TWI306654B - Methods of forming electronic structures including conductive shunt layers and related structures - Google Patents

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TWI306654B
TWI306654B TW092117132A TW92117132A TWI306654B TW I306654 B TWI306654 B TW I306654B TW 092117132 A TW092117132 A TW 092117132A TW 92117132 A TW92117132 A TW 92117132A TW I306654 B TWI306654 B TW I306654B
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K Nair Krishna
A Rinne Glenn
E Batchelor William
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Description

1306654 玖、發明說明： 「就風1請案】 本申請案主張2002年7月25日提出申請之美國臨時專利 申請案第60/391，511號，此處以引用的方式將其全部揭示部 伤併入本文中。 [爱i所屬之拮術領域】 本發明係關於電子領域，更明確地說，係關於含有坪接 層的電子結構以及相關方法。 【先前技椒Ί 丈接層可於兩塊電子基板間提供電鶴合與機械搞合效果 ’例如於覆晶黏結製程中。明確地說’烊接層可能係位於 電子基板的導電焊墊（例如積體電路基板的輸入/輸出焊墊） 之上，並且可利用該焊接層將該電予基板黏結至下一個封裝 層（例如印刷電路板、陶瓷基板、及/或另一積體電路裝置） 。因此，該焊接層可於該電子基板與下一個封裝層間提供 電互連接線。 更明確地說，在部份的導電焊塾（其係經由通道而裸露於 絕緣屬中)上可能具有一焊㈣。此外，薄薄的下凸鑄造 (UBM)層有助於進行黏著、提供電鍍電極、及/或提供繞線 導體。該電子結構上的絕緣層可能包括—通道，其中曝露 出該弹接層所在的部份導電焊塾。於慣用結構中流動的電 流會抵達孩焊接凸塊通道的邊緣’凸塊的低電阻可讓大部 份的電流於該通道邊緣處轉彎。可能會形成不均勻的電流 密度，而且不肖勻的電流密度可能t降低可靠度。 86303 1306654 更明確地說，於該通道邊緣處較高的電流密度可能會加 速孩通道邊緣處 < 焊接層的局部電遷移。舉例來說，由於 文谷點溫度較低的關係，焊料特別容易受到電遷移的影響。 該焊接層内的金屬擴散遠離該通道邊緣處的結果，會於該 通道邊緣處附近在该焊接層中形成空隙。該空隙會阻隔電 机，從而迫使電流於朝該焊料轉彎前便越過該通道邊緣往 更遠處移動。因此’空隙便會沿著該焊料與該導電焊墊間 的介面橫向成長。 舉例來說，於W. J. Choi等人所發表的「Electr〇migrati〇n 〇f Flip Chip Solder Bump On Cu/Ni(V)/Al Thin Film Under Bump Metallization j (2002^IEEE Electronic Components Technoiogy CQnfei：enee之會議記錄）—文中便討論到，焊接 層可能非常容易受到電遷移的影響。此處以引用的方式將 Choi等人所發表的所有揭示部份併入本文中。 【發明内空：1 根據本發明具體實施例所提供之用以形成電子結構的方 g括於電子基板上形成一晶種層，以及於部份該晶 種：上方形成—導電分路層’其中部份該晶種層並不含該 屯刀路層。可於該導電分路層之上，該晶種層的相反側 處形成一導電屏障層，其中該導電分路層包含第一材料 /、中該導電屏障層則包含不同於第一材料的第二材料 者可於该導電屏障層之上，該導電分路層的相反侧 f 一形成-焊接層’其中該焊接層包含不同於第一材料與 第二材科的第三材料。 86303 1306654 形成該焊接層之後便可移除不含該焊接層的部份晶種層 。該分路層可能包括一金屬層（例如銅質層），而且該導電分 路層的厚度土少約為〇5 μπι。此外，該導電分路層的厚度至 少約為1.0 μιη，更明確地說，該導電分路層的厚度可能約介 於1·〇 μπι至5·0 μιη之間。該屏障層可能包括另一金屬層，例 如鎳、鉑、鈀及/或其化合物。該導電屏障層之上亦可能包 括一鈍化層，例如金質層。 該晶種層可能包括一由不同於導電分路層之第一材料的 第四材料所组成的黏著層，該黏著層可能包括一金屬層， 例如鈦、鎢、鉻及/或其化合物。此外，該晶種層可能於該 黏著層之上，該基板的相反側處，包括一電鍍導電層，該 電鍍導電層可能包括一由導電分路層之第一材料所组成的 層。 形成該晶種層之後便可於該晶種層之上形成一光罩層， 其中該光罩層具有一裸露出該晶種層之表面部的圖案。因 此’藉由電鍍該晶種層之裸露表面部上方的導電分路層便 可形成該導電分路層，藉由電鍍該導電分路層上方的導電 屏障層便可形成該導電屏障層，以及藉由電鐘個別屏障層 上方的烊接層便可形成該焊接層。 形成遠電子裝置還包括於一基板上形成一導電焊塾，於 該基板及該導電焊墊上形成一絕緣層，其中該絕緣層中具 有一通道，因此位於該基板相反侧處的部份導電焊墊不含 該絕緣層。更明確地說，該晶種層可能係位於該絕緣層之 上、該通道的侧護壁之上、以及不含該絕緣層之部份導電 86303 1306654 焊墊之上；而該導電分路層則可能係位於該晶種層之上， 不含該絕緣層之部份導電焊墊的相反側處、該通道的侧護 壁的相反侧處、以及該通道附近之絕緣層的相反部處。 根據本發明額外的具體實施例，形成一電子結構可能包 括於一基板上形成一導電焊墊，以及於該基板及該導電焊 墊上形成一絕緣層，其中該絕緣層中具有一通道，因此位 於該基板相反側處的部份導電焊墊不含該絕緣層。導電分 路層可能係位於不含該絕緣層之部份導電焊墊之上、該通 道的侧護壁之上、以及該通道週遭之絕緣層的表面部之上 ，該基板與該導電焊墊的相反侧處；而該導電分路層的厚 度至少約為0.5 μιη。導電屏障層可形成於該導電分路層之上 ，該導電焊墊與該絕緣層的相反側處，其中該分路層與該 屏障層包含不同的材料。此外，焊接層可形成於該屏障層 之上，該分路層的相反側處，其中坪接層與該屏障層包含 不同的材料。該分路廣的厚度至少約為1.0 μιη，明確地說， 該分路層的厚度約介於1. 〇 μπι至5.0 μιη之間。 於形成該導電分路層之前，可先於該導電焊墊與該絕緣 層之上形成一晶種層，使得該晶種層介於該導電分路層與 不含該絕緣層之部份導電焊墊之間，而且使得該晶種層介 於該導電分路層與該絕緣層之間。 該晶種層可能包括一由不同於導電分路層的材料所組成 的黏著層，該黏著層可能包括一金屬層，例如数、鎢、路 及/或其化合物。此外，該晶種層可能於該黏著層之上，該 基板的相反侧處，包括一電鍍導電層，該電鍍導電層與該 86303 1306654 導電分路層可能包括相同的材料。再者，該導電分路層、 該導電屏障層、以及該焊接層可能係位於部份該晶種層之 上，而部份該晶種層可能不含該導電分路層、該導電屏障 層、以及該焊接層。形成該焊接層之後便可移除不含該導 電分路層、不含該導電屏障層、以及不含該焊接層的晶種 〇 形成該晶種層之後便可於該晶種層之上形成一光罩層， 其中該光罩層在不含該絕緣層的部份導電焊墊的相反側處 、該通道的側護壁的相反侧處、以及該通道週遭之絕緣層 的表面部的相反側處，具有一裸露出該晶種層之表面部的 圖案。因此，形成該導電分路層可能包括電鍍該晶種層之 裸露部上的導電分路層，形成該導電屏障層可能包括電鍍 該導電分路層上的導電屏障層，而形成該焊接層則可能包 括電鍍該屏障層上的焊接層。形成該焊接層之後便可移除 該光罩層，而且移除該光罩層之後便可移除該導電分路層 週遭的部份晶種層。更明確地說，該導電分路層可能包括 一金屬層，例如銅質層；而該導電屏障層則可能包括另一 金屬層，例如鎳、銘、免及/或其化合物。 根據本發明額外的具體實施例，形成電子結構的方法可 能包括於一電子基板上形成一主導電線路，該主導電線路 的寬度為第一寬度；以及於該電子基板上形成一導電焊墊 ，該導電焊墊的寬度為大於第一寬度的第二寬度。