TWI298988B - Copper-clad laminate - Google Patents

Description

1298988 (1) 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種銅包之層壓板及製造層壓板之方法 【先前技術】 芳族聚醯亞胺薄膜具有良好的耐高溫性、良好的化學 抗性、高電絕緣性質及高機械強度，因此廣泛用於各種技 術領域。例如，芳族聚醯亞胺薄膜最好以連續芳族聚醯亞 胺薄膜/銅箔層壓板結構的形式而用於製造撓性印刷電路 板（FPC )、自動膠帶黏合（TAB )之載體膠帶、及引線 覆蓋晶圓（lead-on-chip )用膠帶。 芳族聚酿亞胺薄膜/銅范層壓板可以藉由利用例如環 氧樹脂等習知黏著劑將聚醯亞胺薄膜與銅箔黏合而得。然 而’由於習知黏著劑的耐熱性低，因此所得之複合板無法 顯示出令人滿意的高耐熱性。 爲了解決上述問題，已經有各種黏合方法被提出。例 如’利用電鍍方式在芳族聚醯亞胺薄膜上形成一銅箔來製 造芳族聚醯亞胺薄膜/銅箔層壓板。不然就是將芳族聚醯 亞胺溶液（例如芳族聚醯亞胺樹脂的前驅物溶液塗覆在_ 箔上’乾燥，及加熱以在銅箔上製造芳族聚醯亞胺薄膜。 芳族聚醯亞胺薄膜/銅箔複合板亦可以利用熱塑性聚 醯亞胺樹脂製得。 美國專利第4 5 43 295號揭露金屬薄膜以高黏合強度與 (4) 1298988 始黏合強度爲8 Ο %或更高，上述黏合強度係在層壓板保 持在15CTC下1 0 00個小時後測量。 (5 )銅箔具有一膠黏表面。 (6 )銅箔的膠黏表面係藉由將偶合劑（例如矽烷偶 合劑）放在銅箔上產生。 (7 )銅箔係呈連續薄膜形式在長度方向上的光澤度 爲360%或更高，寬度方向上的光澤度爲310%或更高， 其中光澤度係在入射角60°測得。 本發明的銅包層壓板係使用低粗糙度（例如表面粗糙 度Rx爲1微米或更低）的銅箔。此等低粗糙表面可以藉 由在銅箔上以氧化處理形成黑化層（即，氧化銅層）或藉 由在銅箔上電鍍銅或鉻而產生。因此，銅箔或銅層可以包 含少量外來金屬。 銅箔較佳具有膠黏表面，其中膠黏表面係藉由利用有 機表面處理劑（例如偶合劑，像是矽烷-偶合劑）處理銅 箔表面而得。 表面上具有膠黏表面的銅箔之較佳的厚度爲5 -1 8微 米，尤其是9-1 2微米，因爲此等薄銅箔有利於形成精細 電路圖案。 市面上售有具膠黏表面的銅箔。膠黏銅箔的市售品的 例子包括Mitsui Metal Industries，Co.，Ltd.製造的低粗糙 度銅箔，厚度：12微米，無光表面上的表面粗糙度Rz: 〇 · 8微米，粗糙表面上的光澤度：3 1 9 % (就TD而言）（ 橫向或寬度方向），374% (就MD而言）（機械方向或 (5) 1298988 縱向）Fur uka'v a Circuit Foil, Co.，Ltd.製造之 箔，厚度：12微米，無光表面上的表面粗糙g 微米，粗糙表面上的光澤度：3 70 % (就TD 393 % (就 MD 而言），及 Nippon Elect rolysi Ltd製造之低粗糙度銅箔（厚度：12微米，無 表面粗糙度Rz : 0.8微米，粗糙表面上的光澤 (就TD而言），3 93 % (就MD而言）。 芳族聚醯亞胺薄膜較宜在至少一側上具有 。更佳地，聚醯亞胺薄膜包括一在低於3 4 0 °C 有玻璃轉移溫度之聚醯亞胺基板薄膜，及至少 醯亞胺基板薄膜上之熱塑性聚醯亞胺薄膜，熱 胺薄膜的玻璃轉移溫度爲2 0 0 - 2 7 5 °C。前者聚 薄膜在以下稱爲高耐熱性聚醯亞胺薄膜。基板 基板兩側上具有熱塑性聚醯亞胺薄膜。 熱塑性聚醯亞胺薄膜較佳形成於基板薄膜上 步驟包括將高耐熱性聚醯亞胺前驅物溶液及熱塑 胺前驅物溶液共擠壓，將經共擠壓的前驅物溶滹 ’及加熱經乾燥之薄膜，得到多層的聚醯亞胺薄 熱塑性聚醯亞胺薄膜較佳從1,3-雙（4-胺基 )(以下稱爲TPER) ，2, 3，3，，4'-聯苯基四辫 以下稱爲a-BPDA)及3，3，，4，4，-聯苯基四羧酸 下稱爲s-BPDA )製得。下列組合也較宜用以得 聚醯亞胺薄膜： 13-雙（4-胺基苯氧基）-2，2-二甲基丙烷

