JP2003059888A - 温水洗浄方法及び装置 - Google Patents
温水洗浄方法及び装置Info
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- JP2003059888A JP2003059888A JP2001241663A JP2001241663A JP2003059888A JP 2003059888 A JP2003059888 A JP 2003059888A JP 2001241663 A JP2001241663 A JP 2001241663A JP 2001241663 A JP2001241663 A JP 2001241663A JP 2003059888 A JP2003059888 A JP 2003059888A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 減圧下において温水で半導体ウェハを洗浄す
る際に、乾燥工程を不要とする洗浄方法の提供。 【解決手段】 内部が減圧排気された洗浄室２０内にお
いて、温水を噴射ノズル１６から被洗浄物であるウエハ
４０に向けて噴射して洗浄する際、該温水の流量を所定
値以下とし、洗浄の直前、直後の温水を加熱して、洗浄
後、即座に蒸発させるようにする。
る際に、乾燥工程を不要とする洗浄方法の提供。 【解決手段】 内部が減圧排気された洗浄室２０内にお
いて、温水を噴射ノズル１６から被洗浄物であるウエハ
４０に向けて噴射して洗浄する際、該温水の流量を所定
値以下とし、洗浄の直前、直後の温水を加熱して、洗浄
後、即座に蒸発させるようにする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、温水洗浄方法及び
装置に係り、特に、半導体製造工程でのウェハ洗浄に用
いるのに好適な、減圧下で温水を噴射ノズルから被洗浄
物に向けて噴射して洗浄する温水洗浄方法及び装置に関
する。
装置に係り、特に、半導体製造工程でのウェハ洗浄に用
いるのに好適な、減圧下で温水を噴射ノズルから被洗浄
物に向けて噴射して洗浄する温水洗浄方法及び装置に関
する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体素子の微細化による高集積
化が加速しており、全体工程数に占める洗浄工程が約３
割と言われるように、半導体製造工程でのウェハ洗浄
は、製造歩留りを維持するための重要な装置となってい
る。
化が加速しており、全体工程数に占める洗浄工程が約３
割と言われるように、半導体製造工程でのウェハ洗浄
は、製造歩留りを維持するための重要な装置となってい
る。
【０００３】洗浄装置としては、純水を使用するウェッ
ト洗浄が主流となっているが、ウェットバス型のバッチ
洗浄からブラシ洗浄、ジェットスピン洗浄、超音波洗浄
等、各種洗浄装置や枚葉洗浄装置が多用される方向にあ
る。
ト洗浄が主流となっているが、ウェットバス型のバッチ
洗浄からブラシ洗浄、ジェットスピン洗浄、超音波洗浄
等、各種洗浄装置や枚葉洗浄装置が多用される方向にあ
る。
【０００４】ここで問題となるのは、純水の使用量、薬
品（無機、有機）の使用量と、その排水処理、微細パタ
ーンの薬品によるオーバーエッチングによる形状変形、
新材料に対応する薬品の開発、多様な薬品への対応等、
単純な洗浄原理によって、多くの洗浄工程に対応可能な
洗浄装置が望まれている。
品（無機、有機）の使用量と、その排水処理、微細パタ
ーンの薬品によるオーバーエッチングによる形状変形、
新材料に対応する薬品の開発、多様な薬品への対応等、
単純な洗浄原理によって、多くの洗浄工程に対応可能な
洗浄装置が望まれている。
【０００５】このような目的で、減圧下において純温水
で半導体ウェハ等を洗浄する方法や、洗浄後にウェハ面
上に残る水分を真空乾燥する方法が、特開昭６２−１４
９１３７、特開平２−３０３０２８、特開平３−４１７
３０、特開平１１−３３００３６、特開２０００−２０
８４６１等で提案され、実用化されている。
で半導体ウェハ等を洗浄する方法や、洗浄後にウェハ面
上に残る水分を真空乾燥する方法が、特開昭６２−１４
９１３７、特開平２−３０３０２８、特開平３−４１７
３０、特開平１１−３３００３６、特開２０００−２０
８４６１等で提案され、実用化されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、いずれ
の方法でも、洗浄工程と、それに続く乾燥工程があり、
必ずしも効率的ではなかった。
の方法でも、洗浄工程と、それに続く乾燥工程があり、
必ずしも効率的ではなかった。
【０００７】本発明は、前記従来の問題点を解消するべ
くなされたもので、乾燥工程が不要な温水洗浄を実現す
ることを課題とする。
くなされたもので、乾燥工程が不要な温水洗浄を実現す
ることを課題とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、減圧下で温水
を噴射ノズルから被洗浄物に向けて噴射して洗浄する際
に、温水の流量を所定値以下とし、洗浄直前、直後の温
水を加熱して、洗浄後、即座に蒸発させるようにして、
前記課題を解決したものである。
を噴射ノズルから被洗浄物に向けて噴射して洗浄する際
に、温水の流量を所定値以下とし、洗浄直前、直後の温
水を加熱して、洗浄後、即座に蒸発させるようにして、
前記課題を解決したものである。
【０００９】又、前記温水を、加熱されたキャリアガス
により噴射ノズルまで導くようにしたものである。
により噴射ノズルまで導くようにしたものである。
【００１０】又、前記噴射ノズルから噴出した温水を、
加速ガスにより加速するようにして、洗浄効果を高めた
ものである。
加速ガスにより加速するようにして、洗浄効果を高めた
ものである。
【００１１】更に、前記加速ガスを加熱することによ
り、蒸発を促進したものである。
り、蒸発を促進したものである。
【００１２】又、３００ｍｍウェハ１表面を洗浄する際
に、前記温水の流量を８０ｃｃ／分以下としたものであ
る。
に、前記温水の流量を８０ｃｃ／分以下としたものであ
る。
【００１３】又、前記被洗浄物の表面に、上流側から排
気側に向けての流れを形成するためのパージガスを供給
するようにして、洗浄効果を高めたものである。
気側に向けての流れを形成するためのパージガスを供給
するようにして、洗浄効果を高めたものである。
【００１４】又、前記パージガスを加熱するようにし
て、蒸発を促進したものである。
て、蒸発を促進したものである。
【００１５】又、前記被洗浄物や、その周囲を加熱する
ことにより、同じく蒸発を促進したものである。
ことにより、同じく蒸発を促進したものである。
【００１６】更に、前記温水中に薬液を混入したり、前
記加速ガスやパージガス中に化学系ガスを混入して、液
滴の被洗浄物表面への衝撃力による物理洗浄に加えて、
金属イオンや有機汚染も除去できるようにしたものであ
る。
記加速ガスやパージガス中に化学系ガスを混入して、液
滴の被洗浄物表面への衝撃力による物理洗浄に加えて、
金属イオンや有機汚染も除去できるようにしたものであ
る。
【００１７】本発明は、又、温水洗浄装置において、内
部に被洗浄物が配置される、所定値以下に減圧された洗
浄室と、該洗浄室内で、所定値以下の流量の温水を被洗
浄物に向けて噴射するための噴射ノズルと、洗浄直前、
直後の温水を加熱して、洗浄後、即座に蒸発させる手段
とを備えることにより、前記課題を解決したものであ
る。
部に被洗浄物が配置される、所定値以下に減圧された洗
浄室と、該洗浄室内で、所定値以下の流量の温水を被洗
浄物に向けて噴射するための噴射ノズルと、洗浄直前、
直後の温水を加熱して、洗浄後、即座に蒸発させる手段
とを備えることにより、前記課題を解決したものであ
る。
【００１８】又、前記噴射ノズルが、直径０．１５mm以
下（０．１５ｍｍφ以下０．０６ｍｍφ以上の穴径が望
ましい）の温水吹出し穴を多数有するようにしたもので
ある。
下（０．１５ｍｍφ以下０．０６ｍｍφ以上の穴径が望
ましい）の温水吹出し穴を多数有するようにしたもので
ある。
【００１９】又、前記噴射ノズルから噴出する温水を加
速する加速ガスを噴射するための加速ノズルを更に備え
ることにより、洗浄効果を高めたものである。
速する加速ガスを噴射するための加速ノズルを更に備え
ることにより、洗浄効果を高めたものである。
【００２０】又、前記加速ガスを加熱する手段を更に備
えることにより、蒸発を促進したものである。
えることにより、蒸発を促進したものである。
【００２１】又、前記洗浄室内に、上流側から排気側に
向けての流れを形成するためのパージガス供給手段を更
に備えることにより、洗浄効果を高めたものである。
向けての流れを形成するためのパージガス供給手段を更
に備えることにより、洗浄効果を高めたものである。
【００２２】又、前記パージガスを加熱する手段を更に
備えることにより、蒸発を促進したものである。
備えることにより、蒸発を促進したものである。
【００２３】又、前記洗浄室内にヒータを設けることに
より、蒸発を促進したものである。
より、蒸発を促進したものである。
【００２４】又、前記被洗浄物を保持する手段に、ヒー
タを設けることにより、同じく蒸発を促進したものであ
る。
タを設けることにより、同じく蒸発を促進したものであ
る。
【００２５】又、前記温水中に薬液を混入する手段や、
前記加速ガスやパージガス中に化学系ガスを混入する手
段を更に備えることにより、液滴の被洗浄物表面への衝
撃力による物理洗浄に加えて、金属イオンや有機汚染も
除去できるようにしたものである。
前記加速ガスやパージガス中に化学系ガスを混入する手
段を更に備えることにより、液滴の被洗浄物表面への衝
撃力による物理洗浄に加えて、金属イオンや有機汚染も
除去できるようにしたものである。
【００２６】従来は、洗浄工程において多量の純水を使
用していたため、洗浄と同時に水分を蒸発させるには大
量の熱量が必要となり、洗浄工程とは独立した乾燥工程
が必要であった。本発明は、従来の発想とは逆に、例え
ば直径３００mmのウェハの１表面を１回洗浄するには、
最大８０ｃｃの純水で十分であるとの発見に基づいてな
されたものである。即ち、ウェハ１枚の洗浄に要する水
分量が多い場合には、洗浄するウェハ表面に水の境膜が
存在することで、ウェハ表面への水滴の衝撃が弱めら
れ、その分、ウェハ表面に付着するパーティクル等の汚
染物の除去性能が弱められる。
用していたため、洗浄と同時に水分を蒸発させるには大
量の熱量が必要となり、洗浄工程とは独立した乾燥工程
が必要であった。本発明は、従来の発想とは逆に、例え
ば直径３００mmのウェハの１表面を１回洗浄するには、
最大８０ｃｃの純水で十分であるとの発見に基づいてな
されたものである。即ち、ウェハ１枚の洗浄に要する水
分量が多い場合には、洗浄するウェハ表面に水の境膜が
存在することで、ウェハ表面への水滴の衝撃が弱めら
れ、その分、ウェハ表面に付着するパーティクル等の汚
染物の除去性能が弱められる。
【００２７】本発明では、例えば多数の微細ノズル穴を
有する温水噴射ノズルより微細水滴を少量吹出させ、ウ
ェハ１枚を洗浄する水分の量を極小化することを基本と
する。減圧された洗浄室内に吹出された少量の水滴は、
一部は蒸発しながらウェハ表面に衝突するが、一部は微
細水滴で衝突し、ウェハ表面の汚染物を除去する。衝突
後は、水滴を即座に蒸気として蒸発させるために、予め
加熱された加速ガス、パージガスを必要に応じて併用す
ることによって更に加熱し、完全に蒸発させる。又、蒸
発を補う加熱源として、洗浄室内に赤外加熱ヒータやそ
の他のヒータを付加することで、ウェハ表面の水分の除
去を促進することができる。更に、本発明の場合、ウェ
ハ表面に水の境膜が存在しないので、汚染物を除去する
性能も高くなる。又、洗浄室内を３０ＫＰａ以下３ＫＰ
ａ程度の圧力に減圧することで、水分の蒸発を促すと同
時に、除去された汚染物の再付着を防止することができ
る。
有する温水噴射ノズルより微細水滴を少量吹出させ、ウ
ェハ１枚を洗浄する水分の量を極小化することを基本と
する。減圧された洗浄室内に吹出された少量の水滴は、
一部は蒸発しながらウェハ表面に衝突するが、一部は微
細水滴で衝突し、ウェハ表面の汚染物を除去する。衝突
後は、水滴を即座に蒸気として蒸発させるために、予め
加熱された加速ガス、パージガスを必要に応じて併用す
ることによって更に加熱し、完全に蒸発させる。又、蒸
発を補う加熱源として、洗浄室内に赤外加熱ヒータやそ
の他のヒータを付加することで、ウェハ表面の水分の除
去を促進することができる。更に、本発明の場合、ウェ
ハ表面に水の境膜が存在しないので、汚染物を除去する
性能も高くなる。又、洗浄室内を３０ＫＰａ以下３ＫＰ
ａ程度の圧力に減圧することで、水分の蒸発を促すと同
時に、除去された汚染物の再付着を防止することができ
る。
【００２８】
【発明の実施の形態】以下図面を参照して、本発明の実
施形態を詳細に説明する。
施形態を詳細に説明する。
【００２９】本実施形態は、図１に示す如く、少量の純
水を保有できる温水タンク１０を有し、該温水タンク１
０内に設置された温水ヒータ１２によって、タンク１０
内の水を一定温度に保つ。又、タンク１０内の液は一定
液面に制御されている。
水を保有できる温水タンク１０を有し、該温水タンク１
０内に設置された温水ヒータ１２によって、タンク１０
内の水を一定温度に保つ。又、タンク１０内の液は一定
液面に制御されている。
【００３０】前記温水タンク１０から導かれた温水は、
温水ヒータ１４によって加熱されたキャリア窒素ガスと
混入され、例えば直径が０．１５mm以下の温水吹出し穴
１７を多数有する温水噴射ノズル（以下単に温水ノズル
と称する）１６に導かれる。
温水ヒータ１４によって加熱されたキャリア窒素ガスと
混入され、例えば直径が０．１５mm以下の温水吹出し穴
１７を多数有する温水噴射ノズル（以下単に温水ノズル
と称する）１６に導かれる。
【００３１】該温水ノズル１６の温水吹出し穴１７か
ら、内部が例えば３０Ｋｐａ以下に減圧排気された洗浄
室２０内に吹出した液滴シャワー１８は、断熱膨張によ
り一部蒸発し、更に、前記温水ノズル１６とは別に設け
られた加速ノズル２４から、温水ヒータ２２で加熱され
た後、高速で吹出した加速窒素ガス２５によって、更に
一部が蒸発しながら加速される。
ら、内部が例えば３０Ｋｐａ以下に減圧排気された洗浄
室２０内に吹出した液滴シャワー１８は、断熱膨張によ
り一部蒸発し、更に、前記温水ノズル１６とは別に設け
られた加速ノズル２４から、温水ヒータ２２で加熱され
た後、高速で吹出した加速窒素ガス２５によって、更に
一部が蒸発しながら加速される。
【００３２】残留する液滴は、加速ガス２５のガス流れ
に乗って、例えばプロセスハンド等のウェハホルダ３０
に乗って運ばれるウェハ４０の表面に衝突し、ウェハ表
面に付着するパーティクル等の汚染物を除去、洗浄す
る。
に乗って、例えばプロセスハンド等のウェハホルダ３０
に乗って運ばれるウェハ４０の表面に衝突し、ウェハ表
面に付着するパーティクル等の汚染物を除去、洗浄す
る。
【００３３】洗浄直後の液滴は、洗浄室２０内の流れを
制御して、被洗浄物から剥離洗浄した除去パーティクル
等が洗浄室２０から排気され易くするように、洗浄室２
０内に上流側から排気側に向けて導入される、温水ヒー
タ２６により加熱されたパージ窒素ガスや、洗浄室２０
内に設置された赤外加熱ヒータ（例えば赤外線ランプ）
２８やシースヒータ、ウェハホルダ３０に埋め込まれた
ヒータ３２により加熱され、ウェハ４０上に残存する水
分は、洗浄後、即座に蒸発除去される。
制御して、被洗浄物から剥離洗浄した除去パーティクル
等が洗浄室２０から排気され易くするように、洗浄室２
０内に上流側から排気側に向けて導入される、温水ヒー
タ２６により加熱されたパージ窒素ガスや、洗浄室２０
内に設置された赤外加熱ヒータ（例えば赤外線ランプ）
２８やシースヒータ、ウェハホルダ３０に埋め込まれた
ヒータ３２により加熱され、ウェハ４０上に残存する水
分は、洗浄後、即座に蒸発除去される。
【００３４】ウェハ４０の表面を洗浄するに際しては、
図２に示す如く、温水ノズル１６に対し直角の方向にジ
グザグにウェハ４０をスキャンするＸＹスキャン型とし
たり、あるいは、図３に示す如く、ウェハ４０の中心か
ら半径方向に温水ノズル１６を設置し、ウェハ回転軸３
４でウェハ４０を回転させながら遥動する回転及び遥動
型の駆動方式を採ることができる。
図２に示す如く、温水ノズル１６に対し直角の方向にジ
グザグにウェハ４０をスキャンするＸＹスキャン型とし
たり、あるいは、図３に示す如く、ウェハ４０の中心か
ら半径方向に温水ノズル１６を設置し、ウェハ回転軸３
４でウェハ４０を回転させながら遥動する回転及び遥動
型の駆動方式を採ることができる。
【００３５】なお、前記実施形態においては、温水ノズ
ル１６から純水のみを噴射するようにしていたが、温水
中に微量の過酸化水素水やアンモニア等の薬液を混入し
たり、及び／又は、加速ガスやパージガス中にＨＦガ
ス、オゾンその他の化学系ガスを混入することにより、
液滴のウェハ表面への衝撃力による物理洗浄に加えて、
金属イオンや有機汚染を除去することも可能である。
又、キャリアガス、加速ガス、パージガスの種類も窒素
ガスに限定されず、ヒータやウェハホルダの種類も実施
形態に限定されない。
ル１６から純水のみを噴射するようにしていたが、温水
中に微量の過酸化水素水やアンモニア等の薬液を混入し
たり、及び／又は、加速ガスやパージガス中にＨＦガ
ス、オゾンその他の化学系ガスを混入することにより、
液滴のウェハ表面への衝撃力による物理洗浄に加えて、
金属イオンや有機汚染を除去することも可能である。
又、キャリアガス、加速ガス、パージガスの種類も窒素
ガスに限定されず、ヒータやウェハホルダの種類も実施
形態に限定されない。
【００３６】前記実施形態においては、本発明が、半導
体用ウェハの洗浄に適用されていたが、本発明の適用対
象はこれに限定されず、半導体用マスク、フラットパネ
ル用基板、磁気ディスク基板、フライイングヘッド用基
板等の他の被洗浄物の洗浄にも同様に適用できることは
明らかである。
体用ウェハの洗浄に適用されていたが、本発明の適用対
象はこれに限定されず、半導体用マスク、フラットパネ
ル用基板、磁気ディスク基板、フライイングヘッド用基
板等の他の被洗浄物の洗浄にも同様に適用できることは
明らかである。
【００３７】
【発明の効果】本発明によれば、洗浄と同時に温水が蒸
発してしまうため、乾燥工程が不要であり、洗浄工程を
簡略化、迅速化することができる。
発してしまうため、乾燥工程が不要であり、洗浄工程を
簡略化、迅速化することができる。
【００３８】更に、被洗浄物表面に水の境膜が存在しな
いので、汚染物を除去する性能も高くなる。
いので、汚染物を除去する性能も高くなる。
【図１】本発明の実施形態の構成を示す正面図
【図２】前記実施形態における駆動方式の一例であるＸ
Ｙスキャン型の駆動方式を示す平面図
Ｙスキャン型の駆動方式を示す平面図
【図３】同じく回転及び遥動型の駆動方式を示す正面図
１０…温水タンク
１２、１４、２２、２６…温水ヒータ
１６…温水噴射ノズル
１７…温水吹出し穴
１８…液滴シャワー
２０…洗浄室
２４…加速ノズル
２５…加速ガス
２８、３２…ヒータ
３０…プロセスハンド
３４…ウェハ回転軸
４０…ウェハ（被洗浄物）
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｂ０８Ｂ 3/10 Ｂ０８Ｂ 3/10 Ｚ
Claims (20)
- 【請求項１】減圧下で温水を噴射ノズルから被洗浄物に
向けて噴射して洗浄する際に、 温水の流量を所定値以下とし、 洗浄直前、直後の温水を加熱して、洗浄後、即座に蒸発
させることを特徴とする温水洗浄方法。 - 【請求項２】前記温水を、加熱されたキャリアガスによ
り噴射ノズルまで導くことを特徴とする請求項１に記載
の温水洗浄方法。 - 【請求項３】前記噴射ノズルから噴出した温水を、加速
ガスにより加速することを特徴とする請求項１又は２に
記載の温水洗浄方法。 - 【請求項４】前記加速ガスを加熱することを特徴とする
請求項３に記載の温水洗浄方法。 - 【請求項５】３００ｍｍウェハ１表面を洗浄する際に、
前記温水の流量を８０ｃｃ／分以下とすることを特徴と
する請求項１乃至４のいずれかに記載の温水洗浄方法。 - 【請求項６】前記被洗浄物の表面に、上流側から排気側
に向けての流れを形成するためのパージガスを供給する
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の温
水洗浄方法。 - 【請求項７】前記パージガスを加熱することを特徴とす
る請求項６に記載の温水洗浄方法。 - 【請求項８】前記被洗浄物や、その周囲を加熱すること
を特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の温水洗
浄方法。 - 【請求項９】前記温水中に薬液を混入することを特徴と
する請求項１乃至８のいずれかに記載の温水洗浄方法。 - 【請求項１０】前記加速ガスやパージガス中に化学系ガ
スを混入することを特徴とする請求項３、４、６、７の
いずれかに記載の温水洗浄方法。 - 【請求項１１】内部に被洗浄物が配置される、所定値以
下に減圧された洗浄室と、 該洗浄室内で、所定値以下の流量の温水を被洗浄物に向
けて噴射するための噴射ノズルと、 洗浄直前、直後の温水を加熱して、洗浄後、即座に蒸発
させる手段と、 を備えたことを特徴とする温水洗浄装置。 - 【請求項１２】前記噴射ノズルが、直径０．１５mm以下
の温水吹出し穴を多数有することを特徴とする請求項１
１に記載の温水洗浄装置。 - 【請求項１３】前記噴射ノズルから噴出する温水を加速
する加速ガスを噴射するための加速ノズルを、更に備え
たことを特徴とする請求項１１又は１２に記載の温水洗
浄装置。 - 【請求項１４】前記加速ガスを加熱する手段を、更に備
えたことを特徴とする請求項１３に記載の温水洗浄装
置。 - 【請求項１５】前記洗浄室内に、上流側から排気側に向
けての流れを形成するためのパージガス供給手段を、更
に備えたことを特徴とする請求項１１乃至１４のいずれ
かに記載の温水洗浄装置。 - 【請求項１６】前記パージガスを加熱する手段を、更に
備えたことを特徴とする請求項１５に記載の温水洗浄装
置。 - 【請求項１７】前記洗浄室内にヒータが設けられている
ことを特徴とする請求項１１乃至１６のいずれかに記載
の温水洗浄装置。 - 【請求項１８】前記被洗浄物を保持する手段に、ヒータ
が設けられていることを特徴とする請求項１１乃至１７
のいずれかに記載の温水洗浄装置。 - 【請求項１９】前記温水中に薬液を混入する手段を、更
に備えたことを特徴とする請求項１１乃至１８のいずれ
かに記載の温水洗浄装置。 - 【請求項２０】前記加速ガスやパージガス中に化学系ガ
スを混入する手段を、更に備えたことを特徴とする請求
項１３乃至１６のいずれかに記載の温水洗浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001241663A JP3891803B2 (ja) | 2001-08-09 | 2001-08-09 | 温水洗浄方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001241663A JP3891803B2 (ja) | 2001-08-09 | 2001-08-09 | 温水洗浄方法及び装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003059888A true JP2003059888A (ja) | 2003-02-28 |
| JP3891803B2 JP3891803B2 (ja) | 2007-03-14 |
Family
ID=19072066
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001241663A Expired - Fee Related JP3891803B2 (ja) | 2001-08-09 | 2001-08-09 | 温水洗浄方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3891803B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009154105A (ja) * | 2007-12-27 | 2009-07-16 | Toray Ind Inc | 塗布方法および塗布装置並びに液晶ディスプレイ用部材の製造方法 |
| KR20190087369A (ko) * | 2019-07-15 | 2019-07-24 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
-
2001
- 2001-08-09 JP JP2001241663A patent/JP3891803B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009154105A (ja) * | 2007-12-27 | 2009-07-16 | Toray Ind Inc | 塗布方法および塗布装置並びに液晶ディスプレイ用部材の製造方法 |
| KR20190087369A (ko) * | 2019-07-15 | 2019-07-24 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
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