TWI258219B

TWI258219B - Liquid crystal display

Info

Publication number: TWI258219B
Application number: TW090106036A
Authority: TW
Inventors: Kazuhiro Kobayashi; Nobuhiro Nakamura; Kazunori Inoue; Takuji Yoshida; Ken Nakashima
Original assignee: Advanced Display Kk
Priority date: 2000-03-15
Filing date: 2001-03-15
Publication date: 2006-07-11
Also published as: US20080231770A1; KR20010092358A; US20080241980A1; KR100868771B1; JP2009122697A; JP5026450B2; US7645648B2; US20050082528A1; US6838696B2; US7394097B2; US20020018176A1; US7755088B2; US20050082527A1; US7084017B2

Description

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【發明之背景】五、發明說明（1) 本發明係有關於薄膜雷曰辦詳+夕 ^ ^ ^ 哥騰电日日體陣列基板的製造方法。更影）步驟沾古4制、深缺少並且，以4道照片製版（微、方式’製造可降低薄膜電晶體（TFT)之漏電汽之薄膜電晶體陣列基板，再去电日日體之漏電肌之 m^r i± ^ ^ u ^ 再者，本發明能夠提昇TFT-LCD之 …貝不特性以及生產性。使用液晶之電光學亓杜库用液晶t雪#戽1Γ件廣用於顯示器。通常，使夹= :為’在備有電極的上下2片基板間，元件π署篓番止, 、下°又置偏光板，並且透過型的 ^ - a ^ 下電極基板的表面之所謂排列處理，

J夺工制液晶分子之平均古A 液B ·!右ϋ π 1+ t勾方向之扣向為所希望的初期狀態。折射率，而Μ光通過偏光板後折射率的關係，變化点擗田於偏朵祐νμ ，成橢囫偏光，然後入射於對面側的艰九板。此狀態由於上下雷七狀態產生變化，所以ΐΠ 電壓時，1旨向的排列、ft:iί : 晶的複折射率有了變化，因此，透過電光學兀件的光強唐以月伞w人Μ ^ I β 及先W會變化。使用此電光學效果’ έ根據液晶相種類、初湘姐力丨卩At Λ u ^ V θ 初期排列狀態、以及偏光板的偏 .^ ^ 或疋透光途中設置的濾光或 J種：涉膜而所有不同’而習知文獻等有詳細的報告。— ^而5 ，使用Nematic液晶相，為使用所謂TN或是STN的構使用液晶的顯示用電光學元件包括，_ 用f膜電晶體（TFT)當作開關元件之TFT-LCD。比起CRT或是單純的矩陣型液晶顯示裝置，TFT_LCD在攜帶性、顯示

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五、發明說明（2) ^，方面具有較佳的優勢而被廣泛地使用在筆記型個人電腦等。TFT-LCD是在形成一般TFT陣列狀的TFT陣列基板，包 ^j共通電極與彩色濾光片的對向基板之間設置液晶之成a又置上下偏光板，並且再於背後設置背光。藉由上述籌k ’可得到良好的彩色顯示特徵。 TFT LCD之中，為了在液晶施加電壓，在閘極線的擇時間内使TFT為0N的狀態，且由源極線流入電荷於像素電極，使像素電位與源極線同電位。之後，一但、非，擇狀態，m成為附狀態而可保持像素的f荷量1 ，實際上因為TFT或是液晶内的漏電流而導致的像素電、 ίΪ:，#且最終導致像素電位量的減少。為了防止這：電位的變動，at常設置補助容量而減少單位電荷量： $素電位的變化量。再者，為了提昇m_Lc 嘗試減少TFT陣列的製造步驟數目。其中在特 6-202 1 53號公報、特開平8_328〇4〇號公報、特\ 8-50308號公報揭示了嘗試照片製版步驟的減少。第57圖顯示特開平8-5Q3〇8號公報之第7實 5步驟之照片製版步驟以製造TFT陣列的像素本習知例為’首先在透明基板上形成大約1〇〇nm厚度之圖。 Cr、Ta、Mo、A 1等之第1導電性金屬薄膜。照片製版步驟圖案化第1導電性金屬薄膜，利用第1 5 1。此時，當第1導電性金屬薄膜為Cr時 / (NH4)2[Ce⑽3)6]+HN〇3 + h2〇液澄餘刻處理。接、』更用例如

SiNx膜以當作第i絕緣膜52、a_Si膜以當作半導體》主成動層

1258219 五、發明說明（3) 53、n + a-Si膜以當作歐姆接觸膜54，其厚度分別為 3〇〇nm、100nm、2〇·左右。其次，利用第2又照片製版步驟在閘極電極上方將半導體主動層53與歐姆接觸54圖案化成為島狀，以將半導體部與其他部分形成分離狀態。此時，利用SFJHCI+He將半導體主動層與歐姆接觸膜乾溼刻理。其次，形成厚度300nm左右厚度的Ti等第2金屬薄膜。接著’利用第3照片製版步驟’將第2金屬薄膜與半導體主動層圖案化以形成導線55、源極電極56、汲極電極5?盘薄膜電晶體的半導體活性層58。接著，利用電漿CVD等方法形成厚度大約40〇nm之層間絕緣膜（保護膜）59。接著，用第4照片製版步驟圖案化保護膜以形成導通汲極電㈣通閑極電極的接觸…及導通源極電極的 J觸=。’利用例如啊等乾餘刻以餘刻處理保護 J 下來，形成厚度大約WOnm以ITO構成的透明導電志携：t 2用第5照片製版步驟圖案化透明導電膜，以形極6::源極導線連接用端子部以及閑極導線處理Γτο膜 τ ’使用例如HC1+HN〇3+H2〇液以渔兹刻造TFT如陳本Λ知例所述’揭示了利用5道照片製版步驟以製驟，而提法，此效果例如為縮短成為5道照片製版步巧可減少製娜，並且為了在透明像ί 者，為了將ί保s蔓絕緣層’而有效地施加電壓於液晶，再 …了將透明像素電極以及源極導線與閘極導線利用形

1258219 五、發明說明（4) f絶緣層分別隔開，不會有產生因為透明像良所產生的源極導線或是閘極導線之短路。再：1不章膜料構成的阻障膜之積層膜時，更加能達成阻性’所以不容易產生訊號延遲的問題，以及金屬薄導電良好的A1或以以薄化金屬薄膜，而使爪元件精 ”提昇階梯覆蓋能力’並且可提高良率。上述TFT構造係猎由絕緣層互相地隔開閘極導線、源極導線、以及電極，所以不容易產生短路並且具有容易提高良率的功Μ 能。第59圖（a)、第59圖（b)、第59圖（C)、第60圖（a)、第 60圖（b)、第60圖（c)、第61圖（〇、第61圖（1))、第61圖 (c )、第6 1圖（d)顯示習知能夠使用於主動矩陣型液晶顯示裝置（AMLCD)之TFT陣列構造的1個例子。59圖、第59圖 (b) 、第59圖（c)、第60圖（a)、第60圖⑻、第⑽圖⑷為剖面圖的一個例子，第61圖（a)、第61圖（b)、第61圖 (c) 、第61圖（d)為上視圖，而第59圖（a)、第59圖（b)、第 59圖（c)、第60圖（a)、第60圖（b)、第60圖（c)為第61圖 (a)、第61圖（b)、第61圖（c)、第61圖（d)的X-X以及顯示端子閘極/源極端子部的剖面構造。第59圖（a)、第59圖（b)、第59圖（c)、第60圖（a)、第 60圖（b)、第60圖（c)、第61圖（a)、第61圖（b)、第61圖

1258219 五、發明說明（5) (C)、第^圖“）之中，311為絕緣性基板，313 以及閘極導線，3丨4為透明導電體層構成的像素電極H 為閘極絕緣層’ 317為半導體層（主動層），318為含等不純物之半導體層（歐姆接觸層），322 *SiN等絕声5 330為接觸孔，302為源極導線，3〇3為源極電' 〇二方極電極。馮汲以下說明能夠使用於習知的主動矩陣型液晶 UMLCD)之TFT陣列基板的製法。利用賤鑛等方在嗜基板川上形成Cr、A1、Mo等金屬或這些為主成份的或是這些積層的金屬構成的物冑層。接著，使帛口片製版以及後續的㈣方法以形成閘極電匕圖案313。（第59圖（a)、第61圖⑷）。』位導線接下來’利用電漿CVD等各種法或是賤鍍、沈積成當作間極絕緣層的Si〇2、Μ等構成的絕緣層 6 a Si. Η(虱化非晶質矽膜）構成的半導體層。7、與金屬接觸，而利用電漿CVD法或濺鑄鍍法形成之捭用采磷、銻、硼等不純物之半導體層之n + a_Si:H或微細社曰 n + Si層構成的歐姆接觸層318。接下來，使用光阻等：曰曰製版以及後續的蝕刻方法以形成TFT部、閘極導線、‘源: 導線交又部等的半導體層（主動層）317、含有p或是b犛和 (純之半導體層（歐姆接觸層）318(第59 B(b)、第圖不然後，利用濺鍍、沈積、溶膠法等方式，以形 ITOUndium tin oxide)等之透明導電材料構成的透明導 2066-3854-PF.ptd 第9頁五、發明說明（6) 電體層。接著，使用光阻等照片製版以及後續的蚀刻方法以形成像素電極314以及端子電極等（第59圖（(〇、第“圖 (C))。然後m阻等照片製版等以在閘極端子部形成能夠付到接觸孔的圖案，並且，使用π系等的氣體且利用乾餘^法以去除絕緣層316，之後去除 330 (第 60 圖（a))。 w 接著利用濺鍍等方法在絕緣性基板3 1 1上形成Cr、 A 1、Mo等金屬或這此為丰忐，八从人人1 _ λ、μ从所2 成的合金或是這些積層的金屬構成的物貝層。接著，传用本β日榮· ^ +^伐考便用光阻專照片製版以及後續的蝕刻方法以形成源極導線3 0 2、源極電極3〇3 304(第60圖（b)、第61圖⑷）。 1电不 3下來’利用電浆CVD等各種法或是滅鍍、沈積、塗 f2f二成上作閑極絕緣層的⑽2、叫〜等構成的絕緣層 Γ二Λ :片製版與之後使用CF4系等的氣體且利用 TCP輸入各V線。糟此可形成川陣列（第6〇圖(。)）。切，^ 1 H 陣列上形成排列膜’然後面對對向基 /、a y成有液晶，而形成主動矩陣型液晶顯示裝置。綠U置爲Iΐ ^ ^的技術’然而源極導金屬形成，並且以渥餘刻圖案化時，：刀之源極金屬孩、者性不佳的情等，蝕刻過程

1258219 五、發明說明（7) 1齡：刻液會由高度落差部進入金屬/半導體界面，而變源lit原因，所以如特開平1〇~2 68353公報所揭示，在層5°3 5 ί下方延伸著半導體圖案的方法。再者，使半導體 :。相隔開地形成的薄膜電晶體的上視圖如第58圖所的播1般而S ，在半導體端面容易產生漏電流，如上所述並且源極t #56至&極電極57的端面存在著漏電流，在古、w /專膜電晶體的漏電流增加。因此，對比降低，並且亍：：使用日寺’輝點缺陷會增加（-般白時），大幅影響顯不裔的顯示成色。雷h =、方面，雖然揭示將閘極導線、源極導線以及像素姐_、為分離狀態係以5道照片製版步驟的技術，但是沒 i =減少照片製版步驟的技術。本發明的目的在於，維以为if造並且減少照片製版步驟為4道，並且源極電極止導線下沒有半導體層的高度落差，再者，有效防導體層的端面漏電流造成之顯示的情況，並且、、隹持良率提高生產性的功效。兩再者，利用習知的製造方法以製作TFT陣列時，至少 ^峰吝道+的照片製版步驟，使得製造步驟變長，具有特別 c/缺又備的運轉成本咼而曝光步驟變多的問題。因此，必…、、地增加製作TFT陣列的成本。藉由以本發明的目的在於解決上述習知技術的問題點製造TFT陣列的必要次數，而減少罩幕數目 °生產性，而達成降低成本的目的。再者，利用習知的製造方法以製作TFT陣列時，至少

1258219 五、發明說明（8) ，要5道，照片製版步驟，使得製造步驟變長，具是生產設備的運轉成本高而曝光、| 必然地增加製作TFT陣列的成本。文夕幻门趄因此，產ι± ί ：： U在於’提昇主動矩陣型液晶顯示裝置生 f性或疋降低成本，並且降低TFT陣列製造時必要的日”生製版的次數（罩幕數目）。』表i才义要的知片【發明之概要】括.之一為一種薄膜電晶體陣列基板，包拓η . 1i i基板，一第1金屬圖案，形成於該絕緣性美 ί护：=络形成該第1金屬圖案上；-半導體圖土 :θΐίί:! ; 一第2金屬圖案，形成於該半導圖=案上。、特徵在於：該半導體圖案係包含該第2金屬本U之另-樣態的—種薄膜電晶體陣列基板上：：J二性基板；一閘極導線，形成該基板與該基板半導體ί : :ί ΐ的閑極絕緣層；一該閉極絕緣層上的 φ 半導體上的汲極導線；一源極電極；一、、及 Ϊ 1、; 一層間絕緣層’形成於該源極導線、該汲極電 :源極電極上；-像素電極，形成於該層間絕緣層、Ή φ且該半導體圖案包含該源極導線、該源極電極、該炻吣筮!極，再者，具有貫通該層間絕緣層而到達該汲極電哕厗鬥奶接觸孔以及到達該源極電極的第2接觸孔、與貫通 ^ :巴緣層與閘極絕緣層而到達該閘極導線的第3接觸在於該们〜第3接冑孔係以該像素電極材料的

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五、發明說明（9) 圖案覆蓋著。 ” = = f體陣列基板的製造方法，依序包括下列 r 形成第1金屬薄膜；利用第1'昭片黎』半導體膜、與歐姆接觸膜' 屋尤積形成閘極絕緣層、步驟，在欲形成源極導線、源王膜’、利用第2照片製版電晶體的半導體主動層形成’光岡：、汲極電極以及薄膜主動層的部分比起其他部分 7亥：導體薄膜化該光阻；去除該H電^體\極_以及没極電極；刻該第2金屬膜以去除該半導體曰曰主體動舌;生上層部餘 ===的歐姆層；利用第㈣片製版:刻步去孔；沈積形成導電膜；利用第導=接觸成與汲極電極連接的像素電極。…、片I版、餘刻步驟以形包括為了減少照片製版步驟數目，心l x二：η 2成透明導電體層與金屬層之至少2 層構以§作閘極導線/閘極電極以 ^ 屬層位於透明導電體芦上戶，势 ”電極，使得金阻而進行㈣以分定分述圖案的光層之光阻厚度變厚的區域X、用來露/至小///半導體光部分而去除光阻的區域ζ、以及i他=μ電極的透半導體層部分還薄的區域Υ ;使用： =起以各別形狀的圖案’進行半導體層與心 1258219 五、發明說明（π) 第3圖為第1實施形態各步驟之薄膜電晶體陣列的上視圖。第4圖為第1實施形態各步驟之薄膜電晶體陣列的上視圖。第5圖為第1實施形態各步驟之薄膜電晶體陣列的上視圖。第6圖為第1實施形態各步驟之薄膜電晶體陣列的上視圖。第7圖為第1實施形態各步驟之薄膜電晶體陣列的上視圖。第8圖為1實施形態各步驟之第1圖的A-A剖面圖。第9圖為1實施形態各步驟之第1圖的A-A剖面圖。第10圖為1實施形態各步驟之第1圖的A-A剖面圖。第11圖為1實施形態各步驟之第1圖的A-A剖面圖。第12圖為1實施形態各步驟之第1圖的A-A剖面圖。第13圖為1實施形態各步驟之第1圖的A-A剖面圖。第14圖為1實施形態各步驟之第1圖的A-A剖面圖。第1 5圖為第2實施形態所示的薄膜電晶體陣列上視圖。第1 6圖為第2實施形態各步驟之薄膜電晶體陣列的上視圖。第1 7圖為第2實施形態各步驟之薄膜電晶體陣列的上視圖。第1 8圖為第2實施形態各步驟之薄膜電晶體陣列的上

2066-3854-PF.ptd 第15頁 1258219 五、發明說明（12) — 視圖。第1 9圖為第2實施形態各步驟之薄膜電晶體陣列的上視圖。第2 0圖為第2實施形態各步驟之薄膜電晶體陣列的上視圖。第21圖為第2實施形態之第2照片製版使用的罩幕之 TFT部分的圖案。第2 2圖為第3實施形態所示之薄膜電晶體陣列的上視圖。 t 第2 3圖為第3實施形態各步驟之薄膜電晶體陣列的上視圖。第24圖為第3實施形態各步驟之薄膜電晶體陣列的上視圖。第25圖為第3實施形態各步驟之薄膜電晶體陣列的上視圖。第2 6圖為第3實施形態各步驟之薄膜電晶體陣列的上視圖。第27圖為第3實施形態各步驟之薄膜電晶體陣列的上視圖。第28圖為適用於本發明之主動矩陣型之液晶顯示裝置的T F T陣列基板的電路圖。第2 9圖為顯示本發明TFT陣列基板的製造步驟之剖面圖。第30圖為顯示本發明TFT陣列基板的製造步驟之剖面

2066-3854-PF.ptd 第16頁

1258219 五、發明說明（13) ----- 圖。第3 1圖為< ”、員不本發明TFT陣列基板的製造步驟之剖面圖圖路圖第32圖為辦應於第29圖、第30圖、與第31圖之上視 ί顯示網版罩幕圖案的例子圖。 ° ;、、、.、、、員示源極導線與修復導線的交叉部的例孑電 ^、s ΐ f ί顯7F將保持容量導線與閘極導線分別設置之共通¥線方式的電路圖。 S Ξ ί顯示共通導線方式的構造剖面圖。弟37圖為對應於第9圖之上視圖。第3 8圖為千jg u. @ 7 共通導線方式的例子上視圖。第圖為共通導線方式之源極導線與修復導線的交又部的例子電路圖。阳番f/i =顯示在像素電極的周圍形成遮光圖案之平面配置例子的上視圖。 2顯示lps模式之上視配置例子的上視圖。的剖：圖顯示本發明之TFT陣列基板的另-製造方法的剖Γ圖3圖為顯示本發明之TFT陣列基板的另一製造方法面圖第44圖為顯示本發明之m陣列基板的製造步驟的别第17頁 2066-3854-PF.ptd 1258219 五、發明說明（14) 第45圖為顯示本發明之TFT陣列基面圖。 J I造步驟的剖第46圖為對應第44圖、第45圖之上視圖。第47圖為對應第44圖、第45圖之上視圖。第48圖為為適用於本發明之主動矩陣置的TFT陣列、基板的電路圖。吹日日顯示裝第49圖為源極部一部分的例子剖面圖。第5〇圖為顯示保持容量的共通導線方第5 1圖為顯示本發明TFT陣列基板之剖面盖\路圖。攝造之剖面圖 _ 第52圖為對應於第51圖之上視圖。第53圖為對應於第51圖之上視圖。第54圖為顯示保持容量之共通導線方，5 5圖為顯示保持容量之共通導線方的二路圖。第56圖為顯示保持容量之共通導線方的，路圖。 J 57圖為顯示習知構造之薄膜電晶體部八二路圖。第58圖為顯示習知構造之薄膜電晶體部二：剖面圖。第5 9圖為顯示習知主陣 —、上视圖。

陣列基板的製造步驟剖面圖。液曰曰顯-裝置的TFT

第6 0圖為顯示習知主動矩陣型之液晶一陣列，板的製造步驟剖面圖。、不破置的TFT

陣列ί:2顯示習知主動矩陣型之液晶顯示事署陣列基板的製造步驟剖面圖。凌置的TFT 第62圖為橫方向電場用m陣列基板之上视圖。 1258219 五、發明說明（15) 第6 3圖為顯示對應於第6 2 (C)圖之製造步驟的剖面圖。第6 4圖為相當於第1圖之另一樣態所示的剖面圖。第65(a)圖〜第65(d)為相當於第2圖（a)〜第2圖（d)之另一樣態的剖面圖。第66圖為第3〜5圖所示的追加製造步驟而表示步驟說明圖。第6 7圖為相當於第1 3圖之另一樣態所示的剖面圖。第6 8圖為相當於第1 4圖之另一樣態所示的剖面圖。第6 9圖為相當於第1 5圖之其他樣態所示的上視圖。第7 0圖顯示第1 6〜1 8圖所示的追加製造步驟的說明圖。第71圖為相當於第22圖之另一樣態所示的上視圖。第72圖為表示進行第23圖〜第25圖所示之製造步驟之後，第2 6圖〜第2 7圖所示之步驟之說明圖。第73圖為相當於半導體區域之另一樣態所示之第32圖 (d)的說明圖。第74圖為相當於半導體區域之另一樣態所示之第32圖 (d)的說明圖。詳細描述實施形態1 第1圖、第2圖為本發明實施形態1之薄膜電晶體基板，第1圖為上視圖，第2圖（a)為第1圖之中的A-A剖面

2066-3854-PF.ptd 第19頁 1258219 五、發明說明（16) 圖，第2圖⑻為第w之中的β —β剖面圖圖之C-C剖面圖。第】圖、圖苐1 表示問極端子部金屬墊表不m，la 層），4b為歐妞L a為半導體層4(半導體主動極端子部金屬塾6歐為姆原接二層广5為源極導線，5a表示源電晶體之半導體生声、° Π ’ 7為汲極電極，8為薄膜接觸孔，1 1 A 層為層間絕緣層，1 0為汲極電極孔，13為像辛:f端子部接觸孔，12為源極端子部接觸 :接1』為像素電極’ 14為間極端子連接墊，15為源極端子 ^ i # ^ f 7 ® ^ ^ ^ ^ ^ 先，在透明基板!/成=各步，之第1圖A-A剖面。首笙MW 成 nm左右厚度的Cr、Ta、Mo、A1 牵化第l導雷厶屬薄膜。接著，利用第1照片製版步驟圖屬薄膜，而如第3圖、第8圖所示地形成 :睹：二筮1道:=閘極端子部金屬墊1 a、補助容量導線2。、田電性金屬薄膜為Cr時，使用例如（關4) 2 e 3 6]+ΗΝ〇3 + Η2〇液澄餘刻處理。接著，如第9圖所二，形成SiNx膜以當作閉極絕緣層3 膜以當作半導膜以當作歐姆接觸層4b，Cr&當作第2金屬層16 ’其厚度分別為4〇〇nm、15〇·、3〇龍、4〇〇·左右。使用電漿CVD裝置以沈積SiNx、a_si、n + a_si

Cr層則是裝Ϊ二H3以形成n+a-si層

第20頁 1258219 五、發明說明（17) 接著，如第4圖所示’利用第2照片製版步驟以形成用來定義源極導線5、源極端子部金屬墊5a、沒極電極7之一般厚度的光阻圖案17a以及用來定義薄膜電晶體之薄膜電晶體之半導體活性層8的薄膜光阻圖案1 7b。在此光阻為漆用酚酸（novo 1 ac)樹脂系的正型光阻，而光阻塗佈為夢'由J 旋轉塗佈以形成1 · 5 // m厚。光阻塗佈之後進行丨2 〇 9的烘烤約90秒，然後，利用包括光阻圖案丨7a以及光阻圖'案^ 17b的罩幕圖案進行1〇〇〇msec的曝光，之後利用僅能在^ 導體活性層部的光阻圖案17b曝光之罩幕，追加曝^ 40 0msec。藉由此2階段曝光，使得一般厚度的光/阻圖案 17a以及薄膜厚度的光阻圖案17b之層厚度變得不同。曝機為步進機或是鏡面投射型的曝光機。光源為使用高^ =燈線。接下來’使用有機驗系的顯影液顯影之劑揮發的同時提高以的密著力。藉由這些製程使先阻電晶體部的光阻形狀点炎4n _ /專膜厚产弁阻R ^ 7 為弟圖所不的形狀。在此一般乂子度光阻圖案17a的弁p且厘；# 士/ 幸1 7h的氺阳@ ☆九阻；度大、沟1 · 4 # m，而薄膜光阻圖荼17b的先阻厚度大約0· 4 /zm。之後再於1 2 〇 °C〜1 3 Π °Γ夕Μ— μ土々々光阻與cr之間的密著”c'間主進订烤相供烤，更加提高表面會完全鬆此時烘烤溫度過高時，光阻的 6]删3瑪0液進行Cr、膜頁=。’然後利用（NHA[Ce(N〇3) 體蝕刻歐姆声6的蝕刻。接著利用SF6 + HCl+He氣灰化，如in圖:半導體層4a。然後利用氧電漿將光阻回斤不去除光阻圖案17b以露出薄膜電晶 1258219 五、發明說明（18) 之半導體活性層8之部分之Cr膜。灰化是在壓力4〇pa實施 60秒。再者，灰化時RIE模式比起PE模式，較容易控制如第11圖所示之1 8的光阻開口部的大小。之後’在1 3 0 °C〜1 4 0 °C進行烤箱烘烤後，使用（N & ) 2[Ce(N03)6]+HN03 + H20液蝕刻開口部18之cr膜16。此時所有 Cr圖案有了側邊蝕刻，所以比起a —Si圖案，圖案變細了 1.5〜2.0 //m左右（變成a-Si圖案的内侧位置）。藉此，能夠經由a-S i圖案端面抑制從源極電極往汲極電極的漏電流。此Cr蝕刻有過度蝕刻的必要。過度蝕刻的量最好為5 〇%左右。接著，如第12圖所示，使用SF6 + HC1蝕刻半導體活性層8部分之歐姆層4b以及半導體層“的一部分，總共1〇〇nm 左右。、之後，去除光阻以成為第5圖所示，形成半導體圖案4、源極導線5、源極電極6、汲極電極7、源極端子部金接下來’如第6圖以及第7圖所示，使用pCVD裝置，形成30〇nm之SiNx的層間絕緣層9。然後，利用第3昭圖後」吏用CF4+〇2乾㈣以形成第2(a)、第 iUjV/6圖、第13圖所示之導通汲極請接觸孔10、導通表示閘極端子部金以及源極端子部金屬塾之接觸孔12。帛著，Γί7圖二第14圖所示，使用DC磁控型濺鍍機來 f圖及圖案化ΙΤΟ以形成透明像辛鬥用第4照片製版步j

