JPH08330257A - 半導体ウエハ裏面研削用フィルムの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 粘着剤層の厚み精度が高く、粘着力のバラツ
キが少なく、かつ半導体ウエハ表面を汚染することのな
い半導体ウエハ裏面研削用フィルムの製造方法を提供す
る。 【構成】 基材フィルム及び剥離フィルムから選ばれた
一方のフィルムの片面に、液温が１０℃以下、凝固点を
超える温度に調節された粘着剤塗布液を塗布、乾燥して
粘着剤層を形成し、次いで該粘着剤層の表面に基材フィ
ルム及び剥離フィルムから選ばれた他方のフィルムを貼
付することを特徴とする半導体ウエハ裏面研削用フィル
ムの製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、シリコンウエハ等の半
導体ウエハの集積回路が組み込まれた側の面（以下、ウ
エハの表面という）に粘着フィルムを貼付して該ウエハ
の他の面（以下、ウエハの裏面という）を研削加工する
際に破損防止のために用いられる半導体ウエハ裏面研削
用フィルムの製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】通常、半導体集積回路は高純度シリコン
単結晶等をスライスしてウエハとした後、エッチング等
により集積回路を組み込み、更にウエハの裏面をグライ
ディング、ポリッシング、ラッピング等により研削し、
ウエハの厚さを１００〜６００μｍ程度まで薄くしてか
ら、ダイシングしてチップ化する方法で製造されてい
る。これらの工程の中で、ウエハ裏面の研削時にウエハ
の破損を防止したり、研削加工を容易にするため、ウエ
ハ裏面研削用フィルムを粘着剤層を介してウエハ表面に
貼付し保護する方法が用いられている。このウエハ裏面
研削用フィルムに求められている性能として、粘着剤層
からウエハ表面への汚染物の移行が少ないこと、裏面研
削中に剥がれない十分な粘着力を有していること、裏面
研削後該フィルムの剥離時にウエハを破損しないこと、
裏面研削後のウエハの厚み精度に悪影響を及ぼさないよ
うなフィルム厚み精度が良いこと、等が挙げられる。

【０００３】近年、半導体チップの量産化、小型軽量化
に伴い、半導体集積回路は高密度化してきており、ま
た、半導体ウエハは大口径化し、裏面研削後のウエハの
厚みはさらに薄くなる傾向にある。この為、半導体ウエ
ハ裏面研削用フィルムにはより低汚染性が求められる傾
向にあり、また、ウエハ裏面研削時には水の浸入等によ
りフィルムが剥がれてウエハが破損したり表面が汚染さ
れない様にしっかりと保護し、剥離時にもウエハを破損
しないような粘着力の微妙なコントロールも求められる
ようになってきている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかし、このようなウ
エハ裏面研削用フィルムを量産する場合、粘着剤塗布液
の濃度変化、粘度変化、架橋剤の失活、等により該フィ
ルムの粘着剤層の厚みバラツキ、粘着力のバラツキが生
じ易く、かつウエハ表面を汚染する原因となっている。

【０００５】具体的には、例えば、粘着剤塗布液が溶剤
型である場合、塗装装置に蓄えられた粘着剤塗布液の温
度が高いと、塗布液に含まれる粘着剤ポリマーと架橋剤
とが反応して分子量が増大し、それに伴って粘度が著し
く増加したり、ゲル化が起こり、塗布ムラを生じる原因
となり塗布性が著しく低下する。溶剤の蒸発により単に
粘着剤塗布液（溶液）の濃度が上昇したときは新たな溶
剤を追加することにより濃度を一定に保つことができ
る。しかし、粘着剤ポリマーの分子量が経時的に増大し
た場合には単に粘着剤塗布液の濃度を修正するだけでは
粘度は高いものとなり、その結果、粘度上昇に伴う塗布
性の低下を完全に防止することができない。また、粘着
剤塗布液の粘度を一定に維持しようとすると粘着剤塗布
液の濃度を下げなければならず、結果として粘着剤層が
目標値より薄くなる。

【０００６】また、粘着剤塗布液がエマルジョン型であ
る場合は、塗装装置に蓄えられた粘着剤塗布液の温度が
高いと、塗布液に含まれる架橋剤が水と反応して失活
し、塗布時間の経過と共に粘着力がバラツク原因となる
ばかりでなく、粘着剤層の凝集力が低下し半導体ウエハ
表面を汚染したり、失活した架橋剤がウエハ表面を汚染
する原因にもなっている。

【０００７】本発明は、上記の問題点を解決するために
なされたものであり、その目的とするところは、粘着剤
層の厚み精度が高く、粘着力のバラツキが少なく、かつ
半導体ウエハ表面を汚染することのない半導体ウエハ裏
面研削用フィルムの製造方法を提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記の問題点を解決する
ために鋭意検討した結果、半導体ウエハ裏面研削用フィ
ルムを製造するに際し、基材フィルムまたは剥離フィル
ムの片面に特定の温度以下の低温に保たれた粘着剤塗布
液を塗布することにより上記の目的が達成し得ることを
見出し、本発明を完成した。

【０００９】即ち、本発明は、基材フィルムの片面に粘
着剤層が設けられ、さらに該粘着剤層の表面に剥離フィ
ルムが配設された半導体ウエハ裏面研削用フィルムの製
造方法であって、基材フィルム及び剥離フィルムから選
ばれた一方のフィルムの片面に、液温が１０℃以下、凝
固点を超える温度に調節された粘着剤塗布液を塗布、乾
燥して粘着剤層を形成し、次いで該粘着剤層の表面に基
材フィルム及び剥離フィルムから選ばれた他方のフィル
ムを貼付することを特徴とする半導体ウエハ裏面研削用
フィルムの製造方法である。

【００１０】本発明の特徴は、粘着剤塗布液を特定の温
度以下の低温に維持しながら、調製、保存及び塗布する
ことにある。かかる構成を採用することにより、粘着剤
塗布液に含まれる粘着剤ポリマーと架橋剤との反応、架
橋剤と水との反応による架橋剤の失活、粘着剤塗布液の
液濃度変化、等の防止を図るものである。

【００１１】以下、本発明について詳細に説明する。本
発明は、基材フィルムの片表面に粘着剤層が形成され、
さらにその粘着剤層の表面に剥離フィルムが配設された
半導体ウエハ裏面研削用フィルムの製造方法である。本
発明の半導体ウエハ裏面研削用フィルムを使用する方法
は、先ず、剥離フィルムを剥離し、粘着剤層表面を露出
させ、その粘着剤層を介して、集積回路が組み込まれた
側の半導体ウエハの表面に貼付する。次いで、研削機の
チャックテーブル等に半導体ウエハ裏面研削用フィルム
の基材フィルムを介して半導体ウエハを固定し、その裏
面を研削する。研削が完了した後、半導体ウエハ裏面研
削用フィルムは剥離される。その後、半導体ウエハは、
洗浄、ダイシング等の工程を経て半導体チップとされ
る。裏面の研削が完了した後、半導体ウエハ裏面研削用
フィルムを剥離する前にケミカルエッチング工程を経る
こともある。

【００１２】本発明の方法により製造される半導体ウエ
ハ裏面研削用フィルムが適用できる半導体ウエハとし
て、シリコンウエハのみならず、ゲルマニウム、ガリウ
ム−ヒ素、ガリウム−リン、ガリウム−ヒ素−アルミニ
ウム等のウエハが挙げられる。

【００１３】本発明に用いる粘着剤塗布液は、具体的に
例示するならば、その基本成分である粘着剤ポリマーを
含む溶液またはエマルジョン液（以下、これらを総称し
て主剤という）及び、粘着剤層の凝集力を上げたり粘着
力を調整するために架橋性官能基を１分子中に２個以上
有する架橋剤を含むものである。また、粘着特性を調整
するためにロジン系、テルペン樹脂系等のタッキファイ
ヤーを適宜添加してもよいし、半導体ウエハの表面の水
洗性を上げるために各種界面活性剤（ノニオン系、アニ
オン系、カチオン系）を添加してもよい。さらに、主剤
がエマルジョン液である場合にはジエチレングリコール
モノアルキルエーテル等の造膜助剤を添加してもよい。

【００１４】本発明に用いる粘着剤ポリマーとして、ゴ
ム状弾性を有する天然ゴム系、各種合成ゴム系等が挙げ
られる。これらの内、粘着剤物性の制御、再現性等を考
慮すると（メタ）アクリル系ポリマーが好ましく、これ
を含む主剤は溶剤系、エマルジョン系の何れでもよい。
粘着剤ポリマーが（メタ）アクリル系である場合、ポリ
マーを構成する主モノマーとして、（メタ）アクリル酸
メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル
酸ブチル、（メタ）アクリル酸２−エチルヘキシル等の
（メタ）アクリル酸アルキルエステル等が挙げられる。
これらは単独で使用してもよいし、また、２種以上を混
合して使用してもよい。

