JPH11288996A - 被処理体の搬送装置 - Google Patents
被処理体の搬送装置Info
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- JPH11288996A JPH11288996A JP10858098A JP10858098A JPH11288996A JP H11288996 A JPH11288996 A JP H11288996A JP 10858098 A JP10858098 A JP 10858098A JP 10858098 A JP10858098 A JP 10858098A JP H11288996 A JPH11288996 A JP H11288996A
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
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- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体ウエハの処理中には半導体ウエハを搬
送することができず、スループットを高めるためには自
ずと限界があり、また、各処理をそれぞれ専用のスペー
スで行うためフットプリントの削減にも限界があった。 【解決手段】 本発明のウエハ搬送装置１０は、半導体
ウエハＷを搬送する多関節型アーム１１と、この多関節
型アーム１１の近傍に配置され且つ多関節型アーム１１
から受け取った半導体ウエハＷを所定の向きに位置合わ
せするアライメント機構１２と、これら両者１１、１２
をそれぞれ支持する正逆回転可能な回転搬送体１３とを
備えたことを特徴とする。
送することができず、スループットを高めるためには自
ずと限界があり、また、各処理をそれぞれ専用のスペー
スで行うためフットプリントの削減にも限界があった。 【解決手段】 本発明のウエハ搬送装置１０は、半導体
ウエハＷを搬送する多関節型アーム１１と、この多関節
型アーム１１の近傍に配置され且つ多関節型アーム１１
から受け取った半導体ウエハＷを所定の向きに位置合わ
せするアライメント機構１２と、これら両者１１、１２
をそれぞれ支持する正逆回転可能な回転搬送体１３とを
備えたことを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、被処理体の搬送装
置に関し、半導体製造工程で被処理体の処理に先立って
被処理体の前処理を実施しながら被処理体を搬送するこ
とができる被処理体の搬送装置に関する。
置に関し、半導体製造工程で被処理体の処理に先立って
被処理体の前処理を実施しながら被処理体を搬送するこ
とができる被処理体の搬送装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造工程では被処理体例えば半導
体ウエハを一枚ずつ処理する枚葉式処理装置等の半導体
製造装置が広く用いられている。このような半導体製造
装置として例えばマルチチャンバー処理装置が広く用い
られている。マルチチャンバー処理装置は、例えば、処
理前後の半導体ウエハ用のキャリアを収納する一対のキ
ャリア室と、このキャリア室内のキャリアから半導体ウ
エハを一枚ずつ取り出してアライメントを行うアライメ
ント室と、このアライメント室に対して一対のロードロ
ック室を介して連結されたトランスファチャンバーと、
このトランスファチャンバーの周囲に連結された複数の
プロセスチャンバーとを備え、複数のプロセスチャンバ
ーで所定の成膜処理やエッチング処理を連続的に行うよ
うにしてある。また、他の機種のマルチチャンバー処理
装置として例えば所定の真空度に達した減圧下で半導体
ウエハの搬送、アライメント及び処理を一貫して行う装
置が知られている。
体ウエハを一枚ずつ処理する枚葉式処理装置等の半導体
製造装置が広く用いられている。このような半導体製造
装置として例えばマルチチャンバー処理装置が広く用い
られている。マルチチャンバー処理装置は、例えば、処
理前後の半導体ウエハ用のキャリアを収納する一対のキ
ャリア室と、このキャリア室内のキャリアから半導体ウ
エハを一枚ずつ取り出してアライメントを行うアライメ
ント室と、このアライメント室に対して一対のロードロ
ック室を介して連結されたトランスファチャンバーと、
このトランスファチャンバーの周囲に連結された複数の
プロセスチャンバーとを備え、複数のプロセスチャンバ
ーで所定の成膜処理やエッチング処理を連続的に行うよ
うにしてある。また、他の機種のマルチチャンバー処理
装置として例えば所定の真空度に達した減圧下で半導体
ウエハの搬送、アライメント及び処理を一貫して行う装
置が知られている。
【０００３】半導体ウエハを処理する場合には、例えば
大気圧下のアライメント室内で搬送装置を介して一方の
キャリア室内のキャリアから半導体ウエハを一枚ずつ取
り出し、アライメント機構まで半導体ウエハを搬送す
る。アライメント機構では例えば光学センサ等の検出器
を介してオリエンテーションフラット（オリフラ）を検
出して半導体ウエハのアライメントを行って所定の向き
に合わせた後、大気圧下で搬送装置を介してアライメン
ト機構から一方のロードロック室内へ半導体ウエハを搬
送する。そして、ロードロック室内では例えば半導体ウ
