JP2003200524A - 抵抗層内蔵型銅張り積層板、それを用いたプリント回路基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 シート抵抗値が高く、また銅との同時溶解を
起こしづらい抵抗層を備えた抵抗層内蔵型銅張り積層板
を提供する。 【解決手段】 両面がＪＩＳ Ｂ ０６０１で規定する
１０点平均粗さ（Rz）で０.５〜２.５μｍの表面粗さに
なっている基体銅箔１の少なくとも一方の表面に、電気
抵抗率が０.０５〜２μΩ・ｍである導電性物質から成
る抵抗層２が、好適には５〜３００mg／ｍ²の厚みで形
成されている抵抗層付き銅箔が、絶縁基材Ｄの片面また
は両面にラミネートされている抵抗層内蔵型銅張り積層
板Ｃ。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は抵抗層内蔵型銅張り
積層板とそれを用いたプリント回路基板に関し、更に詳
しくは、絶縁基材にラミネートすることにより高抵抗の
抵抗回路が内蔵されたプリント回路基板を製造する際に
用いて好適な抵抗層内蔵型銅張り積層板に関する。

【０００２】

【従来の技術】携帯電話に代表されるように、各種の機
能を備えた電気・電子機器の軽薄短小化が急速に進んで
いる。その発展は、各種半導体部品の微小製造技術，半
導体部品を搭載するプリント回路基板の多層化技術、更
にはプリント回路基板への搭載部品の高密度実装技術な
どで裏付けられている。

【０００３】そして、最近の消費者動向として、更なる
軽薄短小化への要求が強まっている。しかしながら、搭
載部品の微小化には限界があり、従来の表面実装技術を
前提にすると、それら部品の高密度実装化も限界に近づ
きつつある。このようなことから、プリント回路基板の
表面のうち、可成りの面積を占める搭載部品の面積を小
さくするために、搭載部品の実装点数を低減化すること
が求められている。

【０００４】このような要求に応える試みの１つとし
て、大きな実装面積を占める部品（例えば、インダク
タ，キャパシタ，抵抗器など）をプリント回路基板の内
層に内蔵して、実質的な高密度実装とコスト低減、およ
び性能向上を実現するための努力がなされている。この
部品内蔵化の技術に関しては、例えば多層構造のセラミ
ック回路基板において、その内層に厚膜ペーストなどの
導電性ペーストを焼き付けることにより抵抗回路のパタ
ーンを形成したものが知られている。

【０００５】しかしながら、このセラミック回路基板の
場合、抵抗回路のパターンをトリミングして抵抗回路の
抵抗値を所定値に調整することができず、また内蔵され
ている抵抗回路の抵抗値の精度が低く、更には高価格で
もある。そのため、従来から汎用されている樹脂基材を
用いて製造されるプリント回路基板に対比すると、用途
は限定され、また、将来予想されるシステムＬＳＩなど
の能動部品の内蔵化は不可能である。

【０００６】一方、導体回路形成用の銅箔の片面または
両面に、抵抗回路を形成するための材料層（抵抗層とい
う）を形成して成る抵抗層付き銅箔を樹脂基材にラミネ
ートして製造する抵抗回路内蔵型のプリント回路基板が
知られている。このプリント回路基板は、概ね、次のよ
うにして製造される。まず、上記した銅箔の抵抗層側の
面と絶縁樹脂から成る基材とをラミネートして銅張り積
層板にする。ついで、所定のエッチャントで１次エッチ
ングを行って、銅箔と抵抗層が一体化した状態になって
いる所定の回路パターンを形成し、ついで、この回路パ
ターンの表面側に位置する導体回路（銅箔）に対して２
次エッチングを行って当該銅箔の必要箇所のみを選択的
にエッチング除去し、その箇所の抵抗層は残置させる。
その後、全体の上に更に絶縁基材を積層し、抵抗層を内
蔵する。

【０００７】このようなプリント回路基板の例として
は、Ohmega Technologies, Inc.からOmega-plyの商品名
で抵抗層内蔵銅張り積層板が市販されている。しかしな
がら、この抵抗層内蔵銅張り積層板は、シート抵抗値の
最高値が２５０Ω／sq程度と低く、また価格も従来の銅
張り積層板の１０倍以上であるため、可成り特殊な用途
に限定使用されるにとどまっている。

【０００８】また、特公昭５５−４２５１０号公報に
は、Ｓｎ−Ｎｉ合金で抵抗回路パターンを配線した抵抗
層内蔵のプリント回路基板が開示され、特開昭５８−２
２０４９１号公報には、Ｓｎ−Ｎｉ−Ｓの３元合金で抵
抗回路パターンを形成したプリント回路基板が開示され
ている。しかしながら、これらのプリント回路基板は、
いずれも、抵抗層のＳｎ成分が導体回路であるＣｕ成分
と室温下においても反応してＳｎ−Ｃｕ化合物を生成す
るので、時間経過とともに、または高温環境下にある
と、上記反応生成物の成長が進んで抵抗回路の抵抗値が
変化するという問題が生ずる。

【０００９】また、後者のプリント回路基板の場合に
は、Ｃｕ成分がＳ成分で腐食されることもあるので、抵
抗回路の経時的な抵抗値の変化という問題だけではな
く、導体回路それ自体も変質するという問題が発生す
る。なお、抵抗層の構成材料としては、例えば特許第３
０２２９６９号に、金属ＣｒにＣ成分とＯ成分を含む材
料が記載されている。この抵抗層は、導電性材料と絶縁
材料の積層箔であって、厚み０.１〜０.４μｍで、その
シート抵抗値は１５〜１０００Ω／sqである。また、特
開平１０−５１０９８号公報にも、金属Ｃｒ層または金
属Ｃｒを含むクロメート層で抵抗層を形成することが開
示されている。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】ところで、現在汎用さ
れているプリント回路基板に実装されている抵抗器の抵
抗値は、概ね、１０Ω／sq〜１MΩ／sqの範囲内にあ
る。しかしながら、前記した抵抗回路内蔵型の従来のプ
リント回路基板の場合、その抵抗層のシート抵抗値は高
々１kΩ／sq程度であり、上記した１０Ω／sq〜１MΩ／
sqの範囲に比べれば非常に低い水準にある。

【００１１】したがって、このような抵抗回路内蔵型の
プリント回路基板において、その抵抗回路の抵抗値を現
行の水準にまで高めようとすると、抵抗回路パターンの
全長を長くしなければならない。しかしながら、そのよ
うな対策の場合、内蔵されている抵抗回路パターンの面
積を大きくすることが必要となり、その結果、他の実装
部品の搭載面積は小さくなり、その高密度実装が阻害さ
れてしまう。

【００１２】また、特許第３０２２９６９号に記載され
ている抵抗層は、そのシート抵抗値が１kΩ／sq程度で
あり、確かに、前記した他の先行技術の場合に比べれば
高い水準にある。しかしながら、その構成材料は金属Ｃ
ｒ系であって、いわば汎用材料とはいえないという問題
がある。例えば高価格である。また、前記した１次エッ
チング時に使用するエッチャントは抵抗層の金属Ｃｒ系
材料もエッチング除去できるものでなければならないの
で、特殊なものとなり、またエッチング条件も厳しくな
るという問題が生ずる。しかも、そのような過酷なエッ
チング条件に、既に形成されている導体回路（Ｃｕ）も
晒されるので、結局、形成された導体回路の信頼性は低
下し、同時に抵抗回路の抵抗値精度も低下することがあ
る。

【００１３】また、従来からある抵抗層付き銅箔に用い
られている銅箔（基体銅箔）は、そのほとんどが電解銅
箔である。この電解銅箔は、一般に、表面がＴｉやステ
ンレス鋼から成る回転ドラムの当該表面にＣｕを連続的
に電着させて銅箔を成膜したのち、その銅箔を連続的に
剥離して製造されている。製造された銅箔は、通常、回
転ドラム側の表面が平滑で光沢面になっていてシャイニ
ー面（Ｓ面）と呼ばれ、電解めっき液側の表面が粗面に
なっていてマット面（Ｍ面）と呼ばれている。

