TWI311513B - System and methods for polishing a wafer - Google Patents
System and methods for polishing a wafer Download PDFInfo
- Publication number
- TWI311513B TWI311513B TW095116429A TW95116429A TWI311513B TW I311513 B TWI311513 B TW I311513B TW 095116429 A TW095116429 A TW 095116429A TW 95116429 A TW95116429 A TW 95116429A TW I311513 B TWI311513 B TW I311513B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- wafer
- liquid
- gas
- polishing
- ozone
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 52
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims description 43
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 122
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 100
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 81
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 40
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 25
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 24
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 12
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 claims description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 7
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 5
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 5
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000009499 grossing Methods 0.000 claims description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 48
- 230000008569 process Effects 0.000 description 23
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 9
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 9
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 8
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 7
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N fluorene Chemical compound C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 2
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- 239000008267 milk Substances 0.000 description 2
- 210000004080 milk Anatomy 0.000 description 2
- 235000013336 milk Nutrition 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 2
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000266847 Mephitidae Species 0.000 description 1
- 206010036790 Productive cough Diseases 0.000 description 1
- YZCKVEUIGOORGS-IGMARMGPSA-N Protium Chemical compound [1H] YZCKVEUIGOORGS-IGMARMGPSA-N 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 239000013543 active substance Substances 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 239000000443 aerosol Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 238000001311 chemical methods and process Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 238000004049 embossing Methods 0.000 description 1
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- JEGUKCSWCFPDGT-UHFFFAOYSA-N h2o hydrate Chemical compound O.O JEGUKCSWCFPDGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 238000005511 kinetic theory Methods 0.000 description 1
- 238000010297 mechanical methods and process Methods 0.000 description 1
- 230000005226 mechanical processes and functions Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- WURFKUQACINBSI-UHFFFAOYSA-M ozonide Chemical compound [O]O[O-] WURFKUQACINBSI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 210000003802 sputum Anatomy 0.000 description 1
- 208000024794 sputum Diseases 0.000 description 1
- 238000010025 steaming Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02002—Preparing wafers
- H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
- H01L21/02008—Multistep processes
- H01L21/0201—Specific process step
- H01L21/02019—Chemical etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02002—Preparing wafers