エハの予熱を行った後、減圧下でトランスファチャンバ
ー内の搬送装置を介してロードロック室内から半導体ウ
エハを所定のプロセスチャンバー内へ搬送し、ここで所
定の処理を行う。処理済みの半導体ウエハはトランスフ
ァチャンバーを介して他方のロードロック室内へ搬送さ
れ、ロードロック室内で例えば半導体ウエハの冷却を行
った後、アライメント室を経由して他方のキャリア室の
キャリア内へ処理済みの半導体ウエハを収納する。
大気圧下のアライメント室内で搬送装置を介して一方の
キャリア室内のキャリアから半導体ウエハを一枚ずつ取
り出し、アライメント機構まで半導体ウエハを搬送す
る。アライメント機構では例えば光学センサ等の検出器
を介してオリエンテーションフラット（オリフラ）を検
出して半導体ウエハのアライメントを行って所定の向き
に合わせた後、大気圧下で搬送装置を介してアライメン
ト機構から一方のロードロック室内へ半導体ウエハを搬
送する。そして、ロードロック室内では例えば半導体ウ
エハの予熱を行った後、減圧下でトランスファチャンバ
ー内の搬送装置を介してロードロック室内から半導体ウ
エハを所定のプロセスチャンバー内へ搬送し、ここで所
定の処理を行う。処理済みの半導体ウエハはトランスフ
ァチャンバーを介して他方のロードロック室内へ搬送さ
れ、ロードロック室内で例えば半導体ウエハの冷却を行
った後、アライメント室を経由して他方のキャリア室の
キャリア内へ処理済みの半導体ウエハを収納する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、最近、
半導体ウエハの大口径化及び微細化が急激に進み、処理
装置等の半導体製造装置のスループットのより一層の向
上及びフットプリントのより一層の削減が求められてい
る。ところが、従来はアライメント処理、予熱等の前処
理及び冷却等の後処理を所定の順序で行い、それぞれの
処理が終わるのを待って半導体ウエハを搬送しているた
め、半導体ウエハの処理中には半導体ウエハを搬送する
ことができず、スループットを高めるためには自ずと限
界があり、また、各処理をそれぞれ専用のスペースで行
うためフットプリントの削減にも限界があった。
半導体ウエハの大口径化及び微細化が急激に進み、処理
装置等の半導体製造装置のスループットのより一層の向
上及びフットプリントのより一層の削減が求められてい
る。ところが、従来はアライメント処理、予熱等の前処
理及び冷却等の後処理を所定の順序で行い、それぞれの
処理が終わるのを待って半導体ウエハを搬送しているた
め、半導体ウエハの処理中には半導体ウエハを搬送する
ことができず、スループットを高めるためには自ずと限
界があり、また、各処理をそれぞれ専用のスペースで行
うためフットプリントの削減にも限界があった。
【０００５】本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたもので、半導体ウエハ等の被処理体の搬送中に他の
処理を並行して行ってスループットを高めることがで
き、しかもフットプリントを削減することができる被処
理体の搬送装置を提供することを目的としている。
れたもので、半導体ウエハ等の被処理体の搬送中に他の
処理を並行して行ってスループットを高めることがで
き、しかもフットプリントを削減することができる被処
理体の搬送装置を提供することを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に記載
の被処理体の搬送装置は、被処理体を保持して搬送する
搬送機構と、この搬送機構の近傍に配置され且つ上記搬
送機構から受け取った上記被処理体を所定の向きに位置
合わせする位置合わせ機構と、これら両者をそれぞれ支
持する正逆回転可能な回転搬送体とを備えたことを特徴
とするものである。
の被処理体の搬送装置は、被処理体を保持して搬送する
搬送機構と、この搬送機構の近傍に配置され且つ上記搬
送機構から受け取った上記被処理体を所定の向きに位置
合わせする位置合わせ機構と、これら両者をそれぞれ支
持する正逆回転可能な回転搬送体とを備えたことを特徴
とするものである。
【０００７】また、本発明の請求項２に記載の被処理体
の搬送装置は、被処理体を保持して搬送する搬送機構
と、この搬送機構の近傍に配置され且つ上記搬送機構か
ら受け取った上記被処理体の温度を調節する温度調節機
構を有する昇降可能な載置台と、これら両者をそれぞれ
支持する正逆回転可能な回転搬送体とを備えたことを特
徴とするものである。
の搬送装置は、被処理体を保持して搬送する搬送機構
と、この搬送機構の近傍に配置され且つ上記搬送機構か
ら受け取った上記被処理体の温度を調節する温度調節機
構を有する昇降可能な載置台と、これら両者をそれぞれ
支持する正逆回転可能な回転搬送体とを備えたことを特
徴とするものである。
【０００８】また、本発明の請求項３に記載の被処理体
の搬送装置は、処理装置内で被処理体を搬送する被処理
体の搬送装置において、上記被処理体を保持して搬送す
る搬送機構と、この搬送機構の近傍に配置され且つ上記
搬送機構から受け取った上記被処理体を所定の向きに位
置合わせする位置合わせ機構と、これら両者をそれぞれ
支持する正逆回転可能な回転搬送体とを備えたことを特
徴とするものである。
の搬送装置は、処理装置内で被処理体を搬送する被処理
