JP2009246093A - 薄膜トランジスタ基板、その製造方法及び表示装置 - Google Patents
薄膜トランジスタ基板、その製造方法及び表示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009246093A JP2009246093A JP2008089897A JP2008089897A JP2009246093A JP 2009246093 A JP2009246093 A JP 2009246093A JP 2008089897 A JP2008089897 A JP 2008089897A JP 2008089897 A JP2008089897 A JP 2008089897A JP 2009246093 A JP2009246093 A JP 2009246093A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- substrate
- thin film
- film transistor
- plastic substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
【解決手段】薄膜トランジスタ基板1を製造する各処理工程に長尺プラスチック基板10をロール・ツー・ロールで供給、巻き取りを行いながらその長尺プラスチック基板10の一方の面S1に薄膜トランジスタ50を形成する薄膜トランジスタ基板1の製造方法であって、少なくとも長尺プラスチック基板10の一方の面S1に薄膜トランジスタ50を形成する前に、長尺プラスチック基板10の他方の面S2の全面に導電膜2を形成する。
【選択図】図1
Description
図1は、本発明の薄膜トランジスタ基板の一例を示す模式断面図である。また、図2及び図3は、本発明の薄膜トランジスタ基板の製造工程を示す説明図である。
次に、本発明の表示装置について説明する。本発明の表示装置は、上記した本発明に係る薄膜トランジスタ基板を適用したものであり、特にマトリクス型表示装置として好ましい。本発明の表示装置は、薄膜トランジスタ基板が特徴的な構成を有するものであるので、他の構成は従来の構成をそのまま適用できる。
各成膜工程で、ロール・ツー・ロールで長尺プラスチック基板10を供給、処理後に巻き取って各処理工程を行った。先ず、1.5kmの長尺プラスチック基板として厚さ0.1mmで幅300mmのポリエーテルサルホン(PES)のロール巻きを用い、その裏面S2に導電膜2として、厚さ20nmのITO膜を、スパッタ法で形成し、次いで、そのプラスチック基板10の表面S1に、無機密着膜11としてのクロム膜をDCスパッタリング法(成膜圧力0.3Pa(アルゴン)、投入電力0.5kW、成膜時間20秒)により厚さ8nm形成した後、さらにバッファ膜12としての酸化ケイ素膜をRFマグネトロンスパッタリング法(成膜圧力0.5Pa、アルゴン:酸素=3:1、投入電力2kW、成膜時間90分間)により厚さ500nm形成した。さらに、アモルファスシリコン21aをRFマグネトロンスパッタリング法(成膜温度:室温、成膜圧力:0.2Pa(アルゴン))により厚さ50nm形成した。その後、上述した図2(D)〜図3(M)の工程の説明欄で例示した具体的条件に基づいて薄膜トランジスタ基板1を作製した。
実施例1において、導電膜2としてのITO膜の代わりに導電性微粒子分散膜(アンチモン錫酸化物微粒子をアクリル系ポリマー中に分散させたもの)をダイコート法(固形分比:5%、塗布膜厚:2μm)により厚さ100nm形成した以外は、実施例1と同様にして、薄膜トランジスタ基板1を製造した。
実施例1,2の薄膜トランジスタ基板の製造時に、静電気に基づく不良品の発生は認められなかった。なお、実施例1,2で成膜した導電膜2のシート抵抗値をシート抵抗測定器(商品名:ロレスタ、三菱化学株式会社製)で測定したところ、実施例1で成膜したITO膜は150Ω/□であり、実施例2で成膜した導電性微粒子分散膜は5.5×104Ω/□であった。
2 導電膜
10 プラスチック基板
11 無機密着膜
12 バッファ膜
13 ポリシリコン膜
13s ソース側拡散膜
13c チャネル膜
13d ドレイン側拡散膜
14 ゲート絶縁膜
15s ソース電極
15g ゲート電極
15d ドレイン電極
16 絶縁膜
17 無機密着膜
18 保護膜
21a アモルファスシリコン膜
21p ポリシリコン膜
22 レーザーアニール
23 レジスト膜
24 イオン注入
25 エネルギービーム
26 コンタクトホール
28 高圧水蒸気
50 薄膜トランジスタ
Claims (4)
- プラスチック基板の一方の面に薄膜トランジスタが形成された薄膜トランジスタ基板において、該プラスチック基板の他方の面の全面に導電膜が形成されていることを特徴とする薄膜トランジスタ基板。
- 前記導電膜が105Ω以下のシート抵抗値である、請求項1に記載の薄膜トランジスタ基板。
- 請求項1又は2に記載の薄膜トランジスタ基板を備えたことを特徴とする表示装置。
- 薄膜トランジスタ基板を製造する各処理工程に長尺プラスチック基板をロール・ツー・ロールで供給、巻き取りを行いながら前記長尺プラスチック基板の一方の面に薄膜トランジスタを形成する薄膜トランジスタ基板の製造方法であって、
少なくとも前記長尺プラスチック基板の一方の面に薄膜トランジスタを形成する前に、前記長尺プラスチック基板の他方の面の全面に導電膜を形成する工程を有することを特徴とする薄膜トランジスタ基板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008089897A JP2009246093A (ja) | 2008-03-31 | 2008-03-31 | 薄膜トランジスタ基板、その製造方法及び表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008089897A JP2009246093A (ja) | 2008-03-31 | 2008-03-31 | 薄膜トランジスタ基板、その製造方法及び表示装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009246093A true JP2009246093A (ja) | 2009-10-22 |
Family
ID=41307674
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008089897A Pending JP2009246093A (ja) | 2008-03-31 | 2008-03-31 | 薄膜トランジスタ基板、その製造方法及び表示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2009246093A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011099920A (ja) * | 2009-11-04 | 2011-05-19 | Hitachi Displays Ltd | 画像表示装置およびその製造方法 |
WO2011104893A1 (ja) * | 2010-02-26 | 2011-09-01 | 住友化学株式会社 | 有機elディスプレイ及び有機elディスプレイの製造方法 |
JP2012123038A (ja) * | 2010-12-06 | 2012-06-28 | Toray Ind Inc | 液晶表示装置用カラーフィルタ基板の製造方法 |
JP2013098436A (ja) * | 2011-11-02 | 2013-05-20 | Toyota Motor Corp | Soiウェーハ |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63212918A (ja) * | 1987-02-28 | 1988-09-05 | Canon Inc | 液晶素子 |
JPH10334744A (ja) * | 1997-05-30 | 1998-12-18 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 透明帯電防止バリアフィルム |
JP2001102581A (ja) * | 1999-07-26 | 2001-04-13 | Tadahiro Omi | Krを含有するシリコン酸化膜を内蔵する半導体装置とシリコン酸化膜の形成方法 |
JP2005303262A (ja) * | 2004-03-18 | 2005-10-27 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板、その製造装置、及び表示デバイス |
-
2008
- 2008-03-31 JP JP2008089897A patent/JP2009246093A/ja active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63212918A (ja) * | 1987-02-28 | 1988-09-05 | Canon Inc | 液晶素子 |
JPH10334744A (ja) * | 1997-05-30 | 1998-12-18 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 透明帯電防止バリアフィルム |
JP2001102581A (ja) * | 1999-07-26 | 2001-04-13 | Tadahiro Omi | Krを含有するシリコン酸化膜を内蔵する半導体装置とシリコン酸化膜の形成方法 |
JP2005303262A (ja) * | 2004-03-18 | 2005-10-27 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板、その製造装置、及び表示デバイス |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011099920A (ja) * | 2009-11-04 | 2011-05-19 | Hitachi Displays Ltd | 画像表示装置およびその製造方法 |
WO2011104893A1 (ja) * | 2010-02-26 | 2011-09-01 | 住友化学株式会社 | 有機elディスプレイ及び有機elディスプレイの製造方法 |
JP2011181590A (ja) * | 2010-02-26 | 2011-09-15 | Technology Research Association For Advanced Display Materials | 有機elディスプレイ及び有機elディスプレイの製造方法 |
JP2012123038A (ja) * | 2010-12-06 | 2012-06-28 | Toray Ind Inc | 液晶表示装置用カラーフィルタ基板の製造方法 |
JP2013098436A (ja) * | 2011-11-02 | 2013-05-20 | Toyota Motor Corp | Soiウェーハ |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI570935B (zh) | 半導體裝置 | |
US9337346B2 (en) | Array substrate and method of fabricating the same | |
US9246007B2 (en) | Oxide thin film transistor and method for manufacturing the same, array substrate, and display apparatus | |
EP2960942A1 (en) | Thin-film transistor and manufacturing method therefor, and display component | |
US9761616B2 (en) | Manufacturing method of array substrate with reduced number of patterning processes array substrate and display device | |
JP2008140984A (ja) | 半導体素子、半導体素子の製造方法、及び表示装置 | |
US20150318362A1 (en) | Thin film transistor and manufacturing method thereof, array substrate and manufacturing method thereof | |
US9171941B2 (en) | Fabricating method of thin film transistor, fabricating method of array substrate and display device | |
US9666727B2 (en) | Display device | |
CN104779302A (zh) | 薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置 | |
JP2011253921A (ja) | アクティブマトリックス基板及び液晶装置 | |
US20150311345A1 (en) | Thin film transistor and method of fabricating the same, display substrate and display device | |
JP2019504463A (ja) | 活性層、薄膜トランジスタ、アレイ基板及び表示装置、並びにそれらの製造方法 | |
JP2010165774A (ja) | バックチャネルエッチ型の薄膜トランジスタ、半導体装置、及びこれらの製造方法 | |
US20140183541A1 (en) | Thin film transistor, manufacturing method thereof, array substrate and display device | |
JP5563787B2 (ja) | 薄膜トランジスタ及びその製造方法、並びに薄膜トランジスタアレイ基板及び表示装置 | |
US9704742B2 (en) | Wiring film and active matrix substrate using the same, and method for manufacturing wiring film | |
US20210225898A1 (en) | Manufacturing method of tft array substrate and tft array substrate | |
JP2009246093A (ja) | 薄膜トランジスタ基板、その製造方法及び表示装置 | |
KR20080112091A (ko) | ZnO 계 박막 트랜지스터의 제조방법 | |
US20200192168A1 (en) | Thin film transistor substrate, display apparatus, and liquid crystal display | |
WO2014173146A1 (zh) | 薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板及显示装置 | |
JP2009289890A (ja) | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 | |
JP2008304830A (ja) | 表示デバイスの製造方法 | |
KR101831080B1 (ko) | 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법 및 이를 이용하여 제조된 박막 트랜지스터 기판 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Effective date: 20110119 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20121226 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20130108 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
A521 | Written amendment |
Effective date: 20130311 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20130618 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130806 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20131126 |