TWI274778B - Semiconductor wafer processing method - Google Patents

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TWI274778B
TWI274778B TW089126768A TW89126768A TWI274778B TW I274778 B TWI274778 B TW I274778B TW 089126768 A TW089126768 A TW 089126768A TW 89126768 A TW89126768 A TW 89126768A TW I274778 B TWI274778 B TW I274778B
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TW
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pressure
sensitive adhesive
polymer
adhesive sheet
wafer
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TW089126768A
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Takayuki Yamamoto
Taruno Tomohiro
Keisuke Watanabe
Takeshi Matsumura
Original Assignee
Nitto Denko Corp
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Description

1274778 五、發明說明(1) 發明領域 本發明係關於-種降低污染之可移 可適用於生產精細的零件例 ^堊黏者片,其 路、各式印刷電路板、各式光罩及導線架。導體、電 相關技術之斂诚 個半導體積體電路通常由將一個高 其類似物切片以得_,再藉餘刻於此晶“:二片4 :要之電路樣式如積體電路,接著利用一研磨 考面研磨以將此晶圓厚度減低至10 ;最曰曰®之 士认曰冋 導入研磨時,一個感壓黏著片被施 塊時,-個或壓黏著片二,或疋可促進研磨。導入切 丄曰:m 於晶圓之反面以將黏著固定 .w,θιΙ,. ,切塊之後,所形成之晶片藉針被從膜 土質側上推,接者拾起,並再被固定於印磨墊。 作為该專用途之咸懕斑^ u v a -ir 撂尤m+ h & t 片須具有一定程度之黏性使 :在研磨或切塊時不會剝離。該等感壓黏著片同時必須具 ί:Ϊ程度,低黏性使得當研磨或切片後可被輕易的由Ϊ 導體晶圓上剝離而不會徒直姑招 里去 兮 址IΤα τ、 其破抽再者該等感壓黏著片 ,此 殘餘物在晶圓之正或反面以防污染該晶圓 之表面0 最近,有一種對於半導體晶圓半徑減小及厚度減少之趨 f,並且利用酸將晶圓反面蝕刻之步驟被額外導入。在此 等狀況下,已經使維持感壓黏著片之各種特性之衡包括 加工製程中之防水性、不使晶圓於加工時或片狀物移除破
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五、發明說明(2) 裂之特性、酸蝕刻時之耐酸性、可移除性及非污染性變得 困難。再者,由最近狀況觀之,LOC結構之半導體封裝5"及$ 印磨墊之面積小於晶片之之半導體封裝被用得更多,其使 付降低感壓黏著片在切塊時之晶圓反面污染變得更重要以 防損害半導體晶圓反面與封裝之黏著,因為該等封裝與傳 統封裝有異,晶片與將其封入之樹脂係為直接接觸。 使用於半導體晶圓製程之感壓黏著片最近被最受到注目 者為輻射-可回復式之感壓黏著片,即感壓黏著片其含有 一個膜狀基質及一個形成於其一面之輻射—可回復^之感 壓黏著層。因為此種感壓黏著片於其原本狀態具高度黏 性’將其施加於晶圓之正或反面會有高度黏性可使此感壓 黏著片承受於研磨或切塊時之水壓。令人滿意之耐酸性亦 可被預期,例如,當此感壓黏著片具有一個適當之選擇性 組成。加工之後,此感壓黏著片以一輻射源進行照射,如 $ 、使該感壓黏著層回復,藉此使該感壓黏著層之黏性顯 著減低。結果,可得到令人滿意之可移除性以及不會造成 晶圓破裂之性質。此類型之更具有一種優點係,此回復作 用在考慮獲得非污染晶圓性質之相當滿意之結果時亦有 效0 然而,此輻射-可回復式之感壓黏著片之缺點係,其利 $ 用光照射進行回復時散發強烈氣味,此氣味不僅使工作者 不阮且就健康及衛生絕對不欲。雖然此種感壓黏著片在移 除,之晶圓非污染性質遠優於其他感壓黏著片,偶而感壓 -霉著片仍會留下微米或次微米量級之殘留物。若當污染發 _
^74778 ^發明說明(3) 生於正在切塊之晶圓反而主 施以再流動焊接時所不欲之曰^成為當一個半導體封裝被 戍因。就是說,已造成二:曰片反面與封入樹脂之分離之 之可信賴度減低。 個問題即對長期半導體積體電路 總結 本發明已觀察到這些情況。 相應的,本發明之目^ # 片,當被用於工作過程或‘=二供一種y移除式感磨黏著 -個程度之黏性使其不會由者端固定時’具有 特別是,目的為提供一而不會使其污染。 麻々丄α 士 丄 A %牛導體晶圓製程時,在如研 S切塊時具有高度黏性以利該製程予在二研 破裂#。β Μ 21 易被移除而不會造成晶圓 敬凌寺。再者,該感壓黏著片既, 味亦不會殘留下微米或次微米量級:污夺=烈氣 別是,不可能發生由於晶片反面者殘留物。特 之晶圓反面污染。 月反面/封人㈣之分離所造成 J於為達到此目的之密集調查’已發現當感 黏著層組成之主要聚合物使用低含量之低分子量聚义 子量為1〇°’〇〇°或更低時,則該感壓黏著片不° 有機污染或物品。即’已發現當該感壓 不 半導體晶圓製程時,可以很有效的抑制1 ; 分離所造成之有機污染。 ^^曰之
89126768.ptd 第7頁 1274778 五、發明說明(4) t發明提供一種可移除式感壓黏著片,係包含一個感壓 黏者層其具10%或更低重量比之分子量為1〇〇, 〇〇〇以下之低 分子量成份之聚合物。 一 ^組成該感壓黏著劑之聚合物可為一種丙烯酸系聚合物, 係由或夕種單體在液體或超臨界二氧化碳下聚合得來。 組成該感壓黏著劑之聚合物亦可為一種丙烯酸系聚合物, 係由一或多種單體在水狀分散系統中聚合得來,或可為一 種丙烯馱系聚合物,係由一或多種單體在有機溶劑如甲苯 中溶液聚合得纟。此可移除式感壓黏著片可作為感壓黏著 片使用於半導體晶圓製程。 义者 本發明之詳 、f C黏著劑其用來建構本發明中可移除式感壓黏著片之 感壓黏著層者可為任意傳統使用於感壓黏著層之感壓黏著 劑。其中,丙烯酸系感壓黏著劑其含有丙烯酸系聚合物為 主要聚合物者(感壓黏著劑之基本成份)為較佳。 舉例說明作為丙烯酸系聚合物之單體者包括(曱基)丙烯 1酯,例如,(甲基)丙烯酸之^⑷烷基酯,例如丙烯酸甲 酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸丙酯、丙烯酸丁酯、丙烯酸?—乙 基己酯、丙烯酸辛酯、異丁烯酸丁酯、異丁烯酸2—乙基己 酯及異丁烯酸辛酯。該等(甲基)丙烯酸之烷基酯可單^或 將二種或更多組合使用。其亦可使用一或更多種該等(甲 基)丙烯酸之烷基酯作為主要單體,再與一或更多種其他 可與其異分子聚合之單體組合。 可與異分子共聚合之單體之典型例子包括具羧基之乙烤
\\326\2d-\90-02\89126768.ptd 第8頁 1274778
五、發明說明(5) 化不飽和單體如(甲基)丙烯 二酸、順丁烯二酸及反丁浠 體為丙稀酸。此具叛基之乙 生交聯所必須之成份。 又,另外可用來進行異分 體其已知為丙烯酸系感壓黏 修飾之單體包括乙烯酯類如 苯乙烯,含氰基單體如丙烯 狀或非環狀衍生物。 酸、反-2- 丁烯酸、甲稀基丁 二酸。其中—種特別較佳之 烯化不飽和單體為使聚合物產 子共聚合之單體有任意多樣單 著劑修飾之單體者。舉例說明 乙酸乙稀酯,苯乙烯型單體如 腈,及(曱基)丙烯醯胺及其環
可與異分子共聚合之單體之1由黏著劑表現之視點觀 之,以包含主要單體之所有單體之總重量之5〇%以内為 佳。 ” 一個聚合反應可藉由一個起始劑之分解產生自由基之幫 助而引導。任意用在游離基聚合之起始化皆可被使用。特 別是當聚合反應被引導於40〜1 00 °c之溫度下,各種有機 過氧化物及偶氮化合物可被用作為起始劑。舉例說明有機 過氧化物如二苯甲醯基過氧化物、二-第4 丁基過氧化物、 異丙苯過氧化氫,及月桂基過氧化物及偶氮化合物如 2,2’ -偶氮基二異丁醯腈及偶氮基二異戊醯腈。當聚合反 應被引導於2 0〜4 0 °C之溫度下,可使用二元起始劑(氧化 還原起始劑)。舉例說明之包括由二苯曱醯基過氧化物與 二甲基苯胺所組成之二元系統。 起始劑之用量為一般用在上述丙烯酸系單體之聚合者。 舉例說明,其通常量為每單體重量100%之重量比約〇. 〇〇5
89126768.ptd 第9頁 1274778 五、發明說明(6) 1 〇 % ’較佳為重量比約0. 1〜5 %。 發明之重要特徵為一個具1〇%或更低重量比之分 ,咸二# 000以下之低分子量成份之聚合物被用為組成 二感壓黏t劑之主要聚合物。此種聚合物可被獲得,例 平人f:單體聚合於液體或以超臨界二氧化碳為稀釋劑。 低分子量成份之含量可藉膠體滲透色層分析法 WPC)決定。 t為稀釋劑之二氧化碳之用量可為每100% ^之5〜2_%重量,較佳為2Q〜簡重量。該聚合= =在二氧化碳調節於壓力為,如約5 73 〜4〇Mpa,於溫度 ,二如約20〜10(rc,通常約1〇小時。該壓力及溫度於 合時可依需要漸次改變。 作為稀釋劑之二氧化碳不僅由於其稀釋效果於整個聚合 中可維持此系統於低黏度之下以改善攪拌之效率,而且^ 制了游離基連鎖傳遞。因此,一種較傳統由有機溶劑所入 ,之聚合物有低含量之低分子量成份之高分子聚合物被^ 侍。因此,藉使用此種聚合物作為黏著劑基本聚合物,^ 得一種感壓黏著劑其不但黏合力及黏著強度優 端污染減少。 點者 雖然二氧化碳單獨作為稀釋劑通常已經足夠,其可依兩 要含有少量用來改善互溶性之一種有機溶劑等。 而 曰該具10%或更低重量比之分子量為100, 〇〇〇以下之低分子 1成份之聚合物亦可透過在一種有機溶劑中一或多種單 之〉谷液聚合得到,例如,當聚合條件包括起始劑種類及—
89126768.ptd 第10頁 1274778
五、發明說明(7) 量’、聚合溫度及聚合時間依單體種類被適當選擇下,以甲 苯或乙酸乙酯為稀釋劑。該溶液聚合可被實施⑨,例如一 個配備:凝器、輸氮導管、溫度言十、攪拌器等之反應器。 該有機溶劑之用量可為每1〇〇%所有單體成份重量之5〜 2 0 0 0 %重量,較佳為2 0〜9 0 〇 %重量。 該聚合物其具10%或更低重量比之分子量為1〇〇,〇〇〇以下 之低分子量成份者亦可透過在一種水狀分散系統中一或多 種單體之乳狀聚合得到。此種聚合之方法並不特別限定, 且任意所欲之乳狀聚合技術可依用途施用。例如,一種被 使用之方法係一種單體混合物被乳化於水中而該乳化物被 排入反應中全體進行該單體之聚合。一種亦被使用之技 術係該水狀單體物之乳化物被漸次滴入。雖然用於該乳狀 聚合之乳化劑並不特別限定,較佳者為使用非離子性界面 活性劑及/或陰離子界面活性劑。乳化劑可單獨使用或將 二或更多種組合之。 非離子性界面活性劑例如,聚氧基乙烯烷醚、聚氧基乙 烯烷基苯基醚、聚氧基乙烯/聚氧基丙烯共聚物、聚山梨 醇/脂肪酸酯類及聚氧基乙烯/脂肪酸酯類。另一方面,陰 離子界面活性劑例如,烷基硫酸酯類、烷基苯磺酸鹽類、 烷基磺酸基丁二酸鹽類、聚氧基乙烯烷基硫酸鹽類,及聚 氧基乙烯烷基磷酸酯類。乳化劑之用量可依所須分子直徑 等而被適當選擇。然而,例如,當一個非離子性界面活性 劑或陰離子界面活性劑被單獨使用時,其用量通常為約每 100%所有單體成份重量之約〇· 3〜3〇%重量。當非離子性界
1274778 五 發明說明(8) 面活性劑及陰離子界面活性 者及後者分別約為約每1。0% ^5使用:,其用量為前 重量及〇. 1〜10%重量。 斤有早體成份重1之0. 2〜20% 由上述方法所合成之聚合你 聚合物。然、而,通常-種交^被用於感壓黏著劑之主要 感壓黏著劑之黏著力。一赫會被加入該聚合物以改善 可藉於合成丙稀酸夺聚人2父聯t丙烯酸系感壓黏著劑 鹽或其類似物以丄;Ϊ :添加多官能基基)丙稀酸 後添加多官能美产Γ &人人y劑或於合成丙烯酸系聚合物 物以# A # # =衣虱化5物或異氰酸鹽類化合物或其類似 照二ΐίΓ;:聯劑得到。除這些技術外,利用韓射源之 術為弓I進iU 1 ί 51導。形成-個交聯構造較佳之技 似物以作為外=:裱氧化合物或異氰酸鹽類化合物或其類 多官能基:邛交聯劑。此處"多官能基"意指具有二或更 舉例說明多官能I ^ 更多環氧基之各種=ί化合物包括各種分子2 或 丙基醚、三曱醉装5物。其中典型例包括山來醇四環氧 胺基甲美丙院環氧丙基喊、四環氧兩基_1,3~二 基1-;;苯::::氧丙基-間-二甲苯胺,:::氧丙 子中呈右-赤西 牛例說明異氰酸鹽類化合物包括各種分 括二苯基ϊ=i多異氰酸基之各種化合物。其中典型例包 二異氰i醆二—異氰酸鹽、甲代苯二異氰酸驩及六亞甲基 该等交聯劑可留 之用量可依嗜丙I使用或將二或更多種組合之。交聯劑 ^内稀酸系共聚物之組成及分子量等而被適當
1274778 五、發明說明(9) 選擇。一種平常用於感壓黏著劑之交聯觸媒如二丁基錫 桂酸鹽’可被與交聯劑一同添加以加速反應。傳統之添 物可依須要添入於感壓黏著劑。 本發明之可移除式感壓黏著片之組成並不特別限定,口 要其含有一個具有上述感壓黏著劑之感壓黏著厣。直 ^ f壓黏著片其具有一個基質及在其至少一面上^感壓黏著 層者,或是感壓黏著片其單獨具有感壓黏著層而益基質 ΐ菩:Ϊ護感愿黏著層,較佳為以一個釋放獏覆ϋ感壓 層直到使用時。本發明之感壓黏著片之形式並不特別 艮疋,且可為一種如片狀物或膠帶之適當形式。 该感壓黏著層可具有依使用等而選擇之適合厚 如 >,其厚度為5〜lOOvm,較佳為1〇〜4〇/zm。 该基質可為通常用於感壓黏著片者。例如 ί表面!;:::==將二或更多種組合之。-種經 質可具有一、商Α、登娌雙面者經光裱處理者亦可使用。該基 質。^而,厚度以使不減少可處理度及其他性 βίΆ ^又k常為約50〜300//Π1,較佳為7〇〜200 一種感壓黏著層可赫形# ^ r. T /v 壓聚合物通過印模孔ίif;如措排出含有二氧化碳之加 個薄膜。或者,」=;:物進入空氣而將聚合物形成- 壓力且聚合物被取:了;!之技術係’聚合系統回到大氣 再/谷解於一種有機溶劑如甲苯或乙
1274778 五、發明說明(10) ,,乙酯,然後利用傳統覆膜技術以轉轴覆膜機或類似物使 」薄膜。當聚合物藉溶液聚合或乳化聚合生產時,感壓黏 者層可藉一般之技術將所得之聚合物溶液或水狀聚合物分 f液施加於一種基質而形成。感壓黏著層其得到於一黏著 端三基質、釋放紙或其類似物者可依需求,經乾燥程序及 接著以光、電子束照射之交聯處理等,然後被使用。 #本發明之可移除式感壓黏著片適用於工作製程之感壓黏 著片如半導體裝置生產時晶圓反面研磨之感壓黏著片。 然而,可移除式感壓黏著片之使用並不限定於此應用,且 ,可被廣泛應用於包括在生產或加工各種物品或元件時盆 感壓黏著片之作用為在使用中或後被剝離。該等應用之例 子尚包括由各式生產設備移除外來物質、元件之表面保護 及掩蔽。 本發月以下將參照實施例被更詳細說明,但 ,限於這些實施例。以下所有之比例及百分比皆以重以 鼻除非另外指明。 参考實施你丨1 1二Λ個具有MO"11容量之不銹鋼容器於25 t下依總添加量 〇 1份比::加入100份丙烯酸正丁醋、5份丙烯酸及 ,偶虱基一異丁醯腈。當此容器以攪拌葉片攪拌 I,加入高純度二氧化碳使維持數秒内壓在2Mpa。之 ί允二ΐ化碳經由一個排放出口被排出以將殘留於壓力容 在此操作後,高 下被乂冋樣方式導入使内壓維持一段時間在 89126768.ptd 第14頁 1274778 五、發明說明(11) 7Mpa。然後此容器被加熱使内部升溫至60。當内部升溫 至60 °C,高純度二氧化碳再被導入使調整内壓在2〇Mpa。 此容器被控制於此狀態下約1 2小時使其進行聚合。之後, -内壓回復至大氣壓力以得到參考實施例1之聚合物。 此聚合物以膠體滲透色層分析法決定之重量平均分子量 為1,680,000。聚合物中分子量為1〇〇,〇〇〇或以下之成份含 量為2. 9%。 參考實施例2 一個容量為50 0ml配備溫度計、攪拌器、輸氮導管及迴 流冷凝器之三頸燒瓶反應器依總添加量為2〇〇g之比例分別 | 加入100份丙烯酸正丁酯、5份丙烯酸及〇·】份2, 2,—偶氮基 · 二異丁醯腈及200份乙酸乙酯。此内容物當引進氮氣時被 攪拌約1小時以便置換目前反應器内之空氣為氮氣。之 後,内部溫度被調整至60 t並控制於此狀態下約6小時以 進行聚合反應。因而,得到參考實施例2之聚合物溶液。 此聚合物以膠體滲透色層分析法決定之重量平均分子量 為1,650,000。聚合物中分子量為1〇〇〇〇〇或以下之成 量為 13. 1%。 β 參考實施例3 s、一個具有50 0ml容量之不銹鋼容器於25 下依總添加 $ 量為2〇〇g之比例分別加入77份丙烯酸2—乙基己酯、2〇份恥9 丙烯醯基嗎啉、3份丙烯酸及〇· 2份2, 2,—偶氮基二異丁 腈。當此容器以攪拌葉片攪拌時,逐漸加入高純度二氡 · 碳使内壓維持數秒在2Mpa。之後,二氧化碳經由一個排放 1274778
出口被排出以將殘留於壓力容器内之空氣置換為二 奴。在此操作後,高純度二氧化碳於25它下被以同樣方 導入使維持-段時間内壓在7Mpa。然後此容器被加埶二 部升溫至6(rc。當内部升溫·t,高純度二氧化&再= 導入使調整内壓在2OMpa。此容器被控制於此狀態下約12 小時使其進行聚合。之後,内壓回復至大氣壓力以得到參 考實施例3之聚合物。 ^
此聚合物以膠體滲透色層分析法決定之重量平均分子量 為1,240,000。聚合物中分子量為1〇〇〇〇〇或以下之成份含 量為9. 52%。 參考實施例4
一個容量為500ml配備溫度計、攪拌器、輸氮導管及迴 流冷凝器之三頸燒瓶反應器依總添加量為2〇〇g之比例分別 加入77份丙浠酸2-乙基己S旨、20份N-丙浠醯基嗎琳、3份 丙烯酸、0.2份2, 2’-偶氮基二異丁醯腈及200份乙酸乙 酯。此内容物當引進氮氣時被攪拌約1小時以便置換目前 反應器内之空氣為氮氣。之後,内部溫度被調整至60 °C並 控制於此狀態下約6小時以進行聚合反應。因而,得到參 考實施例4之聚合物溶液。 此聚合物以膠體滲透色層分析法決定之重量平均分子量 為1,120, 000。聚合物中分子量為100, 000或以下之成份含 量為 18· 39%。 參考實施例5 一個容量為50 0ml配備溫度計、攪拌器、輸氮導管及迴
89126768.ptd 第16頁 1274778 五、發明說明(13) 流冷凝器之三頸燒瓶反應器依總添加量為2 〇 0g之比例分別 加入73份丙浠酸2-乙基己酯、1〇份丙浠酸正丁 g旨、Η份n ,N-二甲基丙烯醯胺、5份丙烯酸、〇· 15份作為起始劑之2, 2’-偶氮基二異丁醯腈及1〇〇份乙酸乙酯。此内容物當引進 氮氣時被攪拌約1小時以便置換目前反應器内之空氣為氮 氣。之後’内部溫度被調整至5 8 °C並控制於此狀態下約4 小時以進行聚合反應。因而,得到參考實施例5之聚合物 溶液。 此聚合物以膠體滲透色層分析法決定之重量平均分子量 為930, 000。聚合物中分子量為1〇〇, 〇〇〇或以下之成份含量 為 7 · 5 % 〇 t考實施例6 一個配備冷凝器、輸氮導管、溫度計、擾拌器之反應器 加入組成為5 9份丙烯酸正丁酯、4 〇份異丁烯酸丁酯及1份 丙烯酸之單體混合物。於此反應器中再加入〇 · 〇 2份作為起 始劑之2, 2,-偶氮基二(2-曱脒基丙脒)、1· 5份作為乳化劑 之聚氧基乙烯壬基苯基乙醚及100份水。當此内容物乳化 後進行乳化狀聚合反應而得到參考實施例6之聚合物水狀 分散物。 此聚合物溶液以膠體渗透色層分析法決定之重量平均分 子量為2, 100, 000。聚合物中分子量為1〇〇, 〇〇〇或以下之成 份含量為8. 9%。 參考實施例1所得到之聚合物20g被溶於80g乙酸乙酯
Η 89l26768.ptd 第17頁
1274778 五 發明說明(14) __
Ui中ΐ加°人28聚異氰酸化合物及〇.4g多官能基環氧 :個:ΐ 1 被攪拌至變成均質。所得溶液被加到 由I S曰膜組成其厚度為50 之膜狀 二燥5烘箱一再以⑽各3分鐘二 比:姐_之黏^ ° ®而得到一個可移除式黏著片。 參考實施例2所得到之聚合物1〇〇§被添 化合物及。,多官能基環氧基化合物。此混合 ^變成均質。所得溶液被加到一個由聚_膜組成其厚^ 之膜狀基質。此覆膜於一個乾燥烘箱内以7 〇它再以、、、 130 C各3分鐘乾燥以形成一個厚度為35 之黏著層。 而得到一個可移除式黏著片。 實施例2 參考實施例3所得到之聚合物2〇g被溶於8 〇g乙酸乙酉旨 中。於其中添加0· 4g聚異氰酸化合物及〇· 2g多官能基曰環& 基化合物。此混合物被攪拌至變成均質。所得溶液被加= 一個由聚醋膜組成其厚度為50"!!!之膜狀基質。此覆膜於 一個乾燥烘箱内以70 °c再以130 X:各3分鐘乾燥以形成個
厚度為35/zm之黏者層。因而得到一個可移除式黏著片。 比較例2 〇 參考實施例4所得到之聚合物1 〇 〇 g被添加〇 · 3 3 g聚異氰酸 化合物及0 · 6 6 g多官能基環氧基化合物。此混合物被攪掉 至變成均質。所得溶液被加到一個由聚酯膜組成其厚度為 5 0 // m之膜狀基質。此覆膜於一個乾燥烘箱内以7 〇 〇c再以'
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130 C各3分鐘乾燥以形成一個厚度為 而得到一個可移除式黏著片。 實施 #ιη之黏著層。因 #二Ϊ實軛例5所得到之聚合物1 〇〇 g被添加0· 33g聚異氰® =:;°广多官能基環氧基化合物。此混合物被心 ^成均質。所得溶液被加到一個纟聚醋膜組成其厚度启 ! Q之膜狀基質。此覆膜於一個乾燥烘箱内以70 °C再以” 0J:各3分鐘乾燥以形成一個厚度為35 e m之黏著層。因 而得到一個可移除式黏著片。 實施例4 參考實施例6所得到之水狀分散物1〇〇g被添加3g含有噌 ,,基之水溶性交聯劑。此混合物被攪拌至變成均質。所 1溶液被加到一個由聚酯膜組成其厚度為5〇 # m之膜狀基 夤以^/成個厚度為1 〇 # m之黏著層。因而得到一個可移 除式黏著片。 評估測言式 於實施例及比較實施例中得到之感壓黏著片藉以下方法 評估其黏著強度及有機晶圓污染。結果表示於表1。 於實施例及比較實施例中所得感壓黏著片之一個帶狀切 片被加在已被#280沙紙潤飾過之一個不銹鋼板。對此施加 物’此黏著膠帶藉轉動一個2公斤之滾筒向前及向後各一 次被壓在板子上。使此樣品靜置3 〇分鐘再檢測於1 8 〇。由 不銹鋼板剝離之正常黏著強度(N/l 〇mm寬度)。剝離速度為 300mm/min(有機晶圓污染)。
89126768.ptd 第19頁 1274778 五、發明說明(16) 於實施例及比較實施例中所得感壓黏著片之一個帶狀切 片被加在已覆有蒸氣沉積鋁之晶圓。使此樣品靜置於4〇。〇 下1天。然後,該帶狀切片被移除而被轉移至晶圓上之有 機物量以ESCA 測量(Model 5400,Albackfai 製)。再者,一 個未施加帶狀物之晶圓亦以同樣方法分析。被轉移之有機 物之量(a tom i c %)以偵測到所增加之碳原子量為基礎評 估0 表1 黏著強度 (N/10mm) 有機晶圓污染 (atomic %) 實施例1 6· 18 -------- 2. 5 比較例1 5. 20 —----- 18. 7 實施例2 1· 77 14.05、— 比較例2 0· 98 24. 94^ 實施例3 2. 10 4. 80^~ 實施例4 1. 21 10. w只〜丨~ ,丨J/尖鄉有乃丹平父向f占著強度 且相較於在相應比較例得到之感壓黏著片明顯降低有基又晶 圓污染。 -土日日 因本發明之可移除式感壓黏著片含有一個感壓黏著劑其 含有以高分子為主要聚合物其減少低分子成份含量,故該 感壓黏著層不僅黏合力且黏著強度皆優良。又,該可移g 式感壓黏著片,當用於固定黏著端在工作製程或其類似情 況時’具有一適當黏度使不會由黏著端剝離。當工作製程
89126768.ptd 第20頁 1274778
五、發明說明(17) 或其類似情況後,該感壓黏著片可被輕易由黏著端 不會污染之。特別是,當該可移除式感壓黏著片用於如 導體晶圓製程之輻射-可回復式感壓黏著片時,在製程如 研磨及切塊具有高黏性以促進該製程且,在該製程之後, 可藉以輻射源照射使回復而被輕易移除並不造成晶圓破裂 等。再者’該感壓黏著片既不會於回復時發散強烈氣味亦 不會殘留微米或次微米量級之污染黏著殘留物。因此,不 可能發生由晶片反面/封入樹脂分離所造成之污染。
1274778
89126768.ptd 第22頁 ZUUD - D UU1 I274#^i

Claims (1)

1274778 案號 89126768 正 2006 - 5 cry 替換本 六、申請專利範圍 1 . 一種半導體晶圓處理方法,包含將一可移除式感壓黏 著片黏貼至晶圓的正面和背面,以及處理該晶圓;該可移 除式感壓黏著片包含一由至少一感壓黏著劑所構成之感壓 黏著層,該感壓黏著劑包含其中分子量1 05或以下之低分 子成份含量為10 %重量比或以下且具有重量平均分子量為 930, 0 0 0至2, 1 0 0, 0 0 0之丙烯酸系聚合物。 2.如申請專利範圍第1項之半導體晶圓處理方法,其中 組成感壓黏著劑之聚合物為由一或多種單體在液體或超臨 界二氧化碳下聚合所得到之丙烯酸系聚合物。
(::\總檔\89\89126768\89126768(替換)-3.ptc 第 23 頁
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI491701B (zh) * 2009-10-23 2015-07-11 Nitto Denko Corp 再剝離性黏著片

Families Citing this family (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7744998B2 (en) * 2001-04-25 2010-06-29 3M Innovative Properties Company Plasticizer-resistant pressure-sensitive adhesive composition and adhesive article
JP4803778B2 (ja) * 2001-07-03 2011-10-26 日東電工株式会社 再剥離型粘着剤および再剥離型粘着シート
JP4302371B2 (ja) 2001-08-02 2009-07-22 日東電工株式会社 テープ状絶縁材、絶縁物品および絶縁材用水分散型アクリル系粘着剤
TW200305626A (en) * 2002-04-04 2003-11-01 Sekisui Chemical Co Ltd Acrylic adhesive and adhesive tape
JP4485117B2 (ja) * 2002-06-27 2010-06-16 日東電工株式会社 保護剥離用フィルム
JP2004300231A (ja) * 2003-03-31 2004-10-28 Nitto Denko Corp 熱剥離性両面粘着シート、被着体の加工方法および電子部品
CA2479589C (en) * 2003-09-04 2011-05-24 Air Products And Chemicals, Inc. Polyfluorinated boron cluster anions for lithium electrolytes
JP4917267B2 (ja) 2004-09-16 2012-04-18 日東電工株式会社 粘着剤組成物、粘着シート類、および表面保護フィルム
TWI445785B (zh) 2005-01-26 2014-07-21 Nitto Denko Corp 黏著型光學薄膜
JP4800778B2 (ja) 2005-05-16 2011-10-26 日東電工株式会社 ダイシング用粘着シート及びそれを用いた被加工物の加工方法
US7641946B2 (en) * 2005-08-08 2010-01-05 Nitto Denko Corporation Adhesive film and image display device
US8664326B2 (en) * 2005-11-24 2014-03-04 Lg Chem, Ltd. Acrylic pressure-sensitive adhesive composition
JP2007158025A (ja) * 2005-12-05 2007-06-21 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体加工用感圧型テープ
JP4970863B2 (ja) * 2006-07-13 2012-07-11 日東電工株式会社 被加工物の加工方法
JP4931519B2 (ja) * 2006-09-01 2012-05-16 日東電工株式会社 活性面貼付ダイシング用粘着テープ又はシートおよび被加工物の切断片のピックアップ方法
US20080104917A1 (en) * 2006-11-02 2008-05-08 Whelan Brian J Self-adhering waterproofing membrane
US9457547B2 (en) * 2007-11-07 2016-10-04 Magnum Magnetics Corporation Extrudable adherable material systems
JP5641634B2 (ja) * 2008-03-13 2014-12-17 日東電工株式会社 粘着剤組成物、粘着剤層、粘着部材および画像表示装置、並びに画像表示装置からの光学フィルムの剥離方法および表示パネルの取り出し方法
JP4718629B2 (ja) * 2008-08-04 2011-07-06 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム
JP5623020B2 (ja) 2009-02-27 2014-11-12 日東電工株式会社 粘着剤組成物、粘着剤層、及び、粘着シート
JP5501060B2 (ja) * 2009-04-02 2014-05-21 日東電工株式会社 半導体ウエハ保護用粘着シートの貼り合わせ方法、及びこの貼り合わせ方法に用いる半導体ウエハ保護用粘着シート
CN101924055A (zh) * 2009-06-15 2010-12-22 日东电工株式会社 半导体背面用切割带集成膜
JP5399312B2 (ja) * 2010-04-26 2014-01-29 日東電工株式会社 粘着シート
JP2013147664A (ja) * 2010-11-30 2013-08-01 Nitto Denko Corp 表面保護シート
JP5781302B2 (ja) 2010-12-28 2015-09-16 日東電工株式会社 放射線硬化型粘着剤組成物及び粘着シート
JP5687897B2 (ja) 2010-12-28 2015-03-25 日東電工株式会社 放射線硬化型粘着剤組成物及び粘着シート
JP5719194B2 (ja) * 2011-02-25 2015-05-13 日東電工株式会社 再剥離用水分散型アクリル系粘着剤組成物及び粘着シート
WO2013084952A1 (ja) 2011-12-06 2013-06-13 リンテック株式会社 半導体ウエハ加工用粘着シート、該シートを用いた半導体ウエハの加工方法
JP6157133B2 (ja) * 2012-02-06 2017-07-05 日本合成化学工業株式会社 マスキングフィルム用粘着剤組成物、これを架橋させてなるマスキングフィルム用粘着剤、およびこの粘着剤を有するマスキングフィルム
JP6121822B2 (ja) * 2013-07-08 2017-04-26 日東電工株式会社 乗物窓板用保護シート
CN103965815A (zh) * 2014-05-27 2014-08-06 张家港康得新光电材料有限公司 超低粘性压敏胶与超低粘保护膜
JP2017098354A (ja) * 2015-11-20 2017-06-01 日東電工株式会社 封止半導体素子および半導体装置の製造方法
JP6562131B1 (ja) * 2018-07-23 2019-08-21 東洋インキScホールディングス株式会社 粘着剤および粘着シート
JP6690761B1 (ja) * 2019-06-20 2020-04-28 東洋インキScホールディングス株式会社 粘着剤および粘着シート
EP4169994A1 (en) 2021-10-25 2023-04-26 Nitto Belgium NV Pressure-sensitive adhesive composition and surface protection sheets comprising the same

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4288479A (en) 1973-09-24 1981-09-08 Design Cote Corp. Radiation curable release coatings
US5187007A (en) * 1985-12-27 1993-02-16 Lintec Corporation Adhesive sheets
US5597648A (en) * 1991-10-18 1997-01-28 Dow Corning Corporation Low-volatility pressure sensitive adhesives
US5688573A (en) 1991-12-18 1997-11-18 Minnesota Mining And Manufacturing Company Halogen-free acrylic urethane sheet material
DE69312970T2 (de) 1993-03-11 1997-12-18 Minnesota Mining & Mfg Strahlenhaertbarer, permanent entfernbarer acrylat/silikon-haftkleber
US5527865A (en) * 1995-03-24 1996-06-18 The University Of North Carolina At Chapel Hill Multi-phase polymerization process
CN1101825C (zh) * 1995-03-31 2003-02-19 积水化学工业株式会社 制备溶剂型丙烯酸压敏粘合剂和医用压敏粘合剂的方法
JPH08330257A (ja) 1995-05-29 1996-12-13 Mitsui Toatsu Chem Inc 半導体ウエハ裏面研削用フィルムの製造方法
JPH097981A (ja) 1995-06-15 1997-01-10 Mitsui Toatsu Chem Inc 半導体ウエハ裏面研削用粘着フィルム
JPH0971757A (ja) 1995-06-28 1997-03-18 Mitsui Toatsu Chem Inc 半導体ウエハ裏面研削用粘着フィルム及びそれを用いる半導体ウエハの加工方法
JPH0936069A (ja) 1995-07-17 1997-02-07 Mitsui Toatsu Chem Inc 半導体ウエハ裏面研削用粘着フィルム
JPH09165558A (ja) * 1995-12-15 1997-06-24 Hitachi Chem Co Ltd 半導体ウェハ保護用粘着フィルム及びこれを用いた表面保護方法
JPH09249858A (ja) * 1996-03-19 1997-09-22 Nitta Ind Corp 半導体ウエハダイシング用粘着テープ
JP3693408B2 (ja) 1996-04-08 2005-09-07 三井化学株式会社 半導体ウエハ裏面研削用粘着フィルム及びそれを用いる半導体ウエハの加工方法
DE19618833A1 (de) * 1996-05-10 1997-11-13 Bayer Ag Verfahren zur Herstellung von Ethylen-Vinylacetat-Copolymeren
JPH1046126A (ja) * 1996-08-01 1998-02-17 Nippon Synthetic Chem Ind Co Ltd:The 粘着剤組成物
US5716685A (en) 1996-10-23 1998-02-10 Minnesota Mining And Manufacturing Company Silicone-containing copolymer and bleed through resistant, ink receptive, and adhesive receptive coatings and coated substrates prepared therefrom
JP3909907B2 (ja) * 1997-04-01 2007-04-25 日東電工株式会社 半導体ウエハ加工用粘着シ―ト類と加工方法
JPH10310749A (ja) * 1997-05-13 1998-11-24 Mitsui Chem Inc 半導体ウエハダイシング用粘着フィルム及び半導体ウエハのダイシング方法
JPH11255812A (ja) * 1998-03-13 1999-09-21 Nippon Shokubai Co Ltd 分子量分布の狭い超高分子量ポリマー、その製造方法および用途
US6235387B1 (en) 1998-03-30 2001-05-22 3M Innovative Properties Company Semiconductor wafer processing tapes
JPH11323273A (ja) * 1998-05-12 1999-11-26 Nitto Denko Corp 粘着シート
CN1079099C (zh) * 1998-11-26 2002-02-13 中国科学院广州化学研究所 在超临界二氧化碳介质中制备聚丙烯酸的方法
JP2000192007A (ja) * 1998-12-28 2000-07-11 Nitto Denko Corp アクリル系感圧性接着剤組成物及びその製造方法
US6602599B1 (en) * 1999-06-10 2003-08-05 Nitto Denko Corporation Low-staining adhesive sheets and method for removing resist material

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI491701B (zh) * 2009-10-23 2015-07-11 Nitto Denko Corp 再剝離性黏著片

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