TWI298913B - - Google Patents

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(1) 1298913 I 九、發明說明 【關連技術】 本申請案係依據2004年11月22日提出申請的曰本 申請案：特願2004-337775號、以及2005年5月23日提 出申請的日本申請案：特願2005-1495 04號之優先權的利 益。據此，主張此等之優先權的利益。前述日本申請案的 內容全部編入於此，作爲參照文獻。 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關一種中空型半導體裝置及其製造方法。 I 【先前技術】 於FBER (薄膜體聲波元件，Film Bulk Acoustic Resonator)過濾器或 MEMS (微機電系統 Micro Electro Mechanical Systems)等中，與一般的半導體裝置相同， φ 爲了保護元件部免於外界的影響而採用密封構造。此等的 裝置必須根據其元件特性，將元件部的上方保持爲中空狀 態。因此，必須應用中空型的密封構造。作爲這種密封構 造周知有以往所應用的罐式的封裝體，但由於無法避免封 裝體的大型化，因此無法因應近年來的小型化要求。 •相對於此點，已知有僅作爲 SAW ( Surface Acoustic _ Wave，表面聲波元件）功能的元件部的上方成爲中空狀 態，以多孔質樹脂層覆蓋S i基板的表面之電路元件（例 如，參照日本特開平6-28 3 6 1 9號公報）。這種密封構造 (2) 1298913 _ 係具有所謂中空狀態的形成性惡劣的問題。再者，由於多 孔質樹脂層顯示吸濕性，因此具有所謂不易確保元件部的 信賴性的問題。 其他的封裝構造已知有倒裝片連接S A w晶片於S i基 板上，以剖面3字狀昀Si蓋部密封該SAW晶片的外側之 構造（例如參照日本特開200卜1 1 0946號公報）。在該密 封構造中，需要設置具有可收容SAW晶片的凹狀之si蓋 φ 部。這種SAW晶片的製作需要的成本，爲增加封裝體的 製造成本之主因。因此，不能說是實用的密封構造。再者 ，由於以樹脂系接著劑將Si蓋部接著於Si基板，因此與 . 以樹脂層覆蓋元件部的密封構造相同，接著劑層的吸濕性 ^ 成爲信賴性降低的主因。 另外，在日本特開2001 -0686 1 6號公報中，記載有以 蓋部基板密封設置於底基板的微裝置之晶圓封裝體。在此 ，藉由使底基板與蓋部基板之個別的周緣部所形成的密封 φ 構件之間接合，在微裝置的周圍形成氣密密封空間。再者 ’藉由使形成於蓋部基板的連接穿孔與底基板側的電極連 接，將微裝置的配線拉回到封裝體的外側。使用可相互接 合於Si、In、Al、Cu、Ag、以及此等合金或化合物等之 材料’作爲電極、連接穿孔的連接面（接觸子）以及密封 _ 構件的形成材料。 •在上述的封裝體中，在底基板與蓋部基板的接合製程 中’必須使底基板的電極與蓋部基板的連接穿孔之接觸子 、以及底基板與蓋部基板的密封構件之間同時接合。因此 -5- (3) 1298913 • ，根據此等形成材料或接合條件，而有導致電極與連接穿 孔的電性連接信賴性、或是使密封空間的氣密性降低之慮 。如此，以往的中空型半導體裝置係具有所謂使與元件部 的電極相對的連接信賴性或密封空間的氣密性之問題。再 者，具有所謂無法從元件部的背面側調準的困難點。 【發明內容】 φ 〔發明之槪述〕 本發明一樣態之中空型半導體裝置，其特徵爲具備有 :元件構造部，係具有：半導體基板、設置於前述半導體 . 基板的表面側之元件部、以及使前述元件部的背面露出之 方式，貫通前述半導體基板所形成的開口部；第1蓋部， 係使前述元件部的上方成爲中空狀態的方式，密封前述半 導體基板的前述表面側；以及第2蓋部，係從前述半導體 基板的背面側密封前述開口部。 φ 本發明之其他樣態之中空型半導體裝置，其特徵爲具 備有：元件構造部，係具有：半導體基板、設置於前述半 導體基板的表面側之元件部、設置於前述半導體基板的前 述表面側且連接於前述元件部的電極部、貫通前述半導體 基板且連接於前述電極部的連接柱塞、以與前述連接柱塞 > 連接的方式，設置於前述半導體基板的背面側之外部連接 ‘端子、以及以包圍前述元件部的周圍之方式，形成於前述 半導體基板的前述表面側之元件側金屬密封部；以及蓋部 ，係具有：以前述元件部的上方成爲中空狀態的方式密封 -6- 1298913 、 (4) • 的蓋部用基板、以及以與前述元件側金屬密封部抵接的方 式，形成於前述蓋部用基板的蓋部側金屬密封部。 本發明又一其他樣態之中空型半導體裝置，其特徵爲 具備有：元件構造部，係具有：半導體基板、設置於前述 半導體基板的表面側之元件部、設置於前述半導體基板的 前述表面側且連接於前述元件部的電極部、以及以包圍前 述元件部的周圍之方式，形成於前述半導體基板的前述表 φ 面側之元件側金屬密封部；以及蓋部，係具有：以前述元 件部的上方成爲中空狀態的方式密封的蓋部用基板、在與 前述電極部抵接的位置上貫通前述蓋部用基板而形成的連 、 接柱塞、設置於與前述蓋部用基板的前述元件部相對向的 _ 面相反側的面上，連接於前述連接柱塞的外部連接端子、 以及以與前述元件側金屬密封部抵接的方式，形成於前述 蓋部用基板的蓋部側金屬密封部，前述電極部與前述元件 側金屬密封部，係具有相同的第1金屬材料；前述連接柱 φ 塞的連接面與前述蓋部側金屬密封部，係具有以相同且與 前述第1金屬材料之組合，構成低融點金屬之第2金屬材 料。 