【００１５】上記主モノマーと共重合させるコモノマー
として、（メタ）アクリル酸、イタコン酸、メサコン
酸、シトラコン酸、フマル酸、マレイン酸、イタコン酸
モノアルキルエステル、メサコン酸モノアルキルエステ
ル、シトラコン酸モノアルキルエステル、フマル酸モノ
アルキルエステル、マレイン酸モノアルキルエステル、
（メタ）アクリル酸２ーヒドロキシエチル、（メタ）ア
クリルアミド、（メタ）アクリル酸グリシジル、イソシ
アネートエチル（メタ）アクリレート、２−（１−アジ
リジニル）エチル（メタ）アクリレート等の官能基を有
するモノマーが挙げられる。これらの１種を上記主モノ
マーと共重合させてもよいし、また、２種以上を共重合
させてもよい。さらに必要に応じて、酢酸ビニル、アク
リロニトリル、スチレン等の重合性２重結合を有するモ
ノマー、ジビニルベンゼン、（メタ）アクリル酸ビニ
ル、（メタ）アクリル酸アリル等の多官能性のモノマー
を共重合してもよい。

【００１６】本発明に用いる架橋性の官能基を１分子中
に２個以上有する架橋剤は、粘着剤ポリマー中の官能基
と反応させ、粘着力および凝集力を調整するために用い
る。架橋剤としては、テトラメチレンジイソシアネー
ト、ヘキサメチレンジイソシアネート、トリメチロール
プロパンのトルエンジイソシアネート３付加物、ポリイ
ソシアネート等のイソシアネート系化合物、ソルビトー
ルポリグリシジルエーテル、ポリグリセロールポリグリ
シジルエーテル、ペンタエリスリトールポリグリシジル
エーテル、ジグリセロールポリグリシジルエーテル、グ
リセロールポリグリシジルエーテル、ネオペンチルグリ
コールジグリシジルエーテル、レソルシンジグリシジル
エーテル等のエポキシ系化合物、トリメチロールプロパ
ン−トリ−β−アジリジニルプロピオネート、テトラメ
チロールメタン−トリ−β−アジリジニルプロピオネー
ト、Ｎ，Ｎ’−ジフェニルメタン−４，４’−ビス（１
−アジリジンカルボキシアミド）、Ｎ，Ｎ’−ヘキサメ
チレン−１，６−ビス（１−アジリジンカルボキシアミ
ド）、Ｎ，Ｎ’−トルエン−２，４−ビス（１−アジリ
ジンカルボキシアミド）、トリメチロールプロパン−ト
リ−β−（２−メチルアジリジン）プロピオネート等の
アジリジン系化合物、およびヘキサメトキシメチロール
メラミン等のメラミン系化合物、等が挙げられる。これ
らは単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよ
い。

【００１７】上記架橋剤の添加量は、通常、架橋剤中の
官能基数が粘着剤ポリマー中の官能基数よりも多くなら
ない程度の範囲で添加する。しかし、架橋反応で新たに
官能基が生じる場合や、架橋反応が遅い場合など、必要
に応じて過剰に添加してもよい。通常、ウエハ裏面研削
用フィルムの粘着力は、ＳＵＳ−ＢＡ板に対する粘着力
に換算すると１０〜１０００ｇ／ｉｎｃｈ、好ましくは
３０〜６００ｇ／ｉｎｃｈ程度である。ウエハ裏面の研
削条件、ウエハの口径、研削後のウエハの厚み等を勘案
して上記範囲に調整する。目安としては、粘着剤ポリマ
ー１００重量部に対し架橋剤０．１〜３０重量部を添加
して調整する。好ましくは０．３〜１５重量部である。

【００１８】本発明において、粘着剤主剤に架橋剤、必
要に応じてその他各種添加剤等を配合して塗布液を調製
する際の温度、調製後の粘着剤塗布液の保存温度、及び
基材フィルムまたは剥離フィルムへの塗布温度の管理
（以下、これらを総称して管理温度という）が重要であ
る。粘着剤塗布液の管理温度は、粘着剤ポリマーと架橋
剤との反応、架橋剤と水との反応、溶剤の蒸発・飛散等
に影響を及ぼし、粘着剤ポリマーの分子量増大、濃度変
化、架橋剤の活性等に微妙に関係し、ひいては塗工後の
粘着剤層の厚みバラツキ、粘着力バラツキ、被着体へ転
着する異物の多寡、等の原因となる。そのため、半導体
ウエハの裏面を研削する際に、該ウエハとウエハ研削用
フィルムとの間に水が侵入したり、ウエハ研削用フィル
ムを剥離するときにウエハが破損したり、研削完了後の
ウエハの厚み精度が低下したり、半導体ウエハ表面を汚
染することとなる。

【００１９】かかる弊害を防止する観点から、粘着剤塗
布液の管理温度は１０℃以下に維持し、かつ、該温度に
おいて基材フィルムまたは剥離フィルムに塗布すること
が重要である。管理温度の下限値は特に制限されない
が、粘着剤塗布液が凝固すると固液が分離したり、エマ
ルジョンが不安定になる等して塗布性が低下するので、
凝固点を超える温度に維持することが肝要である。

【００２０】本発明において、粘着剤塗布液を調製する
際の温度、粘着剤塗布液の保存温度及び塗布温度を上記
範囲に管理する方法は、特に問わなく、公知の方法で差
支えない。たとえば、１０℃以下の冷媒で冷却すること
が可能な、配合層、塗布装置、保管倉庫等を用いる方法
が挙げられる。

【００２１】基材フィルム及び剥離フィルムのいずれの
片表面に粘着剤塗布液を塗布するかは、基材フィルム及
び剥離フィルムの耐熱性、半導体ウエハ表面の汚染性を
考慮して決める。たとえば、剥離フィルムの耐熱性が基
材フィルムのそれより優れている場合は、剥離フィルム
に塗布し、基材フィルムへ転写する。耐熱性が同等また
は基材フィルムが優れている場合は、基材フィルムへ塗
布し、粘着剤層を形成する。但し、半導体ウエハ裏面研
削用フィルムは、剥離フィルムを剥離したときに露出す
る粘着剤層の表面を介して半導体ウエハ表面に貼付され
ることを考慮し、粘着剤層による半導体ウエハ表面の汚
染防止を図るためには、耐熱性の良好な剥離フィルムを
使用し、その表面に粘着剤を塗布、乾燥して粘着剤層を
形成する方法が好ましい。

【００２２】本発明に用いる基材フィルムとして、合成
樹脂、天然ゴム、合成ゴム等からなるフィルムが挙げら
れる。具体的に例示するならば、エチレン−酢酸ビニル
共重合体、エチレン−メタクリル酸共重合体、ポリブタ
ジエン、軟質塩化ビニル樹脂、ポリオレフィン、ポリエ
ステル、ポリアミド、アイオノマー等の樹脂、およびそ
れらの共重合体エラストマー、およびジエン系、ニトリ
ル系、シリコーン系、アクリル系等の合成ゴム等のフィ
ルムが挙げられる。基材フィルムは単層体であっても、
また、積層体であってもよい。

【００２３】また、基材フィルムの厚みは、裏面研削中
の半導体ウエハの破損防止、粘着剤塗布液の塗布性、半
導体ウエハ表面への貼付作業性および剥離作業性等に影
響する。かかる観点から、基材フィルムの厚みは、通
常、１０〜２０００μｍである。好ましくは１００〜３
００μｍである。さらに、裏面研削中の半導体ウエハの
破損防止を考慮すると、基材フィルムの硬度はＡＳＴＭ
−Ｄ−２２４０に規定されるショアーＤ型硬度が４０以
下である弾性フィルム、例えば、エチレン−酢酸ビニル
共重合体フィルム、ポリブタジエンフィルム等が好まし
く用いられる。この場合、基材フィルムの粘着剤層が設
けられる面と反対側の面に、これより硬いフィルム、具
体的にはショアーＤ型硬度が４０を超えるフィルムを積
層することが好ましい。そのことにより、貼付作業性、
および剥離作業性が改善される。

【００２４】また、集積回路が組み込まれた半導体ウエ
ハの裏面を研削した後に施される酸によるエッチング処
理の際にも引続き、半導体ウエハ裏面研削用フィルムを
用いて半導体ウエハの表面を保護する場合には、耐酸性
に優れた基材フィルムを使用することが好ましい。耐酸
性フィルムを基材フィルムの粘着剤層と反対側に積層し
てもよい。耐酸性のフィルムしては例えばポリプロピレ
ンフィルム等が挙げられる。

【００２５】基材フィルムの厚み精度は、半導体ウエハ
裏面研削用フィルムの厚み精度に影響を与えるため、±
５μｍ以内の精度で作成されたものが好ましい。さらに
好ましくは±３μｍ以内である。

【００２６】本発明に使用する剥離フィルムとして、ポ
リプロピレン、ポリエチレンテレフタレート等の合成樹
脂フィルムが挙げられる。必要に応じてその表面にシリ
コーン処理等が施されたものが好ましい。剥離フィルム
の厚みは、通常１０〜２０００μｍである。好ましくは
３０〜１００μｍである。

【００２７】基材フィルムまたは剥離フィルムの片表面
に粘着剤塗布液を塗布する方法としては、従来公知の塗
布方法、例えばロールコーター法、グラビアロール法、
バーコート法等が採用できる。塗布された粘着剤の乾燥
条件には特に制限はないが、一般的には、８０〜２００
℃の温度範囲において１０秒〜１０分間乾燥することが
好ましい。さらに好ましくは８０〜１７０℃において１
５秒〜５分間乾燥する。

【００２８】粘着剤層の厚みは、半導体ウエハの表面状
態、形状、裏面の研削方法等により適宣決められるが、
半導体ウエハの裏面を研削している時の粘着力、研削が
完了した後の剥離性等を勘案すると、通常２〜１００μ
ｍ程度である。好ましくは５〜７０μｍである。

【００２９】基材フィルムと粘着剤層の接着力を向上さ
せるため、基材フィルムの粘着剤層を設ける面にはコロ
ナ放電処理または化学処理等を施すことが好ましい。ま
た、基材フィルムと粘着剤層の間に下塗り剤を用いても
よい。架橋剤と粘着剤ポリマーとの反応を十分に促進さ
せるために、被粘着剤塗布液の乾燥が終了した後に、半
導体ウエハ裏面研削用フィルムを４０〜８０℃において
５〜３００時間程度加熱しても良い。

【００３０】本発明の半導体ウエハ裏面研削用フィルム
の製造方法は、上記の通りであるが、半導体ウエハ表面
の汚染防止の観点から、基材フィルム、剥離フィルム、
粘着剤主剤等全ての原料資材の製造環境、粘着剤塗布液
の調製、保存、塗布及び乾燥環境は。米国連邦規格２０
９ｂに規定されるクラス１，０００以下のクリーン度に
維持されていることが好ましい。

【００３１】半導体ウエハの表面は、光学顕微鏡で観察
できる程度の大きさの異物が付着していてはならいこと
は無論であるが、近年さらに高性能のものが要求され光
学顕微鏡では観察し難い、例えば、０．１〜０．２μｍ
程度の異物付着による汚染さえ好ましくないとされてい
る。そのため、例えば、レーザー式検査装置を用いて微
細な異物の有無を評価する必要がある。しかし、表面に
集積回路が組み込まれた半導体ウエハは表面に凹凸があ
り、レーザー式検査装置を用いてその表面に付着した異
物を検査することが困難である。従って、本発明では、
表面に集積回路が組み込まれていないシリコンミラーウ
エハに対する汚染性で代替した。

【００３２】

【実施例】以下、実施例を示して本発明についてさらに
詳細に説明する。以下に示す実施例及び比較例は全て米
国連邦規格２０９ｂに規定されるクラス１，０００以下
のクリーン度に維持された環境において粘着剤塗布液の
調製、保存及び塗布を実施した。本発明はこれら実施例
に限定されるものではない。尚、実施例に示した各種特
性値は下記の方法で測定した。 （１）異物付着量（個／４インチウエハ） 試料をその粘着剤層を介して異物が付着していない４イ
ンチのシリコンミラーウエハの全表面に貼付した状態
で、温度２３±２℃、相対湿度５０±５％に調整された
雰囲気中に１時間放置した後、試料を剥離し、シリコン
ミラーウエハの表面に付着した０．１μｍ以上の異物の
数をレーザー表面検査装置（日立電子エンジニアリング
（株）製、形式：ＬＳ−６０００）を用いて計数する。 （２）粘着力（ｇ／ｉｎｃｈ） 試料をその粘着剤層を介して、５×２０ｃｍのＳＵＳ−
ＢＡ板の表面に貼付し、２３℃において１時間放置す
る。試料の一端を挟持し、剥離角度１８０度、剥離速度
３００ｍｍ／ｍｉｎ．でＳＵＳ−ＢＡ板の表面から試料
を剥離する際の応力を測定し、ｇ／ｉｎｃｈに換算す
る。 （３）粘着剤層の厚み精度（μｍ） 無作為に５０×５０ｃｍの試料を採取し、縦横５ｃｍ間
隔で計１００点測定し、その平均値及び標準偏差を求め
る。剥離フィルムと粘着剤層の合計厚みを測定した後、
粘着剤層を除去して剥離フィルムの厚みを測定し、その
差を粘着剤層の厚みとする。

【００３３】実施例１ トルエン６５重量部及び酢酸エチル５０重量部の混合溶
媒中、重合開始剤（日本油脂（株）製、ベンゾイルパー
オキサイド系ナイパーＢＭＴ−Ｋ４０）０．７重量部の
存在下において、アクリル酸エチル４８重量部、アクリ
ル酸２−エチルヘキシル３５重量部、アクリル酸メチル
１５重量部、メタクリル酸２−ヒドロキシエチル２重量
部を８０℃において９時間重合し、粘着剤主剤を合成し
た。得られた主剤１００重量部（固形分濃度４６．５重
量％）に対して、トルエン３５重量部、酢酸エチル３５
重量部を加えて希釈し、さらに希釈溶液を５℃に冷却し
た後、イソシアネート系架橋剤（三井東圧化学（株）
製、オレスターＰ６０−ＳＸ）０．８重量部を添加して
粘着剤塗布液を得て、それを５℃において保存した。

【００３４】この粘着剤塗布液を５℃に維持しながらロ
ールコーターを用いて表面にシリコーン処理を施した厚
さ４０μｍのポエチレンテレフタレートフィルム（剥離
フィルム）に塗布し、１２０℃において１分間乾燥し、
厚さ１５μｍの粘着剤層を設けた。次いで、得られた粘
着剤層の表面にコロナ放電処理を施した厚さ２００μｍ
のエチレン−酢酸ビニル共重合体フィルム（基材フィル
ム）の該処理面を貼り合わせ、押圧して粘着剤層を基材
フィルムに転写して半導体ウエハ裏面研削用フィルムを
得た。この半導体ウエハ裏面研削用フィルムを５時間連
続で製造した。得られた半導体ウエハ裏面研削用フィル
ムを６０℃において２４時間加熱した後、室温まで冷却
した。得られた半導体ウエハ裏面研削用フィルムの製造
開始直後及び製造開始５時間経過時のサンプルについ
て、粘着力、異物付着量および粘着剤層の厚み精度を上
記の方法により評価した。得られた結果を〔表１〕に示
す。

【００３５】実施例２ 粘着剤塗布液の調製温度、保存温度および塗布温度を８
℃とし、基材フィルムとしてコロナ放電処理を施した厚
さ１２０μｍのエチレン−酢酸ビニル共重合体フィルム
を用いた以外、実施例１と同様にして半導体ウエハ裏面
研削用フィルムを製造した。得られた半導体ウエハ裏面
研削用フィルムについて、実施例１と同様の方法で各特
性を評価した。得られた結果を〔表１〕に示す。

【００３６】比較例１ 粘着剤塗布液の調製温度、保存温度および塗布温度を２
５℃とした以外、実施例１と同様にして半導体ウエハ裏
面研削用フィルムを製造した。得られた半導体ウエハ裏
面研削用フィルムについて、実施例１と同様の方法で各
特性を評価した。得られた結果を〔表１〕に示す。

【００３７】

【表１】

【００３８】実施例３ 重合反応機に脱イオン水１５０重量部、ノニオン系界面
活性剤（第一工業製薬（株）製、商品名：６０％エマル
ジット２５）２重量部、過硫酸アンニウム０．５重量
部、アクリル酸ブチル７５重量部、メタクリル酸メチル
１４重量部、メタクリル酸−２−ヒドロキシエチル９重
量部、メタクリル酸２重量部を添加し、撹拌下で７０℃
において９時間乳化重合を実施し、アクリル樹脂系水エ
マルジョンを得た。これを１４％アンモニア水で中和
し、固形分約４０重量％の粘着剤主剤エマルジョンを得
た。得られた粘着剤主剤１００重量部（固形分濃度約４
０重量％）を採取し、さらに１４％アンモニア水を加え
てｐＨ９．３に調整し、５℃に冷却した。次いで、アジ
リジン系架橋剤（日本触媒化学工業（株）製、ケミタイ
トＰＺ−３３）２重量部、および増膜助剤としてジエチ
レングリコールモノブチルエーテル５重量部を添加して
粘着剤塗布液を得た。それを５℃において保存した。

【００３９】この粘着剤塗布液を５℃に維持しながらロ
ールコーターを用いてポリプロピレンフィルム（剥離フ
ィルム）に塗布し、１２０℃で１分間乾燥し厚さ１５μ
ｍの粘着剤層を設けた。次いで、コロナ放電処理を施し
た厚さ２００μｍのエチレン−酢酸ビニル共重合体フィ
ルムの該処理面を貼り合わせ押圧して、粘着剤層を転写
させることにより半導体ウエハ裏面研削用フィルムを製
造した。この半導体ウエハ裏面研削用フィルムを５時間
連続で製造した。得られた半導体ウエハ裏面研削用フィ
ルムを６０℃において４８時間加熱した後、室温まで冷
却した。得られた半導体ウエハ裏面研削用フィルムの製
造開始直後及び製造開始５時間経過時のサンプルについ
て、粘着力、異物付着量および粘着剤層の厚み精度を上
記の方法により評価した。得られた結果を〔表２〕に示
す。

【００４０】実施例４ 粘着剤塗布液の調製温度、保存温度及び塗布温度を８℃
とし、基材フィルムとして厚さ７０μｍのエチレン−酢
酸ビニル共重合体フィルムと厚さ４０μｍの２軸延伸ポ
リプロピレンフィルムが積層された積層フィルム（合計
厚み１１０μｍ、コロナ放電処理はエチレン−酢酸ビニ
ル共重合体フィルム側に施した）を用いた以外、実施例
３と同様にして半導体ウエハ裏面研削用フィルムを製造
した。得られた半導体ウエハ裏面研削用フィルムについ
て、実施例３と同様の方法で各特性を評価した。得られ
た結果を〔表２〕に示す。

【００４１】比較例２ 粘着剤塗布液の調製温度、保存温度および塗布温度を２
５℃とした以外、実施例３と同様にして半導体ウエハ裏
面研削用フィルムを製造した。得られた半導体ウエハ裏
面研削用フィルムについて、実施例３と同様の方法で各
特性を評価した。得られた結果を〔表２〕に示す。

【００４２】

【表２】

【００４３】実用試験 集積回路が組み込まれた半導体シリコンウエハ（径：４
インチ）の表面に，実施例１〜４で得られた半導体ウエ
ハ裏面研削用フィルムを貼付し、研削機〔（株）ディス
コ社製、バックグラインダーＤＦＧ−８２１Ｆ／８〕を
用いて，水をかけて冷却しながら半導体シリコンウエハ
の裏面を研削した。研削中にシリコンウエハの表面と研
削用フィルムとの間に水が侵入することがなく、また、
研削応力によりシリコンウエハが破損することがなかっ
た。研削完了後に研削用フィルムを剥離する際にもシリ
コンウエハが破損することがなかった。また、集積回路
の電気特性に異常が認められなかった。

【００４４】

【発明の効果】本発明の半導体ウエハ裏面研削用フィル
ムの製造方法は、粘着剤塗布液を特定の温度以下の低温
に維持しながら、調製、保存及び塗布することを特徴と
する方法であり、粘着剤塗布液に含まれる粘着剤ポリマ
ーと架橋剤との反応、架橋剤と水との反応等による架橋
剤の失活、粘着剤塗布液の液濃度変化、等の防止を図る
ものである。そのため、本発明によれば、粘着剤塗布液
の経時的変質、粘着剤層の厚みバラツキが防止され、粘
着力のバラツキが少なく、半導体ウエハの表面を汚染す
ることのない半導体ウエハ裏面研削用フィルムが安定し
て製造し得る。

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【手続補正書】

【提出日】平成７年１２月１日

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００３０

【補正方法】変更

【補正内容】

【００３０】本発明の半導体ウエハ裏面研削用フィルム
の製造方法は、上記の通りであるが、半導体ウエハ表面
の汚染防止の観点から、基材フィルム、剥離フィルム、
粘着剤主剤等全ての原料資材の製造環境、粘着剤塗布液
の調製、保存、塗布及び乾燥環境は、米国連邦規格２０
９ｂに規定されるクラス１，０００以下のクリーン度に
維持されていることが好ましい。

【手続補正２】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００３３

【補正方法】変更

【補正内容】

【００３３】実施例１ トルエン６５重量部及び酢酸エチル５０重量部の混合溶
媒中、重合開始剤（日本油脂（株）製、ベンゾイルパー
オキサイド系ナイパーＢＭＴ−Ｋ４０）０．７重量部の
存在下において、アクリル酸エチル４８重量部、アクリ
ル酸２−エチルヘキシル３５重量部、アクリル酸メチル
１５重量部、メタクリル酸２−ヒドロキシエチル２重量
部を８０℃において９時間重合し、粘着剤主剤を合成し
た。得られた主剤１００重量部（固形分濃度４６．５重
量％）に対して、トルエン３５重量部、酢酸エチル３５
重量部を加えて希釈し、さらに希釈溶液を５℃に冷却し
た後、イソシアネート系架橋剤（三井東圧化学（株）
製、オレスターＰ４９−６０−ＳＸ）０．８重量部を添
加して粘着剤塗布液を得て、それを５℃において保存し
た。

【手続補正３】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００３８

【補正方法】変更

【補正内容】

【００３８】実施例３ 重合反応機に脱イオン水１５０重量部、ノニオン系界面
活性剤（第一工業製薬（株）製、商品名：６０％エマル
ジット２５）２重量部、過硫酸アンモニウム０．５重量
部、アクリル酸ブチル７５重量部、メタクリル酸メチル
１４重量部、メタクリル酸−２−ヒドロキシエチル９重
量部、メタクリル酸２重量部を添加し、撹拌下で７０℃
において９時間乳化重合を実施し、アクリル樹脂系水エ
マルジョンを得た。これを１４％アンモニア水で中和
し、固形分約４０重量％の粘着剤主剤エマルジョンを得
た。得られた粘着剤主剤１００重量部（固形分濃度約４
０重量％）を採取し、さらに１４％アンモニア水を加え
てｐＨ９．３に調整し、５℃に冷却した。次いで、アジ
リジン系架橋剤（日本触媒化学工業（株）製、ケミタイ
トＰＺ−３３）２重量部、および造膜助剤としてジエチ
レングリコールモノブチルエーテル５重量部を添加して
粘着剤塗布液を得た。それを５℃において保存した。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 藤井 靖子 愛知県名古屋市南区丹後通２丁目１番地 三井東圧化学株式会社内

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基材フィルムの片面に粘着剤層が設けら
   れ、さらに該粘着剤層の表面に剥離フィルムが配設され
   た半導体ウエハ裏面研削用フィルムの製造方法であっ
   て、基材フィルム及び剥離フィルムから選ばれた一方の
   フィルムの片面に、液温が１０℃以下、凝固点を超える
   温度に調節された粘着剤塗布液を塗布、乾燥して粘着剤
   層を形成し、次いで該粘着剤層の表面に基材フィルム及
   び剥離フィルムから選ばれた他方のフィルムを貼付する
   ことを特徴とする半導体ウエハ裏面研削用フィルムの製
   造方法。
2. 【請求項２】 剥離フィルムの片面に粘着剤塗布液を塗
   布、乾燥して粘着剤層を形成し、次いで該粘着剤層の表
   面に基材フィルムを貼付することを特徴とする請求項１
   記載の半導体ウエハ裏面研削用フィルムの製造方法。
3. 【請求項３】 粘着剤層の表面に基材フィルム及び剥離
   フィルムから選ばれた他方のフィルムを貼付した後、４
   ０〜８０℃において５〜３００時間熱処理を施すことを
   特徴とする請求項１記載の半導体ウエハ裏面研削用フィ
   ルムの製造方法。
4. 【請求項４】 基材フィルムが、エチレン−酢酸ビニル
   共重合体フィルムである請求項１乃至３のいずれかに記
   載の半導体ウエハ裏面研削用フィルムの製造方法。
5. 【請求項５】 剥離フィルムが、ポリプロピレンフィル
   ム及びポリエチレンテレフタレートフィルムから選ばれ
   たフィルムである請求項１乃至３のいずれかに記載の半
   導体ウエハ裏面研削用フィルムの製造方法。
6. 【請求項６】 粘着剤塗布液が、粘着剤ポリマーと架橋
   剤を含む溶液及びエマルジョン液から選ばれた１種の塗
   布液であることを特徴とする請求項１乃至２のいずれか
   に記載の半導体ウエハ裏面研削用フィルムの製造方法。
7. 【請求項７】 粘着剤塗布液の塗布及び乾燥をクラス１
   ０００以下のクリーン度の環境で実施することを特徴と
   する請求項１乃至２のいずれかに記載の半導体ウエハ裏
   面研削用フィルムの製造方法。