【００１４】そして、抵抗層付き銅箔の製造に際して
は、従来、上記した粗面（Ｍ面）に抵抗層が形成されて
いるのが通例である。ラミネート後に樹脂絶縁基材との
接合強度を確保するためである。しかしながら、最近の
プリント回路基板において強く要求されている配線のフ
ァインパターン化という問題との関係では、上記した抵
抗層付き銅箔を用いると、１次エッチングや２次エッチ
ング時にファインな導体回路や抵抗回路を形成すること
が困難であるという問題が生じている。

【００１５】本発明は、従来の抵抗回路内蔵型のプリン
ト回路基板における上記した問題を解決することができ
る抵抗層内蔵型銅張り積層板とそれを用いたプリント回
路基板の提供を目的とする。具体的には、抵抗層が現行
のチップ抵抗器の抵抗値と近似した大きさの抵抗値を有
し、しかも、１次エッチング時や２次エッチング時に
は、現行のエッチャントを用いることにより、銅箔と抵
抗層の同時溶解，銅箔のみの選択的なエッチングのいず
れもが可能である材料で構成されており、更には、ファ
インな導体回路と抵抗回路を形成することができる抵抗
層内蔵型銅張り積層板の提供を目的とする。

【００１６】

【課題を解決するための手段】上記した目的を達成する
ために、本発明においては、両面がＪＩＳ Ｂ ０６０
１で規定する１０点平均粗さ（Rz）で０.５〜２.５μｍ
の表面粗さになっている基体銅箔の少なくとも一方の表
面に、電気抵抗率が０.０５〜２μΩ・ｍである導電性
物質から成る抵抗層が形成されている抵抗層付き銅箔が
絶縁基材の片面または両面にラミネートされていること
を特徴とする抵抗層内蔵型銅張り積層板が提供される。

【００１７】また、本発明においては、上記した抵抗層
内蔵型銅張り積層板を用いたプリント回路基板であっ
て、内層または／および外層には、前記基体銅箔から成
る導体回路と前記抵抗層から成る抵抗回路が積層された
回路のパターンが形成されていることを特徴とするプリ
ント回路基板が提供される。

【００１８】

【発明の実施の形態】図１に、本発明の抵抗層内蔵銅張
り積層板の１例Ｃを示す。この銅張り積層板Ｃは、基体
銅箔１と抵抗層２から成る後述の抵抗層付き銅箔Ａが絶
縁基材Ｄにラミネートされた構造になっている。ここ
で、絶縁基材Ｄとしては、従来からプリント回路基板の
基材として用いられているものであれば何であってもよ
く、格別限定されるものではない。例えば、エポキシ
系、ポリイミド系、ポリエステル系、またはフェノール
系などの熱硬化性樹脂から成る基材や、これら樹脂と
紙、ガラス布、ガラス繊維などとの複合材のプリプレグ
をあげることができる。

【００１９】このような絶縁基材Ｄと、抵抗層付き銅箔
Ａとのラミネートは、当該抵抗層付き銅箔の抵抗層２側
の面と絶縁基材とを重ね合わせ、熱プレスして実現する
ことができる。したがって、ラミネート後に得られた積
層板Ｃにおいては、最外層が基体銅箔から成り、抵抗層
２は絶縁基材と接合した状態で内蔵されることになる。

【００２０】そして、この抵抗層内蔵銅張り積層板Ｃに
対して、後述する１次エッチング、２次エッチングを行
うことにより、基体銅箔１と抵抗層２の所定の回路パタ
ーンが形成された抵抗回路を内蔵するプリント回路基板
が製造される。ここで、上記した抵抗層付き銅箔の基本
例Ａを図２に示す。この銅箔Ａは、基体銅箔１の片面１
ａに後述する抵抗層２が形成されている。また、抵抗層
２は両面に形成されていてもよい。

【００２１】ここで、基体銅箔１としては、圧延銅箔や
後述する電解銅箔のいずれであってもよいが、その両面
１ａ，１ｂは、ＪＩＳ Ｂ ０６０１で規定する１０点
平均粗さ（Rz）で０.５〜２.５μｍの光沢面になってい
るものが使用される。なお、圧延銅箔は、一般に、銅の
鋳塊に熱間圧延，冷間圧延を行って製造されており、そ
の両面は光沢面であるが、電解銅箔の場合は、Ｓ面とＭ
面を有し、片面のみが光沢面になっている。

【００２２】しかしながら、通常の圧延銅箔の表面に
は、圧延ロール表面の微細な疵やオイルピットなどによ
る圧延痕が発生することがあり、しかもその圧延痕は上
記Rz値より大きい粗さであるため、圧延銅箔を使用する
場合、前記圧延痕が発生していないものを使用すべきで
ある。一方、Ｓ面とＭ面を有する電解銅箔の場合、電解
めっき液にメルカプト基を有する化合物を添加してカソ
ード電解を行うと、Ｓ面よりもＭ面の方が平滑であっ
て、かつ、優れた機械的特性と耐熱性を有する電解銅箔
を製造することができる。

【００２３】したがって、上記した方法で製造した電解
銅箔を、続いて、スキンパス程度の軽い圧下率かまたは
スキンパス以上の圧下率で圧延することにより、両面を
超平滑にして使用することが好ましい。このようなメル
カプト基を有する化合物としては、例えば３−メルカプ
ト１−プロパンスルホン酸塩，ＨＳ(ＣＨ₂)₃ＳＯ₃Ｎａ
などをあげることができる。

【００２４】なお、上記したメルカプト基を有する化合
物に加えて、更に、塩素イオンと、デンプンやセルロー
ス誘導体に代表される高分子多糖類、または低分子量の
膠を電解めっき液に添加すると、一層優れた両面光沢の
電解銅箔を得ることができる。上記したセルロース誘導
体としては、例えばカルボキシメチルセルロースナトリ
ウムやカルボキシメチルヒドロキシエチルセルロースエ
ーテルのような水溶性セルロースエーテルをあげること
ができる。また低分子量の膠としては、例えば、ＰＢＦ
（商品名、ニッピゼラチン社製）やＰＣＲＡ（商品名、
Peter Cooper社製）のように、膠やゼラチンを酵素や酸
またはアルカリで分解して例えば分子量を１万以下と
し、ゼリー強度を小さくしたものをあげることができ
る。

【００２５】銅箔Ａは、上記抵抗層２側の表面を例えば
ガラスエポキシ樹脂から成る絶縁基材（図示しない）と
ラミネートして使用される。したがって、ラミネート後
に得られた積層板においては、最外層が基体銅箔から成
り、抵抗層は絶縁基材と接合した状態で内蔵されること
になる。ここで、基体銅箔１の表面１ａ（１ｂ）のRz値
を０.５〜２.５μｍと規定した理由は以下のとおりであ
る。

【００２６】Rz値が上記した値になっていると、その表
面は平滑である。そのため、後述する抵抗層を均一にか
つ薄く形成することができる。その結果、絶縁基材との
ラミネート後における１次エッチング時や２次エッチン
グ時に、ファインな回路パターンの形成が可能であると
ともに、Ｃｕの選択的なエッチング除去が可能で、形成
された抵抗回路の抵抗値が非常に高くなるからである。

【００２７】次に抵抗層２について説明する。この抵抗
層２は、電気抵抗率が０.０５〜２μΩ・ｍである導電
性物質で構成される。具体的には、上記導電性物質を基
体銅箔１の表面に電析で形成して抵抗層とすることが好
適である。なお、上記した電気抵抗率は温度２９８Ｋ近
辺における値である。

【００２８】抵抗層２は、最終的には内蔵された抵抗回
路のパターンに転化するとはいえ、広い範囲の導電性を
備えていることが必要であり、また、高抵抗の抵抗回路
になるためには、薄く、しかも厚みのばらつきがない均
一な層として形成されることが必要である。このような
ことを勘案すると、抵抗層の形成方法としては、銅箔へ
の均一皮膜形成に最も好適である電析を適用することが
好ましい。

【００２９】その場合、電気抵抗率が０.０５μΩ・ｍ
より小さい導電性物質で抵抗層２を形成すると、高いシ
ート抵抗値の抵抗層を形成するためには、当該抵抗層の
厚みを非常に薄くすることが必要になる。しかし、その
ような薄い抵抗層では、２次エッチング（銅の選択的エ
ッチング）時に基体銅箔と共に溶解されやすくなり、結
局、厚みが均一な層形成が困難になる。また、電気抵抗
率が２μΩ・ｍより大きい導電性物質の抵抗層を電析で
形成することは極めて困難である。

【００３０】このようなことから、抵抗層の形成に際し
ては、電気抵抗率が０.０５〜２μΩ・ｍである導電性
物質が使用される。なお、ここでいうシート抵抗値と
は、これら銅箔Ａ，Ｂの抵抗層側を絶縁基材とラミネー
トしたのち、表面の基体銅箔のみを選択的にエッチング
除去し、残存する抵抗層について測定される抵抗値のこ
とである。

【００３１】抵抗層は、用いる導電性物質の種類に応じ
て、次の２つのタイプのものになる。第１のタイプの抵
抗層は、９８質量％以上の単一成分を主成分として含
み、残部は不可避的不純物または１質量％未満のＣｕ成
分を含むものである。第２のタイプの抵抗層は、９５質
量％以上の主成分と３質量％以下の副成分を含み、残部
は不可避的不純物または１質量％未満のＣｕ成分を含む
ものである。

【００３２】第１のタイプの抵抗層における単一成分と
しては、例えば、Ｎｉ，Ｃｏ，Ｐｄ，Ｂｉのいずれかを
あげることができる。また、Ｎｉ−Ｐｄ，Ｎｉ−Ｃｏの
ような共析相や、Ｐｔ単体も使用することができる。ま
た第２のタイプの抵抗層の場合、主成分としては上記し
た金属のいずれかを、副成分としては主成分の種類に応
じて例えばＰ，Ｂ，Ｐｄ，Ｂｉ，Ｗのいずれかをあげる
ことができる。

【００３３】すなわち、第２のタイプの抵抗層の場合、
主成分と副成分を組み合わせた導電性物質としては、例
えば、前者を主成分、後者を副成分としたとき、Ｎｉ−
Ｐ，Ｎｉ−Ｂ，Ｃｏ−Ｐ，Ｃｏ−Ｂ，Ｎｉ−Ｂｉ，Ｎｉ
−Ｗ，Ｎｉ−Ｐｄなどをあげることができる。第１のタ
イプの抵抗層，第２のタイプの抵抗層は、上記した導電
性物質を主体として構成されているが、更には、不可避
的不純物または１質量％未満のＣｕ成分が含まれていて
もよい。

【００３４】これらのうち、Ｃｕ成分の含有量が規制さ
れる理由は以下のとおりである。まず、銅箔Ａは、抵抗
層側の面を絶縁基材にラミネートとしたのち１次エッチ
ングを行って、一旦、基体銅箔と抵抗層２が積層された
状態で所定パターンの回路を形成する。ついで、２次エ
ッチングを行って、抵抗回路を形成したい部分の基体銅
箔部分を選択的にエッチング除去して所望するパターン
の抵抗回路が形成される。

【００３５】その場合、抵抗層にＣｕ成分が含有されて
いると、上記したエッチングの過程で抵抗層のＣｕ成分
が溶解除去されることになる。その結果、抵抗層の均一
性は劣化し、そのシート抵抗値のばらつきが大きくな
る。また、オーバーエッチングも起こりやすくなり、シ
ート抵抗値が設計値よりも大きくなるという事態が発生
する。更には、Ｃｕ成分を含有したままの状態で抵抗回
路がプリント回路基板に内蔵されていると、時間経過と
ともに、Ｃｕ成分の酸化や腐食などにより抵抗回路の抵
抗値が変動し、プリント回路基板の長期信頼性は低下す
る。

【００３６】このような事態の発生を防止するために、
銅箔Ａの抵抗層においては、Ｃｕ成分を含有しないこと
を最適とするが、含有されている場合であってもその含
有量は１質量％以下に規制される。なお、銅箔Ａの場
合、１次エッチング時には、回路パターン形成に従来か
ら使用されている塩化第二銅や塩化第二鉄の水溶液をエ
ッチャントとして用いることができる。これらのエッチ
ャントは、基体銅箔と抵抗層を所定の回路パターンで同
時に形成することができる。

【００３７】基体銅箔のみを選択的にエッチング除去す
る２次エッチングにおいては、アルカリアンモニア系，
過酸化水素−硫酸系などの一般的なエッチャントを用い
ることができる。これらの抵抗層の厚みは５〜３００mg
／ｍ²に設定されることが好ましい。この厚みが５mg／
ｍ²より薄い場合は、前記した２次エッチング時におけ
る銅箔の選択的なエッチング除去が円滑に進まず、抵抗
層も部分的にエッチング除去されてしまうので、形成さ
れた抵抗回路の抵抗値のばらつきが大きくなるからであ
る。とくに第２のタイプの抵抗層の場合はその傾向が強
く発現する。

【００３８】また、厚みが３００mg／ｍ²より厚くなる
と、そのシート抵抗値は５０Ω／sqを大きく下回るよう
になり、高抵抗の抵抗回路の形成という本発明の目的に
そぐわなくなるからである。なお、第１のタイプの抵抗
層の場合、その厚みを薄くしていくと急激にシート抵抗
値が高くなっていく。すなわち、抵抗層が薄くなると、
形成された抵抗層の厚みによってシート抵抗値は大きく
変動する。そのため、抵抗値が所定の設計値となるよう
に抵抗層の厚みを制御することが困難になる。

【００３９】その点では、第２のタイプの抵抗層は、副
成分の配合量を調節することにより、高抵抗領域におい
て、その抵抗値を設計値にコントロールしやすいという
利点を備えている。例えば、Ｎｉ，Ｃｏを主成分とした
場合、副成分としてＰ，Ｂ，Ｐｄ，Ｂｉ，Ｗなどの配合
量を調節して抵抗値の制御が可能であり、Ｐｄを主成分
とした場合には、Ｎｉ，Ｐ，Ｂ，Ｗを副成分とし、所定
の抵抗値となるようにそれらの配合量を調節すればよ
く、Ｂを主成分とした場合には、Ｐ，Ｗを副成分として
それらの配合量を調節すればよい。

【００４０】これらの副成分は、いずれも、主成分の場
合と同様に、Ｃｕ成分に比べてマイグレーションを起こ
しづらく、低温域ではＣｕ成分と化合物を生成しにく
く、また主成分との間では化学結合性が良好であるた
め、微量転化により、単一成分の量で抵抗値を制御しよ
うとする第１のタイプの抵抗層の場合に比べて、副成分
の配合量をわずかに変化させるだけで各種値の抵抗値を
発現させることができる。換言すれば、１０kΩ／sq以
上の高いシート抵抗値の領域を想定した場合であって
も、副成分の配合量を微量変化させるだけで、その高抵
抗領域内でシート抵抗値の制御が可能となる。

【００４１】しかしながら、他方では、多量の副成分を
配合すると、前記した銅箔の選択的エッチングを行う２
次エッチング時において、抵抗層は用いたエッチャント
に溶解しやすくなり、その結果、形成された抵抗回路の
抵抗値は設計値から外れやすくなる。そのため、第２の
タイプの抵抗層においては、主成分は９５質量％以上と
し、この副成分の配合量は３質量％以下に設定される。

【００４２】抵抗層の厚みは１０〜５０mg／ｍ²である
ことが更に好ましい。抵抗層の厚みも均一に維持され、
そのシート抵抗値は０.５kΩ／sq〜５００kΩ／sqと高
い値を示すようになるからである。また、このときに
は、シート抵抗値が、その平均値に対し±５％以内にあ
って、安定化する。その場合、抵抗層の厚みが薄いとき
には、第１のタイプの抵抗層の方が第２のタイプの抵抗
層よりも高いシート抵抗値を示す傾向が認められる。逆
に抵抗層の厚みを厚くすると、第２のタイプの抵抗層の
方が第１のタイプの抵抗層よりも高いシート抵抗値を示
すようになる。

【００４３】銅箔Ａの製造に際しては、前記したよう
に、基体銅箔１に対して電析で抵抗層２を形成すること
が好ましい。均一な薄膜形成が可能であり、またその厚
み制御が容易であるからである。その場合、用いる電解
めっき液としては、前記した所望の導電性物質のイオン
を含み、かつ、Ｃｕイオンの濃度が２０ppm以下で、塩
素イオンの濃度が１０ppm以下に調整された水溶液であ
ることが好ましい。

【００４４】Ｃｕイオン濃度が２０ppmより高い状態で
電析を行うと、形成される抵抗層におけるＣｕ成分の含
有量は１質量％より多くなって、前記した不都合が発生
するようになるからである。基体銅箔１の表面に継続的
に電析を行っていると、基体銅箔から電解めっき液にＣ
ｕ成分が溶解し、電解めっき液中にＣｕイオンが蓄積さ
れてくるので、本発明においては、例えば弱電解処理を
継続的に実施して電解めっき液中のＣｕイオンを強制的
に除去し、その濃度を上記した値に維持する。

【００４５】また、電解めっき液中に塩素イオンが含有
されていると、電析終了後に抵抗層付き銅箔を水洗・乾
燥しても、塩素は完全に除去されずに残存し、製造した
プリント回路基板の抵抗回路や導体回路の塩素腐食が起
こるようになるので、本発明においては、電解めっき液
中の塩素イオン濃度を１０ppm以下に規制する。銅箔Ａ
の実使用に際しては、保管過程における基体銅箔の防錆
のために、また絶縁基材とのラミネートを行うこととの
関係で、耐熱性，耐酸化性，耐薬品性，接合強度の向上
などの機能を付与するために、その両面に表面処理が施
されていることを好適とする。

【００４６】具体的には、図３で示したように、銅箔Ａ
の両面に表面処理層３が形成されている銅箔Ａ₁にして
実使用に供することが好ましい。このような表面処理と
しては、Ｚｎ，Ｚｎ合金，Ｃｕ−Ｚｎ合金，Ｎｉ，Ｎｉ
合金、Ｓｎ，Ｓｎ合金，Ｃｏ，Ｃｏ合金，Ｓｂなどのめ
っき処理，クロメート処理，シランカップリング処理な
どをあげることができる。これらのうち、Ｚｎめっき処
理，クロメート処理，シランカップリング処理はとくに
有効である。

【００４７】なお、以上説明した銅箔Ａを外層材として
用いる場合には、図４で示したように、銅箔Ａの抵抗層
２側に、Ｂステージまたは半硬化状態にある絶縁樹脂層
４や、エポキシ系，アクリル系，ポリイミド系の接着剤
層４を形成した抵抗層付き銅箔Ａ₂にしてもよい。ま
た、銅箔Ａを内層材として使用することを考慮すると、
基体銅箔１としては、その伸び率が４％以上であるもの
を採用することが好ましい。フォイルクラックの発生防
止や層間接続の信頼性向上に資するからである。

【００４８】次に、基体銅箔１について説明する。本発
明では、電解銅箔や圧延銅箔を使用することができる
が、それらに対しては次のような表面修飾を施したもの
であってもよい。まず、図５で示したように、両面のRz
値が０.５〜２.５μｍの光沢面になっている上記した基
体銅箔１（１Ａ₀）の片面１ａに例えばＣｕの微細粒子
を析出させる粗面化処理を行って粗化層５を形成した基
体銅箔１Ａを使用することができる。また、図６で示し
たように基体銅箔１Ａ₀の両面に粗化層５が形成されて
いる基体銅箔１Ｂであってもよい。

【００４９】これらの銅箔１Ａ，１Ｂのうち、銅箔１Ａ
は外層材用として用いられ、銅箔１Ｂは内層材用として
用いられる。いずれにおいても、これらの銅箔１Ａ，１
Ｂは、絶縁基材とラミネートしたときに、当該絶縁基材
との接合強度を高めることができる。これらの銅箔１
Ａ，１Ｂにおいては、粗化層５が形成される銅箔１Ａ₀
の表面はRz値が０.５〜２.５μｍの光沢面になっている
ので、そこには微細な粗化粒子（例えばＣｕ微細粒子）
を非常に均一に析出させることができる。したがって、
絶縁基材とラミネートしたときに、その接合面における
絶縁基材との実質的な接合面積は極めて大きくなり、そ
の結果、接合強度は増大し、かつ安定化する。そのた
め、耐環境性や耐熱剥離性は格段に向上し、製造される
プリント回路基板は回路パターンと絶縁基材との接合信
頼性の高いものになる。

【００５０】また、これらの銅箔１Ａ，１Ｂを用いる
と、絶縁基材とのラミネート後において、回路のパター
ニング時に、用いるレジストマスクの密着性は向上し、
解像度は高くなり、その結果、エッチング時にファイン
な回路パターンの形成が可能となる。その場合、粗化層
５が形成される銅箔１Ａ₀のRz値が２.５μｍより大きく
なると、それにつれて、上記した効果は減退していく。
そのようなことからも、本発明においては、銅箔１Ａ₀
のRz値は２.５μｍ以下に規制される。

【００５１】粗化層５のRz値は１〜４μｍにすることが
好ましい。Rz値が１μｍより小さいときは、２次エッチ
ング時におけるＣｕの選択エッチング性は良好で、安定
した抵抗層の形成が可能で、可成り高抵抗の抵抗回路を
形成することができるが、その反面、例えばエポキシ系
の絶縁基材とのラミネート時に高い接合強度が得られな
いという問題がある。

【００５２】またRz値が４μｍより大きくなると、絶縁
基材との接合強度は増大するとはいえ、ファインな回路
パターンの形成が極めて困難となり、本発明の目的を実
現することが困難になる。したがって、この銅箔１Ａ，
１Ｂは、製造目的のプリント回路基板への要求特性，絶
縁基材との接合強度，形成する回路パターンのファイン
化の程度などとの関係で使用時の選択を図ればよい。

【００５３】ところで、基体銅箔１の厚みは、製造した
抵抗層付き銅箔の用途や求められる必要特性、また内層
材として用いるのか、外層材として用いるのかなどの使
用態様に応じて適切に決められる。例えば内層材として
用いる場合には、基体銅箔１の厚みは１８μｍ以上であ
ることが好ましく、ファインな回路パターンが要求され
る外層材として用いる場合には、９μｍまたは１２μｍ
であることが好ましい。

【００５４】高度なファインパターンの導体（抵抗）回
路が要求される外層材用の抵抗層付き銅箔や、プリント
回路基板の製造過程で例えばレーザ穴あけ加工が施され
る抵抗層付き銅箔の場合、次のような基体銅箔を使用す
ることができる。その１つは、図７で示したように、キ
ャリア銅箔６を用いた銅箔１Ｃである。この銅箔１Ｃ
は、比較的厚いキャリア銅箔６の片面６ａに剥離層７を
介して厚みが３μｍまたは５μｍの銅箔層８が回路形成
用のＣｕ導体層として形成され、更にこの銅箔層８の表
面に前記した粗化層５が形成されているものである。

