JP2000144402A - 成膜方法及び装置 - Google Patents

成膜方法及び装置

Info

Publication number
JP2000144402A
JP2000144402A JP10324602A JP32460298A JP2000144402A JP 2000144402 A JP2000144402 A JP 2000144402A JP 10324602 A JP10324602 A JP 10324602A JP 32460298 A JP32460298 A JP 32460298A JP 2000144402 A JP2000144402 A JP 2000144402A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
work
inner tray
film forming
tray
holding
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP10324602A
Other languages
English (en)
Inventor
Kentaro Shingo
健太郎 新郷
Hatsuhiko Shibazaki
初彦 柴崎
Takashi Sueyoshi
貴志 末吉
Yoshiyuki Nakano
喜之 中野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP10324602A priority Critical patent/JP2000144402A/ja
Publication of JP2000144402A publication Critical patent/JP2000144402A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ワークの温度及び温度分布の調整が高精度に
行え、また構成がシンプルで、メンテナンス性に優れた
成膜方法及び装置を提供する。 【解決手段】 成膜室1の上部にターゲット2を備えた
電極3が配設され、成膜室1内に、ワーク10を保持し
たワーク搬送治具7を電極3下に搬送して位置決めする
搬送位置決め手段としてのターンテーブル6とワーク1
0を加熱する加熱手段が配設された成膜装置において、
ワーク保持治具7がワーク10を保持する内トレー7a
と内トレー7aを支持する外トレー7bとから構成さ
れ、電極3下の位置で内トレー7aを外トレー7bより
分離して支持する温度調整機能を有する突き上げ機構5
を備えた。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子部品等の薄膜
デバイスを製造するためのスパッタリング方式や蒸着方
式による成膜に関し、特にワークを所定温度に保持しな
がら処理する成膜方法及び装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来の成膜装置について、図4を参照し
て説明する。21は成膜室で、図示していない真空排気
手段、ガス導入手段を有し、内部の圧力を調整できるよ
うに構成されている。成膜室21内の上部には成膜材料
からなるターゲット22を備えた電極23が複数配設さ
れている。電極23は直流電力あるいは高周波電力を印
加する電源(図示せず)に接続されている。24は成膜
室21と電極23との間に介装された絶縁材である。ま
た、成膜室21内にはワーク30に対向して、ランプヒ
ータユニット25が配置されている。26はワーク30
を保持する治具27を搬送するターンテーブルである。
ワーク30はランプヒータユニット25に対向した位置
にある時温度調整され、その後電極23に対向する位置
で成膜される。28はワーク30を投入取り出しするた
めのロードロック室である。
【0003】次に、他の温度調整手段を用いた従来の装
置を図5を参照して説明する。この従来例では温度調整
ステージ29がターンテーブル26の電極23に対向す
る位置に複数配置されている。ワーク30はワーク保持
具27を介して温度調整ステージ29により温度調整さ
れながら電極23に対向する位置で成膜される。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところで、近年は薄膜
を応用した電子部品は多様化、高性能化しており、要求
される膜製作条件もより高精度のものとなっており、成
膜時の温度調整条件もより高精度な性能が要求されてい
る。また、膜構成も複雑化し、数種類の膜を同一装置で
成膜する必要がある場合が多くなっている。
【0005】しかし、上記図4の従来例の構成では、ラ
ンプヒータユニット25で温度調整を行いつつ成膜する
ものではなく、所定温度に対して的中させることが難し
く、また所定の温度分布を達成することが困難であると
いう問題があった。
【0006】また、上記図5の従来例の構成では、特に
温度調整ステージ29への配線31の引回しにより装置
構成が複雑になり、メンテナンス性が悪いという問題が
ある。また、近年要望の多い異種の膜を積層させるデバ
イスを同一真空容器内にて製造するについて、それぞれ
の膜の温度条件が異なる場合に速やかに精度良く温度調
整するのが困難であるという問題があった。
【0007】本発明は、上記従来の問題点に鑑み、ワー
クの温度及び温度分布の調整が高精度に行え、また構成
がシンプルで、メンテナンス性に優れ、また同一真空容
器内にて異種の膜を積層させるデバイスを製造する場合
において、それぞれの成膜時の温度調整が容易な成膜方
法及び装置を提供することを目的としている。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明の成膜方法は、ワ
ークを保持する内トレーと内トレーを支持する外トレー
とから構成されたワーク保持治具を、ターゲットを備え
た電極に対向する位置に位置決めする工程と、温度調整
機能を有する手段にてワーク保持治具の内トレーを外ト
レーより分離し、内トレーに保持されたワークを所定温
度に保持しながら成膜する工程とを備えたものであり、
内トレーを外トレー及びそれを支持する機構から離すこ
とにより、断熱効果が大きくかつ内トレーは小サイズで
熱容量が小さいために効率良くかつ精度良く温度調整す
ることができ、成膜時の温度調整条件を高精度に設定で
きるとともに、異種の膜を成膜するために温度条件が異
なる場合にも的確に温度調整ができる。
【0009】また、本発明の成膜装置は、成膜室の上部
にターゲットを備えた電極が配設され、成膜室内に、ワ
ークを保持したワーク搬送治具を電極下に搬送して位置
決めする搬送位置決め手段とワークを加熱する加熱手段
が配設された成膜装置において、ワーク保持治具がワー
クを保持する内トレーと内トレーを支持する外トレーと
から構成され、電極下の位置で内トレーを外トレーより
分離して支持する温度調整機能を有する突き上げ機構を
備えたものであり、ワーク保持治具と温度調整機能を有
する突き上げ機構にて上記成膜方法を実施してその効果
を奏することができる。
【0010】また、内トレーが、ワークを保持する熱容
量の小さいブロックと、ブロックを保持する線膨張係数
の小さいリングと、ブロックとリングを連結する熱伝導
率の小さいロッドで構成されていると、熱容量が小さく
かつロッドにて熱伝導が遮断されたブロックを集中して
温度調整するので、一層効率的にかつ精度良く温度調整
することができ、より大きな効果を発揮できる。
【0011】また、内トレーの突き上げ機構に対向する
面と突き上げ機構の内トレーに対向する面の少なくとも
一方に、輻射率の大きい黒体化処理を施すと、さらに効
率良く温度調整することができる。
【0012】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態である
スパッタリング方式の成膜装置について、図1〜図3を
参照して説明する。
【0013】図1において、1は成膜室で、図示してい
ない真空排気手段、ガス導入手段を有し、内部の圧力を
調整できるように構成されている。この成膜室1内の上
部に成膜材料からなるターゲット2を備えた電極3が中
心軸回りに複数配設されている。電極3は直流電力ある
いは高周波電力を印加する電源(図示せず)に接続され
ている。4は成膜室1と電極3との間に介装された絶縁
材である。
【0014】また、成膜室1の底部の各電極3に対向す
る位置に温度調整機能を備えた突き上げ機構5がそれぞ
れ配設されている。6は成膜室1の中心を回転軸芯とし
て間欠回転し、ワーク10を保持するワーク保持治具7
を搬送して各電極3の直下に位置決めするターンテーブ
ルである。ワーク保持治具7は、ワーク10を保持する
内トレー7aと内トレー7aを支持する外トレー7bか
ら構成されている。
【0015】成膜室1の上部の適所には電極3に代えて
開口部を介してロードロック室8が配設されている。ま
た、成膜室1の底部のロードロック室8と対向する位置
に突き上げ機構9が設けられており、ワーク保持治具7
をターンテーブル6から分離し、上昇移動させてその外
トレー7bを開口部の周壁に密着させ、この突き上げ機
構9と外トレー7bにてロードロック室8と成膜室1を
仕切ることができるように構成されている。
【0016】内トレー7aは、図2に詳細に示すよう
に、ワーク10を保持する熱容量の小さい材料でできて
いるブロック11と、ブロック11を保持する線膨張係
数の小さいリング12と、ブロック11とリング12を
連結する熱伝導率の小さいロッド13で構成されてい
る。
【0017】そして、図3に示すように、温度調整機能
を備えた突き上げ機構5はブロック11のみに接触し、
ブロック11のみを集中して温度調整を行うように構成
されている。リング12は突き上げ機構5が内トレー7
aを嵌合支持するためのガイド機能を奏するものであ
り、積極的な温度調整は行われない。また、ロッド13
はブロック11の熱が逃げるのを防いでいる。また、こ
のような構成によりブロック11の接触面積が温度調整
機能を備えた突き上げ機構5より小さくできるため、特
に高温において温度分布が良くなる。
【0018】次に、以上の構成による成膜方法につい
て、図1を参照して説明する。ワーク10はロードロッ
ク室8内で、内トレー7aに保持された状態で外トレー
7bに支持され、突き上げ機構9によりターンテーブル
6上に移載される。ターンテーブル6は回転し、ワーク
保持治具7を電極3の真下まで搬送する。次に、温度調
整された突き上げ機構5が上昇し、内トレー7aを外ト
レー7bから離し、内トレー7a及びワーク10の温度
調整を行う。温度調整後、成膜を行う。成膜は順次それ
ぞれの電極3下で行われる。
【0019】このように内トレー7aを突き上げ、他の
機構から離すことによる断熱効果と内トレー7aのサイ
ズを最小にし、熱容量を低減することにより、効率良く
温度調整することが可能となる。また、内トレー7aの
突き上げ機構5に対向する面、あるいは突き上げ機構5
の内トレー7aに対向する面に輻射率の大きい黒体化処
理を施すことにより、さらに効率良く温度調整すること
ができる。
【0020】
【発明の効果】本発明の成膜方法及び装置によれば、以
上のようにワークを保持する内トレーと内トレーを支持
する外トレーとから構成されたワーク保持治具を、ター
ゲットを備えた電極に対向する位置に位置決めし、温度
調整機能を有する手段にてワーク保持治具の内トレーを
外トレーより分離し、内トレーに保持されたワークを所
定温度に保持しながら成膜するので、内トレーを外トレ
ー及びそれを支持する機構から離すことにより、断熱効
果が大きくかつ内トレーは小サイズで熱容量が小さいた
めに効率良くかつ精度良く温度調整することができ、成
膜時の温度調整条件を高精度に設定できるとともに、異
種の膜を成膜するために温度条件が異なる場合にも的確
に温度調整ができる。
【0021】また、内トレーが、ワークを保持する熱容
量の小さいブロックと、ブロックを保持する線膨張係数
の小さいリングと、ブロックとリングを連結する熱伝導
率の小さいロッドで構成されていると、熱容量が小さく
かつロッドにて熱伝導が遮断されたブロックを集中して
温度調整するので、一層効率的にかつ精度良く温度調整
することができ、より大きな効果を発揮できる。
【0022】また、内トレーの突き上げ機構に対向する
面と突き上げ機構の内トレーに対向する面の少なくとも
一方に、輻射率の大きい黒体化処理を施すと、さらに効
率良く温度調整することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の成膜装置の一実施形態であるスパッタ
リング装置の概略構成を示す縦断面図である。
【図2】同実施形態におけるワーク保持治具の内トレー
の平面図である。
【図3】同実施形態におけるワーク温度調整時の状態を
示す縦断面図である。
【図4】従来例のスパッタリング装置の概略構成を示す
縦断面図である。
【図5】他の従来例のスパッタリング装置の概略構成を
示す縦断面図である。
【符号の説明】 1 成膜室 2 ターゲット 3 電極 5 温度調整機能付き突き上げ機構 6 ターンテーブル(搬送位置決め手段) 7 ワーク保持治具 7a 内トレー 7b 外トレー 10 ワーク 11 ブロック 12 リング 13 ロッド
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 末吉 貴志 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 中野 喜之 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Fターム(参考) 4K029 CA05 DA08 KA02

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ワークを保持する内トレーと内トレーを
    支持する外トレーとから構成されたワーク保持治具を、
    ターゲットを備えた電極に対向する位置に位置決めする
    工程と、温度調整機能を有する手段にてワーク保持治具
    の内トレーを外トレーより分離し、内トレーに保持され
    たワークを所定温度に保持しながら成膜する工程とを備
    えたことを特徴とする成膜方法。
  2. 【請求項2】 成膜室の上部にターゲットを備えた電極
    が配設され、成膜室内に、ワークを保持したワーク搬送
    治具を電極下に搬送して位置決めする手段とワークを加
    熱する手段が配設された成膜装置において、ワーク保持
    治具がワークを保持する内トレーと内トレーを支持する
    外トレーとから構成され、電極下の位置で内トレーを外
    トレーより分離して支持する温度調整機能を有する突き
    上げ機構を備えたことを特徴とする成膜装置。
  3. 【請求項3】 内トレーは、ワークを保持する熱容量の
    小さいブロックと、ブロックを保持する線膨張係数の小
    さいリングと、ブロックとリングを連結する熱伝導率の
    小さいロッドで構成されていることを特徴とする請求項
    2記載の成膜装置。
  4. 【請求項4】 内トレーの突き上げ機構に対向する面と
    突き上げ機構の内トレーに対向する面の少なくとも一方
    に、輻射率の大きい黒体化処理を施したことを特徴とす
    る請求項2又は3記載の成膜装置。
JP10324602A 1998-11-16 1998-11-16 成膜方法及び装置 Pending JP2000144402A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10324602A JP2000144402A (ja) 1998-11-16 1998-11-16 成膜方法及び装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10324602A JP2000144402A (ja) 1998-11-16 1998-11-16 成膜方法及び装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2000144402A true JP2000144402A (ja) 2000-05-26

Family

ID=18167663

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10324602A Pending JP2000144402A (ja) 1998-11-16 1998-11-16 成膜方法及び装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2000144402A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003013223A (ja) * 2001-04-27 2003-01-15 Shibaura Mechatronics Corp 真空処理装置
JP2005325428A (ja) * 2004-05-17 2005-11-24 Shibaura Mechatronics Corp 真空処理装置および光ディスクの製造方法
US8506774B2 (en) 2004-05-17 2013-08-13 Shibaura Mechatronics Corporation Vacuum processing device
CN107342243A (zh) * 2016-05-03 2017-11-10 系统科技公司 基板处理装置及基板处理方法

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003013223A (ja) * 2001-04-27 2003-01-15 Shibaura Mechatronics Corp 真空処理装置
JP4683453B2 (ja) * 2001-04-27 2011-05-18 芝浦メカトロニクス株式会社 真空処理装置
JP2005325428A (ja) * 2004-05-17 2005-11-24 Shibaura Mechatronics Corp 真空処理装置および光ディスクの製造方法
WO2005111262A1 (ja) * 2004-05-17 2005-11-24 Shibaura Mechatronics Corporation 真空処理装置および光ディスクの製造方法
KR100832206B1 (ko) * 2004-05-17 2008-05-23 시바우라 메카트로닉스 가부시키가이샤 진공 처리 장치와 광디스크의 제조 방법
JP4653418B2 (ja) * 2004-05-17 2011-03-16 芝浦メカトロニクス株式会社 真空処理装置および光ディスクの製造方法
US8506774B2 (en) 2004-05-17 2013-08-13 Shibaura Mechatronics Corporation Vacuum processing device
CN107342243A (zh) * 2016-05-03 2017-11-10 系统科技公司 基板处理装置及基板处理方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR970005443B1 (ko) 기판의 처리방법
JPS5965426A (ja) 半導体ウエハ用熱処理装置
WO2016167233A1 (ja) 基板保持機構、成膜装置、および基板の保持方法
JPWO2006043530A1 (ja) 基板加熱処理装置及び基板加熱処理に用いられる基板搬送用トレイ
JP3258885B2 (ja) 成膜処理装置
KR20050021863A (ko) 박막 작성 시스템
JPH10107018A (ja) 半導体ウェーハの熱処理装置
JP4633264B2 (ja) セラミック箔にギザギザをつけたプレートとガスアシストとを有する複合型ヒータ
JP2013207152A (ja) 熱処理装置および熱処理方法
JP2000144402A (ja) 成膜方法及び装置
JP4593008B2 (ja) 蒸着源並びにそれを用いた薄膜形成方法及び形成装置
JP3869499B2 (ja) 基板処理方法
CN101207012A (zh) 用于加热衬底的方法和装置
JPH1187245A (ja) スパッタリング装置
JPH05283501A (ja) 半導体製造装置
JPH07106239A (ja) 基板加熱装置
JPH0395952A (ja) 半導体装置の製造装置
JPS6256652B2 (ja)
JP2509820B2 (ja) 成膜装置
TWI254079B (en) Multi-chamber evaporator system
JPH11100674A (ja) 真空処理装置
KR200177310Y1 (ko) 반도체의 피브이디 장치
JP2001226771A (ja) 成膜装置
JP2001267250A (ja) 半導体製造装置
JPH04157717A (ja) 気相成長用ウエハ加熱装置