JP2008208455A - プロセスチャンバ、インラインコーティング装置及び基板処理方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 86
- 230000008569 process Effects 0.000 title claims abstract description 57
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims abstract description 53
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 50
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims abstract description 49
- 238000009434 installation Methods 0.000 title abstract 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract description 31
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims abstract description 26
- 239000000969 carrier Substances 0.000 claims abstract description 23
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 17
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 claims abstract description 12
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 31
- 230000004913 activation Effects 0.000 claims description 9
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 claims 1
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 81
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 13
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 5
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 5
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000009503 electrostatic coating Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
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Abstract
【解決手段】基板5aのPECVDコーティングのためのプロセスチャンバ1は、受容器2と、基板処理の反応条件を生成する処理ツールと、基板を搬送するためのキャリア4a、4bと、キャリアの動きにより定義される搬送ルートに沿って、受容器への、又は受容器からのキャリア搬送のための搬送装置とを含み、この搬送装置はキャリアをガイドするためのガイダンス装置を有する。更にプロセスチャンバは搬送位置にあるキャリアをガイダンス装置から分離するための手段、及びガイダンス装置からキャリアを受け入れるための手段を含み、受け入れのための手段は、搬送位置から搬送方向を横切る処理位置へキャリアを搬送するための搬送装置を含む。
【選択図】図1
Description
Claims (22)
- 基板(5a、5b)の処理のため、特に、PECVD(プラズマエンハンスト化学蒸着)方法による基板(5a、5b)のコーティングのためのプロセスチャンバ(1)であって、
受容器(2)と、
基板(5a、5b)の処理のために反応条件を生成するための処理ツールと、
前記受容器(2)内の少なくとも1つの移動可能なキャリア(4a、4b)であって、少なくとも1つ基板を搬送するためのキャリアと、
前記移動により定義される搬送ルートに沿って、前記受容器(2)へ又は前記受容器からの前記キャリアの搬送を行うための搬送装置とを含み、
前記搬送装置は少なくとも1つのキャリア(4a、4b)を前記搬送ルートに沿ってガイドするための少なくとも1つのガイダンス装置(6a、6b、7a、7b)を有するプロセスチャンバ(1)において、
前記プロセスチャンバ(1)は、搬送位置に位置するキャリア(4a、4b)を前記ガイダンス装置(6a、6b、7a、7b)から分離するための前記受容器(2)内の手段と、
前記ガイダンス装置(6a、6b、7a、7b)からのキャリア(4a、4b)の受けとるための手段とを含み、
前記受け取り手段は、前記キャリア(4a、4b)を、前記搬送位置から前記搬送方向を横切る処理位置へと転送するための転送装置を有することを特徴とするプロセスチャンバ(1)。 - 前記プロセスチャンバ(1)は、前記キャリア(4a、4b)に配置された基板(5a、5b)が、前記搬送装置により前記搬送ルートに沿ってほぼ垂直に整列され搬送可能に形成されていることを特徴とする請求項1のプロセスチャンバ(1)。
- 前記搬送方向は前記搬送ルートにほぼ垂直な方向であり、前記キャリア(4a、4b)の処理位置における基板(5a、5b)の配列はキャリア(4a、4b)の搬送位置における基板(5a、5b)の配列にほぼ平行であることを特徴とする前記請求項のいずれか1項記載のプロセスチャンバ(1)。
