TWI274778B - Semiconductor wafer processing method - Google Patents
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Description
1274778 五、發明說明(1) 發明領域 本發明係關於-種降低污染之可移 可適用於生產精細的零件例 ^堊黏者片,其 路、各式印刷電路板、各式光罩及導線架。導體、電 相關技術之斂诚 個半導體積體電路通常由將一個高 其類似物切片以得_,再藉餘刻於此晶“:二片4 :要之電路樣式如積體電路,接著利用一研磨 考面研磨以將此晶圓厚度減低至10 ;最曰曰®之 士认曰冋 導入研磨時,一個感壓黏著片被施 塊時,-個或壓黏著片二,或疋可促進研磨。導入切 丄曰:m 於晶圓之反面以將黏著固定 .w,θιΙ,. ,切塊之後,所形成之晶片藉針被從膜 土質側上推,接者拾起,並再被固定於印磨墊。 作為该專用途之咸懕斑^ u v a -ir 撂尤m+ h & t 片須具有一定程度之黏性使 :在研磨或切塊時不會剝離。該等感壓黏著片同時必須具 ί:Ϊ程度,低黏性使得當研磨或切片後可被輕易的由Ϊ 導體晶圓上剝離而不會徒直姑招 里去 兮 址IΤα τ、 其破抽再者該等感壓黏著片 ,此 殘餘物在晶圓之正或反面以防污染該晶圓 之表面0 最近,有一種對於半導體晶圓半徑減小及厚度減少之趨 f,並且利用酸將晶圓反面蝕刻之步驟被額外導入。在此 等狀況下,已經使維持感壓黏著片之各種特性之衡包括 加工製程中之防水性、不使晶圓於加工時或片狀物移除破
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五、發明說明(2) 裂之特性、酸蝕刻時之耐酸性、可移除性及非污染性變得 困難。再者,由最近狀況觀之,LOC結構之半導體封裝5"及$ 印磨墊之面積小於晶片之之半導體封裝被用得更多,其使 付降低感壓黏著片在切塊時之晶圓反面污染變得更重要以 防損害半導體晶圓反面與封裝之黏著,因為該等封裝與傳 統封裝有異,晶片與將其封入之樹脂係為直接接觸。 使用於半導體晶圓製程之感壓黏著片最近被最受到注目 者為輻射-可回復式之感壓黏著片,即感壓黏著片其含有 一個膜狀基質及一個形成於其一面之輻射—可回復^之感 壓黏著層。因為此種感壓黏著片於其原本狀態具高度黏 性’將其施加於晶圓之正或反面會有高度黏性可使此感壓 黏著片承受於研磨或切塊時之水壓。令人滿意之耐酸性亦 可被預期,例如,當此感壓黏著片具有一個適當之選擇性 組成。加工之後,此感壓黏著片以一輻射源進行照射,如 $ 、使該感壓黏著層回復,藉此使該感壓黏著層之黏性顯 著減低。結果,可得到令人滿意之可移除性以及不會造成 晶圓破裂之性質。此類型之更具有一種優點係,此回復作 用在考慮獲得非污染晶圓性質之相當滿意之結果時亦有 效0 然而,此輻射-可回復式之感壓黏著片之缺點係,其利 $ 用光照射進行回復時散發強烈氣味,此氣味不僅使工作者 不阮且就健康及衛生絕對不欲。雖然此種感壓黏著片在移 除,之晶圓非污染性質遠優於其他感壓黏著片,偶而感壓 -霉著片仍會留下微米或次微米量級之殘留物。若當污染發 _
^74778 ^發明說明(3) 生於正在切塊之晶圓反而主 施以再流動焊接時所不欲之曰^成為當一個半導體封裝被 戍因。就是說,已造成二:曰片反面與封入樹脂之分離之 之可信賴度減低。 個問題即對長期半導體積體電路 總結 本發明已觀察到這些情況。 相應的,本發明之目^ # 片,當被用於工作過程或‘=二供一種y移除式感磨黏著 -個程度之黏性使其不會由者端固定時’具有 特別是,目的為提供一而不會使其污染。 麻々丄α 士 丄 A %牛導體晶圓製程時,在如研 S切塊時具有高度黏性以利該製程予在二研 破裂#。β Μ 21 易被移除而不會造成晶圓 敬凌寺。再者,該感壓黏著片既, 味亦不會殘留下微米或次微米量級:污夺=烈氣 別是,不可能發生由於晶片反面者殘留物。特 之晶圓反面污染。 月反面/封人㈣之分離所造成 J於為達到此目的之密集調查’已發現當感 黏著層組成之主要聚合物使用低含量之低分子量聚义 子量為1〇°’〇〇°或更低時,則該感壓黏著片不° 有機污染或物品。即’已發現當該感壓 不 半導體晶圓製程時,可以很有效的抑制1 ; 分離所造成之有機污染。 ^^曰之
89126768.ptd 第7頁 1274778 五、發明說明(4) t發明提供一種可移除式感壓黏著片,係包含一個感壓 黏者層其具10%或更低重量比之分子量為1〇〇, 〇〇〇以下之低 分子量成份之聚合物。 一 ^組成該感壓黏著劑之聚合物可為一種丙烯酸系聚合物, 係由或夕種單體在液體或超臨界二氧化碳下聚合得來。 組成該感壓黏著劑之聚合物亦可為一種丙烯酸系聚合物, 係由一或多種單體在水狀分散系統中聚合得來,或可為一 種丙烯馱系聚合物,係由一或多種單體在有機溶劑如甲苯 中溶液聚合得纟。此可移除式感壓黏著片可作為感壓黏著 片使用於半導體晶圓製程。 义者 本發明之詳 、f C黏著劑其用來建構本發明中可移除式感壓黏著片之 感壓黏著層者可為任意傳統使用於感壓黏著層之感壓黏著 劑。其中,丙烯酸系感壓黏著劑其含有丙烯酸系聚合物為 主要聚合物者(感壓黏著劑之基本成份)為較佳。 舉例說明作為丙烯酸系聚合物之單體者包括(曱基)丙烯 1酯,例如,(甲基)丙烯酸之^⑷烷基酯,例如丙烯酸甲 酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸丙酯、丙烯酸丁酯、丙烯酸?—乙 基己酯、丙烯酸辛酯、異丁烯酸丁酯、異丁烯酸2—乙基己 酯及異丁烯酸辛酯。該等(甲基)丙烯酸之烷基酯可單^或 將二種或更多組合使用。其亦可使用一或更多種該等(甲 基)丙烯酸之烷基酯作為主要單體,再與一或更多種其他 可與其異分子聚合之單體組合。 可與異分子共聚合之單體之典型例子包括具羧基之乙烤
\\326\2d-\90-02\89126768.ptd 第8頁 1274778
五、發明說明(5) 化不飽和單體如(甲基)丙烯 二酸、順丁烯二酸及反丁浠 體為丙稀酸。此具叛基之乙 生交聯所必須之成份。 又,另外可用來進行異分 體其已知為丙烯酸系感壓黏 修飾之單體包括乙烯酯類如 苯乙烯,含氰基單體如丙烯 狀或非環狀衍生物。 酸、反-2- 丁烯酸、甲稀基丁 二酸。其中—種特別較佳之 烯化不飽和單體為使聚合物產 子共聚合之單體有任意多樣單 著劑修飾之單體者。舉例說明 乙酸乙稀酯,苯乙烯型單體如 腈,及(曱基)丙烯醯胺及其環
可與異分子共聚合之單體之1由黏著劑表現之視點觀 之,以包含主要單體之所有單體之總重量之5〇%以内為 佳。 ” 一個聚合反應可藉由一個起始劑之分解產生自由基之幫 助而引導。任意用在游離基聚合之起始化皆可被使用。特 別是當聚合反應被引導於40〜1 00 °c之溫度下,各種有機 過氧化物及偶氮化合物可被用作為起始劑。舉例說明有機 過氧化物如二苯甲醯基過氧化物、二-第4 丁基過氧化物、 異丙苯過氧化氫,及月桂基過氧化物及偶氮化合物如 2,2’ -偶氮基二異丁醯腈及偶氮基二異戊醯腈。當聚合反 應被引導於2 0〜4 0 °C之溫度下,可使用二元起始劑(氧化 還原起始劑)。舉例說明之包括由二苯曱醯基過氧化物與 二甲基苯胺所組成之二元系統。 起始劑之用量為一般用在上述丙烯酸系單體之聚合者。 舉例說明,其通常量為每單體重量100%之重量比約〇. 〇〇5
89126768.ptd 第9頁 1274778 五、發明說明(6) 1 〇 % ’較佳為重量比約0. 1〜5 %。 發明之重要特徵為一個具1〇%或更低重量比之分 ,咸二# 000以下之低分子量成份之聚合物被用為組成 二感壓黏t劑之主要聚合物。此種聚合物可被獲得,例 平人f:單體聚合於液體或以超臨界二氧化碳為稀釋劑。 低分子量成份之含量可藉膠體滲透色層分析法 WPC)決定。 t為稀釋劑之二氧化碳之用量可為每100% ^之5〜2_%重量,較佳為2Q〜簡重量。該聚合= =在二氧化碳調節於壓力為,如約5 73 〜4〇Mpa,於溫度 ,二如約20〜10(rc,通常約1〇小時。該壓力及溫度於 合時可依需要漸次改變。 作為稀釋劑之二氧化碳不僅由於其稀釋效果於整個聚合 中可維持此系統於低黏度之下以改善攪拌之效率,而且^ 制了游離基連鎖傳遞。因此,一種較傳統由有機溶劑所入 ,之聚合物有低含量之低分子量成份之高分子聚合物被^ 侍。因此,藉使用此種聚合物作為黏著劑基本聚合物,^ 得一種感壓黏著劑其不但黏合力及黏著強度優 端污染減少。 點者 雖然二氧化碳單獨作為稀釋劑通常已經足夠,其可依兩 要含有少量用來改善互溶性之一種有機溶劑等。 而 曰該具10%或更低重量比之分子量為100, 〇〇〇以下之低分子 1成份之聚合物亦可透過在一種有機溶劑中一或多種單 之〉谷液聚合得到,例如,當聚合條件包括起始劑種類及—
89126768.ptd 第10頁 1274778
五、發明說明(7) 量’、聚合溫度及聚合時間依單體種類被適當選擇下,以甲 苯或乙酸乙酯為稀釋劑。該溶液聚合可被實施⑨,例如一 個配備:凝器、輸氮導管、溫度言十、攪拌器等之反應器。 該有機溶劑之用量可為每1〇〇%所有單體成份重量之5〜 2 0 0 0 %重量,較佳為2 0〜9 0 〇 %重量。 該聚合物其具10%或更低重量比之分子量為1〇〇,〇〇〇以下 之低分子量成份者亦可透過在一種水狀分散系統中一或多 種單體之乳狀聚合得到。此種聚合之方法並不特別限定, 且任意所欲之乳狀聚合技術可依用途施用。例如,一種被 使用之方法係一種單體混合物被乳化於水中而該乳化物被 排入反應中全體進行該單體之聚合。一種亦被使用之技 術係該水狀單體物之乳化物被漸次滴入。雖然用於該乳狀 聚合之乳化劑並不特別限定,較佳者為使用非離子性界面 活性劑及/或陰離子界面活性劑。乳化劑可單獨使用或將 二或更多種組合之。 非離子性界面活性劑例如,聚氧基乙烯烷醚、聚氧基乙 烯烷基苯基醚、聚氧基乙烯/聚氧基丙烯共聚物、聚山梨 醇/脂肪酸酯類及聚氧基乙烯/脂肪酸酯類。另一方面,陰 離子界面活性劑例如,烷基硫酸酯類、烷基苯磺酸鹽類、 烷基磺酸基丁二酸鹽類、聚氧基乙烯烷基硫酸鹽類,及聚 氧基乙烯烷基磷酸酯類。乳化劑之用量可依所須分子直徑 等而被適當選擇。然而,例如,當一個非離子性界面活性 劑或陰離子界面活性劑被單獨使用時,其用量通常為約每 100%所有單體成份重量之約〇· 3〜3〇%重量。當非離子性界
1274778 五 發明說明(8) 面活性劑及陰離子界面活性 者及後者分別約為約每1。0% ^5使用:,其用量為前 重量及〇. 1〜10%重量。 斤有早體成份重1之0. 2〜20% 由上述方法所合成之聚合你 聚合物。然、而,通常-種交^被用於感壓黏著劑之主要 感壓黏著劑之黏著力。一赫會被加入該聚合物以改善 可藉於合成丙稀酸夺聚人2父聯t丙烯酸系感壓黏著劑 鹽或其類似物以丄;Ϊ :添加多官能基基)丙稀酸 後添加多官能美产Γ &人人y劑或於合成丙烯酸系聚合物 物以# A # # =衣虱化5物或異氰酸鹽類化合物或其類似 照二ΐίΓ;:聯劑得到。除這些技術外,利用韓射源之 術為弓I進iU 1 ί 51導。形成-個交聯構造較佳之技 似物以作為外=:裱氧化合物或異氰酸鹽類化合物或其類 多官能基:邛交聯劑。此處"多官能基"意指具有二或更 舉例說明多官能I ^ 更多環氧基之各種=ί化合物包括各種分子2 或 丙基醚、三曱醉装5物。其中典型例包括山來醇四環氧 胺基甲美丙院環氧丙基喊、四環氧兩基_1,3~二 基1-;;苯::::氧丙基-間-二甲苯胺,:::氧丙 子中呈右-赤西 牛例說明異氰酸鹽類化合物包括各種分 括二苯基ϊ=i多異氰酸基之各種化合物。其中典型例包 二異氰i醆二—異氰酸鹽、甲代苯二異氰酸驩及六亞甲基 该等交聯劑可留 之用量可依嗜丙I使用或將二或更多種組合之。交聯劑 ^内稀酸系共聚物之組成及分子量等而被適當
1274778 五、發明說明(9) 選擇。一種平常用於感壓黏著劑之交聯觸媒如二丁基錫 桂酸鹽’可被與交聯劑一同添加以加速反應。傳統之添 物可依須要添入於感壓黏著劑。 本發明之可移除式感壓黏著片之組成並不特別限定,口 要其含有一個具有上述感壓黏著劑之感壓黏著厣。直 ^ f壓黏著片其具有一個基質及在其至少一面上^感壓黏著 層者,或是感壓黏著片其單獨具有感壓黏著層而益基質 ΐ菩:Ϊ護感愿黏著層,較佳為以一個釋放獏覆ϋ感壓 層直到使用時。本發明之感壓黏著片之形式並不特別 艮疋,且可為一種如片狀物或膠帶之適當形式。 该感壓黏著層可具有依使用等而選擇之適合厚 如 >,其厚度為5〜lOOvm,較佳為1〇〜4〇/zm。 该基質可為通常用於感壓黏著片者。例如 ί表面!;:::==將二或更多種組合之。-種經 質可具有一、商Α、登娌雙面者經光裱處理者亦可使用。該基 質。^而,厚度以使不減少可處理度及其他性 βίΆ ^又k常為約50〜300//Π1,較佳為7〇〜200 一種感壓黏著層可赫形# ^ r. T /v 壓聚合物通過印模孔ίif;如措排出含有二氧化碳之加 個薄膜。或者,」=;:物進入空氣而將聚合物形成- 壓力且聚合物被取:了;!之技術係’聚合系統回到大氣 再/谷解於一種有機溶劑如甲苯或乙
1274778 五、發明說明(10) ,,乙酯,然後利用傳統覆膜技術以轉轴覆膜機或類似物使 」薄膜。當聚合物藉溶液聚合或乳化聚合生產時,感壓黏 者層可藉一般之技術將所得之聚合物溶液或水狀聚合物分 f液施加於一種基質而形成。感壓黏著層其得到於一黏著 端三基質、釋放紙或其類似物者可依需求,經乾燥程序及 接著以光、電子束照射之交聯處理等,然後被使用。 #本發明之可移除式感壓黏著片適用於工作製程之感壓黏 著片如半導體裝置生產時晶圓反面研磨之感壓黏著片。 然而,可移除式感壓黏著片之使用並不限定於此應用,且 ,可被廣泛應用於包括在生產或加工各種物品或元件時盆 感壓黏著片之作用為在使用中或後被剝離。該等應用之例 子尚包括由各式生產設備移除外來物質、元件之表面保護 及掩蔽。 本發月以下將參照實施例被更詳細說明,但 ,限於這些實施例。以下所有之比例及百分比皆以重以 鼻除非另外指明。 参考實施你丨1 1二Λ個具有MO"11容量之不銹鋼容器於25 t下依總添加量 〇 1份比::加入100份丙烯酸正丁醋、5份丙烯酸及 ,偶虱基一異丁醯腈。當此容器以攪拌葉片攪拌 I,加入高純度二氧化碳使維持數秒内壓在2Mpa。之 ί允二ΐ化碳經由一個排放出口被排出以將殘留於壓力容 在此操作後,高 下被乂冋樣方式導入使内壓維持一段時間在 89126768.ptd 第14頁 1274778 五、發明說明(11) 7Mpa。然後此容器被加熱使内部升溫至60。當内部升溫 至60 °C,高純度二氧化碳再被導入使調整内壓在2〇Mpa。 此容器被控制於此狀態下約1 2小時使其進行聚合。之後, -内壓回復至大氣壓力以得到參考實施例1之聚合物。 此聚合物以膠體滲透色層分析法決定之重量平均分子量 為1,680,000。聚合物中分子量為1〇〇,〇〇〇或以下之成份含 量為2. 9%。 參考實施例2 一個容量為50 0ml配備溫度計、攪拌器、輸氮導管及迴 流冷凝器之三頸燒瓶反應器依總添加量為2〇〇g之比例分別 | 加入100份丙烯酸正丁酯、5份丙烯酸及〇·】份2, 2,—偶氮基 · 二異丁醯腈及200份乙酸乙酯。此内容物當引進氮氣時被 攪拌約1小時以便置換目前反應器内之空氣為氮氣。之 後,内部溫度被調整至60 t並控制於此狀態下約6小時以 進行聚合反應。因而,得到參考實施例2之聚合物溶液。 此聚合物以膠體滲透色層分析法決定之重量平均分子量 為1,650,000。聚合物中分子量為1〇〇〇〇〇或以下之成 量為 13. 1%。 β 參考實施例3 s、一個具有50 0ml容量之不銹鋼容器於25 下依總添加 $ 量為2〇〇g之比例分別加入77份丙烯酸2—乙基己酯、2〇份恥9 丙烯醯基嗎啉、3份丙烯酸及〇· 2份2, 2,—偶氮基二異丁 腈。當此容器以攪拌葉片攪拌時,逐漸加入高純度二氡 · 碳使内壓維持數秒在2Mpa。之後,二氧化碳經由一個排放 1274778
出口被排出以將殘留於壓力容器内之空氣置換為二 奴。在此操作後,高純度二氧化碳於25它下被以同樣方 導入使維持-段時間内壓在7Mpa。然後此容器被加埶二 部升溫至6(rc。當内部升溫·t,高純度二氧化&再= 導入使調整内壓在2OMpa。此容器被控制於此狀態下約12 小時使其進行聚合。之後,内壓回復至大氣壓力以得到參 考實施例3之聚合物。 ^
此聚合物以膠體滲透色層分析法決定之重量平均分子量 為1,240,000。聚合物中分子量為1〇〇〇〇〇或以下之成份含 量為9. 52%。 參考實施例4
一個容量為500ml配備溫度計、攪拌器、輸氮導管及迴 流冷凝器之三頸燒瓶反應器依總添加量為2〇〇g之比例分別 加入77份丙浠酸2-乙基己S旨、20份N-丙浠醯基嗎琳、3份 丙烯酸、0.2份2, 2’-偶氮基二異丁醯腈及200份乙酸乙 酯。此内容物當引進氮氣時被攪拌約1小時以便置換目前 反應器内之空氣為氮氣。之後,内部溫度被調整至60 °C並 控制於此狀態下約6小時以進行聚合反應。因而,得到參 考實施例4之聚合物溶液。 此聚合物以膠體滲透色層分析法決定之重量平均分子量 為1,120, 000。聚合物中分子量為100, 000或以下之成份含 量為 18· 39%。 參考實施例5 一個容量為50 0ml配備溫度計、攪拌器、輸氮導管及迴
89126768.ptd 第16頁 1274778 五、發明說明(13) 流冷凝器之三頸燒瓶反應器依總添加量為2 〇 0g之比例分別 加入73份丙浠酸2-乙基己酯、1〇份丙浠酸正丁 g旨、Η份n ,N-二甲基丙烯醯胺、5份丙烯酸、〇· 15份作為起始劑之2, 2’-偶氮基二異丁醯腈及1〇〇份乙酸乙酯。此内容物當引進 氮氣時被攪拌約1小時以便置換目前反應器内之空氣為氮 氣。之後’内部溫度被調整至5 8 °C並控制於此狀態下約4 小時以進行聚合反應。因而,得到參考實施例5之聚合物 溶液。 此聚合物以膠體滲透色層分析法決定之重量平均分子量 為930, 000。聚合物中分子量為1〇〇, 〇〇〇或以下之成份含量 為 7 · 5 % 〇 t考實施例6 一個配備冷凝器、輸氮導管、溫度計、擾拌器之反應器 加入組成為5 9份丙烯酸正丁酯、4 〇份異丁烯酸丁酯及1份 丙烯酸之單體混合物。於此反應器中再加入〇 · 〇 2份作為起 始劑之2, 2,-偶氮基二(2-曱脒基丙脒)、1· 5份作為乳化劑 之聚氧基乙烯壬基苯基乙醚及100份水。當此内容物乳化 後進行乳化狀聚合反應而得到參考實施例6之聚合物水狀 分散物。 此聚合物溶液以膠體渗透色層分析法決定之重量平均分 子量為2, 100, 000。聚合物中分子量為1〇〇, 〇〇〇或以下之成 份含量為8. 9%。 參考實施例1所得到之聚合物20g被溶於80g乙酸乙酯
Η 89l26768.ptd 第17頁
1274778 五 發明說明(14) __
Ui中ΐ加°人28聚異氰酸化合物及〇.4g多官能基環氧 :個:ΐ 1 被攪拌至變成均質。所得溶液被加到 由I S曰膜組成其厚度為50 之膜狀 二燥5烘箱一再以⑽各3分鐘二 比:姐_之黏^ ° ®而得到一個可移除式黏著片。 參考實施例2所得到之聚合物1〇〇§被添 化合物及。,多官能基環氧基化合物。此混合 ^變成均質。所得溶液被加到一個由聚_膜組成其厚^ 之膜狀基質。此覆膜於一個乾燥烘箱内以7 〇它再以、、、 130 C各3分鐘乾燥以形成一個厚度為35 之黏著層。 而得到一個可移除式黏著片。 實施例2 參考實施例3所得到之聚合物2〇g被溶於8 〇g乙酸乙酉旨 中。於其中添加0· 4g聚異氰酸化合物及〇· 2g多官能基曰環& 基化合物。此混合物被攪拌至變成均質。所得溶液被加= 一個由聚醋膜組成其厚度為50"!!!之膜狀基質。此覆膜於 一個乾燥烘箱内以70 °c再以130 X:各3分鐘乾燥以形成個
厚度為35/zm之黏者層。因而得到一個可移除式黏著片。 比較例2 〇 參考實施例4所得到之聚合物1 〇 〇 g被添加〇 · 3 3 g聚異氰酸 化合物及0 · 6 6 g多官能基環氧基化合物。此混合物被攪掉 至變成均質。所得溶液被加到一個由聚酯膜組成其厚度為 5 0 // m之膜狀基質。此覆膜於一個乾燥烘箱内以7 〇 〇c再以'
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130 C各3分鐘乾燥以形成一個厚度為 而得到一個可移除式黏著片。 實施 #ιη之黏著層。因 #二Ϊ實軛例5所得到之聚合物1 〇〇 g被添加0· 33g聚異氰® =:;°广多官能基環氧基化合物。此混合物被心 ^成均質。所得溶液被加到一個纟聚醋膜組成其厚度启 ! Q之膜狀基質。此覆膜於一個乾燥烘箱内以70 °C再以” 0J:各3分鐘乾燥以形成一個厚度為35 e m之黏著層。因 而得到一個可移除式黏著片。 實施例4 參考實施例6所得到之水狀分散物1〇〇g被添加3g含有噌 ,,基之水溶性交聯劑。此混合物被攪拌至變成均質。所 1溶液被加到一個由聚酯膜組成其厚度為5〇 # m之膜狀基 夤以^/成個厚度為1 〇 # m之黏著層。因而得到一個可移 除式黏著片。 評估測言式 於實施例及比較實施例中得到之感壓黏著片藉以下方法 評估其黏著強度及有機晶圓污染。結果表示於表1。 於實施例及比較實施例中所得感壓黏著片之一個帶狀切 片被加在已被#280沙紙潤飾過之一個不銹鋼板。對此施加 物’此黏著膠帶藉轉動一個2公斤之滾筒向前及向後各一 次被壓在板子上。使此樣品靜置3 〇分鐘再檢測於1 8 〇。由 不銹鋼板剝離之正常黏著強度(N/l 〇mm寬度)。剝離速度為 300mm/min(有機晶圓污染)。
89126768.ptd 第19頁 1274778 五、發明說明(16) 於實施例及比較實施例中所得感壓黏著片之一個帶狀切 片被加在已覆有蒸氣沉積鋁之晶圓。使此樣品靜置於4〇。〇 下1天。然後,該帶狀切片被移除而被轉移至晶圓上之有 機物量以ESCA 測量(Model 5400,Albackfai 製)。再者,一 個未施加帶狀物之晶圓亦以同樣方法分析。被轉移之有機 物之量(a tom i c %)以偵測到所增加之碳原子量為基礎評 估0 表1 黏著強度 (N/10mm) 有機晶圓污染 (atomic %) 實施例1 6· 18 -------- 2. 5 比較例1 5. 20 —----- 18. 7 實施例2 1· 77 14.05、— 比較例2 0· 98 24. 94^ 實施例3 2. 10 4. 80^~ 實施例4 1. 21 10. w只〜丨~ ,丨J/尖鄉有乃丹平父向f占著強度 且相較於在相應比較例得到之感壓黏著片明顯降低有基又晶 圓污染。 -土日日 因本發明之可移除式感壓黏著片含有一個感壓黏著劑其 含有以高分子為主要聚合物其減少低分子成份含量,故該 感壓黏著層不僅黏合力且黏著強度皆優良。又,該可移g 式感壓黏著片,當用於固定黏著端在工作製程或其類似情 況時’具有一適當黏度使不會由黏著端剝離。當工作製程
89126768.ptd 第20頁 1274778
五、發明說明(17) 或其類似情況後,該感壓黏著片可被輕易由黏著端 不會污染之。特別是,當該可移除式感壓黏著片用於如 導體晶圓製程之輻射-可回復式感壓黏著片時,在製程如 研磨及切塊具有高黏性以促進該製程且,在該製程之後, 可藉以輻射源照射使回復而被輕易移除並不造成晶圓破裂 等。再者’該感壓黏著片既不會於回復時發散強烈氣味亦 不會殘留微米或次微米量級之污染黏著殘留物。因此,不 可能發生由晶片反面/封入樹脂分離所造成之污染。
1274778
89126768.ptd 第22頁 ZUUD - D UU1 I274#^i
Claims (1)
1274778 案號 89126768 正 2006 - 5 cry 替換本 六、申請專利範圍 1 . 一種半導體晶圓處理方法,包含將一可移除式感壓黏 著片黏貼至晶圓的正面和背面,以及處理該晶圓;該可移 除式感壓黏著片包含一由至少一感壓黏著劑所構成之感壓 黏著層,該感壓黏著劑包含其中分子量1 05或以下之低分 子成份含量為10 %重量比或以下且具有重量平均分子量為 930, 0 0 0至2, 1 0 0, 0 0 0之丙烯酸系聚合物。 2.如申請專利範圍第1項之半導體晶圓處理方法,其中 組成感壓黏著劑之聚合物為由一或多種單體在液體或超臨 界二氧化碳下聚合所得到之丙烯酸系聚合物。
(::\總檔\89\89126768\89126768(替換)-3.ptc 第 23 頁
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