TW506228B

TW506228B - Electroluminescence display device

Info

Publication number: TW506228B
Application number: TW089120167A
Authority: TW
Inventors: Masahiro Okuyama; Naoaki Furumiya
Original assignee: Sanyo Electric Co
Priority date: 1999-10-01
Filing date: 2000-09-29
Publication date: 2002-10-11
Also published as: US20030094895A1; KR20010050782A; JP2001102169A; US6867541B2; KR100358315B1; US6531815B1

Description

506228 A7 B7 五、發明說明（1 ) [發明所屬技術領域] 請先閱讀背之注意事項再填寫本頁本發明係有關一種具有電％發光（Electro Luminescence，以下稱為「EL」）元件及薄膜電晶體之電場發光顯示裝置。 [先行之技術] 近年來使用EL元件之EL顯示裝置，成為CRT或LCD 之替代顯示裝置而受到矚目，例如，就驅動該EL元件之開關元件而言，具備薄膜電晶體（Thin Film Transistor，以下稱為「TFT」之EL顯示裝置之研究開發亦在進行中。第8圖表示有機EL顯示裝置之顯示像素，第9圖為第8圖中沿A_A線之剖視圖，第1 〇圖為第8圖中沿b_b 線之剖視圖。如圖所示，在閘極線GL與汲極線DL所包圍之領域内形成有顯示像素。在兩信號線之交叉點附近具有作為開關元件之第1TFT1，該TFT1之源極亦為保持容量電極2 與構成容量之容量電極3,並且連接於驅動有機el元件之第2TFT4之閘極15。第2TFT4之源極連接於有機el元件經濟部智慧財產局員工消費合作社印製之陽極6,另一方之汲極則連接於驅動有機EL元件之驅動線VL。上述保持容量電極2係由鉻等所形成，並且隔著上層之閘極絕緣膜7而與第1TFT1之源極為一體之容量電極3 相重疊，並以上述閘極絕緣膜7為電介體層積蓄電荷。此保持容量8保持著施加於第2TFT4之閘極15之電壓。其次，參照第9圖與第10圖，說明開關用之第1TFT1。首先，在石英玻璃、無碱玻璃等所形成之透明絕緣性本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1 311729 506228 A7 -------B7__ 五、發明說明（2 ) ^ ~ -- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 基板1〇丨面，設有由鉻（Cr)、翻（M〇)等高融點金屬所形成之第1閘極11。此第i閘極u係如第8圖所示，與閘極線GL為-體而例如在左右並行設置複數條。在第9圖中之第"祕11之右鄰’形成有與第lf^u同一製程形成之保持容量電極2。此保持容量電極2，如第8圖所示為了構成容量，在第1TFT1與第2TFT4之間具有擴大之部’ 分，而此等部分與左右延伸之保持容量線CL為一體之構成。其-人，隔著閘極絕緣膜7形成有多晶矽（稱為p_si)膜所構成之第1主動層12。此主動層12係採用淡摻雜汲極 (LDD，Lightly Doped Drain)構造。亦即，在閘極之兩侧設置有低濃度領域，且在其外側設置有高濃度之源極領域及及極項域。上述主動層12之上面設置有阻止絕緣臈丨3。此阻止絕緣膜13係阻止離子植入主動層12之膜，在此係由氧化矽膜所形成。在閘極絕緣膜7、主動層12及阻止絕緣膜13上面，設有例如依序由氧化矽膜、氮化矽膜及氧化矽膜所積層之經濟部智慧財產局員工消費合作社印製層間絕緣膜14，且經由設在汲極之接觸孔C1而與成為汲極之汲極線DL電性連接。而且，在全表面為使表面之凹

凸平坦’形成有例如有機樹脂所形成之平坦化膜PLN。EL 顯示裝置為電流驅動，所以EL層必需為均勻之膜厚^因為在臈厚薄之部分將產生電流集中。因而，至少在此形成領域有相當高之平坦性之要求，所以採用上述平坦化膜 PLN 〇本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21Q x 297公爱） 2 311729 506228 A7 B7 五、發明說明（3 ) 其次’參照第8圖及第10圖，說明驅動有機EL元件之第2TFT4 ° (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在上述絕緣性基板1 0之上面設置有與上述第1閘極 11相同材料之第2閘極1 5，且隔著閘極絕緣膜7設置有第 2主動層16。且與上述相同，在主動層之上面設置有阻止絕緣膜（stopper insulation film)17。上述主動層16係在閘極15上方設置有本徵或實質為本徵之通道，在此通道之兩侧設置有p型不純物之源極領域及汲極領域，以構成P型通道TFT。然後於全表面，形成有上述之層間絕緣膜14 ^且經由接觸孔C2而與驅動線VL電性連接。再於全表面形成上述之平坦化膜PLN，並由接觸孔C3露出源極。接著經由此接觸孔，形成有由ITO(銦錫氧化物）所形成之透明電極（有機EL元件之陽極）6。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製有機EL元件20係由上述陽極6，由MTdATA[4，4_ 雙甲基苯基苯基胺基）聯苯]所形成之第丨電洞輸送層 21，由TPD[4 ’ 4 ’ 4-參（3-甲基苯基苯基胺基）三苯基胺] 所形成之第2電洞輸送層22,由包含喹吖酮（Quinaedd⑽勾誘導體之Bebq2(10-苯并[h]喹啉酚-鈹複合物）所形成之發光層23與由Bebq2所形成之電子輸送層24所形成之發光元件層EM，以及由鎂·銦合金所形成之陰極乃，按此順序積層形成之構造，而設置於有機EL元件之實質全表面。有機EL元件之發光原理及動作係使陽極6所注入之電洞與陰極25所注入之電子在發光層EMi内部再結合， 311729 506228 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 五、發明說明（4 ) 並激勵形成發光層EM之有機分子而產生激發性電子。在此激發性電子放射去激之過程，發光層會放出光，此光則由透明之陽極透過透明絕緣基板釋放於外部而發光。如此，由第1TFT1之源極S所供給之電荷積蓄於保持谷量8,並施加於第2TFT4之閘極15，並隨其電壓將有機 EL元件電流驅動，使之發光。 [發明所欲解決之課題] 然而，如第10圖所示，用以驅動有機EL元件之陰極 25係开> 成於顯示像素領域之全面，且電性連接於配置在透明基板10之一端之端子。尤其陰極25係由外部供給DC或AC之電位，且有電流在陽極6與陰極25之間流動。因而，當陰極25或與陰極連接之配線之接觸電阻或配線電阻較大，則有施加於陰極之偏壓降低，顯示品級降低之問題存在。 [用以解決課題之手段] 本發明係有鑑於上述之課題，於第丨手段為使成為el 元件之一方之電極之上層電極，在位於上述端子群與上述顯不像素領域之間之領域與上述端子電性連接，以解決上述問題。第2手段為使上層電極與上述端子群所延伸之配線連接’而於上述上層電極與上述配線之間則設置有氧化物所形成之電極，以解決上述問題。第3手段為使上層電極與上述端子群所延伸之配線連接’而於上述上層電極與上述配線之間設置與上述El元 ----I --------丨訂--------- (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁} 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 4 311729 506228 B7 五、發明說明（5 ) 件之陽極相同材料之透明電極，以解決上述問題。第4手段為使配線由與驅動上述肛之材料而成，並以盥複數個之配線相同配後而& H你/子電性連接之幅寬中之線而成，且使上述上層電極與上述配線經由幅宽之接觸孔電性連接，以解決上述問題。 ^寬之接觸設置複數條陰極端子時，此複數條陰極端子與顯示像，、領域之間可配置較大空間。因而，可在此處設置幅寬之

S =’且：減低配線電阻，也可形成用以連接陰極與上述配線之幅寬之接觸件，所以可減低接觸電阻。又，配線係以銘為主材料，所以表面易生成氧化物，但於陰極之下層設置氧化物所形成之導電材料，不但可抑止接觸電阻之增高’且可減低接觸電阻。 [實施例] 在說明本發明之㉛顯示裝置之前，先就構成第！圖中以虛線所示之顯示像素領域恥之顯示像素加以說明。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製第5圖為顯示裝置之俯視圖’圖中’以虛線包圍且有點狀陰影線之領域為閘極材料所形成之領域，以實線包圍而…陰如線之部分為p_Si層，以實線包圍且有斜點狀陰影線之部分係由透明電極材料所形成之部分。而，以實線包圍且有斜線陰影線之部分係以銘為主材料之金屬材料所形成之部分。第6圖為第5圖申之A-A線剖視圖，第7圖為第5圖中之B-B線剖視圖。於本實施例，第1、第2TFT1、4均採用底部閘極型之本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 5 311729 )228 A7 B7

五、發明說明（6 ) TFT ’而主動層則採用p_Si膜。且，閘極u、15為單閘極〇第5圖中，由閘極線GL、汲極線〇1及電源線（驅動線VL)所包圍而成之部分稱為顯示像素。以下，參照第5至第7圖，具體說明有機EL顯示裝置。首先，有一至少表面為具有絕緣性之透明基板1〇。於本實施例，為保護EL元件免為水分受潮，於上面設有金屬蓋（罐狀）CAP以將EL材料封住。金屬蓋CAp亦於第ι 圖，並容後敘述。因設有此金屬蓋CAp，若要將發光光由 j述透明基板10射出，則基板1〇需為透明，但若將發光光由上方射出時，則不必為透明。此處，係採用由玻璃或合成樹脂等所形成之透明基板1 〇。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製此透明基板10之上面，沿第5圖之一顯示像素之上侧邊，在左右設有閘極線GL。且設有做為保持容量8之下層電極之保持容量電極2，同時為將此保持容量電極2互相連接，使保持容量線CL左右延伸。此等線gl及線cl 屬同一層，所以標有點狀陰影線。至於材料，則因上層採用P-Si，所以採用鉻或鈕等之高融點金屬。本例係將約 1000至2000 A之鉻以濺鍍法形成。另於形成圖案化時，係考慮到逐步遮蔽而將側邊加工成傾斜狀。其次，全面係由閘極絕緣膜7與半導體層積層而形成。本實施例係將上述閘極絕緣膜7，第丨主動層12，第 2主動層16’以及作為保持容量8之上層電極之容量電極本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 6 311729 506228

五、發明說明（7 ) 3之材料的a-Si亦包含在内，以電漿CVD形成。具體而言，係由下層依序使約500 A之氮化矽膜，約1300 A之氧化石夕臈，以及約500 A之a_Si，以連續電漿CVD形成。 c請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁) 此a-Si係在約400度之氮氣環境中進行脫氳退火，然後以準分子雷射（excimer laser)給與P-Si化。而符號13、 17係由氧化矽膜所形成之阻止絕緣膜，且成為主動層12、 16之離子植入時之遮罩。第1TFT1係以第1阻止絕緣臈 13為遮罩植入p(磷）離子，而形成n通道型之源極及汲極，第2TFT4則以第2阻止絕緣膜17為遮罩植入b(硼）離子，而形成P通道型之源極及汲極。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製如第5圖所示以熱微影蚀刻技術使pji層圖形化。亦即，第1TFT1之P-Si層，在閘極線GL與汲極線dL之左上交叉部之下方與汲極線DL重疊，並延伸於閘極丨丨之上層後’再以與保持容量電極2重疊之容量電極3延伸。此容量電極3係延伸至用以與第2TFT4之閘極15電性連接之連接配線30之右端下層。另一方面，第2TFT4之p_Si 層則由右側之驅動線VL之下層延伸於第2閘極15之上層，再延伸至由透明電極所形成之陽極6之下層。而且全面形成有層間絕緣膜14。此層間絕緣膜14係由下面依序以連續CVD形成有約1〇〇〇 A之氧化矽膜，約 3〇〇〇 A之氮化矽膜，以及1000 A之氧化矽膜之三層構造，並以連續CVD所形成。此層間絕緣膜係至少有一層即可。膜厚亦不受限於此。其次，在層間絕緣膜14之上層，形成有第6圖中以本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 7 311729 506228 A7

五、發明說明（8 ) 線陰影線所示之没極線DL及驅動線VL以及第5圖中之 ΓΫ先閱讀背面之注4亊項再填寫本頁) 連接配線30。當然’亦形成接觸件，而没極線dl與第1TFT1 之半導體層12間之接觸孔C1，驅動線VL與第2TFT4之半導體層16間之接觸孔C2,以及連接配線30與容量電極 3間之接觸孔C4係分別露出其半導體層。而連接配線3〇與第2閘極1 5之接觸孔C5係與上述接觸孔不同，更加積層有閘極絕緣膜，所以再予以蝕刻使鉻露出。此線之材料係於下層積層1〇〇〇 Α之鉬，上層積層700〇 a之鋁，再其上層又積層鉬之構造，而鉬為阻障層。至於接觸孔€3則容後敘述。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製而且，有約1至3 /Z m之平坦化膜PLN1形成於全面。此平坦化膜PLN1與後述所採用之平坦化膜pln2皆係使表面平坦。其理由在於，其係於先行例中亦已述說之有機 EL用之膜。此膜係由第1電洞輸送層21、第2電洞輸送層22、發光層23以及電子輸送層24所形成。而，電洞輸送層由一層構成亦可。因而有機層為膜厚非常薄之積層體。而，EL元件為電流驅動，所以此等之膜厚若非極為均勻，則電流將透過膜厚較薄之部分而大量流動，以致在該部分產生特別亮之亮點，且此點將導致有機膜之劣化，最惡劣之情形則將導致破壞。因而，為防止此種破壞，包括 1%極6之全面必需儘量平坦。所以，由於塗布例如丙烯酸系之液狀樹脂，由於具有流動性，因此平坦後將硬化。當然此平坦化膜PLN之材料非受限於此。此處由於係連接陽極6與第2 TFT4之源極，所以平坦本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 8 311729 506228 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 五、發明說明（9 ) 化膜PLN1及層間絕緣膜14具有開口，且形成有可露出第 2主動層16之接觸孔C3。更於形成陽極6後，又形成平坦化臈PLN2。然後，將對應於陽極6之平坦化膜PLN2去除，而在其上面形成為了構成EL元件之有機膜。首先於陽極6上面係由，由 MTD ΑΤΑ [4 ’4-雙（3 -甲基苯基苯基胺基）聯苯]所形成之第] 電洞輸送層21，TPD[4，4，4-參（3-甲基苯基苯基胺基）三苯基胺]所形成之第2電洞輸送層22，由包含唼π丫酮 (Quinacridone)誘導體之Bebq2(10_基并[h]喹啉酚鈹複合物）所形成之發光層23，與Bebq2所形成之電子輸送層所形成之發光元件層EM，以及，由鎂·銀合金、鋁與鋰之合金或鋁/氟化鋰等所形成之陰極25所積層形成之構造。有機層之膜厚已述於前，請參照之。又，陰極25 係採用鋁/氟化鋰之合金，其膜厚為1〇〇〇至2〇〇〇 A。陽極6需要按每一像素給予圖形化，但陽極6之上面之膜，則按構造而有所區別； ()由険極6乃至陰極25為止，於每一像素均予以圖形化之第1構造， ⑺·於⑴中，陰極25不給予圖形化，而在顯示領域全域實質密排形成臈之第2之構造， (3):僅陽極6如第！圖所示於每一像素均給予圖形化’而陽極之上層乃至陰極為止’則係在顯示領域全域盡量形成前述密排構造之第3構造。 I--!!!! -^^裝 ----訂·！ ---- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 然而’陰極2 5並無刻意給予圖形化之需要，所以

506228 A7 B7 五、發明說明（1G) 均採用全面形成密排之構造。 (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁) 而且，形成有覆蓋顯示領域之EL層或全部之el層之金屬蓋。因為EL層吸濕水分即行劣化，所以對於水之浸入必需給予防護。因而，以不致使EL層劣化，且耐濕性高之膜，例如樹脂膜替代蓋體亦可，而在其上面其形成金屬蓋CAN亦可。有機EL元件之發光原理及動作，係使陽極6所植入之電洞與陰極25所植入之電子在發光層EM之内部再结合，並激勵形成發光層EM之有機分子而產生激發性電子 (excitm)。此激發性電子在放射去激之過程中，發光層會放出光，此光則由透明之陽極經由透明絕緣基板釋放於外部而發光。其次’參照第1至第3圖說明顯示像素領域hg及其周邊。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製最外側之實線為透明基板10。虛線所示之長方形領域為顯示像素領域HG，一點斷續線所示之長方形領域為形成有第1電洞輸送層21第2電洞輸送層22以及發光元件層之有機膜領域OR。而在顯示像素領域HG内形成縱方向之粗實線為驅動線VL ’在有機膜領域〇R外侧之長方形粗實線為陰極2 5。隶外侧之兩條粗實線所包圍且有點狀ρ影線之領域係下圖所示之金屬蓋（罐狀）CAp之密封領域 CLL ’而在此密封領域CLL之外侧與内侧以虛線所示之領域係覆蓋有第1平坦化膜PLN1及第2平坦化膜PLN2之領域。露出於金屬蓋（罐狀）CAP者為端子tn與配線HS。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 10 311729 506228 五、發明說明（11 隨之’對應於各端子之第1平坦化膜PLN1係以蝕刻法去除。在陰極25周邊與密封領域CLL之間，則在左右形成有與閘極線GL連接之垂直軀動電路（VERTICAL DRIVER) VD 上側邊則形成有與没極線DL連接之水平驅動電路 (horizontal DRIVER)HD。此等驅動電路 VD、HD 係由與構成EL元件之薄膜電晶體形成之同時所製成之薄膜電晶體等所構成。而左右之垂直驅動電路VD係以4條配線連接。 TN1為驅動電源輸入端子，且係為了對於驅動線vl 給予電壓之端子，此兩條端子TN1係與往上方延伸之第i 配線HS1電性連接，並使此第1配線hs 1經由一體形成之第1幅寬部WD1及第2幅寬部WD2，以驅動線VL而延伸。此處之配線，與驅動線VL或汲極線DL為同一材料所形成。 TN2為陰極端子，此3條端子TN2係電性連接於往上方延伸之第2配線HS2，並使此第2配線HS2經由一體所形成之第3幅寬部WD3而連接於陰極25之第4幅寬部 WD4。 TN3係經由第3配線HS3，而與連接左右之垂直驅動電路VD之4條配線中之上面2條連接之端子，TN4，係經由第4配線HS4，而與上述4條配線中之下面2條連接之端子。在此處，連接左右之垂直驅動電路之4條配線因與第1之幅寬部WD1交又，所以在虛線之部分，使用形成於下層之配線，以避免交叉。在此，下層之配線係形成請先閱讀背面之注意事項再填本頁 I 訂經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 11 311729 506228 A7 五、發明說明（l2 ) 於形成有閘極之層，且材料為與閘極同一材料。陰極25係如圖中X記號所示，經由設在第2配線贈之第3幅寬部WD3之接觸件⑽，而連 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

Tm。從愐丁本發明之特點在於上述接觸件Cn 1。亦即，陰極接觸#CN1之寬度可設定成陰極端子tn: 所配置之條數份之寬度。且，第2配線HS2所延伸之第： 4 WD3，以及由陰極25延伸至接觸件⑽之第4幅寬部WD4,實質上亦可設定成陰極端子TN2之條田見度0 於是’由於由陰極接觸件CN1連接陰極25之第4幅寬部她，以及’由陰極接觸件㈣連接陰極端子二之第3幅寬部WD3之寬度可設定成較寬，所以可降低配線電阻。而且，陰極接觸件CN1之橫寬亦可實質上形成陰極端子TN2之條數份之幅寬，且亦可減低接觸電阻。本例中，陰極端子TN2做成3條，但至少配置2條便可擴大其寬度’而可實現接觸電阻之降低。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製第2圖係沿A-A線之陰極接觸件cni之剖視圖。箭號係表示三個主要之配置領域，由右依序分為，顯示形1成有陰極端子TN2之領域之端子部，顯示形成有第2配線 HS2之領域之配線部，以及顯示形成有接觸孔cni之領域之接觸部。一端子分為二層’下層係與閘極或閘極線為同一材料，正中間之層係與汲極線DL或驅動線VL為同_材料，上 311729 506228

即構成透成材料所構 (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁) 接觸孔CN1至少在第3幅寬部Wd3，於配線上面形成有由氧化物所形成之導電材料，且經由此導電材料與陰極25連接。該氧化物所形成之導電材料係由氧化物所構成，所以不致於在氧化環境内形成氧化膜。例如，第i平坦化膜PLN1及第2平坦化臈PLN2於硬化時會施加熱，以致形成於接觸孔CN1之配線曝露於氧化環境中，又在使接觸孔CN1形成開口時，亦曝露於氧化環境中。然而，所露出之部分並非易被氧化之鋁，而係已氧化之導電膜，所以不再進行氧化。此處之氧化物所構成之材料之一例，可例舉ITO。按實驗結果得知’若係於上層與下層形成鉬，於中間採用夹有鋁之約8000 A之導電臈，約2〇〇〇 A之鋁/氟化鋰之合金所形成之陰極，而在其中間為85〇人之ιτ〇作為配線，則與不採用ΙΤ0時比較’其接觸電阻降低約1〇%，。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製另’在接觸部之帛3幅寬部WD3之下層設置形成於端子部之閘極材料所成之電極亦可。又於端子部，將閘極材料所成最下層之電極省略亦可。其-人，參照第4圖說明實現了更加降低接觸電阻之構迨此構與帛1圖實質上為相同，所以僅說明不同之部分。亦即，在一點鏈線所示之有機臈領域〇R (或顯示像素領域冊)之外側，於與陰極25重疊之重疊領域TD所形成本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公爱） 13 311729 506228 五、發明說明（14) 之第5配線HS5與接觸件CN2為不同之部分。接觸件CN2係在此重疊領域四至少形成有—個實施例係在四角落各形成有一個，但一個以上亦可，有複數個則更佳。而經由此接觸件⑽以連接第$配線 HS5與陰極25。第5配線HS5與第2 線HS2為_體，所以陰極25與陰極端子TN2成為電性連接之構造。且第$ 配線腿與第1幅寬部WD1及第3幅寬部WD3交又’所以在虛線所示之部分，形成交又構造。於本例，係在虛線之部分，於形成有閘極之層設置閘極材料所形成之配線，以回避交叉。其次說明接觸件CN2之剖視圖（第3圖）。於本例係構造與第2圖之端子部相同之3層構造，而在其上層連接有陰極25。如上已述，因插入有由氧化物所形成之導電材料

1〇〇,所以可防止與形成於下層之汲極線DL或驅動線VL 相同材料所成之電極之氧化，且亦可防止由氧化物所成之導電材料之氧化，而可實現接觸電阻之降低。至於第5配線HS5係由與汲極線DL或驅動線VL相同材料而成之鋁經濟部智慧財產局員工消費合作社印製所構成，但如第3圖所示之積層構造，在下層設置閘極材料所成之配線亦可。或以氧化物所成之導電材料予以覆蓋亦可。第4圖中，僅於接觸件cn2部分，由第2平坦化膜 PLN2露出氧化物所形成之導電材料1〇〇，但如上已述，在第5配線HS5之上層積層上述導電材料1〇〇，然後沿該第 5配線HS5將第2平坦化膜PlN2去除，以露出導電材料本紙張尺度適用中國國豕標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 14 311729 A7

五、發明說明（IS 並左由此去除部分連接陰極亦可。此動作將可觸電阻之更加降低。錢乂上說明了底部閑極型構造，但本發明亦可採用閑極型，’並將其以第2實施例說明… 頂。p閘極型構造之俯視圖形與底部閉極型構造實質上為相同’所以以第5圖代用加以說明。將對應於第5圖中示剖視圖示於第U圖，與Μ線相對應之剖視圖 2圖。以下，頂部閘極型之圖面中的符號之尾部2 位數字採用與前實施例相同之數字。扼要說明之’係在全面形成絕緣層几。此絕緣層江係下層積層有500入之氮化石夕膜，上層積層有ι〇〇〇 2 =膜而Ϊ化矽臈係具有用以阻播由玻璃溶出之不純物之阻擋臈之作用。接著，於第1TFT1〇k主動層112，此主動層u 伸而成之保持容量8之下層電極，以及第2則G4之第2 主動層116之形成部分形成半導體層㈣或a-Si)。而且’於全面積層有㈣絕緣膜1()7，成閉極⑴以及與閉極U1為一體之閉極線沉之同時面瓜 Π:篁108之上層電極以與上述閘極為相同材料而形 ;二-層。此保持容量108之上層電極相當於第i圖之呆持容量電極2,並包含保持容量線CL 一體地左右形成。此處之閘極材料，除了上述之高融點金屬材料之外而使用以鋁為主成分之材料亦可。可使用鋁之理由係絕緣膜114可以電槳CVD等低溫成膜之緣故。 s曰本紙張尺度_ t關家鮮（(^A4祕（21〗 x 297公爱） 15 "^11729" 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 506228 A7 __B7 五、發明說明（16) 主動層即半導體層係以上述閘極材料所形成之圖形為遮罩注入不純物。當然，因有P通道與N通道之TFT，所以其中之一方係以抗姓層屏蔽（此情形在底部閘極型構造亦相同）。且於注入不純物之後，給予半導體層圖形化。保持容量電極102之下層之半導體層則不植入不純物。但在此處施加加諸於上述第1閘極U1之電壓，或此電壓以上之電壓，使半導體層產生通道以做為電極來利用。層間絕緣膜114形成之後，形成汲極線dl，驅動線 VL ’並在其上面形成第1平坦化膜Plni之後，形成透明電極以作為陽極106。此陽極1〇6與第2TFT104間之接觸件C3係在與驅動線VL之同一層形成源極se。或直接接觸亦可。且於陽極1〇6形成之後，為使第i平坦化膜pLN1 與陽極106之間之凹凸平坦化，可形成第2平坦化膜 PLN2 ’並將對應於陽極ι〇6之第2平坦化膜pln2去除。 EL元件20係與前實施例相同，所以省略說明。此處亦為於閘極111、11 5之上層有與汲極線相同材料所成之層’更有透明電極材料所成之層的三層構造所形成，所以接觸件CN1、CN2可為與第2、第3圖相同構造之積層構造。配線HS亦相同。上述實施例中之半導體膜採用了 P_Si膜，但採用微結晶石夕膜或非晶質矽膜等之半導體膜亦可。且，以上所說明為單閘極型，但雙閘極型TFT亦可。而且’上述實施例係對有機EL顯示裝置說明，但本發明並非受限於此，即使係發光層為無機材料所形成之無 ----------— --------訂-------— (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21Q x 297公髮） 16 311729 506228 A7

機EL顯示裝置亦可適用，且可獲得同樣之效果。五、發明說明（17 ) [發明之效果] 由以上之說明即可明知，複數條陰極端子與顯示像素領域之間，可配置大空間，且可在此處設置幅寬之配線，而可降低配線電阻，而且因為可形成用以連接陰極與上述配線之幅寬之接觸件，所以可降低接觸電阻。而且，配線係以鋁為主材料，所以表面易生成氧化物，但在以鋁為主材料之配線之上面形成有由氧化物所形成之導電材料，所以可實現接觸電阻之降低。隨之，可防止施加於陰極之偏壓之降低，並可將原本應供給之電流供給至各顯示像素之EL元件，而可得到顯示品質獲得提昇之EL顯示裝置。 [圖面之簡單說明] 第1圖係用以說明本發明之EL顯示裝置之圖。第2圖係第1圖之A-A線之剖視圖。第3圖係用以說明第4圖中之接觸件CN2之圖。第4圖係用以說明本發明之EL顯示裝置之圖。第5圖係用以說明本發明之EL顯示裝置之顯示像素之俯視圖。第6圖係第5圖之A_A線剖視圖。第7圖係第5圖之B_B線剖視圖。第8圖係用以說明習知EL顯示裝置之俯視圖第9圖係第8圖之A-A線剖視圖。第10圖係第8圖之B_B線剖視圖。 (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁) -裝-------訂---------. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 17 311729 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 506228 A7 B7 五、發明說明（18 ) 第11圖係採用相當於第5圖之A-A線之頂部閘極型 TFT之EL顯示裝置之剖視圖。第12圖係採用相當於第5圖之B-B線之頂部閘極型 TFT之EL顯示裝置之剖視圖。 [符號之說明] -----------•裝------- 訂·—---- si (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1， 101 % 1TFT 2，102保持容量電極 3 容量電極 4，104 第 2TFT 6， 106 陽極 7，107 閘極絕緣膜 8 保持容量 10 透明絕緣性基板 11， 111 第1閘極 12 ， 112 主動層 13， 17 阻止絕緣膜 14 ， 114 層間絕緣膜 15， ^ 115 第2閘極 16 ， 116 第2主動層 20 EL元件 21 第1電洞輸送層 22 第2電洞輸送層 23 發光層 24 電子輸送層 GL 閘極線 DL 汲極線 CL 保持容量線 VL 驅動線 CN1 接觸件 CN2 接觸件 TN1至TN5端子本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 18 311729

Claims

第89120167號專利申請案申請專利範固修正本 (91年5月9曰） 1· 一種電場發光顯*裝置，其特徵為具有：形成於具有絕緣性之基板之-端的端子群；上述基板上之由複數電場 t先；0件所形成之顯示像素領域；以及成為上述複數電場發光7L件之方之電極的上層電極，而上述上層電極係在上述端子群與上述顯示像素領域之間，經由接觸孔而與上述端子電性連接。 2· -種電場發光顯示裝置，其特徵為具有：形成於具有絕緣之基板之—端的端子群，上述基板上之由複數電場發光元件所形成之顯不像素領域以及成為上述複數電場發光元件之一方之電極的上層電極，而上述上層電極係經由接觸孔而連接於自上述端子群所延伸之配線，且在上述上層電極與上述配線之間設有氧化物所形成之電極。經濟部中央標準局員工福利委員會印製 3· —種電場發光顯示裝置，其特徵為具有：形成於具有絕緣性之透明基板之一端的端子群，上述透明基板上之由複數電場發光元件所形咸之顯示像素領域，以及成為上述複數電場發光元件之陰極的上層電極，而上述上層電極係經由接觸孔雨連接於自上述端子群所延伸之配線，且上述上層電極與上述配線之間設有與上述電場發光元件之陽極相同材料之透明電極。 4·如申请專利耗圍第1至第3項中任一項之電場發光顯示本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210 x297公釐） 1 311729 506228 H3 裝置，其中，上述配線係由與驅動上述電場發光元件之配線相同之材料所形成，且係由與複數個上述端子電性連接之幅寬中之配線形成者。經濟部中央標準局員工福利委員會印製本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規袼（210 X 297公釐） 2 311729