- H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
- H01L21/02008—Multistep processes
- H01L21/0201—Specific process step
- H01L21/02024—Mirror polishing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
- H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
- H01L21/67086—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Weting (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
1311513 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於拋光晶圓之系統與方法。 【先前技術】 石夕晶圓拋光為在製造半導體裝置、微機電系統 (MEMS)、微光學裝置及於一基板上製造的類似微量級裝 置中之一重要步驟。拋光晶圓提供了微量裝置之製造所需 之類似鏡面且很平的表面。晶圓拋光習知為使用—含研磨 t料之研磨劑及諸如酸之化學混合物之一多步驟製程。將 晶圓緊固於一轉盤上且使其旋轉。諸如墊、刷、海錦等之 抛光頭壓按該旋轉晶圓。化學與機械效應之組合抛光該晶 圓。已知為化學機械拋光或"CMP"之此類型的拋光已廣泛 地使用了 3 0多年。 實務上’拋光可為一呈現很多難題及複雜性之複雜製 程°各種抛光參數（包括旋轉速度、壓力、時間、研磨聚 料組份、晶圓平面度、墊磨損、負载之均一性等）之變化 可影響結果。此外，此等化學/機械製程通常需要若干橋 正性的流程步驟，以減少晶圓中由該拋光步驟產生的應 力，或者移除由該拋光步驟引起的研磨漿料顆粒或其他污 染。此外，在製造過程中，晶圓拋光报耗時。雖然在試圖 減少此等缺點上已集中了廣泛的研究與開發努力（尤其在 半導體行業中），但CMP之基本的潛在問題仍存在。因 此，當CMP及其他現有的拋光技術已取得各種成功時，存 在對改良的拋光技術之強烈需求。 110973.doc 1311513 【發明内容】
現已發現’不使用研磨劑且甚至不與晶圓直接實體接觸 亦可對晶圓進行拋光。因此’避免了自研磨劑、研磨漿料 及機械拋光元件之使用所產生的問題。與已知的拋光方法 相比較’在新的拋光方法中，經由化學或氧化反應移除在 晶圓表面上之高點（high point)。該晶圓經拋光為一極平坦 且光滑的表面光潔度，相當於藉由習知化學機械拋光所達 成的表面光潔度。因為未使用任何研磨劑或其他污染顆 粒，且因為未對該晶圓進行產生應力的機械接觸，所以減 少或避免了對矯正性的隨後之清洗或應力釋放步驟之需 求。因此改良了微量級裝置之製造。 在一種使晶圓光滑或拋光晶圓之方法中，導向一氧化氣 體之氣流於該晶圓表面上之液膜或層處或導向其流過该液 膜或層。在該液膜中提供，劑或者钱刻劑與該氧化氣 體一起提供。該氧化氣體之流體（或氧化氣體與該兹刻劑 的組合流體)拋光晶圓表面。雖然不藉由旋轉可達成拋 光，但旋轉該晶圓可用以幫助保持該液膜且在該晶圓表面 ==膜。—氧化液膜可類似地與，劑蒸汽或 曰圓。… 曰曰圓之糸統操作單個晶圓上或者一批 ㈣系統傳送氧化氣體及姓刻劑至—處理腔 该處理腔室中之喷嘴或其他出口喷散、喷 者使該氧化氣體流至該㈣上或流㈣㈣ == 劑作為蒸汽與氧化$押夕士邮 ^將该勤刻 化乳體之流體一起提供，或者提供於該液 I10973.doc 1311513 膜中或該液膜上。該系統亦可適合執行其他非拋光製程， 包括清洗製程。 本發明亦係關於所描述的方法及系統之子組合。一實施 例之元件或步驟亦可用於其他實施例中。在申請專利範圍 中描述了必要的元件（元素）。其他元件（包括展示於圖式中 之若干元件（元素））係非必要的。 【實施方式】 A.簡介
藉由在晶圓|面上提供一微觀或一宏冑液膜或層而達成 拋光矽晶圓。在蝕刻劑存在之情況下，使氧化氣體流穿液 層、流於該㈣上或者對著該液層流動。氧化氣體之流體 與該液層相互作用，使得拋光該晶圓。氧化氣體之流體在 該晶圓表面上之高點或區域處比在該晶圓表面上之低點或 區域處使該液層變得更薄。因此，與，高點受到氧化比低 點更利害。m點被化學移除，形成_拋光且平的晶 圓表面。低點更受到較厚的液膜對其之保護，i因此較少 地曝露至氧化氣體且㈣更慢。視需纟，在拋光期間旋轉 該晶圓可用以幫助保持拋光均一@，但此並非必要的。與 更高的速度相比’例如W、W或1-50 rpm之低旋轉速 度提供更佳的均-性。該拋光製程後，在進-步處理前， 可對該晶圓加以沖洗或者沖洗且乾燥。 氟 已熟知’臭氧及氫1酸將㈣秒，其中臭氧氧化石夕，氫 酸溶解該氧化物。妙、t i* ,.,,. Γ、Λ而，猎由蝕刻清洗矽晶圓通常包含 自該晶圓表面移除數埃的材料 另一方面，抛光包含移除 110973.doc I3l1513 例如】、9 « 、3、4或5且高達3〇、4〇或5〇微米（每側），以達到 光滑且拋光的表面光潔度。此外，僅將晶圓放入一具有 臭氧氣體及氫氟酸之腔室中將導致該晶圓之蝕刻，產生很 粗糙的表面。因此，因為申請專利範圍的方法提供一拋光 、-面所以其提供驚人的結果，而同時亦使用（例如）臭 氧軋體及氫氟酸。 可同時或按順序將該氧化氣體及該蝕刻劑傳送至晶圓表 面使传氧化該晶圓表面之受影響的區域，且接 劑溶解該等氧化區域^ 對於拋切晶圓’臭氧作為氧化氣體效果良好，且氮氣 酸⑽)作為敍刻劑效果良好。其他可使用的兹刻劑包括氣 =或其他齒化化合物。一氧化液體可或者與一餘刻氣體 氣一起使用。可使用各種氧化液體，包括含有溶解的 及/或夾帶的臭氧氣體之去離子水。該㈣ 可為氫氟酸，視情況具有一諸如f .者如虱或水蒸汽之載體氣體。 縣況，該氣體或蒸汽流、流體或喷出物可包卜㈣劑 及-氧化劑。若該㈣劑被提供為一氣體或蒸汽，則液體 :::蝕刻d ’因為該蝕刻劑氣體或蒸汽將溶解至該處理 腔至中之液體中或與該處理腔室t之液體混合。 視情況，該等所描述的方法可與晶圓薄：方…使 I舉例而言’使㈣等所描述㈣光方法，可初Μ將 晶圓輕微預抛紅20埃。接著使用諸如描述於 果之^讓贴753中之方法，可將其㈣。其亦可^ 其他製造插作’例如’以提供—用於塗覆蟲晶前沉積層之 110973.doc 1311513 很光滑的表面。 B.液膜 由於41私包含疏水性及親水性 瞄十a π * A立 庇表面之形成’所以該液 膑或層可為連續或者為離散的小 ^ ,, t 』欣'苟或潤濕的或未潤濕的 &或之形式。該液膜或層可為微觀 _ . 倒1 4在觀。一微觀的液層 可為一形成自蒸汽/氣體環境之凝 衣兄心凝相層。雖然存在一微觀 的薄膜，但其通常不可見。因此，難、隹 難以偵測一微觀的液膜
或層。耗有時藉由諸如雷射干涉之儀器可偵測到—微觀 ㈣膜之存在’但通常更容易間接地確定微觀的薄膜之存 在。 舉例而言，一微觀的液膜之存在之一指示為當該腔室中 溫度的增加導致抛光絲刻速率降低時。與此觀測相反， 動力學理論會預測到隨著溫度之增加抛光或姓刻速率會增 加。會發生降低係、因為在更高的溫度了，微觀的薄膜不易 於形成，進而降低了在該晶圓表面處之反應物的濃度。由 於所有的速率方程式皆為反應物質及溫度之函數，所以暗 3已減夕了在反應點處之反應物的濃度，意即，在更高的 溫度下已減少或消除了在更低的溫度下存在之薄膜。 一宏觀的液層為一藉由喷霧或將液體傳送至晶圓表面上 而形成於晶圓表面上之可見的液膜或層。可以各種方式產 生兩種類型之液膜。舉例而言，藉由自氣體/蒸汽相形成 一凝結膜或者藉由自氣體/蒸汽相在該晶圓表面上形成一 凝相’可形成該液膜。可類似地使用冷凝水蒸汽。亦可將 晶圓用該晶圓之一部分或整個晶圓浸沒於液體中，接著， 110973.doc •10- 1311513 使”移出不與4液體接觸，在該晶圓上留下—液膜。藉由 在》亥曰曰圓上噴霧液體（以小液滴流或薄霧之形式）或者藉由 自-液體出Π或施料器將液體大量傳輸至該晶圓上，亦可 形成一液膜。 藉由I由液流之抽出、霧化'音速激發而在該晶圓周圍 形成氣霧環境或者藉由施加高電壓或電荷至一液流，亦可 形成：液膜。亦可使用一過渡相製程。在過渡相製程中，
使氣態或蒸汽狀反應物與固相材料接觸。其間之反應的副 產物為/疑相’其不穩定且當物質之反應開始或者部分或 完全反應時傾向於變成蒸汽或氣體狀態。該蒸汽或氣體狀 態可在該晶圓上形成_液層。亦可使用此等液膜形成技術 之組合。 對於大多數用途’去離子水用以形成液膜。對於一些應 用，亦可使用非水性液料代水。此等非水性液體包括乙 酸或乙二醇。在該液膜令可包括各種添加物。舉例而言， 醇或醇混合物可用以幫助控制曝露至該㈣劑蒸汽之各種 薄膜類型間之㈣選擇性。A氣酸（HCL)可用以增強金屬 π染物之移除。諸如硫酸㈣m活性劑或其他化學 ^可用以改質D亥液膜以及氣體喷出物與液膜間之反應。 可將用以形成該液膜之液體加熱至3(rc、赋或抓高達 至听。傳遞至該晶圓表面之液體中可包括編(間。 亦可將氫氟酸提供為蒸汽。 c·氧化氣體 藉由各種技術可達成4卟名邮 乳化軋肢之 '"丨L體。可將該氧化氣體 110973.doc 1311513 出物或者氣體噴出 藉由使用液體之脈衝的或間歇喷霧或喷 體噴出物相互作用。亦可 出物之溫度，以影響拋光 物或者使用兩者可更改液膜/氣 遥擇§亥晶圓、液體及/或氣體喷 特徵。 用以達成與該液體相互作用(以達成一拋光效果)的氣體 之速度隨著具體的系統設計而變化。若
近該晶圓，則可使用較慢的氣體速度。若喷=口： 遠，則通常使用更高的氣體速度，而言，& 了拋光一 3〇〇 mm直徑晶圓，在氣體喷嘴鄰近該晶圓邊緣且經定向平 行於該晶圓之邊緣噴霧的情況下，使用約2〇或3〇 Wsec， 至多約150或250 m/sec之氣體速度。使用此等速度，甚至 距噴嘴超過150 mm之晶圓的中心亦得到拖光。 D.钮刻劑 可將諸如氫氟酸之蝕刻劑提供為蒸汽或液體。當將氫氟 酸作為施加至晶圓之一液體傳送時，可使用脈衝喷霧或霧 化。以蒸汽形式，可將該蝕刻劑方便地與氧化氣體混合及 傳遞。實驗已證實，當在傳遞至晶圓表面之氧化氣體/蝕 刻療八流中存在高濃度的蝕刻劑或氫氟酸蒸汽時，發生高 度的表面拋光。當氣體速度相對高時，亦發生高度的表面 拋光。因此，曝露至高速流達很長時間之矽晶圓之區域拋 光得比該晶圓上之其他區域多。在將氫氟酸液體以一更高 溫度而非室溫（例如，自 30°C、40。(3、50。(：、60°C、70°C、 8〇C 9〇C或95C至南達99C)保持於一氫氟蒸汽產生器 中之實驗中，觀測到更高程度的拋光。此明顯係歸因於傳 110973.doc -13- 1311513 遞至該晶圓表面之氣體/蒸汽噴出物中之更高濃度的蝕刻 劑4汽的結果。在很多實例中，在製程結束時，在經拋光 的表面上觀測到液滴。一些製程條件將導致不存在可見液 滴之表面拋光。
或者’藉由使氮氣通過該蒸汽產生器作為載體氣體且接 著將自該蒸汽產生器之氮氣/氫氟酸蒸汽與臭氧混合，可 產生氫氟酸蒸汽。接著，可將混合的氫氟酸蒸汽/臭氧氣 體傳送至處理腔t巾。⑧纟氣體及蒸汽&或者组合氣體流 提供更高的氣體流體之優勢，產生更高的速度，此可改良 在一給定系統中之拋光。 亦可使用無水氫氟酸替代氫氟酸蒸汽。在此情形下，在 該無水氫氟酸與晶圓表面接觸前將其與水或水蒸汽混合。 舉例而言，可將無水HF喷射或喷霧至腔室中（視情況，可 連同另一活性或載體氣體或蒸汽）且與腔室中之水蒸汽或 水〉\混合。 £ •糸統 可使用各種系統執行拋光製程。圖i至圖4展示此等系统 之實例。然而’在每一實例中，所使用的具體類型之系统 並非對拋光製程很關鍵。當然，除了展示於^至圖4中之 彼等系統外，各種其他系統亦可用以執行如此處描述之拋 先。在圖1之實例中，-批量處理系統在-腔室12中且 有一轉子14°轉子14可直接固持—批晶_，或者該等1、 2可在-由轉子U固持之晶£或裁體㈣。該轉子可^ -垂直軸或-水平軸或圍繞垂直與水平間之—卓由旋轉二 H0973.doc -14· 1311513 液體源46供應一諸如DI水之液體至液體喷霧嘴22，視情況 液體噴霧嘴22在一或多個歧管24上。 分別自一臭氧產生器30(或其他臭氧源）及一製程蒸汽產 生器W提供臭氧氣體及一諸如氫氟酸之製程蒸汽或氣體 (此處稱作製程蒸汽）。可以各種方式產生該製程蒸汽。在 圖1中所示之設計中’、經由供應諸如氮氣之一载體氣體至 製程蒸汽產生器32(視情況，可經由一氣體歧管4〇及一流
量控制器42)之一氣源38產生該製程蒸汽。流量控制器 42(若使用）通常為—控制流至蒸汽產生器32之載體氣體之 質量的電子裝置。 哄…34提供諸如氫氟酸液體之製程液體至該製 生器，視情況經由一泵36進行提供。與該製程蒸 飞者”其刀開之-加熱器/激冷器33將在該 製…產生器中之液體保持於-選定溫度下。在歧管44 處，自該製程蒸汽產生器32流出 ., . ^I程蒸K與來自臭氧產 生窃30之臭虱組合。將製程蒸汽 在腔室U中之噴射或嗔霧嘴或出口2::一流供應至 之浸泡使臭氧起泡之蒸汽產甶如夂 體/蒸汽混合物。 ^生4可產生臭氧/氫氣酸氣 氣源38供應—蒸汽載體氣體，諸如氮氣 … c〇2或另-氣體。由於臭氧氣體 =乳机、 體亦可用作載體二 釋效應最小化，所以臭氧氣 Η用作載體氣體，且在—些應 臭氧用作㈣氣料，w 了當將 載妝為活性的，意即，其在處 I10973.doc 15 1311513 理腔室内部化學反應。 系統ίο可執行如上文描述之拋光。將一批晶圓2〇置放於 轉子14中。轉子旋轉。將液體施加至待由液體噴嘴或出口 22拋光之晶圓表面上。將臭氧/製程蒸汽25之喷出物或喷 霧導引流過旋轉晶圓。噴出物25可大體平行於（例如在 15、10或5度内）該晶圓表面之平面，或者以一更大角度與 其大體平行。氣體/蒸汽喷嘴或出口 26 程蒸汽之喷出物或喷霧剛至晶圓之一側上或兩t (用於同時拋光兩侧）。噴霧之喷出物25之數作產生其如上 文所描述之拋光。在完成拋光製程後，諸如氮氣之來自氣 源38之氣體亦可用以淨化臭氧及氫氟酸之腔室16。 圖2展示用於執行單個晶圓拋光之系統5 0。將晶圓2 〇支 撐於-轉子或轉盤52上。一液體喷嘴或施料器^將液體施 加至4晶圓20之目標區59上。可將製程蒸汽及臭氧之噴出 物或喷霧25自往復式臂54上之—噴嘴或出口 “導引至晶 圓上。視情況，可包括一第二往復式臂62，以替代喷嘴Μ 或同時與喷嘴58—起使用傳送液體。或者，第二往復式臂 62(若使用）亦可傳送製程蒸汽及臭氧之喷出物或喷霧25。 臂驅動益64以往復式或往返運動移動臂^及/或^。亦 可使用-固定的或移動的第二液體施料器6〇。臂或者其他 喷嘴或出口支標亦可具有平移或其他形式之運動（除了往 復式運動外）。可按需要調整喷嘴56與晶圓間之間隔。此 外’可設定喷嘴56之角度，使得喷出物25撞擊於一具體範 圍之角度内的目標區59上。擺動臂在晶圓表面上往返清择 JI0973.doc 16 1311513 該晶圓之所有表面皆即時曝 目標區59。使用該晶圓旋轉， 露至氧化氣體之噴出物或噴霧 圖3展不另一早個晶圓拋 九系統65。系統65與圖2中所示 之糸統50類似。然而，喑 ^ 、出物嘴嘴6 6係支樓自腔室壁，且 可平行於晶圓表面（如展示& 於噴觜66處）或者以一角度設定 (如展示於喷嘴68處）。亦 ,φ 了使用千仃、垂直或成角度的噴 二或出口以提供製程蒸汽及臭氧之一或多次喷出物25。視 =可經由喷嘴定位器7〇移動該等喷嘴。此運動可為枢 轉運動以改變喷出物25之角 月度或者為垂直運動以改變該 喷嘴與晶圓間之間隔，或者 4考伸縮運動以改變喷嘴在該晶圓 上方之位置。 圖4展示用於拋光—晶圓之另—單個晶圓系統8。。系統 8〇具有一與一基座或碗狀物84嗤合之頭部82。在該頭部中 之轉子％具有在邊緣處固持一晶圓2〇之固持器或指狀物 ⑽。在該頭部中之馬達旋轉轉子及晶圓。在基座中之一臂 9〇上之-喷出物喷嘴92相對於晶圓2〇之一下面導引_ 汽及臭氧之喷出物25。藉由液體噴霧噴嘴94將一液膜施加 至該晶圓上。經由一排水口28自基座排出液體。 自圖1至圖4之上文描述顯而易見，可使用很多不同的系 ㈣行該拋光製程。當執行此處描述之拋㈣程時，晶圓 之定向、噴出物25之方向、形成喷出物25之方式、施加液 膜之方式以及各種其他因素皆可隨著具體應用而變化。可 使用具有大量孔（例如’他·)之—擴散板或環以取代出 口或噴嘴66及84。 II0973.doc 1311513 1測試結果 實例1
自一MKS 8403臭氧產生器傳送臭氧至一如美國專利第 6，162,734號中描述之氫氟酸蒸汽產生器。該蒸汽產生器在 一封閉的容器中含有液體氫氟酸。將—螺旋隔板附著至蒸 /飞產生器之蓋，隔板向下延伸至該液體，但在該液體之表 面與該蓋之内表面間留下-氣體空間。將氣體引入此氣體 空間，且強迫氣體在該螺旋隔板之周圍流動，直到其到達 在該螺旋隔板之末端處的出口。在此期間，冑自液體化學 源之蒸汽補充該氣體。 接著’將臭氧/氫氟酸混合物傳送至一單個晶圓喷霧酸 L至除了心由-安裝於該腔室之底部中的擴散器傳送該 臭氧/氫氟酸混合物至該腔室中外，在概念上類似於圖3。 該擴散器具有-連串靠近蒸汽流經過的晶圓表面之小孔或 噴嘴。該臭氧/氫氟酸引入點與晶圓表面間之距離自i職 至3 cm不等。 觀測直接在該臭氧/氫氟酸傳送（此處被稱作氣體噴出物） 之路徑中之矽表面， 彡 _ _ 1( /成一尚度拋光的表面光潔度（盘 未更直接在該噴出物之路徑中之區域相比)。 〃 實例2 在另一實驗中’將水喷霧於一在一鐵氟龍（制㈣處理 腔室中之水平安裳的300 _夕表面上。以5與…之 -速率使氣乳流過該氫說酸蒸汽產生器。將在該蒸汽產生 器中之49% A氟醆保持於⑽與8G。⑽之—溫度下。以約 H0973.doc 1311513 20 lpm及200 g/Nm3之一濃度將蒸汽流與臭氧混合。將此組 合氣;?’IL經由連串女裝於該處理腔室之一側中之六個噴嘴 傳送，其中，三個噴嘴安裝於稍微高出水平晶圓之中心線 且二個嘴嘴稿被低於水平晶圓之中心線。在一大體平行於 該晶圓表面之路徑中導引來自該等噴嘴之氣流。週期性地 將50°C-95°C之溫度下的水喷霧於該晶圓表面上以確保一 液膜或小液滴之存在。當即時以2〇〇 rpm_6〇〇 115111旋轉該晶 圓時傳送該噴霧，以分配該液膜。該氣體/蒸汽傳送係連 續性的。在噴霧時間間隔期間，降低旋轉速度。蝕刻主要 發生於1 rpm-50 rpm之旋轉速度下，以最佳化蝕刻均一 性。20分鐘後，沖洗且乾燥該晶圓。以此方式拋光的一經 研磨的BB圓產生一接近鏡面抛光之表面光潔度。亦觀測到 研磨標記之顯著減少。全部矽移除範圍為5微米_5〇微米。 雖然此處所使用之術語晶圓通常指矽或半導體晶圓，但 其亦包含可不為矽或半導體之類似的平媒體物、工件或基 板但其亦可如上文所描述而進行拋光。為了拋光矽晶 圓，雖然上文描述係關於臭氧及氫氟酸，但可類似地使用 其他氣體混合物及蝕刻劑以在其他類型之工件、晶圓或基 板上完成拋光。 【圖式簡單說明】 圖1為一批量模式晶圓拋光系統的示意圖。 圖2為單個晶圓模式拋光系統的截面圖，其在晶圓表面 上方具有一或多個往復式喷射臂。 圖3為單個晶圓模式拋光系統的截面圖，其具有平行於 H0973.doc -19- 1311513 σ 〇 其在晶圓下方 晶圓表面或與晶圓表面成一角度之喷嘴或出 圖4為單個晶圓模式拋光系統的截面圖， 具有一往復式喷射臂。 【主要元件符號說明】
10 拋光批量處理系統 12 腔室 14 轉子 16 晶匣或載體 20 晶圓 22 液體喷嘴或出口 24 歧管 25 喷出物 26 噴嘴或出口 28 排水口 30 臭氧產生器 32 製程蒸汽產生器 33 加熱器/激冷器 34 填充容器 36 泵 38 氣源 40 氣體歧管 42 流量控制器 44 歧管 46 液體源 110973.doc -20- 1311513 50 單個晶圓拋光系統 52 轉子或轉盤 往復式臂 喷嘴 液體噴嘴或施料器 第二液體施料器 第二往復式臂 臂驅動器
54 56 58 60 62 64 65 66 68 70 80 82 84 單個晶圓拋光系統 喷嘴 喷嘴 喷嘴定位器 單個晶圓系統 頭部 基座或碗狀物
86 88 轉子 固持器或指狀物 90 臂 92 喷出物喷嘴 94 液體喷霧喷嘴 110973.doc
Claims (1)
- !31號專利申請案 中文申請專利範圍替換本(97年4月） 十、申請專利範圍： 一種使一晶圓之一表面光滑的方法，包含·· 在該晶圓之一表面上形成·—液層’該液層包含·一酸； 導引一氧化氣體之一流體穿越該液層，該氧化氣體之 流體薄化該液層在該晶圓之該表面上的高點比在該晶圓 表面上的低點為多；以及 藉由該氧化氣體之流體，氧化以及自該晶圓表面上之 該等雨點移除至少1微米的晶圓材料，以使得該晶圓表 面光滑。 •如相求項1之方法，將該酸作為一蒸汽與該氧化氣體一 起提供。 3·如請求項2之方法，其中，該酸包含一噴霧於該晶圓上 之液體。 4.如請求们之方法，其中，該氧化氣體包含臭氧。 5’如4求項1之方法’其中’以相對於該晶圓之該表面自 約〇°至45。之角度導引該流體。 6.如請求们之方法，進一步包含旋轉該晶圓。 7·如請求们之方法’其中該液層進一步包含一界面活性 8. ，包含： 熱液體，該液體包含 一種拋光一矽晶圓之一表面的方法 在該工件之一表面上形成—層加 水以及一矽蝕刻劑； 旋轉該工件； 導引一喷霧之臭氧氣體 鄰近該晶圓之至少一噴嘴， 110973-970423.doc1311513 4 於該液層，該喷霧之該臭氧氣體薄化位於該工件之表面 上的高點的液層’該臭氧氣體與該晶圓位於該高點之該 表面所產生之化學反應比低點處為多，以移除至少1微 米的矽，藉此拋光該矽晶圓之該表面。 9.如請求項8之方法’進一步包含以^“ rpm的旋轉速度旋 轉該晶圓。 10·如請求項8之方法’其中該喷霧之臭氧氣體以相對於該液 層0°至45。之角度範圍被導引。 11.如睛求項8之方法，其中該液體加熱至約30_99〇(：之範 圍。 12.如請求項8之方法，其中該喷霧之臭氧氣體係實質平行於 該液層之表面被導引。 13·如請求項8之方法，其中該液膜係微觀且肉眼不可見的。 14.如請求項8之方法，其中該液膜係藉由凝結一蒸汽至該晶 圓上而形成。 1 5. —種抛光—矽晶圓之一表面的方法，包含： 在°亥工件之一表面上形成一層加熱液體，該液體包含 水以及~酸； 導引—噴出物之臭氧氣體於該晶圓之該表面的一目標 區，該噴出物之臭氧氣體具有一高於約20公尺/秒之初始 速度該嗔出物之臭氧氣體薄化位於目標區的液層，該液 層於該目料 π ^中該晶圓表面之高點被薄化比於該目標區中 之低點的液層為多； Μ 知區中的高點’藉由位於該高點之矽材料與該 110973-970423.doc喷出物之臭氧氣體之間的化學反應，移除至少5微米的矽 材料，以抛光該晶圓之該表面。 1311513 i 16 ·如請求項1 5之方法，進一步包含以1 - 5 0 rpm的旋轉速度 旋轉該晶圓。 110973-970423.doc
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US11/127,052 US7378355B2 (en) | 1997-05-09 | 2005-05-11 | System and methods for polishing a wafer |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW200706306A TW200706306A (en) | 2007-02-16 |
| TWI311513B true TWI311513B (en) | 2009-07-01 |
Family
ID=37431771
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW097114936A TWI325802B (en) | 2005-05-11 | 2006-05-09 | System and methods for polishing a wafer |
| TW095116429A TWI311513B (en) | 2005-05-11 | 2006-05-09 | System and methods for polishing a wafer |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW097114936A TWI325802B (en) | 2005-05-11 | 2006-05-09 | System and methods for polishing a wafer |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7378355B2 (zh) |
| TW (2) | TWI325802B (zh) |
| WO (1) | WO2006124255A2 (zh) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20050194356A1 (en) * | 1997-05-09 | 2005-09-08 | Semitool, Inc. | Removing photoresist from a workpiece using water and ozone and a photoresist penetrating additive |
| US20090085169A1 (en) * | 2007-09-28 | 2009-04-02 | Willy Rachmady | Method of achieving atomically smooth sidewalls in deep trenches, and high aspect ratio silicon structure containing atomically smooth sidewalls |
| JP2010153809A (ja) * | 2008-11-26 | 2010-07-08 | Sumco Corp | シリコンウェーハの表面に形成された所定の膜厚を有する層の膜厚分布を均一化する処理方法及びシリコンウェーハの厚み分布を均一化する処理方法 |
| US20110070744A1 (en) * | 2009-09-18 | 2011-03-24 | Zhi-Wen Sun | Silicon Texturing Formulations for Solar Applications |
| CN103987664B (zh) | 2011-12-06 | 2017-03-08 | 德尔塔阀门公司 | 龙头中的臭氧分配 |
| CA3007437C (en) | 2015-12-21 | 2021-09-28 | Delta Faucet Company | Fluid delivery system including a disinfectant device |
| JP6894264B2 (ja) | 2016-03-25 | 2021-06-30 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
| JP6718714B2 (ja) * | 2016-03-25 | 2020-07-08 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
| JP6693846B2 (ja) * | 2016-09-28 | 2020-05-13 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
| US10002771B1 (en) * | 2017-10-10 | 2018-06-19 | Applied Materials, Inc. | Methods for chemical mechanical polishing (CMP) processing with ozone |
| JP7426346B2 (ja) * | 2018-06-13 | 2024-02-01 | ラム リサーチ コーポレーション | 高アスペクト比構造の効率的な洗浄およびエッチング |
| CN113001391A (zh) * | 2021-04-13 | 2021-06-22 | 中国科学院微电子研究所 | 一种研磨装置及方法 |
Family Cites Families (95)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5212063A (en) | 1975-07-15 | 1977-01-29 | Matsushita Electric Works Ltd | Hair curling apparatus |
| US4186032A (en) | 1976-09-23 | 1980-01-29 | Rca Corp. | Method for cleaning and drying semiconductors |
| JPS5434751A (en) | 1977-08-24 | 1979-03-14 | Hitachi Ltd | Washing method for silicon wafer |
| US4911761A (en) | 1984-05-21 | 1990-03-27 | Cfm Technologies Research Associates | Process and apparatus for drying surfaces |
| US4778532A (en) | 1985-06-24 | 1988-10-18 | Cfm Technologies Limited Partnership | Process and apparatus for treating wafers with process fluids |
| JPS614232A (ja) | 1984-06-19 | 1986-01-10 | Nec Corp | 半導体基板の洗浄方法 |
| US4695327A (en) | 1985-06-13 | 1987-09-22 | Purusar Corporation | Surface treatment to remove impurities in microrecesses |
| US4749440A (en) | 1985-08-28 | 1988-06-07 | Fsi Corporation | Gaseous process and apparatus for removing films from substrates |
| JPS62117330A (ja) | 1985-11-18 | 1987-05-28 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体ウエハの洗浄方法 |
| JPS63110732A (ja) | 1986-10-29 | 1988-05-16 | Nec Corp | 半導体基板の洗浄方法 |
| US4817652A (en) | 1987-03-26 | 1989-04-04 | Regents Of The University Of Minnesota | System for surface and fluid cleaning |
| JPS648630U (zh) | 1987-07-03 | 1989-01-18 | ||
| JPS6442129A (en) | 1987-08-10 | 1989-02-14 | Hitachi Ltd | Cleaning and removal of organic substance |
| US5105556A (en) | 1987-08-12 | 1992-04-21 | Hitachi, Ltd. | Vapor washing process and apparatus |
| JPH01189921A (ja) | 1988-01-26 | 1989-07-31 | Mitsubishi Electric Corp | レジスト除去装置 |
| JPH0724265B2 (ja) | 1988-04-13 | 1995-03-15 | 日本電気株式会社 | 半導体基板の洗浄装置 |
| US5235995A (en) | 1989-03-27 | 1993-08-17 | Semitool, Inc. | Semiconductor processor apparatus with dynamic wafer vapor treatment and particulate volatilization |
| DE3818714A1 (de) | 1988-06-01 | 1989-12-14 | Wacker Chemitronic | Verfahren zur nasschemischen oberflaechenbehandlung von halbleiterscheiben |
| US5181985A (en) | 1988-06-01 | 1993-01-26 | Wacker-Chemitronic Gesellschaft Fur Elektronik-Grundstoffe Mbh | Process for the wet-chemical surface treatment of semiconductor wafers |
| ES2103705T3 (es) | 1988-07-08 | 1997-10-01 | Rhone Poulenc Chimie | Limpieza y secado de conjuntos electronicos. |
| US4980032A (en) | 1988-08-12 | 1990-12-25 | Alameda Instruments, Inc. | Distillation method and apparatus for reprocessing sulfuric acid |
| JPH06103685B2 (ja) | 1989-05-06 | 1994-12-14 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板の洗浄処理方法および装置 |
| US5246526A (en) | 1989-06-29 | 1993-09-21 | Hitachi, Ltd. | Surface treatment apparatus |
| JPH0341729A (ja) | 1989-07-07 | 1991-02-22 | Tokyo Electron Ltd | 基板洗浄方法 |
| US5063609A (en) | 1989-10-11 | 1991-11-05 | Applied Materials, Inc. | Steam generator |
| US4974530A (en) | 1989-11-16 | 1990-12-04 | Energy And Environmental Research | Apparatus and methods for incineration of toxic organic compounds |
| JPH03208900A (ja) | 1990-01-12 | 1991-09-12 | Nippon Steel Corp | シリコンウェハの洗浄方法 |
| US5232511A (en) | 1990-05-15 | 1993-08-03 | Semitool, Inc. | Dynamic semiconductor wafer processing using homogeneous mixed acid vapors |
| JPH0479221A (ja) | 1990-07-20 | 1992-03-12 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US5071485A (en) | 1990-09-11 | 1991-12-10 | Fusion Systems Corporation | Method for photoresist stripping using reverse flow |
| JPH04125927A (ja) | 1990-09-18 | 1992-04-27 | Fujitsu Ltd | 基板洗浄方法 |
| US5832177A (en) | 1990-10-05 | 1998-11-03 | Fujitsu Limited | Method for controlling apparatus for supplying steam for ashing process |
| US5378317A (en) | 1990-10-09 | 1995-01-03 | Chlorine Engineers Corp., Ltd. | Method for removing organic film |
| JPH04164324A (ja) | 1990-10-29 | 1992-06-10 | Nec Corp | 半導体製造装置 |
| JP2583152B2 (ja) | 1990-11-06 | 1997-02-19 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板回転式表面処理方法 |
| US5261966A (en) | 1991-01-28 | 1993-11-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of cleaning semiconductor wafers using mixer containing a bundle of gas permeable hollow yarns |
| JPH04298038A (ja) | 1991-03-27 | 1992-10-21 | Hitachi Cable Ltd | ウエハの洗浄方法 |
| JPH04302145A (ja) | 1991-03-29 | 1992-10-26 | Hitachi Ltd | 洗浄方法 |
| JPH04302144A (ja) | 1991-03-29 | 1992-10-26 | Hitachi Ltd | 洗浄方法 |
| US5120370A (en) | 1991-04-01 | 1992-06-09 | Shinichi Mori | Cleaning process |
| JP3261683B2 (ja) | 1991-05-31 | 2002-03-04 | 忠弘 大見 | 半導体の洗浄方法及び洗浄装置 |
| US5147499A (en) | 1991-07-24 | 1992-09-15 | Applied Materials, Inc. | Process for removal of residues remaining after etching polysilicon layer in formation of integrated circuit structure |
| US5326406A (en) | 1991-07-31 | 1994-07-05 | Kawasaki Steel Corporation | Method of cleaning semiconductor substrate and apparatus for carrying out the same |
| US5244000A (en) | 1991-11-13 | 1993-09-14 | Hughes Aircraft Company | Method and system for removing contaminants |
| JPH05134397A (ja) | 1991-11-14 | 1993-05-28 | Nikon Corp | ガラス基板の洗浄方法、及び洗浄装置 |
| JPH05152203A (ja) | 1991-11-29 | 1993-06-18 | Chlorine Eng Corp Ltd | 基板処理方法および処理装置 |
| TW263531B (zh) | 1992-03-11 | 1995-11-21 | Mitsubishi Gas Chemical Co | |
| US5234540A (en) | 1992-04-30 | 1993-08-10 | Submicron Systems, Inc. | Process for etching oxide films in a sealed photochemical reactor |
| JPH06168922A (ja) | 1992-06-25 | 1994-06-14 | Texas Instr Inc <Ti> | シリコンの気相エッチング法 |
| US5308745A (en) | 1992-11-06 | 1994-05-03 | J. T. Baker Inc. | Alkaline-containing photoresist stripping compositions producing reduced metal corrosion with cross-linked or hardened resist resins |
| KR940012061A (ko) | 1992-11-27 | 1994-06-22 | 가나이 쯔또무 | 유기물제거방법 및 그 방법을 이용하기 위한 유기물제거장치 |
| KR100284556B1 (ko) | 1993-03-25 | 2001-04-02 | 다카시마 히로시 | 도포막 형성방법 및 그를 위한 장치 |
| US5922624A (en) | 1993-05-13 | 1999-07-13 | Imec Vzw | Method for semiconductor processing using mixtures of HF and carboxylic acid |
| JP3347814B2 (ja) | 1993-05-17 | 2002-11-20 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板の洗浄・乾燥処理方法並びにその処理装置 |
| US5911837A (en) | 1993-07-16 | 1999-06-15 | Legacy Systems, Inc. | Process for treatment of semiconductor wafers in a fluid |
| US5464480A (en) | 1993-07-16 | 1995-11-07 | Legacy Systems, Inc. | Process and apparatus for the treatment of semiconductor wafers in a fluid |
| US5518542A (en) | 1993-11-05 | 1996-05-21 | Tokyo Electron Limited | Double-sided substrate cleaning apparatus |
| JP2743823B2 (ja) | 1994-03-25 | 1998-04-22 | 日本電気株式会社 | 半導体基板のウエット処理方法 |
| JP3080834B2 (ja) | 1994-03-30 | 2000-08-28 | 株式会社東芝 | 半導体基板洗浄処理装置 |
| JP3320549B2 (ja) | 1994-04-26 | 2002-09-03 | 岩手東芝エレクトロニクス株式会社 | 被膜除去方法および被膜除去剤 |
| JP2760418B2 (ja) | 1994-07-29 | 1998-05-28 | 住友シチックス株式会社 | 半導体ウエーハの洗浄液及びこれを用いた半導体ウエーハの洗浄方法 |
| DE4432738A1 (de) | 1994-09-14 | 1996-03-21 | Siemens Ag | Verfahren zum naßchemischen Entfernen von Kontaminationen auf Halbleiterkristalloberflächen |
| DE19522525A1 (de) | 1994-10-04 | 1996-04-11 | Kunze Concewitz Horst Dipl Phy | Verfahren und Vorrichtung zum Feinstreinigen von Oberflächen |
| US5647386A (en) | 1994-10-04 | 1997-07-15 | Entropic Systems, Inc. | Automatic precision cleaning apparatus with continuous on-line monitoring and feedback |
| JPH08238463A (ja) | 1995-03-03 | 1996-09-17 | Ebara Corp | 洗浄方法及び洗浄装置 |
| JP3923097B2 (ja) | 1995-03-06 | 2007-05-30 | 忠弘 大見 | 洗浄装置 |
| US5714203A (en) | 1995-08-23 | 1998-02-03 | Ictop Entwicklungs Gmbh | Procedure for the drying of silicon |
| JPH0969509A (ja) | 1995-09-01 | 1997-03-11 | Matsushita Electron Corp | 半導体ウェーハの洗浄・エッチング・乾燥装置及びその使用方法 |
| US5950643A (en) | 1995-09-06 | 1999-09-14 | Miyazaki; Takeshiro | Wafer processing system |
| US5954911A (en) | 1995-10-12 | 1999-09-21 | Semitool, Inc. | Semiconductor processing using vapor mixtures |
| EP0782177A3 (en) | 1995-12-28 | 1997-07-30 | Texas Instruments Incorporated | Improvements in or relating to semiconductors |
| US5749975A (en) | 1995-12-28 | 1998-05-12 | Micron Technology, Inc. | Process for dry cleaning wafer surfaces using a surface diffusion layer |
| US5911836A (en) | 1996-02-05 | 1999-06-15 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Method of producing semiconductor device and rinse for cleaning semiconductor device |
| US5803982A (en) | 1996-10-15 | 1998-09-08 | Ez Environmental Solutions Corporation | Pressure washing apparatus with ozone generator |
| JP3369418B2 (ja) | 1996-11-25 | 2003-01-20 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 超音波振動子、超音波洗浄ノズル、超音波洗浄装置、基板洗浄装置、基板洗浄処理システムおよび超音波洗浄ノズル製造方法 |
| US6551409B1 (en) | 1997-02-14 | 2003-04-22 | Interuniversitair Microelektronica Centrum, Vzw | Method for removing organic contaminants from a semiconductor surface |
| ATE522926T1 (de) | 1997-02-14 | 2011-09-15 | Imec | Verfahren zur entfernung organischer kontamination von einer halbleiteroberfläche |
| US20020011257A1 (en) | 1997-02-14 | 2002-01-31 | Degendt Stefan | Method for removing organic contaminants from a semiconductor surface |
| US6869487B1 (en) | 1997-05-09 | 2005-03-22 | Semitool, Inc. | Process and apparatus for treating a workpiece such as a semiconductor wafer |
| US6701941B1 (en) | 1997-05-09 | 2004-03-09 | Semitool, Inc. | Method for treating the surface of a workpiece |
| US20020066464A1 (en) | 1997-05-09 | 2002-06-06 | Semitool, Inc. | Processing a workpiece using ozone and sonic energy |
| US6240933B1 (en) | 1997-05-09 | 2001-06-05 | Semitool, Inc. | Methods for cleaning semiconductor surfaces |
| US6658615B2 (en) * | 1998-06-30 | 2003-12-02 | Texas Instruments Incorporated | IC with IP core and user-added scan register |
| US5971368A (en) | 1997-10-29 | 1999-10-26 | Fsi International, Inc. | System to increase the quantity of dissolved gas in a liquid and to maintain the increased quantity of dissolved gas in the liquid until utilized |
| US5858107A (en) | 1998-01-07 | 1999-01-12 | Raytheon Company | Liquid carbon dioxide cleaning using jet edge sonic whistles at low temperature |
| DE19801360A1 (de) | 1998-01-16 | 1999-07-22 | Sez Semiconduct Equip Zubehoer | Verfahren und Vorrichtung zum Behandeln von Halbleiter-Oberflächen |
| US6146469A (en) | 1998-02-25 | 2000-11-14 | Gamma Precision Technology | Apparatus and method for cleaning semiconductor wafers |
| US6436300B2 (en) | 1998-07-30 | 2002-08-20 | Motorola, Inc. | Method of manufacturing electronic components |
| US6406551B1 (en) | 1999-05-14 | 2002-06-18 | Fsi International, Inc. | Method for treating a substrate with heat sensitive agents |
| US6249933B1 (en) | 1999-08-26 | 2001-06-26 | Shop Vac Corporation | Pump having sealless shaft |
| US6758938B1 (en) | 1999-08-31 | 2004-07-06 | Micron Technology, Inc. | Delivery of dissolved ozone |
| US6982006B1 (en) | 1999-10-19 | 2006-01-03 | Boyers David G | Method and apparatus for treating a substrate with an ozone-solvent solution |
| JP2001176833A (ja) | 1999-12-14 | 2001-06-29 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置 |
| KR100381011B1 (ko) | 2000-11-13 | 2003-04-26 | 한국전자통신연구원 | 멤즈소자 제조용 미세구조체를 고착없이 띄우는 방법 |
| US6705089B2 (en) * | 2002-04-04 | 2004-03-16 | International Business Machines Corporation | Two stage cooling system employing thermoelectric modules |
-
2005
- 2005-05-11 US US11/127,052 patent/US7378355B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-05-02 WO PCT/US2006/016615 patent/WO2006124255A2/en active Application Filing
- 2006-05-09 TW TW097114936A patent/TWI325802B/zh active
- 2006-05-09 TW TW095116429A patent/TWI311513B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2006124255A3 (en) | 2007-04-12 |
| TW200843901A (en) | 2008-11-16 |
| US20050236363A1 (en) | 2005-10-27 |
| TW200706306A (en) | 2007-02-16 |
| TWI325802B (en) | 2010-06-11 |
| US7378355B2 (en) | 2008-05-27 |
| WO2006124255A2 (en) | 2006-11-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI311513B (en) | System and methods for polishing a wafer | |
| TWI574338B (zh) | 基板處理裝置及基板處理方法 | |
| US8567420B2 (en) | Cleaning apparatus for semiconductor wafer | |
| US6568408B2 (en) | Method and apparatus for removing a liquid from a surface of a rotating substrate | |
| EP0905747A1 (en) | Method and apparatus for removing a liquid from a surface of a rotating substrate | |
| JP5807949B2 (ja) | 超高速ウェットエッチング装置 | |
| TWI615895B (zh) | 自基板移除碳物質之製程 | |
| US7364625B2 (en) | Rinsing processes and equipment | |
| JP2013004705A (ja) | 基板処理方法及び基板処理ユニット | |
| US20110061684A1 (en) | Cleaning method for semiconductor wafer | |
| JP6431208B2 (ja) | 基板液処理装置及び方法 | |
| JP5523099B2 (ja) | 円板状物品の表面から液体を除去するための装置及び方法 | |
| CN107154351B (zh) | 一种硅片抛光方法及装置 | |
| JP5404093B2 (ja) | 半導体ウェーハの洗浄方法 | |
| US20080041427A1 (en) | Temperature control of a substrate during wet processes | |
| CN107154366B (zh) | 一种硅片抛光装置 | |
| JP4634490B2 (ja) | 回転基材の表面から液体を除去する方法および装置 | |
| JP7357693B2 (ja) | 基板処理方法 | |
| TWI781678B (zh) | 基板處理方法及基板處理裝置 | |
| US20050133156A1 (en) | Apparatus and method for wafer planarization | |
| JP2002299299A (ja) | 半導体基板研磨装置及びその洗浄方法 | |
| JP2023005188A (ja) | 基板処理方法、および、基板処理装置 | |
| WO2024158525A1 (en) | Apparatus and method for controlling substrate polish edge uniformity | |
| KR20200030019A (ko) | 단일 웨이퍼 클리너에서 soi 기판을 처리하기 위한 프로세스 | |
| JP2003059888A (ja) | 温水洗浄方法及び装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |