JP2010098036A - 樹脂ケース及び樹脂ケース製造方法 - Google Patents
樹脂ケース及び樹脂ケース製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010098036A JP2010098036A JP2008266144A JP2008266144A JP2010098036A JP 2010098036 A JP2010098036 A JP 2010098036A JP 2008266144 A JP2008266144 A JP 2008266144A JP 2008266144 A JP2008266144 A JP 2008266144A JP 2010098036 A JP2010098036 A JP 2010098036A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin case
- external connection
- connection terminal
- resin
- nut
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229920005989 resin Polymers 0.000 title claims abstract description 127
- 239000011347 resin Substances 0.000 title claims abstract description 127
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 42
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 16
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 15
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 2
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
- H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
- H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
【解決手段】樹脂ケース41内に表面が突出するように固定されたナット60と、少なくとも一部が折り曲げられ、樹脂ケース40内に一部が固定された外部接続用端子50と、を有した半導体装置1が提供される。半導体装置1では、樹脂ケース40と樹脂ケース41とが一体化している。また、当該半導体装置1では、予め折り曲げられた外部接続用端子50の一部が樹脂ケース40内に固定されているので、ナット60の表面と外部接続用端子50の一部とが密接している。
【選択図】図1
Description
図示する如く、樹脂ケース100上面の外形は長方形をなし、その内部には上述したパワー半導体素子等が収納される。そして、当該樹脂ケース100の上端面100aから樹脂ケース100の内部には、上記パワー半導体素子の主電極に導通する外部接続用端子(パワー端子)101が延出されている(図6(a)参照)。
(1)樹脂ケース100の上端面100aにおいて、外部接続用端子101の根本部分にクラックが発生する場合がある。
(3)折り曲げた後の外部接続用端子101と上端面100aとの平行性、並びに上端面100aからの外部接続用端子101の高さにばらつきが生じる。
という、問題点があった。
図1は半導体装置の要部断面模式図である。
また、前記一端と反対側の外部接続用端子50の他端は、樹脂ケース41内に挿入され、固定されたナット(締付部材)60に密接している。
ここで、絶縁板20aは、例えば、アルミナ(Al2O3)焼結体のセラミックで構成され、金属箔20b,20c,20d、外部接続用端子50は、銅(Cu)を主成分とする金属で構成されている。
そして、半導体装置1においては、樹脂ケース40,41及び金属ベース板10で取り囲まれた空間に、半導体素子30、ボンディングワイヤ30w等の保護を目的として、封止用樹脂70を充填している。封止用樹脂70の材質は、例えば、ゲルまたはエポキシ樹脂を主成分とする樹脂が適用される。
先ず、図2に示す如く、ナット60が挿入・固定された樹脂ケース41を予め製造する。当該樹脂ケース41は、トランスファモールド法により製造される。例えば、溶融した樹脂を金型(図示しない)内に注入し、当該樹脂を金型内で固化させることにより、ナット60を封止・固定した樹脂ケース41を形成する。
尚、一次成形では、ナット60の下方の樹脂ケース41に空間部41hが形成される。当該空間部41hは、ナット60にボルト締めをする際のボルト先端の遊びとなる。
例えば、プレス加工により、予め数箇所を折り曲げた外部接続用端子50を準備し、外部接続用端子50に設けられた貫通孔50hの中心と、ナット孔60hの中心とが合致するようにナット60上に外部接続用端子50を配置する。
次に、図4に示す如く、下金型80と上金型81とによって、上述した樹脂ケース41及び外部接続用端子50を挟持し、二次成形を行う。当該二次成形は、トランスファモールド法により実施される。例えば、樹脂ケース41及び外部接続用端子50を下金型80上に載置した後、下金型80と上金型81とを衝合させて、溶融した樹脂を金型内に注入する。そして、当該樹脂を前記金型内で固化させることにより、樹脂ケース40を形成する。
また、本実施の形態の二次成形では、樹脂ケース41の下面41dと下金型80とを直接的に接触させている。即ち、二次成形中、樹脂ケース41の下面41dは、下金型80から直接的に圧力を受けている。
従って、下金型80と上金型81とのプレスにより、外部接続用端子50とナット60の上面60sとが密接した状態で二次成形が行われる。
先ず、本実施の形態では、外部接続用端子50を樹脂ケース40に固定した後に、外部接続用端子50を折り曲げるのではなく、予め折り曲げられた外部接続用端子50の一部を樹脂ケース40内に固定している。
また、外部接続用端子50を折り曲げた後に、外部接続用端子50表面にめっきを施すので、外部接続用端子50の折り曲げた部分において、めっき膜が裂けたり、剥離することがない。
10 金属ベース板
20 絶縁基板
20a 絶縁板
20b,20c,20d 金属箔
30w ボンディングワイヤ
30 半導体素子
30e 主電極
40,41 樹脂ケース
41d 下面
41h 空間部
41s,50s,60s 上面
50 外部接続用端子
50h 貫通孔
60 ナット
60h ナット孔
70 封止用樹脂
80 下金型
81 上金型
Claims (5)
- 第1の樹脂ケースに表面が突出するように固定された締付部材と、
少なくとも一部が折り曲げられ、第2の樹脂ケースに一部が固定された外部接続用端子と、
を有し、
前記第1の樹脂ケースと前記第2の樹脂ケースとが一体化し、前記締付部材の前記表面と前記外部接続用端子の一部とが密接していることを特徴とする樹脂ケース。 - 前記締付部材に設けられた孔の中心と、前記締付部材に密接する前記外部接続用端子に設けられた孔の中心とが一致していることを特徴とする請求項1記載の樹脂ケース。
- 締付部材の表面が第1の樹脂ケースから突出するように、前記締付部材を前記第1の樹脂ケース内に固定する工程と、
少なくとも一部が折り曲げられた外部接続用端子の一部を前記締付部材上に配置する工程と、
前記第1の樹脂ケースと前記外部接続用端子とを金型で挟持しながら、前記外部接続用端子の一部を第2の樹脂ケース内に固定すると共に、前記第1の樹脂ケースと前記第2の樹脂ケースとを一体化する工程と、
を有することを特徴とする樹脂ケース製造方法。 - 前記外部接続用端子を前記締付部材上に配置する前に、前記外部接続用端子をプレス加工により折り曲げることを特徴とする請求項3記載の樹脂ケース製造方法。
- 前記締付部材に設けられた孔の中心と前記外部接続用端子に設けられた孔の中心とが一致するように前記外部接続用端子を前記締付部材上に配置することを特徴とする請求項3記載の樹脂ケース製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008266144A JP5125975B2 (ja) | 2008-10-15 | 2008-10-15 | 樹脂ケース製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008266144A JP5125975B2 (ja) | 2008-10-15 | 2008-10-15 | 樹脂ケース製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010098036A true JP2010098036A (ja) | 2010-04-30 |
JP5125975B2 JP5125975B2 (ja) | 2013-01-23 |
Family
ID=42259532
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008266144A Active JP5125975B2 (ja) | 2008-10-15 | 2008-10-15 | 樹脂ケース製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5125975B2 (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102011087353A1 (de) | 2010-12-21 | 2012-06-21 | Mitsubishi Electric Corp. | Halbleitervorrichtung |
EP2530712A2 (en) | 2011-05-31 | 2012-12-05 | Kabushiki Kaisha Yaskawa Denki | Power converter and method for manufacturing power converter |
DE102017210307A1 (de) | 2016-06-22 | 2017-12-28 | Fuji Electric Co., Ltd. | Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen derselben |
CN107818955A (zh) * | 2016-09-14 | 2018-03-20 | 富士电机株式会社 | 半导体模块及半导体模块的制造方法 |
JP2018107414A (ja) * | 2016-12-28 | 2018-07-05 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2020202239A (ja) * | 2019-06-07 | 2020-12-17 | 富士電機株式会社 | 半導体モジュールの外部接続部、半導体モジュールの外部接続部の製造方法、半導体モジュール、車両、及び外部接続部とバスバーとの接続方法 |
WO2021144980A1 (ja) * | 2020-01-17 | 2021-07-22 | 三菱電機株式会社 | パワーモジュールおよび電力変換装置 |
US11996374B2 (en) | 2019-06-07 | 2024-05-28 | Fuji Electric Co., Ltd. | External connector of semiconductor module, method for manufacturing external connector of semiconductor module, semiconductor module, vehicle, and method for connecting external connector to bus bar |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0414249A (ja) * | 1990-05-07 | 1992-01-20 | Mitsubishi Electric Corp | 電力用半導体装置 |
JPH0969603A (ja) * | 1995-09-01 | 1997-03-11 | Mitsubishi Electric Corp | 電力用半導体装置、その外装ケースとその製造方法 |
JP2004259791A (ja) * | 2003-02-25 | 2004-09-16 | Hitachi Ltd | パワー半導体モジュール |
-
2008
- 2008-10-15 JP JP2008266144A patent/JP5125975B2/ja active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0414249A (ja) * | 1990-05-07 | 1992-01-20 | Mitsubishi Electric Corp | 電力用半導体装置 |
JPH0969603A (ja) * | 1995-09-01 | 1997-03-11 | Mitsubishi Electric Corp | 電力用半導体装置、その外装ケースとその製造方法 |
JP2004259791A (ja) * | 2003-02-25 | 2004-09-16 | Hitachi Ltd | パワー半導体モジュール |
Cited By (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102011087353A1 (de) | 2010-12-21 | 2012-06-21 | Mitsubishi Electric Corp. | Halbleitervorrichtung |
EP2530712A2 (en) | 2011-05-31 | 2012-12-05 | Kabushiki Kaisha Yaskawa Denki | Power converter and method for manufacturing power converter |
JP2012249491A (ja) * | 2011-05-31 | 2012-12-13 | Yaskawa Electric Corp | 電力変換装置、半導体装置および電力変換装置の製造方法 |
US8981552B2 (en) | 2011-05-31 | 2015-03-17 | Kabushiki Kaisha Yaskawa Denki | Power converter, semiconductor device, and method for manufacturing power converter |
US10497586B2 (en) | 2016-06-22 | 2019-12-03 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device and a method of manufacturing the same |
CN107527892A (zh) * | 2016-06-22 | 2017-12-29 | 富士电机株式会社 | 半导体装置及半导体装置的制造方法 |
DE102017210307A1 (de) | 2016-06-22 | 2017-12-28 | Fuji Electric Co., Ltd. | Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen derselben |
US10381243B2 (en) | 2016-09-14 | 2019-08-13 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor module having supporting portion for fastening portion inside a through hole in a resin case |
CN107818955A (zh) * | 2016-09-14 | 2018-03-20 | 富士电机株式会社 | 半导体模块及半导体模块的制造方法 |
JP2018046158A (ja) * | 2016-09-14 | 2018-03-22 | 富士電機株式会社 | 半導体モジュールおよび半導体モジュールの製造方法 |
JP2018107414A (ja) * | 2016-12-28 | 2018-07-05 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
US10366933B2 (en) | 2016-12-28 | 2019-07-30 | Mitsubishi Electric Corporation | Case having terminal insertion portion for an external connection terminal |
CN108257940A (zh) * | 2016-12-28 | 2018-07-06 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置及其制造方法 |
CN108257940B (zh) * | 2016-12-28 | 2021-07-06 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置及其制造方法 |
JP2020202239A (ja) * | 2019-06-07 | 2020-12-17 | 富士電機株式会社 | 半導体モジュールの外部接続部、半導体モジュールの外部接続部の製造方法、半導体モジュール、車両、及び外部接続部とバスバーとの接続方法 |
JP7334485B2 (ja) | 2019-06-07 | 2023-08-29 | 富士電機株式会社 | 半導体モジュールの外部接続部、半導体モジュールの外部接続部の製造方法、半導体モジュール、車両、及び外部接続部とバスバーとの接続方法 |
US11996374B2 (en) | 2019-06-07 | 2024-05-28 | Fuji Electric Co., Ltd. | External connector of semiconductor module, method for manufacturing external connector of semiconductor module, semiconductor module, vehicle, and method for connecting external connector to bus bar |
WO2021144980A1 (ja) * | 2020-01-17 | 2021-07-22 | 三菱電機株式会社 | パワーモジュールおよび電力変換装置 |
JPWO2021144980A1 (ja) * | 2020-01-17 | 2021-07-22 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5125975B2 (ja) | 2013-01-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5252819B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP5125975B2 (ja) | 樹脂ケース製造方法 | |
CN105185752B (zh) | 半导体器件及其制造方法 | |
JP4453498B2 (ja) | パワー半導体モジュールおよびその製造方法 | |
JP5696780B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP3664045B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP5935374B2 (ja) | 半導体モジュールの製造方法 | |
EP2628173A2 (en) | Semiconductor module and method of manufacturing a semiconductor module | |
JP5262983B2 (ja) | モールドパッケージおよびその製造方法 | |
US9553068B2 (en) | Integrated circuit (“IC”) assembly includes an IC die with a top metallization layer and a conductive epoxy layer applied to the top metallization layer | |
JP2023030046A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
US20020022304A1 (en) | Semiconductor device, method for fabricating the same, circuit board and electronic device | |
JP5233853B2 (ja) | 半導体装置 | |
WO2018018847A1 (zh) | 一种智能功率模块及其制造方法 | |
JP2003197663A (ja) | 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 | |
TW201839932A (zh) | 半導體裝置及其製造方法 | |
JP7188049B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2009224529A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP6653235B2 (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体装置 | |
JPH0870082A (ja) | 半導体集積回路装置およびその製造方法ならびにリードフレーム | |
JP2012227438A (ja) | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 | |
JP2009038126A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
KR102617704B1 (ko) | 파워 모듈 및 그의 패키징 방법 | |
JP3826776B2 (ja) | 半導体装置 | |
CN114038806A (zh) | 半导体电路及半导体电路的制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20110422 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110812 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120423 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120619 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120816 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121002 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121015 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 5125975 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151109 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |