的不同單元(例如同一陣列的不同排、塊或區段)的形式配置，以共用位元線及/或字元線。或者，記憶體陣列212及參考陣列可以實體上分離的陣列的形式實施。
在操作中，陣列212、250中之記憶體單元中的每一者儲存由對應記憶體元件之電阻表示的資料。舉例而言，感測電路224中之感測放大器可藉由將選定記憶體單元之位元線上的電壓或電流與合適的參考電流或電壓進行比較來判定資料值。
因此，可藉由應用偏壓配置以向字元線及位元線提供適當之電壓及/或電流脈衝，使得電流流經選定記憶體單元，來達成對陣列212、250之記憶體單元的讀取或寫入。所施加之脈衝的位準及持續時間取決於陣列212、250，且亦取決於待執行的操作。可根據經驗為每一實施例判定所施加之脈衝的位準及持續時間。下文更詳細地闡釋記憶體陣列212及參考陣列250的各種操作模式。
記憶體陣列
在對記憶體陣列212中之記憶體單元之重設(抹除)操作的偏壓配置中，字元線解碼器214促進向字元線提供合適的電壓脈衝以接通記憶體單元的存取電晶體。位元線解碼器218促進將具有合適幅值及持續時間的電壓脈衝供應至位元線，以誘導電流流經記憶體元件，所述電流使記憶體元件之活性區的溫度上升至高於相變材料之轉變溫度，且亦高於熔化溫度，從而使活性區處於液態。接著，例如藉由以下方式使電流終止：使位元線及字元線上之電壓終止，從而在活性區冷卻時產生相對較快的驟熄時間，從而將相變材料設定至與如圖3所示之記憶體陣列較高電阻重設狀態302相關聯之電阻值以內的電阻。
在對記憶體陣列212中之記憶體單元之設定(程式化)操作的偏壓配置中，字元線解碼器214促進向字元線提供合適的電壓脈衝以接通記憶體單元的存取電晶體。位元線解碼器224促進將具有合適幅值及持續時間的電壓脈衝供應至位元線，以誘導電流流經記憶體元件，所述電流足以使活性區的溫度上升至高於轉變溫度，且致使活性區的至少一部分自非晶相轉變為結晶相，此轉變使記憶體元件之電阻降低，且將相變材料之電阻設定為在與記憶體陣列較低電阻設定狀態300相關聯的電阻值範圍內。
記憶體陣列較低電阻設定狀態300之最高電阻R1 與記憶體陣列較高電阻重設狀態302之較低電阻R2 之間的差界定記憶體陣列讀取邊限301，其用以區分記憶體陣列212之處於較低電阻設定狀態300的單元與處於較高電阻重設狀態302的單元。
在對記憶體陣列212中之記憶體單元的讀取操作中，字元線解碼器214促進向字元線提供合適的電壓脈衝以接通記憶體單元的存取電晶體。位元線解碼器218促進將具有合適幅值及持續時間的電壓脈衝供應至位元線，以誘導電流流經記憶體元件，所述電流不會導致記憶體元件經歷電阻狀態變化。位元線上及穿過記憶體單元的電流取決於記憶體元件之電阻，且因此取決於所儲存的資料值。因此，可藉由偵測記憶體單元的電阻是對應於高電阻狀態302還是低電阻狀態300，例如藉由感測電路212之感測放大器將對應位元線上之電壓或電流與對應於RSA 的合適電壓或電流進行比較，來判定儲存於記憶體單元中的資料值。
在記憶體陣列212之更新模式下，控制器234中的控制電路執行下文更詳細描述的程序。
參考陣列
參考陣列250儲存由陣列250之被寫至高電阻狀態312及低電阻狀態310的記憶體單元組成的預定資料集。如在圖3中可看出，參考陣列250之「部分重設」狀態312之分佈312的最小阻值R2REF 小於記憶體陣列212之重設高電阻狀態之分佈302的最小阻值R2 。
如下文所論述，參考陣列250中所儲存之資料集的由參考陣列250之記憶體單元中之位元錯誤引起的隨時間的過去而發生的變化用以判定何時對記憶體陣列212及參考陣列250兩者執行更新操作。
將預定資料集儲存於參考陣列250中的寫入模式包含對相變記憶體單元之設定操作及部分重設操作。在所說明之實施例中，儲存於參考陣列250中之預定資料集為參考陣列250中之鄰近記憶體單元之間的交替的高電阻狀態與低電阻狀態的棋盤形圖案。或者，對於資料集，可將其他技術用於參考陣列250中之記憶體單元的高電阻狀態及低電阻狀態的配置。
在對記憶體陣列250中之記憶體單元之部分重設操作的偏壓配置中，字元線解碼器214促進向字元線提供合適的電壓脈衝以接通記憶體單元的存取電晶體。位元線解碼器218促進將具有合適幅值及持續時間的電壓脈衝供應至位元線，以誘導電流流經記憶體元件，所述電流使記憶體元件之活性區的溫度上升至高於相變材料之轉變溫度，且亦高於熔化溫度，從而使活性區處於液態。接著，例如藉由以下方式使電流終止：使位元線及字元線上之電壓終止，從而在活性區冷卻時產生相對較快的驟熄時間，從而將相變材料設定至與如圖3所示之參考陣列較高電阻部分重設狀態312相關聯之電阻值以內的電阻。
藉由以下方式來達成參考陣列250中之記憶體單元之部分重設狀態之分佈312中的電阻：致使與處於重設狀態之記憶體陣列212之記憶體單元之相變記憶體元件相比，參考陣列250之記憶體單元的相變記憶體元件的活性區具有結晶相材料與非晶相材料的不同混合，及/或較小的活性區大小。
舉例而言，在記憶體陣列212中之記憶體單元的重設操作中，可施加用以達成由分佈302表示之完全重設狀態的第一重設脈衝，且在參考陣列250中之記憶體單元的重設操作中，可施加用以達成由分佈312表示之部分重設狀態的第二重設脈衝，所述第一重設脈衝及第二重設脈衝針對脈衝寬度、脈衝高度及脈衝之尾部邊緣的形狀中的至少一者具有不同的值。為了達成重設狀態及部分重設狀態的不同分佈302、312，第二重設脈衝可具有(例如)較小的脈衝寬度及/或較長的脈衝尾部，以提供比第一重設脈衝之驟熄時間慢的驟熄時間。
或者，可向記憶體陣列212及參考陣列250兩者施加具有相同脈衝形狀的重設脈衝，且可藉由陣列212、250之單元結構的差異(諸如在單元中提供用以獲得不同量的電流密度的特徵且因此導致電阻出現差異)來達成重設狀態及部分重設狀態之不同分佈302及312。
在對參考陣列250中之記憶體單元之設定(程式化)操作的偏壓配置中，字元線解碼器214促進向字元線提供合適的電壓脈衝以接通記憶體單元的存取電晶體。位元線解碼器224促進將具有合適幅值及持續時間的電壓脈衝供應至位元線，以誘導電流流經記憶體元件，所述電流足以使活性區的溫度上升至高於轉變溫度，且致使活性區的至少一部分自非晶相轉變為結晶相，此轉變使記憶體元件之電阻降低，且將相變材料之電阻設定為在與參考陣列較低電阻設定狀態310相關聯的電阻值範圍內。
在所說明之實施例中，參考陣列較低電阻設定狀態310及記憶體陣列較低電阻設定狀態300對應於同一電阻值範圍。或者，狀態300及310可對應於不同的電阻值範圍。
參考陣列較低電阻設定狀態310之最高電阻R1 與參考陣列較高電阻重設狀態312之較低電阻R2REF 之間的差界定參考陣列讀取邊限315，其用以區分參考陣列250之處於較低電阻設定狀態310的單元與處於較高電阻部分重設狀態312的單元。
在參考陣列250之讀取模式中，讀取記憶體單元之電阻狀態，且使用因電阻隨時間的過去而發生的變化所引起之位元錯誤來判定何時對記憶體陣列212執行更新操作。
在對參考陣列250中之記憶體單元之讀取操作中，字元線解碼器214促進向字元線提供合適的電壓脈衝以接通記憶體單元的存取電晶體。位元線解碼器218促進將具有合適幅值及持續時間的電壓脈衝供應至位元線，以誘導電流流經記憶體元件，所述電流不會導致記憶體元件經歷電阻狀態變化。位元線上及經過記憶體單元的電流取決於記憶體元件的電阻，且因此取決於所儲存的資料值。因此，可藉由偵測記憶體單元的電阻是對應於高電阻狀態302還是低電阻狀態300，例如藉由感測電路212之感測放大器將對應位元線上的電壓或電流與對應於RSA 的合適電壓或電流進行比較，來判定儲存於記憶體單元中的資料值。
圖4說明用於積體電路210之感測電路224的實施例，所述感測電路可用於判定參考陣列250中之資料集是否不同於預期的預定資料集，且若不同，則向控制器234產生更新命令信號，所述更新命令信號起始對記憶體陣列212及參考陣列250的更新操作過程。
在圖4中，參考陣列250藉由位元線220經由位元線解碼器218而耦合至感測放大器410之輸入端。RSA 參考源420耦合至感測放大器410的另一輸入端，且感測致能信號SEN耦合至感測放大器410。在參考陣列250之記憶體單元的讀取操作期間，感測放大器410回應於其輸入端處的差異而產生輸出信號，所述輸出信號指示記憶體單元的電阻狀態，且因此指示儲存於記憶體單元中之資料值。將感測放大器410的輸出信號提供至總和檢查碼產生器(checksum generator)430。
在參考陣列250的讀取過程期間，總和檢查碼產生器430使用自參考陣列250之記憶體單元讀取之資料集的資料值來計算總和檢查碼435，且將計算出之總和檢查碼435供應至比較器440。
可使用此項技術中已知的專用邏輯電路來實施總和檢查碼產生器430。在替代實施例中，總和檢查碼產生器430包括通用處理器，其可在同一積體電路上實施，用以執行電腦程式以控制裝置的操作。在其他實施例中，可利用專用邏輯電路與通用處理器的組合來實施總和檢查碼產生器430。
電路224亦包含暫存器400，其儲存參數405，參數405表示參考陣列的預定資料集，且電路224將此參數405提供至比較器440，作為下文所述之過程的一部分。在所說明之實施例中，參數405為對應於預定資料集的預期總和檢查碼405。
比較器440將計算出的總和檢查碼435與預期總和檢查碼405進行比較，且在計算出之總和檢查碼435與預期總和檢查碼405不同的情況下，產生更新命令信號REFRESH CMD 450。控制器234回應於更新命令信號REFRESH CMD 450而接著執行對記憶體陣列212及參考陣列250的更新操作。
圖5為過程500的實施例，過程500可由控制器234使用圖4之電路234來執行以判定何時執行對記憶體陣列212及參考陣列250的更新操作。
在圖5中，在接收到更新檢查命令之後執行過程500。直至接收到更新檢查命令，過程才在方塊510及520中循環。
在接收到更新檢查命令(方塊520)之後，控制器234引發使用方塊410之感測放大器對儲存於參考陣列250中之資料集的讀取過程，且致使感測電路224之總和檢查碼產生器430根據所儲存之資料集來計算總和檢查碼435(方塊530)。
接下來，比較器440對計算出的總和檢查碼435與儲存於暫存器400中的預期總和檢查碼405進行比較(方塊540)。若在方塊540處預期總和檢查碼405與計算出的總和檢查碼435匹配，則判定儲存於參考陣列250中的資料對應於預定資料集，且不需要進行更新操作。過程500循環回方塊510以等待另一更新檢查命令。
若在方塊540處預期總和檢查碼405與計算出的總和檢查碼435不匹配，則參考陣列250具有位元錯誤，且比較器440產生更新命令信號REFRESH CMD 450。過程500繼續至方塊550。
在方塊550處，控制器234回應於REFRESH CMD 450以引發待對記憶體陣列212及參考陣列250執行之更新操作。控制器234致使施加適當的讀取偏壓配置以讀取記憶體單元的電阻，且若有必要，則致使施加適當的偏壓配置以更新對應記憶體元件的電阻，以便抵消可能已在更新循環之間發生的任何電阻變化。
亦可使用用於判定參考陣列250中之位元錯誤的替代技術。舉例而言，在參考陣列250儲存棋盤式圖案的實施例中，可藉由使用邏輯電路偵測具有相同電阻狀態的連續記憶體單元來判定位元錯誤。
圖6為繪示參考陣列250及記憶體陣列212之相對大小及位置的實例俯視圖佈局。或者，陣列250、212之相對大小及位置可不同。
圖7說明記憶體陣列212及參考陣列250之相應記憶體單元之一部分的實施例的示意圖。在所說明之實施例中，記憶體陣列212及參考陣列250共用位元線220。或者，可使用其他組態，諸如共用字元線216。
記憶體陣列212包含記憶體單元701、702、703、704，其具有相應的記憶體元件711、712、713、714。參考陣列250包含記憶體單元721、722、723、724，其具有相應的記憶體元件731、732、733、734。
陣列212、250包含多個字元線216，其包含在第一方向上平行延伸的字元線216a、216b、216c、216d，且陣列212、250包含多個位元線220，其包含在垂直於第一方向之第二方向上平行延伸的位元線220a、220b。
記憶體陣列212中所說明之四個存取電晶體中之每一者的源極共同連接至源極線796a，源極線796a終止於源極線終端電路795(諸如接地端子)中。在另一實施例中，存取裝置之源極並不電性連接，而是可獨立控制。
參考陣列250中所說明之四個存取電晶體中之每一者的源極共同連接至源極線796b，源極線796b終止於源極線終端電路795中。
源極線終端電路795可包含偏壓電路(諸如電壓及電流源)，且在一些實施例中包含解碼電路，用於將除接地之外的偏壓配置施加至源極線796。
可藉由施加上文所論述之適當偏壓配置來達成對陣列212、250之記憶體單元的讀取或寫入。陣列212、250之記憶體單元藉由其位址而區分，以判定控制器234所發送之信號的特性，以便耦合偏壓電路以施加脈衝來操作陣列212、250的記憶體單元。
為了達成記憶體陣列212及參考陣列250之不同的高電阻狀態302及312，與處於重設狀態302之記憶體陣列212之記憶體單元之相變記憶體元件相比，參考陣列250之記憶體單元之相變記憶體元件的活性區具有不同的結晶相材料與非晶相材料之混合，或具有較小的活性區。
舉例而言，為了達成記憶體陣列212及參考陣列250之不同的高電阻狀態302及312，在記憶體陣列212中之記憶體單元的重設操作中，可施加第一重設脈衝，且在參考陣列250中之記憶體單元的重設操作中，可施加第二重設脈衝，所述第一重設脈衝及第二重設脈衝針對脈衝寬度、脈衝高度及脈衝之尾部邊緣的形狀中的至少一者具有不同的值。
或者，可向記憶體陣列212及參考陣列250兩者施加具有相同脈衝形狀的重設脈衝，且可藉由陣列212、250之單元結構的差異(諸如在單元中提供用以獲得不同量的電流密度的特徵且因此導致電阻出現差異)來達成重設狀態及設定狀態之不同分佈302及312。
在所說明之實施例中，儲存於參考陣列250中之預定資料集為參考陣列250中之鄰近記憶體單元之間的交替的高電阻狀態與低電阻狀態的棋盤式圖案。因此，在所說明之實施例中，將記憶體元件731、734程式化至設定狀態310，且將記憶體元件732、733程式化至部分重設狀態312。