- 前記プロセスチャンバ(1)は、受容器(2)内に配置された少なくとも1つの前記接触フレーム(11a、11b)を有し、前記接触フレーム(11a、11b)は、接触フレーム(12a、12b)の処理位置においてキャリア(4a、4b)を整列させるため、及び、前記キャリア(4a、4b)により前記接触フレーム(11a、11b)を接触させるために設けられていることを特徴とする前記請求項のいずれか1項記載のプロセスチャンバ(1)。
- 処理電極は少なくとも1つの電極(12a、12b)を含むことを特徴とする前記請求項のいずれか1項記載のプロセスチャンバ(1)。
- 前記1つの電極(12a、12b)は少なくとも前記接触フレーム(11a、11b)に配置されていることを特徴とする請求項5記載のプロセスチャンバ(1)。
- 前記処理位置において、前記接触フレーム(11a、11b)は、前記キャリア(4a、4b)に配置された対応する対向接触子(20a、20b)への接続を形成するための接触子(24)を有することを特徴とする請求項4〜6のいずれか1項記載のプロセスチャンバ(1)。
- 前記搬送装置は、少なくとも1つの駆動源(21)と、前記搬送ルートに沿って前記キャリア(4a、4b)を搬送するための駆動力を伝達するための手段を有する前記請求項のいずれか1項記載のプロセスチャンバ(1)。
- 前記駆動力を伝達するための手段は、少なくとも1つの第1のローラー位置決め器(6a、6b)を有することを特徴とする請求項8記載のプロセスチャンバ(1)。
- 前記ガイダンス装置(6a、6b、7a、7b)は、少なくとも1つのローラー位置決め器を有することを特徴とする前記請求項のいずれか1項記載のプロセスチャンバ(1)。
- 前記キャリア(4a、4b)を前記ガイダンス装置(6a、6b、7a、7b)から分離するための前記手段は、少なくとも1つのリフティング装置(8a、8b)を含むことを特徴とする前記請求項のいずれか1項記載のプロセスチャンバ(1)。
- 前記リフティング装置(8a、8b)は、前記ガイダンス装置(6a、6b、7a、7b)の少なくとも一部分を下降及び/又は上昇させ、前記キャリア(4a、4b)を下降させ、及び/又は、前記キャリア(4a、4b)を前記ガイダンス装置(6a、6b、7a、7b)から分離するよう形成されていることを特徴とする請求項11記載のプロセスチャンバ(1)。
- 前記受け取り手段は、少なくとも1つのフレームと、及び/又は、前記フレーム若しくは支持アーム(15a、15b)を動かすための起動装置(18a、18b)を備えた支持アーム(15a、15b)とを含むことを特徴とする前記請求項のいずれか1項記載のプロセスチャンバ(1)。
- 前記受け取り手段は、前記キャリア(4a、4b)に形成された対応する装置(17a、17b)に係止するための係止手段(16a、16b)を有することを特徴とする前記請求項のいずれか1項記載のプロセスチャンバ(1)。
- 前記起動装置(18a、18b)は、前記受け取り手段に結合された前記キャリア(4a、4b)の起動及び動きにより、前記搬送ルートが他のキャリア(4a、4b)の搬送のために空けられるように形成されていることを特徴とする請求項13又は14記載のプロセスチャンバ(1)。
- 前記請求項のいずれか1項記載のプロセスチャンバ(1)を含むインラインコーティング装置、特にインラインPECVD(プラズマエンハンスト化学蒸着)コーティング装置。
- 前記コーティング装置は、前記請求項のいずれか1項記載のプロセスチャンバ(1)が2個直列に配置されていることを含むことを特徴とする請求項16のインラインコーティング装置。
- 装置キャリア(4a、4b)に配置された基板(5a、5b)の処理のため、特に、PECVD(プラズマエンハンスト化学蒸着)方法によるコーティングのための方法であって、
a)搬送及びガイダンス装置(6a、6b、7a、7b)により、プロセスチャンバ(1)、特に、前記請求項のいずれか1項記載のプロセスチャンバ(1)の内部の搬送位置に、第1の搬送ルートに沿って、前記基板(5a、5b)を搭載した前記キャリア(4a、4b)を搬送する工程と、
b)受け取り装置(15a、15b、16a、16b、18a、18b)を起動する工程と、
c)前記受け取り装置(15a、15b、16a、16b、18a、18b)による前記キャリア(4a、4b)の受け取りのための係止を形成し、前記搬送及びガイダンス装置(6a、6b、7a、7b)から前記キャリア(4a、4b)を分離するため分離装置(8a、8b、9a、9b)を起動する工程と、
d)前記搬送ルートに対して、前記搬送ルートから横方向に配列された接触フレーム(11a、11b)への前記キャリア(4a、4b)の横方向の動きを形成するための前記受け取り手段(15a、15b、16a、16b、18a、18b)を起動する工程を含み、前記フレームの目的は、前記接触フレーム(11a、11b)への前記キャリア(4a、4b)の接触、及び、前記キャリア及びそれに対応する前記接触フレーム(11a、11b)に形成された接触子(20a、20b;24)の間の接触の形成であり、
e)前記処理プロセスを開始する工程を含む方法。 - 前記基板(5a、5b)は前記方法の実行の間、ほぼ垂直に整列されていることを特徴とする請求項18記載の方法。
- 工程c)における前記分離装置(8a、8b、9a、9b)の起動は、リフティング駆動源(8a、8b)による前記ローラー位置決め器(6a、6b)を降下することを含む請求項18又は19記載の方法。
- 工程d)において前記接触位置に到達した後、前記搬送ルートに沿って他のキャリア(4a、4b)が通過できるように、前記搬送ルートが、空けられるように、前記キャリア(4a、4b)は、横方向にずれることを特徴とする請求項18〜20のいずれか1項記載の方法。
- 前記方法は直列に配置された幾つかのプロセスチャンバ(1)において繰り返されることを特徴とする請求項18〜21のいずれか1項記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP07101677A EP1953259B1 (en) | 2007-02-02 | 2007-02-02 | Process chamber, inline coating installation and method for treating a substrate |
