CN109216403A - 电路基板和显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种电路基板和显示装置。所述电路基板包括非显示区域。所述非显示区域设置有第一电极层和位于所述第一电极层上的第二电极层。所述第一电极层和所述第二电极层至少在显示区域相对的两侧接触面积相等。所述第一电极层和所述第二电极层在显示区域相对的两侧接触面积相等可以使得所述第一电极层和所述第二电极层接触电阻相同,因此流经显示区域相对的两侧的电流相同,可以避免烧角现象。
Description
技术领域
本发明涉及显示领域,特别是涉及一种电路基板和显示装置。
背景技术
传统的OLED显示屏在基板制作过程中,在屏体显示区域相对两侧的非显示区域蒸镀阴极层时,阴极层与电极层的接触部分的面积不相等容易造成偏位现象。阴极层蒸镀偏位后,显示屏屏体左右两侧(两角)蒸镀阴极与电极层的搭接面积不相等,其电阻就会不一致,电阻不一致容易导致流经阴极和电极层的电流流向有差异,使得屏体两侧发热量不一,进而造成屏体烧角的现象。
发明内容
基于此,有必要针对显示屏屏体两侧(两角)蒸镀阴极与电极层的搭接电阻不一致造成的烧角问题,提供一种显示屏屏体两侧电阻相同的电路基板和显示装置。
一种电路基板,包括非显示区域,
所述非显示区域设置有第一电极层;
位于所述第一电极层上的第二电极层,所述第一电极层和所述第二电极层至少在显示区域相对的两侧接触面积相等。
本实施例中,所述第一电极层和所述第二电极层至少在显示区域相对的两侧接触面积相等可以使得所述第一电极层和所述第二电极层接触电阻相同,因此至少保证流经显示区域相对的两侧的电流相同,可以避免烧角现象。
在其中一个实施例中,还包括形成于所述第一电极层上的第一绝缘层,所述第一绝缘层至少在所述显示区域相对的两侧设置有沟槽区域,所述第二电极层覆盖至少部分所述沟槽区域并与暴露在所述沟槽区域的所述第一电极层接触,所述第二电极层与所述第一电极层接触部位的面积相等。。
本实施例中,所述沟槽区域用以使所述第二电极层和所述第一电极层接触。。
在其中一个实施例中,所述第二电极层覆盖全部所述沟槽区域并与暴露在所述沟槽区域的所述第一电极层接触。
本实施例中,所述沟槽区域的宽度相同,所述第二电极层覆盖全部所述沟槽区域后,所述第二电极层与所述第一电极层接触的宽度也就相同,可以确保显示区域两侧的电阻相同。
在其中一个实施例中,所述第二电极层至少覆盖部分所述第一绝缘层的表面和至少部分所述沟槽区域,并与暴露在所述沟槽区域的所述第一电极层接触。
在其中一个实施例中,所述第二电极层覆盖全部所述第一绝缘层的表面和全部的所述沟槽区域,并与暴露在所述沟槽区域的所述第一电极层接触。
本实施例中,在所述第二电极层蒸镀的面积覆盖所述沟道区域的面积可以降低蒸镀所述第二电极层的工艺难度,同时满足所述第二电极层与所述第一电极层接触部位宽度相等的要求,可以确保显示区域两侧的电阻相同。
在其中一个实施例中,还包括电路层,及设置于所述电路层一侧的接地层,于所述电路层上表面形成第二绝缘层,所述第二绝缘层和所述接地层上表面形成所述第一电极层,所述第一电极层与所述接地层接触。
本实施例中,所述第一电极层与所述接地层接触可以使得所述第二电极层通过所述第一电极层与所述接地层导通,实现信号转接。
在其中一个实施例中,所述第二电极层与所述显示区域中的阴极一体形成。
本实施例中,所述第二电极层与所述显示区域中的阴极一体形成可以减少制作工艺,提高工作效率。
在其中一个实施例中,所述第一绝缘层与所述显示区域中的像素限定层一体形成。
本实施例中,所述第一绝缘层与所述显示区域中的像素限定层一体形成可以减少制作工艺,提高工作效率。
在其中一个实施例中,所述第二电极层的厚度为0.1mm-0.2mm。
本实施例中,0.1mm-0.2mm厚度的所述第二电极层可以具有良好的导电性,同时可以减少电阻的阻值,避免由于电阻过大由于发热浪费能量。
本发明实施例还提供一种显示装置,包括屏体,还包括所述的电路基板,所述电路基板控制所述屏体发光。
本实施例中,所述电路基板可以使流过所述屏体显示区域两侧的电流相同,可以避免由于屏体显示区域两侧电流不均匀造成的烧角现象。因此所述显示装置使用寿命更长。
附图说明
图1为本发明实施例提供的电路基板截面示意图;
图2为本发明实施例提供的显示装置结构图。
主要元件符号说明
电路基板10、第二电极层100、绝缘层200、第一电极层300、沟槽区域210、第二绝缘层400、接地层500、电路层600、第三绝缘层611、第四绝缘层612、缓冲层613、晶体管开关元件620、基板700、源极621、漏极622、栅极623、有源层624、像素625、源极驱动模块40、栅极驱动模块50、显示装置20、显示区域800、电源布线单元810、焊接单元820、非显示区域900。
具体实施方式
为了使本发明的发明目的、技术方案及技术效果更加清楚明白,以下结合附图对本发明的具体实施例进行描述。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
请参见图1-2,图1为图2所示的A-B截面图。本发明实施例提供一种电路基板10。所述电路基板10包括非显示区域900。所述非显示区域900设置有第一电极层300,位于所述第一电极层(300)上的第二电极层(100),所述第一电极层(300)和所述第二电极层(100)至少在显示区域(800)相对的两侧接触面积相等。
优选的,所述电路基板10还包括形成于所述第一电极层300表面的第一绝缘层200。所述第一绝缘层200至少在所述显示区域800的相对的两侧分别设置有沟槽区域210。可以理解,所述沟槽210区域的形状不限,可以为矩形、弧线形等。优选地,所述沟槽210区域在显示区域800的两侧关于显示区域800对称。所述电路基板10还包括形成于所述第一绝缘层200上的第二电极层100。所述第二电极层100覆盖至少部分所述沟槽区域210并与暴露在所述沟槽区域210的所述第一电极层300接触。所述第二电极层100与所述第一电极层300接触部位的面积相等。
所述显示装置20的中间部分为显示区域800,所述显示装置的四周为非显示区域900。所述非显示区域900均可以设置有第一电极层300、第二电极层100和沟槽区域210。在其中一个实施例中,所述显示区域800可以为矩形,在整个非显示区域900,所述沟槽区域210的宽度和深度可以相同也可以不相同在此并不限定。以所述显示区域800为对称轴位于所述显示区域800左右两侧的所述沟槽区域210的宽度和深度相同。位于所述显示区域800上下两侧的所述沟槽区域210的宽度和深度可以不同也可以相同。
可以理解,所述非显示区域900可以包括以所述显示区域800为对称轴位于所述显示区域800的左右两侧的非显示区域900。在所述显示区域800左右两侧的非显示区域900,所述第二电极层100与所述第一电极层300接触部位的面积相等可以使所述第二电极层100与所述第一电极层300接触部分的电阻相同。因此流经所述第一电极层300和所述第二电极层100的电流相同,可以避免由于流经所述显示区域800两侧电流不同造成烧角现象。所述第二电极层100可以只覆盖填充部分的沟槽区域210,也可填充覆盖全部的沟槽区域210,也可以覆盖填充部分的沟槽区域210并覆盖部分第一绝缘层200的表面或者填充全部的沟槽区域210并覆盖全部的第一绝缘层200的表面,只要保证在所述显示区域800的两侧的非显示区域900内的所述第二电极层100与所述第一电极层300接触部位的宽度均相等即可。
在其中一个实施例中,所述电路基板10的非显示区域900可以设置用于控制电路基板10的集成芯片。所述非显示区域900可以设置有栅极驱动模块50和数据驱动模块40。所述栅极驱动模块50可以控制所述显示区域800中像素开关的开启。所述像素开关开启后所述源极驱动模块40可以向位于所述显示区域800的像素625提供数据信号。所述电路基板10的周边还可以设置有电源布线单元810。所述电源布线单元810可以作为接地线使用。所述电源布线单元810可以通过所述焊接单元820固定于所述电路基板10。
所述电路基板10还可以包括基底700,所述第一电极层300设置于所述基底700上。所述基底700用于支撑所述电路基板10。所述基底700可以由玻璃、塑胶等硬质材料制成。所述第一电极层300可以为电连接层,可以用以电源信号的转接。所述第一电极层300可以由ITO/Ag/ITO制成,与显示区域800的阳极共蒸可以为阳极的一部分;但两者的作用不同,位于显示区域的阳极作用为用于控制显示区域的像素发光,而位于非显示区域的阳极仅仅作用为信号转接。所述第二电极层100可以为共阴极的一部分,可以通过蒸镀的工艺制成。所述第一电极层300和所述第二电极层100相互接触,所述第一电极层300与接地层500连接。所述第二电极层100通过所述第一电极层300与接地层500连接。所述第一绝缘层200可以由氧化硅、氮化硅或氧化硅和氮化硅的组合物构成。所述沟槽区域210可以通过光刻等的方式制成。
在其中一个实施例中,设置于所述显示区域800侧边的非显示区域900的所述沟槽区域210的宽度相等。所述沟槽区域210宽度相等便于在所述沟槽区域210蒸镀所述第二电极层100时对所述第二电极层100工艺尺寸的控制。
在其中一个实施例中,所述第二电极层100覆盖全部所述沟槽区域210并与暴露在所述沟槽区域210的所述第一电极层300接触。在所述电路基板10制造过程中,蒸镀所述第二电极层100时,所述第二电极层100覆盖所述第一绝缘层200表面并将所述沟槽区域210填满。在所述显示区域800两侧,所述沟槽区域210的宽度相等。因此不需要改变蒸镀的工艺即可通过所述沟槽区域210保证所述第一电极层300和所述第二电极层100接触的面积相等,因而可以保证通过所述第一电极层300和所述第二电极层100的电流相同。
在其中一个实施例中,所述第二电极层100至少覆盖部分所述第一绝缘层200的表面和至少部分的所述沟槽区域210,并与暴露在所述沟槽区域210的所述第一电极层300接触。在其中一个实施例中,所述第二电极层(100)覆盖全部所述第一绝缘层(200)的表面和全部的所述沟槽区域(210),并与暴露在所述沟槽区域(210)的所述第一电极层(300)接触。在所述显示区域800的两侧,使得所述第二电极层100仅仅全部覆盖所述沟槽区域210需要较高精度的制作工艺,会提高制造成本。而在制作所述第二电极层100的过程中可以在覆盖所述沟槽区域210的较大宽度范围内蒸镀所述第二电极层100,在所述第一绝缘层200的表面也可以形成所述第二电极层100,从而降低了制作的难度,降低生产成本。
在其中一个实施例中,所述第二电极层100覆盖部分所述沟槽区域210。并且在所述显示区域800相对的两侧,所述第二电极层100在所述沟槽区域210中覆盖的所述第二电极层100的面积相等。因此在所述显示区域800相对的两侧电阻相同,流经的电流也相同,可以避免因为电流不均引起的烧角现象。
在本实施例中,位于显示区域800上侧的所述沟槽区域210的宽度和深度以及第二电极层100与所述第一电极层300接触的面积不限定,仅仅限定显示区域相对的两侧的第二电极层100与所述第一电极层300接触的面积相等即可保证屏体左右两侧的电流相等,保证屏体左右两侧不烧角即可;在另一个实施例中,也可保证位于显示区域800所有侧边的第二电极层100与所述第一电极层300接触的面积相等,即能够保证屏体所有侧边的电流相等,保证屏体侧边不烧角。
在其中一个实施例中,所述电路基板10还包括电路层600,及设置于所述电路层600一侧的接地层500。所述电路层600上表面形成第二绝缘层400,所述第二绝缘层400和所述接地层500上表面形成所述第一电极层300。所述第一电极层300与所述接地层500接触。所述电路层600可以控制屏体的显示。所述第二绝缘层400可以作为平坦化层使所述电路层600的表面平整化。所述第二绝缘层400可以将所述电路层600与所述接地层500隔离以达到绝缘的目的。所述第二电极层100、所述第一电极层300与所述接地层500导通形成回路。
在其中一个实施例中,所述电路层600还包括晶体管开关元件620、第三绝缘层611和第四绝缘层612。所述晶体管开关元件包括源极621、漏极622和栅极623。所述基底700上设置有一层缓冲层613,位于所述缓冲层613上的有源层624,及铺设于所述有源层624上方的第四绝缘层612;在所述第四绝缘层612上蒸镀的栅极623,及位于所述栅极623上方的第三绝缘层611,及位于所述第三绝缘层611上方的源极621及漏极622,所述源极621、所述漏极622分别穿过所述第三绝缘层611和所述第四绝缘层612与所述有源层624连接。所述第二绝缘层400位于所述电路层600的上方,覆盖所述电路层600的表面,用于平坦化所述电路层600的表面。所述电路层600可以与所述接地层500一体形成,只是工艺过程中会将接地层500不需要的部分刻蚀掉,留下实现导通的部分即可。一般,所述接地层500设置于所述电路层600的一侧所述第三绝缘层611用于隔离所述栅极623、所述源极621、所述漏极622。所述第四绝缘层612用于隔离所述有源层624和所述栅极623。优选地,所述栅极623可以由金属钼制成。所述第二绝缘层400可以由氧化硅、氮化硅或氧化硅和氮化硅的组合物构成。所述第一绝缘层200也可以由氧化硅、氮化硅或氧化硅和氮化硅的组合物构成。所述栅极623受到电压触发后,所述源极621和所述漏极622可以导通。所述源极621和所述漏极622导通后控制所述晶体管开关元件620开启。
在其中一个实施例中,所述第二电极层100与所述显示区域800中的阴极一体形成。所述第二电极层100与所述显示区域800中的阴极一体形成可以减少制作工艺,提高工作效率。
在其中一个实施例中,所述第一电极层300与所述显示区域800中的阳极一体形成。所述第一电极层300与所述显示区域800的阳极一体形成可以减少制作工艺,提高工作效率。
在其中一个实施例中,所述第一绝缘层200与所述显示区域800中的像素限定层一体形成。所述第一绝缘层200与所述显示区域800中的像素限定层一体形成可以减少制作工艺,提高工作效率。
在其中一个实施例中,所述第二电极层100的厚度为0.1mm-0.2mm。优选地,所述第二电极层100在所述第一绝缘层200的表面的部分以及在所述沟槽区域210中的厚度相同。0.1mm-0.2mm厚度的所述第二电极层100可以具有良好的导电性,同时可以减少电阻的阻值,避免由于电阻过大由于发热浪费能量。
在其中一个实施例中,所述有源层624和所述基底700之间还设置有缓冲层613。所述缓冲层613可以隔离所述基底700和所述有源层624,还可以起到一个缓冲的作用。
本发明实施例还提供一种显示装置。所述显示装置还包括屏体,还包括所述的电路基板10。所述电路基板10控制所述屏体发光。所述第二电极层100与所述显示区域800电连接。所述显示区域800中具有控制像素显示的阴极和阳极,所述第二电极层100与所述阴极可以一体形成公共阴极。所述电路基板10可以使流过所述屏体两侧的电流相同,可以避免由于屏体两侧电流不均匀造成的烧角现象。因此所述显示装置使用寿命更长。
需要说明的是,当元件被称为“固定于”另一个元件,它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件,它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。相反,当元件被称作“直接在”另一元件“上”时,不存在中间元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本发明的保护范围。因此,本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
1.一种电路基板,包括非显示区域(900),其特征在于,
所述非显示区域(900)设置有第一电极层(300);
位于所述第一电极层(300)上的第二电极层(100),所述第一电极层(300)和所述第二电极层(100)至少在显示区域(800)相对的两侧接触面积相等。
2.如权利要求1所述的电路基板,其特征在于,还包括形成于所述第一电极层(300)上的第一绝缘层(200),所述第一绝缘层(200)至少在所述显示区域(800)相对的两侧设置有沟槽区域(210),所述第二电极层(100)覆盖至少部分所述沟槽区域(210)并与暴露在所述沟槽区域(210)的所述第一电极层(300)接触,所述第二电极层(100)与所述第一电极层(300)接触部位的面积相等。
3.如权利要求2所述的电路基板,其特征在于,所述第二电极层(100)覆盖全部所述沟槽区域(210)并与暴露在所述沟槽区域(210)的所述第一电极层(300)接触。
4.如权利要求2所述的电路基板,其特征在于,所述第二电极层(100)至少覆盖部分所述第一绝缘层(200)的表面和至少部分所述沟槽区域(210),并与暴露在所述沟槽区域(210)的所述第一电极层(300)接触。
5.如权利要求4所述的电路基板,其特征在于,所述第二电极层(100)覆盖全部所述第一绝缘层(200)的表面和全部的所述沟槽区域(210),并与暴露在所述沟槽区域(210)的所述第一电极层(300)接触。
6.如权利要求1-5任一项所述的电路基板,其特征在于,还包括电路层(600),及设置于所述电路层(600)一侧的接地层(500),于所述电路层(600)上表面形成第二绝缘层(400),所述第二绝缘层(400)和所述接地层(500)上表面形成所述第一电极层(300),所述第一电极层(300)与所述接地层(500)接触。
7.如权利要求1所述的电路基板,其特征在于,所述第二电极层(100)与所述显示区域(800)中的阴极一体形成。
8.如权利要求1所述的电路基板,其特征在于,所述第一绝缘层(200)与所述显示区域(800)中的像素限定层一体形成。
9.如权利要求1所述的电路基板,其特征在于,所述第二电极层(100)的厚度为0.1mm-0.2mm。
10.一种显示装置,包括屏体,其特征在于,还包括如权利要求1所述的电路基板(10),所述电路基板(10)控制所述屏体发光。
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Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1668152A (zh) * | 2004-03-09 | 2005-09-14 | 三星Sdi株式会社 | 电致发光显示器件 |
CN104282724A (zh) * | 2013-07-08 | 2015-01-14 | 三星显示有限公司 | 有机发光显示器件及制造有机发光显示器件的方法 |
US20160178943A1 (en) * | 2014-12-19 | 2016-06-23 | Japan Display Inc. | Liquid crystal display panel |
CN207265055U (zh) * | 2017-06-29 | 2018-04-20 | 昆山国显光电有限公司 | 电路基板和显示装置 |
Family Cites Families (7)
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---|---|---|---|---|
JP2001102169A (ja) * | 1999-10-01 | 2001-04-13 | Sanyo Electric Co Ltd | El表示装置 |
KR100611153B1 (ko) * | 2003-11-27 | 2006-08-09 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판 표시 소자 |
US7839083B2 (en) * | 2007-02-08 | 2010-11-23 | Seiko Epson Corporation | Light emitting device and electronic apparatus |
KR101415684B1 (ko) * | 2011-07-07 | 2014-08-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계 발광소자용 기판 및 그 제조 방법 |
US20130056784A1 (en) * | 2011-09-02 | 2013-03-07 | Lg Display Co., Ltd. | Organic Light-Emitting Display Device and Method of Fabricating the Same |
KR101521676B1 (ko) * | 2011-09-20 | 2015-05-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광 다이오드 표시장치 및 그의 제조방법 |
KR102404930B1 (ko) * | 2014-12-24 | 2022-06-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치용 윈도우 및 이를 포함하는 표시 장치 |
-
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1668152A (zh) * | 2004-03-09 | 2005-09-14 | 三星Sdi株式会社 | 电致发光显示器件 |
CN104282724A (zh) * | 2013-07-08 | 2015-01-14 | 三星显示有限公司 | 有机发光显示器件及制造有机发光显示器件的方法 |
US20160178943A1 (en) * | 2014-12-19 | 2016-06-23 | Japan Display Inc. | Liquid crystal display panel |
CN207265055U (zh) * | 2017-06-29 | 2018-04-20 | 昆山国显光电有限公司 | 电路基板和显示装置 |
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