TW503571B - MOS type solid-state imager and manufacturing method thereof - Google Patents
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Description
503571 7718pif.doc/008 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（I ) 發明領域 本發明係關於MOS型固態攝影裝置的元件(dev1Ce)構 造尤以其閘極（Gate)長度[通道(channel)長度]較短，閘氧化 膜較薄的關係，可適用於具有MOS型電晶體有貫通間題 的MOS型固態攝影裝置。 枝術背景 第10圖表示習知的MOS型固態攝影裝置的一像素部 分的電路構成，像素係由將光信號變換爲電信號（電荷）的 光二極體(photo-diode)21，和將光二極體21的電荷轉送至 檢出部[檢出節點(node)]D的讀出閘22，與耐檢出部D的 電荷（電位）重置(reset)的重置閘(reset gate)23，及將檢出部 D的電位放大之放大閘24，以及輸出選擇像素電位的選擇 閘25等所構成。 然後經一定期間，在光二極體21進行光電轉換，並 且在信號累積區域所累積的電位經由讀出閘22，轉送至檢 出部D，由光二極體轉送至檢出部D的電荷，使檢出部D 的電位發生變化，再由放大閘24，將此檢出部D的變化 電位放大後從像素輸出。 對此MOS型固態攝影裝置必須將光二極體21的信號 累積區域所累積的電荷完全轉送至檢出部及使全像素 內的光二極體21的特性保持穩定等目的，需要求盡量減 低半導體基底或井（well)區域的不純物濃度。 但半導體基底（或井區域）的不純物濃度値低時，因 像素容量增大（像素的高密度化）的關係，使MOS電晶 4 t紙張尺度適用中國國家標準（CNS)Ar規格（210 X 297公 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) · --線· 503571 7718pif.doc/008 Λ7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（2) 體細微化，其結果，MOS電晶體的閘極長度（通道channel 長度）變短，並且其閘氧化膜變薄時，與閘極控制無關的 會發生電荷從MOS電晶體的源極（Source)流向汲極 (drain)的貫穿現象，發生貫穿時MOS電晶體會有不需 要的信號（電荷）流動，致使固態攝影裝置不能確保正常 操作。 因此，必需防止貫穿，在習知的邏輯（logic)製品， 爲防止此貫穿在半導體基底的內部（從表面充分深入的位 置）設貫穿防止區域，此貫穿防止區域是爲防止MOS電 晶體的源極與汲極間的漏電（leak)，通常半導體基底爲 P型MOS電晶體的源極及汲極爲η型時，貫通防止區域爲 Ρ型，然此貫通防止區域對邏輯製品爲非常有效的貫通防 止方法。 但對MOS型固態攝影裝置，必需在半導體基底的內 部（從表面充分深入的位置）形成光二極體，譬如此光二 極體由Ρ型半導體基底與η型信號累積區域（不純物區域） 所構成時，此信號累積區域必須形成在半導體基底內部（從 表面充分深入的位置），此種場合，想在半導體基底內形 成貫穿防止區域時，構成光二極體的信號累積區域的不純 物（例如是磷（phosphorous))的導電型（譬如是η型） 與構成貫穿防止區域的不純物（例如是硼（boron))的導 電型（譬如是P型）互爲相反，而且如前所述此等信號累 積區域與貫穿防止區域，大致形成在半導體基底內的相同 位置（從表面充分深入的位置）。 5 本紙張叉度適用中國國家標準（CNSM4规格（210 x 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -SI n I n n n^OJ· n n n n n 1 · 線· 503571 A7 B7 7718pif.doc/008 五、發明說明（） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 因此MOS型固態攝影裝置，要適用貫穿防止區域時， 通常先形成貫穿防止區域後，再形成信號累積區域於貫穿 防止區域內之關係，當要形成信號累積區域時，必須注入 充分量的不純物（譬如是η型不純物），使貫穿防止區域 的導電型（譬如是Ρ型）反轉。 可是要完全讀出由光電變換在光二極體的信號累積區 域所累積的電荷，則將光二極體的空乏化電位減小之事宜 甚爲重要，如要光二極體的空乏化電位降小，則以低不純 物濃度安定的形成光二極體的信號累積區域是屬有效。 但如上所述，在貫穿防止區域內形成光二極體的信號 累積區域時，要使貫穿防止區域的導電型（譬如是Ρ型） 反轉，需要導進充分量的不純物（譬如是η型不純物）於 半導體基底內，依單純的估計，必需以比貫穿防止區域的 Ρ形不純物濃度較高之不純物濃度的η型不純物灌進半導 體基底內。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制π 此時考慮到Ρ型不純物的影響及η型不純物的影響互 相抵銷的問題，光二極體的信號累積區域不純物濃度，大 槪等於在離子注入時，從注入半導體基底內的η型不純物 量dn減構成貫穿防止區域的Ρ型不純物的不純物濃度dp 的値（dn- dp)。 但經離子注入，注入半導體基底的η型不純物量dn 及構成貫穿防止區域的P型不純物的不純物濃度dp ’均爲 比較大的數値，即從大數値減大數値得小數値時’大數値 的小變動成爲小數字的大變動的關係，MOS型固態攝影裝 6 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)Al规格（210 X 297公釐） 503571 7718pif·d〇c/008 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（b) 置適用貫穿防止區域時’非常困難使光二極體的信號累積 區域的不純物濃度得到薄且穩定的。 結果，經離子注入，使注入半導體基底內的η型不純 物的不純物濃度之小變動成爲光二極體的信號累積區域的 不純物濃度的大變動，並隨著使光二極體的空乏化電位也 起大變動之關係不能穩定的讀出信號累積區域的電荷。 發明解決的課題 如此對MOS型固態攝影裝置，起因於像素容量的增 大（像素的高密度化），M〇S型電晶體的閘極長較短，及 閘氧化膜的厚度變薄而使貫穿成爲問題所在；另外如已經 以邏輯製品實用化的貫穿防止區域適用於MOS型固態攝 影裝置時，因有光二極體的信號累積區域存在的關係，會 本困難。 原因爲如要確實進行電荷的轉送，必須使光二極體的 信號累積區域的不純物濃度保持薄且穩定，以及光二極體 的空乏化電位保持低且穩定爲佳；但如設有貫穿防止區域 時，需反轉貫穿防止區域的導電型以形成信號累積區域的 關係，無法以低不純物濃度且穩定的來形成信號累積區 域。 即對習知的MOS型固態攝影裝置，其MOS型電晶體 的細微化及有貫穿問題時，爲防止貫穿而設貫穿防止區 域，則會很困難使二極體維持低且穩定的空乏化電位，此 原因致使無法安定的製造具有電荷轉送能力均勻的M〇S 型固態攝影裝置。 7 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) • 裝 ·11111111 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)/\丨規格（210x297公釐） 503571 A7 B7 7718pif.doc/008 五、發明說明（y) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明爲解決上述缺點，提出以低不純物濃度且穩定 的形成光二極體的信號累積區域，並將MOS型電晶體細 微化後，仍可防止貫穿的MOS型固態攝影裝置及其製造 方法的提案爲目的。 發明槪述 1.本發明的MOS型固態攝影裝置包括：在第一導電 型之半導體基底內形成的光電變換元件，和在前述半導體 基底的第一元件區域內形成的第二導電型的第一 MOS型 電晶體，以讀出前述光電變換元件所生的電荷，與在前述 半導體基底的第二元件區域內形成的第二導電型之第二 MOS電晶體等，並全面在前述第二元件區域設防止貫穿的 第一導電型之貫穿防止區域。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本發明的MOS型固態攝影裝置有絕緣隔離層圍繞前 述第一'及第一兀件區域’則述貫穿防止區域設在前述絕緣 隔離層的直下方；前述的貫穿防止區域設在沿前述第一元 件區域周邊部分的前述絕緣隔離層；確保從前述絕緣隔離 層至前述第一元件區域內的前述貫穿防止區域端邊的幅度 比形成前述貫穿防止區域時所使用的罩幕（mask)材的組 合偏差以上，前述幅度譬如是設定在0.2//m以上；前述 在第二元件區域的前述貫穿防止區域的位置比在前述絕緣 隔離層直下方的前述貫穿防止區域的位置較深之處。 本發明的MOS型固態攝影裝置有複數個像素，各像 素有前述光電變換元件，和前述第一 MOS電晶體及前述 第二MOS電晶體等；前述光電變換元件形成在第一元件 8 本紙張又度適用中國國家標準（CNS)A!規格（210 x 297公f ) M33571 7 718p i f . doc /0 0 8 五、發明說明（〔） 區域內，前述第一 MOS電晶體的源極成爲前述光電變換 元件之第二導電型的信號累積區域。 本發明的MOS型固態攝影裝置，尙有在前述第一 MOS 電晶體之汲極的直下方形成第一導電型的貫穿阻擋層；前 述貫穿防止區域設在前述第一 MOS電晶體的汲極的直下 方，又前述貫穿防止區域覆蓋前述第一 MOS電晶體的汲 極及通道的一部份；前述光電變換元件，由前述半導體基 底和前述信號累積區域所構成，前述信號累積區域的直下 方未設前述貫穿防止區域，而前述貫穿防止區域係鄰接在 前述信號累積區域；前述第二元件區域的前述貫穿防止區 域的深度譬如是設定在〇·2μ m以上0.4μ m以下之處；前 述第一及第二MOS電晶體的閘極長譬如設定在0.4/z m以 下’閘氧化膜的厚度譬如設定在l〇nm以下。 2·本發明的MOS型固態攝影裝置的製造方法，有以 下程序：在第一導電型的半導體基底上形成絕緣隔離層， 並形成由前述絕緣隔離層圍繞的第一及第二元件區域的程 序，和由離子注入法，在前述半導體基底內注入第一導電 型的不純物，以及只少在前述絕緣隔離層的直下方，及前 述第二元件區域內的全面形成防止貫穿的第一導電型的貫 穿防止區域的程序，與在前述第一元件區域內形成光電變 換元件及爲讀出前述光電變換元件所生電荷的第一 M〇S 電晶體’同時在前述第二元件區域內形成第二MOS電晶 體的程序等；前述不純物以可穿過前述絕緣隔離層的加速 能量及劑量，注入前述半導體基底內；前述不純物就便使 9 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297^i7 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂--------線. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 503571 7718pif.doc/008 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（7 ) 用決定前述第二MOS電晶體的臨界値之通道離子注入時 的同一罩幕注入前述半導體基底內，又前述之不純物以覆 蓋前述第一元件區域上的光阻層（resist)爲罩幕注入前述 半導體基底內，前述光阻層形成在只少從前述絕緣隔離層 向前述第一元件區域內伸入一定幅度位置的內側區域之前 述光電變換元件之第二導電型信號累積區域上，並且前述 不純物也注入第一元件區域內的一部份。 圖式之簡單說明 爲讓本發明之上述發明目的和優點以附圖及實施型態 例，作詳細說明。 第1圖表示關於本發明第一實施型態的M0S型固態 攝影裝置的斷面圖。 第2圖表示關於本發明第二實施型態的m〇s型固態 攝影裝置的斷面圖。 第3圖表示關於本發明第三實施型態的M〇S型固態 攝影裝置的斷面圖。 第4圖表示關於本發明M〇s型固態攝影裝置製造方 法之一程序斷面圖。 第5圖表示關於本發明M〇s型固態攝影裝置製造方 法之一程序斷面圖。 第6圖表示關於本發明m〇S型固態攝影裝置製造方 法之一程序斷面圖。 第7圖表示關於本發明m〇S型固態攝影裝置製造方 法之一程序斷面圖。 (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) · --線. 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A:i規烙（21〇ϋ公餐^ 503571 7718pif.doc/008 hi B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（$ ) 第8圖表示關於本發明MOS型固態攝影裝置製造方 法之一程序斷面圖。 第9圖表示關於本發明MOS型固態攝影裝置製造方 法之一程序斷面圖。 第10圖表示MOS型固態攝影裝置的像素電路圖。 圖式之標記說明= 1 : P型半導體基底 2 : n_型信號積蓄區域 3 : P++型表面護罩（shield)層 4 : η型第一半導體區域 5 : Ρ+型貫穿阻擋層（punch-through stopper) 6 : p+型貫穿防止區域 7 :閘氧化膜 8 :讀出閘電極 9 : P型讀出通道區域 10 :絕緣隔離層 11 : η型第二半導體區域 12 : η型第三半導體區域 13 : Ρ型通道區域 14 :閘電極 15 :緩衝氧化膜 16、17、18、18’ 19 :光阻層（resist) 21 :光二極體 22 :讀出閘 (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) -n n n n n n n 一0|>· n n n n ----線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A!规恪（210 X 297公f ) 137503571 7718pif.doc/008 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（1) 23 :重置閘 24 :放大閘 25 :選擇閘 26 :垂直掃描電路 27 :水平掃描電路 28 :負載閘 較佳實施例之詳細說明 參照附圖詳細說明本發明的MOS型固態攝影裝置及 製造方法如下： 第一實施型態 第一圖表示關於本發明第一實施形態MOS型固態攝 影裝置的元件（device)之構造圖。 P型半導體基底1有低不純物濃度譬如爲lxl015atoms /cm3，半導體基底1成爲光二極體的陽極（anode)，譬如 半導體基底1設定在接地電位，但也可在半導體基底內形 成P型井（well)區域，並以此P型井區域爲光二極體的 陽極，此時P型井區域的不純物濃度譬如設定在 lxl015atoms/cm3 〇 半導體基底1上配置絕緣隔離層10，將各元件間的電 關係分離，在本實施例的絕緣隔離層以區域氧化法LOCOS (Local Oxidation of Silicon)法形成的場（field)氧化膜， 但也可以淺溝渠隔離法STI (Shallow Trench Isolation)法 形成氧化膜。 在兩絕緣隔離層10間的元件區域A，例如第10圖所 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A:丨規格（2】0 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂- 線- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 503571
7718pif.doc/〇〇B 五、發明說明（) 示爲形成光二極體21及讀出閘22的區域’又在兩絕緣隔 離層10間的元件區域B ’例如第10圖所示爲形成重置閘 23，放大閘24，選擇閘25等元件（光二極體21及讀出閘 22以外的元件）的區域。 在元件區域A，半導體基底1內部（從表面充分深入 的位置）配置f型信號累積區域2，又以本實施例’ rr型 信號累積區域2並非形成在P+型貫穿防止區域內’而直接 形成在半導體基底1內’ ^型信號累積區域2內配置P++型 表面護罩（shield)層3。 又另於元件區域A ’在半導體基底1的內部（從表面 充分深入的位置）在配置型信號累積區域2的不同部分 配置Ρ+型貫穿阻擋層5 ’ Ρ+型貫穿阻擋層5內配置η型第 一半導體區域4。 在η·型信號累積區域2與η型第一半導體區域4間的 Ρ型讀出通道區域9上，例如經過由Si02構成的閘氧化膜 7佈置讀出閘電極8，該讀出閘電極8，例如是由含有η型 不純物的導電性多晶砍（poly silicon)所構成，又該讀出 閘電極8爲第10圖的讀出閘22的閘電極。 在元件區域B，半導體基底內部（由表面充分深入的 位置）配置防止貫穿的P+型貫穿防止區域6，P+型貫穿防 止區域6，全面配置在元件區域B，在P+型貫穿防止區域 內，配置η型第二半導體區域11及η型第三半導體區域12° η型第二半導體區域11與η型第三半導體區域間的Ρ 型通道區域上，例如經過由SiOj#成的閘氧化膜7配置閘 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)/y規恪（2〗0 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 訂---------線- 503571 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 7 718p i f·doc/Ο Ο 8 一—_B7________i、發明說明（U) 電極14，閘電極14例如由含有η型不純物的導電性多晶 矽所構成，閘電極14例如第10圖爲重置閘23,放大閘24， 選擇閘25等MOS電晶體的閘電極。 上述MOS型固態攝影裝置元件構造的特徵的第一在Ρ+ 型貫穿防止區域6，未形成在η·型信號累積區域2的直下 方，總之本發明將型信號累積區域2，直接形成在半導 體基底1內，因未在P+型貫穿防止區域6內形成的關係， 能以低不純物濃度並且安定的形成ir型信號累積區域2。 具體的說，半導體基底1的不純物濃度（例如硼 (Boron)濃度），如上所述例如設定在lxl〇15at〇ms/cm3， P+型貫穿防止區域6的不純物濃度（例如硼（Boron)濃度） 例如設定在 lxl017atoms/cm3。 即本發明以比P+型貫穿防止區域6的不純物濃度小二 位數的不純物濃度的半導體基底1內形成ir型信號累積區 域2之關係，η型不純物的離子注入時，可將設定劑量調 低的結果，能以低不純物濃度且安定的形成it型信號累積 區域2。 第二點爲Ρ+型貫穿防止區域6，形成在絕緣隔離層1〇 的直下方及元件區域Β的全面，在元件區域A，只在η型 第一半導體區域4的直下方形成Ρ+型貫穿阻擋層5，即η 型第一半導體區域4成爲第10圖所示的檢測部分（檢測 節點（Node) ) D，不需如ir型信號累積區域2，將不純 物濃度設定調低。 因此在η型第一半導體區域4的直下方，形成P+型貫 (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁) 裝 訂-· 線. 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A‘l规格（210 x 297公f ) A7 B7 7l8pif.doc/008 五、發明說明（〇 穿阻擋層5，例如必須防止η型第一半導體區域4與其他 η型半導體區域間所產生的貫穿；並且Ρ+型貫穿防止區域 6，必須確實的形成在絕緣隔離層10的直下方，如此則可 有效的防止夾絕緣隔離層的兩η型半導體區域間的貫穿。 所以，例如Ρ型貫穿防止區域在絕緣隔離層10形成 後，並且形成閘電極8，14以前，用所定的加速能量及劑 量，以離子注入法形成；此時離子注入法的條件，設定在 不純物能貫穿絕緣隔離層10爲條件時，如第1圖所示， 於無絕緣隔離層10的元件區域Β，其不純物可到達深入半 導體基底1內的位置，使Ρ+型貫穿防止區域6形成在從半 導體基底1的表面充分深入的位置。 並且在第1圖，閘氧化膜7的厚度，例如設定在8nm 程度，閘電極14的閘長（通道長）例如設定在〇.4/zm程 度；又P++型表面護罩層3的不純物濃度，例如設定在 lxl018atoms/cm3程度，P+型貫穿阻擋層5及P+型貫穿防止 區域6的不純物濃度，例如共設定在lxl〇17atoms/cm3程度。 如以上的說明，關於本發明的第1實施形態的M0S 型固態攝影裝置，能以低不純物濃度且安定的形成光二極 體的信號累積區域，同時可將M0S電晶體細微化以及可 防止貫穿等。 第二實施形態 關於本實施形態的M0S型固態攝影裝置，是在P型 貫穿防止區域6有其特徵者，關於前述第一實施形態的M〇S 型固態攝影裝置在讀出閘（元件區域A的M0S電晶體） 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)Al規烙（21〇χ 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝--------訂----1!*線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 503571 77l8pif·doc/008 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（ο ) 的源極邊形成光二極體，在其汲極邊以檢測部（檢測節點 (node) ) D配置η型第一半導體區域4，然後在此η型 半導體區域的直下方，與Ρ+型貫穿防止區域6分別形成Ρ+ 型貫穿阻擋層5。 但Ρ+型貫穿阻擋層5與貫穿防止區域6有相同防止貫 穿之目的，並且以相同不純物濃度形成，所以不需待言， η型第一半導體區域4的直下方，不用Ρ+型貫穿阻擋層5 而也可形成Ρ+型貫穿防止區域6 ;因此在本實施形態，在 η型第一半導體區域4的直下方形成Ρ+型貫穿防止區域6， 其結果本實施形態不需用Ρ+型貫穿阻擋層5之關係，可得 到製造程序簡單化的效果。 關於本實施形態的MOS型固態攝影裝置說明如下： 第2圖表示關於本實施形態MOS型固態攝影裝置的 元件構造。 Ρ型半導體基底1具有低不純物濃度，例如爲 lxl015atoms/cm3,半導體基底1成爲光二極體的陽極 (anode)，例如半導體基底1設定在接地電位；但也可在 半導體基底1內形成P型井區域，並以此P型井區域成爲 光二極體的陽極，此時P型井區域的不純物濃度，例如設 定在 lxlOi5atoms/cm3。 在半導體基底1上，爲使各元件間之電關係分離而設 置絕緣隔離層10，在本實施例之絕緣隔離層，例如以區域 氧化法LOCOS形成之場氧化膜，但也可以淺溝隔離法STI 形成氧化膜來取代。 ------*---------裝--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂·· 線牆 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 503571 A7 B7 718pi f. doc /0 0 8 五、發明說明（ 在兩絕緣隔離層1〇間之元件區域A成爲，例如第10 圖所示的光二極體21及讀出閘的形成區域，另外在兩絕 緣隔離層10間的元件區域B，例如第1〇圖所示，成爲形 成重置閘23，放大閘24，選擇_ 25等元件（光電二極體 21及讀出閘22以外之元件）的區域。 在元件區域A的半導體基底1的內部（從表面充分深 入的位置）設置IT形信號累積區域2，本實施例，未在P+ 型貫穿防止區域6內形成it型信號累積區域2，而直接形 成在半導體基底1內，並在it型信號累積區域2內，設置 P++型表面護罩層。 另在元件區域A的半導體基底1的內部（從表面充分 深入的位置）與設置it型信號累積區域2不同部分，設置 P+型貫穿防止區域6，並在P+型貫穿防止區域6內，設置 η型第一半導體區域4。 在ir型信號累積區域2與η型第一半導體區域4間的 Ρ型讀出通道區域9上經過例如以Si02所構成的閘氧化膜 7設置讀出閘電極8，該讀出閘電極8，例如以含有η型不 純物的導電性多晶矽膜所構成，又讀出閘電極8爲第1〇 圖的讀出閘22的閘電極。 在元件區域Β的半導體基底的內部（從表面充分深入 的位置）爲防止貫穿而設置Ρ+型貫穿防止區域6，該Ρ+型 貫穿防止區域6，全面設置在元件區域Β，並在Ρ+型貫穿 防止區域6內配置η型第二半導體區域11及η型第三半 導體區域12等。 (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁) II訂·！ •線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制代 本紙張尺度適用中國國家標準（CNSW規格（2丨0x 297公釐） 503571 A7 B7 7718pif.doc/008 五、發明說明（α) η型第二半導體區域11與η型第三半導體區域12間 的Ρ型通道區域13上，經過例如以8丨02構成的閘氧化膜 7，設置閘電極14，該閘電極14，例如以含有η型不純物 的導電性多晶矽膜所構成，此閘電極14，例如成爲第1〇 圖的重置閘23，放大閘24，選擇閘25等MOS電晶體的閘 電極。 上述的MOS型固態攝影裝置之元件構造與前述關於 第一實施型態的MOS型固態攝影裝置相同，並未在η_型 信號累積區域2的直下面形成Ρ+型貫穿防止區域6，即本 發明的ir型信號累積區域2直接形成在半導體基底1內， 而未形成在P+型貫穿防止區域6內的關係，能以低不純物 濃度並且安定的形成rr型信號累積區域2,具體的說半導 體基底1的不純物濃度（例如硼濃度）如上所述，例如設 定在lxl015atoms/cm3，至於P+型貫穿防止區域6的不純物 濃度（例如硼濃度）例如設定在lxl017atoms/cm3。 即在本發明，因以比P+型貫穿防止區域6的不純物濃 度小二位數的不純物濃度之半導體基底1內形成rr型信號 累積區域2的關係，在η型不純物的離子注入時的設定劑 量調低的結果，能以低不純物濃度且安定的形成it型信號 累積區域2，並且Ρ型貫穿防止區域6必需確實的形成在 絕緣隔離層10的直下方，如此則可有效的防止夾絕緣隔 離層的兩η型半導體區域間的貫穿。 所以例如Ρ+型貫穿防止區域6，在絕緣隔離層10形成 後，並在閘電極8，14形成以前，以所定的加速能量及劑 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
77l8pif.doc/〇〇8 77l8pif.doc/〇〇8 五 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 發明說明（（l) 量用離子注入法形成，此時離子注入法的條件，設定在不 純物能貫穿絕緣隔離層10爲條件時，如第2圖所示，於 無絕緣隔離層10存在的元件區域，其不純物可到達深入 半導體基底1內的位置，使Ρ+型貫穿防止區域6形成在從 半導體基底1的表面充分深入的位置。 並且在第2圖，閘氧化膜7的厚度，例如設定在8nm 程度’閘電極14的閘長（通道長）例如設定在0.4//m程 度’又P++型表面護罩層3的不純物濃度，例如設定在 lxl018atoms/cm3程度，P+型貫穿阻擋層5及P+型貫穿防止 區域6的不純物濃度，例如共設定在ixi〇17at〇ms/cm3程度。 如以上的說明，關於本發明的第二實施型態的MOS 型固態攝影裝置，能以低不純物濃度且安定的形成光二極 體的信號累積區域，同時可將MOS電晶體細微化以及也 可防止貫穿。 第三實施形態 關於本實施形態的MOS型固態攝影裝置，也是在P+ 型貫穿防止區域6有其特徵者，關於上述第二實施形態的 MOS型固態攝影裝置，在讀出閘（元件區域A的MOS電 晶體）的汲極邊的η型第一半導體區域4的直下方形成P+ 型貫穿防止區域6。 對此，本實施形態在元件區域Α其P型貫穿防止區域 6的形成不單在第一半導體區域4的直下方，並且延伸覆 蓋到讀出閘（MOS電晶體）的讀出閘電極直下方的通道的 一部份，如此在η型第一半導體區域4的直下方及讀出閘 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（MO X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂-------！率 503571 7 718p i f ·doc/0 0 8 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（G) 的通道一部份形成P+型貫穿防止區域6的情形，在離子注 入時只要將罩幕圖案（mask pattern)變形，就很容易實現。 關於本實施形態的MOS型固態攝影裝置的元件構造 說明如下： 第3圖表示關於本發明第三實施形態的MOS型固態 攝影裝置之元件構造。 P型半導體基底1具有低不純物濃度，例如爲 lxl015atoms/cm3,半導體基底1爲光二極體的陽極（anode)， 例如半導體基底1設定在接地電位，但也可在半導體基底 1內形成P型井區域，並以此P型井區域爲光二極體的陽 極，此時P型井區域的不純物濃度例如設定在 lxl015atoms/cm3 〇 半導體基底1上爲使各元件間之電關係分離而設置絕 緣隔離層10，在本實施例之絕緣隔離層，例如採用以區域 氧化法 LOCOS (Local Oxidation of Silicon)形成的場氧化 月旲’但也可以淺溝渠隔離法STI (Shallow Trench Isolation) 形成氧化膜取代之。 在兩絕緣隔離層10間之元件區域A成爲例如第10圖 所示的光二極體21及讀出閘22的形成區域，另外在兩絕 緣隔離層10間的元件區域B成爲例如在第10圖所示的重 置閘23，放大閘24及選擇閘25等（光二極體21及讀出 閘22以外之元件）元件的形成區域。 在元件區域A的半導體基底1的內部（從表面充分深 入的位置）配置ir型信號累積區域2，在本實施例，未在 20 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2】〇χ 297公釐） (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) 裝 線- 503571 A7 7718pif.doc/008 五、發明說明（ΐδ) Ρ+型貫穿防止區域6內形成IT型信號累積區域2，而直接 形成在半導體基底1內’並且型信號累積區域2內，配 置P++型表面護罩層3。 (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) 另在元件區域A的半導體基底1的內部（從表面充分 深入的位置），與配置rT型信號累積區域2不同的部分（含 讀出閘的讀出通道區域9的一部份）配置p+型貫穿防止區 域6 ; P+型貫穿防止區域6內，配置n型第一半導體區域 4 〇 在η·型信號累積區域2與η型第一半導體區域4之間 的Ρ型讀出通道區域9上，例如經過由Si02所構成的閘氧 化膜7，配置讀出閘電極8 ’讀出閘電極8，例如由含有n 型不純物的導電性多晶體矽膜所構成，此讀出閘電極8爲 第10圖之讀出閘22的閘電極。 在元件區域Β的半導體基底1的內部（從表面充分深 入的位置）爲防止貫穿而配置Ρ+型貫穿防止區域6，該Ρ+ 型貫穿防止區域6全面設置在元件區域Β，並在Ρ+型貫穿 防止區域6內配置η型第二半導體區域11及η型第三半 導體區域12等。