TWI345237B - - Google Patents

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1345237 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種真空處理裝置，其於光碟、光學零件 等基板連續地沉積多層膜。 【先前技術】 近年來，CD(緊密光碟）、DVD(數位化通用光碟）等光碟 呈現多樣化，唯讀資訊媒體，進而作為可記錄之光資訊媒 體的實用性逐步提高。通常使用成形收縮率、膨服係數較 低之合成樹脂，代表性的是聚碳酸§旨作為碟片基板材料， 於唯讀碟片之情形下，於基板面藉由訊坑行形成資訊，於 可記錄碟片之情形下，於基板面形成作為雷射用執道之導 引溝’並於其面上沉積包含記錄層之多層臈而構成。 圖11表示可記錄光碟之結構的一例，於透明之〇6職厚 之聚碳酸酯基板1 〇 1之一側面上形成有導引光學頭之雷射 光的導引溝101a，於該面上依次沉積有第i介電體層1〇2、 相變化記錄層103、第2介電體層1〇4以及反射層1〇5，進而 塗布有uv固化保護層106。進而，介以貼合黏接層ι〇7貼 合該多層膜基板與其他0.6 mm厚之聚碳酸酿基板ιι〇，藉 此獲得約1.2 mm厚之光碟。 由於記錄於碟片的資訊量增大’故需要用以實現記錄資 訊之高密度化、讀取速度之高速化之可確實讀取的膜結構 (專利文獻D。為回應如此之需求，要求對於形成膜之褒 置，可通過增加多層膜之層數或細微調節層厚度等而進— 步提高其性能。 101901.doc 1345237 例如’圖12表示DVD-RAM形之層結構，於碟片基板201 之形成有導溝20 la之表面，依次疊層形成有第1介電體膜 層202、第1界面層203、相變化記錄層204、第2界面層 2〇5、第2介電體膜層2〇6、熱缓沖層207、反射層208、保 護層209、黏接層210及作為防護罩之聚碳酸酯碟片基板 211 °該等之中，自第1保護層202至反射層208為止，係於 一個真空處理裝置中一併被沉積，但相應於多層膜之層數 增加’必須增加沉積各層之成膜室數。 > 圖13係表示先前之多層膜形成用真空處理裝置之一例 者°於可保持為真空之腔室120設置有加載互鎖機構121， 進而於腔室内’第1至第8成膜室122a〜122g、包含加載互 鎖機構121在内沿圓周以位於圓周之45度間隔之方式配 置。於腔室120之中央配置有具有搬送基板之臂的旋轉台 123 ’藉由具有排氣口之軸124於水平面内間歇性地旋轉。 自加載互鎖機構121搬入之碟片基板移送至第1成膜室 122a，藉由濺射沉積膜202。繼而，第2成膜室122b以下被 φ依—人移送並〉儿積多層膜，返回加載互鎖機構121並自腔室 120搬出至外部。於被搬出之多層膜形成基板塗布、貼合 有保護層209 ’介以黏接層21〇貼合其他〇 6爪⑺厚之聚碳酸 醋基板2H，藉此可獲得光碟。於以上，多層膜形成間隔 時間受成膜所需時間最長之成膜室限制。 通常真空處理裝置係於配置於腔室内之旋轉臺上搭載作 為被處理物之碟片基板’並送至於圓周上留有間隔而配置 的成膜室，重疊成膜者，但隨著多層膜數量增多，而增加 I01901.doc 1345237 成膜室’故圓周之半徑增大。因此，内置搬送台之腔室之 尺寸擴大’排氣容量顯著增加，排氣為真空之排氣系統的 容量亦必須增大至必要以上，故呈現大型化。相同地，旋 轉臺上之被處理物之搬送圓周擴大，於實行用以縮短產出 間隔時間之台之高速化時，無法忽略對被處理物施加的離 心力。又，旋轉台之間歇驅動控制變得複雜。 [專利文獻1]日本專利特開2〇〇1 _209974 [發明所欲解決之問題] 於先刖之真空處理裝置中，當於真空搬送空間中水平旋 轉間歇搬送，並於實施一系列成膜處理之裝置中增加成膜 處理至時’其呈現大型化。χ，為處理多種膜結構，於製 作成膜數較少之多層膜之情形時，會成為多餘的處理室。 又’雖然亦考慮到使複數台處理裝置排列而成膜，但由於 會於處理中自真空空間移至大氣中’故存在如難以穩定地 獲得產品品質的問題。 本么月係了尚效且尚可靠性地疊層各種種類、厚度之

，而可抑制由於處理步驟之增加、複雜化引起之成膜 室數量之增加而^致的冑置大型化，⑽而實現製造裝置之 小型化’獲得可對應於多種生產步驟的真空處理裝置者。 【發明内容】 根據本發明之一態樣，其係一種真空處理震置，其特德 在：包含：第1成膜處理部，該第i成臈處理部包含有第 腔室’其可排氣為真空狀態，第!旋轉搬送台，其配置於 乂第腔至内，以固定角度間隔具備搭戴被處理物之;i 10I901.doc 1345237 數個感又器’並形成上述被處理物之搬送路，以及複數個 成膜室’其於上述第1腔室内’沿以上述旋轉搬送台之旋 轉軸為中心之圓周而配置，於藉由上述旋轉搬送台搬送之 上述被處理物多層地沉積膜； 第2成膜處理部，該第2成膜處理部包含有第2腔室，其 可排氣為真空狀態，第2旋轉搬送台，其配置於上述第2腔 至内以固疋角度間隔具備搭載被處理物之複數個感受 器’並形成上述被處理物之搬送路，以及至少一個成膜 • 室，其於上述第2腔室内，沿以上述第2旋轉搬送台之旋轉 軸為中心之圓周而配置，於藉由上述第2旋轉搬送台搬送 之上述被處理物沉積膜； 連結部，其連結上述第丨成膜處理部與上述第2成臈處理 部，相互轉移藉由該等第丨與第2成膜處理部處理之被處理 物；以及 加載互鎖機構，其設置於上述第丨成膜處理部、上述第2 成膜處理部及上述連結部中之任一者中，以於上述腔室之 _ 内外保持真空狀態之方式搬出入上述被處理物。 進而，可使上述第1成膜室與上述第2成膜室之數量不 同〇 進而，可相應於所需要之成膜處理室數，連結上述兩個 成膜處理部而實施一系列處理，或於上述兩個成膜處理部 中並行地控制相同之處理。 進而，上述第1成膜處理部與上述第2成膜處理部可於各 自之成臈室間配置用以冷卻被處理物的冷卻室。 101901.doc 1345237 又，可具有運轉控制部，其以上述加載互鎖機構配置於 上述第1成膜處理部，自上述加載互鎖機構搬入至上述第1 腔室之被處理物藉由上述第丨旋轉台被搬送，並於上述第i 成膜室中成膜，移送至上述連結部，自上述連結部藉由上 述第2成膜處理部之第2腔室之上述第2旋轉台而被搬送， 並於上述第2成膜室中成膜，所成膜之被處理物經由上述 連結部搬送至上述第丨旋轉台，於上述第丨成膜室中成膜， 並自上述加載互鎖機構取出之方式加以控制。 上述加載互鎖機構設置於上述連結部，上述連結部具有 上述被處理物之轉移機構，上述轉移機構可兼作上述加載 互鎖機構。 上述連結部於上述第i成膜處理部與上述第2成膜處理部 具有轉移被處理物的部位，至少一方之轉移部位可兼作冷 卻室。 進而，於上述第1成膜處理部及上述第2成膜處理部之至 少一方連結有第3成膜處理部。 上述第3成臈處理部包含有：第3腔室，其可排氣為真空 狀態；第3旋轉搬送台，其配置於上述第3腔室内，以固定 角度間隔具備搭載被處理物之複數個感受器，並形成上述 被處理物之搬送路；以及第3成膜室’其於上述第3腔室 内，沿以上述旋轉搬送台之旋轉軸為中心之圓周而配置， 於藉由上述旋轉搬送台所搬送之上述被處理物沉積膜。 [發明之效果] 本發明係可高效且高可靠性地疊層各種種類、厚度的膜 10I901.doc 1345237 者。進而可抑制由於處理步驟之增加、複雜化引起之成膜 至數罝之增加而導致的裝置大型化，從而可實現製造裝置 之小型化。藉此可獲得可對應於多種生產步驟的真空處理 裝置。 再者，於本發明中，真空係指與大氣相比被減壓之狀 態，真空處理係指於減壓下施行濺射成膜等的處理。 【實施方式】 以下，根據圖式說明本發明之實施形態。本發明係一種 真二處理裝置’其於可排氣為真空狀態之腔室内連結具備 搬送台、成膜室之複數個成膜處理部，將一個被處理物搬 送至該等成膜處理部内，於連續步驟中多層地成膜；根據 實施形態詳細地加以説明。 (實施形態1)

圖1至圖3係表示本發明之一實施形態者❶如圖丨所示， 可排氣為真空之主腔室丨藉由本體2與頂部蓋體3形成於水 平方向逐漸降低地延伸之瓢形真空室4。於構成其一方之 膨大部之第丨腔室U分割第i成膜處理部1G，於構成其他膨 大部之第2腔室21分割第2成膜處理部2〇，於瓢形之頸口部 分連結第1成膜處理部10與第2成膜處理部2〇，分割形成於 共用第1與第2腔室間之真空空間的連結部3〇。其中較好的 是真空度符合成膜室之最佳放電條件，例如為i〇_lpa。 第1成膜處理部10具備4個成膜室12a、12b、12c、I2d, 該等之中心位於以第i腔室u之中央附近為中心之特定半 徑rl的圓周^丨上，並將該等成膜室間之4處設為室間部 I01901.doc 1345237 位。其中’於成膜室12a、12b間配置有冷卻室i3a，於成 膜室…、12d間配置有冷卻室⑶。進而，於成膜室⑶、 ·]配置有加载互鎖機構14 ,於成膜室丨2b、12c間配置 2連結部30之第〗轉移部位31。加載互鎖機構之加載互鎖 至14a與第i轉移部位31於對向於第！腔室u之中心的位置 上，配置於將主腔室本體丨分割為圖示上下兩部分之線對 稱位置上。該加載互鎖室14a可兼作冷卻室。 如圖2所示，於第1腔室11之中心設置有搬送旋轉台15， 鲁其具有例如於箭頭方向旋轉之旋轉轴。旋轉台以將對應於 ^述成膜室、冷卻室、加載互鎖室及轉移部位之圓周8等 分^45度間隔，使中心位於圓周cl之方式配置感受器16。 感受器16搭載包含掩模51、52之被處理物即碟片基板50， 並搬送至各部位，並且由於阻塞成膜室及冷卻室之開口 部，而作為可保持密封之蓋體發揮作用，故其係配置有感 受器基體！6a與於其上搭載被處理物之固持器⑽的結構。 該等感受器i 6以可上下移動之方式安裝於感受器凹孔 φ 15b’該感受器凹孔15b沿搬送旋轉台15之台板…之圓周 而設置。於對應於第丨腔室之各部位之腔室底部2安裝有被 稱為推進器17的感受器上推機構，當以圖示箭頭之方式向 上方驅動推進器活塞17a時，上推到達至其位置之感受器 16 ’於圖2中密封成膜室12b與加載互鎖室Ma之開口。 於實際之裝置動作中’藉由推進器同步並同時上推包含 冷卻室部位之全部8個感受器。完成任務並且推進器下 降’感受器16藉由彈簧16c返回至台板…上，台以45度間 I0l901.doc •12· 1345237 歇旋轉，將感受器移動至下一個部位 再次驅動推進器17，實施處理。 、下一個部位中’ ^室之排氣藉由外部排氣栗（未圖示）㈣行，其連❹ /成於搬送㈣台之旋轉轴15e的排氣路…。、 如圖4所示，被處理物碟 時，由直徑120 、厂t 於DVD碟片之情形 φ厚度〇.6 mm之合成樹脂，換言之聚碳 酸酯的碟片構成，於中央部具有孔、 τ天。卩附近與四周部 成m，於中央部安裝碟片狀内部掩模51、於四 周部安裝環狀外部掩模52’於此狀態下，一體地被搬送並 成膜。