此日令，使用例如hci+hn〇3+H2〇液邊

1258219 五、發明說明（19) 蝕刻處理ITO膜。如上所述所製造而成的薄膜電晶體陣列基板，係利用道道-的知、片製版步驟而製成，並且在源極導線下不存在半導體的高度&差’所以不容易發生源極斷線，並且源極電 f以及沒極電極的圖案包覆於半導體圖案的内側，而沒有 t又丄所以也可以抑制薄臈電晶體部的漏電流變低。再刻4 ft 〇第f至屬臈16為單層金屬’而使第2金屬膜16的蝕 1 -人為次。再者，此金屬係以Cr構成，以ITO形成像素導'線二方Ϊ =:液造成存在於層間絕緣層9而介於源極、剖面ί = = ’第2⑴圖為閘極端子部的 2(c)圖所-、语代)圖為源極端子部的剖面圖。如第 —f /不，，原極端子部可以使用例如透明導電声構成、馬 5 J子墊15連接於源極導線層5a±的構造，块而源如第2圖（d)所示於途中以、也可以料1。源極端子部的導缘材料i ^日a換成閘極導線材是可以用密封部附近導線材料形幻，或由源極導線材料變換成閘極 =、猎由將導線材料能夠防止因源極導線材料腐：造=斷：源極端子部附近 _將源極導線變換成閘極導線材料、說明源極端子部的構造。利二0守，以第2圖（d)來二J導線材料11形成源極導線變換；!極導^圖案的步驟以穿層間絕緣層9以及閘極絕緣層3 。再者利用形成貫弟1、第2、第3接觸孔

2066-3854-PF • ptd 第23頁 !258219

五、發明說明（20) 11、12的步驟，形成第4、第5接觸孔12，、丨2Π ，像Λ電極13的步驟形成與源極導線上的接觸孔電層部Γ的—端的接觸孔12,連接的透明導觸孔丨2二:端成 =^ 用此，雖然使用層間絕緣層9，然而不使圖，Λ/以時相當於第1圖之視圖為第64 面圖“二：，的第2(a)、⑴、(C)、⑷的剖上相二（b)、（c)、（d)。再者，製造步驟所示的同中，第3圖〜第5圖所示的步驟與上述：傻貫&弟6 6圖所示的步驟。的步：ί上面第8:14圖之中，相當於第8〜12圖所示圖、第68圖a廿同，相當於第13、14圖的製造步驟為第67 面圖為第心、:且第68圖所示的謝’料部的構造剖實施例2 =15圖為本發明第2實施形態之薄膜電 2="、E~E、F-F剖面與第1實施形態相同，分別 :不广⑷、第2(b)、第2(c)圖。在此μ表示閑極導刀別主動声）+導案’4&為半導體層4(半導體干==姆層(歐姆接觸層），5為源極導線，5a表塾，6為源極電極，7為汲極電極，8為、曰_之+導體活性層，Θ為層間絕緣層，1 〇為汲極

2066-3854-PF.ptd 第24頁 1258219 五、發明說明（21) 電極接觸孔，U為閘極端子觸孔，1 3為像素電極，〗4 觸孔，1 2為源極端子部接子連接墊。〜閘極端子連接墊，15為源極端其次纟兄明剪；iL古、、土 .. 之第15圖之D-D剖面。弟8圖〜苐Η圖顯示各步驟 Μ〇 ^ α! Ϊ , Ϊΐ\θ ^ ^ ^ ' Ta ^ 步驟圖案化第1導電性金屬、|膜J ”利用第1照片製版

I 地形成表示閉極導線卜^:子：：屬：導線2。此時，當第丨導電性金 ± 、補助容量 (NH4)2[Ce ⑽ 3)6]+HN〇3 + H2〇m_=1 著使 2 如 ί !2體Λ動二:a、n+a—Si膜以當作歐姆接觸層4b、，::二作第2金屬層16 ’其厚度分別為4〇〇nm、】：以，左右。使用電漿CVD裝置以沈積他：層，並且在歐姆層形成時，植入PH n + a-Sl 層則是利用DC磁控濺鍍機裝置沈積3。 / n a 1層，Cr 接耆’如第1 7圖所示，利用第？日77 μ由丨圖案，，義薄膜電晶體之半導體 17b、防止半導體端面漏電流用的光阻圖案η。、i7d，、” 及用來防止閘極/源極導線間短路的光阻圖案丨7e。以阻為漆用盼酸樹脂系的正型光阻，而光阻塗佈為藉由旋轉

1258219

五、發明說明（22) ^佈以形成1 · 5 // m厚。光阻塗。 =秒以用光阻圖㈣二^ 狀之罩幕圖^ 光空阻隙；1 ·5 "m/1.5…Cr線條形 1000msec 的曝光。後 =案17t)、17c、17d、17e 的一般的步進機# 案如第21圖所示。曝光機為 H P μ #或疋鏡面投射型的曝光機。光源為使用高壓線、h線。此時，比起曝光裝置的解析界限，線的圖案，所以在光阻的線條狀部分不曝光並且比起其他平均曝光部分還要少曝光量。 t ~ 1 9 ifl7-來，使用有機鹼系的顯影液顯影之後，在1 0 〇 #同Θ #二，1 8〇秒的後烘烤，再者，使光阻中溶劑揮發氺二心同、Γ的密著力。藉由這些製程，薄膜電晶體部的安，大成為如第丨〇圖所示的形狀。在此一般厚度光阻圖 ” 8白、光阻厚度大約1 · 4 # m，而薄膜光阻圖案丨7b、、17/、17(1的光阻厚度大約〇·4〜〇.6//m。之後再於120 f j 3 0 C之間進行烤箱烘烤，更加提高光阻與c ^之間的密著私度。此時烘烤溫度過高時，光阻的表面會完全鬆軟，必須注意。然後利用（NH4)2[Ce(N〇3)6]+HN〇3 + H2〇液進行Cr 膜16的蝕刻。接著利用HC1+SF6氣體蝕刻歐姆層社以及半導體層4 a。然後利用氧電漿將光阻灰化，去除光阻圖案 171)、17〇、17(1、176部的(：1'膜。灰化是在壓力4(^&實施60 秒。再者’灰化時r IE模式比起PE模式，較容易控制如第 11圖所示之1 8的光阻開口部的大小。之後，在1 3 0 °C〜1 4 0 °C進行烤箱烘烤後，使用（n H4)

第26頁 2066-3854-PF.ptd 1258219

五、發明說明（23) 2[Ce⑽3)6]+hn〇3 + H2〇液蝕刻m、^、⑺ 16。本圖案使源極電極 17e之C Μ 置地較分開，所以士 4每極電極近的半導體圖案配抑制改f u s Ρ % #起貫施例丨，產生半導體端面漏電的 2: 刻的範… 由He的工圖幸所1刻.°然而’此時必須注意的是，藉緣，保持曰狀離日/ ^―心圖案連續而突出閘極導線的外極圖案不徠：守’在部分不施加閘極0FF元件，並且在閘所一。遮先，所以漏電流變多。因此，如第17圖之Ik 所不，包含源極導線血汲極雷掩第17 S之17C 少一邱八，^ 一及枝電極的+導體圖案的外緣的至半導幸刚的外緣伸入内側。也就是說，延長：路；：的：薄膜電晶體區域向含有源極導線區域盥閘極導s ί 21""、一部分之中，半導體圖案的兩側外緣導線上的外緣必須交又地形成。n 效。接菩ί2 父又’而17c對於意圖地交叉為有 m、17c :17d 7圖所示’使用SF6+HC1韻刻光阻圖案部分，Λ部分之歐姆層4b以及半導體層4a的一矛，形：幸V:後：去除光阻以成㈣極7、源椏案導線5、源極電極6、汲極電 # 從,源極端子部金屬墊5a。 ^ 絕緣η後使用:cvd裝置，以形成3〇°_之。1的層間。成如第2一圖⑷、第2圖⑻、以及第2圖導通表不閑極端子部金屬墊la的接觸？U1、以及源極端子 2066-3854-PF.ptd 第27頁 1258219 ~~—__ 五、發明說明（24) ，，塾之接觸孔12。接著’使用DC磁控型錢鑛 f/Λ約100之1το構成的透明導電層。接下來，利用ί 版步驟圖案化ΙΤ〇以形成如第2圖⑷、第2圖⑻ ^圖（C)、第14圖、第20圖所示透明像素電極13、閘，'子部墊14、以及源極端子連接墊15 : HC1+HN03 + H20液溼蝕刻處理IT〇臈。用例如版牛®如上/斤述所製造的薄膜電晶體陣列係使用4道照片f =驟所製成’由於源極導線下方的半導體層不存在= 朽ί ’所以不谷易產生源極斷線，並且源極電極、汲極電面與源極電極以及汲口：：間;巧晶：半導體圖案端的漏電流。再者，，由Γ 變廣，戶斤以可抑制較低圖案=緣的至少一部☆，伸入造，能夠防止因漏光等造成的漏電增加。U側之構緣声9以不上/用施Λ態雖然使用層間緣緣層9，然而此層間絕 6 9 ‘。再者顯"-以；此％ ’相當於第1 5圖之上視圖為第中第二第=驟的上視圖為第16圖〜第2。圖之中，弟16〜苐18圖所示的步驟與上

I 施第70圖所示的步驟。疋门樣地貝苑，接者貫本實施形態之中，分別在莖]人 5a上形成覆篆蛀鎚Γμ 第金屬膜1a以及第2金屬膜以當作閘極端子連接釗"及電在閑極以及源極端子部不需要透而子上接墊15，然而成在接觸孔分別露出第1金屬臈卜以及第2金屬膜5a也可

2066-3854-PF.ptd 第28頁 1258219 丨· _ 五、發明說明（25) 以。實施形態3 圖(c)相同。在此Μ表示閉極：線圖，(;)#第2圖(b)、第2 屬塾，2為補助容量導線，2a^ps 極端子部金絕緣層，4表示半導體圖案，f ^，3表示閘極層，5為源極導線，5 # 导體層4，4b為歐姆層間絕緣層，ι〇為汲極電極接;:之以層，9為源極端子部接觸孔，13為像=極觸子連接墊，1 5為源極端子連接墊。 4為閘極端乐α至弟14圖顯不各步驟之第以圖" ι先，在透明基板上形成40〇 nm左右 σ Μ〇、Α1等的第i導電性金屬薄 -=、τ:、步驟圖案化第！導電性金屬薄膜，而】第^片製版地形成表示閑極導線丨、閉極端子部金屬塾：：二所旦示導線2、IPs對向電極2a。此時，當第i 谷里 ΐ 時接 rr=4)2[Ce⑽3)6]+h_ 3；：^ 曰Cr以S作第2金屬層16，其厚度分別為40〇nm、 15Unm、3〇nm、40 0nm左右。使用電漿CVD裝置以沈積第29頁 2066-3854-PF.ptd 1258219 五、發明說明（26) S i N X、a_Si + m. 、/ 以形成n+a-si層，Cr;則是形成時，植入ph3 接著，如第〜回I 控㈣機裝置沈積。用來定義源極導蝮回所不’利用第2照片製版步驟以形成茶ia以及用來定義薄膜電晶體之薄膜體活性層8的薄膜光卩且円宏17h 溥胰冤阳體之丰導系的正型光阻，而丄案。在此光阻為漆用酚醛樹脂厚。光；i;之：：阻由旋轉塗佈以形成Η” 用包括# ia FI 進仃的預烘烤約90秒，然後，利圖案17b曝光之罩幕後自力用異僅^此在半導體活性層部的光阻 ^ η ^ ，追加曝光4〇〇msee。曝光機為步進機 100 °Γ^19Π - 使用有機鹼系的顯影液顯影之後，在揮發的同時提Ϊ(^ΐ8〇Λ的後供烤’再者，使光阻中溶劑部的光阻报北=、Γ的密著力。藉由這些製程，薄膜電晶體阻圖案1 7 ^ 、為如第1 〇圖所示的形狀。在此一般厚度光光阻严、产\的、n阻厚度大約丨·4"1"，而薄膜光阻圖案17b的光阻H ^120 30 °c之間進行烤箱烘烤，更加提高表面^二入^的密著程度。此時烘烤溫度過高時，光阻的〇 ^^^^NH4^Ce(N03) 灰化二2笛層4b以及半導體層4a。然後利用氧電漿將光阻 11圖所示露出半導體活性層8此部分之cr膜。