体の搬送装置において、上記被処理体を保持して搬送す
る搬送機構と、この搬送機構の近傍に配置され且つ上記
搬送機構から受け取った上記被処理体を所定の向きに位
置合わせする位置合わせ機構と、これら両者をそれぞれ
支持する正逆回転可能な回転搬送体とを備えたことを特
徴とするものである。
【０００９】また、本発明の請求項４に記載の被処理体
の搬送装置は、処理装置内で被処理体を搬送する被処理
体の搬送装置において、被処理体を保持して搬送する搬
送機構と、この搬送機構の近傍に配置され且つ上記搬送
機構から受け取った上記被処理体の温度を調節する温度
調節機構を有する昇降可能な載置台と、これら両者をそ
れぞれ支持する正逆回転可能な回転搬送体とを備えたこ
とを特徴とするものである。
の搬送装置は、処理装置内で被処理体を搬送する被処理
体の搬送装置において、被処理体を保持して搬送する搬
送機構と、この搬送機構の近傍に配置され且つ上記搬送
機構から受け取った上記被処理体の温度を調節する温度
調節機構を有する昇降可能な載置台と、これら両者をそ
れぞれ支持する正逆回転可能な回転搬送体とを備えたこ
とを特徴とするものである。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、図１〜図５に示す実施形態
に基づいて本発明を説明する。本実施形態の被処理体の
搬送装置（以下、「ウエハ搬送装置」と称す。）１０
は、例えば図１、図２に示すように、被処理体である半
導体ウエハＷを保持して搬送する搬送機構（例えば、多
関節型アーム）１１と、この多関節型アーム１１の近傍
に配置され且つ多関節型アーム１１から受け取った半導
体ウエハＷを所定の向きに位置合わせする昇降可能なア
ライメント機構１２と、これら両者１１、１２をそれぞ
れ支持する正逆回転可能な回転搬送体１３を備えてい
る。従って、キャリア内の半導体ウエハＷを多関節型ア
ーム１１を介して一枚ずつ取り出し、アライメント機構
１２上へ搬送した後、回転搬送体１３が回転する間にア
ライメント機構１２において半導体ウエハＷをオリフラ
を基準に所定の向きに合わせ、再び多関節型アーム１１
を介してアライメント後の半導体ウエハＷをアライメン
ト機構１２から所定の場所例えばプロセスチャンバーへ
搬送する。このウエハ搬送装置１０は例えば図３、図４
に示すマルチチャンバー処理装置１００に適用すること
ができる。
に基づいて本発明を説明する。本実施形態の被処理体の
搬送装置（以下、「ウエハ搬送装置」と称す。）１０
は、例えば図１、図２に示すように、被処理体である半
導体ウエハＷを保持して搬送する搬送機構（例えば、多
関節型アーム）１１と、この多関節型アーム１１の近傍
に配置され且つ多関節型アーム１１から受け取った半導
体ウエハＷを所定の向きに位置合わせする昇降可能なア
ライメント機構１２と、これら両者１１、１２をそれぞ
れ支持する正逆回転可能な回転搬送体１３を備えてい
る。従って、キャリア内の半導体ウエハＷを多関節型ア
ーム１１を介して一枚ずつ取り出し、アライメント機構
１２上へ搬送した後、回転搬送体１３が回転する間にア
ライメント機構１２において半導体ウエハＷをオリフラ
を基準に所定の向きに合わせ、再び多関節型アーム１１
を介してアライメント後の半導体ウエハＷをアライメン
ト機構１２から所定の場所例えばプロセスチャンバーへ
搬送する。このウエハ搬送装置１０は例えば図３、図４
に示すマルチチャンバー処理装置１００に適用すること
ができる。
【００１１】そこで、例えば図３、図４に示すマルチチ
ャンバー処理装置１００について概説する。このマルチ
チャンバー処理装置１００は、例えば各図に示すよう
に、略六角形のトランスファチャンバー１１０と、この
トランスファチャンバー１１０の二側面に連通可能に連
結された一対のキャリアチャンバー１２０と、一方のキ
ャリアチャンバー１２０から時計方向にトランスファチ
ャンバー１１０の各側面に順次連通可能に連結され且つ
半導体ウエハＷに対して所定の成膜処理やエッチング処
理等のプロセス処理を施す３室のプロセスチャンバー１
３０と、他方のキャリアチャンバー１２０とプロセスチ
ャンバー１３０の間でトランスファチャンバー１１０に
連通可能に連結されたバッファチャンバー１４０とを備
え、各チャンバー間はゲートバルブ１５０によって開閉
するようにしてある。そして、本実施形態のウエハ搬送
装置１０は例えば図３、図４に示すようにトランスファ
チャンバー１１０内に配設されている。
ャンバー処理装置１００について概説する。このマルチ
チャンバー処理装置１００は、例えば各図に示すよう
に、略六角形のトランスファチャンバー１１０と、この
トランスファチャンバー１１０の二側面に連通可能に連
結された一対のキャリアチャンバー１２０と、一方のキ
ャリアチャンバー１２０から時計方向にトランスファチ
ャンバー１１０の各側面に順次連通可能に連結され且つ
半導体ウエハＷに対して所定の成膜処理やエッチング処
理等のプロセス処理を施す３室のプロセスチャンバー１
３０と、他方のキャリアチャンバー１２０とプロセスチ
ャンバー１３０の間でトランスファチャンバー１１０に
連通可能に連結されたバッファチャンバー１４０とを備
え、各チャンバー間はゲートバルブ１５０によって開閉
するようにしてある。そして、本実施形態のウエハ搬送
