JP5200870B2 - 部品内蔵モジュールの製造方法 - Google Patents

部品内蔵モジュールの製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP5200870B2
JP5200870B2 JP2008289688A JP2008289688A JP5200870B2 JP 5200870 B2 JP5200870 B2 JP 5200870B2 JP 2008289688 A JP2008289688 A JP 2008289688A JP 2008289688 A JP2008289688 A JP 2008289688A JP 5200870 B2 JP5200870 B2 JP 5200870B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin layer
convex portion
resin
carrier
circuit component
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2008289688A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2010118436A (ja
Inventor
雅司 荒井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Priority to JP2008289688A priority Critical patent/JP5200870B2/ja
Publication of JP2010118436A publication Critical patent/JP2010118436A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5200870B2 publication Critical patent/JP5200870B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93Batch processes
    • H01L24/95Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/96Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being encapsulated in a common layer, e.g. neo-wafer or pseudo-wafer, said common layer being separable into individual assemblies after connecting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/14Integrated circuits
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/146Mixed devices
    • H01L2924/1461MEMS
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/156Material
    • H01L2924/15786Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H01L2924/15787Ceramics, e.g. crystalline carbides, nitrides or oxides
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191Disposition
    • H01L2924/19101Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19105Disposition of discrete passive components in a side-by-side arrangement on a common die mounting substrate

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)

Description

本発明は部品内蔵モジュールの製造方法に関するものである。本発明でいう部品内蔵モジュールとは、樹脂層に部品が内蔵された部品内蔵層を少なくとも一層有するモジュールを意味し、複数の部品内蔵層を有したり、部品内蔵層の上下面に薄層(部品が内蔵されていない層)がビルトアップされたモジュールも含む。
従来、携帯電話、自動車電話などの無線機器やその他の各種通信機器に、回路部品を樹脂層の中に埋設した部品内蔵層を備えた部品内蔵モジュールが用いられている。この種の部品内蔵モジュールの製造方法として、特許文献1には、配線パターンを形成した基板に回路部品を実装した上で、未硬化の樹脂層を回路部品及び基板上に圧着し、樹脂層の内部に回路部品を埋設した後、樹脂層を硬化させ、その後で基板を剥離する方法が提案されている。
絶縁性基板の内部に埋設される回路部品には、半導体集積回路のような集積回路素子のほか、フィルタ、コンデンサのような周辺受動部品もある。ところが、MEMS素子や弾性表面波素子のような回路部品は、樹脂層と接触すると特性が変化してしまうため、このような回路部品を樹脂層の内部に埋設することができない。そこで、樹脂層の内部に中空キャビティを形成し、この中空キャビティ内に回路部品を配置するようにした部品内蔵モジュールが特許文献2や3によって提案されている。
図4は特許文献2に示された部品内蔵モジュールの製造方法を示す。開口部41とビア42とを有する未硬化の樹脂層40を準備する一方、配線パターン44を形成した転写フィルム43を準備し、配線パターン44に回路部品45を実装する。次に、開口部41が回路部品45に対応するように、回路部品45を実装した転写フィルム43に対して未硬化の樹脂層40を圧着し、配線パターン44と樹脂層40のビア44とを接続させる。さらに、転写フィルム43を未硬化の樹脂層40から剥離する。その後、樹脂層40の上下に未硬化の樹脂層46,47を圧着し、3層の樹脂層40,46,47を同時に熱硬化させることで、開口部41内に回路部品45を収納した部品内蔵モジュールを得る。
この方法の場合、中央の樹脂層40と上下の樹脂層46,47との間の気密性を確保するため、中央の樹脂層40に対して上下の樹脂層46,47を強く圧着する必要がある。そのため、図5に示すように樹脂層に歪みが発生し、特に下側の樹脂層47が開口部41に向かって変形し、樹脂層47が回路部品45に接触する可能性がある。中央の樹脂層20の厚みを十分に厚くすれば接触の恐れはなくなるが、これでは部品内蔵モジュールの厚みが厚くなるという欠点がある。また、図4の(b)の段階で、回路部品45は配線パターン44だけで支持されているため、支持強度が非常に低く、図4の(c)で樹脂層46,47と圧着した時に、配線パターン44が断線する危険性がある。
図6は特許文献3に示された部品内蔵モジュールの製造方法を示す。この方法は、まず硬化済みの基板50の表裏面に配線パターン51,52を形成するとともに、表面の配線パターン51に回路部品53を実装する。次に、回路部品53のバンプ部分に封止材54を形成し、基板50の表裏面に未硬化の樹脂層55,56を圧着する。基板50の表面に圧着される樹脂層55には予め凹部55aが形成されており、この凹部55aに回路部品53が収納される。
この場合は、硬化済みの基板50の配線パターン51に回路部品53が実装されているので、その支持強度が低下することはない。しかし、未硬化の樹脂層55を基板50に対して圧着した際、図7に示すように凹部55aの底部が撓み、回路部品53に接触する可能性がある。凹部55aの深さを十分に深くしておけば接触の可能性は低くなるが、それだけ樹脂層55の厚みが厚くなるという欠点がある。
特開平11−220262号公報 特開平11−45955号公報 特開2004−31651号公報
本発明の目的は、樹脂層の厚みを薄くしながら、回路部品を樹脂層と接触させずに収納できる中空キャビティを形成できる部品内蔵モジュールの製造方法を提供することにある。
本発明に係る部品内蔵モジュールの製造方法は、上面に、中空形成用凸部が形成されると共に、前記中空形成用凸部以外の領域に第1の電極が形成され、当該第1の電極に第1の回路部品が実装されたキャリアを用意する第1の工程と、前記中空形成用凸部及び前記第1の回路部品を被覆するように、前記キャリア上に樹脂層を形成し、当該樹脂層を硬化させる第2の工程と、硬化した前記樹脂層から前記中空形成用凸部と一体に前記キャリアを剥離することにより、前記中空形成用凸部によって前記樹脂層の下面側に凹部を形成すると共に、前記樹脂層に前記第1の電極及び第1の回路部品を転写する第3の工程と、上面に第2の電極が形成され、当該第2の電極上に第2の回路部品が実装された基板を用意する第4の工程と、前記樹脂層を未硬化状態の接着剤層を介して前記基板の上面に接合し、前記凹部の中に前記第2の回路部品を収納する第5の工程と、を備えることを特徴とする。
まず、キャリア上に中空形成用凸部を形成すると共に、中空形成用凸部以外の領域に第1の電極を形成し、この電極に第1の回路部品を実装する。キャリアはSUS等の金属板でもよいし、樹脂フィルムでもよい。電極とは、回路部品を実装するための実装用ランドの他、ビア用ランド、ランド同士を相互に接続するための配線などを含んでもよいが、キャリアから樹脂層へ転写しやすくするため、銅箔などで形成するのがよい。第1の回路部品は、例えばチップコンデンサやチップ抵抗などの樹脂と接触しても特性が変化しないか、又は殆ど変化しない部品である。次に、中空形成用凸部及び第1の回路部品を被覆するように、キャリア上に樹脂層を形成し、この樹脂層を硬化させる。樹脂層の形成方法としては、例えば未硬化の熱硬化性樹脂シートを準備し、キャリア上に圧着・熱硬化させる方法を用いることができる。未硬化状態とは、例えばBステージ状態が望ましい。これにより、樹脂層の樹脂が中空形成用凸部や第1の回路部品の周囲に隙間なく充填される。次に、硬化した樹脂層からキャリアを剥離する。その際、キャリアと中空形成用凸部とが一体に剥離されるように、中空形成用凸部と樹脂層との密着力を、キャリアと中空形成用凸部との密着力より弱く設定しておく必要がある。キャリアを剥離することにより、中空形成用凸部によって樹脂層の下面側に凹部が形成されると共に、樹脂層に第1の電極及び第1の回路部品が転写される。
次に、上面に第2の電極が形成され、当該電極上に第2の回路部品が実装された基板を用意する。基板としては、例えば樹脂製又はセラミック製の配線基板を使用することができる。第2の回路部品は、MEMS素子や弾性表面波素子のような樹脂層と接触すると特性が変化してしまう部品である。基板の上面に、下面側に凹部を形成した樹脂層を未硬化状態の接着剤層を介して接合することにより、中空キャビティの中に第2の回路部品が収納される。このようにして、基板と樹脂層との多層構造の部品内蔵モジュールが形成される。
基板と樹脂層との接着に際して両者を圧着しても、樹脂層は既に硬化済みであるから、凹部が変形することがなく、第2の回路部品との接触を回避できる。凹部が変形しないので、樹脂層の厚みは中空キャビティを形成するための最小限の厚みでよく、部品内蔵モジュールを薄型に構成できる。
第1の工程において、中空形成用凸部は未硬化状態の樹脂ブロックであって、第2の工程において、樹脂層と共に樹脂ブロックを硬化させるようにしてもよい。すなわち、中空形成用凸部を未硬化状態の樹脂ブロックで形成した場合には、樹脂ブロック自体がタック性を持つので、接着剤などを必要とせずにキャリアに対して簡単に固定できる。そして、第2の工程において、樹脂層と樹脂ブロックとを同時に硬化させれば、硬化処理回数を少なくできると同時に、硬化によって樹脂ブロックをキャリアに強く固着させることができる。特に、樹脂ブロックと樹脂層とを同じ樹脂材料とした場合には、圧力に対する変形や熱硬化時の収縮率が同じになり、充填から硬化までの過程における樹脂ブロックと樹脂層との間の応力集中、変形、クラックなどを防止できる。
第1の工程において、中空形成用凸部は硬化物であって、当該硬化物を接着剤によりキャリアに固定してもよい。硬化物としては、樹脂ブロック、金属ブロック、セラミックブロックなど何でもよい。
第1の工程において、中空形成用凸部はキャリアと一体に形成されているものとしてもよい。例えばキャリアが金属板で構成されている場合、その金属板の一部を凸状にプレス加工することで、中空形成用凸部を形成してもよい。また、キャリアが樹脂板で構成されている場合には、凸部を一体成形することもできる。
第2の工程の前に、中空形成用凸部の表面に離型処理が施されているのが望ましい。中空形成用凸部の表面に離型処理を施すことにより、凸部と硬化後の樹脂層との密着力を、凸部とキャリアとの密着力に比べて小さくでき、キャリアを剥離する際に凸部と樹脂層とを簡単に剥離できる。そのため、凹部の中に凸部の一部が残留するという問題がなく、安定した形状の凹部を形成できる。なお、離型処理は単に離型剤を塗布するだけでもよいし、両面で樹脂に対する密着強度が異なるもの、例えば片面離型処理を施されたPETフィルム等を貼り付けてもよい。また、中空形成用凸部として例えばフッ素樹脂を用いた場合、フッ素樹脂は金属に対する接着力に比べて樹脂に対する接着力が低いので、格別な離型処理を施すことなく、樹脂層との剥離が簡単になる。
中空形成用凸部は、その頂部から底部に向かって拡径するテーパ状としてもよい。中空形成用凸部の形状は、凹部の中に収容される第2の回路部品の形状に応じて任意に選定できるが、テーパ状とした場合には、キャリアを剥離する際に中空形成用凸部と樹脂層との剥離が容易になる。なお、ここでテーパ状とは円錐台形状のほか、角錐台形状であってもよい。
以上のように、本発明に係る部品内蔵モジュールの製造方法によれば、中空部を必要とする回路部品と中空部を必要としない回路部品とを同じ樹脂層の中に配置できるので、高機能な部品内蔵モジュールを作成できる。また、キャリア上に中空形成用凸部を形成しておき、樹脂層の圧着後にキャリアを剥離するだけで中空部を形成できるので、中空部を形成するための格別な工程を必要とせず、工程を簡素化できる。樹脂層を基板と接合する段階で、樹脂層は既に硬化状態であるから、中空部が変形することがなく、第2の回路部品との接触を防止できると共に、樹脂層を薄くできる。
以下に、本発明の好ましい実施の形態を、実施例を参照して説明する。
図1は本発明にかかる部品内蔵モジュールの第1実施例を示す。部品内蔵モジュールAは、樹脂基板やセラミック基板などの絶縁性基板よりなるモジュール基板(基板)1を備えている。ここでは、モジュール基板1として単層構造の樹脂基板よりなるプリント配線板を用いたが、多層配線基板を用いてもよい。モジュール基板1の上面には電極(第2の電極)2〜4がパターン形成されている。このうち、モジュール基板1の左側の領域に形成された実装用電極2には第2の回路部品5が実装されている。第2の回路部品5は、圧電素子や弾性表面波素子のような樹脂層と接触すると特性が変化してしまう部品である。実装方法は、はんだ付け、導電性接着剤を用いた実装、バンプを用いたフリップチップ実装、プリコート実装など、如何なる方法でもよい。なお、モジュール基板1の下面に配線電極を形成し、上面の電極2〜4とビア導体を介して接続してもよい。
モジュール基板1の上面には、接着剤層10を介して樹脂層20が接着固定されている。接着剤層10には、実装用電極2を取り囲む開口部11が形成されており、電極3,4と対応する箇所には、厚み方向に貫通するビア導体12,13が形成されている。なお、この実施例では接着剤層10にビア導体12,13を形成したが、省略してもよい。
樹脂層20は、例えば熱硬化性樹脂、熱硬化性樹脂と無機フィラーとの混合物、ガラス繊維に熱硬化性樹脂を含浸させた樹脂組成物等で構成されている。接着剤層10と同質の材料とするのが望ましい。樹脂層20の下面には、接着剤層10の開口部11と対応する位置に凹部21が形成されており、接着剤10の開口部11と樹脂層20の凹部21とモジュール基板1とによって第2の回路部品5を封止する中空キャビティ22が形成されている。凹部21の側壁は、下方にむかって拡径するようにテーパ状に傾斜している。樹脂層20の下面であって、接着剤層10のビア導体12,13と対応する箇所には、電極(第1の電極)23,24が形成されている。電極23,24はビア導体12,13を介して電極3,4と接続されている。電極23,24上には第1の回路部品25,26がそれぞれ実装されている。第1の回路部品25,26は、樹脂層20の中に埋設しても電気的特性が変化しないか、又は殆ど変化しない部品である。実装方法は回路部品25,26の特性に応じて任意に選択できる。
次に、前記構成よりなる部品内蔵モジュールAの製造方法の一例を、図2を参照して説明する。ここでは、子基板状態における部品内蔵モジュールAの製造方法について説明するが、実際には子基板を複数個集合した集合基板状態で製造し、その後で子基板に分割する。
図2の(a)は第1工程を示し、上面に中空形成用凸部である樹脂ブロック31を固定したキャリア30を用意する。キャリア30としては、例えばSUS等の薄肉な金属板を用いることができる。キャリア30の樹脂ブロック31以外の領域には、電極23,24が銅箔などによりパターン形成され、これら電極23,24上に第1の回路部品25,26が実装されている。樹脂ブロック31は、例えば樹脂層20と同じ樹脂材料を使用し、頂部から底部に向かって拡径するテーパ状に形成したものであり、この段階では未硬化であるのが望ましい。未硬化の樹脂ブロック31を使用する場合、後述する未硬化の樹脂層20を圧着した時に変形しないように、圧着時において樹脂層20より硬い状態が望ましい。樹脂ブロック31の表面には離型剤32が塗布されている。
図2の(b)は第2工程を示し、樹脂ブロック31及び第1の回路部品25,26を被覆するように、キャリア30上に未硬化の樹脂層20を圧着し、熱硬化させる。ここで未硬化とはBステージ状態が望ましい。樹脂層20を圧着することにより、樹脂材料が樹脂ブロック31と第1の回路部品25,26の周囲に隙間なく充填され、電極23,24の表面にも密着する。そのため、第1の回路部品25,26は樹脂層20の中に埋設される。樹脂層20を熱硬化させる際、その熱で未硬化の樹脂ブロック31も同時に熱硬化される。
図2の(c)は第3工程であり、硬化した樹脂層20からキャリア30を剥離する。このとき、キャリア30の上面に形成された電極23,24が樹脂層20に転写される。一方、樹脂ブロック31の表面には離型剤32が塗布されているので、樹脂ブロック31と樹脂層20との密着力は、樹脂ブロック31とキャリア30との密着力より弱く、さらに樹脂ブロック31がテーパ状であるため、樹脂ブロック31がキャリア30と一体に樹脂層20から剥離される。その結果、樹脂層20の下面側に凹部21が形成される。
図2の(d)は第4工程であり、上面に電極2〜4がパターン形成され、その一部の電極2上に第2の回路部品5が実装されたモジュール基板1を準備する。このモジュール基板1の上に、未硬化の接着剤層10を間にして硬化済みの樹脂層20を積層接着する。接着剤層10には、第2の回路部品5を取り囲む開口部11が形成されているので、接着に際して開口部11と第2の回路部品5とを位置合わせすることで、接着剤10が第2の回路部品5に付着するのを防止できる。接着剤層10には、モジュール基板1の電極3,4と対応する位置にビア導体12,13が形成されている。ビア導体12,13は、例えば接着剤層10にビアホールを形成し、その中に導電ペーストを充填したものである。モジュール基板1の上に接着剤層10を間にして樹脂層20を接着する際、圧力を加えるが、樹脂層20は硬化済みであるため、凹部21が変形する心配がない。そのため、接着剤層10の厚みと圧縮代を予め適切に設定しておけば、凹部21の底面が第2の回路部品5に接触することがなく、樹脂層20の厚みを必要最低限に薄くできる。
図2の(e)は第5工程であり、モジュール基板1、接着剤層10及び樹脂層20の積層接着後、加熱することにより、接着剤層10の硬化とビア導体12,13の硬化とを同時に実施する。その結果、ビア導体12,13を介してモジュール基板1の電極3,4と樹脂層20の電極23,24とが電気的に接続される。第2の回路部品5の周囲には、モジュール基板1と樹脂層20の凹部21と接着剤層10の開口部11とによって中空キャビティ22が形成される。
図3の(a)〜(c)は、本発明における中空形成用凸部の他の実施例を示す。(a)は、キャリア30の上にフッ素樹脂よりなる樹脂ブロック33を固定した例である。キャリア30上に樹脂層20を圧着・硬化させた後、樹脂層20をキャリア30から剥離する際、フッ素樹脂は樹脂層20との密着性が悪いので、離型剤を塗布しなくても樹脂ブロック33は樹脂層20から簡単に剥離する。
図3の(b)は、キャリア30の上に接着剤34を介して金属ブロック35を固定したものである。この場合には、接着剤34の接着力が、樹脂層20と金属ブロック35との接着力より大きくなるように、接着剤34を選定する必要がある。
図3の(c)は、キャリア30を金属板で作成し、この金属板30にプレス加工によって凸部36を一体に形成したものである。この場合には、キャリア30に格別のブロックを接着しなくても、中空形成用凸部を形成できる。
本発明は前記実施例に限定されるものではない。本発明の部品内蔵モジュールは、モジュール基板1と接着剤層10と樹脂層20との3層構造に限るものではなく、樹脂層20の上に別の樹脂層や配線基板が積層されてもよいし、モジュール基板1の下側に別の樹脂層や配線基板が積層されてもよい。
本発明に係る部品内蔵モジュールの第1実施例の断面図である。 図1に示す部品内蔵モジュールの製造工程図である。 本発明に係る中空形成用凸部の他の実施例を示す断面図である。 従来の部品内蔵モジュールの一例の製造工程図である。 図4に示す製造工程における樹脂層の変形を示す図である。 従来の部品内蔵モジュールの他の例の製造工程図である。 図6に示す製造工程における樹脂層の変形を示す図である。
符号の説明
A 部品内蔵モジュール
1 モジュール基板(基板)
2 第2の電極
5 第2の回路部品
10 接着剤層
11 開口部
20 樹脂層
21 凹部
22 中空キャビティ
23,24 第1の電極
25,26 第1の回路部品
31 樹脂ブロック
32 離型剤
33 樹脂ブロック(フッ素樹脂製)
34 接着剤
35 金属ブロック
36 凸部

Claims (6)

  1. 上面に、中空形成用凸部が形成されると共に、前記中空形成用凸部以外の領域に第1の電極が形成され、当該第1の電極に第1の回路部品が実装されたキャリアを用意する第1の工程と、
    前記中空形成用凸部及び前記第1の回路部品を被覆するように、前記キャリア上に樹脂層を形成し、当該樹脂層を硬化させる第2の工程と、
    硬化した前記樹脂層から前記中空形成用凸部と一体に前記キャリアを剥離することにより、前記中空形成用凸部によって前記樹脂層の下面側に凹部を形成すると共に、前記樹脂層に前記第1の電極及び第1の回路部品を転写する第3の工程と、
    上面に第2の電極が形成され、当該第2の電極上に第2の回路部品が実装された基板を用意する第4の工程と、
    前記樹脂層を未硬化状態の接着剤層を介して前記基板の上面に接合し、前記凹部の中に前記第2の回路部品を収納する第5の工程と、を備える部品内蔵モジュールの製造方法。
  2. 前記第1の工程において、前記中空形成用凸部は未硬化状態の樹脂ブロックであって、
    前記第2の工程において、前記樹脂層と共に当該樹脂ブロックを硬化させることを特徴とする請求項1に記載の部品内蔵モジュールの製造方法。
  3. 前記第1の工程において、前記中空形成用凸部は硬化物であって、当該硬化物は接着剤により前記キャリアに固定されていることを特徴とする請求項1に記載の部品内蔵モジュールの製造方法。
  4. 前記第1の工程において、前記中空形成用凸部は前記キャリアと一体に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の部品内蔵モジュールの製造方法。
  5. 前記第2の工程の前に、前記中空形成用凸部の表面に離型処理が施されていることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1項に記載の部品内蔵モジュールの製造方法。
  6. 前記中空形成用凸部は、その頂部から底部に向かって拡径するテーパ状であることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか1項に記載の部品内蔵モジュールの製造方法。
JP2008289688A 2008-11-12 2008-11-12 部品内蔵モジュールの製造方法 Expired - Fee Related JP5200870B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008289688A JP5200870B2 (ja) 2008-11-12 2008-11-12 部品内蔵モジュールの製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008289688A JP5200870B2 (ja) 2008-11-12 2008-11-12 部品内蔵モジュールの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2010118436A JP2010118436A (ja) 2010-05-27
JP5200870B2 true JP5200870B2 (ja) 2013-06-05

Family

ID=42305937

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008289688A Expired - Fee Related JP5200870B2 (ja) 2008-11-12 2008-11-12 部品内蔵モジュールの製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5200870B2 (ja)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5577859B2 (ja) * 2010-06-04 2014-08-27 株式会社デンソー 電子装置の製造方法
WO2014185218A1 (ja) * 2013-05-16 2014-11-20 株式会社村田製作所 樹脂多層基板の製造方法
JP5768864B2 (ja) * 2013-11-20 2015-08-26 株式会社デンソー 電子装置の製造方法
US20150206812A1 (en) * 2014-01-23 2015-07-23 Qualcomm Incorporated Substrate and method of forming the same

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0368757A (ja) * 1989-08-09 1991-03-25 Fuji Electric Co Ltd 光学センサの製造方法
JP3547423B2 (ja) * 2000-12-27 2004-07-28 松下電器産業株式会社 部品内蔵モジュール及びその製造方法
JP2003243797A (ja) * 2002-02-19 2003-08-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd モジュール部品
JP4369728B2 (ja) * 2003-11-12 2009-11-25 大日本印刷株式会社 電子装置の製造方法
JP2005268297A (ja) * 2004-03-16 2005-09-29 Hitachi Media Electoronics Co Ltd 高周波デバイスおよびその製造方法
JP2006339365A (ja) * 2005-06-01 2006-12-14 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 配線基板およびその製造方法、多層積層配線基板の製造方法並びにビアホールの形成方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2010118436A (ja) 2010-05-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3709882B2 (ja) 回路モジュールとその製造方法
KR100987688B1 (ko) 프린트 배선 기판 및 프린트 배선 기판의 제조 방법
JP2016136615A (ja) 電子部品内蔵基板およびその製造方法
JP5093353B2 (ja) 部品内蔵モジュールの製造方法及び部品内蔵モジュール
JP4992310B2 (ja) 積層基板の製造方法
JP5610105B1 (ja) 電子部品内蔵モジュール
US7678612B2 (en) Method of manufacturing semiconductor device
JP5934154B2 (ja) 電子部品が実装された基板構造及びその製造方法
KR101522780B1 (ko) 전자부품 내장 인쇄회로기판 및 그 제조방법
JP5200870B2 (ja) 部品内蔵モジュールの製造方法
JP5462450B2 (ja) 部品内蔵プリント配線板及び部品内蔵プリント配線板の製造方法
JP4835264B2 (ja) 部品内蔵回路モジュール基板
JP2008300819A (ja) プリント基板およびその製造方法
WO2010095210A1 (ja) 部品内蔵モジュールの製造方法
JP2009158641A (ja) 部品内蔵モジュールの製造方法
JP5671857B2 (ja) 埋め込み部品具有配線板の製造方法
JP2004266271A (ja) 電子部品の実装体及びその製造方法
WO2018096830A1 (ja) 電子部品及びその製造方法
JP2006310543A (ja) 配線基板及びその製造方法、半導体回路素子付き配線基板
JP2010010313A (ja) 部品内蔵基板の製造方法
US11004759B2 (en) Electronic component and method for manufacturing the same
KR101184784B1 (ko) 전자부품 내장기판 제조방법 및 전자부품 내장기판
JP5003528B2 (ja) 電子部品モジュールの製造方法
JP2007096182A (ja) プリント配線板、その製造方法、およびプリント配線板を内蔵した電子機器
KR20150136653A (ko) 회로기판 및 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20111014

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20121221

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130115

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130128

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5200870

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160222

Year of fee payment: 3

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees