KR20070121128A - 금속 박막 및 금속 배선 패턴 형성 방법과 표시 패널 제조방법 - Google Patents

금속 박막 및 금속 배선 패턴 형성 방법과 표시 패널 제조방법 Download PDF

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KR20070121128A
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윤필상
강호민
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Abstract

저저항의 금속 박막 형성 방법과 금속 배선 패턴 형성 방법 및 표시 패널의 제조 방법이 개시된다. 스퍼터링 방법을 통해 유리 기판 상에 저저항의 금속 박막을 형성할 경우, 비활성 가스와 함께 산소 함유 가스를 일정량 공급하여 저저항 금속 박막과 유리 기판간의 접착성을 향상시킬 수 있다.
저저항 금속 배선, Ag 합금, 산소 함유 가스, 비활성 가스, 분압비

Description

금속 박막 및 금속 배선 패턴 형성 방법과 표시 패널 제조 방법{METHOD FOR FORMING MATAL THIN FILM AND METAL LINE PATTERN AND METHOD FOR MANUFACTURING DISPLAY PANNEL}
도 1 내지 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 금속 배선 패턴의 형성 방법을 설명하기 위한 단면도.
도 4는 본 실시예에 따른 금속 배선 패턴 형성을 위한 제작 장치의 단면 개념도.
도 5는 스퍼터링 공정 후 기판 상에 형성된 Ag 함유 도전성막의 SEM 사진.
도 6 내지 도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 패널의 제작 방법을 설명하기 위한 도면들.
도 10 및 도 11은 금속 배선 패턴과 기판과의 접착성을 설명하기 위한 기판의 현미경 사진들.
도 12 내지 도 15는 본 발명의 다른 실시예에 따른 금속 배선 패턴의 형성 방법을 설명하기 위한 단면도들.
도 16 내지 도 20은 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시 패널의 제작 방법을 설명하기 위한 단면도들.
도 21은 본 실시예에 따른 액정 표시 패널의 패드 영역에 광을 조사하여 관찰한 현미경 사진.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10, 40, 100, 300 : 유리 기판 11, 41 : Ag 함유 도전성막
110 : 게이트 배선 120, 320 : 게이트 전극
130, 330 : 유지 전극 배선 140, 340 : 게이트 패드
180, 380 : 소스 전극 190, 390 : 드레인 전극
200, 400 : 소스 배선 210, 410 : 소스 패드
230, 430 : 화소 전극 240, 440 : 게이트 콘택 패드
250, 450 : 소스 콘택 패드
본 발명은 금속 박막 및 금속 배선 패턴 형성 방법과 표시 패널 제조 방법에 관한 것으로, Ag 합금을 이용하여 유리 기판과의 접착성을 향상시킬 수 있는 저저항의 금속 박막의 형성 방법과 이를 이용한 금속 배선 패턴의 형성 방법에 관한 것이다.
액정 표시 패널(liquid crystal display panel)의 경우 단위 화소를 이루는 화소 전극과 공통 전극 사이의 전계를 변화시켜, 그 사이에 마련된 액정의 광 투과율을 제어하여 화상을 표시한다.
액정 표시 패널은 복수의 미세 금속 배선 패턴을 구비하고, 미세 금속 배선 패턴을 통해 외부 계조 전압을 단위 화소 영역에 인가하여 화소 전극과 공통 전극 사이의 전계를 변화시킨다.
종래에는 미세 금속 배선 패턴을 형성하기 위해 유리 기판 상에 Al막을 형성하고, 이를 패터닝하여 Al 금속 배선을 형성하였다. 하지만 Al 금속 배선의 경우 배선 저항이 높은 단점이 있다. 이러한 단점을 해결하기 위한 방법으로 Al 대신 배선 저항이 낮은 Cu 또는 Ag을 금속 배선을 위한 물질로 사용하고자 하는 연구가 활발하게 진행 중이다. 특히 Ag의 경우 배선 물질 중 비저항이 가장 낮아 배선 저항이 낮은 금속 배선을 형성할 수 있다.
하지만, Ag의 경우 하부 유리 기판과의 접착성이 나빠서, 유리 기판으로부터 쉽게 분리되는 문제가 있고, 패터닝을 위한 후속 건식 식각시 노출된 Ag가 손상을 받게 되어 Ag를 이용한 배선 제작이 불가능하였다.
따라서, 본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위하여 도출된 것으로서, Ag-Mo 합금을 이용하여 Ag를 포함하는 금속 박막 형성 시, 아르곤 가스와 산소 함유 가스가 일정 비율 내에서 혼합된 가스를 공급하여 하부 기판과의 접착성을 향상시 킬 수 있으며 저저항을 갖는 금속 박막 및 금속 배선 패턴 형성 방법과 표시 패널 제조 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
본 발명에 따른 반응 공간 내에 마련되며 Ag를 함유하는 타겟에 대응하는 영역에 기판을 배치하는 단계와, 상기 반응 공간에 비활성 가스와 산소 함유 가스를 공급하는 단계와, 상기 타겟과 상기 기판사이에 플라즈마를 형성하여 상기 기판 상에 Ag 함유 도전성막을 형성하는 단계를 포함하는 금속 박막 형성 방법을 제공한다.
상기의 반응 공간에 공급되는 상기 비활성 가스의 공급량에 대하여 0.1 내지 20%의 공급량으로 상기 산소 함유 가스를 공급하는 것이 바람직하다. 상기의 반응 공간에 공급되는 상기 비활성 가스의 공급량에 대하여 5 내지 15%의 공급량으로 상기 산소 함유 가스를 공급하는 것이 효과적이다. 상기의 반응 공간에 공급되는 상기 비활성 가스의 공급량에 대하여 6 내지 8%의 공급량으로 상기 산소 함유 가스를 공급하는 것이 효과적이다.
여기서, Ag를 함유하는 타겟으로 Ag 내에 0.1 내지 2 wt%의 Mo가 포함된 합금을 사용하는 것이 바람직하다.
그리고, 상기 비활성 가스로 Ar 또는 N2 가스를 사용하는 것이 바람직하다. 상기의 Ag 함유 도전성막 상에 도전성 보호막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것이 바람직하다. 상기의 도전성 보호막으로 IZO(Indium Zinc Oxide)를 사용하는 것이 효과적이다.
또한, 본 발명에 따른 투광성 유리 기판을 마련하는 단계와, 상기 투광성 유리 기판 상에 Ag 함유 도전성막을 형성하는 단계와, 상기 Ag 함유 도전성막을 패터닝하는 단계를 포함하고, 비활성 가스와 산소 함유 가스를 공급하여 상기 Ag 함유 도전성막을 형성하는 금속 배선 패턴 형성 방법을 제공한다.
이때, 상기 Ag 함유 도전성막을 형성하는 단계는, 상기 투광성 유리 기판 상부 영역에 Ag 합금을 포함하는 원료 물질이 마련되고, 상기 비활성 가스와 상기 산소 함유 가스를 공급하는 단계와, 상기 Ag 합금을 포함하는 원료 물질과 상기 투광성 유리 기판 사이 영역에 플라즈마를 형성하는 단계를 포함하는 것이 바람직하다.
