JP4782299B2 - 液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板及びその製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板に関し、さらに詳しくは、平面駆動方式の液晶表示装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
現在主に用いられている液晶表示装置としては捩じれネマチック(TN:twi−sted nematic)方式の液晶表示装置がある。捩じれネマチック方式の場合、二つの基板に各々電極を設置して液晶方向子が90゜捩じれるように配列した後、電極に電圧を加えて液晶方向子を駆動する方式である。しかし、このような方式の液晶表示装置は視野角が狭いという問題点があるため、これを代替するための平面駆動(IPS:in-plane switching)方式の液晶表示装置が開発された。これに関する従来の技術は米国特許第5,598,285に示されている。
【0003】
【発明が解決しょうとする課題】
しかし、前記米国特許第5,598,285で提示された液晶表示装置では、データ線とこれに隣接した画素電極または共通電極との間に電位差が発生してデータ線の境界附近で光が漏洩し、漏洩した光は側面で直接見えるようになるが、これは側面クロストーク(cross talk)の原因となる。
【0004】
本発明の課題は、平面駆動方式の液晶表示装置における光漏洩現象を最少化することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】
このような課題を解決するための本発明による液晶表示装置用基板及びその製造方法では、データ線附近で漏洩する光を遮断するためにデータ線とこれに隣接する画素電極または共通電極と重なっている光遮断膜が半導体層と同一物質から形成されている。
【0006】
透明な絶縁基板の上にゲート線とゲート線と絶縁されて交差する多数のデータ線とが形成されており、ゲート線とデータ線との交差で定義される画素領域には共通電極と画素電極とが一定の間隔をおいて対向形成されている。ゲート線とデータ線と電気的に連結されており、ケイ素を含む半導体層を含む薄膜トランジスタがゲート線とデータ線とが交差する部分に形成されており、半導体層と同一物質からなっている光遮断膜が形成されている。
【0007】
ここで、光遮断膜はデータ線とデータ線に隣接した共通電極または画素電極と重なっており、光遮断膜は互いに隣接する画素領域の隣接した共通電極または画素電極と重なっているのが好ましい。
【0008】
この時、半導体層は光遮断膜と連結されることが可能で、データ線の下部まで延びて形成されることが可能である。また、光遮断膜はデータ線の端部の外に出るように形成されることが可能である。
【0009】
画素電極及び共通電極の各々はデータ線またはゲート線と同一層または異なる層に形成されることが可能である。
【0010】
本発明による液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板には、基板の上にゲート線及びゲート線と連結されているゲート電極からなるゲート配線と、ゲート配線と分離されている線状共通電極とが形成されている。ゲート配線及び共通電極を覆っているゲート絶縁膜の上には、半導体層と、半導体層と同一物質からなる光遮断膜とが形成されている。半導体層の上には、ソース及びドレーン電極が形成されており、ソース電極と連結されているデータ線を含むデータ配線が形成されている。ゲート線とデータ線との交差で定義される画素領域には、共通電極と交互に配置されていて、ドレーン電極と電気的に連結されている線状画素電極が形成されている。
【0011】
ここで、データ配線を覆う保護膜をさらに含むことができ、画素電極は保護膜の上に形成されて保護膜の接触孔を通じてドレーン電極と連結されるのが好ましい。
【0012】
【発明の実施の形態】
次に、本発明による液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板及びその製造方法の実施例について図面を参考にして本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施することができるように詳細に説明する。
【0013】
図1は、本発明の第1実施例による平面駆動方式の液晶表示装置を示した配置図であり、図2は図1のII-II線の断面図である。
【0014】
