JP4924451B2 - 洗浄方法及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
以上説明したように本発明によれば、サリサイドプロセスにおいてサイドウオール上にシリサイド化されずに残留する金属膜を選択的に除去する際、アンモニア水及び過酸化水素水を含む洗浄液に超音波を加えながら洗浄する。したがって、シリサイドゲート上の微小突起物を除去することができ、それにより、ゲート電極とコンタクトプラグとのショート不良の発生を抑制した洗浄方法及び半導体装置の製造方法を提供することができる。
図1〜図7は、本発明に係る第1の実施の形態による半導体装置の製造方法を示す断面図である。図8は、RCA洗浄装置の一例を示す構成図である。
Claims (10)
- シリコン基板上にゲート酸化膜を形成する工程と、
前記ゲート酸化膜上にゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極の側壁にサイドウォールを形成する工程と、
前記ゲート電極及び前記サイドウォールをマスクとして、前記シリコン基板に不純物イオンを注入する工程と、
前記ゲート電極上、前記サイドウォール上及び前記不純物イオンが注入された前記シリコン基板上に金属膜を形成する工程と、
前記金属膜に熱処理を施すことにより、シリサイド膜を形成する工程と、
前記シリサイド膜を形成する工程で残留した前記金属膜を除去する洗浄工程と、を有し、
前記洗浄工程は、アンモニア水及び過酸化水素水を含む洗浄液を用いて洗浄する第1の工程と、水洗処理を行う第2の工程と、超音波を加えながら、アンモニア水及び過酸化水素水を含む洗浄液を用いて洗浄する第3の工程と、水洗処理を行う第4の工程と、を含み、
前記洗浄工程は、前記シリサイド膜を形成する工程で前記ゲート電極上に形成された横方向に成長した前記シリサイド膜からなる微小突起物を除去することを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1において、
前記第1の工程及び前記第3の工程は、同一の洗浄槽で行われることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1又は2において、
前記第2の工程及び前記第4の工程では、純水が用いられることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1乃至3のいずれか一項において、
前記第2の工程及び前記第4の工程は、同一の水洗槽で行われることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1乃至4のいずれか一項において、
前記金属膜は、Ti、W、Co又はNiであることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1乃至5のいずれか一項において、
前記第1の工程を行う時間は、前記第3の工程を行う時間よりも長いことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1乃至6のいずれか一項において、
前記第2の工程と前記第3の工程との間に、第1のリンス工程と第1の乾燥工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項7において、
前記第4の工程の後に、第2のリンス工程と第2の乾燥工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項8において、
前記第1のリンス工程及び前記第2のリンス工程では、同一のリンス槽で行われることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項8又は9において、
前記第1の乾燥工程と前記第2の乾燥工程では、同一の乾燥機を用いて行われることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008015737A JP4924451B2 (ja) | 2008-01-28 | 2008-01-28 | 洗浄方法及び半導体装置の製造方法 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2001187935A Division JP2003007640A (ja) | 2001-06-21 | 2001-06-21 | 洗浄方法及び半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008182248A JP2008182248A (ja) | 2008-08-07 |
JP4924451B2 true JP4924451B2 (ja) | 2012-04-25 |
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ID=39725854
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008015737A Expired - Fee Related JP4924451B2 (ja) | 2008-01-28 | 2008-01-28 | 洗浄方法及び半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP4924451B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20220220638A1 (en) * | 2019-05-17 | 2022-07-14 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Silicon carbide substrate |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07183268A (ja) * | 1993-12-21 | 1995-07-21 | Kyushu Komatsu Denshi Kk | 半導体ウェハの洗浄装置 |
JPH08191070A (ja) * | 1995-01-10 | 1996-07-23 | Kawasaki Steel Corp | 半導体装置の接続構造の形成方法 |
JP2000196076A (ja) * | 1998-12-28 | 2000-07-14 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2000299463A (ja) * | 1999-04-16 | 2000-10-24 | Ricoh Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
US6526995B1 (en) * | 1999-06-29 | 2003-03-04 | Intersil Americas Inc. | Brushless multipass silicon wafer cleaning process for post chemical mechanical polishing using immersion |
TW520535B (en) * | 1999-08-04 | 2003-02-11 | Promos Technologies Inc | Chemical cleaning method for semiconductor wafer |
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2008
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Publication number | Publication date |
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JP2008182248A (ja) | 2008-08-07 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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