상기 Ag 함유 도전성막은 Mo 및 산소를 함유하는 것이 바람직하다.
상기의 비활성 가스의 공급량에 대하여 0.1 내지 20%의 공급량으로 상기 산소 함유 가스를 공급하는 것이 바람직하다. 상기의 비활성 가스의 공급량에 대하여 5 내지 15%의 공급량으로 상기 산소 함유 가스를 공급하는 것이 바람직하다. 상기의 비활성 가스의 공급량에 대하여 6 내지 8%의 공급량으로 상기 산소 함유 가스를 공급하는 것이 바람직하다.
여기서, 상기 Ag 함유 도전성막을 형성하는 단계 이후, 상기 Ag 함유 도전성막 상에 도전성 보호막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것이 바람직하다. 상기 도전성 보호막으로 IZO(Indium Zinc Oxide)를 사용하는 것이 효과적이다.
또한, 본 발명에 따른 투광성 유리 기판 상에 제 1 Ag 함유 도전성막을 형성 하는 단계와, 상기 제 1 Ag 함유 도전성막을 패터닝 하여 게이트 전극, 게이트 배선, 유지 전극 배선 및 게이트 패드를 형성하는 단계와, 전체 구조상에 게이트 절연막을 형성하는 단계와, 상기 게이트 전극 상부 영역에 활성층을 형성하는 단계 및 상기 활성층 상에 마련되어 상기 게이트 전극과 그 일부가 중첩하는 소스 전극 및 드레인 전극과, 상기 소스 전극과 접속된 소스 배선 및 소스 패드를 형성하는 단계를 포함하되, 비활성 가스와 산소 함유 가스를 공급하여 상기 제 1 Ag 함유 도전성막을 형성하는 액정 표시 패널 제조 방법을 제공한다.
여기서, 상기 비활성 가스의 공급량에 대하여 0.1 내지 20%의 공급량으로 상기 산소 함유 가스를 공급하는 것이 바람직하다. 상기의 비활성 가스의 공급량에 대하여 5 내지 15%의 공급량으로 상기 산소 함유 가스를 공급하는 것이 바람직하다. 상기의 비활성 가스의 공급량에 대하여 6 내지 8%의 공급량으로 상기 산소 함유 가스를 공급하는 것이 바람직하다.
그리고, 상기 제 1 Ag 함유 도전성막을 형성하는 단계 이후, 상기 제 1 Ag 함유 도전성막 상에 제 1 도전성 보호막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것이 바람직하다. 상기 도전성 보호막으로 IZO(Indium Zinc Oxide)를 사용하는 것이 효과적이다.
상기의 소스 전극, 상기 드레인 전극, 상기 소스 배선 및 상기 소스 패드를 형성하는 단계는, 상기 활성층이 형성된 전체 구조상에 제 2 Ag 함유 도전성막을 형성하는 단계와, 상기 제 2 Ag 함유 도전성막을 패터닝하는 단계를 포함하되, 비활성 가스와 산소 함유 가스를 공급하여 상기 제 2 Ag 함유 도전성막을 형성하는 것이 바람직하다. 상기 제 2 Ag 함유 도전성막을 형성하는 단계 이후, 상기 제 2 Ag 함유 도전성막 상에 제 2 도전성 보호막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것이 효과적이다.
상기의 소스 전극, 드레인 전극, 소스 배선 및 소스 패드를 형성하는 단계 이후, 전체 구조상에 절연막을 형성하는 단계와, 상기 절연막을 패터닝 하여 상기 드레인 전극의 일부를 개방하는 드레인 콘택홀과, 상기 게이트 패드의 일부를 개방하는 게이트 패드 콘택홀과, 상기 소스 패드의 일부를 개방하는 소스 패드 콘택홀을 형성하는 단계와, 상기 콘택홀이 형성된 전체 구조상에 투광성 절연막을 형성하는 단계와, 상기 투광성 절연막을 패터닝 하여 상기 드레인 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극과 접속하는 화소 전극과, 상기 게이트 패드 콘택홀을 통해 상기 게이트 패드와 접속하는 게이트 콘택 패드와, 상기 소스 패드 콘택홀을 통해 상기 소스 패드와 접속하는 소스 콘택 패드를 형성하는 단계를 포함하는 것이 바람직하다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 더욱 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다.
도면에서 여러 층 및 각 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 표현하였으며 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭하도록 하였다. 또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 상부에 또는 위에 있다고 표현되는 경우는 각 부분이 다른 부분의 바로 상부 또는 바로 위에 있는 경우뿐만 아니라 각 부분과 다른 부분의 사이에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다.
도 1 내지 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 금속 배선 패턴의 형성 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 4는 본 실시예에 따른 금속 배선 패턴 형성을 위한 제작 장치의 단면 개념도이다.
도 5는 스퍼터링 공정 후 기판 상에 형성된 Ag 함유 도전성막의 SEM사진이다.
도 1을 참조하면, 투광성 절연 기판 상에 Ag 함유 도전성막(11)을 형성한다. 투광성 절연 기판으로 본 실시예에서는 유리 기판(10)을 사용하였다. 이에 따라 하기 설명에서는 유리 기판(10)을 중심으로 설명한다.
상기의 Ag 함유 도전성막(11)을 다양한 증착 방법을 통해 유리 기판(10) 상에 형성할 수 있지만, 본 실시예에서는 스퍼터링 공정을 통해 Ag 함유 도전성막(11) 예를 들어 Ag와 Mo의 합금막을 기판 상에 형성한다. 스퍼터링 공정시 일정 량의 산소 함유 가스를 첨가하여 Ag 함유 도전성막(11)과 유리 기판(10)간의 접착성을 향상시킨다.
스퍼터링 공정은 도 4에 도시된 바와 같이 반응공간을 갖는 챔버(31)와, 타겟 층(20)과 기판(10)에 전원을 인가하는 전원 공급 수단(미도시)과, 불활성 가스 를 공급하는 불활성 가스 공급 수단(32)과, 산소 함유 가스(O2)를 공급하는 산소 함유 가스 공급 수단(33)을 포함하는 장비를 사용하여 수행된다.
타겟 층(20)으로는 Ag와 Mo 합금을 사용한다. 이러한 합금으로는 Ag 내에 0.1 내지 2 wt%의 Mo가 포함된 합금을 사용하는 것이 바람직하다. 불활성 가스로는 Ar을 사용하는 것이 바람직하다. 물론 Ar 대신 N2 등의 다양한 비 반응성 가스를 사용할 수 있다. 상기의 산소 함유 가스로는 O2, O3, NO, CO 및 CO2 등의 금속 원자를 산화 시킬 수 있는 모든 가스를 사용할 수 있다. 본 실시예에서는 산소 함유 가스로 O2를 사용하는 것이 바람직하다. 상기 산소 함유 가스(O2)는 상기 불활성 가스(Ar) 대비 0.1 내지 20% 범위 내에서 챔버(31) 내부로 공급되는 것이 바람직하다. 이는 챔버(31) 내부에 공급되는 불활성 가스의 공급량이 100일 경우, 챔버(31) 내부에 공급되는 산소 함유 가스의 공급량이 0.1 내지 20인 것을 지칭한다. 즉, 챔버(31) 내부에 공급되는 불활성 가스와 산소 함유 가스의 비율(분압비; O2/Ar)이 0.1 내지 20%인 것이 바람직하다. 불활성 가스와 산소 함유 가스의 분압비가 5 내지 15% 인 것이 효과적이고, 좀더 바람직하게는 6 내지 8%인 것이 효과적이다. 상술한 분압비는 스퍼터링 공정 조건(예를 들어 공정 온도, 인가 전원, 공정 압력 등)에 따라 다양하게 변경될 수 있다. 본 실시예에서는 상술한 범위의 산소 함유 가스를 챔버(31) 내부에 공급하여 Ag 함유 도전성막(11)을 형성하므로, Ag 함유 도전성막(11)과 유리 기판(10)간의 접착력을 향상시킬 수 있고, 스퍼터링 공정시 Ag 와 Mo가 반응하여 생성되는 금속간 화합물(intermetallic compound)의 발생을 줄일 수 있다.
하기에서는 도 4에 도시된 스퍼터링 장비를 이용한 스퍼터링 공정을 설명한다.
먼저, 챔버(31) 내부의 반응 공간에 유리 기판(10)과 타겟 층(20)이 대응되도록 안착시킨다. 챔버(31) 내부의 반응 공간에 불활성 가스와 산소 함유 가스를 공급하고, 유리 기판(10)과 타겟 층(20) 중 적어도 어느 하나에 전원을 인가한다. 예를 들어 유리 기판(10)에는 음 전원을 인가하고, 타겟 층에는 양 전원을 인가 시키게 되면 이둘 사이에 플라즈마가 발생한다. 상기 플라즈마에 의해 활성화된 이온들이 타겟 층(20)의 표면에 충돌하여 타겟 층(20)의 Ag와 Mo 원자를 분리시킨다. 타겟 층(20)으로부터 분리된 Ag와 Mo 원자가 유리 기판(10)상에 흡착되어 Ag 함유 도전성막(11)을 형성한다.
이때, 본 실시예에서는 불활성 가스에 대한 산소 함유 가스의 분압비(O2/Ag)가 0.1 내지 20% 범위가 되도록 산소 함유 가스를 챔버(31) 내의 반응 공간에 공급한다. 즉, 불활성 가스를 150sccm 공급하는 경우 0.15 내지 30sccm의 산소 함유 가스를 공급한다. 상기 불활성 가스는 100 내지 300sccm 범위 내에서 공급되는 것이 바람직하다. 이와 같이 상기 분압비 범위의 산소 함유 가스를 챔버(31) 내부에 공급함으로서, 기판(10)에 형성되는 Ag 함유 도전성막(11)과 유리 기판(10)간의 결합력을 향상시킬 수 있고, 스퍼터링 공정시 발생하는 금속간 화합물 발생을 방지할 수 있다. 그리고, 도 5의 (a)의 사진과 같이 상기 분압비 범위 내에서 산소 함유 가스를 공급하여 제작된 Ag 함유 도전성막의 경우 결정질을 형성하고 있음을 알 수 있다.
즉, 타겟 층(20)으로부터 분리된 Ag 원자가 반응 공간의 O와 반응하여 AgOx가 되고, Mo원자도 O와 반응하여 MoOx가 된다. 이러한 AgOx와 MoOx가 유리 기판(10) 상에 흡착되어 Ag 함유 도전성막(AgOx+MoOx; 11)을 형성한다.
이때, AgOx와 MoOx는 활성화 에너지가 높기 때문에, 이둘은 반응이 잘되지 않아 금속간 화합물 발생을 방지할 수 있다. 또한, 기판(10) 상에 형성되는 Ag 함유 도전성막(11)은 결정질 형태의 막질로 증착되어 저저항을 가질 뿐만 아니라 기판(10)과의 접착력이 향상될 수 있다. 또한, Ag 원자보다는 Mo원자가 O와 반응하는 속도가 빠르다. 따라서, 대부분의 Mo 원자는 산화되는 반면에 Ag 원자는 그 일부만이 산화된다. 이로인해 유리 기판 상에 형성되는 Ag 함유 도전성막(11)은 Ag의 전기적 특성을 최대한 얻을 수 있으면서도 Ag 함유 도전성막(11) 형성시 발생하는 금속간 화합물 발생을 억제할 수 있다.
그러나, 만일 불활성 가스에 대한 산소 함유 가스의 분압비가 0.1% 보다 작을 경우에는, Ag 함유 도전성막(11)과 유리 기판(10)간의 결합력이 떨어지고, 스터퍼링 공정시 금속간 화합물 발생이 증대되는 문제가 발생한다. 또한, 도 5의 (b)의 사진과 같이 상기 분압비 범위 보다 적은 양의 산소 함유 가스를 공급하여 제작된 Ag 함유 도전성막의 경우 부분적으로 비정질이 형성됨을 알 수 있다.
즉, 타겟 층(20)으로부터 분리된 Ag 원자와 Mo 원자가 O와 잘 반응하지 못하여 Ag 및 Mo 원자 상태로 챔버(31)의 반응 공간을 지나게 된다. 이어서, Ag 원자와 Mo원자가 기판(10) 상에 흡착되어 Ag 함유 도전성막(Ag+Mo; 11)을 형성한다. 이때, Ag 원자는 활성화 에너지가 낮기 때문에 챔버(31)의 반응 공간 내에서 Mo와 쉽게 반응하여 금속간 화합물을 생성하는 문제가 발생한다. 또한 기판 상에 형성된 Ag 함유 도전성막(11)은 부분적으로 비정질 형태의 막질로 증착되어 고저항을 갖고, 기판(10)과의 접착력이 낮아지게 되는 문제가 발생한다.
또한, 만일 불활성 가스에 대한 산소 함유 가스의 분압비가 20% 보다 클 경우에는 Ag 함유 도전성막(11)과 유리 기판(10)간의 결합력은 향상될 수 있고, 금속간 화합물 발생을 방지할 수 있다. 하지만, 도 5의 (c)의 사진과 같이 Ag 함유 도전성막(11) 내의 산화 얼룩(부분적으로 그 일부가 산화된 상태)이 발생하게 된다. 그리고, 기판(10) 상에 형성된 Ag 함유 도전성막(11)의 표면 거칠기가 심화되는 문제가 발생한다.
상기의 분압비로 불활성 가스와 산소 함유 가스를 스퍼터링 장비에 공급하여 유리 기판(10)과의 접착력이 향상되고, 저저항의 Ag 함유 도전성막(11)을 형성한다. 이후, 상기 불활성 가스와 산소 함유 가스의 공급을 중단하고, 전원 공급을 중단한 다음 상기 챔버(31) 내의 Ag 함유 도전성막(11)이 형성된 유리 기판(10)을 챔버(31) 외부로 배출시켜 스퍼터링 공정을 종료한다.
도 2 및 도 3을 참조하면, Ag 함유 도전성막(11) 상에 감광막 마스크 패턴(12)을 형성한다. 상기 감광막 마스크 패턴(12)을 식각 마스크로 하는 식각 공정 을 실시하여 Ag 함유 도전성막(11)을 패터닝하여 저저항의 금속 배선 패턴(13)을 형성한다. 이후, 상기 감광막 마스크 패턴(12)을 제거한다.
상술한 방법을 통해 저저항의 금속 배선 패턴(13)을 투광성 절연 기판 상에 형성할 수 있다. 따라서, 상술한 저저항의 금속 배선 패턴 형성 방법을 다양한 평판 표시 패널에 적용할 수 있다.
하기에서는 상술한 실시예에 따른 저저항의 금속 배선 패턴 형성 방법이 적용된 액정 표시 패널의 제작 방법을 설명한다.
도 6 내지 도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 패널의 제작 방법을 설명하기 위한 도면들이다.
도 10 및 도 11은 금속 배선 패턴과 기판과의 접착성을 설명하기 위한 기판의 현미경 사진들이다.
도 6을 참조하면, 유리 기판(100) 상에 Ag 함유 도전성막을 형성한다. Ag 함유 도전성막을 패터닝 하여 게이트 전극(120), 게이트 배선(110), 유지 전극 배선(130) 및 게이트 패드(140)를 형성한다. 이때, 게이트 전극(120), 게이트 배선(110), 유지 전극 배선(130) 및 게이트 패드(140)는 저저항의 특성을 갖게 된다.
상기 Ag 함유 도전성막은 앞서 설명한 스퍼터링 공정을 통해 유리 기판(100) 상에 형성된다. 상기 스퍼터링 공정 시 비활성 가스와 산소 함유 가스의 분압비가 0.1 내지 20%가 되도록 비활성 가스와 산소 함유 가스를 공급한다. 이를 통해 유리 기판(100)과 Ag 함유 도전성막의 결합력을 향상시킬 수 있다.
기판(100) 상에 형성된 Ag 함유 도전성막 상부에 감광막을 도포한다. 이후, 제 1 마스크를 이용한 포토리소그라피 공정을 통해 게이트 전극(120), 게이트 배선(110), 유지 전극 배선(130) 및 게이트 패드(140) 영역을 제외한 Ag 함유 도전성막 영역을 노출하는 제 1 감광막 마스크 패턴을 형성한다. 상기 제 1 감광막 마스크 패턴을 식각 마스크로 하는 식각 공정을 실시하여 노출된 Ag 함유 도전성막을 제거하여 게이트 전극(120), 게이트 배선(110), 유지 전극 배선(130) 및 게이트 패드(140)를 형성한다. 상기 식각 공정 후에 제 1 감광막 마스크 패턴을 제거한다. 게이트 배선(110)은 도 6에 도시된 바와 같이 수평 방향으로 연장되고, 그 일부가 돌출하여 게이트 전극(120)을 형성한다. 그리고, 유지 전극 배선(130)은 게이트 배선(110)과 평행하게 연장된 연장부와, 화소 영역의 가장자리로 돌출된 돌출부를 포함한다.
도 7을 참조하면, 게이트 전극(120) 및 게이트 배선(110)이 형성된 전체 기판(100) 상에 게이트 절연막(150)을 형성하고, 상기 게이트 전극(120) 상측에 활성층(160) 및 오믹 접촉층(170)을 형성한다.
전체 기판 상에 PECVD법, 스퍼터링법 등을 이용한 증착 방법을 통해 게이트 절연막(150)을 형성한다. 이때, 게이트 절연막(150)으로는 산화 실리콘 또는 질화 실리콘을 포함하는 무기 절연 물질을 사용하는 것이 바람직하다. 게이트 절연막(150) 상에 상술한 증착 방법을 통해 활성층(160)과 오믹 접촉층(170)을 형성한다. 활성층(160)으로는 비정질 실리콘층을 사용하는 것이 바람직하다. 오믹 접촉층(170)으로 불순물이 고농도로 도핑된 비정질 실리콘층을 사용하는 것이 바람직하다.
상기 오믹 접촉층(170) 상에 감광막을 도포한다. 제 2 마스크를 이용한 포토리소그라피 공정을 통해 활성 영역을 제외한 오믹 접촉층(170)을 노출시키는 제 2 감광막 마스크 패턴을 형성한다. 상기의 제 2 감광막 마스크 패턴을 식각 마스크로 하는 식각 공정을 실시하여 노출된 영역의 오믹 접촉층(170)과 활성층(160)을 제거하여 활성 영역을 형성한다. 상기 식각 공정 후 제 2 감광막 마스크 패턴을 제거한다. 활성 영역은 게이트 전극(120) 상부에 섬 형상으로 패터닝 되는 것이 바람직하다.
이때, 게이트 전극(120), 게이트 배선(110), 유지 전극 배선(130) 및 게이트 패드(140)로 사용되는 Ag 함유 도전성막 형성시, 불활성 가스와 산소 함유 가스의 분압비가 0.1 내지 20%가 되도록 하는 것이 바람직하다. 이를 통해 도 10과 같이 활성영역 형성 후, 기판의 현미경 사진을 보면 게이트 배선 및 유지 전극 배선(사진의 밝은 부분)이 유리 기판에 잘 접착되어 있음을 알 수 있다. 하지만, 상기 범위 보다 작을 경우에는 도 11의 기판 현미경 사진에 도시된 바와 같이 게이트 배선 및 유지 전극 배선과 기판의 접착이 좋지 않아 유리 기판 상에 형성된 패턴이 들뜨는 영역이 발생한다(도 11의 L영역 참조).
도 8을 참조하면, 활성 영역이 패터닝된 기판(100) 상에 Ag 함유 도전성막을 형성한다. Ag 함유 도전성막을 패터닝 하여 소스 전극(180), 드레인 전극(190), 소스 배선(200) 및 소스 패드(210)를 형성한다. 이때, 소스 전극(180), 드레인 전극(190), 소스 배선(200) 및 소스 패드(210)는 저저항의 특성을 갖게 된다.
상기의 Ag 함유 도전성막은 앞서 설명한 스퍼터링 공정을 통해 활성 영역이 패터닝된 유리 기판(100) 상에 형성된다.
Ag 함유 도전성막 상에 감광막을 도포한다. 제 3 마스크를 이용한 포토 리소그라피 공정을 통해 소스 전극(180), 드레인 전극(190), 소스 배선(200) 및 소스 패드(210) 영역을 제외한 Ag 함유 도전성막 영역을 노출하는 제 3 감광막 마스크 패턴을 형성한다. 상기 제 3 감광막 마스크 패턴을 식각 마스크로 하는 식각 공정을 실시하여 노출된 Ag 함유 도전성막을 제거하여 소스 전극(180), 드레인 전극(190), 소스 배선(200) 및 소스 패드(210)를 형성한다. 이후, 상기 소스 전극(180)과 드레인 전극(190) 사이 영역으로 노출된 오믹 접촉층(170)을 제거한다. 상기 식각 공정 후에 제 3 감광막 마스크 패턴을 제거한다. 이를 통해 게이트 전극(120), 소스 전극(180) 및 드레인 전극(190)을 포함하는 박막 트랜지스터를 형성한다. 소스 배선(200)은 게이트 배선(110)과 수직한 방향으로 연장되고, 그 일부가 게이트 전극(120) 상부 영역으로 연장되어 소스 전극(180)을 형성한다. 드레인 전극(190)은 게이트 전극(120) 상부와 중첩되고, 화소 영역으로 일부가 연장된다. 여기서, 직교하는 복수의 소스 배선(200)과 게이트 배선(110)으로 인해 사각형 형상의 화소 영역이 정의된다.
도 9를 참조하면, 박막 트랜지스터가 형성된 유리 기판(100) 상에 절연막(220)을 형성한다. 절연막(220)의 일부를 패터닝 하여 드레인 전극(190)의 일부를 노출하는 드레인 콘택홀과, 게이트 패드(140)를 노출하는 게이트 패드 콘택홀과, 소스 패드(210)를 노출하는 소스 패드 콘택홀을 형성한다.
상기 절연막(220)으로는 유기질 또는 무기질 물질을 사용한다. 상기 절연 막(220) 상에 감광막을 도포한 다음 제 4 마스크를 이용한 포토리소그라피 공정을 통해 제 4 감광막 마스크 패턴을 형성한다. 이후, 상기 제 4 감광막 마스크 패턴을 식각 마스크로 하는 식각 공정을 실시하여 드레인 콘택홀, 게이트 패드 콘택홀 및 소스 패드 콘택홀을 형성한다. 상기의 콘택홀 형성 후 제 4 감광막 마스크 패턴을 제거한다. 물론 상기 절연막(220)으로 감광성 유기질 물질을 사용하는 경우 감광막을 도포하지 않고, 상기 제 4 마스크를 이용한 포토 리소그라피 공정을 통해 절연막(220)의 일부를 제거하여 상기의 드레인 콘택홀, 게이트 패드 콘택홀 및 소스 패드 콘택홀을 형성할 수도 있다.
콘택홀이 형성된 전체 구조상에 투명 전도성막을 도포한 다음 이를 제 5 마스크를 이용하여 패터닝 하여 드레인 콘택홀을 통해 드레인 전극(190)과 접속되는 화소 전극(230)을 형성하고, 게이트 패드 콘택홀을 통해 게이트 패드(140)와 접속되는 게이트 콘택 패드(240)와, 소스 패드 콘택홀을 통해 소스 패드(210)와 접속되는 소스 콘택 패드(250)를 형성한다. 화소 전극(230)은 화소 영역 내에 형성되고, 그 가장자리의 일부는 유지 전극 배선(130)과 중첩된다. 상기의 투명 전도성막으로는 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide: ITO)이나 인듐 아연 산화물(Indium Zinc Oxide: IZO)을 사용하는 것이 바람직하다.
상술한 설명에서는 도시되지는 않았지만, 상기 게이트 패드(140)와, 게이트 배선(110) 사이 영역 및/또는 소스 패드(210)와 소스 배선(200) 사이 영역에 마련된 정전 다이오드용 배선으로도 상술한 Ag 함유 도전성막을 사용할 수 있다. 또한, 상술한 설명에서는 게이트 배선 및 소스 배선으로 모두 Ag 함유 도전성막을 사용하 였지만 이에 한정되지 않고 이둘 중 하나의 배선은 Al, Nd, Ag, Cr, Ti, Ta 및 Mo 중 적어도 어느 하나의 금속 또는 이들을 포함하는 합금으로 제작될 수도 있다.
상술한 바와 같이 박막 트랜지스터 및 화소 전극(230)이 형성된 유리 기판(100) 상에 블랙 매트릭스, 컬러 필터, 오버 코트막 및 공통 전극이 형성된 투광성 절연 기판(미도시)을 정렬 배치한다. 이후, 상기 두 기판을 밀봉하고, 두 기판 사이에 액정층(미도시)을 형성하여 액정 표시 패널을 제작한다. 물론 이에 한정되지 않고, 다양한 방법을 통해 액정 표시 패널을 제작할 수 있다. 즉, 상술한 설명에서는 박막 트랜지스터 및 화소 전극이 형성된 유리 기판을 5개의 마스크를 이용하여 제작하였지만 이에 한정되지 않고, 4개 또는 3개의 마스크를 이용하여 박막 트랜지스터 및 화소 전극이 형성된 유리 기판을 제작할 수도 있다. 또한, 액정 적하 방법을 이용하여 액정 표시 패널을 제작할 수도 있다. 그리고, 상기 화소 전극에는 소정의 절개 패턴이 더 형성될 수 있고, 공통 전극에는 돌출 패턴이 더 형성될 수도 있다. 또한, 상기 단위 화소 영역을 두개의 서브 화소로 분리하여 이들 각각을 다른 박막 트랜지스터로 구동시킬 수도 있다.
또한, 본 발명은 상술한 Ag 함유 도전성막으로 구성된 금속 배선 패턴 상부에 보호막을 형성하여 후속 공정시 발생하는 금속 배선 패턴의 손상을 방지할 수 있다. 하기에서는 도면을 참조하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 금속 배선 패턴의 형성 방법을 설명한다. 후술되는 설명중 앞서 설명한 실시예와 중복되는 설명은 생략한다.
도 12 내지 도 15는 본 발명의 다른 실시예에 따른 금속 배선 패턴의 형성 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 12를 참조하면, 투광성 절연 기판인 유리 기판(40) 상에 Ag 함유 도전성막(41)을 스퍼터링 방법으로 형성한다.
상기 스퍼터링 공정 시 불활성 가스와 산소 함유 가스를 함께 공급하여 유리 기판(40) 상에 형성되는 Ag 함유 도전성막(41)과 유리 기판(40)간의 접착성을 향상시킬 수 있다. 이때, 불활성 가스로 Ar을 사용하고, 스퍼터링 공정시 공급되는 Ar 가스와 산소 함유 가스의 분압비는 0.1 내지 20%인 것이 바람직하다. 이를 통해 앞서 설명한 바와 같이 Ag 함유 도전성막(41)과 유리 기판(40)간의 접착력을 향상시킬 수 있고, 스퍼터링 공정시 Ag 원자와 Mo원자가 반응하여 금속간 화합물을 생성하는 것을 방지할 수 있다.
도 13을 참조하면, 상기 Ag 함유 도전성막(41) 상에 전도성 보호막(42)을 형성한다.
이때, 상기 보호막(42)으로는 IZO를 사용하는 것이 바람직하다. 따라서, IZO를 전도성 보호막(42)으로 사용하여 한번의 식각 공정으로 Ag 함유 도전성막(41)과 전도성 보호막(42)을 패터닝 할 수 있다.
Ag 함유 막의 경우 그 상부에 금속성의 전도성막을 형성하게 되면 두 막을 식각하는 식각액이나 식각 가스가 달라 한번의 식각으로 두 막(금속성의 전도성막과, Ag 함유막)을 제거하기 어려운 문제가 있었다.
하지만, 본 실시예에서는 약산에도 쉽게 식각되는 IZO막을 전도성 보호막(42)으로 사용하여 Ag 함유 도전성막(41) 식각을 위한 한번의 식각 공정으로 Ag 함유 도전성막과 보호막을 동시에 제거할 수 있다.
또한, 건식 식각은 물론 습식 식각을 통해 Ag 함유 도전성막(41)과 전도성 보호막(42)을 식각할 수 있다. 일반적으로 금속성 막을 습식 식각하는 경우 감광막 마스크 패턴 하부의 패터닝된 막의 측면이 식각 액에 의해 깍이는 현상이 발생한다. 이는 식각 액에 노출된 금속성 막의 측면 영역에서 산화 반응 즉, 금속 이온이 전자와 분리되어 떨어지는 현상이 발생한다. 이러한 현상으로 인해 금속 배선 패턴의 폭이 일정하게 패터닝 되지 않고, 심지어 일부 영역에서는 배선이 단선되는 등 금속 배선 패턴이 제대로 식각 되지 못하는 문제가 발생하였다.
하지만, 본 실시예의 Ag 함유 도전성막(41)과, IZO를 이용한 전도성 보호막(42)을 적층 형성하는 경우는 Ag와 IZO 간의 전위차에 의해 에치 스탑이 발생하여 습식 식각으로도 양호한 금속 배선 패턴을 형성할 수 있게 된다. 즉, 감광막 하부에 패터닝된 IZO 막으로부터 전자가 공급되어 Ag 함유 도전성막의 측면 영역에서 금속 이온이 분리되는 현상을 방지할 수 있다.
도 14 및 도 15를 참조하면, 전도성 보호막(42) 상에 감광막을 도포하고, 마스크를 이용한 포토리소그라피 공정을 통해 감광막 마스크 패턴(43)을 형성한다. 상기 감광막 마스크 패턴(43)을 식각 마스크로 하는 식각 공정을 실시하여 전도성 보호막(42)과 Ag 함유 도전성막(41)을 제거하여 저저항의 금속 배선 패턴(44)을 형성한다. 식각 공정 후, 상기 감광막 마스크 패턴을 제거한다.
이때, 상기 식각 공정은 앞서 설명한 바와 같이 건식 식각은 물론 습식 식각을 실시할 수도 있다. 습식 식각을 수행할 경우, Ag 합금을 식각하는 식각 액(etchant) 만을 사용하여 전도성 보호막(42)과 Ag 함유 도전성막(41)을 같이 제거할 수 있다.
이와 같이 제조된 저저항의 금속 배선 패턴(44)의 전도성 보호막(42)은 후속 식각 공정에 의해 금속 배선 패턴(44)을 외부로 노출시킬 때 발생하는 Ag 함유 도전성막(41)의 손상을 방지할 수 있다. 따라서, 전도성 보호막(42)은 100 내지 1000Å두께로 형성하는 것이 바람직하다. 전도성 보호막(42)으로 200 내지 500Å두께로 형성하는 것이 더욱 바람직하다. 전도성 보호막(42)을 100Å 두께보다 얇게 제작하는 경우에는 후속 식각 공정시 충분한 배리어 역할을 하지 못하게 된다. 이로인해 Ag 함유 도전성막(41)이 손상을 받게 된다. 반면에 전도성 보호막(42)을 1000Å 두께보다 더 두껍게 제작하는 경우에는 금속 배선 패턴(44)의 두께가 증대되는 문제가 발생하고, 금속 배선 패턴(44)의 저항을 증가시키는 문제가 있다.
상술한 Ag 함유 도전성막과 그 상부에 전도성 보호막이 마련된 저저항의 금속 배선 패턴을 투광성 절연 기판 상에 형성할 수 있다. 투광성 절연 기판을 사용하는 다양한 평판 표시 패널에서 상술한 저저항의 금속 배선 패턴을 사용할 수 있다.
하기에서는 상술한 실시예에 따른 저저항의 금속 배선 패턴 형성 방법이 적용된 액정 표시 패널의 제작 방법을 설명한다.
도 16 내지 도 20은 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시 패널의 제작 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 21은 본 실시예에 따른 액정 표시 패널의 패드 영역에 광을 조사하여 관 찰한 현미경 사진이다.
도 16을 참조하면, 유리 기판(300) 상에 Ag 함유 도전성막(321, 331, 341)과 도전성 보호막(322, 332, 342)을 형성한다. Ag 함유 도전성막(321, 331, 341)과 도전성 보호막(322, 332, 342)을 패터닝 하여 게이트 전극(320), 게이트 배선(미도시), 유지 전극 배선(330) 및 게이트 패드(340)를 형성한다.
Ag 함유 도전성막(321, 331, 341)은 스퍼터링 공정을 통해 형성된다. Ag 함유 도전성막(321, 331, 341)과 유리 기판(300)사이의 결합력 향상을 위해 상기 스퍼터링 공정시 비활성 가스와 산소 함유 가스의 분압비가 0.1 내지 20%가 되도록 한다.
Ag 함유 도전성막(321, 331, 341) 상에 도전성 보호막(322, 332, 342)을 100 내지 1000Å 두께로 형성한다. 이때, 도전성 보호막(322, 332, 342)으로는 IZO를 사용하며, Ag 함유 도전성막(321, 331, 341)과 도전성 보호막(322, 332, 342)을 단일의 건식 또는 습식 식각 공정으로 제거하는 것이 바람직하다. 즉, 도전성 보호막(322, 332, 342) 상에 감광막을 도포하고, 제 1 마스크를 이용한 포토리소그라피 공정을 통해 제 1 감광막 마스크 패턴을 형성한다. 상기 제 1 감광막 마스크 패턴을 식각 마스크로 하는 식각 공정을 실시하여 도전성 보호막(322, 332, 342)과 Ag 함유 도전성막(321, 331, 341)을 식각하여 게이트 전극(320), 게이트 배선, 유지 전극 배선(330) 및 게이트 패드(340)를 형성한다. 상기 식각 공정으로 건식 식각을 실시할 수 있고, 습식 식각을 실시할 수도 있다.
상기 습식 식각시 Ag 함유 도전성막(321, 331, 341) 식각을 위한 식각액으로 도전성 보호막(322, 332, 342)도 함께 식각할 수 있어 한번의 식각 공정으로 게이트 전극(320), 게이트 배선, 유지 전극 배선(330) 및 게이트 패드(340)를 형성할 수 있다. 그리고, 현재 액정 표시 패널 생산 라인에서 사용하는 습식 식각 장비를 사용한 습식 식각을 수행하여, 건식 식각을 위한 고가의 장비를 도입하지 않을 수 있어 생산 단가를 줄일 수 있다.