兩掩模藉由磁性體而形成，内部掩模之下部且有機 械性制動器53’插入於碟“ L，從而藉由該制動器保持碟 片。因此當藉由電磁夾盤抬起内部掩模時，光碟亦同時被 抬起。 成膜室叫⑵至12d)於所搬入之碟片基板上藉由濺射沉 積覆膜賤射係藉由於目標12!側之電極與配置於碟片基 板側附近之電極間施加直流或者交流電壓，於成膜室内2 •生輝光放電並使所生成之離子衝擊目標，而使微細之目標 物質飛出，沉積形成於碟片基板者。 冷卻室13(l3a、13b)具有於室内配置冷卻板，該冷卻板 與被搬入之碟片基板相對峙，導入冷媒氣體並將碟片基板 之熱莖傳導至冷卻板側而冷卻的結構。當藉由前步驟之成 膜至之濺射’碟片基板被加熱並升溫時，則於真空中難以 冷卻。因此’藉由於真空連續處理之成膜步驟間，加入真 空冷卻步戰’而可使下一步驟之成膜於所期望之碟片基板 10l90l.doc •13- 溫度中實施。 加載互鎖機構14係將位 扣班 乳中之碟片基板以未破壞真 二環境之方式搬出入於真空 具工腔至内的機構，於可旋轉之取 臂⑷之兩端部設置加載互鎖室上蓋14el、14e2,交替 1 也於加載互鎖室14a與外部輸送帶間搬送。當藉由電磁爽 盤14d搬運所處理之碟g * ^ £之碟片基板Μ之加載互鎖室上蓋14c2氣

也密封加載互鎖至之外開σ…丨時，藉由推進器17而被 上推之感受器16密封加載互鎖室内側開口 Ma2，同時接收 附有掩模之碟片基板5G。當加載互鎖室14a藉由附屬排氣 系統(未圖示)而被排氣，成為與腔室内之真空度相同程度 之真空度時，推進器下降’加載互鎖室…開放腔室側， 使未處理之碟片基板50载於搬送旋轉基板15。

於最、、、成膜至12d中完成沉積多層膜之處理的碟片基板 ’精由旋轉台搬送至加載互鎖室14a部位。當該部位之 2進器17上推搭載有碟片基板5〇之感受㈣，使感受器氣 岔地密著於加載互鎖室之内側開口 14a2，則同時於上蓋 14c2電磁夾持有附有掩模之碟片基板。於該狀態中，當加 載互鎖室14a藉由附屬排氣系統而洩漏成大氣壓為止時， 上蓋14c2藉由松脫臂14b而被抬起，並被移送至輸送機位 置為止。同時，另一方之上蓋14(：1自外侧開口 14ai將安裝 有掩模之新的未處理碟片5〇搬送至加载互鎖室14a，自大 氣密封加载互鎖室。之後，於上述步驟中，搬送至第 膜室12a内。 除未包含加載互鎖室以外，第2成膜處理部20與第1成膜 101901.doc •14· 1345237 處理部ίο具有相同之結構。其構造為：沿以形成於圓形膨 大部之第2腔室21之大致中央部為中心的特定半徑之圓 周，交替配置4個成膜室22a至22d與三個冷卻室23a至 23c，於第1成膜室22a與第4成膜室22d間之冷卻部位位 置，配置連結部30之第2轉移部位32»於腔室内，於腔室 中央配置具有旋轉軸之搬送旋轉台25(圖3)，將搬送至轉移 部位32之碟片基板搬送至各成膜室22a至22d。換言之，依 次搬送至成膜室22a、冷卻室23a、成膜室22b、冷卻室 • 23b、成膜室22c、冷卻室23c以及成膜室22d而使其成膜之 後，再次搬送至轉移部位32，介以連結部3〇返回至第上成 膜處理部1 0側之第1轉移部位。 再者’腔室之排氣藉由外部排氣泵（未圖示）實行，該外 部排氣泵係與第1成膜處理部之排氣系統共用，連結於形 成於搬送旋轉台之旋轉軸（未圖示）的排氣路中。 連結部30藉由自第1腔室11與第2腔室21連續之腔室壁33 所包圍之腔室的連結空間’共通地連結兩腔室丨丨、2丨之真 φ 空空間。連結部30於第1成膜處理部1〇側具有第}轉移部位 3 1 ’於第2成膜處理部側20具有第2轉移部位32，於其間配 置有轉移機構34(圖3)。轉移機構包含於中央部具有旋轉轴 35之取放臂36’以及設置於其兩側之電磁炎盤η,夢由連 結於叙轉轴之馬達38$疋轉控制臂36。電磁夹盤37包含内部 掩模用37i與外部掩模用372，内部掩模位置係圓周c3，

-EU 連接於旋轉台15、25之圓周cl、c2。 驅動設置於第1腔室11側之轉移部位3 1之推進器丨7， 1 101901.doc - 15 - 1345237 第1旋轉台15側之一方之夾盤37A吸附有附有掩模之碟片基 板50丨。同時’第2腔室21側之第2轉移部位32之推進器172 動作，上推第2腔室側之感受器26，於另一方之電磁夹盤 3 7B吸附有附有掩模之基板5〇2。當兩基板吸附於臂36側 時，將兩推進器引入至下方，各自之感受器返回至旋轉臺 上。繼而臂36旋轉180度，替換配置基板5〇1與5〇2之部位位 置》推進器17,、172再次動作、上升，上推各感受器並使 其抵接於上述經替換之碟片基板，另一方面，藉由停止電 磁夾盤之動作，各個碟片基板搭載於感受器。藉由重複該 動作，於真空中可容易、連續地實行兩腔室間之基板之替 換。 如上所述’纟實施形態之真空處理農置之結構為包含： 第1成膜處理部10，其具有4個成膜室、兩個冷卻室以及— 個加載互鎖室；以及第2成膜虚理 取臊爽理邠20，其具有4個成膜j 以及3個冷卻室；且藉由造έ士 稭甶連結部而於共用真空空間内連矣 兩處理部。 藉由用兩個成膜處理部連螬报杰玄思二 丨埂π形成多層成膜，可使裝置| 體緊密化。於使用旋韓Α夕吉六.击体 疋轉口之真空連續膜形成中，當增加居

膜部位或冷卻部位，旋轉A 疋^ 口 +位酼部位數而成正比地招 大’腔室容積增大約半徑辦 數值的平方。本實施形慰 :由料增大連結部之空間，即可抑制真Μ間至最小阳 而可提向排氣效率。又，搬送旋轉台之直徑較小^ 谷易地控制驅動馬達，而杏 吻了只仃迅迷之間歇旋轉。 繼而’就製造具有圖12 户 斤不之夕層膜之光碟之情形時本 101901.doc -16, 1345237 實施形態之裝置的運轉，使用圖5加以説明。 夕層膜雖然係7層，但第i介電體膜2〇2係ZnS_si〇2等絕 緣體材料’而且與其他層相比需要確保厚纟，因此使用兩 個成膜室分擔成膜。藉由分擔成膜可縮短生產間隔時間。 真空處理裝置之各成膜處理部及連結部藉由運轉控制部 6 0而一併被控制。 (1)第1成膜處理部10 1-1加載互鎖機構14 —使藉由壓模機成型之附有導溝之 聚碳酸酯基板附有掩模，搬入至加載互鎖室14&内。 1-2第1成膜室（1) 12a—於搬入基板上濺射成膜第丨介電體 膜之一部分》 1-3冷卻室13a—冷卻自第！成膜室（1)取出之基板。 1-4第1成膜室（2) 12b—於搬入基板上濺射第i介電體膜殘 留之一部分’成膜為特定之厚度。 1-5將成膜有第1介電體膜層之基板轉移至第1轉移部 位。 1-6於第1轉移部位，將藉由第2成臈室（4)成膜有第2介電 體膜層之多層基板搬送至第1成膜室（3)。 1-7第1成膜室（3) 12c —於所搬送之基板上濺射成膜熱緩 沖層。 1-8冷卻室13b—冷卻自第1成膜室（3)取出之基板。 1-9第1成膜室（4)12d—於所搬送之基板上濺射成膜金屬 反射層。 1-10將自第1成膜室（4)取出之基板搬送至加載互鎖室14a 101901.doc - 17- 1- 11自加載互鎖室14a取出經多層成膜之基板。 (2) 連結部30 2- 1將搬送至第1轉移部位31之基板轉移至第2轉移部位 32 〇 2- 2同時將搬送至第2轉移部位32之基板轉移至第丄轉移 部位3 1。 (3) 第2成膜處理部20 3- 1將搬入至第2轉移部位之基板搬送至第2成膜室（1)。 3-2第2成膜室（i)22a—於所搬送之基板上濺射成膜第1界 面層。 3-3冷卻室23a—冷卻自第2成膜室（1)取出之基板。 3 4第2成膜至（2)22b —於所搬送之基板上賤射成膜記錄 層。 3-5冷卻室23b—冷卻自第2成膜室（2)取出之基板。 第2成膜室（3)22c —於所搬送之基板上賤射成膜第2界 面層。 3-7冷卻室23c—冷卻自第2成膜室（3)取出之基板。 3-8第2成膜室（4)22d—於所搬送之基板上濺射成膜第2介 電體膜層》 3-9將經成膜之基板搬送至第2轉移部位。 一片碟片基板之製造製程中，第1成膜處理部10之步驟 1-6至Ι-ll係第2成膜處理部2〇之處理步驟之後面步驟。 再者’於本實施形態中，雖然將第1成膜處理部與第2成 101901.doc 、 P之旋轉台的旋轉方向設為相同方向，但是各成膜 處理部相；^ & 1 反目由，可相應於被處理物而設定。又，各感受 器之動作亦可分別地加以控制’實行必要之處理。 血根據本實施形態，由於於小型化之裝置内可組入成膜室 〃冷卻室之纽合等多個步驟，故可於各種條件下處理經單 片式處理之夕層膜基板，可提高膜厚之均一性、膜質之均 質性，從而獲得高品質的多層膜基板。 進而，根據本實施形態之結構，可對應於多種生產步驟 的變化。 對於圖11所示2CD_R4層結構之多層臈的製造，可僅使 第1成膜處理部10運轉而成膜，或者可於第丨及第2之兩個 成膜處理部同時進行相同之成膜處理而成膜。又，可相應 於多層膜之種類，使一方之成膜處理部實施兩次成膜處 理。 如此’對應於光碟之品種可柔軟地實行步驟之切換，而 可以不會產生無用之成膜室之方式進行生產。 (實施形態2) 本實施形態如圖6所示，雖然第1成膜處理部1〇與第2成 膜處理部20之配置與實施形態1相同，但是第2實施形態之 第2成膜處理部20之成膜室數不同於實施形態1，設為三個 (22a至22c) ’冷卻室則設為兩個（23a、23b)。其他部分相 同’相同部分標有相同符號，省略説明。對應於光碟之多 種品種，相比第1成膜處理部1 〇而減少第2成膜處理部20之 成膜室數’藉此可將腔室容積設定為所需之最小限度，進 101901.doc 1345237 而可實現緊密化、縮小設置面積、提高控制容易性。再 者’可使轉移部位3 1、32之至少一方兼作冷卻室。 (實施形態3) 本實施形態如圖7所示，雖然第丨成膜處理部1〇與第2成 膜處理部20之配置與實施形態i相同，但是其構成為：將 加載互鎖機構14 A配置於實施形態1之冷卻室13 a的位置 上，於實施形態1之加載互鎖室14A之部位設置冷卻室 13c »其他部分相同，相同部分標有相同符號，省略説 明。於本實施形態中，亦可使其與實施形態丨同樣地動 ’作。 (實施形態4) 本實施形態如圖8所示，雖然第丨成膜處理部1〇與第2成 膜處理部2〇之配置與實施形態丨相同，但是其係將加載互 鎖機構14B配置於實施形態！之第i成膜室（2)m之位置上 的結構。於實施形態1之加載互鎖室i4a之部位設置冷卻室 13c與實施形態3相同。其他部分與實施形態i相同，相同 φ部分標有相同符號，省略説明。於本實施形態中，亦可使 其與實施形態1同樣地動作。 (實施形態5) 本實施形態如圖9所示，其係將加載互鎖機構7〇設置於 連結部30的結構。再者，與實施形態1相同部分標有相同 符號’省略説明。加載互鎖機構7〇兼具原有之加載互鎖作 用以及於第1成獏處理部與第2成膜處理部間轉移基板之作 用’並包含配置於連結部之加載互鎖室71，以及三根臂狀 101901.doc -20· ⑧ 1345237 之取放臂72 ’其向該加載互鎖室71、第1成膜處理部l〇側 之第1轉移部位31及第2成膜處理部20側之第2轉移部位32 之3方延伸，以各12〇度間隔配置。 各成膜處理部之搬送旋轉台為於垂直方向具有旋轉軸之 水平旋轉台形式時，搭載於各感受 器之被處理基板以上置 之狀態被搬送。因此，將安裝於取放臂72之各臂之電磁夾 盤面向下方配置’搬送至各轉移部位及加載互鎖室之被處 理物相應於臂之上下移動，而以懸吊狀態固定於感受器上 > 方’藉由臂之120度旋轉轉移至其他部位。加載互鎖室71 於腔室之下方開口，自下方搬出入非處理基板。於將取放 臂72於圖示箭頭方向旋轉之情形時，自第2成膜處理部2〇 開始成膜，經由連結部而於第丨成膜處理部1〇實行後半步 驟之成膜處理。再次將經成膜處理之基板搬送至第1轉移 部位31，轉移至加載互鎖室71並搬出至外部。再者，旋轉 方向於各成膜處理部、連結機構中可分別選擇任意之方 向0 • 由於本實施形態於第1、第2成膜處理部間配置有加載互 鎖機構，故可提高成膜處理部之獨立性，將對應於光碟品 種之步驟切換變得更為容易。 (實施形態6) 貫細形L如圖1 〇所示，其係於具有加載互鎖機構1 之第1成臈處理部10，除第2成膜處理部20之外亦分支設置 第3成膜處理部80者。第3成膜處理部80具有搬送旋轉台、 成膜室，藉由連結部81而與第丨成膜處理部1〇連結。再 10l90I.doc •21 · 1345237 者’與實施形態1相同部分標有相同符號，省略説明。本 例中’將第1成膜處理部10之第1成膜室設為4個（12a至 12d) ’將冷卻室i3a設為一個，將第2成膜處理部20之第2 成膜室數設為三個（22a至22c)，將第3成膜處理部80之第3 成膜室數設為兩個（82a、82b)。根據本實施形態，藉由相 應於疊層之多層膜之種類而分配成膜處理部，可實行精密 之趟射控制’進而可容易地使間隔時間保持一致，又，賤 射物質於腔室内黏結亦於限定範圍内，清潔等維護亦容 實行。 以上’藉由實施形態說明了本發明，但並非限定於該等 實施形態者，於未脫離本發明之範圍 μ 开， J貝订谷種變 【圖式簡單說明】 圖1係實施形態1之平面略圖。 圖2係沿A-A線切斷圖1之剖面略圖。 圖3係沿B-B線切斷圖1之剖面略圖。

圖4係裝有掩模之碟片基板的剖面略圖 圖5係說明實施形態丨之運轉的步驟圖。 圖6係貫施形態2之平面略圖。 圖7係貫施形態3之平面略圖。 圖8係實施形態4之平面略圖。 圖9係實施形態5之平面略圖。 圖1〇係實施形態6之平面略圖。 構的剖面略圖 圖11係說明光碟之多層膜結 101901.doc •22· 1345237 圖12係說明光碟之多層膜結構的剖面略圖。 圖13係先前裝置之平面略圖。 【主要元件符號說明】

1 主腔室 10 第1成膜處理部 11 第1腔室 12(12a, 12b, 12c, 12d) 第1成膜室 13 冷卻室 14 加載互鎖機構 14a 加載互鎖室 15 第1搬送旋轉台 16 感受器 16a 感受器基體 16b 固持器 17 推進器 17a 推進器活塞 20 第2成膜處理部 21 第2腔室 22(22a, 22b, 22c, 22d) 第2成膜室 23(23a, 23b, 23c) 冷卻室 25 第2搬送旋轉台 30 連結部 31 第1轉移部位 32 第2轉移部位 101901.doc -23 - 1345237 34 轉移機構 35 旋轉軸 36 取放臂 37(37A, 37B) 電磁夾盤 50 碟片基板 51 内部掩模 52 外部掩模 60 運轉控制部

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Claims (1)

1345237 第094115932號專利申請案 -一- 中文申請專利範圍替換本(100年1月）丨月3|曰修正替換頁 十、申請專利範圍： - 1. -種真空處理裝置，其特徵在於具有：^成膜處理 冑，其包含第i腔室’其可排氣為真空狀態’第i旋轉搬 送台’其配置於上述ΙΠ腔室内，形成被處理物之搬送 路’以及至少一個第i成膜室，其沿以上述第以走轉搬送 台之旋轉輛為中心之圓周配置於上述第丨腔室内，於藉 由上述第1旋轉搬送台搬送之上述被處理物上沉積膜； 第2成臈處理部，其包含第2腔室，其與上述第丨腔室 • 共用真空空間，第2旋轉搬送台，其配置於上述第2腔室 内，並形成上述被處理物之搬送路，以及至少一個第2 成膜室，其沿以上述第2旋轉搬送台之旋轉軸為中心之 圓周而配置於上述第2腔室内，於藉由上述第2旋轉搬送 台搬送之上述被處理物上沉積膜； 連結部，其以共用上述真空空間之方式連結上述第i 成膜處理部與上述第2成膜處理部，並相互轉移於該等 第1與苐2成膜處理部中經處理之被處理物；以及 •加載互鎖機構，其設置於上述第1成膜處理部、上述 第2成膜處理部及上述連結部之任意一者中，於上述腔 室内外保持真空狀態並將上述被處理物搬出或搬入。 2. 如請求項1之真空處理裝置，其中上述第1成膜室與上述 第2成膜室之數量不同。 3. 如請求項1或2之真空處理裝置’其中相應於所需之成膜 處理室數’連結上述兩個成膜處理部而實行一系列處 理’或於上述兩個成膜處理部同時進行相同之處理而加 10190M000128.doc 1345237 1碎丨月恥修正替換 以控制。 4.如請求項1之真空處理裝置，其中上述第！成膜處理部與 上述弟2成膜處理部配置有冷卻室，其於各成膜室間冷 卻被處理物。 5. 、月求項1之真空處理裝置，其中更具有運轉控制部， 其以述加载互鎖機構配置於上述第ι成膜處理部，自 上述加载互鎖機構搬入至上述第!腔室之被處理物藉由 上述第1旋轉台而被搬送，於上述第】成膜室内成膜，並 移送至上述連結部，藉由上述第2成膜處理部之第2腔室 =上述第2旋轉台而自上述連結部搬送，於上述第2成膜 室内成膜’經成膜之被處理物經由上述連結部，搬送至 上述第1旋轉台，於上述第!成膜室内成膜，並自上述加 載互鎖機構取出之方式加以控制。 6·如請求们之真空處理裝置’其中上述加載互鎖機構設 ;上述連結部，上述連結部具有上述被處理物之轉移 機構，上述轉移機構兼作上述加載互鎖機構。 7. 如請求们之真空處理裝置，其中上述連結部於上述第！ 成膜處理部與上述第2成膜處理部更具有轉移被處理物 之轉移部位，且至少—方之轉移部位兼作冷卻室。 8. 如請求们之真空處理裝置，其中於上述^成膜處理部 及上述第2成膜處理部之至少一方’連結有第3成膜處理 部； j述第3成膜處理部包含：第3腔室，其可排氣為真空 狀態，第3旋轉搬送台，其配置於上述第3腔室内，形成 10I901-1000128.doc 1345237 /ί時丨月3丨日修正替細丨 ^：--1 被處理物之搬送路，以及第3成膜室，其沿以上述旋轉 搬送台之旋轉轴為中心之圓周而配置於上述第3腔室 内，於藉由上述旋轉搬送台而搬送之上述被處理物上沉 積膜。

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