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 η型第二半導體區域11與η型第三半導體區域12間 的Ρ型通道區域13上，例如經過由8丨02構成的閘氧化膜 7，配置閘電極Η，該閘電極14，例如，由含有η型不純 物的導電性多晶矽膜所構成，同時閘電極14成爲例如第10 圖的重置閘23，放大閘24及選擇閘25等MOS電晶體之 閘電極。 21 本紙張尺度中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公f ) 州571 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 77l8pif.doc/OOi 五、發明說明（θ) 上述的MOS型固態攝影裝置的元件構造，與前述關 於第一及第二實施形態的MOS型固態攝影裝置同樣，並 未在it型信號積蓄區域2的直下方形成P+型貫穿防止區域 6 ’即本發明的η·型信號累積區域2，直接形成在半導體基 底1內，而未形成在Ρ+型貫穿防止區域6內的關係，能以 低不純物濃度且安定的形成η·型信號累積區域2,具體說， 半導體基底1的不純物濃度（例如硼濃度），如上所述例 如設定在lxl015atoms/cm3，至於Ρ+型貫穿防止區域6的不 純物濃度（例如硼濃度）例如設定在lxl〇i7at〇ms/Cm3。 即本發明，因以比P+型貫穿防止區域6的不純物濃度 小二位數的不純物濃度之半導體基底1內，形成it型信號 累積區域2的關係，在n型不純物的離子注入時的設定劑 量調低的結果，能以低不純物濃度且安定的形成！Τ型信號 累積區域2，並且Ρ+型貫穿防止區域6，必需確實的形成 在絕緣隔離層10的直下方，如此則可有效的防止夾絕緣 隔離層的兩η型半導體區域間的貫穿。 因此，例如Ρ+型貫穿防止區域6在絕緣隔離層形成後 並在閘電極8，14形成前，以所定的加速能量及劑量，用 離子注入法形成，此時離子注入法的條件，設定在不純物 濃度能貫穿絕緣隔離層10爲條件時，如第3圖所示，於 無絕緣隔離層10存在的元件區域，其不純物濃度可到達 涂入半導體基底1內的位置，使Ρ+型貫穿防止區域6，形 成在從半導體基底1的表面充分深入的位置。 並且在第3圖，閘氧化膜7的厚度，例如設定在8nm 22 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)AI規格（21〇 X 297公釐） 言_ (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁)
503571 7718pif.doc/008 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（w ) 程度，閘電極14的閘長（通道長）例如設定在0.4//m程 度，又P++型表面護罩層3的不純物濃度，例如設定在 lxl018atoms /cm3程度，P+型貫穿阻擋層5及P+型貫穿防止 區域6的不純物濃度，例如共設定在lxi〇17at〇ms/cm3程度。 如以上的說明，關於本發明的第三實施形態之MOS 型固態攝影裝置，能以低不純物濃度且安定的形成光二極 體的信號累積區域，同時可將MOS電晶體細微化以及也 可防止貫穿。 製造方法的說明 以下說明本發明的MOS型固態攝影裝置的製造方法， 以下的說明可適用於上述關於第一至第三實施形態的MOS 型固態攝影裝置的全製造方法，至於對各實施形態獨自的 程序則逢機說明之。 先如第4圖所示，以區域氧化法LOCOS在P型半導 體基底1上形成絕緣隔離層10，以後用熱氧化在由絕緣隔 離層10所圍繞的元件區域A，B上形成緩衝（buffer)氧 化膜15。 其次如第5圖所示，對元件區域A，進行爲決定M0S 電晶體的臨界値之所謂通道離子注入，以形成P型讀出通 道區域9，同樣對元件區域B進行爲決定M0S電晶體的臨 界値之所謂通道離子注入，以形成P型讀出通道區域13。 在本例，以兩次離子注入程序形成兩通道區域9, 13， 此時需要兩次的光蝕刻程序PEP ( Photo Engraving Process)，但元件區域A，B所形成的MOS電晶體的臨界 23 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A丨规格（2Κ)χ 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
----I---訂---------線 _· 503571 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 7 7 1 8p i f . doc /0 0 8 發明說明（Μ ) 値設定爲同一値時，可以一次離子注入程序形成兩通道區 域9 ’ 13，此時爲形成兩通道區域9，13的光蝕刻程序， 一次就可以。 此後，形成光阻層16，由光蝕刻程序使在元件區域a 上爲罩幕的光阻圖案（resist pattern)(光阻層16)保存， 再者此時使光阻層16全面覆設在元件區域A時，就成爲 關於上述第一實施形態的元件製造方法，如在元件區域A 的一部份配置光阻層時，則成爲上述關於第二及第三實施 形態的元件製造方法。 然後依離子注入法，以光阻層16爲罩幕進行P型不 純物（例如爲硼）的離子注入，則在半導體基底1的內部， 形成P+型貫穿防止區域6;此時離子注入法設定的加速能 量’要使P+型貫穿防止區域6，形成在例如從半導體基底 表面0.2〜0·4 μ m深的位置，但此條件當然要同時使絕緣隔 離層10的直下方也形成P型貫穿防止區域6 ;又離子注入 時的設定劑量要使P+型貫穿防止區域6的不純物濃度，例 如爲lxl017atoms /cm3的程度，在本例，形成P+型貫穿防 止區域6之離子注入，以一次爲前提，但也可以二次離子 注入來形成P+型貫穿防止區域6。 現在說明能對應實際產品的微妙條件。 即當形成P+型貫穿防止區域6時，實際上設定的光阻 層16的尺寸較元件區域A的的尺寸爲小，其理由爲如P+ 型貫穿防止區域6，在元件區域A的周邊略爲進入元件區 域A內時可防止光二極體的空乏層到達絕緣隔離層10所 24 ---------i-----裝 i I (請先閱讀背面之注音3事項再填寫本頁) Ϊ線· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A!规格（210 X 297公f ) 503571 A7 B7 7718pif.doc/008 五、發明說明π^) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 形成的損壞（damage)，又Ρ+型貫穿防止區域6，進入元 件區域A的幅度X，考慮罩幕（光阻層16)的組合偏差時， 設定大於組合偏差爲佳，例如其幅度X設定在0.2//m程 度或以上値，此後除去元件區域B上的緩衝氧化膜15，再 由熱氧化法在元件區域B上形成10nm以下厚度，例如8nm 程度的閘氧化膜7 ;再來除去元件區域A上的光阻層16， 更再除去元件區域A上的緩衝氧化膜15，其次如第6圖 所示，以熱氧化法在元件區域A上形成10nm以下厚度， 例如爲8nm程度的閘氧化膜7。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在本例元件區域A的閘氧化膜7與元件區域B的閘氧 化膜7,以不同的程序來形成，當然也可由同一程序形成； 此時除去第5圖的光阻層16後，同時除去元件區域A，B 上的緩衝氧化膜15，並且同時在元件區域A，B上形成閘 氧化膜7 ;其後經由含不純物的導電性多晶矽膜的形成， 光阻層的形成，光蝕刻程序PEP，反應離子蝕刻RIE( Reaction Ion Etching)等程序，在元件區域A的閘氧化膜7上形成 讀出閘電極8，在元件區域B的閘氧化膜7上形成閘電極 14，又經由氧化膜（或氮化膜）的形成，經由離子蝕刻rie 等之程序，再閘電極8，14的側壁形成所謂的側壁空隙壁 (side-wall spacer) 〇 其後上述關於第一實施形態的元件之製造方法，如第 6圖所示，由光阻層的塗布及光蝕刻程序PEP，在元件區 域A上的一部份形成有開口之光阻圖案（光阻層17)， 然後由離子注入法以光阻層17爲罩幕在半導體基底1內 25 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A.I規格（210 X 297公釐） 503571 A7 B7 7 718p i f. doc /0 0 8 五、發明說明（>)) 丨 I 丨 I 1 I I J— I 1 I · · I I (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁) 注入P型不純物（例如爲硼）形成P+型貫穿阻擋層5以後 除去光阻層17，關於上述第二及第三實施形態的元件之製 造方法，當然不需要P+型貫穿阻擋層5。 其次如第7圖所示，由塗布光阻層及光蝕刻程序 (PEP)，在元件區域A上形成光二極體的區域形成有開 口的光阻圖案（光阻層18)，然後由離子注入法以光阻層 18及側壁（side wall)爲罩幕在半導體基底1內，注入P 型不純物（例如爲BF2)形成P++型表面護罩層3，以後除 去光阻層18。 下面如第8圖所示，除去存在於閘電極8，14側壁之 側壁再由塗布光阻層及光蝕刻程序（PEP)，在元件區域 A上形成光二極體的區域，形成有開口之光阻圖案（光阻 層18’），其後用離子注入法以光阻層18’爲罩幕在半導 體基底1內’注入η型不純物（例如爲磷）形成η-型信號 累積區域2，其後除去光阻層18,。 ··線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 最後如第9圖所示，由塗布光阻層及光蝕刻程序 (PEP)，在元件區域A上的一部份及元件區域B上，形 成有開口的光阻圖案（光阻層19);其後由離子注入法以 光阻層19及閘電極9，14爲罩幕在半導體基底1內，注 入η型不純物（例如爲磷），形成η型第一至第三半導體 區域4，11，12然後除去光阻層19。 以後尙要進行配線程序與保護（pass:vat〇in)程序等， 在此省略之。 由以上說明完成關於本發明的MOS型固態攝影裝置。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A!規格（210x 297公釐） 503571 A7 B7 f7l8pif.doc/008 i、發明說明（>p) 其他事項 上述關於第一實施形態的MOS型固態攝影裝置也可 省略P+型貫穿阻擋層，此時可省略形成p+型貫穿阻擋層5 的程序（參照製造方法之說明），對減低製造成本有所貢 獻；另外不依關於第二及第三實施形態MOS型固態攝影 裝置，使P型貫穿防止區域6延伸入元件區域A內一定幅 度X時（參照第5圖），對元件區域A的MOS電晶體也 可得充分的貫穿防止效果。 上述關於第一至第三實施形態的MOS型固態攝影裝 置，也可同樣使用爲決定MOS電晶體的臨界値之離子注 入時的罩幕，進行P型不純物的離子注入，以形成P型貫 穿防止區域6，此種變形例，適用於對元件區域A內的讀 出閘（MOS電晶體）的通道部分，不進行通道離子注入的 場合。 上述關於第一至第三實施形態之MOS型固態攝影裝 置係以在P型半導體基底內形成η通道MOS電晶體爲例， 例如本發明也可能適用於在η型半導體基底內形成Ρ通道 MOS電晶體的場合。 發明的效果 如以上說明，依照本發明的MOS型固態攝影裝置及 其製造方法，在光二極體的信號累積區域之直下方並未形 成Ρ+型貫穿防止區域；另外Ρ+型貫穿防止區域伸入以源極 爲光二極體信號累積區域，與其讀出閘（MOS電晶體）所 形成元件區域，只少一定幅度，並且全面形成在該元件區 27 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)Al規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -ϋ 1_1 ϋ ϋ I §m§^eJ n n —i 1 ϋ n n 8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 503571 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 7718pif.doc/008 五、發明說明（f) 域以外的元件區域。 因此當MOS電晶體的閘長較短，其閘氧化膜厚度較 薄時，也可能防止MOS電晶體及元件間（夾絕緣隔離層 的兩元件間）的貫穿，又不需反轉P+型貫穿防止區域的導 電型，以形成光二極體的信號累積區域，並可使單一像素 所形成的光二極體之空乏化電位低且安定。 28 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A!规格（210x297公釐） (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁)
Claims (1)
- 503571 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 B8 7?18pif ^ doc/ 008 六、申請專利範圍 1· 一種MOS型固態攝影裝置包括： 一光電變換元件，形成在一第一導電半導體基底內； —第二導電型的一第一 M0S電晶體（transistor)，形 成在該半導體基底的一第一元件區域內，其目的爲讀出前 述光電變換元件所生成的電荷； 一第二導電型的一第二M0S電晶體，形成在該半導 體基底的一第二元件區域內； 一貫穿（punch-through)防止區域，爲防止貫穿，全 面設在該第二元件區域內。 2. 如申請專利範圍第1項所述的M0S型固態攝影裝 置，其中圍繞該第一及第二元件區域設有一絕緣隔離層， 該絕緣隔離層的直下方也設有前述貫穿防止區域。 3. 如申請專利範圍第2項所述的M0S型固態攝影裝 置，其中在該第一元件區域的周邊部沿該絕緣隔離層設該 貫穿防止區域。 4. 如申請專利範圍第3項所述的M0S型固態攝影裝 置，其中從該絕緣隔離層至該第一元件區域內的該貫穿防 止區域端的幅度，確保此形成該貫穿防止區域時所使用的 罩幕（mask)材的組合偏差以上。 5. 如申請專利範圍第4項所述的M0S型固態攝影裝 置9其中該幅度爲〇.2//m以上。 6·如申請專利範圍第2項所述的M0S型固態攝影裝 置，其中該第二元件區域的該貫穿防止區域的位置比該絕 緣隔離層直下方的該貫穿防止區域位置較深。 29 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ·# 訂· --線- 503571 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 7718pif.doc/008 六、申請專利範圍 7. 如申請專利範圍第1項所述的M〇S型固態攝影裝 置，其中該MOS型固態攝影裝置有複數個像素，各像素 有該光電變換元件，該第一 MOS電晶體及前述第二MOS 電晶體。 8. 如申請專利範圍第1項所述的MOS型固態攝影裝 置，其中該光電變換元件形成在該第一元件區域內，該第 一 MOS電晶體的源極（source)爲該光電變換元件的第二 導電型信號累積區域。 9. 如申請專利範圍第8項所述的M0S型固態攝影裝 置，其中具備在該第一 M0S電晶體的汲極（drain)的直 下方形成第一導電型貫穿阻擋層。 10. 如申請專利範圍第8項所述的M0S型固態攝影裝 置，其中該貫穿防止區域設在前述第一 M0S電晶體的汲 極直下方。 11. 如申請專利範圍第8項所述的M0S型固態攝影裝 置，其中該貫穿防止區域覆蓋該第一 M0S電晶體的汲極 及通道（channel)的一部份。 12. 如申請專利範圍第8項所述的M0S型固態攝影裝 置，其中該光電變換元件係由該半導體基底及該信號累積 區域所構成，又該信號累積區域的直下方設有貫穿防止區 域。 13. 如申請專利範圍第12項所述的M0S型固態攝影 裝置，其中該貫穿防止區域，鄰接在該信號累積區域者。 14. 如申請專利範圍第1項所述的M0S型固態攝影裝 30 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝· -=α 線- 503571 A8 B8 7718pif.doc/008 C8 __D8 六、申請專利範圍 置’其中在該第二元件區域的該貫穿防止區域的深度設定 在0.2/zm以上0.4/zm以下者。 -------w I I «Μ--I · I I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 15. 如申請專利範圍第1項所述的m〇s型固態攝影裝 置，其中該第一及第二M0S電晶體的閘極（gate)長設定 在0.4/zm以下’閘氧化膜厚度設定在1〇11111以下者。 16. —種MOS型固態攝影裝置的製造方法，包括： 在第一導電型的半導體基底上形成絕緣隔離層，圍繞 在該絕緣隔離層間形成第一及第二元件區域的程序； 由離子（ion)注入法在該半導體基底內注入第一導電 型的不純物’只少在該絕緣隔離層的直下方及該第二元件 區域的全面形成第一導電型的貫穿防止區域以防止貫穿的 程序； 在該第一元件區域內形成光電變換元件及爲讀出該光 電變換元件生成電荷的第一 M0S電晶體，同時在該第二 元件區域內形成第二M0S電晶體的程序等。 -·線· 17. 如申請專利範圍第16項所述的m〇S型固態攝影 造方法，其中該不純物以能貫通前述絕緣隔離層 的加速能量（energy)及劑量（d〇se)注入該半導體基底 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 內。 18·如申請專利範圍第16項所述的M0S型固態攝影 裝置的製造方法，其中使用決定該第二M0S電晶體的臨 界値之通道離子（channel ion)注入時的罩幕，將不純物 注入該半導體基底內。 19.如申請專利範圍第16項所述的m〇S型固態攝影 本紙張尺度_㈣ 503571 A8 B8 7718pif.doc/008 六、申請專利範圍 裝置的製造方法，其中以覆蓋該第一元件區域上的一部份 之光阻層（resist)爲罩幕，將不純物注入該半導體基底內。 20. 如申請專利範圍第19項所述的MOS型固態攝影 裝置的製造方法，其中在只少從該絕緣隔離層向該第一元 件區域伸入一定幅度位置的內側區域之該光電變換元件的 第二導電型之信號累積區域上形成該光阻層。 21. 如申請專利範圍第19項所述的MOS型固態攝影 裝置的製造方法，其中該不純物也注入該第一元件區域內 的一部份。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂： 線- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 32 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規格（210 X 297公釐)
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| JP2004273781A (ja) * | 2003-03-10 | 2004-09-30 | Seiko Epson Corp | 固体撮像装置 |
| JP3901114B2 (ja) | 2003-03-10 | 2007-04-04 | セイコーエプソン株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
| US6949445B2 (en) * | 2003-03-12 | 2005-09-27 | Micron Technology, Inc. | Method of forming angled implant for trench isolation |
| KR100477790B1 (ko) * | 2003-03-13 | 2005-03-22 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 씨모스 이미지센서의 제조방법 |
| US6900484B2 (en) * | 2003-07-30 | 2005-05-31 | Micron Technology, Inc. | Angled pinned photodiode for high quantum efficiency |
| EP1513199A3 (en) * | 2003-09-03 | 2006-09-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Solid-state imaging device and camera |
| CN101369594B (zh) * | 2003-12-12 | 2012-06-27 | 佳能株式会社 | 光电变换装置及其制造方法和摄像系统 |
| JP4539176B2 (ja) * | 2004-05-31 | 2010-09-08 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子及びその製造方法 |
| US7385238B2 (en) * | 2004-08-16 | 2008-06-10 | Micron Technology, Inc. | Low dark current image sensors with epitaxial SiC and/or carbonated channels for array transistors |
| KR100606906B1 (ko) * | 2004-12-29 | 2006-08-01 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지 센서의 포토다이오드 및 그 제조방법 |
| JP4340240B2 (ja) * | 2005-01-17 | 2009-10-07 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置 |
| CN101069418A (zh) * | 2005-02-28 | 2007-11-07 | 松下电器产业株式会社 | 固体摄像装置及其驱动方法 |
| EP2341539B1 (en) * | 2005-03-11 | 2014-10-08 | Fujitsu Semiconductor Limited | Image sensor with embedded photodiode region and manufacturing method for same |
| KR100698090B1 (ko) * | 2005-06-07 | 2007-03-23 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 |
| US7800146B2 (en) * | 2005-08-26 | 2010-09-21 | Aptina Imaging Corporation | Implanted isolation region for imager pixels |
| KR100752646B1 (ko) * | 2005-10-01 | 2007-08-29 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 및 이의 제조 방법 |
| KR100752185B1 (ko) * | 2005-10-13 | 2007-08-24 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 |
| JP2007311746A (ja) * | 2006-04-17 | 2007-11-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置及びその製造方法 |
| JP2008300741A (ja) * | 2007-06-01 | 2008-12-11 | Iwate Toshiba Electronics Co Ltd | 固体撮像装置の製造方法 |
| KR20090050252A (ko) * | 2007-11-15 | 2009-05-20 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 |
| JP2010056402A (ja) * | 2008-08-29 | 2010-03-11 | Panasonic Corp | 固体撮像素子 |
| JP5240146B2 (ja) * | 2009-09-24 | 2013-07-17 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子 |
| JP5616170B2 (ja) * | 2010-09-06 | 2014-10-29 | 浜松ホトニクス株式会社 | 距離センサ及び距離画像センサ |
| JP5458135B2 (ja) * | 2012-03-28 | 2014-04-02 | シャープ株式会社 | 固体撮像素子の製造方法 |
| JP2012185174A (ja) * | 2012-05-29 | 2012-09-27 | Hamamatsu Photonics Kk | 距離センサ及び距離画像センサ |
| JP6595750B2 (ja) * | 2014-03-14 | 2019-10-23 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及び撮像システム |
| JP6347677B2 (ja) * | 2014-06-24 | 2018-06-27 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
| JP6541361B2 (ja) * | 2015-02-05 | 2019-07-10 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
| CN108140662B (zh) * | 2015-10-27 | 2023-01-17 | 索尼半导体解决方案公司 | 固体摄像元件、固体摄像元件制造方法和电子设备 |
Family Cites Families (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4198646A (en) * | 1978-10-13 | 1980-04-15 | Hughes Aircraft Company | Monolithic imager for near-IR |
| JPS589361A (ja) * | 1981-07-08 | 1983-01-19 | Hitachi Ltd | 固体撮像素子 |
| JPS6157181A (ja) * | 1984-08-28 | 1986-03-24 | Sharp Corp | 固体撮像装置 |
| US5192990A (en) * | 1986-09-18 | 1993-03-09 | Eastman Kodak Company | Output circuit for image sensor |
| US5355013A (en) * | 1988-05-25 | 1994-10-11 | University Of Hawaii | Integrated radiation pixel detector with PIN diode array |
| JP2727584B2 (ja) * | 1988-09-20 | 1998-03-11 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置 |
| EP0360595A3 (en) * | 1988-09-22 | 1990-05-09 | Matsushita Electronics Corporation | Solid state image sensor |
| JPH03225868A (ja) * | 1990-01-30 | 1991-10-04 | Hitachi Ltd | 固体撮像素子とそれを用いた撮像装置 |
| JP2503718B2 (ja) * | 1990-04-13 | 1996-06-05 | ダイキン工業株式会社 | 制御装置 |
| US5070380A (en) * | 1990-08-13 | 1991-12-03 | Eastman Kodak Company | Transfer gate for photodiode to CCD image sensor |
| JPH05251684A (ja) * | 1991-11-25 | 1993-09-28 | Eastman Kodak Co | ブルーミング防止特性を向上させたｃｃｄ画像センサ |
| JP2788388B2 (ja) * | 1993-03-30 | 1998-08-20 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置 |
| JP3385650B2 (ja) * | 1993-06-15 | 2003-03-10 | 株式会社デンソー | 半導体装置の製造方法 |
| JP3020785B2 (ja) * | 1993-12-09 | 2000-03-15 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置 |
| KR0136934B1 (ko) * | 1994-02-23 | 1998-04-24 | 문정환 | 선형 고체영상소자 |
| KR100541712B1 (ko) * | 1996-01-18 | 2006-06-13 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 선형ccd촬상소자 |
| US5841176A (en) * | 1996-03-01 | 1998-11-24 | Foveonics, Inc. | Active pixel sensor cell that minimizes leakage current |
| NL1011381C2 (nl) * | 1998-02-28 | 2000-02-15 | Hyundai Electronics Ind | Fotodiode voor een CMOS beeldsensor en werkwijze voor het vervaardigen daarvan. |
| JP4109743B2 (ja) * | 1998-03-19 | 2008-07-02 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置 |
| JPH11274462A (ja) * | 1998-03-23 | 1999-10-08 | Sony Corp | 固体撮像装置 |
| JP3457551B2 (ja) * | 1998-11-09 | 2003-10-20 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置 |
| JP3802249B2 (ja) * | 1998-11-17 | 2006-07-26 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置 |
| JP4604296B2 (ja) * | 1999-02-09 | 2011-01-05 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
-
2000
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