도 17을 참조하면, 게이트 전극(320) 및 게이트 배선이 형성된 전체 기판(300) 상에 게이트 절연막(350)을 형성하고, 상기 게이트 전극(320) 상측에 활성층(360) 및 오믹 접촉층(370)을 형성한다. 게이트 전극(320) 상부에 활성층(360)과 오믹 접촉층(370)을 포함하는 섬 형상의 활성 영역이 형성된다.
도 18을 참조하면, 활성 영역이 패터닝된 기판(300) 상에 Ag 함유 도전성막(381, 391, 401, 411)과 도전성 보호막(382, 392, 402, 412)을 순차적으로 형성한다. 상기 Ag 함유 도전성막(381, 391, 401, 411)과 도전성 보호막(382, 392, 402, 412)을 패터닝 하여 소스 전극(380), 드레인 전극(390), 소스 배선(400) 및 소스 패드(410)를 형성한다. 상기 소스 전극(380)과 드레인 전극(390) 사이에 노출된 오믹 접촉층(370)을 제거한다. 이를 통해 게이트 전극(320), 소스 전극(380) 및 드레인 전극(390)을 포함하는 박막 트랜지스터를 형성한다.
도 19를 참조하면, 박막 트랜지스터가 형성된 유리 기판(300) 상에 절연막(420)을 형성한다. 절연막(420)의 일부를 패터닝 하여 드레인 전극(390)의 일부를 노출하는 드레인 콘택홀(421)과, 게이트 패드(340)를 노출하는 게이트 패드 콘택홀(422)과, 소스 패드(410)를 노출하는 소스 패드 콘택홀(423)을 형성한다.
즉, 상기 절연막(420) 상에 감광막을 도포하고, 마스크를 이용한 포토리소그라피 공정을 통해 감광막 마스크 패턴을 형성한다. 상기 감광막 마스크 패턴을 식각 마스크로 하는 식각 공정을 실시하여 드레인 전극(390), 게이트 패드(340) 및 소스 패드(410)의 일부를 각기 노출하는 드레인 콘택홀(421), 게이트 패드 콘택홀(422), 소스 패드 콘택홀(423)을 형성한다.
이때, 상기 게이트 패드(340)와 소스 패드(410)는 Ag 함유 도전성막(341, 411)과 그 상부에 형성된 도전성 보호막(342, 412)을 포함한다. 이때 도전성 보호막(342, 412)은 콘택홀 형성을 위한 식각 공정시 Ag 함유 도전성막(341, 411)의 손상을 방지한다. 이를 통해 콘택홀 형성 공정 후 Ag 함유 도전성막(341, 411)이 하부 구조물(예를 들어 기판)로부터 분리되는 현상을 방지할 수 있다.
하지만, 도전성 보호막(342, 412)이 없는 경우에는 콘택홀 형성시 Ag 함유 도전성막(341, 411)이 손상을 받아 Ag 함유 도전성막(341, 411)이 하부 구조물로부터 분리되는 문제가 발생한다. 즉, 도 21 (a)의 사진과 같이 도전성 보호막(342, 412)이 없는 경우에는 콘택홀 형성후, 상기 유리 기판(300) 하부에서 상부 방향으로 빛을 조사하게 되면 패드 영역 부분이 밝게 나타나게 된다(도 21 (a)의 P1 참조). 이는 패드 영역의 Ag 함유 도전성막(341, 411)이 하부 구조물로부터 떨어져 나감을 의미한다. 하지만, 도 21 (b)의 사진과 같이 도전성 보호막(342, 412) 있는 경우에는 콘택홀 형성후, 상기 유리 기판(300) 하부에서 상부 방향으로 빛을 조사하게 되면 패드 영역이 어둡게 나타난다(도 21 (b)의 P2 참조). 이는 패드 영역에 Ag 함유 도전성막(341, 411)이 잔류해 있음을 의미한다. 이와 같이 도전성 보호 막(342, 412)을 Ag 함유 도전성막(341, 411) 상에 형성하여 통해 콘택홀 형성을 위한 식각 공정시 그 하부의 Ag 함유 도전성막(341, 411)의 손상을 방지할 수 있다.
도 20을 참조하면, 콘택홀이 형성된 전체 구조상에 투명 전도성막을 도포한 다음 이를 패터닝 하여 드레인 콘택홀(421)을 통해 드레인 전극(390)과 접속되는 화소 전극(430)을 형성하고, 게이트 패드 콘택홀(422)을 통해 게이트 패드(340)와 접속되는 게이트 콘택 패드(440)와, 소스 패드 콘택홀(423)을 통해 소스 패드(410)와 접속되는 소스 콘택 패드(450)를 형성한다.
이를 통해 박막 트랜지스터와 화소 전극이 형성된 하부 기판을 제작한다. 이후, 도시 되지 않은 블랙 매트릭스, 컬러 필터, 오버 코트막 및 공통 전극이 형성된 투광성 절연 기판을 합착하고, 그 사이에 액정층을 형성하여 액정 표시 패널을 제작한다.
본 실시예에서는 저저항의 금속 배선 패턴을 갖는 액정 표시 패널에 관하여 설명하였지만, 상술한 저저항의 금속 배선 패턴의 형성 방법은 이에 한정되지 않고, PDP, 유기 EL과 같은 다양한 평판 표시 패널에 적용될 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명은 Ag 함유 도전성막을 유리 기판에 형성하는 공정 중 산소 함유 가스를 공급하여 Ag 함유 도전성막과 유리 기판간의 접착성을 향상시킬 수 있다.
또한, 스퍼터링 공정시 공급되는 비활성 가스와 산소 함유 가스의 비율을 조 절하여 Ag원자와 Mo 원자가 반응하여 금속간 화합물이 형성되는 현상을 방지할 수 있다.
또한, Ag 함유 도전성막 상에 도전성 보호막을 형성하여 Ag 함유 도전성막의 손상을 방지할 수 있다.
또한, 도전성 보호막으로 IZO를 사용하여 Ag 함유 도전성막과 도전성 보호막을 단일의 식각 공정으로 패터닝 할 수 있고, 습식 식각 공정을 적용할 수도 있다.
이상 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (25)

  1. 반응 공간 내에 마련되며 Ag를 함유하는 타겟에 대응하는 영역에 기판을 배치하는 단계;
    상기 반응 공간에 비활성 가스와 산소 함유 가스를 공급하는 단계;
    상기 타겟과 상기 기판사이에 플라즈마를 형성하여 상기 기판 상에 Ag 함유 도전성막을 형성하는 단계를 포함하는 금속 박막 형성 방법.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 반응 공간에 공급되는 상기 비활성 가스의 공급량에 대하여 0.1 내지 20%의 공급량으로 상기 산소 함유 가스를 공급하는 금속 박막 형성 방법.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 반응 공간에 공급되는 상기 비활성 가스의 공급량에 대하여 5 내지 15%의 공급량으로 상기 산소 함유 가스를 공급하는 금속 박막 형성 방법.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 반응 공간에 공급되는 상기 비활성 가스의 공급량에 대하여 6 내지 8%의 공급량으로 상기 산소 함유 가스를 공급하는 금속 박막 형성 방법.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 Ag를 함유하는 타겟으로 Ag 내에 0.1 내지 2 wt%의 Mo가 포함된 합금을 사용하는 금속 박막 형성 방법.
