TWI332530B - - Google Patents

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1332530 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 ，本發明係關於一種於光碟或光學零件等之基板上多層地 連續地沉積膜之真空處理裝置以及光碟之製造方法。 【先前技術】 近年來，CD(緊密光碟）、DVD(數位化通用光碟）等光碟 呈現多樣化，唯讀資訊媒體，進而作為可記錄之光資訊媒 體的實用性逐步提高。通常使用成形收縮率或膨脹係數較 Φ 低之合成樹脂，代表性的是用聚碳酸酯作為碟片基板之材 料，於唯讀碟片之情形下，於基板面藉由訊坑行形成資 訊，於可記錄碟片之情形下，於基板面形成作為雷射用執 道之導引溝，並於其面上沉積包含記錄層之多層膜而構 成。 圖16表示通常之可記錄光碟之構造，於透明之〇 6 mm厚 度之聚碳酸酯基板101—方的面上形成有用以導引光學頭 之雷射光的導引溝l〇la’於該面上依次沉積有第一介電體 # 層102、相變化記錄層103、第二介電體層104以及反射層 105，進而塗布有uv固化保護層1〇6。進而，介以貼合黏 接層107貼合該多層膜基板與其他〇 6 厚度之聚碳酸酿 基板110 ’藉此獲得約1.2 mm厚度之光碟。 多層膜包含介電體層、記錄膜、金屬層，該等膜藉由濺 射而沉積’介電體層之濺射成臈效率較低，與金屬相比， 要獲得同厚度層需花費較長時間。多層膜依次循續地通過 用以賤射各層之複數個成膜室而連續地形成，多層膜形成 101899-990813.doc 1332530 製程時間受成膜所需時間最長之成膜室限制β 圖17表示先前之多層膜形成用真空處理裝置之一例，（日) 表示平面略圖，（b)表示沿A-A線之剖面略圖。可保持為真 空之主腔室120内設置有真空玄關機構121，進而於主腔室 内’沿圓周，第一至第4成膜室122、123、124、125包含 真空玄關機構12 1以位於正5角形頂點之方式配置。於主腔 室120中央配置有旋轉台126，其藉由具備排氣口之軸127 而於水平面内間歇性地旋轉。自真空玄關機構1 2丨搬入之 碟片基板101被移送至第一成膜室122，通過濺射沉積第一 介電體層102。繼而，移送至第二成膜室123，沉積記錄層 103以下藉由成膜室124、125依序沉積第二介電體層 104、反射層1〇5，返回至真空玄關機構121，而自主腔室 120搬出至外部。於被搬出之多層膜上形成基板塗布1；¥固 化保護層106,並介以貼合黏接層1〇7貼合其他〇 6 mm厚度 之聚碳酸S旨基板1 1 0，藉此可獲得光碟。 若於此種真空内進行連續成膜，則無法有效冷卻成膜時 由於電漿放電而產生之熱量造成的基板升溫而降低溫度， 於每次經過成膜室基板之溫度便升高。例如25t:之基板於 成膜後會達到1GG°C。先前，提出有於成膜後之真空玄關 真空室，使碟片基板待機固定時間而緩慢冷卻的方法（例 如專利文獻1)。嘗試使此種待機於真空處理裝置中，使成 膜室之任意-個例如第3成膜室124處於休止狀態，於該步 驟間加以冷卻之情形’為於1製程時間内充分冷卻，為便 於進行以後之步驟，需要於休止成膜室前後急劇變化基板 10l899-990813.doc 1332530 溫度。於基板溫度相差大之狀態下形成多層膜之情形，會 於多層膜產生應力扭曲，而會對自主腔室搬出之多層膜形 成基板造成扭曲，產生稱作傾斜的基板反翹。壓模成形之 聚碳酸酯基板本身亦會產生内部扭曲，各基板的傾斜程度 並非一致，又會產生變形，降低該等現象成為重要之課 題。例如DVD碟片之使用波長640 nm雷射的光學頭容許之 傾斜範圍為控向傾斜〇 · 8。以内、切線傾斜〇 · 3。以内，碟片 之μιη單位之反翹亦會成為問題。 進而，考慮到大量生產之效率化，較好的是加快製程時 間，若欲縮短各成膜室之濺射步驟的時間，則需要使成膜 室之藏射使用較大電力，各步驟中基板的升溫會更加顯 著’進一步增加傾斜因素的產生。 [專利文獻1]日本專利特開2003-303452 [發明所欲解決之問題] 本發明之目的在於獲得一種可抑制由於真空中連續濺射 而產生之熱量造成被處理物升溫之情形，降低於被處理物 產生傾斜或變形的真空處理裝置。進而，獲得一種傾斜或 變形較小之光碟。 【發明内容】 本發明之態樣如下所述。 (1) 一種真空處理裝置’其特徵在於具備： 主腔室，其可排氣為真空狀態； 真空玄關機構’其可保持上述主腔室的真空狀態，並將 被處理物搬出入於上述主腔室内外； 101899-990813.doc 1332530 旋轉搬送台，其配置於上述主腔室内，且形成上述被處 理物之搬送路； 複數個成膜室，其於上述主腔室内，沿以上述旋轉搬送 口之旋轉軸為中心的圓周而配置，於上述被處理物多層地 沉積膜；以及 冷卻機構，其分別配置於上述複數個成膜室間，用以冷 卻上述被處理物。 (2) 於真空玄關機構與成膜室之間配置冷卻機構。 (3) 將被搬送之被處理物之中心軌跡設為搬送路時，藉由 水平旋轉搬送台之旋轉，搬送路描繪固定之圓，上述真空 玄關機構、上述成膜室、以及上述冷卻機構沿該圓，以上 述旋轉軸為中心而以固定之角度間隔配置。 ⑷於以上述旋轉搬送台之旋轉轴為中心之第_圓周上配 置上述成膜室，於第：圓周上配置上述冷卻機構，上述第 二圓周與上述第一圓周的直徑相異。 ⑸於上述搬送旋轉臺上設有搭載被處理物之承受器，上 述承，器可於上述第一圓周與第二圓周之間，於上述搬送 紅轉堂上且沿半技方向移動。 (6)上述冷卻機構具有冷卻室。 (7)上述主腔室内， 個成膜室所占區域。 上述一個冷卻室所占區域小於上述 (8)上述冷卻機構具備冷卻室 密地隔離。 可自上述主腔室 之空間氣 (9)於上述搬送旋轉臺上 配置有搭載被處理物之承受器， 101899-990813.doc

壁’使其密封。 按壓至上述冷卻室之開 室内導入氣體之導入 而發揮作用。 (10)上述冷卻機構具有向上述冷卻 作為來自上述被處理物之傳熱體 (11) 於上述冷卻室内具備具有冷卻面之冷卻體 (12) 上述各冷卻室可分別設定溫度。 具有合成樹脂基板的 (13)上述成膜室成膜之被處理物為 碟片狀被處理物。 (14)一種光碟之製造方法，其於被排氣之環境内實施複 數個減射步驟’於合成樹脂碟片基板上連續地形成機射沉 積膜而獲得多層膜，其特徵在於：於上述各錢射步驟間 插入冷卻步驟，使上述基板之溫度維持為最高50°c。 [發明之效果] 抑制藉由真空中之連續濺射而產生之熱量導致的被處理 物蓄熱、升溫’使其長時間維持為特定低溫度之被處理物 上形成激射被膜，藉此可獲得可抑制搬出至裝置外之被處 理物產生傾斜或變形的真空處理裝置。 再者’於本發明中’真空氣壓係指低於大氣之減壓狀 態’真空處理係指於減壓下實施濺射成膜、冷卻處理。 【實施方式】 本發明於具有複數個成膜室之主腔室内之各成膜室間配 置冷卻機構，而可使被處理物之成膜溫度保持在固定範圍 内。可以適當之溫度控制各室的成膜開始。以下，參照圖 式就本發明之實施形態加以說明。 101899-9908l3.doc -9- 1332530 圖1至圖7係表示本發明之一實施形態者。如圖1所示， 於可排氣為適於放電之真空例如1〇_〖Pa以下等之主腔室 内’真空玄關機構20、4個成膜室30a〜30d以及5個冷卻機 構40a〜40e沿以腔室中央附近為中心的圓周c，以1〇等份之 角度等間隔配置。冷卻機構40a〜4〇e配置於各成膜室 30a〜30d與真空玄關機構2〇之間。對準該等真空玄關機 構、各成膜室以及冷卻機構之配置位置，而於對應之主腔 室10之底部13，以10等份角度間隔設置下述用以推升承受 器的推升器11 ’藉由推升器驅動部Ua而上下驅動。 於主腔室内設置有水平旋轉搬送台5〇，其用以將形成多 層膜之碟片基板101自真空玄關機構搬送至各成膜室以及 冷卻機構，且於腔室中央配置形成有軸51。於圖示箭頭方 向間歇地水平旋轉之旋轉軸52形成有排氣路53，連結於主 腔室外部之旋轉驅動部54以及排氣系5 5。 如圖2、圖3所示，搬送台5〇將旋轉軸52連結於台基體％ 中心，沿以軸51為中心之圓周，以對應於真空玄關機構、 各成膜室以及冷卻機構之排列的1〇等份之等角度間隔配置 而載置有複數個承受器57a〜57j。承受器搭載作為被處理 物之碟片基板101，並且作為真空玄關機構、各成膜室以 及冷卻機構之閥門蓋體而發揮功能。載置各承受器 57a〜57j之位置的台基體56上形成有開口 —藉由自台基 體推升承又器之推升器驅動部Ua而上下驅動之推升器（I 可貫通該開口 50a。 如圖所示成膜室3〇a〜30d形成為：於室頂部配置有作 I01899-990813.doc •10· 1332530 為錢射原料之目標3 1，而使室下部開口；以於該開口部33 配置搭載於承受器之碟片基板1〇1之方式，藉由推升器^ 按壓承受器57以使可密封開口部33。藉此，可進行如下控 制：藉由成膜室用排氣泵32,使成膜室内成為不同於主腔 至之搬送σ之作業空間的適於減:射之壓力。賤射係指於目 標側之電極與配置於碟片基板附近之電極間施加直流或交 流電壓’於成膜室内產生輝光放電並使所生成之離子衝擊 目標，濺射而於碟片基板上沉積，形成層者。該過程中， 碟片基板會被加熱而升溫。 繼而’就冷卻機構以及承受器進一步加以說明。於圖4 中，於主腔室10之厚板頂板12形成作為冷卻室41之貫通開 八腔至外側藉由外部蓋體42而被氣密地密封，該外部 蓋體42於周緣形成有〇_環之密封件42a。冷卻液供給管43& 與冷卻液排出管43b貫通外部蓋體42，於冷卻室側固定冷 卻板43。於冷卻板内部形成有冷卻液流通路，自冷卻液供 、·.σ f 43a供、.’σ之水等冷卻液會通過冷卻板，而自冷卻液 排出管43b排出’以此方式冷卻冷卻板。&而，於外部蓋 體42設有冷卻氣體導人管44，將來自將被冷卻之被處理物 之傳熱用氣體供給至冷卻室内。 載置於搬送台基體56之承受器57位於基體開口部5〇a 上’藉由開口部周緣保持為可藉由導銷59而上下移動。承 受态57包含安裝於基體56上之承受器台6〇,以及由設於台 上面中央部之柱㈣支持的皿狀碟片基板承受板Μ;於承 受板62之周緣形成有用以固定碟片基板之制動器㈠。承受 101S99-990813.doc •11 · 1332530 器台60之上面周緣部設有〇_環之密封件部64。 於對應於冷卻室41之主腔室下部13安裝有推升器n，以 使腔室壁於真空氣密狀態下可上下移動，如圖5所示，若 推升器11於箭頭方向上升，則會推升承受器台6〇，將作為 被處理物之碟片基板1〇1導入冷卻室41内，承受器台則會 被按壓至冷卻室周圍之頂板12的下面12a。頂板下面Ua與 承受器台之密封件部64氣密地密接，冷卻室與主腔室空間 氣密地隔離。於該狀態下，自冷卻氣體導入管钧導入He氣 體填充冷卻室，實現冷卻板43與碟月基板1〇1間之強制 熱。 如圖6所示，若推升器u於箭頭方向下降’則承受哭y 會自冷卻室隔離，返回至台基體56上。同時，冷卻室二開 放主腔室側，停止冷卻氣體之供給’被放出之氣體會擴： 士搬送台空間内，❿自排氣系55排出。再者，亦可於外部 盍體42設置冷卻氣體回收管，回收冷卻氣體。冷卻室之寬 度尺寸為可導入碟片基板之大小即可，因此碟片基板為直 徑12〇φ之DVD碟片用基板之情形下，可以稍大於12〇伞之 直徑形成，又高度可為厚㈣板12之厚度，而可製作為小 於成膜室之小徑。冷卻板43較好的是配合碟片形成為圓板 狀，但亦無需-定為圓板，可設為矩形或半圓形等面積小 於碟片者，通過旋轉碟片承受板62可獲得同樣之效果。 吉繼而’藉由圖1以及圖7⑷、圖叫，說明本實施形態之 理裝置的動作。用以將碟片基板ΗΠ搬出入主腔室 1〇之真空玄關機構2G之真空玄關真空室21由厚板頂板以 101899-990813.doc 12 1332530 中空内壁12b、由用以開關其外部之鎖定開口蓋體22以及 内部側之承受器57真空氣密地分割之空間而形成。鎖定開 口蓋體22於可旋轉之碟片搬送臂23之兩端安裝有一對，藉 由臂之旋轉而交替且氣密地嵌於真空玄關真空室21且可自 由裝卸。如圖7(a)所示，鎖定開口蓋體22具有吸附碟片基 板之機構’通過下面吸附由壓模機成型且被移送之碟 片基板101，並搬入至真空玄關真空室21内。 真空玄關真空室21於開放於大氣中之狀態下，可藉由推 升器11按壓承受器57而對其與主腔室10空間之間加以密 封，因此大氣不會流入至腔室内。鎖定開口蓋體22將碟片 基板101轉移至承受器57，若氣密地密封室，則藉由未圖 示之排氣系將真空玄關真空室21排為真空，成為與主腔室 10之環境氣體同等之氣壓。於該狀態下，推升器Η會下 滑，如圖7(b)所示，承受器57離開真空玄關真空室而返回 至搬送台50之定位置上。 對應於成膜室30以及冷卻室40之推升器^與真空玄關機 構之推升器之上下移動同步地上下移動，所有推升器同時 上升，又同時下降。即，於推升器U上升中，承受器57自 主腔室空間氣密地密封真空玄關真空室21、成膜室3〇以及 冷卻室40,藉由真空玄關機構實施碟片基板1〇1之搬出 入，藉由成膜至30勿別沉積一層，藉由冷卻室冷卻碟片 基板。 一製程時間結束後，承受器57離開各室返回至搬送臺 上，搬送台50旋轉，將各碟片基板搬送至下一室内。例如 10l899-990813.doc -13· 1332530 搬入至真空玄關真空室21之碟片基板被搬至冷卻室4〇a， 經冷卻室40a冷卻之碟片基板被搬至成膜室3〇a，經成膜室 30a>儿積一層膜之碟片基板被搬至下一個冷卻室4〇b。以下 連續地重複膜形成與冷卻’再次被搬至真空玄關真空室21 之碟片基板於經承受器密封之狀態下，藉由室内恢復為大 氣狀態之真空玄關機構20搬出至腔室外部，被搬送至下一 UV固化保護層塗布步驟。 圖8表不冷卻機構之變形例，除冷卻板43之外，可將推 升器11之軸設為冷卻路llc，冷卻推升器之推升器氣缸 lib。藉由推升器u推升承受器57時，推升器氣缸iib與承 受器底部相接觸’因此承受器57被冷卻。其結果為，承受 板62被冷卻，碟片基板1〇1自内外兩面被冷卻。藉此，可 進行有效之冷卻。 他變形例，圖9將冷卻室 於内部形成冷卻液流通 圖9至圖11係冷卻機構之進而其 之外部蓋體42本身設為外冷卻體 路47’自冷卻液供給管43&供·給冷卻液，並自冷卻液排出 管43b排出。圖10於外部蓋體42設置外部散熱片4“、冷卻 室内散熱片働’藉由來自外部之強制通風冷卻而冷卻冷 卻室。雖未圖示’但較好的是於室内灼 主門叼導入冷卻氣體。圖 11設置外部蓋體冷卻氣體導入管44鱼 4a興冷部氣體導出管 44b ’將來自將被冷卻之被處理物 〜得熱用氣體供給至冷 卻室内。 如上述說明，本實施形態之構成為 a ^ ^ ^ 成 ^ W真空玄關機構與 膜室間配置冷卻室’於被處理物蒋5 切移至進行下一處理期 101899-9908J3.doc •14· 1332530 間’通過冷卻室加以冷卻。以下，就該作用加以說明。 圖12表示沉積圖16所示之多層膜製作光碟時，成膜室 30a〜30d與冷卻室40a〜40e之基板處理溫度的測定結果。其 為於第一成膜室30a濺射成膜21^-8丨02介電體層1〇2，接著 進行冷卻’以下連續、交替地經過各成膜室、冷卻室，積 層記錄膜103-ZnS-Si〇2介電體層i〇4-Ag金屬反射層105之 情形的例。經過真空處理之所有步驟，將基板保持為50〇c 以下，藉此可抑制光碟之傾斜。 對於碟片基板之傾斜的影響如表1所示，若超過7〇艺， 則會於基板產生不可逆之扭曲，降低良品率。若為7(rc以 下，則扭曲為可逆，於常溫下難以產生傾斜。若為5〇t以 下，基板不會產生扭曲，濺射中上升溫度幅度可有餘裕， 可藉由增大濺射輸入電力，縮短濺射時間。藉此，可縮短 製程時間。 表1] 1處理溫度⑴ 傾斜狀況 7〇°C<t 5〇〇C^t<70〇C t^50°C 濺射中之變形未恢復 濺射中之變形恢復 濺射率上升 搬送至真空玄關機構之碟片基板為藉由前步驟之壓模機 而成型後不久之聚碳酸5旨合成樹脂基板時，基板本身會處 於加熱至室溫以上狀態’料高溫狀態之基板移送至第— 成膜室30a，則激射時會變盔审古> 、 π曰變為更尚之溫度，而使成膜狀態 劣化0於本實施形態中，逛ί + # 士 ’ 糟由於真空玄關機構20與第一成 10l899-990813.doc 1332530 膜室30a間配置第一冷卻室40a，暫時控制基板溫度，使溫 度降低’藉此可獲得適當之成膜。基板於真空玄關以前溫 度被充分控制時’則可空白冷卻室，或可省略冷卻室。 成膜室間之冷卻室40b〜40d將由於各成膜而升溫之基板 溫度降低至5(TC以下，減少基板與多層膜間產生之應力， 抑製成品化後傾斜的產生。 最終成膜室30d與真空玄關機構2〇間之冷卻室4〇e可防止 由成膜室30d加熱之基板經過真空玄關機構而被搬出至大 氣中時，與大氣相接觸而急速冷卻，使基板產生扭曲，故 而可緩和基板溫度之下降。與搬入至真空玄關機構時相 同，基板自真空玄關機構搬出後，溫度被充分控制時可使 該冷卻室空白’或省略該冷卻室。 如上所述，根據本實施形態，可保持處理基板溫度為贼 以下’充分抑亲’J具備多層冑之光碟所要求之傾斜或變形。 進而，本實施形態不僅適用於光碟，亦適用於由多層膜構 成之光學幹涉濾波器等光學零件。 圖13以及圖14表示本發明之其他實施形態，其構造為： 配置成膜室70以及真空玄關真空 别畀工至71，使兩者之中心位於 以水平旋轉搬送台之旋韓軸或士 认咕 、 疋锊釉81為中心的第一圓周幻上，且 等角度間隔地配置冷卻室9 〇 Ί尺丹T心位於直徑不同於該 第一圓周cl的第二圓周c2上。 冉者成膜至70、真空玄關 令心。 〇、° 0於4等至之承受器的 圖 13之情形Τ之構成為第二®周徑e2小於第 圓周徑 I01899-990813.doc • 16 - 圖14之情形下之構成為第二圓周徑。大於第一圓周徑 ,任構成較將成膜室與冷卻室排列於同一圓周上之情 形’皆可縮小成膜室排列之第—圓叫，可實現真空處理 襄置之小型化。冷部室之直徑於碟片基板為⑽♦徑之 DVD碟片之情形下，可形成為稍大於12"左右，為獲得 積於基板之多層膜之均質性，而於目標使用直徑大 於基板者，故而成膜室占直徑為基板徑2倍以上之區域。 因此，藉由使小徑冷卻室之排列徑不同於成膜室之配置 枚即使縮小成膜室間之間隔，亦可較容易地於其間配置 冷卻至’與同-徑之情形相比，可縮小主腔室之搬送台旋 轉之空間的直徑，可減小主腔室之排氣系的容量。 圖15表示如圖13以及圖14所示使配置冷卻室卯之圓周不 同於配置成膜室70以及真空玄關真空室71之圓周時水平旋 轉搬送台80的構成。承受器82如圖示虛線箭頭所示，可沿 以旋轉轴81為中心之台的半徑方向移動，推升器貫通之開 口 83形成於長孔。伴隨台之間歇旋轉’各承受器自第二圓 周c2向第一圓周ci交替地變換位置。該位置變化可藉由設 置導引件或使驅動源附屬於各承受器進行驅動而實現。 於以上實施形態中，於具有真空玄關真空室與4成膜室 之真空處理裝置中，就於各成膜室間配置冷卻機構之構成 的真空處理裝置加以闡述’但本發明並非限定於4成膜室 裝置，亦可適用於具有複數個處理室之裝置。 又，成膜室之一部分可包含具有電子射束之蒸發源而非 放電濺射源的成膜室。 I01899-9908J3.doc 17 1332530 又，雖省略碟片狀被處理物之掩模的說明，但不受有無 掩模之影響，可同樣適用於有掩模與無掩模之被處理物。 又，本發明除可適用於作為被處理物之如光碟般多層膜 形成合成樹脂基板以外，亦適用於多層膜之形成會對基板 之扭曲造成影響的較薄玻璃基板上形成多層膜之光學濾波 器等光學零件。 【圖式簡單說明】 圖1係表示本發明之一實施形態之平面概要圖。 圖2係表示以A_A線切斷圖！之剖面概要圖。 圖3係一實施形態之水平旋轉搬送台之平面概要圖。 圖4係表示一實施形態之冷卻機構之剖面圖。 圖5係說明一實施形態之冷卻機構之動作的剖面圖。 圖6係說明一實施形態之冷卻機構之動作的剖面圖。 圖7(a)、圖7(b)係說明一實施形態之動作的概要圖。 圖8係表示冷卻機構之變形例的剖面圖。 圖9係表示冷卻機構之變形例的剖面圖。 圖1 〇係表示冷卻機構之變形例的剖面圖。 圖11係表示冷卻機構之變形例的剖面圖。 圖12係表示—實施形態之被處理物成膜時之溫度的曲線 圖。 圖13係表示本發明之其他實施形態之平面概要圖。 圖14係表示本發明之其他實施形態之平面概要圖。 圖15係適用於本發明之其他實施形態之水平旋轉搬送台 的平面概要圖。 σ 101899-990813.doc •18- 1332530 圖16係光碟基板之一部分放大剖面概要圖。 圖17(a)係先前裝置之平面概要圖，圖17(b)係沿（a)之A-A線的剖面概要圖。 【主要元件符號說明】 10 主腔室 11 推升器 20 真空玄關機構 30(30a~30d) 成膜室 40(40a~40e) 冷卻室（冷卻機構） 50 水平旋轉搬送台 51 轴 52 旋轉軸 56 台基體 57(57a~57j) 承受器 43 冷卻板（冷卻體） 44 冷卻氣體導入管 101 碟片基板（被處理物） 19· 101899-990813.doc

Claims (1)

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十、申請專利範圍： 、 1. 一種真空處理裝置’其特徵在於具備： 主腔室，其可排氣為真空狀態； 之真空狀態，並 真空玄關機構，其可保持上述主腔室 將被處理物搬出入於上述主腔室内外. 一土门7瓜取上迷破處 理物之搬送路，且配置有搭載被處理物之承受器； 複數個成膜室，其於上述主腔室内，沿以上述旋轉搬

送台之旋轉軸為中心的圓周而配置，於上述被處理物多 層地沉積膜；以及 室間以冷卻 冷卻機構，其分別配置於上述複數個成臈 上述被處理物；且 上述冷卻機構包含冷卻室，該冷卻室具有導人氣體之 導入部’且該冷卻室包含具有冷卻面之冷輕，可與上 述主腔室之m氣密地隔離，上述承受器可藉由推升器 之推升被按壓至上述冷卻室之開σ⑼成為氣密，同時 使上述被處理物與上述冷卻體之冷卻面相對面。 2. 如請求们之真空處理裝置，#中將冷卻機構配置於上 述真空玄關機構與上述成膜室之間。 3. 如請求们之真空處理裝置，#中將被搬送之上述被處 理物之中心的執跡設為搬送路時，藉由水平之上述旋轉 搬运台之旋轉之搬送路係、描繪_定之圓，且上述真空玄 關機構、上述成膜室、以及上述冷卻機構係沿該圓並以 上述旋轉軸為中心而以一定之角度間隔配置。 101899-990813.doc 4·如請求们之真空處理裝置，其令於以上述旋轉搬送台 轉袖為令心之第一圓周上配置上述成膜室，於第二 圓周上配置上述冷卻機構，上述第二圓周與上述第— 周的直徑相異。 5.如請求項4之真空處理裝置，纟中於上述搬送旋轉臺上 設有搭載被處理物之承受器，上述承受器可於上述第— 圓周與第二圓周間，於上述搬送旋轉臺上且於半徑方向 移動。 ^ ^ 6·如請求項1之真空處理裝置，其令於上述主腔室内，上 述:個冷卻室所占區域小於上述—個成膜室所占區域。 7. 如清求項1之真空處理裝置，1中 設定溫度。 /、中上述各冷部室可分別 8. 之真空處理裝置，其中於上述成膜室進形成 9. 、錄^理物為具有合成樹脂基板的碟片狀被處理物。 一種光碟之製 滅射步驟，於人成樹月匕雄於被排氣之環境内實施複數個 膜而獲得多層碟片基板上連續地形成錢射沉積 間插入冷卻步驟 ''寺徵在於·於各個上述各錢射步驟 載之心機槿…並於該冷卻步驟使用如請求項1所記 戰之冷部機構，佶μ 更上述基板之溫度維持為最高5〇〇c。 I0I899-9908I3.doc