於該主 導電線路與該導電焊墊間亦可形成電耦合，其中該電耦合 可於該主導電線路與該導電焊墊間提供至少兩條分離的電 86303 -10· 1306654 流路徑。 該電耦合可能包括一由該主導電線路延伸至該導電焊墊 的擴口耦合線路，而且其中具有穿孔。該電耦合可能包括 第一線路與第二線路，分別從該主導電線路延伸至該導電 焊墊之間隔部。該等第一線路與第二線路會延伸至該導電 焊墊的兩侧。或者，該導電焊墊亦可能為圓形，因此該等 第一線路與第二線路可能會以切線方式從該圓形導電焊墊 的不同部位伸出，並且於該主導電線路處會合。該等第一 線路與第二線路可能會以平行的方式從該圓形焊墊伸出並 且於該主導電線路處會合；及/或該電耦合可能包括一介於 該等第一線路與第二線路之間的第三線路，從該主導電線 路延伸至該導電焊墊。再者，該第三線路的寬度小於該等 第一線路與第二線路中任一線路的寬度。 此外，可於該導電焊墊上形成一焊接層，並且於該焊接 層上形成一第二電子基板，其中，該等第一線路與第二線 路中至少其中一者可被耦合至受到壓應力作用之部份焊接 層旁邊的導電焊墊之上。此外，可於該電子基板上、該導 電線路上、該導電焊墊上、以及該電耦合上形成一絕緣層 ，其中該絕緣層中具有一通道，因此部份的導電焊墊並不 含該絕緣層。該電子基板可能包括一半導體基板、該半導 體基板上的接觸焊墊、以及該半導體基板與該接觸焊墊上 的絕緣層，而且該絕緣層中可能具有一通道，因此部份的 導電焊墊並不含該絕緣層。再者，該導電線路、該導電焊 墊、以及該電耦合都可能係位於該絕緣層之上，該基板的 86303 -11 - 1306654 相反側處，而且該導電線路可經由該通道與該接觸焊墊產 生電耦合。 根據本發明額外的具體實施例，電子結構可能包括一電 子基板以及該電子基板上的晶種層。於部份該晶種層之上 可能具有一導電分路層，其中部份該晶種層並不含該導電 分路層；而於該導電分路層之上，該晶種層的相反側處則 具有一導電屏障層，其中該分路層包括第一材料，而其中 該屏障層包括不同於該第一材料的第二材料。此外，焊接 層可能係位於該屏障層之上，該分路層的相反侧處。 根據本發明其它的具體實施例，電子結構可能包括一基 板上的導電焊墊，以及該基板及該導電焊墊上的絕緣層， 其中該絕緣層中具有一通道，因此位於該基板相反侧處的 部份導電焊墊不含該絕緣層。導電分路層可能係位於不含 該絕緣層之部份導電焊墊之上、該通道的侧護壁之上、以 及該通道週遭之絕緣層的表面部之上，該基板與該導電焊 塾的相反側處；而該導電分路層的厚度至少約為0.5 μπι。此 外，於該導電分路層之上，該導電焊整與該絕緣層的相反 侧處則具有一導電屏障層，其中，該分路層與該屏障層包 括不同的材料；而焊接層則可能係位於該屏障層之上，該 分路層的相反側處。 根據本發明其它的具體實施例，電子結構可能包括一電 子基板；以及該電子基板上的主導電線路，該主導電線路 的寬度為第一寬度。位於該電子基板上的導電焊墊的寬度 則為大於第一寬度的第二寬度。此外，介於該主導電線路 86303 -12- 1306654 與該導電焊墊間的電耦合則可於該主導電線路與該導電坪 塾之間提供至少兩條分離的電流路徑。 [實施方式】 現在將於下文中參考附圖更完整地說明本發明，其中顯 示著本發明之具體實施例。不過’本發明可以許多不同的 形式來實施’並不僅限於本文所述的具體實施例。確切地 說’所提供的這些具體實施例將使得本揭示内容更為詳盡 及完整，並且讓熟習本技術的人士完整地瞭解本發明之範 轉°圖中’為了清楚起見’已經放大各層及各區的厚度。 還必須瞭解的係，所謂的一層位於另一層或基板「之上」’ 其可能係直接位於該另一層或基板之上，或是還存在著中 間層。還必須瞭解的係，所謂的一元件Γ被耦合」或「被 連接」至另一元件，其可能係直接被耦合或被連接至該另 π件，或是還存在著中間元件。圖中相同的元件符號代 表相同的元件。 根據本發明之具體實施例，其提供一導電分路層，用以 分散焊接結構（例如焊接凸塊）之接觸表面上的電流。舉例來 說，在裸露出部份接觸焊墊的絕緣層中可能具有一通道； j該接觸焊墊的裸露部份上與該通道的側護壁上可能具有 •.電刀路層，而在該導電分路層之上，該接觸焊墊的相 反側處以及該等通道側護壁的相反側處，則可能具有—焊 接=。更明確地說，該導電分路層m金屬層，例如 鋼質層，時 、 ，、予度至少為0.5 μιη。因此，電流可經由該導電 路層沿装… τ弘刀 耆疼通道的側護壁導通，以便於整個焊接結構中提 86303 • 13 - 1306654 供更均句的電流密度分布。因此，便可降低該洋接結構中 的電遷移情形’可減少於該焊接結構中形成空隙的情形， 及/或延長該焊接結構的使用壽命。 現在將參考圖1A_C來說明根據本發明具體實施例用以形 成含有導電分路層之電予結構的步驟。如圖1A所示，一電 子結構可能包括一位於基板101之上的導電烊墊⑷；一位 於該基板HH與該導電烊㈣3之上的絕緣層而，其中具有 -通道，因此部份料電焊㈣3並不含該絕緣層⑽。此 外’電子結構可能包括—導電線路1Q5，用以㈣導電焊塾 ⑻與該電子結構的其它部份間提供轎合作用。舉例來說， 該導電線路105的寬度為第—寬度；而該導電烊㈣3的寬 度則為大於第一九度的第二寬度。從垂直該基板ι〇ι的方向 看去，該導電焊墊103的形狀係圓形的，不過亦可採用其它 形狀絶緣層107中的通道的形狀可能與導電焊墊丨〇3的形 狀相同，不過尺寸較小，因而該導電焊墊丨〇3的邊緣部份會 被該絕緣層107覆蓋住。 圖1D所示的係根據本發明具體實施例之導電焊墊1〇3，與 導電線路105,之範例的平面圖。導電焊墊1〇3，的周圍部 103 A可犯會被一上方絕緣層覆蓋住，而導電焊墊丨〇3，的内 侧邵103B’則可能不含上方絕緣層。因此，可經由導電焊墊 1〇3’的内側部103丑’與焊接層產生電耦合。 舉例來說，該導電焊墊1 〇3與該導電線路丨〇5可能包括由 下面金屬所組成的一層導電材料層或多層導電材料層：銅 銘、I、鈥、及/或其化合物及/或合金。此外，該導電焊 86303 ，14- 1306654 墊103亦可被電轉合至邵份該基板之上，位於該通道的相反 側處，因此便不需要該導電線路。 晶種層110可能被形成於該絕緣層107之上、穿透該絕緣層 的通道的侧護壁之上、以及不含該絕緣層1〇7的部份導電坪 墊103之上。舉例來說，可利用該晶種層丨10作為電鍍電極， 以進行後續的電鍍處理。更明確地說，該晶種層u〇可能包 括一黏著層109，用以於稍後的電鍍層、導電焊墊丨〇3以及 絕緣層1 〇 7之間提供黏著效果。舉例來說，該黏著層可能包 括鈦層、鎢層、鉻層、及/或其化合物層。該晶種層u〇亦可 能包括一電鍍導電層111 ’例如銅質層。舉例來說，該電鍍 導電層的厚度約介於0.1 μιη至0.5 μηι之間。該電鍍導電層可 於稍後的電鍍處理中提供導電效果。根據本發明的部份具 體實施例，包含黏著層109與電鍍導電層m在内的晶種層 110的的厚度約為0.15 μιη。 接著便可於該晶種層110之上選擇性地形成導電分路層 113、屏障層115、以及焊接層丨丨7。如圖所示，可於部份該 晶種層110之上，該導電烊墊1〇3的相反侧處、裸露該導電焊 塾103之通道的側護壁的相反側處、以及該通道週遭的絕緣 層1 〇7的相反侧部處，選擇性地形成該導電分路層丨！ 3、該屏 障層115、以及該焊接層117。或者，可於部份該晶種層u〇 之上’與該導電焊塾103相隔較遠處，選擇性地形成該導電 分路層113、該屏障層115、以及該焊接層117。 根據本發明的特殊具體實施例，可經由光罩利用電鍍方 式來選擇性地形成該導電分路層丨】3、該屏障層丨丨5、以及該 86303 -15· 1306654 焊接層117。更明確地說，可於該晶種層11〇之上形成一光罩 /、中該光罩具有裸露出部份該晶種層11〇(其上的導電分路 層、屏障層以及焊接層都欲進行電鍍處理）的圖案。而後， 該曰日種層便可提供電鍍電極，以便成功地電鍍該導電分路 層113、該屏障層115、以及該焊接層117。當完成電鍍處理 之後便可移除該光罩。雖然上述係利用電鍍處理方式來形 成該導電分路層、該屏障層、以及該焊接層，不過亦可利 用其它方式來形成該些層，例如無電式電鍍、蒸發、濺鍍 、焊接膠、焊球佈置、液態金屬射出及/或化學氣相沉積。 再者，亦可於該基板上以非選擇性的方式形成一層以上的 該導電分路層、該屏障層、及/或該焊接層，而後再利用微 影蝕刻技術進行圖案化，以提供如圖1Α所示的結構。 再者，該導電分路層113可能係一金屬層，例如銅質層， 其厚度至少約為0.5 μιη。根據特殊具體實施例，該導電分路 層11 3可能係一厚度至少約為丨〇 μηι的金屬層；更明確地說 ，其厚度約介於1.0 μιη至5.0 μιη之間。該屏障層！丨5可能係 一由下面金屬所組成的屏障金屬層，例如鎳、鉑、鈀及/或 其化合物，其厚度約介於1 0111至2 之間。焊接層】丨7可能 係一錯錫焊接層，不過亦可使用其它的焊接材料。 如圖1A所示，形成該導電分路層113、該屏障層115、以 及違知接層117之後，邵份的晶種層11〇可能仍然不含該導電 为路層、該屏障層、以及該焊接層。可以該焊接層117、該 屏障層Π5、及/或該導電分路層113作為圖案化光罩，選擇 性地移除該晶種層11 0的裸露部份。舉例來說，可選用蝕刻 -16- 86303 1306654 化學藥劑，其可相較於該焊接層117及/或該屏障層115來選 擇性地蝕刻該晶種層。因此，如圖〗B所示，不需要分離的 光罩步驟便可選擇性地移除該晶種層1 1 〇的裸露部份，以提 供經過圖案化的晶種層丨10,，其包括經過圖案化的黏著層 10 9 ’以及經過圖案化的電鍍導電層丨11，。 接著便可將該焊接層117加熱至其熔化溫度之上（亦稱為 回机作業），然後降溫，以提供一圓形的焊接凸塊丨丨7，，如 圖1C所示。或者，可於與另一基板的焊墊產生接觸時，將 謔焊接層11 7加熱至其溶化溫度之上，然後降溫，以便於該 基板1 0 1與該另一基板間提供機械轉合及/或電搞合。提供較 厚的導電分路層113,電流便可較均勻地分布於該焊接凸塊 117之上因此，便可減少電遷移及/或於該焊接凸塊117, 内形成空隙的情形，及/或延長失效的平均時間。 再者，該屏障層115有助於在該焊接層117的回流期間保持 該導電分路層U3的完整性。—般來說，該導電分路層ιΐ3 可能包括會輕易溶人該焊料之中的材料；而該屏障層ιΐ5則 可此包括不會於該焊料回流期間_易溶人該焊接I⑴之中 的材料因此’於知料回流期間，屏障層】^ 5可保護該導電 分路層U3的可溶解材料。根據一特殊具體實施例，該導電 分路層⑴可能包括銅，其會輕易溶人鉛錫焊料之中；而該 屏障層⑴則可能包括下面的金屬，例如鎳n及/或其 化t物’其不會輕易溶人鉛錫焊料之中。於該屏障廣115之 上還具有一鈍化材料層，例如金質層。 提供較厚的導電分路層113,使其沿著該導電焊塾1〇3的裸 86303 •17- 1306654 露部延伸、沿著通道侧護壁延伸、以及沿著該通道附近的 絕緣層1 07的表面部延伸，那麼流經該導電焊墊1 〇3與另_ 基板間的電流便可較均勻地分布於該焊接凸塊117 ’之上。因 此’便可減少電遷移及/或於該焊接凸塊11 7，内形成空隙的 情形，及/或廷長該裝置的壽命。 或者’除了屏障層115之外，亦可於該導電分路層113之上 形成一鈍化層’例如金質層。舉例來說，可利用用以形成 該導電分路層113所使用的光罩，以電鍍方式來形成該鈍化 層。接著便可於該鈍化層之上佈置焊球，用以取代電鏟烊 接層。可於佈置該焊球之前或之後移除該光罩及/或該晶種 層110。舉例來說，當利用蝕刻化學藥劑（其可相較於該鈍化 層及/或該焊球來選擇性地移除該晶種層u〇的材料）來移除 未被該鈍化層及該導電分路層U3覆蓋住的部份晶種層u〇 時，被該導電分路層113及該鈍化層覆蓋住的部份晶種層ιι〇 仍可保持不變。 根據本發明額外的具體實施例，該導電分路層11 3可能係 晶種層的一部份，因而並不需要一分離的電鍍導電層。現 在將參考圖2A-C來說明用以形成含有作為晶種層一部份的 導電分路層之電子結構的步驟。如圖2A所示，一電子結構 可能包括一位於基板201之上的導電烊墊2〇3 ; 一位於該基 板201與該導電焊墊203之上的絕緣層2〇7，其中具有一通道 ，因此部份該導電焊墊203並不含該絕緣層2〇7。此外，電 子結構可能包括一導電線路2〇5，用以於該導電焊墊2〇3與 該電子結構的其它部份間提供鶴合作用。舉例來說，該導 86303 -18- 1306654 電線路205的寬度為第一寬度；而該導電焊墊203的寬度則 為大於第一寬度的第二寬度。從垂直該基板201的方向看去 ，該導電焊墊203的形狀係圓形的，不過亦可採用其它形狀 。絕緣層207中的通道的形狀可能與導電焊墊203的形狀相 同，不過尺寸較小，因而該導電焊墊203的邊緣部份會被該 絕緣層207覆蓋住。 圖2D所示的係根據本發明具體實施例之導電焊墊203 ’與 導電線路205 ’之範例的平面圖。導電焊墊203 ’的周圍部 203A’可能會被一上方絕緣層覆蓋住，而導電焊墊203,的内 側部203B’則可能不含上方絕緣層。因此，可經由導電焊墊 203’的内侧部203B’與焊接層產生電耦合。 晶種層210可能被形成於該絕緣層207之上、穿透該絕緣 層的通道的側護壁之上、以及不含該絕緣層207的部份導電 焊墊203之上。舉例來說，可利用該晶種層210作為電鍍電 極，以進行後續的電鍍處理。更明確地說，該晶種層2 1 0可 能包括較厚的導電分路層213。該晶種層210亦可能包括一 黏著層209，用以於導電分路層213、導電焊墊203以及絕緣 層207之間提供黏著效果。舉例來說，該黏著層可能包括鈦 層、鎢層、銘·層、及/或其化合物層。 因此，可於整個絕緣層207之上形成該導電分路層213， 而且該導電分路層2 1 3可能係一銅質金屬層，其厚度至少約 為0.5 μπι。根據特殊具體實施例，該導電分路層可能係一厚 度至少約為1 .〇 μιη的銅質金屬層；更明確地說，其厚度約介 於1.0 μπι至5.0 μπι之間。該導電分路層213可提供導電層， 86303 -19- 1306654 以供進行後續的電鍍處理。 接著便可於該晶種層21 0之上選擇性地形成屏障層21 5及 焊接層217。如圖所示，可於部份該晶種層210之上，該導 電焊墊203的相反側處、裸露該導電焊墊203之通道的側護 壁的相反側處、以及該通道週遭的絕緣層207的相反側部處 ，選擇性地形成該屏障層215以及該烊接層217。或者，可 於部份該晶種層210之上，與該導電焊墊203相隔較遠處， 選擇性地形成該屏障層215以及該焊接層217。 根據本發明的特殊具體實施例，可經由光罩利用電鍍方 式來選擇性地形成該屏障層215以及該焊接層217。更明確 地說’可於該晶種層210之上形成一光罩，其中該光罩具有 裸露出邵份該晶種層210(其上的屏障層以及焊接層都欲進 行電鏡處理）的圖案。該晶種層便可提供電鐘電極，以便成 功地電鍍該屏障層215及/或該焊接層217。當完成電鍍處理 之後便可移除#亥光罩。雖然上述係利用電鍍處理方式來形 成孩屏障層以及該焊接層，不過亦可利用其它方式來形成 忒些層，例如無電式電鍍、蒸發、濺鍍、焊接膠、焊球佈 置液悲金屬射出及/或化學氣相沉積。再者’亦可於該基 板上以非選擇性的方式形成一層以上的該屏障層及/或該焊 接層，而後再利用微影蝕刻技術進行圖案化，以提供如圖 2 A所示的結構。 孩屏障層215可能係一由下面金屬所組成的屏障金屬層 ，例如鎳、銷、把及/或其化合物，其厚度約介於1μιη至2μπι 之間。焊接層217可能係一鉛錫焊接層，不過亦可使用其它 86303 -20- 1306654 的焊接材料。 如圖2A所示’形成該屏障層215及該烊接層217之後，部 份的晶種層21 0可能仍然不含該屏障層及該焊接層。可以該 晶種層210及/或該屏障層2丨5作為圖案化光罩，選擇性地移 除該焊接層2 1 7的裸露部份。舉例來說，可選用独刻化學藥 劑’其可相較於該烊接層217及/或該屏障層215來選擇性地 敍刻該晶種層。因此’如圖2B所示，不需要分離的光罩步 驟便可選擇性地移除該晶種層2丨〇的裸露部份，以提供經過 圖案化的晶種層210’，其包括導電分路層213，。該經過圖案 化的晶種層210’可能還包括經過圖案化的黏著層2〇9,。 接著便可將該焊接層217加熱至其熔化溫度之上（亦稱為 回流作業），然後降溫’以提供一圓形的焊接凸塊21 7，，如 圖2C所示。或者，可於與另一基板的焊墊產生接觸時，將 該焊接層217加熱至其熔化溫度之上，然後降溫，以便於該 基板20 1與該另一基板間提供機械耦合及/或電耦合。提供較 厚的導電分路層21 3，電流便可較均勻地分布於該焊接凸塊 217’之上。因此，便可減少電遷移及/或於該焊接凸塊217, 内形成空隙的情形，及/或延長失效的平均時間。 再者’該屏障層21 5有助於在該焊接層2丨7的回流期間保 持遠導電分路層213的完整性。一般來說，該導電分路層213 可能包括會輕易溶入該焊料之中的材料，而該屏障層215則 可此包括不會於該焊料回流期間輕易溶入該焊接層2 1 7之 中的材料。因此，於焊料回流期間，屏障層2丨5可保護該導 電分路層213的可溶解材料。根據一特殊具體實施例，該導 86303 21· 1306654 電分路層213可能包括銅，其會輕易溶人錯錫焊料之中.而 該屏障層215則可能包括下面的金屬，例如鎳、銘、免及/ 或=合物’其不會輕易溶入錯錫焊料之中。該屏障層215 可能還包括一鈍化材料層，例如金質層。 、提供較厚的導電分路層213,使其沿著該導電焊塾2〇3的 裸露部延伸、沿著通道側護壁延伸、以及沿著該通道附近 的絕緣層207的表面部延伸，那麼該導電坪塾203盘另一基 板間的電流便可較均勻地分布㈣焊接凸塊217，之上。因此 ’便可減少電遷移及/或㈣烊接凸塊217，内形成空隙的情 形，及/或延長該裝置的壽命。 根據本發明具體實施例之導電分路層的導電性可大幅地 降低位於該通道臨界區處之焊料中的電流密度。藉由選擇 孩導電分路層的材料與厚度，由位於該等通道侧護壁上之 導電分路層所攜載之電流量便可將該焊料中的電流密度降 低25/。以上。由於電遷移壽命可能與電流密度成平方反比， 因此t流密度降低25% ’便可有效地倍增含有根據本發明 具體實施例之導電分路層的裝置的壽命。因而’可選擇導 電分路層的厚度’以提高與電遷移失效相關的壽命。 由熔點較低的關係，所以焊料非常容易受到電遷移的影 曰於覆w焊接凸塊中，臨界區可能係可將電流聚集至半 徑小於該凸塊主體半徑之區域中的通道。此處，較高的電 流密度將因電遷移的關係而縮短壽命。 :、第近似例中’可將該通道视為簡單的柱狀體，不過 、巴、彖層的處理結果亦可能導致傾斜的通道侧護壁，如圖 86303 -22 · 1306654 3Α-C所示。如圖3A所示，根據本發明具體實施例之電子結 構可能包括基板301之上的導電焊墊3〇3，以及基板3〇1與導 電焊墊303之上的絕緣層307。更明確地說，該絕緣層3〇7中 可能具有一通道308，使得部份該導電焊墊3〇3不含該絕緣 層307。導電分路層313可能係位於不含絕緣層307之部份導 電焊墊303之上、位於通道308之侧護壁之上、以及位於通 道308附近之部份絕緣層307之上；而焊接層31 7則可能係位 於導電分路層313之上。 該導電分路層3 1 3可能係一金屬層，例如銅質層，其厚度 至少約為0.5 μιη。根據特殊具體實施例，該導電分路層313 可能係一厚度至少約為1.0 μπι的金屬層；更明確地說，其厚 度約介於1.0 μπι至5.0 μιη之間。再者，導電分路層313可能 於該絕緣層307與該導電焊墊303附近包括一黏著層（例如敛 層、嫣層、路層、及/或其化合物層），而且導電分路層313 亦可能於該焊接層3 17附近包括一屏障層（例如鎳層、鉑層、 鈀層及/或其化合物層）。圖3Β與3C分別為部份導電分路層 313以及該通道308内之部份焊接層317的俯視圖與透視圖。 在覆晶設計中通常可忽略慣用的下凸鑄造層（UBM)的導 電性，因為實質上電流可能平行於該UBM的厚度方向，而 該UB Μ僅為整個凸塊厚度的1%。不過，在包含根據本發明 具體實施例之導電分路層3 13之結構中的通道3 0 8區域内， 電流可能經由該導電分路層313，沿著通道308的側護壁， 以垂直該厚度方向的方式導通。此處’該導電分路廣313的 導電性有助於降低位於該導電焊墊303上之通道308區附近 86303 -23 · 1306654 的悍接層3 17的電流密度，並且有助於改良焊接點的壽命。 根據本發明具體實施例之導電分路層3 1 3的電流攜載剖 面區可能比較大，其係位於該柱狀體的周圍；而該導電分 路層313金屬的導電性可能高於焊接層3 17之焊料的導電性 。對一直徑為150 μιη的通道，而厚度為3 μιη的導電分路層 而言，約3 1 %的電流會流入該導電分路層3 1 3之中。因為壽 命與電流密度成平方反比： MTTF 〇c Γ2. 所以，焊料電流密度減少3 1 %，那麼焊接凸塊的壽命將提 高2.1倍。 因此，根據本發明具體實施例，導電分路層可作為電流 分布層。換言之，導電分路層可分布焊接層底面上電流， 讓該電流更均勻地分布於與該基板平行的焊接層的剖面中 ，因而可減少聚集於該導電焊墊之直線入口附近處之通道 角落處的焊接層内的電流。如上所述，可沿著通道侧護壁 來分布進入/流出該焊接層的電流；並且經由該導電分路層 將電流分布至絕緣層的表面上，該導電焊塾的相反侧處。 根據本發明额外的具體實施例，可藉由提供複數條電流 路徑至欲形成焊接層的導電焊墊中，以降低電流聚集情形 。如圖4Α所示，導電焊墊40 1可能係位於一基板的絕緣層之 上，而導電線路403則可於該導電焊墊40 1與該基板的其它 部份間提供電信號的傳送。此外，電耦合405可於該導電線 路403與該導電焊墊401之間提供至少兩條分離的電流路徑 。如圖1A-C與2A-C所述，絕緣層可能係位於該基板之上、 86303 -24- 1306654 位於該導電線路403之上、位於該導電焊墊401之上。再者 ，通道可能係位於該絕緣層中，使得該導電焊墊40 1的内侧 部401A不含鈍化層，並且使得該導電焊墊401的周圍部401B 被該鈍化層覆蓋住。 該導電焊墊401、該導電線路403、以及該電耦合405可能 包括相同的結構。更明確地說，可藉由於該基板上提供一 導電層，並且利用微影蝕刻技術來圖案化該導電層以形成 該導電焊墊401、該導電線路403、以及該電耦合405。如圖 所示，該導電線路403的寬度為第一寬度；而該導電焊墊40 1 的寬度則為大於第一寬度的第二寬度。使用較窄的導電線 路有助於於同一基板上對複數條導電線路/複數個導電焊墊 進行繞線；使用較寬的導電焊墊則有助於使用較大的焊接 凸塊。 如圖所示，介於該導電線路403與該導電焊墊401之間的 電耦合405可於該導電線路與該導電焊墊之間提供至少兩 條分離的電流路徑405A與405B。更明確地說，可藉由於該 導電焊墊401與該導電線路403之間的電耦合405内提供一 穿孔407，便可界定出該等分離的電流路徑，使得該等分離 的電流路徑位於該穿孔的兩侧。再者，該電耦合405可能呈 外擴狀，以便與較大部份的導電焊墊產生接觸。雖然該導 電線路403與該電耦合405具有不同的元件符號，不過應該 瞭解的係，該電耦合亦可能為該導電線路一部份。 藉由於該電耦合的中央部處提供該穿孔407，便可阻隔流 經該電耦合中央的局部電流，因而在不含鈍化層之導電焊 86303 -25- 1306654 墊4 01的部位4 01A上的焊接層便可具有更均勻的電流分布 。換言又，藉由配備該穿孔4〇7便可降低位於該通道邊緣處 之焊接層中的最鬲電流密度。如圖4A所示，該穿孔4〇7可能 係圓形的，不過其亦可具有其它的形狀。如圖4B所示，位 於電耦合405,中的穿孔407,具有一溝槽狀，以便提供分離的 電’成路徑405A與405B’。更明確地說，穿孔4〇7,可能呈外擴 狀及/或具有二角形形狀。或者，可將該等分離的電流路徑 405A’與40 5B’視為由該導電線路4〇3延伸至該導電烊墊4〇1 的第一線路與第二線路。 圖4C所示的係根據本發明额外的具體實施例之電耦合。 如圖所示，導電焊墊501可能係位於一基板的絕緣層之上， 而導電線路503則可於該導電焊墊5〇1與該基板的其它部份 間提供電信號路徑。此外’含有分離的線路5〇5A與505B的 電耦合可於該導電線路503與該導電焊墊501間提供至少兩 條分離的電流路徑。如圖1A-C與2A-C所述，絕緣層可能係 位於該基板之上、位於該導電線路503之上、位於該導電焊 墊5 01之上。再者，通道可能係位於該絕緣層中，使得該導 電焊整5 0 1的内側邵5 0 1A不含敛化層，並且使得該導電焊塾 501的周圍部50 1B被該鈍化層覆蓋住。 該導電焊墊501、該導電線路503、以及該電耦合505可能 包括相同的結構。更明確地說，可藉由於該基板上提供一 導電層，並且利用微影蝕刻技術來圖案化該導電層以形成 該導電焊墊50 1、該導電線路5〇3、以及該電耦合5〇5。如圖 所示，該導電線路503的寬度為第一寬度；而該導電焊墊50 1 86303 -26· 1306654 的寬度則為大於第一寬度的第二寬度。使用較窄的導電線 路有助於於同一基板上對複數條導電線路/複數個導電焊墊 進行繞線；使用較寬的導電焊墊則有助於使用較大的焊接 凸塊。 如圖所示，介於該導電線路5〇3與該導電焊墊5〇1之間的 電搞合505可能包括至少兩條分離的線路5〇5八與5〇5^，用以 於該導電線路與該導電焊墊之間提供至少兩條分離的電流 路徑505A’與505B’。介於該等兩條分離線路5〇5入與5〇53間 的區域507’可能不含可用以形成電耦合5〇5的導電材料。再 者，該等分離線路505A與505B可能會接觸該導電焊墊5〇1 的兩側，如圖4C所示。因此，電流可從兩側被供應至該導 電坪墊501以及該導電焊墊5〇1之内側部501A上的焊接層。 圖4D所示的係根據本發明额外的具體實施例之電耦合。 如圖所示，導電焊墊60 1可能係位於一基板的絕緣層之上， 而導電線路603則可於該導電焊墊601與該基板的其它部份 間提供電信號路徑。此外，含有分離的線路6〇5A與605B的 電耦合可於該導電線路603與該導電焊墊601間提供至少兩 條分離的電流路徑605A，與605B，。如圖1A-C與2A-C所述， 絕緣層可能係位於該基板之上、位於該導電線路6 〇 3之上、 位於該導電焊墊601之上。再者，通道可能係位於該絕緣層 中，使得該導電焊墊601的内側部601A不含鈍化層，並且使 得該導電焊墊601的周圍部601B被該鈍化層覆蓋住。 該導電焊墊601、該導電線路603、以及該等分離的線路 605 A與605B可能包括相同的結構。更明確地說，可藉由於 86303 -27- 1306654 該基板上提供一導電層，並且利用微影蝕刻技術來圖案化 該導電層以形成該導電焊墊601、該導電線路603、以及該 等分離的線路605A與605B。如圖所示，該導電線路603的寬 度為第一寬度；而該導電焊墊601的寬度則為大於第一寬度 的第二寬度。使用較窄的導電線路有助於於同一基板上對 複數條導電線路/複數個導電烊墊進行繞線；使用較寬的導 電焊墊則有助於使用較大的焊接凸塊。 如圖所示，介於該導電線路603與該導電焊墊601之間的 分離的線路605 A與60 5B可於該導電線路與該導電焊墊之間 提供至少兩條分離的電流路徑605 A5與605B’。介於該等分離 的線路605A與605B之間的區域607可能不含可用以形成電 耦合605、導電線路603以及導電的線路605A與605B的導電 材料。再者，該等分離的線路605A與605B可以切線方式從 該導電焊墊601伸出，及/或該等分離的線路605A與605B可 於平行方向中從該導電焊墊60 1伸出。因此，當與該等分離 的線路605A與605B結合時，可於該導電焊墊分隔較大的部 位處提供分離的電流路徑605A’與605B’給該導電焊墊601與 導電焊塾6 0 1之内側部6 0 1A上的焊接層，而不會大幅地增加 該導電焊墊的寬度。 圖4E所示的係根據本發明额外的具體實施例之電耦合。 如圖所示，導電烊墊70 1可能係位於一基板的絕緣層之上， 而導電線路703則可於該導電焊墊70 1與該基板的其它部份 間提供電信號路徑。此外，含有分離的線路705 A與705B的 電耦合可於該導電線路703與該導電焊墊70 1間提供至少兩 86303 -28- 1306654 條分離的電流路徑705A’與705B、如圖1A-C與2A-C所述， 絕緣層可能係位於該基板之上、位於該導電線路703之上、 位於該導電焊墊70 1之上。再者，通道可能係位於該絕緣層 中，使得該導電焊墊701的内側部701A不含鈍化層，並且使 得該導電焊墊701的周圍部70 1B被該鈍化層覆蓋住。 如圖所示，與上面圖4D所示之分離的線路605A與605B的 討論般，該等分離的線路705A與705B係對稱於導電線路703 。此外，於該等分離的線路705A與705B間具有一第三導電 線路709。該第三導電線路709可提供更均勻的電流分布給導 電焊墊7(H，並且提供更均勻的電流分布該導電焊墊70 1的内 側部701A及焊接層。再者，該第三線路709可能位於該等線 路7 05A與7 05B的中間，使得電流路徑705A’與705B’可提供較 對稱的電流；而且該第三線路709的寬度可能比該等線路 705 A與70 5B的寬度還窄，因此經過路徑709’的電流不會太大 ，所以仍然可保有充分的電流流經路徑705A’與705B’。 該導電焊墊70 1、該導電線路703、該等第一及第二線路 705A與705B、以及該第三線路709可能包括相同的結構。更 明確地說，可藉由於該基板上提供一導電層，並且利用微 影蝕刻技術來圖案化該導電層以形成該導電焊墊70 1、該導 電線路703、該等第一及第二線路705A與705B、以及該第三 線路709。如圖所示，該導電線路703的寬度為第一寬度； 而該導電焊墊701的寬度則為大於第一寬度的第二寬度。使 用較窄的導電線路有助於於同一基板上對複數條導電線路/ 複數個導電焊墊進行繞線；使用較寬的導電焊墊則有助於 86303 -29- 1306654 使用較大的焊接凸塊。 介於該等分離線路705A、705B、以及709之間的區域707 可能不含可用以形成電耦合705、導電線路703以及分離線 路705A、705B、以及709的導電材料。再者，該等分離的線 路705八與7056可以切線方式從該導電焊塾7〇1伸出，及/或 该等分離的線路705 A與705B可於平行方向中從該導電焊塾 701伸出。再者，該等分離的線路7〇5A與705B可能會對稱於 線路709。因此’可提供分離且分隔的電流路徑705A，、705B， 、以及709,給該導電焊墊701與導電焊墊7〇1之内侧部7〇1A 上的焊接層。 可實現上面圖4A-E所討論的導電焊墊、導電線路、以及 電摘合（以平面圖顯示）來取代圖1A-C與2A-C中的導電線路 105及/或205以及導電焊墊1〇3及/或2〇3(以剖面圖顯示）。因 此’導電焊塾401、501、601、701的周圍部401B、501B、 60 1B及/或701B可能會被絕緣層覆蓋住，而該絕緣層中則具 有一通道’使得導電焊墊4(Π、501、601、701的内侧部401A 、501A、601A及/或701A不含該絕緣層。再者，焊接層可能 係被形成於該等導電焊墊内側部之上、該絕緣層中之通道 的側護壁之上、以及該通道週遭的部份絕緣層之上。此外 ’導電分路層可能位於該焊接層與該導電焊墊與該絕緣層 之間。換言之’可將上面圖4A-E所討論的導電耦合及/或分 離線路以及上面圖1A-C、2A-C以及3A-C所討論的導電分路 層結合於根據本發明具體實施例之電子結構與裝置中。或 者，圖1A-C與2 A-C的導電線路1〇5與205亦可能不具備外擴 86303 •30- 1306654 電耦合、不具備分離的電流路徑、及/或不具備穿孔。 此外，可於一導電焊塾上之焊接層被黏結至一第二基板 之後根據外加於該焊接層之上的機械應變來決定用以與該 導電焊塾產生接觸的線路的饰置方式。舉例來說，如果利 用根據本發明之焊接層來黏結兩塊基板的話，那麼由於該 等基板之熱膨脹不同的關係，便會有橫向力量（平行於該等 基板）被施加於該焊接層之上，而該焊接層便會變形以吸收 該應變。更明確地說，該導電焊墊上之焊接層的其中一側 可旎會焚到拉伸應變的作用，而該導電焊墊上之焊接層的 另一側則可能會受到壓應變的作用。 如上面的討論，可於位於用以提供—導電焊墊之電互連 接線的導電線路旁邊的料之部份焊接層中產生 更大的電流密度。再者’較大的電流密度可能會導致較快 速的電遷移並且會於位於用以提供—導電焊塾之電互連接 線的導料路旁邊的料電料上之部麟接層中形成空 隙。因此，可將一條以上的導電線路輕合至位於受到壓應 力作用之部份焊接層旁邊 ^ ^ 等包烊墊。因此，形成於含有 該導电線路之耦合旁邊的焊 个接層中的空隙便可因該壓應力 的關係而被壓縮且轉移。 或者’位於一壤Φ搜為' 六妹的厭痛a 上义上的焊接層的兩側可能會受到 夂曰的壓應變與拉伸鹿變的你m 庳變作m，a〜又々作用；而受到該壓應變與拉伸 μ n J於兩侧間的部γ八、吟p 熊。此陆u A 0 〇^刀誶接層則會變成中性應變狀 態。此時，比較有利的 ^ ^ 係瀑條以上的導電線路被耦合至 位万；s焊接層中—個以 Y性應變邵份旁邊的導電焊墊。 86303 -31· 1306654 舉例來說，位於圖4C之導電焊墊501之内侧部501A上的焊接 層可能會受到與線路503的方向平行的交替的外加壓應變 與拉伸應變的作用。因此，可將該等分離的線路505A與505B 耦合至該呈現中性應變的導電焊墊的兩侧。 因此，根據本發明具體實施例之電子結構包括一位於一 電子基板上的主導電線路，其中該主導電線路的寬度為第 一寬度；以及一於該電子基板上的導電焊墊，其中該導電 焊墊的寬度為大於第一寬度的第二寬度。介於該主導電線 路與該導電焊墊間的電耦合可提供不同的電阻給其寬度上 的電流。舉例來說，於該電耦合中提供一開孔（如圖4A所示 的穿孔407)便可提供不同的電阻。 或者，根據本發明具體實施例之電耦合可能於其寬度上 具有不同的厚度。舉例來說，圖4A的電耦合405可能包括一 較薄的導電材料層，用以取代穿孔407，其中該薄層的厚度 小於該電耦合其餘部份的厚度。再者，該薄層與該電耦合 其餘部份可能包括相同的材料。或者，該電耦合可能包括 一由第一導電材料所組成的層，用以取代其中間部份的穿 孔407 ;以及沿著其周圍部包括一由第二導電材料所組成的 層，其中該等第一導電材料與第二導電材料具有不同的電 阻率。此外，該由第二導電材料所组成的層可延伸於位於 該由第一導電材料所組成之層上的電耦合之上。因此，根 據本發明具體實施例之電耦合對該導電焊墊提供較均勻的 電流分布。 雖然已經本發明參考其較佳具體實施例作特殊圖解與說 86303 -32- 1306654 明’不過熟習本技術的人士應該知道各種變更的形式及細 節，而不會脫離隨附申請專利範圍及其等效範圍所定義的 本發明的精神與範疇。 f圖式簡單說明Ί 圖1A - C為根據本發明具體實施例用以形成電子結構之步 ,驟的剖面圖。 圖1D為根據本發明具體實施例之導電焊墊與線路的平面 圖。 圖2A_2C為根據本發明额外的具體實施例用以形成電子 結構之步驟的剖面圖。 圖2D為根據本發明具體實施例之導電焊墊與線路的平面 圖。 圖3A-C為根據本發明具體實施例之電子結構的剖面圖、 平面圖、以及透視圖。 圖4A-E為根據本發明具體實施例之導電互連線路的平面 圖。 【圖式代表符號說明】 101 基板 103, 103， 導電焊墊 103A， 周圍部 103B， 内侧部 105， 105， 導電線路 107 絕緣層 109 黏著層 86303 • 33 1306654 109, 經過圖案化的黏著層 110 晶種層 110’ 經過圖案化的晶種層 111 電鍍導電層 111’ 經過圖案化的電鍍導電層 113 導電分路層 115 屏障層 117 焊接層 1175 焊接凸塊 201 基板 203, 203’ 導電焊墊 203A’ 周圍部 203B5 内側部 205, 2055 導電線路 207 絕緣層 209 黏著層 209? 經過圖案化的黏著層 210 晶種層 2105 經過圖案化的晶種層 213, 2135 導電分路層 215 屏障層 217 焊接層 217’ 焊接凸塊 301 基板 86303 -34- 1306654 303 導電焊墊 307 絕緣層 308 通道 313 導電分路層 317 焊接層 401 導電焊墊 401A 内侧部 401B 周圍部 403 導電線路 405, 4055 電耦合 405A, 405B, 電流路徑 405A，，405B’ 407, 4075 穿孔 501 導電焊墊 501A 内侧部 501B 周圍部 503 導電線路 505 電耦合 505A, 505B 線路 505A，，505B’ 電流路徑 507’ 不含導電材料的區域 601 導電焊墊 601A 内側部 601B 周圍部 -35- 86303 1306654 603 導電線路 605 電耦合 605A, 605B 線路 605A，，605B’ 電流路徑 607 不含導電材料的區域 701 導電焊墊 701A 内側部 701B 周圍部 703 導電線路 705 電耦合 705A, 705B 線路 705A，，705B，， 電流路徑 7095 707 不含導電材料的區域 709 第三導電線路 86303 -36 -

Claims (1)

  1. H32號專利申請案 6月專利範圍替換本(97年8月） 拾、申請專利範圍： h —種用以形成電子結構的方法，其包括： 於該電子基板上形成一晶種層； 曰:部份該晶種層上方形成—導電分路層，其中部份該 ;種層並不含該導電分路層，其中該導電分路層包括〆 笫一材料；以及 於該導電分路層之上形成—焊接層，其中該焊接層包 不同於該第一材料的第二材料。 2. 如申請專利範圍第丨項之方法，進一步包括： 於形成該焊接層之後移除不含該焊接層的部份晶種 屬0 3. =申請專㈣圍第㈣之方法，其中該導電分路層包括 (如申請專利範圍第巧之方法，其中料電分路層包括 —厚度至少約為0.5 μηι的金屬層。 5.如申請專利範圍第4項之方法，進一步包括： 將該焊接層加教至盆挖化、、w电 、其熔化，皿度之上，同時保持該導電 分路層具有至少約為〇.5μηι的厚度；以及 加熱該焊接層之後，便將該焊接層冷卻至其嫁化溫度 之下，在將該焊接層冷卻至聽化溫度之下後， 持該導電分路層具有至少約為〇 5 μϊη的厚》。 ” 6·如申請專利範圍第4項之方法，其中該導電分路層包括 一厚度至少約為1，〇 μϊη的金屬層。 7.如申請專利範圍第6項之方法’其中該導電分路層包括 86303-970812.doc 1306654 厚度約介於Ι.Ομηι至5.0μπι之間的金屬層。 8 ’如申請專利範圍第1項之方法，進一步包括： 於形成該焊接層之前，可於該導電分路層之上，該晶 種層的相反側處，形成一導電屏障層，其中該導電屏障 層包含不同於第一材料與第二材料的第三材料。 9. 如申請專利範圍第8項之方法，其中該屏障層包括下面 至少其中一者：鎳、鉑、鈀及/或其化合物。 10. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該晶種層包括由不 同於該導電分路層之第一材料的第三材料所組成的黏 著層。 11. 如申請專利範圍第1 〇項之方法，其中該黏著層包括鈦、 鶴、絡及/或其化合物。 12_如申請專利範圍第1〇項之方法，其中該晶種層於該黏著 層之上，該基板的相反側處，包括一電鍍導電層，其中 該電鍍導電層包括該導電分路層的第一材料。 13. 如申請專利範圍第丨項之方法，進—步包括： 形成該晶種層之後可於該晶種層之上形成一光罩層 ，該光罩層具有一裸露出該曰曰曰種層之表面部的圖案； 其中形成該導電分路層包括雷铋咕Β 吩增巴枯鍍該日日種層之裸露表 面部上方的導電分路層；以及 其中形成s亥焊接層自# 细:q ^ 佴匕括電鍍該導電分路層上方的焊 接層。 14. 如申請專利範圍第丨項之方法，進一步包括： 於一基板上形成一導電焊墊；以及 86303-970812.doc -2- 1306654 於該基板及該導電焊墊上形成一絕緣層，該絕緣層中 具有一通道，因此位於該基板相反側處的部份導電焊墊 不含該絕緣層； 其中該晶種層係位於該絕緣層之上、該通道的側護壁 之上、以及不含該絕緣層之部份導電焊墊之上，而其中 該導電分路層則係位於該晶種層上不含該絕緣層之部 份導電焊墊的相反側處、該通道的侧護壁的相反侧處以 及該通道附近之絕緣層的相反部處。 15 ·如申請專利範圍第14項之方法，進一步包括： 於該基板上形成一主導電線路，使得該主導電線路介 於該基板與該絕緣層之間；以及 於該主導電線路與該導電焊墊間形成一電耦合，該電 耦合可於該主導電線路與該導電焊墊之間提供至少兩 條分離的電流路徑。 1 6 · —種用以形成一電子結構的方法，其包括： 於一基板上形成一導電焊塾； 於該基板及該導電焊塾上形成一絕緣層，該絕緣層中 具有一通道，因此位於該基板相反側處的部份導電焊墊 不含該絕緣層； 於下面各處形成一導電分路層：不含該絕緣層之部份 導電焊墊之上、該通道的側護壁之上、以及該通道週遭 之絕緣層的表面部之上，該基板與該導電焊塾的相反側 處；其中該導電分路層的厚度至少約為〇5 pm;以及 反側處，形成 於一屏障層之上 該導電分路層*的相 86303-970812.doc 1306654 、接層’其中該焊接層與該導電分路層包含不 材料。 J 17. 如申請專利範圍第16項之方法，進一步包括： 八將該焊接層加熱至其熔化溫度之上，同時保持該導電 刀路層具有至少約為〇·5μηι的厚度；以及 、將該焊接層冷卻至其溶化溫度之下，在將該焊接層冷 卻至其熔化溫度之下後，同時保持該導電分路層具^ 少約為0.5 μιη的厚度。 18. 如申請專利範圍第16項之方法，其中該導電分路層的厚 度至少約為1 .〇 μιη。 】9·如申請專利範㈣18項之方法，其中該導電分路層的厚 度約介於1 · 0 μηι至5 , 〇 μιη之間。 20,如申請專利範圍第16項之方法，進一步包括： 於形成該導電分路層之前，可先於該導電焊墊與該絕 緣層之上形成一晶種層，使得該晶種層介於該導電分路 層與不含該絕緣層之部份導電焊墊之間，而且使得該晶 種層介於該導電分路層與該絕緣層之間。 2 1 ·如申請專利範圍第20項之方法，其中該晶種層包括由不 同於该導電分路層之材料的材料所組成的黏著層。 22. 如申請專利範圍第21項之方法，其中該黏著層包括鈦、 鶴、絡及/或其化合物。 23. 如辛請專利範圍第2〗項之方法，其令該晶種層於該黏著 層之上’該基板的相反側處’包括一電鍍導電層，其中 該電鍍導電層與該導電分路層包括相同的材料。 86303-9708J2.doc 1306654 24如申請專利範圍第20項之方法，其中該導電分路層以及 該焊接層都係位於部份該晶種層之上，以及其中部份該 曰曰種層不含該導電分路層以及該焊接層。 如申清專利範圍第24項之方法，進一步包括： 於形成該焊接層之後移除不含該導電分路層以及該 焊接層的部份晶種層。 26·如申請專利範圍第20項之方法，進一步包括： 形成該晶種層之後可於該晶種層之上形成一光罩層 ’該光罩層在不含該絕緣層的部份導電焊墊的相反側處 '該通道的側護壁的相反側處、以及該通道週遭之絕緣 層的表面部的相反側處，具有一裸露出該晶種層之表面 部的圖案； 其·中’形成該導電分路層包括電鍍該晶種層之裸露部 上方的導電分路層；以及 #中’形成該焊接層包括電鍍該導電分路層上方的焊 接層。 2 7 ·如申睛專利範圍第2 6項之方法，進一步包括： 於形成該焊接層之後移除該光罩層；以及 於移除該光罩層之後，移除該導電分路層週遭的部份 晶種層。 28·如申請專利範圍第16項之方法，其中該導電分路層包括 銅0 29.如申請專利範圍第1 6項之方法，進一步包括： 於該導電分路層之上，該導電焊墊與該絕緣層的相反 86303-970812.do, 1306654 側處，形成一導電屏障層，其中該導電分路層與該屏障 層包含不同的材料。 3 0·如申請專利範圍第29項之方法，其中該導電屏障層包括 錄、把、鉑及/或其化合物。 31.如申請專利範圍第16項之方法進一步包括： 於該基板上形成一主導電線路，使得該主導電線路介 於該基板與該絕緣層之間；以及 於該主導電線路與該導電焊墊間形成一電耦合，該電 麵合可於該主導電線路與該導電焊墊之間提供至少兩 條分離的電流路徑。 3 2. —種電子結構，其包括： 一電子基板； 一位於該電子基板上的晶種層； 一位於部份該晶種層上方的導電分路層，其中部份該 晶種層並不含該導電分路層，其中該導電分路層包括一 第一材料；以及 一位於該導電分路層之上的焊接層，其中該焊接層包 括不同於該第一材料的第二材料。 33.如申請專利範圍第32項之電子結構，進一步包括： 一位於該基板上的導電焊墊；以及 一位於該基板及該導電焊墊上的絕緣層，該絕緣層中 具有一通道，因此位於該基板相反侧處的部份導電焊墊 不含該絕緣層； 其中’该晶種層係位於該絕緣層之上、該通道的側護 86303-970812.doc -6 - 1306654 壁之上、以及不含該絕緣層之部份導電焊墊之上，而其 中該導電分路層則係位於該晶種層上不含該絕緣層之 部份導電焊墊的相反側處、該通道的侧護壁的相反側處 以及該通道附近之絕緣層的相反部處。 34.如申請專利範圍第33項之電子結構，進一步包括： 一位於該基板上的主導電線路，使得該主導電線路介 於該基板與該絕緣層之間；以及 一位於該主導電線路與該導電焊墊之間的電耦合，該 電麵合可於該主導電線路與該導電焊墊之間提供至少 兩條分離的電流路徑。 3 5.如申請專利範圍第32項之電子結構，其中該導電分路層 包括銅。 36. 如申請專利範圍第32項之電子結構，其中該導電分路層 包括一厚度至少約為〇_5 μηι的金屬層。 37. 如中請專利範圍第綱之電子結構，其中該焊接層於該 厚度至少約為0.5 μιη的導電分路層的相反側處具有一圓 形表面。 38.如申請專利範圍第36項之電子結構，其中該導電分路層 包括-厚度至少約為1〇_的金屬層。 3 9 ·如申請專利範圚筮1 s 圍第8項之電子結構，其中該導電分路層 〇括旱度約介於1〇 _至5 〇叫之間的金屬層。 40.如二專利範圍第32項之電子結構，進一步包括： …：：：電分路層與該焊接層之間的導電屏障層 /…t屏障層包括不同於該等第一材料與第二材 86303-970812.doc 1306654 料的第三材料。 41，如申請專利範圍第4〇項之電子結構，其中該屏障層包括 下面至少其中一者：鎳、鉑、鈀及/或其化合物。 42. 如申請專利範圍第32項之電子結構，其中該晶種層包括 由不同於該導電分路層之第一材料的第三材料所組成 的黏著層。 43. 如申凊專利範圍第42項之電子結構，其中該黏著層包括 鈦、鎢、鉻及/或其化合物。 44. 如申請專利範圍第42項之電子結構，其中該晶種層於該 黏著層之上’該基板的相反側處，包括一電鍍導電層， 其中該電鍍導電層包括該導電分路層的第一材料。 45. —種電子結構，其包括： 一位於一基板上的導電焊墊； 一位於該基板及該導電焊墊上的絕緣層，該絕緣層中 具有一通道，因此位於該基板相反側處的部份導電焊墊 不含該絕緣層； 一位於下面各處的導電分路層：於不含該絕緣層之部 份導電焊墊之上、該通道的側護壁之上、以及該通道週 遭之絕緣層的表面部之上，該基板與該導電焊墊的相反 側處；其中該導電分路層的厚度至少約為〇 5 μπι ;以及 一位於該導電分路層之上的焊接層，其中該導電分路 層與該焊接層包含不同的材料。 4 6.如申明專利範圍第4 5項之電子結構，其中該焊接層於該 厚度至少約為0.5 μπι的導電分路層的相反側處具有一圓 86303-970812.doc 1306654 形表面。 其中該導電分路層 其中該導電分路層 其中該導電分路層 47.如申請專利範圍第扔項之電子結構 的厚度至少約為1.0 μιη。 48. 如申請專利範圍第45項之電子結構， 的厚度約介於1.0 μη^5 〇 μηι之間。 49. 如申請專利範圍第45項之電子結構， 包括銅。 50. 如申請專利範圍第45項之電子結構，進一步包括： -位於料電分路層與該f電焊墊之間以及位於該 導電分路層與該絕緣層之間的晶種層。 、 51. 如申請專利範圍第5。項之電子結構：其中該晶種層包括 由不同於該導電分路層之材料的材料所組成的黏著層。 52·如申請專利範圍第51項之電子結構，其中該黏著層包括 鈦、鎢、鉻及/或其化合物。 53_如申請專利範圍第51項之電子結構，其中該晶種層於該 黏著層之上’該基板的相反侧處’包括一電鍍導電声， 其中該電鍍導電層與該導電分路層包括相同的材料 54.如申請專利範圍第50項之電子結構，其中該導電分路層 、該導電屏障層、以及該焊接層皆位於部份該晶種声之 上，以及其中部份該晶種層不含該導電分路層、誃導電 屏障層、以及該焊接層。 55.如申請專利範圍第45項之電子結構，進一步包括： 一介於該導電分路層與該焊接層之間的導電屏障層 ，其中該導電分路層與該導電屏障層包括不同的材料。 B6303-970812.doc 1306654 56.如申請專利範圍第55項之電子結構，其中該導電屏障層 包括下面至少其中—者：鎳、鉑、鈀及/或其化合物。 5 7.如申請專利範圍第45項之電子結構，進一步包括： 一位於該基板上的主導電線路，使得該主導電線路介 於該基板與該絕緣層之間；以及 位於該主導電線路與該導電焊墊之間的電耦合，該 電耦合可於該主導電線路與該導電焊墊之間提供至少 兩條分離的電流路徑。 58· 一種電子結構，其包括： 一電子基板； —位於該電子基板之上的主導電線路，該主導電線路 具有第一寬度； 一位於該電子基板之上的導電焊墊，該導電焊墊的寬 度為大於第一寬度的第二寬度；以及 一位於該主導電線路與該導電焊墊之間的電耦合，該 電搞合可於該主導電線路與該導電焊塾之間提供至少 兩條分離的電流路徑。 59.如申請專利範圍第58項之電子結構，其中該電搞合包括 -從該主導電線路延伸至該導電料的外_合，而且 其中具有穿孔。 6〇·如申請專利範圍第58項之電子結構，其中該電輕合包括 從該主導電線路延伸至該導電焊塾之間 路與第二線路。 刃乐線 61.如申請專利範圍第⑼項之電子結構，其中該等第一線路 86303-970812.doc -10- 1306654 與第二線路可延伸至該導電焊墊的兩側。 62. 如申請專利範圍第6G項之電子結構，其中該導電焊塾為 圓形’以及其中該等第-線路與第二線路可以切線方式 從該圓形導電焊塾的不同部位伸出，並且於該主導電線 路處會合。 63. 如申請專利範圍第6〇項之電子結構，其中該等第一線路 與第二線路可以平行的方式從該圓形焊墊伸出並且於 該主導電線路處會合。 64. 如申請專利範圍第6〇項之電子結構，其中該電輛合進一 步包括一從該主導電線路延伸至該導電焊墊、介於該等 第一線路與第二線路之間的第三線路。 65. 如申請專利範圍第64項之電子結構，其中該第三線路的 寬度】於„亥等第一線路與第二線路中任一線路的寬度。 66. 如申請專利範圍第6〇項之電子結構，進一步包括： 一位於該導電焊墊之上的焊接層；以及 位於該焊接層之上的第二電子基板，其中該等第一 線路與第二線路中至少其中一者會被搞合至受到壓應 力作用之。卩伤焊接層旁邊的導電焊塾之上。 67. 如申請專利範圍第58項之電子結構，進一步包括： 、位於*亥電子基板上、該導電線路上、該導電焊墊上 、及&電耦3上的絕緣層，其中該絕緣層中具有一通道 因此°卩伤的導電焊墊並不含該絕緣層。 :申::專利圍第58項之電子結構，其中該電子基板包 半導體基板、一位於該半導體基板上的接觸焊墊以 86303-9708l2.doc 1306654 及一位於該半導體基板與該接觸焊墊上的絕緣層，該絕 緣層中具有一通道，因此部份的導電焊墊並不含該絕緣 層，其中該導電線路、該導電焊墊、以及該電耦合都係 位於該絕緣層之上，該基板的相反側處，而且其中該導 電線路可經由該通道與該接觸焊墊產生電耦合。 69·如申請專利範圍第58項之電子結構，進一步包括： 一位於該電子基板上、該導電線路上、該導電焊墊上 、以及該電耦合上的絕緣層，該絕緣層中具有一通道， 因此部份的導電焊墊並不含該絕緣層； 一位於下面各處的導電分路層，其不含該絕緣層的部 份導電焊墊之上、該通道的側護壁之上以及該通道旁邊 的部份絕緣層之上；以及 一位於該導電分路層之上、該基板的相反側處的焊接 層。 7〇· —種用以形成一電子結構的方法，該方法包括： 於一電子基板之上形成一主導電線路，該主導電線路 具有第一寬度； 於該電子基板之上形成一導電焊墊，該導電焊墊的寬 度為大於第一寬度的第二寬度；以及 於該主導電線路與該導電焊墊間形成一電耦合，該電 耦合可於该主導電線路與該導電焊塾之間提供至少兩 條分離的電流路徑。 7 1.如申請專利範圍第70項之方法，其中該電耦合包括一從 該主導電線路延伸至該導電焊墊的外擴耦合而且其中 86303-970812.doc -12- 13〇6654 具有穿孔。 •η 2 .如申請專利範圍第70項之方法，其中該電耦合包括從該 主導電線路延伸至該導電焊墊之間隔部的第一線路邀 第二線路。 ^ 73 ’如申請專利範圍第72項之方法’其中該等第—線路與第 〜線路可延伸至該導電焊墊的兩侧。 4.如申請專利範圍第72項之方法，其巾該導電焊墊為圓形 ，以及其中該等第一線路與第二線路可以切線方式從該 圓形導電料的不同部位伸出，並且於該主導電線路處 75·如巾請專利範圍第72項之方法，其中該等第—線路與第 —線路可以平行的方式從該圓形焊墊伸出並且於該主 導電線路處會合。 76·如申請專利範圍第72項之方法，其中該電耗合進—步包 括—從該主導電線路延伸至該導電焊墊、介於該等第一 7線路與第二線路之間的第三線路。 申-月專利圍第76項之方法，其中該第三線路的寬度 小於該等第一線路與第二線路中任一線路的寬度。 •如申請專利範圍第72項之方法，進一步包括： 於該導電焊塾之上形成—焊接層；以及 不一电卞丞敉，兴甲該等第 秦路與第二線路中至少其中一者會被耦合至受到壓 力作用之部份焊接層旁邊的導電焊塾之上。 79.如申請專利範圍第70項之方法，進一步包括： 86303-970812.doc -13- 1306654 於該電子基板上、該導電線路上、該導電焊墊上以及 該電耦合上形成一絕緣層，其中該絕緣層中具有—通道 ，因此部份的導電焊墊並不含該絕緣層。 80. 如申請專利範圍第70項之方法，其中該電子基板包括一 半導體基板、一位於該半導體基板上的接觸焊墊以及一 位於該半導體基板與該接觸焊墊上的絕緣層，該絕緣層 中具有一通道，因此部份的導電焊墊並不含該絕緣層， 其中該導電線路、該導電焊墊、以及該電耦合都係位於 s亥絕緣層之上，該基板的相反側處，而且其中該導電線 路可經由該通道與該接觸焊墊產生電耦合。 81. 如申請專利範圍第7〇項之方法，進一步包括： 於該電子基板上、該導電線路上、該導電焊墊上以及 該電辆合上形成一絕緣層，該絕緣層中具有一通道，因 此部份的導電焊墊並不含該絕緣層； 於下面各處形成一導電分路層，其不含該絕緣層的部 份導電焊墊之上、該通道的側護壁之上、以及該通道旁 邊的部份絕緣層之上；以及 於該導電分路層之上、該基板的相反側處形成一焊接 層。 82. —種電子結構，其包括： 一電子基板； 一位於該電子基板之上的主導電線路，該主導電線路 具有第一寬度； 一位於該電子基板之上的導電焊墊，該導電焊墊的寬 86303-970812.doc -14- 1306654 度為大於第一寬度的第二寬度；以及 一介於該主導電線路與該導電焊墊之間的電耦合，該 電耦合可提供不同的電阻給其寬度上的電流。 &如申請專利範圍第82項之電子結構，其中該電輕合中具 有一開孔。 84.如申請專利範圍第82項之電子結構，其中該電耗合於其 寬度上具有不同的厚度。 认如申請專利範圍第82項之電子結構，其中該電耗合於其 中間部包括-由第一導電材料所組成的[以及沿著其 周圍部包括-由第二導電材料所組成的層，該等第一導 電材料與第二導電材料具有不同的電阻率。 队如申請專利範圍第85項之電子結構，其中由第二導電材 料所組成的層可延伸於位於該由第一導電材料所組成 之層上的電权合之上。 87. 如申請專利範圍第82項之電子結構，其中該電搞合可對 該導電焊墊提供均勻的電流分布。 88. —種用以形成一電子結構的方法，該方法包括： 形成一電子基板； 於該電子基板之上形成一主導電線路’該主導電線路 具有第一寬度； 於該電子基板之上形成一導電焊墊，該導電焊墊的寬 度為大於第一寬度的第二寬度；以及 於該主導電線路與該導電焊墊之間形成一電耦合’該 電耦合可提供不同的電阻給其寬度上的電流。 86303-970812.doc -15. 1306654 89. 如申請專利範圍第88項之方法，其中該電耦合中具有一 開孑L。 90. 如申請專利範圍第88項之方法，其中該電耦合於其寬度 上具有不同的厚度。 91. 如申請專利範圍第88項之方法，其中該電粞合於其中間 部包括一由第一導電材料所組成的層，以及沿著其周圍 部包括一由第二導電材料所组成的層，該等第/導電材 料與第二導電材料具有不同的電阻率。 92. 如申請專利範圍第85項之方法’其中由第二導電材料所 組成的層可延伸於位於該由第一導電材料所組成之層 上的電耦合之上。 93. 如申請專利範圍第88項之方法’其中該電耦合可對該導 電焊墊提供均勻的電流分布。 86303-970812.doc 16-
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