TWI359187B - Method for preparing nitridosilicate-based compoun - Google Patents

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1359187 100 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 年9月曰替換頁 本發明係關於一種氮化矽酸鹽系化合物（例如氮化矽酸 鹽、氧代氮化矽酸鹽、氮化鋁矽酸鹽、氧代氮化鋁矽酸鹽 等，即至少含有鹼土類金屬元素或稀土類元素與矽元素、 氮元素之化合物）之製造方法、氮化矽酸鹽螢光體及使用其 之發光裝置，該氮化石夕酸鹽系化合物可作為陶瓷材料或螢 光體材料等使用。 【先前技術】 以往已知的氮化矽酸鹽系化合物有：至少含有（1)鹼土 類金屬元素M(其中，Μ係擇自鎂、鈣、锶、鋇中之至少一 元素）及（2)石夕及（3)氛為主要構成元素者，以及至少含有（1) 稀土類元素Ln(其中，Ln為擇自原子序21、39及57〜71之 稀土類元素中之圭少一元素）及（2)矽及（3)氮為主要構成元 素者。 上述氮化石夕酸鹽系化合物之例子’例如有Sr2si5N8、 BaJisNs(參見下述專利文獻1〜3、非專利文獻丨）、籲 BaSi7N10(參見下述專利文獻1〜3)、SrSiAl203N2、

Sr"2Si4A10N7、LhSkNn(參見下述專利文獻 4)、Eu2Si5N8、

EuYbSi^7(參見下述專利文獻2)、（Ba，Eu)2Si5N8(參見下述 專利文獻 3)、Ce4(Si404N6)0、Sr3Ce1()Si18Al12〇18N36(參見下 述專利文獻4)、CaSiN2(參見下述專利文獻5)等，本說明書 不含以通式Mp/2Si12.p-qAlp+qOqN16_q(惟，Μ為單獨之鈣或與 錯組合之鈣’ q為0〜2.5，ρ為1.5〜3)表示之塞隆（Sialon) 5 100年9月1/日替換頁 (參見下述專利文獻5卜 ~一~~—~ -- 又’上述CaSiN2已知可作成成為caSiN2:Eu2+螢光體， 藉由以Eu2+離子為發光t心進行活性化，可發出發光峰波 長為63〇nm左右之紅光。已知該螢光體之激發光譜於37〇nm 左右有峰值，且以440〜未達50011〇1之藍光激發不會發出高 強度之紅光，但以330〜420nm之近紫外光激發時，可發出 咼強度之紅光。故，有希望能應用於以發出近紫外光之發 光元件作為激發源之發光裝置（參見下述專利文獻5 )。 X 又上述氮化石夕^鹽系化合物不僅可作為陶瓷材料， 一亦3可應：用於作一為螢光—體材料-？例如-，飞—好含有一顶2+離—子或 Ce3 +離子之上述氮化矽酸鹽系化合物可成為高效率之螢光 體（參見下述專利文獻1〜6)。 再者，以氮化矽酸鹽系化合物所構成之上述高效率螢 光體’因可藉由近紫外光〜藍光激發，並發出藍、綠、普、 撥或紅色的可見光，故已知亦適用於作為咖光源（參見下 述專利文獻1〜3，非專利文獻5)。 先前，這種氮化石夕酸鹽系化合物製造時，係以驗土類 金屬（金制、金屬銷、金屬铜等）或驗土類金屬之氮化物 2 Sr3N2 Ba^2等）作為鹼土類金屬之供給源，以稀 土類金屬（金屬鑭、金屬鋪、金屬鎖等）作為稀土類之供給 並且除了驗土類金屬或稀土類金屬以外不使用還原劑 (下述固態碳等）（參見下料利文獻1〜6,非專利文獻卜4)。 面以往曾有關於將以該製造方法所製造之氮 化矽酸鹽系化合物螢先#用# τρη丄 ^ 愛九體用於LED光源等發光裝置的探 6 1359187 100年9月if曰替換頁 討。 (專利文獻1)特表2003-5 15655號公報 (專利文獻2)特表2〇〇3_5 1 5655號公報 (專利文獻3)特開2〇〇2_322474號公報 (專利文獻4)特開2〇〇3_2〇6481號公報 (專利文獻5)特開2〇〇3_2〇35〇4號公報 (專利文獻6)特開2003_124527號公報 (非專利文獻 1) T. Schlieper et al.，Z· anorg. Allg. Chem.，第 621 卷，（1995 年），第 23804384 頁 (非專利文獻 2) H. Huppertz and W. Schnick，Acta Cryst·，第 53 卷，（1997 年），第 175 1-1753 頁 (非專利文獻 3) H.A. Hoppe et al·，J.Phys. Chem. Solids 第 61 卷，（2000 年），第 2001-2006 頁 (非專利文獻 4) W. Schnick, Int. J. Inorg· Mater.，第 3 卷 ’（2001 年），第 1267-1272 頁 (非專利文獻5)上田恭太等，電氣化學會第71次大會 學術演講預稿集，（2〇〇4年），第75頁 但習知的氮化矽酸鹽系化合物製造方法，特別是氧原 子數少、高氮化性之氮化矽酸鹽系化合物（例如，M2Si5iq8、 MSi7N10、M2Si4A10N7、MSiN2(其中，M 為擇自鎂、鈣、在田 及鋇中之至少一元素）、特別是實質上不含氧成分之氮化矽 酸鹽系化合物製造方法中，因為鹼土類金屬或稀土類的供 給源係使用化學上不安定且具有起火等危險性之驗土類金 屬或稀土類金屬，或很難取得且極為高價且於 八乳〒很龜 7 1359187 __ 100年9月曰替換頁 - 操作之鹼土類金屬或稀土類的氮化物，故存^以下的^— 題，很難以工業化生產。 J (1)大量生產困難， - (2)以良好再現性製造高純度高品質的化合物是困難 的， (3)提供廉價化合物是困難的。 又’因習知的製造方法存在該等問題，故習知之氮化 石夕酸鹽系化合物有⑴雜f氧多，且純度低、⑺材料性 例如二螢光體之發光性能低等、（3)價格高昂，等問題·例 —如，mm㈣-鹽㈣光―时為發光源飞習知發弁 裝置有（1)光束或亮度低、（2)價格高昂等問題。 【發明内容】 本發明之氮化矽酸鹽系化合物之製造方法 使含有藉由加熱可生成驗土類金屬氧化& ^ 自鎂、鈣、鳃及鋇中至少之一的元素，〇 馮

