TW538656B - Recognition device, bonding device and method for preparing circuit device - Google Patents

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TW538656B
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Taiwan
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illumination
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Application number
TW91110847A
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Inventor
Kouji Seki
Noriyasu Sakai
Toshihiko Higashino
Original Assignee
Sanyo Electric Co
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Description

538656 五、發明説明⑴ [發明之詳細說明] [發明戶斤屬技術領域] 本發明係關於一種辨識裝置、搭接襞置以 的製造方法，特別是關於一種可提升辨識 2電路裝置 度，同時可提升搭接裝置的搭接精確度， 2辨識精確 置的電路裴置的製造方法。 及使用該等裝 [先前技術] 、 在傳統的半導體裝置中，於形成於引綠加^ η線接合時，必須在各搭載部分別進行：作：：a部 4:二：如在曰本特開昭63-295 35號公報中揭；；4: 屬裝置及搭接裝置。 τ詞不有該辨 如第17圖所示，加熱單元部1， 電晶體引線架2。而加埶單元 載置附有晶片10的 置有捲人辟Q F上的引線架2上部，則嗖 罝有接合臂3，在接合臂3前端設 '則口又 營4中設有引線5，而毛细管4 m日丨有毛S 4。在該毛細 為球狀的喷燈（t〇rch)6:附近則設有用以將引線5成型 辨識ίί卜，，Λ該頭熱Λ接，裝置中，設有引線接合位置 拾接頌驅動部8，另休 ^ 其係依照可盥槔^ . 卜又5又置局部加熱裝置9， 之方式安：ΠΓΠ部8朝心向的運轉連動而運轉 、叉衣’ i局部性地對其技 文付 用雷射光線裝置作為該種局部加；；：加熱。例如亦可利 捿著說明其動作。在藉由加栽； 木2上，依照由引線接合位置辨噂、、、立早兀口卩1而加熱的引線 式使搭接頭驅動部8動作僅：;的資二先設定的程 1羡在接合過程中驅動局部
313704.ptd 第6頁 538656 五、發明說明（2) ^ 加熱裝置9，以補充晶片1 0上的熱度的不足，並且進行球 狀接合，之後使毛細管4移動至引線架2側，再於接合過程 中驅動局部加熱裝置9，以補充引線架2側的熱度的不足， 並且進行針腳式接合（stitch bond)，之後再於藉由喷燈6 而切斷的引線5前端形成球狀部。 接著，在晶片1 0上的另一端的電極上，於接合過程中 驅動局部加熱裝置9，以補充晶片1 0上的熱度的不足，並 且進行球狀接合，之後使毛細管4移動至引線架側，再於 接合過程中驅動局部加熱裝置9，以補充引線架側的熱度 的不足，並且進行針腳式接合，之後再於藉由喷燈6而切 斷的引線5前端形成球狀部。如上所述，由於係一面補充 接合部的熱度的不足一面進行接合，因此可獲得高品質的 引線接合。此外，若進一步併用超音波，則更能夠獲得高 品質的引線接合。 另外，在上述實施例中，雖揭示電晶體晶片的情形， 但並不限定於晶片，亦適用於二極體，I C等，本發明可適 用於任何一種半導體裝置的引線接合器。 [發明所欲解決之課題] 如上所述，在完全鑿通的引線架2上形成搭載部的情 況下，進行引線接合時只需將該搭載部加熱至例如大約 2 5 0 °C即可。亦即，由於引線架2整體並非經常處於高溫狀 態，而能夠進行部分的加熱，因此，特別在上述的搭接裝 置、辨識裝置上沒有辨識錯誤，辨識狀態惡化等問題。 但是，在本發明之實施形態中雖有詳述，但是在導電
313704.ptd 第7頁 538656 五、發明說明（3) * 箔、弓I線架等上形成有在小面積中設置多數搭載部的集合 單元時，在一個集合單元的所有引線接合步驟完成以前， 導電箔、引線架等係維持在高溫狀態下。基於此點，具有 集合單元的導電箔、引線架等，將因為長時間放置在上述 高溫狀態下而產生氧化的問題。 此外，為了防止上述引線架等產生氧化，可藉由將其 放置在對高溫狀態下的引線架充填惰性氣體例如氮氣的空 間内以防止氧化。但是，為了形成該空間，必須在載置有 引線架的作業台上形成堆性氣體充填空間，此外尚須在該 空間上方形成辨識用及引線接合用之作業孔。此時由於惰 _ 性氣體在空間内被加熱至高溫，而由作業孔流出至外部時 會因與室溫之溫差而發生波動（陽炎）。由於該波動侵入 辨識區域而導致辨識相機做出錯誤的辨識，因而產生高集 成之微細導電圖案辨識精確度降低之問題。 [解決課題的手段] 表發明係有鑑於上述先前的課題而創作發明者，本發 明之辨識裝置係具備有：具有加熱功能的基板載置台；於 前述基板載置台上覆蓋作業區域的覆蓋物；設於前述覆蓋 物上方的作業孔；設於前述作業孔上方的照明；以及設置 於前述照明上方所具備之鏡筒内的圖案辨識用相機；藉由 ® 至少在前述照明下端設置透明的遮蔽蓋，可防止灌入於前 述覆蓋物内的惰性氣體藉由前述基板載置台加熱後而產生 的上升氣流的波動侵入至前述照明内。 本發明的辨識裝置的特徵為，前述遮蔽蓋裝置最好設
313704.ptd 第8頁 538656 五、發明說明（4) * 置在前述鏡筒下端。藉此，可以防止前述波動侵入前述鏡 筒内或來自前述鏡筒内的灰塵等侵入前述照明内。 此外，本發明的辨識裝置的特徵為，前述遮蔽蓋係由 透明的薄膜或是透明的基板所形成。 此外，本發明的辨識裝置的特徵為，最好在前述覆蓋 物與前述基板載置台所形成的空間内灌入前述惰性氣 此外，本發明的辨識裝置的特徵為，最好利用夾具來 形成前述覆蓋物之一部分。 此外，本發明的辨識裝置的特徵為，前述夾具最好具 · 備有前述惰性氣體的灌入孔。 此外，本發明的辨識裝置的特徵為，前述惰性氣體最 好係由氮氣所形成。 此外，本發明的辨識裝置的特徵為，前述照明最好是 設在前述鏡筒部下方的環狀照明。 此外，為解決上述課題，本發明之辨識裝置係具備 有：具有加熱功能的基板載置台；於前述基板載置台上覆 蓋作業區域的覆蓋物；設於前述覆蓋物上方的作業孔；設 於前述作業孔上方的照明；以及設置於前述照明上方所具 備之鏡筒内的圖案辨識用相機；藉由至少在前述照明上端 ® 或是照明上端至下端之任一位置上設置透明的遮蔽蓋，可 防止灌入於前述覆蓋物内的惰性氣體藉由前述基板載置台 加熱後：而產生的上升氣流的波動侵入至前述照明内。 此外，為解決上述課題，本發明之搭接裝置係具備
