JPH0479221A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0479221A JPH0479221A JP19271290A JP19271290A JPH0479221A JP H0479221 A JPH0479221 A JP H0479221A JP 19271290 A JP19271290 A JP 19271290A JP 19271290 A JP19271290 A JP 19271290A JP H0479221 A JPH0479221 A JP H0479221A
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- cleaning
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- Pending
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Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、半導体装置を洗浄する方法に係る。
［従来の技術１
従来、半導体装置を洗浄する方法としてアンモニアと過
酸化水素水との混合水溶液が多く用いられてきた。この
液を半導体装置の洗浄に使用するには、通常液温を６０
°Ｃ以上にあげる。例えば第２図に示すように、洗浄槽
２０１内でアンモニア水、過酸化水素水、純水の混合液
２０４を作り、液温をヒーター２０２によりコントロー
ルし、半導体基板２０３をその中に入れる。
酸化水素水との混合水溶液が多く用いられてきた。この
液を半導体装置の洗浄に使用するには、通常液温を６０
°Ｃ以上にあげる。例えば第２図に示すように、洗浄槽
２０１内でアンモニア水、過酸化水素水、純水の混合液
２０４を作り、液温をヒーター２０２によりコントロー
ルし、半導体基板２０３をその中に入れる。
］発明が解決しようとする課題１
ところが、液温をあげると、例えば第３図（半導体・電
子部品の精密洗浄システム技術集成 １９８６ ｐ、
１２５）に示すように過酸化水素の分解が激しく起こり
、洗浄効果も低下する。それを防止するため、この液は
頻繁に、例えば数十分毎に交換しなくてはならない。そ
の結果、液の消費量大によるコストアップ、交換回数増
大による生産性の低下、ひいては、洗浄効果の低下によ
り品質が不安定になるという課題を有する。
子部品の精密洗浄システム技術集成 １９８６ ｐ、
１２５）に示すように過酸化水素の分解が激しく起こり
、洗浄効果も低下する。それを防止するため、この液は
頻繁に、例えば数十分毎に交換しなくてはならない。そ
の結果、液の消費量大によるコストアップ、交換回数増
大による生産性の低下、ひいては、洗浄効果の低下によ
り品質が不安定になるという課題を有する。
そこで本発明はこのような従来技術の課題を解決するも
ので、その目的とするところは、液の消費量を減らして
コストダウンを実現し、交換回数を減らして生産性をあ
げ、洗浄効果を低下させずに半導体装置の品質を安定さ
せるような洗浄方法を提供するところにある。
ので、その目的とするところは、液の消費量を減らして
コストダウンを実現し、交換回数を減らして生産性をあ
げ、洗浄効果を低下させずに半導体装置の品質を安定さ
せるような洗浄方法を提供するところにある。
［課題を解決するための手段１
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板をアンモ
ニア水溶液中で洗浄する際に、アンモニア水溶液にオゾ
ンを含む気体を添加しながら洗浄することを特徴とする
。
ニア水溶液中で洗浄する際に、アンモニア水溶液にオゾ
ンを含む気体を添加しながら洗浄することを特徴とする
。
［実施例１
第１図は本発明の一実施例を示したものである。
薬液槽１０１内でアンモニア水と純水との混合液１０４
をヒーター１０２で加熱する。薬液槽１０１下部に導入
された管１０５よりオゾンを含む気体、例えばオゾンと
酸素の混合気体１０６を出して被洗浄物であるＳｉ基板
１０３の表面に当てる。
をヒーター１０２で加熱する。薬液槽１０１下部に導入
された管１０５よりオゾンを含む気体、例えばオゾンと
酸素の混合気体１０６を出して被洗浄物であるＳｉ基板
１０３の表面に当てる。
この方法によると、オゾンと酸素の混合気体１０６によ
り酸化されたＳｉ基板表面は、アンモニア水によりエツ
チングされ、常に清浄な表面を出すことにより表面に付
着している汚染粒子を除去すると考えられる。過酸化水
素水を含まないので薬液の消耗が少なく、薬液寿命が延
びる。またオゾンと酸素の混合気体は常に新鮮なものが
供給されるため、アンモニア水を若干補充すれば液全体
の劣化はなく、洗浄効果の低下を防止できる。更に混合
気体により薬液がかくはんされるので、Ｓｉ基板表面よ
り除去された粒子は、第４図のようにポンプ４０１で薬
液４０２を循環させれば速やかに槽外に排出され、洗浄
効果は増大する。混合気体４０３の流量はかくはん効果
を高めるためには多いほうがよいが、循環を行っている
ときは薬液４０２の流れを乱さないような量に設定しな
いと除去効果が低下する。オゾンと混合する気体は窒素
でも良いが、酸化性の気体である必要があるので、窒素
の流量はあまり多くしない方がよい。更に、例えば第５
図のように、本発明を従来から用いられている超音波発
生装Ｎ５０１と併用すると汚染粒子除去効果は更に上が
る。薬液５０４は水槽５０２内の水５０３を介して超音
波発生装置５０１により振動を受ける。この振動が半導
体基板５０５に伝わり、半導体基板上の汚染粒子を除去
する。
り酸化されたＳｉ基板表面は、アンモニア水によりエツ
チングされ、常に清浄な表面を出すことにより表面に付
着している汚染粒子を除去すると考えられる。過酸化水
素水を含まないので薬液の消耗が少なく、薬液寿命が延
びる。またオゾンと酸素の混合気体は常に新鮮なものが
供給されるため、アンモニア水を若干補充すれば液全体
の劣化はなく、洗浄効果の低下を防止できる。更に混合
気体により薬液がかくはんされるので、Ｓｉ基板表面よ
り除去された粒子は、第４図のようにポンプ４０１で薬
液４０２を循環させれば速やかに槽外に排出され、洗浄
効果は増大する。混合気体４０３の流量はかくはん効果
を高めるためには多いほうがよいが、循環を行っている
ときは薬液４０２の流れを乱さないような量に設定しな
いと除去効果が低下する。オゾンと混合する気体は窒素
でも良いが、酸化性の気体である必要があるので、窒素
の流量はあまり多くしない方がよい。更に、例えば第５
図のように、本発明を従来から用いられている超音波発
生装Ｎ５０１と併用すると汚染粒子除去効果は更に上が
る。薬液５０４は水槽５０２内の水５０３を介して超音
波発生装置５０１により振動を受ける。この振動が半導
体基板５０５に伝わり、半導体基板上の汚染粒子を除去
する。
上記実施例では、被洗浄物としてＳｉ基板を例にとって
説明したが、これが５ｉ０２基板またはＳｉと５ｉ０２
との混合基板でも本発明は同等の効果を有する。オゾン
と酸素の混合気体により酸化された５ｉＯｚ基板まｋは
ＳｉとＳｉＯ２との混合基板表面は、アンモニア水によ
りエツチングされ、常に清浄な表面を出すことにより表
面に付着している汚染粒子を除去すると考えられる。
説明したが、これが５ｉ０２基板またはＳｉと５ｉ０２
との混合基板でも本発明は同等の効果を有する。オゾン
と酸素の混合気体により酸化された５ｉＯｚ基板まｋは
ＳｉとＳｉＯ２との混合基板表面は、アンモニア水によ
りエツチングされ、常に清浄な表面を出すことにより表
面に付着している汚染粒子を除去すると考えられる。
［発明の効果１
以上述べたように本発明によれば、アンモニア水溶液に
オゾンを含む気体を添加しながら、過酸化水素水を使わ
ずに基板表面を洗浄することにより、薬液の劣化を防止
する。その結果、薬液の消費量を減らしてコストを下げ
、薬液の交換回数を減らして生産性をあげ、洗浄効果を
安定させることにより半導体装置の品質を安定させると
いう効果を有する。
オゾンを含む気体を添加しながら、過酸化水素水を使わ
ずに基板表面を洗浄することにより、薬液の劣化を防止
する。その結果、薬液の消費量を減らしてコストを下げ
、薬液の交換回数を減らして生産性をあげ、洗浄効果を
安定させることにより半導体装置の品質を安定させると
いう効果を有する。
第１図−ｍ−本発明の一実施例を示す図。
１０１−−一薬液槽、１０２−ｍ−ヒーター１０３−−
−半導体基板、１０４−−−アンモニア水と純水との混
合液、１０５−−一混合気体を通す管、１０６−−−オ
ゾンを含む混合気体 第２図−ｍ−従来技術の一実施例を示す図。 ２０１−ｍ＝洗浄槽、２０２−−−ヒーター２０３−−
一半導体基板、２０４−−−アンモニア水、過酸化水素
水、純水の混合液第３区−ｍ−過酸化水素水溶液の組成
変化を示す図。 第４図−ｍ−本発明の一実施例を示す図。 ４０１−−−ポンプ、４０２−−一薬液４０３−−−オ