図1及び図2に示すように、絶縁基板10の上にアルミニウム(Al)またはアルミニウム合金(Al alloy)、モリブデン(Mo)またはモリブデン-タングステン(MoW)合金、クロム(Cr)、タンタル(Ta)などの金属または導電体で単一膜または多重膜に作られたゲート配線及び共通配線が形成されている。ゲート配線は、横方向にのびているゲート線22及びゲート線22の一部である薄膜トランジスタのゲート電極26を含む。ゲート配線は、ゲート線22の端に連結されていて外部からの走査信号の印加を受けてゲート線22に伝達するゲートパッドを含む構成とすることができる。また、共通配線は、ゲート配線と同一物質からなっており、ゲート線22と平行に横方向に形成されている共通信号線28及び共通信号線28に連結されて共通信号線28を通じて共通信号が印加される共通電極27、271を含む。ここで、共通配線27、28はその後に形成される画素配線67、68と重なって維持容量を形成する維持電極の機能を有することができる。
【0015】
基板10全面の上には窒化ケイ素(SiNx)などからなるゲート絶縁膜30が形成されてゲート配線22、26及び共通配線27、28を覆っている。
【0016】
ゲート電極26のゲート絶縁膜30の上には非晶質ケイ素などの半導体からなる半導体層40が島形に形成されている。また、ゲート絶縁膜30の上には半導体層40と同一物質からなり、画素の端部に位置する二つの共通電極271及び共通電極線28と端部部分が重なるように形成されている光遮断膜44が形成されている。ここでは、共通電極271がその後に形成されるデータ線62に隣接するように形成され、光遮断膜44が共通電極271と重なるように形成されているが、画素電極67をデータ線62と隣接するように形成する場合には光遮断膜44は画素電極67と重なり得る。
【0017】
半導体層40の上にはゲート電極24を中心に分離されていて、n型不純物が高濃度でドーピングされているn+水素化非晶質ケイ素などの物質から作られた抵抗接触層55、56が形成されており、光遮断膜44の上には、図面には具体的に示されていないが、抵抗接触層55と連結されている抵抗接触層52が形成されている。
【0018】
抵抗接触層52、55、56及びゲート絶縁膜30上にはクロム(Cr)やモリブデン-タングステン合金やアルミニウムやアルミニウム合金の単一膜またはITO(indium tin oxide)を含むこれらの多重膜などからなるデータ配線及び画素配線が形成されている。データ配線は縦方向に形成されてゲート線22と交差して一つの単位画素を定義し、光遮断膜44と重なるデータ線62、データ線62と連結されていてゲート電極24にのびているソース電極65、データ線62と分離されていてゲート電極24を中心にソース電極65と対向するドレーン電極66を含む。データ配線はデータ線62の一側端に連結されており、外部からの画像信号の印加を受けるデータパッドを含む構成とすることができる。また、画素配線はドレーン電極66と連結されていて横方向に形成されて共通信号線28と対向したり重なって維持蓄電器を作る画素信号線68及び画素信号線68と連結されていて縦に形成されて共通電極27、271と平行に対向する画素電極67を含む。
【0019】
基板10の上には保護膜70が形成されている。保護膜70はゲートパッド及びデータパッドを露出させる接触孔を有する構成とすることができ、保護膜の上にはデータ配線62、65、66と連結される補助データ配線を形成することができ、パッドと電気的に連結される補助パッドを形成することも可能である。
【0020】
このような本発明の実施例による構造では、光遮断膜44を用いてデータ線62とこれに隣接した共通電極271との間で漏洩する光を吸収したり遮断して側面クロストークが発生するのを防止することができる。特に、光遮断膜44がケイ素からなる場合にはゲート配線あるいは他の層に金属で形成する場合より効果的である。その理由は、光遮断膜を金属で形成する場合には、金属は高い反射率を有しているので、データ線62または共通電極271及び金属の光遮断膜の間では光が反復して反射して漏洩する光が生じるために側面クロストークが依然として現れるようになるためである。
【0021】
このように光遮断膜44を半導体層40と同一な層に形成する方法は、捩じれネマチック方式の液晶表示装置でも同一に適用することができる。
【0022】
次に、本発明の第1実施例による液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板を製造する方法について説明する。
【0023】
図3〜図8は、図1及び図2に示したような液晶表示装置用基板の製造過程を示す断面図である。
【0024】
まず、図3〜図4に示されているように、ガラスのような透明な絶縁基板10に3000Å程度の厚さを有する金属層を蒸着してマスクを利用した写真工程でパターニングを実施してゲート線22及びゲート電極26を含むゲート配線と共通電極線28及び共通電極27、271を含む共通配線とを形成する。
【0025】
