JPH115954A - 接着剤付きテ−プ、金属張積層板および回路板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 光透過性が良好で、位置合わせが良好な接着
剤付きシ−ト、金属張基板および回路基板を提供する。 【解決手段】 寸法安定性が良好で、かつ厚みが１０−
２００μｍで、可視領域（５００ｎｍ、６００ｎｍ）で
の吸光係数がそれぞれ１５．０×１０^-3／μｍ以下、
５．Ｏ１０^-3／μｍ以下である芳香族ポリイミドフィル
ムをベ−スフィルムとする接着剤付きシ−ト、金属張基
板、回路板に関する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、例えば主要単位
としてビフェニルテトラカルボン酸二無水物および／ま
たはピロメリット酸二無水物またはその誘導体とパラフ
ェニレンジアミンおよび／またはジアミノジフェニルエ
−テルとを有しており、寸法安定性が良好でかつ厚みが
１０〜２００μｍであって、波長５００ｎｍおよび波長
６００ｎｍで低吸光係数を示す芳香族ポリイミドフィル
ムをベ−スフィルムとして使用した接着剤付きテ−プ、
金属張積層板および回路板に関する。

【０００２】さらに詳しくは、この発明はフレキシブル
プリント回路板（以下、単にＦＰＣということもある）
やＴＡＢ（テ−プ・オ−トメィッテッド・ボンディン
グ）テ−プ等の電気・電子部品実装用の用途に好適に用
いられ、回路形成や実装時に回路パタ−ンの位置ずれが
小さく、位置合わせや検査が容易で、寸法安定性が良好
な接着剤付きテ−プ、金属張積層板および回路に関す
る。

【０００３】

【従来の技術】従来、高耐熱性の電子部品として芳香族
ポリイミドフィルムの片面あるいは両面に接着剤を設け
た接着剤付きシ−トを使用して銅箔等の導電体層を設け
たものが一般的である。しかし、例えば、Ｔ−ＢＧＡ
（テ−プ・ボ−ル・グリッド・アレイ）を基板に実装す
る時に、基板の回路パタ−ンとＴ−ＢＧＡのボ−ルバン
プの位置を正確に合わせる必要があり、ポリイミドテ−
プを透して基板の回路パタ−ンを見ながら位置合わせ接
合が行われているが、現在使用されている寸法安定性の
良好なポリイミドフィルム（例えば、宇部興産製のユ−
ピレックス−Ｓ）では光透過性が悪いので位置合わせが
難しい。また、フレキシブルプリント回路板の回路のな
い裏面から欠陥を検査する場合、光透過性が悪いと検査
に特別の装置が必要になる。

【０００４】この用途に使用される芳香族ポリイミドフ
ィルムは、耐熱性、耐寒性、電気絶縁性、機械的強度等
が要求されることから、ビフェニルテトラカルボン酸成
分とフェニレンジアミン成分とからなるポリイミドフィ
ルムが使用され、例えば特公昭６０−４２８１７号公報
に記載されている。しかし、このポリイミドフィルムが
使用される前記分野では、高精度の要求が益々厳しくな
り、また実装密度を上げる目的でポリイミドフィルムの
両面に回路を形成することが必要になってきている。こ
の場合には、裏面と表面との回路を精度高く位置合わせ
することが必須になり、芳香族ポリイミドフィルムの光
透過性が良いことが求められ、従来の芳香族ポリイミド
フィルムではこの要求を満足できなくなっている。

【０００５】このため、ポリイミドフィルムについて種
々の改良がなされた。例えば、特開昭６１−２６４０２
７号公報にはビフェニルテトラカルボン酸二無水物とｐ
−フェニレンジアミンとから得られるポリイミドフィル
ムを低張力下に再熱処理して寸法安定なポリイミドフィ
ルムを製造する方法が記載されている。また、特公平−
６２１３号公報には線膨張係数比（送り方向／直行方
法）および送り方向の線膨張係数が特定範囲内にあり寸
法安定性に優れたポリイミドフィルムが記載されてい
る。さらに、特公昭６２−６０４１６号公報、特公昭６
３−５４２１号公報、特公昭６３−５４２２号公報に
は、流延法での製膜時の芳香族ポリアミック酸フィルム
の剥離性を改良する方法が記載されている。

【０００６】しかし、これらの公知技術では、線膨張や
寸法安定性などの熱特性や生産性の点では改良されるも
のの、光透過性の良好な芳香族ポリイミドフィルムを得
ることが出来なかったのである。従って、従来の技術で
は、寸法安定性および光透過性を併せて満足する芳香族
ポリイミドフィルムを得ることはできなかったのであ
る。また、従来の技術では、位置合わせや欠陥検査を容
易に行うことができなかった。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】この発明の目的は、Ｆ
ＰＣやＴＡＢテ−プ等の電気・電子部品実装用の基板用
途に好適に用いることができ、回路形成やＩＣなどの電
気・電子実装時や基板への実装時に回路パタ−ンの位置
ずれが小さく、位置合わせや検査が容易な、寸法安定性
が良好な接着剤付きテ−プ、金属張積層板および回路板
を提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】この発明者らは、前記の
課題を達成するために検討した結果、寸法安定性が良好
で光透過性の良い芳香族ポリイミドフィルムを工業的に
製造することが可能であることを見いだし、これを使用
することにより位置合わせや欠陥検査の容易な接着剤付
きテ−プ、金属張積層板および回路板が得られることを
見いだし、この発明の完成に至ったのである。すなわ
ち、この発明は、寸法安定性が良好でかつ厚みが１０〜
２００μｍであって、吸光係数が波長５００ｎｍで１
５．０×１０^-3／μｍ以下、波長６００ｎｍで５．０×
１０^-3／μｍ以下である芳香族ポリイミドフィルムの少
なくとも片面に接着剤が設けられてなる接着剤付きシ−
トに関するものである。また、この発明は、寸法安定性
が良好でかつ厚みが１０〜２００μｍであって、吸光係
数が波長５００ｎｍで１５．０×１０^-3／μｍ以下、波
長６００ｎｍで５．０×１０^-3／μｍ以下である芳香族
ポリイミドフィルムの少なくとも片面に接着剤を介して
または蒸着法、スパッタ法やメッキ法によって直接金属
層が積層されてなる金属張積層板に関するものである。
さらに、この発明は、寸法安定性が良好でかつ厚みが１
０〜２００μｍであって、吸光係数が波長５００ｎｍで
１５．０×１０^-3／μｍ以下、波長６００ｎｍで５．０
×１０^-3／μｍ以下である芳香族ポリイミドフィルムの
少なくとも片面に接着剤を介してまたは蒸着法、スパッ
タ法やメッキ法によって直接金属層を積層し、次いで回
路を形成してなる回路板に関するものである。

【０００９】この発明の接着剤付きシ−ト、金属張積層
板および回路板を、この発明の一実施例の一部断面概略
図である図１、図２および図３、さらにこの発明を応用
した実施例の一部断面概略図である図４および図５を用
いて説明する。図１において、接着剤付きシ−ト１は芳
香族ポリイミドフィルム２の少なくとも片面に接着剤３
が設けられてなる。図２において、金属張積層板１０は
芳香族ポリイミドフィルム２の少なくとも片面に接着剤
３を介して、または蒸着法、スパッタ法やメッキ法によ
って直接（図示せず）金属層４が積層されてなる。図３
において、回路板２０は芳香族ポリイミドフィルム２の
少なくとも片面に接着剤３を介して、または蒸着法、ス
パッタ法やメッキ法によって直接（図示せず）金属層を
積層し、回路５を形成してなり、好適にはさらにその上
にコ−ト材６が設けられてなる。図４において、半導体
装置３０は芳香族ポリイミドフィルム２の少なくとも片
面に接着剤３を介して、または蒸着法、スパッタ法やメ
ッキ法によって直接（図示せず）金属層を積層し、形成
された回路５、さらにコ−ト材層６、金属が露出してい
る部分にハンダボ−ル７を形成した基板が金属箔８によ
ってＩＣ９とボンディングされている。図５において、
多層基板４０は芳香族ポリイミドフィルム２の少なくと
も片面に接着剤３を介して、または蒸着法、スパッタ法
やメッキ法によって直接（図示せず）金属層を積層し、
形成した回路５、その上にコ−ト材層６が設けられてな
る回路板と他の回路板とをボンディングシ−ト１１によ
って積層してなり、上下の回路板が導電性を有するスル
ホ−ル１２によって接続されてなる。

【００１０】この発明においては、芳香族ポリイミドフ
ィルムは寸法安定性が良好であることが必要である。寸
法安定性が良好な芳香族ポリイミドフィルムは、好適に
は以下の２つのいずれかによって得られる。 (1) 芳香族ポリイミドフィルムを構成するポリマ−成分
が、テトラカルボン酸成分として３，３’，４，４’−
ビフェニルテトラカルボン酸、その酸二無水物又はその
酸エステルを１５モル％以上およびピロメリット酸二無
水物を０−８５モル％含有し、芳香族ジアミン成分とし
てフェニレンジアミンを１５モル％以上およびジアミノ
ジフェニルエ−テルを０〜８５モル％含有するポリイミ
ド前駆体を使用し、流延製膜法によって膜形成・イミド
化するポリイミドフィルムが好適に使用される。 (2) 芳香族ポリイミドフィルムを構成するポリマ−成分
が、テトラカルボン酸成分として３，３’，４，４’−
ビフェニルテトラカルボン酸、その酸二無水物又はその
酸エステルまたはピロメリット酸二無水物を主要成分と
し、芳香族ジアミン成分としてフェニレンジアミンまた
はジアミノジフェニルエ−テルをポリマ−の主要成分と
するポリイミド前駆体溶液を使用し、流延製膜法によっ
て自己支持性のフィルムを得、２方向に延伸した後、高
温加熱して延伸された自己支持性ポリイミド前駆体フィ
ルムをイミド化するポリイミドフィルムが好適に使用さ
れる。

【００１１】さらに、上記のテトラカルボン酸成分およ
びジアミン成分の他に、その他の芳香族テトラカルボン
酸成分および／または芳香族ジアミン成分を発明の効果
を損なわない範囲で１種あるいは多種含ませてもよい。
併用可能な芳香族テトラカルボン酸成分としては、３，
３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無
水物、２，２’，３，３’−ベンゾフェノンテトラカル
ボン酸二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシ
フェニル）プロパン二無水物、２，２−ビス（２，３−
ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、ビス（３，
４−ジカルボキシフェニル）エ−テル二無水物、ビス
（２，３−ジカルボキシフェニル）エ−テル二無水物、
２，３，６，７−ナフタレンテトラカルボン酸二無水
物、１，２，５，６−ナフタレンテトラカルボン酸二無
水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）
−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン二
無水物、２，２−ビス（２，３−ジカルボキシフェニ
ル）１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン
二無水物等が挙げられる。

【００１２】併用可能な芳香族ジアミン成分としては、
４，４’−ジアミノジフェニルプロパン、４，４’−ジ
アミノジフェニルエタン、４，４’−ジアミノジフェニ
ルメタン、４，４’−ジアミノジフェニルスルフィド、
ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕メタ
ン、２，２−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェ
ニル〕プロパン、２，２−ビス〔４−（アミノフェノキ
シ）フェニル〕−１，１，１，３，３，３−ヘキサフル
オロプロパン、ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フ
ェニル〕エ−テルなどが挙げられる。

【００１３】この発明において、芳香族ポリイミドフィ
ルムは、厚みが１０〜２００μｍ、好ましくは２５〜１
５０μｍ、特に好ましくは５０〜１２５μｍであって、
吸光係数が波長５００ｎｍで１５．０×１０^-3／μｍ以
下、好ましくは１４．０×１０^-3／μｍ以下、特に好ま
しくは５．０×１０^-3／μｍ〜１４．０×１０^-3／μｍ
であって、波長６００ｎｍで５．０×１０^-3／μｍ以
下、好ましくは４．５×１０^-3／μｍ以下、特に好まし
くは２．０×１０^-3／μｍ〜４．５×１０^-3／μである
ことが必要である。この吸光係数は、下記式： 吸光係数＝吸光度／フィルム厚み（μｍ） より求められる。この発明における芳香族ポリイミドフ
ィルムとしては、さらに好ましくは下記の条件： (1) 線膨張係数（５０〜２００℃）が０．５×１０^-5〜
２．５×１０^-5ｃｍ／ｃｍ／℃以下であり、 (2) 吸水率が２．５％以下であり、 (3) 引張弾性率が４５０ｋｇ／ｍｍ² 以上である を満足することが好ましい。

【００１４】芳香族ポリイミドフィルムの吸光係数が前
記範囲外であると、この発明の目的を達成することがで
きない。また、(1) 線膨張係数（５０〜２００℃）、
(2) 吸水率および(3) 引張弾性率が前記範囲内である
と、種々の環境下（高温、エッチィング工程等）におい
た場合に寸法変化が少なく、特にＦＰＣ、ＴＡＢなどの
用途として好適である。

【００１５】この発明における芳香族ポリイミドフィル
ムは、例えば以下のようにして製造することができる。
好適には先ず前記テトラカルボン酸二無水物、好適には
ビフェニルテトラカルボン酸類とフェニレンジアミン、
好適にはパラフェニレンジアミンとをＮ，Ｎ−ジメチル
アセトアミドやＮ−メチル−２−ピロリドンなどのポリ
イミドの製造に通常使用される有機極性溶媒中で、好ま
しくは１０〜８０℃で１〜３０時間重合して、ポリマ−
の対数粘度（測定温度：３０℃、濃度：０．５ｇ／１０
０ｍｌ溶媒、溶媒：Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド）が
０．１〜５ 、ポリマ−濃度が１５〜２５重量％であ
り、回転粘度（３０℃）が５００〜４５００ポイズであ
る基材層Ａ用のポリアミック酸溶液を得る。

【００１６】上記で製造したポリアミック酸溶液の一部
をとり、このポリアミック酸１００重量部に対して０．
０１〜１重量部の（ポリ）リン酸エステルおよび／また
はリン酸エステルのアミン塩などの有機リン含有化合物
あるいは無機リン化合物および、ポリアミック酸１００
重量部に対して０．１〜３重量部のコロイダルシリカ、
窒化珪素、タルク、酸化チタン、燐酸カルシウムなどの
無機フィラ−（好適には平均粒径０．００５〜５μｍ、
特に０．００５〜２μｍ）を添加して薄層Ｂ用のポリア
ミック酸溶液組成物を調製する。

【００１７】得られた基材層Ａ用と薄層Ｂ用のポリアミ
ック酸溶液を用いて多層押出ポリイミドフィルムを得る
方法、例えば、この出願人がすでに特許出願している特
開平３−１８０３４３号公報に記載されている方法を応
用することによって好適に製造することができる。すな
わち、基材層Ａ用ポリアミック酸溶液と、薄層Ｂ用ポリ
アミック酸溶液とを、２層以上の押出し成形用ダイスを
有する押出成形機へ同時に供給して、前記ダイスの吐出
口から両溶液を少なくとも２層の薄膜状体として、薄層
Ｂ用のポリアミック酸溶液が平滑な支持体（金属製支持
体）と接するように支持体上に連続的に押出し、そし
て、前記支持体上の多層の薄膜状体を乾燥し溶媒をかな
り蒸発して除去して自己支持性の多層フィルム（溶媒を
一部含有している）を形成し、次いで、支持体上から該
多層フィルムを剥離し、次いで、該多層フィルムを高温
（２００−５００℃）で充分に加熱処理することによっ
て溶媒を実質的に除去すると共にポリイミド前駆体であ
るポリアミック酸をイミド化して、連続的に製造するこ
とができる。この発明における芳香族ポリイミドフィル
ムは、基材層Ａと薄層Ｂとからなる２層構造のフィルム
であってもよく、また、基材層Ａとその両面の薄層Ｂお
よびＢ’とからなる３層構造のフィルムであってもよ
い。２層、３層構造のフィルムの薄層の厚みは、フィル
ムの厚みの５０％以下、特に０．１〜１０μｍ、好まし
くは０．１〜８μｍ、さらに好ましくは０．３〜６μｍ
である。厚みが薄いと剥離性が悪くなり、厚くなると光
透過性が悪くなる。なお、基材層Ａと薄層Ｂのポリアミ
ック酸溶液（特にポリアミック酸）の組成は同じである
ことが芳香族フィルムのカ−ル等の点で好ましいが、必
ずしも同じである必要はない。例えば、Ｂ層とＢ’層と
でフィラ−の種類や量を変えてもよいし、Ｂ’層にはリ
ン系化合物を添加しなくてもよい。

【００１８】この発明における芳香族ポリイミドフィル
ムにおいて、好適にはテトラカルボン酸二無水物として
３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無
水物と芳香族ジアミンとしてパラフェニレンジアミンと
を重合する方法によって容易に得ることができるが、ポ
リアミック酸としては、前記フィルムの物性値を満足す
る範囲内であれば、３，３’，４，４’−ビフェニルテ
トラカルボン酸二無水物とパラフェニレンジアミンとと
もに他の成分を重合してもよく、また、結合の種類はラ
ンダム重合、ブロック重合のいずれであってもよい。ま
た、最終的に得られるポリイミドフィルム中の各成分の
合計量が前記の範囲内であれば３，３’，４，４’−ビ
フェニルテトラカルボン酸二無水物を含むポリアミック
酸とパラフェニレンジアミンを含むポリアミック酸に他
の成分からなるポリアミック酸成分を混合して使用して
もよい。いずれの場合も前記と同様にして目的とする芳
香族ポリイミドフィルムを得ることができる。また、こ
の発明における芳香族ポリイミドフィルムは、上述の熱
イミド化に限定されず、前記条件の範囲内であれば化学
イミド化によっても同様に得ることができる。

【００１９】この発明における芳香族ポリイミドフィル
ムは、そのままあるいはその表面をコロナ放電処理、火
炎処理、紫外線照射処理、低温あるいは常圧プラズマ放
電処理、表面処理剤塗布処理のいずれか１つの表面処理
を施した後、接着剤を塗布あるいはこれら接着剤のフィ
ルムを積層して接着剤層を設けることができる。

【００２０】この発明の金属張積層板は、前記の芳香族
ポリイミドフィルムの少なくとも片面に接着剤を介して
または蒸着法、スパッタ法やメッキ法によって直接金属
層を積層して得られる。上記芳香族ポリイミドフィル
ム、好適にはフィルムの表面処理面に金属層を積層する
方法としては、蒸着法、スパッタ法、メッキ法で導電体
層を直接積層してもよく、あるいは接着剤を介して金属
層を積層してもよい。直接金属層層を積層する方法は、
それ自体公知の方法で行うことができる。接着剤を介し
て金属層を積層する場合の接着剤は、熱硬化性でも熱可
塑性でもよく、例えばエポキシ樹脂、ＮＢＲ−フェノ−
ル系樹脂、フェノ−ル−ブチラ−ル系樹脂、エポキシ−
ＮＢＲ系樹脂、エポキシ−フェノ−ル系樹脂、エポキシ
−ナイロン系樹脂、エポキシ−ポリエステル系樹脂、エ
ポキシ−アクリル系樹脂、アクリル系樹脂、ポリアミド
−エポキシ−フェノ−ル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポ
リイミドシロキサン−エポキシ樹脂などの熱硬化性接着
剤、またはポリアミド系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポ
リイミド系接着剤、ポリイミドシロキサン系接着剤など
の熱可塑性接着剤が挙げられる。特に、ポリイミド接着
剤、ポリイミドシロキサン−エポキシ接着剤、エポキシ
樹脂接着剤が好適に使用される。

【００２１】この発明における金属は、例えばアルミニ
ウム、銅、銅合金などが挙げられ、銅箔が一般的に使用
される。銅箔としては、電解銅箔、圧延銅箔が挙げら
れ、その引張強度が１７ｋｇ／ｍｍ² 以上であるものが
好ましい。また、その厚みは８〜５０μｍであることが
好ましい。特に、この発明において、厚み３〜３０μｍ
のポリイミド系接着剤と表面粗度の少ない厚み８〜４０
μｍの圧延または電解銅箔を組み合わせて使用すること
が好ましい。

【００２２】この発明の回路板は、前記の芳香族ポリイ
ミドフィルムの少なくとも片面に接着剤を介してまたは
蒸着法、スパッタ法やメッキ法によって直接金属層を積
層し、次いでエッチィング処理して回路を形成して得ら
れる。金属層に回路を形成する方法としては、前記の芳
香族ポリイミドフィルムに直接あるいは接着剤を介して
金属層を積層して金属張基板を製造した後、その金属表
面に例えばエッチィングレジストを回路パタ−ン状（配
線パタ−ン状）に印刷して、配線パタ−ンが形成される
部分の金属表面を保護するエッチィングレジストの配線
パタ−ンを形成した後、それ自体公知の方法でエッチィ
ング液を使用して配線が形成されない部分の金属をエッ
チィングにより除去し、エッチィングレジストを除去す
る方法が挙げられる。

【００２３】このようにして形成した回路板の回路パタ
−ン（配線パタ−ン）上面に、通常は絶縁性のコ−ト材
を塗布し、加熱乾燥してコ−ト層を形成する。コ−ト層
の形成は、コ−ト材（液状物）を回転塗布機械、ディス
ペンサ−または印刷機などを使用する塗布法で均一な厚
さに塗布し、加熱乾燥する。コ−ト材は一般的に無機フ
ィラ−が多量に添加されており、不透明であり、塗布面
から下の回路を明瞭に見ることは困難である。

【００２４】さらに、この発明の応用例であるＴ−ＢＧ
Ａは、例えば以下のようにして得られる。スリットした
芳香族ポリイミドフィルムのテ−プの上に接着剤テ−プ
をラミネ−トし、接着剤付きポリイミドテ−プを得る。
得られたテ−プにスプロケット穴やデバイスホ−ルを打
ち抜き、その上に金属箔を張り合わせる。金属箔を張り
合わせたテ−プを加熱し、接着剤を硬化させる。次い
で、上で述べたように回路パタ−ンを形成し、その上に
パタ−ンの一部を残してコ−ト材をスクリ−ン印刷す
る。次いで、パタ−ン上の銅箔が露出している部分にハ
ンダのボ−ルを形成してＴ−ＢＧＡを作製する。そして
この基板（Ｔ−ＢＧＡ）にＩＣをボンディングし、ＩＣ
の部分を封止材で保護する。次いでこのＩＣをボンディ
ングしたＴ−ＢＧＡをプリント基板の所定の位置にボ−
ルを形成した面を下にして、プリント基板のパタ−ン位
置を上から確認しながら位置を合わせ、リフロ−炉で加
熱し実装する。

【００２５】

【実施例】以下にこの発明の実施例を示す。以下の各例
において、ポリイミドフィルムの物性測定は以下の方法
によって行った。

【００２６】吸光度：下式に従い算出した。 吸光度＝−ｌｏｇ（光透過率） 光透過率：大塚電子製の瞬間マルチ測光システム ＭＣ
ＰＤ−１０００にて測定 線膨張係数（５０〜２００℃）測定：３００℃で３０分
加熱して応力緩和したサンプルをＴＭＡ装置（引張りモ
−ド、２ｇ荷重、試料長１０ｍｍ、２０℃／分）で測定 吸水率：ＡＳＴＭ Ｄ５７０−６３に従って測定（２３
℃×２４時間） 引張弾性率測定：ＡＳＴＭ Ｄ８８２−６４Ｔに従って
測定（ＭＤ） 絶縁破壊電圧：ＡＳＴＭ Ｄ１４９−６４に従って測定
（２５℃） 体積抵抗率：ＡＳＴＭ Ｄ２５７−６１に従って測定
（２５℃） 誘電率：ＡＳＴＭ Ｄ１５０−６４Ｔに従って測定（２
５℃、１ＫＨｚ）

【００２７】透過性の評価は、フィルム自体の透過率を
測定すると共に、ＴＡＢテ−プとＴ−ＢＧＡを試作し、
評価した。ＴＡＢテ−プは、回路面の反対側から光を当
て、回路パタ−ンが充分見分けられるものを良、見分け
が困難なものを不良とした。また、Ｔ−ＢＧＡは、ボ−
ル面を下にして、基板の回路パタ−ンが見分けられるも
のを良とし、見分けが困難なものを不良と判断した。

【００２８】参考例１ 内容積１００リットルの重合槽に、Ｎ，Ｎ−ジメチルア
セトアミド５４．６ｋｇを加え、次いで３，３’，４，
４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物８．８２６
ｋｇとパラフェニレンジアミン３．２４３ｋｇとを加
え、３０℃で１０時間重合反応させてポリマ−の対数粘
度（測定温度：３０℃、濃度：０．５ｇ／１００ｍｌ溶
媒、溶媒：Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド）が１．６
０、ポリマ−濃度が１８重量％であるポリアミック酸
（イミド化率：５％以下）溶液を得た。

【００２９】参考例２ 参考例１で製造したポリアミック酸溶液に、ポリアミッ
ク酸１００重量部に対して０．１重量部の割合でモノス
テアリルリン酸エステルトリエタノ−ルアミン塩および
０．５重量部の割合（固形分基準）で平均粒径０．０８
μｍのコロイダルシリカを添加して均一に混合してポリ
アミック酸溶液組成物を得た。

【００３０】参考例３ Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド５３．６ｋｇ、パラフェ
ニレンジアミン２．２７ｋｇ、４，４’−ジアミノジフ
ェニルエ−テル１．８０２ｋｇ、３，３’，４，４’−
ビフェニルテトラカルボン酸二無水物４．４１３ｋｇと
ピロメリット酸二無水物３．２７２ｋｇ加えた他は参考
例１と同様に重合し、ポリアミック酸の溶液（回転粘
度：１４００ポイズ、１８重量％）を得た。

【００３１】参考例４ 参考例３で製造したポリアミック酸溶液に、ポリアミッ
ク酸１００重量部に対して０．１重量部の割合でモノス
テアリルリン酸エステルトリエタノ−ルアミン塩および
０．５重量部の割合（固形分基準）で平均粒径０．０８
μｍのコロイダルシリカを添加して均一に混合してポリ
アミック酸溶液組成物を得た。

【００３２】実施例１ 参考例１で製造したポリアミック酸溶液と参考例２で製
造したポリアミック酸溶液を使用して、２層押出ダイス
から、参考例２のポリアミック酸溶液層が支持体面と接
するように、平滑な金属支持体面の上に押出し、１４０
℃の熱風で連続的に乾燥し、自己支持性フィルムを形成
し、その自己支持性フィルムを支持体から剥離した。フ
ィルムは問題なく剥離した。次いで、加熱炉で、２００
℃から４８０℃まで徐々に昇温して、溶媒を除去すると
共にポリマ−をイミド化した。得られたフィルムの厚み
は７５μｍで、参考例２のポリアミック酸に対応するポ
リイミドの層が５μｍである。このフィルムの物性を表
１に示す。このフィルムを使用し、以下のようにして接
着剤付きテ−プ、金属張積層板および回路板を作製し、
評価した。評価結果を表１に示す。

【００３３】ＴＡＢテ−プを以下のように作製した。３
５ｍｍ幅にスリットした芳香族ポリイミドフィルムのテ
−プの上に幅２９．６ｍｍで厚み１０μｍの接着剤付き
ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレ−ト）のテ−プを３５
ｍｍ幅のポリイミドテ−プの中央に接着剤をポリイミド
面と合わせるようにラミネ−トし、接着剤付きポリイミ
ドテ−プを得る。得られたテ−プにスプロケット穴やデ
バイスホ−ルを打ち抜き、その上に約３１ｍｍ幅の３５
μｍ厚みの電解銅箔を張り合わせる。銅箔を張り合わせ
たテ−プを加熱し、接着剤を硬化させる。次いで、回路
パタ−ンを形成し、その上にコ−ト材をスクリ−ン印刷
した。このＴＡＢテ−プの回路面と反対側から検査し
た。Ｔ−ＢＧＡを以下のように作製した。３５ｍｍ幅に
スリットした芳香族ポリイミドフィルムのテ−プの上に
幅２９．６ｍｍで厚み１０μｍの接着剤付きＰＥＴ（ポ
リエチレンテレフタレ−ト）のテ−プを３５ｍｍ幅のポ
リイミドテ−プの中央に接着剤をポリイミド面と合わせ
るようにラミネ−トし、接着剤付きポリイミドテ−プを
得る。得られたテ−プにスプロケット穴やデバイスホ−
ルを打ち抜き、その上に約３１ｍｍ幅の３５μｍ厚みの
電解銅箔を張り合わせる。銅箔を張り合わせたテ−プを
加熱し、接着剤を硬化させる。次いで、回路パタ−ンを
形成し、その上にコ−ト材をスクリ−ン印刷する。次い
で、パタ−ン上の銅箔が露出している部分にハンダのボ
−ルを形成してＴ−ＢＧＡを作製し、検査した。この基
板にＩＣをボンディングし、ＩＣの部分を封止材で保護
し、次いで、このＩＣをボンディングしたＴ−ＢＧＡを
プリント基板の所定の位置にボ−ルを形成した面を下に
して、プリント基板のパタ−ン位置を上から確認しなが
ら位置合わせを行う。この際位置合わせは良好であっ
た。

