TW466367B - Repairable thin film transistor matrix substrate and method of repairing the substrate - Google Patents

Description

466367 A7 B7 經濟部中央標準局—工消費合作杜印製 五、發明説明（1 ) 本發明係有關一驅動一液晶顯示器之薄膜電晶體矩陣 基體，尤其係有關一具有修復匯流排線路斷路及層間短路 之薄膜電晶體矩陣基體’及修復這樣之薄膜電晶體矩陣基 體的方法。 一傳統的薄膜電晶體矩陣基體於此參考第14A及1犯圖 作說明。第14A圖顯示一傳統TFT矩陣基體100的一部份的平 面圖，TFT矩陣基體1〇〇包含有以橫向或X方向延展的一多數 閘極匯流排線路101 (顯示兩個)及一以縱向或Y方向延展的 一多數汲極匯流排線路1〇3(顯示兩個）。這些匯流排線路 101、 103被形成於一透明基體100A上。在蘭極與汲極匯流 排線路101、103交叉的區域中，匯流排線路間藉由一絕緣 膜(未顯示)互相絕緣。一累積電容器匯流排線路1〇2裝配在 相鄰的每一對閘極匯流排線路皿之間使得其基本上平行閘 極匯流排線路101延展。例如，一固定的地電位被施加在累 積電容器匯流排線路102上。累積電容器與汲極匯流排線路 102、 103在他們交叉的區域也藉由一絕緣膜(未顯示)相互 絕緣。 一薄膜電晶體(TFT)104大約被形成在閛極與汲極匯流 排線路101、103之每一個交叉點上，且包含一汲極電極 104D、一源極電極104S及一閘極電極(未顯示）。在—個別 行中TFTS 104的汲極電極104D全被耦接在一相對的汲極匯 流排線路103，而閘極(未顯示)被耦接在一相對的閘極匯流 排線路103，其功效如同閘極電極。一對應每一個7171的像 素電極105 (以點狀線表示)被排列在被相對應之閘極及汲極 本紙張尺度適用中國國家標準（匚奶）八4说格（210';<297公釐） -5 - --------1---1象------1T------^ ί 一 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局負工消费合作社印製 466367 A 7 __._BT__ 五、發明説明（2) 匯流排線路101、103所圍繞的略呈矩形區域中，且經由― 開孔107穿過一介於像素電極105與TFT 104間的隔離膜(未 顯示)而耦接於源極電極104S。 TFT矩陣基體100也包含有一對自介於每一對汲極匯流 排線路103間的每一個累積電容匯流排線路102延展而出之 輔助電容電極106。每一個輔助電容電極106以相反之垂直 方向向外延展，即，在正Y與負Y方向，在對應之成對的閘 極匯流排線路101的附近。這對輔助電容電極106被排列成 每一個相鄰且大略平行成對之相對應的汲極匯流排線路103 之其中一個並與像素電極105的一側部分重疊。一液晶材料 (未顯示)被置於提供在TFT基材矩陣基體100之上的兩個共 電極基體(未顯示)之間。以這種方式，一輔助電容cs(最好 看第14B圖)被形成於累積電容匯流排線路102與像素電極 105之間。 第14B圖係一第14A圖之TFT矩陣基體100的等效電路 圖，並顯示一液晶電容:被形成於像素電極105與累積電 容電極102之間，而輔助電容Cs被形成與液晶電容Cu：倂聯。 而且，一浮動電容CNS形成在像素電極105與汲極匯流排線 路103之間。 當TFT 104不導通時，如當液晶顯示器的一特定的顯 示像素未被選取時，對應之汲極匯流排線路103的電位有顯 .著地變化。因此，有關之像素電極105的電位也隨之變化， 由於藉由浮動電容CNS的電容耦合。像素電極105中導致的 電壓變動Δν被表示爲如下： 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） . I---------批衣------^------^ f ί (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 466367 A7 B7____ 五、發明説明（3 ) Δν = CNg/(CNS + CLC) ...... (1) 電壓變動沿顯示像素之掃描方向(平行汲極匯流排線路103 的方向）產生一不需要的亮度梯度，及千擾(不均勻的亮 度），依顯示圖案而定。 在第14A圖所示之TFT矩陣基體100中，累積電容匯流 排線102與輔助電容電極106被提供以增加輔助電容心，因 此降低汲極匯流排線路103之電壓變動的負面作用並增強顯 示品質。換句話說，電壓變動藉由加入與液晶電容q(最好 看第14B圖)倂聯之輔助電容(^而降低。 如第14A圖所示，輔助電容電極106被排列在相鄰於汲 極匯流排線路103以獲得一大的孔徑比。然而，這種設計同 時也造成輔助電容電極106與汲極匯流排線路103例如因爲 介於這些元件之間之有異樣的隔離薄膜，或因爲輔助電容 電極106與汲極匯流排線路103之圖案的對齊誤差而被短路。 再則，一短路也可能發生在汲極與閘極匯流排線路103與 101之間，和汲極匯流排線路與103與累積電容匯流排線路 102之間。而且，匯流排線路101、102、103上之斷線或切 斷也會發生由於電極及匯流排圖案形成期間所產生的灰塵 或異物或由於一有瑕疵的遮罩等。 即使前述之匯流排線路之短路或斷線產生在一個點 上，則整個TFT矩陣基體可以被視爲瑕疵品。因此，在製造 階段過程中之修復這種故障的能力在提高製造產量上是重 要的。 一種修復前述之短路或斷線的有名的方法被以參照第 本紙張尺度適用中國國家榡準（CNS > A4说格（210X297公釐） —Ί ' (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝· 、-'β 經濟部中央橾準局員工消费合作社印製 經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 46 6 3ο ( Α7 ____. Β7_ _ 五、發明説明（4 ) 15圖來說明，第15圖顯示傳統TFT矩陣基體1〇〇的一槪略平 面圖。TFTs 104與像素電極105被排列成矩陣的形狀，而一 多數的備份線路108 ' 109(各僅有一個顯示在第15圖中)被 安排在上部及下部外圍區域。 操作上，如果一斷線Bq發生在汲極匯流排線路103上， 藉由把皆電氣連接至一外部電路之備份線路108、109兩者 分別耦接至斷線的汲極匯流排線路103的兩個斷線修復點Wo 與Woo處來執行一修復動作。以此方法，備份線路1〇8、109 載送原本將由斷線之汲極匯流排線路103所載送的訊號。在 修復點Wo與Woo處的連接藉由使用雷射光的照射溶解隔離與 金屬薄膜而達成。 前述修復方法的一項缺點是雜訊因電容耦合而被加於 備份線路108、109上，電容耦合係因備份線路108、109與 汲極匯流排線路103交叉且經由一隔離薄膜與汲極匯流排線 路103隔離而產生。爲降低這種雜訊的影響，備份線路 、109的線路電阻可以被減少，此將須加寬匯流排線路 的寬度。然而，匯流排線路寬度的增加隨之也造成在備份 線路108、109與汲極匯流排線路103間層間短路增加的機 率’因此產生額外缺陷發生的狀況。 而且，執行修復的位置離實際缺陷所在位置相當的 遠’因此修復作業需要一極精確與昂貴的移除基體的儀器。 再則，備份線路108、109增加TFT矩陣基體的複雜性 並需要對消儲備份線路所造成之雜訊作額外的顧慮。 此外，如果發生在汲極匯流排線路中的斷線或短路的 本紙張尺度適用中國國家樣丰（CNS } A4規格（210X 297公釐> _ 8 _ ----------t.------iT------1 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 466367 五、發明説明（5) 數量超出備份線路的數量，及如果斷線或短路在沿著一單 汲極匯流排線路之多數像素上造成瑕疵，則無法做到完全 的修復。 因此’本發明的一個目的是提供一可易於修復—因爲 汲極匯流排線路與輔助電容器電極間的短路，汲極匯流排 線路的斷線，汲極與閘極匯流排線路間的短路或閘極匯流 排線路的斷線所引起之矩陣基體上之缺陷的TFT電晶體矩陣 基體。 本發明的另一個目的是爲提供一使在一自動修復裝置 下的定位與修復缺陷更容易的TFT電晶體矩陣基體。 與本發明之第一樣式一致，一可修復的基體薄膜電晶 體矩陣基體包含有一絕綠基體，與形成於絕緣基體上之一 多數平行的閘極匯流排線路及一多數的累積電容匯流排線 路。每一個累積電容匯流排線路平行且在一對閘極匯流排 之間延展，且具有一多數從其擴展而出的輔助電容電極。 一第一絕緣薄膜被提供在閘極及累積電容匯流排線路與輔 助電容電極上。 一多數作用薄膜被形成於第一絕緣薄膜上，且在每一 個作用薄膜上提供有對應的薄膜電晶體。至少兩個薄膜電 晶體被電氣連接到每一個閘極匯流排線路。而且也包括有 在第一絕緣膜上之基本上與閘極及累積電容器匯流排線路 垂直的一多數平行的汲極匯流排線路。每一個汲極匯流排 線路至少電氣連接兩個薄膜電晶體。 此外，一在每一個薄膜電晶體之上具有一開孔的第二 本紙張尺度通用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） ---------N裝------訂------飞 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 經濟部中央標準局貝工消費合作杜印製 6 6 36 7 at B7 . _ 五、發明説明（6 ) 絕緣膜被提供在薄膜電晶體與汲極匯流排線路上。而且， 一多數像素電極被提供在第二絕緣膜上’像素電極通過開 孔被電氣耦接於一相對應的其中一個電晶體。閘極和汲極 與朱發明之第一樣式一致’的至少其中一個的至少一個第 一部份與輔助電容器及像素電極的至少其中一個的至少一 個第二部分重疊。 與本發明之一第二樣式一致，一可修復的積體薄膜電 晶體矩陣基體包含有前述之與第一樣式有關的特徵’不包 含與第二部分重疊之第一部份的特徵。此外，矩陣基體更 包括至少一個形成在第二絕緣膜上之位於汲極匯流排線路 與閘極和累積電容匯流排線路交錯的至少一個交叉區域上 的導電層。 與本發明之一第三樣式一致’一可修復的積體薄膜電 晶體矩陣基體包含有前述之與第一樣式有關的特徵’不包 含與第二部分重疊之第一部份的特徵。此外，矩陣基體更 包含有多數延伸跨越汲極匯流排線路其中一個並與一選取 之相鄰像素電極的一部份重疊以產生一第一重疊區域之輔 助電容電極的至少一個的一端。 一種用以修復前述之積體薄膜電晶體矩陣基體的方 法，需要把在一經選取之閘極匯流排線路與汲極匯流排線 路其中一個上之於一第一缺陷的一側上的一第一部份與一 導體的一第一部份重疊以產生一第一重疊區域，及將第一 缺陷之另一側上的一第二部分與導體之一第二部分重疊以 產生一第二重疊區域。然後，第一部份被電氣連接至位在 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS } Α4規格（210Χ297公釐） -10 - t j . * ----------裝------打------來 !' ί (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

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6 36 J A7 _ B7 五、發明説明（7) 第一重疊區域處的第一部份，及第二部分被電氣耦接至位 在第二重疊區域處的第二部份。以這種方式，導體繞過第 一缺陷產生一電氣旁路。 第1圖係一依據本發明之第一實施例的薄膜電晶體矩 陣基體的平面圖； 第2A圖係一第1圖之線A-A1的橫截面圖； 第2B圖係一第1圖之線B-B'的橫截面圖； 第3圖係一顯示修復第1圖之薄膜電晶體矩陣基體中之 斷線現象的方法的圖例； 第4A圖係一依據本發明之第二實施例的薄膜電晶體矩 陣基體的平面圖； 第4B圖係一第4A圖之線C-C'的橫截面圖； 第5圖係一依據本發明之第三實施例的薄膜電晶體矩 陣基體的平面圖； 第6圖係一顯示修復第5圖之薄膜電晶體矩陣基體中之 短路現象的方法的圖例； 第7圖係一依據本發明之第四實施例的薄膜電晶體矩 陣基體的平面圖； 第8A圖係一依據本發明之第五實施例的薄膜電晶體矩 陣基體的平面圖； 第8B圖係一第8A圖之線D-D'的橫截面圖； 第9圖係一依據本發明之第六實施例的薄膜電晶體矩 陣基體的平面圖； 第10圖係一依據本發明之第七實施例的薄膜電晶體矩 I--------I裝------訂------1 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨0X297公釐） 11 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 4 6 6 367 A? B7 五、發明説明（8) 陣基體的平面圖； 第11圖係一依據本發明之第八實施例的薄膜電晶體矩 陣基體的平面圖； 第12圖係一依據本發明之第九實施例的薄膜電晶體矩 陣基體的平面圖； 第13圖係一依據本發明之第十實施例的薄膜電晶體矩 陣基體的平面圖； 第14A圖係一傳統薄膜電晶體矩陣基體的平面圖； 第14B圖係第14A圖之傳統薄膜電晶體矩陣基體之等效 電路圖；及 第15圖係一顯示修復薄膜電晶體矩陣基體中之一斷線 現象的傳統方法的圖例。 如第1圖、第2A圖及第2B圖所示’本發明之一薄膜電 晶體(TFT)矩陣基體20包含有一大體朝橫方向’例如X-方 向，擴展的多數平行的閘極匯流排線路卜及平行並於一對 閘極匯流排線路1之間排列的一多數累積電容匯流排線路2。 閘極匯流排線路1與累積電容匯流排線路2被一閘極絕緣膜 11(最好看第2A圖)所包覆。一多數平行的汲極匯流排線路3 被提供在絕緣膜11上，並以一大略垂直的方向’即是γ-方 向，延跨蘭極與累積電容匯流排線路1、3。一薄膜電晶體 (TFT)4被形成在每一個閘極與汲極匯流排線路1、3之交錯 點附近處並含有一汲極電極4D，一源極電極奶及―閘極電 極(未顯示）。汲極電極4D被耦接至對應的汲極匯流排線路 3，而閘極匯流排線路1被耦接於對應的閘極電極(未顯示）’ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公嫠） -η - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

.1T 6 36 7 A7 B7 經濟部中央標隼局貝工消費合作社印製 五、發明説明（9) 實際上，其功效如閘極電極。 汲極匯流排線路3與TFTS 4被一層間絕緣膜12(最好看 第2B圖)所覆蓋，對應每一個TFT 4的一多數像素電極5(以 點狀線表示)被形成在層間絕緣膜12上。每一個像素電極5 被排列在由對應之閘極及汲極匯流排線路1、3所環繞的一 約略矩形區域中，且經由一接觸孔7穿過層間絕緣膜12而連 接至對應之TFT的源極4S。 TFT矩陣基體20也含有一對自介於每一對汲極匯流排 線路3間的累積電容匯流排線路2延伸的輔助電容電極6。每 一個輔助電容電極6以相對之垂直方向，即是以正及負Y方 向朝外擴展，靠近閘極匯流排線路1的對應對。以此方法， 一對輔助電容器電極6被安排成每一個輔助電容電極相鄰於 且大致上平行兩個對應之汲極匯流排線路3的其中一個並平 行對應像素電極5的一邊。根據第一實施例，輔助電容器電 極6至少具有一個與汲極匯流排線路3重疊的突出的部分6P( 第1圖中每個輔助電容電極上顯示4個）。 在較佳實施例中，兩個相鄰之汲極匯流排線路3間的 間隔大約是80#m，汲極匯流排線路3的寬度約爲丨0/zrn，及 輔助電容電極6與汲極匯流排線路3間的最窄間隔約爲1 //πκ 而且’輔助電容電極6的寬度約爲6# m及其長度約爲90/zm。 提供在輔助電容電極6上之突出部分6P的長度約爲4 // m及寬 度約爲3 m m。而且，兩個相鄰之閘極匯流排線路1間的間隔 約爲256 // m及累積電容匯流排線路2的寬度約爲20 v m。 弟2八圖顯不弟1圖之TFT矩陣基體20的A-A1的一剖面 本紙張尺度通用中國國家標準（CNS } A4規格（2丨0 X 297公釐} ----------裝-- f (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 " 經濟部中央標率局員工消費合作社印製 466367 五、發明説明（10) 圖，包含有形成在玻璃基體10上的聞極匯流排線路1及累積 電容匯流排線路2 〇閘極匯流排線路1最好是包括有鉻(Cr), 且例如可藉由例用濺鍍法然後模印Cr薄膜而沉積一 Cr薄膜 在玻璃基體10的整個區域上而形成。Cr薄膜的模印使輔助 電容電極6能夠同時形成，其也被提供在玻璃基體10上(最 好看第2B圖）。 覆蓋閘極與累積電容匯流排線路1、2的閘極絕緣膜11 最好由SiN所構成且具有大約400nm的厚度。其例如可利用 一電漿激發式化學汽相沉積法(ΡΕ-VCD)形成。一具有大約 150mn厚度的非晶矽膜4C被形成於閘極絕緣膜11的表面上， 覆蓋每一個TFTs 4將被形成的每一個區域，即是，約在汲 極與閘極匯流排線路之交叉點處。皆具有Ti/Al/Τι三層結 構的源極與汲極電極4S、4D皆被形成在非晶矽膜4C上。下 面的Ti層約爲20nm、Α1層約爲50nm而上面的Ti層約爲80 nm。源極與汲極電極4S、4D與汲極匯流排線路3同時被形 成，其等也被形成於閘極絕緣膜11上(最好看第1圖與第2B 圖）。非晶矽膜4C使用例如S〗H4做爲原料氣體經由ΡΕ-VCD法 沉積，而模印使用具有作爲遮罩用的電阻圖案之電漿升灰 器藉由蝕刻法執行。Ti層及A1層藉由濺鍍法沉積，而模印 也使用具有作爲遮罩用的電阻圖案之濕製程經由蝕刻法執 行。 層間絕緣膜12具有一約30# m的厚度，且被形成於閘 極絕緣膜上以覆蓋TFTS 4。其最好由m所構成，且也可利 用例如PE-CVD法來形成。由銦錫氧化物(ITO)所構成之一多 本紙張尺度適用中國國家榡準（CNS ) A4規格（210X297公釐） --------Η装------訂------f (請先閱讀背面之注意事項再填寫皋頁) 14 - 466367 A7 B7 五、發明説明（11) 數透明的像素電極5(兩個像素電極之局部圖顯示在第2A圖 中)被形成於層間絕緣膜12的表面。像素電極5例如使用濺 鏟法沉積ITO膜然後膜印ITO膜而形成。每一個像素電極5經 由穿透層間絕緣膜12的接觸孔7而耦接於對應TFT 4的源極 電極4S。如第1圖所示，像素電極的側邊與輔助電容電極6 部分重疊。結果，第圖中所示之輔助電容Cs由於累積電 容匯流排線路2，輔助電容電極6與像素電極5間的重疊區域 而產生。 第2B圖顯示沿第1圖之TFT矩陣基體20的B-B1線的剖視 圖，含有排列在透明基體1〇上與被閘極絕緣膜11所覆蓋的 輔助電容電極6。汲極匯流排線路3被排列在介於兩個輔助 電容電極6間的閘極絕緣膜上且被層間絕緣膜12所覆蓋，如 前所述層間絕緣膜12上有像素電極5(顯示兩個像素電極的 局部圖)被排列在其上。 如圖中由一橢圓所圈示的區域，在汲極匯流排線路3 與輔助電容電極6之間的閘極絕緣膜11是相當的薄。就其本 身而論，在這個區域所發生之層間短路的可能性比其他區 域來的大。根據本發明的一個修復方法，當一短路現象發 生在輔助電容電極6與汲極匯流排線路3之間時，使用一雷 射光束只切斷短路處與累積電容匯流排線路2間的輔助電容 電極6已達成修復的目的是足夠的。例如，如果短路發生在 第1圖中的點3;，使用雷射光在對應切斷點C1處將輔助電容 電極6切斷以將其與累積電容匯流排線路2電氣隔離。最好 是，雷射光是由YAG雷射所產生且具有一l〇64nm的波長， 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（210X297公釐） -15 - --------裝------訂------1 { ί (請先閱讀背*之注意事項再填寫本頁) 經濟部中夹標準局貝工消費合作杜印製 經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 466367 ^ ΑΊ B7 五、發明説明（u) 0.53MW的熱強度，及直徑2到丨0/2m的雷射光點尺寸。 在前面所提到之修復方法中’因爲不需要如傳統修復 方法中供作爲修復用的備份線，所以矩陣基體上不需有備 份線用之額外的空間。而且，即使沿著一單一的汲極匯流 排線路上的多個位置上發生有短路現象’修復仍然是可能 的。 第3圖顯示第1圖之TFT矩陣基體’具有位在由兩個突 出部分6P所造成之兩個重疊區域'、w2之間的一汲極匯流 排線路3上的一斷線或切斷氏。在這種情況中’汲極匯流排 線路3的修復是利用一雷射光照射重疊區域K、界2將汲極匯 流排線路3與突出部分6P電氣連接來達成。然後’輔助電容 電極6在靠近累積電容匯流排線路2的點(：2處被切斷’最好 使用雷射光。以此方法，輔助電容電極6與累積電容匯流排 線路2電氣隔離且有效地作爲汲極匯流排線路3繞越斷線 旁通。 參考第4A圖及第4B圖，根據本發明第二實施例之TFT 矩陣基體20包含有一形成於閘極絕緣膜11之上的跑道型導 電層δ(最好看第4B圖），除了與第1實施例有關及顯示於第 1、2Α及2Β圖中所述的特徵之外。導電層8與汲極匯流排線 路3同時被形成且被置於介於輔助電容電極6與像素電極5之 間有一部份重疊的區域中。導電層8的目的是協助輔助電容 電極6與像素電極5間的相接，當連接係藉由一雷射光的照 射執行時。此外，這種跑道型導電層的表面形狀使自動修 復裝置易於辨識雷射照射位置。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -丨ft . --------:1^------ΤΓ------1 (請先閱讀背面之注項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 46S3b7 A7 ____B7 __ 五、發明説明（13) 根據本發明之另一種修復方法，如果斷線係產生在由 突出部分6P所造成的兩個重疊區域W7、W82間的汲極匯流 排線路3上，則汲極匯流排線路3與輔助電容電極6藉由在那 些區域處照射一雷射光而在重疊區域丨7、W8處電氣相連。 輔助電容電極6與像素電極5經由一雷射光的照射也於跑道 型導電層8被設置處電氣相連。然後，輔助電容電極6在位 於累積電容匯流排線路2附近的兩點C3、(：4處被切斷以使輔 助電容電極6與電容匯流排線路2電氣隔離。以此方式，斷 線B2經由重疊區域W7、第一導電層8、像素電極5、第二導 電層8及重疊區域W]5所旁路。應該注意斷線B2可以之前所 述之藉由將輔助電容電極直接連接6至像素電極5來修復而 不須使用導電層8。 參考第5圖，根據本發明第三實施例之TFT矩陣基體20 包含前述與第1實施例有關及顯示於第1圖中的全部特徵。 此外，輔助電極9A(第5圖中顯示四個)與汲極電極層3形成 在同一層，即閘極絕緣層11。輔助電極9A沿著汲極匯流排 線路3延展且具有與位於重疊區域WjPW5處之累積電容匯流 排線之兩側上的輔助電極6重疊的末端。最好是，輔助電極 9A具有一近似10 μ m的寬度與一約15 μ m的厚度，且被與汲 極匯流排線路3使用相同的形成方法同時形成。 根據本發明之一修復方法，如果斷線B3發生在汲極匯 流排線路3上，則藉由將汲極匯流排線路3連接到位於由突 出部分6P所產生的重疊區域W3、W6處的輔助電容電極6，及 將輔助電極9A接於其等在重疊區域W4、％5處重疊的輔助電 本紙張尺度逋用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公Ϊ7 _ 17 - ----------1^------1T-------t ί -(請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) B7 經濟部中央擦準局員工消費合作社印製 五、發明説明（⑷ 容電極6而達成。此外，在靠近累積電容匯流排線路2之輔 助電容電極6上的兩點&、C6被切斷以將輔助電容電極6與 累積電容匯流排線路2電氣_離。在這個方法中，如同於本 發明其他的實施例所述的方法，電氣連接與切離最好是利 用一雷射光的照射來執行。 參考第6圖，說明一用以修復第5圖所示之TFT矩陣基 .體20中的一短路的修復方法。如果一短路S4發生在累積電 容匯流排線路2與汲極匯流排線路3間的交叉的位置處，則 可以經由切斷汲極匯流排線路3之位於短路點S4之兩側上的 兩點C7、C8來完成修復。輔助電容電極6也被切斷在靠近累 積電容匯流排線路2之兩點C9、C1Q處，且汲極匯流排線路3 與輔助電容電極6也在重疊區域W9、W1()處電氣相接。而且， 輔助電極9A與輔助電容電極6也在重疊區域Wll、W12處電氣 相接。以此方式，短路點與矩陣基體20之其他部分電其隔 絕且經由輔助電容電極6與輔助電極9A而被旁路。 第7圖顯示根據本發明之第四實施例的TFT矩陣基體 20，包含有形成在閘極絕緣層薄膜11(最好看第2B圖)上的 一輔助電極10A。輔助電極10A沿汲極匯流排線路3橫跨閘極 匯流排線路1延展且具有兩個與在閘極匯流排線路之兩側上 的兩個輔助電容電極6的邊端重疊的末端以產生兩個重疊區 域W13、W14。這個實施例也包含有關第一實施例敘述及第1 圖所示之全部特徵。 如果短路S5#生在汲極匯流排線路3與閘極匯流排線路 1之間，例如一修復可以根據輔助電極10A與兩個輔助電容 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4规格（2丨〇'乂297公釐） —裝 ： 釘-Ψ- (請先閔讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央橾準局員工消費合作社印黎 4 6 6 3 6 / A7 _ B7 五、發明説明（15) 電極6在兩個重疊區域W13、Wl4電氣重疊的修復方法來達成。 汲極匯流排線路3與輔助電容電極6也在由兩個輔助電容電 極6之突出部分6P所產生之重疊區域W13、W14處電氣連接。 再則，切割被做在汲極匯流排線路3之介於短路點S5的兩側 上的重疊區域W15、Wl6之間的兩點C„、C12處。最後，兩個輔 助電容電極6在靠近其各自的累積電容匯流排線路2的C13、 CI4處被切斷。就其而論，短路點係與TFT矩陣基體20的其 他部分電氣隔離且經由輔助電極10B與兩個輔助電容電極6 旁路。

如第8A圖與8B圖所示，根據本發明第五實施例之TFT 矩陣基體20包含有關第一實施例中所敘述及第1圖所示之全 部特徵。此外，一導電層Π形成在汲極匯流排線路3交叉累 積電容與閘極匯流排線路2、1的區域中。第8B圖係一第8圖 之沿線D-W的剖面圖，且顯示導電層13被形成於層間絕緣 膜12的表面上。導電層13最好是含有銦錫氧化物(ITO)，且 例如藉由利用濺鍍法沉積一 ΙΤ0膜然後再膜印而形成。 如第犯圖所示，跨越累積電容匯流排線路2的汲極匯 流排線路3的部分因一由累積電容匯流排線路2所造成之一 階梯狀的區域的存在而易於破損。如果一斷線B3發生在汲 極匯流排線路3上，藉由電氣連接導電層13至汲極匯流排線 路3之斷線的兩側(箭頭所標示的部分)執行修復，因此旁路 斷線位置。 參考第9圖，根據本發明第六實施例的TFT矩陣基體20 基本上包含有關第一實施例中所敘述及第1圖所示之全部特 '適用中國國家標芈（CNS ) A4規格（2!OX 297公釐） :―19 — ----------1^------ΤΓ------1 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局負工消費合作杜印製 4 6 6 3 6 7 A7 B7 五、發明説明（Ιό) 徵，除輔助電容電極6上的突出部分6Ρ外。此外，本實施例 的TFT矩陣基體20包含具有自閘極匯流排線路皿突出且與 每一個像素電極5的兩個邊角重疊以產生兩個重疊區域 W17、W18的突出部分14P的閘極匯流排線路1〇1。 例如如果一斷線B4發生在介於兩個突出部分14P之間 的閘極匯流排線路1，則藉由使用一雷射光照射重疊區域 W17、W18而使兩個突出部分14P與像素電極5電氣相接而執行 修復。另外，汲極電極4D被切斷在靠近汲極匯流排線路3的 點C15處，且一透明的像素電極5的導電薄膜使用雷射光整 個橫寬被切端以消除對應TFT 4的影響。 參考第10圖，根據本發明第七實施例的TFT矩陣基體 20包含前述及顯示在第9圖中的第六實施例的全部特徵。此 外，一導電層16被形成在層間絕緣膜12上且延跨過汲極匯 流排線路3使得其末端與兩個相鄰之突出部分14P在汲極匯 流排線路3的任一側上重疊以產生兩個重疊區域W19、W2D。 如果一斷線B5發生在兩個重疊區域w19、之間，則突 出部分14P與導電層16被電氣相接，因此產生一繞過斷線點 B5的旁路。如果兩個斷線氐及民發生在相同的閘極匯流排線 路1上如第10圖所示，則可以藉由結合前面所述之第9圖所 示之修復斷線b4之方法及如第1嗰所示之修復斷線b5的方 法來達成修復。 如第11圖所示，根據本發明第八實施例的TFT矩陣基 體20包含前述及顯示在第9圖中的第六實施例的全部特徵。 此外’每一個像素電極5被架構成上面兩個邊角具有平行閘 ---------^-------1T------咏 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS) Α4規格（210χ 297公釐） -20 - 4 6 6 3 經濟部中央樣準局員工消費合作社印褽 A7 B7 五、發明説明（π) 極匯流排線路1並在像素電極5的兩側上跨越其等各自相鄰 的汲極匯流排線路3之延長的延伸部分Π。每一個延伸部分 Π在汲極匯流排線路3的任一側與兩個相鄰的突出部分14Ρ 重疊。 例如，如果斷線Β7及Β8發生在閘極匯流排線路1上， 則修復可以藉由使用雷射光照射重疊區域W22、W23、W24將突 出部分14P與像素電極5電氣相接而達成。應該瞭解這種修 復方法需要一個比參考第10圖所述及的第七實施例還少的 雷射照射次數。在這個例子中汲極電極4D在點C17處與像素 電極5的透明導電膜也被雷射光切斷，如同參考第9圖及第 10圖所述的方法一樣。 如第12圖所示，根據本發明第九實施例的TFT矩陣基 體20具有前述及顯示於第1圖之第一實施例的基本結構，除 了突出部分6P外。如第22圖中所示，在這個實施例中，每 一個輔助電容電極6具有延跨汲極匯流排線路3其中一條， 並與介於被末端部分18交叉之相同的汲極匯流排線路及另 一條汲極匯流排線路之間的像素電極5其中一個重疊的一個 延長的末端部分18。在較佳實施例中，如第12圖所示，介 於一對汲極匯流排線路3之間的兩個輔助電容電極的末端i8 係互相處於相反側。 而且，一導電薄膜19被提供在閘極絕緣膜11上並與在 其係介於一對汲極匯流排線路3之間的一對輔助電容電極間 的累積電容電極6重疊。導電薄膜19經由一穿過層間絕緣膜 12的開孔與對應像素電極5電氣相接。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) ΑΊ規格（21〇X25»7公釐〉 ----------1------il------t ί i (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) a b 6 36 7 A7 B7 五、發明説明（ίδ) 如果一斷線Β9發生在累積電容匯流排線路2靠近汲極匯 流排線路3處，在這個實施例中的斷線可以藉由將從汲極匯 流排線路3的另一側跨越汲極匯流排線路3的末端部分18， 與耦接於導電薄膜19的像素電極5在他們重疊處的重疊區域 W25電氣相接而達成修復。然後，導電薄膜19在其重疊處， 例如在重疊區域W26與累積電容電極2電氣相接。另外，汲 極電極4D在靠近汲極匯流排線路3的點C18處被切斷，且像 素電極5的透明的導電膜使用一雷射光整個橫寬被切斷(如 雙實線所示)以消除對應TFT 4的影響。 而且，如果一斷線B1()發生在導電膜19被重疊的區域中 的累積電容匯流排線路2上，則其修復可以藉由將導電膜19 與累積電容匯流排線路2在斷線的任一側上的重疊區域 W26、W27處電氣相接而達成。汲極電極4D在點C18處與像素 電極5的其整個橫寬皆被切斷。如果斷線B9也被偵測出，如 前所述在重疊區域W25處會執行一額外的連接。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 如第13圖所示，根據本發明第十實施例的TFT矩陣基 體20結合如前述並分別顯示於第9圖及12圖中之本發明第六 及第九實施例，除了導電薄膜19外。具有如此的設計，矩 陣基體20適合於修復可能發生在閘極匯流排線路1及/或累 積電容匯流排線路2上的斷線。 例如，如果斷線B10及分別發生在閘極與汲極匯流排 線路上，則輔助電容電極6與像素電極5的重疊區域W3()、 W3I，及閘極匯流排線路1與像素電極5之突出部分14P的重 疊區域W28、W29皆被電氣相接。汲極電極4D在點C19處被使用 -22 - ------------ i (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 1· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） A7 B7 6 6 367 五、發明説明（1¾ 一雷射光切斷而與汲極匯流排線路3隔離，且像素電極5也 被使用一雷射光切斷以消除TFT 4的影響。 而未顯示的是，應該知道也可實施前述之實施例的其 他組合，例如第七與第九實施例，或第八與第九實施例的 組合。 應該知道使用具一點小變化之用以修復閘極匯流排線 路之斷線及短路之修復方法來修復汲極匯流排線路之層間 短路或斷線是可能的。 本發明値得注意的優點是TFT矩陣基體裝置的總生產 量有顯著的改善將是欣慰的，因爲在矩陣基體中的故障可 以使用相當簡單的方法來修復。 一旦本發明的原理已於前面參考指定的裝置及應用被 說明時，將知道這些說明僅爲一個範例所做，且不爲本發 明之範圍的限制。 元件編號對照表 1 閘極匯流排線路 4S源極電極 2 累積電容匯流排線路 5 像素電極 6 輔助電容電極 6P突出的部分 7 接觸孔 100 TFT矩陣基體 100A透明基體 101閘極匯流排線路 102累積電容匯流排線路 ---------I装------訂------飞 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 3 汲極匯流排線路 4C非晶矽膜 4D汲極電極 8 跑道型導體層 9A輔助電極 10玻璃基體 10A輔助電極 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > A4規格（210X 297公釐} 23 4 Α7 Β7 五、發明説明（2〇) 11閘極絕緣膜 12層間絕緣膜 13導電層 Ι4Ρ突出部分 16 導電層 17延長的延伸部分 18延長的末端部分 19導電薄膜 20 TFT矩陣基體 103汲極匯流排線路 104薄膜電晶體 104D汲極電極 104S源極電極 105像素電極 106輔助電容電極 107開孔_ 108備份線路 109備份線路 I 扣衣 訂 ί (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央樣準局員工消費合作杜印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -24 -

Claims (1)

1. 經濟部中央標车局貝工消費合作杜印裝 公告本“63ew髮 -—_??___ 六、申請專利範圍 κ 一種積體薄膜電晶體矩陣基體，包含有·‘ 一絕緣基體； 形成在該絕緣基體上的一多數並行的閘極匯流排 線路及一多數累積電容匯流排線路’該等累積電容匯 流排線路的每一個平行延展並位在一對該等閘極匯流 排線路'之間； 自s玄荨輔助電容匯流排線路擴展而出的—多數辅 助電容電極； 一被提供在該等閘極與累積電容匯流排線路及該 輔助電容電極上的第一絕緣薄骐； 形成在該第一絕緣薄膜上的一多數作用薄膜； 一被提供在該作用薄膜上之對應於該作用薄膜的 多數薄膜電晶想’該等閘極匯流排線路的每一個至少 電氣連接該等薄膜電晶體中的兩個； 大體上以垂直於該等閘極與累積電容匯流排線路 被提供在該第一絕緣薄膜上之一多數並行的汲極匯流 排線路’該等没極匯流排線路至少電氣連接該等薄膜 電晶體中的兩個； 一被提供在該等薄膜電晶體及該等汲極匯流排線 路上的第二絕緣薄膜，該第二絕緣薄膜具有一在該等 薄膜電晶體之每一個上的開孔；及 一多數被提供在該等薄膜電晶體上的像素電極， 該等像素電極的每一個經由該開孔而被電氣連接於該 等電晶體的一對應的一個； 本紙張尺度逋用中國國家椟準（CNS ) Α4说格（210X2S»7公釐） (請先閲讀背*之注意事項再填寫本頁) 訂 6 6 3 6 7 申請專利範圍 A8 BS C8 D8 —其中該等閘極與該等没極匯流排線路的至少其令 2個的至少一個第-部份與該等輔助電容及該等像素 電極的至少其中—個的至少，第二部分重叠。 • ^申凊專利範圍第1項的薄膜電晶體矩陣基體，其中該 、一部份係該等汲極匯流排線路的至少其中—個所形 成’而該第二部分係該等輔助電容電極之至少其中一 個所形成，該第一部份與該第二部分重叠以產:至 個第一重疊區域。 少 經濟部中央揉隼局員工消費合作社印製 3·如申請專利範圍第2項的薄膜電晶體矩陣基體，其中該 第一部份係從該輔助電容電極突出的-部分，且該第 一重叠區域係由該突出的部分擴展在該等沒極匯流排 線路的該第二部分之上而形成。 4.如申請專利範圍第3項的賴電晶趙矩陣基體，其中在 該第一重4區域中的該辅助電容電極與該及極匯流排 線路經由-雷射光的照射而被電氣相接，當一短路與 一斷線其中一個發生在該汲極匯流排線路上時。 5·如申請專利範圍第2項的薄膜電晶體矩陣基體，更包含 被提供在由該至少一個輔助電容電極與至少—個該像 素電極的部分重叠所產生之至少一個第二重疊區域中 的該第一絕緣膜上的至少一個導電層。 6. 如申凊專利範圍第5項的薄膜電晶體矩陣基體，其中該 導電層係被形成能被一自動修復裝置辨認之形狀、 7. 如申請專利範圍第6項的薄膜電晶體矩陣基體，其中在 該第一重疊區域中的該輔助電容電極與該汲極匯流排 本紙張尺度速用中國國家橾率（CNS ) A4说格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本r) 訂 A !. -26- ^66367

   修正丨"〜”歲 申清專利範圍 經 濟 部 智 慧 財 A 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 線路，及在《二重φ區域中的該導電層、該輔助電容 與該等像素電極，在短路與斷線狀沉其中—個狀況發生 於該及極匯流排線路上時，經由—雷射光㈣射而電氣 相接。 8·如申請專利㈣第2項的薄膜電晶體矩陣基體，更包含 有被提供在該第-絕緣膜上且沿著該没極匯流排線路 延伸的至少-個輔助電極，該辅助電極具有與該至少一 個輔助電容電極重疊的兩端以產生至少一個第三重叠 區域。 9.如申請專利範圍第δ項的薄膜電晶體矩陣基體，其中該 至少-個輔助電極延跨該等累積電容匯流排線路的其 中條且藉由與自該輔助電極所交錯的該累積電容器 匿流排線路延伸而出的該輔助電容電極的重疊而產生 該第三重疊區。 1〇·如申請專利範圍第9項㈣獏電晶體矩陣基體，其中在 該第-重叠區域中的該輔助電容電極與該沒極匯流排 線路’及在該第三重叠區域中的該輔助電極與該輔助電 容電極經由-雷射光的照射而電氣相接，當短路與斷線 其中一個發生於該汲極匯流排線路上時。 Π.如申請專圍第8項㈣膜電晶體矩陣基體，其中該 電極延伸跨越該等聞極匯流排線路其中 —條’並藉由與自兩個不同的該等累積電容匯流排線路 延展出的該等辅助電容電極的重叠而產生該第三重疊 區域。 本紙張尺度適用中國國表標準（CNS)A4規格（2J0 297公爱） * -^--------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ° 6367

   六、 AS B8 C8 D8 申請專利範圍 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 .如申清專利範圍第11項的薄膜電晶體矩陣基體，其中在 該第一重㈣域中的該輔助電容電極與該沒極匯流排 線路，及在該第三重疊輯中的該輔助電極與該等辅助 電容電極，在短路與斷線狀況其巾—個發生於該沒極匯 流排線路上時’經由一雷射光的照射而電氣相接。 •如申明專利範圍第1項的薄膜電晶體矩陣基體，其中該 第一部份係該等閘極匯流排線路的至少其中—個所形 成，而該第二部分係該等像素電極的至少其中一個所形 成’該第-部份與該第二部分重疊以產生至少一個第一 重疊區域。 14·如申凊專利範圍第13項的薄膜電晶體矩陣基體，其中該 第—部份係自該等閘極匯流排線路突出的一部份，及該 第—重疊區域係由延伸在該像素電極之該第二部分之 上的該突出部分所產生。 15. 如申請專利範圍第14項的薄膜電晶體矩陣基體，其中該 第一重疊區域包含兩個由該等突出部分的兩個與該等 像素電極之至少其中一個的兩個邊角之重疊所產生的 重疊區域 16. 如申請專利範圍第15項的薄膜電晶體矩陣基體，其中在 該第一重疊區域中的該閘極匯流排線路與該像素電極 在一斷線狀〉兄發生在閘極匯流排線路上時，經由一雷 射光的照射而電氣相接。 17. 如申請專利範圍第13頊的薄膜電晶體矩陣基體，更包含 有被形成在該第二絕緣薄膜上的至少一個導電薄膜，該 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公g ) — lliII!lx ) * I I I i ] ί I — — ^ 1 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 4 6 6 36 7

   、申凊專利範圍 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 導電薄膜基本上平行該等閘極匯流排線路並延跨該等 汲極匯流排線路的其中一條，及 由邊第二薄獏與兩個相鄰之突出部分所形成的至 少兩個第二重疊區域。 18. 如申請專利範圍第17項的薄膜電晶體矩陣基體，其中該 兩個第二重疊區域係在該等汲極匯流排線路之其中一 個的兩側上。 19. 如申請專利範圍第18項的薄膜電晶體矩陣基體，其中在 該第一重疊區域中的該閘極匯流排線路與該像素電 極、及在該第二重疊區域中的該該閘極匯流排線路與該 導電薄獏，在—斷線狀況發生在該閘極匯流排線路時， 經由一雷射光的照射而電氣相連。 2〇·如申請專利範圍第13項的薄膜電晶體矩陣基體，其中 第一部份係自該閘極匯流排線路突出的至少—個第 伤’及该第二部分係自該像素電極伸出的至少—個 長的延伸部分。 21.如申請專利範圍第2〇項的薄膜電晶體矩陣基體，其中 延伸部分與從相鄰於該第—突出部分的該閘極匯流排 該 延 該 ------------1.-裝--------訂---------i . <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 線路突 第二部分重疊以產生一第二重叠區 22.如申請專利範圍第2〇項的薄骐電晶體矩陣基體，其中在 該第一重疊區域中的該第—突出部分與該延伸部分、 在該第二重疊區域中的該第二突出部分與該延伸部 ’在一斷線狀況發生在該閘極匯流排線路上時，經由 雷射光的照射而電氣相接。 與 分 29 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公餐） 466367 C8 --~·____Μ_______ 申請專利範圍 •如申請專利範圍第13項的薄膜電晶體矩陣基體，其中該 等辅助電極的至少其中一個的一端與該至少一個像素 電極的一第三部分重疊以產生一第二重疊區域。 ^ a .如申請專利範圍第2 3項的薄臈電晶體矩陣基體，其中該 第—重#區域的至少該第一及第二部分、與該第二重疊 區域的該末端及該第三部分，在一斷線狀況發生在該閘 極匯流排線路與該等累積電容匯流排線路之一相對應 的一個上時，經由一雷射光的照射而電氣相接。 25. 如申請專利範圍第丨項的薄膜電晶體矩陣基體，更至少 包括一個被形成在該第二絕緣膜之至少一個該等汲極 匯流排線路與該累積電容匯流排線路交錯之交錯區域 中的導電層。 26. 如申凊專利範圍第25項的薄膜電晶體矩陣基體，其中該 導電層的兩個末端，在一斷線狀況發生在該交錯區域中 的一個相對應的汲極匯流排線路上時，經由一雷射光的 照射而與該等汲極E流排線路中之該一相對應者電氣 相接。 27· —種積鱧薄膜電晶體矩陣基體，包含有： 一絕緣基體； 形成在该絕緣基體上的多數並行的問極匯流排線 路及多數累積f容匯流排線路’料累積電容匯流排線 路的每一個平行於一對該等閘極匯流排線路並位在該 對閘極匯流排線路之間延展； 自該等累積電容匯流排線路擴展而出的多數輔助 _^0 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝--------訂—-------^ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 466367 A8B8C8D8 經濟部智慧財產局員Η消費合作社印製 、申請專利範圍 電容電極； 一被提供在該等閘極盥 讀與累積電容匯流排線路及玆 輔助電容電極上的第一絕緣薄膜； 形成在該第-絕㈣膜上的多數作用_; 一被提供㈣作用_上之對應於該仙薄膜的 多數薄膜電晶體’該等開極匯流排線路的每一個至少電 氣連接該等薄膜電晶體中的兩個； 、大體上以垂直於該等閘極與累積電容匯流排線路 被提供在該第-絕緣薄膜上之多數並行的沒極匯流排 線路’該等汲極匯流排線路至少電氣連接料薄膜電晶 體中的兩個； 一被提供在該等薄膜電晶體及該等汲極匯流排線 路上的第二絕緣薄膜，該第二絕緣薄膜具有一在該等薄 膜電晶體之每一個上的開孔； 多數被k供在該·#溥膜電晶體上的像素電極’該 像素電極的每一個經由該開孔而被電氣連接於該等 晶體的一對應的一個；及 至少一個被彤成在該第二絕緣臈上之至少—個 等及極匯流排線路與該等閘極及該等累積電容匯流排 線路交錯之交錯區域中的導電層。 28,如申請專利範園第27項的薄膜電晶體矩陣基體，其中 導電薄膜的兩個末端在有一斷線狀況發生在該交錯 域中的一相對應的沒極匯流排線路上時，經由一雷射光 的照射而與該等汲極匯流排線路之該相對應的 等 電 該 該 區 個線 - Ή * ----lift « I I I I--1-I (锖先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ^紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4规格（210 X 297 Ϊ爱^ 46 6 '' I T)

   申請專利範圍 8888 ABaD 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 路電氣相接。 29· —種積體薄膜電晶體矩陣基體，包含有： 一絕緣基體； 形成在該絕緣基體上的多數並行的閘極匯流排綿 路及多數累積電容®流排線路，該等累積匯流排線路的 每一個平行於一對該等閘極匯流排線路並位在該對問 極匯流排線路之間延屐； 自該等累積電容匯流排線路擴展而出的多數輔助 電容電極； 一被提供在該等閘極與累積電容匯流排線路及該 等輔助電容電極上的第一絕緣薄膜； 形成在該第一絕緣薄膜上的多數作用薄膜； 被提供在該等作用薄膜上之對應於該等作用薄膜 的多數薄膜電晶體，該等閘極匯流排線路的每一個至少 電氣連接該等薄膜電晶體中的兩個； 大體上以垂直於該等閘極與累積電容匯流排線路 被提供在該第一絕緣薄膜上之多數並行的汲極匯流排 線路’該等汲極匯流排線路電氣連接該等至少兩個薄膜 電晶體； 一被提供在該等薄膜電晶體及該等汲極匯流排線 路上的第二絕緣薄膜，該第二絕緣薄膜具有一在該等薄 膜電晶體之每一個上的開孔：及 多數被提供在該第二絕緣膜上的像素電極，該等像 素電極的每一個被提供在一對該等汲極匯流排線路之 本紙張尺度適用令國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ,^ -製--------訂------- I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} Α8 Β8 C8 D8 六、申請專利範圍 間並經由該開孔電氣連接於哕笠愈a _ Λ L 伐％忒羊電晶體之—相對應的 一個； ^ "裝--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 其中該等多數輔助電容電極的至少其中一個的一 端延伸跨過該等汲極匯流排線路的其中一條，並與一選 取的相鄰像素電極之—部，分重疊以產生一4固第一重疊 區域。 30.如申請專利範圍第29項的薄膜電晶體矩陣基體，其中該 第-重疊區域的該相鄰像素電極的至少該一端與該部 分τ在一斷線狀況發生在介於該輔助電容電極與該選取 的相鄰像素電極之間的該等累積電容匯流排線路之一 對應的一個之上時，經由一雷射光照射而電氣相接。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 31_如申請專利範圍第29項的薄膜電晶體矩陣基體’更包含 有形成在介於對應於該選取之相鄰像素電極的該等汲 極匯流排線路之其中兩條之間的該第一絕緣膜上的至 少一個導電薄膜，該導電薄膜與該等累積電容電極之一 對應的一個重疊並被架構成具有兩個延伸過該選取之 相鄰像素電極之橫寬的末端，其中該導電薄膜穿過該第 二絕緣膜而被被電氣耦接於該選取之相鄰像素電極。 32如申請專利範圍第31項的薄膜電晶體矩陣基體，其中該 導電薄膜的该兩端在一斷線狀況發生在介於該兩端之 間的該對應之累積電容電極上時，被一雷射光照射而使 該導電薄膜電氣耦接至該等對應的累積電容電極。 33. —種修復一積體薄膜電晶體矩陣基體的方法，包含有： 本紙張尺度適用中國國豕知準（CNS)A4規格（210 X 297公爱) Α8 Β8 CS D8 六、申請專利範圍 —絕緣基體， 形成在該絕縣體上的_多數並行的閘極匯流朝 線路及-多數累積電容匯流排線路，料累積電容韻 流排線路的每—個平行延展並位在—㈣等閘極匯请 排線路之間， 自該等輔助電容匯流排線路擴展而出的—多數勒 助電谷電極， -破提供在該㈣極與累積電容匯流排線路及該 輔助電容電極上的第一絕緣薄膜， 形成在該第一絕緣薄膜上的一多數作用薄膜’ —被提供在該作用薄膜上之對應於該作用薄膜的 多數薄膜電晶體，該等閘極匯流排線路的每一個至少 電氣連接該等薄膜電晶體中的兩個’ 大體上以垂直於該等閘極與累積電容匯流排線路 被提供在該第一絕緣薄膜上之一多數並行的汲極匯流 排線路，該等汲極匯流排線路電氣連接該等薄膜電晶 體之其中至少兩個， 經濟部中央揉準局貝工消費合作社印褽 一被提供在該等薄膜電晶體及該等汲極匯流排線 路上的第二絕緣薄臈，該第二絕緣薄臈具有一在該等 薄膜電晶體之每一個上的開孔，及 一多數被提供在第二絕緣膜上之像素電極，該等 像素電極的每一個經過一開孔而被電氣連接於該等電 晶體之一相對應的一個，該方法包含有以下步驟： 切斷一介於短路發生處與自該選取之輔助電容電 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -34- 4 6 B 3 6 ' 經濟部令央棣準局貝工消費合作社印製 A8 BS C8 D8 申請專利範圍 極延伸而㈣累積t容匯流排料之間的經選取的輔 助電容電極’當短路產生在料没極匯流排線路其中 一個與該選取之輔助電容電極之間時。 34.—種修復一積體薄膜電晶體矩陣基體的方法，包含有 一絕緣基體， 形成在該絕緣基體上的一多數並行的閘極匯流排 線路及一多數累積電容匯流排線路，該等累積電容匯 流排線路的每一個平行延展並位在一對該等閘極匯流 排線路之間， 自該等輔助電谷匯流排線路擴展而出的一多數輔 助電容電極， 一被提供在該等閘極與累積電容匯流排線路及該 辅助電容電極上的第一絕緣薄膜， $成在3玄第一絕緣薄膜上的一多數作用薄膜， 一被提供在該作用薄膜上之對應於該作用薄膜的 多數薄膜電晶體，該等閘極匯流排線路的每一個至少 電氣連接該等薄膜電晶體中的兩個， 大體上以垂直於該等閘極與累積電容匯流排線路 被提供在該第一絕緣薄膜上之一多數並行的汲極匯流 排線路，該等汲極匯流排線路電氣連接該等薄膜電晶 體之其中至少兩個， 被^供在該專薄膜電晶體及該等沒極匯流排線 路上的第二絕緣薄膜，該第二絕緣薄膜具有—在該

   (请先聞讀背面之注意事項再填寫本頁)

   -35 - 4 6 6 36 7 A8 B8 C8 D8

   > 中請專利範圍 經濟部中央標準局貝工消費合作社印裳 薄膜電晶體之每一個上的開孔，及 一多數被提供在第二絕緣膜上之像素電極，該等 像素電極的每一個經過一開孔而被電氣連接於該等電 晶體之一相對應的一個，該方法包含有以下步驟： 將在該等閘極匯流排線路與該等汲極匯流排線路 之經選取的其中一個上的一第一缺陷的—侧上的一第 一部份與一導體的一第一部份重疊以產生一第一重疊 區域，及將在该第一缺陷的另一側上的第二部分與該 導體的一第二部分重疊以產生一第二重疊區域；及 將該第一部份在該第一重疊區域與該導體的第— 部份電氣連接，及將該第二部分在在該第二重疊區域 與該導體的第二部份電氣連接； 其中該導體產生一繞過該第一缺陷的電氣旁路。 35. 如申請專利範圍第34項的方法，#中該第—缺陷係在 該經擇取的汲極匯流排線路上，且該導體之該第一及 第二部分至少係兩個從該等輔助電容電極之一經擇取 的其中一個所突出的部分，該方法吏包含下列步驟： 切斷介於該第一及第二重疊區域至少其中一個與 至少一個對應累積匯流排線路之間的該選取之輔助電 容電極，至少一個該選取之輔助電容電極從對應累積 匯流排線路延展而出，使得該第一及第二重疊區域與 該對應累積電容匯流排線路電氣絕緣。 36. 如申凊專利範圍第35項的方法，其中電氣連接與切斷 的步驟係利用一雷射光的照射來執行。 本紙張尺度適用中围國家橾準（〇阽）八4规格（210父297公潑) (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 衣- 訂 -36- 6 3 6 6 d ABCD 在 第 Μ 經濟部中央標卑局貝工消費合作社印製 六、申請專利範圍 37.如申請專利範圍第35項的方法，其中該第一及第二重 疊區域被置於該對應累積電容匯流排線路的一側上， 且該選取之輔助電容電極被切斷在該對應累積電容匯 流排線路與比該該其他之該第一及第二重疊區更靠近 該該對應累積電容匯流排線路之該第一及該第二重叠 區之其中一個之間a 38·如申請專利範圍第37項的方法’其中該第一缺陷係— 在s亥選取之沒極匯流排線路上的斷線。 39. 如申請專利範圍第35項的方法，其中該第—及第二重 疊區係位於該對應累積電容匯流排線路的任一側，且 該選取之辅助電容電極被切斷在該第—重疊區域及該 對應累積電容匯流排線路之間，及在該第二重叠區域 與該該對應累積電容匯流排線路之間。 40. 如申請專利範圍第39項的方法，更包括下列步驟： 該選取之輔助電容電極與該對應像素電極重疊之一 三及第四重疊區域電氣連接該選取立 <補助電容電極i 該等像素電極之一對應的一個，哕窜_ 第二重疊區域係在 該對應累積電容匯流排線路的—钿 “ 训而該第四重 係在該對應累積電容匯流排線路的另—側 °°琢 41·如申請專利範圍第4〇項的方法， 尺包括以下步驟： 在該第三及第四重疊區域提供一導電層. 將該選取之輔助電容電極經由 S，及 田通導電層電氣遠 至該對應之像素電極。 电礼迷接 42.如申請專利範圍第41項的方法， -、中該第—缺陷係一 私紙張尺度逋用中蔺國家梯準（CNS ) Α4規格（ I— n n I n u n n J, ^ n n n n ϋ T J.^ (請先閎讀背面之注意事項再填寫本頁} -37 Α8 Β8 C8 D8 經濟部中央橾準局貞工消費合作社印製 '申請專利範圍 在該選取之汲極匯流排線路上的一斷線^ 43.如申請專利範圍第39項的方法，更含有下列步驟： 沿該選取之汲極匯流排線路在該第一絕緣膜上形 成一輔助電極； 重疊該輔助電極的兩端與該選取之輔助電容電極 以產生第二及第四重疊區域，該第三及第四重疊區域 經由切割該選取之輔助電容電極的步驟而與該對應累 積電容匯流排線路電氣絕緣；及 在該第二及第四重疊區域電氣連接該輔助電極與 該選取之輔助電容電極。 料·如申請專利範圍第43項的方法，其中該第一缺陷係在 該選取之汲極匯流排線路上的一斷線。 45.如申請專利範圍第43項的方法’更包含下列步驟： 將該選取之汲極匯流棑線路切斷在該第一缺陷與 該第一重疊區域之間及在該第一缺陷與該第二重疊區 域之間。 46_如申請專利範圍第45項的方法，其.中該第一缺陷係一 介於該選取之汲極匯流排線路與該對應累積電容匯流 排線路之間的短路。 47.如申請專利範圍第3 5項的方法，更包含有下列步驟： 沿該選取之汲極匯流排線路在該第—絕緣膜上形 成一輔助電極； 重疊該輔助電極的第—端與一第一選取之輔助電 容電極及該輔助電極的第二端與一第二選取之電 本紙張尺度適用中國國家揉率（CNS ) A4規格（2丨Οχ29?公董） I I I I-----1本-----n (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -38-

   谷電極以分別產生第三及第四重疊區域； 將該輔助電極在該第三及第四重疊區域處與該第 一及第二選取之輔助電容電極電氣連接；及 切斷在該第二重疊區域及一第一對應累積電容匯 流排線路之間及該第一輔助電容電極，及在該第四重 疊區域與一第二對應累積電容匯流排線路之間的該第 二辅助電容電極以將該第三及第四重疊區域與該第一 及第二對應累積電容匯流排線路電氣隔離。 牦‘如申請專利範圍第47項的方法，其中該第一缺陷係在 *亥選取之没極匯流排線路上的一斷線。 49. 如申請專利範圍第47項的方法，更包含有以下步驟： 切斷在該第一缺陷與該第一重疊區域之間，及在 該第一缺陷與的該該第二重疊區域之間汲極匯流排線 路。 50. 如申請專利範圍第49項的方法，其中該第一缺陷係介 於該選取之汲極匯流排線路與該等閘極匯流排線路之 一對應的一個之間的一短路β 經濟部中央標準局身工消費合作社印m 51. 如申請專利範圍第34項的方法，其中該第—缺陷係在 該選取之汲極匯流排線路與其十一個閉極匯流排線路 所交會之該選取之汲極匯流排線路上的一區域中，而 該導體係一形成在該區域中之該第二絕緣膜上的一導 體層。 52. 如申請專利範圍第51項的方法，其中該第一缺陷係在 該選取之汲極匯流排線路上的一斷線β 本紙張尺度適用中國國家榇準< CNS ) A4規格（210X297公釐） -39- ABCD 六、申請專利範圍 53. 如申請專利範圍第34項的方法，其中該第一缺陷係在 該選取之閘極匯流排線路上’該第一及第二部分係為 自該選取之閘極匯流排線路所延伸而出的第—與第二 突出部分，而該第一導體係一該等相素電極之對應的 其中一個，該方法更含有以下步驟： 切斷該對應像素電極使得該對應電晶體與該對應 像素電極電氣隔離並使得該第一及該第二重疊區域電 氣連接〇 54. 如申請專利範圍第35項的方法’該方法更含有以下步 驟： 在該第二絕緣層上形成一導電薄膜使得該導電薄 膜與該選取之閘極匯流排線路的該第一及第二突出部 分之其中一個重疊’且與相鄰於該第一與該第二突出 部分其中之一的該選取之閘極匯流排線路的一第三部 分重疊’以產生一第四重疊區域；及 經濟部t央揉準局属工消費合作社印裝 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 在該第三重疊區域處將該第三突出部分電氣連接 至該導電薄膜’及在該第四突出部’分處連接至該第一 及該第一突出部分之該其中一個，當一第二缺陷發生 在介於該第三及該第四重疊區域之間的該選取之問極 匯流排線路上時》 55·如申請專利範圍第54項的方法，其中該第一與該第二 缺陷係在該選取之閉極匯流排線路上的斷線。 56·如申請專利範圍第54項的方法，其中該對應像素個該 第一及該第一部分之至少其中一個係一與相鄰於該第 本紙涑尺度逋用中國國家#牟（CNS ) A4規格（2丨0X297公慶） 40 ^ 6 636 7 as B8 C8 ---------DS__ 六、申請專利範圍 —及第二突出部分之該其中一個的該選取之閘極匯流 排線路的—第三突出部分重疊以產生一第三重疊區域 的延長的伸長部分；該方法更包含有下列步驟： 在該第三重疊區域將該第三突出部分電氣連接該 延伸部分當一第二缺陷發生在介於該第—及第二重疊 區域其中一個與該第三重疊區域之間的該選取之閘極 匯流排線路上時。 57·如申請專利範圍第53項的方法，其中該等輔助電容電 極之一選取的其中一個的一端與該對應像素電極之一 第三區域重疊以產生一第三重疊區域，該方法更包含 以下步驟： 在該第三重疊區域處將該端電氣連接該第三區域 虽一第二缺陷發生在介於該選取之輔助電容電極與該 對應之像素電極之間的該對應累積電容匯流排線路的 對應的其中一個之上時。 58’如申請專利範圍第57項的方法，其中更包含下列步驟 經濟部中央揉隼局貝工消賢合作社印製 fn ! - :=I 1^1 Γ- - 1—Ji - n^i I I I ϋ 'fei (請先閲讀背面之注意事項再填寫本莧) 在介於對應於該對應像素電極之兩個汲極匯流排 線之間的該第一絕緣膜上形成—導電薄膜，該導電薄 膜與該對應累積電容電極重疊並被架構成具有兩個延 伸超過對應像素電極之寬度末端； 將該導電薄膜電氣連接該對應像素電極；及 將該導電薄膜之該兩個末端電氣耦接至該對應累 積電容電極當一第三斷線發生在介於該兩端之間的該 對應累積電容電極之上時。 本紙張尺度逍用中國國家標準（CNS > A4規格（210X297公釐) -------- -41 -