TW511298B

TW511298B - EL display device

Info

Publication number: TW511298B
Application number: TW089124566A
Authority: TW
Inventors: Takeshi Nishi; Noriko Ishiimara
Original assignee: Semiconductor Energy Lab
Priority date: 1999-12-15
Filing date: 2000-11-20
Publication date: 2002-11-21
Also published as: KR20010062490A; CN100514667C; CN1263165C; EP1109225A3; KR20060012549A; JP5957512B2; JP5292421B2; CN1300105A; US20110210661A1; JP2015065180A; US20040003939A1; JP2013235861A; KR100740024B1; US20010004190A1; KR100686479B1; JP2013058484A; EP1109225B1; US6593691B2; EP1109225A2; CN1901219A

Description

Μ1298 Α7 Β7 五、發明說明◦) 發明領域本發明有關一種電致顯示裝置，其藉由在基底上製作半導體裝置而形成’並有關一種以此電致電子裝置作爲顯示部位的電子裝置。相關技術的描述近來在基底上形成薄膜電晶體的技術已有長足的發展，且將其應用在主動陣列形液晶顯示裝置。尤其，利用聚合矽薄膜的TFT具有高於習知非晶矽薄膜TFT的場效移動性，藉此實現高速的操作。因此，可利用形成在同一基底上的驅動電路來控制像素，其不同於利用基底外側電路來控制像素的習知方式。此種陣列形液晶顯示裝置已受到矚目，由於此種裝置藉由在同一基底上製作各種電路及裝置，因此具有低製造成本，小型化，高良率等優點。在主動陣列型電致顯示裝置中，每一像素具有TFT開關裝置，以及由開關裝置所致動，用以控制電流以使電致層發光的驅動裝置。此種電致顯示裝置揭露於如日本專利公開第Hei 1 0- 1 89252號中。電致顯示裝置包括陰極構成的裝置區’電致層及陽極。當裝置區中的薄膜電阻增加，由於壓降的關係’陽極的電位分布變得不均勻，因而使電致裝置的光強度發生變異 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ---------訂---------線* 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -4- M1298 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（2 ) 發明總結因此，本發明提供一種電致顯示裝置，降低電致裝置之陽極的薄膜電阻，並呈現相對的優點。進一步的’本發明的另一目的在於提供一種具有顯示區的電子設備，其利用此一電致顯示裝置而能穩定的操作。以下將參考圖1說明本發明。在圖1中，參考標號101 代表具有絕緣薄膜的基底。基底101可爲如石英基底的絕緣基底。變換的，藉由在表面提供絕緣薄膜，亦可使用玻璃基底，半導體基底，陶瓷基底，結晶基底，金屬基底或塑膠基底。在基底101上形成有像素102。雖然圖1僅顯示三個像素，但實際上是以陣列的方式形成大量的像素。此外，雖然以下僅說明其中的一個像素，但每一像素具有相同的結構。在每一像素102中，形成兩個TFT ; —爲開關TFT103 ，另一爲電流控制TFT104。開關TFT103的汲極電子地連接至電流控制TFT 104的閘極。進一步的，電流控制TFT 104 的汲極電子地連接至像素電極105(其亦作爲電致顯示裝置的陰極）。以此方式形成像素1 02。 TFT的各種線路及像素電極可由低阻抗的金屬薄膜所形成。例如，可利用鋁合金薄膜。在製作像素電極1 05後，將鹼金屬或鹼土金屬絕緣化合物1〇6(其後稱爲鹼金屬化合物）覆於所有的像素電極105 上。圖1中鹼性化合物106的部分由虛線表示。由於鹼性化 ---Λ----V-------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -5- 511298 A7 B7 五、發明說明（3 ) 合物1 06的厚度爲幾個奈米，因此無法得知鹼性化合物1 06 爲層狀或爲島形。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 可利用氟化鋰，氧化鋰，氟化鋇，氧化鋇，氟化鈣，氧化鈣，氧化緦，氧化鉋的鹼性化合物106。由於這些化合物爲絕緣金屬，因此即使形成鹼性化合物1 06層，亦不會發生短路。當然，可利用MgAg電極作爲陰極。然而，在此情形中 ’陰極本身必須選擇性地形成或圖樣化成預定的形狀，以避免像素電極間的短路。在形成鹼性化合物106後，電致層（電發光層）107形成於其上。可利用已知的材料及/或結構作爲電致層丨07。更特定的，在電致層的結構方面，僅具有重結合場域的發光層可作爲電致層107 。若需要，可進一步形成電子注射層，電子傳輸層，孔傳輸層，電子阻隔層，孔裝置層，或孔注射層。在本說明書中，所有用以實現載體注射，傳輸或重結合的層狀結構通稱爲電致層。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製可使用低分子型有機金屬或聚合型有機金屬作爲電致層107 。然而，最好使用聚合型有機金屬，由於可利用簡單的成型技術如旋轉被覆或印刷技術來加以達成。圖1的結構爲單色發光型的例子，其中使用發出紅色，藍色，綠色，白色’黃色，橘色以及紫色的單色電致層來顯示單色影像。可使用前述的材料來形成發出任一種單色光的電致層。在電致層107上形成作爲陽極108的透明導電層。可利本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 x 297公釐） 511298 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（4 ) 用氧化銦及氧化錫的化合物，或氧化銦及氧化鋅，氧化錫或氧化鋅的化合物作爲透明導電層。在本案中，計算金屬薄膜109與陽極108之疊層區的薄膜電阻以及僅有陽極108區之薄膜電阻的平均値，並稱爲陽極的平均薄膜電阻。藉由在陽極上提供金屬薄膜109 ，可降低陽極的薄膜電阻。進一步的，金屬薄膜109亦作爲發光遮蔽層。爲了減少沉積過程中陽極可能造成的損壞，因而利用蒸著法來實施金屬薄膜109的沉積。此外，金屬薄膜109可使觀看時能消除鄰近像素間的間隙111 。前述的間隙爲非發光部位，且電場分布在像素電極的端部附近變得更爲複雜，因此在間隙部位部易形成理想的強度及色度。在形成上述的金屬薄膜109後，提供作爲絕緣薄膜的第二惰性薄膜1 1 2。可使用氮化矽薄膜或氮氧化矽薄膜作爲第二惰性薄膜11 2。雖然亦可利用氧化矽薄膜作爲第二惰性薄膜1 1 2，但最好儘量降低絕緣薄膜中的氧含量。在本發明中，以此種方式製作的基底稱爲主動陣列型絕緣基底。更特定的，形成有TFT，連接至TFT的像素電極以及利用像素電極作爲陰極的電致層者稱爲主動陣列型絕緣基底。進一步的，附上相對的基底110 ，並使電致元件內插於兩者間。雖然此處未顯示，相對的基底1 1 0以密封劑附於主動陣列型基底上，使得考標號11 3所指示的空間成爲本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ---·----、-------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 511298 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 五、發明說明（5 ) 一密閉空間。相對的基底110需使用透明的基底，以使光線穿過。例如，可使用玻璃基底，石英基底及塑膠基底。密閉空間11 3內可塡入惰性氣體或惰性液體。變換的 ’可在密閉空間11 3中塡入透明添加劑或樹脂，以黏著整個基底的表面。進一步的，較佳的是在密閉空間11 3中放置如氧化鋇的乾燥劑。由於電致層107易受水的傷害，因此需防止水進入密閉空間11 3中。在依據本發明具有上述結構的電致裝置中，從電致發出的光線通過相對基底，而照射至使用者的眼睛。據此，觀察者可透過基底辨識到影像。在此情況下，依據本發明之電致裝置的一特徵在於具有低電阻的金屬薄膜1 09置放於包括電致裝置的陽極1 08上，使得鄰接像素1 05間的間隙 111被金屬薄膜1 09所消除。此可減低電致裝置之陽極的平均薄膜電阻，並防止光線從像素105間的間隙111漏失。因此，可在像素間形成更淸晰的影像。因而，依據本發明，電致裝置的陽極具有較低的平均薄膜電阻，且在像素間可顯示更淸晰的影像。進一步的，亦提供利用此種電致顯示裝置的電子設備。圖示的簡單描述圖1說明電致顯示裝置的像素部位。圖2說明電致顯示裝置的像素剖面結構。圖3A及3B說明電致顯示裝置的上部結構及電致顯示 ----^-------—訂--— II---|線^^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -8- 川298 A7 B7 五、發明說明（6 ) 裝置之像素部位的配置。圖4A至4E說明電致顯示裝置之主動陣列型基底的製作步驟。圖5A至5D說明電致顯示裝置之主動陣列型基底的製作步驟。圖6A至6C說明電致顯示裝置之主動陣列型基底的製作步驟。圖7顯示電致模組的外部透視圖。圖8顯示電致顯示裝置的電路配置。圖9爲電致顯示裝置之像素放大圖。圖1 0爲電致顯示裝置之取樣電路的結構。圖1 1 A及11 B爲具電致模組之電器的上視圖及剖面圖〇圖1 2說明電致顯示裝置的像素配置。圖13^至13F分別說明電子設備的特定例。圖電子設備的特定例。圖1 5說明電致顯示裝置的像素區。符號說明 11 基底 12 基座絕緣薄膜 13 源極區 14 汲極區 15a 至 15d LDD 區本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --------訂---------線* 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -9· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 511298 A7 _B7_ 五、發明說明（7 ) 16 高濃度雜質區 17a及17b 通道形成區 18 閘極絕緣薄膜 19a及19b 閘極電極 20 第一絕緣層薄膜 21 源極導線 22 汲極導線 23 閘極電極 31 源極區 3 2 汲極區 33 LDD 區 34 通道形成區 35 閘極電極 36 源極導線 37 汲極導線 41 惰性薄膜 42 內層絕緣薄膜 4 3 像素電極 44 鹼性化合物 45 電致層 46 陽極 47 金屬薄膜 48 相對基底 49a及49b 光遮蔽層本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） ^ _ ---*----.-------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 511298 A7 _B7 五、發明說明（8 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 50 濾色器 51 密閉空間 101 基底 102 像素 103 關TFT 104 電流控制TFT 105 像素電極 106 鹼金屬絕緣化合物 107 電致層 108 陽極 109 金屬薄膜 110 相對基底 111 間隙 112 第二惰性薄膜 113 密閉空間 114 金屬薄膜 201 開關TFT 202 電流控制TFT 203 電致元件 205 η通道TFT 207 η通道型TFT 212 電流供應線 300 玻璃基底 301 底薄膜 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -11 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 511298 A7 _B7 五、發明說明（9 ) 302 結晶矽薄膜 303 保護薄膜 3 37-340源極導線 305及306 η型雜質區 307-3 1 0作動層 304a-304b 光罩 311 閘極絕緣薄膜 312至 316 閘極電極 317至 323 雜質區 320至 322 η型雜質區 325至 331 η型雜質 324a-324d ,332 光罩 3 3 3及 334 Ρ型雜質 1S 335 閘極導線 336 第一內絕緣層 337-340源極導線 3 4 1 - 3 4 3 汲極導線 344 第 — 惰性薄膜 345 第二內絕緣層 346.347像素電極 348 鹼性化合物 349 電致層 350 陽極 351 金屬薄膜本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） _ ------------裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 511298 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 _B7五、發明說明（10 ) 3 5 5 源極區 3 5 6 汲極區 35 7 LDD 區 3 5 8 通道形成區 601 基底 602 像素部位 603 閘極側驅動電路 604 源極側驅動電路 605 開關丁FT 606 閘極導線 607 汲極導線 608 電流控制TFT 609 電源線 610 電致元件 611 彈性並聯線 6 1 2及6 1 3 輸出/輸入線 701 源極側驅動電路 702 平移暫存器 703 位準平移器 7 04 緩衝器 705 取樣電路 706 像素部位 707 閘極側驅動電路 708 平移暫存器 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -13- 511298 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 _B7五、發明說明（11 ) 709 位準平移器 710 緩衝器 711 閘極側驅動電路 901a 與 901b LDD 區 902 閘極絕緣薄膜 903 閘極電極 904 通道形成區 1000 基底 1001 像素部位 1 003 聞極側驅動電路 1005 黏著劑 1 007 塗附部位 1 0 0 8 陽極 1 009 連接導線 1010 糊狀材料 1301 儲存電容 200 1 顯示框 2002 支撐板 2003 顯示部位 2101 本體 210 2 顯不區 2103 聲音輸入區 2104 操作開關 2105 電池 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -14- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 511298 A7 _B7_ 五、發明說明（12 ) 2106 影像接收區 220 1 本體 2202 訊號線 2203 頭帶 2204 顯示部位 2205 光學系統 2206 電致顯示裝置 230 1 本體 2 3 02 記錄媒體 2303 操作開關 2401 本體 2402 照相機區 2403 影像接收區 2404 操作開關 24 0 5 顯不區 250 1 本體 2502 框架 2 5 0 3 顯不區 260 1 本體 2602 聲音輸出區 2603 聲音輸入區 2604 顯示區 2605 操作開關 2606 天線本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） _ 15- --------·-------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 511298 A7 B7___ 五、發明說明（13 ) 2701 本體 2702 顯示部位 2703及2704 操作開關 2304 ’ 2305 顯示部位較佳實施例的詳細描述以下參考圖2 ，3A及3B說明本發明的一些實施例。圖2顯示依據本發明，電致顯示裝置的像素剖面結構。圖 3A顯示像素部位的上視圖。圖3B顯示其電路配置。在實際的結構中，像素配置有多條矩陣式的線路，以形成像素部位。圖2說明圖3 A之A - A ’線的剖面圖。依此，相同的元件以同樣的標號來表示，且藉由兩圖的相互參考更能兩解其結構。此外，圖3A上部的兩個像素具有相同的結構。在圖2中，參考標號11代表基底，12代表基座絕緣薄膜。可使用玻璃基底，玻璃陶瓷基底，石英基底，矽基底，陶瓷基底，金屬基底或塑膠基底作爲基底11。此外，基座絕緣薄膜12較佳的是包含移動離子或具有導電性，但不必需是石英基底。可使用含矽的薄膜作爲基座薄膜1 2。在本說明書中，”含矽的絕緣薄膜”是指含預定比例之矽，氧或氮的薄膜。更特定的，爲氧化矽，氮化矽或氮氧化矽薄膜。在此例中，在一個像素中具有兩個TFT 。其中的一 TFT201作爲開關，且TFT202作爲控制通過電致元件之電流量的電流控制裝置。兩個TFT201及202皆由η型TFT所構 Λ----·-------------IT--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） -16- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 511298 A7 B7 五、發明說明（14 ) 成。由於η型TFT的場效移動性高於p型TFT者，因此n型 TFT可以較高的速度操作，並接收較大的電流。進一步的，可使相同大小的電流流經較小的η型TFT。據此，由於可增加有效顯示區，因此較佳的是使用η型TFT作爲電流控帋丨J TFT 。 P型TFT的優點在於不會使熱載體的注入成爲嚴重的問題，並使OFF電流値較小。因此，已提出利用p型TFT作爲開關TFT ，或電流控制丁FT。然而，在本發明中，藉由提供平移之LDD區，即使使用η型TFT，亦可克服有關注入熱載體以及小OFF電流的問題。然而，本發明並不限於利用η型TFT作爲開關TFT及電流控制TFT。 TFT201具有源極區13 ，汲極區14 ，包括作動層的 LDD區15a至15d，高濃度雜質區16，通道形成區17a及 17b，閘極絕緣薄膜18，閘極電極19a及19b，第一絕緣層薄膜20，源極導線21及汲極導線22。此外，如圖3A及3B所示，閘極電極19a及19b由不同材料的閘極導線2 11彼此連接，而型成雙閘極的結構。當然亦可使用多閘極結構（包含兩個或多個串接之通道形成區的結構），如三層的結構。多層結構的優點在於降低OFF電流値。依據本發明，可藉由在多閘極結構的像素中提供開關裝置201，而實現具低OFF電流値的開關裝置。此外，主動陣列層由包括晶體結構的半導體薄膜所形本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -17- —*----.------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 511298 A7 _____B7 五、發明說明（15 ) 成。此可爲單結晶的半導體薄膜，或多結晶的半導體薄膜或微結晶的半導體薄膜。閘極絕緣薄膜1 8可由包含矽的薄膜所形成。進一步的，可利用任一種導電薄膜作爲閘極，源極或汲極導線。進一步的，在開關TFT201中，配置有LDD區15a至 15d以不重疊於閘極電極19a及19b上。此種結構可改善 OFF電流値。在具有兩個或多個閘極的多閘極結構中，位於通道形成區中的高濃度雜質區可有效地降低OFF電流。如前所述，藉由具多閘極開關裝置201的TFT ，可實現具有低〇FF電流値的開關裝置。因此，電流控制TFT的閘極電壓可維持夠長的時間，即使未提供如日本專利公開第Hei- 1 0- 1 8 9252號的電容其，亦可將閘極電壓維持構長的時間。接著，使電流控制TFT202具有源極區31 ，汲極區32 ，包括LDD區33的作動層，通道形成區34，閘極絕緣薄膜 18，閘極電極35，第一絕緣層薄膜20，源極導線36及汲極導線37。雖然所述的閘極電極35爲單閘極結構，但亦可爲多閘極結構。如圖2所示，開關TFT的汲極連接至電流控制TFT的閘極。更特定的，閘極電極35經由汲極導線22連接至開關 TFT201的汲極區14。進一步的，源極導線36連接至電源線 212。電流控制TFT202用以控制注入至電致元件203的電流 ----*-----------------訂---------線^^· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -18- 311298 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（16 ) 量。然而，考量電致元件可能出現的退化情形，最好是不流過過大的電流。依此，爲了不使過大的電流流經電流控制TFT202 ，較佳的是使其通道長度較長。每個像素的通道長度最好爲0.5至2μιη(較佳的是1至1.5μιη)。在以上的描述中，如圖9所示，開關TFT的通道長度 Ll(Ll=Lla + Llb)及通道寬度W1，以及電流控制TFT的通道長度L2及通道寬度W2，最好如下：W1從0.1至5μπι(較佳的是 0.5 至 2μιη); W2 從 0.5 至 ΙΟμιη(較佳的是 2 至 5μιη); L1 從0.2至18μιη(較佳的是2至15μιη); L2從1至50μιη(較佳的是10至30μιη)。然而，本發明並不限於上述的値。形成於電流控制TFT202之LDD區的長度設成0.5至 3.5μιη，典型的是 2.0 至 2.5μιη。在圖2的電致顯示裝置中，LDD區33介於電流控制 TFT202之汲極區32與通道形成區34間，且部分的LDD區 33透過閘極絕緣薄膜18與閘極電極35重疊。電流控制TFT202將電流供應至電致元件203，以使其發光，同時控制電流供應量以實現灰階顯示。爲了達成此目的，當通過電流時，由於熱載體的注入，需加入抑制退化的抑制機構。進一步的，當關閉電流控制TFT202 ，以顯不黑色時’筒〇FF電流値可元全防止黑色部分的顯不，而降低對比。因此，需抑制OFF電流値。在注入熱載體而產生退化的情形方面，在閘極上疊上具LDD區的結構可有效的避免。據此，在重疊閘極35的區域提供LDD區’並在其間內插絕緣薄膜1 8可抑制熱載體的本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ---.----·----ΦΚ.--------訂---------線· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 川298 A7

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明說明（17 ) 注入。然而，在本發明的結構中，亦提供未重疊閘極的另〜LDD區，以克服有關OFF電流的缺點。此外，未與閘極重疊的LDD區爲非必要的。進一步的，當閘極下方之LDD區的重疊長度過長，則電流降低，而當重疊長度過短時，防止熱載體的效能會降低。因此在本實施例中，與閘極重疊之LDD區的長度依據上述的說明來加以決定，如圖2所示。進一步的，利用在閘極上重疊LDD區而產生的電容作爲儲存電容。進一步的，在上述的結構中，寄生電容產生於閘極電極與LDD區重疊的區域，因此，應將重疊區提供在源極區 3 1與通道形成區34間。由於載體一直在電流控制TFT的相同方向上傳送，因此僅在靠近汲極區側提供LDD區便足夠〇從增加電流量的觀點，可有效地增加電流控制TFT202 之作動層的薄膜厚度（較佳的是50至lOOnm ，更佳的是60 至8 0nm)。另一方面，在開關TFT201方面，從降低OFF電流値的觀點，可有效地減少電流控制TFT202之作動層的薄月旲厚度（較佳的是20至50nm，更佳的是25至40nm)。接著，參考標號4 1代表第一惰性薄膜，其可具有1 Onm 至Ιμιη的厚度（較佳的是200至500nm)。可利用含矽的絕緣薄膜作爲其結構。（尤其，氮氧化矽薄膜，或氮化矽薄膜）。在惰性薄膜4 1上，形成內層絕緣薄膜42，以覆蓋個別的TFT。內層絕緣薄膜42可爲有機樹脂薄膜，較佳的是聚本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ---.----.------------訂---------線· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 511298 A7 B7 —- 五、發明說明（18 ) 硫亞氨，丙儲酸，BCB等。利用內層絕緣薄膜42使TFT平坦化的步驟相當的重要。在其後步驟所形成的電致層相當薄，因此會造成發光上的缺陷。據此，爲了在平坦基底上形成電致層，較佳的是在形成像素電極前，實施平坦化的程序。參考標號43表示由導電薄膜所構成的像素電極，其具有遮光的效果。在內層絕緣薄膜42及惰性薄膜4 1上提供接觸孔後，形成像素電極43 ，以連接該形成開口部位中電流控制TFT202的汲極導線37。在像素電極43上，利用真空蒸著的方法形成厚度爲5 至1 Onm的氮化鋰薄膜，如鹼性化合物44。氮化鋰薄膜爲絕緣薄膜，因此當其厚度過大時，電流無法流至電致層。即使當氟化鋰薄膜形成島形的圖樣，亦無法產生效果。接著形成電致層45。在本實施例中，藉由旋轉被覆法形成聚合型有機材料。可使用任何習知的聚合型有機材。此外’在本實施例中，使用單層的發光層作爲電致層45 。變換的，當發光層與孔傳輸層或電子傳輸層結合成疊狀結構時，可提供較高的發光效應。當聚合型有機材料爲層狀的結構時，最好利用真空沉積法使其與低分子的有機化合物結合。在旋轉被覆法中，如果形成電致層的有機材混入有機溶劑中，並施加至下層。據此，如果在下層中存在任何有機材料，則有機材料會再次溶於施加的有機溶劑中。本發明所使用的典型聚合型有機材包括高分子材料， * .------------^---------線 rtt先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 x 297公釐） -21 - 511298

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明說明（19 ) 如聚對-亞苯型，PVK型’聚二次苯基甲烷。爲了形成電子傳輸層’發光層’及具這些有機材料的孔傳輸層或孔注入層’可在有機材料作塗覆，而形成前導物，並在真空中加熱以轉換成聚合型的有機材料。更特定的’爲了形成發光層，可以氰基聚苯乙烯作爲綠色的發光層材，以聚苯乙烯或聚烷苯作爲藍色的發光層材。上述材料層的膜厚可設成設成3〇至150nm (較佳的是40 至80nm)。此外，使用四聚氫硫氮雜蔥亞苯形成孔傳輸層，且進一步藉由加熱而將此孔傳輸層轉換成聚乙烯基亞苯。上述材料層的膜厚可設成設成30至lOOnm(較佳的是40至 80nm) ° 可使用日本專利公開第Hei 8-96959號，第Hei 7-22087 1號及第Hei 9-63770號所揭露的材料作爲提供白光的聚合型有機材料。由於在溶有主材料的溶劑中加入螢光染料可輕易地調整顏色，因此此材料在發出白光方面有不錯的效果。上述的材料僅爲本發明電致層的例子，且不用以限定本發明。雖然利用上述聚合型有機材料形成電致元件，亦可使用任何低分子型有機材料。再者，可形成具無機材料的電致層。當形成電致層45時，最好在乾燥的鈍氣環境中進行處理。電致層容易因外界的水或氧發生退化，因此在形成電致層時需盡可能的消除這些因素。例如，以乾燥氮氣環境 --------^--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -22- 511298 A7 B7

五、發明說明（2〇 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製或乾燥的氬氣環境爲佳。爲了獲得上述的環境，較佳的是放置於含鈍氣的塗覆處理室或烘烤處理室，並在上述的環境中進行處理。以上述方法形成電致層45後，形成由透明導電材料所構成的陽極46。在本實施例中，陽極46由氧化銦或氧化錫化合物的導電薄膜所形成。可加入小量的鎵元素。接著，在陽極46上形成遮光金屬薄膜47(47a，47b)。在本實施例中，沉積金屬薄膜47以消除像素電極43與鄰近像素電極間的間隙，並作爲遮光薄膜。在本實施例中，金屬薄膜47的薄膜電阻小於陽極46的薄膜電阻。將金屬薄膜47緊附於陽極46上亦相當重要。雖然使用適當的金屬可達到最佳的黏附效果，但使沉積陽極薄膜的條件以及其後加熱條件最佳化，亦能獲得不錯的黏覆效果〇金屬薄膜47最好使用低阻抗的金屬。例如，Ti ，A1 ，Ta，W，Cr，Cu，Ag 等。進一步的，在本實施例中，直接形成於陽極46上的金屬薄膜47最好以真空沉積法來形成。可將其膜厚設成30至 100nm(較佳的是40至80nm)。在形成金屬薄膜47後，形成第二惰性薄膜48。在本實施例中，可使用厚度爲lOOnm至Ιμπι(較佳的是200至 500nm)的氮化矽薄膜作爲第二惰性薄膜48。接著，將相對基底49對置於形成的主動陣列型基底上。在本實施例中，使用玻璃基底作爲相對基底49。 ,-------------訂--------- f請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -23- 511298 A7 B7 五、發明說明（21 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 利用密封劑將主動陣列型基底黏附於相對基底49上，以形成封閉空間50。在本實施例中，封閉空間塡有氬氣。當然亦可將上述的乾燥劑塡入封閉空間中。依據本發明的電致顯示裝置包括由圖2像素所構成的樣素部位，其中配置有依不同功能而具不同結構的像素。更特定的，在同一像素中，形成低OFF電流値的開關TFT 及不受熱載體破壞的電流控制TFT。因此，可獲得高解析度及高可靠度的電致顯示裝置。 [實施例1] 以下利用圖4A至6C說明本發明的實施例。此處說明同時形成像素部位，及驅動電路之TFT的方法。爲了簡化說明，將CMOS電路視爲基本電路。首先，如圖4A所示，在玻璃基底300上形成厚300nm 的基底薄膜30 1。在實施例1中以氮氧化矽薄膜作爲基底薄膜301 。可在與玻璃基底300接觸的薄膜中，加入濃度10 及2 5 w t %的氮氣。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製此外，可在基底薄膜30 1的一部份提供類似於惰性薄膜4 1的絕緣薄膜。由於通過大電流，因此電流控制TFT會產生大量的熱，因此最好是配置能散熱的絕緣薄膜。接著，利用已知的沉積技術在基底薄膜30 1上形成厚度50nm的異向性矽薄膜。除了異向性矽薄膜外，可使用其他具異向性結構的半導體薄膜。此外’亦可使用含異向性結構的化合半導體薄膜，如異向性矽化鍺膜。進一步的， -24- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 511298 A7 B7____ 五、發明說明（22 ) 薄膜厚度可從20至200nm。接著利用已知的方法將異向性矽薄膜結晶化，以形成結晶矽薄膜302 。結晶化的方法包括熱結晶法，雷射退火結晶法，燈光退火結晶法。實施例1所使用的結晶法爲利用XeCl準分子雷射的結晶法。實施例1可使用線形的脈波放射型準分子雷射，但亦可使用矩形的準分子雷射，此外，連續放射氬雷射光及連續放射準分子雷射光皆可使用。在此實施例中，雖然使用結晶矽薄膜作爲TFT的作動層，亦可使用異向性矽薄膜。進一步的，可利用異向性薄膜形成需降低OFF電流之開關TFT的作動層，並利用結晶矽薄膜形成作動層。移於載體的移動性，因此電流難以在異向性矽薄膜中流動，並使off電流不易流動。換句話說，最好是同時形成電流不易流動的異向性薄膜或電流容易流動的結晶矽薄膜。接著，如圖4B所示，保護薄膜303形成在具氧化矽薄膜的結晶矽薄膜上，且厚度爲130nm。此厚度可選自100至 200nm(較佳的是130至170nm)。進一步的，亦可使用其他的絕緣薄膜。在加入雜質時，形成保護薄膜303使結晶矽薄膜不致直接地暴露於電漿中，並需進行精密的雜質濃度控制。接著在保護薄膜303上形成光罩304a及304b，並加入 η型導電性的雜質元素。可使用週期表1 5族的元素作爲η 型雜質元素，典型的元素爲磷或砷。在實施例1中，利用 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------線* 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -25- 511298 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（23 ) 電漿將PH3活化，且不造成質量分離，並使加入的磷濃度成爲lxl08at〇m/cm2。當然亦可使用會實施質量分離的離子植入法。 . 調整摻入的量，使得η型雜質區305及306內含濃度爲 2xl〇16至5xi〇19atom/cm2的η型雜質（典型値爲5χ1017至 5 X 1 018atom/cm2)。接著，如圖4C所示，移除保護薄膜303，並將加入的 1 5族元素活化。可利用習知的活化技術進行活化，在第一實施例1中，是利用準分子雷射光的照射來進行活化。當然’可使用電漿可使用脈波照射型或連續照射型準分子雷射。由於目標在於活化加入的雜質元素，最好是以不使結晶矽薄膜融化的能量進行照射。除了雷射光所進行的活化外，最好配合熱處理的活化程序。當利用熱處理來進行活化時，考慮到基底的熱阻，進行的溫度最好爲450至550度。利用此製程可劃分出具η型雜質區305及306端部的邊界部位。亦即，當於其後完成TFT時，可在LDD區及通道形成區間形成極佳的連接。隨後移除結晶矽中不需要的部分，如圖4D所示，並形成島型的半導體薄膜307至310。接著，如圖4E所示，在作動層307至310上形成閘極絕緣薄膜3 1 1 。可利用厚度爲10至200nm(較佳的是50至 150nm)的含矽的絕緣薄膜作爲閘極絕緣薄膜311。可使用單層結構或多層結構。在實施例1中可使用厚度1 1 〇nm的氮氧本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -26- ---.----.-------------訂---------線^^· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 511298 A7 B7______ 五、發明說明（24 ) 化矽。其後，形成厚度爲200至400nm的導電薄膜，並圖樣化以形成閘極3 1 2至3 1 6。閘極3 1 2至3 1 6的各端不可具尖細的形狀。在本實施例中，閘極電極以及與該電極連接的導線以不同的材料所形成。更特定的，閘極導線的阻抗値低於閘極電極者。因此，可使用能進行精化處理的材料來作爲閘極電極，而閘極導線具有小的阻抗，且不能進行精化處理。當然，亦可使用同樣的材料來形成閘極導線及閘極電極。雖然可使用單層導電薄膜作爲閘極電極，較佳的是以二，三或多層的結構形成閘極電極。可使用習知的導電材料作爲閘極電極。然而，較佳的是使用能進行精化處理的材料，並可進行2μ以下線寬的圖樣化。最好選用以下元素的薄膜：Ta，Ti，Mo，W，Cr， Si或上述元素的氮化物，結合上述元素的合金薄膜（如Mo-W，Mo-Ta合金），及上述元素矽化物（如矽化鎢，矽化鈦薄膜）。當然可使用單層或多層的結構。在此實施例中，使用厚度50nm的氮化鎢及厚度350nm 的鎢。可利用濺鍍的方法形成該薄膜。當在濺鍍氣體中加入鈍氣Xe，Ne時，可防止應力造成的薄膜剝離。此時形成閘極電極3 1 3及3 1 6以覆蓋部分的η型雜質區 3 05及306，而夾疊閘極薄膜311。接著此層重疊部位成爲覆蓋閘極電極的LDD區。接著，利用閘極3 1 2至3 1 6作爲光罩，以自我對齊的方 --------------------訂---------線^^· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -27- 511298 Α7 __ Β7 五、發明說明（25 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 式來摻雜η型雜質元素。調整雜質區317至323的磷摻入量 ’使得磷濃度爲η型雜質區305及306的1/2至1/10(特定値爲1/3至1/4)。具體値爲ΙχΙΟ16至5χ1018原子/cm3，典型値爲 3xl〇17 至 3χ1018 原子 /cm3。接著形成光罩324a至324d以覆蓋閘極電極，如圖5B 所示，並藉由加入η型雜質元素而形成含高濃度磷的雜質區3 25至331 。再次利用氫化磷來實施摻雜使磷濃度爲 lxl〇2Q至 lxl〇21 原子/cm3(典型値 2xi〇2Q 至 5χ1021 原子/cm3)。 N通道型TFT的源極區以及汲極區利用此程序來形成，且在開關TFT中，留下部份以圖5A製程所形成的η型雜質區320至322。這些剩餘的區域對應至圖2開關TFT的 LDD 區 1 5a 至 1 5d。接著，如圖5C所不，移除光罩324a至324c ，並形成新的光罩332。接著加入p型雜質元素以形成含高濃度硼的雜質區3 3 3及3 34。此處利用氫化硼的摻雜，加入硼元素以形成濃度3χ102°至3χ1021原子/cm3(典型値5χ102°至ΙχΙΟ21原子/cm3)的雜質區3 3 3及334。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製加入雜質區333及334的磷濃度爲1χ102°至ΙχΙΟ21原子 /cm3，但加入的彭濃度至少爲磷濃度的三倍。因此，η型雜質區完全反轉成ρ型雜質區，而形成Ρ型雜質區。在移除光罩3 32後，將加入作動層的η型及ρ型雜質元素活化。可利用熱爐退火，雷射退火，或燈退火來進行活化。在實施例1中，在氮氣的電爐中，以550度加熱4小時以進行熱處理。 -28- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） Μ1298 Α7 Β7 五、發明說明（26 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 此時，從處理環境中移除氧氣相當重要。由於當存在小量的氧氣時，閘極的暴露表面會發生氧化，而增將阻抗，並使其後的歐姆接觸發生困難。依此，環境氣體中的氧氣濃度需小於1 p p m，較佳的是小於0.1 p p m。在完成活化處理後，形成厚度爲300nm的閘極導線335 。可使用含A1或Cu的金屬薄膜作爲閘極導線3 35 (成分含量爲50至1 〇〇%)。閘極導線3 35的配置如圖2中的閘極導線 211，以提供開關TFT之閘極電極314及315的電子連接（圖 5D)。上述的結構可大大地減小閘極導線的導線阻抗，並可形成大面積的影像顯示區。更特定的，依據本發明的像素結構可實現1 0吋對角線的電致顯示裝置。接著形成第一內絕緣層3 3 6，如圖6A所示。使用含矽的單層結構作爲第一內絕緣層3 3 6 ，當然可使用多層結構。進一步的，可使用厚度介於400nm至1·5μ的薄膜。在實施例1中，在200nm氮氧化矽薄膜上使用800nm厚的氧化矽薄膜。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製此外，在氫含量3至100 %的環境中，以300至450度實施1至1 2小時的熱處理，以進行氫化反應。亦可使用電漿氫化反應來進行氫化。在形成第一內絕緣層336時，亦可插入氫化反應。亦即，在形成200nm厚的氮氧化矽薄膜後可進行氫化反應，接著可形成其餘厚800nm的氧化矽薄膜。接著，在第一內絕緣層3 36中形成接觸孔，並形成源 -29- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 511298 A7 B7_ 五、發明說明（27 ) 極導線3 37至340及汲極導線341至343。在此實施例中，利用三層結構形成電極，其中連續地利用濺鍍法形成厚度 l〇〇nm的鈦薄膜，厚度300nm之含鈦的鋁薄膜，及厚度 1 50nm的鈦薄膜。接著形成厚度50至500nm(較佳的是200至300nm)的第一惰性薄膜344。在第一實施例中，使用厚300nm的氮氧化矽薄膜。其可由氮化矽薄膜來取代。當然可使用相同於圖2 的惰性薄膜4 1。在形成氮氧化矽前，可使用含氫的氣體，如H2或NH3 有效地實施電漿製程。利用此程序所活化的氫氣供應至第一內絕緣層3 36，並利用熱處理改善第一惰性薄膜344的品質。此時，加入第一內絕緣層336的氫氣向低處擴散，並可有效地氫化活化層。接著，如圖6B所示，形成樹脂製的第二內絕緣層345 。可使用聚硫亞氨，聚氨基化合物，acryl，BCB作爲有機樹脂。尤其，由於第二內絕緣層345主要用以使表面平坦化，因此以acryl的性質爲佳。在此實施例中，需使丙烯酸薄膜有足夠的厚度以塡補TFT所形成的階狀部位。厚度最好爲1至5μιη。其後，在第二內絕緣層345中形成接觸孔，並使第一惰性薄膜344到達汲極導線343。在此實施例中，形成厚度 300nm的鋁合金薄膜以作爲像素電極346。參考標號347代表鄰接之像素電極的端部。接著，形成鹼性薄膜348，如圖6C所示。在本實施例 --------------------訂---------線^^· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -30 - 511298 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（28 ) 中’利用蒸著法形成氟化鋰薄膜，以具有5nm的薄膜厚度。其後’利用旋轉被覆形成厚l〇〇nm的電致層349。在本實施例中，可使用揭露於日本專利公開第Hei 8-96959號及第Hei 9-63770號的材料作爲提供白色光的聚合型有機材料。例如，藉由溶解PVK ， Bu-PBD ，香豆素， DCM ’ TPB及尼羅紅溶解於1，2-亞甲基二氯所獲得的材料〇在本實施例中，電致層349具有包含上述發光層的單層結構。變換的，若需要可進一步形成電子注射層，電子傳輸層，孔傳輸層，電子阻隔層，孔裝置層，或孔注射層〇接著，以透明導電薄膜形成厚度200nm的陽極350，以覆蓋電致層349。在此實施例中，利用蒸空蒸著形成氧化銦或氧化鋅，接著將其圖樣化以獲得陽極。接著，在陽極上形成低電阻金屬製的金屬薄膜351 。進一步的，金屬薄膜35 1的厚度最好能使其薄膜電阻低於陽極350的薄膜電阻。在沉積金屬薄膜35 1後，進行蝕刻程序，由於以人眼觀看時，金屬薄膜35 1可蓋過像素電極間的間隙。此時，不能對陽極350作蝕刻。在此實施例中，由於陽極350爲氧化鋁或氧化銦的化合物，因此使用乾式蝕刻法，並以氯氣作爲鈾刻劑。此外，以真空沉積法形成鈦及鋁的疊層結構，並在陽極3 50上形成50nm厚的鈦，且於鈦上形成250nm 厚的鋁而形成金屬薄膜351。 ------------裝--------訂--I------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -31 - Μ1298 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明說明（29 ) 在陽極350與鋁間形成鈦的層狀結構，可避免電解腐蝕。在此可利用氮化鈦來取代鈦。氮化鈦的優點在於可輕易地與陽極接觸。在此實施例中，若考慮陽極的損壞現象，可使用真空沉積法，同時亦能使用濺鍍法。本發明的金屬薄膜351爲疊層的結構，但亦可爲單層結構。最後，利用電漿CVD以氮氧化矽形成厚100nm的第二惰性薄膜35 1。此第二惰性薄膜35 1用以提供電致層349的抗水保護，並將電致層349所產生的熱散出。爲了進一步增進散熱效果，可利用氮化矽及碳的層狀結構形成第二惰性薄膜3 5 1。依此方式，完成圖6C的主動陣列型電致顯示裝置。在本實施例的主動陣列型電致顯示裝置中，將具有最佳結構的TFT配置於像素部位及驅動電路部位，而獲得極佳的耐用性及操作性。首先，僅可能使用具降低熱載體結構的TFT作爲驅動電路之CMOS電路的η通道TFT205。此處的驅動電路包括平移暫存器，緩衝器，位準平移器，取樣電路等。在此例中，亦可包括數位轉換電路，如D/A電路。如圖6C所示，在此例中，η通道TFT205的作動層包括源極區3 5 5，汲極區356，LDD區357及通道形成區358，且LDD區357透過閘極絕緣薄膜311與閘極313重疊。 LDD區僅形成於汲極區側的原因在於不使操作速度落 I ! 裝·！---I I I I I----線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 32 - M1298 A7 __ B7 五、發明說明（30 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 下。在此η通道TFT205中，不需太關注OFF電流値，而重點在於操作速度。因此，較佳的是使LDD區3 57完全與閘極3 1 3重疊，以將阻抗降至最低。亦即，最好移除所謂的偏移部位。進一步的，幾乎可忽略因注入熱載體所造成CMOS電路之P型TFT206的退化。當然可在LDD區提供TFT206，以抑制熱載體。在驅動電路中，相較於其他的電路，取樣電路可允許較大的電流在兩個方向流經通道形成區。亦即，源極區以及汲極區的角色互換。此外，需要將OFF電流値控制地很小，此時可在取樣電路中使用介於開關TFT與電流控制TFT 間的TFT。依此，在形成取樣電路的η通道型TFT中，較佳的是配置圖10結構的TFT。如圖10所示，LDD區901a與901b 的位置透過閘極絕緣薄膜902與閘極電極903重疊。此結構的優點已在電流控制TFT202中述及。當在取樣電路中使用 TFT時，配置LDD區並將通道形成區904內插於其間。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製在實際的製程中，於完成圖6C的結構後，利用具有遮光薄膜的相對基底將電致層密封在封閉的空間內，如圖1 及圖2所示。此時，可在密封空間中置入鈍氣體或吸濕性金屬來提生電致層的耐久性。可利用液晶顯示裝置的室體組裝方法來進行電致層的密封。在完成電致層的密封程序後，接上連接器（彈性印刷電路），以將基底上的元件或電路端子連接至外部的訊號端子 -33- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 511298 A7 B7_ 五、發明說明（31 ) ’而完成最後的製程。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 以下將參考圖7說明主動陣列型電致顯示裝置的結構。本實施例的主動陣列型電致顯示裝置包括形成於玻璃基底上的像素部位602，閘極側驅動電路603，源極側驅動電路604。像素部位的開關TFT605爲η通道型TFT，並配置於連接至閘極側驅動電路603之閘極導線606，與連接至汲極側驅動電路604之汲極導線607的交點處。開關TFT605 的汲極連接至電流控制TFT608的閘極。進一步的，電流控制TFT608的源極側連接至電源線 609。在依據本發明的結構中，電源線609連接至電致元件 610的源極，且電流控制TFT608的汲極連接至電致元件610 〇用以將訊號傳送至驅動電路的輸出/輸入線612及613 ，以及連接至電源線609的導線位於FPC611中，而成爲外部的輸入/輸出端子。圖7之電致顯示裝置的電路結構顯示於圖8中。本實施例的電致顯示裝置包括源極側驅動電路70 1 ，閘極側驅動經濟部智慧財產局員工消費合作社印製電路707，閘極側驅動電路711，及像素部位706。在本說明書中，驅動電路一詞包括源極側驅動電路及汲極側驅動電路。源極側驅動電路701具有平移暫存器702，位準平移器 7 0 3，緩衝器7 0 4，及取樣電路7 0 5。閘極側驅動電路7 0 7 包括平移暫存器708，位準平移器709，緩衝器710。閘極側驅動電路7 1 1亦具有相同的結構。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱1 . 〇4 - 511298 A7 B7 五、發明說明（32 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 此處，平移暫存器702及708分別具有5至16V的驅動電壓，且圖6C所指示的結構使用於CMOS電路中的η通道型丁FT。此外，在位準平移器703及709以及緩衝器704及710 中，類似於平移暫存器，使用圖6C包括η通道型TFT205的 CMOS電路。可使閘極導線具有層的結構，如雙閘極結構或三閘極結構，以提昇每一電路的可靠性。此外，由於將源極區及汲極區反向，且區減少off電流値，可使用圖10中包括η通道型TFT208的CMOS電路作爲取樣電路705。像素部位706配置有具圖2結構的像素。依據圖4A至6C製作TFT的步驟可輕易地實現前述的結構。在此實施例中，雖然僅顯示像素部位及驅動電路，如果使用實施例中的製造步驟，則可在同一基底上形成驅動電路以外的邏輯電路，如訊號驅動電路，D/A轉換器電路，操作放大電路，γ-修正電路等。進一步的，可利用在記憶體部位及微處理器中。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製進一步的將參考圖11 Α及11 Β說明依據本實施例的電致顯示裝置。基底1000爲主動陣列型基底。在基底上，形成有像素部位1001 ，源極側驅動電路1002及閘極側驅動電路1003 。來自驅動電路的各導線經由連接線612至614而延伸至 FPC611，並連接至外部裝置。此時，使相對基底1004至少圍繞像素部位，更佳的是 -35- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） Μ1298 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明說明（33 ) 圍繞驅動電路及像素部位。相對基底1 004利用黏著劑1 005 黏著至主動陣列型基底1 00 1上。因此，完全將電致元件密封於封閉的空間1 006中，並與外部空氣隔離。在本實施例中，使用光固化型環氧樹脂作爲黏著劑 1005。變換的，可使用其他形式的黏著劑，如丙烯酸樹脂。如果電致層的熱阻爲可接受的，亦可使用熱固性樹脂。此外’需僅可能的避免材料的氧化並防止與水接觸。黏著劑 1005可由塗佈裝置來施加。進一步的，在本實施例中，在相對基底1004及主動陣列基底1000間的密閉空間1006內塡入氮氣。圖1 1中的黑色塗附部位1 007爲合金薄膜，尤用以塡滿陽極1〇〇8上之像素電極間的間隙。在此實施例中，以真空蒸著的鈦，鋁疊層結構，作爲合金薄膜1 007。進一步的，如圖11 B所示，像素部位具有多個包括分離之電致元件的像素。所有的電致元件共用一個電極。可僅將電致層提供在像素部位，但不需提供於驅動電路上。爲了選擇性地提供電致層，利用陰影遮罩的真空蒸著法，台離法，乾式蝕刻法或雷射切割法。陽極1 008連接至連接導線1009。連接導線1009用以將預定的電壓供應至陽極1 008 ，並經由導電的糊狀材料 1010連接至FPC611。雖然，此處僅述及連接導線1 009，其他的連接導線612至614亦以相同的方式連接至FPC61 1。如上所述，藉由將FPC611連接至外部裝置，圖11A及 --丨 —丨丨丨 I -丨-· I - - - !-訂·— — — — — — (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -36- 511298 A7 B7 五、發明說明（34 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 1 B的結構便可在其像素上顯示影像。在本說明書中’電致顯不裝置爲一種產品，當連接FPC時便可顯不影像，換句話說，一種在主動陣列型基底上接附相對基底的產品。 [實施例2] 雖然在實施例1中使用上閘極型TFT ，但本發明並不限於該種TFT結構，而能利用底閘極型TFT(倒錯型TFT)。此外，可利用任一種機構形成倒錯型TFT。由於倒錯型TFT具有多個階層，因此體積較上閘極型 TFT爲小，而有利於成本的降低。此外，可利用實施例1的任一結構獲得此實施例的結構。 [實施例3] 圖3B顯示在開關TFT中利用多閘極結構，以減小像素中開關TFT的off電流量，並省去儲存電容。然而，仍可如習知的方式配置有儲存電容。此時，如圖12所示，儲存電容1301相對於開關TFT的汲極平行於電流控制TFT202的閘經濟部智慧財產局員工消費合作社印製極。利用實施例1至2的任一結構可實現實施例3的結構。亦即，儲存電容僅形成於像素電極，且不限TFT的結構，或電致層的材料。 [實施例4] 在實施例1中使用雷射結晶化作爲形成結晶矽薄302的 -37- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 511298 A7

五、發明說明（35 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製方法。在實施例4中描述利用不同結晶化的方法。在實施例4中’於形成異向性矽薄膜後，利用日本專利公開第Hei 7- 1 30652號所揭露的技術來進行結晶化。在上述的專利申請案中，利用鎳作爲觸媒來獲得具良好結晶性的結晶矽薄膜。進一步的’在完成結晶化的程序後，需移除前一步驟所加入的觸媒。此時可利用日本專利公開第Hei 1 0-270363 號或第Hei 8-3 30602號所揭露的觸媒收集技術。此外，可利用日本專利公開第Hei 1 1 -076967號所揭露的技術來形成TFT。實施例1的製程爲本發明的一個實施例，且可實現圖2 或圖6C的結構，當然如上所述亦可使用其他的製程。亦即’可自由地將實施例1至3的結構結合至實施例4 [實施例5] 第一實施例顯示在電致裝置中的陽極108上提供金屬薄膜109的結構，以蓋住鄰近電極間的間隙111。在本實施例中，如圖15所示，在陽極108上形成金屬薄膜114，以內置於陽極108與金屬薄膜109間。金屬薄膜114的膜厚不能過厚，而使其失去透光性’ 特定的厚度爲10至50nm(較佳的是20至30nm)。在金屬薄膜114上，以類似實施例1的方法形成金屬薄膜1 0 9 ° 藉由在陽極108上提供包括金屬薄膜114與金屬薄膜 -------I I I I ---I I I I I ^--— — — — — — — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） -38- Μ1298 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明說明（36 ) 1 09的層狀結構，可減少陽極上的平均薄膜阻抗。本實施例的結構可自由地結合前述實施例的任一結構 [實施例6] 第一實施例顯示在電致裝置中的陽極1〇8上提供金屬薄膜109的結構，以蓋住鄰近電極間的間隙1 Π。在本實施例中，如圖15所示，在陽極1 〇8上形成金屬薄膜114，以內置於陽極108與金屬薄膜1〇9間。金屬薄膜114的膜厚不能過厚’而使其失去透光性’ 特定的厚度爲10至50nm(較佳的是20至30nm)。在金屬薄膜1 1 4上，以類似實施例1的方法形成金屬薄膜1 09。藉由在陽極108上提供包括金屬薄膜114與金屬薄膜 1 0 9的層狀結構，可減少陽極上的平均薄膜阻抗。當陽極1 0 8由氧化銦I或氧化鋅的化合物所製成’且金屬薄膜109由鋁所製成時’鉻的金屬薄膜可防止在陽極1〇8 與金屬薄膜1 〇 9間發生電解腐f虫。進一步的，鉻的金屬薄膜Π4與鋁的金屬薄膜109可展現夠大的選擇比’以抵抗氯型的飽刻氣。因此’僅將金屬薄膜1 0 9選擇性的實施乾式餓刻。本實施例的結構可自由地結合前述實施例的任一結構 [實施例7] ^紙張尺度_中關家標準(CNS)A4規格（210 X 297公釐） -39- I 1 I-----------I----^ « — — — — — — I— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 511298 A7 B7_____ 五、發明說明（37 ) 當驅動本發明的電致顯示裝置時，可利用類比影像訊號進行類比式的驅動，並可利用數位訊號進行數位式的驅動。當進行類比驅動時，從開關TFT的源極導線送入類比訊號，且含有灰階資訊的類比訊號成爲開關TFT的閘極電壓。接著，利用電流控制TFT控制流經電致元件的電流，如此可控制電致元件的發光強度，並以此進行灰階的顯示〇另一方面，當進行數位式的驅動時，不同於類比式的灰階顯示器，其利用分時的方式來進行灰階顯示。調整發光時間，以在視覺上呈現彩色階層的變化。相較於液晶顯示元件，電致元件具有極快的反應速度，因此可作高速的驅動。依此，電致元件適合於作分時的灰階驅動，其中一圖框分割成多個次圖框，並進行灰階的顯示。本發明的技術部分在於元件的結構，因此可使用任一種驅動方法。 [實施例8] 電致顯示裝置使用自身的所發出的光，因此不需背光。相反的反射型液晶顯示裝置在暗處時需要背光。另一方面，由於電致顯示裝置本身可提供光源，因此不會有上述的問題。然而，當包括有電致顯示裝置的電子裝置使用於戶外時，有可能會在暗處或亮處操作。在暗處時可顯示足夠淸 ----I-------·!—1!— 訂·- ----線^^- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -40- 511298 A7 B7 五、發明說明（38 ) 晰的影像’但右売度不足，則在売處時影像將變得不易辨 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ¥ 電致層的發光量決定於流經的電流量。因此，較大的亮度需較大的電流，並增加功率的消耗。然而，當亮度設成如此高的準位時，在暗處會提供過量的影像。爲了克服上述的缺點，依據本發明的電致顯示裝置具有利用感測器偵測環境亮度的功能，並依據測得的亮度調整電致層的發光強度。更特定的，在亮處將發光量設成高位準，而在暗處則設成低位準，因此便能避免過多的功率消耗。因此，依據本發明的電致顯示器可實現低的功率消耗。用以偵測環境亮度的感測器可利用CMOS感測器。可利用習知的技術將CMOS感測器形成於驅動電路及像素部位的同一基底上。可將形成有CCD的半導體晶片附於電致顯示裝置上。變換的，CCD或CMOS感測器可作爲電致顯示裝置的一部份。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製此外，提供有能依據感測之環境亮度，調整流經電致層之電流的電路。因此，可依據環境亮度調整電致層的亮度。本實施例的結構可與實施例1至7的任一結構相結合。 [實施例9] 依據本發明的電致顯示裝置爲一種自發光型的顯示裝置，因此相較於液晶顯示裝置有更佳的影像辨別性。進一 -41 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） Μ1298 Α7 Β7 五、發明說明（39 ) 步的，電致顯示裝置具有更大的視角。依此，電致顯示裝置可應用至各種裝置的顯示部位。例如，爲了在大尺寸的畫面上顯示TV節目，可使用依據本發明電致顯示裝置作爲顯示部位（如3 0吋或4 0吋的電致顯示裝置）。電致顯示裝置可應用至所有顯示資訊的裝置，如個人電腦，接收電視廣播節目的顯示器，及廣告顯示幕等。再者，依據本發明的電致顯示裝置可用於其他不同裝置的顯示部位。此電子裝置包括視頻攝影機；數位相機，投影機，投影TVs ，凸眼式顯示器，導航系統，汽車音響，筆記型電腦，遊戲機，可攜式資訊終端（如行動電腦，可攜式電話，可攜式遊戲機或電子記事簿），具紀錄媒體的影像再生裝置等。尤其在可攜式資訊終端的應用中，由於常需以較大的視角觀看螢幕，因此最好使用能提供大視角的電致顯示裝置。這些電子裝置的例子顯示於圖1 4。圖13A的電致顯示裝置包括顯示框200 1，支撐板2002 ，顯示部位2003等。本發明應用至顯示部位。由於電致顯示爲自發光型，因此不需背光。且顯示部位的厚度可較液晶顯示裝置者爲薄。圖1 3B爲視頻照相機，其包括本體2 1 0 1 ，顯示區2 1 02 ，聲音輸入區2103 ，操作開關2104，電池2105及影像接收區2106。本發明的光電裝置可應用至顯示區2102，且本發明的電致顯示裝置顯示區2102等。圖13C爲頭帽式電致顯示器，其包括本體220 1 ，訊號本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公髮） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) · ! I !—訂·ί —丨 ί- 座經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -42- Μ1298 Α7 Β7 五、發明說明（40 ) 線2 202 ’頭帶2203，顯示部位2204，光學系統2055及電致顯示裝置2206等。本發明可應用至電致顯示裝置2206。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖1 3D爲包括記錄媒體的影像再生裝置（更定的是指 DVD再生裝置）。其包括本體2301 ，記錄媒體2302(CD ， LD ’ DVD等），操作開關2303，顯示部位2304(a)，另一顯示部位（b)2305等。顯示部位（a)用以顯示影像資訊，而顯示部位（b)用以顯示字元資訊。依據本發明的電致顯示裝置可 g 於這些部位（a)及（b)。包括記錄媒體的影像再生裝置亦包括CD再生裝置及遊戲機。圖13E爲行動電腦，其包括本體2401，照相機區2402 ’影像接收區2403 ，操作開關2404，及顯示區2405。本發明的電致顯示裝置可應用至顯示區2405。圖13F爲個人電腦，其包括本體250 1，框架2502，顯示區25 03，及鍵盤25 04。本發明的電致顯示裝置可應用至顯示區2 5 0 3。當未來電致材料能發出更亮的光時，依據本發明的電致顯示裝置將可應用至前式及後式投影機。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製前述的裝置常需顯示透過通訊路徑所傳送的資訊，如 CATV並經常顯示動態的資訊。由於電致顯示裝置具有相當高的反應速度，因此極適於顯示動態的影像。然而，如果像素間的輪廓便得不淸晰，整的移動中的影像將無法淸楚地呈現。由於依據本發明的電致顯示裝置能顯示淸晰的像素輪廓，因此在應用至電子裝置上有相當明顯的優點。電致顯示裝置的發光部位會消耗功率，因此可僅可能 -43· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） Μ1298 Α7 Β7 五、發明說明（41 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 地減小發光部位。依此，當電致顯示裝置應用於顯示字元資訊的顯示部位時，如可攜式資訊終端，手機或汽車音響設備的顯示部位時，最好是使字元部位由發光部位所形成而非發光部位對應至背景。圖14A爲可攜式電話，其包括本體2601 ，聲音輸出區 2602，聲音輸入區2603，顯示區2604，操作開關2605，及天線2606等。依據本發明的電致顯示裝置應用於顯示部位2604。藉由在黑色的背景上顯示白光的字元可降低可攜式電話的功率消耗。圖14B爲汽車音響設備，包括本體270 1 ，顯示部位 27 02，及操作開關2703及2704。依據本發明的電致顯示裝置應用於顯示部位2704。藉由在黑色的背景上顯示白光的字元可降低顯示部位2704的功率消耗。如上所述，本發明可應用至各領域的電子裝置。利用任意結合具實施例1至8結構的電致顯示裝置，可獲得發明的電子裝置。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 [實施例10] 在本發明之電致層所發出的光線中，向著陰極側照射的部分自陰極反射，並照向陽極側。在此例中，於電致層發光的區域中，可看見依發光層之結構材料所決定的波長光。然而，在其他未發光的區域中，可透過陽極與電致層看到陰極的背表面側。因此，陰極的背表面會如鏡子般反射觀看者的臉部，而產生缺點。 -44- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 511298 A7 B7_ 五、發明說明（42 ) 在本實施例中，較佳的是提供能克服此缺點的例子。將環形的極化薄膜黏附在電致上，便可克服此一缺點。然而，環形極化薄膜相當昂貴。變換的方法爲，在陰極的反射表面提供升起的部位以散射自該表面所反射的光線〇更特定的，自陽極側照射的可見光可任意地由陰極的反射面反射，因而防止觀看者看到陰極的反射面。提供於陰極表面的升起部位可由凹陷部位或突出部位所形成。變換的，亦可提供重複形成有凹凸部位的皺狀表面。上述的升起部位可由微影技術，全像技術所形成（例如，Sharp 技術報告，Vol.74，pp.16-19，1999 年 8 月所描述的凹凸表面）。變換的，可利用電漿製程或蝕刻製程等表面處理形成升起部位。進一步的，可利用陰極的沉積條件自然地在陰極表面形成升起部位。換據話說，不論升起部位可爲規則狀或不規則狀，皆可以隨機的形式在各像素面上反射。變換的，可利用與陰極接觸的另一薄膜作爲升起部位。尤其，日本專利公開第 9-69642號及10- 144927號揭露在鋁薄膜上形成升起部位的技術。更特定的，可依據上述公告案的技術形成鋁薄膜，並在所形成的薄膜上形成陰極，而產生具有升起部位的陰極。利用上述的技術可避免觀看者的臉部自陰極表面反射。本實施例的結構可自由地結合前述實施例的任意結構。因此，如上所述，依據本發明，陽極上的金屬薄膜可本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -45- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ·丨丨I I丨i丨訂- ί — ί! - 邊 511298 A7 B7 五、發明說明（43 ) 降低陽極的平均薄膜阻抗。進一步的，上述的金屬薄膜爲遮光薄膜，其能蓋住像素間的間隙，而使像素間產生淸晰的輪廓。因此，可獲得高解析度的電致顯示裝置。再者，利用本發明的電致顯示裝置，可提供具高可靠度，高可視度的電子設備。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 零裝訂---------% 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -46 -

Claims

511298 A8B8C8D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製六、申請專利範圍 1·一種電致顯示裝置，包括：配置有多個像素的主動陣列型基底，每一像素具有與薄膜電阻連接的像素電極；及由該作爲陰極之像素電極，電致層及陽極所構成的電致元件，其中在陽極上提供金屬薄膜’以蓋住該像素的邊緣及該像素間的間隙。 ‘ 2 ·如申請專利範圍第1項之電致顯示裝置，其中該金屬薄膜的薄膜電阻低於該陽極的薄膜電阻。 3·如申請專利範圍第1項之電致顯示裝置，其中該金屬薄膜作爲遮光薄膜。 4 ·如申請專利範圍第1項之電致顯示裝置，其中該金屬薄膜具有層狀的結構。 5 ·如申請專利範圍第1項之電致顯示裝置，其中在該電致元件之該陰極的表面提供升起部位。 6.如申請專利範圍第1項之電致顯示裝置，其中該金屬薄膜選自下列的群組：Ti，Al，Ta，W，Cr，Cu及Ag。 7·如申請專利範圍第1項之電致顯示裝置，其中該陽極包括氧化錫銦。 8 ·如申請專利範圍第1項之電致顯示裝置，其中該陰極包括鋁。 9·如申請專利範圍第1項之電致顯示裝置，其中該電致顯示裝置選自下列群組：攝影機，頭帽式顯示器，個人電腦，導航系統，行動電話及汽車音響。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -47 - 11 I Γ------------I I--11 ^--------- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 511298 A8B8C8D8 六、申請專利範圍 10·—種電致顯示裝置，包括： (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 配置有多個像素的主動陣列型基底，每一像素具有與薄膜電阻連接的像素電極；及由該作爲陰極之像素電極，電致層及陽極所構成的電致元件，其中在該陽極與相對基底間提供金屬薄膜，以蓋住該像素的邊緣及該像素間的間隙。 > 11·如申請專利範圍第10項之電致顯示裝置，其中該金屬薄膜的薄膜電阻低於該陽極的薄膜電阻。 12·如申請專利範圍第1〇項之電致顯示裝置，其中該金屬薄膜作爲遮光薄膜。 13·如申請專利範圍第10項之電致顯示裝置，其中該金屬薄膜具有層狀的結構。 1 4 ·如申請專利範圍第1 〇項之電致顯示裝置，其中在該電致元件之該陰極的表面提供升起部位。 15·如申請專利範圍第10項之電致顯示裝置，其中該金屬薄膜選自下列的群組，Al，Ta，W，Ci·，Cu及Ag ο 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 16. 如申請專利範圍第10項之電致顯示裝置，其中該陽極包括氧化錫銦。 17. 如申請專利範圍第10項之電致顯示裝置，其中該陰極包括I呂。 18.如申請專利範圍第10項之電致顯示裝置，其中該電致顯示裝置選自下列群組：攝影機，頭帽式顯示器，個人電 -48- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 511298 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍腦’導航系統，行動電話及汽車音響。 1 9 · 一種電致顯示裝置，包括：配置有多個像素的主動陣列型基底，每一像素具有與薄膜電阻連接的像素電極；及由該作爲陰極之像素電極，電致層及陽極所構成的電致元件，其中在部分的該陽極上提供金屬薄‘膜，以蓋住該像素的邊緣及該像素間的間隙。 20.如申請專利範圍第19項之電致顯示裝置，其中該金屬薄膜的薄膜電阻低於該陽極的薄膜電阻。 21·如申請專利範圍第19項之電致顯示裝置，其中該金屬薄膜作爲遮光薄膜。 22. 如申請專利範圍第19項之電致顯示裝置，其中該金屬薄膜具有層狀的結構。 23. 如申請專利範圍第19項之電致顯示裝置，其中在該電致元件之該陰極的表面提供升起部位。 24. 如申請專利範圍第19項之電致顯示裝置，其中該金屬薄膜選自下列的群組：Ti，Al，Ta，W，Cr，cu及Ag ο 25. 如申請專利範圍第19項之電致顯示裝置，其中該陽極包括氧化錫銦。 2 6 ·如申請專利範圍第1 9項之電致顯不裝置，其中該陰極包括鋁。 27.如申請專利範圍第19項之電致顯示裝置，其中該電本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） ----：----r-------------^---------^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 511298 A8 B8 C8 _ D8 ____ 六、申請專利範圍致顯示裝置選自下列群組：攝影機，頭帽式顯示器’個人電腦，導航系統，行動電話及汽車音響。 2 8. —種電致顯示裝置，包括：配置有多個像素的主動陣列型基底，每一像素具有與薄膜電阻連接的像素電極；及由該作爲陰極之像素電極，電致層及陽極所構成的電致元件，其中在部分的該陽極與相對基底間提供金屬薄膜，以蓋住該像素的邊緣及該像素間的間隙。 29.如申請專利範圍第28項之電致顯示裝置，其中該金屬薄膜的薄膜電阻低於該陽極的薄膜電阻。 30·如申請專利範圍第28項之電致顯示裝置，其中該金屬薄膜作爲遮光薄膜。 31. 如申請專利範圍第28項之電致顯示裝置，其中該金屬薄膜具有層狀的結構。 32. 如申請專利範圍第28項之電致顯示裝置，其中在該電致元件之該陰極的表面提供升起部位。 3 3 ·如申請專利範圍第28項之電致顯示裝置，其中該金屬薄膜選自下列的群組：Ti，Al，Ta，W，Cr，Cu及Ag ο 34·如申請專利範圍第28項之電致顯示裝置，其中該陽極包括氧化錫銦。 35.如申請專利範圍第28項之電致顯示裝置，其中該陰極包括i呂。 ----；-----:-------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 x 297公釐） -50 - 511298 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 36.如申請專利範圍第28項之電致顯示裝置，其中該電致顯示裝置選自下列群組：攝影機，頭帽式顯示器，個人電腦，導航系統，行動電話及汽車音響。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -51 · 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）