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 비활성 가스로 Ar 또는 N2 가스를 사용하는 금속 박막 형성 방법.
  7. 청구항 1에 있어서,
    상기 Ag 함유 도전성막 상에 도전성 보호막을 형성하는 단계를 더 포함하는 금속 박막 형성 방법.
  8. 청구항 7에 있어서,
    상기 도전성 보호막으로 IZO(Indium Zinc Oxide)를 사용하는 금속 박막 형성 방법.
  9. 투광성 유리 기판을 마련하는 단계;
    상기 투광성 유리 기판 상에 Ag 함유 도전성막을 형성하는 단계;
    상기 Ag 함유 도전성막을 패터닝하는 단계를 포함하고,
    비활성 가스와 산소 함유 가스를 공급하여 상기 Ag 함유 도전성막을 형성하는 금속 배선 패턴 형성 방법.
  10. 청구항 9에 있어서, 상기 Ag 함유 도전성막을 형성하는 단계는,
    상기 투광성 유리 기판 상부 영역에 Ag 합금을 포함하는 원료 물질이 마련되고, 상기 비활성 가스와 상기 산소 함유 가스를 공급하는 단계;
    상기 Ag 합금을 포함하는 원료 물질과 상기 투광성 유리 기판 사이 영역에 플라즈마를 형성하는 단계를 포함하는 금속 배선 패턴 형성 방법.
  11. 청구항 9에 있어서,
    상기 Ag 함유 도전성막은 Mo 및 산소를 함유하는 금속 배선 패턴 형성 방법.
  12. 청구항 9에 있어서,
    상기 비활성 가스의 공급량에 대하여 0.1 내지 20%의 공급량으로 상기 산소 함유 가스를 공급하는 금속 배선 패턴 형성 방법.
  13. 청구항 9에 있어서,
    상기 비활성 가스의 공급량에 대하여 5 내지 15%의 공급량으로 상기 산소 함유 가스를 공급하는 금속 배선 패턴 형성 방법.
  14. 청구항 9에 있어서,
    상기 비활성 가스의 공급량에 대하여 6 내지 8%의 공급량으로 상기 산소 함유 가스를 공급하는 금속 배선 패턴 형성 방법.
  15. 청구항 9에 있어서, 상기 Ag 함유 도전성막을 형성하는 단계 이후,
    상기 Ag 함유 도전성막 상에 도전성 보호막을 형성하는 단계를 더 포함하는 금속 배선 패턴 형성 방법.
  16. 청구항 15에 있어서,
    상기 도전성 보호막으로 IZO(Indium Zinc Oxide)를 사용하는 금속 배선 패턴 형성 방법.
  17. 투광성 유리 기판 상에 제 1 Ag 함유 도전성막을 형성하는 단계;
    상기 제 1 Ag 함유 도전성막을 패터닝 하여 게이트 전극, 게이트 배선, 유지 전극 배선 및 게이트 패드를 형성하는 단계;
    전체 구조상에 게이트 절연막을 형성하는 단계;
    상기 게이트 전극 상부 영역에 활성층을 형성하는 단계; 및
    상기 활성층 상에 마련되어 상기 게이트 전극과 그 일부가 중첩하는 소스 전극 및 드레인 전극과, 상기 소스 전극과 접속된 소스 배선 및 소스 패드를 형성하는 단계를 포함하되,
    비활성 가스와 산소 함유 가스를 공급하여 상기 제 1 Ag 함유 도전성막을 형성하는 표시 패널 제조 방법.
  18. 청구항 17에 있어서,
    상기 비활성 가스의 공급량에 대하여 0.1 내지 20%의 공급량으로 상기 산소 함유 가스를 공급하는 표시 패널 제조 방법.
  19. 청구항 17에 있어서,
    상기 비활성 가스의 공급량에 대하여 5 내지 15%의 공급량으로 상기 산소 함유 가스를 공급하는 표시 패널 제조 방법.
  20. 청구항 17에 있어서,
    상기 비활성 가스의 공급량에 대하여 6 내지 8%의 공급량으로 상기 산소 함유 가스를 공급하는 표시 패널 제조 방법.
  21. 청구항 17에 있어서, 상기 제 1 Ag 함유 도전성막을 형성하는 단계 이후,
    상기 제 1 Ag 함유 도전성막 상에 제 1 도전성 보호막을 형성하는 단계를 더 포함하는 표시 패널 제조 방법.
  22. 청구항 21에 있어서,
    상기 도전성 보호막으로 IZO(Indium Zinc Oxide)를 사용하는 표시 패널 제조 방법.
  23. 청구항 17에 있어서, 상기 소스 전극, 상기 드레인 전극, 상기 소스 배선 및 상기 소스 패드를 형성하는 단계는,
    상기 활성층이 형성된 전체 구조상에 제 2 Ag 함유 도전성막을 형성하는 단계;
    상기 제 2 Ag 함유 도전성막을 패터닝하는 단계를 포함하되,
    비활성 가스와 산소 함유 가스를 공급하여 상기 제 2 Ag 함유 도전성막을 형성하는 표시 패널 제조 방법.
  24. 청구항 23에 있어서, 상기 제 2 Ag 함유 도전성막을 형성하는 단계 이후,
    상기 제 2 Ag 함유 도전성막 상에 제 2 도전성 보호막을 형성하는 단계를 더 포함하는 표시 패널 제조 방법.
  25. 청구항 17에 있어서, 상기 소스 전극, 드레인 전극, 소스 배선 및 소스 패드를 형성하는 단계 이후,
    전체 구조상에 절연막을 형성하는 단계;
    상기 절연막을 패터닝 하여 상기 드레인 전극의 일부를 개방하는 드레인 콘택홀과, 상기 게이트 패드의 일부를 개방하는 게이트 패드 콘택홀과, 상기 소스 패드의 일부를 개방하는 소스 패드 콘택홀을 형성하는 단계;
    상기 콘택홀이 형성된 전체 구조상에 투광성 절연막을 형성하는 단계;
    상기 투광성 절연막을 패터닝 하여 상기 드레인 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극과 접속하는 화소 전극과, 상기 게이트 패드 콘택홀을 통해 상기 게이트 패드와 접속하는 게이트 콘택 패드와, 상기 소스 패드 콘택홀을 통해 상기 소스 패드와 접속하는 소스 콘택 패드를 형성하는 단계를 포함하는 표시 패널 제조 방법.
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