【００３４】実施例２ ポリアミック酸溶液の供給量を変えた他は実施例１と同
様にして、参考例１のポリアミック酸に対応するポリイ
ミドの層の厚みを７３μｍ、参考例２のポリアミック酸
に対応するポリイミドの層の厚みを２μｍにした以外は
実施例１と同様にして７５μｍのポリイミドフィルムを
得た。このフィルムの物性を表１に示す。このフィルム
を使用し、実施例１と同様にして接着剤付きテ−プ、金
属張積層板および回路板を得た。評価結果を表１に示
す。

【００３５】実施例３ ポリアミック酸溶液の供給量を変えた他は実施例１と同
様にして、参考例１のポリアミック酸に対応するポリイ
ミドの層の厚みを４８μｍ、参考例２のポリアミック酸
に対応するポリイミドの層の厚みを２μｍにした以外は
実施例１と同様にして５０μｍのポリイミドフィルムを
得た。このフィルムの物性を表１に示す。このフィルム
を使用し、実施例１と同様にして接着剤付きテ−プ、金
属張積層板および回路板を得た。評価結果を表１に示
す。

【００３６】実施例４ ポリアミック酸溶液の種類および供給量を変えた他は実
施例１と同様にして、参考例３のポリアミック酸に対応
するポリイミドの層の厚みを４８μｍ、参考例４のポリ
アミック酸に対応するポリイミドの層の厚みを２μｍに
した以外は実施例１と同様にして５０μｍのポリイミド
フィルムを得た。このフィルムの物性を表１に示す。こ
のフィルムを使用し、実施例１と同様にして接着剤付き
テ−プ、金属張積層板および回路板を得た。評価結果を
表１に示す。

【００３７】比較例１ 参考例２で製造したポリアミック酸溶液を使用して、１
層押出ダイスから、平滑な金属支持体面の上に押出した
以外は実施例１と同様にして７５μｍのポリイミドフィ
ルムを得た。このフィルムの物性を表１に示す。このフ
ィルムを使用し、実施例１と同様にして接着剤付きテ−
プ、金属張積層板および回路板を得た。評価結果を表１
に示す。

【００３８】比較例２ 参考例４で製造したポリアミック酸溶液を使用して、１
層押出ダイスから、平滑な金属支持体面の上に押出した
以外は実施例１と同様にして５０μｍのポリイミドフィ
ルムを得た。このフィルムの物性を表１に示す。このフ
ィルムを使用し、実施例１と同様にして接着剤付きテ−
プ、金属張積層板および回路板を得た。評価結果を表１
に示す。

【００３９】比較例３ 市販の芳香族ポリイミドフィルム（宇部興産製、ユ−ピ
レックス−Ｓ、５０μｍ）の物性を表１に示す。このフ
ィルムを使用し、実施例１と同様にして接着剤付きテ−
プ、金属張積層板および回路板を得た。評価結果を表１
に示す。

【００４０】比較例４ 市販の芳香族ポリイミドフィルム（東レ・デュポン社
製、カプトン２００Ｈ、５０μｍ）の物性を表１に示
す。このフィルムを使用し、実施例１と同様にして接着
剤付きテ−プ、金属張積層板および回路板を得た。評価
結果を表１に示す。

【００４１】

【表１】

【００４２】

【発明の効果】この発明は以上説明したように構成され
ているので、以下に記載のような効果を奏する。この発
明の接着剤付きテ−プ、金属張積層板および回路板は、
芳香族ポリイミドフィルムの光透過性が良いので、位置
合わせや欠陥検査が容易になり、生産性向上、不良率低
減に有益である。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は、この発明の接着剤付きシ−トの一例を
示す断面概略図である。

【図２】図２は、この発明の金属張積層板の一例を示す
断面概略図である。

【図３】図３は、この発明の回路板の一例を示す断面概
略図である。

【図４】図４は、この発明の他の実施例の一部断面概略
図である。

【図５】図５は、この発明の他の実施例の一部断面概略
図である。 １ 接着剤付きシ−ト ２ 芳香族ポリイミドフィルム ３ 接着剤 ４ 金属層 ５ 回路 ６ コ−ト材層 ７ ハンダボ−ル ８ 金属箔 ９ ＩＣ １０ 金属張積層板 １１ ボンディングシ−ト １２ スルホ−ル ２０ 回路板 ３０ 半導体装置 ４０ 多層基板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 ＦＩ Ｃ０９Ｊ 179/08 Ｃ０９Ｊ 179/08 Ｃ２３Ｃ 14/20 Ｃ２３Ｃ 14/20 Ｂ (72)発明者 山本 智彦 山口県宇部市大字小串1978番地の10 宇部 興産株式会社宇部ケミカル工場内 (72)発明者 細馬 敏徳 山口県宇部市大字小串1978番地の10 宇部 興産株式会社宇部ケミカル工場内

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 寸法安定性が良好でかつ厚みが１０〜２
   ００μｍであって、吸光係数が波長５００ｎｍで１５．
   ０×１０^-3／μｍ以下、波長６００ｎｍで５．０×１０
   ^-3／μｍ以下である芳香族ポリイミドフィルムの少なく
   とも片面に接着剤が設けられてなる接着剤付きシ−ト。
2. 【請求項２】 芳香族ポリイミドフィルムが、さらに下
   記の条件 (1) 線膨張係数（５０−２００℃）が０．５×１０^-5〜
   ２．５×１０^-5ｃｍ／ｃｍ／℃以下であり、 (2) 吸水率が２．５％以下であり、 (3) 引張弾性率が４５０ｋｇ／ｍｍ² 以上である を満足する請求項１記載の接着剤付きシ−ト。
3. 【請求項３】 芳香族ポリイミドフィルムが、最終的に
   得られるポリイミドの成分割合換算で、テトラカルボン
   酸成分としてビフェニルテトラカルボン酸、その酸二無
   水物又はその酸エステルを１５モル％以上およびピロメ
   リット酸、その酸二無水物又はその酸エステルを０〜８
   ５モル％含有し、芳香族ジアミン成分としてフェニレン
   ジアミンを１５モル％以上およびジアミノジフェニルエ
   −テルを０〜８５モル％含有するポリアミック酸の溶液
   を使用して溶液流延法で製造されたものである請求項１
   記載の接着剤付きシ−ト。
4. 【請求項４】 芳香族ポリイミドフィルムが、基体層
   （フィルム全体の厚みの５０％以上）の片面に薄層（フ
   ィルム全体の厚みの５０％以下）を形成してなり該薄層
   表面に流延製膜法による成形時に金属支持体との剥離性
   が与えられ、基体層に透明性向上性が与えられてなる請
   求項１記載の接着剤付きシ−ト。
5. 【請求項５】 芳香族ポリイミドフィルムが、その表面
   をコロナ放電処理、火炎処理、紫外線照射処理、低温あ
   るいは常圧プラズマ放電処理、表面処理剤塗布処理のい
   ずれか１つの表面処理がされている請求項１記載の接着
   剤付きシ−ト。
6. 【請求項６】 芳香族ポリイミドフィルムが、０．１Ｋ
   Ｖ／μｍ以上の絶縁破壊電圧、１×１０¹⁵Ω・ｃｍ以上
   の体積抵抗率（２５℃）を有する請求項１記載の接着剤
   付きシ−ト。
7. 【請求項７】 接着剤が、エポキシ樹脂、ＮＢＲ−フェ
   ノ−ル系樹脂、フェノ−ル−ブチラ−ル系樹脂、エポキ
   シ−ＮＢＲ系樹脂、エポキシ−フェノ−ル系樹脂、エポ
   キシ−ナイロン系樹脂、エポキシ−ポリエステル系樹
   脂、エポキシ−アクリル系樹脂、アクリル系樹脂、ポリ
   アミド−エポキシ−フェノ−ル系樹脂、ポリイミド系樹
   脂、ポリイミドシロキサン−エポキシ樹脂などの熱硬化
   性接着剤、またはポリアミド系樹脂、ポリエステル系樹
   脂、ポリイミド系接着剤、ポリイミドシロキサン系接着
   剤などの熱可塑性接着剤である請求項１記載の接着剤付
   きシ−ト。
8. 【請求項８】 寸法安定性が良好でかつ厚みが１０〜２
   ００μｍであって、吸光係数が波長５００ｎｍで１５．
   ０×１０^-3／μｍ以下、波長６００ｎｍで５．０×１０
   ^-3／μｍ以下である芳香族ポリイミドフィルムの少なく
   とも片面に接着剤を介してまたは蒸着法、スパッタ法や
   メッキ法によって直接金属層が積層されてなる金属張積
   層板。
9. 【請求項９】 接着剤が厚み３〜３０μｍのポリイミド
   系接着剤であり、金属層が表面粗度の少ない厚み８〜５
   ０μｍの圧延または電解銅箔である請求項８記載の金属
   張積層板。
10. 【請求項１０】 寸法安定性が良好でかつ厚みが１０〜
    ２００μｍであって、吸光係数が波長５００ｎｍで１
    ５．０×１０^-3／μｍ以下、波長６００ｎｍで５．０×
    １０^-3／μｍ以下である芳香族ポリイミドフィルムの少
    なくとも片面に接着剤を介してまたは蒸着法、スパッタ
    法やメッキ法によって直接金属層を積層し、次いで回路
    を形成してなる回路板。