CN106504987B - 用于银层的蚀刻溶液组合物、使用其制作金属图案的方法和制作显示基板的方法 - Google Patents
用于银层的蚀刻溶液组合物、使用其制作金属图案的方法和制作显示基板的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN106504987B CN106504987B CN201610764965.7A CN201610764965A CN106504987B CN 106504987 B CN106504987 B CN 106504987B CN 201610764965 A CN201610764965 A CN 201610764965A CN 106504987 B CN106504987 B CN 106504987B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- silver
- layer
- indium oxide
- etching solution
- solution composition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 134
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 126
- 239000004332 silver Substances 0.000 title claims abstract description 124
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 110
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 73
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 54
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims description 23
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims description 23
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 13
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 27
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 claims abstract description 13
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 13
- -1 phosphate compound Chemical class 0.000 claims abstract description 13
- 239000011734 sodium Substances 0.000 claims abstract description 13
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 claims abstract description 12
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 217
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 81
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 81
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 40
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 claims description 39
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 39
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 29
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 29
- 229910001923 silver oxide Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 11
- 239000001488 sodium phosphate Substances 0.000 claims description 9
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 claims description 7
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910000403 monosodium phosphate Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 235000019799 monosodium phosphate Nutrition 0.000 claims description 5
- AJPJDKMHJJGVTQ-UHFFFAOYSA-M sodium dihydrogen phosphate Chemical compound [Na+].OP(O)([O-])=O AJPJDKMHJJGVTQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 5