装置１０は例えば図３、図４に示すようにトランスファ
チャンバー１１０内に配設されている。
【００１２】そこで、図３、図４を参照しながらウエハ
搬送装置１０について更に説明する。上記多関節型アー
ム１１は、図３、図４に示すように、回転搬送体１３の
上面１３Ａの中心を貫通するモータ１１Ａの駆動軸の上
端に連結された第１アーム１１Ｂと、第１アーム１１Ｂ
の先端部に基端部で連結された第２アーム１１Ｃと、第
２アーム１１Ｃの先端部に基端部で連結されたハンド１
１Ｄとを備えている。第１アーム１１Ｂと第２アーム１
１Ｃの連結部（関節）にはモータ及び歯車機構（共に図
示せず）がそれぞれ配設され、第２アーム１１Ｃがモー
タを介して第１アーム１１Ｂに対して屈伸可能になって
いる。また、第２アーム１１Ｃとハンド１１Ｄの関節も
第１、第２アーム１１Ｂ、１１Ｃの関節と同様に構成さ
れ、ハンド１１Ｄが第２アーム１１Ｃに対して屈伸可能
になっている。また、ハンド１２Ｄの上面には半導体ウ
エハＷの存在を確認するセンサ１１Ｅ（図３参照）が配
設されている。従って、多関節型アーム１１は、センサ
１１Ｅでハンド１１Ｄ上の半導体ウエハＷの存在を確認
すると、回転搬送体１３上でモータ１１Ａの駆動により
正逆方向に回転すると共に各関節を介して屈伸して半導
体ウエハＷを搬送する。
搬送装置１０について更に説明する。上記多関節型アー
ム１１は、図３、図４に示すように、回転搬送体１３の
上面１３Ａの中心を貫通するモータ１１Ａの駆動軸の上
端に連結された第１アーム１１Ｂと、第１アーム１１Ｂ
の先端部に基端部で連結された第２アーム１１Ｃと、第
２アーム１１Ｃの先端部に基端部で連結されたハンド１
１Ｄとを備えている。第１アーム１１Ｂと第２アーム１
１Ｃの連結部（関節）にはモータ及び歯車機構（共に図
示せず）がそれぞれ配設され、第２アーム１１Ｃがモー
タを介して第１アーム１１Ｂに対して屈伸可能になって
いる。また、第２アーム１１Ｃとハンド１１Ｄの関節も
第１、第２アーム１１Ｂ、１１Ｃの関節と同様に構成さ
れ、ハンド１１Ｄが第２アーム１１Ｃに対して屈伸可能
になっている。また、ハンド１２Ｄの上面には半導体ウ
エハＷの存在を確認するセンサ１１Ｅ（図３参照）が配
設されている。従って、多関節型アーム１１は、センサ
１１Ｅでハンド１１Ｄ上の半導体ウエハＷの存在を確認
すると、回転搬送体１３上でモータ１１Ａの駆動により
正逆方向に回転すると共に各関節を介して屈伸して半導
体ウエハＷを搬送する。
【００１３】また、上記アライメント機構１２は、半導
体ウエハＷを載置する載置台１２Ａと、この載置台１２
Ａをθ方向で正逆回転させると共にＺ方向で昇降させる
駆動機構１２Ｂと、この駆動機構１２Ｂが正逆回転する
間に半導体ウエハＷのオリフラを検出し所定の向きで駆
動機構１２Ｂを止める光学センサ等の検出器（図示せ
ず）とを備え、載置台１２Ａを正逆回転する間に検出器
でオリフラを検出して半導体ウエハＷを所定の向きに位
置合わせするようにしてある。アライメント機構１２は
載置台１２Ａ上で半導体ウエハＷを例えば静電チャック
等の吸着手段で保持するようにしてある。
体ウエハＷを載置する載置台１２Ａと、この載置台１２
Ａをθ方向で正逆回転させると共にＺ方向で昇降させる
駆動機構１２Ｂと、この駆動機構１２Ｂが正逆回転する
間に半導体ウエハＷのオリフラを検出し所定の向きで駆
動機構１２Ｂを止める光学センサ等の検出器（図示せ
ず）とを備え、載置台１２Ａを正逆回転する間に検出器
でオリフラを検出して半導体ウエハＷを所定の向きに位
置合わせするようにしてある。アライメント機構１２は
載置台１２Ａ上で半導体ウエハＷを例えば静電チャック
等の吸着手段で保持するようにしてある。
【００１４】上記回転搬送体１３は例えば図４に示すよ
うにトランスファチャンバー１１０の底面に組み込まれ
た偏平で上下が封止された円筒体として形成され、回転
体駆動機構１４によって正逆回転するようにしてある。
そして、この回転搬送体１３の上面１３Ａとトランスフ
ァチャンバー１１０の底面は面一になっており、この回
転搬送体１３の下面１３Ｂの中心には回転軸１３Ｃが形
成されている。また、回転体駆動機構１４は、回転搬送
体１３の下方に配設されたモータ１４Ａと、このモータ
１４Ａの駆動軸に固定されたウォーム１４Ｂと、このウ
ォーム１４Ｂと噛合し且つ回転軸１３Ｃに固定されたウ
ォームホイール１４Ｃとを備えている。更に、回転搬送
体１３の下方には回転搬送体１３の周面から下方へ突出
した突出部１３Ｄがガイドリング１５と係合している。
ガイドリング１５には複数のローラ１５Ａが全周に渡っ
て等間隔に軸支され、各ローラ１５Ａに従って回転搬送
体１３が回転するようにしてある。従って、回転体駆動
機構１４のモータ１４Ａが正逆回転すると、ウォーム１
４Ｂ、ウォームホイール１４Ｃ及び回転軸１３Ｃを介し
て回転搬送体１３がリングガイド１５に案内されながら
円滑に正逆回転する。
うにトランスファチャンバー１１０の底面に組み込まれ
た偏平で上下が封止された円筒体として形成され、回転
体駆動機構１４によって正逆回転するようにしてある。
そして、この回転搬送体１３の上面１３Ａとトランスフ
ァチャンバー１１０の底面は面一になっており、この回
転搬送体１３の下面１３Ｂの中心には回転軸１３Ｃが形
成されている。また、回転体駆動機構１４は、回転搬送
体１３の下方に配設されたモータ１４Ａと、このモータ
１４Ａの駆動軸に固定されたウォーム１４Ｂと、このウ
ォーム１４Ｂと噛合し且つ回転軸１３Ｃに固定されたウ
ォームホイール１４Ｃとを備えている。更に、回転搬送
体１３の下方には回転搬送体１３の周面から下方へ突出
した突出部１３Ｄがガイドリング１５と係合している。
ガイドリング１５には複数のローラ１５Ａが全周に渡っ
て等間隔に軸支され、各ローラ１５Ａに従って回転搬送
体１３が回転するようにしてある。従って、回転体駆動
機構１４のモータ１４Ａが正逆回転すると、ウォーム１
４Ｂ、ウォームホイール１４Ｃ及び回転軸１３Ｃを介し
て回転搬送体１３がリングガイド１５に案内されながら
円滑に正逆回転する。
【００１５】また、上記プロセスチャンバー１３０は、
半導体ウエハＷの載置台を兼ねた下部電極１３１と、こ
の下部電極１３１の真上に配置されたプロセスガス供給
部を兼ねた上部電極１３２とを備えている。下部電極１
３１にはマッチング回路１３３を介して高周波電源１３
４が接続されている。また、上部電極１３２はアースさ
れている。従って、所定の真空度に達した減圧状態で下
部電極１３１に高周波電力を印加し、上部電極１３２か
らプロセスガスを供給すると、両電極１３１、１３２間
でプロセスガスのプラズマを発生し、半導体ウエハＷに
対して所定のプラズマ処理を施す。尚、多関節型アーム
１１と下部電極１３１との間では下部電極１３１に付設
された図示しないスリーピンを介して半導体ウエハＷを
受け渡すようにしてある。
半導体ウエハＷの載置台を兼ねた下部電極１３１と、こ
の下部電極１３１の真上に配置されたプロセスガス供給
部を兼ねた上部電極１３２とを備えている。下部電極１
３１にはマッチング回路１３３を介して高周波電源１３
４が接続されている。また、上部電極１３２はアースさ
れている。従って、所定の真空度に達した減圧状態で下
部電極１３１に高周波電力を印加し、上部電極１３２か
らプロセスガスを供給すると、両電極１３１、１３２間
でプロセスガスのプラズマを発生し、半導体ウエハＷに
対して所定のプラズマ処理を施す。尚、多関節型アーム
１１と下部電極１３１との間では下部電極１３１に付設
された図示しないスリーピンを介して半導体ウエハＷを
受け渡すようにしてある。
【００１６】また、図示してないが上記バッファチャン
バー１４０内には半導体ウエハＷを保持する保持棚（図
示せず）及び温度調節機構が配設され、処理前の半導体
ウエハＷを一時的に保持して予熱したり、処理後の半導
体ウエハＷを一時的に保持してその後処理としての冷却
を行うようにしてある。
バー１４０内には半導体ウエハＷを保持する保持棚（図
示せず）及び温度調節機構が配設され、処理前の半導体
ウエハＷを一時的に保持して予熱したり、処理後の半導
体ウエハＷを一時的に保持してその後処理としての冷却
を行うようにしてある。
【００１７】次に、動作について説明する。まず、各チ
ャンバーを真空引きし、それぞれ所定に真空度まで減圧
する。次いで、キャリアチャンバー１２０とトランスフ
ァチャンバー１１０間のゲートバルブ１５０が開くと、
ウエハ搬送装置１０が駆動して多関節型アーム１１を伸
ばし、キャリアＣから半導体ウエハＷを一枚ずつ取り出
し、バッファトランスファ１４０内へ搬送する。半導体
ウエハＷの所定枚数だけバッファチャンバー１４０へ移
載すると、キャリアチャンバー１２０及びバッファチャ
ンバー１４０のゲートバルブ１５０がそれぞれ閉じ、バ
ッファチャンバー１４０内で半導体ウエハＷの前処理と
しての予熱を行う。
ャンバーを真空引きし、それぞれ所定に真空度まで減圧
する。次いで、キャリアチャンバー１２０とトランスフ
ァチャンバー１１０間のゲートバルブ１５０が開くと、
ウエハ搬送装置１０が駆動して多関節型アーム１１を伸
ばし、キャリアＣから半導体ウエハＷを一枚ずつ取り出
し、バッファトランスファ１４０内へ搬送する。半導体
ウエハＷの所定枚数だけバッファチャンバー１４０へ移
載すると、キャリアチャンバー１２０及びバッファチャ
ンバー１４０のゲートバルブ１５０がそれぞれ閉じ、バ
ッファチャンバー１４０内で半導体ウエハＷの前処理と
しての予熱を行う。
【００１８】予熱が終了すると、多関節型アーム１１が
作動し、半導体ウエハＷをバッファチャンバー１４０か
ら一枚ずつ取り出し、アライメント機構１２の載置台１
２Ａ上へ搬送する。次いで、図１、図４に示すように回
転搬送体１３がその駆動機構１４を介して回転すると共
にアライメント機構１２の載置台１２Ａが上昇、回転
し、検出器を介して半導体ウエハＷを所定の向きに合わ
せる。この間に回転搬送体１３が回転し、アライメント
機構１２が所定のプロセスチャンバー１３０と対峙する
位置まで半導体ウエハＷを回転搬送する。そして、アラ
イメント機構１２によるアライメント処理が終了する
と、図２に示すようにアライメント機構１２の載置台１
２Ａが下降し、多関節型アーム１１のハンド１１Ｄへ半
導体ウエハＷを引き渡す。多関節型アーム１１が半導体
ウエハＷを受け取ると、アームを伸ばしてハンド１１Ｄ
が直進しゲートバルブ１５０の開いたプロセスチャンバ
ー１３０内の下部電極１３１上へ半導体ウエハＷを引き
渡す。引き続き多関節型アーム１１が屈曲してプロセス
チャンバー１３０から退避すると、ゲートバルブ１５０
が閉じ、プロセスチャンバー１３０内で所定のプラズマ
処理を実行する。
作動し、半導体ウエハＷをバッファチャンバー１４０か
ら一枚ずつ取り出し、アライメント機構１２の載置台１
２Ａ上へ搬送する。次いで、図１、図４に示すように回
転搬送体１３がその駆動機構１４を介して回転すると共
にアライメント機構１２の載置台１２Ａが上昇、回転
し、検出器を介して半導体ウエハＷを所定の向きに合わ
せる。この間に回転搬送体１３が回転し、アライメント
機構１２が所定のプロセスチャンバー１３０と対峙する
位置まで半導体ウエハＷを回転搬送する。そして、アラ
イメント機構１２によるアライメント処理が終了する
と、図２に示すようにアライメント機構１２の載置台１
２Ａが下降し、多関節型アーム１１のハンド１１Ｄへ半
導体ウエハＷを引き渡す。多関節型アーム１１が半導体
ウエハＷを受け取ると、アームを伸ばしてハンド１１Ｄ
が直進しゲートバルブ１５０の開いたプロセスチャンバ
ー１３０内の下部電極１３１上へ半導体ウエハＷを引き
渡す。引き続き多関節型アーム１１が屈曲してプロセス
チャンバー１３０から退避すると、ゲートバルブ１５０
が閉じ、プロセスチャンバー１３０内で所定のプラズマ
処理を実行する。
【００１９】一方、ウエハ搬送装置１２は回転搬送体１
３が回転し、アライメント機構１２がバッファチャンバ
ー１４０と対峙する位置で停止する。その後、ウエハ搬
送装置１２はバッファチャンバー１４０から他のプロセ
スチャンバー１３０へ半導体ウエハＷのアライメント処
理を行いながら半導体ウエハＷを搬送する上述の動作を
動作を繰り返す。その後、各プロセスチャンバー１３０
におけるプラズマ処理が終了すると、ウエハ搬送装置１
０を介してバッファチャンバー１４０内へ搬送し、半導
体ウエハＷを冷却した後、処理済みの半導体ウエハＷを
収納するキャリアチャンバー１２０内のキャリアＣ内へ
処理済みの半導体ウエハＷを搬送する。
３が回転し、アライメント機構１２がバッファチャンバ
ー１４０と対峙する位置で停止する。その後、ウエハ搬
送装置１２はバッファチャンバー１４０から他のプロセ
スチャンバー１３０へ半導体ウエハＷのアライメント処
理を行いながら半導体ウエハＷを搬送する上述の動作を
動作を繰り返す。その後、各プロセスチャンバー１３０
におけるプラズマ処理が終了すると、ウエハ搬送装置１
０を介してバッファチャンバー１４０内へ搬送し、半導
体ウエハＷを冷却した後、処理済みの半導体ウエハＷを
収納するキャリアチャンバー１２０内のキャリアＣ内へ
処理済みの半導体ウエハＷを搬送する。
【００２０】以上説明したように本実施形態によれば、
ウエハ搬送装置１０は、多関節型アーム１１、アライメ
ント機構１２及び回転搬送体１３を有するため、半導体
ウエハＷの搬送とアライメント処理を並行して行うこと
ができ、搬送とアライメント処理を個別に行う場合と比
較してスループットを高めることができる。また、アラ
イメント処理専用のスペースを削減でき、装置自体のフ
ットプリントを削減することができる。
ウエハ搬送装置１０は、多関節型アーム１１、アライメ
ント機構１２及び回転搬送体１３を有するため、半導体
ウエハＷの搬送とアライメント処理を並行して行うこと
ができ、搬送とアライメント処理を個別に行う場合と比
較してスループットを高めることができる。また、アラ
イメント処理専用のスペースを削減でき、装置自体のフ
ットプリントを削減することができる。
【００２１】また、図５は本発明の他の実施形態の要部
を示す図である。本実施形態では、上記実施形態のアラ
イメント機構１２に代えて半導体ウエハＷの温度調節機
構を有する載置台を設け点に特徴を有し、その他は上記
実施形態に準じて構成されている。この載置台２０は、
例えば同図に示すように、載置面の略全面に渡って設け
られた面ヒータ２１及び冷媒通路２２を内蔵し、半導体
ウエハＷを予熱する時には面ヒータ２１を使用し、半導
体ウエハＷを冷却する時には冷媒通路２２内に冷媒を循
環させるようにしてある。従って、本実施形態では上記
実施形態におけるバッファチャンバー１４０を省略する
ことができ、しかも半導体ウエハＷの搬送と予熱または
冷却を並行して行うことができ、上記実施形態と同様に
フットプリントの削減及びスループットの向上を実現す
ることができる。尚、このような温度調節機構はアライ
メント機構に設けることもできる。
を示す図である。本実施形態では、上記実施形態のアラ
イメント機構１２に代えて半導体ウエハＷの温度調節機
構を有する載置台を設け点に特徴を有し、その他は上記
実施形態に準じて構成されている。この載置台２０は、
例えば同図に示すように、載置面の略全面に渡って設け
られた面ヒータ２１及び冷媒通路２２を内蔵し、半導体
ウエハＷを予熱する時には面ヒータ２１を使用し、半導
体ウエハＷを冷却する時には冷媒通路２２内に冷媒を循
環させるようにしてある。従って、本実施形態では上記
実施形態におけるバッファチャンバー１４０を省略する
ことができ、しかも半導体ウエハＷの搬送と予熱または
冷却を並行して行うことができ、上記実施形態と同様に
フットプリントの削減及びスループットの向上を実現す
ることができる。尚、このような温度調節機構はアライ
メント機構に設けることもできる。
【００２２】尚、上記各実施形態では半導体ウエハのプ
ラズマ処理装置を例に挙げて説明したが、本発明は熱処
理等のプロセス処理等に広く適用することができる。ま
た、半導体ウエハ以外の液晶表示体用基板等の被処理体
についても適用することができる。また、搬送機構とし
て多関節型アームを例に挙げて説明したが、半導体ウエ
ハ等の被処理体を保持して搬送する機構であれば、ＸＹ
ステージ等の移動駆動機構を有する搬送機構についても
本発明を適用することができる。要は、本発明の要旨を
逸脱しない限り半導体製造工程で被処理体を搬送する工
程において本発明を広く適用することができる。
ラズマ処理装置を例に挙げて説明したが、本発明は熱処
理等のプロセス処理等に広く適用することができる。ま
た、半導体ウエハ以外の液晶表示体用基板等の被処理体
についても適用することができる。また、搬送機構とし
て多関節型アームを例に挙げて説明したが、半導体ウエ
ハ等の被処理体を保持して搬送する機構であれば、ＸＹ
ステージ等の移動駆動機構を有する搬送機構についても
本発明を適用することができる。要は、本発明の要旨を
逸脱しない限り半導体製造工程で被処理体を搬送する工
程において本発明を広く適用することができる。
【００２３】
【発明の効果】本発明の請求項１〜請求項４に記載の発
明によれば、半導体ウエハ等の被処理体の搬送中に他の
処理を並行して行ってスループットを高めることがで
き、しかもフットプリントを削減することができる被処
理体の搬送装置を提供することができる。
明によれば、半導体ウエハ等の被処理体の搬送中に他の
処理を並行して行ってスループットを高めることがで
き、しかもフットプリントを削減することができる被処
理体の搬送装置を提供することができる。
【図１】本発明の被処理体の搬送装置の一実施形態の要
部を示す斜視図で、半導体ウエハをアライメント処理す
る状態を示す図である。
部を示す斜視図で、半導体ウエハをアライメント処理す
る状態を示す図である。
【図２】図１に相当する斜視図で、アライメント処理後
の半導体ウエハを多関節型アームへ引き渡す状態を示す
図である。図１に示す被処理体の搬送装置の全体の構造
を示す断面図である。
の半導体ウエハを多関節型アームへ引き渡す状態を示す
図である。図１に示す被処理体の搬送装置の全体の構造
を示す断面図である。
【図３】図１に示す被処理体の搬送装置を適用した処理
装置の一例を示す平面図である。
装置の一例を示す平面図である。
【図４】図３に示す処理装置の要部を示す断面図であ
る。
る。
【図５】本発明の被処理体の搬送装置の他の実施形態の
要部を示す断面図である。
要部を示す断面図である。
１０ 被処理体の搬送装置 １１ 回転体 １２ 多関節型アーム（搬送機構） １３ アライメント機構（位置合わせ機構） ２０ 載置台 ２１ 面ヒータ（温度調節機構） ２２ 冷媒通路（温度調節機構） １００ マルチチャンバー処理装置
Claims (4)
- 【請求項１】 被処理体を保持して搬送する搬送機構
と、この搬送機構の近傍に配置され且つ上記搬送機構か
ら受け取った上記被処理体を所定の向きに位置合わせす
る位置合わせ機構と、これら両者をそれぞれ支持する正
逆回転可能な回転搬送体とを備えたことを特徴とする被
処理体の搬送装置。 - 【請求項２】 被処理体を保持して搬送する搬送機構
と、この搬送機構の近傍に配置され且つ上記搬送機構か
ら受け取った上記被処理体の温度を調節する温度調節機
構を有する昇降可能な載置台と、これら両者をそれぞれ
支持する正逆回転可能な回転搬送体とを備えたことを特
徴とする被処理体の搬送装置。 - 【請求項３】 処理装置内で被処理体を搬送する被処理
体の搬送装置において、上記被処理体を保持して搬送す
る搬送機構と、この搬送機構の近傍に配置され且つ上記
搬送機構から受け取った上記被処理体を所定の向きに位
置合わせする位置合わせ機構と、これら両者をそれぞれ
支持する正逆回転可能な回転搬送体とを備えたことを特
徴とする被処理体の搬送装置。 - 【請求項４】 処理装置内で被処理体を搬送する被処理
体の搬送装置において、被処理体を保持して搬送する搬
送機構と、この搬送機構の近傍に配置され且つ上記搬送
機構から受け取った上記被処理体の温度を調節する温度
調節機構を有する昇降可能な載置台と、これら両者をそ
れぞれ支持する正逆回転可能な回転搬送体とを備えたこ
とを特徴とする被処理体の搬送装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10858098A JPH11288996A (ja) | 1998-04-04 | 1998-04-04 | 被処理体の搬送装置 |
| PCT/JP1999/001765 WO1999052142A1 (fr) | 1998-04-04 | 1999-04-02 | Dispositif de transfert pour corps a traiter |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10858098A JPH11288996A (ja) | 1998-04-04 | 1998-04-04 | 被処理体の搬送装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11288996A true JPH11288996A (ja) | 1999-10-19 |
Family
ID=14488427
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10858098A Pending JPH11288996A (ja) | 1998-04-04 | 1998-04-04 | 被処理体の搬送装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11288996A (ja) |
| WO (1) | WO1999052142A1 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006128578A (ja) * | 2004-11-01 | 2006-05-18 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理方法、基板処理システム及び基板処理プログラム |
| US8257601B2 (en) | 2004-11-01 | 2012-09-04 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing method, system and program |
| EP3300840A1 (de) * | 2016-09-29 | 2018-04-04 | ASYS Automatic Systems GmbH & Co. KG | Handhabungsvorrichtung für substrate, insbesondere halbleitersubstrate |
| JP2021098885A (ja) * | 2019-12-23 | 2021-07-01 | キヤノントッキ株式会社 | 成膜装置 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7976263B2 (en) | 2007-09-22 | 2011-07-12 | David Barker | Integrated wafer transfer mechanism |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07106404A (ja) * | 1993-09-29 | 1995-04-21 | Canon Inc | 位置決め装置 |
| JPH08255821A (ja) * | 1995-03-15 | 1996-10-01 | Metsukusu:Kk | シリコンウェハー搬送装置 |
| JP3748940B2 (ja) * | 1995-03-20 | 2006-02-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 位置決め装置，処理システムおよび位置決め方法 |
| JPH0940112A (ja) * | 1995-07-26 | 1997-02-10 | Metsukusu:Kk | 薄型基板搬送装置 |
-
1998
- 1998-04-04 JP JP10858098A patent/JPH11288996A/ja active Pending
-
1999
- 1999-04-02 WO PCT/JP1999/001765 patent/WO1999052142A1/ja active Application Filing
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006128578A (ja) * | 2004-11-01 | 2006-05-18 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理方法、基板処理システム及び基板処理プログラム |
| US8257601B2 (en) | 2004-11-01 | 2012-09-04 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing method, system and program |
| US8475623B2 (en) | 2004-11-01 | 2013-07-02 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing method, system and program |
| EP3300840A1 (de) * | 2016-09-29 | 2018-04-04 | ASYS Automatic Systems GmbH & Co. KG | Handhabungsvorrichtung für substrate, insbesondere halbleitersubstrate |
| JP2021098885A (ja) * | 2019-12-23 | 2021-07-01 | キヤノントッキ株式会社 | 成膜装置 |
| CN113088871A (zh) * | 2019-12-23 | 2021-07-09 | 佳能特机株式会社 | 成膜装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO1999052142A1 (fr) | 1999-10-14 |
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