1258219 五、發明說明（27) 在屢力4〇Pa實施60秒。再者，灰化時RIE模式比起 Μ杈式，較容易控制如第u圖所示之“的光阻開口部的大小〇之後，在13(rc〜140°C進行烤箱烘烤後，使用（〇4) 2[ e(N03)6]+HN03+H20液蝕刻開口部18之^膜16。此時所有 ^圖案彳了側邊钱刻，所以比起a —Si圖案，Cr圖案變細了批5〜2· 〇 “π!左右。藉此，能夠經由a — Si圖案端面抑制從源極電極往汲極電極的漏電流。此Cr蝕刻有過度蝕刻的必要。過度蝕刻的量最好為5〇%左右。 _ 接著，如第12圖所示，使用SF6 + HC1蝕刻半導體活性部分之歐姆層4b以及半導體層仏的一部分，總共i〇〇nm 二右。之後，去除光阻以成為第25圖所示，形成半導體圖 ^4、源極導線5、源極電極6、汲極電極7、源極端子部金墊5a。接下來，如第6圖以及第η圖所示，使用pcvD裝 f，以形成30 0nm之SiNx的層間絕緣層g。然後，利用第3 照片製版步驟圖案化，然後使用CF4 + 〇2乾蝕刻以形成第26 圖、第2(a)、第2圖（b)、第2圖（(〇所示之導通汲極電極7 之接觸孔1 0、導通表示閘極端子部金屬墊丨a的接觸孔丨i、以及源極端子部金屬墊之接觸孔1 2。 0 a接著，如第27圖以及第14圖所示，使用DC磁控型濺鍍機來形成厚度大約l〇〇nm之^構成的導電層。接下來，利用，4照片製版步驟圖案化Cr以形成ips電極13&、閘極端子部塾1 4、以及源極端子連接墊丨5。此時，使用例如 HCl+HN〇3 + H2〇液溼钱刻處理cr膜。

1258219 五、發明說明（28) 如上所述所製造而成的薄膜電晶體陣列基板，係利用 4道的照片製版步驟而、製成’並且在源極導線下不存在半導體層的高度落差’並源極電極以及汲極電極的圖案包含於半導體圖案，所以不容易發生源極斷線，所以亦可抑制的漏電流變低。再者，配置於最上層的IPS電極係aCr形成，所以即使在面板組合等步驟之後進行刷具洗淨，亦可防止受損等圖案變亂的產生。本實施形態之中，雖然使用層間絕緣層9，然而不使用此層間絕緣層9也可以。此時相當於第2 2圖之視圖為第 71圖。再者，製造步驟所示的上視圖，第23〜第27圖中，第23圖〜第25圖所示的步驟與上述相目，之後實施示的步驟。實施形態4 第28圖顯示適用於本發明主動 (AMLCD)的TFT陣列基板的雷狹岡从干主欣日日”，、貝不忒置的雷赂槿、& ^ 圖的一個例子。第28圖所示的冉為利用間極導線將保持容形成之Cs on gate型。在此，】ηι达田+ 十承电位閘極導線，1 〇 2 Λ用办μ 為用來供給掃描電壓的、為用來仏給訊號電壓的源極導绫，1 m盔〆作施加電壓於液晶時的n M 一# 導綠，1 03為當為以容量# +^ :的開關兀件之薄膜電晶體（TFT)，104 馮以合里表不進行光透 1U4 路，105為為減少並 °開關之液晶的等價電的影響之保持容量Cs la 1 04之配置的TFT的寄生容量共用電壓的共用電極，丨二二，晶10/的單側的電極連接為使用T C P等將閘極導線1 〇 1連 2066-3854-PF.ptd 第32頁 1258219 五、發明說明（29) 接於閘極側外部電路的閘極^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^利用TFT或疋兩低坑的線形或是非線形元件形 ϋ訊號施加時將間極端子1()7與源極端子⑽電氣分離’， :5广為電Λ靜·Λ進入時，為用來電氣結合的高電阻元件。m為經由兩電阻元件109與閘極導線1〇1連接的 A，11 2為經由高電阻元件丨丨〇與源極導線丨〇 2連接的導線 B，1 1 3為用於靜電對策而用來連接導線A(丨丨丨）與導 BO 12)的連接部。114為源極導線開放故障等情況時，用的修復導線。相對於TFT陣列基板，組合形成有光片之對向基板’ ϋ且注入液晶之後，將一般圖中虛線; 不的區域115的外側切離，以成為LCD(液晶顯示）面板。再者，才見需要在TFT陣列形成時’不形成以虛線所示的11 5外側的部分的至少一部分也可以。第29圖、第30圖、第31圖為顯示減少本發明昭片f 步驟數目（光罩數目）之TFT基板的製造步驟的剖面圖，顯示實現第28圖所示之TFT陣列基板的電路之製造步驟。第 32圖為對應於第29圖、第30圖、第31圖之上視圖，第29 圖、第30圖、第31圖為第32圖之γ-γ剖面以及閑θ極’/源極端子部剖面構造。第29圖、第30圖、第31圖之中，211為絕緣性基板， 21 2為透明導電體層構造的閘極電極以及閘極導線，2丨3為金屬層構成的閘極電極以及閘極導線，2 1 2與2 1 3形成閑極導線101。214為透明導電體層構成的像素電極，^5為'金 1258219

五、發明說明（30) 屬層構成的像素電極，？ β & (主動層卜218為含有ί閘極絕緣層，217為半導體層 (接觸層），219(219a、b) Α不純物之南濃度之半導體層脂，㈣⑵〇a、b :)為)Λ用來當作光阻的…^ 马成為源極以及》及極的導電體a 1〇2為源極導線，103為薄膜電晶體（tft)，221為保持曰容旦 “亟’ 222為Si3N4等構成的絕緣層，23〇為上視、里上的半導體區域。、乐W圖）第32圖之中與第28〜第31圖所使用的相同編號，表同一個内容。 μ 接著’說明本發明的製造方法。利用瘛鑛、沈積、塗佈、CVD、印刷、溶膠等方式在、、、邑、、彖性基板 2 2 1 上形成 I Τ 0 (i n d i u m t i η ο X i d e )、S η 02、

InZnO專透明導電體層或是這些積層、或是混合層構成的透明導電體層。接著，利用濺鑛、沈積、CVD、印刷法等方式在此透明導電體層上形成Cr、Al、Mo、W、Ti、Cu、 Ag Au、Ta專金屬或以這些為主成份的合金或是這些物質的積層金屬而電阻比上述透明導電體層低的物質層。藉此’可在透明導電體層積層至少一層金屬構成的低電阻層之導線構造。以使用光阻等的微影法以及接續的蝕刻法等，形成透明導電體層以及金屬等之低電阻層構成的閘極電極以及閘極導線圖案2 1 2、2 1 3。在這個同時，利用與閘極導線相同材料以及構造之透明導電體層與金屬等低電阻層構成的層構造，來形成像素電極圖案214、215。（第29 圖（a)、以及第32圖（a))。

1258219 五、發明說明（31) I TO等的透明導電體層一般亦使用多結晶。此時，工τ〇等的蝕刻劑例如鹽化亞鐵或是HC 1以及硝酸為主成份的物質。然而，利用非晶質形成例如I Τ 0層2 1 4，並且將上方的金屬層2 1 5以I Τ 0結晶化以下的溫度進行沈積，由於間極電極等形成時I TO為非晶質狀態，所以可以利用草酸等較弱的酸進行蝕刻，使用A1等為金屬層時，IT0之蝕刻時至少可餘刻A 1荨金屬’在構造形成時，金屬的飯刻直到'終止， I T 0為非晶質狀態也可以。因此，a 1等金屬沈積時，最好在I T 0不結晶化的1 6 0 °C以下的溫度進行。再者，I TO的蝕刻，例如使用HC 1、HBr、Η I等氣體進行餘刻也可以。接下來連續地形成下列各層，利用電漿CVD等各種cvd 法或濺鍍法、沈積、塗佈法等形成用來當作閘極絕緣層的

SiOxNy、Si02、Ta2 05、Α12〇5等或是這些物質的化學量論組成分一部分或是，這些積層物構成的絕緣層2丨6 ; 例=電漿CVD法或濺鍍法形成欲不植入不純物以當作摻質或疋欲摻入不純物濃度小於5〇ppm左右或TFT實際使用電壓條件暗時的漏電流小於50pA之抑制摻質濃度，而當作通道用半導體層（主動層）用的a-Si:H層（氫化非晶質矽層217，利用電漿CVD或濺鍍法形成用來與金屬接觸之石二、銻、硼等不純物在膜中原子比例如〇 · 〇 5%以上之摻有 =濃度不純物的半導體層（接觸層），例如n + a —Si:H或是、、、口晶 n + S i 膜 2 1 8。

1258219 —________ 五、發明說明（32) η、ί下來在先全面性地塗佈光阻，然後使用光罩曝光以 :2= /二/光阻圖案的形狀如以下所述。首先，如 ^ I, ^32/,(bj I ί 7 二半導體層以外的部二二並：=Γ刻a_Si:H層217以及例如n + a_Si:H膜 (區域B 2= 、緣層216以外的區域形成厚度β的光阻阻#區域Α(219&)的光阻厚度是根據區域6的光 i f =f變厚而設定。在間極導線上鄰接的源極導線間形成例如區域B⑵9b)，去除此部分之a — U ^ 以及n + a-Si :H膜218，並且電氣鄰接的爲士 . 、 7 為絕緣狀態。再者，導線間最好成在下層殘留半導體層217、218，並且刀田作WA而的斷線。，且也可以防止源極導線化而形成。、1光阻基本上亦以相同的方法圖案通過不t ΐ光阻的部分在光罩上略成透明的狀態，使得弁 =不：r且顯影時僅有不殘存的得到充分的；量：ί 果為不形成光阻的部分為區域C。 … 部分，例如對應於此位置的光罩部方面’光阻厚度Α的充分厚度之Cr等不刀成手不透先，而係以阻不接受充分的瞧 "、、、、敝耆。此結果，此部分的光阻的區域A。jl有+戶’二顯影時可留下具有充分厚度光 -有厚度B的光阻區域以斤照射的曝光量，為 2066-3854-PF.ptd 第36頁 1258219 發明說明（33) 區域A與區域C之間曝光量。此曝光量的調整是為了使區域 B的^光阻厚度比區域A還薄。其結果，可得到第29圖以及第32圖（b)的光阻形狀。曝光量或是光量係以照射光的光強度X時間。為了使光阻的厚度在區域A >區域b >區域c(實質上為〇)，、區域B的照射曝光量介於區域八與區域◦之間（曝光量為區域A <區域B <區域C)，此具有若干方法。例如，使形成區域B之罩幕上的圖案透光率，比區域A的透光率高，而比區域C的透光率低。藉此例如，用於形成區域6部分的光阻遮光膜之Cr等的遮光材料的厚度，比起形成區域a部分的遮光膜厚度還薄，也可以控制光量。或是在區域β部分形成1層或是多層絕緣層，以改變透光率、反射率、或是相位’也可以以實質上使區域B的透光率低於區域c的透光率。再者，為了設定曝光量在區域A(實質上為〇) <區域β <區域C，具有以下的方法。相對於區域a與區域β，利用具有同等程度低透光率的遮光部分在罩幕上形成圖案，並且在區域C在罩幕上形成具充分透光率例如不具一切遮光材料之圖案。接著，使用具有區域A+區域β的遮光圖案之罩幕’並且以曝光量1僅進行區域C的照射曝光。接著，使用僅對具有區域A的部分遮光圖案的罩幕，進行曝光量2的曝光，然後以曝光量2在形成區域A部分以外照射光。此時’進行曝光的曝光量1為’顯影時能夠充分地去除區域c 之光阻的強度，曝光量2設定成在顯影時能夠殘留區域β之