粗糙度銅 Rz ： 0.7 而言）， s， Co. 5 表面上的 度：3 70% 塑性表面 溫度下沒 形成於聚 性聚醯亞 亞胺基板 膜可以在 ，其形成 性聚醯亞 薄膜乾燥 膜。 苯氧基苯 酸二酐（ 二酐（以 到熱塑性 (DANPG (6) 1298988 )及4, 氧基二酞酸酐（ODPA)； 4’ 氧基二I太酸ff (ODPA)、苯均四酸酐（PMDA } '和雙（4-胺基苯氧基苯）; I 雙（3-胺基苯氧基）苯及3，3，，4，4，-苯甲酮四 羧酸=酐；及 3, 3 ^二胺基苯甲酮、1，3-雙（3-胺基苯氧基）苯及3, ^ ’ 4，4 ^苯甲酮四羧酸二酐。 四殘酸二酐化合物的一部分可以被一或多個其他四羧 軒取代，例如3，3 ’，4，4 ’ -聯苯基四殘酸二酐或2，2_ X ( 3，4 -二羧基苯基）-丙烷二酐，其先決條件是取代的 結果基本上不會有損所得之聚醯亞胺薄膜。 一胺化合物的一部份可以被一或多個其他二胺化合物 取代’例如具多個苯環之芳族二胺，例如4，4 ’ -二胺基二 笨基醚、4，4、二胺基苯甲酮、4，4、二胺基苯基甲烷、2, 雙（4-胺基苯基）丙烷、4，4'-雙（4-胺基苯氧基）苯、 4，V-雙（4-胺基苯基）二苯基醚、4，4'-雙（4-胺基苯氧 基）二苯基醚、4，4'-雙（4-胺基苯氧基）二苯基甲烷、 及2, 2，-雙[4-(胺基苯氧基）苯基]丙烷。 此外，二羧酸，例如酞酸或其衍生物或六氫酞酸或其 衍生物，尤其是酞酸二酐，可以倂入用於製備熱塑性聚醯 亞胺薄膜之起始化合物混合物。 高耐熱性聚醯亞胺薄膜可以從3，3' 4，V-聯苯四羧 酸二酐（s-BPDA )及對苯二胺（PPD ) ’及視需要的 4, 二胺基二苯基醚（DADE)及苯均四酸二酐（PMDA) (7) 1298988 製得。PPD/DADE (莫爾比）較佳爲100/0至85/15。％ BPDA/PMDA (莫爾比）較佳爲 100/0 至 5 0/5 0。 高耐熱性聚醯亞胺薄膜也可以從苯均四酸二酐、對苯 二胺（PPD)及4，4、二胺基二苯基醚（DADE)製得。 DADE/PPD (莫爾比）較佳爲90/10至10/90。 高耐熱聚醯亞胺薄膜也可以從3，3' 4，4'-苯甲酮四 羧酸二酐（BTDA )，苯均四酸二酐（PMDA )、對苯二胺 (PPD)及4，4，-二胺二苯基醚（DADE)製得。四羧酸二 酐較宜包括 20至 90莫爾％BTDA及 80至 1〇莫爾％ PMDA。二胺化合物較宜包括30至90莫爾％PPD及70至 1 〇 莫爾 ％ DADE。 四羧酸二酐及二胺的芳環也可以具有一或多個取代基 ，例如氟、羥基、甲基及甲氧基。 四羧酸二酐化合物的一部份及二胺化合物的一部份可 以被一或多個其他四羧酸二酐及芳族二胺（例如4，4'-二 胺基二苯基甲烷）所取代，其先決條件是取代的結果基本 上不會有損所得之聚醯亞胺薄膜。 高耐熱性聚醯亞胺基板薄膜的線性膨脹係數（50-200 °C時MD，TD，及其平均値）較佳爲5xl〇·6到25xl(T6 c m / c m / °C ° 高耐熱聚醯亞胺薄膜可以從上述單體，藉由任何無序 聚合反應，嵌段聚合反應，聚合物的摻和，及摻和的前驅 物（聚醯胺酸）的聚合反應製得。 用於高耐熱性聚醯亞胺及熱塑性聚醯亞胺的聚醯胺酸 • 11 - (8) 1298988 可以在有機溶劑（例如，N-甲基-2-吡咯烷酮、n，N-二甲 基甲醯胺、N，N-二甲基乙醯胺、N，N—二乙基乙醯胺， 二甲亞砚、六甲基磷醯胺、N-甲基己內醯胺或甲酚）中製 備。這些有機溶劑可以單獨使用或混合使用。 爲了抑制聚醯胺酸的膠化作用，將0.0-1 % (每份聚 醯胺酸之固體含量）磷系安定劑例如三苯基亞磷酸酯及磷 酸三苯酯加入聚醯胺酸溶液。爲了加速醯亞胺化反應，尤 其是在低溫進行反應的時候，可於聚醯胺溶液中加入鹼性 有機觸媒’例如味哩、2 -味哗、1，2 -二甲基味哇或2 -苯基 咪唑。有機觸媒通常的用量爲佔聚醯胺酸固體含量之 0.01-20重量％，較佳爲0.5-10重量％。 在利用共擠壓法製備包括一聚醯亞胺基板薄膜及一或 二個熱塑性聚醯亞胺薄膜的芳族聚醯亞胺薄膜時，基板薄 膜用的聚醯胺酸溶液及熱塑性聚醯亞胺薄膜用的一或二種 聚醯胺酸溶液同時從多狹縫噴嘴以溶液薄膜的形式擠壓至 暫時的載體（例如不銹鋼帶條）上，並加熱到1 00-200°C 以使經擠壓之溶液薄膜乾燥，得到半固化的自支撐型複合 薄膜。擠壓步驟係爲已知。 半固化的自支撐型複合薄膜接著加熱到高於熱塑性聚 醯亞胺薄膜的玻璃轉移溫度，較佳爲3 0 0- 5 00 °C (由表面 溫度計測得的表面溫度），時間較佳爲1 - 6 0分鐘，以使 半固化的複合薄膜乾燥及醯亞胺化。如此，獲得所要的具 聚醯亞胺基板薄膜及一或多個熱塑性聚醯亞胺薄膜的芳族 聚醯亞胺薄膜。 (9) 1298988 熱塑性聚醯亞胺薄膜較宜具有180-2 7 5 °C，更佳爲 2〇〇_27 5 t，之玻璃轉移溫度，及較宜不會在低於3 00 °C 的溫度下轉化成液體。此外，熱塑性聚醯亞胺薄膜在275 °C的彈性模數較宜爲在50°C的彈性模數之0.0 0 02 -0.2倍 〇 熱塑性聚醯亞胺薄膜的厚度較佳爲0.5 -1 0微米，更 佳爲1 - 8微米。 高耐熱性聚醯亞胺基板薄膜的厚度較佳爲5 - 5 0微米 ，更佳爲5-40微米。 包括高耐熱性聚醯亞胺基板薄膜及熱塑性聚醯亞胺外 層薄膜的聚醯亞胺複合薄膜的厚度較佳爲7至5 0微米， 更佳爲7至約4 0微米。 聚醯亞胺複合薄膜較佳具有10 X 1〇·6 — 25 X 1(Γ6 C ill / C m / °c的線性膨脹係數（5 0 - 2 0 0 °c的M D、T D及其平均 數）。 如前所述，本發明的銅包層壓板可以利用包括下列步 驟的方法製得：將聚醯亞胺複合薄膜的熱塑性聚醯亞胺薄 膜放在銅箔（或銅層）上並在加壓的情況壓下以高於熱塑 性聚醯亞胺薄膜的玻璃轉移溫度但不高於4 0 0。(：的溫度加 熱熱塑性聚醯亞胺薄膜及銅箱（或銅層）。上述步驟較佳 利用已知的雙帶壓模機進行。在上述步驟裡，在銅箔及聚 醯亞胺複合薄膜同時預先加熱到大約150-25(TC而後插入 雙帶壓模機內，然後在高溫下加熱及冷卻後得到所要的銅 包層壓板。在雙帶壓層機裡，較佳的是加熱區域加熱到不 -13- (10) 1298988 高於4〇〇°c但是比熱塑性聚醯亞胺薄膜的玻璃轉移溫度高 2 0 C ’然後將加熱過的層壓板在冷卻區域中在加壓的情況 下以比熱塑性聚醯亞胺薄膜之玻璃轉移溫度低2 0 °C，較 佳低3 0 °C，的溫度進行冷卻。 在製造所要之銅包層壓板的方法裡，銅箔及三層聚醯 亞胺複合薄膜可以承載於具光滑表面的薄膜上，例如高耐 熱性薄膜，宜爲芳族聚醯亞胺薄膜（例如Upilex S， Ube Industries，Ltd·製造）、氟系樹脂薄膜或銅箔捲。 包括銅箔及具膠黏表面的芳族聚醯亞胺薄膜之層壓板 通常係以連續薄膜的形式爲獲致。連續薄膜可以在分成預 定大小的薄膜後使用。 本發明之銅包層壓板可以捲筒形成儲存。經捲收之層 壓板可以不被纏繞，並且以已知方式鈾刻。經蝕刻之層壓 板可以進行去除彎曲的處理。 本發明之銅包層壓板可以用作爲FPC、TAB、多層 FPC和撓曲剛性基質之基板。 本發明之銅包層壓板可以經由耐熱黏著劑層（厚度 5-50微米，較佳5-15微米，更佳7-12微米）彼此組合， 得到多層銅包層壓板，例如2 - 2 0層銅包層壓板。耐熱性 黏著劑可以是環氧樹脂黏著劑、熱塑性黏著劑、或熱塑性 聚醯亞胺（或聚醯亞胺矽氧烷）與環氧化物的混合物。 銅包層壓板的蝕刻可以利用已知的方法進行，例如室 溫下使用氯化鐵水溶液將聚醯亞胺薄膜去除一部份或全部 銅箔的蝕刻步驟。 ~ ιΑ~ (11) 1298988 本發明的銅包層壓板可以浸入大約2 8 0 °c焊料浴中大 約1 〇分鐘或經由耐熱性黏著劑黏合於其他銅包層壓板， 以供製備所要元件之用。 本發明的銅包層壓板在銅箔一部份或全部蝕刻後呈現 高透明度，因此可以容易以傳統之TAB安裝用的黏合機 械進行加工。 本發明更進一步以下列實施例說明之。在實施例裡， 物理特徵係由下列步驟測定。 (1 )表面粗糙度（R z ):根據JI S B 0 6 Ο 1測定 (2 )光澤度：根據：f I S Z 8 7 4 1測定，取平均値 (3 )熱線性膨脹：ΤΜΑ方法，於5 0-20 0 °C測定的平 均値，溫度升高速度：5 °C /min，TD及MD的平均値（ c m / c m / °C ) (4 )玻璃轉移溫度（Tg ):以動態黏彈性測量計測 定損失的正切峰溫度。 (5 )黏合強度：從銅包層壓板切下之樣片安裝於第 1圖所示之儀器中（1 : T剝離測量儀器，2 :銅箔，3 :聚 醯亞胺薄膜，4 :夾具，V :夾具），及根據JIS C 6 4 7 1以 5 0 m m / m i η之十字頭（c r 〇 s s · h e a d )的速度測定T -剝離強 度（MD )。 (6 )光透射比：以90度角投射光線到薄膜（或以蝕 刻去除全部銅箔之銅包層壓板）上，以UV-2 100型裝置 (Shimazu Seisakusho Co., Ltd·製造）測量的透射光。 (7 )濁度：根據JIS K6714，使用直流電計算器 (12) 1298988 HG M，2DP 口（Suga Testing Machine，Co.，Ltd.製造）， 在薄膜（或以蝕刻去除全部銅箔之銅包層壓板）上進行測 濁度（％ ) = ( Td/Tt ) xl 00 (Td :散射光的透射比） (Tt :總光透射比） (8 )對準標記之觀察結果：使用展示圖案，藉由 S inkawa Co.，Ltd.的 Inner Lead Bonder 1LT-110，在以倉虫 刻去除全部銅箔之銅包層壓板上以眼評估。 (9 )在以1 5 0 °C加熱後的黏合強度：將樣片放入具 通風系統之恆溫箱（在150°C加熱）1 000小時，然後根據 JIS C647 1所定義之方法，以 50 mm/min之十字頭（ cross-head)的速度測量T剝離強度。 (1 〇 )總評估結果：AA :極佳，BB :良好，CC :不 滿意，DD:不好 [製備用於製造高耐熱性聚醯亞胺之摻質溶液I] 在設有攪拌器及氮氣進料口之反應槽中，放入N-甲 基-2-吡咯烷酮，及對苯二胺與3，3' 4，V-聯苯基四羧酸 二酐（莫爾比：1〇〇〇 : 99 8 )的混合物，而其量爲使得到 含有18重量％之N-甲基-2-吡咯烷酮之組合溶液。然後將 所得混合物在5 (TC下攪拌3小時，得到一 2 5 °C的溶液黏 -16 - (13) 1298988 度爲大約1 5 0 0泊的棕色黏性聚醯胺酸溶液。該聚醯胺酸 溶液作爲摻質溶液I。 [製備用於製造高耐熱性聚醯亞胺之摻質溶液II] 在設有攪拌器及氮氣進料口之反應槽中，放入N _甲 基-2-D(t咯烷酮，及1，3-雙（4-胺基苯氧基）苯、2，3，3'， 4-聯苯基四羧酸二酐及3, 3、4, 4'-聯苯基四羧酸二酐（莫 爾比：1 00 : 2 0 : 80 )的混合物，而其量爲使得到含有18 重量％ N-甲基-2-吡咯烷酮之組合溶液。另外，將0.1%磷 酸三苯酯（每份混合物）加入溶液中。然後將所得混合物 在25 °C下攪拌1小時，得到一 25 °C的溶液黏度爲大約 1 1 〇 〇泊的黏性聚醯胺酸溶液。該聚醯胺酸溶液作爲摻質 溶液II。 [聚醯亞胺複合薄膜的製備] 將摻質溶液I及摻質溶液II放入多歧管塑模裡進行 三薄膜擠壓。摻質溶液Π，摻質溶液I及摻質溶液II的 混合溶液同時從塑模擠壓出來並於不銹鋼帶載體上鑄模。 經鑄模之溶液薄膜係藉由使連續施用加熱到1 4 0 °C的空氣 進行乾燥，得到固態薄膜。將固態薄膜從載體取出，並放 入加熱爐中，從200t逐漸加熱固態薄膜至3 20 t。藉此 去除溶劑，並且使薄膜醯亞胺化，得到聚醯亞胺薄膜。針 對不同大小的塑模狹縫重複以上的步驟，得到下列二種聚 醯亞胺薄膜A及B。 -17 - (14) 1298988 [聚醯亞胺複合薄膜A] 厚度：熱塑性薄膜/高耐熱性薄膜/熱塑性薄膜的厚度 爲5微米/28微米/5微米（總共：38微米） 熱塑性薄膜的Tg :高於240°C 高耐熱性薄膜的Tg :高於3 40 °C 光透射比（波長：600 nm ) ： 57% 濁度：6 %

線性熱膨脹係數（5 0-2 00 °C ) ： 18 X ΙΟ'6 cm/cm/°C 體積電阻：3 X ΙΟ16 Ω .cm [聚醯亞胺複合薄膜B] 厚度：熱塑性薄膜/高耐熱性薄膜/熱塑性薄膜的厚度 爲4微米/17微米/4微米（總共：25微米） 熱塑性薄膜的Tg : 24(TC 高耐熱性薄膜的Tg :高於3 40 °C 光透射比（波長：6 0 0 n m ) · 69% 濁度：4 %

線性熱膨脹係數（5 0-2 00 °C ) ： 18 X ΙΟ'6 cm/cm/°C 體積電阻：3 X ΙΟ16 Ω .cm [實施例1] 聚醯亞胺複合薄膜A，低粗糙度黏著性銅箔（Mitsui Metal Industries, Co·，Ltd，厚度：12 微米，粗糙表面上 (15) 1298988 的R z · Ο · 8微米’粗|造表面上的光澤度：就τ 〇而言3 1 9 %，就MD而言3 74 % )及保護性薄膜（upiiex)同時連 續提供到雙帶壓模機。這些材料連續預先加熱，在40 k g / c m2的壓力下，加熱至高達3 3 0 °C (預定的最高溫度） ，及冷卻到1 1 7 °C (最低溫度）2分鐘，得到本發明的連 續銅包層壓板（寬度：大約5 3 0 mm)。連續銅包層壓板 的物理特徵敘述如下： 黏合強度：1 290 N/m 光透射比（波長：600 nm) : 44% 濁度：2 7 % 對準標記的觀察：可看到

以1 5 0 °C熱處理1 〇 〇 〇小時的黏合強度維持率：9 4 % 總評估結果：AA

[實施例2] 重複實施例1的步驟，不同的是使用低粗糙度黏著性 銅范（Nippon Elect 1. olysis，Co·，Ltd·’ 厚度：12 微米’ 粗糙表面上的R z : 0.5微米，粗縫表面上的光澤度：就 TD而言3 7 0 %，就M D而言3 9 3 % )’得到本發明之連續 銅包層壓板（寬度：大約5 3 0 m m ) °連續銅包層壓板之 物理特徵敘述如下： 黏合強度：71〇 N/m 光透射比（波長：600 nm) : 43% 濁度：2 8 % -19 - (16) 1298988 對準標記的觀察：可看到 以1 5 0 °C熱處理1⑽〇小時的黏合強度維持率：8 2 %

總評估結果：AA

[實施例3] 重複實施例1的步驟，不同的是使用低粗糙度黏著性 銅范（Furukawa Circuit Foil, Co·，Ltd.，厚度：12 微米 ，粗糙表面上的Rz : 0.7微米，粗糙表面上的光澤度：就 TD而言370%，就MD而言393%)，得到本發明之連續 銅包層壓板（寬度：大約5 3 0 mm)。連續銅包層壓板之 物理特徵敘述如下= 黏合強度：54〇 N/m 光透射比（波長：6 0 0 nm ) ·· 4 8 % 濁度：20% 對準標記的觀察：可看到 以15CTC熱處理1 000小時的黏合強度維持率：64%

總評估結果：B B

[實施例4] 重複實施例1的步驟，不同的是使用聚醯亞胺複合薄 膜B及低粗糙度黏著銅箔（NA-VLP，獲自 Mitsui Metal Industries，Co·，Ltd·，厚度：12微米，粗糙表面上的Rz ·· 0.6微米，粗糕表面上的光澤度：就T D而言3 3 9 %，就 MD而言4 1 0 % )，得到本發明之連續銅包層壓板（寬度 (17) 1298988 :大約5 3 0 mm)。連續銅包層壓板之物理特徵敘述如下 黏合強度：6 1 0 N / m 光透射比（波長：6 0 0 n m ) :54% 濁度：22% 對準標記的觀察：可看到

以1 5 0 °C熱處理1 0 0 0小時的黏合強度維持率：1 〇 6 % 總評估結果：AA

[實施例5 ] 重複實施例1的步驟，不同的是使用低粗糙度黏著性 銅箱（HLS，Nippon Electrolysis，Co.，Ltd·，厚度：9 微 米，粗糙表面上的Rz: 0.8微米，粗縫表面上的光澤度： 就TD而言3 3 9 %，就MD而言410% )，得到本發明之 連續銅包層壓板（寬度：大約5 3 0 mm)。連續銅包層壓 板之物理特徵敘述如下： 黏合強度：8 1 6 N/m 光透射比（波長：6 0 0 n m ) : 4 3 % 濁度：2 8 % 對準標記的觀察：可看到

以i5(TC熱處理1〇〇〇小時的黏合強度維持率：77% 總評估結果：AA

[實施例6 ；] (18) 1298988 重複實施例1的步驟，不同的是使用低粗糙度黏著性 銅箱(F 0 - W S 5 Furukawa Circuit Foil，Co.，Ltd·’ 厚度： 1 2微米，粗糙表面上的Rz : 0.7微米，粗糙表面上的光 澤度：就T D而,3 9 2 %，就M D而g 4 0 3 % ) ’得到本 發明之連續銅包層壓板（寬度：大約5 3 0 mm )。連續銅 包層壓板之物理特徵敘述如下： 黏合強度.5 6 0 N / γπ 光透射比（波長：6 0 0 nm ) : 6 1 % 濁度：1 4 % 對準標記的觀察：可看到

以150°C熱處理1 000小時的黏合強度維持率：67% 總評估結果：B B

[比較實施例1 ] 重複實施例1的步驟，不同的是使用高粗糙度黏著性 銅范（Mitsui Metal Industries，C〇·，Ltd·，厚度：9 微米 ，粗糙表面上的Rz : 2.0微米），得到比較例之連續銅包 層壓板（寬度：大約5 3 0 mm)。連續銅包層壓板之物理 特徵敘述如下： 黏合強度：7 8 0 N/m 光透射比（波長：600 nm ) : 10% 濁度：76%

對準標記的觀察：無法看到 總評估結果：BB -22- (19) 1298988 [比較實施例2] 重複實施例1的步驟，不同的是使用高粗糙度黏著性 銅范（Fur ukaw a Circuit Foil，Co.，Ltd·，厚度：9 微米’ 粗糙表面上的Rz : 1 . 9...微米），得到比較例之連續銅包層 壓板（寬度：大約5 3 0 mm)。連續銅包層壓板之物理特 徵敘述如下： 黏合強度：740 N/m 光透射比（波長：6 0 0 n m ) : 1 0 % 濁度：7 6 %

對準標記的觀察：無法看到 總評估結果：DD

[比較實施例3 ] 重複實施例1的步驟，不同的是使用高粗糙度黏著性 銅箱(SC12-25-00AE, Japan Steel Chemistry, C ο. ? Ltd.製 造），得到比較例之連續銅包層壓板（寬度：大約530 mm)。連續銅包層壓板之物理特徵敘述如下： 光透射比（波長：6 0 0 n m ) : 2 %

對準標記的觀察：無法看到 總評估結果：DD 【圖式簡單說明】 第1圖係說明測量以T剝離強度計算之黏合強度白勺 >23- (20) 1298988 方法。 【主要元件對照表】 1 : T剝離測量儀器 2 :銅箔 3 :聚醯亞胺薄膜

4 :夾具 V :夾具

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Claims (1)

1. T9 Q Q ο 〇 〇 r一~ *——------------- 8_年< 月 > 日修⑻正—f (1 ) "’一"" 1 丨丨_丨細丨丨 i -1“ |，、一·.·， 十、申請專利範圍 第921 19691號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國95年6月20日修正 1· 一種銅包層壓板，其包括一表面粗糙度rz爲1微 米或更小之銅箔及一在銅箔上的芳族聚醯亞胺薄膜，其中 銅箔以500 N/m或更高的黏合強度黏合於聚醯亞胺薄膜， 聚醯亞胺薄膜顯示在光波長爲600 nm時光透射比爲％或 更高40，濁度爲30%或更低，光透射比及濁度係在以蝕 刻去除銅箔後測量。 2·如申請專利範圍第1項之銅包層壓板，其中聚醯 亞胺薄膜至少一側具有一熱塑性表面。 3.如申請專利範圍第2項之銅包層壓板，其中聚醯 亞胺薄膜包括一在低於340°C的溫度下沒有玻璃轉移溫度 的聚醯亞胺基板薄膜，及至少一放在聚醯亞胺基板薄膜上 的熱塑性聚醯亞胺薄膜，其中熱塑性聚醯亞胺薄膜的玻璃 轉移溫度爲1 80-257°C。 4 ·如申請專利範圍第1項之銅包層壓板，其中銅包 層壓板顯示黏合強度爲285 N/m或更高，黏合強度係在層 壓板保持l〇5°C下1〇〇〇個小時後於銅箔與聚醯亞胺薄膜之 間測量。 5.如申請專利範圍第1項之銅包層壓板，其中銅包 層壓板顯示銅箔與聚醯亞胺薄膜之間的初始黏合強度爲80 1298988

   %或更高，該黏合強度係在層壓板保持在150°C下1 000個 小時後測量。 6 ·如申請專利範圍第1項之銅包層壓板，其中銅箱 具有一膠黏表面。 7 ·如申請專利範圍第6項之銅包層壓板，其中銅箱 的膠黏表面係藉由將偶合劑放在銅箔上產生。 8 ·如申請專利範圍第6項之銅包層壓板，其中偶合 劑爲矽烷偶合劑。 9·如申請專利範圍第1項之銅包層壓板，其中銅箔 係呈連續薄膜形式，在長度方向上的光澤度爲3 60 %或更 高，寬度方向上的光澤度爲310%或更高，其中光澤度係 在入射角6 0 °測得。 10· —種製造如申請專利範圍第1項之銅包層壓板的 方法，其包括： 製備一銅箔及一芳族聚醯亞胺薄膜，其中銅箔的表面 粗糙度Rz爲 1微米或更低並具有一膠黏表面，芳族聚醯 亞胺薄膜包括一在低於340t的溫度下沒有玻璃轉移溫度 之聚醯亞胺基板薄膜及至少一形成於聚醯亞胺基板薄膜上 之熱塑性聚醯亞胺薄膜，其中熱塑性聚醯亞胺薄膜具有 200-275°C之玻璃轉移溫度； 將芳族聚醯亞胺薄膜的熱塑性聚醯亞胺薄膜放在銅箔 的膠黏表面上；及 在加壓的情況下，在高於熱塑性聚醯亞胺薄膜之玻璃 轉移溫度但是不高於400 °C的溫度下加熱熱塑性聚醯亞胺 -2 - 1298988 鄉έ月h曰修⑷正替授g (3) —----^ 薄膜及銅箔。 1 1 ·如申請專利範圍第1 0項之方法，其中加熱 性聚醯亞胺薄膜及銅箔之步驟以雙帶壓模機進行。 12·如申請專利範圍第10項之方法，其中銅箔 黏表面係藉由將偶合劑放在銅箔上產生。 13. —種銅包層壓板，其包括一銅層及放在銅層 芳族聚醯亞胺薄膜，其中在於15 0°C下加熱1 000小時 黏合強度爲285 N/m或更高的條件下，將銅層以500 或更高的黏合強度黏合於聚醯亞胺薄膜，聚醯亞胺薄 示在光波長爲600 nm時的光透射比40%或更高，濁 30%或更低，其中光透射比及濁度係在蝕刻去除銅層 得。 熱塑 的膠 上的 後的 N/m 膜顯 度爲 後測 -3 -