ゾンを含む混合気体 第５図−ｍ−本発明の一実施例を示す図。 ５０１−−一超音波発生装置、５０２−一一水槽、５０
３−−一水、５０４−−一薬液５０５−−−半導体基板 以 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 鈴木喜三部 他１名 １０Ｓ 第 図 熱処理時間（分） 、竿 図 第 佳 図
−半導体基板、１０４−−−アンモニア水と純水との混
合液、１０５−−一混合気体を通す管、１０６−−−オ
ゾンを含む混合気体 第２図−ｍ−従来技術の一実施例を示す図。 ２０１−ｍ＝洗浄槽、２０２−−−ヒーター２０３−−
一半導体基板、２０４−−−アンモニア水、過酸化水素
水、純水の混合液第３区−ｍ−過酸化水素水溶液の組成
変化を示す図。 第４図−ｍ−本発明の一実施例を示す図。 ４０１−−−ポンプ、４０２−−一薬液４０３−−−オ
ゾンを含む混合気体 第５図−ｍ−本発明の一実施例を示す図。 ５０１−−一超音波発生装置、５０２−一一水槽、５０
３−−一水、５０４−−一薬液５０５−−−半導体基板 以 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 鈴木喜三部 他１名 １０Ｓ 第 図 熱処理時間（分） 、竿 図 第 佳 図
Claims (1)
- 半導体基板をアンモニア水溶液中で洗浄する際に、アン
モニア水溶液にオゾンを含む気体を添加しながら洗浄す
ることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19271290A JPH0479221A (ja) | 1990-07-20 | 1990-07-20 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19271290A JPH0479221A (ja) | 1990-07-20 | 1990-07-20 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0479221A true JPH0479221A (ja) | 1992-03-12 |
Family
ID=16295806
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19271290A Pending JPH0479221A (ja) | 1990-07-20 | 1990-07-20 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0479221A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09255998A (ja) * | 1996-03-27 | 1997-09-30 | Furontetsuku:Kk | 洗浄方法および洗浄装置 |
| US7378355B2 (en) | 1997-05-09 | 2008-05-27 | Semitool, Inc. | System and methods for polishing a wafer |
| US7404863B2 (en) | 1997-05-09 | 2008-07-29 | Semitool, Inc. | Methods of thinning a silicon wafer using HF and ozone |
-
1990
- 1990-07-20 JP JP19271290A patent/JPH0479221A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09255998A (ja) * | 1996-03-27 | 1997-09-30 | Furontetsuku:Kk | 洗浄方法および洗浄装置 |
| US7378355B2 (en) | 1997-05-09 | 2008-05-27 | Semitool, Inc. | System and methods for polishing a wafer |
| US7404863B2 (en) | 1997-05-09 | 2008-07-29 | Semitool, Inc. | Methods of thinning a silicon wafer using HF and ozone |
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