JP2005325428A - 真空処理装置および光ディスクの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】真空中の連続スパッタによって発生する熱により基板が昇温するのを抑え、被処理物にチルトや変形の発生を低減する真空処理装置を得る。
【解決手段】 真空状態に排気可能なメインチャンバ１０と、メインチャンバの真空状態を保持しつつディスク状被処理物１０１をメインチャンバの内外に搬出入するロードロック機構２０と、メインチャンバ１０内に配置され、ロードロック機構２０との間でディスク状被処理物を授受し搭載する複数のサセプタ５７を備え回転軸５２を中心に回転しディスク状被処理物の搬送路を形成する水平回転搬送テーブル５０と、前記メインチャンバ内に前記回転軸５２を中心とする円周に沿って配置され回転搬送テーブルにより搬送されるディスク状被処理物に多層膜を堆積する複数の成膜室３０と、成膜室間それぞれに配置されディスク状被処理物を冷却する冷却機構４０とを具備してなることを特徴とする真空処理装置。
【選択図】 図１

Description

本発明は光ディスクや光学部品などの基板に多層に膜を連続的に堆積する真空処理装置および光ディスクの製造方法に関する。

近年、ＣＤ（コンパクト・ディスク）やＤＶＤ（ディジタル・バーサタイル・ディスク）などの光ディスクが多様化して、読取り専用の情報媒体から、さらに記録可能な光情報媒体としての有用性が高まりつつある。ディスク基板の材料として成形収縮率や膨張係数の低い合成樹脂、代表的にはポリカーボネートが用いられており、読取り専用ディスクの場合は基板面に情報をピット列で形成し、記録可能なディスクの場合は、基板面にレーザ用トラックとなる案内溝を形成しその面上に記録層を含む多層膜を堆積して構成する。

図１６は一般的な記録可能な光ディスクの構造を示しており、透明な０．６ｍｍ厚のポリカーボネート基板１０１の一方の面に光ヘッドのレーザ光を案内する案内溝１０１ａが形成され、この面上に順に第１誘電体層１０２、相変化記録層１０３、第２誘電体層１０４、反射層１０５が堆積され、さらにＵＶ硬化オーバーコート層１０６が塗布されている。さらに、この多層膜基板を貼り合わせ接着層１０７を介して他の０．６ｍｍ厚のポリカーボネート基板１１０を貼り合わせることにより約１．２ｍｍ厚の光ディスクが得られる。

多層膜は誘電体層、記録膜、金属層からなり、これらの膜はスパッタリングによって堆積されるが、誘電体層はスパッタの成膜効率が低く金属に比し同厚層を得るのに時間を要する。多層膜はそれぞれの層をスパッタリングする複数の成膜室を順次シーケンシャルに通過して連続的に形成され、多層膜形成タクトは成膜に最も時間を要する成膜室に律速される。

図１７は従来の多層膜形成用真空処理装置の一例を示すもので、（ａ）は平面略図、（ｂ）はＡ−Ａ線に沿う断面略図を示している。真空に保持可能なメインチャンバ１２０にロードロック機構１２１が設けられ、さらにメインチャンバ内に円周に沿うように第１ないし第４成膜室１２２、１２３、１２４、１２５がロードロック機構１２１を含めて正５角形の頂点に位置するように配置されている。メインチャンバ１２０の中央に回転テーブル１２６が配置され、排気口を備えた軸１２７により水平面で間歇的に回転する。ロードロック機構１２１から搬入されたディスク基板１０１は第１成膜室１２２に移送され、スパッタリングにより、第１誘電体層１０２が堆積される。続いて第２成膜室１２３に移送され、記録層１０３が堆積され、以下成膜室１２４、１２５により、順次、第２誘電体層１０４、反射層１０５が堆積され、ロードロック機構１２１に戻りメインチャンバ１２０から外部に搬出される。搬出された多層膜形成基板にＵＶ硬化オーバーコート層１０６が塗布され、貼り合わせ接着層１０７を介して他の０．６ｍｍ厚のポリカーボネート基板１１０を貼り合わせることにより、光ディスクが得られる。

このような真空内での連続成膜では、成膜時のプラズマ放電による熱の基板昇温を有効に冷却して温度を低下させることができず、成膜室を経るごとに基板の温度が高くなる。例えば２５℃の基板が成膜後に１００℃に達する。従来、成膜後のロードロック室でディスク基板を一定時間待機させて徐冷することが提案されている（例えば特許文献１）。このような待機を真空処理装置で成膜室のいずれか１つ例えば第３成膜室１２４を休止状態にしてこの工程間で冷却することを試みた場合、１タクトで十分に冷却するためには後工程のために休止成膜室前後で基板温度を急激に変化させなければならない。基板温度が大きく異なる状態で多層膜を形成した場合に多層膜に応力歪が生じ、メインチャンバから搬出された多層膜形成基板に歪を与えてチルトと称する基板のそりが発生してしまう。スタンパで成形されたポリカーボネート基板自体の内部歪も加わり、基板ごとにチルトの度合が一様でなく、また変形するためこれらの低減が課題になっている。例えばＤＶＤディスクの波長６４０ｎｍのレーザを用いた光ヘッドで許容されるチルトの範囲は、ラジアルチルト０．８°以内、タンジェンシャルチルト０．３°以内とされディスクはμm単位のそりも問題になる。

さらに大量生産の効率化からタクトを速めることが要望され、各成膜室のスパッタ工程の時間短縮を図ろうとすると成膜室のスパッタの大電力化が必要になり、各工程での基板の昇温が一層顕著になり、チルトの要因を増やすことになる。
特開２００３−３０３４５２

真空中の連続スパッタによって発生する熱により被処理物が昇温するのを抑え、被処理物にチルトや変形の発生を低減する真空処理装置を得るものである。さらにチルトや変形が小さな光ディスクを得るものである。

本発明の態様は、次のとおりである。

（１）真空状態に排気可能なメインチャンバと、
前記メインチャンバの真空状態を保持しつつ被処理物を前記メインチャンバの内外に搬出入するロードロック機構と、
前記メインチャンバ内に配置され、前記被処理物の搬送路を形成する回転搬送テーブルと、
前記メインチャンバ内に前記回転搬送テーブルの回転軸を中心とする円周に沿って配置され、前記被処理物に多層に膜を堆積する複数の成膜室と、
前記複数の成膜室間それぞれに配置され、前記被処理物を冷却する冷却機構とを具備してなることを特徴とする真空処理装置にある。

（２）ロードロック機構と成膜室の間に冷却機構が配置される。

（３）搬送される被処理物の中心の軌跡を搬送路とするとき水平回転搬送テーブルの回転による搬送路が一定の円を描き、この円に沿って前記ロードロック機構、前記成膜室、前記冷却機構が前記回転軸を中心とする一定の角度間隔で配置されている。

（４）前記回転搬送テーブルの回転軸を中心とする第１の円周上に前記成膜室が配置され、第２の円周上に前記冷却機構が配置され、前記第２の円周が前記第１の円周と径が異なる。

（５）前記搬送回転テーブルに被処理物を搭載するサセプタが設けられ前記サセプタは前記第１の円周と第２の円周間を前記搬送回転テーブル上で半径方向に移動可能である。

（６）前記冷却機構は冷却室を有している。

（７）前記メインチャンバに前記１個の冷却室が占める領域が前記１個の成膜室が占める領域よりも小さい。

（８）前記冷却機構は冷却室を備え、前記メインチャンバの空間から気密に隔離可能とされている。

（９）前記搬送回転テーブルに被処理物を搭載するサセプタが配置されおりこのサセプタがサセプタプッシャにより押し上げられて前記冷却室の開口壁に押付けられ気密とされる。

（１０）前記冷却機構は前記冷却室内にガスを導入する導入部を有し前記被処理物からの伝熱体として作用させる。

（１１）前記冷却室内に冷却面を有する冷却体を備えている。

（１２）前記各冷却室は個別に温度設定が可能である。

（１３）前記成膜室が成膜する被処理物は合成樹脂基板を有するディスク状被処理物である。

（１４）排気された雰囲気内で複数のスパッタリング工程を施し合成樹脂ディスク基板上に連続的にスパッタ堆積膜を形成して多層膜を得る光ディスクの製造方法において、前記スパッタリング工程それぞれの間に冷却工程を挿入し、前記基板の温度を最高５０℃に維持することを特徴とする光ディスクの製造方法である。

真空中の連続スパッタによって発生する熱により被処理物が蓄熱し昇温するのを抑え、常に所定の低温度に維持された被処理物にスパッタ被膜を形成することにより、装置外に搬出した被処理物のチルトや変形を抑制することができる真空処理装置が得られる。

なお、本発明で真空とは大気よりも減圧された状態を意味し、真空処理とは減圧下でスパッタ成膜、冷却処理を行うことを意味している。

本発明は複数の成膜室をもつメインチャンバ内の各成膜室間に冷却機構を配置して、被処理物への成膜温度を一定範囲内に保持できるようにするものである。各室の成膜開始を最適温度で制御することができるものである。以下本発明の実施形態を図面を参照して説明する。

図１乃至図７は本発明の一実施形態を示すものである。図１に示すように放電に適した真空例えば１０^−１Ｐａ以下などに排気可能なメインチャンバ１０にロードロック機構２０、４個の成膜室３０ａ〜３０ｄおよび５個の冷却機構４０ａ〜４０ｅがチャンバ中央付近を中心とする円周ｃに沿って１０等分の角度で等間隔配置される。冷却機構４０ａ〜４０ｅはそれぞれの成膜室３０ａ〜３０ｄとロードロック機構２０の間に配置されている。これらのロードロック機構、各成膜室および冷却機構の配置位置に位置合わせされて対応するメインチャンバ１０の底部１３に後述するサセプタを押し上げるプッシャ１１が１０等分角度間隔で設置され、プッシャ駆動部１１ａにより上下に駆動される。

メインチャンバ内には、多層膜が形成されるディスク基板１０１をロードロック機構から各成膜室および冷却機構に搬送するためのチャンバ中央に軸５１を配置形成した水平回転搬送テーブル５０が設置される。図示矢印方向に間欠的に水平回転する回転軸５２に排気路５３が形成されて、メインチャンバ外部の回転駆動部５４および排気系５５に連結されている。

図２、図３に示すように搬送テーブル５０はテーブル基体５６中心に回転軸５２を連結し、軸５１を中心とする円周に沿って、ロードロック機構、各成膜室および冷却機構の配列に対応する１０等分の等角度間隔配置で複数のサセプタ５７ａ〜５７ｊを載置している。サセプタは被処理物であるディスク基板１０１を搭載するとともに、ロードロック機構、各成膜室および冷却機構のバルブ蓋体として機能するものである。各サセプタ５７ａ〜５７ｊが載置される位置のテーブル基体５６に、サセプタをテーブル基体から押し上げるプッシャ駆動部１１ａにより上下駆動されるプッシャ１１が貫通できる開口５０ａが形成されている。

成膜室３０ａ〜３０ｄは、図２に示すように室頂部にスパッタ原料となるターゲット３１を配置し、室下部を開口して形成されており、この開口部３３にサセプタに搭載されたディスク基板１０１が配置されるように、サセプタ５７で開口部３３が気密可能にプッシャ１１により押し付けられるようにされている。これにより成膜室用の排気ポンプ３２により成膜室内がメインチャンバの搬送テーブルの作業空間とは異なるスパッタに適した圧力になるように制御可能にされる。スパッタはターゲット側の電極とディスク基板近傍に配置した電極間に直流または交流の電圧を印加して、成膜室内にグロー放電を発生させて生成するイオンをターゲットに衝突させてスパッタしディスク基板に堆積させて層形成するものである。この過程でディスク基板が加熱され昇温する。

次に冷却機構およびサセプタについてさらに説明する。図４において、メインチャンバ１０の厚板頂板１２に冷却室４１となる貫通開口が形成され、そのチャンバ外側が周縁にｏ−リングのシール４２ａを形成した外部蓋体４２で気密に閉塞される。外部蓋体４２に冷却液供給管４３ａと冷却液排出管４３ｂが貫通して冷却室側に冷却プレート４３を固定している。冷却プレート内部に冷却液通流路が形成され、冷却液供給管４３ａから供給された水などの冷却液が冷却プレート４３を通って冷却液排出管４３ｂから排出されるようになっており、冷却プレートが冷却される。さらに外部蓋体４２に冷却ガス導入管４４が設けられて冷却に供する被処理物からの伝熱用のガスを冷却室内に供給するようにしている。

搬送テーブル基体５６に載置されるサセプタ５７は基体開口部５０ａ上に位置して、開口部周縁でガイドピン５９により上下に移動可能に保持される。サセプタ５７は基体５６に取り付けられるサセプタ台６０と台上面中央部に設けた柱部６１により支持された皿状のディスク基板受板６２とからなっており、受板６２の周縁にディスク基板を固定するストッパ６３を形成している。サセプタ台６０の上面周縁部にｏ−リングのシール部６４が設けられる。

冷却室４１に対応するメインチャンバ下部１３に、プッシャ１１がチャンバ壁を真空気密状態で上下動できるように取り付けられており、図５に示すように、プッシャ１１が矢印方向に上昇すると、サセプタ台６０が押し上げられ、被処理物であるディスク基板１０１が冷却室４１内に導入され、サセプタ台が冷却室周囲の頂板１２の下面１２ａに押し付けられる。頂板下面１２ａとサセプタ台のシール部６４が気密に密着して冷却室はメインチャンバ空間から気密に隔離される。この状態で冷却ガス導入管４４からＨｅガスが導入されて冷却室を充たし冷却プレート４３とディスク基板１０１間の強制伝熱がはかられる。

図６のようにプッシャ１１が矢印方向に下降すると、サセプタ５７が冷却室から離隔しテーブル基体５６上に復帰する。同時に冷却室４１はメインチャンバ側に開放され、冷却ガスは停止され、放出されたガスは搬送テーブル空間に拡散し排気系５５から排出される。なお外部蓋体４２に冷却ガス回収管を設けて冷却ガスを回収するように構成することもできる。冷却室の幅サイズはディスク基板の導入が可能な大きさでよいので、ディスク基板が径１２０φのＤＶＤディスク用の場合は、１２０φよりやや大きい径で形成することができ、また高さも厚板頂板１２の厚みで済み成膜室に比し小径に作製することができる。冷却プレート４３はディスクに合わせて円板状に形成することが望ましいが、かならずしも円板にしなくてもよく、矩形や半円形などディスクよりも小面積にしてディスク受板６２を回転させることによっても同様の効果が得られる。

次に図１及び図７（ａ），（ｂ）により本実施形態の真空処理装置の動作を説明する。

ディスク基板１０１をメインチャンバ１０に搬出入するロードロック機構２０のロードロック室２１は厚板頂板１２のくり抜き内壁１２ｂと、その外部を開閉するロック開口蓋体２２および内部側のサセプタ５７で真空気密に仕切る空間で形成される。ロック開口蓋体２２は回転可能なディスク搬送アーム２３の両端に一対、取り付けられ、アームの回転により交互にロードロック室２１に着脱自在に気密に嵌着される。図７（ａ）に示すように、ロック開口蓋体２２はディスク基板１０１を吸着する機構を有しており、スタンパ機で成型されて移送されてきたディスク基板１０１を下面で吸着しロードロック室２１に搬入する。

ロードロック室２１は大気に開放されている状態でメインチャンバ１０空間との間をサセプタ５７がプッシャ１１に押されてシールしており、チャンバ内に大気が流入することがない。ロック開口蓋体２２がディスク基板１０１をサセプタ５７に受渡し、室を気密にシールすると、図示しない排気系によりロードロック室２１は真空引きされ、メインチャンバ１０の雰囲気と同等の気圧にされる。この状態でプッシャ１１が引き込み、図７（ｂ）に示すようにロードロック室からサセプタ５７が切り離されて搬送テーブル５０の定位置に復帰する。

成膜室３０および冷却室４０に対応するプッシャ１１はロードロック機構のプッシャの上下動に同期して上下するようになっており、全プッシャが同時に上昇し、また同時に下降する。すなわちプッシャ１１の上昇中にサセプタ５７がロードロック室２１、成膜室３０および冷却室４０をメインチャンバ空間から気密にシールしており、ロードロック機構でディスク基板１０１の搬出入、成膜室３０で各１層の堆積、冷却室４０でディスク基板の冷却が行われる。

１タクト終了後、サセプタ５７が各室から切り離され搬送テーブル上に戻り、搬送テーブル５０が回転して各ディスク基板を次の室へ搬送する。例えばロードロック室２１に搬入されたディスク基板は冷却室４０ａに運ばれ、冷却室４０ａで冷却されたディスク基板は成膜室３０ａに運ばれ、成膜室３０ａで一層の膜が堆積されたディスク基板は次の冷却室４０ｂに運ばれる。以下シーケンシャルに膜形成と冷却が繰り返されて、再度ロードロック室２１に運ばれたディスク基板はサセプタでシールされた状態で室内が大気に戻されロードロック機構２０によりチャンバ外部に搬出されて、次のＵＶ硬化オーバーコート層塗布工程に搬送される。

図８は冷却機構の変形例を示すもので、冷却プレート４３に加えて、プッシャ１１の軸を冷却路１１ｃとし、プッシャのプッシャシリンダ１１ｂを冷却できるようにしている。プッシャ１１によりサセプタ５７が押し上げられたときに、プッシャシリンダ１１ｂとさせプタ底部が接触するので、サセプタ５７が冷却される。その結果、受板６２が冷却されディスク基板１０１は表裏両面から冷却される。これにより効率の良い冷却が可能になる。

図９乃至図１１は冷却機構のさらに他の変形例で、図９は冷却室の外部蓋体４２自体を冷却体とし内部に冷却液通流路４７を形成し、冷却液供給管４３ａから冷却液を供給し、冷却液排出管４３ｂから排出する。図１０は外部蓋体４２に外部放熱フィン４８ａ、冷却室内放熱フィン４８ｂを設けて外部からの強制空冷により冷却室を冷却する。図示しないがいずれも室内に冷却ガスを導入するのがよい。図１１は外部蓋体冷却ガス導入管４４ａと冷却ガス導出管４４ｂが設けられて冷却に供する被処理物からの伝熱用のガスを冷却室内に供給するようにしている。

以上説明したように本実施形態はロードロック機構と成膜室間に冷却室を配置し、被処理物が次の処理に移行する間に冷却室で冷却されるように構成されている。以下その作用について説明する。

図１２は図１６に示す多層膜を堆積して光ディスクを作製する場合の成膜室３０ａ〜３０ｄと冷却室４０ａ〜４０ｅの基板処理温度の測定結果を示している。第１成膜室３０ａでＺｎＳ−ＳｉＯ_２誘電体層１０２をスパッタ成膜し、次に冷却し、以下シーケンシャルに各成膜室、冷却室を交互に経て、記録膜１０３−ＺｎＳ−ＳｉＯ_２誘電体層１０４−Ａｇ金属反射層１０５を積層した場合の例である。真空処理の全工程にわたって基板を５０℃以下に保持しており、これにより光ディスクのチルトを抑制することが可能である。

ディスク基板のチルトへの影響は、表１に示すように、７０℃を超えると基板に非可逆的な歪が発生し良品率を低下する。７０℃以下では歪は可逆的であり常温でチルトが生じにくくなる。５０℃以下では基板に歪が残る恐れがなくなり、スパッタリング中の上昇温度幅に余裕ができ、スパッタ入力電力を大きくすることで、スパッタリング時間を短くすることができる。これによりタクト時間を短くできるようになる。

ロードロック機構に搬送されてくるディスク基板が前工程のスタンパ機により成型された直後のポリカーボネート合成樹脂基板である場合に基板自体が室温以上に加熱された状態にあり、高温状態の基板を第１成膜室３０ａに移送すると、スパッタ時にさらに高い温度になり成膜状態を劣化させる。本実施形態においてロードロック機構２０と第１成膜室３０ａ間に第１冷却室４０ａを配置することによって、一旦基板温度を制御し下げることによって適正な成膜を得ることを可能にする。基板がロードロック以前に十分に温度制御されている場合は冷却室をブランクにしておいてもよく、または省略することができる。

成膜室間の冷却室４０ｂ〜４０ｄは各成膜により昇温した基板の温度を５０℃以下に下げ、基板と多層膜間で生じる応力を少なくし成品化後のチルトの発生を抑制する。

最終成膜室３０ｄとロードロック２０間の冷却室４０ｅは成膜室３０ｄで加熱された基板がロードロックを経て大気中に搬出されたときに大気に触れて急速に冷却されて基板に歪が発生するのを防ぐもので基板温度の低下を緩和するものである。ロードロック搬入時と同様に、基板がロードロックから搬出された後に十分に温度制御されている場合はこの冷却室をブランクにしておいてもよく、または省略することができる。

以上のように本実施形態によれば、処理基板温度を５０℃以下に保持することが可能になり、多層膜を備えた光ディスクに要求されるチルトや変形を十分に抑制することができる。さらに本実施形態は光ディスクのみならず、多層膜で構成される光干渉フィルタなどの光学部品にも適用することができる。

図１３および図１４は本発明の他の実施形態を示すもので、水平回転搬送テーブルの回転軸８１を中心とする第１の円周ｃ１上に成膜室７０およびロードロック室７１の中心が位置するように配置され、この第１の円周ｃ１と異なる径の第２の円周ｃ２上に冷却室９０の中心が位置するように等角度間隔で配置される構造である。なお成膜室７０、ロードロック室７１および冷却室９０の中心はこれらの室に結合するサセプタの中心とする。

図１３の場合は第２の円周径ｃ２が第１の円周径ｃ１よりも小さく、図１４の場合は第２の円周径ｃ２を第１の円周径ｃ１よりも大きくした構成になっている。いずれの構成も成膜室と冷却室を同一円周上に配列する場合よりも成膜室配列の第１の円周ｃ１を縮小できて、真空処理装置の小型化を達成することができる。冷却室の径はディスク基板が１２０φ径のＤＶＤディスクの場合に１２０φよりもやや大きい程度に形成することができるが、成膜室は基板にスパッタ堆積する多層膜の均質性を得るためにターゲットに基板よりも大径のものを使用するので、成膜室は基板径の２倍以上の径の領域を占める。このため、小径の冷却室の配列径を成膜室の配置径と異ならせることにより、成膜室間の間隔を狭めてもその間に冷却室を配置することが容易で、同一径の場合に比べてメインチャンバの搬送テーブルが回転する空間の径を縮小することが可能になり、メインチャンバの排気系の容量を小さくすることができる。

図１５は、図１３および図１４のように冷却室９０が配置される円周を成膜室７０およびロードロック室７１が配置される円周と異ならせた場合の、水平回転搬送テーブル８０の構成を示している。サセプタ８２が図示破線矢印のように回転軸８１を中心とするテーブルの半径方向に移動可能にされ、プッシャが貫通する開口８３が長孔に形成されている。テーブルの間欠回転に伴い、各サセプタは第２円周ｃ２から第１円周ｃ１に交互に位置を変化させる。この位置変化はガイドを設けるか、各サセプタに駆動源を付属させて駆動することで可能である。

以上の実施形態において、ロードロック室と４成膜室をもつ真空処理装置において各成膜室の間に冷却機構を配置する構成の真空処理装置について述べたが、本発明は４成膜室装置に限定されず、複数処理室を有する装置に適用できるものである。

また、成膜室の一部に放電スパッタ源でない電子ビームによる蒸発源をもつ成膜室を含めることができる。

またディスク状被処理物のマスクについて説明を省略したが、マスクの有り無し関係なく両者の被処理物に同様に適用できるものである。

また本発明は被処理物として光ディスクのような多層膜形成合成樹脂基板のほかに、多層膜の形成が基板の歪に影響する薄いガラス基板に多層膜を形成する光学フィルタなどの光学部品にも適用することができる。

本発明の一実施形態を示す平面略図。 図1をA−A線で切断して示す断面略図。 一実施形態の水平回転搬送テーブルの平面略図。 一実施形態の冷却機構を示す断面図。 一実施形態の冷却機構の動作を説明する断面図。 一実施形態の冷却機構の動作を説明する断面図。 （ａ）（ｂ）は一実施形態の動作を説明する略図。 冷却機構の変形例を示す断面図。 冷却機構の変形例を示す断面図。 冷却機構の変形例を示す断面図。 冷却機構の変形例を示す断面図。 一実施形態の被処理物の成膜時の温度を示す曲線図。 本発明の他の実施形態を示す平面略図。 本発明の他の実施形態を示す平面略図。 本発明の他の実施形態に適用する水平回転搬送テーブルの平面略図。 光ディスク基板の一部拡大断面略図。 （ａ）は従来装置の平面略図、（ｂ）は（ａ）のA−A線にそう断面略図。

符号の説明

１０：メインチャンバ
１１：プッシャ
２０：ロードロック機構
３０（３０ａ〜３０ｄ）：成膜室
４０（４０ａ〜４０ｅ）：冷却室（冷却機構）
５０：水平回転搬送テーブル
５１：軸
５２：回転軸
５６：テーブル基体
５７（５７ａ〜５７ｊ）：サセプタ
４３：冷却プレート（冷却体）
４４：冷却ガス導入管
１０１：ディスク基板（被処理物）

Claims (14)

1. 真空状態に排気可能なメインチャンバと、
   前記メインチャンバの真空状態を保持しつつ被処理物を前記メインチャンバの内外に搬出入するロードロック機構と、
   前記メインチャンバ内に配置され、前記被処理物の搬送路を形成する（水平）回転搬送テーブルと、
   前記メインチャンバ内に前記回転搬送テーブルの回転軸を中心とする円周に沿って配置され、前記被処理物に多層に膜を堆積する複数の成膜室と、
   前記複数の成膜室間それぞれに配置され、前記被処理物を冷却する冷却機構とを具備してなることを特徴とする真空処理装置。
2. 前記ロードロック機構と前記成膜室の間に冷却機構が配置されることを特徴とする請求項１記載の真空処理装置。
3. 搬送される前記被処理物の中心の軌跡を搬送路とするとき水平回転搬送テーブルの回転による搬送路が一定の円を描き、この円に沿って前記ロードロック機構、前記成膜室、前記冷却機構が前記回転軸を中心とする一定の角度間隔で配置されている請求項１記載の真空処理装置。
4. 前記回転搬送テーブルの回転軸を中心とする第１の円周上に前記成膜室が配置され、第２の円周上に前記冷却機構が配置され、前記第２の円周が前記第１の円周と径が異なる請求項１記載の真空処理装置。
5. 前記搬送回転テーブルに被処理物を搭載するサセプタが設けられ前記サセプタは前記第１の円周と第２の円周間を前記搬送回転テーブル上で半径方向に移動可能である請求項４記載の真空処理装置。
6. 前記冷却機構は冷却室を有してなる請求項１または２記載の真空処理装置。
7. 前記メインチャンバに前記１個の冷却室が占める領域が前記１個の成膜室が占める領域よりも小さい請求項６記載の真空処理装置。
8. 前記冷却機構は冷却室を備え、前記メインチャンバの空間から気密に隔離可能とされた請求項６記載の真空処理装置。
9. 前記搬送回転テーブルに被処理物を搭載するサセプタが配置されおりこのサセプタがプッシャにより押し上げられて前記冷却室の開口壁に押付けられ気密とされるものである請求項８記載の真空処理装置。
10. 前記冷却機構は前記冷却室内にガスを導入する導入部を有し前記（ディスク状）被処理物からの伝熱体として作用させる請求項８記載の真空処理装置。
11. 前記冷却室内に冷却面を有する冷却体を備えてなる請求項６記載の真空処理装置。
12. 前記各冷却室は個別に温度設定が可能である請求項１記載の真空処理装置。
13. 前記成膜室が成膜する被処理物が合成樹脂基板を有するディスク状被処理物である請求項１記載の真空処理装置。
14. 排気された雰囲気内で複数のスパッタリング工程を施し合成樹脂ディスク基板上に連続的にスパッタ堆積膜を形成して多層膜を得る光ディスクの製造方法において、前記スパッタリング工程それぞれの間に冷却工程を挿入し、前記基板の温度を最高５０℃に維持することを特徴とする光ディスクの製造方法。

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