類金屬化合物、矽化合物及碳 ‘氮：:)之鹼 氣氛中反應。 於鼠化性氣體環 又，本發明之氮化矽酸鹽系化合物 、 徵為：將含有藉由加熱可生成 k法，其特 輝土類氧化物 τ

Ln203(惟，Ln為擇自原子序21、3 n〇或 中至少之-的元素？ 〇為氧元素) 之稀土類元素 ，义稀土類化人板 物及碳的材料，於氮化性氣體環 矽化合 兄氣氧中反應。 又，本發明之氮化矽酸鹽系化合物之 徵為：係將含有擇自鹼土類金屬、 法，其特 嶮土類金屬之氮化物、稀 1359187 100年9月曰替換頁 矽化合物及碳 土類金屬及稀土類之氮化物中之至少—者 的材料，於氮化性氣體環境氣氛中反應。 又，本發明之氮化石夕酸鹽螢光體，其特徵為：係以通式 MSlN2表示的氮切酸鹽系化合物作為螢光體母體並含有 Eu離子為發光中心，前述M之主成分為鋇。 又’本發明之發光裝置 螢光體作為發光源》 【實施方式】 其特徵為：以上述氮化石夕酸鹽 本發明可製造氮化矽酸鹽系化合物，其中鹼土類金』 或稀土類之供給源不使用化學上不穩定且難以於大氣中老 作且取得不易又高價之驗土類金屬或驗土類金屬之氮々 物，或者稀土類金屬或稀土類之氮化物’而使用操作或耳 得簡單且廉價之鹼土類金屬鹽或稀土類氧化物等，且依為 發明，可以再現性良好且廉價地工業生產材料性能良好之 氮化石夕酸鹽系化合物或使用其之螢光體。.

又，本發明不但提供廉價且高性能之氮化石夕酸鹽系化 合物或氮切酸鹽系螢光體，且可以廉價地提供高性能之 氮化矽酸鹽系化合物其應用製品（LED光源等）。 以下，對本發明之實施形態進行說明。 本發明之氮化石夕酸鹽系化合物(包含氮化石夕酸鹽系螢光 體）製造方法之一例，传將葬由, 例你將糟由加熱可生成鹼土類金屬氧化 物ΜΟ(其中，Μ為擇自鎮、約、銷及鋇中至少之—的元素） 的驗土類金屬化合物與碳在氮化性氣體環境氣氛下反岸、， -面還原及1化’ 一面使上述驗土類金屬化合物至少與石夕 9 1359187 100年9月·^日替換頁 " 化合物反應 又，本發明之氮化矽酸鹽系化合物之製造方法的另外 例，係將藉由加熱可生成稀土類氧化物Ln〇或 1^2〇3(惟’[11為擇自原子序21、39及35〜71之稀土類元素 中之至少一元素）之稀土類化合物與碳在氮化性氣體環境氣 氛下反應，一面還原及氮化，一面使上述稀土類化合物至 少與矽化合物反應。 藉該方式，可以例如碳酸鹽、草醆鹽、氫氧化物、氧 化物等既廉價又容易操作的鹼土類金屬化合物或稀土類化 。物作為構成上述氮化矽酸鹽系化.合—物‘之—驗土顧金屬或稀 土類的供給源。 .又’因為於氮化矽酸鹽系化合物製造時所使用之鹼土 類金屬或稀土類以外之供給材料（碳m合物等）或供給氣 體（氮氣等）為比較容易取得且廉價，故可廉價並且再現性良 好的提供氮化矽酸鹽系化合物。

再者，藉由與作為還原劑之碳進行反應，可以積極地 料結原料還原，並將燒結原料中之氧成分形成—氧化破 :體或二氧化碳氣體的方式而予以除去，&混入氮化矽酸 ::化合物中之雜質氧混入量會變低，使氮化石夕酸鹽系化 °之純度提高，結果可使各種性能發揮得更好。 該與提高材料性能相關之作用效果，特別在製造每莫 酸鹽系化合物中氧原子數少於驗土類金屬原子數 :土：性氮切酸鹽系化合物、及氧原子數較稀土類金 '、1,5倍為低之高氮化性氮化矽酸鹽系化合物等氮 10 1359187 100年9月1丨日替換頁 化矽酸鹽系化合物時均可發捏。 - 1』發禪特別是，於製造不含氧成 分之氮化石夕酸鹽系化合物（例如，v。 σ 物1例如，M2Si5N8 或 M2Si5N8:Eu2+ 螢光體、MSiN2或MsiN2:Eu2+f光體）時效果會更顯著。 此處’本發明之氮化石夕酸鹽系化合物係指例如氮化石夕 酸鹽、氧代氮化石夕酸鹽、氣仆奴 ^釓化鋁矽酸鹽、氧代氮化鋁矽酸 鹽等至少含有驗土類金屬元辛戋 — ^系&稀土類兀素、矽元素及氮 元素之化合物，本說明查士艾―a 个义月書中不包含具有塞隆型結晶構造之 化合物。 本發明之製造方法包含，例如稱為還原氣化反應法之 氮化石夕酸鹽系化合物製造方法，特別是，適用於工業化生 產粉末狀氮化石夕酸鹽系化合物之製造方法。 上述驗土類金屬化合物口益0_,, 辑化口物/、要疋可生成上述鹼土類金屬 氧化物MO之驗土類今®化人札日n 頰金屬化合物即可，不特別限定，但由 南純度化合物之取得容易膚以芬#上 f谷匆度以及於大氣中操作的容易度、 價格等方面來考量’較佳為擇自驗土類金屬之碳酸鹽、草 酸鹽、石肖酸鹽、硫酸鹽、乙酸鹽、氧化物、過氧化物、氫 氧化物中之至少-驗土類金屬化合物，更佳為驗土類金4魯 之碳酸鹽、草酸鹽、氧化物、急急各从 . 乳化物虱氧化物，特別較佳為鹼土 類金屬之碳酸鹽。又，為得至丨丨古妯痒々认L丄 碎仔到同純度之鹼土類金屬，較佳 之Μ為擇自链及銅中之至少—元素。 對上述鹼土類金屬化合物之性狀無特別限制，可由粉 末狀、塊狀專適當選擇即可。又鼻得到 1 人局仟到粉末狀氮化矽酸 鹽系化合物，較佳之性狀為粉末狀。 上述稀土類化合物只要為i &占μ ,+ U /、赘马可生成上述稀土類氧化物 11