313704.ptd 第9頁 538656 五、發明說明（5) ' 有：具有加熱功能的基板載置台；在前述基板載置台上覆 蓋作業區域的覆蓋物；設於前述覆蓋物上方的作業孔；設 於前述作業孔上方的照明；以及設置於前述照明上方所具 備之鏡筒内的圖案辨識用相機；藉由至少在前述照明下端 設置透明的遮蔽蓋，可防止灌入於前述覆蓋物内的惰性氣 體藉由前述基板載置台加熱後而產生的上升氣流的波動侵 入至前述照明内，並在前述圖案辨識用相機進行辨識後， 使前述毛細管移動至前述作業孔上，再藉由前述作業孔進 行搭接。 本發明的搭接裝置的特徵為，最好在由前述覆蓋物與鲁 前述基板載置台所形成的空間内充滿前述惰性氣體。 此外，本發明的搭接裝置的特徵為，前述惰性氣體最 好係由氮氣所形成。 此外，本發明的搭接裝置的特徵為，前述照明最好是 設在前述鏡筒部下方的環狀照明。 此外，為解決上述課題，本發明之搭接裝置係具備 有：具有加熱功能的基板載置台；在前述基板載置台上覆 蓋作業區域的覆蓋物；設於前述覆蓋物上方的作業孔；設 於前述作業孔上方的照明；設於前述照明側面的毛細管； 以及設置於前述照明上方所具備之鏡筒内的圖案辨識用相 ® 機；藉由至少在前述照明上端或是照明上端至下端之任一 位置上設置透明的遮蔽蓋，可防止灌入於前述覆蓋物内的 惰性氣體藉由前述基板載置台加熱後而產生的上升氣流的 波動侵入至前述照明内，並在前述圖案辨識用相機進行辨
313704,ptd 第10頁 538656 五、發明說明（6) · 識後，使前述毛細管移動至前述作業孔上，再藉由前述作 業孔進行接合。 扯L外，為解決上述課題，電路裝置的製造方法係包括 有··備有多數之搭載部以及將引線集成於小面積的導電圖 案，並準備用來將電路元件固定在前述各搭載部的塊狀基 板的步驟；於完成在基板載置台上將前述基板組裝在所有 的前述搭載部的時間内載置前述塊狀基板的步驟；藉由加 熱功能加熱前述基板載置台，使覆蓋物内充滿惰性氣體的 步驟；藉由至少在照明下端設置透明的遮蔽蓋，以防止灌 入於前述覆蓋物内的惰性氣體藉由前述基板載置台加熱後 _ 而產生的上升氣流的波動侵入至前述照明内，並藉由設置 在鏡筒内的辨識用相機辨識前述各搭載部的前述電路元 件，以進行前述各搭載部的前述電路元件與前述導電圖案 的引、線接合的步驟。 本發明之電路裝置的製造方法，前述遮蔽蓋最好係由 透明的薄膜或是透明的基板所構成。 此外，本發明之電路裝置的製造方法，前述惰性氣體 最好係由氮氣所形成。 此外，本發明之電路裝置的製造方法，前述電路元件 係固定有半導體裸晶片’或晶片電路零件的任一^者或是兩 者。 此外，為解決上述課題，電路裝置的製造方法係包括 有··備有多數之搭載部以及將引線集成於小面積的導電圖 案，並準備用來將電路元件固定在前述各搭載部的塊狀基
313704.ptd 第11頁 538656 五、發明說明（7) ’ 板的步驟；於完成在基板載置台上將前述基板組裝在所有 的前述搭載部的時間内載置前述塊狀基板的步驟；藉由加 熱功能加熱前述基板載置台，使覆蓋物内充滿惰性氣體的 步驟；藉由至少在照明上端或是照明上端至下端之任一位 置上言曼置透明的遮蔽蓋，以防止灌入於前述覆蓋物内的惰 性氣體藉由前述基板載置台加熱後而產生的上升氣流的波 動侵入至前述照明内，並藉由設置在鏡筒内的辨識用相機 辨識前述各搭載部的前述電路元件，以進行前述各搭載部 的前述電路元件與前述導電圖案的引線接合的步驟。 [發明之實施形態] _ 關於本發明之辨識裝置、搭接裝置以及電路裝置的製 造方法，首先，針對第1實施形態進行詳細說明。 首先，參照第1圖至第3圖說明本發明之辨識裝置以及 搭接裝置。 在本發明之實施形態中，係由辨識裝置與搭接裝置進 行連動，而形成一台具備有辨識裝置的搭接裝置21。 如第1圖所示，搭接裝置2 1的主要構造係由：載置台 22;於載置台22上覆蓋作業區域的覆蓋體23;設置於覆蓋 體23上面的作業孔24 ;設置於作業孔24上方的環狀照明 2 5 ;設置在環狀照明2 5側面的接合臂2 6 ;設於接合臂2 6前 ® 端部的毛細管2 7 ;設於毛細管2 7附近的喷燈2 8 ;設於環狀 照明2 5上方的鐘：筒2 9 ;以及未圖示之設置在鏡筒2 9内的辨 識相機所形成。 接下來，在說明各個構造的特徵的同時，並於其後說
313704.ptd 第12頁 ：>獨56
首 34，為 而具備 蓋物23 維持在 接 份，係 上面， 構成該 例如以 照作業 作業孑L 作業孔 合0 了藉由蔣。2 2上載置具有多數搭載部的引線架 加熱器30 1 Ϊ架34予以加熱，以提升引線接合性， 所構成的：ΐΐϋ由該加熱器30，由载置台22及覆 例如工間内，可在引線接合步驟進行時， 著 左右的高溫狀態。 由在第1圖中雖未顯示，但是覆蓋物2 3的一部 夹具60 (請參照第12圖）所形成，將該夾具6〇的 歹】如以不銹鋼製板6 7 (請參照第1 2圖）作成蓋狀以 覆蓋物2 3。然後由夾具6 〇將作為惰性氣體的氮氣， 4公升/分的份量灌入於覆蓋物23内。該灌入量可依 用途進行變更。此外，在覆蓋物23的上面部設置有 2 4。作業孔2 4例如作成5 mmX 3 2mm的大小，在藉由該 2 4進行引線接合步驟時，進行圖案辨識、及引線接
在此，在引線架3 4上，例如，搭載部係以1 〇行5列形 成一個集合單元，該集合單元係形成有多數個。而作業孔 24的大小，係相對於一個集合單元，例如2行分的2〇個搭 載"卩可由上部進行辨識的大小。如後述一般，該作業孔2 4 係被=用於圖案辨識。此外，該作業孔24的大小並無特殊 的規足’可根據搭接裝置2 1的辨識圖案方法等，配合每次 的作業目的來決定其大小。 接著’說明環狀照明2 5以及鏡筒2 9。在環狀照明2 5上 方設有鏡筒29。藉由作業孔24，受到環狀照明25照射的引
538656 五、發明說明（9) · 線架34與半導體元件35可由反射率的不同進行辨識。藉由 設置在鏡筒2 9内的辨識相機來辨識該反射光，可在引線架 3 4上進行圖案辨識。此時，藉由使用環狀照明2 5作為照明 而能夠毫無偏差地對引線架、半導體元件進行照射，並且 在不會產生陰影的情況下進行更精密的圖案辨識。此外， 圖中雖未顯示，但是鏡筒29係在途中與載置台22表面形成 9 0度的曲折，而在該曲折部前端則設置有辨識相機。此 外，在該曲折部中，設置有與載置台22表面形成45度角度 的鏡，藉由該構造可進行圖案辨識。 此外，在具備有本發明之特徵之辨識裝置的搭接裝置 2 1中，在上述之環狀照明2 5之上下端以及鏡筒2 9下端設置 有遮蔽蓋3卜32，33。該遮蔽蓋31，32，33係由透明的薄 膜或透明的玻璃板等所製成，即使設置於環狀照明2 5的上 下端以及鏡筒29下端也不會妨礙到圖案的辨識。 該遮蔽蓋31，32，33的作用，主要在防止因從作業孔 2 4流出的氮氣與室溫產生溫差而形成的陽炎3 7侵入至環狀 照明2 5以及鏡筒2 9内。而陽炎3 7會在下列作業中產生。首 先氮氣會以例如4公升/分的量灌入於覆蓋體2 3内。另一方 面，藉由組裝在載置台22中的加熱器30可將覆蓋體内的溫 度維持在例如2 3 0 °C。之後，被灌入的氮氣，例如7 0 °C的 氮氣，可藉由該加熱器30加熱至230 °C。 此外，被加熱的氮氣會從作業孔2 4流出至外部，此時 的室溫例如為2 0 °C ，因氮氣與室溫之間的溫差而會產生由 氮氣所形成的陽炎37。其結果，在不使用遮蔽蓋31，32，