將理解，記憶體陣列212及參考陣列250不限於圖7中所說明的陣列組態，且亦可使用其他陣列組態，包含對陣列212及250中的每一者實施不同組態。
在圖7所說明的實施例中，記憶體陣列212及參考陣列250包含場效電晶體存取裝置。或者，可使用其他存取裝置(諸如二極體或雙極接面電晶體)，包含對兩個陣列212、250使用不同類型的存取裝置。
在上文所述之實施例中，參考陣列250及記憶體陣列212配置於單一記憶體陣列內之不同位置處以共用共同的控制電路及偏壓電路。或者，參考陣列250及記憶體陣列212可配置於單獨陣列中，且亦可每一者具有單獨的控制電路及偏壓電路。
在一些實施例中，參考陣列250之記憶體單元及記憶體陣列212之記憶體單元具有實體組態相同的記憶體元件。或者，陣列250、212之記憶體單元可包括各種類型之具有不同實體組態的記憶體元件。
圖8A至圖8E繪示可在陣列250、212之記憶體單元中實施之代表性先前技術記憶體單元結構。
圖8A為說明耦合至第一電極812及第二電極814之記憶體元件920之第一組態的簡化橫截面圖。第一電極812可(例如)耦合至存取裝置(諸如二極體或電晶體)的端子，而第二電極814可耦合至位元線。
具有寬度815的介電間隔物813使第一電極812與第二電極814分離。記憶體元件920的相變材料在介電間隔物813上延伸，並接觸第一電極812及第二電極814，從而在第一電極812與第二電極814之間界定電極間路徑，其路徑長度由介電間隔物813的寬度815界定。在操作中，當電流在第一電極812與第二電極814之間經過並通過記憶體元件920時，記憶體元件920之相變材料的活性區818的變熱速度比記憶體元件920之其餘部分的變熱速度快。
圖8B為說明耦合至第一電極822及第二電極824之記憶體元件920之第二組態的簡化橫截面圖。記憶體元件920之相變材料具有活性區828，且分別在頂表面823及底表面829處接觸第一電極822及第二電極824。記憶體元件920具有寬度821，所述寬度與第一電極822及第二電極824的寬度相同。
圖8C為說明耦合至第一電極832及第二電極834之記憶體元件920之第三組態的簡化橫截面圖，記憶體元件920之相變材料具有活性區838。第一電極832及第二電極834由介電間隔物835分離。第一電極832、第二電極834及介電間隔物835具有側壁表面831。記憶體元件920之相變材料位於側壁表面831上，且在介電間隔物835上延伸，以接觸第一電極832及第二電極834。
圖8D為說明耦合至第一電極842及第二電極844之記憶體元件920之第四組態的簡化橫截面圖。記憶體元件920之相變材料具有活性區848，且分別在頂表面843及底表面849處接觸第一電極842及第二電極844。記憶體元件920具有寬度841，所述寬度小於第一電極842及第二電極844的寬度。
圖8E為說明耦合至第一電極854及第二電極852之記憶體元件920之第五組態的簡化橫截面圖。第一電極854具有寬度851，所述寬度小於第二電極852及記憶體元件920的寬度853。由於寬度851與寬度853之間存在差異，所以在操作中，記憶體元件920之相變材料中的電流密度在鄰近於第一電極854的區中最大，從而致使活性區858具有如圖所示的「蕈」形狀。
本文所描述之記憶體單元的實施例包含用於可程式化電阻記憶體元件的基於相變的記憶體材料，包含基於硫族化物的材料及其他材料。硫族化物包含形成週期表中之第VI主族之一部分的四種元素氧(O)、硫(S)、硒(Se)及碲(Te)中的任一者。硫族化物包括硫族元素與正電性更強的元素或自由基的化合物。硫族化物合金包括硫族化物與其他材料(諸如過渡金屬)的組合。硫族化物合金通常含有來自元素週期表之第IV主族的一或多種元素，諸如鍺(Ge)及錫(Sn)。通常，硫族化物合金包含包括以下各項中之一或多者的組合：銻(Sb)、鎵(Ga)、銦(In)及銀(Ag)。技術文獻中已描述了許多基於相變的記憶體材料，包含以下各項之合金：Ga/Sb、In/Sb、In/Se、Sb/Te、Ge/Te、Ge/Sb/Te、In/Sb/Te、Ga/Se/Te、Sn/Sb/Te、In/Sb/Ge、Ag/In/Sb/Te、Ge/Sn/Sb/Te、Ge/Sb/Se/Te及Te/Ge/Sb/S。在Ge/Sb/Te合金族中，許多合金成分可能是有效的。所述成分可表徵為Tea GebSb100-(a+b) 。一位研究者已將最有用的合金描述為沈積之材料中Te的平均濃度充分低於70%，通常低於約60%，且一般自低至約23%至高達約58%的Te且最佳約48%至58%的Te變動。Ge在材料內之濃度高於約5%，且自約8%的低值至約30%的平均值變動，大體上保持低於50%。最佳的是，Ge的濃度自約8%至約40%變動。此成分中主要組成元素的其餘部分為Sb。此等百分比為原子百分比，其總共構成組成元素之原子的100%。((Ovshinsky之第5,687,112號專利，第10至11行)。另一位研究者評估之特定合金包含Ge2 Sb2 Te5 、GeSb2 Te4 及GeSb4 Te7 (Noboru Yamada，「Potential of Ge-Sb-Te Phase-Change Optical Disks for High-Data-Rate Recording」，SPIE v.3109，第28至37頁(1997))。更一般而言，諸如鉻(Cr)、鐵(Fe)、鎳(Ni)、鈮(Nb)、鈀(Pd)、鉑(Pt)等過渡金屬及其混合物或合金可與Ge/Sb/Te組合，以形成具有可程式化電阻特性的相變合金。在Ovshinsky的'112專利中第11至13行處給出可能有用的記憶體材料的具體實例，所述實例特此以引用之方式併入本文中。
在一些實施例中，硫族化物及其他相變材料摻雜有雜質，以使用經摻雜之硫族化物來修改記憶體元件之導電性、轉變溫度、熔化溫度及其他特性。用於摻雜硫族化物的代表性雜質包含氮、矽、氧、二氧化矽、氮化矽、銅、銀、金、鋁、氧化鋁、鉭、氧化鉭、氮化鉭、鈦及氧化鈦。見(例如)美國專利第6,800,504號及美國專利申請公開案第US 2005/0029502號。
相變合金能夠以其在單元之活性通道區中的局部次序在第一結構狀態與第二結構狀態之間切換，在第一結構狀態下，材料處於大體上非晶固相，在第二結構狀態下，材料處於大體上結晶固相。此等合金至少為雙穩態。術語非晶用於指代有序性相對較小的結構，其比單一晶體無序，所述有序性相對較小的結構具有可偵測特性，諸如比結晶相高的電阻率。術語結晶用於指代有序性相對較大的結構，其比非晶結構有序，所述有序性相對較大的結構具有可偵測特性，諸如比非晶相低的電阻率。通常，相變材料可在完全非晶態與完全結晶態之間的譜上以局部次序在不同可偵測狀態之間電切換。其他受非晶相與結晶相之間的變化影響的材料特性包含原子次序、自由電子密度及激活能量。所述材料可切換成不同的固相或切換成兩個或兩個以上固相之混合，從而提供完全非晶態與完全結晶態之間的灰度階。材料中之電特性可相應地改變。
可藉由施加電脈衝來使相變合金自一種相態改變為另一種相態。已觀察到，較短、較高幅值的脈衝傾向於使相變材料改變為大體非晶態。較長、較低幅值的脈衝傾向於使相變材料改變為大體結晶態。較短、較高幅值脈衝中的能量高得足以允許結晶結構的鍵斷裂，且短得足以防止原子重新對準成結晶態。無需過度的實驗即可判定脈衝的特別用於特定相變合金的適當輪廓。在本揭露案之以下部分中，將相變材料稱為GST，且將理解，可使用其他類型的相變材料。本文中將可用於實施PCRAM的材料描述為Ge2 Sb2 Te5 。
本發明之其他實施例中可使用其他可程式化電阻記憶體材料，包含使用不同結晶相變化來判定電阻的其他材料，或使用電脈衝來改變電阻狀態的其他記憶體材料。實例包含用於電阻隨機存取記憶體(resistance random access memory，RRAM)中之材料，諸如金屬氧化物，包含氧化鎢(WOx )、NiO、Nb2 O5 、CuO2 、Ta2 O5 、Al2 O3 、CoO、Fe2 O3 、HfO2 、TiO2 、SrTiO3 、SrZrO3 、(BaSr)TiO3 。額外實例包含用於磁阻隨機存取記憶體(magnetoresistance random access memory，MRAM)(諸如自旋力矩轉移(spin-torque-transfer，STT)MRAM)之材料，例如CoFeB、Fe、Co、Ni、Gd、Dy、CoFe、NiFe、MnAs、MnBi、MnSb、CrO2 、MnOFe2 O3 、FeOFe2 O5 、NiOFe2 O3 、MgOFe2 、EuO及Y3 Fe5 O12 中的至少一者。見(例如)標題為「Magnetic Memory Device and Method of Fabricating the Same」的美國公開案第2007/0176251號，其以引用之方式併入本文中。額外實例包含用於可程式化金屬化單元(programmable-metallization-cell，PMC)記憶體或奈米離子記憶體的固體電解質材料，諸如摻雜有銀的硫化鍺電解質及摻雜有銅的硫化鍺電解質。見(例如)N.E. Gilbert等人之「A macro model of programmable metallization cell devices,」(Solid-State Electronics 49(2005)1813-1819)，其以引用之方式併入本文中。
用於形成硫族化物材料的例示性方法使用PVD濺鍍或磁控濺鍍方法，其在1毫托至100毫托的壓力下使用Ar、N2 及/或He等為源氣體。通常在室溫下進行沈積。可使用縱橫比為1～5的準直儀來改良填充效能。為了改良填充效能，亦使用數十伏至數百伏的DC偏壓。此外，可同時使用DC偏壓與準直儀的組合。用於使用化學氣相沈積(chemical vapor deposition，CVD)形成硫族化物材料的例示性方法揭露於標題為「Chemical Vapor Deposition of Chalcogenide Materials」的美國公開案第2006/0172067號中，其以引用之方式併入本文中。用於使用CVD形成硫族化物材料的另一種例示性方法揭露於Lee等人的「Highly Scalable Phase Change Memory with CVD GeSbTe for Sub 50nm Generation」中，2007 Symposium on VLSI Technology Digest of Technical Papers(2007年VLST技術論壇技術論文摘要)，第102至103頁。
任選地執行在真空中或在N2環境中之沈積後退火處理，以改良硫族化物材料的結晶態。退火溫度之範圍通常在100℃至400℃，退火時間少於30分鐘。
雖然參照上文詳述之較佳實施例及實例揭露了本發明，但應理解，此等實例意欲具有說明性意義而非限制性意義。預期熟習此項技術者將容易想到多種修改及組合，所述修改及組合將在本發明之精神及附加之申請專利範圍之範疇內。
100．．．低電阻設定(程式化)狀態/較低電阻狀態
101．．．讀取邊限
102．．．高電阻重設(抹除)狀態/高電阻狀態
103．．．臨限電阻值
210．．．積體電路
212．．．記憶體陣列
214．．．字元線解碼器/字元線解碼器及驅動器
216、216a、216b、216c、216d．．．字元線
218．．．位元線解碼器
220、220a、220b．．．位元線
222．．．匯流排
224．．．感測電路/位元線解碼器/電路
226．．．資料匯流排
228．．．資料輸入線
230．．．其他電路
232．．．資料輸出線
234．．．控制器
236．．．偏壓電路電壓與電流源
250．．．參考陣列
300．．．記憶體陣列較低電阻設定狀態/較低電阻設定狀態/低電阻狀態
301．．．讀取邊限
302．．．記憶體陣列較高電阻重設狀態/較高電阻重設狀態/高電阻狀態/分佈
310．．．低電阻狀態
312．．．高電阻狀態/分佈
315．．．參考陣列讀取邊限
400．．．暫存器
405．．．參數/預期總和檢查碼
410．．．感測放大器
420．．．RSA 參考源
430．．．總和檢查碼產生器
435．．．計算出之總和檢查碼
440．．．比較器
450．．．更新命令信號
701、702、703、704、721、722、723、724．．．記憶體單元
711、712、713、714、731、732、733、734．．．記憶體元件
795．．．源極線終端電路
796a、796b．．．源極線
812、822、832、842、854．．．第一電極
813、835．．．介電間隔物
814、824、834、844、852．．．第二電極
815、821、841、851、853．．．寬度
818、828、838、858．．．活性區
823、843．．．頂表面
829、849．．．底表面
831．．．側壁表面
920．．．記憶體元件
R1 ．．．最高電阻
R2 ．．．較低電阻
R2REF ．．．較低電阻/最小阻值
RSA ．．．臨限電阻值
SEN．．．感測致能信號
圖1為若干記憶體單元之電阻的實例分佈，所述記憶體單元每一者包括具有兩種狀態之一的相變記憶體元件。
圖2為如本文所述之包含相變記憶體單元之記憶體陣列及相變記憶體單元之參考陣列之積體電路之第一實施例的方塊圖。
圖3為參考陣列及記憶體陣列之若干記憶體單元之電阻的實例分佈，其中包含對參考陣列之部分重設。
圖4說明用於積體電路之感測電路的實施例，所述感測電路可用於判定參考陣列中之資料集是否不同於預期資料集，且若不同，則產生起始更新操作過程的更新命令信號。
圖5為可由控制器使用圖4之電路來執行以判定何時執行更新操作的過程的實施例。
圖6為繪示參考陣列及記憶體陣列之相對大小及位置的實例俯視圖佈局。
圖7說明記憶體陣列及參考陣列中之相應記憶體單元之一部分的實施例的示意圖。
圖8A至圖8E繪示可在記憶體陣列及參考陣列之記憶體單元中實施的代表性先前技術記憶體單元組態。
210．．．積體電路
212．．．記憶體陣列
214．．．字元線解碼器/字元線解碼器及驅動器
216．．．字元線
218．．．位元線解碼器
220．．．位元線
222．．．匯流排
224．．．感測電路/位元線解碼器/電路
226．．．資料匯流排
228．．．資料輸入線
230．．．其他電路
232．．．資料輸出線
234．．．控制器
236．．．偏壓電路電壓與電流源
250．．．參考陣列

Claims (20)

  1. 一種記憶體裝置，包括：一相變記憶體單元的記憶體陣列；一相變記憶體單元的參考陣列；一偏壓電路，用以在所述記憶體陣列中及所述參考陣列中建立低電阻狀態及高電阻狀態，所述參考陣列之高電阻狀態的最小阻值小於所述記憶體陣列之高電阻狀態的最小阻值；一感測電路，用以讀取所述參考陣列，並在儲存於所述參考陣列中之當前資料集與預期資料集之間存在差異的情況下產生一更新命令信號；以及一控制電路，回應於所述更新命令信號而對所述記憶體陣列執行更新操作。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之記憶體裝置，其中所述更新操作包含對所述參考陣列的更新操作。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之記憶體裝置，更包括用以儲存對應於所述預期資料集之第一總和檢查碼的記憶體，且其中所述感測電路包含邏輯，用以使用所述當前資料集來計算第二總和檢查碼，並將所述第一總和檢查碼與所述第二總和檢查碼進行比較以產生所述更新命令信號。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之記憶體裝置，其中儲存於所述參考陣列中之所述預期資料集是所述參考陣列中之鄰近記憶體單元之間交替的高電阻狀態與低電阻狀態的一棋盤式圖案。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之記憶體裝置，其中所述參考陣列中之記憶體單元及所述記憶體陣列中之記憶體單元分別包括具有不同實體組態的相變記憶體元件。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之記憶體裝置，其中所述參考陣列中之記憶體單元及所述記憶體陣列中之記憶體單元分別包括具有相同實體組態的相變記憶體元件。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之記憶體裝置，其中所述偏壓電路用以對所述參考陣列中之記憶體單元施加第一脈衝以建立所述參考陣列的高電阻狀態，且用以對所述記憶體陣列中之記憶體單元施加第二脈衝以建立所述記憶體陣列的高電阻狀態，所述第一脈衝及所述第二脈衝針對脈衝寬度及脈衝高度中之至少一者具有不同的值。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之記憶體裝置，其中所述參考陣列之低電阻狀態及所述記憶體陣列之低電阻狀態對應於同一阻值範圍。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之記憶體裝置，其中所述參考陣列中之記憶體單元的活性區小於所述記憶體陣列中之記憶體單元的活性區。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之記憶體裝置，其中所述參考陣列包含100個或100個以上的記憶體單元。
  11. 一種用於操作包括相變記憶體單元之記憶體陣列及相變記憶體單元之參考陣列之記憶體裝置的方法，所述方法包括：將低電阻狀態及高電阻狀態儲存於所述記憶體陣列中及所述參考陣列中，所述參考陣列之高電阻狀態的最小阻值小於所述記憶體陣列之高電阻狀態的最小阻值；讀取所述參考陣列；判定儲存於所述參考陣列中之當前資料集與預期資料集之間的差異；以及在判定所述差異之後，對所述記憶體陣列執行更新操作。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之用於操作包括相變記憶體單元之記憶體陣列及相變記憶體單元之參考陣列之記憶體裝置的方法，其中所述執行包含對所述參考陣列執行更新操作。
  13. 如申請專利範圍第11項所述之用於操作包括相變記憶體單元之記憶體陣列及相變記憶體單元之參考陣列之記憶體裝置的方法，其中所述判定包含：使用所述當前資料集來計算總和檢查碼；以及對所述總和檢查碼與預期總和檢查碼進行比較以判定差異。
  14. 如申請專利範圍第11項所述之用於操作包括相變記憶體單元之記憶體陣列及相變記憶體單元之參考陣列之記憶體裝置的方法，其中儲存於所述參考陣列中之所述預期資料集是所述參考陣列中之鄰近記憶體單元之間交替的高電阻狀態與低電阻狀態的棋盤式圖案。
  15. 如申請專利範圍第11項所述之用於操作包括相變記憶體單元之記憶體陣列及相變記憶體單元之參考陣列之記憶體裝置的方法，其中所述參考陣列中之記憶體單元及所述記憶體陣列中之記憶體單元分別包括具有不同實體組態的相變記憶體元件。
  16. 如申請專利範圍第11項所述之用於操作包括相變記憶體單元之記憶體陣列及相變記憶體單元之參考陣列之記憶體裝置的方法，其中所述參考陣列中之記憶體單元及所述記憶體陣列中之記憶體單元分別包括具有相同實體組態的相變記憶體元件。
  17. 如申請專利範圍第11項所述之用於操作包括相變記憶體單元之記憶體陣列及相變記憶體單元之參考陣列之記憶體裝置的方法，其中所述儲存包含：對所述參考陣列中之記憶體單元施加第一脈衝以建立所述參考陣列的所述高電阻狀態；以及對所述記憶體陣列中之記憶體單元施加第二脈衝以建立所述記憶體陣列的所述高電阻狀態，所述第一脈衝及所述第二脈衝針對脈衝寬度及脈衝高度中之至少一者具有不同的值。
  18. 如申請專利範圍第11項所述之用於操作包括相變記憶體單元之記憶體陣列及相變記憶體單元之參考陣列之記憶體裝置的方法，其中所述參考陣列之所述低電阻狀態及所述記憶體陣列之所述低電阻狀態對應於同一阻值範圍。
  19. 如申請專利範圍第11項所述之用於操作包括相變記憶體單元之記憶體陣列及相變記憶體單元之參考陣列之記憶體裝置的方法，其中所述參考陣列中之記憶體單元的活性區小於所述記憶體陣列中之記憶體單元的活性區。
  20. 如申請專利範圍第11項所述之用於操作包括相變記憶體單元之記憶體陣列及相變記憶體單元之參考陣列之記憶體裝置的方法，其中所述參考陣列包含100個或100個以上的記憶體單元。
TW098132122A 2009-07-15 2009-09-23 用於相變記憶體的更新電路 TWI423259B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US12/503,566 US7894254B2 (en) 2009-07-15 2009-07-15 Refresh circuitry for phase change memory

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201103023A TW201103023A (en) 2011-01-16
TWI423259B true TWI423259B (zh) 2014-01-11

Family

ID=43465200

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW098132122A TWI423259B (zh) 2009-07-15 2009-09-23 用於相變記憶體的更新電路

