TWI272670B

TWI272670B - Development device and development method

Info

Publication number: TWI272670B
Application number: TW093139670A
Authority: TW
Inventors: Atsushi Ookouchi; Taro Yamamoto; Hirofumi Takeguchi; Hideharu Kyouda; Kousuke Yoshihara
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2003-12-26
Filing date: 2004-12-20
Publication date: 2007-02-01
Also published as: WO2005064656A1; EP1708252A4; US8026048B2; CN101697065B; JP2005210059A; US20100330508A1; JP4369325B2; US20090130614A1; CN1918694B; EP1708252A1; US7823534B2; KR20070007262A; TW200536000A; CN1918694A; CN101697065A; KR101160704B1

Description

1272670 (1) 九、發明說明【發明所屬之技術領域】本發明係有關用於顯像表面塗敷有抗鈾劑且經過曝光後之基板之顯像裝置及顯像處理方法。【先前技術】在半導體製造工程之一的光阻劑工程上，是在半導體晶圓（以下簡稱晶圓）表面塗敷抗蝕劑，並以特定之圖案曝先該ί/L触劑後顯像以形成抗触圖案（r e s i s t p a 11 e r η )。該項處理通常係利用在進行塗敷與顯像抗蝕劑之塗敷顯像裝置上連接曝光裝置之系統來進行。先則之顯像裝置有如圖1 7所示，在基板保持部1上面將晶圓W保持水平，並在該晶圓W表面浮動些許之位置配置具有細小排出孔之顯像液噴嘴U。然後，使晶圓w 旋轉於垂直軸周圍，同時邊由顯像液噴嘴！〗排出顯像液，邊將該顯像液噴嘴1 1移動至晶圓W之旋轉半徑方向，俾在晶圓W表面將顯像液盛滿成螺旋狀（圖1 7(a))。然後，在晶圓W表面盛滿顯像液丨2之狀態下，進行靜止顯像經過例如60秒之顯像時間後（圖17(b))，由沖洗液噴嘴.13對晶圓 W之中央供應沖洗液]4例如純水（圖i7(c))。藉此，對於顯像液不溶解之部位之抗蝕劑會殘留而得到特定之抗蝕圖案（resist pattern)(例如，參照專利文獻1)。另外，常見之其他之方法有，如圖1 8所示，將配置於移動方向之前後之顯像液噴嘴1 1與沖洗噴嘴1 3以例如未圖 -5- (2) 1272670 不之共同之噴嘴臂（η ο z z 1 e a r m )所支撑，俾使基板保持部1 上面之晶圓W垂直旋轉於軸周圍，同時邊分別排出顯像 · 液與沖洗洗液，邊將顯像液與沖洗液噴嘴n與沖洗噴嘴j 3

〆 V 由晶圓w之一端緣向中央部移動。藉此可以迅速以沖洗液去除供應至晶圓W表面之顯像液以顯像之方法（例如，參照專利文獻2)。 [專利文獻1]特開平7-263 3 02號公報 [專利文獻2]特開200 1 -284206號公報 φ .【發明內容】惟上述顯像方法有如下之問題。即，如專利文獻1所述’在晶圓 W表面盛滿顯像液以進行攪煉方式 (puddlemethod)之顯像（靜止顯像）時，因爲抗蝕劑通常爲疏水性，因此，若盛液量過少時，由於表面張力，在晶圓 W上之顯像液間互相牽引而發生後移（puii back)現象，結果有時發生未被顯像之部位（無法塗敷顯像液之部位）。因 · 此，爲使即使因表面張力而在液間互相牽引，顯像液可以覆蓋表面整體，非在晶圓W表面增加顯像之量不可，結果，顯像液之使用量變多。顯像液之使用量變多，製成成本亦隨著增加。因此，有如專利文獻2所描述之不進行靜止顯像之攪煉方式之檢討，惟由細小排出孔供應顯像液時，例如，若將排出孔徑縮小以減少顯像液之使用量時，則對晶圓 W供應顯像液之時間拉長，不但延長顯像處理時間’而且無法確保在晶冬 (3) (3)1272670 圓W面內之均勻之顯像時間。其他問題有如專利文獻2所述，若從配置於顯像液噴嘴之後方之沖洗噴嘴供應純水以直接去除顯像液時，尤其在處理對顯像液溶解性低的抗蝕劑時，無法確保充分之顯像時間，例如有時會呈現圖案（pattern)側面之下側（尤其是圖案之谷間）無法被顯像之不全（u n d e r)顯像之情形。結果，在顯像所得之抗蝕圖案之線寬精密度在表面內有參差之虞。另外，上述所謂之「顯像時間」係指顯像液接觸抗蝕劑界面之時間，所謂「充分之顯像時間」係指將抗蝕劑溶解至獲得預定之線寬尺寸之時間。尤其只要未加說明，以下皆同。另外，所謂「顯像處理時間」係指例如由將晶圓 W搬入顯像裝置中到結束處理並搬出該裝置外部爲止之一連串工程所需要之時間。尤其只要未特別加以說明，以下皆同。本發明是基於上述問題而完成者，其目的在提供一種顯像裝置與顯像處理方法，其在顯像表面塗敷有抗蝕劑並經過曝光後之基板時，可以較少顯像液量於短時間影像。 [解決課題之方法] 本發明之顯像裝置之特徵具備：基板保持部，將表面塗敷有抗蝕劑且經過曝光後之基板保持於水平狀；旋轉驅動機構，使保持有基板之基板保持部垂直旋轉 -7- (4) (4)1272670 於軸周圍；顯像液噴嘴，配置成與保持在上述基板保持部之基板表面相對面，並具有由該基板之周緣延伸至中央部側之帶狀排出口；以及移動機構，使該顯像液噴嘴橫向移動；並且使基板垂直旋轉於軸周圍，同時邊由上述排出口排出帶狀之顯像液，邊使顯像液噴嘴由基板外側移向中央部俾對基板表面供應顯像液成螺旋狀。上述排出口也可以形成爲例如寬度爲0.1 m m至1 m m，長度爲8 m m至1 5 m m之構造。另外，上述顯像裝置也可以爲具有隨著進行顯像處理之基板上之抗蝕劑之種類與圖案形狀之至少一方以調整顯像液之溫度的溫度調整部之構造。此外，顯像液噴嘴也可以設置多個，同時在各顯像液噴嘴分別設置用於調整顯像液之溫度的溫度調整部，並具備由上述多個顯像液噴嘴中，依據進行顯像處理之基板上之抗蝕劑之種類與圖案形狀之至少一方選擇調整過溫度之顯像液噴嘴之手段。此時，也可以設定在選擇一方之顯像液噴嘴時，可以調整另一方之顯像液噴嘴之顯像液之溫度。再者也可以構成具有可以記憶連貫進行顯像處理之基板上之抗蝕劑之種類與圖案形狀之至少一方與顯像液之溫度之資料，並根據該項資料控制溫度調整部控制成爲與基板相符之顯像液之溫度的控制部。此外，在各顯像液噴嘴上除了上述溫度調整部之外也可以另設有顯像液之濃度調整部，而被選擇之顯像液噴嘴 (5) (5)1272670 之顯像液可依照抗鈾劑之種類與圖案形狀之至少一方調整溫度與濃度之構造，此時也可以在選擇一方之顯像液噴嘴鸚時，對另一方之顯像液噴嘴調整顯像液之溫度與顯像液之 % 濃度。再者，也可以具備控制部，用於記憶連貫進行顯像處理之基板上之抗蝕劑種類與圖案形狀之至少一方與顯像液之溫度與濃度之資料，並根據該資料控制溫度調整部與濃度調整部俾成爲與該基板相符之顯像液之溫度與濃度。另外，也可以在被供應顯像液之上述基板表面具備表面處 φ 理液噴嘴以供應用於提高潤濕性之表面處理液。也可以具備對被供應顯像液後之基板表面供應沖洗液噴嘴，以及活化劑供應噴嘴，用於對以該沖洗液噴嘴供應沖洗液之基板表面供應界面活化劑以減少該基板表面與沖洗液之液摩擦。另外，也可以設成由基板外側將顯像液噴嘴移向中央部時，該排出口靠近基板中央之前端在與基板旋轉軸一致之位置停止移動。本發明之顯像方法之特徵包含： φ 將表面塗敷有抗蝕劑且經過曝光後之基板水平保持於基板保持部之工程；使該基板旋轉於垂直軸周圍，同時邊對基板表面，排出由周緣向中央部側延伸之帶狀顯像液，邊將顯像液噴嘴由基板周緣移向中央部，邊沿著表面將顯像液流向外側邊對基板表面螺旋狀地供應顯像液之工程；以及在停止供應來自顯像液噴嘴之顯像液之前或停止後’ 利用沖洗液噴嘴對基板表面供應沖洗液之工程。 -9- (6) (6)1272670 上述顯像液噴嘴可以形成爲例如寬度〇. 1mm至lmm. 長度爲8 m m至1 5 m m。另外，也可以設成依據進行顯像處 _ 理之基板上之抗蝕劑種類與圖案形狀之至少一方調整顯像 % 液之溫度。也可以含有由被調整成顯像液之溫度互異之溫度之多個顯像液噴嘴之中，選擇符合進行顯像處理之基板上之抗蝕劑之種類與圖案形狀之至少一方之顯像液噴嘴之工程；此時也可以含有正在選擇一方之顯像液噴嘴時，對另一方之顯像液噴嘴調整顯像液之溫度之工程。另外也可 φ 以依據進行顯像處理之基板上之抗蝕劑種類與圖案形狀之至少一方調整顯像液之溫度與濃度，此時，也可以包含正在選擇一方之顯像液噴嘴時，對另一方之顯像液調整顯像液之溫度與顯像液之濃度之工程。另外，也可以含有由基板之周緣將上述顯像液噴嘴移向中央部之工程，以及至少將沖洗液噴嘴移動至其附近直到顯像液噴嘴停止排出顯像液爲止之工程。此外，供應顯像液之工程也可以包括邊排出顯像液邊多次進行將顯像液 φ 噴嘴由基板周緣移向中央部之動作，或將噴嘴由基板周緣移向中央部之後，於特定時間內對中央部供應顯像液之工程。另外，也可以進一步含有對供應顯像液之前的基板表面供應用於提高潤濕性之表面處理液之工程。另外，可以另外含有對已供應顯像液後之基板表面供應沖洗液之工程，以及對已供應該沖洗液之基板表面供應界面活化劑以減少該基板表面與沖洗液之液摩擦之工程。再者，也可以設成由基板外側將顯像液噴嘴移向中央部時，該排出口之靠 - 10- (7) (7)1272670 近基板之中央之前端在與基板之旋轉軸一致之位置停止移動。利用本發明，在構造上可以藉由對旋轉於垂直軸周圍之基板螺旋狀地供應由其周緣向中央部側延伸之帶狀顯像液’將顯像噴嘴之移動速度設大以謀求縮短顯像時間。另外，還可形成厚度薄的顯像液膜，因此可以減少顯像液之使用量。利用本發明，藉將抗蝕劑之種類分別調節成特定溫度之顯像液供應至基板表面以進行顯像，即可縮短例如低溶解性之抗蝕劑之顯像時間，因此，也可以利用例如設定於高度溶解性之抗蝕劑之處理條件之顯像裝置處理該低溶解性之抗蝕劑。亦即，藉由調節顯像液之溫度以控制抗蝕劑之溶解性，可以利用共同之顯像裝置處理塗敷有不同溶解性之各種抗蝕劑之基板。【實施方式】茲邊參照圖1與圖2邊說明本發明之實施形態之顯像裝置。圖中之2係用於吸引吸附基板，如晶圓W之背面中央部以保持水平姿勢之基板保持部之旋轉夾頭（spin chuck) 。旋轉夾頭2藉由旋轉軸2 1與旋轉驅動機構之驅動機構2 2 相連接，構造上可以保持晶圓 W之狀態旋轉與升降。另外，在本例中，設定成晶圓W之中心位於旋轉夾頭2之旋轉軸上。但是，在本發明中，晶圓 w之中心並一定必須位於旋轉軸上，而是晶圓W之中心只要位於例如距離旋 -11 - (8) (8)1272670 轉軸半徑1至1511^1以內之區域即可° 圍繞旋轉夾頭2上之晶圓W設有上方開口之帽罩（CUP) 體3。該帽罩體3係由上部爲四角形而下部爲圓筒狀之外帽罩3 1，以及上部向內側傾斜之筒狀內帽罩3 2所形成，在構造上藉由連接於外帽罩3 1下端部之升降部3 3升降外帽罩3 1 ，另外，內帽罩3 2被形成於外帽罩3 1下端側內周面之段部推上而成可升降狀態。另外，在旋轉夾頭2之下方設有圓形板3 4，而在該圓形板3 4之外側四周設有剖面被形成爲凹狀之受液部3 5。受液部3 5底面形成有排液口 3 6，由晶圓W溢落或被甩開而儲留於受液部35之顯像液或沖洗液經由該排液口 3 6排出裝置外部。此外，在圓形板34之外側設有剖面呈山形之環形構件3 7。此外，雖未圖示，設有貫穿圓形板3 4之例如3支基板支撑銷之升降銷，構造上係藉由該升降銷.與未圖示之基板搬運手段之協同作用將晶圓W交接於旋轉夾頭2。接著要說明對晶圓W表面供應顯像液之顯像液供應手段。可升降與水平移動之第1顯像液噴嘴4 A與第2顯像液噴嘴4 B設在面對被保持於旋轉夾頭2之晶圓 W表面。