DE102011087353A1 - Halbleitervorrichtung - Google Patents

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DE102011087353A1
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Yukimasa Hayashida
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Abstract

Eine Halbleitervorrichtung (100) der Erfindung weist ein Halbleiterelement (1), eine Hauptelektrode (81, 82), die mit dem Halbleiterelement (1) verbunden ist, und ein Gehäuse (11) zum Abdichten des Halbleiterelements (1) auf. Die Hauptelektrode (81, 82) ist so vorhanden, dass sie sich von der Innenseite des Gehäuses (11) zu dessen Außenseite erstreckt, und ein Außengewinde oder ein Innengewinde, das an einem externen Anschluss zu befestigen ist, ist integral auf einem Fortsatzabschnitt (81A) der Hauptelektrode (81, 82) ausgebildet, welcher sich aus dem Gehäuse (11) heraus erstreckt.

Description

  • Die Erfindung betrifft eine Hochleistungs-Halbleitervorrichtung und insbesondere einen Gehäuseabschnitt der Halbleitervorrichtung.
  • Bei einer Invertervorrichtung oder dergleichen wird unabhängig von einer Hauptvorrichtung (externe Anwendung) eine Halbleitervorrichtung verwendet, auf der ein Hochleistungs-Halbleiterelement angebracht ist. Bei einer solchen Halbleitervorrichtung ist das Halbleiterelement in einem Gehäuse abgedichtet bzw. versiegelt.
  • Bei der Halbleitervorrichtung ist eine Hauptelektrode, die elektrisch mit dem Halbleiterelement verbunden ist, ausgebildet, welche sich zur Außenseite des Gehäuses erstreckt. Andererseits ist innerhalb des Gehäuses eine Mutter vorhanden und ein Bolzen, der elektrisch mit einer Elektrode auf der Seite des Inverters verbunden ist, ist an der Mutter durch die Hauptelektrode befestigt. Die Hauptvorrichtung ist hierdurch mit der Halbleitervorrichtung verbunden.
  • Die offengelegte japanische Patentanmeldung 2010-98036 (Patentdokument 1) ist eine exemplarische Druckschrift des Standes der Technik, welche eine Struktur einer Halbleitervorrichtung zeigt, welche die vorstehend erwähnte Befestigung ermöglicht.
  • Die Befestigung der Halbleitervorrichtung an der Hauptvorrichtung wird durch die Mutter verwirklicht, die mit dem Gehäuse durch Outsert-Technik verbunden ist, wie vorstehend erörtert. Die Befestigungsstärke der Halbleitervorrichtung wird durch die Mutter und das Gehäuse aufrechterhalten und die Begrenzung der Befestigung hängt üblicherweise von der Beständigkeit des Gehäuses im Hinblick auf einen Bruch ab.
  • Andererseits entstand kürzlich die Forderung nach einem Anziehen/Verstärken des Drehmoments der Befestigung. Das Gehäuse ist jedoch aus PPS(Polyphenylensulfid)-Harz oder dergleichen hergestellt und das PPS-Harz hat eine geringe Befestigungsstärke. Deshalb besteht, damit Risse und Brüche des Gehäuses aufgrund der Befestigung verhindert werden, eine Begrenzung für die Einstellung des Befestigungsdrehmoments.
  • Es ist eine Aufgabe der Erfindung, eine Halbleitervorrichtung anzugeben, bei der das Befestigungsdrehmoment bei der Befestigung der Halbleitervorrichtung an einer Hauptvorrichtung vergrößert werden kann, ohne eine Beschädigung eines Gehäuses der Halbleitervorrichtung hervorzurufen.
  • Diese Aufgabe wird durch eine Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1 gelöst. Weiterentwicklungen sind in den Unteransprüchen angegeben.
  • Die Erfindung ist für eine Halbleitervorrichtung vorgesehen. Gemäß einem Aspekt der Erfindung umfasst die Halbleitervorrichtung ein Halbleiterelement, eine Hauptelektrode, die mit dem Halbleiterelement verbunden ist, und ein Gehäuse zum Abdichten des Halbleiterelements. Bei der Halbleitervorrichtung der Erfindung ist die Hauptelektrode so ausgebildet, dass sie sich zur Außenseite des Gehäuses von dessen Innenseite aus erstreckt, und es ist ein Außengewinde oder ein Innengewinde, das an einem externen Anschluss zu befestigen ist, integral auf einem Fortsatzabschnitt der Hauptelektrode, welcher sich zur Außenseite des Gehäuses erstreckt, vorhanden.
  • Deshalb wird eine Kraft, die beim Befestigen der Halbleitervorrichtung an der Hauptvorrichtung ausgeübt wird, an die aus Metall hergestellte Hauptelektrode angelegt und nicht auf das Gehäuse. Es ist hierdurch möglich, ein Befestigungsdrehmoment beim Befestigen der Halbleitervorrichtung an der Hauptvorrichtung zu erhöhen, ohne eine Beschädigung am Gehäuse der Halbleitervorrichtung hervorzurufen.
  • Diese und andere Aufgaben, Merkmale, Aspekte und Vorteile der Erfindung gehen deutlicher aus der folgenden detaillierten Beschreibung der Erfindung zusammen mit den beigefügten Zeichnungen hervor.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • 1 ist ein Querschnitt, welcher eine Gesamtstruktur einer Halbleitervorrichtung zeigt;
  • 2 ist ein vergrößerter Querschnitt, welcher eine Struktur eines Hauptteils (eines Fortsatzabschnitts einer Hauptelektrode und die Umgebung desselben) der Halbleitervorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform zeigt;
  • 3 ist ein vergrößerter Querschnitt, welcher den Zustand zeigt, bevor der Fortsatzabschnitt der Hauptelektrode gebogen wird;
  • 4 ist ein vergrößerter Querschnitt, welcher eine Struktur eines Hauptteils (eines Fortsatzabschnitts einer Hauptelektrode und die Umgebung desselben) einer Halbleitervorrichtung gemäß einer zweiten Ausführungsform zeigt; und
  • 5 ist ein vergrößerter Querschnitt, welcher eine Struktur eines Hauptteils (eines Fortsatzabschnitts einer Hauptelektrode und die Umgebung desselben) einer Halbleitervorrichtung gemäß einer dritten Ausführungsform zeigt.
  • BESCHREIBUNG DER AUSFÜHRUNGSFORMEN
  • Nachstehend wird die Erfindung in Bezug auf die Figuren, welche die Ausführungsformen zeigen, spezifisch erörtert.
  • Erste Ausführungsform
  • Zunächst wird ein Umriss einer Gesamtstruktur einer Halbleitervorrichtung erörtert. 1 ist ein Querschnitt, welcher eine Gesamtstruktur einer Halbleitervorrichtung 100 zeigt.
  • Ein Halbleiterelement 1 ist auf ein Substrat 3 mit einem Lot 2 gebondet. Das Substrat 3 besteht aus vorderen Oberflächenelektroden 41 und 42, einer Isolationsplatte 31 und einer rückwärtigen Oberflächenelektrode 32.
  • Insbesondere sind die vorderen Oberflächenelektroden 41 und 42 auf eine erste Hauptoberfläche der Isolationsplatte 31 gebondet und die rückwärtige Oberflächenelektrode 32 ist auf eine zweite Hauptoberfläche der Isolationsplatte 31 gebondet. In der exemplarischen Struktur von 1 ist das Halbleiterelement 1 auf die vordere Oberflächenelektrode 41 mit dem Lot 2 gebondet. Das Substrat 3 ist auf eine Basisplatte 6 mit einem Lot 5 gebondet, wobei die rückwärtige Oberflächenelektrode 32 dazwischengesetzt ist.
  • Das Halbleiterelement 1 und das Substrat 3 sind durch ein isolierendes Gehäuse 11 bedeckt.
  • Was das Gehäuse 11 betrifft, so kann beispielsweise ein Gießartikel aus einem Kunststoffmaterial wie PPS (d. h. ein Kunststoffprodukt) verwendet werden. Das Gehäuse 11 ist mit einer Öffnung 11a versehen und das Innere des Gehäuses 11 ist mit einem Gel 9 gefüllt, das durch die Öffnung 11a zugeführt wird, um die elektrische Isolation des Inneren des Gehäuses 11 zu verbessern. Darüber hinaus ist das Innere des Gehäuses 11 mit einem Epoxidharz 10 gefüllt, das durch die Öffnung 11a zugeführt wird, um die Feuchtigkeitsbeständigkeit des Inneren des Gehäuses 11 zu verbessern. Eine obere Oberfläche des Gehäuses 11 ist mit dem Epoxidharz 10 abgedichtet.
  • Des Weiteren ist in der exemplarischen Struktur von 1 eine Emitterelektrode des Halbleiterelements 1 mit der Hauptelektrode 81 durch die vordere Oberflächenelektrode 81 und ein Lot 7 verbunden. Eine Kollektorelektrode des Halbleiterelements 1 ist mit einer Hauptelektrode 82 durch einen Aluminiumdraht 14, die vordere Oberflächenelektrode 42 und das Lot 7 verbunden. Jede der Hauptelektroden 81 und 82 ist vom Inneren des Gehäuses 11 zu dessen Außenseite gezogen (fortgesetzt). Als jede der Elektroden 41, 42, 32, 81 und 82 kann ein geformter Artikel aus Metall, wie beispielsweise Kupfer, verwendet werden.
  • Bei der Halbleitervorrichtung 100 der ersten Ausführungsform ist eine Elektrode der Hauptvorrichtung, wie beispielsweise eines Inverters, (genauer ausgedrückt ein Bolzen, der elektrisch mit dieser Elektrode verbunden ist) mit einer Mutter 12 durch die Hauptelektroden 81 und 82 verbunden. Das Halbleiterelement 1 der Halbleitervorrichtung 100 und eine externe Schaltung der Hauptvorrichtung sind elektrisch miteinander verbunden.
  • Ein nicht gezeigter Lüfter ist auf die Basisplatte 6 unter Verwendung eines Montagelochs 13 geschraubt.
  • Nachstehend wird eine spezifische Struktur jedes der Gebiete erörtert, die in 1 eingekreist sind, sowie deren Umgebung. Obgleich nachstehend in allen Ausführungsformen einschließlich der ersten Ausführungsform die Beschreibung der Struktur des eingekreisten Gebiets und der Umgebung desselben auf der Seite der Hauptelektrode 81 erfolgt, gilt eine ähnliche Beschreibung für das eingekreiste Gebiet und die Umgebung desselben auf der Seite der Hauptelektrode 82.
  • 2 ist ein vergrößerter Querschnitt, welcher eine Struktur der Hauptelektrode 81, die sich zur Außenseite des Gehäuses 11 erstreckt, und die Umgebung derselben gemäß der ersten Ausführungsform zeigt.
  • Wie in 2 gezeigt ist, ist die Hauptelektrode 81 so ausgebildet, dass sie sich vom Inneren des Gehäuses 11 zur Außenseite des Gehäuses 11 erstreckt. Hierbei wird ein Abschnitt der Hauptelektrode 81, der sich aus dem Gehäuse 11 heraus erstreckt, als Fortsatzabschnitt 81A bezeichnet. Der Fortsatzabschnitt 81A der Hauptelektrode 81 ist so angeordnet, dass er zum oberen Oberflächenabschnitt des Gehäuses 11 gerichtet ist. Im Fortsatzabschnitt 81A ist ein Loch 81B ausgebildet.
  • Andererseits ist in der oberen Oberfläche des Gehäuses 11, die zum Fortsatzabschnitt 81A gerichtet ist, eine Ausnehmung 11H ausgebildet, wie in 2 gezeigt ist. Die Mutter 12 ist durch Outsert-Technik innerhalb der Ausnehmung 11H des Gehäuses 11 bereitgestellt (begraben). Das Zentrum eines Lochs (nicht gezeigt), das in der Mutter 12 vorhanden ist, und das Zentrum des Lochs 81B, das im Fortsatzabschnitt 81A vorhanden ist, fallen im Wesentlichen zusammen.
  • Darüber hinaus sind in der ersten Ausführungsform eine untere Oberfläche des Fortsatzabschnitts 81A und eine obere Oberfläche der Mutter 12 miteinander verschweißt. 2 zeigt diesen Abschnitt, dort wo die Verschweißung durchgeführt ist, als Schweißabschnitt 20. In dieser Struktur gibt es keinen Schweißabschnitt 20 in einem Gebiet, in dem das Loch 81B des Fortsatzabschnitts 81A zum Loch der Mutter 12 gerichtet ist.
  • Als nächstes wird ein Verfahren zum Herstellen der in 2 gezeigten Struktur erörtert.
  • Zunächst wird im Voraus das Harzgehäuse 11 mit einer gewünschten Form hergestellt. Das fertiggestellte Gehäuse 1 wird mit der Ausnehmung 11H, in welcher die Mutter 12 vorhanden ist, mit den Löchern, durch welche die Hauptelektroden 81 und 82 treten können, mit der Öffnung 11a und dergleichen versehen.
  • Andererseits wird bei der Struktur der 1 das Halbleiterelement 1 auf die vordere Oberflächenelektrode 41 des Substrats 3 mit dem Lot 2 gebondet und die Basisplatte 6 wird auf die rückwärtige Oberflächenelektrode 32 des Substrats 3 mit dem Lot 5 gebondet. Darüber hinaus werden die vordere Oberflächenelektrode 41 und die Hauptelektrode 81 aneinander durch das Lot 7 gebondet, um hierdurch die Emitterelektrode des Halbleiterelements 1 mit der Hauptelektrode 81 zu verbinden. Das Halbleiterelement 1 und die vordere Oberflächenelektrode 42 sind miteinander durch den Aluminiumdraht 14 verbunden und die vordere Oberflächenelektrode 42 und die Hauptelektrode 82 sind durch das Lot 7 aneinander gebondet, um hierdurch die Kollektorelektrode des Halbleiterelements 1 mit der Hauptelektrode 82 zu verbinden. Das in dem Prozess bis dahin hergestellte Element wird als ”Halbleiterelementkonstrukt” bezeichnet.
  • Als nächstes wird das Gehäuse 11 so angeordnet, dass es das Halbleiterelementkonstrukt bedeckt, und das Gehäuse 11 und die Basisplatte 6 werden aneinander gebondet. Bei dem Halbleiterelementkonstrukt erheben sich in 1 die jeweiligen Fortsatzabschnitte 81A der Hauptelektroden 81 und 82 von der unteren Seite nach oben. Deshalb treten die jeweiligen Fortsatzabschnitte 81A der Hauptelektroden 81 und 82 durch die Löcher, die im Gehäuse 11 vorhanden sind, während das Gehäuse 11 so angeordnet wird, wie es vorstehend erörtert wurde. In dem Zustand, in dem das Gehäuse 11 und die Basisplatte 6 aneinander gebondet sind, stehen die jeweiligen Fortsatzabschnitte 81A von der oberen Oberfläche des Gehäuses 11 aus vor, wobei sie aufrecht sind.
  • Als nächstes wird das Innere des Gehäuses 11 mit dem Gel 9 gefüllt, welches über die Öffnung 11a, die im Gehäuse 11 ausgebildet ist, zugeführt wird, und danach wird das Innere des Gehäuses 11 mit dem Epoxidharz 10 gefüllt, das ebenfalls über die Öffnung 11a zugeführt wird. In dem bisher beschriebenen Prozess wird das Halbleiterelementkonstrukt mit dem Gehäuse 11 und dem Epoxidharz 10 und der Basisplatte 6 abgedichtet. Die Struktur des Fortsatzabschnitts 81A der Hauptelektrode 81 und die Umgebung desselben in der Halbleitervorrichtung nach dem Abdichten sind vergrößert im Querschnitt von 3 gezeigt.
  • Wie in 3 gezeigt ist, steht der Fortsatzabschnitt 81A von der oberen Oberfläche des Gehäuses 11 aus nach außen vor. In dem Fortsatzabschnitt 81A ist das Loch 81B ausgebildet.
  • Als nächstes wird in 3 die Mutter 12 an den Fortsatzabschnitt 81A geschweißt. Insbesondere wird in 3 ein Abschnitt, welcher die obere Oberfläche der Mutter 12 werden soll, über die rechte Seite des Fortsatzabschnitts 81A gelegt. Hierbei fallen das Zentrum des Lochs 81B des Fortsatzabschnitts 81A und das Zentrum des Lochs der Mutter 12 im Wesentlichen zusammen. Der Bolzen, der im Inverter oder dergleichen vorhanden ist, wird in einen Überlappungsbereich dieser Löcher eingeführt. Nachdem die Mutter 12 über den Fortsatzabschnitt 81A gelegt worden ist, werden die Mutter 12 und der Fortsatzabschnitt 81A miteinander verschweißt. Der Fortsatzabschnitt 81A und die Mutter 12 werden hierdurch aneinander fixiert.
  • Danach wird der Fortsatzabschnitt 81A mit der angeschweißten Mutter 12 gegen die Ausnehmung 11H gebogen, welche im Gehäuse 11 vorhanden ist. Der Fortsatzabschnitt 81A wird hierdurch zur oberen Oberfläche des Gehäuses 11 gerichtet und die an dem Fortsatzabschnitt 81A geschweißte Mutter 12 wird in der Ausnehmung 11H des Gehäuses 11 aufgenommen. Natürlich kann der Fortsatzabschnitt 81A in engen Kontakt mit der oberen Oberfläche des Gehäuses 11 gebracht werden, anders als bei der Struktur, die in 2 gezeigt ist.
  • Somit wird bei der ersten Ausführungsform der Fortsatzabschnitt 81A der Hauptelektrode 81 an die Mutter 12 geschweißt, die in der Ausnehmung 11H des Gehäuses 11 vorhanden ist.
  • Deshalb wird die Befestigungsstärke beim Befestigen des Bolzens, der mit der Elektrode der Hauptvorrichtung und der Mutter 12 verbunden ist, durch die Hauptelektrode 81 aufrecht erhalten, welche ein Metall ist, das mit der Mutter 12 verschweißt ist. Mit anderen Worten wird die während des Befestigens ausgeübte Kraft auf die Hauptelektrode 81 aus Metall und nicht auf das Gehäuse 11 aus Harz ausgeübt. Es ist hierdurch möglich, das Befestigungsdrehmoment beim Befestigen der Halbleitervorrichtung 100 mit der Hauptvorrichtung zu vergrößern, ohne eine Beschädigung des Gehäuses 11 der Halbleitervorrichtung 100 hervorzurufen.
  • Zweite Ausführungsform
  • 4 ist ein vergrößerter Querschnitt, der eine Struktur der Hauptelektrode 81 zeigt, die sich aus dem Gehäuse 11 nach außen erstreckt, sowie die Umgebung derselben gemäß der zweiten Ausführungsform.
  • Wie in 4 gezeigt ist, ist die Hauptelektrode 81 so ausgebildet, dass sie sich vom Inneren des Gehäuses 11 zur Außenseite des Gehäuses 11 erstreckt. Hierbei wird ein Abschnitt der Hauptelektrode 81, der sich aus dem Gehäuse 11 heraus erstreckt, als Fortsatzabschnitt 81D bezeichnet. Der Fortsatzabschnitt 81D der Hauptelektrode 81 ist so angeordnet, dass er zum oberen Oberflächenabschnitt des Gehäuses 11 gerichtet ist. In der oberen Oberfläche des Gehäuses 11 ist die Ausnehmung 11H vorhanden, die zum Fortsatzabschnitt 81D gerichtet ist, wie in 4 gezeigt ist.
  • Darüber hinaus ist bei der zweiten Ausführungsform ein Teil des Fortsatzabschnittes 81D so ausgebildet, dass er nach unten in die Ausnehmung 11H des Gehäuses 11 fällt, d. h. sich nach unten in die Ausnehmung 11H des Gehäuses 11 erstreckt. Genauer ausgedrückt ist der Fortsatzabschnitt 81D, der sich aus dem Gehäuse 11 zieht, zunächst auf der oberen Oberfläche des Gehäuses 11, als nächstes auf einer Seitenoberfläche der Ausnehmung 11H und dann auf einer anderen oberen Oberfläche des Gehäuses 11 vorhanden. Der Fortsatzabschnitt 81D ist auf der Seitenoberfläche der Ausnehmung 11H ausgebildet, wie vorstehend erörtert, und ein Schraubengewinde (Innengewinde) 81F ist auf einer freiliegenden Oberfläche eines Teils des Fortsatzabschnittes 81D ausgebildet, welcher auf der Seitenoberfläche der Ausnehmung 11H vorhanden ist. In dem Fall, dass ein solches Herstellungsverfahren wie vorstehend erörtert, eingesetzt wird, wird kein Fortsatzabschnitt 81D auf einer Bodenoberfläche der Ausnehmung 11H ausgebildet, wie in 4 gezeigt ist.
  • Bei der zweiten Ausführungsform ist keine Mutter innerhalb der Ausnehmung 11H des Gehäuses 11 vorhanden und der Fortsatzabschnitt 81D, der innerhalb der Ausnehmung 11H vorhanden ist, führt auch die Funktion der Mutter 12 aus, die bei der ersten Ausführungsform beschrieben wurde (mit anderen Worten wird der Bolzen, der mit der Elektrode der Hauptvorrichtung verbunden ist, am Fortsatzabschnitt 81D, der innerhalb der Ausnehmung 11H vorhanden ist, befestigt).
  • Mit Ausnahme der Form des Fortsatzabschnitts 81D der Hauptelektrode 81 und des Nichtvorhandenseins der Mutter 12 innerhalb der Ausnehmung 11H des Gehäuses 11 weist die Halbleitervorrichtung der zweiten Ausführungsform dieselbe Struktur auf wie die Halbleitervorrichtung der ersten Ausführungsform. Deshalb wird eine Beschreibung der Struktur der Halbleitervorrichtung der zweiten Ausführungsform mit Ausnahme des in 4 Gezeigten ausgelassen.
  • Als nächstes wird ein Verfahren zum Herstellen der in 4 gezeigten Struktur erörtert.
  • Zunächst wird das Harzgehäuse 11 einer gewünschten Form im Voraus hergestellt. Das fertiggestellte Gehäuse 11 wird mit der Ausnehmung 11H, in welcher der Fortsatzabschnitt 81D der Hauptelektrode 81 vorhanden ist, den Löchern, durch welche die Hauptelektroden 81 und 82 hindurch treten können, der Öffnung 11a und dergleichen versehen.
  • Andererseits wird bei der Struktur der 1 das Halbleiterelement 1 auf die vordere Oberflächenelektrode 41 des Substrats 3 mit dem Lot 2 gebondet und die Basisplatte 6 wird auf die rückwärtige Oberflächenelektrode 32 des Substrats 3 mit dem Lot 5 gebondet. Des Weiteren werden die vordere Oberflächenelektrode 41 und die Hauptelektrode 81 durch das Lot 7 aneinander gebondet, um hierdurch die Emitterelektrode des Halbleiterelements 1 mit der Hauptelektrode 81 zu verbinden. Das Halbleiterelement 1 und die vordere Oberflächenelektrode 42 werden miteinander mit dem Aluminiumdraht 14 verbunden und die vordere Oberflächenelektrode 42 und die Hauptelektrode 82 werden mit dem Lot 7 aneinander gebondet, um hierdurch die Kollektorelektrode des Halbleiterelements 1 mit der Hauptelektrode 82 zu verbinden. Das in dem bisher beschriebenen Prozess ausgebildete Element wird als Halbleiterelementkonstrukt bezeichnet.
  • Als nächstes wird das Gehäuse 11 so angeordnet, dass es das Halbleiterelementkonstrukt bedeckt, und das Gehäuse 11 und die Basisplatte 6 werden aneinander gebondet. Bei dem Halbleiterelementkonstrukt erheben sich die jeweiligen Fortsatzabschnitte 81D der Hauptelektroden 81 und 82 in 1 von der unteren Seite nach oben. Deshalb treten die jeweiligen Fortsatzabschnitte 81D der Hauptelektroden 81 und 82 durch die Löcher, die im Gehäuse 11 vorhanden sind, während das Gehäuse 11 so angeordnet ist, wie es vorstehend erörtert wurde. In dem Zustand, in dem das Gehäuse 11 und die Basisplatte 6 aneinander gebondet sind, stehen die jeweiligen Fortsatzabschnitte 81D von der oberen Oberfläche des Gehäuses 11 nach außen, wobei sie aufrecht sind.
  • Als nächstes wird das Innere des Gehäuses 11 mit dem Gel 9 gefüllt, welches durch die Öffnung 11a zugeführt wird, die im Gehäuse 11 ausgebildet ist, und danach wird das Innere des Gehäuses 11 mit dem Epoxidharz 10 gefüllt, welches ebenfalls durch die Öffnung 11a zugeführt wird. In dem bisher beschriebenen Prozess wird das Halbleiterelementkonstrukt mit dem Gehäuse 11 und dem Epoxidharz 10 und der Basisplatte 6 abgedichtet. Die Struktur des Fortsatzabschnittes 81D der Hauptelektrode 81 und der Umgebung desselben bei der Halbleitervorrichtung nach dem Abdichten ist gleich derjenigen, die vergrößert im Querschnitt von 3 dargestellt ist.
  • Wie in der Diskussion in Bezug auf 3 steht auch bei der zweiten Ausführungsform der Fortsatzabschnitt 81D von der oberen Oberfläche des Gehäuses 11 aus nach außen vor. Im Fortsatzabschnitt 81D ist ein Loch ausgebildet, das als ein vorbereitetes Loch in einem Versenkungsprozess dient.
  • Als nächstes wird der Fortsatzabschnitt 81D zur Ausnehmung 11H hin gebogen, die im Gehäuse 11 ausgebildet ist. Der Fortsatzabschnitt 81D wird dadurch zur oberen Oberfläche des Gehäuses 11 gerichtet. Hierbei fallen beim Fortsatzabschnitt 81D, welcher gebogen ist, das Zentrum des Lochs, das als das vorbereitete Loch dient, und das Zentrum der Ausnehmung 11H im Wesentlichen zusammen.
  • Danach stößt eine Spitze eines Werkzeugs, das im Versenkungsprozess verwendet wird, gegen das Loch des Fortsatzabschnitts 81D, welches als das vorbereitete Loch dient, und wird zum Inneren der Ausnehmung 11H nach unten gedrückt (Versenkungsprozess). Wie in 4 gezeigt ist, wird das Loch des Fortsatzabschnittes 81D, das als das vorbereitete Loch dient, hierdurch nach unten entlang der Seitenoberfläche innerhalb der Ausnehmung 11H ausgebreitet (mit anderen Worten, sich nach unten erstreckend innerhalb der Ausnehmung 11H vorgesehen) und das Schraubengewinde 81F wird auf einer freiliegenden Oberfläche des Teils des Fortsatzabschnittes 81D ausgebildet, der sich auf der Ausnehmung 11H nach unten erstreckend vorhanden ist. Somit wird beim Versenkungsprozess das Loch des Fortsatzabschnitts 81D, welches als das vorbereitete Loch dient, ausgebreitet, und die Umgebung des Lochs, das als das vorbereitete Loch dient, wird nach unten fortgesetzt, um hierdurch eine zylindrische Öffnung im Fortsatzabschnitt 81D zu bilden, um die Bodenoberfläche der Ausnehmung 11H freizulegen, wie in 4 gezeigt ist.
  • Somit wird bei der zweiten Ausführungsform der Fortsatzabschnitt 81D der Hauptelektrode 81 so ausgebildet, dass er nach unten in die Ausnehmung 11H des Gehäuses 11 fällt, und das Schraubegewinde 81F ist auf dem Fortsatzabschnitt 81D innerhalb der Ausnehmung 11H vorhanden.
  • Deshalb wird die Befestigungsstärke beim Befestigen des Bolzens, der mit der Elektrode der Hauptvorrichtung und dem Fortsatzabschnitt 81D verbunden ist, durch die Hauptelektrode 81 aufrecht erhalten, welche aus Metall ist. Mit anderen Worten wird die Kraft, die während der Befestigung ausgeübt wird, auf die Hauptelektrode 81 aus Metall und nicht auf das Gehäuse 11 aus Harz ausgeübt. Es ist hierdurch möglich, das Befestigungsdrehmoment beim Befestigen der Halbleitervorrichtung 100 an der Hauptvorrichtung zu erhöhen, ohne eine Beschädigung des Gehäuses 11 der Halbleitervorrichtung 100 hervorzurufen.
  • Dritte Ausführungsform
  • 5 ist ein vergrößerter Querschnitt, welcher eine Struktur der Hauptelektrode 81 zeigt, die sich aus dem Gehäuse 11 heraus erstreckt, sowie die Umgebung derselben gemäß der dritten Ausführungsform.
  • Wie in 5 gezeigt ist, wird die Hauptelektrode 81 so ausgebildet, dass sie sich vom Inneren des Gehäuses 11 aus dem Gehäuse 11 heraus erstreckt. Hierbei wird ein Abschnitt der Hauptelektrode 81, der sich aus dem Gehäuse 11 heraus erstreckt, als Fortsatzabschnitt 81L bezeichnet. Der Fortsatzabschnitt 81L der Hauptelektrode 81 ist so angeordnet, dass er zum oberen Oberflächenabschnitt des Gehäuses 11 gerichtet ist.
  • Bei der dritten Ausführungsform ist keine Ausnehmung 11H in der oberen Oberfläche des Gehäuses 11 ausgebildet, die zum Fortsatzabschnitt 81L gerichtet ist, im Gegensatz zu den ersten und zweiten Ausführungsformen (keine Mutter 12, die in der ersten Ausführungsform beschrieben ist, ist vorhanden, da keine Ausnehmung 11H vorhanden ist). Darüber hinaus ist bei der dritten Ausführungsform weder das Loch 81B, das bei der ersten Ausführungsform beschrieben ist, noch ein vorbereitetes Loch für das Versenken, das bei der zweiten Ausführungsform vorhanden ist, im Fortsatzabschnitt 81L ausgebildet.
  • Darüber hinaus ist bei der dritten Ausführungsform ein Bolzen 27 auf einer oberen Oberfläche des Fortsatzabschnittes 81L vorhanden, in 5 nach oben. Die Kontaktabschnitte des Fortsatzabschnitts 81L und der Bolzen 27 sind miteinander verschweißt. Mit anderen Worten ist bei der dritten Ausführungsform ein Schweißabschnitt 23 zwischen dem Fortsatzabschnitt 81L und dem Bolzen 27 ausgebildet.
  • Bei der Halbleitervorrichtung der dritten Ausführungsform ist der Bolzen 27, der mit dem Fortsatzabschnitt 81L verschweißt ist, an der Mutter befestigt, die mit der Elektrode der Hauptvorrichtung verbunden ist. Obgleich dies in 5 nicht gezeigt ist, ist ein Schraubengewinde (Außengewinde) auf dem Bolzen 27 vorhanden.
  • Mit Ausnahme der vorstehend beschriebenen Struktur weist die Halbleitervorrichtung der dritten Ausführungsform dieselbe Struktur auf wie die Halbleitervorrichtung der ersten Ausführungsform. Deshalb wird eine Beschreibung der Struktur der Halbleitervorrichtung der dritten Ausführungsform mit Ausnahme desjenigen, das in 5 gezeigt ist, ausgelassen.
  • Als nächstes wird ein Verfahren zum Herstellen der in 5 gezeigten Struktur erörtert.
  • Zunächst wird das Harzgehäuse 11 mit einer gewünschten Form im voraus hergestellt. Das fertiggestellte Gehäuse 11 ist mit den Löchern versehen, durch welche die Hauptelektroden 81 und 82 treten können, mit der Öffnung 11a und dergleichen.
  • Andererseits ist bei der Struktur von 1 das Halbleiterelement 1 auf die vordere Oberflächenelektrode 41 des Substrats 3 mit dem Lot 2 gebondet und die Basisplatte 6 ist auf die rückwärtige Oberflächenelektrode 32 des Substrats 3 mit dem Lot 5 gebondet. Darüber hinaus werden die vordere Oberflächenelektrode 41 und die Hauptelektrode 81 durch das Lot 7 aneinander gebondet, um hierdurch die Emitterelektrode des Halbleiterelements 1 mit der Hauptelektrode 81 zu verbinden. Das Halbleiterelement 1 und die vordere Oberflächenelektrode 42 sind miteinander durch den Aluminiumdraht 14 verbunden und die vordere Oberflächenelektrode 42 und die Hauptelektrode 82 sind durch das Lot 7 aneinander gebondet, um hierdurch die Kollektorelektrode des Halbleiterelements 1 mit der Hauptelektrode 82 zu verbinden. Das in dem bisher beschriebenen Prozess hergestellte Element wird als Halbleiterelementkonstrukt bezeichnet.
  • Als nächstes wird das Gehäuse 11 so angeordnet, dass es das Halbleiterelementkonstrukt bedeckt und das Gehäuse 11 und die Basisplatte 6 werden aneinander gebondet. In dem Halbleiterelementkonstrukt erheben sich die jeweiligen Fortsatzabschnitte 81L der Hauptelektroden 81 und 82 in 1 von der unteren Seite aus nach oben. Deshalb treten die jeweiligen Fortsatzabschnitte 81L der Hauptelektrode 81 und 82 durch die Löcher, die im Gehäuse 11 vorhanden sind, während das Gehäuse 11 so angeordnet wird, wie es vorstehend erörtert wurde. In dem Zustand, in dem das Gehäuse 11 und die Basisplatte 6 aneinander gebondet sind, stehen die jeweiligen Fortsatzabschnitte 81L von der oberen Oberfläche des Gehäuses 11 nach außen vor, wobei sie aufrecht sind.
  • Als nächstes wird das Innere des Gehäuses 11 mit dem Gel 9 gefüllt, welches durch die Öffnung 11a zugeführt wird, die im Gehäuse 11 ausgebildet ist, und danach wird das Innere des Gehäuses 11 mit dem Epoxidharz 10 gefüllt, welches ebenfalls durch die Öffnung 11a zugeführt wird. In dem bisher beschriebenen Prozess wird das Halbleiterelementkonstrukt mit dem Gehäuse 11 und dem Epoxidharz 10 und der Basiplatte 6 abgedichtet. Die Struktur des Fortsatzabschnitts 81L der Hauptelektrode 81 und der Umgebung desselben bei der Halbleitervorrichtung nach dem Abdichten ist gleich derjenigen, die vergrößert im Querschnitt von 3 gezeigt ist.
  • Wie bei der Erörterung mit Bezug auf 3 steht auch bei der dritten Ausführungsform der Fortsatzabschnitt 81L von der oberen Oberfläche des Gehäuses 11 aus nach außen vor. Bei der dritten Ausführungsform ist jedoch kein Loch im Fortsatzabschnitt 81L ausgebildet.
  • Als nächstes wird der Fortsatzabschnitt 81L gegen die obere Oberfläche des Gehäuses 11 gebogen. Der Fortsatzabschnitt 81L ist dadurch zur oberen Oberfläche des Gehäuses 11 gerichtet. Natürlich kann der Fortsatzabschnitt 81L in engen Kontakt mit der oberen Oberfläche des Gehäuses 11 gebracht werden, anders als bei der Struktur, die in 5 gezeigt ist.
  • Danach wird der Bolzen 27, welcher aufrecht ist, auf dem Fortsatzabschnitt 81L, welcher gebogen ist, vorgesehen. Dann werden Kontaktbereiche des Fortsatzabschnittes 81L und des Bolzens 27 miteinander verschweißt. Der Schweißabschnitt 23 wird hierdurch zwischen dem Fortsatzabschnitt 81L und dem Bolzen 27 ausgebildet und der Bolzen 27 wird am Fortsatzabschnitt 81L befestigt.
  • Somit wird bei der dritten Ausführungsform der Bolzen 27 auf den Fortsatzabschnitt 81L der Hauptelektrode 81 geschweißt.
  • Deshalb wird die Befestigungsstärke beim Befestigen der Mutter, die mit der Elektrode der Hauptvorrichtung und dem Bolzen 27, der auf den Fortsatzabschnitt 81L geschweißt ist, verbunden ist, durch die Hauptelektrode 81 aufrecht erhalten, welche ein Metall ist. Mit anderen Worten wird die Kraft, die während der Befestigung ausgeübt wird, auf die Hauptelektrode 81 aus Metall ausgeübt und nicht auf das Gehäuse 11 aus Harz. Es ist hierdurch möglich, das Befestigungsdrehmoment beim Befestigen der Halbleitervorrichtung 100 an der Hauptvorrichtung zu vergrößern, ohne eine Beschädigung des Gehäuses 11 der Halbleitervorrichtung 100 hervorzurufen.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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  • Zitierte Patentliteratur
    • JP 2010-98036 [0004]

Claims (4)

  1. Halbleitervorrichtung, aufweisend: ein Halbleiterelement (1); eine Hauptelektrode (81, 82), die mit dem Halbleiterelement verbunden ist; und ein Gehäuse (11) zum Abdichten des Halbleiterelements, wobei die Hauptelektrode so ausgebildet ist, dass sie sich von der Innenseite des Gehäuses zur Außenseite desselben erstreckt, und wobei ein Außengewinde oder ein Innengewinde (12, 81F oder 27), das an einem äußeren Anschluss zu befestigen ist, integral auf einem Fortsatzabschnitt (81A, 81D oder 81L) der Hauptelektrode, der sich zur Außenseite des Gehäuses erstreckt, vorhanden ist.
  2. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, wobei der Fortsatzabschnitt (81A) der Hauptelektrode, der sich zur Außenseite des Gehäuses erstreckt, zu einem oberen Oberflächenabschnitt des Gehäuses gerichtet ist, eine Aussparung (11H) in dem Gehäuse ausgebildet ist, die zu dem Fortsatzabschnitt gerichtet ist, eine Mutter (12) innerhalb der Ausnehmung des Gehäuses vorhanden ist, und die Mutter und der Fortsatzabschnitt der Hauptelektrode über einen Schweißabschnitt (20) miteinander verschweißt sind.
  3. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, wobei eine Ausnehmung (11H) in dem Gehäuse ausgebildet ist, der Fortsatzabschnitt (81D) der Hauptelektrode, der sich zur Außenseite des Gehäuses erstreckt, so vorhanden ist, dass er nach unten in die Ausnehmung des Gehäuses fällt, und ein Schraubengewinde (81F) auf einem Teil des Fortsatzabschnitts ausgebildet ist, welcher nach unten in die Ausnehmung fällt.
  4. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, wobei der Fortsatzabschnitt (81L) der Hauptelektrode, der sich zur Außenseite des Gehäuses erstreckt, zu einem oberen Oberflächenabschnitt des Gehäuses gerichtet ist, ein Bolzen (27) vorstehend auf dem Fortsatzabschnitt vorhanden ist, und der Bolzen und der Fortsatzabschnitt mit einem Schweißabschnitt (23) miteinander verschweißt sind.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102014115847A1 (de) 2014-10-30 2016-05-04 Infineon Technologies Ag Halbleitermodul und Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls
DE102017220722B4 (de) * 2017-01-12 2021-06-17 Mitsubishi Electric Corporation Halbleitermodul

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5496304B2 (ja) * 2012-10-19 2014-05-21 三菱電機株式会社 半導体装置
DE112015001002B4 (de) * 2014-10-14 2023-08-10 Fuji Electric Co., Ltd. Halbleitervorrichtung
JP7275493B2 (ja) 2018-08-07 2023-05-18 富士電機株式会社 半導体装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010098036A (ja) 2008-10-15 2010-04-30 Fuji Electric Systems Co Ltd 樹脂ケース及び樹脂ケース製造方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3745505A (en) * 1971-10-21 1973-07-10 J Harnden Semiconductor device-metal oxide varistorheat sink assembly
US4907124A (en) * 1988-09-01 1990-03-06 Kaufman Lance R Bolted circuit assembly with isolating washer
US5488623A (en) * 1990-11-07 1996-01-30 Fuji Electric Co., Ltd. Mold-type semiconductor laser device with reduced light-emitting point displacement during operation
JPH0955462A (ja) * 1995-08-16 1997-02-25 Fuji Electric Co Ltd 半導体装置
JPH09283681A (ja) * 1996-04-16 1997-10-31 Hitachi Ltd 半導体装置
US6627975B2 (en) * 2001-03-12 2003-09-30 International Rectifier Corporation Minitab rectifying diode package with two different types of diodes for alternators
JP4540884B2 (ja) * 2001-06-19 2010-09-08 三菱電機株式会社 半導体装置
US7538401B2 (en) * 2005-05-03 2009-05-26 Rosemount Aerospace Inc. Transducer for use in harsh environments
JP4564937B2 (ja) * 2006-04-27 2010-10-20 日立オートモティブシステムズ株式会社 電気回路装置及び電気回路モジュール並びに電力変換装置
US7713771B2 (en) * 2006-09-01 2010-05-11 Grundfos A/S Pressure sensor
CN201017869Y (zh) * 2007-02-14 2008-02-06 齐齐哈尔齐力达电子有限公司 绝缘型大功率电力半导体模块
JP5288973B2 (ja) * 2008-09-29 2013-09-11 三洋電機株式会社 角形二次電池及び電池モジュール
US20100081284A1 (en) * 2008-09-29 2010-04-01 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for improving flow uniformity in a process chamber
JP5643752B2 (ja) * 2009-05-14 2014-12-17 ローム株式会社 半導体装置
US20120146165A1 (en) * 2010-12-09 2012-06-14 Udo Ausserlechner Magnetic field current sensors

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010098036A (ja) 2008-10-15 2010-04-30 Fuji Electric Systems Co Ltd 樹脂ケース及び樹脂ケース製造方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102014115847A1 (de) 2014-10-30 2016-05-04 Infineon Technologies Ag Halbleitermodul und Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls
DE102014115847B4 (de) 2014-10-30 2018-03-08 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls
US10008392B2 (en) 2014-10-30 2018-06-26 Infineon Technologies Ag Method for producing a power semiconductor module
US10020237B2 (en) 2014-10-30 2018-07-10 Infineon Technologies Ag Power semiconductor module and method for producing a power semiconductor module
DE102017220722B4 (de) * 2017-01-12 2021-06-17 Mitsubishi Electric Corporation Halbleitermodul

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