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- LPXPTNMVRIOKMN-UHFFFAOYSA-M sodium nitrite Chemical compound [Na+].[O-]N=O LPXPTNMVRIOKMN-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- GEHJYWRUCIMESM-UHFFFAOYSA-L sodium sulfite Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])=O GEHJYWRUCIMESM-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 4
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 4
- BNIILDVGGAEEIG-UHFFFAOYSA-L disodium hydrogen phosphate Chemical compound [Na+].[Na+].OP([O-])([O-])=O BNIILDVGGAEEIG-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- 229910000397 disodium phosphate Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 235000019800 disodium phosphate Nutrition 0.000 claims description 2
- 235000010288 sodium nitrite Nutrition 0.000 claims description 2
- 235000010265 sodium sulphite Nutrition 0.000 claims description 2
- RYFMWSXOAZQYPI-UHFFFAOYSA-K trisodium phosphate Chemical compound [Na+].[Na+].[Na+].[O-]P([O-])([O-])=O RYFMWSXOAZQYPI-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 2
- 229910000406 trisodium phosphate Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 235000019801 trisodium phosphate Nutrition 0.000 claims description 2
- TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) tin(4+) Chemical compound [O-2].[Zn+2].[Sn+4].[In+3] TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 24
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 20
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 14
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 10
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 10
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 6
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 5
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 3
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N EDTA Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- VWDWKYIASSYTQR-UHFFFAOYSA-N sodium nitrate Chemical compound [Na+].[O-][N+]([O-])=O VWDWKYIASSYTQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- 239000002042 Silver nanowire Substances 0.000 description 1
- PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L Sodium Sulfate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])(=O)=O PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- VMHLLURERBWHNL-UHFFFAOYSA-M Sodium acetate Chemical compound [Na+].CC([O-])=O VMHLLURERBWHNL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 239000001632 sodium acetate Substances 0.000 description 1
- 235000017281 sodium acetate Nutrition 0.000 description 1
- 239000004317 sodium nitrate Substances 0.000 description 1
- 235000010344 sodium nitrate Nutrition 0.000 description 1
- 229910052938 sodium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011152 sodium sulphate Nutrition 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/321—After treatment
- H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
- H01L21/32133—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
- H01L21/32134—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by liquid etching only
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Weting (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本公开涉及用于银层的蚀刻溶液组合物、以及使用其制作金属图案的方法和制作显示基板的方法，所述蚀刻溶液组合物包括：(a)磷酸(H3PO4)；(b)硝酸(HNO3)；(c)醋酸(CH3COOH)；(d)磷酸盐化合物；(e)钠基化合物；和(f)水。
Description
技术领域
本公开涉及用于银层的蚀刻溶液组合物、使用该蚀刻溶液组合物的显示基板、以及使用该蚀刻溶液组合物制作金属图案的方法和制作显示基板的方法，所述蚀刻溶液组合物包括：(a)磷酸(H3PO4)；(b)硝酸(HNO3)；(c)醋酸(CH3COOH)；(d)磷酸盐化合物；(e)钠基化合物；和(f)水。
背景技术
随着进入全面信息时代，处理和显示大量信息的显示器领域已迅速增长，而响应于这种现象，开发了各种平板显示器且引起关注。
这样的平板显示器装置的例子包括：液晶显示装置(LCD)、等离子体显示面板装置(PDP)，场发射显示装置(FED)，电致发光显示装置(ELD)，有机发光二极管(OLED)等，且这些平板显示器装置不仅在消费性电子产品领域(例如电视机和录像机)中、而且在计算机(例如笔记本电脑、移动电话等)中用于各种目的。这些平板显示器装置以其优异的特性(例如薄型化、重量轻和低功耗)而迅速取代现有的阴极射线管(NIT)。
特别地，OLED能够以低电压驱动，同时通过装置本身发光，因此已被迅速应用于小型显示器(例如移动装置)的市场中。此外，在小型显示器中商业化之后，OLED在大尺寸电视机中的商业化指日可待。
同时，导电金属例如氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌(IZO)具有相对优异的光透射率并具有导电性，因此，已被广泛用作在平板显示器装置中使用的滤色器的电极。然而，这些金属也具有高电阻，并成为通过改善响应速度而实现的平板显示器装置放大和高分辨率的障碍。
此外，在反射板的情况下，铝(Al)反射板已主要用于产品，然而，已经追求将材料改为具有更高反射率的金属，从而通过提高亮度获得低功耗。为此，已尝试在滤色器的电极、LCD或OLED线和反射板中使用比平板显示器装置中使用的金属具有更低的比电阻和更高的亮度的银(Ag，比电阻约为1.59μΩ·cm)层、银合金或包括这些的多层，从而实现平板显示器装置的放大、高分辨率和低功耗，而且已经需要开发蚀刻溶液以使用这些材料。
然而，银对于下衬底(例如，绝缘衬底例如玻璃，或用本征非晶硅、掺杂非晶硅等形成的半导体衬底)具有极差附着性，因此不易沉积，且容易引起线的鼓起或剥离。此外，当将银(Ag)导电层沉积在衬底上时，使用蚀刻溶液从而使导电层图案化。当在此使用现有的蚀刻溶液作为这样的蚀刻溶液时，银(Ag)被过度蚀刻或不均匀蚀刻，引起线的鼓起或剥离，且线的侧轮廓变差。
韩国专利申请公布公开No.10-2008-0110259公开了一种用于银层的蚀刻溶液组合物，包括磷酸、硝酸、醋酸、磷酸一钠(NaH2PO4)等，但具有的问题在于：该蚀刻溶液组合物不能抑制对暴露给焊垫单元的S/D线(Ti/Al/Ti三层)的损害。
鉴于以上，需要开发一种能够抑制对暴露给焊垫单元的S/D线(Ti/Al/Ti三层)的损害的、用于银层的蚀刻溶液组合物。
【现有技术文献】
【专利文献】
【专利文献1】韩国专利申请公布公开No.10-2008-0110259
发明内容
本公开旨在提供一种蚀刻溶液，其能够用于由银(Ag)或银合金形成的单层、以及由该单层与铟氧化物层形成的多层、且优选地由铟氧化物层/银或铟氧化物层/银/铟氧化物层形成的多层，并可用于湿蚀刻以抑制银再吸附现象而不会损害暴露给焊垫单元的数据线，并表现出蚀刻均匀性。
本公开还旨在提供使用所述用于银层的蚀刻溶液组合物制作的显示基板和线。
鉴于以上，本公开的一方面提供一种用于银(Ag)层的蚀刻溶液组合物，包括：磷酸(H3PO4)，硝酸(HNO3)，醋酸(CH3COOH)，磷酸盐化合物，铝(Al)蚀刻抑制剂，和去离子水。
本公开的另一实施方式提供了一种用于制作金属图案的方法，包括：在衬底上形成一层或多层，所述一层或多层选自银或银合金的单层和由银或银合金的单层与铟氧化物层形成的多层；以及用本公开的用于银层的蚀刻溶液组合物蚀刻以上形成的所述一层或多层。
本公开的又一实施方式提供了一种用于制作显示基板的方法，包括：在衬底上形成栅电极；在包括所述栅电极的衬底上形成栅绝缘层；在所述栅绝缘层上形成半导体层；在所述半导体层上形成源极和漏极；以及形成与所述漏极连接的像素电极；其中所述在衬底上形成栅电极、在所述半导体层上形成源极和漏极以及形成与所述漏极连接的像素电极中的任何一个或多个包括：形成选自由银或银合金形成的单层和由所述单层与铟氧化物层形成的多层中的一层或多层的过程，以及通过用本公开的用于银层的蚀刻溶液组合物蚀刻以上形成的所述一层或多层来形成每个电极的过程。
附图说明
图1是用实施例4中的用于银层的蚀刻溶液组合物蚀刻钛/铝/钛时的铝损害评价的照片(侧蚀刻0.1μm以下-非常优秀)；
图2是用比较例8中的用于银层的蚀刻溶液组合物蚀刻钛/铝/钛时的铝损害评价的照片(侧蚀刻0.4μm以上-差)；
图3是用实施例4中的用于银层的蚀刻溶液组合物蚀刻铟氧化物层/银/铟氧化物层时的APC蚀刻轮廓评价的照片(侧蚀刻0.3μm以下-非常优秀)；
图4是用比较例4中的用于银层的蚀刻溶液组合物蚀刻铟氧化物层/银/铟氧化物层时的APC蚀刻轮廓评价的照片(侧蚀刻1μm以上-差)；
具体实施方式
下面，将详细描述本公开。
本公开的实施方式提供了一种用于银层的蚀刻溶液组合物，包括：(a)磷酸(H3PO4)；(b)硝酸(HNO3)；(c)醋酸(CH3COOH)；(d)磷酸盐化合物；(e)钠基化合物；和(f)水。本公开的发明人已实验性确认：当在组合物中包括(e)钠基化合物作为铝蚀刻抑制剂并在液晶显示装置的制作中将该组合物用于被用作线和反射层的、由银(Ag)或银合金形成的单层或其多层时，表现出对于图案单元的线和反射层的蚀刻均匀性而并未损害钛/铝/钛中的铝(暴露给焊垫单元的数据线)，且由焊垫单元中的数据线损害引起的银(Ag)再吸附的问题也可以得以改善；并且发明人完成了本公开。
以下将通过各个组分详细描述本公开。
(a)磷酸(H3PO4)
本公开中用于银层的蚀刻溶液组合物中包括的磷酸(H3PO4)是用作主要氧化剂的组分，并起到将铟氧化物层/银(Ag)/铟氧化物层中的银(Ag)和铟氧化物层氧化以及湿蚀刻所得物的作用。
相对于蚀刻溶液组合物的总重量，在用于银层的蚀刻溶液组合物中包括的磷酸(H3PO4)的含量为40重量％至60重量％。低于40重量％的磷酸含量可能引起蚀刻速率降低和蚀刻轮廓缺陷；而当该含量大于60重量％时，铟氧化物层的蚀刻速率降低，且银的蚀刻速率增加太多，从而在上铟氧化物层和下铟氧化物层中引起尖刺，这在后续工艺中引起问题。
(b)硝酸(HNO3)
在本公开的用于银层的蚀刻溶液组合物中包括的硝酸(HNO3)是用作辅助氧化剂的组分，并起到将铟氧化物层/银(Ag)/铟氧化物层中的银(Ag)和铟氧化物层氧化以及湿蚀刻所得物的作用。
相对于蚀刻溶液组合物的总重量，在用于银层的蚀刻溶液组合物中包括的硝酸(HNO3)的含量为3重量％至8重量％。当硝酸含量低于3重量％时，银(Ag)和ITO的蚀刻速率降低，因此，在衬底中的均匀性变差，引起瑕疵；而当该含量高于8重量％时，上铟氧化物层和下铟氧化物层的蚀刻速率加快，引起在上铟氧化物层和下铟氧化物层中产生切口，这在后续工艺中引起问题。
(c)醋酸(CH3COOH)
在本公开的用于银层的蚀刻溶液组合物中包括的醋酸(CH3COOH)是用作辅助氧化剂的组分，并起到将铟氧化物层/银(Ag)/铟氧化物层中的银(Ag)和铟氧化物层氧化以及湿蚀刻所得物的作用。
相对于蚀刻溶液组合物的总重量，在本公开的用于银层的蚀刻溶液组合物中包括的醋酸(CH3COOH)的含量为5重量％至20重量％。醋酸(CH3COOH)的含量低于5重量％存在由于衬底中的蚀刻速率不均匀而引起瑕疵的问题。而该含量高于20重量％引起泡沫产生，而当在衬底中存在此泡沫时，不能得到完整的蚀刻，这在后续工艺中引起问题。
(d)磷酸盐化合物
磷酸盐化合物是用作本公开的用于银层的蚀刻溶液组合物中的磷酸盐化合物添加剂的组分，且在湿蚀刻期间降低薄层的CD偏斜，且还控制蚀刻速率从而得到均匀蚀刻。
磷酸盐化合物是选自由磷酸一钠、磷酸二钠和磷酸三钠中的一种或多种，且最优选为磷酸一钠。
相对于蚀刻溶液组合物的总重量，磷酸盐化合物的含量为0.1重量％至3重量％。当磷酸一钠的含量低于0.1重量％时，衬底中的蚀刻均匀性下降且也可能在衬底中部分地形成银残渣；而磷酸盐化合物的含量大于3重量％可能存在工艺方面的问题，因为蚀刻速率降低且不能得到目标蚀刻速率。
(e)钠基化合物
在本发明的用于银层的蚀刻溶液组合物中的钠基化合物是铝蚀刻抑制剂，且可以在湿蚀刻期间通过抑制在钛/铝/钛金属多层(暴露给焊垫单元的数据线)中的铝蚀刻而防止损害，且可以改善在后续工艺中可能发生的问题。
钠基化合物可以优选为选自硝酸钠、硫酸钠、醋酸钠、亚硝酸钠和亚硫酸钠中的一种或多种。
相对于蚀刻溶液组合物的总重量，钠基化合物的含量为0.1重量％至3重量％。Al蚀刻抑制剂的含量低于0.1重量％可能不能抑制数据线的损害，而该含量大于3重量％可能存在工艺方面的问题，原因是Ag的蚀刻速率降低且不能获得目标蚀刻速率。
(f)水
本公开的水可以以剩余量包括，使得蚀刻溶液组合物的总重量成为100重量％。
本公开的用于银层的蚀刻溶液组合物可以蚀刻由银或银合金形成的单层以及由该单层和铟氧化物层形成的多层。具体地，铟氧化物可以是选自由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡锌(ITZO)和氧化铟镓锌(IGZO)所组成的组中的一种或多种类型，且由所述单层和铟氧化物层形成的多层可以是铟氧化物层/银、铟氧化物层/银合金、铟氧化物层/银/铟氧化物层、或铟氧化物层/银合金/铟氧化物层。
当在液晶显示装置的制作中将本公开的蚀刻溶液组合物用于用作线和反射层的由银或银合金形成的单层、由该单层和和铟氧化物层形成的多层、且更优选地用于由铟氧化物层/银或铟氧化物层/银/铟氧化物层形成的多层时，表现出对于图案单元的线和反射层的蚀刻均匀性而并未损害钛/铝/钛(暴露给焊垫单元的数据线)中的铝，且由焊垫单元中的数据线损害引起的银(Ag)再吸附的问题也可以得以改善。
除上述组分之外，本公开的用于银层的蚀刻溶液组合物还可以包括在本领域中通常使用的添加剂。
此外，本公开涉及一种用于制作金属图案的方法，包括：(i)在衬底上形成一层或多层，所述一层或多层选自银或银合金的单层和由银或银合金的单层与铟氧化物层形成的多层；和(ii)用本公开的用于银层的蚀刻溶液组合物蚀刻以上形成的所述一层或多层。
在用于制作金属图案的方法中，步骤(i)包括：提供衬底，并在衬底上形成一层或多层，所述一层或多层选自银(Ag)或银合金的单层和由银(Ag)或银合金的单层与铟氧化物层形成的多层。
需要使用常规方法清洁衬底，且可以使用晶片、玻璃衬底、不锈钢衬底、塑料衬底或石英衬底。作为在衬底上形成银(Ag)或银合金的单层或由银(Ag)或银合金的单层与铟氧化物层形成的多层的方法，可以使用本领域技术人员已知的各种方法，且所述形成优选使用真空沉积法或溅射法。
在步骤(ii)中，在步骤(i)中形成的所述一层或多层上形成光致抗蚀剂，使用掩模将光致抗蚀剂选择性地暴露，将所暴露的光致抗蚀剂后烘焙，并将后烘焙后的光致抗蚀剂显影以形成光致抗蚀剂图案。
通过使用本公开的用于银层的蚀刻溶液组合物，对其上形成有光致抗蚀剂图案的所述一层或多层进行蚀刻，完成了金属图案。
此外，本公开涉及一种用于制作显示基板的方法，所述方法包括：a)在衬底上形成栅电极；b)在包括所述栅电极的衬底上形成栅绝缘层；c)在所述栅绝缘层上形成半导体层；d)在所述半导体层上形成源极和漏极e)形成与所述漏极连接的像素电极；其中步骤a)、步骤d)和步骤e)中的任何一个或多个包括：形成选自银或银合金的单层和由银(Ag)或银合金的单层与铟氧化物层形成的多层中的一层或多层的过程，和通过用本公开的用于银层的蚀刻溶液组合物蚀刻以上形成的所述一层或多层来形成每个电极的过程。
显示基板可以是薄膜晶体管(TFT)阵列衬底。
在根据本公开的用于制作显示基板的方法中，步骤a)包括：a1)使用气相沉积法或溅射法在衬底上沉积选自银或银合金的单层或由银(Ag)或银合金的单层与铟氧化物层形成的多层中的一层或多层；和a2)使用本公开的用于银层的蚀刻溶液组合物将以上形成的所述一层或多层图案化来形成栅电极。在此，在衬底上形成一层或多层的方法不限于以上说明的方法。
在根据本公开的用于制作显示基板的方法中，在步骤b)中通过将氮化硅(SiNX)沉积在形成于衬底上的栅电极的顶部而形成栅绝缘层。在此，用于形成栅绝缘层的材料不限于氮化硅(SiNX)，且也可以使用选自各种无机绝缘材料(包括氧化硅(SiO2))中的材料来形成栅绝缘层。
在根据本公开的用于制作显示基板的方法中，在步骤c)中使用化学气相沉积法(CVD)在栅绝缘层上形成半导体层。换言之，在连续形成有源层和欧姆接触层之后，通过干蚀刻对所得物进行图案化。在此，通常用纯非晶硅(a-Si:H)形成有源层，且用包括杂质的非晶硅(n+a-Si:H))形成欧姆接触层。当形成有源层和欧姆接触层时，可以使用化学气相沉积法(CVD)，然而，方法不限于此。
在根据本公开的用于制作显示基板的方法中，步骤d)包括：d1)在半导体层上形成源极和漏极；和d2)在源极和漏极上形成绝缘层。在步骤d1)中，通过溅射法在欧姆接触层上沉积选自银或银合金的单层和由该单层与铟氧化物层形成的多层中的一层或多层，且使用本公开的用于银层的蚀刻溶液组合物对所得物进行蚀刻以形成源极和漏极。在此，在衬底上形成一层或多层的方法不限于以上说明的方法。在步骤d2)中，绝缘层选自包括氮化硅(SiNx)和氧化硅(SiO2)的无机绝缘组，或包括苯并环丁烯(BCB)类树脂和丙烯酰基类树脂的有机绝缘组，且在源极和漏极上形成为单层或双层。绝缘层的材料不限于以上说明的那些。
在根据本公开的用于制作显示基板的方法中，在步骤e)中形成与漏极连接的像素电极。例如，通过溅射法沉积选自银或银合金的单层和由该单层与铟氧化物层形成的多层中的一层或多层，且用本公开的用于银层的蚀刻溶液组合物对所得物进行蚀刻以形成像素电极。沉积铟氧化物层的方法不限于溅射法。
此外，本公开可以提供包括用本公开中用于银层的蚀刻溶液组合物蚀刻的金属层的显示基板。
更具体地，显示装置可以是液晶显示装置(LCD)或有机发光装置(OLED)的薄膜晶体管(TFT)衬底
此外，OLED可以具有层压在顶部和底部的金属层，且可以用本公开中用于银层的蚀刻溶液组合物对金属层进行蚀刻。此外，当在顶部和底部层压金属层时，通过控制厚度，金属层可以在OLED中起到反射层和半透射层的作用。
反射层需要具有几乎没有光可通过的厚度，而半透射层需要具有使几乎所有光通过的厚度。因此金属层优选具有
至
的厚度。
金属层可以是由银(Ag)或银合金形成的单层，或由该单层和铟氧化层形成的多层。
银合金具有银作为主要成分，且可以具有各种形式，例如包括其它金属如Nd,Cu,Pd,Nb,Ni,Mo,Ni,Cr,Mg,W和Ti以及银的氮化物、硅化物、碳化物和氧化物的合金形式。然而，该银合金不限于此。
此外，铟氧化物是选自由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)和氧化铟镓锌(IGZO)所组成的组中的一种或多种类型。
此外，多层可以是由铟氧化物层/银、铟氧化物层/银合金，铟氧化物层/银/铟氧化物层或铟氧化物层/银合金/铟氧化物层形成的多层。
此外，本公开可以提供用本公开中用于银层的蚀刻溶液组合物蚀刻的线。
更具体地，所述线可以是触摸屏面板(TSP)中读取通常以x、y坐标感测的信号的迹线，或柔性银纳米线。
此外，所述线由银(Ag)或银合金形成的单层或由该单层与铟氧化物层形成的多层形成。
银合金具有银作为主要成分，且可以具有各种形式，例如包括其它金属如Nd,Cu,Pd,Nb,Ni,Mo,Ni,Cr,Mg,W和Ti以及银的氮化物、硅化物、碳化物和氧化物的合金形式。然而，银合金不限于此。
此外，铟氧化物可以是选自由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)和氧化铟镓锌(IGZO)所组成的组中的一种或多种类型。
此外，所述多层可以是由铟氧化物层/银、铟氧化物层/银合金、铟氧化物层/银/铟氧化物层、或铟氧化物层/银合金/铟氧化物层形成的多层。
下面，将参考实施例更详细地描述本公开。然而，下面的实施例是为了更具体地描述本公开，而本公开的范围不限于下面的实施例。在本公开的范围内，本领域技术人员可以对下面的实施例进行适当地修改和改变。
<用于银层的蚀刻溶液组合物的制备>
实施例1-7和比较例1-10
根据以下表1和表2中所列的组成成分制备了实施例1-7和比较例1-10中用于银层的蚀刻溶液组合物，且包括剩余量的水使得蚀刻溶液组合物的总重量成为100重量％。
【表1】
【表2】
试验例1对用于银层的蚀刻溶液的铝损害的评价
使用实施例和比较例的用于银层的蚀刻溶液组合物对钛/铝/钛进行蚀刻。具体地，将所制备的用于银层的蚀刻溶液组合物置于喷射蚀刻型试验装置(型号名称：MiniETCHER(TFT)，由AST制造)中，将温度设在40℃并升高温度，而当温度达40±0.1℃时，进行蚀刻工艺。进行蚀刻，基于终点检测(EPD)，总蚀刻时间为50％过蚀刻。
将衬底放入其中并开始喷涂，且当完成蚀刻时，将衬底取出，用去离子水洗涤，然后用吹气干燥，且用光致抗蚀剂剥离剂(PR剥离剂)去除光致抗蚀剂。在洗涤并干燥后，使用扫描电子显微镜(SEM；型号名称：S-4700，由HITACHI,Ltd.制造)评价铝损害。评价标准如下，而结果在图1、图2和表1中示出。
【铝损害评价标准】
◎:非常优秀(侧蚀刻:<0.1μm)
○:优秀(侧蚀刻:<0.2μm,>0.1μm)
Δ:良好(侧蚀刻:<0.3μm,>0.2μm)
x:差(侧蚀刻:>0.3μm)
图1是用实施例4中用于银层的蚀刻溶液组合物蚀刻钛/铝/钛时的铝损害评价的照片，且侧蚀刻为0.1μm以下，表明非常优秀。
图2是用比较例8中用于银层的蚀刻溶液组合物蚀刻钛/铝/钛时的铝损害评价的照片，且侧蚀刻为0.4μm以上，表明差。
试验例2对用于银层的蚀刻溶液组合物的APC蚀刻轮廓的评价
对于APC蚀刻轮廓，使用实施例和比较例的用于银层的蚀刻溶液组合物对铟氧化物层/银/铟氧化物层进行蚀刻，将所制备的用于银层的蚀刻溶液组合物置于喷射蚀刻型试验装置(型号名称：Mini ETCHER(TFT)，由AST制造)中，将温度设在40℃并升高温度，而当温度达40±0.1℃时，进行蚀刻工艺。进行蚀刻，基于终点检测(EPD)，总蚀刻时间为50％过蚀刻。
将衬底放入其中并开始喷涂，且当完成蚀刻时，将衬底取出，用去离子水洗涤，然后用吹气干燥，且用光致抗蚀剂剥离剂(PR剥离剂)去除光致抗蚀剂。在洗涤并干燥后，使用扫描电子显微镜(SEM；型号名称：S-4700，由HITACHI,Ltd.制造)评价CD偏斜程度的蚀刻轮廓和蚀刻残余物产生。评价标准如下，而结果在图3、图4和表2中示出。
【APC蚀刻轮廓评价标准】
◎:非常优秀(侧蚀刻:<0.3μm)
○:优秀(侧蚀刻:<0.5μm,>0.3μm)
Δ:良好(侧蚀刻:<0.5μm,>0.1μm)
x:差(侧蚀刻:>0.1μm)
图3是用实施例4的用于银层的蚀刻溶液组合物蚀刻铟氧化物层/银/铟氧化物层时的APC蚀刻轮廓评价的照片，且侧蚀刻为0.3μm以下，表明非常优秀。
图4是用比较例4的用于银层的蚀刻溶液组合物蚀刻铟氧化物层/银/铟氧化物层时的APC蚀刻轮廓评价的照片，且侧蚀刻为1μm以上，表明差。
通过上述试验结果，验证了本公开的用于银层的蚀刻溶液组合物在铝损害和APC蚀刻轮廓方面具有非常优秀的效果。
同时，比较例的组合物在铝损害和/或APC蚀刻轮廓方面的效果并不良好，且特别地，验证了在使用乙二胺四乙酸(EDTA)而不是钠基化合物作为蚀刻抑制剂的比较例10中，没有解决铝损害问题。通过这些试验，验证了使用钠基化合物作为蚀刻抑制剂的本公开的用于银层的蚀刻溶液组合物对解决铝损害问题具有优异的效果。
因此，当在显示装置的制作中将本公开的用于银层的蚀刻溶液组合物用于用作线和反射层的由银(Ag)或银合金形成的单层、由该单层和铟氧化物层形成的多层、且更优选地用于由铟氧化物层/银或铟氧化物层/银/铟氧化物层形成的多层时，可表现出对于图案单元的线和反射层的蚀刻均匀性而并未损害钛/铝/钛(暴露给焊垫单元的数据线)中的铝，且由焊垫单元中的数据线损害引起的银(Ag)再吸附的问题也可以得以改善。
本公开的用于银层的蚀刻溶液组合物可用于湿蚀刻以抑制银(Ag)再吸附现象而不会损害暴露给焊垫单元的数据线，并表现出蚀刻均匀性。
此外，包括用本公开的用于银层的蚀刻溶液组合物蚀刻的金属层的显示基板具有优异的驱动特性。
Claims (6)
1.用于银层的蚀刻溶液组合物，包括：
相对于所述组合物的总重量，
磷酸40重量％至60重量％；
硝酸3重量％至8重量％；
醋酸5重量％至20重量％；
磷酸盐化合物0.1重量％至3重量％；
钠基化合物0.1重量％至3重量％；和
余量的水，
其中所述磷酸盐化合物是选自磷酸一钠、磷酸二钠和磷酸三钠中的一种或多种，
其中所述钠基化合物是选自亚硝酸钠和亚硫酸钠中的一种或多种，
其中所述用于银层的蚀刻溶液组合物蚀刻由银或银合金形成的单层，以及由所述单层和铟氧化物层形成的多层。
2.根据权利要求1所述的用于银层的蚀刻溶液组合物，其中所述钠基化合物是铝蚀刻抑制剂。
3.根据权利要求1所述的用于银层的蚀刻溶液组合物，其中所述铟氧化物是选自由氧化铟锡、氧化铟锌、氧化铟锡锌和氧化铟镓锌所组成的组中的一种或多种类型。
4.根据权利要求1所述的用于银层的蚀刻溶液组合物，其中所述由所述单层和铟氧化物层形成的多层是铟氧化物层/银、铟氧化物层/银合金、铟氧化物层/银/铟氧化物层、或铟氧化物层/银合金/铟氧化物层。
5.用于制作金属图案的方法，包括：
在衬底上形成一层或多层，所述一层或多层选自：银(Ag)或银合金的单层，和由银或银合金的单层与铟氧化物层形成的多层；且
用根据权利要求1-4中的任一项所述的用于银层的蚀刻溶液组合物蚀刻以上形成的所述一层或多层。
6.用于制作显示基板的方法，包括：
在衬底上形成栅电极；
在包括所述栅电极的衬底上形成栅绝缘层；
在所述栅绝缘层上形成半导体层；
在所述半导体层上形成源极和漏极；以及
形成与所述漏极连接的像素电极；
其中所述在衬底上形成栅电极、在所述半导体层上形成源极和漏极以及形成与所述漏极连接的像素电极中的任何一个或多个包括：形成选自由银或银合金形成的单层和由所述单层与铟氧化物层形成的多层中的一层或多层的过程，以及通过用根据权利要求1-4中的任一项所述的用于银层的蚀刻溶液组合物蚀刻以上形成的所述一层或多层来形成每个电极的过程。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2015-0123044 | 2015-08-31 | ||
| KR1020150123044A KR102400311B1 (ko) | 2015-08-31 | 2015-08-31 | 은 식각액 조성물 및 이를 이용한 표시 기판 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN106504987A CN106504987A (zh) | 2017-03-15 |
| CN106504987B true CN106504987B (zh) | 2021-06-08 |
Family
ID=58290065
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201610764965.7A Active CN106504987B (zh) | 2015-08-31 | 2016-08-30 | 用于银层的蚀刻溶液组合物、使用其制作金属图案的方法和制作显示基板的方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102400311B1 (zh) |
| CN (1) | CN106504987B (zh) |
| TW (1) | TWI591212B (zh) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102400258B1 (ko) * | 2017-03-28 | 2022-05-19 | 동우 화인켐 주식회사 | 금속막 식각액 조성물 및 이를 이용한 도전 패턴 형성 방법 |
| KR102281335B1 (ko) * | 2017-11-17 | 2021-07-23 | 동우 화인켐 주식회사 | 은 박막 식각액 조성물 및 이를 이용한 식각 방법 및 금속 패턴의 형성 방법 |
| KR20190111724A (ko) * | 2018-03-23 | 2019-10-02 | 동우 화인켐 주식회사 | 은 박막 식각액 조성물 및 이를 이용한 식각 방법 및 금속 패턴의 형성 방법 |
| JP2022502835A (ja) | 2018-09-12 | 2022-01-11 | フジフイルム エレクトロニック マテリアルズ ユー．エス．エー．， インコーポレイテッド | エッチング組成物 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW588121B (en) * | 2002-10-25 | 2004-05-21 | Ritdisplay Corp | Etchant composition for silver alloy and etching method |
| CN103911616A (zh) * | 2012-12-31 | 2014-07-09 | 东友Fine-Chem股份有限公司 | 刻蚀剂组合物、金属图案的形成方法和阵列基板的制法 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20040029289A (ko) * | 2003-11-14 | 2004-04-06 | 동우 화인켐 주식회사 | 알루미늄 또는 알루미늄 합금층을 함유한 다층막 및단일막 식각액 조성물 |
| KR20080009866A (ko) * | 2006-07-25 | 2008-01-30 | 동우 화인켐 주식회사 | 은 또는 은합금의 배선 및 반사막 형성을 위한 식각용액 |
| KR101323458B1 (ko) | 2007-06-15 | 2013-10-29 | 동우 화인켐 주식회사 | 은 식각액 조성물 |
| KR20090059961A (ko) * | 2007-12-07 | 2009-06-11 | 주식회사 동진쎄미켐 | 박막트랜지스터-액정표시장치용 금속 배선 형성을 위한식각액 조성물 |
| KR101348474B1 (ko) * | 2008-01-25 | 2014-01-06 | 동우 화인켐 주식회사 | 은 박막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 금속 패턴형성방법 |
| KR102002131B1 (ko) * | 2012-08-03 | 2019-07-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 식각액 조성물 및 이를 이용한 박막 트랜지스터 제조 방법 |
| KR20140119937A (ko) * | 2013-03-29 | 2014-10-13 | 동우 화인켐 주식회사 | 구리계 금속막 식각액 조성물 및 이를 이용한 배선 형성 방법 |
| KR20150124540A (ko) * | 2014-04-28 | 2015-11-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 식각액 및 이를 이용한 표시 장치의 제조 방법 |
| KR20160108944A (ko) * | 2015-03-09 | 2016-09-21 | 동우 화인켐 주식회사 | 은 함유 박막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 표시 장치용 어레이 기판의 제조방법 |
-
2015
- 2015-08-31 KR KR1020150123044A patent/KR102400311B1/ko active IP Right Grant
-
2016
- 2016-08-24 TW TW105127011A patent/TWI591212B/zh active
- 2016-08-30 CN CN201610764965.7A patent/CN106504987B/zh active Active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW588121B (en) * | 2002-10-25 | 2004-05-21 | Ritdisplay Corp | Etchant composition for silver alloy and etching method |
| CN103911616A (zh) * | 2012-12-31 | 2014-07-09 | 东友Fine-Chem股份有限公司 | 刻蚀剂组合物、金属图案的形成方法和阵列基板的制法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20170025919A (ko) | 2017-03-08 |
| TW201812102A (zh) | 2018-04-01 |
| CN106504987A (zh) | 2017-03-15 |
| TWI591212B (zh) | 2017-07-11 |
| KR102400311B1 (ko) | 2022-05-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN105887091B (zh) | 用于银薄层的蚀刻剂组合物，使用其形成金属图案的方法和使用其制作阵列基板的方法 | |
| JP6669522B2 (ja) | 銀含有薄膜のエッチング液組成物およびこれを用いた表示装置用アレイ基板の製造方法 | |
| KR102546803B1 (ko) | 은 함유 박막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 표시 기판 | |
| CN106504987B (zh) | 用于银层的蚀刻溶液组合物、使用其制作金属图案的方法和制作显示基板的方法 | |
| KR102245565B1 (ko) | 은 식각액 조성물 및 이를 이용한 표시 기판 | |
| CN108930038B (zh) | 银薄膜蚀刻液组合物、蚀刻方法和金属图案的形成方法 | |
| TWI608127B (zh) | 蝕刻劑組合物、金屬圖案的形成方法和陣列基板的製法 | |
| TWI679308B (zh) | 銀蝕刻液組合物及利用其之顯示基板 | |
| TWI636157B (zh) | 銀蝕刻液組合物和使用了其的顯示基板 | |
| CN103094204B (zh) | 制造液晶显示装置的阵列基板的方法 | |
| CN109797396B (zh) | 银膜蚀刻液组合物、用它的蚀刻方法及金属图案形成方法 | |
| KR102263693B1 (ko) | 은 식각액 조성물 및 이를 이용한 식각 방법 및 금속 패턴의 형성 방법 | |
| KR20140082186A (ko) | 은 박막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 금속 패턴의 형성방법 | |
| CN105755472B (zh) | 银蚀刻液组合物和利用它的显示基板 | |
| KR102459688B1 (ko) | 은 박막 식각액 조성물 및 이를 이용한 식각 방법 및 금속 패턴의 형성 방법 | |
| KR101935131B1 (ko) | 은 함유 박막 식각액 조성물 및 이를 이용한 표시장치용 어레이기판의 제조방법 | |
| KR102368371B1 (ko) | 은 박막 식각액 조성물 및 이를 이용한 식각 방법 및 금속 패턴의 형성 방법 | |
| CN109797397B (zh) | 银蚀刻液组合物、利用它的蚀刻方法及金属图案形成方法 | |
| KR20190057018A (ko) | 은 박막 식각액 조성물 및 이를 이용한 식각 방법 및 금속 패턴의 형성 방법 | |
| CN110295367B (zh) | 银膜蚀刻液组合物、用它的蚀刻方法及金属图案形成方法 | |
| KR102567796B1 (ko) | 은 박막 식각액 조성물 및 이를 이용한 식각 방법 및 금속 패턴의 형성 방법 | |
| KR102513168B1 (ko) | 은 함유 박막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 표시 기판 | |
| KR20200060229A (ko) | 은 박막 식각액 조성물 및 이를 이용한 식각 방법 및 금속 패턴의 형성 방법 | |
| KR20200054871A (ko) | 은 박막 식각액 조성물 및 이를 이용한 식각 방법 및 금속 패턴의 형성 방법 | |
| KR20200054866A (ko) | 은 박막 식각액 조성물 및 이를 이용한 식각 방법 및 금속 패턴의 형성 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |