TWI236062B - Method for manufacturing semiconductor device - Google Patents

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TWI236062B TW092117621A TW92117621A TWI236062B TW I236062 B TWI236062 B TW I236062B TW 092117621 A TW092117621 A TW 092117621A TW 92117621 A TW92117621 A TW 92117621A TW I236062 B TWI236062 B TW I236062B
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Gyu-Hyun Kim
Hyo-Geun Yoon
Geun-Min Choi
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Hynix Semiconductor Inc
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Description

!236〇62 玖、發明說明： %明之技術領域 本案係揭露一種製造半導體裝置之方法，其中一圓柱形電 容器係藉由選擇性蝕刻在一晶室區域中之氧化物薄膜而形 成，以防止在晶室區域中之氧化物薄膜的溼蝕刻處理期間在 晶室之間形成橋接。 先前技術 圖la至圖lii係截面tf意圖，其中顯示製造一半導體裝置之 習知方法的連續步驟。 現请參照圖1 a，一於其中具有一蓄電極接點丨2之中間層絕 緣薄膜14係形成在一半導體基板10上，其中在該半導體基板 上具有一裝置絕緣薄膜（未圖示）、一字線（未圖示）及一位元線 (未圖示）形成於其上。一氮化物薄膜16、一氧化物薄膜18、 一硬光罩20及一光阻劑薄膜（未圖示）係依序形成在中間層絕 緣薄膜14上，且該光阻劑薄膜接著便藉由一微影方法來形成 圖樣，以構成一光阻劑薄膜圖樣22。 現請參照圖lb，該硬光罩20、氧化物薄膜18及氮化物薄膜 16係依照習知方法利用光阻劑薄膜圖樣22作為光罩來依序進 行乾蝕刻，以形成一晶室區域c及一周邊電路區域p。 現請參照圖1c，在乾蝕刻之後，剩餘的光阻劑薄膜圖樣U 及硬光罩20便加以清除。 現凊參照圖id ’ 一多晶矽層（未圖示）係沉積在所形成之結構 的整個表面上’然後藉由化學機械研磨（CMP)處理來形成一 蓄電極24。 86250.doc -6 - 1236062 *現請參照圖1e，在晶室區域C及周邊電路區域p中之氧化物 薄膜丨8係藉由溼蝕刻處理加以移除，使得僅留下一蓄電極μ。 現請參照圖lf，一介電薄膜28係藉由在蓄電極24上沉積一介 電物質而形成。 現叫參照圖lg，一板電極3〇係藉由在介電薄膜28上沉積一 多晶石夕層而形成。 、現請參照圖lh，一光阻劑薄膜（未圖示）係沉積在所形成結構 之整個表面上，然後再選擇性曝光及顯影，俾在板電極30之 預足區域中形成一板光罩26。 現請參照圖Π，該板電極3G係藉由使用板光罩26來進行敍 刻’然後將該板光罩26移除。 現請參照圖1卜中間層絕緣薄膜36係形成在所形成結構之 正個表面上。形成在晶室區域c中之中間層絕緣薄膜％與形 成在周邊電路區域P中之中間層絕緣薄膜％之間係產生較大 的階差。在後續的製程中，該階差係必須加以移除。 見# 、圖lk，一光阻劑薄膜（未圖示）係沉積在所形成結構 、正固表面上居光阻劑薄膜接著便加以曝光及顯影，俾在 周邊電路區域P中之中間層絕緣薄膜36上形成-晶室光罩34。 現叫參圖11 ’在晶室區域c中之中間層絕緣薄膜％係利用 晶罜光罩34而藉由一乾蝕刻處理加以部分地清除。 現明參^圖lm，在晶室光罩34下方之中間層絕緣薄膜36係 藉由溼蝕刻處理而部分地清除。 現清參照圖1 η，晶旁也罢，^ #上 曰曰至先罩34係加以移除而形成其較大階差 已被移除之中間層絕緣薄膜3 6。 86250.doc 1236062 如上所述，當已製造圓柱形電容器且該中間層絕緣薄膜已 形成在所形成結構上時，形成在晶室區域c中之中間層絕緣 薄膜以及形成在周邊電路區域P中之中間層絕緣薄膜之間係 會產生一較大的階差。 需要額外的處理來清除該較大階差，而這將使製造程序變 得複雜。 \y發明内容 本案係揭露一種製造半導體裝置之方法，其中一圓柱形電 容器係藉由以一光阻劑薄膜覆蓋一周邊電路區域且選擇性蝕 刻一位在一晶室區域中之氧化物薄膜而形成，且利用—種新 穎的蝕刻方法來防止在溼蝕刻處理之後當氧化物薄膜乾燥時 在▲晶格之間產生橋接。 該製造半導體裝置之方法係包含以下之步驟：0)在一半導 to基板《整個表面上形成一供作為一蓄電極之氧化物薄膜， 其中邊半導體基板包含—晶室區域及一周邊電路區域；⑻姓 d j仫在曰日立區域中之供作為蓄電極之氧化物薄膜，以界定 一蓄電極區域；（c)在蓄電極區域中形成一蓄電極；（句在位於該 周邊包路區域中之供作為蓄電極之氧化物薄膜上形成—光阻 d薄膜圖樣；⑷利用総劑薄膜圖樣作為—光罩而藉由一澄 =處理來移除位在該晶室區域中之供作為蓄電極之氧化物 4月吴，並且移除該光阻劑薄膜圖樣；⑴在所形纟結構之整 面上連續形成一介兩 、 兒，專腠及一板電極；以及（g)在所形成結槿 之整個表面上开彡土 山⑽ '。 元成一中間層絕緣薄膜。 二除位在垓9曰室區域中供作為蓄電極之氧化物薄膜之步 86250.doc 1236062 驟:包含利用該光阻劑薄膜圖樣作為4罩而於—臟（緩 衝乳化物蝕刻劑)溶液池中移除位在該晶室區域中之供作為 蓄電極之氧化物薄膜’且在_皮拉尼(piranha)溶液池；移除 所形成結構之光阻劑薄膜圖樣，且尚可包含也 中/“以所元成、”構以及在—稀釋的HF溶液池中清潔 形成結構。 此外，該移除位在該晶室區域中供作為蓄電極之氧化物薄 k步驟可包含利用該級劑薄_樣作為―光罩而於一 BHF(緩衝氟化氫）溶液池中移除位在晶室區域中之供作為苦 電極之氧化物薄膜’且在—純水池中清潔該所形成結構X 後在-皮拉尼溶液池巾移除料成結構之光㈣薄膜圖樣， 且尚包含在-純水池中清潔該所形成結構，並且在_乾燥哭 中乾燥該所形成結構。 ％ 依照另-實施例，所揭露之—種方法可包含以下之步驟 藉由在-臟（緩衝氟化氫）溶液池中執行—㈣刻處理，以 移除-位在-半導體基板之—晶室區域中之供作為蓄電梓的 氧化物薄膜，其中-蓄電極係設置在該晶室區域中，且 阻劑薄膜圖樣係設置在該半導體基板之周邊電路區域中 在-純水池中清潔該所形成結構;(c)在一皮拉尼(P—溶 液池中移除該綠劑薄膜圖樣；⑷在—純水池中清潔該所形 成結構；及（e)在一乾燥器中乾燥該所形成結構。 ’ 實施方式 本發明以下將參考附圖來詳加說明。 圖2a至圖2丨係截面示意圖’其中顯示依照本發明製造—半導 86250.doc 1236062 體裝置之方法的連續步驟。 現請參照圖2a，一 、/、中"有一蓄電極接點112之中間層絕 板上且右/ +導體基板UG上，其中在該半導體基 裝置絕緣薄膜（未圖示）、一字線（未圖罐-位元 線（未圖示）形成於其 ^ 一 70 /、上—虱化物溥膜110、一氧化物薄膜 間…硬先罩120及—綠劑薄膜(未圖示)係依序形成在中 4層、，，巴緣薄膜11 4上，且兮杏R十 、 且该先阻劑薄膜接著便藉由一微影方法 'θ粟，以構成—光阻劑薄膜圖樣122。 膜1^# ’、’、圖Γ ’邊硬光罩120、氧化物薄膜118及氮化物薄 ’、依照習知方法利用光阻劑薄膜圖樣122作為光罩來依 ^進:乾㈣1，以形成一晶室區域c及一周邊電路區域ρ。在 界疋在曰曰至區域C及周邊電路區域P之間的護環132係 y且劑薄膜所覆蓋’以防止在對晶室區域c中之氧化物薄 吴8進仃滢蝕刻期間使周邊電路區域p中之氧化物薄膜⑴ 亦受到溼蝕刻處理。 現請參照圖及，在乾姓列 千\ ^ 乾蚀xj <後，剩餘的光阻劑薄膜圖樣1 22 及硬光罩120便加以清除。 現清參照圖2d，一*玄曰：z^7 a / + η 、敕 夕日曰矽層（未圖示）係沉積在所形成之結構 勺正個表四上，然後藉由化學機械研磨（CMP)處理來形成一 蓄電極124。 、敕參…、圖2e，一光阻劑薄膜（未圖示）係沉積在所形成結構 之整個表面上’然後再選擇性地曝光及顯影，以形纟一，，浸潰” 光罩126’其係一種位在護環132與周邊電路區域p中之光阻劑 薄膜。 86250.doc -10- 1236062 現請參照圖2f，在晶室區域c中之氧化物薄膜丨i8係藉由澄 蝕刻處理而清除。 現請參照圖2g，該浸潰光罩ι26係藉由溼蝕刻處理而清除， 而僅留一蓄電極124。 圖2f及2g所示之溼蝕刻處理係可以在一單一溼蝕刻工站來 進行，該工站包括一緩衝氧化物蝕刻劑（BOE)溶液池、皮拉 尼（Piranha)溶液池、SC]溶液池及稀釋1^溶液池。在圖^所 示之晶室區域C中之氧化物薄膜118的溼蝕刻處理的例子 中，澄蝕刻處理最好係在B0E溶液池中來進行，而在圖2§所 示之浸潰光罩126的溼蝕刻處理的例子中，該溼蝕刻處理最好 係在皮拉尼溶液池、sc-丨溶液池及稀釋$HF溶液池中來進 行。 此外，圖2f及2g所示之溼蝕刻處理亦可在一單一溼蝕刻工站 來處理，工站包括一緩衝的氟化氫（BHF)溶液池、純水池、 皮拉尼溶液池、純水池及一乾燥器。在圖玎所示之晶室區域c 中之氧化物薄膜118的溼蝕刻處理的例子中，溼蝕刻處理最好 係在BHF溶液池及純水池中來進行，而在圖以所示之浸潰光 罩126的滢蝕刻處理的例子中，該溼蝕刻處理最好係在皮拉尼 溶液池、純水池及乾燥器中來進行。 該皮拉尼溶液係由Ηβ〇4(硫酸）&H2〇2(過氧化氫）所組成。 較佳地，H2S〇4對H2〇2之體積比範圍為2:1至6:卜且該皮拉尼 溶液之溫度範圍由卯艺至丨川它，且最好該H2S〇^iH2〇2之體 積比範圍為4:1，且該皮拉尼溶液之溫度大約為12〇<t。 蓄电極1 24係可旎產生表面氧化，亦即，由疏水性轉變成親 S6250.doc -11 - 1236062 水性’因為在氧化物薄膜118於3〇£溶液或BHF溶液中進行澄 敍刻處理之後，該蓄電極124之疏水性表面（Si-H)會與皮拉尼 溶液中之H2〇2發生反應而產生Si〇2，如以下之化學反應式所 表示：
Si + 2H2〇2— Si〇2 + 2H2〇 SCM溶液係由NH4〇h(氫氧化銨），H2〇2及H2〇所構成。較佳 地，該nh4oh、H2o2&H2o之體積比係在1:1:20至1:5:5〇，且 該SC-1溶液之溫度範圍由以它至以它，且最好該Nh4〇h、 H2〇2及H2〇之體積比係大約為1:4:20,且該sc-1溶液之溫度為 65〇C 〇 此外，乾燥益取好為一IPA蒸汽乾燥器或Maragoni乾燥器。 不可使用一旋轉式乾燥器，因為其會在一旋轉乾燥處理期間 由於離心力而在晶室之間產生橋接。 現請參照圖2h，一介電薄膜128係藉由在蓄電極124上沉積 一介電材料而形成。 現請參照圖2i，-板電極130係藉由在介電薄膜128上沉積 多晶石夕層而形成。 現請參照圖2j，-光阻劑薄膜（未圖示）係沉積在所形成結構 之整個表面上，並且選擇性曝光及顯影，以在板電極13〇上之 預定區域中形成一板光罩134。 現請參照圖2k，曝光之板電極13〇係利用板光罩134來加以 姓刻’然後再將板光罩134移除。 現請參照圖2卜-中間層絕緣薄膜136係形成在所形成結 固表面上在此，k於晶室區域c中之中間層絕緣薄; 86250.doc -12- 1236062 1 3 6與位於周邊電路區域p中 、 中4中間層絕緣薄膜1 36之間係會 產生些微的階差。因此，後續不需要進行階差的移除程序。 用以移除在晶室區域C及浸潰光罩中之氧化物薄膜的方 法A在下文中參考對照例及實例來加以說明。然而，本發 明之範圍並未侷限於該等實例。 對照例1:B〇E溶液池ϋ虫刻處理_皮拉尼溶液池—sc] 溶液池—稀釋之hf溶液池 首先備妥一半導體裝置，該半導體裝置包括一晶室區域（具 有一蓄電極形成於其中）及一周邊電路區域（具有一浸潰光罩 形成於其中）。 在晶室區域中之氧化物薄膜係在一 BOE溶液池中加以清 除’然後藉由一乾蝕刻處理來移除該浸潰光罩。之後，所形 成結構之光阻劑殘留物係在皮拉尼溶液（Ηβ04··Η202=4:1 (體 積比），於120°c)池中移除，接著在後續進行的清潔處理中於 一 SC-1溶液池及一稀釋hf溶液池中清除氧化物薄膜及光阻 劑殘留物。如圖3a&3b所示，在晶室之間會產生橋接（由A所 標示）。 對知例2:BHF溶液池—純水池—乾燥器-> 浸潰光罩之乾|虫 刻處理 首先備妥一半導體裝置，該半導體裝置包括一晶室區域（具 有一蓄電極形成於其中）及一周邊電路區域（具有一浸潰光罩 形成於其中）。 在晶室區域中之氧化物薄膜係在一 BHF溶液（包含超過0.5% 之HF)池中先清除，然後所形成結構係在一純水池中加以清 86250.doc -13 - 1236062 洗’且利用一ίΡΑ蒸汽乾燥器加以乾燥之。 接著，藉由—乾姓刻處理來移除浸 不，在晶室之間會產生橋接，如Α所表示者。 及_ 在對照例吻刻處理中，由於多晶碎蓄電極 來，因此該蓄電極之砉而 "出 '、g在S1疏水狀態下受到乾燥虛 理。當使用心蒸汽乾燥器時，該浸潰光罩係會在異丙醇中= 7刀解。在異㈣中被分解的浸潰光罩係用作為在蓄電極之疏 水性表面上的碳源，其會由於水滴而導致乾燥失效。此—乾 燥失效進而導致晶室之間的的橋接。 乙 貫例1:B0E溶液池—皮拉尼溶液池_SCM溶液池—稀釋之 HF溶液池 首先備妥一半導體裝置，該半導體裝置包括一晶室區域（具 有一蓄電極形成於其中）及一周邊電路區域（具有一浸潰光罩 形成於其中）。該半導體裝置之溼蝕刻處理係在一單一溼蝕刻 工站中來進行，其中該工站包括一B〇E溶液池、一皮拉尼溶 液池、一 SC-1溶液池及一稀釋的HF溶液池。 圖5 a及5 b係截面視圖’其中顯示在晶室區域中之氧化物薄 膜的溼蝕刻處理的部分。 現請參照圖5a，在晶室區域C中之氧化物薄膜11 8係在BOE 溶液池100中加以移除，同時該周邊電路區域p係由浸潰光罩 126所覆蓋。 現請參照圖5b，該浸潰光罩126係在皮拉尼溶液 出2§〇4:^2〇2=4:1(體積比），於12〇°0池1〇4中移除，且該蓄電 極124之表面係被氧化，亦即，由疏水性轉變成親水性。 86250.doc -14 - 1236062 之後’所形成結構之光阻劑殘留物係在SC-1溶液 (題4〇士9：2〇2:1*12〇=1:4:20(體積比）’於65。〇池中移除，且接 著在稀釋的HF溶液池中移除該氧化物薄膜及光阻劑殘留物。 如圖6a及6b所示，在如此形成之半導體裝置中，在晶室之 間並不會發生橋接。 貫例2:BHF溶液池—純水池—皮拉尼溶液池—純水池〜乾 燥器 首先備妥一半導體裝置，該半導體裝置包括一晶室區域（具 有一畜電極形成於其中）及一周邊電路區域（具有一浸潰光罩 形成於其中）。該半導體裝置之溼蝕刻處理係在一單一溼蝕刻 工站中來進行，其中該工站包括一BHF溶液池、一純水池、 一皮拉尼溶液池、一純水池及一乾燥器。 圖7a及7b係截面視圖，其中顯示在晶室區域中之氧化物薄 膜的溼蝕刻處理的部分。 現請參照圖7a，在晶室區域C中之氧化物薄膜118係在bhf 溶液池102(包含超過〇.5yd々HF)中加以移除，同時該周邊電路 區域P係由浸潰光罩126所覆蓋。 所形成結構係在純水池中加以清洗。 現請參照圖7b，該浸潰光罩126係在皮拉尼溶液 (H2S04:H202=4:1(體積比）’ K12(rc)池1〇4中移除，且該蓄電 極124之表面係被氧化，亦即，由疏水性轉變成親水性。 之後，所形成結構係在純水池中清洗，然後利用一 蒸汽 乾燥器加以乾燥。如圖8a及8b所示，在如此形成之半導體裝 置中，在晶室之間並不會發生橋接。 86250.doc -15 - 1236062 只例3 :BHF溶液池—純水池—皮拉尼溶液池〜純水池— SC-1溶液池—純水池—乾燥器 首先備妥一半導體裝置，該半導體裝置包括一晶室區域（具 有一蓄電極形成於其中）及一周邊電路區域（具有一浸潰光罩 形成於其中）。該半導體裝置之溼蝕刻處理係在一單一歷#刻 工站中來進行，其中該工站包括一 BHF溶液池、一純水池、 皮拉尼落液池、一純水池'一 SCM溶液池、一純水池及一 乾燥器。 圖7a及7b係截面視圖，其中顯示如第二實例中所說明之晶 主區域中之氧化物薄膜的澄姓刻處理的部分。 現巧參知圖7 a，在晶室區域C中之氧化物薄膜11 $係在b hf 溶液池102(包含超過〇.y/(^々HF)中加以移除，同時該周邊電路 區域P係由浸潰光罩126所覆蓋。 所形成結構係在純水池中加以清洗。 現請參照圖7b ’該浸潰光罩126係在皮拉尼溶液 (H2S〇4:H2〇2 = 4:l(體積比），於⑽以池⑽中移除，且該蓄電 極124之表面係被氧化，亦即，由疏水性轉變成親水性。 之後，所形成結構係在純水池中清洗，而光阻劑殘留物則 係在3(：_1落液（顺4〇11:；»2〇2:112〇=1:4:2〇(體積比），於65。(；）池 中加以移除，且所形成結構在純水池中再次清洗，然後利用 ΪΡΑ瘵 >气乾燥器加以乾燥。因此，在如此形成之半導體裝置 中’在晶室之間並不會發生橋接。 貝例4:BHF溶液池—純水池—皮拉尼溶液池—純水池— sc-i溶液池—純水池—稀釋的HF溶液池—純水池—乾燥器 86250.doc -16- 1236062 首先備妥一半導體裝置，該半導體裝置包括一晶室區域（具 有一蓄電極形成於其中）及一周邊電路區域（具有一浸潰光罩 形成於其中）。該半導體裝置之溼蝕刻處理係在一單一渔蝕刻 工站中來進行，其中該工站包括一 BHF溶液池、一純水池、 皮拉尼溶液池、一純水池、一 SC-1溶液池、一純水池、一 稀釋HF溶液池、一純水池及一乾燥器。 圖7a及7b係截面視圖，其中顯示如第二實例中所說明之晶 i區域中之氧化物薄膜的溼姓刻處理的部分。 現請參照圖7a，在晶室區域C中之氧化物薄膜118係在BHF 溶液池102(包含超過〇.5〇/U4HF)中加以移除，同時該周邊電路 區域P係由浸潰光罩126所覆蓋。 所形成結構係在純水池中加以清洗。 現請參照圖7b，該浸潰光罩126係在皮拉尼溶液 (H2S〇4:H2〇2：=4:l(體積比），於丨“它）池1〇4中移除，且該蓄電 極124之表面係被氧化，亦即，由疏水性轉變成親水性。 之後，所形成結構係在純水池中清洗，而光阻劑殘留物則 係在 SCM 溶液（NH4〇h:H2〇2:H2〇=1:4:2〇(體積比），於65。〇 池 中加以移除，且所形成結構在純水池中再次清洗，且在蓄電 極之表面上的光阻劑及氧化物薄膜殘留物則係在稀釋的hf 溶液池中被移除。 接:來，所形成結構係在純水池中加以清洗，並且利用— 心蒸J气乾燥器加以乾燥。後續之一介電薄膜的沉積處理係藉 由白知方法來進竹·。因此，在如此形成之半導體裝置中， 在晶室之間並不會發生橋接。 86250.doc -17· 1236062 貫例5 :BHF溶液池—純水池—皮拉尼溶液池—純水池—稀 釋的HF落液池—純水池—sc-1溶液池—純水池〜乾燥器 首先備妥一半導體裝置，該半導體裝置包括一晶室區域（具 有一蓄電極形成於其中）及一周邊電路區域（具有一浸潰光罩 形成於其中）。該半導體裝置之溼蝕刻處理係在—單一溼蝕刻 工站中來進行’其中該工站包括一 BHF溶液池、一純水池、 皮拉尼4液池、一純水池、一稀釋HF溶液池、一純水池、 一 SC-1溶液池、一純水池及一乾燥器。 圖7a及7b係截面視圖，其中顯示如第二實例中所說明之晶 室區域中之氧化物薄膜的溼蝕刻處理的部分。 現叫參照圖7a，在晶室區域c中之氧化物薄膜118係在6幵][7 溶液池102(包含超過〇.5%whF)中加以移除，同時該周邊電路 區域P係由浸潰光罩126所覆蓋。 所形成結構係在純水池中加以清洗。 現請參照圖7b，該浸潰光罩126係在皮拉尼溶液 (H2S〇4:H2〇2=4:l(體積比），於12〇。〇)池104中移除，且該蓄電 極124之表面係被氧化，亦即，由疏水性轉變成親水性。 之後，所形成結構係在純水池中清洗，而在蓄電極表面上 之光阻劑及氧化物薄膜殘留物則係在稀釋wHF溶液池中被 移除，且所形成結構在純水池中再次清洗，且顆粒係在scq 溶液（NH4〇H:H2〇2:H20=1 :4:20(體積比），於65t )池中加以移 除。 接下來，所形成結構係在純水池中加以清洗，並且利用— IPA蒸汽乾燥器加以乾燥。後續之—介電薄膜的沉積處理係藉 86250.doc - 18- 1236062 由一習知方法來進行。， u此，在如此形成之半導體裝置中， 在晶室之間並不會發生橋接。 浚上所述藉由以光阻劑薄膜覆蓋該周邊電路區域且選擇 性蝕刻晶室區域中之氧化物薄膜以構成一圓柱形電容器，因 此形成在晶室區域中之φ pE]騷0主 、 中間層絕緣溥膜與形成在周邊電路區 域中之中間層絕緣薄腫^ η 、 家㈣〈間的階錢可減小，藉此而簡化製 造程序。 此外’藉由利用一單一溼蝕刻 1、- 6术進仃一間早的滢蝕刻 處理，便可防止在晶室之間的橋接，而不需要進行-獨立分 開的乾姓刻處理來清除氧化物薄膜及光阻劑薄膜 便可提升裝置之良率。 Μ 圖式簡單說明 t發明以上係藉由數個實施例來闡述其廣泛的教示。以上 芡巩明可配合隨附之圖式來閱讀之，其中· 圖la至In係截面視圖，並中杆 之…〃中描不一用以製造-半導體裝置 <白知万法的連續步驟； | 圖2如係截面視圖’其中描示依照本發明之一用 — 半導體裝置之方法的連續步驟； 圖3a及3b係平面及截面相片，其申分 曰舍F杆士、 別,，肩不在對照例1中之 曰曰至£域中<氧化物薄膜的溼蝕刻處理的結果· 圖4a及4b係平面及截面相片，其中分 曰堂F 士、 ”’廣不在對照例2中之 曰曰E或中<氧化物薄膜的溼蝕刻處理的結果· 、圖5a及5b係截面視圖’其中顯示在實例 二 、 之氧化物薄膜的溼蝕刻處理的部分； ；阳至品域令 86250.doc -19- 1236062 圖6a及6b分別為平面及截面相片，其中顯示在實例1中於晶 室區域中之氧化物薄膜的溼蝕刻處理的結果； 圖7a及7b係截面視圖，其中顯示在實例2、3、4及5中於該 晶室區域中之氧化物薄膜的溼蝕刻處理的部分；及 圖8a及8b分別為平面及截面相片，其中顯示在實例2中於一 晶室區域中之氧化物薄膜的溼蝕刻處理的結果。 圖式中各元件之符號對照表 10,110 半導體基板 12，112 蓄電極接點 14,114 中間層絕緣薄膜 16,116 氮化物薄膜 18，118 氧化物薄膜 20,120 硬光罩 22,122 光阻劑薄膜圖樣 24,124 蓄電極 26,134 板光罩 28,128 介電薄膜 30,130 板電極 34 室光罩 36,136 中間層絕緣薄膜 100 BOE溶液池 102 BHF溶液池 104 皮拉尼溶液池 126 浸潰光罩 86250.doc -20- 1236062 132 護環
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Claims (1)

1236062 拾、申請專利範圍： h ~種製造半導體裝置之方法， 乃决5玄方法包含以下之步驟： (a)在一半導體基板之整 ^ 备 正個表面上形成一供作為一蓄電極 之氧化物薄膜，其中該半暮，其 丁 /千冷體基板包含一晶室區域及一周邊 電路區域； (b) 姓刻s亥位在晶室區域中 X T之仏作為畜電極之氧化物薄膜 ’以界定一蓄電極區域； (c) 在畜電極區域中形成一蓄電極； -⑷在位於該周邊電路區域巾之供料㈣極之氧化物薄 膜上形成一光阻劑薄膜圖樣； ⑷利用光阻劑薄膜圖樣作為一光罩而藉由一澄姓刻處理 來移除該位在晶室區域中供作為蓄電極之氧化物薄膜，並且 移除該光阻劑薄膜圖樣； ⑴在所形成結構之整個表面上連續形成一介電薄膜及一 板電極；以及 (g)在所n、O構之整個表面上形成_中間層絕緣薄膜。 2·根據Μ專利範圍第W之方法，其中該步驟⑷包含利用該光 阻劑溥膜圖樣作為-光罩而於一 Β0Ε(緩衝氧化物钱刻⑷溶 液池中料位在該晶室區域中之供作騎電極之氧化物薄膜 ’且在-皮拉尼（Piranha)溶液池中移除所形成結構之光阻劑薄 膜圖樣，且尚包含在-SCM溶液池中清潔該所形成結構以及 在一稀釋的HF溶液池中清潔該所形成結構。 3.根據中請專利範圍第2項之方法，其中該皮拉尼溶液包含 Ηβ〇4及Η"2，且ΗΑ〇4對％〇2之體積比範圍由2:1至6:1，且 86250.doc 1236062 具有之溫度範圍由90°C至13〇°C。 4·根據申請專利範圍第2項之方法，其中該皮拉尼溶液包含 HdCU及H2〇2 ’且ΗΑ〇^Η2〇2之體積比為4:1，且具有i2〇t 之溫度。 5·根據申請專利範圍第2項之方法，其中該8匕1溶液包含^^^〇]9[ 、H2〇2及H2〇，且NH4〇H、H2〇jH2〇之體積比範圍由i 1:2〇 至1:5:50，且具有之溫度範圍由25°C至85°C。 6·根據申請專利範圍第2項之方法，其中該S(>1溶液包#nH4〇h 、H2〇2及H2〇，且期4〇1^ %〇2及氏〇之體積比為丨4 2〇，且 具有65°c之溫度。 7. 根據申請專利範圍第旧之方法，其中該步驟⑷包含利用該光 阻劑缚膜圖樣作為一光罩而於一腳（緩衝氣化氯）溶液池中 移除位在晶室區域中之供作為蓄電極之氧化物薄膜，且在一 純水池中清潔該所形成結構，然後在一皮拉尼溶液池中移除 所形成結構之光阻劑薄膜圖樣，且尚包含在一純水池中清潔 該所形成結構，並且在—乾燥器中乾燥該所形成結構。、 8. 根據中請專利範圍第7項之方法，其中該皮μ溶液包含 阳〇4及邮2,且H2S〇4對Η2〇2之體積比範圍由2:1至6:1，且 具有之溫度範圍由90°C至13〇。(：。 9·根據申請專利範圍第7項之方法，1 φ 4 & 只 < 乃凌具中该皮拉尼溶液包含 H2S〇^H2〇2，且h2S0 對 2 2之肢積比為4:1，且具有120〇C 《 >皿度0 10·根據申請專利範圍第7項 ……、 万法其尚包含在-乾燥器中乾谭 σ亥所形成結構之前，於一 於SC-1洛液中清潔該所形成結υ 86250.doc 1236062 在一純水池中清潔該所形成結構。 根據t請專利範㈣7項之方法，其尚包含在—乾燥器中乾燥 .亥所开乂成結構之可，於_SCM溶液池_清潔該所形成結構， 於一稀釋的HF溶液池中清潔該所形成結構，且在一純水池中 清潔該所形成結構。 12.根據f請專利範圍第7項之方法，其尚包含在—乾燥器中乾燥 该所形成結構之前，於—稀釋的HF溶液池中清潔該所形成結 構’於-純水池中清潔該所形成結構，於溶液池中清 潔該所形成結構，以及於-純水池中清㈣所形成結構。 U.根據申請專利範圍第10至12項任一項之方法，其中該似溶 =包含NH4OH、H2〇2AH20 ’ 且nh4〇h、h2〇2ah2〇之體積比 祀圍由1:1:20至1:5:50 ’且具有之溫度範圍由机至机。 14·根據申請專利範圍第1〇至12項任—項之方法，其中該似溶 液包含題細、⑽及邮，且題顧、喻顧叙體積I 為1:4:20，且具有65°C之溫度。 15.—種製造半導體裝置之方法’該方法包含以下之步驟： ⑷藉由在-腳(緩衝氣化氫）溶液池中執行—㈣刻處理 ’以移除-位在-半導體基板之—晶室區域中之供作為蓄電 極的氧化物薄膜，其中-蓄電極係、設置在該晶室區域中，且 一光阻劑薄膜圖樣_置在該半導體基板之周邊電路區域中 (b)在一純水池中清潔該所形成結構； ⑷m MPifanha)m中㈣該級劑薄膜圖樣 (d)在一純水池中清潔該所形成結構；及 86250.doc 1236062 (e)在一乾燥器中乾燥該所形成結構。 16.根據申請專利範圍第15項 只 < 万忐，其中该皮拉尼溶液包含 H2S〇4及H2〇2 ’且H2S〇4對H2〇2之體積比範圍由以至&丨，且 具有之溫度範圍由90°c至130°C。 H·根據申請專利範圍第15 只心万沄，具中该皮拉尼溶液包含 h2S〇4ah2〇2，且h2S〇4_2〇2之體積比為4卜且具有⑶。c 之溫度。 18. 根據巾請專利範圍第15項之方m包含在-乾燥器" 综該所形成結構之前，於—S(M溶液中清潔該所形成結構， 且在一純水池中清潔該所形成結構。 19. 根據中請專利範圍第15項之方法，其尚包含在—乾燥器中乾 燥該所形成結構之前，於_心溶液池中清潔該所形成結構 ’於一稀釋的HF溶液池中清潔該所形成結構，且在—純水池 中清潔該所形成結構。 20.根據申請專利範圍第15項之方法，其尚包含在一乾燥器中乾 燥該所形成結構之前，於—稀釋的取溶液池令清潔該所形成 結構’於-純水池中清潔該所形成結構，於溶液池中 清潔該所形成結構，以及於—純水池中清潔該所形成結構。 2L根據申請專利範圍第18至2〇項任一項之方法，其中該似溶 液包含nh4oh、h2〇2ah2〇，j_Nh4〇h、H2〇aH2〇之體積比 範圍由1:1:20至1:5:50，且具有之溫度範圍由25t至85t。 22.根據申請專利範圍第18至2〇項任一項之方法，其中該似溶 液包含nh4oh、h2〇2及H2〇，且νη4〇η、喻及邮之體積比 為1··4··20，且具有65°C之溫度。 86250.doc -4-
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