その次に、図5〜図6に示されているように、基板10の全面に窒化ケイ素または有機絶縁膜などの絶縁性物質からなるゲート絶縁膜30を3000〜5000Åの厚さで形成し、約500〜2000Åの厚さの非晶質ケイ素層40と約500Åの厚さの燐等の不純物が高濃度ドーピングされた非晶質ケイ素層50とを順次に蒸着する。次に、マスクを利用した写真工程でドーピングされた非晶質ケイ素層50と非晶質ケイ素層40とを共にパターニングしてゲート電極26の上とその後に形成されるデータ線62の両側に位置する共通電極271間の上に島形に半導体層40及び光遮断膜44と、その上部に抵抗接触層50、52とを形成する。この時、以後に形成されるデータ線62と共通電極線28及びゲート線22と交差するゲート絶縁膜30のの上部に追加的に非晶質ケイ素層を残すことができる。
【0026】
次に、図7〜図8に示されているように、クロムあるいはアルミニウム合金あるいはモリブデンまたはこれらの合金などの金属層を約2000〜5000Åの厚さで蒸着し、マスクを利用した写真工程でパターニングして、ゲート線22と互いに交差するデータ線62とソース及びドレーン電極65、66とを含むデータ配線と、画素信号線68と画素電極67とを含む画素配線とを形成する。その後、データ配線62、65、66で遮らない非晶質ケイ素層50、52をエッチングしてドーピングされた非晶質ケイ素層50をゲート電極26の両側に分離して抵抗接触層55、56を完成する。この時、データ線62で遮らない光遮断膜44の上の非晶質ケイ素層52の一部もエッチングされる。
【0027】
次に、図1及び図2のように、基板の全面に窒化ケイ素または有機絶縁膜を積層して保護膜70を形成する。
【0028】
その後、保護膜70をパターニングしてゲート配線またはデータ配線を露出させる接触孔を形成する工程と、保護膜70の上に導電物質を積層してパターニングして、補助データ配線及び補助パッドを形成する工程とを追加することができる。
【0029】
一方、製造工程を単純化するために、半導体層とデータ配線とを一つのマスクを利用した写真エッチング工程で形成する製造方法でも半導体層と同一な層で光遮断膜を形成することができる。これについて図面を参照して具体的に説明する。
【0030】
図9は本発明の第2実施例による平面駆動方式の液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の構造を示した配置図であり、図10は図9のX-X´線の断面図である。
【0031】
図9及び図10のように、ゲート配線22、26、共通配線27、271、28、データ配線62、65、66及び画素配線67、68が第1実施例と同一に形成されている。
【0032】
但し、薄膜トランジスタチャンネルが形成されるチャンネル部(C)を含む半導体パターン42が薄膜トランジスタのチャンネル部(C)を除くとデータ配線62、65、66と同一な模様をしている。また、光遮断膜44はデータ線62下部の半導体パターン42と連結されており、接触層パターン55、56はデータ配線62、65、66と同一な模様に形成されている。
【0033】
以下、本発明の第2実施例による液晶表示装置用基板の製造方法について図11〜図15と前記の図9〜図10とを参考にして詳細に説明する。
【0034】
まず、図3〜図4に示したように、第1実施例のようにゲート配線22、26と共通配線27、271、28とを形成する。
【0035】
その次に、図11に示すように、ゲート絶縁膜30、半導体層40、中間層50を化学気相蒸着法を用いて各々1500Å〜5000Å、500Å〜2000Å、300Å〜600Åの厚さで連続蒸着し、続いて金属などの導電体層60をスパッタリングなどの方法で1500Å〜3000Åの厚さで蒸着した後、その上に感光膜110を1μm乃至2μmの厚さで塗布する。
【0036】
次に、第2マスクを通して感光膜110に光を照射した後に現像して、図12に示すように感光膜パターン112、114を形成する。この時、感光膜パターン112、114の中で薄膜トランジスタのチャンネル部、つまり、ソース電極65とドレーン電極66との間及び光遮断膜44が形成される部分(C)に位置した第1部分114はデータ配線62、65、66及び画素配線67、68が形成される部分(A)に位置した第2部分112より厚さが薄くなるようにし、残りの部分(B)の感光膜は全て除去する。この時、C部分に残っている感光膜114の厚さとA部分に残っている感光膜112の厚さの比は、後述するエッチング工程における工程条件によって異なるようにしなければならず、第1部分114の厚さを第2部分112の厚さの1/2以下とするのが好ましく、第2部分の厚さは1.6〜1.9μm程度に形成し、第1部分114の厚さは2000〜5000Åの範囲で、3000〜4000Å程度に形成するのが良い。ここで、感光膜が陽性である場合にA部分の透過率は3%以下であり、C部分の透過率は20〜60%、さらに好ましくは30〜40%であり、その他の部分(B)の透過率は90%以上になるようにマスクを製作するのが好ましい。
【0037】
このように、位置によって感光膜の厚さを異にする方法は多様にあり、ここでは陽性感光膜を使用する場合について2種類の方法を提示する。この場合、感光膜の厚さは通常の厚さより厚い1.6〜2μm程度に形成するのが良く、これは現像後に残った膜を調節しやすくするためである。