100年9月4 I

LnO或Ln2〇3令任—去 稀土類化合物即可， 但由取得高純度化合物了無特別限制， 度、價格等方面考量氣中操作的容易 /為擇自稀土類之碳酸鹽、草酸 鹽仏鹽、硫酸鹽、乙酸鹽、氧化物、過氧化物、氣氧 化物中之至少-稀土類 K匕物虱乳 笪醴趟^ , ° ，更佳為稀土類之碳酸鹽、 卓 虱乳化物’特別較佳為稀土類之氧化物。 述稀土類化合物之性狀無特別限制，可 狀、塊狀等適當選擇即可。 1末 .系化合物，較佳之性狀為粉末狀4爾末狀氮化㈣鹽 _酸睡^夕化α物只要為可藉由上―述反應—以形成氮化 夕^系化&物者即可，無特別限制，但與上述驗土類金 屬:稀土類化合物的情形同樣的理由，較佳為氮化 石夕㈣n4)、氧氮化石夕（Si2〇N2)、氧化石夕（si〇或叫、石夕二 酼亞胺（Si(NH)2) ’更佳為擇自氮化硬、石夕二醯亞胺中之至 少一矽化合物，特佳為氮化矽。 對上述石夕化合物之性狀無特別限制，可由粉末狀、塊 狀等適當選擇即可。又’為得到粉末狀氮化石夕酸鹽系化合 物，較佳之性狀為粉末狀。 又’本發明之製造方&中，石夕之供給源可為石夕單體。

It开v中係、與氮化性氣體環境氣氛中之氣等進行反應， 以形成石夕之氮化合物（氮切等），再與上述驗土類金屬氮化 物或上述稀土類氮化物反應。&，本發明中包含上述矽化 合物為矽單體者。 對上述碳之性狀無特別限制。較佳性狀為固態碳，其 12 1359187 __ — 100年9月χ γ日替換頁 中特別以石墨為佳。但是，不定形碳（煤類、炭、木炭、 炭黑等）亦可。其他，亦可使用屬於滲炭性氣體之天然氣、 甲烷（ch4)'丙烷（C3h8)、丁烷（c4Hi〇)等烴或一氧化碳（c〇) 等碳氧化物等作為碳供給源使用。 又’於真空環境氣氛或例如惰性氣體環境氣氛中等中 性氣體環境氣氛中使用碳質之燒結容器或發熱體時，碳會 有一部分蒸發，但原則上亦可以該種蒸發碳作為還原劑使 用0 工地因態碳其大小或形狀無特別限定。由取得之容易 度方面，較佳之固態碳大小及形狀為1μιη〜lcm之粉末或粒 子，但亦可為除此以外之固態碳。可使用粉末狀、粒狀、 =狀板狀、棒狀等各種形狀的固態碳H態碳之純度 '、無特別限制。但為得到高品f之氮切酸鹽系化合物， ^態碳之純度愈高則愈好，例如，較佳為使用純度99%以 ，更佳為純度99.9%以上之高純度碳。 埶琴、基參”反應之上述固態碳，亦可兼作為發熱體(碳加 述碳可與氮切酸作為還原誠用之上 者接觸。 、5物原料混合使用，亦可僅使兩 又，上述氮化性痛駚 別限制，㈣高純錢丨發氮化反應即可，無特 袼等方面來看，較佳者Γ 容易度或操作容易性、價 體，更佳為氮氣。 為擇自氮氣或氨氣中至少一種的氣 含氮氣之反應環境翁 & ’以可利用單純設備的理由方 13 ^59187 100年9月曰替換頁 面’較佳為常壓環境氣氛’但亦可為高壓環 .=境氣氛、減壓環境氣氛、真空中任一者。為使所得到化 T物（或螢光體）高性能化，較佳之反應環境氣氛為高壓環境 氣氛，例如為2〜10〇大氣壓，若考慮氣體環境氣氛之操作 則較佳為5〜20大氣壓且以氮氣為主體所構成之氣體環 境氣氛。若為該高壓環境氣氛，則可防止或抑制高溫燒結 中所產生的化合物（氮化物）分解，且可抑制所得到化合物之 組成偏差，可製造高性能之化合物。又，為促進反應物（燒 馨結物）之脫碳，亦可於上述反應環境氣氛中含有少量或微量 的水蒸— 氣。 ——————— — 又’為使反應物（化合物原料）彼此的反應性提高，亦可 添加助熔劑以反應。助熔劑可由鹼金屬化合物（Na2c〇3、

NaCl、LiF)或鹵素化合物（SrF2、CaCl2等）中適當選用。 本發明最大.的特'徵.為.（1)氮.化石夕.酸鹽系化合.物之原料實 質上不使用驗土類金屬或稀土類金屬或驗土類金屬之氮化 物或稀土類之氮化物，（2)取而代之的，係使用藉由加熱可 _ 產生鹼土類金屬氧化物或稀土類氧化物之驗土類金屬化合 物或稀土類化合物’（3)將該等化合物中所含有之氧成分藉 由與碳（較佳為固態碳）進行反應除去，（4)進一步藉由與氮化 性氣體之反應，一面使上述驗土類金屬化合物或稀土類化 合物氮化’（5) —面使與矽化合物反應，以製造氮化矽酸鹽 系化合物。 又，本發明之製造方法中，因上述矽化合物亦會暴露 於氮化性氣體，於原料彼此之反應過程一面受到氮化作用 1359187 100年9月日替換頁 面與上述驗土類金屬化合物或稀土類化合物反應，故本 發明之氮化矽酸鹽系化合物製造方法實質上可視為，係至 少將（1)鹼土類金屬氧化物與（2)碳（特別是固態碳）、與（3)氮 及（4)氮化矽反應以製造氮化矽酸鹽系化合物之製造方法， 又’亦可視為實質上，係至少將（1)稀土類氧化物與（2)碳（特 別疋固碳）與（3 )氮及（4)氮化矽反應以製造氮化矽酸鹽系 化合物的製造方法。 又’上述本發明氮化矽酸鹽系化合物的製造方法中， 若進一步與鋁化合物（氮化鋁、氧化鋁、氫氧化鋁等）進行反 _ 應’則亦可製造氮化鋁矽酸鹽化合物或氧代氮化鋁矽酸鹽 化合物。 又’上述本發明之氮化矽酸鹽系化合物中，若進一步 與金屬辞或鋅化合物（氧化鋅、氮化辞等）、金屬鈦或鈦化合 -物（氧化鈦或氤化鈦等）、金屬錯或錯化合物（氧化锆或氮化 -錯等）、金屬铪或铪化合物（氧化铪或氮化姶等）、金屬鎢或 嫣化合物（氧化鎢或氮化鎢等）、金屬錫或錫化合物（氧化錫 或氮化錫等）等過渡金屬或過鍍金屬化合物反應，亦可製造 · 含有該等過渡金屬之氮化矽酸鹽系化合物。又，若與磷或 磷化合物（五氡化磷、五氮化磷、磷酸鹽類、磷酸氫銨等） 反應，則可製造含碟之氮化石夕酸鹽系化合物，若與删或棚 化合物（删酸、氮化硼、無水硼酸等）反應，則可製造含硼之 氮化石夕酸鹽系化合物。 本發明之製造方法中，對反應材料加入能量的操作， 例如係藉由加熱等開始並維持。 15 1359187 100年9月1丨日替換頁 上述本發明之氮化矽酸鹽系化合物製造t法中，較佳 的反應'皿度為14GG〜2GGG°C ’更佳為150G〜1800。(：。又，反 應亦可刀成數次實施。藉由該方式’上述驗土類金屬化合 物或稀土類4匕合物可藉由加#而變成驗土類金屬氧化物或 稀土類氧化物’進-步藉由與碳反應’而使上述驗化類金 屬氧化物或稀土類氧化物一面產生一氧化碳或二氧化碳’ 面被還原。再者，被還原之上述鹼土類金屬氧化物或稀 土類氧化物可藉由氮化性氣體氮化，一面形成氮化物，一 籲面與上述石夕化合物等其他化合物或氣體等反應。藉此可生 ——成氮化—石夕酉^鹽一系-化合-物-。——.---------—一 又’若於較上述溫度範圍為低的溫度時，則上述反應 或還原會不夠’使得到高品質氮化矽酸鹽系化合物變得困 難，而於較該範圍為高的溫度時，氮化矽酸鹽系化合物會 刀解或臧解，使得到既定組成或形狀（粉末狀、成形形狀等） 之化合物變得困難，或者，製造設備必須使用高價的發熱 體或高耐熱性之絕熱材等，使設備費用變高，欲以廉價提 會供氮化矽酸鹽系化合物變得困難。 本發明製造方法中所使用之上述材料量，可配合目的 氮化石夕酸鹽系化合物之組成進行調整。惟，碳之量較佳為 過剩量，以能使所使用之各材料中所含氧成分中既定的氧 量完全還原.。 藉由本發明之製造方法，可以製造如前述多種之氮化 石夕酸鹽系化合物，如 CaSiN2、BaSiN2、Sr2Si5N8、Ba2Si5N8、 (Sr，Eu)2Si5N8、Eu2Si5N8、BaSi7N1()、Sr2Si4A10N7、CaAlSiN3。 1359187 社嵘匕 100年9月Μ日替換頁 該等氮化石夕睃鹽系化合物不僅可應用於陶瓷 作為螢光體。如吣以川8、MSiN2等氮化矽酸鹽系化合物因 機能為作為高效率螢光體之螢光體母體，故本發明之氮化 矽酸鹽系化合物製造方法可廣泛應用於氮化矽酸鹽系螢光 體之製造方法。 皿 又’製造氮化矽酸鹽系螢光體時，可於上述反應過程 中，至少進一步與含有可作為發光中心之元素的金屬或化 合物反應。該種元素有原子序58〜60或62〜71之鑭族元素 或過渡金屬，特別是鈽、镨、銪、铽、錳，含有該等元素鲁 之化合物有上述鑭族元素或過渡金屬之氧化物、氮化物、 氫氧化物、碳酸鹽、草酸鹽、硝酸鹽、硫酸鹽、鹵化物、 磷酸鹽等。 亦即，本發明之氮化矽酸鹽系螢光體製造方法，係進 _ 步與金屬鑭族TL素或鑭族元素化合物（金屬鑭及金屬鉅或 鑭化合物及鉅化合物除外）至少之一反應以製造，或者，進 一步與過渡金屬或過渡金屬化合物至少之一反應。 又，以Ce3+、Pr3+、Eu2+、Tb3+等鑭族元素離子或Mn2+魯 為發光中心之氮化矽酸鹽系螢光體製造方法，其反應環境 氣氛較佳為還原環境氣氛，且由還原力強且比較廉價又容 易取得的理由方面’以氮氣氫氣混合氣體環境氣氛特別較 佳。藉此’可以防止生成Ce4+、pr4+、Eu3+、Tb4+、乂^+等 實質上缺乏高效率螢光體之發光中心作用的離子，而可使 Ce Pr 、Eu 、Tb3 、M’n2+等會高效率發光的鑭族元素 離子或過渡金屬離子濃度提高，可提供高效率之氮化矽酸 17 1359187 ------— 100年9月日替換頁 —鹽系螢光體。又，在使用氫之還原環境氣氛— 脫碳效果’可期待燒結物之高純度化。 若依本發明之氮化矽酸鹽系化合物製造方法，可以廉 價地提供高效率之氮化矽酸鹽系螢光體。又，具代表性之 上述氮化矽酸鹽系螢光體例如有MSiN2:Eu2+、 M2Si5N8:Eu2+、M2Si5N8:Ce3+、Sr2Si4A10N7:Eu2+等。 該氮化石夕酸鹽系螢光體可作為例如（1)照明用光源 之發光源，（2)以BaA12S4:Euh等藍色螢光體作為發光層並 _與波長變換層組合構成之多色顯示無機薄膜EL(電致發光） 面板其波長變-換-層τ-(3)-螢光燈·（放電-燈之暖—色系黃〜燈〜紅 色）發光成分之發光源等，又，因溫度特性良好且於高溫下 亦可維持發光性能，故可廉價地提供溫度特性改良之前述 ' 發光裝置。 ’ 本發明之氮化矽酸鹽系螢光體製造方法，特別適用於 工業生產以近紫外〜藍色系光激發、發出高效率暖色系光（黃 〜撥〜紅色光）之 Sr2Si5N8:Eu2+、Ba2Si5N8:Eu2+、 • Sr2Si5N8:Ce3+ . Ba2Si5N8:Ce3+ ^ CaSiN2：Eu2+ ^ BaSiN2:Eu2+ ^ Sr2Si4A10N7:Eu2+等之LED照明用螢光體。 又’製造發紅光之MaSisN^Eu2*螢光體等時，亦可將 Ce3 +共活化，製成M2Si5N8:Ce3 +，EU2+螢光體。例如，發紅光 之M2SiNs:Eu2+之激發光譜與發黃綠光之M2Si5N8:Ce3 +發光 光譜有重疊部分，藉由共活化，可產生Ce3 +離子至Eu2 +離 子之能量傳遞，M2SisN8:Ce3 +，Eu2+螢光體其激發光譜形狀可 變為與M2SisN8:Ce3 +螢光體之激發光譜相似，於250〜400nm 18 100年9月Μ日替換頁 之1外:近紫外激發條件，成為較上述邮⑽ ί 向發光效率之紅色螢光體。故’ M2Si5N8:Ce3 +，Eu2+ -較上述M2Si5N8: Eu2+螢光體，於以該波長範圍 ==近紫外光為激發光之發光裝置中更能成 红 色螢光體。 干、 $本發明製造之氮化石夕酸鹽系化合物因使用廉價且容 易取:又操作容易的驗土類金屬化合物或稀土類化合物、 固:¼或碳系氣體、矽化合物、氮化性氣體，故既又 間便。 X , # ，本發明所製造之氮化矽酸鹽系化合物（特別是使氧 =子數v於鹼土類金屬原子數之高氮化性氮化矽酸鹽系化 口物’或乳原子數較稀土類金屬原子之i ·5倍為少的高氮化 !生氮化石夕酸鹽系化合物，特別是，實質上不含氧成分之氮. :石夕酸鹽系化合物）與作為還原劑之碳反應，可積極地將燒. 結原料還原，—面將燒結原料中之氧成分以一氧化碳或二 氧化碳的形式除去一面製造’故雜質氧之混入量少、純度 鬲，其結果為可呈現高材料性能。 鲁 且，亦可廉價的提供高性能之以本發明製造方法所製 w氮化矽酸鹽系化合物製成之應用製品（LED光源）等。 其次’依據圖式說明本發明發光裝置之實施形態。圖1 表不以氮化矽酸鹽系螢光體作為發光體之發光裝置（應用製 。口）之一例。圖i所示之發光裝置亦為運用lED之光源。圖 1亦為可作為照明或顯示裝置使用之多用途半導體發光元 件的一例，顯示其戴面圖。 19 1359187 100年9月x丨日替換頁 圖1所示之半導體發光元件，係於基座4上·^--- 導通配備一個發光元件卜同時藉由至少内裝氮化矽酸鹽系 螢光體2、且兼作為螢光體層3之母材（例如，樹脂或低熔 點玻璃等）製封裝體來密封發光元件 圖1中，發光元件1為將電能轉換為光的光電轉換元 件，具體而言包含發光二極體、雷射二極體、面發光雷射 二極體、無機電致發光元件、有機電致發光元件等。特別 是，從使光源高輸出化的方面來看’較佳為發光二極體或 籲面發光雷射二極體。發光元件1所發出之光基本上無特別 限制’其波長m位於可-激發I化矽系―_螢_光體-之範 圍（例如250〜55〇nm)即可。但為以高效率激發氮化矽酸鹽系 螢光體，並製造可發出需求量大的白色系.光的高發光:能 光源，波長範圍較佳為340〜500nm，更佳為350〜42〇nm或 420〜500nm，較佳為36〇〜41〇1^或44〇〜48〇nm者亦即， 製成於近紫外或藍色波長區具有發光峰之發光元件j。 又，圖1中，螢光體層3至少含有氮化矽酸鹽系螢光. 攀體2 ’例如，係至少將氮化石夕酸鹽系螢光體2分散於透明樹 脂（環氧樹脂或矽酮樹脂等）或低熔點玻璃等透明母材所構 成。氮化矽酸鹽系螢光體2於透明母材中之含量例如於上 述透明樹脂的情形’較佳為5〜8〇質量％，以1〇〜6〇質量％ 更佳。 ' 螢光體層3内之氮化石夕酸鹽系螢光體2為一種光變換 材料，受驅動可將上述發光元件i所發出之光一部分或全 部吸收，並轉換為較發光元件】所發光之峰值波長為長t 20 1359187 __ 100年9月if日替換頁 可見光（籃、綠、黃、橙或紅光），故發光元件1會激發氮化 . 石夕酸鹽系營光體2，而使半導體發光元件放出的光至少含有 氮化矽酸鹽系螢光體2所放出的發光成分。 且’例如’若形成如下組合構造之發光裝置，則藉由 . 發光元件1所發之光與螢光體層3所發之光的混色等，可 獲得白色系光，而構成能放出需求量大的白色系光之光源。 (1) 將發出近紫外光之發光元件與藍色螢光體、綠色螢 光體、紅色螢光體組合而成的構造。 (2) 將發出近紫外光之發光元件與藍色螢光體、綠色螢鲁 光體、κ色螢光體、紅色螢光體組合而成的構造。 (3) 將發出近紫外光之發光元件與藍色螢光體、黃色螢 光體、紅色螢光體組合而成的構造。 (4) 將發出藍光之發光元件與綠色螢光體、黃色螢光-體、紅色螢光體組合而成的構造。 (5) 將發出藍光之發光元件與黃色螢光體、紅色螢光體 組合而成的構造。 (6) 將發出藍光之發光元件與綠色螢光體、紅色螢光體鲁 組合而成的構造。 ⑺將發出藍綠光之發光元件與紅色營光體組合而成的 構造。 又，如Sr^NrEf或CaSiN2:Eu2+等發出紅光的氮化 石夕酸鹽系螢光體，係於藍光激發下可呈現高内部量子效率 之螢光體。故，以於440〜50〇nm、較佳為45〇〜48〇nm之藍 色系波長區具有發光峰的藍色發光元件作為職化石夕酸鹽 21 100年9月I丨曰替換頁 系螢光體的激發源，可使上述氮化矽酸鹽系 藍色發光元件所發出之藍色系光激發，且若至少含有上述 藍色發光元件所發出藍色系光成分及上述氮化矽酸鹽系螢 光體所發出發光成分來作為輸出光而構成發光裝置，則能 構成紅色發光成分強度強且發出暖色系光之高光束發光裝 置。 ’ ，亦可成為藍 故亦可用於上 紅色螢光體中 氮化石夕酸鹽系螢光體依照組成之不同 色，’亲色 K色或紅色中任一者的螢光體， 述藍色螢光體 '綠色螢光體、黃色螢光體、 i ^«乏-一。-- … _______ 又，關於氮化矽酸鹽系螢光體以外之上述藍色螢光 體、上述綠色螢光體、上述黃色螢光體、上述紅色螢光體 可使用（Ba，Sr)MgAl10〇17:；Eu2+藍色螢光體、 (Sr,Ca,Ba,Mg)10(P〇4)6c12：Eu2+ 藍 色營光體、 (Ba’SrhSiC^Ei^綠色螢光體 ' BaMgAli〇〇i7:Eu2 +，Mn2 +綠色 螢光體、YAOyCe'Tb3.綠色螢光體、（Y，Gd)3Al5〇i2:Ce3 + 黃色勞光體、Y3Al5〇12:Ce3 +，pr3+黃色螢光體、 (Sr，Ba)2Si〇4:Eu2+黃色螢光體、CaGa2S4:Eu2 +黃色螢光體、 CaS.Eu、，工色螢光體、SrS:Eu2+紅色螢光體、La2〇2s:Eu3 + 紅色螢光體等。 又右添加Eu離子作為賦活劑以構成氮化矽酸鹽系 螢光體（化合物）且上述Μ為銷時，可成為例如邮㈣:心 等同I·生月b之紅色螢光體’可提供適於作為發光裝置之營光 體。 22 *vv ，^ /J <-( CJ 1 榮光Μ料作為❹劑以構成^^ 望（&物）且上述M為鋇時，可成為例如BaSiN2:Eu2 + 寺尚性能之綠色替杏科 可^供適於作為發光裝置之螢光 體。 以彺已知之紅色螢光體，係以化學式MxSiyNz表示之氮 化石夕酸鹽系化合物（其中，X、y、z為滿足z=2/3x+4/3y之數 值）作為螢光體母體，且含有Eu2 +離子為發光中心，但對該 螢光體中Μ之主成分為鋇且χ=ι & y=i之螢光體則是未知 =。且，該種螢光體意外的可形成綠色螢光體之情事為熟 ”技w人士所不易預測到的。#，本發明係關於以化學 式BaSiN2所表示之氮化石夕酸鹽系化合物，$以化學式

BaSiN2:Eu2 +表示之氮切酸鹽螢光體以及使用該等之發光 裝置8 又，Μ之主成分為鋇，係指M之過半數以上、較佳為 80原子％以上、更佳為所有的M為鋇。 (實施例1) 以下關於本發明之氮化矽酸鹽系化合物之製造方法實讓 施例1，係說明以2以川8:別2+螢光體之製造方法。 實施例1係以如下化合物作為螢光體原料。 (1) 碳酸鳃粉末（SrC〇3:純度99.9莫耳％):14.47§ (2) 氧化銪粉末（Eu2〇3:純度99.9莫耳％):〇_35g (3) 氮化矽粉末（si3N4:純度99莫耳％):12.36吕 又，上述碳酸锶及上述氧化銪之還原劑（添加還原劑） 係使用以下之固態碳。 23 I359187 ^__ 10〇年9月q日替換頁 (4)碳（黑鉛）粉末（C:純度99.9莫耳--- 首先，將該等螢光體原料與添加還原劑於大氣中以電 動研砵充分混合後’將該混合粉末加入氧化鋁掛禍中，配 置於環境氣氛爐中既定的位置。之後將混合粉末於8〇(rc之 I氣乱氣混合氣體（97谷重％亂氣，3容量％氫氣）環境氣氛 令加熱5小時進行預燒結以脫氣。預燒結後，於16〇〇。〇之 上述氮氣氫氣混合氣體環境氣氛中加熱2小時以進行正式 燒結。又，為求簡化，省略粉碎、分級、清洗等後處理。 ® (比較例1) 以灰用驗一 i類―金屬之氮化物之-習知製造-方法—製造 ShShNrEuh螢光體作為比較。比較用樣本製造時，使用如 下化合物作為螢光體原料。 ·, (1) 氮化錄粉末（Sr3N2:純度99.5莫耳％):25.00g (2) 氧化銪粉末（Eu203:純度99.9莫耳％)U3g (3) 氮化矽粉末（si3N4:純度99莫耳％):32 5]^ 又’比較用樣本之製造完全不使用作為添加還原劑之 碳粉末。再者，係使用手套箱，於氮氣環境氣氛中稱取氮 化锶粉末，並將螢光體原料於氮氣環境氣氛中充分以手混 。除此以外，與實施例丨之Sr2Si5N8:Eu2 +營光體之製造方 法同樣的方法及條件製造。 以下，對以上述製造方法得到之燒結物 螢光體）特性進行說明。 上述燒結物之顏色為鮮豔的橙色。圖2為以上述製造 方法所得到實施例1燒結物的X光繞射圖案。圖2表示燒 24 1359187 100年9月日替換頁 結物主體為Sr2Si5NHb合物。 圖3為於254nm之紫外線激發時實施例1與比較例1 之燒結物發光光譜。圖3表示燒結物係於波長633nm附近 具有發光峰之紅色螢光體。又，當以比較例1螢光體之發 光強度為1 00%時，實施例i之紅色螢光體其發光峰高度（發 光強度）為107%，較習知製造方法所製造的Sr2Si5N8:Eu2+ 螢光體亮度為高。又，於CIE色度座標中發光色度（x、y) 為 x=0.605、y = 0.380。 再者’使用X光微分析儀（XMA)對上述燒結物之構成 參 元素進行評價，結果為燒結物係以錯、銪、石夕及氮為主體 所構成之化合物。又，相對於由比較例i之燒結體檢測出 少量氧’實施例1之燒結物肀並未實質上檢測到氧。構成 實施例1燒結物之金屬元素其原子比例為接近锶：銪：石夕 = 1.96:0.04:5.0 〇 5亥·#結果表示藉由實施例1之製造方法，可製造 (Sr〇.98Eu〇.02)2Si5N8 化合物，即 Sr2Si5N8:Eu2+螢光體。 又，實施例1依據以下之化學反應式1，實質上藉由碳 · (C)一面將屬於鹼土類金屬氧化物之Sr〇與屬於鑭族元素氧 化物之EuO —起還原，一面與氮及氮化矽反應，以生成 (SrQ.98Eu〇.〇2)2Si5N"8 化合物0 (化學反應式1)

5.8 8SrC〇3 + 0.06Eu2〇3 + 5Si3N4 + 6C + 2N2 + 0.〇6H2->3(Sr〇 9 8Eu〇.〇2)2Si5N8 + 5.8 8C〇2t + 〇.06H2〇T 藉此，若使用實施例1之製造方法，可完全不使用化 25 1359187 100年9月i丨曰替換頁 •學上不穩定且於大氣中操作困難且高價之錦金 而可使用操作容易且廉價的碳酸锶作為鹼土類金屬之供給 源’以製造氮化矽酸鹽系化合物。 又，上述實施例1 _說明之氮化矽酸鹽系化合物係以 鹼土類金屬中的鰓為主要構成成分且含有Eu2+離子為發光 中心的情形，但亦可藉由同樣的製造方法製造由錄以外之 驗土類金屬（例如，辦或鋇）為主要構成成分形成之氮化石夕酸 鹽系化合物或含有EU2 +離子以外之發光中心離子（例如Ce3 + 馨離子）形成的氮化矽酸鹽系化合物。 一—飞實施例 Y) ----- - ______ 以下，關於本發明氮化矽酸鹽系化合物製造方法之實 施例2，係說明EhSisN8之製造方法。 除使用如下材料作為化合物原料及添加還原劑以外， 與實施例1以同樣的製造方法及燒結條件製造。 ()氧化销粉末（Eu2〇3:純度99 9莫耳％):7 〇4g

(2) 氮化矽粉末（Si3N4:純度99莫耳％):4 94g (3) 碳（黑紐）粉末（C:純度99.9莫耳％):0.48g 以下’對II由上述製造方法所得到之燒結物（Eu2Si 匕合物）之特性加以說明

…物為深紅色。圖4為藉由上述製造方法 之燒結物其X光繞射圖㈣4表示燒結物主體為W 铷Μ物的清形。又’雖然省略發光光譜之數據，但該 由^外〜近紫外〜藍光之激發，於波長720nm左右 峰，且光譜半值寬大到約150nm，發深紅色的光 26 1359187 100年9月Μ日替換頁 XMA進行構成元素之評價結果為，燒結物係— 為主體所形成之化合物，且金屬元素之大約原子比例為销 矽=2:5。該等結果表示藉由實施例2的製造方法，可以製造 Ei^SisNg化合物。 又’實施例2依據以下之化學反應式2，實質上藉由碳 (C)一面將屬於鑭族元素氧化物之Eu〇還原，一面與氮及氮 化矽反應，以生成Eu2Si5N8化合物。 (化學反應式2) 3Eu2〇3 + 5Si3N4 + 6C + 2N2 + 0.06H2~^3Eu2Si5N8 + 6C〇t + 3H2 鲁 0 實施例2說明了以銪為稀土類主要構成成分所形成之 氮化矽酸鹽系化合物的情形’但亦可藉由同樣的製造方法 製造以銪以外之稀土類為主要構成成分所形成之氮化矽酸 鹽系化合物。 (實施例3) 以下，關於本發明氮化矽酸鹽系化合物製造方法之實 施例3 ’係說明BaShNyEu2—螢光體之製造方法。 · 實施例3使用以下化合物作為螢光體原料。 (1) 碳酸鋇粉末（BaC03:純度99.9莫耳％):i9.34g (2) 氧化銪粉末（Eu203:純度99.9莫耳％):〇.35呂 (3) 氮化矽粉末（Si3N4:純度99莫耳％):4.94g 又’上述碳酸鋇及上述氧化銪之還原劑（添加還原劑） 係使用以下之固態碳。 (4) 碳（黑鉛）粉末（c:純度99.9莫耳。/〇): 1.2〇g 27 1359187 100年9月:Η曰替換頁 使用該等螢光體原料及添加還原劑，與實施例1之

Si^SisN^Eu2—螢光體之製造方法以同樣之方法及條件進行 製造。 以下，對藉由上述製造方法所得到之燒結物 (3&8丨21^2卫112+螢光體）之特性加以說明 上述燒結物為鮮綠色。圖5表示藉由上述製造方法所 得到實施例3之螢光體於254nm之紫外線激發下之發光光 谱A及激發光譜B。 圖5顯示出，燒結物可藉由波長220〜47Onm之紫外〜 近紫外〜藍光激發，係於波長5 1 Onm左右具有發光峰之發綠 光綠色螢光體。 再者’與實施例1之螢光體同樣，對上述燒結物之構 成元素進行評價’結果為燒結物係以鋇 '銪、矽及氮為主 體構成之化合物，且構成燒結物之金屬元素其原子比例為 接近鋇：銪：石夕=0.98:0.02:1.0。 該等結果表示藉由實施例3之製造方法，可以製造 (Ba〇,98Eu〇.〇2)SiN2 化合物，即，BaSiN2:Eu2+螢光體。 又，習知雖有發紅光之CaSiN2$u2+螢光體，但即使是 熱習此技藝人士亦並不容易預測若將鈣取代為鋇，竟可咅 外地變成綠色螢光體。又，BaSiN2:Eu2+螢光體之發光強^ (峰兩度）亦為以同樣手法所製造之CasiN2:Eu2+罄本辨〜 耸光體之10 ° 上’具有先前未曾有的顯著效果。 又’實施例3係依擄以下化學反應式3，實 rr 貝負上藉由碳 v )—面使屬於鹼土類金屬氧化物之Ba〇與屬於鑭族_ 、凡素氣 28 1359187 __ 100年9月a替換頁 化物之EuO —起還原’一面與氮及氮化發反應，以生成 (Ba〇.98Eu〇.〇2)SiN2 化合物。 2.94BaC03 + 0.03Eu2〇3 + Si3N4+3C+N2+〇.〇3H2">3(Ba0 98

Eu〇〇2)SiN2+2.94C〇2| + 3CO| + 0.〇3H2〇 藉此’ ：¾使用實施例3之製造方法，可以完全不使用 化學上不穩定且於大氣中操作困難且高價的鋇金屬或 Ba#2 ’而使用操作容易且廉價的碳酸鋇作為鹼土類金屬 之供給源，製造以化學式（Bao.wEuo.oJSiN2表示之氮化矽酸

鹽系化合物。 又’上述實施例1〜3係分別舉例說明（Sr。98Euq Q2)2Si5N8 化合物、Eh^N8化合物、（Ba〇 9sEu〇 〇2)SiN2化合物的情形， 但本發明之氮化矽酸鹽系化合物製造方法可廣泛應用於已 說明者以外之氮化矽酸鹽系化合物。 本發明之氮化石夕酸鹽系化合物製造方法，係將藉加熱 可生成鹼土類金屬氧化物之鹼土類金屬化合物，或藉加 成稀土類氧化物之稀土類化合物，於氮化性氣體環 亂说中與碳反應，-面還原及氮化，—面使上述驗土類 屬化合物或上述稀土類化合物至少與心合物反應，以 行氮切酸鹽約b合物之製造，因此，製造氮化石夕酸踏 化：物時，驗土類金屬或稀土類的供給源不使用化學： 穩疋且於大氣中操作困難且高 j ^ t ^ , 门彳員之鹼土頰金屬或鹼土類： 屬之氮化物或稀土類金屬或稀土類之氮化物 容易又廉價之鹼土類金屬蹿$ 使用刼1 廉價地稀類氧化㈣。故適… 廉4貝地以工業化生產材料 犯良好之氮化矽酸鹽系化合φ 29 1359187 100年9月y曰替換頁 t * 或使用該等之螢光體。 又，因係藉由上述製造方法製造氮化矽酸鹽系化合 物，故為廉價且廣泛適用於需要高性能氮化矽酸鹽系化合 物之用途’且因使用廉價且南性能之乳化梦酸鹽系化合物 構成機器，故亦適用於應用氮化矽酸鹽系化合物且須以廉 價提供高性能製品（led光源等）之用途。 【圖式簡單說明】 圖1表示使用氮化矽酸鹽螢光體的發光裝置之一例的 嫌截面圖。 圖2為實施例1之氮化矽酸鹽系化合物的x光繞射圖 案。 圖3為實施例1及比較例1之氮化矽酸鹽系化合物的 發光光譜。 圖4為實施例2之氮化矽酸鹽系化合物的發光光譜。 圖5為實施例3之氮化矽酸鹽系化合物的發光/激發光 譜。 【主要元件符號說明】 1 :發光元件 2 :氮化矽酸鹽系螢光體 3 :螢光體層 4 :基座元件 A :發光光譜 B :激發光譜. 30

Claims (1)

1. 135娜 7 loo年11月 >丨日替換頁 十、申請專利範圍： _ i=氮化料鹽系化合物之製造方法其係使含有藉 力田口熱可生成驗土類金屬氧化物Mq(其中，Μ為擇自鎂、約、 銘及鎖中之至少—元素，〇 $氧元素）之驗土類金屬化合 物、石夕化合物及碳之材料，於氮化性氣體環境氣氛中反應； 其特徵為：該氮化石々；λ 夕^鹽系化合物為不含以通式 Mp/2Si一Alp+q0qNl6_q(惟’ Μ $單獨之鈣或與鋰組合之 鈣，1為0〜2;5,1)為丨.5〜3)表示之塞隆（Sialon)的化合物； 鲁 该反應係藉由加熱來進行。 2. 如申請專利範圍帛i項之氮切酸鹽系化合物之製 造方法，#中，該鹼土類金屬化合物係擇自鹼土類金屬之 碳酸鹽、草酸鹽、氧化物及氫氧化物中之至少一化合物。 3. —種氮化矽酸鹽系化合物之製造方法，其係使含有藉 加熱可生成稀土類氧化物Ln〇(其中，Ln為擇自原子序21、 39及57〜7丨之稀土類元素中之至少_元素，〇為氧元素）之 稀土類化合物、矽化合物及碳之材料，於氮化性氣體環境 氣氛中反應； 其特徵為：含有除去以通式 MpuSlap-qAlp + qOqN丨6_q(惟，Μ為單獨之鈣或與锶組合之 鈣，q為0〜2.5，Ρ為1.5〜3)表示之塞隆（Sial〇n)的步驟； 該反應係藉由加熱來進行。 4.如申請專利範圍第3項之氮化矽酸鹽系化合物之製 造方法，其令，該稀土類化合物係擇自稀土類金屬之碳酸 鹽、草酸鹽、氡化物及氫氧化物中之至少一稀土類化合物。 31 1359187 » 100年11月L(日替換頁 ：. 5.如申请專利範圍第1項或第3項之氮化矽酸鹽系化合 物之製造方法，其中該矽化合物，係擇自氮化矽及矽二醯 亞胺中之至少一化合物。 6.如申請專利範圍第1項或第3項或之氮化矽酸鹽系化 合物之製造方法，其中該氮化性氣體為擇自氮氣及氨氣中 之至少一氣體。 7. 如申請專利範圍第1項或第3項之氮化矽酸鹽系化合 物之製造方法’其中該碳為固態碳。 8. 如申請專利範圍第1項之氮化矽酸鹽系化合物之製 造方法’所製造之氮化矽酸鹽系化合物每1莫耳中，氧原 子數較驗土類金屬之原子數為少。 9. 如申請專利範圍第3項之氮化矽酸鹽系化合物之製 造方法’所製造之氮化矽酸鹽系化合物每1莫耳中，氧原 子數較稀土類金屬原子數之1.5倍為少。 10·如申請專利範圍第1項之氮化矽酸鹽系化合物之製 造方法，係製造以MdhNd其中，μ為擇自鎂 '鈣、锶及 額中至少之一的元素）之通式表示的化合物。 11 ·如申請專利範圍第丨項或第3項之氮化矽酸鹽系化 合物之製造方法，其中該氮化矽酸鹽系化合物為氮化矽酸 鹽系螢光體。 12.如申請專利範圍第η項之氮化矽酸鹽系化合物 製造方法，其中該氮化矽酸鹽系螢光體為擇 M2Si4N8：Eu2+ > M2SiA10N7：Eu2+ ' MSiN2:Eu2+ M2Si5N8:Ce3+(其中，μ為擇自鎂、鈣、鏍及鋇中至少之 ⑧ 32 1359187 忉〇年li月Μ曰替換頁 的兀素）中之至少一通式所表示者。 13.如申請專利範圍第11項之氮化矽酸鹽系化合物之 製造方法’其中該氮化性氣體，係氮氣氫氣混合氣體。 14·一種氮化矽酸鹽系螢光體，係以通式MSi"2表示之 氮化石夕酸鹽系化合物做為螢光體母體，並含有Eu2 +作為發 光中心，其特徵為：該Μ之主成分為鋇。 1 5. —種發光裝置，係使用氮化矽酸鹽系螢光體作為發 光源，其特徵為：該氮化矽酸鹽系螢光體係以通式MSi2N2 表示之氮化矽酸鹽系化合物做為螢光體母體，成含有Eu2+ ^ 作為發光中心’且該Μ之主成分為鋇。 十一、圖式: 如次頁

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