US11/680,361 US7837796B2 (en) | 2007-02-02 | 2007-02-28 | Process chamber, inline coating installation and method for treating a substrate |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008208455A true JP2008208455A (ja) | 2008-09-11 |
Family
ID=38230074
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008020266A Pending JP2008208455A (ja) | 2007-02-02 | 2008-01-31 | プロセスチャンバ、インラインコーティング装置及び基板処理方法 |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7837796B2 (ja) |
EP (1) | EP1953259B1 (ja) |
JP (1) | JP2008208455A (ja) |
KR (1) | KR100978698B1 (ja) |
CN (1) | CN101298669B (ja) |
AT (1) | ATE466118T1 (ja) |
DE (1) | DE602007006147D1 (ja) |
ES (1) | ES2345121T3 (ja) |
TW (1) | TW200837810A (ja) |
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- 2007-02-02 AT AT07101677T patent/ATE466118T1/de not_active IP Right Cessation
- 2007-02-02 ES ES07101677T patent/ES2345121T3/es active Active
- 2007-02-02 EP EP07101677A patent/EP1953259B1/en not_active Not-in-force
- 2007-02-28 US US11/680,361 patent/US7837796B2/en not_active Expired - Fee Related
-
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- 2008-01-09 TW TW097100855A patent/TW200837810A/zh unknown
- 2008-01-25 KR KR1020080008218A patent/KR100978698B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2008-01-31 JP JP2008020266A patent/JP2008208455A/ja active Pending
- 2008-02-02 CN CN2008100091749A patent/CN101298669B/zh not_active Expired - Fee Related
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ES2345121T3 (es) | 2010-09-15 |
TW200837810A (en) | 2008-09-16 |
EP1953259B1 (en) | 2010-04-28 |
US20080184933A1 (en) | 2008-08-07 |
ATE466118T1 (de) | 2010-05-15 |
CN101298669A (zh) | 2008-11-05 |
KR20080072538A (ko) | 2008-08-06 |
KR100978698B1 (ko) | 2010-08-30 |
CN101298669B (zh) | 2010-11-10 |
US7837796B2 (en) | 2010-11-23 |
EP1953259A1 (en) | 2008-08-06 |
DE602007006147D1 (de) | 2010-06-10 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A601 | Written request for extension of time |
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A602 | Written permission of extension of time |
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A601 | Written request for extension of time |
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|
A602 | Written permission of extension of time |
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|
A601 | Written request for extension of time |
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|
A602 | Written permission of extension of time |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A02 | Decision of refusal |
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