【0038】
このうちの第1の方法は、マスクに解像度より小さいパターン、例えば、スリット(sl−it)や格子形態のパターンを形成したり半透明膜をおいて光の照射量を調節するものである。この時、スリットパターンの線の幅や間隔は露光時に用いられる露光器の分解能より小さくして透過率だけを調節することができるようにしなければならない。一方、半透明膜を用いる場合には、マスクを製作する時の膜の厚さを調節して光の透過率を調節することができ、異なる透過率を有する多数の膜を多層膜に形成して光の透過率を調節することができる。この時、光の照射量を調節するためにはクロム(Cr)、MgO、MoSi、a-Siなどを用いることができる。
【0039】
このように光の透過率を調節することができるスリットパターンや半透明膜が形成されているマスクを通して感光膜に光を照射すると、感光膜の高分子は光によって分解されるが、光の照射量が増えるほど高分子の分解程度が異なるようになる。光に完全に露出される部分の高分子が完全に分解される時に露光を終えると、光に直接露出される部分に比べてスリットまたは半透明膜が形成されている部分の照射量が少ないためにこの部分で感光膜の分子は分解されない状態である。この時、露光時間を長くすると全ての部分の高分子が完全に分解されるので、そうならないようにしなければならない。次いで、感光膜を現像すると、高分子が分解されない部分の感光膜は殆ど初期状態の厚さで残り、スリットパターンまたは半透明膜によって光が少なく照射された部分には中間の厚さの感光膜が残り、光により高分子が完全に分解された部分には感光膜が殆ど残らない。このような方法を用いると、部分的に異なる厚さを有する感光膜パターン112、114を形成することができる。
【0040】
次の方法は、感光膜のリフロー(reflow)を用いるものである。この場合には光が完全に透過できる部分と光が完全に透過できない部分とに分けられた通常のマスクを使用して、感光膜が全くなかったり、一定の厚さで残っている通常の感光膜パターンを作る。次いで、このような感光膜パターンをリフローさせて残っている感光膜がない部分に流れて中間の厚さを有する新たな感光膜パターンを形成する。
【0041】
このような方法を通じて位置によって厚さが互いに異なる感光膜パターン112、114が作られる。
【0042】
次に、感光膜パターン112、114及びその下部の膜、つまり、導電体層60、中間層50及び半導体層40に対するエッチングを進める。この時、A部分にはデータ配線及びその下部の膜がそのまま残っており、C部分には半導体層だけが残っていなければならず、残りのB部分には上の3つの層60、50、40が全て除去されてゲート絶縁膜30が露出されなければならない。
【0043】
まず、図13に示したように、残りの部分(B)の露出されている導電体層60を除去してその下部の中間層50を露出させる。この過程では乾式エッチングまたは湿式エッチング方法の両方を用いることができ、この時、導電体層60はエッチングされて感光膜パターン112、114は殆どエッチングされない条件下で行うのが良い。しかし、乾式エッチングの場合、導電体層60だけをエッチングして感光膜パターン112、114はエッチングされない条件を探すのが難いので、感光膜パターン112、114も共にエッチングされる条件下で行うことができる。この場合には湿式エッチングの場合より第1部分114の厚さを厚くしてこの過程で第1部分114が除去されて下部の導電体層60が露出されることのないようにする。
【0044】
導電体層60がMoまたはMoW合金、AlまたはAl合金、Taのうちのいずれか一つである場合には、乾式エッチングや湿式エッチングのうちのいずれでも可能である。しかし、Crは乾式エッチング方法ではよく除去されないので、導電体層60がCrであれば湿式エッチングだけを用いるのが好ましい。導電体層60がCrである湿式エッチングの場合にはエッチング液としてCeNHO3を使用することができ、導電体層60がMoやMoWである乾式エッチングの場合のエッチング気体としてはCF4とHClとの混合気体やCF4とO2との混合気体を使用することができ、後者の場合には感光膜に対するエッチング比も殆ど同様である。
【0045】
このようにすると、図13に示したように、C部分及びA部分の導電体層、つまり、ソース/ドレーン用導電体パターン69のみが残り、残りの部分(B)の導電体層60は全て除去されてその下部の中間層50が露出される。この時、残った導電体パターン69はソース及びドレーン電極65、66が分離されず連結されている点を除くとデータ配線62、65、66の形態と同一である。また、乾式エッチングを用いた場合、感光膜パターン112、114もある程度の厚さにエッチングされる。
【0046】
次に、残りの部分(B)の露出された中間層50及びその下部の半導体層40を感光膜の第1部分114と共に乾式エッチング方法で同時に除去する。この時のエッチングは感光膜パターン112、114と中間層50及び半導体層40(半導体層と中間層はエッチング選択性が殆ど無い)とが同時にエッチングされてゲート絶縁膜30はエッチングされない条件下で行わなければならず、特に感光膜パターン112、114と半導体層40とに対するエッチング比が殆ど同一な条件でエッチングするのが好ましい。例えば、SF6とHClとの混合気体や、SF6とO2との混合気体を使用すると殆ど同一な厚さに二つの膜をエッチングすることができる。感光膜パターン112、114と半導体層40とに対するエッチング比が同一な場合、第1部分114の厚さは半導体層40と中間層50との厚さを合せたものと同一であるかそれより小さくなければならない。
【0047】
このようにすると、図14に示したように、C部分の第1部分114が除去されて導電体パターン69が露出され、残りの部分(B)の中間層50及び半導体層40が除去されてその下部のゲート絶縁膜30が露出される。一方、第2部分112もエッチングされるので厚さが薄くなる。また、この段階で半導体パターン42及び光遮断膜44が完成する。次いで、アッシング(ashing)を通じてC部分の導電体パターン69表面に残っている感光膜のクズを除去する。アッシングする方法としてはプラズマ気体を用いたりマイクロ波(microwave)を用いることができ、主に使用する組成物としては酸素がある。
【0048】
次に、図15に示したように、C部分の導電体パターン69及びその下部の中間層パターン50をエッチングして除去する。この時、エッチングは導電体パターン69と中間層パターン50の両方に対して乾式エッチングだけで進めることができ、導電体パターン69に対しては湿式エッチングで、中間層パターン50に対しては乾式エッチングで行うこともできる。前者の場合、導電体パターン69と中間層パターン50のエッチング選択比が大きい条件下でエッチングを行うのが好ましく、これは、エッチング選択比が大きくない場合にはエッチング終点を探すのが難くてC部分に残る半導体パターン42及び光遮断膜44の厚さを調節するのが容易ではないためである。例えば、SF6とO2との混合気体を使用して導電体パターン69をエッチングすることができる。湿式エッチングと乾式エッチングとを交互に行う後者の場合には、湿式エッチングされる導電体パターン69の側面はエッチングされるが、乾式エッチングされる中間層パターン50は殆どエッチングされないので階段模様に作られる。中間層パターン50、半導体パターン42及び光遮断膜44をエッチングする時に使用するエッチング気体の例としては、上に言及したCF4とHClとの混合気体やCF4とO2との混合気体があり、CF4とO2とを使用すると均一な厚さで半導体パターン42及び光遮断膜44を残すことができる。この時、図7に示したように、半導体パターン42及び光遮断膜44の一部が除去されて厚さが薄くなることがあり、感光膜パターンの第2部分112もこの時にある程度の厚さにエッチングされる。この時のエッチングはゲート絶縁膜30がエッチングされない条件で行わなければならず、第2部分112がエッチングされてその下部のデータ配線62、65、66が露出されることがないように、感光膜パターンが厚いのが好ましい。
【0049】
このようにすると、ソース電極65とドレーン電極66とが分離されながらデータ配線62、65、66とその下部の接触層パターン55、56とが完成する。
【0050】
最後に、A部分に残っている感光膜の第2部分112を除去する。しかし、第2部分112の除去はC部分の導電体パターン69を除去した後、その下部の中間層パターン50を除去する前になされることも可能である。
【0051】
また、データ配線を乾式エッチングが可能な物質で形成する場合には、感光膜パターンの厚さを調節して、前述したように数回の中間工程を経ずに一回のエッチング工程で接触層パターン、半導体層パターン、データ配線を形成することができる。つまり、B部分の金属層60、接触層50及び半導体層40をエッチングする間に、C部分では感光膜パターン114とその下部の接触層50をエッチングし、A部分では感光膜パターン112の一部だけをエッチングする条件を選択して、一回の工程で形成することもできる。
【0052】
前述したように、湿式エッチングと乾式エッチングとを交互にしたり乾式エッチングだけを使用することができる。後者の場合には一種類のエッチングだけを用いるので工程が比較的簡便であるが、適当なエッチング条件を探すのが難しい。反面、前者の場合にはエッチング条件は探しやすいが、工程が後者に比べて複雑な点がある。
【0053】
このようにしてデータ配線62、65、66を形成した後、図10に示したように、窒化ケイ素をCVD方法で蒸着したり有機絶縁物質をスピンコーティングして2000Å以上の厚さを有する保護膜70を形成する。
【0054】
このような本発明の第2実施例による製造方法では、半導体パターン42とデータ配線62、65、66とを一つのマスクを用いる写真エッチング工程で形成することで製造工程を単純化することができ、この時、薄い感光膜パターン114を有する感光膜パターンを用いて半導体パターン42と共に光遮断膜44を形成することができる。
【0055】
また、薄い感光膜パターンは薄膜トランジスタのチャンネル部にだけ形成し、半導体パターンと連結された光遮断膜をデータ線の外部に出るように形成してデータ線の端部付近で漏洩する光を遮断するように形成することができる。これについて図面を参照して具体的に説明する。
【0056】
図16は本発明の第3実施例による液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の構造を示した配置図であり、図17は図16のXVII-XVII´線の断面図である。
【0057】
図16及び図17のように、大部分の構造は第2実施例と同一に形成されている。
【0058】
しかし、光遮断膜44は半導体パターン42に連結されてその周囲に形成されており、データ配線62、65、66の端部の外にa幅だけ出ている。また、画素配線88、87は保護膜70の上部に形成されていて保護膜70の接触孔76を通じてドレーン電極66と連結されている。
【0059】
次に、本発明の第3実施例による液晶表示装置用基板の製造方法について図18〜図24と前記図16及び図17を参考にして詳細に説明する。
【0060】
まず、図18のように、第2実施例と同一な方法で第1及び第2部分を有する感光膜パターン114、112を形成し、感光膜パターン114、112をエッチングマスクとして使用して露出された導電体層60をエッチングして導電体パターン67を形成する。
【0061】
続いて、図19のように、露出された中間層50及びその下部の半導体層40を共に乾式エッチング方法で同時に除去し、ゲート絶縁膜30を露出させてチャンネル部の導電体パターン69を露出させる。この時、光遮断膜44及び半導体パターン42が完成する。
【0062】
その後、図20に示すように、薄膜トランジスタのチャンネル部に形成されている感光膜パターン114を除去して導電体パターン67を露出させるために、エッチバック(etch bach)工程を通じて全面的に感光膜を除去する。この時、第1部分114の感光膜パターンは完全に除去されるが、第2部分112の感光膜パターンの一部だけが除去されて第2部分112の幅及び厚さが減少し、導電体パターン69の端部が露出される。
【0063】
次に、図21及び図22のように、感光膜パターン112をエッチングマスクとして使用して露出された導電体パターン69とその下部の中間層50とをエッチングする。このようにすると、ソース電極65とドレーン電極66とが分離されながらデータ配線62、65、66とその下部の接触層パターン55、56とが完成する。この時、データ配線62、65、66の外に出た光遮断膜44の幅は1〜3μm程度の範囲で形成するのが好ましい。
【0064】
このようにしてデータ配線62、65、66を形成して感光膜パターン112を除去した後、図23及び図24に示したように、窒化ケイ素をCVD方法で蒸着したり有機絶縁物質をスピンコーティングして2000Å以上の厚さを有する保護膜70を形成する。続いて、写真エッチング工程で保護膜70をパターニングしてドレーン電極66を露出させる接触孔76を形成する。
【0065】
最後に、保護膜70の上部に導電膜を積層してパターニングすることで、接触孔を通じてドレーン電極66と連結される画素配線88、87を形成する。
【0066】
もちろん、画素配線88、87と同一層には、前述したように、保護膜70の接触孔を通じてデータ線62と電気的に連結される補助データ配線と補助パッドとを追加で形成することができる。
【0067】
本発明の実施例のように、半導体層と同一な層で光遮断膜を形成して画素の端部であるデータ線の端部付近で漏洩する光漏れ現象を除去して側面クロストークを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施例による平面駆動方式の液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板を示した配置図である。
【図2】図1のII-II線の断面図である。
【図3】本発明の第1実施例による液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造方法をその工程順序によって示した配置図である。
【図4】図3のIV-IV´線の断面図である。
【図5】本発明の第1実施例による液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造方法をその工程順序によって示した配置図である。
【図6】図5のVI-VI´線の断面図である。
【図7】本発明の第1実施例による液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造方法をその工程順序によって示した配置図である。