茲針對第1顯像液噴嘴4 A利用圖3與圖4詳細說明如下，而桌2藏像液噴嘴4 B之構造與第1顯像液噴嘴4 a相同，因此在以下說明中，在第2顯像液噴嘴4B之各構件附註以「B 」而略去詳細說明。首先如圖3所示，係將第〗顯像液噴嘴 4 A形成例如向下縮小之楔形，而在其下端面設有例如開艴形排出口 4 1 A，係在例如長度l ]爲8至I 5 m η]，寬L 2爲 -12 - (9) (9)1272670 0.1至1mm，較佳爲寬L2爲0.1至0.5mm之範圍內形成而用於排出帶狀之顯像液之帶狀排出口。該排出口 4 1 A被配置成其長度方向由晶圓 W周緣朝向中央部側。在此所謂「由周緣朝向中央部側延伸之開縫狀」不—僅包含由晶圓 W 之一端緣沿著朝向中央部之直線（半徑）延伸之情形，也包含對該直線交叉於些許角度之情形。另外，所謂「帶狀」實質上呈現帶狀即可，包含例如水平剖面沒有嚴密地呈現長方形也可以’例如呈梯形或各邊爲波浪形之情形也包含於帶狀中。另外，如圖4所示，排出口 4 1 A係與形成於內部之液儲留部42A連通。液儲留部42A與供應路如顯像液配管 43 A之一端相連接，該顯像液配管43 A之另一端係與顯像液之供應源4 4 A相連接。在顯像液配管4 3 A中途設有用於調節顯像液之溫度之主溫度調整部4 5 A，例如熱交換器，以及藉由改變未圖示之送液手段，如排出行程（str〇ke)即可調節排出流量之隔膜系（b e 1 ] 〇 w s p u m p )等。另外，在顯像液配管4 3 A之一部分，例如第1顯像液噴嘴4 a上端面附近稱爲靠近上游側部位設有溫調水流路，例如溫調水配管 4 6 A俾圍繞其外側，藉此形成顯像液配管4 3 a與溫調水用配管46A互相重疊之雙重管47A。亦即，該雙重管47 A構成輔助溫度調節部，並藉由分隔顯像液與溫調水之管壁，在顯像液與溫調水之間進行熱交換以便將顯像液調節至特定之溫度。此外，由雙重管4 7 A兩端延伸之溫調水用配管 4 6 A互相連接而形成循環管路’而在該循環管路中途設置 -13- (10) 1272670 用於調節溫調水儲留部48A與溫調水之溫度之溫度調節部 49A ’例如熱交換器。亦即，在構造上，藉由主溫度調節部45A與輔助溫度調節部之雙重管47A，可以將顯像液調節至特定溫度例如5至60 °C。再者，在此所謂「主」，「輔助」係爲說明之方便而附加者。此外，並不一定非具備主溫度調節部45A與輔助溫度調節部之雙重管47A雙方不可’也可以爲具備任何一方之構造。再參照圖2，顯像液噴嘴4A(4B)係被支撑於支撑構件之噴嘴臂5A(5B)之一端側，該噴嘴臂5A(5B)之另一端側與未圖示之具備升降機構之移動基體5A(5B)相連接，另外，移動基體51 A(51B)在構造上可以沿著例如單元之外裝體底面延伸至X方向之引導構件52A(52B)橫方移動。另外，圖中53爲顯像液噴嘴4A(4B)之準備部，在該噴嘴準備部53 進行噴嘴前端部之淸洗等。另外，在晶圓 W表面對面設有用於排出沖洗液，如純水之具有細小排出孔60之水平移動與昇降自如之沖洗液噴嘴6。在沖洗液噴嘴6連接有供應管路如沖洗液配管6 ]之一端，而該沖洗液配管6 ]之另一端與沖洗液之供應源6 72 相連接，並且在其中途設有可以藉由改變未圖示之送液手段，例如排出行程以調節吐出流量之隔膜泵等。此外，沖洗液噴嘴6係藉由噴嘴臂63與具有未圖示之升降機構之移動機體64相連接，而該移動機體64在構造上可以沿著例如上述引導構件52A橫向移動而不干擾第]顯像液噴嘴。另外，圖中之65爲沖洗液噴嘴6之準備部。 -14 - (11) (11)1272670 再者，圖中之7爲控制部，該控制部7具有控制驅動機構22，升降部33，移動機體51 A，51B，64之操作之功能。另外，該控制部7具有控制主溫度調節部45A(4 5 B)與輔助溫度調節部之雙重管47A(47B)之溫調操^乍之功能。如詳細說明，則在具備控制部7之記憶部，如記憶體中記憶著與抗触劑之種類相對應之例如在5至6 0 °C之範圍內所決定之顯像液之溫度設定値之資訊，根據塗敷於將要顯像處理之晶圓 W之抗蝕劑種類決定顯像液之溫度設定値。亦即，根據相對於顯像液之.抗蝕劑之每一種之溶解特性分別控制顯像液之溫度。此外，若能根據抗蝕劑之種類決定顯像液之溫度設定値，即不必在控制部7之記憶體中記憶該等資訊，例如也可以由操作人員利用控制部7之輸入手段輸入溫度設定値。在此，舉出一例以說明與抗蝕劑之種類相對應之顯像液之溫度設定値。例如以KrF光源用之抗蝕劑爲例，在相對於顯像液爲溶解性低之抗蝕劑種類時，應將顯像液之溫度設定値設定於較高之例如4 〇至6 0 °C。再者，例如近年被檢討有適用可能性之ArF光源用之抗蝕劑，則在例如相對於顯像液爲溶解性高之抗蝕劑種類時，應將顯像液.之溫度設定値設定於較低之例如20至4〇°C。另外，若係如I線， G線等之光源用抗蝕劑，在低溫時可以促進溶解性之抗蝕劑時，則將溫度設定値設定於例如1 0至20 °C。通常是否爲 KrF或ArF用是依其溶解速度來區別，而不是依據是否爲 KrF用或ArF用來決定其溫度，進而掌握促進抗蝕劑之溶 _ 15- (12) 1272670 解之溫度係在高溫側或低溫側，然後設定其具體之溫度。接著，說明利用上述顯像裝置顯像做爲基板之晶圓W 之工程。首先，在外帽罩3 1，內帽罩32在下降位置，顯像液噴嘴4 A，4 B與沖洗噴嘴6分別配置於噴嘴準備部5 3，6 5 上方之狀態下，在其表面塗敷抗蝕劑，並利用未圖示之基板搬運手段搬入曝光後之晶圓W，即藉由該基板搬運手段與未圖示之升降銷之協同作用，將晶圓W交接於旋轉夾 .頭2。另方面，例如在將晶圓W交接到旋轉夾頭2之間，控制部7即根據塗敷於晶圓W之抗蝕劑種類決定顯像液之溫度設定値，並且依據主溫度調整部45A與雙重管47 A進行溫度調節，俾所選擇之顯像液噴嘴4 A (或4 B )之顯像液之溫度成爲該溫度設定値。亦即，等於控制部7由顯像液噴嘴4A，4B之中選擇了依據要進行顯像之晶圓W調節過溫度之顯像液噴嘴4A(或4B)。