本發明之又一其他樣態之中空型半導體裝置之製造方 法，其特徵爲具備有：在半導體基板的表面側形成複數個 ’元件部的步驟；以個別密封前述複數個元件部之方式，分 ‘別使已經個片化的複數個蓋部接合於前述半導體基板之步 驟；介由吸收前述複數個蓋部之凹凸的樹脂狀保護劑，使 前述半導體基板接合於支持基板之步驟；加工接合於前述 -7- (5) 1298913 支持基板的前述半導體基板的背面之步驟；因應前述複數 個元件部，切斷前述加工後的半導體基板，製做以前述蓋 部密封前述元件部的中空型半導體裝置之步驟。 【實施方式】 以下，參照圖面，說明用來實施本發明的形態。此外 ’以下，雖依據圖面說明本發明之實施形態，但此等的圖 φ 面係提供用來圖解，本發明並不限定於此等圖面。 第1圖係本發明之第1實施形態的中空型半導體裝置 的構成之剖面圖。該圖所示的中空型半導體裝置1，係具 • 有Si基板2作爲元件用半導體基板。在Si基板2的表面 . 形成有元件部3。元件部3例示有必需以其上方作爲中空 狀態的SAW過濾器、FBAR過濾器、MEMS等。此等係構 成元件構造部。第1圖係表示具備以上下電極5挾住壓電 體膜（A1N的定向膜等）4之FBER過濾器作爲元件部3 • 的中空型半導體裝置1。元件部3爲以壓電體膜構成的 SAW過濾器或MEMS等亦可。

Si基板2的表面側係以第1蓋部6密封。第1蓋部6 例如以如Si基板2的半導體基板所構成。第1蓋部（Si 蓋部）6藉由設置於Si基板2的密封部7與第1蓋部6 的密封部8，以元件部3的上方形成中空狀態的方式，與 • Si基板2接合。在元件部3的各電極5例如接合有貫通 第1蓋部6而設置的導體9。此等導体做爲外部連接端子 的功能。做爲外部連接端子的導體9的具體構造，可設爲 -8- 1298913 、 (6) •與後述的實施形態相同。 S i基板2係具有開口部1 〇。開口部1 〇係以元件部3 的背面露出的方式，於其下方貫通Si基板2而設置。藉 由這種開口部1 〇，元件部3可從背面側調準。開口部1 0 以接合於Si基板2的背面側之第2蓋部1 1密封。第2蓋 部1 1與第1蓋部6相同，以Si基板等蓋部用半導體基板 加以形成，藉由分別設置於Si基板2及第2蓋部1 1的密 φ 封部12、1 3，接合於Si基板2。在各密封部7、8、1 2、 1 3獲得氣密密封性，應用金屬密封部較佳。 上述的中空型半導體裝置1係以如下之方式製作。首 • 先，於形成元件部3的Si基板2 (例如厚度150// m)的 ^ 表背面，以電鍍法、濺鍍法、蒸鍍法等例如形成厚度1至 5 // m的Au膜做爲密封部7、12，並圖案畫此等。Au膜 係_如介由省略圖示之阻障金屬層，形成於Si基板2上 。然後，從元件部3的形成面與相反側的面，以RIE等於 φ Si基板2形成開口部1 0。從開口部1 0因應目的特性調準 元件部3。 另外，在形成第1蓋部6的Si蓋（Si基板），以電 鑛法、濺鍍法、蒸鍍法等例如形成厚度1至5 // m的Sn 膜做爲密封部8，使其圖案化。Sn膜亦與Au膜相同，例 如介由省略圖示之阻障金屬層形成於Si蓋6的表面。在 元件部3的上方例如形成有高度5 // m左右的空間，將第 1之S i蓋6配置1並安裝於S i基板2的表面側。保持第 1之Si蓋6的中空狀態之密封部的厚度，係依據成爲密 -9- 1298913 、 (7) •封部7、8的厚度或底層的金屬層（例如設置於Si基板2 、6的表面之阻障金屬層）的厚度等，亦可適當調整。 另外，在形成第2蓋部1 1的Si蓋（Si基板），亦與 第1蓋部6相同，以電鍍法、濺鍍法、蒸鍍法等例如形成 厚度1 // m的Sn膜做爲密封部1 3，並使其圖案化。以密 封元件部3的調準結束的開口部1 0之方式，將第2之Si 蓋11配置安裝於Si基板2的背面側。然後，加熱以Si • 基板2與第1及第2之Si蓋6、11所構成之複合體，進 行Au與Sn之共晶接合。如此，使第1及第2之Si蓋6 、1 1接合於Si基板2。 • 上述之複合體的加熱，係使用沖壓裝置一邊施加適當 . 的加壓力一邊實施，使用平坦化熱處理爐或熱板等，因應 需要以重物等一邊加壓一邊進行亦可。此等係以晶圓調平 等安裝亦可，又，組裝作爲總括複數個元件部3的區塊亦 可。再者，如後述的實施形態所示，構成元件構造部的 φ Si基板2以晶圓的狀態形成元件部3，各蓋部6、1 1以元 件單位接合亦可。 使用在Au — Sn共晶接合的Au膜及Sn膜係在Si基 板2與蓋部6、1 1相反地配置亦可，使用預先合金化的 Au — Sn亦可。在任一種中接合作用皆沒有改變。構成密 封部7、8、1 2、1 3的金屬爲低融點金屬亦可，不限定於 Au — Sn共晶合金，即使爲其他低融點金屬，亦可獲得相 同的效果。在成膜時，亦可使用適當的阻障金屬層等。再 者，藉著設置預先貫通於第1蓋部6的導體，可容易形成 -10- 1298913 (8) • 元件部3的外部連接端子9。 如此，在以第1蓋部6密封元件部3時’獲得以第2 蓋部1 1密封Si基板2的開口部1 〇之構造。於元件部3 的上方以第1蓋部與密封部7、8形成中空的氣密密封空 間。元件部3的下方藉由以第2蓋部1 1所密封的開口部 1 〇設爲中空狀態。根據這種中空封裝體構造，在維持元 件部3的密封信賴性時，可穩定獲得需要F B E R過濾器等 φ 中空部的元件部3之特性。 亦即，在元件部3應用FBER等時，雖然需要振動元 件部3的空間，但根據該實施形態的中空型封裝體構造， • 可形成密封於元件部3的上下之空間。就Si基板2的表 . 面側而言，在Si基板2形成元件部3之後，以成膜製程 形成密封部7，藉著使與此另外形成密封部8的第1之Si 蓋6金屬接合’容易形成中空狀態的密封空間。再者，可 提高密封空間的氣密性。 • 就Si基板2的背面側而言，由於在形成元件部3之 後’例如以RIE形成開口部〗〇，因此因應元件部3的特 性，可從開口部1 0進行調準。再者，開口部1 〇與Si基 板2的表面側相同，藉著金屬接合設置密封部1 3的第2 之S i蓋1 1可確實密封。此時，與樹脂密封不同，不需埋 入開口部1 〇，在維持元件部3的下方空間之狀態下，密 封開口部1 0。此外，開口部i 〇除了上述的RIE之外，以 濕蝕刻或雷射加工等形成效果亦不會改變。 關於Si基板2與第1及第2之Si蓋6、11之接合， -11 - 1298913 Ο) .藉由應用Au — Sn共晶銲劑等之金屬密封（接合），可使 用容易獲得的一般材料，以比較低溫的裝置實施。因而， 不需要高價的特殊設備等。又，由於形成有Au〜Sn共晶 合金之後爲金屬接合，因此密封係強固，對於以樹脂等之 水分的浸漬，形成強的封裝體構造。即使與元件周邊的環 境相對，沒有因爲樹脂等而產生的氣體問題。 再者’具有上述的中空型封裝體構造之半導體裝置i φ ’由於在包含蓋部6、11的構成要素應用Si基板，因此 與溫度變化相對具有熱膨脹係數。藉此，可獲得翹曲等變 形強的構造。在接合時，以第1之Si蓋6保護強度弱的 • 元件部3之後，由於以第2之S i蓋1 1覆蓋背面開口部 1 〇，因此與壓縮力相對亦爲強的構造。 在此，Si基板2的背面側如第2圖所示，以樹脂薄 膜14密封亦可。樹脂薄膜14預先被層壓在第2之Si蓋 11，將此等層壓於Si基板2的背面側。如此藉由在開口 φ 部1 0的密封應用樹脂薄膜1 4的層壓，不需如一般的樹脂 密封，埋入開口部全體，可確保開口部1 〇的空間。 使用在開口部1 〇之密封的樹脂薄膜1 4 ’由於厚度、 精確度優良，因此可以提高層壓後的平坦性或封裝體全體 的厚度、精確度。另外，例如Si蓋11與樹脂薄膜14的 厚度，亦可形成薄於1 0 0以m以下’因此可以使封裝的總 厚度變薄。樹脂薄膜1 4藉著應用取代吸濕性不易的密閉 構造或Si蓋1 1 ’而應用黏合金屬范的構造等’可以獲得 對於從開口部1 0浸入水分之強的構造。樹脂薄膜1 4的層 -12- 1298913 (ίο) .壓，可以市售的層壓板來進行。 然後，參照第3圖到第6圖，說明本發明的第2實施 形態。第3圖所不的第2實施形態的中空型半導體裝置 2 0，與第1實施形態相同，在表面具有形成元件部3的 Si基板2。元件部3的構成與第1實施形態相同。以在Si 基板2露出元件部3的背面之方式，設置有開口部1 〇， 該開口部1 〇以S i蓋1 1加以密封，S i基板2與S i蓋1 1 φ 的接合與第1實施形態相同，可以應用Au - Sn共晶銲劑 進行共晶接合等。 於S i基板2的表面側所形成的元件部3的周圍，配 . 置有以薄膜製程形成的中空構造的圓頂部2 1，亦即元件 ^ 部3以具有高度5/zm左右的中空構造之薄膜圓頂21加 以覆蓋。這種薄膜圓頂2 1，例如以如下的方式形成。首 先，以例如由光阻劑構成的犧牲層覆蓋元件部3之後，在 其表面例如形成Ti膜與Au膜的積層膜。首先，以蒸鍍等 # 形成Ti/Au膜之後，以電鍍等將Au膜的膜厚設爲數从❿ 左右。然後，藉著從例如開口部1 〇除去犧牲層，可以獲 得中空構造的薄膜圓頂2 1。 第2實施形態的中空型半導體裝置20，由於僅薄膜 圓頂2 1的強度弱，因此包含薄膜圓頂2 1的表面，以密封 樹脂2 2覆蓋s i基板2的表面全體。如此，藉由以薄膜圓 頂2 1以及密封樹脂22、晶圓調平或複數個元件的區塊單 位密封元件部3，可獲得強固且平滑的封裝構造。在密封 樹脂22的密封面預先埋入電極，或在成膜製程，例如形 -13· (11) 1298913 I 成Cu的端子（Post)作爲外部連接端子9。 更如第4圖所示，在密封樹脂22形成電極取出用開 口 23，在該開口 23內藉由埋入導電銀糊等導體，可形成 外部連接端子9。如第5圖所示，外部連接端子9亦可配 置於裝置端部，第5圖所示的外部連接端子9，在最後單 體化時，係利用配置於被切斷的位置上的導體，在切割時 露出外部連接端子9，如此，外部連接端子9以各種方法 φ 形成。 根據第2實施形態的中空型半導體裝置20，由於在 元件部3的上方配置薄膜圓頂21，因此可確保元件部3 . 的密封構造所需要的空間（例如從元件部3起高度5 // m 左右的空間）。薄膜圓頂2 1本身之強度低，藉著以密封 樹脂22覆蓋其周邊可以提高強度。在樹脂密封部製程中 •，藉著在薄膜圓頂2 1的下面設置犧牲層，可以維持與密 封時的壓力相對之薄膜圓頂2 1的形狀。在以密封樹脂22 φ 固定薄膜圓頂21的外周之後，從設置在Si基板2的開口 部1 0例如以乾蝕刻法除去犧牲層，在元件部3與薄膜圓 頂2 1之間可以形成空間。 一般來說’雖然樹脂對於吸濕較爲不利，但由於薄膜 圓頂2 1形成阻障，因此可以獲得對於水分較強的封裝體 構造。再者，以密封樹脂22平坦化可緩和凹凸。Si基板 2的背面側與第1實施形態相同。以Si蓋！ ！密封以RIE 、濕蝕刻、雷射加工等所形成的開口部1 〇。開口部1 0在 維持元件部3的下方空間之狀態下被密封。藉由此等，在 -14- (12) 1298913 .提高元件部3的密封信賴性時，可以提供一種可使兀件 3 (例如FBAR過濾器）穩定的動作之中空型半導體裝 20 〇 此外，在S i基板2的背面側之密封構造’與第1 施形態相同，可以應用樹脂薄膜1 4。第6圖是表示密 開口部1 0，並且使在S i基板2的背面側預先層壓樹脂 膜14的Si蓋1 1接合的中空型半導體裝置20。樹脂薄 φ 1 4取代吸濕不良的密閉構造或Si蓋1 1，而應用黏合金 箔的構造等，可以獲得對於從開口部1 〇浸入水分之強 構造。根據樹脂薄膜14，如前所述，可提高層壓後的 ， 坦性或封裝體全體的厚度精確度，又可以使封裝的總厚 變薄。 然後，參照第7圖至第14圖，說明本發明的第3 施形態。第7圖所示的第3實施形態的中空型半導體裝 30具備元件構造部31與蓋部32。元件構造部31具有 φ 基板33作爲元件用半導體基板，在該Si基板33的表 形成有元件部34。元件部34例示有在其上方必須爲中 狀態的FBAR過濾器、MEMS等過濾元件。 元件部34連接有電極35、36。此等電極35、36, 如藉由形成於Si基板33上的阻障金屬層與Cu電鍍層 積層膜所構成。在具有元件部34的Si基板33設置有 爲貫通電極電極的連接柱塞3 7、3 8。連接柱塞3 7、3 8 設置於Si基板33的貫通孔39內，介以Si氧化膜40 絕緣膜所形成的導體層（例如Cu層）4 1。貫通孔3 9內 部 置 實 封 薄 膜 屬 的 平 度 實 置 Si 面 空 例 之 作 在 等 以 -15 - (13) 1298913 • 導體層41充塡亦可。 在Si基板33的背面側介以配線層（例如Cu層 ，設置有作爲外部連接端子4 3的銲劑凸塊。外部這 子4 3如第8圖所示，亦可爲Au電鍍層等的平面。 ’中空型半導體裝置30可以應用在BGA構造以及 構造中任一種構造。又，亦可使用配線層42作爲錶 連接襯墊來加以配線。 φ 設置在S i基板3 3的表面側之電極3 5、3 6與設 背面側的外部連接端子4 3，介由設置在s i基板3 3 貫通電極的連接柱塞3 7、3 8電性連接。再者，在s i • 3 3的表面側以包圍元件部3 4和電極3 5、3 6的方式 成有元件側金屬密封部44。在元件側金屬密封部44 應用以後述的蓋部側金屬密封部之組合，構成低融點 (例如A11 — S η共晶合金）的金屬材料（例如a u或 Sn合金）。元件側金屬密封部44具體而言具有介由 春金屬層的底層金屬層所形成的Au層或Au - Sn合金 藉由此等各構成要素，構成元件構造部3 1。 另外，蓋部32具有以元件部34的上方成爲中空 的方式密封的蓋部用基板45。雖然在蓋部用基板45 例如S i基板，但是並不限定於此，亦可以應用玻璃 等。蓋部用基板45亦可具有固定腔46，在蓋部用基; 的外周部形成有在與元件側金屬密封部4 4抵接的位 ，形成有蓋部側金屬密封部47。藉由使元件側金屬 部4 4與蓋部側金屬密封部4 7接合。元件部3 4之上 )42 接端 亦即 LGA 線的 置在 作爲 基板 ，形 可以 金屬 An — 阻障 層， 狀態 應用 基板 U 45 置上 密封 方以 -16- (14) 1298913 .成爲中空狀態的方式，以蓋部用基板45氣密密封。 在上述元件側以及蓋部側金屬密封部44、47，依據 此等組合，使用構成低融點金屬的金屬材料。代表例有上 述的Au - Sn共晶合金。在應用An — Sn共晶合金時，例 如以A u層形成兀件側金屬密封部4 4，以S η層或A u — S η 合金層形成蓋部側金屬密封部4 7，此等係以電鍍法、潑 鍍法、蒸鍍法等來形成。亦可在元件側與蓋部側設置金屬 φ 密封部44、47的構成材料，或可在雙方應用ah - Sn合 金層。再者，構成金屬密封部44、47的金屬材料不限定 爲Au — S η共晶合金，例如可利用共晶點在2 0 0至3 5 0。(： . 前後的低融點合金。 ^ 在第3實施形態的中空型半導體裝置3 0中，以設置 於具有元件部34的Si基板33的連接柱塞37、38，將元 件部34的配線取出到外部。藉此，在蓋部32接合時，沒 有合倂電性連接來實施的必要，可同時提高元件部34與 φ 外部連接端子43之電性連接信賴性，與形成在元件部34 上方之密封空間的氣密性。 亦即，由於元件部3 4的配線預先以連接柱塞3 7、3 8 來形成，因此在蓋部3 2接合時，僅考慮元件側金屬密封 部44與蓋部側金屬密封部47的抵接性或擴散性。因而， 在維持元件部34與外部連接端子43的電性連接信賴性時 ，可以提高元件部3 4上方的密封空間的氣密性。如後所 述，藉由第4實施形態雖可同時提高元件部與外部連接端 子之電性連接信賴性以及元件部上方之密封空間的氣密性 -17- (15) 1298913 ，，但由於第3實施形態不需在蓋部3 2接合時進行電性連 接，因此可更加提升電性連接信賴性與密封空間的氣密性 〇 第3實施形態的中空型半導體裝置3 0，以如下之方 式製作。參照第9A圖至第9D圖，以及第l〇A圖至第 10C圖，說明中空型半導體裝置30的製程。首先，如第 9A圖所示，從Si基板33的表面側形成成爲連接柱塞的 φ 形成部之凹部39。氧化該凹部39的內面，形成由Si氧 化膜4 0所構成的絕緣膜。更進行C u電鍍等，在凹部3 9 內形成導體層41。此外，爲了說明上的方便，雖然圖示 • 沒有充塡凹部3 9的狀態，但是凹部3 9亦可以Cu或其他 金屬或能耐住3 5 0 °C左右的溫度之材料充塡。 然後，如第9 B圖所示，在S i基板3 3的表面側形成 元件部（元件膜）3 4，並且例如形成由阻障金屬層的底層 金屬膜（Ti或Ni)與Cu導體層之積層膜所構成的電極 φ 3 5、3 6。電極3 5、3 6之一方的端部與元件部3 4電性連接 ，另一方的端部以與凹部39內的導體層41連接之方式形 成。再者，以包圍元件部34與電極35、36的方式，在 Si基板33的外周部側形成元件側金屬密封部44。在此， 於底層金屬膜（Ti或Ni)上形成Au層。此外，在電極 3 5、3 6以及元件側金屬密封部4 4的底層金屬膜與s i基 板3 3之間，介存有Si氧化膜等絕緣膜。 然後，如第9 C圖所示’在外周部準備形成蓋部側金 屬密封部4 7的蓋部用基板（例如S i蓋）4 5。在此，於作 -18- (16) 1298913 •爲盍部側金屬密封部4 7的底層金屬膜（τ i或N i )上，形 成Sn層與Au — Sn合金層。將這種蓋部用基板45配置於 S i基板3 3上。蓋部用基板4 5以抵接有元件側金屬密封 部44與蓋部側金屬密封部47的方式配置。然後，藉由加 熱到元件側金屬密封部44與蓋部側金屬密封部47的接合 溫度（在此爲An — Sn共晶溫度），使蓋部用基板45接 合於Si基板33。元件側以及蓋部側金屬密封部44、47 ^ 係合金化，而構成氣密密封部4 8。

