TWI238423B - Dielectric ceramic, manufacturing method thereof, and multilayer ceramic capacitor - Google Patents
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Description
1238423 玖、發明說明: 【發明.所屬之技術領域】 本t明有關介電陶I及其製造方法,及用所述的介電陶 瓷开y成的夕層陶瓷電容器,更具體而言,本發明有關一種 改進方法,藉由它可以有利地減小形成多層陶瓷電容器的 介電陶瓷層的厚度。 【先前技術】 :般而言,多層陶兗電容器是藉由下列步驟形成的: 首先IL備用於介電陶曼的含有粉末原料的陶曼生片, 每個陶二是生片在其表面具有待形成内電極所需圖案的導電 材料對於;丨兒陶究,可以使用例如含有作爲其主 要组分的材料。 :接著’包括提供有上述的導電材料的陶瓷生片的多個陶 瓷生片彼此層疊,然後藉由熱壓黏合加工,由此形成完整 的生積層材料。 然後’培燒這種生積層材料,並因此獲得培燒過的積層 材料。在由此獲得的積層材料内,提供了由上述導電材料 組成的内電極。 隨後,在積層材料的外表面形成外電極,以便其與對應 的内電極電相連。外電極是例如藉由在積層材料的外表面 塗覆包含粉末導電金屬的導電糊料和玻璃粉,接著培燒而 形成的。 70 如上所述’可以形成多層陶瓷電容器。 爲了盡可能低地降低多層陶瓷電容器的製造成本,對於 9l003.doc 1238423 上:的用於内電極的導電材料,近年來曰益增加使用相對 便且的.皁金屬如錄或銅。但是,當形成具有由卑金屬構成 的内電極的多層陶究電容㈣,爲防止卑金屬被氧化,必 =在中性或還原性氣氛中進行培燒,目此用於多層陶曼電 容器的介電陶瓷必須具備耐還原性。 對於"兒陶瓷’其具有上述的耐還原性且可以形成具備 滿足由日本工業標準(JIS)所規定的特徵B的電容一溫度特 徵的多層陶兗電容器,實際上使用了由例如作爲主要組分 的;稀土元素的氧化物;錳(Mn)、鐵^^、鎳(犯)、 銅(Cu)專的氧化物;及培燒助劑所組成的陶瓷。 對於上述的介電陶瓷,例如在日本未審查專利申請號 5-9066、⑴聊取雇^爪中,提出了在高溫負^條 件下具有高的介電常數和具有長壽命的介電陶瓷組合物。 另外,考慮到介電陶瓷的結構和構造,曰本未審查專利 申請號6-5460、200 1-220224及2001-230149中提出了具有所 谓的芯-殼結構的介電陶兗。 另外,日本未審查專利申請號9_270366中,提出具有高 的介電常數和優良絕緣性能的介電陶瓷,其是藉由控制陶 竟的晶粒間界結構而獲得者。 在曰本未審查專利申請號10_74666中,提出具有優良可 靠性的介電陶瓷,其是藉由控制陶瓷隔離相的尺寸而獲得 的0 伴隨著電子技術的新進展,普遍有不斷增加的電子元件 微型化的趨勢,而且也積極追求微型化和更大電容的多層 9l003.doc 1238423 陶瓷電容器。至於實現多層陶瓷電容器 量的有.效方法,可以提及:例如介電陶 介 的微型化和更大容 兗層厚度的降低。 小 電陶瓷層厚度在批量生産級 ,在實驗室級別降低到了約1 另1J已經降低到約2 μηι或更小。 μιη或更 然而, 申請號5-9066的介電 雖然公開於日本未審查專利 陶瓷顯示了優良的電絕緣性能,作县丄 1 一疋當這些介電陶瓷層的 厚度減小至例如5叫或更*,特別是至3 _或更*時,該 介電陶兗的可靠性總是無法充分滿足市場需求。 如上述情況,當介電陶兗層的厚度減小到2 或更小 ^ Α開於曰本未審查專利申請號1 1-302071及2000-58377 中的介電陶兗的電容一溫度特徵和可靠性不利地降低。 此外,在公開於曰本未審查專利申請號6_546〇、 2(m-22〇224& 2001_ 230149的具有所謂芯_殼結構的介電 陶竟中’隨著介電陶竟層厚度的減小,其可靠性也不利地 降低。在公開於日本未審查專利申請號9_27〇366的介電陶 瓷中,由於加入到主要組分例如BaTi〇3中的添加劑組分在 焙燒步驟中破熔化’在主要組分與添加劑組分之間會發生 不穩定的反應,且結果,尤其當介電陶竞層的厚度減小時, 由於不此穩疋地保證其可靠性,可能出現問題。 由於當介電陶竟層的厚度減小,特別是減小到3 μιη或更 小柃其可罪性降低,所以公開於日本未審查專利申請號 10-74666的介電陶瓷也有問題。此外,因爲存在大量的揮 發性組分如鋰(Li)和硼(Β),所以當介電陶瓷層的厚度減小 時出現包括可靠性在内的電性能穩定性的問題。 91003.doc 1238423 ^爲了滿足多層陶兗電容器的微型化和更高電容的趨勢 2減小介電陶莞層的厚度時,其額定直流電壓被設定成與 ^前一樣,對該介電陶瓷層的每層施加的電場增加,結果 是其可靠性顯著降低。 因此,曰益需求一種即使當多層陶兗電容器的介電陶兗 層的厚度減小時仍可以得到可靠的多層陶瓷電容器之介+ 陶瓷。 ^ 【發明内容】 因此,本發明一目的是提供一種可以滿足上述要求的介 電陶究,該介電陶竟的製造方法,和藉由使用上述介電陶 竞而形成的多層陶瓷電容器。 藉由本發明人所進行的旨在解決以上述問題的深入細緻 的研究’發現控制三相點尺寸及控制基本上存在於三相點 的組分的狀態是重要的。 —般而言,如曰本未審查專利申請號9_27〇366中所述, 在復多情況下三相點是由無定型材料所形成,且其截面面 積爲10 nm2或更大’其中存在額外的元素如石夕⑻和驗土元 ’、如鋇(Ba)。發現·在燒結的AB〇3約鈦礦化合物中,其中 破此不同且面積爲1G nm2或更大的無定型材料的存在導致 可靠性降低。 曰另外還發現·當包含〜、驗土金屬元素如以等的化合物 疋以晶粒形式存在時,可以改善其可靠性。 根據剛才上述的這些發現,完成有關具有如下特徵的介 電陶竟的本發明。 91003.doc 1238423 即’本發明的介電陶瓷包含晶粒;和位於這些晶粒之間 的曰曰粒.間界和二相點’其中所述的晶粒包括:鈣鈦礦化合 物晶粒和晶體氧化物晶粒,所述鈣鈦礦化合物晶粒由 ABO〆其中A為Ba及鈣(Ca),或Ba、Ca及鋰(Sr); B為鈦(Ti)、 或丁1和其一部分被鍅(Zr)和铪(Hf)中的至少一種所替代)表 示的舞欽礦化合物組成,所述晶體氧化物晶粒由至少包括 Ba、Τι及Si的晶體氧化物組成,且約8〇%或更多數量的三相 點的截面面積分別爲約8 nm2或更小。 在本發明中’ ”晶粒間界”是指由兩種晶粒所形成的區 域,且’’二相點”是指由至少三種晶粒所形成的區域。 在根據本發明的介電陶瓷中,較好鈣鈦礦化合物晶粒中 弼的含量是由ABO3表示的鈣鈦礦化合物a成分的約is” 莫耳百分比。 另外’本發明的介電陶瓷可以進一步包含:含有R(其中R 係選自鑭(La)、鈽(Ce)、镨(pr)、鈥(Nd)、釤(Sm)、銪(Eu)、 釓(Gd)、铽(Tb)、鏑(Dy)、鈦(H〇)、铒(Er)、铥(Tm)、镱(Yb)、 縳(Lu)及釔(Y)所成組群之至少一種)*M(其中M係選自錳 (Μη)、鎳(Νι)、鈷(c〇)、鐵(Fe)、鉻(Cr)、銅(Cu)、鎂、 鋁(A1)、釩(V)、鉬(Mo)及鎢(w)所成組群之至少的一種)的 氧化物。在上述情況下,相對於1〇〇莫耳的ab〇3,元素形 式的R和Μ的含量較好分別爲約〇 〇1至i 5莫耳及約〇」至2 莫耳。 另外,本發明亦可應用於製造上述的介電陶瓷的方法。 即,根據本發明的製造介電陶瓷的方法包含步驟如下: 91003.doc -10- 1238423 形成由AB〇3(其中A為如及〇’或如、C4Sr; b為丁i,或 Ti和其一部分被Zr和Hf中的至少一種所替代)表示的鈣欽 礦化合物;形成包括至少Ba、TiWW晶體氧化物;形成 包含舞鈦礦化合物及晶體氧化物的混合物;並梧燒該混合 物0 在上述的製造介電陶莞的方法中,該混合物可以進一步 包含:包括以其中尺係選自匕以…魯化士㈤、
Dy Ho Er、Tm、Yb、Lu及Y所成組群之至少一種) 及 Μ(其中職選自 Mn、Ni、c〇、Fe、Cr Cu、Mg Ai、v、 及W所成組群之至少一種)的氧化物。 此外,此混合物可以進一步包含焙燒助劑。 本發明亦可應用於使用上述的介電陶£而形成的多層陶 瓷電容器。 本發明的多層陶变電容器包含··積層材料,其包括彼此 層疊的多個介電陶:是層並且沿著上述的多個介電陶兗層之 間的特疋介面所提供的且按積層方向彼此重疊的多個内電 ^ i及在㈣材料外表面上提供的外電極,以便與上述的 ^内電極之間的特定内電極電連接。本發明的多層陶竟 包谷态的"電陶瓷層是由上面所述的介電陶瓷所組成。 一在上述的多層陶瓷電容器中,當内電極包含卑金屬及/或 S外電極包含卑金屬時,可以有利地使用本發明。 【實施方式】 圖1所不爲根據本發明一實施方案的多層陶瓷電容器i的 剖面示意圖。 σ 91003.doc -11 - 1238423 叠包含積層材料2。積層材料2係由彼此層 :提二的—陶竞層3和沿著介電陶莞層3之間的特定介面 斤:仏的多個内電極4和5所形成。形成内電極修 =伸_層材料2的外表面,其中内電極4延伸到積層材_ 的=面6’及内電極5延伸到在積層材料2中交替提供的另 於積層材料2的外表面的端面6及7上分別塗覆導以
後培燒’由此形成外電極⑻。另外’在任何以 ’在外電極8及9上分別形成第—電鑛層Μ及H』 在其表面上分別形成第二電鍍層12及13。 以上相多層陶兗電容器1中,内電極4和5是按照積層材 科2的積層方向彼此交替形成的,由此在彼此相鄰的内電極 4和5之間形成靜態電容。此外’内電極4與外電極8彼此電 :接’内電極5與外電極9彼此電連接。因此,可以藉由該 等外電極8及9而獲得前面提及的靜態電容。
把據本七明’介電陶瓷層3是藉由下面的介電陶瓷所形成 即,介電陶瓷層3是由包含晶粒和位於晶粒之間的晶粒間 界矛—相點的介電陶瓷所形成的。在該介電陶瓷中,晶粒 .•弓鈦廣化s物晶粒和晶體氧化物晶粒,約鈦礦化合物晶 养疋由AB〇3(其中A為Ba及Ca,或Ba、Ca及Sr ; B為Ti,或 ^ 邛刀被Zr和jjf中的至少一種所替代)表示的|弓鈦 '、5物所开7成’且晶體氧化物晶粒是由包括至少Ba、Ti 及Si的晶體氧化物所形成,並且在所述的三相點中,其數 91003.doc -12- 1238423 量之約80%或更多的二相點沾 夕们一相點的截面面積爲約8 nm2或更小。 當未滿足上述條件時,在高溫負載壽命試驗等中,出現 不能獲得優良穩定性的問題。 上述的"電陶瓷中所包含的鈣鈦礦化合物晶粒中,較好 將其Ca含量設定爲由AB〇3表示㈣鈦礦化合物中A成分的 約1至20莫耳百分比。 當上述條件滿足時,可以高水準地保持該介電 電常數。
種包括R(其中R 另外,該介電陶瓷可以進一步包含 係選自 La、Ce、Pr、Nd、、Eli、Gd、Tb、Dy、Ho、Er , 了^七及丫所組成之組群之至少一種)及叫其"係選 ,Ni Co Fe、Cr、Cu、Mg、A卜 V、Mo和 W所組成 、且群之至種)的氧化物,並且相對於⑽莫耳的AB〇3, 較好元素形式的MM的含量分別是狀Ql至i5莫耳及約 〇· 1至2莫耳。 §包括的R和Μ在上述含量内時,可以進一步改進其可靠 性’同時保持高的介電常數。 接著,將描述介電陶莞和旧所示的多層陶竟電容器工的 製造方法。 f先,製備用於形成介電陶究層3的介電陶变的粉末狀原 料。較好這種粉末狀原料係如下述形成者。 L擇所$要的A(A為Ba及Ca,或Ba、Ca及Sr)與B(B 為Tl,或Τι和其一部分被Zr*Hf中的至少一種所替代),並 同時按要求選擇其含量,纟4匕而形成由ab〇3表示的約欽 91003.doc -13 - 1238423 礦化合物。 另外.,形成包含至少B a、T i及S i的晶體氧化物。此氧化 物可以包括之元素如驗土元素或過渡金屬元素。爲了確認 這種氧化物是否具有晶體結構,可以使用例如X-射線衍射 方法(XRD)。 接著,將4弓鈦礦化合物和包括至少B a、T i及S i的晶體氧 化物一起混合,並且在需要時,將如上述的包括^。等)及 Μ(Μιι等)的氧化物的化合物,以及如Si的焙燒助劑一起混 合。因此,將由此形成的混合物用作介電陶瓷的粉末狀原 料〇 藉由使用由此形成的粉末狀原料,按隨後的描述進行成 型和焙燒處理,且結果,可以容易地形成介電陶瓷,其包 含:由ABO;表示的鈣鈦礦化合物組成的鈣鈦礦化合物晶粒 和由包括至少Ba、丁沐Si的晶體氧化物組成的晶體氧化物 曰曰粒作爲所述的晶粒。在上述的介電陶瓷中,其數量的約 百刀之80或更多的二相點的截面面積爲8細2或更小。 不用受限於理論,相信因爲實質上易於在三相點聚隼的 額外組分是在培燒步驟中被包括Ba、TiB的晶體氧化物 所吸收,同時三相點的尺寸變得非常小。 除上述的形成原料的方法以外,還可以藉由例如調整炉 燒條:來獲得具有上述的組成和結構的介電陶究。 接著’將有機粘合劑和溶査丨 ]和冷刎加入到粉末狀介電陶究中’ 接者一由此形成浆料。欲形成介 係由此漿料所形成。 W㈣更生片 91003.doc -14- 1238423 接著,提供導電糊料薄膜以 如絲網.印刷而加入有機粘合劑 包含作爲導電組分的皁金屬如 除了如絲網印刷的印刷方法外 而形成内電極4和5。 形成内電極4或5,再藉由例 和溶劑。這種導電糊料薄膜 鎳、鎳合金、銅或鋼合金。 ,可以藉由例如沈積或電鍍 則’將提供有如上所述的導電糊料薄膜的陶曼生片彼 此層疊,同時將未提供有導電糊料薄膜的陶竟生片層疊, 、夾入上述的陶瓷生片中間。經過壓制黏接後,在需要時, 將绝些陶瓷生片切割,由此形成將形成積層材料2的生積層 材料。在此生積層材料中,導電糊料薄膜的端部分別暴露 於積層材料2的一端面上。 一 後在還原性氣氛中培燒該生積層材料。藉由此步驟, 獲侍如圖1所示的焙燒過的積層材料2,並且在此積層材料2 中’上述的陶瓷生片和導電糊料薄膜分別形成介電陶瓷層3 及内電極4和5。 接著,在積層材料2的端面6和7上分別形成外電極8和9, 以便其分別與暴露的内電極4和5的端部電連接。 至於用於外電極8和9的原料,可以使用與用於内電極* 和5相同的原料,並且另夕卜,也可以使用銀、把、銀-把合 金等此外,也可以使用包括上述的金屬粉末和由 2〇3 Si02 Ba〇基礎玻璃(base glass)或 LLi2〇 Si〇2_Ba〇基 楚玻璃組成的玻璃粉原料。考慮到多層陶竞電容器i的用途 及其使用的場所,可以選擇適宜的原料。 另外,外電極8和9通常是藉由塗覆上述的包括導電金屬 9l003.doc 1238423 粉末的糊料於培燒過的積層材料2外表面,接著培燒而形 ^;但是’藉由在生積層材料的外表面上塗覆此糊料,接 著焙燒,可以同時形成外電極和積層材料2。 其後’在外電極8和9上電鑛錄、銅等,由此分別形成第 -電鐘層1G和U。接著,在此第—電㈣1()和丨1上電鍵焊 料 '錫等,由此分別形成第二電鑛層12和13。在某此情況 下’取決於多層陶究電容器i的預期用途,也可以不在外電 極8和9上形成電鍍層10至13。
在形成用於介電陶莞的粉末狀原料及/或製備多層陶 電容器1的某些步驟中,在某些情況下可以發生由於雜質 納⑽则起的污染;但是,考慮到多層㈣電容以的 性能,這些污染不會造成問題。
另外,較好將鎳或銅用作内電極4和5的原料。在形成 層陶⑽器1的培燒步驟中,由於形成介電陶究層3的 ㈣£的晶粒或晶粒間界内的擴散’ β電極_中所包 的組分可能存在。但是’考慮到多層陶曼電容器i的電 能,上述這些組分的存在不會造成問題。 下-步,爲證實本發明的效果,如下述進行實施例。 實驗例 實驗例1 ^ ^ …巧丨卜馬主要組分,苴 。括Ba、Ca及Ti並且具有(Ba。為。7)叫的組成,並用 就〇3、⑽和Si〇2的混合物或Ba_Ti_si_〇晶體氧化物作爲 91003.doc -16 - 1238423 其添加劑組分。藉由使用這些組分,對根據本發明的實施 例1-1和1_2和本發明之外的比較例1]和1·2進行評價。 1 ·用於介電陶瓷的粉末狀原料的形成。 (1)貫施例1 _ 1 首先’作為主要組分的原料,爲形成(Ba"3Ca"7)Ti〇3 的組成,按量稱量Ba⑶3、CaCMTi〇2,然後使用球磨機 將其-起混合,接著於熱處理,&此而形成 (BaowCao.dTiC^。晶粒的平均直徑為〇.3 。 爲獲得所述的添加劑組分,按量稱重BaC〇3、丁丨…及 Sih,使其莫耳比爲9:1··1〇,然後使用球磨機將其一起2混 合,接著於1,000。(:熱處理,由此而形成Ba_Ti_Si_〇晶體氧 化物。這些氧化物的結晶度是使用XRD確認。 曰 J 曰曰泮立 的平均直徑為0.15 μηι。 接著,按量稱量(Ba0.93Ca〇〇7)Ti〇3和以_7丨_以_〇晶體氧化 物,使其重量比爲如表1所示的98:2,然後使用球磨機將其 一起混合,由此而形成根據實施例U的用於介電陶瓷的於 末狀原料。 77 (2)實施例1 - 2 依照上面實施例1 -1中所描述的相同方法,在祥尸 (Ba0.93Ca0.07)TiO3 和 Ba_Ti-Si-0晶體氧化物後,按旦 里矛再量 (Ba0.93Ca0.07)TiO3和Ba-Ti-Si-Ο晶體氧化物,使其重旦丄< 、 里比爲 如表1所示的95:5,然後使用球磨機將其一起混合, 田此而 形成根據實施例1 -2的用於介電陶瓷的粉末狀原料。 (3 )比較例1 -1 -17- 91003.doc 1238423 比較例Μ是與實施例丨—1相比較。 依照上面實施例1-1中所描述的相同方法而獲得 (Ba0.93Ca0 〇7)Ti〇3 〇 接著,按量稱量BaC〇3、Ti〇2和Si〇2,以使其具有與實施 例1-1中Ba-Ti-Si-Ο晶體氧化物相同的組成。隨後,按量稱 量(Ba〇.93Ca() ()7)Ti〇3和BaC〇3、丁丨〇2和以〇2的混合物,使其 具有如表1所示的重量比98:2,然後使用球磨機將其一起混 合,由此而形成根據比較例U的用於介電陶瓷的粉末狀原 料。 (4)比較例ι_2 比較例1-2與實施例1-2相比較。 依照上面實施例1-2中所描述的相同方法而獲得 (Ba〇.93Ca〇.〇7)Ti〇3 0 接著、如比較例1-1的情況製備BaC〇3、Ti〇2和Si〇2。隨 後稱量(6&〇.93€3〇.〇7)丁丨〇3和63(:03、1^〇2及8丨〇2的混合物, 以實現如表1所示的重量比95:5,然後使用球磨機將其一起 混合,由此而形成根據比較例1 -2的用於介電陶瓷的粉末狀 原料。 91003.doc 18 - 1238423 表1 — 主要組分 添加劑組分 組成 重量比(重 量百分數) 組成 重量比(重 量百分數) 實施例Μ (Ba〇.93〇a〇 〇7) Ti〇3 98 Ba-Ti-Si-0 晶體氧化物 2 實施例1-2 (Ba〇.93Ca〇.〇7)Ti03 95 Ba-Ti-Si-0 晶體氧化物 5 比較例1-1 (Ba〇.93Ca〇.〇7)Ti〇3 98 BaC03、Ti〇2及 Si〇2的混合物 2 比較例1-2 ~—----- (Ba〇.93Ca〇 〇7)Ti〇3 95 BaC〇3、丁丨〇2及 Si02的混合物 5 2·多層陶瓷電容器的形成 接著’於貫施例1 -1和1 _2及比較例^丨和丨-2的用於介電陶 瓷的粉末狀原料中,各自加入聚乙烯醇縮丁醛基劑粘合劑 和有機溶劑如乙醇,然後使用球磨機將濕式混合,由此而 形成陶瓷漿料。 將由此獲得的陶瓷漿料用刮片法形成薄片,以使在焙燒 後由其獲得的介電n層的厚度為15陣,由此形成長方形 的陶瓷生片。 接著,藉由絲網印刷,將主要由鎳組成的導電糊料塗覆 在陶瓷生片上,由此形成將形成爲内電極的導電糊料薄膜。 -接著1字多個包括提供有導電糊料薄膜的陶竞生片的陶 莞生片彼此積層,以使有導電糊料薄膜存在於此的陶究生 片的端部在彼此相反的方向上交替佈|,由此而形成生積 層材料。 接著’在氮氣氣氛中將由此而形成的生積層材料加熱到 3〇〇 C除去其#合劑後,在氧氣分壓爲⑺,⑽a的由 h2-n2-h2〇氣體組成的還原性氣氛中,於l綱。c培燒此生 91003.doc -19- 1238423 積層材料2小時,由此而形成焙燒過的積層材料。 紋後.—除32〇3-]:12〇-31〇2-]33〇基礎破璃粉外,還將包括銅 作爲導電組分的導電糊料塗覆到此積層材料的兩個端面 上,接著在氮氣氣氛中,於800。〇:焙燒,由此而形成與内電 極電連接的外電極。 由此而形成的多層陶瓷電容器的外形尺寸是12 mm寬、 2·〇随長及1.0賴厚,内電極間插入的介電陶竟層的厚度 為1.5 μηι。有效介電陶瓷層的數量是1〇〇個,而每層的相對 電極面積為1.4 mm2。 3·介電陶瓷的結構和組成分析 對於從實施例1]和i-2及比較例Η和卜2中獲得的單個 多層陶t電容器,使用TEM_EDX,進行對形成介電陶竟層 的介電陶瓷截面上存在的任選晶粒的組成分析。 根據由此獲得的結果,當晶粒不是由伽3表示的舞欽礦 化合物所形成的鈣鈦礦化合物晶粒,而是由包含至少β&、 Τι及Si的氧化物所組成的晶粒時,藉由的電子衍射來 破逐邊顆粒是否具有晶體結構。隨後藉由τ·觀察,對任 選的20個三相點進行圖像分析處理,然後獲得單個的三相 點的截面面積。 表2所示爲彳電陶竞的結構及因此而獲得的其組成分析 的分析結果。 91003.doc -20- 1238423 ——~,—表2 晶 粒 面積爲8 nm2或 更小的三相點(%) 實施例1-1 實施例1-2 比較例Μ (Ba〇 93Ca〇〇7)Ti〇3 Ba-Ti-Si_〇 晶體氧化物 90 (B a〇 93 Ca〇〇7)Ti〇3 Ba-Ti-Si-0 晶體氧化物 90 (Ba〇.93Ca〇.Q7)Ti〇3 - 70 比較例1-2 —*--二~.-J (Ba〇 93Ca〇.〇7)Ti〇3 35 --------—__ 在表2中,顯示於”晶粒”欄中的”Ba-Ti-Si-〇晶體氧化物,, 表示存在由Ba-Ti-Si-Ο晶體氧化物組成的晶體氧化物晶粒。 另外,在表2中的,,面積爲8 nm2或更小的三相點(%)”襴表 不截面面積爲約8 nm2或更小的三相點的數量百分比。 根據上述的TEM-EDX分析結果,發現在實施例1 _ 1和u 的介電陶兗中,存在由(Ba〇Mew 〇7)Ti〇3組成的晶粒和由 Ba-Ti-Si-Ο晶體氧化物組成的晶粒,特別較好在三相點形成 曰曰粒間的結合點,且未觀察到由額外組分所構成的,,池子”。 圖2所示爲藉由描繪實施例丨的晶粒的tem明視場圖像 所繪出的不意圖。如圖2所示,發現存在由… 組成的晶粒2 1和由Ba_Ti-Si_〇晶體氧化物組成的晶粒22。另 外雖未在圖中顯示,在實施例1 -2的介電陶瓷中獲得了與 剛才所描述的相同結果。 圖3所示爲藉由TEM_EDX得到的實施例^中由 (Ba〇,93Ca〇,〇7)Ti〇3組成的晶粒的分析結果,並且圖4所示爲 藉由TEM-EDX得到的由Ba_Ti_s卜〇晶體氧化物組成的晶粒 的分析結果。另外,雖未在圖中顯示,在實施例丨_2的介電 91003.doc -21 - 1238423 陶瓷中獲得了與剛才所描述的相同結果。 另一.方面,如表2所示,在比較例^丨和卜2的介電陶瓷中, 未觀察到Ba-Ti-Si-Ο的晶體氧化物,並且對於晶粒,只存在 由(BaowCao.odTiC^組成的晶粒。 4·電性能的測量 測量從實施例1-1和K2及比較例W和卜2中獲得的多層 陶瓷電容器的各種電性能。 、’先在25 C的·度及1 kHz的頻率和〇·5 Vrms的電壓下, 測里形成每個多層陶瓷電容器的介電陶瓷層的介電陶瓷的 介電常數。 另外,獲得靜態電容相對於溫度變化的變化速度。至於 足種靜態電容相對於溫度變化的變化速度,將依照由jis所 規定的B特徵,基於2〇。〇時的靜態電容,-25。〇時的變化速 度和85 的變化速度,和依照由£1八標準所規定的特 徵,基於25°C時的靜態電容,-55。0:時的變化速度和125。匸 時的變化速度用來作評價。 同時’加加6·3V的直流電壓60秒鐘之後,於25°C測量絕 、’彖電阻,並且從由此而獲得的結果,獲得電容乘以電阻(CR) 的乘積。 此外’進行了高溫負載壽命試驗。在高溫負載壽命試驗 中 田她加15V電壓以獲得10 kv/mm的電場強度時,於 125°c隨時間測量絕緣電阻。如果在評價開始後的1,000小 時内,樣品的絕緣電阻變成2〇p k Ω或更小,該樣品將被認 定爲缺陷品’並且獲得100個樣品中缺陷品數量的比率(缺 91003.doc -22- 1238423 陷品比率)。 度特徵 表3所示爲介電常數,電容_溫 載可中试驗的缺陷品比率。 CR乘積和高溫負
如表2所示,對於日私 各^ 、;> 在貫施例1 _ 1和1 -2中存在由 (Ba〇.93Ca〇 07)Ti〇3 組成的日 4 、 风的日日粒和由Ba-Ti-Si-Ο晶體氧化物組 成的晶粒’而截面面積致的δ 2 償爲約8 nm或更小的三相點的數量百 分比是90%。如表3所+ ,—〜 表3所不,在貫施例Μ和卜2的高溫負載壽 命試驗中未觀察到缺陷品。 •另一方面’在比較例Η和"中,只存在由(Ba〇.93Ca_) 丁 ι〇3組成的晶粒,不存在由Β^τ·〇晶體氧化物組成的晶 #而且截面面積爲約8 ·2或更小的三相黑占的數量百分比 刀別疋7〇%和35%。多數其他三相點的面積爲例如lOnm2或 更大並且疋無定型的。此外,該等三相點的組分中包括 Ba ^及Sl。如表3所示,比較例卜1和1-2的高溫負載壽命 試驗的可靠性非常低。 實驗例2 在實驗例2中,評價了由ABO;表示的鈣鈦礦化合物組成 的約欽礦化合物晶粒的Ca的較佳含量範圍。 首先’稱1作爲主要組分的原料的BaC〇3、CaC03、 91003‘doc -23 - 1238423
SrC〇3、Ti02即Hf〇2,以得到表4中’’主要組分組成’,襴的組 成,然後使用球磨機將其一起混合,接著於1,160。(:熱處 理,由此獲得具有不同組成的主要組分,其中A位置Ca的 含量爲0至22莫耳百分比。晶粒的平均直徑為〇.3 μιη。 表4 主要組分組成 實施例2-1 (Ba〇.985Sr〇 〇〇5Ca〇 oiXTio^HfooDC^ 實施例2-2 (B a〇 945 Sr〇.〇〇5Ca〇.〇5)(Ti〇,99Hf〇.〇 1 )〇3 貫施例2-3 (Ba0.895Sr〇>〇〇5Ca〇<i〇)(Ti〇99Hf〇i〇i)〇3 實施例2-4 a0.845 ⑻5C% 15)(Ή〇.99ϋίϊ) 〇i )〇3 實施例2-5 (B a〇,795 Sr〇.〇〇5Ca〇.2〇)(Ti〇.99Hf〇 〇 1 )〇3 實施例2-6 (Ba〇.775Sr_5Ca〇.22)(Ti〇.99Hf〇 01)〇3 比較例2 (Ba〇 995Sr〇 〇Q5)(Ti〇 99Hf〇 〇i)〇3 另外,稱量8&(:〇3、1^〇2、见〇及31〇2以實現8.5:1:0.5:10 的莫耳比,然後使用球磨機將其一起混合,接著經過在 950°C下的熱處理而形成晶體氧化物。用xrd 來確認這種氧化物的結晶度。另外,晶粒的平均直徑為〇i5 μιη 〇 接著,在由此而獲得的100莫耳主要組分裏加入用作焙燒 助劑的2莫耳Si〇2,同時,也在裏面加入上述所獲得的 =«Si_〇晶體氧化⑯,以使主要组分和培燒助劑的總 里與Ba-IVNi-S^O晶體氧化物的重量比為99 9比〇·丨。隨後 用球磨機將獲得的混合物混合,由此而形成根據實施例Π 至2-6和比較例2的介電陶瓷的粉末狀原料。 接者,用與實驗例1中類似的方法,但使用根據實施例Π 至2-6和比較例2的用於介電陶_是的粉末狀原料 陶究電容器’且除了形成多層陶曼電容器的介電陶竟二 91003.doc -24 - 1238423 介電陶瓷的結構和組成分析外,也測量多方面的電性能。 表5和6所示分別爲介電陶瓷的結構和組成分析結果與電 性能的測量結果。 表5 晶粒 面積8nm2 或更小的 三相點 (%) 實施例2-1 (Ba〇.985Sr〇.〇〇5Ca〇.〇i)(Ti〇.99Hf〇.〇i)〇3 Ba-Ti-Ni-Si-0 晶體氧化物 90 實施例2-2 (Ba〇.945Sr〇.〇〇5Ca〇.〇5)(Ti〇.99Hf〇.〇i)〇3 Ba-Ti-Ni-Si-0 晶體氧化物 90 實施例2-3 (Ba〇.895Sr〇.〇〇5Ca〇.i〇)(Ti〇.99Hf〇.〇i)〇3 Ba-Ti-Ni-Si-0 晶體氧化物 95 實施例2-4 (Ba〇.845Sr〇.〇〇5Ca〇.i5)(Ti〇.99Hf〇.〇i)〇3 Ba-Ti-Ni-Si-0 晶體氧化物 90 實施例2-5 (Ba〇.795Sr〇.〇〇5Ca〇.2〇)(Ti〇.99Hf〇.〇i)〇3 Ba-Ti-Ni-Si-0 晶體氧化物 90 實施例2-6 (Ba〇.775Sr〇.〇〇5Ca〇.22)(Ti〇.99Hf〇.〇i)〇3 Ba-Ti-Ni-Si-0 晶體氧化物 85 比較例2 (Ba〇.995 Sr〇,〇〇5)(Ti〇.99Hf〇.〇 1 )〇3 Ba-Ti-Ni-Si-0 晶體氧化物 90 表6 介電常數 電容一溫度特徵(%) CR乘積 (DF) 缺陷品 比率 20°C基準 25%基準 -25°C 85°C -55°C 125°C 實施例2-1 3,800 -1.3 -5.3 -3.6 -12.5 3,100 0/100 實施例2-2 3,700 -0.8 -5.3 -2.9 -12.3 3,100 0/100 實施例2-3 3,600 -0.1 -4.8 -3.3 -11.9 3,050 0/100 實施例2-4 3,400 0.2 -5.1 -1.8 -12.2 3,000 0/100 實施例2-5 3,100 0.1 -4.9 -2.1 -11.8 2,950 0/100 實施例2-6 2,700 -0.1 -5.2 -1.9 -12.3 2,800 0/100 比較例2 2,300 -4.0 -6.5 -8.3 -14.2 2,450 13/100 首先,如表5所示,存在由AB〇3表示的妈鈦礦化合物組 成的鈣鈦礦化合物晶粒和由Ba-Ti-Ni-Si-Ο晶體氧化物組成 的晶體氧化物晶粒。另外,截面面積爲約8 nm2或更小的三 相點,其數量百分比爲約80%或更多。 91003.doc -25- 1238423 如表4所示,在實施例p至2_6中,由ab〇3表示的主要原 料位置Ca的含量爲U22莫耳百分比。如表6所示,在實 :例2-1至2_6的高溫負載壽命試驗中未觀察到缺陷品。但 是,因爲在由ABO;表示的主要原料的“含量較大,如實施 例2-6(表4)中爲22莫耳百分比,介電常數稍有下降(表6)。 由這些結果了解Ca的較佳含量爲玉至⑼莫耳百分比。 另—方面,由於在比較例2中由AB〇3表示的主要原料不 包括Ca(表句,所以如表6所示,在高溫負載壽命試驗中其 可靠性較差,另外,其介電常數也下降。 實驗例3 在實驗例3中,評價含R(R係選自La、Ce、Pr、Nd、Sm、 Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu 及 Y所組成組群 之至少一種)及 M(M係選自 Μη、Ni、Co、Fe、Cr、Cu、Mg、 Al、V、Mo及W所組成組群之至少一種)的氧化物的加入。 首先,稱量作爲主要組分的原料BaC〇3、CaC03、Ti02 及 Zr02’ 以得到(BaQ.MCaowXTiojwZro.oodC^的組成,然後 使用球磨機將其一起混合,接著simmc熱處理,由此獲 得(Ba0.98Ca〇.〇2)(Ti〇.995Zr〇.〇〇5)〇3。晶粒的平均直徑為 0.25 μπι 〇 另外,稱量BaC03、SrC〇3、Ti02、Mn〇2、Mg〇及Si〇2, 以得到8·0:1·0··0·5:0·5:0·5:10的莫耳比,然後使甩球磨機將其一 起混合,接著於900。〇:下熱處理,由此獲得Ba-Sr-Ti-Mn-Mg-Si-0 晶體氧化物。使用XRD確認這種氧化物的結晶度。另外, 晶粒的平均直徑為〇. I pm。 91003.doc -26- 1238423 接著,將表7所示作爲添加劑組分的各種R和各種M,依 照該表.中π組成比π攔所示的莫耳比,加入到i 〇〇莫耳的 (Ba0.98Ca0.〇2)(Ti0.995Zr_5)03中,同時也加入2莫耳的si〇2作爲焙 燒助劑。另外,也加入上述獲得的Ba-Sr-Ti-Mn-Mg-Si-〇晶體氧 化物,以使主要組成、作爲添加劑組分的尺和M及培燒助劑 的總和與此Ba-Sr-Ti-Mn-Mg-Si-Ο晶體氧化物的重量比爲 99·9比0· 1。隨後,用球磨機混合由此而獲得的化合物,由 此而形成根據實施例3-1至3-19的用於介電陶瓷的粉末狀原 料0
根據實施例3-1至3-19,使用用於介電陶瓷的粉末狀原 料,用與試驗實施例1相似的方法形成多層陶瓷電容器,並 9I003.doc -27- 1238423 且除了形成多層陶瓷電容器的介電陶瓷層的介電陶瓷的結 構和組減分析外,也測量各種電性能。至於高溫負載壽命 試驗,除了如試驗實施例1的情況進行1000小時的試驗外, 也進行2000小時的試驗。 根據實施例3-1至3-19的介電陶瓷的結構與組成分析結 果,對於所述的晶粒,存在由(Ba〇.98Ca〇.Q2)(Ti〇.995Zr〇.〇Q5)〇3 組成的晶粒和由Ba-Sr-Ti-Mn-Mg-Si-Ο晶體氧化物組成的 晶粒,並且前者的比率是99.8%,且後者的比率是0.2%。 另外,對於截面面積爲約8 nm2或更小的三相點的數量 百分比,得到表8所示的下列結果。 表8 面積爲8 nm2或更小的三相點(%) 實施例3-1 90 實施例3-2 90 實施例3-3 85 實施例3-4 95 實施例3-5 90 實施例3-6 90 實施例3-7 85 實施例3-8 90 實施例3-9 95 實施例3-10 85 實施例3-11 95 實施例3-12 85 實施例3-13 90 實施例3-14 90 實施例3-15 95 91003.doc -28- 1238423 實施例3-16 85 實施例3-17 95 實施例3-18 90 實施例3-19 90 從表8可以看出,實施例3-1至3-19截面面積爲約8 nm2或 更小的三相點的比例是約80%或更多。 表9所示爲電性能評價結果。 表9 介電 常數 電容一溫度特性(%) • CR乘積 ㈣ 次品比率 20°C基準 25°C基準 -25°C 85°C -55°C 85°C 1,000小時 2,000小時 實施例3-1 4,000 -2.3 -7.6 -7.1 -14.8 2,750 0/100 3/100 實施例3-2 4,000 -1.9 -7.5 -6.5 -14.5 2,700 0/100 0/100 實施例3-3 3,800 -0.9 -6.5 -5.4 -13.7 2,700 0/100 0/100 實施例3-4 3,600 -0.1 -5.3 -2.3 -12.5 2,700 0/100 0/100 實施例3-5 2,800 0.4 -3.8 -2.3 -10.6 2,400 0/100 0/100 實施例3-6 4,100 -1.6 -7.4 -5.2 -14.1 3,3〇〇 0/100 5/100 實施例3-7 3,950 -1.1 -7.1 -4.5 -13.4 3,200 0/100 0/100 實施例3-8 _ 3,900 -0.4 -6.5 -4.1 -13.1 2,900 0/100 0/100 實施例3-9 3,700 -0.1 -6.2 -3.5 -12.4 2,700 0/100 0/100 實施例3-10 3,650 0.2 -4.9 -1.5 -11.8 2,550 0/100 0/100 實施例3-11 3,500 1.1 -4.5 -1.7 -11.9 2,400 0/100 0/100 實施例3-12 2,900 1.5 -3.4 -1.5 -11.1 2,250 0/100 0/100 實施例3-13 3,800 -1.5 -6.7 -4.3 -12.5 2,700 0/100 0/100 實施例3-14 3,700 -1.2 -5.3 -3.8 -11.9 2,700 0/100 0/100 實施例3-15 3,800 -0.9 -6.5 -3.3 -12.9 2,700 0/100 0/100 實施例3-16 3,700 -0.6 -6.8 -2.8 -13.2 2,750 0/100 0/100 實施例3-17 3,750 -0.4 -7.2 -2.4 -13.8 2,700 0/100 0/100 實施例3-18 3,700 -1.2 -6.4 -3.5 -12.5 2,700 0/100 0/100 實施例3-19 3,800 -1.5 -6.1 -3.8 -11.9 2,650 0/100 0/100 從表9所示的結果發現,實施例3-1至3-19的1000小時高溫 負載壽命試驗可以獲得優良的可靠性結果。另外,從2000 小時的高溫負載壽命試驗的結果可以理解下列所述。在實 施例3-2至3-5和3-7至3-19中,相對於100莫耳表7所示的用 91003.doc -29- 1238423 作主要組分的AB〇3,作爲添加劑組分的R和Μ的量,以元 、式表示的分別是約0·〇1至1.5莫耳和約0.1至2莫耳,並 且如表9所不,甚至在2〇〇〇小時的高溫負載壽命試驗中,也 可以獲得優良的可靠性。 另方面,因爲在實施例3 -1中未使用作爲添加劑組分的 R,亚且在實施例3_6中未使用作爲添加劑組分的Μ(表7), ::如表9所示,在2〇〇〇小時的高溫負載壽命試驗中,發現 、也例3 1中有3個缺陷品且實施例3_6中有5個缺陷品。 表7顯示,相對於100莫耳的用作主要組分的αβ〇3,實施 例3 5中元素形式的R的量不超過約莫耳,並且另外,實 轭例3-12中元素形式的M的量不超過約2莫耳。因此,如表9 所不’與其他樣品的介電常數相比較,其介電常數降低了。 因此理解的疋,較好是存在汉和M,且相對於⑽莫耳 的用作主要組分的ABq3,較好作爲添加劑組的R和㈣量 以元素形式表示的分別是約001至15莫耳和約0丨至 耳。 、 正如由此所描述過的,甚至當本發明的由介電陶瓷形成 的介電陶£層的厚度減小時,也可以獲得具有優良可靠性 的多層陶莞電容器。因&,當由這種介電陶变而形成多声 陶曼電容II的介電心層時’可以獲得具有優良可靠性的 多層陶竟電容器,並且同時,可以藉由減小介電陶竟層的 厚度,來實現多層陶£電容器的微型化和更高電容的趨勢。 當觸化合物晶粒的。含量爲由ab〇3表示的触礦 化合物的八成分的約1至20莫耳百分比時,本發明的介電陶 9l003.doc -30- 1238423 竞中可以獲彳于優良的可靠性,並且同肖,也可以保持高水 準的介.電常數。 另外,當本發明的介電陶瓷進一步包含包括r(r係選自
La Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、㈤、丁b、外、h〇、& ' 丁爪、 u及Y所組成組群之至少一種)及m(m係選自他、奶、
Co Fe ' 〇 ' Cu ' Mg、A卜V、Mo及W所組成組群之至少 一種)的氧化物時,並且當相對於loo莫耳的abo3,R和]v[的 3里以兀素形式表示的分別是約0·01至1.5莫耳和約〇.1至2 旲耳時,可以進一步改善其可靠性,並且同時可以保持高 水準的介電常數。 根據本發明的製造方法,可以如上所述容易及可靠地製 備本發明的介電陶瓷。 另外,因爲本發明的介電陶瓷可以在還原性氣氛中焙 k,所以當由其形成多層陶瓷電容器時,可以有利地使用 卑金屬作爲内電極的原料。此外,當外電極是藉由與介電 陶瓷層一起同時焙燒而形成時,可以有利地使用卑金屬作 爲外電極的原料。 【圖式簡單說明】 圖1所示爲根據本發明一實施方案的多層陶瓷電容器的 剖面示意圖; 圖2所不爲根據本發明一實施例之由(Ba〇 〇7)Ti〇3組 成的晶粒和由Ba-Ti-Si-Ο晶體氧化物組成的晶粒的示意 圖’該示意圖是藉由描繪TEM明視場圖像所繪出者; 圖3所示爲藉由teM_edx得到的圖2所顯示的由(Ba〇93Ca〇〇7) 9l003.doc -31 - 1238423
Ti〇3組成的晶粒的組成分析結果曲線圖;及 圖4所示爲藉由TEM-EDX得到的圖2中所顯示的由 Ba-Ti-Si-Ο晶體氧化物組成的晶粒組成分析結果曲線圖。 【圖式代表符號說明】 1 多層陶瓷電容器 2 積層材料 3 介電陶瓷層 4 内電極 5 内電極 6 端面 7 端面 8 外電極 9 外電極 10 第一電鍍層 11 第一電鍍層 12 第二電鍍層 13 第二電鍍層 91003.doc -32-
Claims (1)
1238423 拾、申請專利範圍: 1. 一種介電陶曼,其包含有位於晶粒之間的三相點的多種 晶粒’ 其中該晶粒包含··由AB〇3(其中A為Ba及Ca及視情況之 Sr;且B為Ti及視情況之Zr及Hf中之至少一種)表示的妈欽 礦化合物組成的鈣鈦礦化合物晶粒,以及由至少包括 Ba、Ti及Si的晶體氧化物所組成的晶體氧化物晶粒,且 約80%或更多數量的所述三相點的截面面積爲約8 nm2 或更小。 2·如申請專利範圍第1項之介電陶瓷,其中該Ca占AB〇3#5 鈦礦化合物的A成分的約1至20莫耳百分比。 3·如申請專利範圍第2項之介電陶瓷,其進一步包含:一種 包括R及Μ的氧化物,其中R係選自La、Ce、Pr、Nd、Sm、 Eii、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lii 及 Y所成組群之 至少一種,M係選自 Mu、Ni、Co、Fe、Cr、cu、Mg、A:l、 V、Mo及W所成組群之至少一種, 其中相對於100莫耳的ABO3,元素形式的R&M含量分 別為約0·01至I·5莫耳及約〇.丨至2莫耳。 4. 5. 如申清專利範圍第3項之介電陶瓷,其中該晶體氧化物由 Ba、Ti、Si、〇及視情況之见所組成。 如申請專利範圍第1項之介電陶瓷,其進一步包含:一種 包括R及Μ的氧化物,其中R係選自^、^、〜、则、^、 Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、 之至少一種,M係選自Μη、 、Yb、Lu及Υ所組成組群 Ni、Co、Fe、Cr、Cu、Mg、 9l003.doc 1238423 Μ、V、Mo及W所組成組群之至少一種, 其中相對於100莫耳的ABO3,元素形式的R&M含量分 別為約0.01至1.5莫耳和約⑴丨至]莫耳。 6·如申請專利範圍第5項之介電陶竟,其中該晶體氧化物由 Ba、丁i、Si、〇及視情況之Ni所組成。 7·如申請專利範圍第1項之介電陶兗,其中該晶體氧化物由 Ba、Ti、Si、〇及視情況之Ni所組成。 • 種製造如申請專利範圍第1項之介電陶瓷之方法,該方 法包含: 提供一種(a)與(b)混合物,所述(a)是由AB〇3表示的鈣 鈦礦化合物(其中A為Ba及Ca及視情況之Sr;且3為丁丨及視 情況之Zr和Hf中的至少一種);且(b)是包括至少Β&、们 及Si的晶體氧化物;且 '大咅燒遠混合物。 9.如申請專利範圍第8項之製造介電陶瓷之方法,其中該混 合物進一步包含:一種包括R&M的氧化物,其中r係選 §La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、 Tm、Yb、Lu及γ所成組群之至少一種,M係選自河卜川、 、Fe、Cr、Cu、Mg、A1、V、‘及…所成組群之至少 一種。 ίο·如申請專利範圍第9項之製造介電陶瓷之方法,其中該混 合物進一步包含焙燒助劑。 11·如申請專利範圍第8項之製造介電陶瓷之方法,其中該混 合物進一步包含焙燒助劑。 91003.doc -2- 1238423 12· —種多層陶瓷電容器,其包含: 積層材料,其包括彼此積層的多個介電陶瓷層和多個 内電極,其每個内電極是沿著一對介電陶瓷層之間的不 同介面而佈置的、並且是按積層方向彼此層疊;及 一對外電極,其在所述積層材料外表面上與不同的内 電極電連接; 其中該多個介電陶瓷層包含如申請專利範圍第丨項之 介電陶瓷。 ' 13·如申請專利範圍第12項之多層陶瓷電容器,其中該内電 極包含卑金屬。 14. 如申請專利範圍第13項之多層陶瓷電容器,其中該外電 極包含卑金屬。 15. —種多層陶瓷電容器,其包含: 積層材料,包括彼此積層的多個介電陶瓷層和多個内 電極,其每個内電極是沿著一對介電陶瓷層之間的不同 介面而佈置的、並且是按積層方向彼此層疊;及 一對外電極,其在所述積層材料外表面上與不同的内 電極電連接; 其中該多個介電陶瓷層包含如申請專利範圍第2項之 介電陶瓷。 16·如申請專利範圍第15項之多層陶瓷電容器,其中該内電 極包含卑金屬。 17.如申請專利範圍第16項之多層陶瓷電容器,其中該外電 極包含卑金屬。 9l003.doc 1238423 18. 19. 20. 一種多層陶瓷電容器,其包含: 積層材料,包括彼此積層的多個介電陶 電極,其每個内電極是沿著一對介電陶瓷層::^多個内 介面而佈置的、並且是按積層方向彼此層4 ;及16^同 一對外電極,其在所述積層材料外表面 電極電連接; 一同的内 其中該多個介電陶瓷層包含如申請專利範圍第3 介電陶瓷。 、之 如申請專利範圍第18項之多層陶瓷電容器,其中該内電 極包含卑金屬。 如申請專利範圍第19項之多層陶瓷電容器,其中該外電 極包含卑金屬。 91003.doc
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