然後，外帽罩3 1與內帽罩3 2被設定於上升位置，同時如圖5 (a)所示，將所選擇之任一方之顯像液噴嘴，例如顯' 像液噴嘴4 A配置於僅離開顯像液之排出開始位置之例如晶圓W之一端側之外緣之外側且由離開晶圓W表面較高之位置，同時在例如離開晶圓 W之另一端側之外緣些許之外側，且離開晶圓W表面稍高之位置配置沖洗液噴嘴6 俾可以設定排出孔60。在本例中，係將排出口 4 1 A設定於距離晶圓 W表面例如1至2 0mm高之位置。另外，另一方之顯像液噴嘴之顯像液噴嘴4B係在噴嘴準備部5 3上方保持準備狀態（詳情後述），惟在該晶圓W被顯像處理之間， -16- (13) (13)1272670 進行爲下一晶圓W之處理之準備動作。然後，如圖5(b)所示，將晶圓 W以例如5 0 0rpm以上，本例中以]〇〇〇至1 2 0 0 rp m之旋轉速度旋轉於垂直軸周圍，同時邊由排出口 4 1 A將顯像液D排出如帶狀，邊由顯像液噴嘴4 A朝向旋轉半徑方向，即晶圓W之外側向中央側移動。噴嘴之移動速度係設定於例如在8吋大晶圓W時在 1至2秒內排出口 4 1 A可以到達晶圓 W之中央部上方，例如晶圓W之中心。此外，上述晶圓W之旋轉速度與噴嘴之移動速度之設定値宜根據帶狀之顯像液D之寬度，即排出口 4A(4B)長度之設定値，以例如計算或事先進行測驗來決定，俾使顯像液D可以毫無間隙地排列於例如晶圓 W之半徑方向。另外，即使由僅距離晶圓 W之旋轉半徑錯開橫向之位置，例如離開旋轉半徑1 m m以內之區域移動顯像液噴嘴4A(4B)時，也可以實質上獲得本發明·之效果，因此該情形也包含於本發明之技術範圍。除此之外，本發明人等經由實驗確認了在將晶圓W之旋轉.速度設定小於5 OOrpm時，即無法將顯像後所得之圖案線寬在企望之面內確保其均勻性。因此，由排出口 4 1 A排出如帶狀之顯像液D會例如圖 6所示之模式，由晶圓W外側向內側排列成毫無間隙，藉以將顯像D供應至晶圓W之表面整體成螺旋轉。然後，如圖7所示’由於旋轉中之晶圓W之離心力之作用，顯像液D沿著晶圓W表面擴展至外側，結果在晶圓w表面形成薄膜狀之液膜。然後，抗蝕劑之溶解性部位溶解於顯像 _ 17- (14) (14)1272670 液D，然後，殘留用於形成圖案之不溶解性之部位。在此，上述之所謂「排出口 4 1 A到達晶圓 W之中心」是指晶圓 W之中心線位於排出口 4 1 A之投影區域內」。但是，隨著例如抗蝕劑之種類，例如圖8所示，宜在靠近晶圓W 之排出口 4 1 A之側端面，即排出口 4 1 A之前端與晶圓W之中心線一致或中心線位於靠近其外側1 mm以內之處時，使噴嘴停止。若設成此種構造，其優點是可以減少在晶圓 W之中央部需要塗敷顯像液兩次之部位。此外，嚴格來說，供應顯像液時縱使相鄰之顯像液間有些許空隙，或相鄰之顯像液之一部互相重疊，由於晶圓W之旋轉，顯像液會相連接.，因此此積情形也包含於權利範圍中。另一方面，沖洗液噴嘴6係配合例如顯像液噴嘴4A開始移動之時序（timing)，設定使沖洗液噴嘴6與第一顯像液噴嘴4 A相對向同步移動於晶圓w之旋轉半徑之方向之顯像液噴嘴4 A之附近（準備位置）。亦即若將晶圓w之中央部上方做爲沖洗液之排出位置時，即將沖洗液噴嘴6停止於其稍前方。在此’顯像液噴嘴4 A進行上述特定時間之排出後〃即停止排出動作而迅速後退。然後，如圖5(c)所示，沖洗液噴嘴6被配置於晶圓W之中央部上方俾接替該第1顯像液噴嘴4A ’然後，在顯像液噴嘴4A停止顯像液之供應後立即迅速由沖洗液噴嘴6僅排出例如特定時間之沖洗液R 以供應至晶圓W之表面。由於顯像液噴嘴4 a與沖洗液噴嘴6之接替係在瞬間或極時間內進行，所以在本例中等於 -18 - (15) 1272670 是使顯像液噴嘴4A由晶圓W外側移向中央側之時間爲顯像時間。另外，沖洗液R只要至少在顯像液乾燥之前供應即可，在停止顯像液之排出之後，爲確保配合例如抗蝕劑之溶解速度之充分顯像時間，在停止供應顯像液後，雖可以配合晶圓W之旋轉速度，但是在例如晶圓W之旋轉速度超過5 0 0rpm時，也可以在例如兩秒鐘以內供應沖洗液。亦即，所謂「停止顯像液之供應之後立即」意指由顯像液噴嘴4A停止顯像液之排出之例如2秒鐘以內。此時，顯像液噴嘴4A之移動時間（掃描時間）加上由顯像液噴嘴4A 後退至供應沖洗液R爲止所需時間等於顯像時間。但是，並不一定停止顯像液D之供應後才供應沖洗液，也可以在剛要停止供應顯像D之前開始供應沖洗液R。具體地說，有時也配合晶圓W之旋轉速度，例如在晶圓W之旋轉速度超過5 00rpm時停止之例如2秒鐘之前，由例如上述準備位置供應沖洗液R。亦即，「停止顯像液之供應之前立即」係指停止顯像液之排出之前之例如2秒鐘之內。供應至晶圓W表面之沖洗液R由於旋轉中之晶圓W 之離心力之作用而沿著表面擴展至外側，以沖洗晶圓W 表面含有抗蝕劑溶解成分之顯像液，藉此淸洗.晶圓 W表面。接著，停止沖洗液之排出之沖洗液噴嘴一後退，如圖 5 ( d )所示，晶圓W即被以例如2 0 0 0 r p m之旋轉速度高速旋轉而進行甩掉晶圓表面之液體之旋轉乾燥。然後，降下外帽罩3 ]與內帽罩3 2，並以未圖示之基板搬運手段搬出晶圓 W以結束顯像處理。 -19- (16) (16)1272670 在此，係利用顯像液噴嘴4A針對某批晶圓W進行顯像處理，在結束該批處理而進行下一批之前頭之晶圓W 之顯像處理時，應在例如要顯像處理該晶圓 W前，針對準備中之另一方顯像液噴嘴4 B決定符合下一批之晶圓W 之抗鈾劑之溫度設定値，同時利用主溫度調節部45B與雙重管47B進行溫度調節，並選擇該顯像液噴嘴4B以上述之工程之同法進行顯像處理。而且在要進一部處理下一批之晶圓W時，即在本批之晶圓W被顯像處理中，以相同方法進行在噴嘴準備部53上方準備中之顯像液墳嘴4 A之準備動作。利用上述實施形態，由於構成上可對旋轉於垂直軸周圍之晶圓W供應延伸至其旋轉半徑方向之帶狀顯像液，因此可以獲得以下之效果。即，藉將排出口 41 A(41B)設長，即可將寬廣之帶狀顯像液排列於晶圓W之表面，因此若在晶圓W之半徑方向毫無間隙地排列顯像液，結果是可以將顯像液噴嘴4A(4B)之移動速度設大。因此，可以謀求顯像時間之縮短。另外，由於將排出口 4 1 A (4 1 B )之寬度設窄，可以使塗敷於晶圓W表面之顯像液之厚度變薄。因此，可以減少供應至顯像液之顯像液之量。相對於使用攪煉（pud die)方式之顯像時，12吋尺寸之晶圓W必須使用 7 0m】之顯像液，本發明人等進行實驗確認在本例之方式中，以1 6 · 7ml之顯像液量即可獲得相等之線寬精密度之顯像。惟在實際之處理（process)中，爲加上確實防止形成顯像液D無法到達之部位之安全係數（m a r g i n)部分，宜設定 -20- (17) (17)1272670 於2 0ml以上。此外，若排出口 41 A(4 1B)太長，則在晶圓 W之中央部附近之著液撓亂而發生煙霧（mist)，相反地若太短’則非加快晶圓 W之旋轉速度不可，以致周緣部之顯像液即由晶圓 W飛散。再者若排出口 4 1 A ( 4 1 B )大寬，則顯像液之寬度隨著加厚，顯像液之使用量變大，相反地若變狹窄時，則有時無法排出成帶狀之情形。因此，宜如上述，將排出口 41A(41B)之長度 L1設成8至15mm，寬度 L2爲0.1至1mm，較佳爲寬度L2爲0.1至0.5 mm。利用上述實施形態，由於在進行顯像之中，將晶圓W 設成旋轉之構造，因此由抗蝕劑表面，尤其是抗蝕劑圖案之谷間部位將抗蝕劑溶解成分挖出去除。若抗蝕劑溶解成分殘留於抗蝕劑表面附近時，會妨礙後續要溶解之部位，例如位於底部側之抗蝕劑之溶解之進行。但是，由於使晶圓 W旋轉如本例所示即可迅速去除溶解成分，因此相較於靜止顯像時，可以格外減少溶解成分之影響。因而可以獲得高精密度之線寬之抗蝕圖案。另外，晶圓 W也可以不經常在旋轉，例如也可以僅在特定時間靜止而間歇性地旋轉，而得到與上述情形之相同效果。利用上述實施形態，例如配合顯像液噴嘴4A(4B)之移動時序（timing)以移動沖洗液噴嘴6並在晶圓 W中央部上方之沖洗液開始排出位置附近配置該沖洗液噴嘴6，可以在停止來自顯像液噴嘴4A(4B)之顯像液之供應動作後’迅速將沖洗液供應晶圓W，因而縮短顯像處理時間。此外’ 在本例中，並不侷限於將顯像液噴嘴4A(4B)與沖洗液噴嘴 -21 - (18) 1272670 6分別獨立設置，也可以在顯像液噴嘴4A與4B 噴嘴臂5A與5B分別設置沖洗液噴嘴6。此外，如上所述，在晶圓W之中央部上方進行顯 4 A ( 4 B )與沖洗液噴嘴6之配置的接替構造，也可沖洗液之排出孔傾斜於晶圓W之中央側，而由』中央部上方附近供應沖洗液。利用上述之實施形態，藉由設成對晶圓表面抗蝕劑之種類調節成特定溫度之顯像液以進行顯，即使例如爲溶解性低的抗蝕劑，也可以縮短可期之線寬之顯像時間。亦即，即使短暫之時間也充分之顯像時間。因此，可以使溶解性低的（溶的抗蝕劑之顯像時間與溶解性高的抗蝕劑之顯像，或使兩者之時間差縮小，例如可以利用設定於的抗蝕劑之處理條件之顯像裝置處理溶解性低的圖9爲針對某種顯像液，以顯像液之溫度做爲參顯像時間與圖案線寬之關係者，（1)表示在淨{七 room)之溫度23 °C中），（2)表示50 °C之情形。本例中，本發明人等經由實驗確認了溫度越高溶解速若設目標線寬爲1 5 Onm時，設定於2 3 °C時，需要，而設定於5 0 °C時，可以縮短至1 〇秒左右。亦即節顯像液之溫度以控制抗蝕劑之溶解性，即可以之顯像裝置處理塗敷有溶解性不同之各種抗蝕劑。此外，也不一定與溶解性高的抗蝕劑之顯像時，也可以在有例如驅動機構之規格等硬體上之限之各自之不侷限於像液噴嘴以設成將 I圓w之供應依各像之構造以獲得預可以確保解速度慢時間一致溶解性高抗蝕劑。數以表示」室（c 1 e a η 之顯像液度越快， 5 〇至6 〇秒，藉由調利用共同之晶圓W 間相〜致制之情形 -22 - (19) 1272670 等時，與例如具有中等溶解性之抗蝕劑之顯像〇在此，例如使用相同溫度之顯像液時，隨種類其顯像時間不同已如上述，但是例如有相同與相同線寬之目標値，也會隨著企望形成之圖案圖案之密或粗等，其影像時間有些許之差異。因例中，並不侷限於可隨抗蝕劑之種類調整顯像液造，也可以設成隨著圖案形狀（線寬之目標値，度與圖案本身之形狀之至少一方）調整顯像液之至於也可以設成依據抗蝕劑之種類與圖案形狀之溫度。所謂符合圖案形狀之溫度之一例爲例如圖時將顯像液之溫度設低，圖案爲粗糙時將顯像液高。另外，圖案本身之形狀係例如隨著其形狀爲將抗蝕劑溶解成圓柱狀之孔狀者以決定溫度，甚等形狀所佔有之比例等以調整溫度。利用上述實施形態，由於設成具備可以調節不同之顯像液溫度之2支顯像液噴嘴4A，4B，並方之顯像液噴嘴4A(4B)處理晶圓W時，另一方噴嘴4B(4A)可以進行調節顯像液以符合下一個要圓W之溫度之準備動作，因此，在結束前一晶U 理之後，可以迅速對下一個晶圓W供應顯像液在利用本裝置以重複處理多片晶圓W時，可以率。利用上述實施形態，由於依據排出成帶狀之間相一致抗蝕劑之之抗蝕劑形狀，如此，在本溫度之構圖案之密溫度，甚雙方調整案爲細密之溫度設直線狀或至隨著該成獨立而在利用一之顯像液處理之晶 B w之處。因此，確保高產顯像液之 - 23- (20) (20)1272670 寬度，即排出口 41 A(4 1B)長度之設定値，設定顯像液噴嘴 4A(4B)之移動速度與晶圓W之旋轉速度俾使顯像液毫無間隙地排列於晶圓 W之半徑方向，因此即使在如本例中由於旋轉中之晶圓 W之離心力之作用而形成顯像力之液流時，也可以對晶圓 W之未顯像區域供應新鮮之顯像液。因此可以設成沒有或盡量減少最早供應含有抗蝕劑溶解成分之顯像液之區域，所以可以抑制抗蝕劑溶解成分之影響，結果是可以期待製得高精度線寬之圖案。此外，在本發明中，並不侷限於根據抗蝕劑之種類與圖案形狀之至少一方調整顯像液溫度之構造，也可以設成根據例如抗蝕劑之種類與圖案形狀之至少一方調整濃度。再者也可以設成同時調整顯像液之溫度與.濃度雙方。在此種情形下也可以控制抗蝕劑之溶解速度，而可以獲得與上述情形相同之效果。調整顯像液之方法之例子可以例如利未圖示之流量調整部改變與顯像液混合之純水之流量比來調整，或例如設置多個顯像液供應源48 A(48B)俾可以供應互不相同濃度之顯像液，並藉由例如切換閥選擇可以供應特定濃度之顯像液之顯像液供應源48A(48B)。該等流量言周節部或閥等係用於形成顯像液之濃度調整部之一部分者〇在本發明中，將顯像液噴嘴4A(4B)由晶圓 W外側移動至中央部之掃描動作並不限於一次，而可以進行多次，例如2至4次，甚至更多。該次數依據用於處理之抗蝕劑所必要之顯像時間而定。具體地說，若將到達中央部之移動 -24- (21) (21)1272670 設定爲例如1秒鐘時，若需要之顯像時間爲1 〇秒時，即進行1 〇次之掃描。在此情形下，也可以獲得與上述情形相同之效果。另外，在本例中，第1次與第2次（以及其後續）所供應之顯像液之溫度及/或濃度也可以改變。如何改變溫度或濃度可以例如事先進行實驗來決定爲理想。惟其具體例也可以藉由例如第2次之掃描以供應低濃度之顯像液以抑止顯像反液（抗蝕劑之溶解），同時使抗蝕劑之溶解成分擴散以抑制該抗蝕劑之溶解成帶來不良影響。在本發明中，也可以在由晶圓 W外側移動至中央部後在晶圓 W之中央部上方靜止之狀態下將顯像液僅供應特定時間。要靜止多久係如上述依據所處理之抗蝕劑所需要之顯像時間來決定。在此種情形下也可以獲得相同之效果。再者，也可以將上述多次掃描動作與在中央部上方靜止之動合併。此外，顯像液噴嘴4A(4B)之移動方向並不侷限於由晶圓 W外側朝向中央部，也可以例如由中央部朝向外側移動，或由晶圓 W之一端側朝多端側移動至直徑方向。但是由中央部移動至外側時，由於離心力之作用，有時顯像液會流向外側以致中央部表面變成乾燥，故需注意。在本發明中，並不侷限於具備有2支顯像液噴嘴4 A， 4B之構造，也可以設成具有單支之顯像液噴嘴之構造。另外，在本發明中，並不侷限於可隨抗鈾劑之種類調節溫度之構成，也可以設成一律調節爲例如放置顯像裝置之淨化室（clean room)之溫度，例如23 t：之構造。在此種 -25 - (22) (22)1272670 情形下，也可以對每一晶圓 W供應相同溫度之顯像液，因此對於例如塗敷有相同種類之抗蝕劑之晶圓 W群可以獲得均勻之顯像效果。而且如上所述由於排出帶狀之顯像液，可以減少顯像液之使用量並且謀求顯像時間之縮短。在本發明中，並不侷限於將排出口 41 A(41B)形成開縫狀之構造，只要可以排出帶狀之顯像液，其形狀即無特別之限定，可以適當地設成各種形狀。換言之，即使排出口 4 1A(4 1B)之形狀多少有異，只要可以由該顯像液噴嘴 4 A(4B)實質上可排出帶狀之顯像液，即可實質上獲得本發明之效果，因此，此種情形也包含本發明之技術範圍。另外，利用圖1 〇在下面說明可以實質上排出帶狀顯像液之排出口 41 A(4 1B)之一例，惟並非藉此侷限本發明。此外，圖 10是記載由下方所見之顯像液噴嘴4A(4B)之下端面者。詳言之，排出口 41 A(41B)也可以形成長徑延伸至噴嘴之長度方向之橢圓狀（圖10(a))。另外，也可以形成對角線延伸至噴嘴之長度方向之菱形形狀（圖10(b))。此外寬度狹窄的開縫狀排出口排列於噴嘴之寬度方向也可以（圖10(c))。另外，也可以將多個細徑之排出孔以狹窄之間隔排列於噴嘴之長度方向（圖10(d))，甚至於將多個排出孔排列於噴嘴之寬度方向（圖1 0(e))。在本發明中，也可以構成在對晶圓W表面供應顯像液之前，利用例如沖洗液噴嘴6供應沖洗液如純水以做爲提升該晶圓W表面之潤濕性之表面處理液。在如此供應顯像液之前提升表面潤濕性之處理可稱爲預濕（p re wet)處 -26 - (23) (23)1272670 理，而該處理之具體程序如下所述。亦即，如上所述，當晶圓W被水平保持於旋轉夾頭2時，即如圖1 1( a)所示，使晶圓 W旋轉於垂直軸周圍，同時邊由排出口 6 〇排出沖洗液，邊使表面處理液噴嘴之沖洗液噴嘴6由晶圓W外側移向中央部，俾對該晶圓W表面供應沖洗液。然後，如圖 1 1(b)所示，停止沖洗液之排出並將沖洗液噴嘴6移動至中央部附近，而由排出口 41 A(41B)排出顯像液D，邊將顯像液噴嘴4 A(4B)由晶圓W.外側移向中央部俾向晶圓W表面供應顯像液D。即使利此種構造，也可以獲得與上述情形相同之效果，另外，依據本例，係提升晶圓 W表面之潤濕性才供應顯像劑，因此顯像液可以快速擴展至晶圓W表面，所以縱使減少顯像液之液量，也可以確實使顯像液遍佈晶圓W 整面，此點極爲優異。此外，進行預濕時，可不必邊掃描沖洗液噴嘴6邊供應沖洗液，也可以例如使晶圓W旋轉，同時由位於該晶圓W中央部上方之沖洗液噴嘴6供應沖洗液而藉由離心力之作用擴展之整個表面。另外，也可以另設表面處理液噴嘴。再者，在本發明中，也可以構成在供應有顯像液並且供應有沖洗液之晶圓 W表面具有可以供應界面活性劑之例如與沖洗液噴嘴6相同形狀之活性劑供應噴嘴之構造，而在進行旋轉乾燥之前對該晶圓 W表面供應界面活性劑。具體地說，界面活性劑之供應程序如下。首先，例如圖】2 ( a )所示，利用沖洗液噴嘴6對供應過顯像液之晶圓W表 -27- (24) (24)1272670 面供應沖洗液R之後，如圖1 2 (b)所示，停止排出沖洗液 R之同時，邊由該排出口 80排出界面活性劑，邊由該晶圓 W外側將活性劑供應噴嘴8移向中央部以對晶圓W表面供應界面活性劑。然後，在停止界面活性劑之供應之活性劑供應噴嘴8後退之同時，將晶圓w高速旋轉以進行旋轉乾燥（參照圖5(d))。即使利用此種構造也可以獲得與上述相同之效果，另外依據本例，在供應界面活性劑之後藉由進行旋轉乾燥可以少許摩擦快速甩掉該旋轉乾燥時附著於圖案表面（尤其是圖案之谷間）之液體。因此，不一定必須邊掃描活性劑供應噴嘴邊供應活性劑也可以，例如也可以例如使晶圓W 旋轉，同時由位於該晶圓 W之中央部上方之活性劑供應噴嘴8供應界面活性劑，並利用離心力之作用擴展至整個表面。另外，也不一定必須於供應沖洗液R之後供應界面活性劑也可以，例如在該沖洗液R中添加具界面活性劑之功能之成分，並在沖洗工程中，與沖洗液R同時供應界面活性劑。此時，沖洗液噴嘴6兼用做爲活性劑供應噴嘴8。另外，在本發明中，可以不必將顯像液噴嘴4A(4B)，沖洗液噴嘴6，另外在供應界面活性劑時之活性劑供應噴嘴8設成可以各別獨立移動之構造’也可以設成支撑於共同之噴嘴臂上。茲舉一例說明。例如圖1 3所示，例如設成在支撑顯像液噴嘴4A(4B)之噴嘴臂5A(5B)之前端部支撑沖洗液噴嘴6與活性劑供應噴嘴8之構造’而且該等沖洗液噴嘴6與活性劑供應噴嘴8在例如使顯像液噴嘴4 A (4 B )位於晶 -28- (25) (25)1272670 圓 W之中央部上方時，將該排出口 60，80之軸線傾向晶圓 W表面之中央部。此種構造也可以獲得與上述之情形相同之效果，另外，依據本例，由於共用噴嘴臂而可以簡單地構築與控制裝置爲其優點。但是，沖洗液噴嘴6與活性劑供應噴嘴8之配置位置並無特別加以限制，例如圖1 4 所示，也可以在顯像液噴嘴4A(4B)之噴嘴前進方向之後方側配置沖洗液噴嘴6。此外，也可以設成顯像液，沖洗液，甚至必要時與界面活性劑由共同之排出口排出。再者，在本發明中，並不限定顯像液噴嘴4A(4B)構成爲可直線滑動，也可以例如在保持於旋轉夾頭2之晶圓外側設定噴嘴臂之旋轉軸，並設成藉由以轉數以下之速度旋轉俾使顯像液噴嘴4A(4B)描繪拋物線似地移動之擺動方式〇在本發明中，基板並不侷限於晶圓 W，也可以例如 LCD基板，光罩用標線片基板。此外，上述之顯像液噴嘴 4 A (4B)之構造也可以適用於在基板上塗敷抗蝕劑之塗敷液噴嘴等。最後’要參照圖15與圖16簡單說明組合有上述之顯像裝置之塗敷、顯像裝置之一例之構造。圖中B 1爲用於搬進搬出收容有做爲基板之晶圓W之例如1 3片密封之載具 C1之載具載置部，其設有可載置多個載具C1之載置部90a 之載具站9 0，設置於由該載具站9 〇所見之前方壁面之開閉部9 1以及藉由開閉部9〗由載具c ]取出晶圓w之交接手段 A 1 。 -29- (26) (26)1272670 在載具載置部B1深處連接有以框體92圍繞其周圍之處理部B 2，而在該處理部B 2之眼前依次交互排列設置將加熱冷卻系統單元多級化之擱板單元Ul，U2，U3以及包含有後面所述之塗敷顯像單元之各處理單元間交接晶圓W 之主搬運手段 A2，A3。亦即，擱板單元Ul，U2，U3與主搬運手段A2，A3由載具載置部B 1側看來，係前後排成一列，同時在各個連接部位形成有未圖示之晶圓搬運用之開口部，而晶圓W在處理部B 1內部可以由一端側之擱板單元U1自由移動至另一端側之擱板單元U3。此外，主搬運手段A2，A3係放置於由從載具載置部B1看來配置於前後方向之擱板單元Ul，U2，U3側之一面部，後面所述之例如右側之液處理單元U4，U5側之一面部，以及形成左側之一面之背面部所構成之區隔壁93所圍繞之空間內。再者，圖中之94，95爲各單元所使用之處理液之溫度調整裝置與具有溫濕度調節用管道（duct)等之溫濕度調節單元。液體處理單元U4，U5例如圖16所示，被設成在形成供應塗敷液（抗蝕劑液）或顯像液之藥液之用的空間之收容部96上方層合塗敷單元COT，具有本發明之顯像裝置之顯像單元DEV與反射防止膜形成單元BARC等多階如5階之構造。另外，上述之擱板單元Ul，U2，U3被設成將用於進行以液體處理單元U4，U5進行處理之預處理與後處理之各種單元層合成多階例如1 〇階之構造，其中包含用於焙烤（bake)晶圓W之加熱單元，以及用於冷卻晶圓W之冷卻單元等。 -30 - (27) (27)1272670 在處理部B2擱板單元U3深處，透過例如第1搬運室 97與第2搬運室98所形成之界面部D3連接有曝光部B4。在界面部B3內部除了設有用於在處理部B2與曝光部B4之間交接晶圓W之兩個交接手段A4，A5之外，還有擱板單元U6與緩衝載具C0。該裝置上之晶圓之流程之一例如下。首先收容有晶圓 W之載具C1由外部載置於載置台90時，載具C1之蓋體與開閉部9 1同時打開而以交接手段A 1取出晶圓W。然後藉由形成擱板單元U 1之一階之交接單元（未圖示）交接至主搬送手段 A2，再於擱板單元U1至U3中之一進行例如反射防止膜形成處理與冷處理以做爲塗敷處理之預處理，然後，以塗敷單元COT塗敷抗蝕劑液。接著，晶圓W被以構成擱板單元U1及U3之一之加熱單元加熱（焙烤處理），再於被冷卻後，經由擱板單元U3之交接單元搬入界面部 B3。在此界面部B3，晶圓W經由例如交接手段A4—擱板單元U6—交接手段A5而搬運至曝光部B4以進行曝光。曝光後，晶圓W以相反之路徑被搬運至主搬運手段A2 ，並以顯像單元 DEV顯像而形成抗蝕遮罩（Resist mask) 。然後，晶圓W被送回載置台90上之原來之載具Cl。【圖式簡單說明】圖1爲表示本發明之顯像裝置之實施形態有關之顯像裝置之縱剖面圖。圖2爲表示本發明之顯像裝置之實施形態有關之平面 -31 - (29)1272670 【主要元件符號說明】 2 旋轉夾頭 2 1 旋轉軸 22 驅動機構〇帽罩體 3 1 外帽罩 32 內帽罩 34 圓形板 3 5 受液部 36 排液口 3 7 環形構件 4 A 第1顯像液噴嘴 4B 第2顯像液噴嘴 4 1 A， B 排出口 42A， B 液儲留部 43A， B 顯像液配管 44A， B 顯像液供應源 45A， B 主溫度調節部 46A， B 溫調水用配管 47A， B 雙重管 48 A， B 溫調水儲留部 49A， B 溫度調節部 5 1 A， B 移動基體 52A， B 引導構件 (30)1272670 53 噴嘴準備部 6 沖洗液噴嘴 60 排出孔 6 1 沖洗液配管 6 2 沖洗液供應源 63 噴嘴臂 64 移動基體 65 準備部 3 3 升降部 5 1 B 移動基體 8 活性劑供應噴嘴 80 排出口 Cl 載具 90 載具站 9 1 開閉部 A 1 交接手段 B 1 載具載置部 B2 處理部 U1 ， 2 ， 3 擱板單元 U4，5 液處理單元 96 收容部 90a 載置部 B3 界面部 97 第]搬運室

-34 - (31)1272670 98 第2搬運室 B4 曝光部 A2 主搬運手段

-35-

Claims

§、 (1) 、申清專利範圍第93139670號專利申請案中文申請專利範圍修正本民國95年7月11日修正 1·一種顯像裝置，其特徵爲具備：基板保持部，用於將表面塗敷有抗蝕劑且被曝光後之基板保持水平；旋轉驅動機構，使保持基板之基板保持部旋轉於垂直軸周圍；顯像液噴嘴，配置於面對保持於上述保持部之基板對面’並具有由該基板之周緣向中央部側延伸之帶狀排出口 ;以及移動機構，用於使該顯像液噴嘴橫向移動；使基板旋轉於垂直軸周圍，同時邊由上述排出口排出帶狀之顯像液，邊由基板外側將顯像液噴嘴移向中央部以對基板表面供應顯像液成螺旋狀。 2 ·如申請專利範圍第1項之顯像裝置，其中上述排出口之寬度爲O.lmm至lmm，長度爲8mm至15mm。 3.如申請專利範圍第1或2項之顯像裝置，其中具備溫度調整部，係根據要進行顯像處理之基本上之抗蝕劑種類與圖案形狀之至少一方調整顯像液之溫度。 4 ·如申請專利範圍第1或2項之顯像裝置，其中設有多個顯像液噴嘴之同時，設有依據各顯像液噴嘴分別調整顯 127 2f^ 像液溫度之溫度調整部，具備一手段，可由上述多個顯像液噴嘴中選擇’依據要進行顯像處理之基板上之抗蝕劑之種類與圖案形狀之至少一方被調整過溫度之顯像液噴嘴。 5 ·如申請專利範圍第4項之顯像裝置，其中在選擇一方之顯像液噴嘴之間，針對另一方之顯像液噴嘴調整顯像液之溫度。 6 .如申請專利範圍第3項之顯像裝置，其中具備一控制部’用於記憶連貫要進行顯像處理之基板上之抗蝕劑之種類與圖案形狀之至少一方及顯像液之溫度之資料，並依據該資料控制溫度調整部俾成爲符合該基板之顯像液溫度 7 ·如申請專利範圍第4項之顯像裝置，其中各顯像液噴嘴除了分別附加上述溫度調整部還設有顯像液之溫度調整部’被選擇之顯像液噴嘴之顯像液依據抗蝕劑之種類與圖案形狀之至少一方調整溫度與濃度。 8 ·如申請專利範圍第7項之顯像裝置，其中當一方之顯像液噴嘴被選擇之間，針對另一方顯像液噴嘴調整顯像液之溫度與顯像液之濃度。 9·如申請專利範圍第7或8項之顯像裝置，其中具備一控制部，用於記憶連貫要進行顯像處理之基板上之抗蝕劑之種類與圖案形狀之至少一方及顯像液之溫度與顯像液之濃度之資料，並依據該資料控制溫度調整部與濃度調整部俾成爲符合該基板之顯像液之溫度與濃度。 10·如申請專利範圍第1或29項之顯像裝置，其中另具 -2-

備表面處理液噴嘴，用於對被供應顯像液之前之基板表面供應表面處理液以提高潤濕性。 11 ·如申請專利範圍第1或2項之顯像裝置，其中具備沖洗液噴嘴’用於對供應顯像液後之基板表面供應沖洗液；以及

活性劑供應噴嘴，用於對以該沖洗液噴嘴供應過沖洗液之基板表面供應界面活性劑以減少該基板表面與沖洗液之液體摩擦。 12·如申請專利範圍第1或2項之顯像裝置，其中在將顯像液噴嘴由基板外側移向中央部時，該排出.口靠近基板之中央部之前端在與基板之旋轉軸相一致之位置停止移動 1 3 · —種顯像處理方法，其特徵包括：將表面塗敷有抗蝕劑且曝光過之基板保持水平於基板保持部之工程； Φ 使該基板旋轉於垂直軸周圍，同時對基板表面邊排出由周緣伸向中央部側之帶狀顯像液，邊將顯像液噴嘴由基板周緣移向中央部，並將顯像液沿著表面邊流向外側邊將顯像液供應至基板表面成螺旋狀之工程；以及在停止供應來自顯像液噴嘴之顯像液之直前或直後，以沖洗液噴嘴對基板表面供應沖洗液之工程。 14.如申請專利範圍第13項之顯像處理方法，其中，顯像液噴嘴之排出口寬度爲0.1mm，而長度爲8miT)至 -3- (4) 1 5 m m 〇 15. 如宇請專利範圍第13或14項之顯像處理方法，其中，顯^ 2 @係根據要進行顯像處理之基板上之抗蝕劑之種類與圖案形狀之至少一方來調整。 16. 如申請專利範圍第13或14項之顯像處理方法，其中’包含由調整成顯像液溫度互爲不同之多個顯像液噴嘴中’選擇符合要進行顯像處理之基板上之抗蝕劑種類與圖案形狀之至少一方之顯像液噴嘴之工程。 1 7 ·如申請專利範圍第i 6項之顯像處理方法，其中，包含在選擇一方之顯像液噴嘴之間，針對另一方之顯像液噴嘴調整顯像液之溫度之工程。 18·如申請專利範圍第13或14項之顯像處理方法，其中’顯像液之溫度與濃度係依據要進行顯像處理之基板上之抗蝕劑種類與圖案形狀之至少一方來調整。 19·如申請專利範圍第18項之顯像處理方法，其中包含在選擇一方之顯像液噴嘴之間，針對另一方之顯像液噴嘴調整顯像液之溫度與顯像液之濃度之工程。 20 ·如申請專利範圍第1 3或1 4項之顯像處理方法，其中包含：將上述顯像液噴嘴由基板周緣移向中央部之工程；以及至少在顯像液噴嘴停止排出顯像液爲止，將沖洗液噴嘴移動至其附近之工程。 -4 - (5) 篆 2 1 .如申請專利範圍第1 3或1 4項之顯像處理方法，其中供應顯像液之工程係邊排出顯像液邊多次進行由基板周緣將顯像液噴嘴移向中央部之動作。 2 2.如申請專利範圍第13或14項之顯像處理方法，其中供應顯像液之工程包含在將噴嘴由基板周緣移向中央部後，對中央部供應顯像液特定時間之工程。 23 .如申請專利範圍第1 3或1 4項之顯像處理方法，其中另包含對供應顯像液之前之基板表面供應用於提升潤濕性之表面處理液之工程。 24. 如申請專利範圍第13或14項之顯像處理方法，其中另包含z 對供應過顯像液後之基板表面供應沖洗液之工程；以及對供應過該沖洗液之基板表面供應界面活性劑以減少該基板表面與沖洗液之液體摩擦之工程。 25. 如申請專利範圍第13或14項之顯像處理方法，其在將顯像液噴嘴由基板外側移向中央部時，該排出口靠近基板中央之前端在與基板之旋軸一致之位置被停止移動。