Si基板33與蓋部用基板45之加熱接合，是一邊使 用沖壓裝置等施加適度的加壓力，一邊進行亦可，或使用 • 平坦化熱處理爐或熱板等，因應需要一邊以重物等加壓一 ^ 邊進行亦可。第9A圖至第9D圖以及第10A圖至第10C 圖，雖表示製作一個中空型半導體裝置30的狀態，但Si 基板3 3及蓋部用基板45以晶圓調平接合，或接合作爲總 括複數單位之區塊亦可。再者，亦可以個片化蓋部用基板 Φ 4 5而接合。即使在此等任一個製程中，亦可應用相同的 接合製程。 然後，如第9D圖所示，在以玻璃基板最具代表性的 支持基板49，介由黏著劑50黏合蓋部用基板45之後， 硏削加工Si基板33的背面側至凹部39內的導體層41露 出爲止。藉由該Si基板33的背面加工，形成有貫通Si 基板3 3的連接柱塞3 7、3 8。然後，如第1 0 A圖所示，成 膜連接於連接柱塞3 7、3 8的配線層42。在應用平面做爲 外部連接端子時，在該階段形成Au層等。 -19- (17) 1298913 .此外，省略一般的硏磨製程或微影製程等說明 基板49亦可以聚對苯二甲酸乙二醇酯或聚烯等樹 材作爲支持體。再者，蓋部用基板45硏削到預先 厚度，與S i基板3 3黏合亦可，但如上所述，雖然 之後進行硏削，但是對於防止因處理而產生裂開等 利。 如第1 0B圖所示，以玻璃基板具有代表性的支 φ 51，介由接著劑50黏合Si基板33的背面側（外 端子側）之後，將蓋部用基板4 5的背面硏削加工 的厚度。以晶圓單位或複數單位接合時，在蓋部 • 45的最後加工後，進行刀片切割等，分離成個別 _ 體（中空半導體裝置30)。 在應用銲劑凸塊作爲外部連接端子43時，如 :圖所示，在進行兩面硏削加工之後，於配線層42 銲劑凸塊，銲劑凸塊43亦可形成於第1 0A圖所示g φ 板3 3的背面加工。此外，支持基板5 1如上所述， 聚對苯二甲酸乙二醇酯或聚烯等樹脂膠帶材作爲支 連接柱塞37、38不限定於從Si基板33的表 成。如第11圖或第12圖所示，連接柱塞37、38 Si基板33的背面側形成。即使在任一個連接柱塞 中，在維持元件部34與外部連接端子43的電性連 性時，可提高元件部3 4上方的密封空間之氣密性 ，可同時提高中空型半導體裝置3 0的電性信賴性 信賴性。 。支持 脂膠帶 特定的 在黏合 較爲有 持基板 部連接 到特定 用基板 的封裝 第10C 上形成 句Si基 亦可以 持體。 面側形 亦可從 37、38 接信賴 。亦即 與密封 -20- (18) 1298913

, 參照第13A圖至第13D圖，以及第14A圖至第14C 圖，說明從Si基板33的背面側形成連接柱塞37、38時 的製程。首先，如第13A圖所示，在Si基板33的表面側 形成元件部（元件膜）3 4以及電極3 5、3 6。再者，以包 圍元件部34與電極35、36的方式，在Si基板33的外周 部側形成元件側金屬密封部44。 然後，如第1 3 B圖所示，將於外周部形成蓋部側金屬 φ 密封部4 7的蓋部用基板（例如S i蓋）4 5，配置於具有餘 件部34等的Si基板33上。藉由加熱至元件側金屬密封 部4 4與蓋部側金屬密封部4 7的接合溫度，使蓋部用基板 . 45接合於Si基板33。此外，各製程的詳細與前述的製程 相同。 如第1 3 C圖所示，以玻璃基板具有代表性的支持基板 49，介由接著劑50黏合蓋部用基板45之後，將Si基板 3 3的背面側硏削加工到特定的厚度。然後，如第〗3D圖 φ 所示，對S i基板3 3例如進行蝕刻處理，從S i基板3 3的 背面側形成成爲連接柱塞的形成部的凹部3 9。凹部3 9係 以到達電極3 5、3 6的方式形成。換言之，凹部3 9以使電 極35、36露出的方式形成。 氧化上述凹部39的內面，形成由Si氧化膜4〇所構 成的絕緣膜。更於除去存在於凹部39的底部的Si氧化膜 4〇之後’進行Cu電鍍等，在凹部39內形成導體層41。 如此，形成貫通Si基板33之連接柱塞37、38。凹部39 亦可以CU或其他金屬或能耐住35(rc左右的溫度之材料 -21 - (19) 1298913 ，充塡。 然後，如第14A圖所示，成膜連接於連接柱塞37、 3 8的配線層4 2。再者，如第1 4 B圖所示’以玻璃基板具 有代表性的支持基板5 1，介由接著劑5 0黏合S i基板3 3 的背面側之後，將蓋部用基板4 5的背面硏削加工到特定 的厚度。以晶圓單位或複數單位接合時’在蓋部用基板 45的最後加工後，進行刀片切割等’分離成個別的封裝 φ 體（中空半導體裝置30)。 在應用銲劑凸塊作爲外部連接端子43時，如第1 0C 圖所示，在進行兩面硏削加工之後，於配線層42上形成 . 銲劑凸塊。蓋部用基板（Si蓋）45硏削到預先特定的厚 度，與S i基板3 3黏合亦可，但如上所述，雖然在黏合之 後進行硏削，但是對於防止因處理而產生裂開等較爲有利 〇 然後，參照第15圖至第17圖，說明本發明的第4實 • 施形態。第1 5圖所示的第4實施形態的中空型半導體裝 置6 0，具備元件構造部6 1與蓋部6 2。元件構造部6 1具 有Si基板63作爲元件用半導體基板，在該Si基板63的 表面形成有元件部64。元件部64例示有FBAR過濾器、 MEMS等過濾元件。在元件部64連接有電極65、66。更 於S i基板6 3的表面側以包圍元件部6 4和電極6 5、6 6的 方式，形成有元件側金屬密封部67。元件部64、電極65 、66、以及元件側金屬密封部67，係形成於Si基板63 的相同面。 -22- 1298913 (20) • 電極6 5、6 6、以及元件側金屬密封部6 7，係以相同 的第1金屬材料所構成。第1金屬材料係應用以後述的蓋 部62之連接襯墊以及金屬密封部的組合，構成低融點金 屬（例如Au — Sn共晶合金）之金屬材料（例如An)。此 等電極65、66、以及元件側金屬密封部67，例如於Si基 板63上具有介由阻障金屬層等的底層金屬膜所形成的Au 曾。此外，電極6 5、6 6、以及元件側金屬密封部6 7的底 φ 層金屬膜與Si基板63之間，介存有Si氧化摩等絕緣膜 。藉由此等各構成要素構成元件構造部6 1。 另外，蓋部62具有以元件部64的上方成爲中空狀態 . 的方式密封的蓋部用基板68。雖然在蓋部用基板68應用 例如Si基板，但是並不限定於此，亦可以運用玻璃基板 等。又，蓋部用基板68亦可具有固定腔。在蓋部用基板 68設置有連接柱塞69、70做爲貫通電極。連接柱塞69、 7〇形成於與設置在貫通電及的表面之電極65、66抵接的 φ 位置上，更於與電極65、66的抵接面，設置有連接襯墊 71 〇 連接柱塞69、70在蓋部用基板68所設置的貫通孔 72內，具有介由Si氧化膜73等絕緣膜所形成的導體層 (例如Cu層）74。亦可以導體層74充塡貫通孔72內。 連接襯墊71設置在貫通孔72內所形成的導體層74的底 部，構成與電極65、66之連接部。再者，於蓋部用基板 68的外面（與元件部64相對向的面相反側的面）形成有 與連接柱塞69、70電性連接的配線層75，在該配線層75 -23- (21) 1298913 上設置有外部連接端子76。 配線層75例如在蓋部用基板68上，具有介以如阻障 金屬層的底層金屬膜所形成的Cu層。外部連接端子76具 有往 Au電鍍層等所構成的平面。在此，表示作爲可直接 安裝中空型半導體裝置60的平面做爲外部連接端子76。 作爲外部連接端子76的平面亦可以Au電鍍面本身構成 ’亦可在Au電鍍層的表面以塗敷或電鍍所形成的Sn — Pb φ 等銲劑層來構成。此外，外部連接端子76亦可以與連接 柱塞69、70直接連接的方式形成。 在蓋部用基板6 8的外周部與與元件側金屬6 7抵接的 • 位置上，形成有蓋部側金屬密封部7 7。蓋部側金屬密封 ， 部77以與連接襯墊71相同的第2金屬材料構成。在第2 金囑材料以與第1金屬材料之組合（電極65、66以及元 件側金屬密封部6 7的構成材料），構成低融點金屬之金 屬材料。低融點金屬（例如低融點合金）的代表例，舉出 9 有上述Au"~Sn*晶合金。但是並不限定於此，例如亦可 應用共晶點2 0 0至3 5 0 °C前後的低融點合金。 如上所述，於電極6 5、6 6以及元件測金屬密封部6 7 的構成材料，亦即於第1金屬材料應用Αιι時，在連接襯 墊71以及蓋側金屬密封部77的構成材料即第2金屬材料 ，應用Sn或Au — Sn合金。此等係以電鍍法、濺鍍法、 蒸鍍法等形成。在第1金屬材料應用Au，在第2金屬材 料應用sn時，在此等的抵接部，使Au與Sn的比率例如 成爲Au〜20質量％ Sn前後，來控制各層的厚度等。此 -24- 1298913 (22) 外，第1金屬材料與第2金屬材料亦可設於元件側與蓋部 側的相反側，或亦可在雙方應用An - Sn合金層。 在任何一種情況下，以相同的金屬材料形成電極6 5 、名6以及元件側金屬密封部67，以相同的金屬材料形成 連接襯墊7 1與蓋部側金屬密封部7 7。更同時使電極6 5、 66與元件側金屬密封部67成膜，使連接襯墊7 1與蓋部 側金屬密封部7 7同時成膜。藉此，分別均一化第1及第 φ 2金屬材料層的膜厚。因而，可同時提高電極65、66與 連接襯墊7 1的抵接性以及金屬密封部67、77之間的抵接 性。此在兀件部6 4與外部連接端子7 5之電性連接信賴性 - ，以及元件部3 4的上方所形成的密封空間之氣密性的同 _ 時提高相當重要。 然後，使連接電極65、66與連接襯墊71接合，並電 性連接元件部64與外部連接端子75之同時，使元件側金 屬密封部6 7與蓋部側金屬密封部7 7接合，並以蓋部用基 φ 板68氣密密封元件部64。同時進行此等電極65、66與 連接襯墊7 1之接合，以及元件側及蓋部側金屬密封部67 、77的接合。藉由這種接合製程，設置在Si基板63的 表面側之電極6 5、6 6與設置於蓋部用基板6 8的外部連接 端子76，係介由設置於蓋部用基板68作爲貫通電極的連 接柱塞69、70電性連接。再於元件部64的上方形成氣密 的密封空間7 8。 電極65、66與元件側金屬密封部67、以及連接襯墊 7 1與蓋部側金屬密封部77，係分別使用同種金屬材料且 -25- (23) 1298913 同時成膜而形成。因此’可同時提高此等接合步驟之電極 65、66與元件側金屬密封部67之抵接性、及連接襯墊7 1 與蓋部側金屬密封部7 7之抵接性。藉此’在蓋部用基板 68接合時，在提升與形成在元件部64的上方之密封空間 7 8的氣密性，同時提升元件部6 4與外部連接端子7 5之 電性連接信賴性。 亦即，可同時提高中空型半導體裝置60的氣密性與 φ 電性連接信賴性。如此，由於可以同時提高氣密性與電性 連接信賴性，因此藉由以同種金屬材料且同時成膜形成： 電極6 5、6 6與元件側金屬密封部6 7、以及連接襯墊7 1 - 與蓋部側金屬密封部77甚爲重要。 設置於連接柱塞69、70的前端之連接襯墊71 ’如第 1 6圖所示，以從蓋部側金屬密封部77突出之方式形成較 爲理想。使連接襯墊71突出的構造依據連接柱塞69、70 的層構成或層厚度等可獲得。又，亦可改變連接襯墊71 φ 的厚度而突出。如此，藉由使用連接襯墊71從蓋部側金 屬密封部77突出之蓋部62，可更加提升元件部64與外 部連接端子75之電性連接信賴性。 例如在電極65、66與元件側金屬密封部67應用Au ，於連接襯墊71與蓋部側金屬密封部77應用Sn之情況 。使S i基板6 3與蓋部用基板6 8相對向且精密的位置對 準之後，以保持兩者平行的狀態抵接時，使連接襯墊7 1 先抵接。在一邊加熱一邊加壓接合的製程中，由於構成連 接襯墊71的Sn之融點爲23 2 °C，比金屬密封部77先與 -26- (24) 1298913 構成Si基板63側的電極65、66之Αυ開始反應。再者， 進行加壓而電極65、66的彈性變形開始時，使蓋部側金 屬密封部77的Sn與元件側金屬密封部67的Au抵接， 與:此同時，使Sn融出，進行與Au的擴散。 然後，藉著加熱至超過Au — Sn的共晶點即2 8 0°C的 溫度，可同時提高電極65、66與連接襯墊71的接合性、 以及蓋部側金屬密封部67、77之間的接合性。至此，雖 φ 表示藉由Au與Sn的接合進行合金化之例，亦可應用預 先被合金化的Au — Sn獲得同樣的效果。再者，不限於Au 一 Sn共晶合金，亦可運用共晶點爲200至3 5 0°C的低融點 - 合金。 ^ 此外，在上述實施形態中，雖說明具有由Au電鏟層 等購成的平面作爲外部連接端子76的中空型半導體裝置 60，但是與外部基板的連接亦可藉由連線銲接來進行。再 者，外部連接端子如第1 7圖所示，亦可爲銲球、Au電鍍 φ 凸塊、Au抬狀凸塊等金屬凸塊79。再者，亦可應用導電 性樹脂凸塊。如此，中空型半導體裝置60亦可應用在 LGA構造、BGA構造、連線銲接構造中任一種構造。 然後，說明本發明的中空型半導體裝置之製造方法的 實施形態。在製作上述各實施形態的中空型半導體裝置時 ，元件用半導體基板與蓋部用基板之接合，係可在晶圓單 位、總括複數元件的區塊單位、元件單位中任一單位進行 。爲了謀求中空型半導體裝置的製造效率之提升或製造成 本的降低，以晶圓單位進行接合較爲理想。但是，當將元 -27- (25) 1298913 件用半導體基板與蓋部用基板的雙方設爲晶 導致部分氣密、密封性降低之慮。因此，以 備元件用半導體基板，對於形成於此的各元 合已被個片化的蓋部用基板較爲理想。 參照第18A圖至第18C圖說明這種中 置的製程。首先，如第1 8 A圖所示，在形 體基板的半導體晶圓（Si晶圓）81的表面 φ 的元件形成區域，形成複數個元件部（包含 要之連接柱塞等）82、和包圍此等的密封音 分別配置與各元件部82的形狀對應而個片 -板（例如Si蓋）84，並且熱壓接此等使之 _ 基板84因應需要具備連接柱塞等。各部的 晶圓8 1與蓋部用基板84之接合製程等，如 形態所示。 然後，如第1 8B圖所示，以其背面露出 φ 複數個蓋部用基板84所接合的半導體晶圓' 具有代表性的支持基板8 5。此時，以吸收 基板84的凹凸之方式，藉由樹脂保護劑86 用基板84接合於支持基板85。然後，在該 體晶圓8 1的背面側硏削加工到特定的厚度 蓋部用基板84的高度因爲接合狀態等而多 於以樹脂保護劑86可吸收複數個蓋部用基相 因此半導體晶圓8 1的背面加工與一般的晶围 如第18C圖所示，將半導體晶圓81的 圓單位時，有 晶圓的狀態準 件部，分別接 空型半導體裝 成元件用半導 側，因應個別 電極或因應需 β 8 3。然後， 化的蓋部用基 接合。蓋部用 構成或半導體 前述的各實施 的方式，安裝 S 1於玻璃基板 複數個蓋部用 將複數個蓋部 狀態下將半導 。即使複數個 少不同，但由 ί 84的凹凸， 3相同進行。 硏削面（背面 -28- 1298913 (26) ► )女裝於切割膠帶8 7的狀態下，因應各元件部8 2切割半 導體晶圓81。藉此，製作已被個片化的中空型半導體裝 置88。根據這種中空型半導體裝置88的製程，在抑制氣 密密封性的降低時，可謀求應用晶圓單位的加工，並使製 造效率提升。 此外，本發明係不限定於上述各實施形態，在元件部 上方亦可應用在與元件部上方需要氣密、密封空間的各種 φ 中空型半導體裝置。即使這些中空型半導體裝置及其之製 造方法，亦包含於本發明。本發明之實施形態在本發明的 技術思想範圍內可予以擴張或變更，該所擴張或變更之實 -施形態亦包含於本發明的技術範圍。 【圖式簡單說明】 第1圖係本發明之第1實施形態的中空型半導體裝置 的構成之剖面圖。 φ 第2圖係第1圖所示的中空型半導體裝置的一變形例 之剖面圖。 第3圖係本發明之第2實施形態的中空型半導體裝置 的構成之剖面圖。 第4圖係第3圖所示的中空型半導體裝置的一變形例 之剖面圖。 第5圖係第3圖所示的中空型半導體裝置的其他變形 例之剖面圖。 第6圖係第3圖所示的中空型半導體裝置之又一其他 -29- (27) 1298913 變形例之剖面圖。 第7圖係本發明之第3實施形態的中空型半導體裝置 的構成之剖面圖。 第8圖係第7圖所示的中空型半導體裝置的一變形例 之剖面圖。 第9A圖、第9B圖、第9C圖以及第9D圖係本發明 之第3實施形態的中空型半導體裝置的構成之剖面圖。 第10A圖、第10B圖、以及第10C圖係接續第9D圖 之中空型半導體裝置的製程的剖面圖。 第11圖係第7圖所示的中空型半導體裝置的其他變 形例之剖面圖。 第12圖係第7圖所示的中空型半導體裝置之又一其 他變形例之剖面圖。 第13A圖、第13B圖、第13C圖以及第13D圖係第 11圖所示的中空型半導體裝置的製程之剖面圖。

第14A圖、第14B圖、以及第14C圖係接續第13D 圖之中空型半導體裝置的製程的剖面圖。 第1 5圖係本發明之第4實施形態的中空型半導體裝 置的構成之剖面圖。 第16圖係第15圖所示的中空型半導體裝置的製程之 剖面圖。 第1 7圖係第1 5圖所示的中空型半導體裝置的一變形 例之剖面圖。 第18A圖、第18B圖、以及第18C圖係本發明之一 -30- (28) 1298913 實施形態的的中空型半導體裝置的製程之剖面圖 【主要元件符號說明】 1 =半導體裝置 2、 33、63 : Si 基板 3、 34、64 :元件部 4 :壓電體膜 5、 35、36、65、66:電極 6、 11、32、62:蓋部 7、 8、12、13 :密封部 9、43、75、76 :外部連接端子 1 0 :開口部 1 4 :樹脂薄膜 20、30、60、88:中空型半導體裝置 2 1 :薄膜圓頂 22 :密封樹脂 23 :開□ 3 1、61 :元件構造部 37、38、69、70 :連接柱塞 3 9 :凹部 40、73 : Si氧化膜 4 1、7 4 :導體層 42 :配線層 43 :銲劑凸塊 -31 - (29) 1298913 44、 67 :元件側金屬密封部 45、 68、84 :蓋部用基板 47、77 :蓋部側金屬密封部 4 8 :氣密密封 49、85、51 :支持基板 50 :黏著劑 7 1 :連接襯墊 φ 72 :貫通孔 7 8 :密封空間 79 :金屬凸塊 8 1 :半導體晶圓 82 :複數個元件部 83 :密封部 86 :樹脂保護劑 87 :切割膠帶 -32

Claims (1)

1298913 修_正替換頁. 十、申請專利範圍 第94 1 3 8994號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國96年1 1月26曰修正 1· 一種中空型半導體裝置，其特徵爲具備有： 元件構造部，係具有：半導體基板、設置於前述半導 體基板的表面側之元件部、設置於前述半導體基板的前述 0 表面側且連接於前述元件部的電極部、貫通前述半導體基 板且連接於前述電極部的連接柱塞、以與前述連接柱塞連 接的方式’設置於前述半導體基板的背面側之外部連接端 • 子、以及以包圍前述元件部的周圍之方式，形成於前述半 、 導體基板的前述表面側之元件側金屬密封部；以及 蓋部’係具有：以前述元件部的上方成爲中空狀態的 方式密封的蓋部用基板、以及以與前述元件側金屬密封部 抵接的方式’形成於前述蓋部用基板的蓋部側金屬密封部 •。 2 ·如申g靑專利範圍第1項之中空型半導體裝置，宜 中’前述元件側金屬密封部係具有第1金屬材料，且前述 盍側金屬密封部係具有以與前述第1金屬材料之組合，構 成低融點金屬之第2金屬材料。 3 *如申請專利範圍第1項之中空型半導體裝置，其 中，前述元件側金屬密封部或前述蓋側金屬密封部中的任 一方，係具有Au或Au—Sn合金，且另一方係以與前述 方之組口，構成Au— Sn共晶合金之Sn或Au — Sn合金 1298913 '~1 I - 一 〜 月τΐ日修暖)正賴頁 4·如申請專利範圍第1項之中空型半導體裝置，其 中’前述連接柱塞，係於前述半導體基板的前述表面側所 形成的凹部內，具有介由絕緣膜而形成的導體層。 5 ·如申請專利範圍第1項之中空型半導體裝置，其 中’前述連接柱塞，係於前述半導體基板的前述背面側所 形成的凹部內，具有介由絕緣膜而形成的導體層。 0 6.如申請專利範圍第1項之中空型半導體裝置，其 中’前述蓋部用基板，係具有半導體基板。 7 ·如申請專利範圍第1項之中空型半導體裝置，其 中，前述元件部具有從FBAR過濾器以及MEMS等所選擇 的過濾器元件。 8· —種中空型半導體裝置，其特徵爲具備有： 元件構造部，係具有··半導體基板、設置於前述半導 體基板的表面側之元件部、設置於前述半導體基板的前述 • 表面側且連接於前述元件部的電極部、以及以包圍前述元 件部的周圍之方式，形成於前述半導體基板的前述表面側 之元件側金屬密封部；以及 蓋部，係具有：以前述元件部的上方成爲中空狀態的 方式密封的蓋部用基板、在與前述電極部抵接的位置上貫 通前述蓋部用基板而形成的連接柱塞、設置於與前述蓋部 用基板的前述元件部相對向的面相反側的面上，連接於前 述連接柱塞的外部連接端子、以及以與前述元件側金屬密 封部抵接的方式，形成於前述蓋部用基板的蓋部側金屬密 -2- 1298913 tl月修(憂)瓜替谈貝 «ΜΜΜχτηηΗίΑίΜηι ιβίιι ι·Β·ϋ»ίΛ-Μ^Β.Ί(|^ιι,^^tmmr^^-ΛΛ», f-«."'*e*:eeerse#^e" 封部， 前述電極部與前述元件側金屬密封部，係具有相同的 第1金屬材料；前述連接柱塞的連接面與前述蓋部側金屬 密封部’係具有以相同且與前述第1金屬材料之組合，構 成低融點金屬之第2金屬材料。

9·如申請專利範圍第8項之中空型半導體裝置，其 中，前述第1金屬材料或前述第2金屬材料中任一方，係 具有Au或Au — Sn合金，且另一方係具有以與前述一方 之組合’構成Au— Sn共晶合金之Sn或Au - Sn合金。 10·如申請專利範圍第8項之中空型半導體裝置，其 中’前述連接柱塞的連接面，係具有從前述蓋側金屬密封 部突出至前述元件構造部側的連接襯墊。 1 1 ·如申請專利範圍第1 0項之中空型半導體裝置， 其中，前述元件構造部與前述蓋部，係從前述元件側金屬 密封部與前述蓋部側金屬密封部，先使前述電極部與前述 連接襯墊抵接，並予以接合。 12·如申請專利範圍第8項之中空型半導體裝置，其 中，前述元件部具有從FBAR過濾器以及MEMS等所選擇 的過濾器元件。 13. —種中空型半導體裝置之製造方法，其特徵爲具 備有： 在半導體基板的表面側形成複數個元件部的步驟； 以個別密封前述複數個元件部之方式，分別使已經個 片化的複數個蓋部接合於前述半導體基板之步驟； -3-

1298913 介由吸收前述複數個蓋部之凹凸的樹脂狀保護劑，使 前述半導體基板接合於支持基板之步驟； 加工接合於前述支持基板的前述半導體基板的背面之 步驟； 因應前述複數個元件部，切斷前述加工後的半導體基 板，製做以前述蓋部密封前述元件部的中空型半導體裝置 之步驟。

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