TWI287315B - Negative electrode for nonaqueous electrolyte secondary battery, method for manufacturing same and nonaqueous electrolyte secondary battery - Google Patents
Negative electrode for nonaqueous electrolyte secondary battery, method for manufacturing same and nonaqueous electrolyte secondary battery Download PDFInfo
- Publication number
- TWI287315B TWI287315B TW092136573A TW92136573A TWI287315B TW I287315 B TWI287315 B TW I287315B TW 092136573 A TW092136573 A TW 092136573A TW 92136573 A TW92136573 A TW 92136573A TW I287315 B TWI287315 B TW I287315B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- active material
- negative electrode
- particles
- layer
- secondary battery
- Prior art date
Links
- 239000011255 nonaqueous electrolyte Substances 0.000 title claims abstract description 62
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 66
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 66
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 301
- 239000011149 active material Substances 0.000 claims abstract description 264
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims abstract description 215
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 203
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 69
- 150000002642 lithium compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 11
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 132
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 131
- 239000011135 tin Substances 0.000 claims description 75
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 71
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims description 69
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 67
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 53
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 40
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 39
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 39
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 39
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 38
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 32
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 30
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 30
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 29
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 claims description 29
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims description 27
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 27
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims description 27
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 24
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 24
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 18
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 18
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 16
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 15
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 claims description 13
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 12
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 12
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 12
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000011162 core material Substances 0.000 claims description 11
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 11
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000013543 active substance Substances 0.000 claims description 9
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims description 9
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 8
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 238000005341 cation exchange Methods 0.000 claims description 7
- -1 compound compound Chemical class 0.000 claims description 7
- 239000004575 stone Substances 0.000 claims description 7
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 claims description 6
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 claims description 5
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims description 5
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 4
- 239000011366 tin-based material Substances 0.000 claims description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 206010036790 Productive cough Diseases 0.000 claims description 3
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 claims description 3
- 210000003802 sputum Anatomy 0.000 claims description 3
- 208000024794 sputum Diseases 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims 4
- 150000003606 tin compounds Chemical class 0.000 claims 4
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims 3
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N Butadiene Chemical compound C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 claims 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 150000003304 ruthenium compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 239000004576 sand Substances 0.000 claims 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 abstract description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 38
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 16
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 15
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 15
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 14
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 13
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 13
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 13
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 12
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- WZFUQSJFWNHZHM-UHFFFAOYSA-N 2-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]-1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethanone Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)N1CCN(CC1)CC(=O)N1CC2=C(CC1)NN=N2 WZFUQSJFWNHZHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 11
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 10
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 230000006870 function Effects 0.000 description 9
- 230000002427 irreversible effect Effects 0.000 description 9
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 8
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 description 7
- 239000006230 acetylene black Substances 0.000 description 7
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 7
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 7
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 7
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 7
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 7
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 6
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 6
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 6
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 6
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 6
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 6
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N Lithium ion Chemical compound [Li+] HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 5
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 5
- 238000000635 electron micrograph Methods 0.000 description 5
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 5
- 229910001416 lithium ion Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 5
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 5
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 5
- VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)-N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C(=O)NCCC(N1CC2=C(CC1)NN=N2)=O VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 4
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 4
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910000363 nickel(II) sulfate Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 4
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 4
- HMUNWXXNJPVALC-UHFFFAOYSA-N 1-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]-2-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethanone Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)N1CCN(CC1)C(CN1CC2=C(CC1)NN=N2)=O HMUNWXXNJPVALC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YLZOPXRUQYQQID-UHFFFAOYSA-N 3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)-1-[4-[2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]propan-1-one Chemical compound N1N=NC=2CN(CCC=21)CCC(=O)N1CCN(CC1)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F YLZOPXRUQYQQID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DEXFNLNNUZKHNO-UHFFFAOYSA-N 6-[3-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]piperidin-1-yl]-3-oxopropyl]-3H-1,3-benzoxazol-2-one Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C1CCN(CC1)C(CCC1=CC2=C(NC(O2)=O)C=C1)=O DEXFNLNNUZKHNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 3
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 3
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 3
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 description 3
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 3
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 3
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 3
- 238000003411 electrode reaction Methods 0.000 description 3
- 238000005363 electrowinning Methods 0.000 description 3
- 238000004868 gas analysis Methods 0.000 description 3
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 3
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 3
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 239000013612 plasmid Substances 0.000 description 3
- 239000007774 positive electrode material Substances 0.000 description 3
- 238000011160 research Methods 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 239000002689 soil Substances 0.000 description 3
- OHVLMTFVQDZYHP-UHFFFAOYSA-N 1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)-2-[4-[2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]ethanone Chemical compound N1N=NC=2CN(CCC=21)C(CN1CCN(CC1)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)=O OHVLMTFVQDZYHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IHCCLXNEEPMSIO-UHFFFAOYSA-N 2-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]piperidin-1-yl]-1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethanone Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C1CCN(CC1)CC(=O)N1CC2=C(CC1)NN=N2 IHCCLXNEEPMSIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002028 Biomass Substances 0.000 description 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002943 EPDM rubber Polymers 0.000 description 2
- KMTRUDSVKNLOMY-UHFFFAOYSA-N Ethylene carbonate Chemical compound O=C1OCCO1 KMTRUDSVKNLOMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021586 Nickel(II) chloride Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BFWXATGPNNYZKL-UHFFFAOYSA-N [Ru].C1=CC=CC=C1 Chemical compound [Ru].C1=CC=CC=C1 BFWXATGPNNYZKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 238000003490 calendering Methods 0.000 description 2
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N carbonic acid Chemical compound OC(O)=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 150000001844 chromium Chemical class 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 2
- AMXOYNBUYSYVKV-UHFFFAOYSA-M lithium bromide Chemical compound [Li+].[Br-] AMXOYNBUYSYVKV-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- KWGKDLIKAYFUFQ-UHFFFAOYSA-M lithium chloride Chemical compound [Li+].[Cl-] KWGKDLIKAYFUFQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910003002 lithium salt Inorganic materials 0.000 description 2
- 159000000002 lithium salts Chemical class 0.000 description 2
- 239000011817 metal compound particle Substances 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 239000007773 negative electrode material Substances 0.000 description 2
- QMMRZOWCJAIUJA-UHFFFAOYSA-L nickel dichloride Chemical compound Cl[Ni]Cl QMMRZOWCJAIUJA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- 238000005554 pickling Methods 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 2
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 230000003405 preventing effect Effects 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 2
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 2
- 229910000375 tin(II) sulfate Inorganic materials 0.000 description 2
- PQQDNDAIZDACJE-UHFFFAOYSA-N 2-amino-2,3-dihydroxybutanedioic acid Chemical compound OC(=O)C(O)(N)C(O)C(O)=O PQQDNDAIZDACJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KFJDQPJLANOOOB-UHFFFAOYSA-N 2h-benzotriazole-4-carboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC2=NNN=C12 KFJDQPJLANOOOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BZOVBIIWPDQIHF-UHFFFAOYSA-N 3-hydroxy-2-methylbenzenesulfonic acid Chemical compound CC1=C(O)C=CC=C1S(O)(=O)=O BZOVBIIWPDQIHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000017166 Bambusa arundinacea Nutrition 0.000 description 1
- 235000017491 Bambusa tulda Nutrition 0.000 description 1
- 229910001152 Bi alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005749 Copper compound Substances 0.000 description 1
- 244000241257 Cucumis melo Species 0.000 description 1
- 235000015510 Cucumis melo subsp melo Nutrition 0.000 description 1
- 108010068370 Glutens Proteins 0.000 description 1
- 241000238631 Hexapoda Species 0.000 description 1
- 206010021703 Indifference Diseases 0.000 description 1
- 229910001559 LiC4F9SO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000552 LiCF3SO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910013872 LiPF Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001290 LiPF6 Inorganic materials 0.000 description 1
- 101150058243 Lipf gene Proteins 0.000 description 1
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 1
- MKYBYDHXWVHEJW-UHFFFAOYSA-N N-[1-oxo-1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propan-2-yl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(C(C)NC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 MKYBYDHXWVHEJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(CCNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010028980 Neoplasm Diseases 0.000 description 1
- 244000082204 Phyllostachys viridis Species 0.000 description 1
- 235000015334 Phyllostachys viridis Nutrition 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 244000018633 Prunus armeniaca Species 0.000 description 1
- 235000009827 Prunus armeniaca Nutrition 0.000 description 1
- 108091006632 SLC13A3 Proteins 0.000 description 1
- 206010070834 Sensitisation Diseases 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 208000004350 Strabismus Diseases 0.000 description 1
- 241000270666 Testudines Species 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FJJCIZWZNKZHII-UHFFFAOYSA-N [4,6-bis(cyanoamino)-1,3,5-triazin-2-yl]cyanamide Chemical compound N#CNC1=NC(NC#N)=NC(NC#N)=N1 FJJCIZWZNKZHII-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KLARSDUHONHPRF-UHFFFAOYSA-N [Li].[Mn] Chemical compound [Li].[Mn] KLARSDUHONHPRF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CFOBMZGYYIVJKZ-UHFFFAOYSA-N [Na].CCCCCC Chemical compound [Na].CCCCCC CFOBMZGYYIVJKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N acetic acid Substances CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IKNZCYNFXKIQMI-UHFFFAOYSA-N acetylene;carbonic acid Chemical compound C#C.OC(O)=O IKNZCYNFXKIQMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011425 bamboo Substances 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 229910002056 binary alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001622 bismuth compounds Chemical group 0.000 description 1
- 210000004556 brain Anatomy 0.000 description 1
- 201000011510 cancer Diseases 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 229910052927 chalcanthite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- ZCDOYSPFYFSLEW-UHFFFAOYSA-N chromate(2-) Chemical compound [O-][Cr]([O-])(=O)=O ZCDOYSPFYFSLEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 210000000078 claw Anatomy 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- CKFRRHLHAJZIIN-UHFFFAOYSA-N cobalt lithium Chemical compound [Li].[Co] CKFRRHLHAJZIIN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011246 composite particle Substances 0.000 description 1
- 239000006258 conductive agent Substances 0.000 description 1
- 150000001880 copper compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 1
- PEVJCYPAFCUXEZ-UHFFFAOYSA-J dicopper;phosphonato phosphate Chemical compound [Cu+2].[Cu+2].[O-]P([O-])(=O)OP([O-])([O-])=O PEVJCYPAFCUXEZ-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 229930004069 diterpene Natural products 0.000 description 1
- 150000004141 diterpene derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 238000010981 drying operation Methods 0.000 description 1
- 235000013399 edible fruits Nutrition 0.000 description 1
- 238000003487 electrochemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 238000001493 electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 238000001941 electron spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000000426 electronic spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 210000003608 fece Anatomy 0.000 description 1
- 238000005242 forging Methods 0.000 description 1
- 238000009689 gas atomisation Methods 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- 230000004313 glare Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 235000021312 gluten Nutrition 0.000 description 1
- 150000002466 imines Chemical group 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010977 jade Substances 0.000 description 1
- 238000010902 jet-milling Methods 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 229910001547 lithium hexafluoroantimonate(V) Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001540 lithium hexafluoroarsenate(V) Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000103 lithium hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- RSNHXDVSISOZOB-UHFFFAOYSA-N lithium nickel Chemical compound [Li].[Ni] RSNHXDVSISOZOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005360 mashing Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N melamine Chemical compound NC1=NC(N)=NC(N)=N1 JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006262 metallic foam Substances 0.000 description 1
- WSFSSNUMVMOOMR-NJFSPNSNSA-N methanone Chemical compound O=[14CH2] WSFSSNUMVMOOMR-NJFSPNSNSA-N 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 239000002052 molecular layer Substances 0.000 description 1
- LNOPIUAQISRISI-UHFFFAOYSA-N n'-hydroxy-2-propan-2-ylsulfonylethanimidamide Chemical compound CC(C)S(=O)(=O)CC(N)=NO LNOPIUAQISRISI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DEPMYWCZAIMWCR-UHFFFAOYSA-N nickel ruthenium Chemical compound [Ni].[Ru] DEPMYWCZAIMWCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017464 nitrogen compound Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002830 nitrogen compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-N phosphinic acid Chemical compound O[PH2]=O ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 238000007670 refining Methods 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 1
- 238000004626 scanning electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 238000000790 scattering method Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000008313 sensitization Effects 0.000 description 1
- 239000010420 shell particle Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 238000007581 slurry coating method Methods 0.000 description 1
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M sodium hydroxide Inorganic materials [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 241000894007 species Species 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010025 steaming Methods 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 210000002784 stomach Anatomy 0.000 description 1
- BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M sulfonate Chemical compound [O-]S(=O)=O BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000003115 supporting electrolyte Substances 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 210000004243 sweat Anatomy 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYCLIXPGLDDLTM-UHFFFAOYSA-J tetrapotassium;phosphonato phosphate Chemical compound [K+].[K+].[K+].[K+].[O-]P([O-])(=O)OP([O-])([O-])=O RYCLIXPGLDDLTM-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 1
- 238000013022 venting Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 1
- 239000002023 wood Substances 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M4/00—Electrodes
- H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
- H01M4/13—Electrodes for accumulators with non-aqueous electrolyte, e.g. for lithium-accumulators; Processes of manufacture thereof
- H01M4/139—Processes of manufacture
- H01M4/1395—Processes of manufacture of electrodes based on metals, Si or alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M4/00—Electrodes
- H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
- H01M4/13—Electrodes for accumulators with non-aqueous electrolyte, e.g. for lithium-accumulators; Processes of manufacture thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M10/00—Secondary cells; Manufacture thereof
- H01M10/05—Accumulators with non-aqueous electrolyte
- H01M10/052—Li-accumulators
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M4/00—Electrodes
- H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
- H01M4/04—Processes of manufacture in general
- H01M4/0438—Processes of manufacture in general by electrochemical processing
- H01M4/045—Electrochemical coating; Electrochemical impregnation
- H01M4/0452—Electrochemical coating; Electrochemical impregnation from solutions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M4/00—Electrodes
- H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
- H01M4/13—Electrodes for accumulators with non-aqueous electrolyte, e.g. for lithium-accumulators; Processes of manufacture thereof
- H01M4/134—Electrodes based on metals, Si or alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M4/00—Electrodes
- H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
- H01M4/36—Selection of substances as active materials, active masses, active liquids
- H01M4/38—Selection of substances as active materials, active masses, active liquids of elements or alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M4/00—Electrodes
- H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
- H01M4/36—Selection of substances as active materials, active masses, active liquids
- H01M4/38—Selection of substances as active materials, active masses, active liquids of elements or alloys
- H01M4/386—Silicon or alloys based on silicon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M4/00—Electrodes
- H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
- H01M4/36—Selection of substances as active materials, active masses, active liquids
- H01M4/38—Selection of substances as active materials, active masses, active liquids of elements or alloys
- H01M4/387—Tin or alloys based on tin
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M4/00—Electrodes
- H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
- H01M2004/021—Physical characteristics, e.g. porosity, surface area
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M4/00—Electrodes
- H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
- H01M4/36—Selection of substances as active materials, active masses, active liquids
- H01M4/38—Selection of substances as active materials, active masses, active liquids of elements or alloys
- H01M4/40—Alloys based on alkali metals
- H01M4/405—Alloys based on lithium
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/10—Energy storage using batteries
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Battery Electrode And Active Subsutance (AREA)
- Secondary Cells (AREA)
Description
1287315 玟、發明說明: 發明所屬之技術領域 本發明係關於輯子二欠電池等之非 用負極。更詳而言之’係關於—種負極,:液-次電池 初期階段充放電電量高,隹+ 、係從充放電之 4 %電性高,淮一^ 鋰離子吸脫附的活性物質 v可防止肇始於 观貝脱洛,並可提高循 可得到能量密度高之非水t 衣奇中,更且’ 該負極之製造方法及使用以極μ 本發明係關於 【先前技術】 、 7电解液二次電池。 鋰離子二次電池係因其 ^ 里在度季父其他之二次雷砷争 向,故被使用來作為行動電 玍 一 & 乂掌。己型^腦等之電池。近 年’仃動電氣電子機器之高性& ^化心速進展,其等之消耗 ^力亦有顯著增加之傾向。為 為滿足如此之要求,必須電源 用一一人電池更高電量化。目 則之鋰離子二次電池中係於正 極使用含鋰之氧化物,於自 、負極使用一種可將鋰離子存於結 晶構造之層間内的碳系材料(石墨)。目前之實隸二次電池 :隨著達到具有此等材料之理論電量值,期盼創造出高電 里之新穎電極材料。 因此,具有石墨之5〜10倍電量潛能之Sn系合金或以系合 金的開發變得積極。例如,已提出-龍二次電池用負極, 其係以銅洛等之|電性金屬菌料集電體,含有石夕或石夕合 金之活性物質粒子、與、銅或銅合金等之導電性金屬粉末 的此合物’在非氧化性環境下燒結於集電體表面上而得到 者(特開2002-260637號公報)。又,亦已提出一種裡二次電
O:\90\90389.DOC 1287315 5〜20 的範圍(參照國際公開第〇〇/15875號手冊)。若使用 此銅fl作為鐘離子二次電池之集電體,⑴電解液變成易流 通,可使所限定之量的電解液均一地浸透於活性物質,⑺ 很難妨礙充放電中之Ll離子或電子之授予;(3)於表面具有 適當的凹& ’故與活性物質之密接性優,而發揮有利的效 果。但,在此多孔質銅箔的製造方法中,於鼓狀陰極體電 析出銅S,對從該陰極體所剝離之狀態的該銅箱實施各種 加工’銅箔之狀態會不安定’難謂處理性佳,而不易大量 生產。又,使用此多孔質銅箔作為集電體,於其各面塗布 負極合劑而成之非水電解液二次電池用負極中,係起因於 鋰之吸脫附而易引起負極活性物質脫落,循環特性易降低。 【着明内容】 因此’本發明之目的在於提供—種可解決前述習知技術 具有之各種缺點的非水電解液二次電池用負極及其製造方 法以及非水電解液二次電池。 本發明人等經專心研究結果發現,#由以作為集電體功 能之2個表面層挾住活性物質之層,可防止起因於鋰之吸脫 附的活性物質脫落,同時並可維持集電功能,活性物質占 電極全體之比率可提高。 本發明係藉由提供-種非水電解液二次m負極,而 其特徵在於具備:表面與電解液接麟之—對集電用表面 層;與,含有介於該表面層間之链化合物的形成能高之活 性物質粒子的至少-層活性物質層;%完成前述目的。在 本發明之負極中,係包括後述圖…示之實施形態者、與圖 O:\90\90389.DOC -10- 1287315 8所示之實施形態者。圖i所示之實施形態的負極係不具備 :為芯材之導電性金屬笛層者,圖8所示之實施形態的負極 係具備作為芯材之導電性金屬箔層者。 •又、,本發明前述負極之較佳的製造方法係提供—種非水 包解液二次電池用負極的製造方法,其係: 於載體羯上塗布一含有活性物質粒子之導電性漿 成活性物質層; 夕 使形成該活性物質層之該載㈣浸潰於_含有金屬材料 之電錄浴中而進行電解電錢,形成含該活性物質層之電極; 如此之後,使該電極從該載體笛剝離分離。 又,本發明前述負極之較佳的製造方法的另一方 提供一種非水電解液二次 ” 人私,也用負極的製造方法,政转^ ΐ於:以含有金屬離子之«處理於表面具有多數陽離7
-換基之载體樹脂而生成該陽離子交換 I 該金屬鹽而於載體樹脂 L還原 、丄、 迷表面形成一成為觸媒仿少二 述金屬被膜,於該被膜 ' 刖 Μ 膜上屯解電鍍鋰化合物形成能低之全 屬材枓而形成一者之隼雷 隻 上冷右入* 電用表面層’於該集電用表面層之 上塗布含有活性物質粒 曰之 μ , a ^ ^ ^ 4,、 的導笔性漿液而形成活性物質 層,在该活性物質層 切貝 包解電鍍鋰化合物形成能低之全屬 材枓而形成另一之集電 <金屬 解從,、+、 土 表面層,如此之後,藉剝離4、、容 ^ 表面層分離前述載體樹脂。 =步,本發明係提供—種以具備前 非水電解液二次電池。 作马特徵之 【實施方式】
O:\90\90389DOC 1287315 以下,依據其較佳之實施形態,$明本發明之非水電解 液二次電池用負極。圖係表示擴大本發明負極之第p :形態重要部分的模式圖。又,在圖丨中,係只表示負極: 一者的兩側’未表示另—之面侧,但另-面側之構造亦幾 乎同樣。 ,本實施形態之負極H)係具有與非水電解液相接之表背_ 對的面即第1面即第2面(未圖示)。負極1〇係於兩面間具備一 含有鋰化合物的形成能高之活性物質粒子2的活性物質層 3。活性物質層3係藉由分別形成於該層3之各面的一對隼電 用表面層(一者之集電用表面層係未圖示Μ而被連續:: 覆。各表面層4係分別令右、 丁刀乃J各有弟1面1及弟2面。從圖工明確可 知’負極10係不具有習知夕έ 士 y ^ 白知之負極、例如先前敘述之特呼文 =:極所使用之集電體’即集電用之厚膜導電體(例 集電用表面層4係擔任本實施形態之負極2的集電功能。 又,表面層4係亦使用來防止於活性物質層3所含有的活性 物質吸脫附鋰離子且起因於該 芡主貝I⑻脹收縮而脫 洛。表面層3係由可成為非水電解液二二欠 Μ p/r Μ ^ ^ ^ ^ /之衣电體的金 屬所構成。尤且電可成為鋰:次電池之集電㈣金 成。如此之金屬可舉例如鋰化合物之形 料。具體上可舉例銅、鎳、鐵 '銘或此等之金屬的人“材 此等之金屬尹’尤其適用銅及鎳或其等之入全°金寻。 極1〇之強度的觀點,宜使_。從提高二之彳:提高電 觀點’宜使用鋼。二個表㈣其構成材:::::性:
O:\90\90389 DOC -12 - 1287315 落的功能。 分別含有第1面1及第2面的各表面層4係任—者均具有 木电功月匕,故’當將本實施形態之負極i 〇组袭入電池時, 具有可使電流取出用之引線連接於任—者之表面層4的優 如圖1所示般,負極10係具有於第1δ1及第2面中開孔且 與活性物質層3相通的多數微細空隙5。微細空隙$係以朝各 集 '用表面層4的厚度方向延伸之方式存在於該表面層4 十。措形成微細空隙5,非水電解液可充分浸透於活性物質 層3 ’充分引起舆活性物質之粒子2的反應。微細空隙$係杏 截面觀察表面層4時,其幅約從〇1 _至約ι〇_左右的: 細者。雖為微細,但微細空隙5係具有非水電解液可浸透程 度的幅度。非水電解液係表面張力較水系之電解液還小 者欠Ρ使微細空隙5之幅寬很小,亦可充分浸透。微細空 隙5係可以後述之各種方法來形成。較佳係以電鍍表面層4 形成時,會同時地形成。 §猎廷子顯微鏡觀察平面審視第…及第2面時,在J 一者之面中的微細空隙5的平均開孔面積,宜為〇1〜1〇〇 2更且為‘0·1〜5〇_2,最宜為0.1〜20/rni2,尤宜為α.5〜10 藉形成此範圍之開孔面積,可確保非水電解液之 分浸透:同時並有放防止活性物質之粒子2的脫落。可從 ,、二月匕奴提尚充放電電量。從更有效防止活性物 子脫洛的觀點,前述之平均開孔面積,係活性物質粒 2最大斷面積的μ〜5Q%,尤宜狀丨〜鳩。所謂活性物質
O:\90\90389.DOC -14- 1287315 粒子2的最大截面積,係測定活性 , 貝的粒子2的粒徑(D5 值),該粒子2看成具有〜值之直徑 第…及第2面之中,以電子㈣卜才之取大截面積。 电子顯镟鏡規察平面審視平均開 孔面積滿足前述範圍之面時,微細 斜% P 3 M L 工咏5之開孔面積的總和 =察視野的面積之比率(此比率稱為開孔率)係Μ〜鳩, 且為0.5〜10%。此理由係與使微細 之開孔面積在前述 粑圍内相同的理由。進-步依同樣之理由,第…及第2面 ”,以電子顯微鏡觀察平面審視平均開孔面積滿足前述 祀圍之面時,即使怎樣的觀察視野,在ι〇〇陣侧_之正 方形的視野範圍内有存在i個〜2萬個,宜存在1〇個〜1千個, 尤宜存在50個〜500個的微細空隙5(此值稱為分布补在圖 2中係電子顯微鏡觀察本發明之負極的—例表面而攝影之 ’系片。在圖2中係黑色小斑點為微細空隙5的開孔。圖2係依 據後述之實施m,以所製造之負極作為觀察對象所攝影 者。在圖3中係電子顯微鏡觀察本發明之負極的另一例表面 而攝影之照片。 如圖2及圖3所不藉電子顯微鏡觀察可確認微細空隙$之 有…、仁彳放細玉隙5因其幅寬極小,視情況即使以電子顯微 鏡觀察有時亦無法明確地判定其存在之有無。如此之情 形,判疋彳政細空隙5之有無的方法,本發明係採用如下之方 法。使用一成為微細空隙5有無之判定對象的負極而構成電 池,進行一次充放電。其後,電子顯微鏡觀察負極斷面, 而充放電前與截面構造變化時,判斷充放電前之負極係形 成微細空隙5。充放電前與斷面構造變化之原因,係經由存
O:\90\9O389.DOC -15 - 1287315 在於充放電前之負極的微細空隙s非 二隙5而非水電解液到達活性 物質層3,引起非水電解液中之钾 肝狀r灸鍟離子與活性物質的粒子2 之反應的結果而造成者。 位於第…及第2面間的活性$質層3係含有鐘化合物的 形成能高之活性物質粒子2。該活性物質可舉例如㈣材料 或錫系材料、铭系材料、鍺系材料。活性物質層3因被⑽ 表面層4被覆,故可有效地防止起因於活性物質吸脫附鐘離 子而脫落。活性物質的粒子2係經由微細空隙5而與電解液 相接,故亦不妨礙電極反應。 、活性物質的粒子2其最大粒徑宜為5()_以下,更宜為別叫 以下。又,若以Dw值表示粒子2之粒徑,為〇1〜8 ,尤 宜為1〜5μπι。若最大粒徑超過5〇0111,易引起粒子2之脫落, 有時電極之壽命會變短。粒徑之下限值無特別限定,愈小 愈佳。若鑑於粒子2之製造方法,τ限值為〇〇1 _左右。 粒子2之粒徑係依微執跡、電子顯微鏡觀察(sem觀察)來測 定。 右活性物質對負極全體之量太少,很難充分提昇電池之 能量密度,反之,若太多,有活性物質易脫落之傾向。若 洋九此等,活性物質之量相對於負極全體宜為5〜8〇重量 ’更宜為10〜50重量%,最宜為2〇〜5〇重量%。 活性物質層3之厚度係可依活性物質之量對負極全體之 比率或活性物質的粒徑而適當調節,在本實施形態中,係 無特別界限者。一般為1〜100 μπι,尤宜為3〜40 μιη左右。活 f生物貝層3係如後述般,宜以塗布含有活性物質粒子2之導
O:\90\90389.DOC -16- 1287315 電性漿液來形成。 &有表面層4及活性物曾声3 $ s n人 物貝層之負極全體的厚度,若考慮 问、極之強度或能量穷度,為2〜' 左右。 此里山度為2〜50_’尤宜為10〜50μηι 在活性物質層3中係宜使分別 面戶4槿^ “、,、、 弟1面1及第2面的各表 θ 成之材料涵蓋活性物質層3 透。繼而,宜活……/ 向全域而浸 ” '、 f生物貝之粒子2存在於所浸透的該材料中。 亦P,活性物質之粒子侍實質命 卞你π貝上不路出於負極10的表面, 2藏於表面層4的内部。藉此,而成為活性 :層4之密接性強固者,可進—步防止活性物質的絲 浸透於活性物質層3中之前述材料而於表面層读 /丨生物貝之間確保電 得w έ文生成電氣孤立之活性物 貝/、於活性物質層3之深部生成電氣孤立之活性物質乃 了^抑制’並保持集電功能。其結果’可抑制作為負極 功此的降低。進一步亦可謀求負極之長壽命化。此事係使 用半導體且缺乏電子傳導性的材料例如石夕系材料作為活性 物質時特別有利。從此事明顯可知,本實施形態之負極係 於:屬發泡體中擔持活性物質粒子,而與在該發泡體之兩 只方也包鑛而成的習知電極完全相異之構造。使用如此之 至屬务泡體的習知電極中,要使活性物質之粒子充分密接 於金屬發泡體之骨架構造乃不容易,故很難提高電子傳導 性,要充分活用活性物質的性能乃不容易。 構成集電用表面層4的材料係宜使活性物質層3貫通其厚 度方向且與兩表面層4連接。藉其而2個表面層#經由前述材
O:\90\90389.DOC -17- 1287315 料電氣導通,作為負極全體 甩f傳導性會變得古 即,本實施形態之負極10係負極全 又件更…亦 功能。構成集電用表面層4之材 '' 體而具有集電 足材枓乃涵蓋活性物 方向全域而浸透連接兩表面層 &度 對象之電子顯微鏡圖像而求得。 +作為剃疋 之材料浸透於活性物質層巾的^ 構成集電用表面層4 貝層中的較佳方法係後述。 在活性物質層3中之活性物 々谣士从少丨π〜 卞之間’亚非以表面層4 、構成材科可元全滿足,宜空隙6存在 此空隙係與形成於集電用表面層4之微二:子間(應注意 此空隙6的存在,肇始於活 =相異者)。藉 收縮之應力會緩和1此觀乂的粒子2吸脫附鐘而膨脹 的比率大致為5〜,藉 在活性物質層3中之空隙6 ^ ll ^ ^ 為〜9肢積0/〇左右,空隙6 匕千k可依電子顯微鏡圖像 質層3係塗布—含有活性 般’活性物 貝丁立子2的導電性漿液,乾燥而 心成,活性物質層3本身會形 比率在义、七一 成二隙6。因此,為使空隙6之 徑、導=圍,例如只要適當地選擇活性物質粒子2的粒 將:r % L夜之組成、㈣之塗布條件即可。塗布乾焯 漿液而形成活性物質 空隙6的比率亦可。 在適當條件下沖壓加工而調整 以性物質層3中係除活性物質 性碳材料或導電性金屬材料之位子…“3〜 -步擗“ 冑秄卞十之粒子7。猎此而可對負極1 0進 導電性碳材祖十活性物貝層3中所含有之 量% 、’、或導電性金屬材料的粒子7之量為〇·卜20重 匕且為1〜1〇重量%。導電性碳材料可使用如乙炔黑或 〇 \90\90389 D〇c -18 - 1287315 石墨寺的粒子。此等之粒子的粒徑為4〇,以下,尤其為Μ _ 以下:但就電子傳導性之進-步賦予而言,佳。對該粒子 ’粒仏的下限值’ i無特別限制,愈小愈佳。若鑑於該粒 子之製造方法,其下限值為0.01 _左右。 :其次:制有關活性物質之内容。當使用前述之石夕系材 料或錫系材料作為活性物質_,說㈣、材料或錫系材料之 粒子可舉例:D矽單體或錫單體之粒子、2)至少矽或錫與碳 之混合粒子、3㈣或錫與金屬之混合粒子、4㈣或錫與金屬 之化合物粒子、5)⑦或錫與金屬之化合物粒子、及、與金 屬粒子之混合粒子、6)於矽單體或錫單體之粒子表面被覆 金屬而成之粒子等。若使用2)、3)、4)、5)、及6)之粒子, 車乂使用1)之矽單體或錫單體之粒子時,可進一步抑制起因 於链之吸脫附的㈣材料之微粉化。可對半導體且缺乏電 子傳導性之矽賦予電子傳導性。 尤’、矽系粒子或錫系粒子為由2)之至少矽或錫與碳之 & 斤構成曰守’係循環壽命會提高同時負極電量會增 加。此理由係如下。碳尤其非水電解液二次電池用負極所 使 墨擁有特徵係有助於鋰之吸脫附,具有300 mAh/g 左右之負極容晋二 α 而且鋰吸附時之體積膨脹非常地小。另 外,矽係擁有_呈古^田 一有石墨之10倍以上即4200 mAh/g左右的 負極電量的特徵。反之,石夕係链吸附時之體積膨脹達到石 墨的約4倍。因士^ m 使用機械研磨法等以特定之比率混合粉 碎#或鍚與石墨的碳,若形成粒徑混合成約(M〜i㈣之均 質的粉末,藉石黑 & σ」緩和鐘吸附時之石夕或錫的體積膨脹,
O:\90\90389.DOC -19- 1287315 而提高循環壽命,又可得到i _〜则G mAh/g左右的負極電 容。石夕或錫與碳之混合比率係宜石夕或錫之量為ι〇〜9〇重量 % ’宜為30〜70重量%,尤宜為3〇~5〇重量%。另夕卜,碳之量 為9。〜H)重量%,宜為70〜3〇重量%,最宜為7〇〜5。二里 若組成在此範圍内’可謀求電池之高電量化及負極:長。夺
命化。又’在此混合粒子中,係不會形成碳化石夕等之S 物。 石夕系粒子或錫系粒子由2)之粒子所構成時,該粒子除石夕 或錫及碳以外,尚含有其他之金屬元素,亦可為3種以上之 元素的混合粒子。金屬元素係可舉例選自、Ag L.
Co、Fe、Cr、Zn、B、八卜 Ge、如、比、v、J、:、:、
Nb、Ta、W、La、Ce、Pr、似則所構成之群中的一種類 以上元素(以下總稱此等之元素為添加金屬)。 矽系粒子或錫系粒子為3)之矽或錫與金屬之混合粒子 時,該混合粒子所含有之金屬可舉例前述添加金屬之丨種戋 2種以上。此等添加金屬之令,宜為Cu、Ag、Ni、c〇、J: 尤其就電子傳導性優且鐘化合物之形成能低而言,宜使用 Cu、Ag、Nl。若使用U作為添加金屬,活性物質中預先人 有金屬經,不可逆電量之降底、充放電效率之提高、及: 積變化率之降低所產生的循環壽命提高等優點存在,故 佳。在3)之矽或錫與金屬之混合粒子中,矽或錫之量= 30〜99.9重量%,宜為50〜95重量%,尤宜為85〜9〇重量。/。里另 外,添加金屬之量為0.1〜70重量%,宜為5〜5〇重量%,尤— 為5〜15重量%。若組成在此範圍内,可謀求電池之高電量 °^〇\9〇389.D〇C -20- ^87315 化及負極之長壽命化。 首先錫與金屬之混合粒子係可以如下之方法製造。 ’二矽粒子或錫粒子及添加金屬之金屬粒子,可同 才曰々碎機而進行此等之粒子的混合及粉碎。粉 阿托萊德機、喷射研府、A q卒祛係使 磨等。…研磨、迴旋研磨、塗料振盪器'微細研 寺如〜所之此等粒子的粒徑宜為20〜50 辟撼夕、、日人„ 工七猎粉 扣5粉碎而得到石夕或錫與添加金屬均一地換混的 1 。以適當控制粉碎機之運轉條件所得到的粒子之粒巧 例如40 _以下。依此而得到3)之混合粒子。 工 矽系粒子或錫系粒子係2)之矽或錫與金屬之化合物粒子 %,該化合物係含有石夕或錫與金屬之合金,⑴石夕或錫與金 屬之固炫體、(JW或錫與金屬之金屬間化合物、或石夕 單相或錫單層、金屬單相、石夕或錫與金屬之固炼體、石夕或 錫與金屬之金屬間化合物之中的二相以上之相所構成的複 口物之任-者。别述金屬係可使用與3)之石夕或錫與金屬之 混合粒子所含有的添加金屬相同者。4)之化合物粒子中的 石夕或錫與金屬之組成,係與3)之混合粒子同樣地,石夕或錫 之量為30〜99.9重量名,金屬之量宜為〇1〜7〇重量% ’更佳 之組成係依化合物粒子之製造方法而選擇適當的範圍。例 如該化合物為矽或錫與金屬之二元系合金,使用後述之急 速冷卻法製造該合金時,矽或錫之量宜為4〇〜9〇重量Q/^另 外,添加金屬之量宜為1 0〜60重量%。 前述化合物係矽或錫與金屬之三元系以上的合金時,亦 可於先前敘述之二兀系合金中進—步含有少量選自B、Ah O:\90\90389.DOC -21 - !287315
Zr、Nb、Ta、W、 妬、Co、Sii、Fe、Cr、Ζη、In、v、γ 尤宜含有0·05〜1.0重量〇/0。 ^、Ce、Pr、Pd及Nd所構成之群中的元素。藉此而可發揮 所謂抑制微粉化之加成效果’為更進一步提高此效果,此 等之元素係於矽或錫與金屬之合金中含有〇 〇1~1〇重量%, 4)之矽或錫與金屬的化合物粒子為合金粒子時,該合金 Τ子係例如依以下說明之急速冷卻法製造,合金之結晶子 微細大小_質分散,俾可抑制微粉化,就保持電子傳導 眭而“圭。在此急速冷卻法中,首先準備含有矽或錫、與 添加金屬之原料的熔液。原料係以高周波熔解而成為熔 液。在炼液中之㊉或錫與添加金屬的比例係形成前述的範 圍。熔液之溫度g 1200〜150(rc,尤其為13〇〇〜i45〇ec,就 :急速冷卻之關係,佳。使用鑄模鑄造法而從此熔液得到 口金亦即,使該熔液流入銅製或鐵製之鑄模中,可得到 =急速冷卻之矽系合金或錫系合金的錠。粉碎此錠而篩 遥,而將例如粒徑4〇 μιη以下者供應於本發明中。 亦可使用輥鑄造法而取代此鑄模鑄造法。亦即,對於使 熔液高速旋轉之銅製的輥中之周面射出。輥之旋轉速度就 心速々部熔液之觀點,宜形成旋轉數5〇〇〜4〇〇 rpm,尤其 1000 2000 rpm。以周速表示輥之旋轉速度時,為8〜川, 尤=且為15 m/sec。以前述範圍之速度進行旋轉的輥使 刖述祀圍之溫度熔液急速冷卻,冷卻速度成為l〇2K/Sec以 上,尤其成為所謂1〇3K/sec以上之高速。所射出之熔液在 U u速 > 卻而成為薄體。粉碎篩選,此薄體而將例如粒
O:\90\90389.DOC -22- 1287315 也40从爪以下者供應於本發明中。使用氣體霧化法取代此急 速^卻法,於1200〜15〇〇π之熔液中以5〜1〇〇 atm的壓力吹 出氬專之隋性氣體而微粒化及急速冷卻,亦可得到所希望 的粒子。更且另外之方法,亦可使用弧光炫解法或機 磨法。 活性物質之粒子為5)之矽或錫與金屬的化合物粒子、與 金屬之粒子的混合粒子時,該化合物粒子可使用與先前救 述之4)的化合物粒子相同之粒子。另外,金屬之粒子係可 使用與先前敘述之3)的混合粒子所使用之金屬粒子相同 者一。化合物粒子所含有之金屬粒子、與構成金屬粒子之金 ^素相同種亦或不同種。尤其,若化合物粒子所含有之 金屬元素為錄、銅、銀或鐵,構成金屬粒子之金屬元素為 =、、銅、銀或鐵’在活性物質層中易形成此等金屬之網路 造。其結果’可發揮所謂電子傳導性之提昇、活性物質 粒子之膨脹收縮所引起的脫落防止等之有利效果。從此觀 點去化―合物粒子所含有之金屬元素與構成金屬粒子之金屬 U宜同種。5)之活性物質粒子係依與先前敘述4)之化合 粒子的製造方法相同之方 方法而瓦先得到化合物粒子,而依 :::述之6)的混合粒子之製造方法,混合此化合 與金屬粒子而得到。在化人物 遂故 化口物粒子令之石夕或錫與金屬的比 =可爾先前敛述4)之化合物粒子中的兩者比率相 述6)之混合粒子中之”錫二:比率,係可形成與前 同。在此算之“姓 金屬粒子之比率相 未特別說明有關5)之活性物質粒子之點,
O:\90\90389.DOC -23- 1287315 係可適宜適用有關先前敘述6)之混合粒子或4)之化合物粒 子的詳細說明。 石夕系粒子或錫系粒子為6)之矽單體或錫單體的粒子表面 被覆金屬而成之粒子(此粒子稱為金屬被覆粒子)時,被覆金 屬係使用前述之6)或4)之粒子所含有的添加金屬例如與銅 等相同者。(但Li除外)。在金屬被覆粒子中之矽或錫的量 為70〜99.9重量%、宜為80〜99重量%、尤宜為85〜95。另外, 以銅為首之被覆金屬的量為0.^30重量%,宜為丨〜2〇重量 %,尤宜為5〜15重量%。金屬被覆粒子係使用例如無電解電 鍍法而製造。在此無電解電鍍法中,係首先使矽粒子或錫 粒子懸濁且含以銅為首之被覆金屬的電鍍浴。在此電鍍浴 中,無電解電鍵石夕粒子或錫粒子而於該矽粒子或錫粒子之 表面被覆前述被覆金屬。在電鍍浴中之矽粒子或錫粒子的 濃度宜形成400〜600 g/卜無電解電鍍銅作為前述被覆金屬 %,宜在電鍍浴中含有硫酸銅、R〇chell鹽等。此時,硫酸 銅之濃度為6〜9 g/升,Rochell鹽之濃度為7〇〜9〇 g/升,就電 鍍速度之控制而言佳。從同樣之理由,電鍍浴之邱為 12〜13,浴溫宜為20〜3(rc。電鍍浴中所含有之還原劑可使 用例如甲醛等,其濃度可形成15〜3〇 cc/#左右。 粒子時σ亥含石夕的粒子即使為前 其平均粒徑(〇50)為0.1〜10 μχη, 活性物質粒子7為含矽之 述1)〜5)中之任何一形態, 且為0.3 8 /xm ’尤且為0.8〜5 μιη。亦即,此活性物質粒子 為小粒徑之微細粒子(以下’此活性物質粒子稱為小粒徑活 性物質粒子)。使用小粒徑活性物質粒子,從負極之活性物
O:\90\90389 DOC -24- 1287315 =立子的脱落更難發生,負極之長壽命化成為可能。更詳 而s之,活性物質粒子係因鐘之吸附釋出時伴隨明顯的體 積變化,逐漸微結晶化或微粉化。因此而產生龜η 分之活性物質粒子之電化學接觸會喪失。此係成為二次電 池重要的特性即「充放電循環特性」降低的原因。因此, 猎由從當初使用小粒徑之微細粒子作為負極,可抑制在充 放電時之粒子的更微細化,並改善充放電循環特性。又, 若小粒徑活性物質粒子之平均粒徑為未達前述範圍之下限 易引起粒子之氧化。又’如此之細微粒子係製造成本 问者。小粒#活性物f粒子之粒徑係依雷射繞射散射法、 電子顯微鏡觀察(SEM觀察)而測定。 小粒徑活性物質粒子因其表面積大,而較比較大粒徑之 粒子(例如數十_者)更易氧化。活性物質粒子被氧化係與 。充放甩循環特性」同樣地成為二次電池重要的特性即「不 可^電量」增大的原因及「充放電電流效率」降低的原因。 具體上’若於小粒徑活性物質粒子中含有大量氧,被電化 學内聚集之鐘離子形成與氧原子強固鍵結,放電時鐘離子 不會被解離。因此,小粒徑活性物質粒子必須較比較大粒 徑的粒子更嚴密管理氧的濃度。具體上,小粒經活性物質 粒子‘ 3有之氧的濃度成為未達2.5重量。/〇,宜為15重量% 以下,最宜為1重量%以下。然而,比較大粒徑之粒子因表 面積不大,對於氧化不須那麼嚴格。小粒徑活性物質粒子 所3有之氧濃度愈低愈佳。當然完全不含氧最佳,但,若 鑑於小粒徑活性物質粒子之製造方法,目前可達到之氧濃
O:\90\90389.DOC -25 - 1287315 度的最低值為0·005重量%左右。小粒徑活性物質粒子之氧 濃度係依伴隨測定對象試料燃燒之氣體分析法來測定。 除小粒徑活性物質全體中之含氧濃度為前述之值以下, 尚且,該小粒徑活性物質粒子係在粒子之最表面中的^濃 度宜超過氧濃度之1/2,更宜為4/5以下,最宜為1〇以上。不 可逆電量之增大及充放電電流效率之降低,係以小粒徑活 性物質粒子中之最表面的氧濃度為主而受影響係經本發明 人之研究結果而瞭解。其理由係依存於最表面之氧,當二 次電池充電時,易與鐘反應,成為使電池之特性劣化的原 因。因此’在粒子之最表面中的叫農度與氧之濃度的比率 規定如前述般。在小粒徑活性物質粒子中之表面氧濃 以X線光電子分光分析裝置(ESCA)或歐傑電子分光分:裝 置(AES)等為百之各種表面狀態分析裝置來測定。 乂 ^’當使用前糾〜狀任何—者的方法時’宜在不混 ^之條件、例如隋性氣體氣氛下製造小粒徑活性物質粒 ]粒“性物f粒子即使為前述1)〜5)之任 小粒徑活性物質粒子係依特 者4 範圍之平均粒捏。粉碎方M 成為前述 為代表者。在乾1 U碎及濕式粉碎法 你死式粉碎法令係可佶用γ + 另外,在、、晶h ^ 了使用例如賀射研磨等。 仏式畚碎法中係使粒子分散於 粉碎溶劑中,佶& 、 元或丙_等之 碎粒子。 乳、呂珠或氧化锆等之粉碎介質而粉 藉此粉碎操作而氧化小粒徑活性物質粒子之情形”。
〇^0\9〇389.D〇C -26- 1287315 因此’使用I虫刻液而钮刻粉碎操作後之小粒徑活性物質粒 子(此粒子之平均粒徑D50成為〇1〜1〇㈣而除去存在於該 之表面的氧化物為佳。藉此,可使小粒徑活性物質粒 體的氧辰度及粒子取表面的氧濃度容易地形成前述之 值以下。姓刻液可舉例如HF、緩衝的酸、題4卜k〇h、 〇Η武或如氛等之水溶液。钱刻之程度係依钱劑液之種 類或濃度、钱刻液之溫度、钱刻時間等而可適當控制。藉 此,可使小粒徑活性物質粒子全體的氧濃度及粒子最表面 的氧濃度容易地形成前述之範圍内。但,在本步驟中不應 完全除去粒子表面之氧化物。其理由係完全除去氧化物之 粒子曝露在大氣時被急劇地氧化。因此,在本步驟中係宜 以氧化物適當地殘留之方式調整姓刻之程度。表面適當地 殘留氧化物之粒子,得即蚀糞雨 不P使暴路於大氣後亦可大概維持蝕 刻後之該粒子表面及全體的氧濃度。 例如以HF進行敍刻日夺,於濃度^重量%左右的耶中 投入小粒徑活性物質粒子,在室溫下攪拌液體5〜3〇分鐘左 右’可使粒子最表面之氧濃度降低所希望的濃度。以KOH 或Na〇H進行姓刻時,係於濃度卜4〇重量%左右的水溶液 中投入小粒徑活性物f粒子,只要在室溫下授拌液體5〜12〇 分鐘左右即可。以氨進行蝕刻時,係於濃度1〜2〇重量%左 右的水溶液_投入小粒徑活性物質粒子,只要在室溫下攪 拌液體5〜60分鐘左右即可。以腿417進行_時,係、於濃 又 重里左右的水溶液_投入小粒徑活性物質粒 子’只要在室溫下授拌液體5〜6〇分鐘左右即卩。以聯氨
O:\90\90389.DOC -27- 1287315 進行蝕刻時 粒徑活性物 右即可。 ’係於濃度1 貝粒子,只 〜50重量%左右的水溶液中投入小 要在室溫下攪拌液體5〜60分鐘左 充:粒徑活性物質粒子的負極,即使反覆 1妹要 物貝粒子的微細化、微粉化之影響亦很少。 可改善充放電效率,又,尤叮、、, 曰 放電循環特性合提t m會降低、充 入&曰θ徒巧。又,即使降低小粒徑活性物質粒子 3氧里’不可逆電量亦會降低、充放電效率會提高, 充放電循環特性會提高。 J =徑活性物質粒子係其表面亦可被金屬薄膜被覆。以 金屬薄膜所產生的被覆可抑制小粒徑活性物質粒子的氧 化,亚可有效防止不可逆電量之增大及充放電電流效率的 降低又,電?傳導性會提高、《放電循環特性可進一步 改善。 從有效抑制小粒徑活性物質粒子之氧化觀點及有效進行 Li與Si之反應的觀點,金屬薄膜係其厚度為〇 〇〇5〜4#瓜,尤 宜為0.05〜〇·5 μηι。金屬薄膜之厚度係可以例如ESCA或AES 來測定。 構成金屬薄膜之金屬宜使用鋰形成能低的金屬。如此之 金屬可使用例如Ni、Cu、Co、Fe、Ag或Au,從特別抑制氧 化之點,宜使用Ni、Co、Ag、Au。此等之金屬係可分別為 單體或2種以上之組合所構成的合金。 在被金屬薄膜被覆之小粒徑活性物質粒子中,在金屬薄 膜與小粒徑活性物質粒子之邊界部的氧濃度,係如說明有 -28-
O:\90\90389.DOC 1287315 關前述之小粒徑活性物質粒子般,Sl之濃度成為超過氧之 濃度的1/2。又,在金屬薄膜與小粒徑活性物質粒子之邊界 部係藉AES分析被金屬薄膜被覆之小粒徑活性物質粒子, 構成金屬薄膜之金屬濃度成為極小值的部分。 就提高被金屬薄膜被覆之小粒徑活性物質粒子之導電性 而S,係宜為金屬薄膜最表面的氧濃度低者。 被金屬薄膜被覆之小粒徑活性物質粒子, 之方法製造。首先,依據先前所說明之小粒徑活二 = 子的製造方法’藉乾式粉碎法或濕式粉碎法而將粒子粉碎 成特定的大小後,藉蝕刻除去存在於該粒子表面之氧化 物。充分水洗㈣後之粒子,然後,附帶無電解電鑛步驟, 而於粒子表面被覆金屬薄膜。在無電解電鍍之前,亦可於 粒子表面實施-般之銳敏化處理及活性化處理。益解電鑛 之條件係依據電鐘之金屬而適當地選擇。可舉如下者做為 進行例如鍍鎳蝕之浴組成。此時,浴溫為40〜6(rc左右,浴 之pH為4〜6左右。電鍍時間為〇·5〜5〇分。 / • NiS04 · 6H20 15〜35 §/升 • NaH2P〇2 · H20 10〜30 g/升 • Na3C6H5〇7 15〜35 g/升
NaC3H502 5〜15 g/升 、,形成於小粒徑活性物質表面之金屬薄膜亦可不完全被覆 粒子全體。例如朝金屬薄膜 — 厗度方向延伸的多數微細空 隙存在於該金屬薄膜般,亦 ..^ 亥金屬薄膜幾乎均一地遍布 被覆粒子表面。藉此,經由他 由域細空隙而電解液到達小粒徑
O:\90\90389.DOC '29, 1287315 活性物質粒子之内部,故含矽之粒子可確實地引起原來所 示之電化學反應。或,金屬薄膜亦可呈島狀被覆粒子。 芩照圖4(a)乃至圖4(d)圖同時並說明如下本實施形態之 負極的第1較佳製造方法。首先,如圖4(a)所示般,準備載 體箔11。載體箔11之材質無特別限制。載體箔1丨宜為導電 性。此時,若具有導電性,載體箔丨丨亦可不為金屬製。但 藉由使用金屬製的載體箔11,電極1〇之製造後,具有可使 載體箔11溶解、製箔而回收之優點。若考慮回收之容易性, 載體箔11之材質宜與藉由後述之電解電鍍所形成的表面層 4材質相同。載體箔11係可使用來作為用以製造本實施形態 的負極10之支撐體,故在製造步驟中宜具有不產生搖擺等 的強度。因此載體箔11宜其厚度為10〜5〇 μιη左右。 載體11係可以例如電解或壓延來製造。以壓延進行製 造,可得到表面粗度低的載體箔1 1。藉由使用表面粗度低 的載體箔11,而即使不形成後述之剝璃層lla,亦可具有變 佳之優點。另外,以電解製造載體箔丨丨,可在生產線上進 行從載體箔11之製造至負極1〇之製造。在生產線上進行, 係有利於負極10之安定製造及製造成本的降低。藉電解而 製造載體箔11時,係使用旋轉鼓體作為陰極,在含有銅或 鎳等之金屬離子的電解浴中進行電解,於鼓體周面使金屬 析出。從鼓體周面剝離所析出之金屬,以得到載體箔i i。 載體箔11之表面粗度低時,可於載體箔u之表面上直接 形成活性物質層3。又,如圖4(a)所示般,於載體箔11之一 面形成娜層lla,於其上亦可形成活性⑼質層3。形成剝
O:\90\90389.DOC *30- 1287315 離層11 a,可進一步從頭到尾良好地進行剝離。又,亦具有 可對載體箔11賦予防銹效果之優點。無論是否形成剝離層 11 a ’載體箔11之表面粗度Ra為〇·〇 u ,宜為Am, 尤宜為0.01〜0.2 μηι。若為此程度之低表面粗度,可從頭到 尾良好地進行剝離,又,形成剝離層n a時係可形成無厚度 不均之剝離層11a。當形成剝離層lla時,藉該剝離層1。而 消減載體箔11的表面粗度,故載體箔na之表面粗度Ra即使 大於前述範圍有時亦無妨。 剝離層11a係藉由例如鍍鉻、鍍鎳、鍍鉛、鉻鹽處理等而 形成。又,亦可藉特開平u_317574號公報之段落 [0037]〜[〇〇38]記載的含氮化合物或含硫化合物、特開 2001-140090號公報之段落[0020]〜[⑻23]記載的含氮化合 物或含硫化合物與銅微細粒之混合物等而形成。此等之 中就剝離性良好之點,宜為藉鍍鎳、鍍鉛、鉻鹽處理而 形成剝離層1U。此理由係藉此等之處理等而於剝離層iia 之表面形成氧化物或酸鹽之層,此層係具有使載體羯11與 後述之電解電鏡層之密接性降低且提升剝離性之功能。剝 離層11a之厚度為〇·〇5〜3牌,但就可進行從頭至尾良好地 剝離之點佳。形成剝離層lla後之該剝離層lu的比面粗度 Ra係與於載體羯11上直接形成活性物質層3 a夺同樣地,A 〇—,宜為。—,尤宜為0,— 藉電解所製造之載體落㈣起因於其製造方法而立_者 面成為平滑的光澤面,另一面成為具有凹凸之無光面。 即,各面之表面粗度為互異。光澤面係對向於電解之鼓 之 亦
O\90\90389.DOC -31- 1287315 體周面的面’無光面為析出面。在本製造方法甲於編 U形成剝離層lla時’於光澤面及無光面之任-者亦可形成 到離層11 a。若考慮剝離性良好,宜於表面粗度低之光澤面 上形成制離層lla。在無光面上形成剝離層⑴時,係使用 例如特開平9_143785號公報記载之電解液添加劑,進行電 解,使用所製造之落,或,在剝離層na形成之前,只要姓 刻無光面即可。或只要藉壓延而使無光面之表面粗度降低 即可〇 八人如圖4(b)所示般,於剝離層11 a上塗有一含有活性 物質粒子之導電性漿液而形成活性物質層3。又,不形成剝 離層11a%·,係於載體箔u之表面直接形成活性物質層3。 水液係含有活性物質的粒子、導電性碳材料或導電性金屬 材料之粒子、粘結劑及稀釋溶劑等。此等成分之中,可使 用聚偏氟乙烯(PVDF)、聚乙烯㈣、乙烯丙稀二烯單體 (EPDM)等作為枯結劑。稀釋溶劑可使用n_甲基^各烧納、 環己烷等。漿液中之活性物質的粒子量宜為14〜4〇重量%左 右。導電性碳材料或導電性金屬材料之粒子量宜為〇.4〜4重 里%左右。粘結劑之量宜為0.4〜4重量%左右。稀釋溶劑之 量宜為60〜85重量%左右。 水液之塗膜乾燥而形成活性物質層3後,使形成該活性物 質層3之載箔體丨丨浸潰於含有鋰化合物形成能低之金屬材 料的電鍍冷中而進行電鍍。藉由浸潰於電鍍浴而電鍍浴浸 入活欧物貝層3内’到達活性物質層3與剝離層11 a之界面, 在其狀態下進行電解電鍍。其結果在(a)活性物質層3之内
O:\90\90389.DOC -32- 1287315 部、(b) /舌性物質層3之外面側(亦即與電鍍液相接之面q 及(c)活性物質層3之内面側(亦即與剝離層丨丨a對向之面 中,得到鋰化合物形成能低之金屬材料會析出而形成各胃表> 面層4同時構成表面層4之材料遍及活性物質層3厚产方向 全域浸透如圖1所示之構造的負極1〇 (參照圖4(c))。 電解電鍍之條件係例如使用銅作為鋰化合物形成能低 金屬材料時,使用硫酸銅系溶液時,係只要使鋼之濃度為 3〇〜1〇〇 g/升、硫酸之濃度為5〇〜2〇〇g/升、氯之濃度為^㈣ 以下,液溫為30〜80°C,電流密度1〜100 A/dm2即可。使用 焦磷酸銅系溶液時,係只要使銅之濃度為2〜50 g/升、焦磷 酸鉀之濃度為100〜700 g/升、液溫為3〇〜6(rc、卩^為8〜 私*么度為1〜10 A/dm2即可。以適當調節此等之電解條 :,構成表面層4之材料遍及活性物質層3厚度方向全域而 ㈣’成為兩表面層’4電器導通。進一步,於表面層钟可 容易地形成先前敘途之多冑的微隙空隙5。 、’藉電解電鍍而於表面層4形成微細空隙5之方法,係以後 述之沖壓加工所形成的微細空隙更不施加外力之方法,故 具有表面層4、其5咨杉;in - 負極0不受損傷之優點。於形成表面層 4 %幵> 成微細空隙 隙5之機構本發明人推測如下般。亦即,活 性物質層3係含有、、壬卜 所 有活性物貝之粒子的層,故活性物 表面成為臺半+ ^ η m ^ :㈤凸形狀。亦即,成為電鍍易成長之活性 物質層進行J…起的狀態。若對如此之狀態的活性 之構成姑粗、,電鍍,於電鍍之成長會產生不均,表面層4 的粒子呈多結晶狀成長。若結晶之成長進展,
O:\90\90389.DOC -33 - 1287315 之处― 於其部分形成空隙。如此-來所來成 之二隙會多數相連”成微細空隙5。 /成 隙5係其構造成為極微細。 方法,破細空 形成電極ίο後,沖壓加工此 隙^。w π ^ J Γ於表面層4產生微細窆 永5 «仔到充分之電子傳導 ,^ 1寻彳『生規點,以沖壓加工進行壓宓 化’沖壓加工後之活性物質 仃&在 懕,、, 物貝層3與表面層4之厚度總和為沖 昼加工珂之9〇〇/0以下,軔私在 勺 ,, 下軼彳土係成為80%以下進行。沖壓加 係可使用例如輥加工機。沖屡 m ^ 成冲反加工後之活性物質層3係如前 边叙,且存在5〜3 〇體積%之允险 千士 積/()之工隙6。稭此空隙ό之存在,斧 笔蚪吸附鋰而體積膨脹時, 允 Τ趄口於其體積膨脹之壓力會、 和。如此之空隙6係只要如前述般控制沖壓加工之條件即 可。此空隙6之值係如前述般,可依電子顯微鏡圖像而求得。 在本製造方法中,進行電解電鑛之前,亦可沖壓加工活 性物質層3 (此沖壓加工,盘前 /、則述冲壓加工區別之意義上稱 為前沖壓加工)。進行前沖厭 i加工,可防止活性物質層3與 、、面層4之剝離,又,可防止電極1〇之表面露出活性物質: ♦子2…其、‘果’可防止起因於活性物質粒子2之脫落的電 池循¥舞命之劣化。更且,進行前沖麼加工,可控制構成 表面層4之材料浸透於活性物質3内的程度(參照後述之實 J) /、to上右冲壓之程度大,活性物質之粒子間的距 離會變短,構成表面層4之材料很難浸透於活性物質3内。 反之,綱之程度小,活性物質之粒子間的距離會變長, 構成表面層4之材料易浸透於活性物質3内。前沖壓加工之 条牛係月〗冲壓加工後之活性物質層3的厚度宜為前沖壓加
O:\90\90389.DOC -34- 1287315 工=之活性物質3厚度之95%以下,尤宜成為9〇%以下之條件。 瑕後’如圖4(d)所示般,在剝離層1U之部份中電極合 從_"剝離分離。又,在圖4⑷中,係以剝離層二 殘,於載體落11側之方式描繪,但實際上剝離層"a亦有依 ’、厚度或剥離處理劑之種類而殘留於載體箔i】側之情形, 亦有殘留於電極10側之情形。或,亦有殘留於此兩者^情 形。即使為任—情形’剝離層m係其厚度極薄,故對所得 到之負極無任何影響。依本製造方法,將所製造之負極的 丫 J構k表不於圖5(a)及圖5⑻中。在圖5⑷與圖5(b)中, :使用之活性物質的粒徑相異,在圖中之活性物質的粒 彼會比圖5(a)中者還小。 ^若依本製造方法,只要進行活性物質層3之形成操作! ” P可得到將电極之兩面用於電極反應之負極1〇。在 習知之負極中’為將電極之兩面用於電極反應,必須於集· 電用之厚膜導電體的兩面分別形成活性物質層。亦即,': 須進行活性物質層之形成操作兩次。因此,若依本製造方 法,可充分提高負極之製作效率。 若依本製造方法,至將負極1〇組裝入電池係不使其從載 體落11剝離,而在組裝入之前從載體笛"剝離,易變薄且 ^之本實施形態之負極10可處理性佳地進行搬送之優點仍 存在。 參照圖6⑷乃至圖6(f)同時並說明負極之第2較佳之穿』送 方法。又,關於本製造方法’無特別說明之點,可適宜適 用第1製造方法的說明。第2製造方法與第以造方法相異之
O:\90\90389.DOC -35- ^287315 點,在本製造方法中,係於載體箔幻上 前’於载體落11上電解電鍍鋰化合物形成生物質層3之 而形成一者之導兩用# 月匕低的金屬材料 成者之表面層4a,於該集電 形成活性物質層3,在活性物a之上 成能低的金屬材料而形成另一集電化合物形 、, 卞屯用表面層4b之點。 传亦 面形成薄的剝離層…。在本製造方法中 亦可於光澤面及無光面之任—者形成剥離層lla。 Z形成剝離層Ua,如圖6⑷所示般,於_層上電解電 :紘化合物形成能低的金屬材料而形成—者之表面層仏。 同电=鑛之料係可使用與第i製造方法中之電解電錄相 么、件。精此電解電鑛,而於表面層4钟可很容易形成 :述之微細空隙。繼而’如圖6⑷所示般,於表面層4a上, :有-含有活性物質粒子之導電性漿液而形成活性物質層 。塗有導電性漿液之表面層4a的表面係析出面,亦即無光 表面之粗度會變咼。成為如此表面狀態之表面層乜的 表面塗布導電性聚液,活性物質之粒子與表面層^的密接 性會提升之優點仍存在。 水液之塗膜乾燥而形成活性物質層3後,如圖6⑷所示 ///舌f生物貝層上電解電鍍鋰化合物之形成能低的金 屬材料而幵y成另一之集電用表面層仆。電解電鐘之條件係 :使用與弟1製造方法中之電解電鍍同樣的條件。適當調節 条件以形成表面層4b。構成表面層扑之材料遍及 ^物貝層4之厚度方向全域而浸透,兩表面層4a、4b會電
O:\90\90389.DOC -36- 1287315 氣導通。進—步’在表面層射,可容易形成前述之多數 微細空隙。形成表面層倾,亦可使活性物質層3與表面層 4a、4b沖壓加工而於表面層4a、仆產生微細空隙$。又,於 活性物質層3上形成表面層4b之前,亦可使活性物質層3進 行前沖壓加工。 最後,如圖6(f)所示般’從表面層4a剝離分離載體箔}。 藉此而得到負極1 〇。 又,圖6(a)乃至圖6(〇所示之步驟圖為模式圖,故各表面 層牦、仆會與活性物質層3明確地分離,負極10為3層構造。 但,實際上亦應注意各表面層4a、4b之構成材料浸透於活 性物質層3内而成為與兩表面層4a、仆間相連之狀態。 第2製造方法之另一方法亦可使用圖7⑷乃至圖了⑷所示 之第3製造方法。在第3製造方法中,在形成第2製造方法中 之圖6(c)所示的集電用表面層4a之前,由與集電用表面層乜 之構成材料相異之材料所構成的被覆體以仏㈧丨〜丨之厚 度形成於載體箔11上,於其上藉電解電鍍集電用表面層之 構成材料而電析以形成該集電用表面層4a。 首先,如圖7(a)所示般,準備載體羯u。其次如圖八μ所 不般,於載體箔11的—面以特定的手段被覆被覆體22。宜 在被覆前對載體箔1 1實施酸洗淨等之前處理,使其表面清 淨兀成。被覆體22係使表面層4a之形成面的電子傳導性形 成不均一的狀態,為於表面層4a形成多數之微細孔而被使 用。被覆體22係宜形成其厚度為0.001〜1 /m ,宜為0 002 〜〇·5 ,取宜為0·0〇5〜〇·2 μχη。藉形成此程度之厚度,被
O:\90\90389.DOC -37- 1287315 覆體22係不連續地例如島狀地被覆載體箔1 1的表面。不、 續地形成被覆體22,有利於表面層43更容易地形成微= 隙5。又,在圖7(b)中係因為助於瞭解,強調被覆體a之大 被覆體22係由與表面層4a構成材料相 ,竹行所構成。 在依此而後述之剝離步驟中,可從載體⑽從頭至尾 地剝離表面層4 a 〇尤里,i0〆 尤其,被覆體22係宜與表面層牦構 料相異的材料,且含有CU、Nl·、r A/r ^ ,LU Nl、Co、Μη、Fe、cr、Sn、Zn、 In、Ag、An、C、Al、f、
Tl&Pd之中的至少i種類元辛所 構成。 n 被覆體22之形成方法特別限定。例如,與表面積^之來 成方法的關係,可選擇被覆體22之形成方法。具體上,^ 電解電鍍形成表面JS 0本,#、,_ 面層4a^,係以電解電鍍形成被覆體22, 就製造效率等而言佳。亦可藉其他之方法例如無電解電 :濺鍍法、物理氣相蒸鍍法(pvD)、化學氣相蒸鍍法 (㈣)、溶膠凝膠法或離子電錄法而形成被覆體… 藉電解電錢而形成祐覆, β. 2卞,可依照被覆體22之構成 材料而k擇適當的電錢浴或 μ u 士 X ^次兒鍍條件。例如從錫構成被覆 體224,可使用具有 、,、 另戈卜之組成者或硼氟化錫浴作為電鍍 浴。使用此電鐘浴日丰 “ 1Λ 4之“為15〜3以左右,電流密度宜為 〇·5〜10 A/dm2 左右。 •SnS04 •Η 2 SO 4 •甲酚磺酸 30〜70 g/升 60〜150 g/升 70〜1〇〇 g/升
O:\90\90389.DOC -38- 1287315 如前:般,被覆體22係為使載體心中之表面層h的形 、、面之电子傳導性形成不均—的狀態而被使用。因此,若 被後體22之構成材料的電子傳導性與載體㈣的電子傳導 性非常不同,藉形成被覆體22,表面層牦之形成 傳導性會立即成為不均-的狀態。例如使用碳作為被覆體 22的構成材料之情 租 、 ^。另外,使用具有與載體箔丨丨同程度 的電子傳導性之材料例如以錫等為首的各種金屬材料作為 被覆體22的構成材料時,藉被覆體22之形成,係表面層4a 之形:面的電子傳導性不會立即成為不均一的狀態。因 此,從如此之材料構成被覆體22時,宜使形成被覆體22之 載體落11在乾燥狀態曝露於含氧氣氛下例如大氣中。藉此 而使被覆體22之表面(及載體落η的露出面)氧化(參照圖 7(c))。藉此操作,而表面層如之形成面的電子傳導性會成 為不均-的狀’癌。若在此狀態下進行後述之電解電鍵,载 被覆體22之表面與载體㈣之露出面於電析速度產生差, 可很容易地於表面層4a形成微細空隙5。氧化之程度在本發 明中無界限。例如,甚骑游木面 右將形成被覆體22之載體箔u於大氣 中放置1〇〜3〇分鐘,則很充分,已經本發明人等之研究而瞭 解。使形成被覆體22之載體謂i i強制地氧化係無礙。 /使形成被覆體22之載體㈣曝露於含氧氣氛中時,使其 形成乾燥狀態之理由’係為有效率地進行氧化。例如藉電 解電鍍而形成被覆體22時,係從電鍍浴拉起載體洛_, 使用吹風機等使此乾燥,然後只要放置於大氣中特定時間 即可。被覆體22之形成方法,當使用濺㈣或各種蒸鑛法
O:\90\90389.DOC -39, 1287315 不須乾燥操作 等之乾式法時,不須幸 接放置於大氣中即可。 形成被覆體22後,只要直 氧化被覆體22後,如 ’如圖7 (d)所示,
/(d)所示,於其上形成剝離層ua。 箔Π從頭至尾良好地 一 ”不形成剝離層11 a,亦 可形成具有微細空隙之表面層4a。 其次,如圖7(e)所示般,在形成剝離層Ua之上,藉電解 毛鍍而私析表面層4a的構成材料以形成表面層h。於所形 成之金屬箔4係形成許多數之微細空隙。又,在圖八勻中, 以於被覆體22之頂點位置形成微細空隙之方式描繪,但此 係權宜之計者,實際上,於被覆體22之頂點位置未必應形 成微細空隙。t鍍浴或電鍍條件係依照表面層乜的構成材 料而適當選擇。例如從Ni構成表面層心時,係可使用具有 如下組成之水浴或氨基磺酸浴作為電鍍浴。使用此等電鍍 冷時之浴溫為40〜70°C左右,電流密度宜為〇·5〜2〇A/dm2左 右。 • NiS04 . 6H20 150〜300 g/升 • NiCl2 · 6H20 30〜60 g/升 • H3B〇3 30〜40 g/升 在第3製造方法中之表面層4a的形成,即使使用如下述敛 之另外方法1及另外方法2亦可實施。另外方法1係準備含有 碳質材料之粒子的塗布液,例如糊劑等。碳質材料係可使 用例如乙炔黑等。碳質材料就可很容易形成微細空隙而言 且其平均粒徑〇5〇(依雷射繞射散射法及掃描型電子顯微鏡 O:\90\90389 DOC -40- 1287315 觀察之併用而測定、1 )為2〜200 nm,尤其宜為1〇〜1〇〇 _左 右。將此塗布液涂右认&〜 土布於特疋之載箔體11以上。塗布 0·001〜1 μηι,尤官^ 為〇.〇5〜〇·5 μηι左右。然後,於塗 電解電鍍而電析表面址丄 、稽 啊衣面層4a的構成材料以形成表面層物。 解電鍍之條件可於笙14 1 , 、 、弟3製以方法中之電解電鍍的條件相同。 另外方法2中係1先準備—含有表面層h之構成材料的 $鐘冷。例如㈣構成表面層㈣,只要準備前述之水浴 或氨基石黃酸浴即可。在此電錄浴中加人㈣㈣ 使之懸濁。碳質材料係可使用與另外方法^樣所使用者相 同。_料之粒徑亦可與另外方法1同樣。懸濁於電鍵浴 中之碳質材料的量為0.5〜50g/升,尤宜為HOg,升,但, 就於表面層4a可容易地形成微細空隙之點佳。授掉電鍛浴 而使碳質材料懸濁之狀態下,對載體㈣而進行電解電 鍍,使表面層4a的構成材料電析而得到表面層乜。 依以上之各方法而形成表面層4禮,可藉與第㉔造方法 同樣的步驟而得到負極1 〇。 、在以上說明之第i乃至第3製造方法中’活性物質層3之形 成後進行電解電鍍之前,依先前敘述之另外方法i,亦可以 0.001〜1 pm之厚度塗布含有平均粒徑£>5()為2〜2〇〇111^之碳質 材料的塗布液,於其上藉電解電鑛而電析表面層朴的構成 材料而形成表面層4b。藉此,於表面層讣亦可進一步容易 形成許多數之微細空隙。 本實施形態之負極亦可依如下敘述之第4製造方法而製 造。首先,於表面具有許多數之陽離子之交換基的載體樹
O:\90\90389.DOC -41 - 1287315 月曰以含金屬離子的液體進行處理而生成該陽離子交換基的 金屬鹽。具有陽離子交換基之載體樹脂,係例如以氨氧化 納或氫氧化鉀等之驗水溶液處理聚酿亞胺樹脂的表面,而 使酿亞胺環閉環而生成許多數之缓基者。驗水溶液之漠度 以3〜10吴耳/升左右為適宜。驗水溶液之處理溫度為泰航 左右,處理時間宜為3〜1〇分鐘左右。被驗水溶液處理之聚 醯亞胺樹月旨係宜以酸中和。又,以聚醒亞胺樹脂之鹼處理 形成閉環及金屬被膜的内容已記載於特開2〇〇1_73159號公
報。 A 以還原劑還原所生成之金屬鹽。還原劑可舉例氫化硼 納、次亞磷酸及其鹽等。藉還原而於載體樹脂之表面形成 一成為觸媒核之前述金屬的被膜。然後,在該被膜上進行 電解電鑛’形成-者之集電用表面層。繼而,於表面層之 上塗布-含有活性物質的粒子之導電性漿液而形成活:物 質層。進-步對活性物質層進一步進行電解電鍍,形成另 一者之集電用表面層。如此之後,剝離載體樹脂或使用有 機溶劑而溶解載體樹脂,從一者之集電用表面層分離該載 體樹脂。藉此而得到本實施形態的負極。又,關於本製造 方法,亚無特別說明之點,係適用有關先前敘述之第丨乃至 第3製造方法的說明。 如此做法所得到之本實施形態的負極丨〇,係與公知之正 極、分隔膜、非水系電解液一起被使用而成為非水電解液 一次電池,正極係正極活性物質並且依需要使導電劑及粘 結劑懸濁於適當的溶劑中,製作正極合劑,在塗布於集電 O:\90\90389.DOC -42- 1287315 體,乾燥後,輥壓延、沖壓、進一步裁斷、穿孔而得到者。 正極活性物質係可使用鋰鎳複合氧化物、鋰錳複合氧化 物、鋰鈷複合氧化物等之以往公知的正極活性物質。分隔 膜係宜使用合成樹脂製不織布、聚乙烯或聚丙烯多孔質膜 等。非水電解液係當鋰二次電池時,由支撐電解質即鋰鹽 溶解於有機溶劑之溶液所構成。鋰鹽可例示wuci〇4: UA1C14、LiPF6、LiAsF6、LiSbF6、USCN、LiCl、LiBr、
Lil、LiCF3S〇3、LiC4F9S〇3 等。 其次,—面參照圖8,—面說明有關本發明之負極的第2 實施形態。有關本實施形態係只說明有關與第(實施形能相 異之點,對於無特魏明之點,可適用有關第丨實施形態詳 細之說明。又,在圖8中,%故m^ T於與圖1相同之構件賦予相同之 符號。 如圖8所示般’本實施形態之負極係於厚度方向之中央 部,具備作為芯材之導電性金屬?|層8。於金屬之各 面:別形成活性物質層3,3。進—步分別形成被覆各活性 物貝層3 ’ 3之集電用表面層4a、外。 於各活性物質層3, 3中係構成集電用表面層4a,4b之材 料分別遍及各活性物質層3,3之厚度方向全域而浸透。活 : 生物質之粒子係不露出於電極之表面而包藏於各表面層 a,叙㈣。構成表面層4a,4b。構成集電用表面層h, 4b之材料係各活性物質層3,3貫穿於其厚度 箔層8相連。藉此而各表面層蝕’ Ί / 〃 · ii,& # & s 4 係〃、金屬洎層8電氣導 俾作為負極全體之電子傳導性變得更高。亦即,本實
O:\90\90389.DOC -43- 1287315 施形態之負極亦與第1實施形態之負極相同,負極全體形成 一體而具有電極功能。 在本貫施形態中之表面層4a、4b及活性物質層3,3之厚 度係可與第1實施形態相同。有關金屬箔層8之厚度係從抑 制負極全體之厚度而提高能量密度之觀點,為5〜4〇jUm,尤 宜為10〜20 /xm。從同樣之觀點,負極全體之厚度為10〜1〇〇 一瓜, 尤宜為20〜60 μηι。 若說明本實施形態之負極的製造方法概略,如以下般。 首先,於金屬箔層8之各面塗布一含有活性物質粒子之導電 性漿液而分別形成活性物質層。亦可預先製造金屬箔層8, 或’亦可在生產線上製造作為在本實施形態之負極的製造 步驟中之一步驟。以生產線製造金屬箔層8時,宜藉電解 析出而製造。漿液之塗膜會乾燥而形成活性物質層後,使 形成該活性物質層之金屬箔層8浸潰於一含有鋰化合物形 成能低的金屬材料之電鍍液中,在其狀態下於活性物質層 上以該導電性材料進行電解電鍍,形成表面層4a,4b。使 用此方法,可於表面層4a,4b容易地形成許多數之微細空 隙。構成表面層4a,4b之導電性材料會遍及活性物質層之 厚度方向而浸透,兩表面層會與金屬箔層8電氣導通。 本舍明不限於前述實施形態。例如在前述實施形態中, 構成集電用表面層4之材料於活性物質層3貫穿其厚度方 向,兩表面層4會電氣導通,但,在可充分確保各表面層4 之集電性的限度中,兩表面層4亦可不電氣導通。 .以下,藉實施例更詳細說明本發明。但,本發明之範圍
O:\90\90389.DOC -44- 1287315 不限於如此之實施例。以下之例中,只要無特別聲明,「% 意指「重量%」。 (實施例M) (1) 活性物質粒子之製造 使含矽80%、鎳20%之1400它的熔液流入銅製的模型中 得到被急速冷卻之矽-鎳合金的錠。此錠以噴射研磨粉碎, 篩選而得到活性物質粒子。此粒子之平均粒徑(D^值)為5 。 (2) 漿液之調製 調製以下組成之漿液。 •前述(1)所得到之活性物質粒子 16% •乙快黑(粒徑〇· 1 gm) 2% •黏結劑(聚偏氟乙烯) 2% •稀釋溶劑(N-甲基p比π各烧酮) 80% (3)剝離層之形成 鉻酸鹽處理以電解所得到之銅製載體箔(厚35 μηι、表面 粗度Ra 0·1 μιη)的表面而形成厚度〇·5 之剝離層(參照圖 4(a))。剝離層之表面粗度Ra亦為0.1 μιη。 (4) 活性物質層之形成 於載體箔中之剝離層上塗布前述漿液而乾燥,形成活性 物貝層(苓知、圖4(b))。然後,以〇·5 t/cm之壓力進行親沖壓 加工(前沖壓加工),使活性物質層壓密化。如此方法所得到 之活性物質層的厚度為8 μιη。 (5) 集電用表面層之形成 將形成活性物質層之載體箔浸潰於具有如下組成之電鍍
O:\90\90389.DOC -45- 1287315 浴中,進行電解電鍍。 •銅 50 g/升 •硫酸 60 g/升 •〉谷溫 4 0 使電流密度為20 A/dm2而電解帝雜 解电鍍70秒後,從電鍍浴拉 起載體箔,得到負極(參日3圄“、、 + ㈣貝往U…、圖4(c))。與載體落相接之側的隼 %用表面層(以下,此等側之表面層稱為第i表面層)之厚产、 為Um,*與載體猪相接之側的集電絲面層(以下 側之表面層稱為第2表面層)之厚度為丄 (6)載體銅領之剝離 如圖4⑷所示般,在剝離層之部份中1載體落剝離負 極。猎此而得到圖!所示之構造的負極。在各表面層係在該 表面層之表面開孔且與活性物質層相通之許多數微細空隙 會存在。微細空隙之平均開孔面積及開孔率如示於表 (實施例1-2) 除使電解fit之相⑽秒以外,其餘係與實施例M相 同而得到負極。第!表面層之厚度為1/m,第2表面層之厚 度為…m。在各表面層係在該表面層之表面開孔且與活 性物質層相通之許多數微細空隙會存在。微細空隙之平均 開孔面積及開孔率如示於表^ 1。 (貫施例1 - 3 ) 除使電解電鑛之時間為130秒以外,其餘係與實施例m 相同而得到負極。第1表面層之厚度為1 _,第2表面層之 厚度為5㈣。在各表面層係在該表面層之表面開孔且與活
O:\90\90389 DOC -46- 1287315 物質層相通之許多數微細空隙會存在。微細空隙 汗1孔面積及開孔率如示於表i _ 1。 (貧施例1 -4) 工Γ1 "叫麼力進㈣液塗布後_沖壓加項㈣力c ,且除使電解電敎日㈣為5G秒以外,其餘係與實施例 1-1相同而得到負極。第1表 μ之戸“ ^層之马度為〇.5_,第2表面 J度為〇一在各表面層係在該表面層之表面開孔 性物質層相通之許多數微細空隙會存在。微細空隙 之平均開孔面積及開孔率如示於表Μ。 (實施例1-5) 以"/叫a力進行漿液塗布後的㈣壓加工(前沖壓加 工),且除使電解電鍍之時 .; 门马120心以外,其餘係與實施 同而得到負極,表面層之厚度為…m,第2表 曰之厚度為5㈣。在各表面層係在該表面層之表面開孔 且與活性物質層相通之許多數微細空隙會存在。微細空隙 之平均開孔面積及開孔率如示於表丨“。 (比較例1- 1) (1)漿液之調製 調製以下組成之漿液。 ’石墨粉末(粒徑1 〇 gm) 16% 1乙块黑(粒控〇· 1 #m) 2% 黏結劑(聚偏氟乙烯) 2% 稀釋溶劑(N_甲基p比σ各燒酮) 80% ⑺於厚30 _之銅箱的各面上,分別塗布所調整之
O:\90\90389 DOC -47- 1287315 然後,以0.5 t/cm之麼力 壓加工後之各活性物質層 液,乾燥,而形成活性物質層。 進行輥沖壓加工,得到負極。沖 的厚度為20 μηι。 (性能評估) 使用實施例及比較例所得到之負極而如以上般製作非水 包解液―人电池。以如τ之方法測定不可逆電量、至得到 最大電量所需之循環數(以下,稱得到最大電量之循環數)、 每,到最大電量之循環數中重量之電量密度(以下,稱每一 重里之取大電虿岔度)、每得到最大電量之循環數中體積的 電量密度(以下稱每—體積之大電量密度)、5Q循環時之電量 維持率。此等之結果表示於以下之表1 _ 1中。 (非水電解液二次電池之製作) 使用金屬㈣為對極,使用前述所得到之負極作為作用 極,使兩極介由分隔膜而對向。進一步使用LiPF"碳酸乙烯 醋與碳酸二⑽之混合溶液(1:1容量比)作為非水電解液而 藉一般之方法,製作非水電解液二次電池。 (不可逆電量) 不可逆電量(%)=(1_初次放電電量/初次充電電量)χΐ〇。, 亦即’雖已充電,但不能放電,而表示殘存於活性物質中 之電量。 (得到最大電量之循環數)。 顯示開始充放電後,得到最大放電電量之循環數。初期 之活性愈差的電極,得到最大電量之循環數愈大。 (每一重量之最大電量密度) O:\90\90389.DOC -48- 1287315 顯示得到最大電量之循環數中每一負極重量之放電電 量。單位為mAh/g。又,一般係常為顯示每一活性物質重量 之放電電量的情形,但此處,為使不使用厚膜集電體之品 質性明確,顯示每一負極重量之放電電量。 (每一體積之最大電量密度) 顯示得到最大電量之循環數中每一負極體積之放電電 量。單位為mAh/cm3。又,一般係常為顯示每一活性物質體 積或活性物質層體積之放電電量的情形,但此處,為使不 使用厚膜集電體之品質性明確,顯示每一負極體積之放電 電量。 (50循環時之電量維持率)
5 0循環時之電量維持率(%)=第50循環之放電電量/最大 放電電量xlOO O:\90\90389 DOC -49- 1287315 比較例 1-1 ►—-k 1 K) h—* 1 — 活性物質 石墨 Si80+Ni20 Si80+Ni20 Si80+Ni20 | Si80+Ni20 Si80+Ni20 1 Ο1 Lh 〇 Lh H-* H-* 第1 表面層 厚度(μηι) 1 Lt\ O Ln Ln 〇 in 第2 表面層 η—^ U) Ό i—^ )—* 負極 全體 1 OJ Lh 第1 表面層 平均開孔面積 (μιτι2) 1 O L/1 〇 as 仁 ί|ΰ to Lh a\ 第1 表面層 開孔率(%) 1 Cj VO Lh U) 翁 o 5; o -J — LT\ LT\ oo 第2 表面層 1—^ 00 00 oo 00 不可 逆電 量 1—^ »—* 1—^ K) to 得到最大 電量之 循環數 h—A g b〇 LO 〇 OJ 00 o K) to o UJ LO LO o 每一重量 之最大電 量密度 (mAh/g) g 1700 ! 2600 1600 2500 2300 每一體積 之大電量 密度 (mAh/cm3) Ο vo oo 00 VsO 00 50循環 時之電 量維持 率(%) O:\90\90389 DOC -50- 1287315 從表1 -1所示之結果可知,各實施例之負極係不可逆電量 小’又,得到最大電量之循環數小,從充放電之初期階段, 充放電電量高。又,可知每一重量及每一體積之電量密度,. 極咼。進一步可知反覆充放電後之電量維持率高,循環壽 印’I:長。又,於表中雖未表示,但在各實施例之負極中, 構成各表面層之材料遍及各活性物質層之厚度方向全域而 反透’兩表面層會電氣導通。又,活性物質之粒子實質上 不會路出於負極之表面,而被包藏於表面層之内部a (實施例2-1及2-2) _ (1) 剝離層之形成 使用厚3 5 μπι之電解銅箔作為載體箔。在溫室、酸洗液中 洗〉尹此載體箔30秒。繼而,在室溫中純水洗淨3〇秒鐘。然 後,維持於40 C之3 g/升羧基苯並三唑溶液中浸潰載體箔3 〇 秒鐘而如圖b所示般形成剝離層。進一步,在室溫中純水洗 淨1 5秒。 (2) 第1表面層之形成 0 在具有如下之浴組成的鎳電鍍浴中浸潰載體箔而進行電 解,如圖6(c)所示般,形成由極薄鎳箔所構成之第丨表面層。· 第1表面層係形成於載體羯中之光澤面側所形成的剝離層 上。電流密度為5 A/dm2,浴溫為5(rc。於陽極係使用鎳電 極。電源係使用直流電源。第丨表面層之膜厚係在實施例2^ 中為3 /xm,在實施例2·2中為1 μχη。 250 g/升 鎳電鍍浴組成 NiS04 · 6H2 Ο
O:\90\90389 DOC -51 - 1287315
NiCl2 · 6H2 Ο 45 g/升 H3 B〇 3 30 g/升 (3) 活性物質層之形成 第1表面層形成後,純水洗淨3 0秒,然後在大氣中乾燥 其次,在第1表面層上塗布一含有活性物質粒子的漿液,女 圖6(d)所示般’形成膜厚15 μπι之活性物質層,使用一 1 有 平均粒徑Dw為1·5 ^^之义80%—Ni 20%組成的合金粉作為 /舌性物質之粒子。漿液係含有活性物質粒子、錄粉、乙炔 黑及聚偏氟乙烯(以下稱為PVdF)。漿液組成係活性物質: 鎳粉:乙炔黑:PVdF==6〇:34:1:5。 (4) 第2表面層之形成 如圖6(e)所示般,於活性物質層上藉電解形成一由極薄 鎳箔所構成之第2表面層。電解之條件係與第丨表面層之形 成條件相同。但膜厚成為3 μχη之方式進行電解。 (5) 電極之剝離 將如此所得到之電極如圖6(f)所示般從載體箔剝離而形 成本發明之負極。將實施例2_ 1所得到之負極的截面電子顯 微鏡照表示於圖9中。 (實施例2〜3及2〜4) 藉電解形成一作為第丨表面層之極薄銅箔。浴組成係如 以下般。電流密度為2〇 A/dm2,浴溫為4(TC。於陽極係使 用尺寸安定化陽極。電源係使用直流電源。第丨表面層之 膜厚在實施例2-3中為3 μηι,在實施例2-4中為丨μηι。然後, 就防銹處理第1表面層之目的,藉保持於25t:之i g/升的苯
O:\90\90389.DOC •52- 1287315 此等以外係與實施例 並三唑溶液而處理第1表面層10秒 2-1同樣做法而得到負極。 鍍銅浴組成 2 5 0 g/升 70 g/升
CuS04· 5H20 h2so4 (實施例2-5) 於厚35_之電解銅箱的各面,以厚度分別成為15辦之 方式塗布-與實施例2铺使用㈣液相同之漿液,乾燥而 形成活性物質層。然後,浸潰於具有與實施例2]相同之 浴組成的録電鑛浴中進行電解,如圖8所示般,分別形成 由極薄㈣所構成之表面層。電解之條件係與實施例 相同做法。各表面層之膜厚分为丨垚 心胰y子刀別為3 Mm。如此一來得到圖 8所示之負極。 (比較例2-1) 調製石墨粉末(平均粒徑D50=10㈣:乙块黑(平均粒卢 D50 = 40 nm) :PVdF: N-甲基峨錢酮=16 2:2 8〇之混人比 (重量比)的漿液。於厚35牌之銅落的各面上,塗布褒液, 乾燥’而形成活性物質層。,然後,以〇·5 "咖之遷力進行 輥冲壓加工’沖壓加工後之活性物晳 『生物貝層的片面之厚度為40
Mm。如此一來而得到負極。 (比較例2-2) 於厚35㈣之銅箱的各面,以厚度分別成為15㈣之 塗布-與實施例W所使用賴液相同之―,乾燥而_ 活性物質層。如此一來而得到負極。
O:\90\90389.DOC -53- 1287315 (性能評估) 使用實施例及比較例所得、 員極叩以如上之方法赞 作非水電解液二次電池。以 万法衣 .,θ 乂如下之方法測定算出此電池之 取大負極放電電量、雷、4 θ β ^ ^, ^ ^電量及5G循環時之電量維持率。 此等之結果表示於以下声 , 下之表I1中。又,使用實施例2-i& 比較例2-1及2-2所得到的負極 、位1卞馮作用極,於對 屬鋰而製作非水電解液_ 便用二 ^ 夜—夂电池,測定放電電量對充電循 裱數之受化。其結果表示於圖12。 (非水電解液二次電池之製作) 以實施例及比較例所得到的負極作為作用極,使用 ⑽〇2山作為對極’㈣極介由分隔膜而對向。進一步使用 LiPFJ碳酸乙稀酷鱼瑞酿— ,t ..、 夂-乙醋之混合溶液(1:1容量比)作 為非水電解液而藉一 # 2 t 舨之方法,製作非水電解液二次電 池0 (最大負極放電電量) 測定在得到最大電量 里炙循%中母一活性物質 電電量。單位為mAh/g。 、 (電池電量) 旦從負極之厚度及面積求出體積,算出每一單位體… 里以使用比較例2]的電極作為負極之電池兩= 100,相對表示其他之電池電量。 兒里乍為 (5 0循環時之電量維持率) 測定第50循環之放電電量,以第2循環 放電電量除其值,乘以1〇〇而算出。 灸之取大負極
O:\90\90389 DOC -54- 1287315 表2 活性物 質組成 第1表面層 材質/厚度 第2表面層 材質/厚度 最大負極 放電電量 (mAh/g) 電池電量 (vs比較例 1) 50循環時 之電量維 持率 實施例Μ Sl8〇Ni2〇 Ni/3 μτη Ni/3 μηι 3150 150 98 實施例2-2 Sig〇Ni2〇 Ni/1 /xm Ni/3 μτη 3130 160 96 實施例2-3 Sl8〇Ni2〇 Cu/3 μηι Ni/3 μτη 3120 150 95 實施例2-4 Si8〇Nl2〇 Cu/1 /xm Ni/3 /xm 3120 160 88 實施例2-5 Si8〇Nl2〇 Ni/3 μηι 3150 120 98 比較例2-1 C 300 100 100 1 比較例2-2 Si8〇Nl2〇 喔 3140 130 15 如表2-1所示般,可知利用各實施例所得到之電極的二次 電池,係較使用於各比較例所得到之電極的二次電池,其 最大負極放電電量、電池電量及50循環時之電量維持率還 高。又,從圖12所示之結果可知,實施例2-1之負極係即使 反覆充放電,放電電量亦不會降低,而可維持高的水準。 然而,比較例2 -1之負極係放電電量為極低之水準。比較例 0 2-2之負極係初期放電電量雖為比較高的水準,但隨充放電 之反覆而放電電量會急速降低。又,表中係未表示,但電 子顯微鏡觀察之結果,在實施例2-1〜2-4的負極中,可確認 出表面層之構成材料遍及活性物質層之厚度方向全域而 浸透,兩表面層會電氣導通。在實施例2 - 5的負極中,可確 認出表面層之構成材料遍及活性物質層之厚度方向全域 而浸透,與銅箔會電氣導通。進一步,在實施例2-1〜2-5 的負極中,可確認出於表面層形成許多朝該表面層方向延 O:\90\90389.DOC -55- 1287315 伸之微細空隙。 (實施例3 -1) 在溫室下酸洗淨以電解得到之銅製載體箔(厚35 μπι)3〇 秒。繼而,在室溫中純水洗淨3〇秒鐘。然後,在具有如下 之浴組成的錫電鍍浴中浸潰載體箔而進行電解電鍍,形成 由錫所構成之被覆體。電流密度為2 A/dm2,浴溫為30°C。 於陽極係使用錫電極。電源係使用直流電源。被覆體形成 20 nm之厚度。從電鍍浴拉起後,純水洗淨3〇秒而在大氣 中乾燥後,放置15分鐘而進行被覆體之氧化。 • SnS04 50 g/升 • H2S〇4 100 g/升 •甲酚磺酸 100 g/升 將形成被覆體之載體箔浸潰於保持在4〇它之3 升的羧 基苯並三唾溶液中3〇秒。藉此進行形成剝離層處理。形成 剝離層處理後,從溶液中拉起而純水洗㈣秒。 於,、有%下之冷組成的水洛中浸潰載體猪而進行電解 電鐘,形成由鎳所構成之第 、…、 风弟1表面層。電流密度為5 A/dm2, 浴溫為5 0 °C。於陽極係使用钽+ 士 你便用鎳電極。電源係使用直流電 源。表面層形成3 之厚;f。γ + μ 溱·… 電鍍浴中拉起後,純水洗 孑30秒而在大氣令乾燥。 #剂+ 2 此做法所得到之表面層的掃 描型笔子顯微鏡照片及透過光 及圖9⑻中。 奴狀相照片表示於圖9⑷
NlS〇4.6H2〇 250 g/升 聽2 . 6H2〇 45 g/升
O:\90\90389 DOC -56 - 1287315 H3B〇3 30 g/升 其次’於表面層上以成為膜厚15 μη之方式塗布含有負極 活性物質粒子的漿液,形成活性物質層。活性物質粒子係 具有Si80wt〇/o-Ni20wt%之組成,平均粒徑為D5〇=l 5Mm。 浆液之組成係活性物質·Ni粉:乙炔黑··聚偏氟乙稀 = 60:34:1:5 〇 在活性物質層上以膜厚〇·5 μπι之方式塗布含有一平均粒 徑〇5〇為40 nm之碳材料(乙炔黑)的糊劑。繼而,於此塗膜 上,以同於前述電解條件進行電解電鍍,形成由鎳所構成 之第2表面層。表面層係形成3 厚。 取後,剝離第1表面層與載體箔,得到活性物質層被挾 持於對表面層間而構成的非水電解液二次電池用負極。 (性能評估) 有關實施例所得到之負極以如下之方法評估充電特 性。其結果表示於圖10⑷及圖10⑻中。圖1〇(&)係表示從 載體箔剝離之表面層側(第1表面層側)的充電特性,圖 10(b)係表示被覆電鍍側(第2表面層側)之充電特性。又, 以如下之方法測定實施例所得到之負極中的第1及第2表 面層所形成的微細空隙之直徑及存在密度。其結果表示於 以下之表3_1中。 (充電特性之評估方法) 使用金屬鐘作為對極,使用實施例所得到之電極作為+ 用極使兩極介由分隔膜而對向。進一步使用/碳酉 乙烯s曰與破酸二乙自旨之混合溶液⑻容量㈡作為非水^
O\90\90389.DOC -57- 1287315 解=’而藉一般之方《去,製作非水電解液二次電池。使用 此電池,以充電條件〇2mA/cm2、電壓範圍〇〜2·8 V進行評 估。 (微細空隙之直徑及存在密度的測定方法) 從只形成第1表面層之載體箔剝離該表面層,在暗室從 表面層之背側使光透過,纟其狀態下,攝影表面層之照 藉圖像解析其照片,求出微細空隙之直徑及存在密度。 _— _表 3 箔(載體箔剝離側j 在密度ί個/cm2) 微細孔之直 微細孔之直 徑0.01 Mm以 徑10 /xm以上 ——_ 上10 μπι以下 200 μιη以下 實施例 ^-- 670 ——------ 0 ----- —L 厚 〇xm) 微細孔之直 徑 0.01 μπι 以上10 μπι 以下 屬箔(被覆Ί鍵側) 微細孔之存年密度(個/cm2) 厚 (m) 微細孔之直 徑10 μπι以上 200μιη以下 從表3-1及圖10所示之結果可知,在實施例之負極中係載 體箔剝離側及被覆電鍍側均可得到充分的電量。此事係在 果%例之負極中經由苐1及第2之表面層而對活性物質層 充分供給電解液。 (實施例4-1) (1)活性物質粒子之製造 使含石夕80%、鎳20%之1400 °C的熔液流入銅製的模型 中’彳于到被急速冷卻之石夕-鎳合金的錠。此鍵以噴射研磨粉 碎,篩選而得到活性物質粒子。將所得到之活性物質粒子 投入20%之KOH中,蝕刻20分鐘。將活性物質粒子之平均 粒徑、總氧濃度及最表面〇/g丨比表示於表4_ 1中。 O:\90\90389.DOC -58- 16% 1287315 (2)漿液之調製 調製以下組成之漿液。 2% 2% 80% •如述(1)所得到之活性物質粒子 •乙炔黑(粒徑〇·1 μηι) •黏結劑(聚偏氟乙烯) •稀釋〉谷劑(N-甲基卩比洛统酉同) (3)第1集電用表面層之形成 如圖w所不般,於厚35㈣之載體銅謂上,形成由叛基 苯亚三㈣構成之剝離層。然後,如圖6(e)所示般,於剝 離層上實施㈣而形成厚3/m之第1#電用表面層。 (4)活性物質層之形成 如圖6(d)所示般,於第1隹雷田主 。 力又%弟用表面層上塗布漿液而乾 燥。乾燥後之塗布厚度為1 0 μιη。 (5)第2集電用表面層之形成 如圖6⑷所示般,於活性物質層上實施㈣而形成厚3阿 之第2集電用表面層。 (6)載體銅笛之剝離 如圖6(f)所示般,在剝離層之部份中從第1集電用表面層 剝離載體銅落。藉此而得到圖丨所示之構造的負極。曰 (實施例4-2) 除使用HF取代Κ0Η作為蝕刻液以外,其餘係與實施例 4-1同樣做法而得到活性物質粒子。HF濃度為5%,蝕刻時 間為1 〇分鐘。其後,與實施例4-1同樣做法而得到負極。 (實施例4-3)
〇:\9〇\9〇389 DOC -59- 1287315 除使用NHJ取代KOH作為蝕刻液以外,其餘係與實施例 1同樣做法而得到活性物質粒子。NHUF濃度為5%,蝕刻時 間為10分鐘。其後,與實施例4-1同樣做法而得到負極。 (實施例4-4) 除使用聯氨取代KOH作為蝕刻液以外,其餘係與實施例 1同樣做法而得到活性物質粒子。聯氨濃度為1%,蝕刻時 間為60分鐘。其後,與實施例4-1同樣做法而得到負極。 (實施例4-5及4-6) 於實施例4-1所得到之活性物質粒子以犯進行無電解電 鍍處理而形成Ni薄膜《Ni薄膜之厚度係表示於表4_2中。其 後,與實施例4-丨相同做法而得到負極。無電解電鍍之浴組 成係如以下般。 • NiS〇4 · 6H20 25 g/升 • NaH2P02 · H20 20 g/升 • Na3C6H5〇7 5 g/升 • NaC3 H5 〇2 i〇 g/升 (實施例4-7及4-8) 於實施例4-2所得到之活性物質粒子以犯進行無電解電 鍍處理而形成薄膜。州薄膜之厚度係表示於表4_2中。其 後,與實施例4_1相同做法而得到負極^電解電鑛之浴組 成係與實施例4-5相同。 (實施例4-9) 使用於實施例4-8所得到之活性物質粒子,依同於實施例 4-1之方法而調製衆液。將所得到之t液塗布於厚Μ㈣之
O:\90\90389.DOC -60- 1287315 '、面,使之乾燥。乾燥後之活性物質層的厚度分別 二 ^ 將形成活性物質層之銅箔浸潰於錢鎳浴中,於 各活性物質層上電解電鑛鎳。藉此而得到圖8所示之構造 的負極。 (性能評估) 吏用各實知例所得到之負極,而如以下般,製作非水電 =次電池。料此電池而以上述之方法測定最大放電 及:2:循環電量維持率。此等結果表示於以下之表4-1 中0對於實施例心5〜4-9,求屮自托制、止士 欠出負極製造時之第2集電 用表面層形成時的電鍍電流效率。 暂私工 > " 电锻電机效率係活性物 十子之虱濃度愈低,愈接近1〇〇%。 (非水電解液二次電池之製作) 使用金屬鋰作為對極, 梅m 使用别述所得到之負極作為作用 使兩極介由分隔膜而對 烯醋盥碳酸-π # 步使用L^PF"碳酸乙 液而葬 溶液0:1容量比)作為非水電解 液而猎—般之方法,製作非水電解液二次電池。
O:\90\90389.DOC >61 - 1287315 表4-1 平均粒徑 D50 μτη 組成 組成 氧i 霞度 電極充放電特性 總氧量 /wt% * 1 最表面 Ο/Si比*2 最大放電電 量 mAh/g 50循環時之 電量維持率% 實施例4-1 2.5 Si80+Ni20 0.7 0.4 2500 95 實施例4-2 2.0 Si80+Ni20 0.5 0.3 2500 97 實施例4-3 2.0 Si80+Ni20 0.5 0.3 2500 97 實施例4-4 2.5 Si80+Ni20 0.7 0.4 2500 95
* 1 :氧氣體分析 *2 :歐傑電子分光法 *3 :無蝕刻 表4-2 平均粒徑 D50 μπι 組 成*3 組成 氧义 良度 金屬被 膜厚度 μπι 電鍍 電流 效率 % 電極充放電特性 總氧量 /wt% * 1 金屬薄膜 境界O/Si 比*2 最大放電 電量 mAh/g 50循環 時之電 量維持^ 率% 實施例4-5 2.5 Si80+Ni20 0.7 0.4 0.05 85 2500 96 實施例4-6 2.5 Si80+Ni20 0.7 0.4 0.5 88 2500 97 實施例4-7 2.0 Si80+Ni20 0.5 0.3 0.05 87 2500 98 實施例4-8 2.0 Si80+Ni20 0.5 0.3 0.5 90 2500 • 實施例4-9 *4 2.0 Si80+Ni20 0.5 0.3 0.5 90 2500 98 * 1 :氧氣體分析 *2 :歐傑電子分光法 *3:以金屬被膜進行被膜之前的值 *4 :製作圖8所示之構造的負極 O:\9O\90389.DOC -62- 1287315 各實施例中最大 從表4-1及表4-2所示之結果明顯可知 放電電量均高,電量維持率亦高。 產業上之利用可能性 中,係活性物質 ’故可防止活性 在本發明之非水電解液二次電池用負極 不路出於笔極之表面而包藏於電極之内部 物質之脫落,即使反覆充放電亦可確保活性物質之集電 性。又,有效防止電氣孤立之活性物質存在,並得到充分 ^集電性。使用此負極之二次電池,係從充放電之初期階 段,充放電電量高。又,即使反覆充放電,劣化率亦低, 循環壽命會大幅度變長,充放電效率亦變高,更且,因不 使用做為芯材之導電性金屬薄層亦即習知負極所使用之 集電體,故較習知之負極 更可提尚活性物質占負極全體 之比率。其結果,可得到每一單位體積及每一單位重量之 能量密度高的二次電池用負極。 【圖式簡單說明】 圖1係擴大本發明之負極的第丨實施形態重要部分所示 之模式圖。 圖2係本發明之負極的—實施形態表面之電子顯微鏡昭 片0 圖3係本發明之負極的另—實施形態表面之電子顯微鏡 照片。 圖4(a)〜圖4(d)係表示圖示之負極的製造方法之一例 的步驟圖。 圖5(a)及圖5(b)係分別表示以圖4(a)〜圖4(d)所示之方法
O:\90\90389.DOC -63 - Ϊ287315 所製造的負極截面構造,其電子顯微鏡照片。 圖6⑷〜圖6⑴係表示本發明負極之製造方法的另〜 其步驟圖。 例’ 圖7⑷〜圖7⑷係表示集電用表面層之形成方法 例,其步驟圖。 另〜 圖8係擴大本發明負極之第2實施形態的重要部分戶一 之模式圖。 卞 圖9係實施例2-1所得到之負極截面的電子顯微鏡照片。 圖10(a)〜圖10(b)係分別實施例3-1所得到的集電用表面 層之掃描型電子顯微鏡照片及透過光之狀態的照片。又 圖11(a)及圖u(b)係分別表示有關實施例3-1所得到之負 極所測定到、從載體箔剝離之表面層側的充電特性及被覆 電鍍側之充電特性的圖表。 圖12係表示有關在實施例2-1及比較例2-1及2-2所得到 的電極之充放電循環數與放電電量的關係之圖表。 【圖式代表符號說明】 1 第1面 2 粒子 3 活性物質層 4 表面層 4a,4b 集電用表面層 5 微細空隙 6 空隙 7 粒子
0 \90\90389.DOC -64- 1287315 8 金屬箔 10 負極 11 載體箔 11a 剝離層 22 被覆體 O:\90\90389.DOC -65 -
Claims (1)
128731各36573號專利申請案,外年令月π曰修(汽)正本 中文申请專利範圍替換本(96午k __ 拾、申請專利範圍: 1 · 一種非水電解液二次電池用負極,其特徵在於具備:表 面與電解液接觸之一對集電用表面層、及含有介於該表 面層間之鐘化合物形成能高之活性物質粒子的至少一層 活性物質層; 構成別述集電用表面層之材料係遍及前述活性物質声 厚度方向全域而浸透。 2·如申請專利範圍第1項之非水電解液二次電池用負極,其 係兩面電氣導通,且電極全體作為一體而具有集電功能。 3·如申請專利範圍第1項之非水電解液二次電池用負極,其 中前述表面層其厚度為〇.3〜1〇 μπι。 4.如申請專利範圍第1項之非水電解液二次電池用負極,其 中前述表面層係包括鋰化合物的形成能低之金屬材料。 5·如申請專利範圍第丨項之非水電解液二次電池用負極,其 中前述表面層係包括銅、鎳、鐵、鈷或此等金屬的合金。 6·如申請專利範圍第1項之非水電解液二次電池用負極,其 中心述表面層係藉電解電鍍而形成。 7.如申請專利範圍第1項之非水電解液二次電池用負極,其 中於前述表面層形成多數朝該表面層之厚度方向延伸且 非水電解液可滲透之微細空隙。 8·如申請專利範圍第7項之非水電解液二次電池用負極,其 中前述微細空隙係與前述活性物質層相通,在至少一方 之則述表面層巾之前述微細空隙的平均開孔面積為 〇·1〜50 μπι2且開孔率為o.n/。,不具有集電用之厚膜導 O:\90\90389-960425.DOC 1287315 電體。 如申請專利範圍 中如述活性物質 子0 9. 10 11. 12. 13. 第1項之非水電解液二次電池用負極,其 之粒子係包括矽系材料或錫系材料之粒 如申請專利範圍第9頊夕非々 义 、非水電解液二次電池用負極,其 中刖述活性物質^y ; # 貝粒子係矽或錫單體之粒子。 =請專利範圍第9項之非水電解液二次電池用負極,其 曰月J述活物質粒子係至少石夕或錫與碳之混合粒子,該 混合粒子包含1 〇〜舌旦 重置/❶之矽或錫及90〜10重量%之碳。 如申請專利範圍第9 g 、, 員之非水電解液二次電池用負極,其 中如述活性物質撕;. 、子係石夕或錫與金屬之混合粒子,該混 合粒子係包含3〇〜99 q舌旦。/ •重里/〇之矽或錫以及0·1〜70重量% 之選自 dll、Α&、Τ; τντ· 二 § Ll、Nl、Co、Fe、Cr、Zn、B、A1、Ge、 Sn(其中,前述粒子含錫之情形除外)、Si(其中,前述粒 子含石夕之情形除外)、In、v、Ti、Y、Zr、Nb、Ta、w、 e pr Pd及Nd所構成之群中的一種以上的元素。 如^專利範圍第9項之非水電解液二次電池用負極,其 中别述活性物質粒子係矽化合物或錫化合物之粒子,該 石夕化口物或錫化合物之粒子係包含3〇〜99·9重量%之石夕或 錫以及0·1〜70重量%之選自Cu、Ag、Li、Ni、Co、Fe、 Cr Zn、B、A1、Ge、Sn(其中,前述粒子含錫之情形除 外)Si(其中,則述粒子含石夕之情形除外)、、v、丁卜 Y Zr、Nb、Ta、W、La、Ce、pr、Pd及Nd所構成之群中 的一種以上的元素。 O:\90\90389-960425.DOC 1287315 14. 如申請專利範圍第9項之非水電解液二次電池用負極,其 中前述活性物質粒子切化合物或錫化合物粒子與金屬 粒子之混合粒子; 前述混合粒子包含30〜99.9重量%之石夕化合物或錫化合 物之粒子以及0.1〜7〇重量%之選自Cu、Ag、u、犯、&、 Fe、Cr、Zn、B、AhGe、Sn(其中,前述化合物之粒子 含錫之情形除外)、Si(其中,前述化合物之粒子含矽之情 形除外)、In、V、Ti、Y、Zr、Nb、Ta、w、La、Ce、^、 Pd及Nd所構成之群中的一種以上的元素之粒子; 前述化合物之粒子包含3〇〜99·9重量%之矽或錫以及 0·1 〜70重量 %之選自 Cu、Ag、Li、Ni、C。、Fe、、Ζη、 B、Al、Ge、Sn(其中,前述化合物之粒子含錫之情形除 外)、Si(其中,前述化合物之粒子含矽之情形除外卜。、 Pd及Nd所構 V、Ti、Y、Zr、Nb、Ta、w、La、Ce、Pr、 成之群中的一種以上的元素。 15·如申請專利範圍第9項之非水電解液二次電池用負極,其 中前述活性物質粒子係於矽單體或錫單體之粒子表面被 覆金屬而成之粒子,該金屬係選自Cu、Ag、Ni、Co、p 上C χ Cr、Zn、B、A卜Ge、Sn(其中,前述粒子含錫之情形除 外)、Si(其中,前述粒子含矽之情形除外)、In、v、u、 Y、Zr、Nb、Ta、W、La、Ce、Pr、以及則所構成之群中 的一種以上之元素;該粒子包含3〇〜99 9重量。/❶之砂或锡 以及0.1〜7〇重量%之該金屬。 負極,其 1 6.如申請專利範圍第1項之非水電解液二次電池用 O:\90\90389-960425.DOC ^87315 ^述活性物質粒子包切,平均粒徑⑼。)為〇ι〜ι〇 μηι ; 前述活性物質粒子係氧濃度未滿25重量%且於最表面 之石夕濃度超過氧濃度之1/2。 17. 如:請專利範圍第!項之非水電解液二次電池用負極,其 中耵述活性物質粒子係其最大徑為50陶下者。 18. 如申請專利範圍第i項之非水電解液二次電池用負極,盆 中前述活性物質層錄布含有前述活性 電 性漿液而形成。 ¥ t A如申請專利範圍第i項之非水電解液二次電池用負極,苴 2於厚度方向之中央部不具備作為芯材之導電性金屬猪 層,而全體之厚度為2〜5〇μηι。 2〇l申請專利範圍第1項之非水電解液二次電池用負極,宜 中於厚度之中央部具備作為芯材之導電性金屬Mi 該金屬箱層之各面分別形成前述活性物質層,進一步分 別形成被覆各活性物質層之前述集電用表面層,全體之 厚度為10〜100_。 王體之 21· -種非水電解液二次電池用負極之製造 於:其係申請專利範圍笛彳话夕北卜中 特被在 極之製造方法」 項之非水電解液二次電池用負 於載體箔上塗布会古、本k仏# 成活性物質層;有活性^子之導電性裝液而形 使形成有該活性物質層之該載體落浸潰於含有金屬材 料之電鍍浴中而進各有金屬材 丁電解電鍍,形成含該活性物質層之電 O:\90\90389-960425.DOC 1287315 極; 然後,使該電極從該載體箔剝離分離。 2“:申請專利範圍第21項之非水電解液二次電池用負極之 土造方法’其中於前述載體箱上形成前述活性物 則’於該載體上電解電鍍鐘化合物的形成能低之^ 材料而:成一方之集電用表面層,於該集電用表面声之 ^形成前述活性物質層,前述活性物質層之上電解電錢 鋰化合物的形成能低之金屬材料而形 7 万之集電用 表面層,然後,將前述載體箔從前述一方之集電用表 層剝離分離。 1 Φ 23·如申請專利範圍第22項之非水電解液二次電池用負極之 製造方法,其中於形成前述一方之集電用表面層之前, 於則述載體箔上以0.001〜1 μιη之厚度形成由與該集電用 表面層之構成材料異質之材料所構成的被覆體; 於其上藉電解電鍍而電鍍前述集電用表面層之構成材 料而形成該集電用表面層。 24. —種非水電解液二次電池用負極之製造方法,其特徵在 於:其係申請專利範圍第丨項之非水電解液二次電池用負 極之製造方法;且 以含有金屬離子之液體處理於表面具有許多陽離子交 換基之載體樹脂而生成該陽離子交換基的金屬鹽,還原 該金屬鹽而於載體樹脂之前述表面形成為觸媒核之前述 金屬被膜,於該被膜上電解電鍍鋰化合物形成能低之金 屬材料而形成一方之集電用表面層,於該集電用表面層 O:\90\90389-960425.DOC 1287315 之上塗布含有活性物質粒子的導電性漿液而形成活性物 質層’在该活性物質層上電解電鍍鋰化合物形成能低之 孟屬材料而形成另一方之集電用表面層,然後,藉剝離 或岭解將刖述载體樹脂從前述一方之集電用表面層分 離。 25. 種非水電解液二次電池用負極之製造方法,其特徵在 :··其係申請專利範圍第20項之非水電解液二次電池用 負極之製造方法;且 於導電性金屬箱之久&、冷女 各面塗布έ有活性物質粒子之導電 性水液而分別形成活性物質層; 使形成有該活性物 鐘化合物的形成能低 電鍍。 質層之該導電性金屬箔浸潰於含有 之金屬材料之電鍍浴中而進行電解 一裡非水電解液二次電 苴 之非火雷姑、 ^係具備申請專利範圍第1項 尺電解液二次電池用負極者。 O:\90\90389-960425.DOC
Applications Claiming Priority (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003117833 | 2003-04-23 | ||
| JP2003278615A JP3643108B2 (ja) | 2003-07-23 | 2003-07-23 | 非水電解液二次電池用負極及び非水電解液二次電池 |
| JP2003282294 | 2003-07-30 | ||
| JP2003290726A JP4019025B2 (ja) | 2003-08-08 | 2003-08-08 | 非水電解液二次電池用負極材料 |
| JP2003327893A JP2005093331A (ja) | 2003-09-19 | 2003-09-19 | 非水電解液二次電池用負極及びその製造方法並びに非水電解液二次電池 |
| JP2003360938A JP2005129264A (ja) | 2003-10-21 | 2003-10-21 | 多孔質金属箔及びその製造方法 |
| JP2003403528A JP3612669B1 (ja) | 2003-04-23 | 2003-12-02 | 非水電解液二次電池用負極及びその製造方法並びに非水電解液二次電池 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW200501479A TW200501479A (en) | 2005-01-01 |
| TWI287315B true TWI287315B (en) | 2007-09-21 |
Family
ID=33314596
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW092136573A TWI287315B (en) | 2003-04-23 | 2003-12-23 | Negative electrode for nonaqueous electrolyte secondary battery, method for manufacturing same and nonaqueous electrolyte secondary battery |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20060115735A1 (zh) |
| EP (1) | EP1617497A4 (zh) |
| KR (1) | KR100659814B1 (zh) |
| AU (1) | AU2003289402A1 (zh) |
| BR (1) | BR0317920B1 (zh) |
| MY (1) | MY149961A (zh) |
| TW (1) | TWI287315B (zh) |
| WO (1) | WO2004095612A1 (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI425698B (zh) * | 2008-03-18 | 2014-02-01 |
Families Citing this family (47)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10629947B2 (en) * | 2008-08-05 | 2020-04-21 | Sion Power Corporation | Electrochemical cell |
| JP4763995B2 (ja) * | 2004-01-07 | 2011-08-31 | 三井金属鉱業株式会社 | 非水電解液二次電池用電極 |
| JP3799049B2 (ja) * | 2004-05-12 | 2006-07-19 | 三井金属鉱業株式会社 | 非水電解液二次電池用負極及びその製造方法 |
| US7682739B2 (en) | 2004-05-12 | 2010-03-23 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | Negative electrode for nonaqueous secondary battery and process of producing the same |
| JP4193141B2 (ja) * | 2005-03-25 | 2008-12-10 | ソニー株式会社 | リチウム二次電池用負極およびリチウム二次電池、並びにそれらの製造方法 |
| US20070269718A1 (en) * | 2006-05-22 | 2007-11-22 | 3M Innovative Properties Company | Electrode composition, method of making the same, and lithium ion battery including the same |
| JP4944648B2 (ja) * | 2006-06-30 | 2012-06-06 | 三井金属鉱業株式会社 | 非水電解液二次電池用負極 |
| JP5192710B2 (ja) | 2006-06-30 | 2013-05-08 | 三井金属鉱業株式会社 | 非水電解液二次電池用負極 |
| US20080070108A1 (en) * | 2006-09-19 | 2008-03-20 | Caleb Technology Corporation | Directly Coating Solid Polymer Composite Having Edge Extensions on Lithium-Ion Polymer Battery Electrode Surface |
| CN101501920B (zh) * | 2006-09-29 | 2011-04-13 | 三井金属矿业株式会社 | 非水电解液二次电池 |
| US20080206641A1 (en) * | 2007-02-27 | 2008-08-28 | 3M Innovative Properties Company | Electrode compositions and electrodes made therefrom |
| JP2008251255A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-16 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 非水電解液二次電池用負極 |
| JP5167703B2 (ja) * | 2007-06-20 | 2013-03-21 | 日産自動車株式会社 | 電池用電極 |
| US9509015B2 (en) * | 2007-07-09 | 2016-11-29 | Sony Corporation | Battery |
| US9105938B2 (en) | 2008-08-05 | 2015-08-11 | Sion Power Corporation | Application of force in electrochemical cells |
| JP4725585B2 (ja) * | 2008-02-01 | 2011-07-13 | トヨタ自動車株式会社 | 負極活物質、リチウム二次電池、および負極活物質の製造方法 |
| JP4998358B2 (ja) * | 2008-04-08 | 2012-08-15 | ソニー株式会社 | リチウムイオン二次電池用負極およびリチウムイオン二次電池 |
| JP5351618B2 (ja) * | 2009-06-05 | 2013-11-27 | 株式会社神戸製鋼所 | リチウムイオン二次電池用負極材、および、その製造方法、ならびに、リチウムイオン二次電池 |
| JP5330903B2 (ja) * | 2009-06-08 | 2013-10-30 | 株式会社神戸製鋼所 | リチウムイオン二次電池用負極材、および、その製造方法、ならびに、リチウムイオン二次電池 |
| US9228249B2 (en) | 2009-11-27 | 2016-01-05 | Nissan Motor Co., Ltd. | Si alloy negative electrode active material for electric device |
| KR101279409B1 (ko) | 2010-02-01 | 2013-06-27 | 주식회사 엘지화학 | 케이블형 이차전지 |
| JP5458172B2 (ja) | 2010-02-01 | 2014-04-02 | エルジー・ケム・リミテッド | ケーブル型二次電池 |
| KR101621384B1 (ko) * | 2010-02-22 | 2016-05-16 | 삼성에스디아이 주식회사 | 음극, 이를 채용한 리튬전지 및 이의 제조 방법 |
| JP5711565B2 (ja) | 2010-02-26 | 2015-05-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 蓄電装置 |
| KR101351896B1 (ko) | 2010-06-28 | 2014-01-22 | 주식회사 엘지화학 | 케이블형 이차전지용 음극 및 이를 구비하는 케이블형 이차전지 |
| JP5755246B2 (ja) * | 2010-11-29 | 2015-07-29 | 日立金属株式会社 | 二次電池用負極材、二次電池用負極、二次電池用負極材の製造方法および二次電池用負極の製造方法 |
| JP5751448B2 (ja) | 2011-05-25 | 2015-07-22 | 日産自動車株式会社 | リチウムイオン二次電池用負極活物質 |
| EP2721665B1 (en) | 2011-06-17 | 2021-10-27 | Sion Power Corporation | Plating technique for electrode |
| US9362550B2 (en) | 2011-11-25 | 2016-06-07 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Negative electrode for lithium ion secondary batteries and method for producing the negative electrode, and lithium ion secondary battery |
| US9716264B2 (en) | 2012-02-21 | 2017-07-25 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Electrode for lithium secondary battery, method of manufacturing the electrode, and lithium secondary battery including the electrode |
| JP6125265B2 (ja) * | 2012-05-07 | 2017-05-10 | 日東電工株式会社 | 積層型導電シート、その製造方法、集電体およびバイポーラ電池 |
| KR20140026856A (ko) * | 2012-08-23 | 2014-03-06 | 삼성에스디아이 주식회사 | 리튬 이차 전지용 음극 및 이를 포함하는 리튬 이차 전지 |
| WO2014080886A1 (ja) | 2012-11-22 | 2014-05-30 | 日産自動車株式会社 | 電気デバイス用負極、及びこれを用いた電気デバイス |
| KR20180031067A (ko) | 2012-11-22 | 2018-03-27 | 닛산 지도우샤 가부시키가이샤 | 전기 디바이스용 부극, 및 이것을 사용한 전기 디바이스 |
| US9537147B2 (en) * | 2013-12-28 | 2017-01-03 | Intel Corporation | Anode structure having silicon elements |
| CN105934846B (zh) | 2014-01-24 | 2019-06-28 | 日产自动车株式会社 | 电器件 |
| CN105934847B (zh) | 2014-01-24 | 2019-11-05 | 日产自动车株式会社 | 电器件 |
| FR3021524A1 (fr) | 2014-06-02 | 2015-12-04 | Small Bone Innovations Internat | Tige d'ancrage metacarpien, notamment pour une prothese trapezo-metacarpienne |
| CN105679997A (zh) * | 2016-01-27 | 2016-06-15 | 柳州豪祥特科技有限公司 | 电解法制备锡铜合金极片的方法 |
| WO2020257414A1 (en) | 2019-06-21 | 2020-12-24 | Sion Power Corporation | Methods, systems, and devices for applying forces to electrochemical devices |
| US11978917B2 (en) | 2019-11-19 | 2024-05-07 | Sion Power Corporation | Batteries with components including carbon fiber, and associated systems and methods |
| US11824228B2 (en) | 2019-11-19 | 2023-11-21 | Sion Power Corporation | Compression systems for batteries |
| US11984575B2 (en) | 2019-11-19 | 2024-05-14 | Sion Power Corporation | Battery alignment, and associated systems and methods |
| US11791511B2 (en) | 2019-11-19 | 2023-10-17 | Sion Power Corporation | Thermally insulating compressible components for battery packs |
| EP4118701A1 (en) | 2020-03-13 | 2023-01-18 | Sion Power Corporation | Application of pressure to electrochemical devices including deformable solids, and related systems |
| KR102454686B1 (ko) * | 2020-12-30 | 2022-10-13 | 에스케이씨 주식회사 | 표면 처리 동박 및 이를 포함하는 회로 기판 |
| EP4322251A4 (en) | 2021-04-08 | 2025-07-23 | Mitsubishi Materials Corp | NEGATIVE ELECTRODE MATERIAL, BATTERY, METHOD FOR PRODUCING NEGATIVE ELECTRODE MATERIAL, AND METHOD FOR PRODUCING BATTERY |
Family Cites Families (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04294059A (ja) * | 1991-03-25 | 1992-10-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 非水電解質二次電池用負極 |
| JP3495814B2 (ja) * | 1994-05-30 | 2004-02-09 | キヤノン株式会社 | 電池用電極及び該電極を有するリチウム二次電池 |
| EP0690517B1 (en) * | 1994-05-30 | 2003-10-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Rechargeable lithium battery |
| JPH0837000A (ja) * | 1994-07-21 | 1996-02-06 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 負極、その製造方法及びLi二次電池 |
| JPH08124579A (ja) * | 1994-08-30 | 1996-05-17 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 金属多孔体および蓄電池用電極の製造方法 |
| JP3717085B2 (ja) * | 1994-10-21 | 2005-11-16 | キヤノン株式会社 | 二次電池用負極、該負極を有する二次電池及び電極の作製方法 |
| JP3347555B2 (ja) * | 1994-12-01 | 2002-11-20 | キヤノン株式会社 | リチウム二次電池の負極の作製方法 |
| JPH08250113A (ja) * | 1995-03-09 | 1996-09-27 | Honjiyou Kinzoku Kk | リチウム電池の負極の製造方法 |
| JPH0945334A (ja) * | 1995-07-26 | 1997-02-14 | Katayama Tokushu Kogyo Kk | リチウム二次電池極板用基材、該基材を用いた極板および該極板を用いた二次電池 |
| US6432585B1 (en) * | 1997-01-28 | 2002-08-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrode structural body, rechargeable battery provided with said electrode structural body, and rechargeable battery |
| JPH11135120A (ja) * | 1997-10-27 | 1999-05-21 | Kao Corp | 非水系二次電池用負極材料 |
| US5993999A (en) * | 1998-05-15 | 1999-11-30 | Aer Energy Resources, Inc. | Multi-layer current collector |
| JP2001073159A (ja) * | 1999-09-01 | 2001-03-21 | Nippon Riironaaru Kk | ポリイミド樹脂表面への導電性皮膜の形成方法 |
| EP1231653B1 (en) * | 1999-10-22 | 2010-12-08 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Electrode for lithium cell and lithium secondary cell |
| JP5106732B2 (ja) * | 1999-11-23 | 2012-12-26 | シオン・パワー・コーポレーション | 電気化学電池のためのリチウム負極 |
| JP4229567B2 (ja) * | 2000-03-28 | 2009-02-25 | 三洋電機株式会社 | 二次電池 |
| JP3535454B2 (ja) * | 2000-06-30 | 2004-06-07 | 株式会社東芝 | 非水電解質二次電池 |
| JP3670938B2 (ja) * | 2000-07-19 | 2005-07-13 | 三洋電機株式会社 | リチウム二次電池 |
| CA2420104C (en) * | 2000-09-01 | 2012-10-30 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Negative electrode for lithium secondary cell and method for producing the same |
| JP2002289177A (ja) * | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Sanyo Electric Co Ltd | リチウム二次電池用電極及びリチウム二次電池 |
| JP4152086B2 (ja) * | 2001-03-23 | 2008-09-17 | 三洋電機株式会社 | リチウム二次電池用電極及びリチウム二次電池 |
| JP4236390B2 (ja) * | 2001-04-19 | 2009-03-11 | 三洋電機株式会社 | リチウム二次電池 |
| US6926991B2 (en) * | 2001-12-26 | 2005-08-09 | Wilson Greatbatch Technologies, Inc. | SVO/CFx parallel cell design within the same casing |
| JP3664252B2 (ja) * | 2002-11-19 | 2005-06-22 | ソニー株式会社 | 負極およびそれを用いた電池 |
-
2003
- 2003-12-17 AU AU2003289402A patent/AU2003289402A1/en not_active Abandoned
- 2003-12-17 KR KR1020057003629A patent/KR100659814B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 2003-12-17 WO PCT/JP2003/016186 patent/WO2004095612A1/ja not_active Ceased
- 2003-12-17 EP EP03780852A patent/EP1617497A4/en not_active Withdrawn
- 2003-12-17 BR BRPI0317920-6A patent/BR0317920B1/pt not_active IP Right Cessation
- 2003-12-17 US US10/522,791 patent/US20060115735A1/en not_active Abandoned
- 2003-12-23 TW TW092136573A patent/TWI287315B/zh not_active IP Right Cessation
-
2004
- 2004-04-05 MY MYPI20041256A patent/MY149961A/en unknown
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI425698B (zh) * | 2008-03-18 | 2014-02-01 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| MY149961A (en) | 2013-11-15 |
| AU2003289402A1 (en) | 2004-11-19 |
| EP1617497A1 (en) | 2006-01-18 |
| BR0317920B1 (pt) | 2012-02-07 |
| TW200501479A (en) | 2005-01-01 |
| BR0317920A (pt) | 2005-11-29 |
| US20060115735A1 (en) | 2006-06-01 |
| KR20050069989A (ko) | 2005-07-05 |
| WO2004095612A1 (ja) | 2004-11-04 |
| KR100659814B1 (ko) | 2006-12-19 |
| EP1617497A4 (en) | 2009-06-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI287315B (en) | Negative electrode for nonaqueous electrolyte secondary battery, method for manufacturing same and nonaqueous electrolyte secondary battery | |
| KR100680650B1 (ko) | 비수전해액 이차전지용 부극 및 그 제조방법 및 비수전해액이차전지 | |
| JP3750117B2 (ja) | 非水電解液二次電池用負極及びその製造方法並びに非水電解液二次電池 | |
| JP3643108B2 (ja) | 非水電解液二次電池用負極及び非水電解液二次電池 | |
| JP4019025B2 (ja) | 非水電解液二次電池用負極材料 | |
| RU2336603C2 (ru) | Электрод для использования во вторичной батарее, способ его изготовления и вторичная батарея | |
| CN102683654A (zh) | 锡炭复合物及其制备方法、以及包括该复合物的电池负极部件、具备该负极部件的电池 | |
| JP3799049B2 (ja) | 非水電解液二次電池用負極及びその製造方法 | |
| JP4616584B2 (ja) | 非水電解液二次電池用負極 | |
| CN114142013B (zh) | 一种载锂复合骨架材料及其制备方法和应用 | |
| JP2011515006A (ja) | 電極用メソ多孔性材料 | |
| TW201207161A (en) | Method of manufacturing aluminum structure, and aluminum structure | |
| JP3987851B2 (ja) | 二次電池用負極及びそれを備えた二次電池 | |
| CN100365849C (zh) | 非水电解液二次电池用负极及其制造方法以及非水电解液二次电池 | |
| JP2004241329A (ja) | 非水電解液二次電池用負極 | |
| TWI359525B (en) | Electrode for secondary battery, process of produc | |
| JP3612669B1 (ja) | 非水電解液二次電池用負極及びその製造方法並びに非水電解液二次電池 | |
| Kim et al. | Facile electrochemical synthesis of heterostructured amorphous-Sn@ CuxO nanowire anode for Li-ion batteries with high stability and rate-performance | |
| CN120280481A (zh) | 复合材料及其制备方法、无负极集流体和电池 | |
| JP2005129264A (ja) | 多孔質金属箔及びその製造方法 | |
| JP4764232B2 (ja) | 非水電解液二次電池用負極及び非水電解液二次電池 | |
| JP4298578B2 (ja) | キャリア箔付き多孔質金属箔及びその製造方法 | |
| JP4829483B2 (ja) | 無電解めっき物の製造方法 | |
| CN111575761B (zh) | 氧化铝模板、高度垂直有序锑纳米线阵列及其制备方法 | |
| RU2303318C2 (ru) | Отрицательный электрод для неводной вторичной батареи, способ изготовления отрицательного электрода и неводная вторичная батарея |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MK4A | Expiration of patent term of an invention patent |