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五 1258219 、發明說明（34) 必要厚度的光阻。通常使用正型光阻時，照光時的光強度 X光照射時間的計算結果，曝光量丨設定為大於曝光量2。為了設定光阻厚度，區域A >區域B >區域C(實質上為〇 )的第3個方法，例如利用用來形成區域a之具有低透光率之遮光層以在罩幕上形成圖案，並且在區域〇在罩幕上形成具充分透光率例如不具一切遮光材料之圖案。區域B也可以使用如第3 3圖所示之所謂半調（ha i f tone)罩幕。如圖案233，半調罩幕是將罩幕上的遮光圖案的空間周波數變得比曝光機的圖案解析能力（例如1/6 還高，並且使光阻無法影像罩幕上的圖案，並且區域c的曝光強度變小。半調罩幕的微細程度為，每一階段之遮光部與透光部合計的寬度為〇· 6 # m以下。其結果，&可嗖定光阻的厚度在區域A>區域B>區域c(實質上為〇)，並X且到第2 9圖（b)以及第3 2圖（b)的光阻形狀。接下來，蝕刻n + a-Si:H膜、a-Si:H之半導體膜，Si丨等間極絕緣層。此蝕刻係例如以HC1為主成份的 ' 丄 CF4為主成份的氣體或是CF4與〇2的混合氣體，SF . 的氣體來進行。其結果，至少去除當作像素電^部” 透過的部分之上方各層。再者，閑極導號用的TCP等連接的端子部分224，例如用來防止= 接源極導線或是TFT或是經由電阻與源極導線^ 八 (第28圖’113等），此步驟將也可以去路4刀 a-Si : Η、Si3N4等的閘極絕緣層（第3〇圖（&) ) ·、

上述n + a-Si:H膜、a-Si:H膜、。汍等的閘極絕緣

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五、發明說明（35) ^刻，也可以利用CF4gH4+〇2等單—氣體钱刻全部，例進^Ta-Si TFT膜蝕刻時，利用可抑制SiN蝕刻的氣體，可以至少利用姓刻氣體分別钱刻a_Si :H、si…’此氣，„:Η膜，例如是使用SFe、HC1、η23或是這些 =的=體或是這些氣體與非活性氣體的混合專的㈣例如使用CF4、SFe或是這些氣體的混 m疋這些氣體與〇2或非活性氣體等混合氣體。 :後，使用可降低光阻厚度的氧電漿比:Ί賴219b)光阻。此時區域A⑵9a)的 Γ還薄、然而以下餘刻時控制在能夠維 ls= aS1=接著，利用乾_^ 、 .、以去除區域B(第30圖（b))。此減少區域B之光阻厚度的步驟 n + a-Si :H膜、a-Si :H、S“N箄的蜀進仃而進仃用光阻本身亦削減部分的顯4影，的蝕刻等’利光阻。也可以同日守削去區域B的之後，如第3 0圖（b)所示，4,丨一蝕刻掉n + a-Si :H膜、a-Si :H、Si ^渔蝕刻或乾蝕刻將已素電極2 1 4上的金屬層2丨5 (第3丨^ 4等閘極絕緣層部分之像阻。 1弟31圖（a))。接著，去除光接者’形成例如C r、A 1、τ i 或是以這些為主成份的合金或是、、w 'Mo、M〇-w、Cu 極電極以及源極導線、及極 k些主成份構成而當作源 b、c)。及極電極之導電體層220 (22〇a、

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五、發明說明（36) 以及ί ί墓ί:用照片製版法以將導線圖案形成為源極電極行二，Ιί、&極電極之形狀’然後利渔、乾㈣法進極，利用乾蝕刻法去除源極電極22吒與汲極電 =】；ra-Si:H膜構成的n+半導體層218,最後剝離 ^ 既定的圖案（第31圖⑴、第31圖（C))。此時為二成保持谷量Cs ’與源極導線同時製作而成的保持容量電 t 至/經由閘極絕緣層216，對向例如212、213構成的人又或刖段的閘極導線。此時，保持容量電極2 2 i與閘極絕緣層2.16之間不僅閘極絕緣層216也可殘留n + a_Si、:H膜、 a S1 . Η膜。如圖所示，保持容量電極至少必須與像素電極的一部分連接。为形成S13化、S i〇2等或是這些混合物以及積層物構成的絶緣層所構成的保護層2 2 2。利用照片製版形成圖案，以在用來連接至少外部輸入的訊號之外部Tcp之閘極端子部 223、源極端子部225能夠形成接觸孔。然後，利用cf4等氣體之乾餘刻或溼蝕刻法以打開接觸孔。蝕刻終了即去除光阻。藉此，可形成TFT陣列（第31圖（c)、第32圖（d))。然後’在TFT陣列上形成排列膜，然後組合在表面至少形成有排列膜與共用電極的對向基板，之後在兩者之間注入液晶，然後形成主動型矩陣液晶顯示器。根據以上製程，可形成具有如第2 8圖所示構造圖之 TFT陣列以及使用此陣列的液晶顯示器。第28圖之中，雖然形成例如閘極導線材料構成之源極導線用修復導線11 4，然而視情況不形成也可以。

2066-3854-PF.ptd 第40頁 1258219 五、發明說明（37) 再者，如第34圖所示，與修復導線U4的交叉部之 H源極導線m改變成為利用接觸孔U6a、㈣而以 =導線材料形成與閘極導線同一層的導線117也可以。此時，修復導線1 1 4是以源極導線材料形成。第31圖之中，I除如第31圖⑷利用閘極電極材料所二成之像素電極214上的金屬層215，然後如第”圖⑴，蝕刻圖案化源極/汲極電極22〇b、c、源極導線ι〇2，然二若兩者為同一材料時，省略第31圖⑷所示之閘極電的5 =刻，並且如第31圖（b)所示，在源極導線極215也可以。U除以閘極電極材料形成之像素電後2”半Λ體領域230的形狀如第32圖⑷所示，冑出閘極導 =3的兩側，然而’如第73圖戶斤*，單側或是兩侧伸人 :極導線的内側也可以。第32圖⑷之中，半導體區域Μ。相ΐ側外緣突出閘極電極213的外側，而不與閘極0FF元件 “=以會因為光的照射，而有漏電的可能性。為 ΐ晉:：如第73圖所示在半導體區域230的上側外緣 :d r二ί使半導體區域230的外緣與閘極電極21 3的外緣父差變得特別有效。搞如再Ϊ ’ Ϊ第73圖所示’半導體區域230的至少源極電 f側’可以的話源極、汲極電極的兩侧同時伸入閘極導 Ϊ電ί)且 =極電極部的半導體層僅存在於閘極導線(閘 ° ° ' ，閘極電極則會遮住從下部照射的光，並且可防止照射的光往源極電極部的半導體層，戶斤以可防止第41頁 2066-3854-PF.ptd 1258219 五、發明說明（38) 因為光造成的漏電流。再者’如第74圖所示，延長半導體區域2 3〇，並且從薄膜電晶體在源極導線1 〇 2的下部連續地形成也可以。藉此’可防止源極導線1 〇 2在半導體層2 3的端部之高度落差容易產生的斷線。如上所述半導體區域2 3〇的形狀改變，在以下的實施形恶也同樣有效。第丨圖所示之實施形態工亦同樣地配置著。〜實施形態5 上述實施形態說明了有關保持容量丨〇 5形成於次段或是前段的閉極導線之間的所謂。on gate構造，然而如第 35圖的電路圖所示，將有利用於1閘極延遲的保持容量導線與閘極導線分別地形成之共通導線構造也可以。在此，保持容量105連接於共通導飧19(1。。 ,,,, 00 = /、逋導線120。再者，共通導線120經接ί:甬接於導線拉出線121。共通電壓係經由連線121的共通導線端子123，從外部施加電奚。其他邛勿功能的符號與第28圖相同。 37円：通導線方式之中，例如第36圖所示之剖面構造斑第形==己置"再者，如第38圖所示，在像匕中々风，、逋導線120，然後將像素電極丁形成源極導線的同時形成之保刀為二刀’接者利用間，並且在此形成保持容量1()5也&電極221橋接於其於閘的;=。線，的時線傾向垂直的共通導線拉出、㈣。 1258219

五、發明說明（39) 極，線101相同的材料同時地形成。共通導 2與其閘極導線之交又部124，係使用與閑極導、= 二、源極導線1 02材料。視情況，4與閉極導線㈤交又二線。，也可以形成以閘極導線材料構成的共通導線拉出口如第39圖所示，與修復導線丨丨4的交叉部之厂形成與閘極導線同一層的導線丨丨7也可以。、、、實施形態6 上述實施形態之中，可形成絕緣層222以覆蓋 :列’然而不形成此絕緣層也可,乂。省略此絕緣層的形成 2罩數目變成3片。此時’在液晶密封的外部有源極導線腐蝕的問題，然而在露出密封的外部以冑，在 =用接觸孔改變成為閘極導線材料。藉此，彳導線的腐蝕。實施形態7 第29圖（b)的步驟之中，使區的光阻圖案2i9b與像素電極的圖案（214、215)重疊也可以。若是如此，如第4〇圖所不，在像素電極（透明導電體層）214的外周緣會殘留金屬層215，可形成214、2152層構成的遮光圖案。實施形態8 ' 上述實施形態之中，雖然說明了對向基板，在液晶本身施加電壓的共用電極，然而亦可適用於，具有能表現廣視角之IPSUn-plane switching)模式等，施加液晶電壓

1258219 五、發明說明（40) 於橫方向電場施加m基板的所有電極。此情極2 14不需要為透明導電體層，為象素電 ,^ 4金屬也可以。掇式的上視圖的例子顯示於第41圖（8)、⑻。在此；圖、第37圖相同的者係使用相同的符號。 ”弟32 第41圖U)之中，像素電極231是在第2 電極21 4/215形成時製成。〜彳豕常電桎V，素電極232是在第31圖(a)的沒極電，形成4製成。此時’不進行第29圖（&)之像形成。％第41圖⑷、⑴之中，閘極電極以及導線僅為金屬層 3也可以。再者，像素電極214/215僅為金屬層215也可以。實施形態9

上述實施形態之中，為了使n + a_Si膜島化狀，而使用第29圖（a)、（b)、第3〇H(a)所示的半調罩幕等技術以在平面^部分地改變光阻的厚度，然而不進行此步驟，而另外進行n + a-S 1膜的島狀化的照片製版也可以。此時，例如在光阻厚度在空間上沒有變化。在第29圖“）的狀態，使平面上的光阻厚度沒有變化，並且實施像素電極214/215 上與接觸部22 3上的8丨以16/3-3111217/11 + 8-8丨：11218去除的步驟’去除光阻之後，再度製成形成電晶體島的圖案，並且$刻以去除TFT部以外的a —Si :H膜217/n + a-Si :H膜218，而製成如第30圖（a)的構造。此時，雖然如第29圖〜第31圖斤示的實％形態之照片製版的次數增加了，然而比起習知

第44頁 1258219 五、發明說明（41) 技術仍可減少實施形態1 0 在實1形態4之中’蝕刻完由SiN等構成的閘極絕緣層 21 6、n + a-Sl : Η膜2丨8以及閘極導線材料構成的像素電極 2U上的金屬層215之後，形成源極/汲極以及導線22〇。相對於此’不使用使光阻厚度在空間上變化的步驟，如第42 圖U)、第42圖（b)、第42圖（c)、第43圖（3)、第“圖⑻ 所示，至少在使像素部透光的部分㈣去除閘極絕緣層 216、a-Si:H膜217、n + a- Si.H 腔？, d ύ1 ·Η膜^18之後，形成源極/汲極，極220也可以”匕時，用來當作通道之以膜21 島狀化。利用濺鑛、沈積、塗佈、CVD、印刷、溶膠等方式在絕緣性基板 221 上形成 IT0(indium Un 〇xide)、Sn〇2、

InZnO等透明導電體層或是這些積層、或是混合層構成的透明導電體層。接著’ #用濺鍍、沈積、㈣、印刷法等方式在此透明導電體層上形成^、A1、M〇、w、Ti、Cu、

Ag、Au、Ta等金屬或以這些為主成份的合金或是這些物質的積層金屬而電阻比上述透明導電體層低的物質層213、 215。藉此，可在透明導電體層積層至少一層金屬構成的低電阻層之導線構造。以使用光阻等的微影法以及接續的蝕刻法等，形成透明導電體層以及金屬等之低電阻層構成的閘極電極以及閘極導線圖案2丨2、2丨3。在這個同時，利用與間極導線相同材料以及構造之透明導電體層與金屬等低電阻層構成的層構造，來形成像素電極圖案2丨4、2丨5。 1258219 五、發明說明（42) (第 42 圖（a))。

接下來連續地形成下列各層，利用電漿CVD等各種CVD 法或濺鍍法、沈積、塗佈法等形成用來當作閘極絕緣層的

Si3N4、SiOxNy、Si02、Ta2 05、A 12 05等或是這些物質的化學 i論組成分一部分或是，這些積層物構成的絕緣層2 1 6 ; 例如電浆CVD法或錢鑛法形成欲不植入不純物以當作捧質或是欲摻入不純物濃度小於5〇ppm左右或TFT實際使用電壓條件暗時的漏電流小於5〇pA之抑制摻質濃度，而當作通道用半導體層（主動層）用的a-Si :H層（氫化非晶質石夕層）2 1 7 ;利用電漿CVD或濺鍍法形成用來與金屬接觸之，、銻、硼等不純物在膜中原子比例如〇 · 〇 5%以上之摻有间/辰度不純物的半導體層（接觸層），例如n + a — S丨：η或是微結晶n + Si膜21 8。 p 接下來’形成光阻以去除至少透光之像素部的s丨N等構成的閘極絕緣層216、a-Si:H膜217、n + a-Si:H膜218、，然後進行蝕刻（第42圖（b)、第42圖（c))。此處，去除光阻

窃然，，形成例如Cr、Al、Ti、Ta、W、Mo、Mo-W、Ci 為主成份的合金或是這些多層積層物構成而 /’、^亟以及源極導線、汲極電極之導電體声二、:)、。然後’，利用照片製版法以將導線圖案 = 終其次，利用乾㈣丄極220c，、汲極電極22扑之間的a_Si :H膜構成的半導體,

1258219 五、發明說明（43) 218，最後剝離光阻以形成既定的圖案（第43圖（a))。形成S is比、S i 02等或是這些混合物以及積層物構成的絕緣層所構成的保護層。利用照片製版形成圖案，以在用來連接至少外部輸入的訊號之外部TCp之閘極端子部223、源極端子部225能夠形成接觸孔。然後，利用CF4等氣體之乾#刻或溼蝕刻法以打開接觸孔。蝕刻終了即去除光阻。藉此’可形成TFT陣列。（第43圖（b))，根據此方法， a-Si : Η膜217等亦殘留在TFT部以外，而照片製版次數（罩幕數）可利用4次（4片）來完成。實施形態1 1 根據上述貫施形態的話，雖然以a — g i : Η膜來可形成半導體層’然而亦可使用P〇ly_Si (複結晶矽）。實施形態1 2 顯示第28圖所示，本發明使用的主動矩陣式液晶顯示器（AMLCD)的TFT陣列基板的電路圖的另一個例子。第28圖所不的電路構造，稱為利用閘極導線將保持容量Cs與像素電極形成之Cs on gate型。在此，1〇1為用來供給掃描電壓的閘極導線，102為源極導線，103為當作施加電壓於液晶時的開關元件之薄膜電晶體（TFT)，1〇4為以容量表示進行光透過/非透過之開關之液晶的等價電路，1〇5為為減少並列於液晶104之配置的TFT的寄生容量的影響之保持容量 C s 1⑽為將液晶1 〇 4的單側的電極連接共用電壓的乓用電極，107為使用TCP等將閘極導線1〇1連接於閘極側外、路的閘極端子，108為使用TCP等將源極導線1〇2連接於源

1258219 五、發明說明（44) 極側外部電路之源極端子，高低坑的線形或是非線形元閘極端子107與源極端子ι〇8 進入時，為用來電氣結合的阻元件1 0 9與閘極導線1 〇 1連元件1 1 0與源極導線1 0 2連接而用來連接導線A( 1 11 )與導極導線開放故障等情況時，陣列基板，組合形成有彩色液晶之後，將一般圖中虛線以成為LCD(液晶顯示）面板< 1 0 9、1 1 0分別是利用τ ρ τ或是件形成’並且在訊號施加時將電氣分離，再者在高電壓靜電高電阻元件。1 1 1為經由高電接的導線A，1 1 2為經由高電阻的導線B，1 1 3為用於靜電對策線B (1 1 2 )的連接部。1 1 4為源所用的修復導線。相對於τρτ 滤光片之對向基板，並且注入所示的區域11 5的外側切離，再者，視需要在TFT陣列形成時，不形成以虛線所示的11 5外側的部分的至少一部分也可以。第44(a)圖、第44(b)圖、第44(c)圖、第45圖（a)、第 45圖（b)、第45圖（c)為顯示減少本發明照片製版步驟數目 (光罩數目）之TFT基板的製造步驟的剖面圖，顯示實現第工圖所示之TFT陣列基板的電路之製造步驟。第44(a)'圖、第 44(b)圖、第44(c)圖、第45圖（a)、第45圖（b)、第45圖 (c)分別為第46(a)圖、第46(b)圖、第46(c)圖、第47圖 (a)、第47(b)、第47圖（c)之Y1-Y1剖面部分以及閘極/沒極端子部的剖面構造。第44(a)圖、第44(b)圖、第44(c)圖、第45圖（a)、第 45圖（b)、第45圖（c)之中，410為絕緣性基板，411為金屬層構成的閘極電極或是閘極導線，4丨2為是鄰接於前段或

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ί段Λ閘極導線/電極。413為閘極絕緣層，414為半導體層）’415為☆有…等不純物之高濃度4= =(接觸層），416為使用透明導電體層構成的像素電極，4Π為以金屬層構成的源極/汲極 =極導線m〇418為用來當作光阻的感光性有機樹;^成 419為保持$量電極，42。為8认等構成用*當作保護層的保達絕緣層。第46U)圖、第46(b)圖、第46(c)圖、第47圖“）、第 47(b)之中所使用的符號之中與第28圖、第44(a)圖、第

44(b)圖、第44(c)圖、第45圖（a)、第45圖（b)、第45圖 (c)相同的符號表示相同的部分。再者，442a為汲極電極’ 442b為源極電極，43 0為半導體區域，445像素電極， 443為’去除在像素電極上之保護絕緣層42〇以及金屬層 41 7的透光區域。其次，說明本發明的製法。利用賤鍍、沈積、CVD、印刷法等方式在絕緣性基板上形成Cr、Al、Mo、W、Ti、Cu、Ag、Au、Ta 等金屬或以這些為主成份的合金或是這些物質的積層金屬的物質。接

f ’使用光阻等的微影法以及接續的蝕刻法等以形成金屬等之低電阻層構成的閘極電極以及閘極導線圖案4 11以及二欠段或前段鄰接的閘極導線41 2(第44圖（a)以及第46圖 (a)) 〇接下來連續地形成下列各層，利用各種電漿CVD等各種CVD法或濺鍍法、沈積、塗佈法等形成用來當作閘極絕

1258219 五、發明說明（46) 緣層的Si3N4、SiOxNy、Si02、Ta2〇5、A 12 05等或是這些物質的化學量論組成分一部分或是，這些積層物構成的絕緣層 41 3 ;例如電漿C V D法或錢鑛法形成欲不植入不純物以當作摻質或是欲摻入不純物濃度小於5〇 ppm左右或TFT實際使用電壓條件暗時的漏電流小於5 0 p A之抑制掺質濃度，而當作通道用半導體層（主動層）用的a-Si : Η層（氫化非晶質矽層） 414 ;利用電漿CVD或濺鍍法形成用來與金屬接觸之磷、銻、硼等不純物在膜中原子比例如〇 · 〇 5%以上之摻有高濃

度不純物的半導體層（接觸層），例如n + a_Si : Η或是微結晶 n + Si 膜415 〇

接下來’先全面性地塗佈光阻，热傻汉用元皁曝无乂形成光阻圖案。此光阻圖案的形狀如以下所述。首先，士第44圖（b)或是第46圖（b)所示，為了與閘極電極/導線41 接觸，在閘極絕緣層41 3、半導體層4 1 4、歐姆接觸層4 1 5 打開接觸孔，在此部分至少一部分不形成光阻（區域c)。在a-Si :H層構成的半導體層以外的部分形成厚度a的光阻 (區域A 418a、430 )。僅蝕刻a_si :H層414以及例如 n + a-Si : Η膜415，並且在閘極絕緣層413以外的區域形成/ ，薄的光阻（區域B 418b)。區域A( 418a、430 )的光阻厚ζ 疋根據區域B的光阻（4 18b)的厚度變厚而設定。在閘極導線上鄰接的源極導線間，形成例如區域B(418b)，去除此部分之a-Si:H膜414以及n + a-Si:H膜415，並且電氣鄱桩ό 源極導線間最好成為絕緣n ^接6 如上所述，光阻厚度不同時，如以下所述地形成。t

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五、發明說明（47) I :::型光阻。而負型光阻基本上亦以相同的方法圖案通過，ί ^的部分在光罩上略成透明的狀態’使得光果為ηίί影時僅有不殘存的得到充分的光量。其社 ^不形成光阻的部分為區域C。另度^ 匕二對r此位置的光罩部分幾乎不透光，而= 阻不：，ΐ4不透光材料遮蔽著。此結果，此部分的光且受充分的曝光，戶斤以顯影時可留下具有充分厚度光旦、品域Α。具有中間厚度的光阻之區域Β所照射的曝光為區域A與區域C之間曝光量。此曝光量的調整是為了 a、域B巧光阻厚度比區域A還薄。其結果，可得到第44圖以及第44圖（b)的光阻形狀。曝光量或是光量係以照射二的光強度X時間。為了使光阻的厚度在區域A >區域b > 區域C(貫負上為〇 )’區域b的照射曝光量介於區域a與區域 C之間（曝光量為區域a <區域β <區域c)，此具有若干方法。例如’使形成區域β之罩幕上的圖案透光率，比區域A 部分的透光率高，而比區域C的透光率低。藉此例如，用於形成區域B部分的光阻遮光膜之c r等的遮光材料的厚度’比起形成區域A部分的遮光膜厚度還薄，也可以控制光ϊ。或是在區域B部分形成1層或是多層絕緣層，以改變透光率、反射率、或是相位，也可以以實質上使區域B的透光率低於區域C的透光率。再者，為了設定曝光量在區域A (實質上為〇)〈區域B <區域C，具有以下的方法。相對於區域a與區域B，利用

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五、發明說明（48) 等程度低透光率的遮光部分在罩幕上形成圖案，並且在區域C在罩暮卜# # # v 材料之圖案接著祐 /透光率例如不具一切遮光者使用具有區域A+區域B的遮光圖案之罩t，並且以曝光量1僅進行區域C的照射曝光。接著，使 S對具有區域A的部分遮光圖案的罩幕，進行曝光量2的 =光、’然後以曝光量2在形成區域A部分以外照射光。此 &本進行曝光的曝光量i為’顯影時能夠充分地去除區域c =P的強度，曝光量2設定成在顯影時能夠殘留區域b之必^厚度的光阻。通常使用正型光， X ”射的計算結果，曝光勣設定為大於曝的光先量強2度 m疋光阻厚度，區域A >區域β >區域C(實質上為 ):Ϊ 法，例如利用用來形成區域A之具有低透光率 :、目、I層以在罩幕上形成圖帛，並且在區域C在罩幕上形成八f分透光率例如不具一切遮光材料之圖案。區域B也可以使用如第33圖所示之所謂半調（half 如圖案233，半調罩幕是將罩幕上的遮光圖案土工b e波數變得比曝光機的圖案解析能力還高，並且倍、光阻無法影像罩幕上的圖案，並且區域c的曝光強度變 t 4 ί凋罩*的圖案最好形成完全不透光的區*或、與透過率罩的玻璃一樣的區域的周期合計寬度共6 # m以下。11 rr —；；結果，可設定光阻的厚度在區域A >區域β >區域為〇)，並且得到第44圖（b)以及第46圖（b)的光阻接下來，蝕刻n + a-Si:H膜415、a-Si:H之半導體膜

五 1258219 、發明說明（49) 4 1 4，S込\等閘極絕緣層4 1 3。此餘刻係例如以η C 1為主成刀的氣體或是CF4為主成份的氣體或是CF4與〇2的混合氣體了、疋SFe為主成份的氣體來進行。其結果，至少去除閘極導線與外部輸入的訊號用的TCP等連接的端子部分423，例如用來防止靜電之直接源極導線或是TFT或是經由電阻與源極導線部短路部分（第28圖，113等），此步驟將也可/以去除^ + 8-3;1:11膜415、3-3:1:11膜414、3;^4膜413等的閘極絕緣層413。上述n + a —“州膜‘^、a —Si:H膜414、以…膜 41 3等的閘極絕緣層的蝕刻，也可以利用ch或⑶〆％等單一氣體蝕刻全部，例如進行a-Si : H膜蝕刻時，利用2可抑制 SiN蝕刻的氣體等，也可以至少利用蝕刻氣體分別蝕刻 a-S1:H、Si3N4，此時，蝕刻a — Si:H膜，例如是使用％、 1 ?123戈疋這些氣體的混合氣體或是這些氣體與非活性氣體或與％的混合氣體，Si3N4等的蝕刻例如使用/c、h J SF6或、ί這f氣體的混合氣體或是這些氣體與〇2或非活4性氣然後，使用可降低光阻厚度的氧電漿，而進行灰化丄去除光阻，以去除區域B(418b)的光阻（第44(〇圖）。此曰區域A(418a)的光阻膜厚比起初期的還薄，然而以下蝕時控制在能夠維持未蝕刻部分的厚度。接著，利用飪等方法蝕刻至少〇 + ^^:11膜415、a —Si:H膜414，以; 域B(第45圖（a))的這些膜。 & f 此減少區域B之光阻厚度的步驟不單獨進行，而 n + a - Si:H 膜 415、a —Si:H 膜 414、SiA 膜 413 等的閘極絕^

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五、發明說明（5〇) =料’利用光阻本身亦削減部分的顯影，也可以同卞削去區域β的光阻。接著，去除光阻418a。 =後，形成 HOUncH⑽ tin 〇xide)、Sn 透明導電體層或是這些積層、或是&入# ^寺體声4 1 r η π · 乂疋此口層構成的透明導電體層 416，與 Cr、A1、Tl、Ta、w、M〇、M〇 —w、 S4為42主b成份的合金或是這些多層積層物構成而當作源極ΐ :442以及源極導線1〇2、汲極電極442&之金屬層4”。： ί導J用照片製版法以將導線圖案形成為源極電極以及； ΠΪ 2極電極之形狀，其次，使用與透明導電層416 二a光罩，然後利溼、乾蝕刻法進行金屬層41 7蝕刻， ::成源極電極、源極導線、汲極電極以及像素電極。缺原極電極442b與汲極電極442a之間的a_Si:H膜構^ H姆接觸層415 ’最後剝離光阻以形成既定的圖案4 圖（b)、第45 圖（c))。仅& ί Βί為了形成保持容量，與源極導線同時製作而成的保=谷量電極419至少經由閘極絕緣層413，對向例如次段 ΪΪ段的閘極導線412。此時，保持容量電極419與閘極^ 緣層413之間不僅閘極絕緣層413也可殘留n + a_si :Η膜 415 Hi:!!膜414。如第46圖（c)所示，為了增加容量 ^ 必須开> 成將像素電極4 4 5的至少一部分向前段或是次段的閘極導線41 2突出的構造。接著’形成S is比、S i 〇2等或是這些混合物以及積層物 2成的絕緣層所形成的保護層420。利用照片製版形成圖 /、’以在用來連接至少外部輸入的訊號之外部TCP之閘極

2066-3854-PF.ptd 第54頁 1258219 五、發明說明（51) 端子部423、源極端子部424能夠形成接觸孔，形成光阻圖案’以用來去除像素電極445透光區域443上的保護膜，後利用使用CF4的乾蝕刻或溼蝕刻來去除保護膜2 〇。再者，去除2層源極導線上層的金屬層。餘刻劑雖然用來去除金屬膜，然而使用不蝕刻下層IT〇的溶液或是 <氣體，並且進行溼蝕刻或乾蝕刻。藉此，露出接觸孔與像素電極 I TO膜。蝕刻終止後，去除光阻。藉此，可形成，丁陣列、 (如第45圖（c)、第47圖（a))。完成的上述圖式如第47 (b )所示。接下來，在TFT陣列上形成排列膜，並且組合表面至少形成排列膜與共用電極的對向基板，而保持兩基板，並且在周邊形成固定液晶的密封部，然後，在其間注入液晶。接著封住注入孔，以形成主動矩陣型的液晶顯示器。藉由以上的製程，可形成具有如第28圖所示構造圖之 TFT陣列以及使用此陣列的TFT液晶顯示器。如第28圖所示，使用例如閘極導線材料以形成源極導線之修復導線11 4，然而此視狀況不形成也可以。再者，如第34圖所示，與修復導線114的交叉部之中，將源極導線1〇2改變成為利用接觸孔U6a、u6b而以閘極導線材料形成與閘極導線同一層的導線丨丨7也可以。此時，修復導線1 1 4是以源極導線材料形士、再者，如第圖所示，在源極導線302之中’經由接觸孔改文成為閘極導線材料，以連接至源極端子308也可以。例士口’保護膜420薄的時候，水分會經由穿 2066-3854-PF.ptd 第55頁 1258219

孔進入，再者，存近，雖然具有源極改變成閘極導線材實施例1 3 在於密封部分的外側導線腐餘的問題，然料’可避免源極導線源極端子部3 0 8附而如上所述，若是腐餘的問題。 ϋ=Iΐ形S說明了有關保持容量形成於次段或是前

的所謂Cs 〇n gate構造，'然而如第50圖 "圖所不，將有利用於閘極延遲的保持容量導線與閘極導線分別地形成之共通導線構造也可以。在此，保持容量305連接於共通導線32〇。再者，共通導線32〇經由接觸孔322，連接於導線拉出線321。共通電壓係經由連接於共通導線拉出線32 1的共通導線端子3 23，從外部施加電壓。其他部分功能的符號與第2 8圖相同。共通導線方式之中，例如第51圖所示之剖面構造與第 52圖（a)、第52圖（b)、第52圖（c)、第53圖（a)、第53圖 (b) 所示之上視配置。第52圖（a)、第52w(b)、第52圖 (c) 、第53圖（a)、第53圖（b)之中顯示每一個流程。在

此，第51圖為第52圖（a)、第52圖（b)、第52圖（c)、第53 圖（a)、第53圖（b)的Z1〜Z1的剖面圖。剖面的流程基本上與第44圖（a)、第44圖（b)、第44圖（c)相同。如第5 0圖所示，使用共通導線構造的時，必須有平行於閘極導線而拉出的共通導線3 2 0，與匯集此而與閘極導線傾向垂直的共通導線拉出線3 2 1。第5 〇圖之中，在與閘極導線301同時製作的共通導線32〇的左端經由接觸孔322 連接於與源極導線3 0 2同時製作的共通導線拉出線3 2 1。

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、發明說明（53) 如第54圖所示，Α 相同的材料同時带了通導線320最好與閘極導線301利用閘極導線之交又^ 再者，共通導線拉出線則至少與其導線材料。視产、¥ ，係使用與閘極導線不同層的源極形成以間極導i材料^與閘極導線的交叉部以外，也可以如二=構成的共通導線拉出線。極導線302改變成不為利與修/導線314的交叉部之中，將源材料形成盍用接觸孔315a、315b而以閘極導線 ϋ與閘極導線同-層的導線316也可以。網a 如第5 6圖所示，在源極導線3 0 2之中，經由接以例Ϊ ^ f閑極導線材# ’以連接至源極端子308也可在膜420薄的時候，水分會經由穿孔進入，且有开極導飨3封部分的外側源極端子部308附近，雖然 /、有源極導線腐蝕的問題，然極導線材料，可避# ^右疋改k成閘避免源極導線腐蝕的問題。此構造的端子 4的剖面圖與第4 9圖相同。實施形態1 4 _ n(a)、第47圖(,）、第53圖⑷、第53圖⑻所二£:44=光通過像素電極的金屬’所以去除保護膜關於4429的内側，然而設置於443的外側實施形態1 5 上述實施形態12〜14之中，係說明有關於對向基板且有用來施加電壓於液晶本身的共用電極，然而亦可適用、於，具有能表現廣視角之IPS(In_plane swUching).

1258219 五、發明說明（54) ------ 等]施加液晶電壓於橫方向電場施加TFT基板。此時，、、極導線不一定必須形成透明導電層4丨6與金屬層4 1 7源僅有金屬層41 7也可以。然|，在形成閘極電極的同時；’ 成橫方向用的至少2個電極，或是與源極電極同時形成才$ 方向用的至少1個電極；以及與閘極電極同時形成橫方^ 用的至少1個電極所組合的2個橫方向用的電極（第6 2圖u (a))’此為能夠施加橫方向的電場於液晶之電極構造。此時，如第45圖（c)所示，不去除像素電極上的保護絕緣膜 42 0也可以。再者，不形成保護絕緣層也可以。、再者’將第45圖（b)、第45圖（c)的部分如第63圖 (a)、第63圖（b)所示的流程也可以，此時，以一層金屬製作源極電極/導線。在此，如第63圖（b)所示，在形成汲極電極442a、源極電極442b之後，如第63圖所示地形成保護絶緣層4 2 0 (S i N)。接著，在没極電極4 4 2 a上與共通導線 41 2上形成接觸孔之後，形成汲極電極側的lps電極7、共通導線側的IP S電極4 4 8構成的第3電極。如第6 2圖（c)所示〇實施形態1 6 上述實施形態之中，為了使a-Si ·· η膜島化狀，而使用第4 4圖所示的半調罩幕等技術以在平面上部分地改變光阻的厚度，然而不進行此步驟，而另外進a_s i : Η膜的島狀化的照片製版也可以。此時，例如在光阻厚度在空間上沒有變化。在第4 4圖（b )的狀態，使平面上的光阻厚度沒有變化，並且實施接觸部423上的SiN膜413/a-Si:H膜

2066-3854-PF.ptd 第58頁 1258219 五、發明說明（55) 414/n + a_Si:H415去除的步驟，去除光阻之後，再度製成形成電晶體島的圖案，並且蝕刻以去除TFT部以外的3_8土： Η膜41 4/n + a-Si: Η膜415，而製成如第45圖（a)的構造。此時’雖然如第2 8圖所示的實施形態之照片製版的次數增加了，然而比起習知技術仍可減少。實施形態1 7 根據上述實施形態的話，雖然以a-S i : H膜來可形成半導體層，然而亦可使用p〇ly —Si (複結晶矽）。實施形態1 8 n + a-Si :H膜415也可以是微細結晶Si層時，IT〇層416 Φ 與n + a-Si : Η膜415之間的電阻變低，並且可改善TFT的開啟電流。實施形態1 9 亦可當作源極導線的I TO層41 6也可以是非晶系丨T0，同時，使用A 1或C r / A 1專A1時，在|虫刻I τ 〇的同時可減少a 1 的腐蝕，並且可使用草酸等對八丨腐蝕性低的蝕刻劑。實施形態2 0 上述實施形態之中，使用A丨系材料以當作閘極時，可以於A1或其合金表面形成A1等氮化物或是氧化物盥1?()芦接觸來改善。 9 實施形態2 1 ^亡述實施形態之t，也可以將Si:H膜415表面曝路於右干氧化電漿以氧化處理，藉此可降低丨1 6盥 n + a-Si·· Η膜415與之間的接觸阻值的不平均。 ”

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Claims

六、申請專利範圍 •—種薄膜電晶體陣列基板，包括·· 一圪緣性基板；一閘極導線，形成該基板與該基板道二該閘極導線上的閘極絕緣層；一該閘極絕緣層上的牛導體層；一該半導體上的汲極導線；一源極電極；一汲 =電極，一像素電極，形成於該汲極電極上；並且該半導一圖案包含該源極導線、該源極電極、該汲極電極，其特，在於該汲極電極上的像素電極與該汲極電極的至少二部为直接連接，其中形成的像素部之源極電極部之中，包含源極電極部之部分的半導體圖案僅存在於閘極導線之圖案

閘極導線，形成該基板與該基板一種薄膜電晶/1SL丨卞半導體極電極極、該上；並沒極電極的第該層間孔，其圖案覆源極電

，緣性基板，……，取风縿丞板與該基板该閘極導線上的閘極絕緣層；一該閘極絕緣層上層；一該半導體上的汲極導線；一源極電極；一 ;一層間絕緣層，形成於該源極導線、該汲極電源極電極上；一像素電極，形成於該層間絕緣芦且該半導體圖案包含該源極導線、該源極電極: 極，再者，具有貫通該層間絕緣層而到達該汲極 1接觸孔以及到達該源極電極的第2接觸孔:與二絕緣層與閘極絕緣層而到達該閘極導線的第3、貝特徵在於該第卜第3接觸孔係以該像素電極 6 蓋著，其中形成的像素部之源極電極部之中，^勺極部之部分的半導體圖案僅存在於閘極包 1258219 SE 90106036 六、申請專利範圍下 3· —種薄膜電晶體陣列基板的製造方法，依庠白列步驟·· 匕括在絕緣基板上形成第1金屬薄膜；利用第1照片製版、#刻步驟，以形成閘極導線，· ’尤積形成閘極絕緣層、半導體膜、與歐姆接觸膜、 2金屬膜；、利用第2照片製版步驟，在欲形成源極導線、源極電極、及極電極以及薄膜電晶體的半導體主動層形成光阻圖案’使得至少該半導體主動層的部分比起其他部分的光阻層厚度還要薄；餘刻該第2金屬膜以形成源極導線、源極電極、以及沒極電極；薄膜化該光阻；去除該薄膜電晶體活性層部分的光阻；飯刻該第2金屬膜以去除該半導體主動層上的第2金屬去除半導體主動層上的歐姆層；利用第3照片製版、蝕刻步驟以圖案化該閘極絕緣層以形成到達閘極導線上的接觸孔；曰沈積形成導電膜；利用第4照片製版、蝕刻步驟以形成與汲極電極連的像素電極。 4. 一種薄膜電晶體陣列基板的製造方法，依序包括列步驟：

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在絕緣基板上形成第1金屬薄膜；利用第1照片製版、蝕刻步驟，以形成閘極導線. 沈積形成閘極絕緣層、半導體膜、與歐姆接觸膜’、笛 2金屬膜；牧啊联弟利用第2照片製版步驟，在欲形成源極導線、源極電才^、汲極電極以及薄膜電晶體的半導體主動層形成光阻居厚ΐ:i t該半導體主動層的部分比起其他部分的光阻倌厚度還要薄；餘刻該第2金屬膜以形成源極導線、源極電極、汲極電極；久蝕刻該歐姆接觸層以及該半導體膜；薄膜化該光阻；去除該薄膜電晶體活性層部分的光阻； •蝕刻該第2金屬膜以去除該半導體主動層上的第2金屬去除半導體主動層上的歐姆層；利用第3照片製版、蝕刻步驟以圖案化該閘極絕緣厣以形成到達閘極導線上的接觸孔； θ 蝕刻步驟以形成與汲極電極連接

沈積形成導電膜；利用第4照片製版的像素電極；形成連接該源極導線的源極端子· 形成經由接觸孔與該閘極導線連接的閘極端子。 ).如申請專利範圍第4項所述之薄膜電晶體陣列基板

2066-3854.PF2.ptc -案號901060加 1258219 Λ 修正曰六、申請專利範圍的製造方法，進一步包含下沈積層間絕緣層；夕利用該第3照片製版、哕緣層以及層間絕緣層以形成ζ 4刻步驟以圖案化該閘極絕到達源極導線的第2接觸孔1達沒極電極的第1接觸孔、觸孔； M及到達閘極導線上的第3接觸孔愈汲^ ί 衣版、該養虫刻步驟以形成與、經由第1接線連接以及經由第3接觸孔與該閉極導的製6造= 項二，源極⑵ί1二片製版、該蚀刻步驟，以形成閘極導線沈積層間絕緣層；緣層丨3照片製版、該蝕刻步驟以圖案化該閘極絕的第3接觸孔到導線❸第2接觸孔、到達閘極導線上利用窜到達源極導線變換部的第4接觸孔；的像素it照片製版、餘刻步驟以形成與沒極電極連接極端子、S及與第4接二孔與該源極導線連接的源端子。乂及經由弟3接觸孔與該閘極導線連接的的閘極列步7驟7種薄膜電晶體陣列基板的製造方法，料包括下

2066-3854.PF2.ptc 第66頁 1258219 ---^1^90106036 _年月曰你 Π：在絕緣基板上形成第1金屬薄膜； w h =用第1照片製版、蝕刻步驟，以形成閘極導線 /原極導線變換部；守深以及第2:屬積膜形成與閉極絕緣層、半導體膜、與歐姆接觸膜、極、照片製版步驟’在欲形成源極導線、源極電 f極電極以及薄膜電晶體的半導體主動 =得至少該半導體主動層的部分比起層厚度還要薄； 1刀们九阻 :刻該第2金屬膜以形成源極導線、汲極電極；思肛以及蝕刻該歐姆接觸層以及該半導體膜；薄膜化該光阻； Λ 去除該薄膜電晶體活性層部分的光阻；膜；蝕刻該第2金屬膜以去除該半導體主動層上的第2金屬去除半導體主動層上的歐姆層；沈積層間絕緣層；利用第3照片製版、蝕刻步以及層間絕緣層以形成到逵1二以△案J匕該閑極絕緣層源極導線的第2接觸孔、到達“ " Α 1接觸孔、到達達源極導線變換部的第4接觸孔孔、到 5接觸孔；久判運弟2金屬膜的第沈積形成導電膜；

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案號 9010fi()3fi 夂、申請專利範圍利用第4照片製版、蝕刻步驟以形成與經由第1换觸孔與汲極電極連接的像素電極、經由第2、第4以及第5换觸，與该源極導線連接的源極端子、以及經由第3换觸孔與該閘極導線連接的的閘極端子。 _ 8 · —種液晶顯示裝置的薄膜電晶體陣列基板，其特试在於：閘極導線/閘極電極為上層的金屬層與下層的透明導電體層的2層構造，並且像素電極係由與上述閘極導線/閘極電，之透明導電體層同一層的透明導電體層形成，益且、=持谷畺電極係由與源極導線同一層的電極材料形成，而極且在像素電極部去除閑極導線/問極電電晶9體Πίί利；；第8項所述之液晶顯示裝置的薄膜 :閘極導線/閘極電極以及共通電極為上與下層的透明導電體層的2層構造。曰的金屬層 I 〇 ·如申請專利範圍第8項所述電晶體陣列基板，其中 /夜日日顯不裴置的薄膜 f f極導線材料或是源極導線為 P的最下層的材料與像素電極至少源極料。 I屬犋為同一個材 II ·如申請專利範圍第8項所述之電晶體陣列基板，其中 /夜Βθ _示裝置的薄膜該閘極導線/閘極電極為金屬 /、透明導電體層的至

1258219 六、申請專利範圍少2層構造閘極絕緣層、半導體層至少形成於上述閘極電極上；形成源極/汲極電極與上述半導體層連接；源極/汲極電極間的半導體層之至少以^層被去除；藉由將上述保持容量電極夾於與閘極導線或是閘極線的同時形成的金屬層與透明導電體層的至少2層構成保持容量導線；與至少閘極絕緣層而對向間保持容量；风 “ί:至：像素電極上透光部分上的至少閑極絕緣層、 =1辛ί:成ΐ少2層構成的問極導線/閉極電極同時形成的像素電極之中的金屬層； J 丁去除半導體層的至少一邱八源極導線不短路； σ刀使传在半導體層鄰接的半導體層正下方的閘極絕緣層極絕緣層厚度還厚。 X匕I /、他位置的閘 1 2 ·如申請專利範圍第、電晶體陣列基板，其中、述之液晶顯示裝置的薄膜此金屬層係形成於透明導電閘極絕緣層、半導體声小丨θ勺上邛，形成源極/汲極電極與胃形成於上述閘極電極上；源極/汲極電極間的半^爲導體層連接；藉由將上述保持容量電搞十9之至少n + Si層被去除；線的同時形成的金屬層與透=於與閘極導線或是閘極導保持容量導線；與至少閘導電體層的至少2層構成的 β、、愚緣層而對向共通導線以形成

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保持容量；去半導體形成的去源極導半極絕緣 13 方法，沈作閘極明導電刻以分形分電極；除至少像素電極上读層、與形成至少2声構上的至少閑極絕緣層、像素電極之中的金胃屬構層成的閘極導線/閘極電極同時除半導體層的至少—二’ 線不短路； "分以使得在半導體層鄰接的導體層正下方的間士層厚度還厚。 °、、、緣層厚度比起其他位置的閘之薄膜電晶體陣列基板的製造 • 一種液晶顯示裝置包括下列步驟：積形成透明導電體屉導線/閘極電極以及*、金屬層之至少2層構造以當體層上層，然後分^象素電極，使得金屬層位於透別形成既定圖案=別利用上述圖案的光阻而進行蝕成閘極絕緣層、半別使用上述圖案形狀的2，勺光阻而進行蝕刻以露出像素蝕刻去除上述露出的

電極上部的金屬層；以及素電極上至少2層構造之像素形成汲極電極、源 1 4 · 一種液晶顯示裝置蓮、以及源極導線。方法’包括下列步驟· 之薄膜電晶體陣列基板的製造沈積形成透日月導電體作閘極導線/閘極電極以及胃與金屬層之至少2層構造以當像素電極，使得金屬層位於透

1258219 —-------案號 9010603B 六、申請專利範圍電極上部的金屬層；殘留區域A的光阻並且從區域b去除光阻；去除區域A以外的部分的半導體層；以及形成源極/汲極電極。 1 6 ·如申請專利範圍第丨5項所述之液晶顯示裝置二 3 :晶體陣列基板的製造方法，其中沈積形成該透明導電朽《與該金屬層之至少2層構造以當作該蘭極電極、該像素電極、以及共通導線。 17 —種液晶顯示裝置之薄膜電晶體方法，包括下列步驟：攸於π f積形成透明導電體層與金屬層之至少2声構造以當金屬層位於透明素電極、以及共通導線，使^ 光阻而谁上層上層’然後分別利用上述圖案的九阻而進仃蝕刻以分別形成既定圖案；形成閘極絕緣層、半導體層. 形成殘留至少半導體層&阻來露出至少像素電極的透光，而：Ϊ :厚的區域A 及其他部分光阻厚度比起= ; = =的區域C 使用上述厚度形狀：:刀還溥的區域B 半導體層與閑極絕緣層的二=狀的圖案，蝕刻去除上述露出的像素電極；電極上部的金屬層；、也極上至少2層構造之像素殘留區域A的光阻並且去除區域A以外的部分的；；體去：光阻；年月一曰修正薄製造、用、以進行

2066-3854-PF2.ptc 第72頁 1258219 修正曰 -----虎 901_狀— 六、申請專利範圍形成適用於閘極導繞6 極/汲極電極；以及、、㈢之相同金屬材料構成的源在省虫刻去除源極/汲搞赞& 像素，極之中的上述至少2層構造=声露出的括:種液晶顯示裝置之薄膜電包源極導線與閘極導線形至少存在施加電麼於薄膜電t體以=上，並且在其交叉部，，形成於閘極電極、其上;曰二=的像素電極，再在間極電極上連接於間極絕緣層：=;緣層以及至少層與形成於上方金屬層之至二導声:層所形成之透明導電體導線、與汲極電極；層構成的源極電極、源極其特徵在於：汲極雷極盥务本身連接著，並且像辛電枉;;電極藉由透明導電體層護層、金屬層被去ί 的透光部分之正上方部分的保方法19包薄膜電晶體陣列基板的製造以及半導體層； (=)之外而使先阻厚度比半導體層部分厚度還薄的區域使用上述厚度不同的光阻以進行半導體層、以及閑極 2066-3854.PF2.ptc 第73頁 1258219 修正曰 --------案號 901060^ 六、申請專利範圍、絕緣層的蝕刻； =除至夕閘極導線上的閘極絕緣層以及半導體層；路出閘極電極的一部分；減少光阻的厚度； 2下區域（A)的光阻同時去除區域⑻的光阻；用此光;p且以去除區域(A)以外部分的半導體層。膜電曰^利範圍第19項所述之液晶顯示裝置之薄膜電：J陣列基板的製造方法，進一步包括下列步驟： f積形成閘極電極/閘極導線用的導電性物質；刻；用閘極電極/閘極導線的圖案形狀之光阻以進行蝕分別形成既定的圖案；形成閘極絕緣層、半導體芦· έ邑给厚Ϊ不同的光阻以進行半導體層、以及閘極、、巴緣層的㈣以露出閘極導線的至少留下區域（A)的先A # + 1 時去除區域（B)的光阻；使用此光阻以去除ρ Λ、 # ffl、/δ ^域（人）以外部分的半導體層；便用源極/沒極雷；1¾园I ^ t 分連# π n # s 案形狀的光阻，蝕刻至少一部刀遷接於半導體層所形成的金J ^ 、透明導電體層與形成於上方的至屬層以形成源極/汲極電極；形成保護層；去除上述保護層之至少從形成於像素電極上;斤=極上透光的部分；所去除的保護層區域以去除透明 *電體層上的金屬層以形成像素電極。

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夕續如申請專利範圍第8、9、10、U、12或18項戶斤源極導绫的Γf板，其中具有包含薄膜電晶體的區威、讽、, ^ \ ^ °卩分以及包括源極電極的區域之圖案的爭、==，並且在像素部之中，包含上述半導體層的圖案之 Λ、° ”亟的分’僅存在於上述閘極導線上地形成著。、·如申請專利範圍第1 3、1 4、1 5、1 6、1 7、1 9或2 〇膜電晶體基板的製造方法，其中形成上述半導之中，使上述半導體層圖，，具有包含薄膜電 =々、品3 、源極導線的至少一部分以及包括源極電極的 =域之圖案’並且在像素部之中，包含上述半導體層的圖〃之源極電極的部分，僅存在於上述閘極導線上地形成。 23 · 一種液晶顯示裝置，包括利用申請專利範圍第3、 4、、5、6、7、U、14、1 5、16、17、19 或20 項所述之製造方法所製造之薄膜電晶體陣列基板。 24· 一種液晶顯示裝置，使用申請專利範圍第1、2、 8、9、1 0、11、1 2或1 8所述之液晶顯示裝置的陣列基板。

第75頁修正吨⑦謂®*更)正讎ij ^ 案號90106036 1冰年丨|月、中文發明摘要（發明之名稱：液晶顯示裝置）本發明之薄膜電晶體陣列基板，包括：一絕緣性臭板；一第1金屬圖案，形成於該絕緣性基板上；一絕产ι 膜，形成該第1金屬圖案上；一半導體圖案，形成ς = 緣膜上；一第2金屬圖案，形成於該半導體圖案上；徵在於：該半導體圖案係包含該第2金屬圖案。”寺 (一）本案指定代表圖為：第（1)圖。〃 (二）本代表圖之元件符號簡單說明：丨〜閘極極端子部金屬墊；2〜補助容量導線；4〜半图安a〜閘極導線；5a〜源極端子部金屬墊；6〜源極電'，5〜源極；8〜薄膜電晶體之半導體活性層，〜汲極電塾]〇~沒極電極接觸孔；11〜“端接極端子，接，子部接觸孔；13〜像極ΐ: i接r原英文發明摘要（發明之名稱：）