【図8】図7のVIII-VIII´線の断面図である。
【図9】本発明の第2実施例による平面駆動方式の液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の構造を示した配置図である。
【図10】図9のX-X´線の断面図である。
【図11】本発明の第2実施例による液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造方法を示した断面図であって、図3及び図4の次の段階を示した図面である。
【図12】図11の次の段階を示した断面図である。
【図13】図12の次の段階を示した断面図である。
【図14】図13の次の段階を示した断面図である。
【図15】図14の次の段階を示した断面図である。
【図16】本発明の第3実施例による液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の構造を示した配置図である。
【図17】図16のXVII-XVII´線の断面図である。
【図18】本発明の第3実施例による液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造方法を示した断面図であって、図3及び図4の次の段階を示した図面である。
【図19】図18の次の段階を示した断面図である。
【図20】図19の次の段階を示した断面図である。
【図21】本発明の第3実施例による液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造方法を工程順序にしたがって示した配置図であって、図20の次の段階を順次に示した図面である。
【図22】図21のXXII-XXII´線の断面図である。
【図23】本発明の第3実施例による液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造方法を工程順序にしたがって示した配置図であって、図20の次の段階を順次に示した図面である。
【図24】図23のXXIV-XXIV´線の断面図である。
Claims (7)
- 基板と、
前記基板の上に形成されているゲート線及び前記ゲート線と連結されているゲート電極からなるゲート配線と、
前記基板の上に前記ゲート配線と分離されて形成されている線状共通電極と、
前記ゲート配線及び前記共通電極を覆っているゲート絶縁膜と、
前記ゲート電極の上の前記ゲート絶縁膜の上に形成されている半導体層と、
前記ゲート絶縁膜の上に形成されており、前記半導体層と同一物質からなる光遮断膜と、
前記半導体層の上に各々形成されているソース及びドレーン電極と前記ソース電極と連結されているデータ線とを含むデータ配線と、
前記ゲート線と前記データ線との交差で定義される画素領域に前記共通電極と交互に形成されており、前記ドレーン電極と電気的に連結されている線状画素電極と、
を含み、
前記半導体層は、前記光遮断膜と連結されており、前記ソース電極と前記ドレーン電極との間のチャンネル部を除いて前記データ配線と同一な模様に形成されており、前記データ線の下部及び前記画素電極の下部まで延びて形成されており、前記光遮断膜は前記データ線の端部の外に出るように形成されている、液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板。 - 前記光遮断膜は前記データ線と前記データ線に隣接した共通電極または画素電極と重なっている、請求項1に記載の液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板。
- 前記光遮断膜は互いに隣接する前記画素領域の隣接した前記共通電極または前記画素電極と重なっている、請求項1に記載の液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板。
- 前記画素電極は前記データ線と同一層に形成されている、請求項1に記載の液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板。
- 前記データ配線を覆う保護膜をさらに含み、
前記画素電極は前記保護膜の上に形成され、前記保護膜の接触孔を通じて前記ドレーン電極と連結されている、請求項1に記載の液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板。 - 前記半導体層と前記データ配線との間に形成されている抵抗性接触層をさらに含む、請求項1に記載の液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板。
- 前記抵抗性接触層は前記データ線と同一な模様に形成されている、請求項6に記載の液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板。
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