Country Status (3)

Country Link
US (2) US7894254B2 (zh)
CN (1) CN101958146B (zh)
TW (1) TWI423259B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI823335B (zh) * 2021-04-23 2023-11-21 美商應用材料股份有限公司 非暫態記憶體陣列中的保留漂移校正

Families Citing this family (55)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10241752B2 (en) 2011-09-30 2019-03-26 Apple Inc. Interface for a virtual digital assistant
US8363463B2 (en) 2009-06-25 2013-01-29 Macronix International Co., Ltd. Phase change memory having one or more non-constant doping profiles
US8238149B2 (en) 2009-06-25 2012-08-07 Macronix International Co., Ltd. Methods and apparatus for reducing defect bits in phase change memory
US9431006B2 (en) 2009-07-02 2016-08-30 Apple Inc. Methods and apparatuses for automatic speech recognition
US7894254B2 (en) * 2009-07-15 2011-02-22 Macronix International Co., Ltd. Refresh circuitry for phase change memory
US8682667B2 (en) 2010-02-25 2014-03-25 Apple Inc. User profiling for selecting user specific voice input processing information
US8310864B2 (en) 2010-06-15 2012-11-13 Macronix International Co., Ltd. Self-aligned bit line under word line memory array
US8634235B2 (en) 2010-06-25 2014-01-21 Macronix International Co., Ltd. Phase change memory coding
KR101772019B1 (ko) * 2010-09-14 2017-08-28 삼성전자주식회사 저항성 메모리 장치 및 저항성 메모리 장치의 리프레시 제어 방법
US8497705B2 (en) 2010-11-09 2013-07-30 Macronix International Co., Ltd. Phase change device for interconnection of programmable logic device
US8467238B2 (en) * 2010-11-15 2013-06-18 Macronix International Co., Ltd. Dynamic pulse operation for phase change memory
US8374019B2 (en) 2011-01-05 2013-02-12 Macronix International Co., Ltd. Phase change memory with fast write characteristics
US8699258B2 (en) * 2011-01-21 2014-04-15 Macronix International Co., Ltd. Verification algorithm for metal-oxide resistive memory
US8891293B2 (en) 2011-06-23 2014-11-18 Macronix International Co., Ltd. High-endurance phase change memory devices and methods for operating the same
US9202548B2 (en) * 2011-12-22 2015-12-01 Intel Corporation Efficient PCMS refresh mechanism
US8743600B2 (en) * 2012-04-24 2014-06-03 Being Advanced Memory Corporation Processors and systems using cell-refreshed phase-change memory
US9001550B2 (en) 2012-04-27 2015-04-07 Macronix International Co., Ltd. Blocking current leakage in a memory array
US20140063927A1 (en) * 2012-08-28 2014-03-06 Being Advanced Memory Corporation Cell-Generated Reference in Phase Change Memory
US8861736B2 (en) * 2012-11-19 2014-10-14 International Business Machines Corporation Reliable physical unclonable function for device authentication
US8964442B2 (en) 2013-01-14 2015-02-24 Macronix International Co., Ltd. Integrated circuit 3D phase change memory array and manufacturing method
CN103928609B (zh) * 2013-01-14 2016-12-28 旺宏电子股份有限公司 三维相变化存储器装置及其制造方法
KR102055375B1 (ko) * 2013-01-14 2020-01-22 삼성전자 주식회사 저항체를 이용한 비휘발성 메모리 장치 및 이를 포함하는 메모리 시스템
US8987914B2 (en) 2013-02-07 2015-03-24 Macronix International Co., Ltd. Conductor structure and method
JP5839201B2 (ja) * 2013-03-06 2016-01-06 ソニー株式会社 半導体装置および情報読出方法
US9558818B2 (en) * 2013-03-11 2017-01-31 Macronix International Co., Ltd. Memory and memory managing method
US8976600B2 (en) 2013-03-11 2015-03-10 Macronix International Co., Ltd. Word line driver circuit for selecting and deselecting word lines
US8993429B2 (en) 2013-03-12 2015-03-31 Macronix International Co., Ltd. Interlayer conductor structure and method
US9117526B2 (en) 2013-07-08 2015-08-25 Macronix International Co., Ltd. Substrate connection of three dimensional NAND for improving erase performance
US9171616B2 (en) * 2013-08-09 2015-10-27 Macronix International Co., Ltd. Memory with multiple levels of data retention
US9257175B2 (en) * 2013-09-26 2016-02-09 Intel Corporation Refresh of data stored in a cross-point non-volatile memory
US8970040B1 (en) 2013-09-26 2015-03-03 Macronix International Co., Ltd. Contact structure and forming method
US9070447B2 (en) 2013-09-26 2015-06-30 Macronix International Co., Ltd. Contact structure and forming method
US9343322B2 (en) 2014-01-17 2016-05-17 Macronix International Co., Ltd. Three dimensional stacking memory film structure
US9721964B2 (en) 2014-06-05 2017-08-01 Macronix International Co., Ltd. Low dielectric constant insulating material in 3D memory
US9373393B2 (en) * 2014-06-05 2016-06-21 Integrated Silicon Solution, Inc. Resistive memory device implementing selective memory cell refresh
US9589642B2 (en) 2014-08-07 2017-03-07 Macronix International Co., Ltd. Level shifter and decoder for memory
US9379129B1 (en) 2015-04-13 2016-06-28 Macronix International Co., Ltd. Assist gate structures for three-dimensional (3D) vertical gate array memory structure
TWI584281B (zh) * 2015-04-16 2017-05-21 旺宏電子股份有限公司 相變化記憶體元件的修復方法及其應用
US9672906B2 (en) 2015-06-19 2017-06-06 Macronix International Co., Ltd. Phase change memory with inter-granular switching
US9472274B1 (en) * 2015-07-01 2016-10-18 Macronix International Co., Ltd. Refresh of nonvolatile memory cells and reference cells with resistance drift
CN105023606B (zh) * 2015-08-14 2018-06-26 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种相变存储器及其恢复数据的方法
US9779810B2 (en) 2015-09-11 2017-10-03 Macronix International Co., Ltd. Adjustable writing circuit
US9952925B2 (en) * 2016-01-06 2018-04-24 Micron Technology, Inc. Error code calculation on sensing circuitry
KR20170097811A (ko) * 2016-02-18 2017-08-29 에스케이하이닉스 주식회사 저항성 메모리 장치 및 이를 위한 전압 생성 회로
CN106251895A (zh) * 2016-08-15 2016-12-21 中国科学院微电子研究所 阻变存储器的阻态读取电路及阻变存储器
JP2018085155A (ja) * 2016-11-21 2018-05-31 東芝メモリ株式会社 磁気メモリ
JP2018147544A (ja) * 2017-03-09 2018-09-20 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 制御回路、半導体記憶装置、情報処理装置及び制御方法
US10147475B1 (en) * 2017-05-09 2018-12-04 Micron Technology, Inc. Refresh in memory based on a set margin
CN109509496B (zh) 2017-09-15 2020-12-22 华邦电子股份有限公司 电阻式存储器元件的操作方法
TWI633558B (zh) * 2017-09-15 2018-08-21 華邦電子股份有限公司 電阻式記憶體元件的操作方法
US10319437B2 (en) * 2017-09-20 2019-06-11 Sandisk Technologies Llc Apparatus and method for identifying memory cells for data refresh based on monitor cell in a resistive memory device
US10445640B1 (en) 2018-07-13 2019-10-15 International Business Machines Corporation Scalable refresh for asymmetric non-volatile memory-based neuromorphic circuits
DE102018213147A1 (de) * 2018-08-07 2020-02-13 Robert Bosch Gmbh Auffrischen von mittels Memristoren gespeicherten Daten
US11315634B1 (en) * 2020-10-20 2022-04-26 International Business Machines Corporation Device comprising tunable resistive elements
US12094549B2 (en) * 2021-09-01 2024-09-17 Micron Technology, Inc. Defect detection during erase operations

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6768665B2 (en) * 2002-08-05 2004-07-27 Intel Corporation Refreshing memory cells of a phase change material memory device
US20060158948A1 (en) * 2005-01-19 2006-07-20 Elpida Memory, Inc Memory device
US20060227591A1 (en) * 2005-03-30 2006-10-12 Tyler Lowrey Using higher current to read a triggered phase change memory
TW200802371A (en) * 2006-06-06 2008-01-01 Ovonyx Inc Refreshing a phase change memory
US20080117704A1 (en) * 2006-11-21 2008-05-22 Thomas Happ Resistive memory including selective refresh operation
US20080170431A1 (en) * 2007-01-12 2008-07-17 Industrial Technology Research Institute Driving method and system for a phase change memory
US20090067229A1 (en) * 2007-09-10 2009-03-12 Hee Bok Kang Semiconductor memory device for writing data to multiple cells simultaneously and refresh method thereof
US7539050B2 (en) * 2006-11-22 2009-05-26 Qimonda North America Corp. Resistive memory including refresh operation

Family Cites Families (338)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3271591A (en) 1963-09-20 1966-09-06 Energy Conversion Devices Inc Symmetrical current controlling device
US3530441A (en) 1969-01-15 1970-09-22 Energy Conversion Devices Inc Method and apparatus for storing and retrieving information
US3846767A (en) 1973-10-24 1974-11-05 Energy Conversion Devices Inc Method and means for resetting filament-forming memory semiconductor device
IL61678A (en) 1979-12-13 1984-04-30 Energy Conversion Devices Inc Programmable cell and programmable electronic arrays comprising such cells
US4452592A (en) 1982-06-01 1984-06-05 General Motors Corporation Cyclic phase change coupling
JPS60137070A (ja) 1983-12-26 1985-07-20 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
US4719594A (en) 1984-11-01 1988-01-12 Energy Conversion Devices, Inc. Grooved optical data storage device including a chalcogenide memory layer
US4876220A (en) 1986-05-16 1989-10-24 Actel Corporation Method of making programmable low impedance interconnect diode element
JP2685770B2 (ja) 1987-12-28 1997-12-03 株式会社東芝 不揮発性半導体記憶装置
JP2606857B2 (ja) 1987-12-10 1997-05-07 株式会社日立製作所 半導体記憶装置の製造方法
US5534712A (en) 1991-01-18 1996-07-09 Energy Conversion Devices, Inc. Electrically erasable memory elements characterized by reduced current and improved thermal stability
US5166758A (en) 1991-01-18 1992-11-24 Energy Conversion Devices, Inc. Electrically erasable phase change memory
US5177567A (en) 1991-07-19 1993-01-05 Energy Conversion Devices, Inc. Thin-film structure for chalcogenide electrical switching devices and process therefor
JP2825031B2 (ja) 1991-08-06 1998-11-18 日本電気株式会社 半導体メモリ装置
US5166096A (en) 1991-10-29 1992-11-24 International Business Machines Corporation Process for fabricating self-aligned contact studs for semiconductor structures
JPH05206394A (ja) 1992-01-24 1993-08-13 Mitsubishi Electric Corp 電界効果トランジスタおよびその製造方法
US5958358A (en) 1992-07-08 1999-09-28 Yeda Research And Development Co., Ltd. Oriented polycrystalline thin films of transition metal chalcogenides
JP2884962B2 (ja) 1992-10-30 1999-04-19 日本電気株式会社 半導体メモリ
US5515488A (en) 1994-08-30 1996-05-07 Xerox Corporation Method and apparatus for concurrent graphical visualization of a database search and its search history
US5785828A (en) 1994-12-13 1998-07-28 Ricoh Company, Ltd. Sputtering target for producing optical recording medium
US6420725B1 (en) 1995-06-07 2002-07-16 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for forming an integrated circuit electrode having a reduced contact area
US5869843A (en) 1995-06-07 1999-02-09 Micron Technology, Inc. Memory array having a multi-state element and method for forming such array or cells thereof
US5831276A (en) 1995-06-07 1998-11-03 Micron Technology, Inc. Three-dimensional container diode for use with multi-state material in a non-volatile memory cell
US5879955A (en) 1995-06-07 1999-03-09 Micron Technology, Inc. Method for fabricating an array of ultra-small pores for chalcogenide memory cells
US5789758A (en) 1995-06-07 1998-08-04 Micron Technology, Inc. Chalcogenide memory cell with a plurality of chalcogenide electrodes
US5837564A (en) 1995-11-01 1998-11-17 Micron Technology, Inc. Method for optimal crystallization to obtain high electrical performance from chalcogenides
KR0182866B1 (ko) 1995-12-27 1999-04-15 김주용 플래쉬 메모리 장치
US5777923A (en) 1996-06-17 1998-07-07 Aplus Integrated Circuits, Inc. Flash memory read/write controller
US5687112A (en) 1996-04-19 1997-11-11 Energy Conversion Devices, Inc. Multibit single cell memory element having tapered contact
US6025220A (en) 1996-06-18 2000-02-15 Micron Technology, Inc. Method of forming a polysilicon diode and devices incorporating such diode
US5866928A (en) 1996-07-16 1999-02-02 Micron Technology, Inc. Single digit line with cell contact interconnect
US5789277A (en) 1996-07-22 1998-08-04 Micron Technology, Inc. Method of making chalogenide memory device
US6337266B1 (en) 1996-07-22 2002-01-08 Micron Technology, Inc. Small electrode for chalcogenide memories
US5985698A (en) 1996-07-22 1999-11-16 Micron Technology, Inc. Fabrication of three dimensional container diode for use with multi-state material in a non-volatile memory cell
US5814527A (en) 1996-07-22 1998-09-29 Micron Technology, Inc. Method of making small pores defined by a disposable internal spacer for use in chalcogenide memories
US5998244A (en) 1996-08-22 1999-12-07 Micron Technology, Inc. Memory cell incorporating a chalcogenide element and method of making same
US5688713A (en) 1996-08-26 1997-11-18 Vanguard International Semiconductor Corporation Method of manufacturing a DRAM cell having a double-crown capacitor using polysilicon and nitride spacers
US6147395A (en) 1996-10-02 2000-11-14 Micron Technology, Inc. Method for fabricating a small area of contact between electrodes
US6087674A (en) 1996-10-28 2000-07-11 Energy Conversion Devices, Inc. Memory element with memory material comprising phase-change material and dielectric material
US5716883A (en) 1996-11-06 1998-02-10 Vanguard International Semiconductor Corporation Method of making increased surface area, storage node electrode, with narrow spaces between polysilicon columns
US6015977A (en) 1997-01-28 2000-01-18 Micron Technology, Inc. Integrated circuit memory cell having a small active area and method of forming same
US5952671A (en) 1997-05-09 1999-09-14 Micron Technology, Inc. Small electrode for a chalcogenide switching device and method for fabricating same
US6031287A (en) 1997-06-18 2000-02-29 Micron Technology, Inc. Contact structure and memory element incorporating the same
US5933365A (en) 1997-06-19 1999-08-03 Energy Conversion Devices, Inc. Memory element with energy control mechanism
US5902704A (en) 1997-07-02 1999-05-11 Lsi Logic Corporation Process for forming photoresist mask over integrated circuit structures with critical dimension control
US6768165B1 (en) 1997-08-01 2004-07-27 Saifun Semiconductors Ltd. Two bit non-volatile electrically erasable and programmable semiconductor memory cell utilizing asymmetrical charge trapping
US6617192B1 (en) 1997-10-01 2003-09-09 Ovonyx, Inc. Electrically programmable memory element with multi-regioned contact
US6969866B1 (en) 1997-10-01 2005-11-29 Ovonyx, Inc. Electrically programmable memory element with improved contacts
US7023009B2 (en) 1997-10-01 2006-04-04 Ovonyx, Inc. Electrically programmable memory element with improved contacts
FR2774209B1 (fr) 1998-01-23 2001-09-14 St Microelectronics Sa Procede de controle du circuit de lecture d'un plan memoire et dispositif de memoire correspondant
US6087269A (en) 1998-04-20 2000-07-11 Advanced Micro Devices, Inc. Method of making an interconnect using a tungsten hard mask
US6372651B1 (en) 1998-07-17 2002-04-16 Advanced Micro Devices, Inc. Method for trimming a photoresist pattern line for memory gate etching
US6141260A (en) 1998-08-27 2000-10-31 Micron Technology, Inc. Single electron resistor memory device and method for use thereof
US6351406B1 (en) 1998-11-16 2002-02-26 Matrix Semiconductor, Inc. Vertically stacked field programmable nonvolatile memory and method of fabrication
US6034882A (en) 1998-11-16 2000-03-07 Matrix Semiconductor, Inc. Vertically stacked field programmable nonvolatile memory and method of fabrication
US7157314B2 (en) 1998-11-16 2007-01-02 Sandisk Corporation Vertically stacked field programmable nonvolatile memory and method of fabrication
JP2000164830A (ja) 1998-11-27 2000-06-16 Mitsubishi Electric Corp 半導体記憶装置の製造方法
US6487106B1 (en) 1999-01-12 2002-11-26 Arizona Board Of Regents Programmable microelectronic devices and method of forming and programming same
US6291137B1 (en) 1999-01-20 2001-09-18 Advanced Micro Devices, Inc. Sidewall formation for sidewall patterning of sub 100 nm structures
US6245669B1 (en) 1999-02-05 2001-06-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company High selectivity Si-rich SiON etch-stop layer
AU3769900A (en) 1999-03-25 2000-10-09 Energy Conversion Devices Inc. Electrically programmable memory element with improved contacts
US6943365B2 (en) 1999-03-25 2005-09-13 Ovonyx, Inc. Electrically programmable memory element with reduced area of contact and method for making same
US6750079B2 (en) 1999-03-25 2004-06-15 Ovonyx, Inc. Method for making programmable resistance memory element
US6177317B1 (en) 1999-04-14 2001-01-23 Macronix International Co., Ltd. Method of making nonvolatile memory devices having reduced resistance diffusion regions
US6075719A (en) 1999-06-22 2000-06-13 Energy Conversion Devices, Inc. Method of programming phase-change memory element
US6077674A (en) 1999-10-27 2000-06-20 Agilent Technologies Inc. Method of producing oligonucleotide arrays with features of high purity
US6326307B1 (en) 1999-11-15 2001-12-04 Appllied Materials, Inc. Plasma pretreatment of photoresist in an oxide etch process
US6314014B1 (en) 1999-12-16 2001-11-06 Ovonyx, Inc. Programmable resistance memory arrays with reference cells
US6576546B2 (en) 1999-12-22 2003-06-10 Texas Instruments Incorporated Method of enhancing adhesion of a conductive barrier layer to an underlying conductive plug and contact for ferroelectric applications
DE19964012A1 (de) 1999-12-30 2001-07-12 Bosch Gmbh Robert Verfahren und Einrichtung zum Refresh des Speicherinhalts einer Speicherzelle eines Festwertspeichers
TW586154B (en) 2001-01-05 2004-05-01 Macronix Int Co Ltd Planarization method for semiconductor device
US6420216B1 (en) 2000-03-14 2002-07-16 International Business Machines Corporation Fuse processing using dielectric planarization pillars
US6444557B1 (en) 2000-03-14 2002-09-03 International Business Machines Corporation Method of forming a damascene structure using a sacrificial conductive layer
US6420215B1 (en) 2000-04-28 2002-07-16 Matrix Semiconductor, Inc. Three-dimensional memory array and method of fabrication
US6888750B2 (en) 2000-04-28 2005-05-03 Matrix Semiconductor, Inc. Nonvolatile memory on SOI and compound semiconductor substrates and method of fabrication
US6501111B1 (en) 2000-06-30 2002-12-31 Intel Corporation Three-dimensional (3D) programmable device
US6440837B1 (en) 2000-07-14 2002-08-27 Micron Technology, Inc. Method of forming a contact structure in a semiconductor device
US6563156B2 (en) 2001-03-15 2003-05-13 Micron Technology, Inc. Memory elements and methods for making same
US6512263B1 (en) 2000-09-22 2003-01-28 Sandisk Corporation Non-volatile memory cell array having discontinuous source and drain diffusions contacted by continuous bit line conductors and methods of forming
US6339544B1 (en) 2000-09-29 2002-01-15 Intel Corporation Method to enhance performance of thermal resistor device
US6429064B1 (en) 2000-09-29 2002-08-06 Intel Corporation Reduced contact area of sidewall conductor
US6555860B2 (en) 2000-09-29 2003-04-29 Intel Corporation Compositionally modified resistive electrode
US6567293B1 (en) 2000-09-29 2003-05-20 Ovonyx, Inc. Single level metal memory cell using chalcogenide cladding
KR100382729B1 (ko) 2000-12-09 2003-05-09 삼성전자주식회사 반도체 소자의 금속 컨택 구조체 및 그 형성방법
US6587378B2 (en) 2000-12-13 2003-07-01 Texas Instruments Incorporated Apparatus and method for refreshing a flash memory unit
US6569705B2 (en) 2000-12-21 2003-05-27 Intel Corporation Metal structure for a phase-change memory device
US6271090B1 (en) 2000-12-22 2001-08-07 Macronix International Co., Ltd. Method for manufacturing flash memory device with dual floating gates and two bits per cell
US6627530B2 (en) 2000-12-22 2003-09-30 Matrix Semiconductor, Inc. Patterning three dimensional structures
TW490675B (en) 2000-12-22 2002-06-11 Macronix Int Co Ltd Control method of multi-stated NROM
US6534781B2 (en) 2000-12-26 2003-03-18 Ovonyx, Inc. Phase-change memory bipolar array utilizing a single shallow trench isolation for creating an individual active area region for two memory array elements and one bipolar base contact
JP4056392B2 (ja) 2001-01-30 2008-03-05 株式会社ルネサステクノロジ 半導体集積回路装置
KR100400037B1 (ko) 2001-02-22 2003-09-29 삼성전자주식회사 콘택 플러그를 구비하는 반도체 소자 및 그의 제조 방법
US6487114B2 (en) 2001-02-28 2002-11-26 Macronix International Co., Ltd. Method of reading two-bit memories of NROM cell
US6596589B2 (en) 2001-04-30 2003-07-22 Vanguard International Semiconductor Corporation Method of manufacturing a high coupling ratio stacked gate flash memory with an HSG-SI layer
US6730928B2 (en) 2001-05-09 2004-05-04 Science Applications International Corporation Phase change switches and circuits coupling to electromagnetic waves containing phase change switches
US7102150B2 (en) 2001-05-11 2006-09-05 Harshfield Steven T PCRAM memory cell and method of making same
US6514788B2 (en) 2001-05-29 2003-02-04 Bae Systems Information And Electronic Systems Integration Inc. Method for manufacturing contacts for a Chalcogenide memory device
DE10128482A1 (de) 2001-06-12 2003-01-02 Infineon Technologies Ag Halbleiterspeichereinrichtung sowie Verfahren zu deren Herstellung
US6774387B2 (en) 2001-06-26 2004-08-10 Ovonyx, Inc. Programmable resistance memory element
US6589714B2 (en) 2001-06-26 2003-07-08 Ovonyx, Inc. Method for making programmable resistance memory element using silylated photoresist
US6613604B2 (en) 2001-08-02 2003-09-02 Ovonyx, Inc. Method for making small pore for use in programmable resistance memory element
US6511867B2 (en) 2001-06-30 2003-01-28 Ovonyx, Inc. Utilizing atomic layer deposition for programmable device
US6605527B2 (en) 2001-06-30 2003-08-12 Intel Corporation Reduced area intersection between electrode and programming element
US6673700B2 (en) 2001-06-30 2004-01-06 Ovonyx, Inc. Reduced area intersection between electrode and programming element
US6643165B2 (en) 2001-07-25 2003-11-04 Nantero, Inc. Electromechanical memory having cell selection circuitry constructed with nanotube technology
US6737312B2 (en) 2001-08-27 2004-05-18 Micron Technology, Inc. Method of fabricating dual PCRAM cells sharing a common electrode
US6709958B2 (en) 2001-08-30 2004-03-23 Micron Technology, Inc. Integrated circuit device and fabrication using metal-doped chalcogenide materials
US6507061B1 (en) 2001-08-31 2003-01-14 Intel Corporation Multiple layer phase-change memory
US6764894B2 (en) 2001-08-31 2004-07-20 Ovonyx, Inc. Elevated pore phase-change memory
US6586761B2 (en) 2001-09-07 2003-07-01 Intel Corporation Phase change material memory device
US6861267B2 (en) 2001-09-17 2005-03-01 Intel Corporation Reducing shunts in memories with phase-change material
US7045383B2 (en) 2001-09-19 2006-05-16 BAE Systems Information and Ovonyx, Inc Method for making tapered opening for programmable resistance memory element
US6800563B2 (en) 2001-10-11 2004-10-05 Ovonyx, Inc. Forming tapered lower electrode phase-change memories
US6566700B2 (en) 2001-10-11 2003-05-20 Ovonyx, Inc. Carbon-containing interfacial layer for phase-change memory
US6791859B2 (en) 2001-11-20 2004-09-14 Micron Technology, Inc. Complementary bit PCRAM sense amplifier and method of operation
US6545903B1 (en) 2001-12-17 2003-04-08 Texas Instruments Incorporated Self-aligned resistive plugs for forming memory cell with phase change material
US6512241B1 (en) 2001-12-31 2003-01-28 Intel Corporation Phase change material memory device
US6867638B2 (en) 2002-01-10 2005-03-15 Silicon Storage Technology, Inc. High voltage generation and regulation system for digital multilevel nonvolatile memory
JP3948292B2 (ja) 2002-02-01 2007-07-25 株式会社日立製作所 半導体記憶装置及びその製造方法
US6972430B2 (en) 2002-02-20 2005-12-06 Stmicroelectronics S.R.L. Sublithographic contact structure, phase change memory cell with optimized heater shape, and manufacturing method thereof
US7151273B2 (en) 2002-02-20 2006-12-19 Micron Technology, Inc. Silver-selenide/chalcogenide glass stack for resistance variable memory
US7122281B2 (en) 2002-02-26 2006-10-17 Synopsys, Inc. Critical dimension control using full phase and trim masks
JP3796457B2 (ja) 2002-02-28 2006-07-12 富士通株式会社 不揮発性半導体記憶装置
CN100514695C (zh) 2002-03-15 2009-07-15 阿克松技术公司 微电子可编程构件
US6579760B1 (en) 2002-03-28 2003-06-17 Macronix International Co., Ltd. Self-aligned, programmable phase change memory
CN1639868A (zh) 2002-04-09 2005-07-13 松下电器产业株式会社 非易失性存储器及其制造方法
US6864500B2 (en) 2002-04-10 2005-03-08 Micron Technology, Inc. Programmable conductor memory cell structure
US6605821B1 (en) 2002-05-10 2003-08-12 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Phase change material electronic memory structure and method for forming
US6864503B2 (en) 2002-08-09 2005-03-08 Macronix International Co., Ltd. Spacer chalcogenide memory method and device
US6850432B2 (en) 2002-08-20 2005-02-01 Macronix International Co., Ltd. Laser programmable electrically readable phase-change memory method and device
JP4134637B2 (ja) * 2002-08-27 2008-08-20 株式会社日立製作所 半導体装置
DE10297786B4 (de) 2002-09-11 2012-11-08 Ovonyx Inc. Programmierung eines Phasenübergangsmaterialspeichers
JP4190238B2 (ja) 2002-09-13 2008-12-03 株式会社ルネサステクノロジ 不揮発性半導体記憶装置
EP1554763B1 (en) 2002-10-11 2006-08-02 Koninklijke Philips Electronics N.V. Electric device comprising phase change material
US6992932B2 (en) 2002-10-29 2006-01-31 Saifun Semiconductors Ltd Method circuit and system for read error detection in a non-volatile memory array
US6940744B2 (en) 2002-10-31 2005-09-06 Unity Semiconductor Corporation Adaptive programming technique for a re-writable conductive memory device
JP4928045B2 (ja) 2002-10-31 2012-05-09 大日本印刷株式会社 相変化型メモリ素子およびその製造方法
US7589343B2 (en) 2002-12-13 2009-09-15 Intel Corporation Memory and access device and method therefor
US6744088B1 (en) 2002-12-13 2004-06-01 Intel Corporation Phase change memory device on a planar composite layer
US6791102B2 (en) 2002-12-13 2004-09-14 Intel Corporation Phase change memory
US7314776B2 (en) 2002-12-13 2008-01-01 Ovonyx, Inc. Method to manufacture a phase change memory
US6815266B2 (en) 2002-12-30 2004-11-09 Bae Systems Information And Electronic Systems Integration, Inc. Method for manufacturing sidewall contacts for a chalcogenide memory device
EP1439583B1 (en) 2003-01-15 2013-04-10 STMicroelectronics Srl Sublithographic contact structure, in particular for a phase change memory cell, and fabrication process thereof
KR100476690B1 (ko) 2003-01-17 2005-03-18 삼성전자주식회사 반도체 장치 및 그 제조방법
DE602004020186D1 (de) 2003-01-31 2009-05-07 Nxp Bv Mram-architektur für niedrige stromaufnahme und hohe selektivität
US7115927B2 (en) 2003-02-24 2006-10-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Phase changeable memory devices
KR100486306B1 (ko) 2003-02-24 2005-04-29 삼성전자주식회사 셀프 히터 구조를 가지는 상변화 메모리 소자
US7323734B2 (en) 2003-02-25 2008-01-29 Samsung Electronics Co., Ltd. Phase changeable memory cells
US6936544B2 (en) 2003-03-11 2005-08-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method of removing metal etching residues following a metal etchback process to improve a CMP process
US7400522B2 (en) 2003-03-18 2008-07-15 Kabushiki Kaisha Toshiba Resistance change memory device having a variable resistance element formed of a first and second composite compound for storing a cation
KR100546322B1 (ko) 2003-03-27 2006-01-26 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리와 휘발성 메모리로 선택적으로 동작할 수있는 상 변화 메모리 장치 및 상 변화 메모리 장치의 동작방법
KR100504698B1 (ko) 2003-04-02 2005-08-02 삼성전자주식회사 상변화 기억 소자 및 그 형성 방법
JP4634014B2 (ja) 2003-05-22 2011-02-16 株式会社日立製作所 半導体記憶装置
KR100979710B1 (ko) 2003-05-23 2010-09-02 삼성전자주식회사 반도체 메모리 소자 및 제조방법
US7085154B2 (en) 2003-06-03 2006-08-01 Samsung Electronics Co., Ltd. Device and method for pulse width control in a phase change memory device
US20060006472A1 (en) 2003-06-03 2006-01-12 Hai Jiang Phase change memory with extra-small resistors
US7067865B2 (en) 2003-06-06 2006-06-27 Macronix International Co., Ltd. High density chalcogenide memory cells
US6838692B1 (en) 2003-06-23 2005-01-04 Macronix International Co., Ltd. Chalcogenide memory device with multiple bits per cell
US20050018526A1 (en) 2003-07-21 2005-01-27 Heon Lee Phase-change memory device and manufacturing method thereof
US7132350B2 (en) 2003-07-21 2006-11-07 Macronix International Co., Ltd. Method for manufacturing a programmable eraseless memory
KR100615586B1 (ko) 2003-07-23 2006-08-25 삼성전자주식회사 다공성 유전막 내에 국부적인 상전이 영역을 구비하는상전이 메모리 소자 및 그 제조 방법
US7893419B2 (en) 2003-08-04 2011-02-22 Intel Corporation Processing phase change material to improve programming speed
DE102004039977B4 (de) 2003-08-13 2008-09-11 Samsung Electronics Co., Ltd., Suwon Programmierverfahren und Treiberschaltung für eine Phasenwechselspeicherzelle
US6815704B1 (en) 2003-09-04 2004-11-09 Silicon Storage Technology, Inc. Phase change memory device employing thermally insulating voids
US6927410B2 (en) 2003-09-04 2005-08-09 Silicon Storage Technology, Inc. Memory device with discrete layers of phase change memory material
KR100505709B1 (ko) 2003-09-08 2005-08-03 삼성전자주식회사 상 변화 메모리 장치의 파이어링 방법 및 효율적인파이어링을 수행할 수 있는 상 변화 메모리 장치
US20050062087A1 (en) 2003-09-19 2005-03-24 Yi-Chou Chen Chalcogenide phase-change non-volatile memory, memory device and method for fabricating the same
KR100541816B1 (ko) 2003-09-19 2006-01-10 삼성전자주식회사 반도체 메모리에서의 데이터 리드 회로 및 데이터 리드 방법
DE10345455A1 (de) 2003-09-30 2005-05-04 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Erzeugen einer Hartmaske und Hartmasken-Anordnung
US6910907B2 (en) 2003-11-18 2005-06-28 Agere Systems Inc. Contact for use in an integrated circuit and a method of manufacture therefor
US7485891B2 (en) 2003-11-20 2009-02-03 International Business Machines Corporation Multi-bit phase change memory cell and multi-bit phase change memory including the same, method of forming a multi-bit phase change memory, and method of programming a multi-bit phase change memory
KR100558548B1 (ko) 2003-11-27 2006-03-10 삼성전자주식회사 상변화 메모리 소자에서의 라이트 드라이버 회로 및라이트 전류 인가방법
US6937507B2 (en) 2003-12-05 2005-08-30 Silicon Storage Technology, Inc. Memory device and method of operating same
US7928420B2 (en) 2003-12-10 2011-04-19 International Business Machines Corporation Phase change tip storage cell
US7291556B2 (en) 2003-12-12 2007-11-06 Samsung Electronics Co., Ltd. Method for forming small features in microelectronic devices using sacrificial layers
KR100569549B1 (ko) 2003-12-13 2006-04-10 주식회사 하이닉스반도체 상 변화 저항 셀 및 이를 이용한 불휘발성 메모리 장치
KR100564602B1 (ko) 2003-12-30 2006-03-29 삼성전자주식회사 상 변화 메모리 어레이의 셋 프로그래밍 방법 및 기입드라이버 회로
US7038230B2 (en) 2004-01-06 2006-05-02 Macronix Internation Co., Ltd. Horizontal chalcogenide element defined by a pad for use in solid-state memories
JP4124743B2 (ja) 2004-01-21 2008-07-23 株式会社ルネサステクノロジ 相変化メモリ
KR100564608B1 (ko) 2004-01-29 2006-03-28 삼성전자주식회사 상변화 메모리 소자
US6936840B2 (en) 2004-01-30 2005-08-30 International Business Machines Corporation Phase-change memory cell and method of fabricating the phase-change memory cell
JP4418254B2 (ja) * 2004-02-24 2010-02-17 株式会社ルネサステクノロジ 半導体集積回路
US7858980B2 (en) 2004-03-01 2010-12-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Reduced active area in a phase change memory structure
KR100574975B1 (ko) 2004-03-05 2006-05-02 삼성전자주식회사 상 변화 메모리 어레이의 셋 프로그래밍 방법 및 기입드라이버 회로
JP4529493B2 (ja) 2004-03-12 2010-08-25 株式会社日立製作所 半導体装置
KR100598100B1 (ko) 2004-03-19 2006-07-07 삼성전자주식회사 상변환 기억 소자의 제조방법
DE102004014487A1 (de) 2004-03-24 2005-11-17 Infineon Technologies Ag Speicherbauelement mit in isolierendes Material eingebettetem, aktiven Material
KR100532509B1 (ko) 2004-03-26 2005-11-30 삼성전자주식회사 ＳｉＧｅ를 이용한 트렌치 커패시터 및 그 형성방법
US7158411B2 (en) 2004-04-01 2007-01-02 Macronix International Co., Ltd. Integrated code and data flash memory
US7482616B2 (en) 2004-05-27 2009-01-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor devices having phase change memory cells, electronic systems employing the same and methods of fabricating the same
US6977181B1 (en) 2004-06-17 2005-12-20 Infincon Technologies Ag MTJ stack with crystallization inhibiting layer
KR100618836B1 (ko) 2004-06-19 2006-09-08 삼성전자주식회사 반도체 메모리 장치 및 반도체 메모리 장치의 프로그래밍방법
US7359231B2 (en) 2004-06-30 2008-04-15 Intel Corporation Providing current for phase change memories
KR100668825B1 (ko) 2004-06-30 2007-01-16 주식회사 하이닉스반도체 상변화 기억 소자 및 그 제조방법
DE102004035830A1 (de) 2004-07-23 2006-02-16 Infineon Technologies Ag Speicherbauelement mit thermischen Isolationsschichten
KR100657897B1 (ko) 2004-08-21 2006-12-14 삼성전자주식회사 전압 제어층을 포함하는 메모리 소자
US7365385B2 (en) 2004-08-30 2008-04-29 Micron Technology, Inc. DRAM layout with vertical FETs and method of formation
KR100610014B1 (ko) 2004-09-06 2006-08-09 삼성전자주식회사 리키지 전류 보상 가능한 반도체 메모리 장치
US7023008B1 (en) 2004-09-30 2006-04-04 Infineon Technologies Ag Resistive memory element
US7443062B2 (en) 2004-09-30 2008-10-28 Reliance Electric Technologies Llc Motor rotor cooling with rotation heat pipes
TWI277207B (en) 2004-10-08 2007-03-21 Ind Tech Res Inst Multilevel phase-change memory, operating method and manufacture method thereof
KR100626388B1 (ko) 2004-10-19 2006-09-20 삼성전자주식회사 상변환 메모리 소자 및 그 형성 방법
JP2006127583A (ja) 2004-10-26 2006-05-18 Elpida Memory Inc 不揮発性半導体記憶装置及び相変化メモリ
DE102004052611A1 (de) 2004-10-29 2006-05-04 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Herstellung einer mit einem Füllmaterial mindestens teilweise gefüllten Öffnung, Verfahren zur Herstellung einer Speicherzelle und Speicherzelle
US7364935B2 (en) 2004-10-29 2008-04-29 Macronix International Co., Ltd. Common word line edge contact phase-change memory
US7238959B2 (en) 2004-11-01 2007-07-03 Silicon Storage Technology, Inc. Phase change memory device employing thermally insulating voids and sloped trench, and a method of making same
US20060108667A1 (en) 2004-11-22 2006-05-25 Macronix International Co., Ltd. Method for manufacturing a small pin on integrated circuits or other devices
US7202493B2 (en) 2004-11-30 2007-04-10 Macronix International Co., Inc. Chalcogenide memory having a small active region
JP2006156886A (ja) 2004-12-01 2006-06-15 Renesas Technology Corp 半導体集積回路装置およびその製造方法
KR100827653B1 (ko) 2004-12-06 2008-05-07 삼성전자주식회사 상변화 기억 셀들 및 그 제조방법들
US7220983B2 (en) 2004-12-09 2007-05-22 Macronix International Co., Ltd. Self-aligned small contact phase-change memory method and device
DE102004059428A1 (de) 2004-12-09 2006-06-22 Infineon Technologies Ag Herstellungsverfahren für eine mikroelektronische Elektrodenstruktur, insbesondere für ein PCM-Speicherelement, und entsprechende mikroelektronische Elektrodenstruktur
TWI260764B (en) 2004-12-10 2006-08-21 Macronix Int Co Ltd Non-volatile memory cell and operating method thereof
US20060131555A1 (en) 2004-12-22 2006-06-22 Micron Technology, Inc. Resistance variable devices with controllable channels
US20060138467A1 (en) 2004-12-29 2006-06-29 Hsiang-Lan Lung Method of forming a small contact in phase-change memory and a memory cell produced by the method
JP4646634B2 (ja) 2005-01-05 2011-03-09 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
US7419771B2 (en) 2005-01-11 2008-09-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method for forming a finely patterned resist
EP1684352B1 (en) 2005-01-21 2008-09-17 STMicroelectronics S.r.l. Phase-change memory device and manufacturing process thereof
US20060172067A1 (en) 2005-01-28 2006-08-03 Energy Conversion Devices, Inc Chemical vapor deposition of chalcogenide materials
US20060169968A1 (en) 2005-02-01 2006-08-03 Thomas Happ Pillar phase change memory cell
US7214958B2 (en) 2005-02-10 2007-05-08 Infineon Technologies Ag Phase change memory cell with high read margin at low power operation
US7099180B1 (en) 2005-02-15 2006-08-29 Intel Corporation Phase change memory bits reset through a series of pulses of increasing amplitude
US7229883B2 (en) 2005-02-23 2007-06-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Phase change memory device and method of manufacture thereof
KR100668333B1 (ko) 2005-02-25 2007-01-12 삼성전자주식회사 Ｐｒａｍ 소자 및 그 제조방법
JP2006244561A (ja) 2005-03-01 2006-09-14 Renesas Technology Corp 半導体装置
US7154774B2 (en) 2005-03-30 2006-12-26 Ovonyx, Inc. Detecting switching of access elements of phase change memory cells
US7488967B2 (en) 2005-04-06 2009-02-10 International Business Machines Corporation Structure for confining the switching current in phase memory (PCM) cells
US7166533B2 (en) 2005-04-08 2007-01-23 Infineon Technologies, Ag Phase change memory cell defined by a pattern shrink material process
EP1710807B1 (en) 2005-04-08 2008-11-26 STMicroelectronics S.r.l. Phase change memory cell with tubular heater and manufacturing method thereof
KR100675279B1 (ko) 2005-04-20 2007-01-26 삼성전자주식회사 셀 다이오드들을 채택하는 상변이 기억소자들 및 그제조방법들
JP2006302466A (ja) * 2005-04-25 2006-11-02 Elpida Memory Inc 半導体記憶装置
US7408240B2 (en) 2005-05-02 2008-08-05 Infineon Technologies Ag Memory device
KR100682946B1 (ko) 2005-05-31 2007-02-15 삼성전자주식회사 상전이 램 및 그 동작 방법
KR100668846B1 (ko) 2005-06-10 2007-01-16 주식회사 하이닉스반도체 상변환 기억 소자의 제조방법
US7388273B2 (en) 2005-06-14 2008-06-17 International Business Machines Corporation Reprogrammable fuse structure and method
US7696503B2 (en) 2005-06-17 2010-04-13 Macronix International Co., Ltd. Multi-level memory cell having phase change element and asymmetrical thermal boundary
US7514367B2 (en) 2005-06-17 2009-04-07 Macronix International Co., Ltd. Method for manufacturing a narrow structure on an integrated circuit
US7598512B2 (en) 2005-06-17 2009-10-06 Macronix International Co., Ltd. Thin film fuse phase change cell with thermal isolation layer and manufacturing method
US8237140B2 (en) 2005-06-17 2012-08-07 Macronix International Co., Ltd. Self-aligned, embedded phase change RAM
US7514288B2 (en) 2005-06-17 2009-04-07 Macronix International Co., Ltd. Manufacturing methods for thin film fuse phase change ram
US7238994B2 (en) 2005-06-17 2007-07-03 Macronix International Co., Ltd. Thin film plate phase change ram circuit and manufacturing method
US7321130B2 (en) 2005-06-17 2008-01-22 Macronix International Co., Ltd. Thin film fuse phase change RAM and manufacturing method
US7534647B2 (en) 2005-06-17 2009-05-19 Macronix International Co., Ltd. Damascene phase change RAM and manufacturing method
US20060289847A1 (en) 2005-06-28 2006-12-28 Richard Dodge Reducing the time to program a phase change memory to the set state
US20060289848A1 (en) 2005-06-28 2006-12-28 Dennison Charles H Reducing oxidation of phase change memory electrodes
TWI290369B (en) 2005-07-08 2007-11-21 Ind Tech Res Inst Phase change memory with adjustable resistance ratio and fabricating method thereof
US7309630B2 (en) 2005-07-08 2007-12-18 Nanochip, Inc. Method for forming patterned media for a high density data storage device
US7233520B2 (en) 2005-07-08 2007-06-19 Micron Technology, Inc. Process for erasing chalcogenide variable resistance memory bits
US7345907B2 (en) 2005-07-11 2008-03-18 Sandisk 3D Llc Apparatus and method for reading an array of nonvolatile memory cells including switchable resistor memory elements
US20070037101A1 (en) 2005-08-15 2007-02-15 Fujitsu Limited Manufacture method for micro structure
TWI273703B (en) 2005-08-19 2007-02-11 Ind Tech Res Inst A manufacture method and structure for improving the characteristics of phase change memory
KR100655443B1 (ko) 2005-09-05 2006-12-08 삼성전자주식회사 상변화 메모리 장치 및 그 동작 방법
US7516395B2 (en) 2005-10-12 2009-04-07 Nokia Corporation Memory checking apparatus and method
US7615770B2 (en) 2005-10-27 2009-11-10 Infineon Technologies Ag Integrated circuit having an insulated memory
US7417245B2 (en) 2005-11-02 2008-08-26 Infineon Technologies Ag Phase change memory having multilayer thermal insulation
US20070111429A1 (en) 2005-11-14 2007-05-17 Macronix International Co., Ltd. Method of manufacturing a pipe shaped phase change memory
US7397060B2 (en) 2005-11-14 2008-07-08 Macronix International Co., Ltd. Pipe shaped phase change memory
US7450411B2 (en) 2005-11-15 2008-11-11 Macronix International Co., Ltd. Phase change memory device and manufacturing method
US7635855B2 (en) 2005-11-15 2009-12-22 Macronix International Co., Ltd. I-shaped phase change memory cell
US7394088B2 (en) 2005-11-15 2008-07-01 Macronix International Co., Ltd. Thermally contained/insulated phase change memory device and method (combined)
US7786460B2 (en) 2005-11-15 2010-08-31 Macronix International Co., Ltd. Phase change memory device and manufacturing method
US7414258B2 (en) 2005-11-16 2008-08-19 Macronix International Co., Ltd. Spacer electrode small pin phase change memory RAM and manufacturing method
US7449710B2 (en) 2005-11-21 2008-11-11 Macronix International Co., Ltd. Vacuum jacket for phase change memory element
US7507986B2 (en) 2005-11-21 2009-03-24 Macronix International Co., Ltd. Thermal isolation for an active-sidewall phase change memory cell
US7829876B2 (en) 2005-11-21 2010-11-09 Macronix International Co., Ltd. Vacuum cell thermal isolation for a phase change memory device
US7479649B2 (en) 2005-11-21 2009-01-20 Macronix International Co., Ltd. Vacuum jacketed electrode for phase change memory element
US7599217B2 (en) 2005-11-22 2009-10-06 Macronix International Co., Ltd. Memory cell device and manufacturing method
US7688619B2 (en) 2005-11-28 2010-03-30 Macronix International Co., Ltd. Phase change memory cell and manufacturing method
US7459717B2 (en) 2005-11-28 2008-12-02 Macronix International Co., Ltd. Phase change memory cell and manufacturing method
US7233054B1 (en) 2005-11-29 2007-06-19 Korea Institute Of Science And Technology Phase change material and non-volatile memory device using the same
US7605079B2 (en) 2005-12-05 2009-10-20 Macronix International Co., Ltd. Manufacturing method for phase change RAM with electrode layer process
US7642539B2 (en) 2005-12-13 2010-01-05 Macronix International Co., Ltd. Thin film fuse phase change cell with thermal isolation pad and manufacturing method
KR100735750B1 (ko) 2005-12-15 2007-07-06 삼성전자주식회사 복수개의 균일한 기준 데이터들을 생성하는 기준 셀 블록및 감지증폭 유니트들을 구비하는 반도체 소자들 및 이를채택하는 시스템들
EP1966841B1 (en) 2005-12-20 2010-09-08 Nxp B.V. A vertical phase change memory cell and methods for manufacturing thereof
US7531825B2 (en) 2005-12-27 2009-05-12 Macronix International Co., Ltd. Method for forming self-aligned thermal isolation cell for a variable resistance memory array
US20070156949A1 (en) 2005-12-30 2007-07-05 Rudelic John C Method and apparatus for single chip system boot
US8062833B2 (en) 2005-12-30 2011-11-22 Macronix International Co., Ltd. Chalcogenide layer etching method
US7292466B2 (en) 2006-01-03 2007-11-06 Infineon Technologies Ag Integrated circuit having a resistive memory
KR100763908B1 (ko) 2006-01-05 2007-10-05 삼성전자주식회사 상전이 물질, 이를 포함하는 상전이 메모리와 이의 동작방법
US7560337B2 (en) 2006-01-09 2009-07-14 Macronix International Co., Ltd. Programmable resistive RAM and manufacturing method
US20070158632A1 (en) 2006-01-09 2007-07-12 Macronix International Co., Ltd. Method for Fabricating a Pillar-Shaped Phase Change Memory Element
US7595218B2 (en) 2006-01-09 2009-09-29 Macronix International Co., Ltd. Programmable resistive RAM and manufacturing method
US7741636B2 (en) 2006-01-09 2010-06-22 Macronix International Co., Ltd. Programmable resistive RAM and manufacturing method
US7825396B2 (en) 2006-01-11 2010-11-02 Macronix International Co., Ltd. Self-align planerized bottom electrode phase change memory and manufacturing method
US7351648B2 (en) 2006-01-19 2008-04-01 International Business Machines Corporation Methods for forming uniform lithographic features
US7432206B2 (en) 2006-01-24 2008-10-07 Macronix International Co., Ltd. Self-aligned manufacturing method, and manufacturing method for thin film fuse phase change ram
US7558149B2 (en) 2006-01-24 2009-07-07 Macronix International Co., Ltd. Method and apparatus to control sensing time for nonvolatile memory
US7456421B2 (en) 2006-01-30 2008-11-25 Macronix International Co., Ltd. Vertical side wall active pin structures in a phase change memory and manufacturing methods
US7956358B2 (en) 2006-02-07 2011-06-07 Macronix International Co., Ltd. I-shaped phase change memory cell with thermal isolation
US7426134B2 (en) 2006-02-24 2008-09-16 Infineon Technologies North America Sense circuit for resistive memory
US7910907B2 (en) 2006-03-15 2011-03-22 Macronix International Co., Ltd. Manufacturing method for pipe-shaped electrode phase change memory
US20070252127A1 (en) 2006-03-30 2007-11-01 Arnold John C Phase change memory element with a peripheral connection to a thin film electrode and method of manufacture thereof
US20070235811A1 (en) 2006-04-07 2007-10-11 International Business Machines Corporation Simultaneous conditioning of a plurality of memory cells through series resistors
US7928421B2 (en) 2006-04-21 2011-04-19 Macronix International Co., Ltd. Phase change memory cell with vacuum spacer
US20070249090A1 (en) 2006-04-24 2007-10-25 Philipp Jan B Phase-change memory cell adapted to prevent over-etching or under-etching
US7514705B2 (en) 2006-04-25 2009-04-07 International Business Machines Corporation Phase change memory cell with limited switchable volume
US8129706B2 (en) 2006-05-05 2012-03-06 Macronix International Co., Ltd. Structures and methods of a bistable resistive random access memory
US7608848B2 (en) 2006-05-09 2009-10-27 Macronix International Co., Ltd. Bridge resistance random access memory device with a singular contact structure
US7286409B1 (en) 2006-05-09 2007-10-23 Macronix International Co., Ltd. Method and apparatus to improve nonvolatile memory data retention
US20070267618A1 (en) 2006-05-17 2007-11-22 Shoaib Zaidi Memory device
US7423300B2 (en) 2006-05-24 2008-09-09 Macronix International Co., Ltd. Single-mask phase change memory element
US7696506B2 (en) 2006-06-27 2010-04-13 Macronix International Co., Ltd. Memory cell with memory material insulation and manufacturing method
US7663909B2 (en) 2006-07-10 2010-02-16 Qimonda North America Corp. Integrated circuit having a phase change memory cell including a narrow active region width
US7785920B2 (en) 2006-07-12 2010-08-31 Macronix International Co., Ltd. Method for making a pillar-type phase change memory element
US7405964B2 (en) 2006-07-27 2008-07-29 Qimonda North America Corp. Integrated circuit to identify read disturb condition in memory cell
US7542338B2 (en) 2006-07-31 2009-06-02 Sandisk 3D Llc Method for reading a multi-level passive element memory cell array
US7505330B2 (en) 2006-08-31 2009-03-17 Micron Technology, Inc. Phase-change random access memory employing read before write for resistance stabilization
US7684225B2 (en) 2006-10-13 2010-03-23 Ovonyx, Inc. Sequential and video access for non-volatile memory arrays
US20080225489A1 (en) 2006-10-23 2008-09-18 Teledyne Licensing, Llc Heat spreader with high heat flux and high thermal conductivity
US7863655B2 (en) 2006-10-24 2011-01-04 Macronix International Co., Ltd. Phase change memory cells with dual access devices
US20080101110A1 (en) 2006-10-25 2008-05-01 Thomas Happ Combined read/write circuit for memory
US7473576B2 (en) 2006-12-06 2009-01-06 Macronix International Co., Ltd. Method for making a self-converged void and bottom electrode for memory cell
US7682868B2 (en) 2006-12-06 2010-03-23 Macronix International Co., Ltd. Method for making a keyhole opening during the manufacture of a memory cell
US20080137400A1 (en) 2006-12-06 2008-06-12 Macronix International Co., Ltd. Phase Change Memory Cell with Thermal Barrier and Method for Fabricating the Same
US7476587B2 (en) 2006-12-06 2009-01-13 Macronix International Co., Ltd. Method for making a self-converged memory material element for memory cell
US20080165569A1 (en) 2007-01-04 2008-07-10 Chieh-Fang Chen Resistance Limited Phase Change Memory Material
US7515461B2 (en) 2007-01-05 2009-04-07 Macronix International Co., Ltd. Current compliant sensing architecture for multilevel phase change memory
US20080164453A1 (en) 2007-01-07 2008-07-10 Breitwisch Matthew J Uniform critical dimension size pore for pcram application
US7440315B2 (en) 2007-01-09 2008-10-21 Macronix International Co., Ltd. Method, apparatus and computer program product for stepped reset programming process on programmable resistive memory cell
US7456460B2 (en) 2007-01-29 2008-11-25 International Business Machines Corporation Phase change memory element and method of making the same
US7535756B2 (en) 2007-01-31 2009-05-19 Macronix International Co., Ltd. Method to tighten set distribution for PCRAM
US7701759B2 (en) 2007-02-05 2010-04-20 Macronix International Co., Ltd. Memory cell device and programming methods
US7463512B2 (en) 2007-02-08 2008-12-09 Macronix International Co., Ltd. Memory element with reduced-current phase change element
US8138028B2 (en) 2007-02-12 2012-03-20 Macronix International Co., Ltd Method for manufacturing a phase change memory device with pillar bottom electrode
US8008643B2 (en) 2007-02-21 2011-08-30 Macronix International Co., Ltd. Phase change memory cell with heater and method for fabricating the same
CN101266834B (zh) * 2007-03-15 2012-07-04 西格斯教育资本有限责任公司 相变存储器的驱动方法与系统
US7569844B2 (en) 2007-04-17 2009-08-04 Macronix International Co., Ltd. Memory cell sidewall contacting side electrode
US7483316B2 (en) 2007-04-24 2009-01-27 Macronix International Co., Ltd. Method and apparatus for refreshing programmable resistive memory
US20080265234A1 (en) 2007-04-30 2008-10-30 Breitwisch Matthew J Method of Forming Phase Change Memory Cell With Reduced Switchable Volume
US7796424B2 (en) * 2007-06-21 2010-09-14 Qimonda North America Corp. Memory device having drift compensated read operation and associated method
US7906368B2 (en) 2007-06-29 2011-03-15 International Business Machines Corporation Phase change memory with tapered heater
US7745807B2 (en) 2007-07-11 2010-06-29 International Business Machines Corporation Current constricting phase change memory element structure
US7755935B2 (en) 2007-07-26 2010-07-13 International Business Machines Corporation Block erase for phase change memory
US7642125B2 (en) 2007-09-14 2010-01-05 Macronix International Co., Ltd. Phase change memory cell in via array with self-aligned, self-converged bottom electrode and method for manufacturing
US7868313B2 (en) 2008-04-29 2011-01-11 International Business Machines Corporation Phase change memory device and method of manufacture
US7660152B2 (en) 2008-04-30 2010-02-09 International Business Machines Corporation Method and apparatus for implementing self-referencing read operation for PCRAM devices
KR101442175B1 (ko) * 2008-05-23 2014-09-18 삼성전자주식회사 반도체 메모리 장치 및 이 장치의 메모리 셀 어레이의 배치방법
US7894254B2 (en) * 2009-07-15 2011-02-22 Macronix International Co., Ltd. Refresh circuitry for phase change memory

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6768665B2 (en) * 2002-08-05 2004-07-27 Intel Corporation Refreshing memory cells of a phase change material memory device
US20060158948A1 (en) * 2005-01-19 2006-07-20 Elpida Memory, Inc Memory device
US20060227591A1 (en) * 2005-03-30 2006-10-12 Tyler Lowrey Using higher current to read a triggered phase change memory
TW200802371A (en) * 2006-06-06 2008-01-01 Ovonyx Inc Refreshing a phase change memory
US20080117704A1 (en) * 2006-11-21 2008-05-22 Thomas Happ Resistive memory including selective refresh operation
US7539050B2 (en) * 2006-11-22 2009-05-26 Qimonda North America Corp. Resistive memory including refresh operation
US20080170431A1 (en) * 2007-01-12 2008-07-17 Industrial Technology Research Institute Driving method and system for a phase change memory
US20090067229A1 (en) * 2007-09-10 2009-03-12 Hee Bok Kang Semiconductor memory device for writing data to multiple cells simultaneously and refresh method thereof

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI823335B (zh) * 2021-04-23 2023-11-21 美商應用材料股份有限公司 非暫態記憶體陣列中的保留漂移校正

Also Published As

Publication number Publication date
US7894254B2 (en) 2011-02-22
US20110116309A1 (en) 2011-05-19
CN101958146A (zh) 2011-01-26
TW201103023A (en) 2011-01-16
US8228721B2 (en) 2012-07-24
CN101958146B (zh) 2012-11-21
US20110013446A1 (en) 2011-01-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI423259B (zh) 用於相變記憶體的更新電路
US10964388B2 (en) Selector device for two-terminal memory
TWI451427B (zh) 用於減少相變化記憶體中瑕疵位元數的方法及其裝置
US8064248B2 (en) 2T2R-1T1R mix mode phase change memory array
TWI434287B (zh) 用於感測及確定邊限記憶胞的記憶體裝置及方法
US8374019B2 (en) Phase change memory with fast write characteristics
US7933139B2 (en) One-transistor, one-resistor, one-capacitor phase change memory
US7701750B2 (en) Phase change device having two or more substantial amorphous regions in high resistance state
TWI437703B (zh) 相變裝置之雙極切換
US9171616B2 (en) Memory with multiple levels of data retention
TWI401685B (zh) 用於相變記憶胞的設定法
US8809829B2 (en) Phase change memory having stabilized microstructure and manufacturing method
US8767450B2 (en) Memory controllers to refresh memory sectors in response to writing signals and memory systems including the same
US7701749B2 (en) Multiple level cell phase-change memory devices having controlled resistance drift parameter, memory systems employing such devices and methods of reading memory devices
US8036014B2 (en) Phase change memory program method without over-reset
TWI420524B (zh) 寫入相變記憶體元件的方法
US8134857B2 (en) Methods for high speed reading operation of phase change memory and device employing same
US10211397B1 (en) Threshold voltage tuning for a volatile selection device
CN114830238A (zh) 选择性非易失性存储器器件及相关联的读取方法
Yifeng et al. A Si 2 Sb 2 Te 5 phase change memory featuring 27F2 cell size and ultra low writing current