【００５５】この銅箔１Ｃの場合、上記した銅箔層８が
図２または図５で示した基体銅箔１（１Ａ₀）として機
能し、プリント回路基板の製造後にあっては、導体回路
に転化する銅層であり、この銅箔層８の表面に本発明の
抵抗層２が形成されることになる。なお、この回路形成
用のＣｕ導体層（銅箔層）は、前記したメルカプト基を
有する化合物を含む電解めっき液の電析で形成すると、
エッチング時にファインな導体回路を形成することがで
きて好適である。

【００５６】この銅箔１Ｃを用いて製造した抵抗層付き
銅箔は、絶縁基材とラミネートされたのち、キャリア銅
箔６が剥離または溶解除去される。そして、絶縁基材側
に残置する薄い銅箔層８（およびその下に位置する抵抗
層）に対して、エッチングやレーザ加工が施される。図
８は、図７で示した銅箔１Ｃにおいて、剥離層７と銅箔
層８の間に耐熱剥離層９を介装した銅箔１Ｄを示す。こ
の銅箔１Ｄは、銅箔１Ｃと同じ機能を発揮するととも
に、耐熱性が向上していて、例えば温度が３００℃前後
になってもキャリアピールは低温時に比べて大きく上昇
しないので、キャリア銅箔６の剥離性が良好である。

【００５７】また、銅箔１Ｄにおいて、耐熱剥離層９を
レーザ吸収層に置換すれば、その銅箔は、レーザ穴あけ
加工が容易となり、直接、銅箔層８に穴あけ加工が実現
可能な基体銅箔になる。なお、直接にレーザ穴あけ加工
が可能である銅箔としては、図９で示したように、図５
で示した銅箔１Ａの他方の表面にレーザ吸収層９が形成
されている銅箔１Ｅであってもよい。

【００５８】以上説明した基体銅箔を用いて抵抗層付き
銅箔を製造し、その抵抗層付き銅箔と絶縁基材をラミネ
ートして、図１に示したような本発明の抵抗層内蔵型銅
張り積層板Ｃを製造する。そして、その銅張り積層板Ｃ
を用い、次のようにして本発明の抵抗回路を内蔵するプ
リント回路基板が製造される。

【００５９】まず、図１０で示したように、銅張り積層
板Ｃの基体銅箔１の上に、所定のパターンでレジストマ
スク１０をパターニングする。ついで、前記したような
所定のエッチャントを用いて１次エッチングを行い、図
１１で示したように、絶縁基材Ｄの上に基体銅箔と抵抗
層が積層された回路パターンを形成する。このとき、基
体銅箔１と抵抗層２が既に説明した状態になっているの
で、１工程で両者の同時エッチングが可能である。

【００６０】ついで、レジストマスクを一旦除去して基
体銅箔から成る形成回路１’を表出させ（図１２）、再
度、この形成回路１’の表面に所定のパターンでレジス
トマスク１０’をパターニングする（図１３）。そし
て、前記したような所定のエッチャントを用いて２次エ
ッチングを行い、形成回路１’のＣｕを選択的にエッチ
ング除去して、図１４で示したように、所定の導体回路
１''を形成する。このとき、抵抗層２はエッチング除去
されず、１次エッチングの状態を維持している。

【００６１】最後に、レジストマスク１０’を除去す
る。その結果、図１５で示したように、絶縁基材Ｄの上
には、所定のパターンで配線された抵抗回路２’とその
上に配線されている所定パターンの導体回路１''を有す
る本発明のプリント回路基板が得られる。

【００６２】

【実施例】実施例１〜４２，比較例１〜７ （１）抵抗層付き銅箔の製造 以下の基体銅箔を用意した。 １）ＷＳ７０：商品名、古河サーキットフォイル（株）
製，１８０℃で５分間保持後の伸び率が１５％の両面光
沢電解銅箔。厚み７０μｍ。

【００６３】２）ＷＳ１８：商品名、古河サーキットフ
ォイル（株）製，１８０℃で５分間保持後の伸び率が１
５％の両面光沢電解銅箔。厚み１８μｍ。 ３）ＷＳ１２：商品名、古河サーキットフォイル（株）
製，１８０℃で５分間保持後の伸び率が１５％の両面光
沢電解銅箔。厚み１２μｍ。 ４）圧延１８：日本製箔（株）製の圧延銅箔。古河電気
工業（株）製のタフピッチ銅板を６段ロールと１２段ロ
ールで圧延して製造。１８０℃で５分間保持後の伸び率
が１５％。厚み１８μｍ。

【００６４】５）ＷＳＲ１８：商品名、古河サーキット
フォイル（株）製。上記ＷＳ１８をスキンパス程度の圧
下率で圧延。１８０℃で５分間保持後の伸び率１２％。
厚み１８μｍ。 ６）ＤＳＴＦ−ＷＳ１８：商品名、古河サーキットフォ
イル（株）製の光沢面粗化銅箔。厚み１８μｍ。

【００６５】７）ＦＬＤ−ＷＳ１８：商品名、古河サー
キットフォイル（株）製の両面粗化銅箔。厚み１８μ
ｍ。 ８）Ｆ−ＤＰＷＭ５／３５：商品名、古河サーキットフ
ォイル（株）製のキャリア付き銅箔。厚み３５μｍ。銅
箔層の厚み５μｍ。 ９）Ｆ−ＤＰＷＳ５／３５：商品名、古河サーキットフ
ォイル（株）製のキャリア付き銅箔。厚み３５μｍ。銅
箔層の厚み５μｍ。

【００６６】10）Ｆ−ＣＰＷＭ５／３５：商品名、古河
サーキットフォイル（株）製の高耐熱剥離性とダイレク
トレーザ加工性を備えたキャリア付き銅箔。厚み３５μ
ｍ。銅箔層の厚み５μｍ。 11）Ｆ２Ｂ−ＷＳ１２：商品名、古河サーキットフォイ
ル（株）製のレーザ加工性を備えた銅箔。厚み１２μ
ｍ。

【００６７】12）ＭＰ１２：商品名、古河サーキットフ
ォイル（株）製の電解銅箔。１８０℃で５分間保持後の
伸び率１０％。厚み１２μｍ。 13）ＭＰ１８：商品名、古河サーキットフォイル（株）
製の電解銅箔。１８０℃で５分間保持後の伸び率１０
％。厚み１８μｍ。 これらの基体銅箔において、抵抗層を形成しようとする
表面の粗さを測定し、その結果を表１，２に示した。

【００６８】ついで、これら基体銅箔の上記表面に粗面
化処理を行って粗化層を形成した。なお、粗面化処理は
以下のとおりである。まず、主に、Ｃｕ：３０ｇ／d
m³，Ｈ₂ＳＯ₄：１５０ｇ／dm³から成る電解液中におい
て、電流密度：２８０Ｃ／dm²でカソード電解を行い、
ついで、主に、Ｃｕ：７０ｇ／dm³，Ｈ₂ＳＯ₄：１００
ｇ／dm³から成る電解液中において、電流密度：２８０
Ｃ／dm²のカソード電解を行った。

【００６９】そして、粗化層の表面粗さを測定した。以
上の結果を一括して表１と表２に示した。

【００７０】

【表１】

【００７１】

【表２】

【００７２】次に、これら試料において、抵抗層を形成
すべき方の表面に、下記の条件で各種の導電性物質を電
析した。 Ｎｉ：ＮｉＳＯ₄・６Ｈ₂Ｏ １６０ｇ／dm³，Ｈ₃ＢＯ₃
３０ｇ／dm³，液温４０℃，電流密度０.５Ａ／dm²。

【００７３】Ｃｏ：ＣｏＳＯ₄・６Ｈ₂Ｏ ５０ｇ／d
m³、Ｈ₃ＢＯ₃ ３０ｇ／dm³，液温４０℃，電流密度０.
５Ａ／dm²。 Ｎｉ−Ｃｏ：Ｎｉ(ＮＨ₂ＳＯ₃)₂・４Ｈ₂Ｏ １６０ｇ／
dm³（主成分とする場合）、または５０ｇ／dm³（副成分
とする場合），Ｃｏ(ＮＨ₂ＳＯ₃)・４Ｈ₂Ｏ１０ｇ／dm³
（副成分とする場合）、または１００ｇ／dm³（主成分
とする場合），Ｈ₃ＢＯ₃ ３０ｇ／dm³，液温４０℃，
電流密度０.５Ａ／dm²。

【００７４】Ｎｉ−Ｐ：ＮｉＳＯ₄・６Ｈ₂Ｏ １７５ｇ
／dm³，Ｈ₃ＰＯ₃ １０ｇ／dm³，Ｈ ₃ＰＯ₃ １ｇ／d
m³，液温２５℃，電流密度０.５Ａ／dm²。 Ｎｉ−Ｂ：ＮｉＳＯ₄・６Ｈ₂Ｏ １７５ｇ／dm³，（Ｃ
Ｈ₃)₃Ｎ・ＢＨ₃ １０ｇ／dm³，液温５５℃，電流密度
０.５Ａ／dm²。 Ｃｏ−Ｐ：ＣｏＳＯ₄・６Ｈ₂Ｏ ５０ｇ／dm³，Ｈ₃ＰＯ
₄ １０ｇ／dm³，Ｈ₃ＰＯ₃ １ｇ／dm³，液温２５℃，
電流密度０.５Ａ／dm²。

【００７５】Ｃｏ−Ｂ：ＣｏＳＯ₄・６Ｈ₂Ｏ ５０ｇ／
dm³，（ＣＨ₃)₃Ｎ・ＢＨ₃ １０ｇ／dm³，液温５５℃，
電流密度０.５Ａ／dm²。 Ｎｉ−Ｂｉ：ＮｉＳＯ₄・６Ｈ₂Ｏ １７５ｇ／dm³，Ｂ
ｉ₂(ＳＯ₄)₃ ４０ｇ／dm³，液温３３℃，電流密度０.
５Ａ／dm²。 Ｎｉ−Ｗ：ＮｉＳＯ₄・６Ｈ₂Ｏ ６０ｇ／dm³，Ｎａ₂Ｗ
Ｏ₄・２Ｈ₂Ｏ ２５ｇ／dm³，液温３０℃，電流密度０.
５Ａ／dm²。

【００７６】Ｎｉ−Ｐｄ：パラブライト−ＴＮ２０（日
本高純度化学社製），液温４０℃，電流密度０.５Ａ／d
m²。 Ｐｄ：パラブライト−ＳＳＴ−Ｌ（日本高純度化学社
製），液温５５℃，電流密度０.５Ａ／dm²。 Ｐｄ−Ｎｉ：ＰｄＮｉ４６６（デグサジャパン社製），
液温４５°，電流密度０.５Ａ／dm²。

【００７７】Ｂｉ：ＰＦ−Ｂ・ＡＳＩＤ・０５Ｍ（石原
薬品社製），液温４０℃，電流密度０.５Ａ／dm²。 Ｐｔ：プラタネックスIIIＬＳ（日本エレクトロプレー
ティング・エンジニヤーズ社製），液温６５℃，電流密
度０.５Ａ／dm²。 なお、Ｃｕ成分の含有量を多くする場合には、用いた電
解液に硫酸銅を添加することによって実施した。

【００７８】形成された抵抗層の元素分析は、５重量％
塩酸と２０重量％硝酸の混合水溶液で抵抗層を溶解し、
その水溶液に対し、原子吸光分析（日立製作所社製の機
種Ｚ−６１００を使用）またはＩＣＰ分析（堀場製作所
社製の機種ＪＹ２３８−ＵＬＴＲＡＣＥを使用）で定量
した。また、Ｃｕ成分の定量は、ＥＰＭＡによる定量分
析結果をＺＡＦ補正して求めた。

【００７９】なお、抵抗層の電気抵抗率は、金属データ
ブック改訂３版（日本金属学会編、１９９３年、丸善
（株））から試算した。その結果を表３，４に示した。
更に、抵抗層の表面に対し、下記の表面処理の一部また
は全部を順次行った。 処理１：Ｚｎ １０ｇ／dm³，pH１２の電解液を用い
て、室温下で１Ｃ／dm²のカソード電解処理。

【００８０】処理２：ＣｒＯ₃ ７０ｇ／dm³，pH１２の
クロム酸液を用い、１Ｃ／dm²でカソード電解するクロ
メート処理。 処理３：サイラエース（チッソ社製のエポキシ系シラン
カップリング剤）の１ｇ／dm³水溶液に浸漬するシラン
カップリング処理。 以上の結果を一括して表３，４に示した。

【００８１】

【表３】

【００８２】

【表４】

【００８３】（２）特性の評価 各抵抗層付き銅箔を、常法に従ってＦＲ基材４（ガラス
繊維強化エポキシ樹脂基板）に熱圧プレスしてラミネー
トした。キャリア付き銅箔の場合は、その後、キャリア
銅箔を剥離した。

【００８４】ついで、表面の基体銅箔にドライフィルム
レジストでマスクを形成し、１次エッチングを行って銅
箔と抵抗層の両者をエッチング除去して回路パターンを
形成した。エッチャントとしては、塩化第二銅水溶液を
用いた。なおこのとき、別に幅１０mmのパターンを作成
し、引張試験機（テンシロンジャパン社製）でピール強
度を測定した。

【００８５】キャリア付き銅箔を用いた場合は、表出し
たキャリア銅箔の上に、Ｃｕ：７０ｇ／dm³、Ｈ₂Ｓ
Ｏ₄：１００ｇ／dm³から成る電解めっき液を用いて厚み
が１８μｍ程度になるまでＣｕを電析したのちピール強
度を測定した。また、基体銅箔の上に、線幅５０μｍ，
線間距離５０μｍの回路パターンを形成するためにレジ
ストをパターニングしたのち、１次エッチングを行って
回路パターンを形成してその評価を行った。

【００８６】形成された導体（抵抗）回路のトップとボ
トムを観察し、トップ幅とボトム幅の差が１０μｍ以下
のものを○，２０μｍ以下のものを△，差が２０μｍを
超えるものや、エッチング残や回路の溶断のあるものを
×とした。ついで、再度マスクを形成したのち、次のよ
うな２次エッチングを行った。すなわち、正方形形状の
シート状抵抗パターンを残し、かつその抵抗パターンの
両側にＣｕの電極部を残した状態にマスクを形成したの
ち、エープロセス（メルテックス社製のエッチャント）
を用いて、表層部の基体銅箔のみを選択的にエッチング
除去した。

【００８７】その後、ディジタルマルチメータ（松下電
器産業社製）を用いて抵抗測定した。測定点はｎ＝５と
し、その平均値をもって抵抗層のシート抵抗値とした。
また、測定抵抗の最大値と平均値の差を求め、その値の
平均値に対する百分率を算出してばらつきとした。以上
の結果を一括して表５，６に示した。

【００８８】

【表５】

【００８９】

【表６】

【００９０】実施例４３〜６６ 表面粗さ（Ｒｚ）が１.６μｍであり、厚みが１８μｍ
であるＷＳ１８（古河サーキットフォイル（株）製）を
用意し、その片面に粗面化処理を行って粗化層を形成
し、図４で示した基体銅箔１Ａを製造した。粗化層側の
表面粗さ（Ｒｚ）は２.５μｍであった。

【００９１】ついで、この銅箔１Ａの表面に、表７，８
で示したように、Ｎｉ−３％Ｐ、およびＮｉ−１３％Ｐ
から成る各種導電性物質の抵抗層を形成し、更にその表
面に表７，８で示した表面処理を施して各種の抵抗層付
き銅箔を製造した。

【００９２】

【表７】

【００９３】

【表８】

【００９４】これらの抵抗層付き銅箔とＦＲ４基材とを
ラミネートしたのち、実施例１〜４０と同じようにして
シート抵抗値，ピール強度，ファインパターンの形成性
などの特性を測定した。その結果を表９に示した。

【００９５】

【表９】

【００９６】また、４種類の導電性物質から成る抵抗層
のそれぞれにつき、抵抗層の厚みとシート抵抗値との関
係を図１６に示した。表１〜９および図１６から次のこ
とが明らかである。

【００９７】（１）Rz値が２.５μｍより大きい基体銅
箔を用いた比較例１，２，５の場合、粗面化処理をして
もしなくても、２次エッチング時におけるＣｕの選択的
なエッチング性が悪く、抵抗層も同時にエッチング除去
されて回路の溶断が発生している。そして当然のことと
してファインパターンは形成されていない。一方、Rz値
が２.５μｍより小さい基体銅箔を用いた実施例３７〜
４０の場合、その表面に粗面化処理を行ってRz値が２.
５μｍより大きい粗化層を形成しているにもかかわら
ず、シート抵抗値は高く、また良好なエッチング性を示
し、ファインパターンの形成が実現している。また、各
種の基体銅箔を用いた実施例３６〜４１、および樹脂付
き銅箔とした実施例４２の場合も、同様の結果が得られ
ている。

【００９８】（２）抵抗層の厚みが５mg／ｍ²より薄い
比較例４の場合も、２次エッチング時に基体銅箔と抵抗
層の同時溶解が起こっている。逆に、抵抗層の厚みが極
端に厚い比較例７の場合は、１次エッチング時に基体銅
箔と抵抗層の同時溶解を実現することができない。この
ような場合は、残存する抵抗層を更にエッチング除去す
る工程が必要となり、生産性の低下や、形成パターンの
信頼性を招く。

【００９９】（３）実施例７と実施例８，実施例１１と
実施例１２，実施例１３と実施例１４，実施例１５と実
施例１６，実施例１７と実施例１８の群におけるそれぞ
れの実施例を対比すると、前者はいずれも抵抗層が単一
成分で構成されているものであり、後者は抵抗層が主成
分と副成分で構成されているものである。そして、両者
はいずれも抵抗層の厚みは略同じであるが、互いのシー
ト抵抗値は異なっている。

【０１００】その場合、抵抗層の厚みが略５０mg／ｍ²
である実施例７と実施例８の群では、後者の主成分と副
成分を含む抵抗層の方が高いシート抵抗値を示してい
る。逆に、抵抗層の厚みが略４０mg／ｍ²以下の群にお
いては、前者の単一成分から成る抵抗層の方が高いシー
ト抵抗値を示している。しかも、抵抗層の厚みが薄くな
るにつれて、シート抵抗値が高くなることは両者とも同
じであるが、単一成分から成る抵抗層の場合は上記した
傾向が顕著にあらわれている。

【０１０１】また、実施例１８と、抵抗層の厚みが１０
mg／ｍ²より薄い実施例４〜６は、いずれも２次エッチ
ング時におけるＣｕの選択的なエッチング性が劣る傾向
にある。これは、副成分を含む抵抗層や、薄い抵抗層は
Ｃｕのエッチャントに溶解しやすいためであると考えら
れる。更に、抵抗層の厚みが５０mg／ｍ²近辺にある実
施例７〜１０の場合、基体銅箔のRz値が大きくなるにつ
れてシート抵抗値が高くなる傾向を示している。

【０１０２】（４）実施例２０は、２次エッチング時に
抵抗層の一部も溶解し、その結果、ファインパターンの
形成が困難で、しかもシート抵抗値のばらつきが非常に
大きくなっている。これは、抵抗層にＣｕ成分が１.２
質量％含有されているからであることがわかる。このよ
うなことから、抵抗層を構成する導電性物質におけるＣ
ｕ含有率は１質量％以下に規制することが好ましいこと
がわかる。

【０１０３】（５）抵抗層がＮｉ単体から成る実施例１
３と、更に副成分が含まれている抵抗層を有する実施例
１４，２１とを対比して明らかなように、抵抗層の厚み
を３０mg／ｍ²近辺に設定した場合、副成分の種類と含
有量によってシート抵抗値を変化させることができる。
また、実施例２７〜３５の場合のように主成分の種類を
変えても上記と同様の傾向が認められる。そして、実施
例３３，３４のように、抵抗層を構成する導電性物質の
電気抵抗率が１μΩ・ｍより高い場合であっても、抵抗
層の厚みを変えることにより、高いシート抵抗値が得ら
れている。

【０１０４】（６）抵抗層がＮｉ単体から成る実施例４
３〜５０の群，抵抗層がＮｉ−３％Ｐから成る実施例５
１〜５８の群，抵抗層がＮｉ−１３％Ｐから成る実施例
５９〜６６の群のいずれにおいても、抵抗層の厚みが薄
くなるにつれてシート抵抗値は高くなっていく。とく
に、抵抗層がＮｉ単体から成る実施例４３〜５０の群の
場合、抵抗層の厚みが３０mg／ｍ²以下になると、その
シート抵抗値が極端に変化している。

【０１０５】これに反し、副成分であるＰ成分を含む他
の群においては、実施例４３〜５０の群に比べると、シ
ート抵抗値は低くなっているが、抵抗層が薄くなっても
シート抵抗値の変化量は少ない。この傾向はＰ成分が増
量するにつれて強くあらわれている。しかし、Ｐ成分が
多くなりすぎると、実施例５９〜６６の群で明らかなよ
うに、シート抵抗値は低くなり、高抵抗の抵抗層を形成
できなくなる。また、実施例６６から明らかなように、
これらの群の場合、抵抗層が薄くなると、２次エッチン
グ時にＣｕと同時溶解する傾向が認められる。

【０１０６】このように、設計目的のシート抵抗値の大
小によっては、主成分と副成分を含む導電性物質で抵抗
層を形成する方が、当該抵抗値の制御が可能であるとい
う利点がある。ただし、厳しいエッチング条件下ではＣ
ｕとの同時溶解を防ぐために、副成分の含有量は微量に
とどめるということが必要になる。そして、図１６から
も明らかなようにシート抵抗値を１kΩ／sq以上の高抵
抗にするためには、Ｐ成分の量を、３質量％以下におい
て調節して高い抵抗値で制御することも可能である。

【０１０７】（７）実施例１９，３６，４３，４７，５
１，６０，６４からも明らかなように、表面処理は、製
造した抵抗層付き銅箔に影響を与えていない。

【０１０８】

【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明の
抵抗層内蔵型銅張り積層板は、そのシート抵抗値が従来
に比べて大幅に高く、しかも広範囲の値となっていて、
かつ２次エッチング時においても導体回路になる基体銅
箔と同時溶解することが起こりづらく、更にはファイン
な回路パターンの形成が可能である。したがって、この
抵抗層内蔵型銅張り積層板と絶縁基材をラミネートする
ことにより、高抵抗の抵抗回路を内蔵するプリント回路
基板を製造することができる。

【０１０９】そして、抵抗層の形成に際しては、電気抵
抗率が０.０５〜２μΩ・ｍの電析可能な導電性物質の
１種または２種を設計目的のシート抵抗値との関係で用
い、しかも２種類を用いる場合には、その副成分の量を
調整することにより、抵抗値制御が可能となる。したが
って、この抵抗層内蔵型銅張り積層板を用いて製造した
プリント回路基板では、実装部品の面積の多くを占める
チップ抵抗器などの使用を大幅に低減することができ、
高密度実装とその信頼性の向上を実現することができ
る。

【０１１０】しかも、この抵抗層内蔵型銅張り積層板
は、従来から使用されているプリント回路用銅箔の表面
に抵抗層を形成したものを用いているため、低コストで
あり、また高い生産性の下で製造することができ、その
工業的価値は極めて大である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の抵抗層内蔵型銅張り積層板の一例Ｃを
示す断面図である。

【図２】本発明で用いられる抵抗層付き銅箔の一例Ａを
示す断面図である。

【図３】本発明で用いられる抵抗層付き銅箔の一例Ａ₁
を示す断面図である。

【図４】本発明で用いられる抵抗層付き銅箔の一例Ａ₂
を示す断面図である。

【図５】本発明で用いられる抵抗層付き銅箔で用いる基
体銅箔の一例１Ａを示す断面図である。

【図６】本発明で用いられる抵抗層付き銅箔で用いる基
体銅箔の一例１Ｂを示す断面図である。

【図７】本発明で用いられる抵抗層付き銅箔で用いる基
体銅箔の一例１Ｃを示す断面図である。

【図８】本発明で用いられる抵抗層付き銅箔で用いる基
体銅箔の一例１Ｄを示す断面図である。

【図９】本発明で用いられる抵抗層付き銅箔で用いる基
体銅箔の一例１Ｅを示す断面図である。

【図１０】本発明の抵抗層内蔵型銅張り積層板の上にレ
ジストマスクを形成した状態を示す断面図である。

【図１１】１次エッチングを行ったのちの状態を示す断
面図である。

【図１２】レジストマスクを除去した状態を示す断面図
である。

【図１３】再度レジストマスクをパターニングした状態
を示す断面図である。

【図１４】２次エッチングを行ったのちの状態を示す断
面図である。

【図１５】本発明のプリント回路基板の一例を示す断面
図である。

【図１６】抵抗層の厚みとシート抵抗値との関係を示す
グラフである。

【符号の説明】

１，１Ａ₀，８ 基体銅箔または回路形成用のＣｕ導体
層 １ａ 基体銅箔１の一方の表面 １ｂ 基体銅箔１の他方の表面 ２ 抵抗層 ３ 表面処理層 ４ 絶縁樹脂層または接着剤層 ５ 粗化層 ６ キャリア銅箔 ６ａ キャリア銅箔６の片面 ７ 剥離層 ９ 耐熱剥離層またはレーザ吸収層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 川田 健二 栃木県今市市荊沢601番地の２ 古河サー キットフォイル株式会社内 Ｆターム(参考） 4E351 AA01 AA03 AA04 BB01 BB05 BB32 BB35 CC19 DD04 DD13 DD19 DD20 DD54 DD56 DD58 GG20 4F100 AA03A AA03B AA03C AA22E AA33A AB09B AB09C AB15B AB15C AB16B AB16C AB24B AB24C AR00B AR00C AT00E BA05 BA06 BA10D BA10E EJ68E EJ69E GB43 JB02 JB02E JG01B JG01C JG04 JG04D JG04E JL14E YY00A YY00B YY00C 5E346 AA14 AA15 CC03 CC04 CC09 CC10 CC12 CC32 CC37 DD02 DD12 DD32 FF01 GG22 GG23 HH33

Claims (20)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 両面がＪＩＳ Ｂ ０６０１で規定する
   １０点平均粗さ（Rz）で０.５〜２.５μｍの表面粗さに
   なっている基体銅箔の前記片面または他方の片面に、電
   気抵抗率が０.０５〜２μΩ・ｍである導電性物質から
   成る抵抗層が形成されている抵抗層付き銅箔が絶縁基材
   の片面または両面にラミネートされていることを特徴と
   する抵抗層内蔵型銅張り積層板。
2. 【請求項２】 前記抵抗層の厚みが５〜３００mg／ｍ²
   である請求項１の抵抗層内蔵型銅張り積層板。
3. 【請求項３】 前記基体銅箔における前記抵抗層が形成
   される表面は、粗面化処理が施されていて、前記Rz値が
   １〜４μｍになっている請求項１または２の抵抗層内蔵
   型銅張り積層板。
4. 【請求項４】 前記抵抗層における前記導電性物質が、
   ９８質量％以上の単一成分を含み、残部は不可避的不純
   物または１質量％未満のＣｕ成分を含んでいる請求項１
   または２の抵抗層内蔵型銅張り積層板。
5. 【請求項５】 前記単一成分が、Ｎｉ，Ｃｏ，Ｐｄまた
   はＢｉのいずれか１種である請求項４の抵抗層内蔵型銅
   張り積層板。
6. 【請求項６】 前記抵抗層における前記導電性物質が、
   ９５質量％以上の主成分と３質量％以下の副成分を含
   み、残部は不可避的不純物と１質量％未満のＣｕ成分を
   含んでいる請求項１または２の抵抗層内蔵型銅張り積層
   板。
7. 【請求項７】 前記副成分が、Ｐ，Ｂ，Ｐｄ，Ｂｉまた
   はＷのいずれか１種である請求項６の抵抗層内蔵型銅張
   り積層板。
8. 【請求項８】 前記抵抗層の厚みが１０〜５０mg／ｍ²
   であり、絶縁基材にラミネートしたのちに前記基体銅箔
   のみを選択的にエッチング除去して残存する前記抵抗層
   のシート抵抗値が０.５kΩ／sq〜５００kΩ／sqである
   請求項１〜７のいずれかの抵抗層内蔵型銅張り積層板。
9. 【請求項９】 前記シート抵抗値のばらつきが、平均値
   に対して±５％の範囲内にある請求項１〜８のいずれか
   の抵抗層内蔵型銅張り積層板。
10. 【請求項１０】 前記抵抗層が電析で形成される請求項
    １〜９のいずれかの抵抗層内蔵型銅張り積層板。
11. 【請求項１１】 前記基体銅箔における前記抵抗層が形
    成される表面は、粗面化処理が施されていない表面であ
    る請求項１〜１０のいずれかの抵抗層内蔵型銅張り積層
    板。
12. 【請求項１２】 前記基体銅箔が圧延銅箔である請求項
    １〜１１のいずれかの抵抗層内蔵型銅張り積層板。
13. 【請求項１３】 前記基体銅箔はキャリア付き銅箔であ
    り、回路形成用のＣｕ導体層の上に前記抵抗層が形成さ
    れている請求項１〜１２のいずれかの抵抗層内蔵型銅張
    り積層板。
14. 【請求項１４】 前記基体銅箔は、レーザ吸収層を備え
    ている請求項１〜１３のいずれかの抵抗層内蔵型銅張り
    積層板。
15. 【請求項１５】 前記基体銅箔はキャリア付き銅箔であ
    り、回路形成用のＣｕ導体層の上に前記抵抗層が形成さ
    れ、かつ、前記キャリアと前記Ｃｕ導体層の間には、剥
    離層とレーザ吸収層が介装されている請求項１３または
    １４の抵抗層内蔵型銅張り積層板。
16. 【請求項１６】 前記基体銅箔、前記キャリア、または
    前記Ｃｕ導体層が、少なくともメルカプト基を有する化
    合物が添加された電解めっき液を用いたカソード電解で
    形成されている請求項１〜１５のいずれかの抵抗層内蔵
    型銅張り積層板。
17. 【請求項１７】 前記抵抗層付き銅箔の両面には、防錆
    または絶縁基材とのラミネート用の表面処理層が形成さ
    れている請求項１〜１６のいずれかの抵抗層内蔵型銅張
    り積層板。
18. 【請求項１８】 前記表面処理層が、Ｚｎめっき層，ク
    ロメート処理層，シランカップリング処理層の１種また
    は２種以上の層である請求項１７の抵抗層内蔵型銅張り
    積層板。
19. 【請求項１９】 前記抵抗層付き銅箔の前記抵抗層側の
    表面には、更に、Ｂステージもしくは半硬化状態の絶縁
    樹脂層、または接着剤層が形成されている請求項１〜１
    ８のいずれかの抵抗層内蔵型銅張り積層板。
20. 【請求項２０】 請求項１〜１９のいずれかの抵抗層内
    蔵型銅張り積層板を用いたプリント回路基板であって、
    内層または／および外層には、前記基体銅箔から成る導
    体回路と前記抵抗層から成る抵抗回路が積層された回路
    のパターンが形成されていることを特徴とするプリント
    回路基板。