313704.ptd 第14頁 538656 五、發明說明（ίο) ， 3 3的情況下，環狀照明2 5内會產生陽炎3 7，並在通過環狀 照明2 5内部時會產生波動，而導致辨識相機辨識精確度的 惡化，並降低引線接合的精確度。 但是，在本發明中，如第3圖所示，係在環狀照明2 5 的上下端以及鏡筒29下端設置遮蔽蓋31，32，33。藉此， 尤其可利用環狀照明2 5下端的遮蔽蓋3 1，防止環狀照明2 5 與作業孔24之間的陽炎37侵入至環狀照明25内。另一方 面，環狀照明25上端的遮蔽蓋32以及鏡筒29下端的遮蔽蓋 3 3，除了可防止陽炎3 7侵入環狀照明2 5與鏡筒2 9内之外， 尚可防止鏡筒2 9内的灰塵落入環狀照明2 5或堆積在環狀照 _ 明25内。其結果，具備本發明之辨識裝置的搭接裝置21， 即使引線架長時間載置在載置台上也不致於產生氧化，而 能夠在引線接合步驟中充填氮氣。 此外’在覆蓋物内經加熱的氮氣經由作業孔24流出至 外部時與室溫之間的溫差所產生的陽炎3 7，即使在環狀照 明25的周圍產生，也可以藉由遮蔽蓋31，32，33來防止其 侵入至環狀照明2 5内，因此可藉由辨識相機精確地進行達 到// m位階的圖案辨識，藉此，可高精確度地進行引線接 合。 此外’由於在環狀照明2 5的上下端以及鏡筒2 9下端設 _ 置有遮蔽蓋3 1，3 2，3 3，因此灰塵等部不會堆積在環狀照 明25下端的遮蔽蓋31中，並可高精確度地藉由辨識相機進 行圖案辨識以及引線接合。 此外’當引線架3 4表面產生氧化時，例如，由於僅能
313704.ptd 第15頁 538656 五、發明說明（11) ’ 對應至1 5 0 t的氧化防止劑膜會剝落而降低與樹脂間的結 合性，本發明係可處理該種問題，並提升耐濕性，耐剝離 性的弓！線搭接裝置。 炎匕外，在本實施例中，雖說明了在環狀照明2 5的上下 端以及鏡筒2 9的下端設置遮蔽蓋3 1，3 2，3 3的情形，但並 非限定於此，只要至少在環狀照明2 5下端設置遮蔽蓋3 1即 可獲得上述效果。 it匕外，雖未顯示於圖中，但是在距離環狀照明2 5、鏡 筒2 9稍遠的位置上，配置有例如圓筒狀的送風裝置，藉由 該裝置的送風可防止於鏡筒29内產生陽炎37。 _ 最後，針對接合臂2 6、毛細管2 7以及喷燈2 8進行說 明。如第2圖所示，在圖案辨識後，環狀照明2 5以及接合 臂26、毛細管27會移動，而毛細管27會定位於作業孔24上 方。之後，根據由辨識相機所得之資料進行引線接合，而 毛細管27則從作業孔24侵入至覆蓋體23内，並進行半導體 元件的電極銲墊與所希望之電極圖案的引線接合。此時， 由喷燈2 8進行針腳式接合，並在切斷之金屬細線的前端形 成球狀。 此外，在本實施例中，雖詳細說明了引線接合，但在 具有光學性辨識裝置的晶粒接合等亦可獲得相同的效果。β 此外，並非限定僅能載置於引線架上，只要是必須防止後 述之導電箔等的氡化者均可獲得相同的效果。此外，在對 金屬基板、印刷基板、陶瓷基板等進行晶粒接合或引線接 合時，或是在可部分塗布焊錫部分的裝置上，只要是具有
313704.ptd 第16頁 538656 五、發明說明（12) 光學十生辨識裝置者均可應用。 接著，參照第7至第1 6圖來說明本發明之電路裝置的 製造方法。 首先，本發明的第1步驟，如第7圖至第9圖所示，係 準備導電箔50，至少在不包括形成有多數電路元件42的搭 載部的導電圖案4 1的區域的導電箔5 0上，藉由蝕刻形成比 導電箔5 0之厚度淺的分離溝5 1，並形成導電圖案41。 在本步驟中，首先如第7圖（A)所示，先準備薄板狀的 導電箔5 0。該導電箔5 0係在考慮焊材的附著性、接合性、 電鍍+生的情況下選擇材料，在材料方面，係採用以Cu為主 材料的導電箔，以A1為主材料的導電箔或是由Fe-Ni等合 金所形成的導電箔等。 為考慮之後的蝕刻，導電箔的厚度乃以1 0 // m至3 0 0 // m為佳，在本發明中係採用7 0 // m ( 2盎司）的銅箔。但基 本上高於300/zm或低於10//m亦無妨。如後述一般，只要 能夠形成比導電箔5 0的厚度淺的分離溝5 1即可。 此外，薄板狀的導電猪50，係以預定的寬度例如45mm 預先捲成圓筒狀，可將該圓筒狀導電箔搬送至後述之各步 驟，或是將切成預定大小的窄長形的導電箔5 0搬送至後述 的各步驟中亦可。 具體而言，如第7圖（B)所示，在窄長形的導電箔50上 間隔#Μ列複數個（在此為4至5個）形成有多數搭載部的方 塊5 2。在各方塊5 2之間設有開縫5 3，以吸收在膜塑步驟等 的加熱處理中所產生的導電箔5 0的應力。此外，在導電箔
313704.ptd 第17頁 538656 五、發明說明（13) ' 5 0的兩侧以一定的間隔設置定位孔5 4，用於各步驟中之定 位。 接著，形成導電圖案。 首先，如第8圖所示，在Cu箔5 0上，形成光阻劑（耐 蝕刻遮罩）PR，並以露出除了作為導電圖案4 1的區域以外 的導電箔50之方式將光阻劑PR予以圖案化。然後，如第9 圖（A )所示，藉由光阻劑PR選擇性地蝕刻導電箔5 0。 在本步驟中，為了使藉由蝕刻而形成的分離溝5 1的深 度均一且具高精確度，如第9圖（A)所示，使分離溝5 1的開 口部朝下，而從設置在導電箔50下方的蝕刻液之供給管70 # 朝上方噴淋蝕刻液。其結果，使接觸到蝕刻液的分離溝5 1 的部分受到蝕刻，而蝕刻液並不會滯留在分離溝5 1内而會 立即#Μ出，因此分離溝5 1的深度可藉由蝕刻處理時間而控 制，以形成均勻且具高精確度的分離溝5 1。此外，蝕刻液 主要係採用氣化第二鐵或是氯化第二銅。 第9圖（Β)顯示具體的導電圖案41。本圖係將第7圖（Β) 所示之方塊5 2的其中一個予以放大。虛線所示部分為一個 搭載部5 5，並構成導電圖案4 1，一個方塊5 2中，係以5行 1 0列的矩陣狀配列有多數個搭載部5 5，各搭載部5 5均設置 同一導電圖案41。在各方塊的周圍設有框狀的圖案56，在 ® 稍微偏離該圖案的内側中則設有切割時所使用的定位標記 5 7。樞狀的圖案5 6係使用在與膜塑模具的嵌合上，此外， 導電箔5 0的背面在蝕刻後具有補強絕緣性樹脂4 0的功能。 接著，本發明的第2步驟，如第1 0圖所示，係在所希
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五、發明説明（14) 望之導電圖案51的各搭载部55上固定有電路元件42。 電路元件42係電晶體、二極體、ic晶片等半導體元 件’晶片電容器’晶片阻抗等被動元件。此外雖然厚度备 增加，但亦可安裝CSP，BGA等面朝下的半導體元件。 曰 在此，電晶體裸晶片42 A係在導電圖案4 1 A上進行晶粒 接合’而晶片電容器或是被動元件4 2 B係以焊錫等焊材或 導電漿45B予以固定。 $ 接著，作為本發明之電路裝置的特徵的第3步驟如第 1 1圖及第1 2圖所示，係將各搭載部5 5的電路元件4 2的電極 與所希望之導電圖案41予以引線接合。 在本步驟中’係使用具備第1圖所示之辨識裝置的搭 接裝置2 1進行引線接合。然後，在搭接裝置2 1的載置台2 2 上’如苐12圖（A)所示’設置失具60，藉由夾具60可固定 導電箔50的方塊52的周端，以將導電箔50密接在載置台22 表面的加熱單元64。 然後，透過作業孔24並藉由鏡筒29内的辨識相機對固 定在加熱單元64上的導電箔50進行圖案辨識。在圖案辨識 後，如第11圖所示，藉由熱壓接的球形接合以及超音波的 楔形接合，進行方塊52内的各搭載部55的射極與導電圖案 41B，以及基極與導電圖案41B的接合。 在此，夾具60係如第12圖（A)所示，具有與方塊52大 致同等大小的開口部6 1，而在與導電箔5 〇抵接的部分則設 有凹凸部63。藉由以凹凸部63固定方塊52的周端，可使方 塊5 2的背面與加熱單元6 4密接。此外，夾具β 〇的内部又設 圓
IHM 313704.ptd 第19頁 538656 五、發明說明（15) 有用來使氮氣流通的通路6 5，6 6。 此外’如第12圖（B)所示，覆蓋體係由夾具6〇與不錄 鋼製板67所構成。該板67係嵌入在夾具上部的凹部68，在 與爽具60的表面呈水平的方向上，可自由地朝與導電猪5〇 的移動方向呈直角的方向移動。此外，在板6?上形成有作 業孔24，該作業孔24係對應於銅箔5〇上的行方向的搭載部 而移動，藉此對方塊52進行圖案辨識及引線接合。口 _ 此外’在本步驟中，方塊52内設有多數搭^部55，係 依照各個方塊52 —併進行引線接合，因此相較於習知的電 路裝置的製造方法，方塊5 2的加熱時間會變長，而導致方 塊52氣化:為解決該項問題，設置有夾具6〇以作為搭接裝 置21的覆蓋物23的一部份，並且在從夾具6〇將氮氣喷淋在 方塊5 2表面的同時，以氮氣充填覆蓋物23内以解決該項問 ，一方面，覆蓋物内係藉由内藏於載置台22的加熱器 3 0功能。，雒持在例如2 3 〇它，此外，被灌入的氮氣，係在 例如7 0。(：下被灌入。接著，氮氣在覆蓋物23内藉由加熱器 3 0加熱至230 °C。氮氣係以例如4公升/分的量被灌入覆蓋 體23 ’再藉由加熱而從作業孔24流出。此時，氮氣為23〇 C :而由於室溫約在例如2 〇它左右，因此會因該溫差而形 成=作業孔24流出的陽炎37。此外，如第3圖所示，流出 的陽火3 7將滯留於環狀照明2 5内，同時又會在通過環狀照 明25内時產生波動，因而降低圖案辨識的精確度。 但是，在本發明的搭接裝置2丨中，係在環狀照明2 5上
538656 五、發明言兒明（16) 下部以及鏡筒29設置有遮蔽蓋31，32，33。、 設在環狀照明25下部的遮蔽蓋3丨來防止陽炎尤1可藉由裝 照明2 5内。藉此，可消除環狀照明2 5内的$日7侵入至環狀 產生波動，並能夠藉由辨識相機以良好的精明因陽炎3 7而 // in位階的圖案辨識，因此也能夠進行高確%確度進行達到 合。其結果，可實現一種電路裝置的製造方又的引線接 如方塊5 2般的小面積集成型的導電圖案， 其係對於 確度的引線接合。 樣可進行高精 此外，如上所述，藉由解決用以防止導从 氧化的氮氣的問題，可在進行引線接合中使用，5 0表面的 此，可消除導電箱50表面的氧化，因此，可用氮氣。藉 50表面氧化，而使可對應至15(rc的氧化防防止因導電箔 落，導致與樹脂40的結合性的惡化。其結果劑膜產生剝 箔50與絕緣性樹脂40的結合面的耐濕性^耐’可提升導電 接著，本發明之第4步驟，如第丨3圖所 離性。 π ， 雜由罐缓 性樹脂4 0進行統一膜塑，俾一併覆蓋各料 9 " ..0 、， 栽部55的電路元 件4 2，亚使之填充於分離溝5 1中，。 在本步驟中，如第13圖（Α)所示，絕緣性樹脂4〇將電 路元件42Α’ 42Β及複數個導電圖案41Α，41C完全覆蓋，而 在導電圖案41間的分離溝5 1中，絕緣性樹脂4〇與所充填的 導電圖案41Α、41Β、41C的側面的彎曲構造相嵌合並穩固 地結合。此外，藉由絕緣性樹脂40可支撐導電圖案。 此外，在衣步驟中，可藉由移轉暝塑、射出成形、或 灌入去來實施。在樹脂材料方面，壞氡樹脂等熱硬化性樹
538656 五、發明説明（π) 脂可矛U用移轉膜塑來實現’而聚醯亞胺樹脂，聚苯醚硫化 物等熱可塑性樹脂則可藉由射出成形來實現。 覆蓋在導電猪5 0表面的絶緣性樹脂4 〇的厚度，係調整 為從電路元件42的接合引線45Α的最頂部覆蓋約1〇0//111左 右的厚度。該厚度可依其強度調整其厚薄。 本步驟的特徵為，在覆蓋絕緣性樹脂4〇之前，係由妒 成導電圖案41的導電落50作為支撐基板，作為支撐基板^ 的導電箔50係電極材料的必要材料。因此具有儘量節省 成材料來進行作業的優點，同時亦能夠實現成本的降低。
此外，因分離溝5 1的深度比導電箔之厚度淺之故， 電镇5 0並不會個別分離成導電圖案41。因此可一併作為薄 板狀的導電箔5 0來使用，且在膜塑絕緣性樹脂4 〇時，於搠 運至模具，或安裝至楔具上的作業極為便利。 、 八齙ΐί 2發明第5步驟，如第14圖所示，係將未設有 刀離溝51的厚度部分的導電荡5〇予以去除。 本^驟係將導電鶴5〇的背面以化學方式及/或物理方 以去除，並作為導電圖案41予以分離。本步驟係利用 ^、研削、蝕刻、雷射的金屬蒸發來實施。
_在^實驗，中’係利用研磨裝置或研削裝置對整面進行約 φ二瓜、研削，而使絕緣性樹脂40從分離溝5 1露出。所露 白、面在第；[3圖（A )中係以虛線表示。其結$，形成約 =^度，導電圖案41而分離。此外，亦可在露出絕緣 朴二曰之刖，對導電箔5 0進行整面性濕性蝕刻，之後萄 猎研磨或研削裝置進行整面研削而使絕緣性樹脂4 〇露
313704.ptd 第22頁 五、發明說明 出。jt匕外 示之位置 其結 面的才冓造 與導電圖 本發明的 力直接朝 另外 示之最終 覆蓋焊錫 其次 緣性樹脂 測定。 在前 電箔5 0切 電箔5 0的 以機械方 各方 背面，而 配列。將 樹脂4 0露 元件4 2的 則利用磁 在本 (18) ，也可 ，以露 果，會 。亦即 案41的 電路裝 水平方 ’進行 構造。 等導電 ’本發 40—併 以將導 出絕緣 形成在 ，充填 表面， 置42具 向移動 導電圖 亦即， 材，以 明之第 膜塑的 ::中’係在進行導電箔5〇的背面蝕 剩#2塊52。該方塊52係利用絕緣性 餘郃分進行連接，因此無須使用切 式從導電箔50的殘餘部剝離。 塊5+2的背面如第1 5圖所示，露出有導 各搭载部55在形成導電圖案41時係同 探針（probe) 58抵接於從該導電圖案4 出的背面電極46，以分別測定各搭載 特性參數等，並進行其良劣的判定， 性墨水予以標示。 步驟中，各搭載部5 5的電路裝置43係 電H ς Λ b ϋ予以整面濕性蝕刻至虛線所 改街脂。 於、八性樹脂4 0上露出導電圖案4 1背 备二離溝5 1的絕緣性樹脂4 〇的表面 有也成實質為一致的構造。因此， 、在安裝時可利用焊錫等的表面張 以自行調整的特徵。 ^ 4 1的背面處理，而獲得第1 4圖所 艮據需要在所露出的導電圖案41上 开）成電路裝置。 6步驟’如第1 5圖所示，係對以絕 各搭載部5 5的電路元件4 2進行特性 刻後，由導 樹脂4 0與導 斷模具而能 電圖案4 1的 樣以矩陣狀 1的絕緣性 部5 5的電路 對於不良品 利用絕緣性
樹脂4 0 —體支撐於各個方塊5 2，因此 因此’放置在測定器的載置台的方 不會個別散開分離。 寸大小如箭號所示一般朝縱方向及产5 2會以搭載部5 5的尺 因此可非常快速地大量進行方塊52二方向進行間距設定， 置43的測定。換言之，由於可省略在各搭載部55的電路裝 襄置的表裏判別及電極位置的辨識，以往必須執行的電路 時間。 σ ’因此可大幅縮短測定 接著，本發明的第7步驟，如第丨6㈢ 载部5 5藉由切割來分割絕緣性樹脂4 〇。w 在本步驟中， 載置台上，再利用 切割分離溝5 1的絕 4 3° 係利用真空將方塊 切割板5 9沿著各搭 緣性樹脂4 0，以分 所示，係在各搭 5 2吸附到切割裝置的 载部5 5間的切割線5 8 割為個別的電路裝置
步驟中 深度進 行格塊 置的各 並以此 向進行 進行橫 上述製 ，在本 形成集 形，對 ，切割 行切割 分割即 方塊的 為基準 所有的 方向的 造步驟 發明的 合單元 於如引 在本 4 0的切削 以滾輪進 驟中所設 標諸、5 7 ^ 係朝縱方 載置台以 輪由 此外 導電箔上 於該種情 板5 9係利用 ，從切割裝 可。在切割 周邊框狀圖 進行切割。 切割線5 8的 切割線5 8之 ，完成電路 電路裝置的 的情形加以 線架等由導 置中取出方 時’預先辨 案5 6内側相 如一般所知 切割後，再 切割。 裝置43。 製造方法中 説明，但並 電構件所形 絕緣性樹脂 塊5 2後，再 識在第1步 對向之定位 ，切割作業 以9 0度旋轉 ，雖針對在 不特別限定 成的基板亦
313704.ptd 第24頁 538656 五、發明說明（20) 可獲4导相同效果。此外，並不限定於電路裝置的製造方 法，在半導體的製造方法中亦可獲得相同效果。其他，在 不脫離本發明的要旨的範圍内，可進行各種變更。 接著，關於本發明的辨識裝置、搭接裝置以及電路裝 置的製造方法，以第2實施形態詳細說明。另外，由於電 路裝置的製造方法係藉由與第1實施形態相同的方法進 行，因此省略其說明。 關於本發明的辨識裝置以及搭接裝置，參照第4圖至 第6圖進行說明。 在本發明的實施形態中，辨識裝置與搭接裝置產生連 動，而形成具備一台辨識裝置的搭接裝置121。 如第4圖所示，搭接裝置121的主要構造係由：載置台 122、在載置台1 22上覆蓋作業空間的覆蓋物123、設置在 覆蓋物1 2 3上面的作業孔1 2 4、設置在作業孔1 2 4上方的環 狀照明1 2 5、設置在環狀照明1 2 5側面的接合臂1 2 6 '設置 在接合臂1 2 6前端部的毛細管1 2 7、設在毛細管1 2 7附近的 喷燈1 2 8、設置在環狀照明1 2 5上方的鏡筒1 2 9、及未圖示 之設置在鏡筒1 2 9内的辨識相機所形成。 接著，一面說明各個構造的特徵，一面於後說明其動 作。 首先，載置台122載置有具有多數搭載部的引線架 134，為了藉由加熱引線架134來提升引線接合性而具備有 加熱器130的功能。藉由該加熱器130，在由載置台122與 覆蓋物1 2 3所構成的作業空間内，可在進行引線接合的步
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五、發明説明（21) 驟中’維持在例如2 3 〇 °c左右的高溫狀態。 換著’雖未顯示於第4圖中，但是覆蓋物1 23的—部 係由夾具60 (參照第12圖）所形成，例如利用不銹^ : 67 (參照第12圖）蓋住該夾具6〇上面，以構成該覆蓋2板 1 2 3。從爽具6 0朝覆蓋物i 2 3内灌入例如4公升/分的氮貪^ 作為惰性氣體。其灌入量可依照作業用途予以變更。$ ^ 蓋物1 2 3上面設置有作業孔丨2 *。作業孔丨2 4的大小，例如复 以5mm X32mm的大小形成，藉由該作業孔124可在進行 接合步驟時，實行圖案辨識、引線接合。 、
在此’在引線架1 3 3上，例如以1 0行5列將搭载部作成 一個集合單元’並形成複數個集合單元。而作業孔124的 大小，係相對於一個集合單元，例如2行分的2 0個搭载部 可由上部可進行辨識的大小。於後將說明，該作業孔丨2 4 可活用在圖案辨識等。此外，關於該作業孔1 2 4的大小， 並無特別的規定，可藉由搭接裝置1 2 1的辨識圖案方法 等，依照每次作業目的而決定。 接著，由於環狀照明1 2 5以及鏡筒1 2 9，與第1實施形 態相同，故請參照第1實施形態之說明而在此省略其說 明。
捿著，具備本發明之特徵的辨識裝置的搭接裝置 1 2 1，係在上述環狀照明1 2 5上端以及鏡筒1 2 9下端設置遮 蔽蓋131、132。該遮蔽蓋131、132係由透明的薄膜或透明 的玻板等所形成，即使設置在壞狀知明上^以及鏡 筒129下端也不會妨礙圖案辨識。
313704.ptd 第26頁 538656 五、發明彭t明（22) 該遮蔽蓋131，132的作用，主要是在防止因從作業孔 1 2 4流出的氮氣與室溫之溫差而產生的陽炎1 3 6侵入至環狀 照明1 2 5以及鏡筒1 2 9内。而陽炎1 3 6係經由以下作業而產 生。'先，於覆蓋物123内灌入有例如4公升/分的氣氣。 另一方面，藉由組裝在載置台122上的加熱器130，可將覆 蓋物内部維持在例如2 3 0 °C。之後，被灌入的氮氣例如為 7〇 °C ，而藉由該加熱器所產生的熱將該氮氣加熱 〇C。 t後，被加熱的氮氣會從作業孔1 2 4流出至外部’此 時室溢例如為2 0 °C之故，導致氮氣與室溫產生溫差而產生 了由氣氣所形成的陽炎136。其結果，在不使用遮蔽蓋 i 3 1、1 3 2的情況下，由於環狀照明1 2 5内產生陽炎1 3 6 ’且 在通過環狀照明1 2 5内時會產生波動，因而使辨識相機的 辨識積確度惡化’並降低引線接合的精確度。 但是，在本發明中，如第6圖所示，在環狀照明1 2 5上 端以及鏡筒1 2 9下端設置有遮蔽蓋1 3 1、1 32。藉此，特別 是藉由設在環狀照明1 2 5上端的遮蔽蓋1 3 1，環狀照明1 2 5 與作業孔1 2 4之間的陽炎1 3 5雖會在一開始侵入至環狀照 明，但可防止陽炎通過其間。另一方面，在鏡筒129下端 的遮蔽蓋132，除了可防止陽炎135侵入鏡筒129内之外， 亦可防止灰塵從鏡筒1 2 9内掉落至環狀照明1 2 5。其結果， 具備本發明之辨識裝置的搭接裝置1 2 1，可在引線接合步 驟中充填氮氣’俾使引線架即使長時間載置在載置台上也 不會產生氧化。
第27頁
538656 五、發明言兒明（23) 此外，在覆蓋物2 3内被加熱的氮氣經由作業孔1 2 4流 奚外咅卩時與室溫產生溫差而產生的陽炎135，會產生於環 狀照明125周圍。陽炎135最初會藉由遮蔽蓋而侵入至 環狀照明125内，但是當陽炎135充滿於環狀照明125時， 陽炎1 3 5將無法繼續侵入。其結果’可防止陽炎1 3 5持續性 地侵7、、至環狀照明1 2 5内，並防土其通過環狀照明1 2 5内。 藉此，雖未在環狀照明1 2 5下端設置遮蔽蓋，亦可獲得與 設置遮蔽蓋的情形相同的效果，旅可藉由辨識相機以達到 # m位階的高精確度之圖案辨識，藉此，同樣可進行高確 度的弓丨線接合。 此外，當引線架1 3 3表面產生氧化時，由於例如可對 應至1 5 0 °C的氧化防止劑膜會產生剝落，因而導致與樹脂 的結合性降低的問題，本發明之搭接裝置不僅可解決上述 問題，同時亦可提升耐濕性、耐剝離性。 J：匕外，在本實施例中，雖說明在環狀照明1 2 5上端以 及鏡筒1 2 9下端設置遮蔽蓋丨3 1、1 3 2的情形，但無須特別 限定，至少在環狀照明1 2 5上端設置遮蔽蓋1 3 1即可獲得上 述效。 此外，在上述第2實施形態中，雖說明在環狀照明1 2 5 上端設置遮蔽蓋1 3 1的情形，但無須特別限定於本實施形 態。舉例而言，只要將遮蔽蓋1 3丨設置在環狀照明1 2 5内的 上端至下端的任何一處，即可獲得與上述效果相同的效 果。 最後，關於接合臂1 2 6、毛細管1 2 7以及喷燈1 2 8，由
313704.ptd 第28頁 538656 五、發明說明（24) 於係與第1實施形態相同，因此請參照第1實施形態的說明 而在匕省略其說明。 炎匕外，在本實施例中，雖詳細說明引線接合，但對於 具有光學性辨識裝置的晶片接合等亦可獲得同等之效果。 另外，並不限定載置在引線架，只要是必須防止後述之導 電箔等的氧化的物件即可獲得同等之效果。此外，在進行 金屬基板、印刷基板、陶瓷基板等的晶片接合、引線接合 時，或是在局部塗布焊錫部分的裝置中，只要是具有光學 性辨識裝置者均可應用。 [發明之效果] +艮據本發明之辨識裝置，其係具備有：具有加熱功能 的基+ 反載置台；於前述基板載置台上覆蓋作業區域的覆蓋 物；設於前述覆蓋物上面的作業孔；設於前述作業孔上方 的照明；以及設於前述照明上方所具備之鏡筒内的圖案辨 識用相機。而且，灌入於前述覆蓋體内的惰性氣體，藉由 前述基板載置台加熱後，而從前述作業孔喷出至外部時， 會因與室溫產生溫差而發生波動，而造成前述波動滯留在 前述照明内及其周邊。但是，本發明之辨識裝置，因為在 前述照明上下端以及前述鏡筒下端設置有遮蔽蓋，因此可 防止前述波動侵入前述照明内。藉此，在前述照明内不會 因前述波動而產生照明晃動，因此可提升前述圖案辨識用 相機的辨識精確度。 比外，根據本發明之搭接裝置，其係具備有：具有加 熱功能的基板載置台；於前述基板載置台上覆蓋作業區域
313704.ptd 第29頁 538656 五、發明說明（25) 的覆蓋物；設於前述覆蓋物上面的作業孔；設於前述作業 孔上方的照明；設於前述照明側面的毛細管；以及設於前 述照明上方所具備之鏡筒内的圖案辨識用相機。而且，灌 入於前述覆蓋體内的惰性氣體，藉由前述基板載置台加熱 後，而從前述作業孔流出至外部時，會因為與室溫產生溫 差而發生波動。特別是可藉由設置在前述照明下端的遮蔽 蓋防止前述波動侵入前述照明内，並利用前述圖案辨識用 相機進行辨識。之後，使前述毛細管移動至前述作業孔 上，並藉由前述作業孔來進行接合。此時，由於係藉由前 述遮蔽蓋防止前述波動侵入至前述照明内，而使辨識相機 能夠進行高精確度的圖案辨識，故可實現一種能夠進行精 確度達到// m位階的接合之搭接裝置。 此外，根據本發明的電路裝置的製造方法，係藉由使 用上述辨識裝置以及搭接裝置，在引線接合步驟中，由形 成有於小面積上集成多數搭載部的集合單元的導電構件所 製成的基板，即使長時間放置在高溫下也不會產生氧化， 因此可實現一種可提升基板與絕緣性樹脂之結合面的耐濕 性與耐剝離性之電路裝置的製造方法。
313704.ptd 第30頁 538656 圖式簡單說明 [圖式之簡單說明] 第1圖為具備本發明之第1實施形態的辨識裝置的搭接 裝置白勺說明圖。 第2圖為具備本發明之第1實施形態的辨識裝置的搭接 裝置的說明圖。 第3圖為具備本發明之第1實施形態的辨識裝置的搭接 裝置的概略性說明圖。 第4圖為具備本發明之第2實施形態的辨識裝置的搭接 裝置的說明圖。 第5圖為具備本發明之第2實施形態的辨識裝置的搭接 裝置白勺說明圖。 第6圖為具備本發明之第2實施形態的辨識裝置的搭接 裝置的概略說明圖。 第7圖（A)及（B)為本發明之第1及第2實施形態的電路 裝置的製造方法的說明圖。 第8圖為本發明之第1及第2實施形態的電路裝置的製 造方 >去的說明圖。 第9圖（A)及（B)為本發明之第1及第2實施形態的電路 裝置的製造方法的說明圖。 第1 0圖（A)及（B)為本發明之第1及第2實施形態的電路 裝置的製造方法的說明圖。 第1 1圖（A)及（B)為本發明之第1及第2實施形態的電路 裝置的製造方法的說明圖。 第1 2圖（A )及（B)為本發明之第1及第2實施形態的電路
313704.ptd 第31頁 538656 圖式簡單說明 裝置的製造方法的說明圖。 第1 3圖（A)及（B)為本發明之第1及第2實施形態的電路 裝置的製造方法的說明圖。 第1 4圖為本發明之第1及第2實施形態的電路裝置的製 造方}去的說明圖。 第1 5圖為本發明之第1及第2實施形態的電路裝置的製 造方 >去的說明圖。 第1 6圖為本發明之第1及第2實施形態的電路裝置的製 造方 >去的說明圖。 第1 7圖為具備習知辨識裝置的搭接裝置的說明圖。 [符號說明] 引線架 毛細管 喷燈 搭接頭驅動部 晶片 1 加熱單元 3 接合臂 5 引線 7 引線接合位置辨 9 局部加熱裝置 21、 121具備辨識裝置的 22、 1 22載置台 2 4、1 2 4作業孔 2 6、1 2 6接合臂 28、1 28喷燈 30 > 1 30加熱器 31、3 2、33、131、132 34、1 33、134 2 4 6 識部 8 10 搭接裝置 23、123覆蓋物 2 5、1 2 5環狀照明 27、127毛細管 29 、 129鏡筒 遮蔽蓋 引線架
313704.ptd 第32頁 538656
圖式簡單說明 37、 1 35 ^ 136 陽 炎 40 絕 緣 性 樹脂 41、 4 1 A 、41B 41C 導 電 圖 案 42 電路 元 件 43 電 路 裝 置 45 接合 引 線 46 背 面 電 極 50 導電 箔 51 分 離 溝 52 方塊 53 開 縫 54 定位 孔 55 搭 載 部 58 探針 59 切 割 板 60 夾具 63 凹 凸 部 64 加熱 單 元 6 5' 66 通 路 67 板 313704.ptd 第33頁

Claims (1)

  1. 538656 六、申請專利範圍 1. 一種辨識裝置，係具備有：具有加熱功能的基板載置 台； 於前述基板載置台上覆蓋作業區域的覆蓋物；設 於前述覆蓋物上方的作業孔；設於前述作業孔上方的 照明；以及設於前述照明上方所具備之鏡筒内的圖案 辨識用相機，其特徵為： 藉由至少在前述照明下端設置透明的遮蔽蓋，可 防止灌入於前述覆蓋物内的惰性氣體因前述基板載置 台加熱而產生的上升氣流波動侵入至前述照明内。 2. 如申請專利範圍第1項之辨識裝置，其中，前述遮蔽蓋 係裝設在前述鏡筒的下端。 3. 如申請專利範圍第1項或第2項之辨識裝置，其中，前 述遮蔽蓋係由透明的膜片或是透明的基板所製成。 4. 如申請專利範圍第1項之辨識裝置，其中，在由前述覆 蓋物與前述基板載置台所形成的空間内灌入有前述惰 性氣體。 5. 如申請專利範圍第1項或第4項之辨識裝置，其中，前 述覆蓋物的一部份係藉由夾具而形成。 6. 如申請專利範圍第5項之辨識裝置，其中，前述夾具具 備有前述惰性氣體灌入孔。 7. 如申請專利範圍第1項之辨識裝置，其中，前述惰性氣 體孫由氮氣所形成。 8. 如申請專利範圍第1項之辨識裝置，其中，前述照明係 設置於前述鏡筒部下方的環狀照明。
    313704.ptd 第34頁 538656 六、申請'利範圍 9. 一種辨識裝置，係具備有：具備加熱功能的基板載置 台；於前述基板載置台上覆蓋作業區域的覆蓋物；設 於前述覆蓋物上方的作業孔；設於前述作業孔上方的 照明；以及設於前述照明上方所具備之鏡筒内的圖案 辨識用相機其特徵為： 藉由至少在前述照明上端或是照明上端至下端之 任一位置上設置透明的遮蔽蓋，可防止灌入於前述覆 蓋物内的惰性氣體因前述基板載置台加熱而產生的上 升氣流的波動侵入至前述照明内。 10. 如申請專利範圍第9項之辨識裝置，其中，前述遮蔽蓋 係裝設在前述鏡筒的下端。 11. 如申請專利範圍第9項或第10項之辨識裝置，其中，前 述遮蔽蓋係由透明的膜片或是透明的基板所製成。 12. 如申請專利範圍第9項之辨識裝置，其中，在由前述覆 蓋物與前述基板載置台所形成的空間内灌入有前述惰 性氣體。 13. 如申請專利範圍第9項或第12項之辨識裝置，其中，前 述覆蓋物的一部份係藉由夾具而形成。 14. 如申請專利範圍第13項之辨識裝置，其中，前述夾具 係具備有前述惰性氣體灌入孔。 1 5.如申請專利範圍第9項之辨識裝置，其中，前述惰性氣 體禮由氮氣所形成。 1 6.如申請專利範圍第9項之辨識裝置，其中，前述照明係 設於前述鏡筒部下方的環狀照明。
    313704.ptd 第35頁 538656 六、申請專利範圍 1 7. —種搭接裝置，係具備有：具備加熱功能的基板載置 台：於前述基板載置台上覆蓋作業區域的覆蓋物；設 於前述覆蓋物上方的作業孔；設於前述作業孔上方的 照明；設於前述照明側面的毛細管；以及設於前述照 明上方所具備之鏡筒内的圖案辨識用相機其特徵為： 藉由至少在前述照明下端設置透明的遮蔽蓋，可 防止灌入於前述覆蓋物内的惰性氣體因前述基板載置 台力σ熱而產生的上升氣流波動侵入至前述照明内，並 在前述圖案辨識用相機進行辨識後，使前述毛細管移 動至前述作業孔上，並藉由前述作業孔來進行搭接。 18. 如申請專利範圍第17項之搭接裝置，其中，前述遮蔽 蓋孫由透明的膜片或是透明的基板所製成。 19. 如申請專利範圍第17項之搭接裝置，其中，在由前述 覆蓋物與前述基板載置台所形成的空間内充填有前述 惰性氣體。 2 0.如申請專利範圍第1 9項之搭接裝置，其中，前述惰性 氣體係由氮氣所形成。 2 1.如申請專利範圍第1 7項之搭接裝置，其中，前述照明 係設置於前述鏡筒部下方的環狀照明。 2 2. —種搭接裝置，係具備有：具備加熱功能的基板載置 台：於前述基板載置台上覆蓋作業區域的覆蓋物；設 於前述覆蓋物上方的作業孔；設於前述作業孔上方的 照明；設於前述照明側面的毛細管；以及設於前述照 明上方所具備之鏡筒内的圖案辨識用相機，其特徵為
    313704.ptd 第36頁 538656 六、申請利範圍 藉由至少在前述照明上端或是照明上端至下端的 任一位置上設置透明的遮蔽蓋，可防止灌入於前述覆 蓋物内的惰性氣體因前述基板載置台加熱而產生的上 升氣流波動侵入至前述照明内，並在前述圖案辨識用 相機進行辨識後，使前述毛細管移動至前述作業孔上 ，並藉由前述作業孔來進行搭接。 23. 如申請專利範圍第22項之搭接裝置，其中，前述遮蔽 蓋4系由透明的膜片或是透明的基板所製成。 24. 如申請專利範圍第22項之搭接裝置，其中，在由前述 覆蓋物與前述基板載置台所形成的空間内充填有前述 惰性氣體。 2 5.如申請專利範圍第24項之搭接裝置，其中，前述惰性 氣體係由氮氣所形成。 2 6.如申請專利範圍第22項之搭接裝置，其中，前述照明 係設置於前述鏡筒部下方的環狀照明。 27. —種電路裝置的製造方法，其特徵為包括有：備有多 數之搭載部以及將引線集成於小面積的導電圖案，並 準備用來將電路元件固定在前述各搭載部的塊狀基板 的步驟；於完成在基板載置台上將前述基板組裝在所 有酌前述搭載部的時間内載置前述塊狀基板的步驟； 藉由加熱功能加熱前述基板載置台，使覆蓋物内充滿 惰性氣體的步驟；藉由至少在照明下端設置透明的遮 蔽蓋，以防止灌入於前述覆蓋物内的惰性氣體因前述
    313704.ptd 第37頁 538656 申請專利範圍 基板載置台力口 明内，並藉由 搭截部的前述 電路元件與前 2 8 ·如申請專利範 ’前述遮蔽蓋 成。 2 9 ·如申請專利範 ’前述惰性氣 3 0 ·如申請專利範 ’前述電路元 零件的任一者 31· —種電路裝置 數之搭載部以 準谓用來將電 的步驟；於完 有的前述搭载 藉由加熱功能 惰姓氣體的步 至下端之任何 於前述覆蓋物 後雨產生的上 由敦置在鏡筒 述電路元件， 熱而產生的上升氣流波動侵入至前述照 設置在鏡筒内的辨識用相機辨識前述各 Ϊ Ϊ Π安以進行前述各搭載部的前述 述V電圖案的弓|線接合的步驟。 圍第27項之電路裝置的製造方法，苴 係由透明的膜片或是透明的基板所^ 圍第27項 體係由氮 圍第27項 件係固定 或是兩者 的製造方 及將引線 路元件固 成在基板 部的時間 力口熱前述 驟；藉由 位置上設 内的惰性 升氣流的 内的辨識 以進行前 之電路裝置的製造方法，苴中 氣所形成。 之電路裝置的製造方法，其中 有半V體裸晶片、或晶片電路 〇 法，其特 集成於小 定在前述 載置台上 内载置前 基板載置 至少在照 置透明的 氣體藉由 波動侵入 用相機辨 述各搭載 徵為包 面積的 各搭載 將前述 述塊狀 台’使 明上端 遮蔽蓋 前述基 至前述 識前述 部的前 括有： 導電圖 部的塊 基板組 基板的 覆蓋物 或是照 ’以防 板載置 照明内 各搭載 述電路 備有多 案，並 狀基板 裝於所 步驟； 内充滿 明上端 止灌人 台加熱 ’並藉 部的前 元件與 538656 六、申請專利範圍 前述導電圖案的引線接合之步驟。 32. 如申請專利範圍第31項之電路裝置的製造方法，其中 ，前述遮蔽蓋係由透明的薄膜或是透明的基板所製 成 。 33. 如申請專利範圍第31項之電路裝置的製造方法，其中 ，前述惰性氣體係由氮氣所形成。 34.如申請專利範圍第31項之電路裝置的製造方法，其中 ，前述電路元件係固定有半導體裸晶片、或晶片電路 零件的任一者或是兩者。
    313704.ptd 第39頁
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Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002028590A1 (de) * 2000-10-06 2002-04-11 Pac Tech - Packaging Technologies Gmbh Vorrichtung zur positionierung eines werkzeuges gegenüber einem werkstück
JP2003007759A (ja) * 2001-06-27 2003-01-10 Sanyo Electric Co Ltd 認識装置、ボンディング装置および回路装置の製造方法
JP4711549B2 (ja) * 2001-06-27 2011-06-29 三洋電機株式会社 半導体装置の製造方法
JP4166065B2 (ja) * 2002-09-27 2008-10-15 三洋電機株式会社 回路装置の製造方法
JP4057457B2 (ja) * 2003-04-15 2008-03-05 株式会社ディスコ フリップチップボンダー
US6892927B2 (en) * 2003-04-24 2005-05-17 Intel Corporation Method and apparatus for bonding a wire to a bond pad on a device
KR100555507B1 (ko) * 2003-07-16 2006-03-03 삼성전자주식회사 칩스케일패키지 제조를 위한 박형 인쇄회로기판
JP4043495B2 (ja) * 2006-04-20 2008-02-06 株式会社カイジョー ワーククランプ及びワイヤボンディング装置
US8357998B2 (en) * 2009-02-09 2013-01-22 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Wirebonded semiconductor package
JP4717129B2 (ja) * 2009-05-13 2011-07-06 三洋電機株式会社 半導体装置の製造方法
US8096461B2 (en) * 2009-09-03 2012-01-17 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Wire-bonding machine with cover-gas supply device
US8091762B1 (en) * 2010-12-08 2012-01-10 Asm Assembly Automation Ltd Wedge bonding method incorporating remote pattern recognition system
CN103476285B (zh) 2011-02-17 2017-06-09 耐克创新有限合伙公司 带传感器系统的鞋
CN102259246A (zh) * 2011-07-19 2011-11-30 东莞佰鸿电子有限公司 Led连接线焊接防氧化装置
DE102013201143A1 (de) * 2013-01-24 2014-08-07 Tetiana Nowack Faltbarer Einsatz für Blumenvasen
TWI528481B (zh) * 2014-02-13 2016-04-01 新川股份有限公司 球形成裝置、打線裝置以及球形成方法
CN106463414B (zh) * 2014-03-14 2019-01-15 株式会社新川 接合装置及接合方法
US10475763B2 (en) * 2015-05-26 2019-11-12 Asm Technology Singapore Pte Ltd Die bonding apparatus comprising an inert gas environment
CN107112248B (zh) * 2015-11-05 2021-07-27 古河电气工业株式会社 芯片接合装置以及芯片接合方法
JP2022071993A (ja) * 2020-10-29 2022-05-17 アスリートＦａ株式会社 電子部品接合装置

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62276840A (ja) * 1986-05-26 1987-12-01 Hitachi Ltd ボンデイング装置
JPS6329535A (ja) * 1986-07-22 1988-02-08 Mitsubishi Electric Corp ワイヤボンダ−
JPH0195527A (ja) * 1987-10-07 1989-04-13 Mitsubishi Electric Corp ワイヤボンデイング装置
JPH02112246A (ja) * 1988-10-21 1990-04-24 Hitachi Ltd ボンディング装置
JP2981973B2 (ja) * 1995-05-30 1999-11-22 株式会社新川 ワイヤボンディング装置
JPH09139399A (ja) * 1995-11-16 1997-05-27 Toshiba Electron Eng Corp 画像認識方法、その装置、ワイヤボンダ画像認識方法およびその装置
JP3920413B2 (ja) * 1997-07-18 2007-05-30 株式会社東芝 実装装置及び実装方法
US6234376B1 (en) * 1999-07-13 2001-05-22 Kulicke & Soffa Investments, Inc. Supplying a cover gas for wire ball bonding
JP4711549B2 (ja) 2001-06-27 2011-06-29 三洋電機株式会社 半導体装置の製造方法
JP2003007759A (ja) * 2001-06-27 2003-01-10 Sanyo Electric Co Ltd 認識装置、ボンディング装置および回路装置の製造方法
JP2003037131A (ja) * 2001-07-25 2003-02-07 Sanyo Electric Co Ltd ボンディング装置

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