KR101820032B1 - 박막 트랜지스터 기판, 액정 표시 장치 및 이들의 리페어 방법 - Google Patents

박막 트랜지스터 기판, 액정 표시 장치 및 이들의 리페어 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101820032B1
KR101820032B1 KR1020100095177A KR20100095177A KR101820032B1 KR 101820032 B1 KR101820032 B1 KR 101820032B1 KR 1020100095177 A KR1020100095177 A KR 1020100095177A KR 20100095177 A KR20100095177 A KR 20100095177A KR 101820032 B1 KR101820032 B1 KR 101820032B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
data line
adjacent
thin film
pixel
film transistor
Prior art date
Application number
KR1020100095177A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20120033584A (ko
Inventor
장종웅
권호균
강신택
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to KR1020100095177A priority Critical patent/KR101820032B1/ko
Priority to US13/016,438 priority patent/US8514338B2/en
Publication of KR20120033584A publication Critical patent/KR20120033584A/ko
Priority to US13/968,978 priority patent/US9274393B2/en
Priority to US15/004,305 priority patent/US10007158B2/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101820032B1 publication Critical patent/KR101820032B1/ko
Priority to US16/007,905 priority patent/US10209588B2/en

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136259—Repairing; Defects
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G02F1/134336—Matrix
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136209—Light shielding layers, e.g. black matrix, incorporated in the active matrix substrate, e.g. structurally associated with the switching element
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136227—Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1255—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs integrated with passive devices, e.g. auxiliary capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
    • H01L29/417—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions carrying the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/41725—Source or drain electrodes for field effect devices
    • H01L29/41733—Source or drain electrodes for field effect devices for thin film transistors with insulated gate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136213—Storage capacitors associated with the pixel electrode
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136259—Repairing; Defects
    • G02F1/136263—Line defects

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

본 발명은 화소의 불량을 리페어하는 공정에서 발생하는 인접 화소에 대한 영향을 줄일 수 있는 박막 트랜지스터 기판, 액정 표시 장치, 및 이들의 리페어 방법에 관한 것으로, 본 발명에 의한 박막 트랜지스터 기판은 기판; 상기 기판 상에 서로 교차하여 화소 영역을 정의하는 게이트선 및 데이터선; 상기 게이트선 및 상기 데이터선과 연결되어 형성되는 박막 트랜지스터; 상기 화소 영역에 상기 박막 트랜지스터와 연결되어 형성되는 화소 전극; 및, 인접하는 두 개의 상기 게이트선 사이에 상기 데이터선과 중첩하여 형성되는 제1 부분 및 상기 제1 부분과 연결되고 상기 제1 부분이 형성된 영역을 제외한 상기 화소 영역의 가장자리를 둘러싸도록 형성되는 제2 부분을 포함하는 유지 전극을 포함하고, 인접한 두 개의 상기 게이트선과 인접한 두 개의 상기 데이터선에 의해서 두 개의 화소 영역이 정의되고, 인접한 두 개의 화소 영역에 각각 형성된 상기 화소 전극들 사이에서 상기 유지 전극이 분지되는 것을 특징으로 한다.

Description

박막 트랜지스터 기판, 액정 표시 장치 및 이들의 리페어 방법{THIN FILM TRANSISTOR PANEL, LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE, AND METHOD TO REPAIR THEREOF}
본 발명은 박막 트랜지스터 기판, 액정 표시 장치, 및 이들의 리페어 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 화소의 불량을 리페어하는 공정에서 발생하는 인접 화소에 대한 영향을 줄일 수 있는 박막 트랜지스터 기판, 액정 표시 장치, 및 이들의 리페어 방법에 관한 것이다.
액정 표시 장치(LCD : Liquid Crystal Display)는 현재 가장 널리 사용되고 있는 평판 표시 장치 중 하나로서, 전극이 형성되어 있는 두 장의 기판과 그 사이에 삽입되어 있는 액정층으로 이루어져 전극에 신호를 인가하여 액정층의 액정 분자들을 재배열시킴으로써 투과되는 빛의 양을 조절하는 표시 장치이다.
액정 표시 장치를 이루는 두 기판 중 하나인, 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor, TFT) 기판은 액정 표시 장치나 유기 발광 표시 장치(OLED : Organic Light Emitting Diode) 등에서 각 화소를 독립적으로 구동하기 위한 회로 기판으로써 사용된다.
박막 트랜지스터 기판에는 게이트 신호를 전송하는 게이트선과 데이터 신호를 전송하는 데이터선이 서로 교차하여 형성되고, 게이트선 및 데이터선과 연결되어 있는 박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터와 연결되어 있는 화소 전극 등으로 이루어져 있다.
이러한 액정 표시 장치의 배선이 단선되거나 단락되는 경우 해당 화소는 불량 화소가 되어 리페어 공정을 진행할 필요가 있다. 리페어된 화소 및 그 주변 화소는 정상 화소와 비교하여 휘도가 더 낮거나 더 높은 등의 문제점이 발생한다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로, 데이터선의 단선으로 인해 화소의 불량이 발생하는 경우, 리페어에 사용되는 유지 전극에 입력되는 데이터 신호에 의해 인접한 화소 전극에 충전된 전위를 왜곡시키는 것을 줄일 수 있는 박막 트랜지스터 기판, 액정 표시 장치, 및 이들의 리페어 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
또한, 화소 전극과 유지 전극의 단락으로 인해 화소의 불량이 발생하는 경우, 리페어에 사용되는 유지 전극으로 인해 인접한 화소 전극에 미치는 영향을 줄일 수 있는 박막 트랜지스터 기판, 액정 표시 장치, 및 이들의 리페어 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
또한, 리페어 공정이 안정적으로 이루어질 수 있는 박막 트랜지스터 기판, 액정 표시 장치, 및 이들의 리페어 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적에 따른 본 발명에 의한 박막 트랜지스터 기판은 기판; 상기 기판 상에 서로 교차하여 화소 영역을 정의하는 게이트선 및 데이터선; 상기 게이트선 및 상기 데이터선과 연결되어 형성되는 박막 트랜지스터; 상기 화소 영역에 상기 박막 트랜지스터와 연결되어 형성되는 화소 전극; 및, 인접하는 두 개의 상기 게이트선 사이에 상기 데이터선과 중첩하여 형성되는 제1 부분 및 상기 제1 부분과 연결되고 상기 제1 부분이 형성된 영역을 제외한 상기 화소 영역의 가장자리를 둘러싸도록 형성되는 제2 부분을 포함하는 유지 전극을 포함하고, 인접한 두 개의 상기 게이트선과 인접한 두 개의 상기 데이터선에 의해서 두 개의 화소 영역이 정의되고, 인접한 두 개의 화소 영역에 각각 형성된 상기 화소 전극들 사이에서 상기 유지 전극이 분지되는 것을 특징으로 한다.
상기 제1 부분에 형성되는 단선부를 더 포함할 수 있다.
상기 단선부는 상기 제1 부분을 복수의 부분으로 나누는 것이 바람직하다.
상기 단선부는 인접하는 두 개의 상기 게이트선 사이의 중앙에 형성되는 것이 바람직하다.
상기 단선부와 중첩하는 상기 데이터선은 상기 제1 부분과 중첩하지 않는 상기 데이터선의 폭보다 더 넓은 폭을 가지는 것이 바람직하다.
상기 단선부와 중첩하는 상기 데이터선의 폭은 상기 제1 부분의 폭에 대응하는 것이 바람직하다.
상기 단선부와 인접한 상기 데이터선은 상기 제1 부분과 중첩하지 않는 상기 데이터선의 폭보다 더 넓은 폭을 가지는 것이 바람직하다.
상기 단선부와 인접한 상기 데이터선은 상기 단선부와 중첩하는 상기 데이터선의 폭보다 좁은 폭을 가지는 것이 바람직하다.
상기 유지 전극은 상기 제1 부분이 형성된 영역을 제외한 상기 화소 영역의 가장자리를 둘러싸도록 형성되는 제2 부분을 더 포함하는 것이 바람직하다.
상기 제1 부분과 상기 제2 부분이 연결되는 부분과 중첩되는 상기 데이터선은 상기 제1 부분과 중첩되지 않는 상기 데이터선의 폭보다 넓은 폭을 가지는 것이 바람직하다.
상기 단선부는 상기 제1 부분의 일측 단부에 형성되는 것이 바람직하다.
상기 단선부와 인접한 상기 제1 부분 상부의 상기 데이터선은 상기 제1 부분과 중첩하지 않는 상기 데이터선의 폭보다 넓은 폭을 가지는 것이 바람직하다.
상기 제1 부분과 상기 화소 전극이 중첩된 폭은 3.5um이하인 것이 바람직하다.
상기와 같은 목적에 따른 본 발명에 의한 액정 표시 장치는 서로 대향하는 제1 및 제2 기판; 상기 제1 기판 상에 서로 교차하여 화소 영역을 정의하는 게이트선 및 데이터선; 상기 게이트선 및 상기 데이터선과 연결되어 형성되는 박막 트랜지스터; 상기 화소 영역에 상기 박막 트랜지스터와 연결되어 형성되는 화소 전극; 및, 인접하는 두 개의 상기 게이트선 사이에 상기 데이터선과 중첩하여 형성되는 제1 부분 및 상기 제1 부분과 연결되고 상기 제1 부분이 형성된 영역을 제외한 상기 화소 영역의 가장자리를 둘러싸도록 형성되는 제2 부분을 포함하는 유지 전극을 포함하고, 인접한 두 개의 상기 게이트선과 인접한 두 개의 상기 데이터선에 의해서 두 개의 화소 영역이 정의되고, 인접한 두 개의 화소 영역에 각각 형성된 상기 화소 전극들 사이에서 상기 유지 전극이 분지되는 것이 바람직하다.
상기 제1 부분에 형성되는 단선부를 더 포함할 수 있다.
상기 단선부는 상기 제1 부분을 복수의 부분으로 나누는 것이 바람직하다.
상기 단선부는 인접하는 두 개의 상기 게이트선 사이의 중앙에 형성되는 것이 바람직하다.
상기 제1 기판 또는 제2 기판의 상기 화소 영역의 가장자리에 형성되는 차광 부재를 더 포함하는 것이 바람직하다.
상기 차광 부재는 상기 유지 전극과 중첩하여 형성되고, 상기 단선부와 중첩하는 상기 차광 부재는 상기 제1 부분과 중첩하는 상기 차광 부재의 폭보다 더 넓은 폭을 가지는 것이 바람직하다.
상기 단선부와 중첩하는 상기 차광 부재는 상기 제1 부분의 폭보다 더 넓은 폭을 가지는 것이 바람직하다.
상기와 같은 목적에 따른 본 발명에 의한 기판; 상기 기판 상에 서로 교차하여 화소 영역을 정의하는 게이트선 및 데이터선; 상기 게이트선 및 상기 데이터선과 연결되어 형성되는 박막 트랜지스터; 상기 화소 영역에 상기 박막 트랜지스터와 연결되어 형성되는 화소 전극; 인접하는 두 개의 상기 게이트선 사이에 상기 데이터선과 중첩하여 형성되는 제1 부분 및 상기 제1 부분과 연결되고 상기 제1 부분이 형성된 영역을 제외한 상기 화소 영역의 가장자리를 둘러싸도록 형성되는 제2 부분을 포함하는 유지 전극을 포함하고, 인접한 두 개의 상기 게이트선과 인접한 두 개의 상기 데이터선에 의해서 두 개의 화소 영역이 정의되고, 인접한 두 개의 화소 영역에 각각 형성된 상기 화소 전극들 사이에서 상기 유지 전극이 분지되는 박막 트랜지스터 기판의 데이터선의 단선을 리페어하는 방법은, (a) 상기 데이터선의 단선 부분을 중심으로 양측에 레이저를 조사하여 상기 데이터선과 상기 유지 전극을 단락시키는 단계; 및, (b) 상기 유지 전극 중 상기 데이터선과 단락된 부분을 분리하도록 레이저를 조사하여 단선시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 박막 트랜지스터 기판은 상기 제1 부분에 형성되는 단선부를 더 포함하고, 상기 (a)단계는, 상기 단선부와 인접한 부분 및 상기 제1 부분의 단부에 상기 레이저를 조사하는 것이 바람직하다.
상기 (b)단계는, 상기 유지 전극이 상기 데이터선과 중첩되지 않으면서, 상기 데이터선과 중첩하는 부분에 인접한 양측에 상기 레이저를 조사하는 것이 바람직하다.
상기와 같은 목적에 따른 본 발명에 의한 기판; 상기 기판 상에 서로 교차하여 화소 영역을 정의하는 게이트선 및 데이터선; 상기 게이트선 및 상기 데이터선과 연결되어 형성되는 박막 트랜지스터; 상기 화소 영역에 상기 박막 트랜지스터와 연결되어 형성되는 화소 전극; 인접하는 두 개의 상기 게이트선 사이에 상기 데이터선과 중첩하여 형성되는 제1 부분 및 상기 제1 부분과 연결되고 상기 제1 부분이 형성된 영역을 제외한 상기 화소 영역의 가장자리를 둘러싸도록 형성되는 제2 부분을 포함하는 유지 전극을 포함하고, 인접한 두 개의 상기 게이트선과 인접한 두 개의 상기 데이터선에 의해서 두 개의 화소 영역이 정의되고, 인접한 두 개의 화소 영역에 각각 형성된 상기 화소 전극들 사이에서 상기 유지 전극이 분지되는 박막 트랜지스터 기판의 화소 전극과 유지 전극의 단락을 리페어하는 방법은, (c) 상기 유지 전극 중 상기 화소 전극과 단락된 부분을 분리하도록 레이저를 조사하여 단선시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 (c)단계는, 상기 화소 전극과 유지 전극의 단락이 발생한 부분과 인접하면서, 상기 유지 전극이 상기 데이터선 및 상기 화소 전극과 중첩하지 않는 부분에 상기 레이저를 조사하는 것이 바람직하다.
상기와 같은 목적에 따른 본 발명에 의한 서로 대향하는 제1 및 제2 기판; 상기 제1 기판 상에 서로 교차하여 화소 영역을 정의하는 게이트선 및 데이터선; 상기 게이트선 및 상기 데이터선과 연결되어 형성되는 박막 트랜지스터; 상기 화소 영역에 상기 박막 트랜지스터와 연결되어 형성되는 화소 전극; 및, 인접하는 두 개의 상기 게이트선 사이에 상기 데이터선과 중첩하여 형성되는 제1 부분 및 상기 제1 부분과 연결되고 상기 제1 부분이 형성된 영역을 제외한 상기 화소 영역의 가장자리를 둘러싸도록 형성되는 제2 부분을 포함하는 유지 전극을 포함하고, 인접한 두 개의 상기 게이트선과 인접한 두 개의 상기 데이터선에 의해서 두 개의 화소 영역이 정의되고, 인접한 두 개의 화소 영역에 각각 형성된 상기 화소 전극들 사이에서 상기 유지 전극이 분지되는 액정 표시 장치의 데이터선의 단선을 리페어하는 방법은, (d) 상기 데이터선의 단선 부분을 중심으로 양측에 레이저를 조사하여 상기 데이터선과 상기 유지 전극을 단락시키는 단계; 및, (e) 상기 유지 전극 중 상기 데이터선과 단락된 부분을 분리하도록 레이저를 조사하여 단선시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 액정 표시 장치는 상기 제1 부분에 형성되는 단선부를 더 포함하고, 상기 (d)단계는, 상기 단선부와 인접한 부분 및 상기 제1 부분의 단부에 상기 레이저를 조사하는 것이 바람직하다.
상기 (e)단계는, 상기 유지 전극이 상기 데이터선과 중첩되지 않으면서, 상기 데이터선과 중첩하는 부분에 인접한 양측에 상기 레이저를 조사하는 것이 바람직하다.
상기와 같은 목적에 따른 본 발명에 의한 서로 대향하는 제1 및 제2 기판; 상기 제1 기판 상에 서로 교차하여 화소 영역을 정의하는 게이트선 및 데이터선; 상기 게이트선 및 상기 데이터선과 연결되어 형성되는 박막 트랜지스터; 상기 화소 영역에 상기 박막 트랜지스터와 연결되어 형성되는 화소 전극; 및, 인접하는 두 개의 상기 게이트선 사이에 상기 데이터선과 중첩하여 형성되는 제1 부분 및 상기 제1 부분과 연결되고 상기 제1 부분이 형성된 영역을 제외한 상기 화소 영역의 가장자리를 둘러싸도록 형성되는 제2 부분을 포함하는 유지 전극을 포함하고, 인접한 두 개의 상기 게이트선과 인접한 두 개의 상기 데이터선에 의해서 두 개의 화소 영역이 정의되고, 인접한 두 개의 화소 영역에 각각 형성된 상기 화소 전극들 사이에서 상기 유지 전극이 분지되는 액정 표시 장치의 화소 전극과 유지 전극의 단락을 리페어하는 방법은 (f) 상기 유지 전극 중 상기 화소 전극과 단락된 부분을 분리하도록 레이저를 조사하여 단선시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 (f)단계는, 상기 화소 전극과 유지 전극의 단락이 발생한 부분과 인접하면서, 상기 유지 전극이 상기 데이터선 및 상기 화소 전극과 중첩하지 않는 부분에 상기 레이저를 조사하는 것이 바람직하다.
상기한 바와 같은 본 발명에 의한 박막 트랜지스터 기판, 액정 표시 장치, 및 이들의 리페어 방법은 다음과 같은 효과가 있다.
본 발명에 의한 박막 트랜지스터 기판, 액정 표시 장치, 및 이들의 리페어 방법은 데이터선의 단선으로 인해 화소의 불량이 발생하는 경우, 리페어에 사용되는 유지 전극에 입력되는 데이터 신호에 의해 인접한 화소 전극에 충전된 전위를 왜곡시키는 것을 최소화할 수 있는 효과가 있다.
또한, 화소 전극과 유지 전극의 단락으로 인해 화소의 불량이 발생하는 경우, 리페어에 사용되는 유지 전극으로 인해 인접한 화소 전극에 미치는 영향을 최소화할 수 있는 효과가 있다.
또한, 단선부가 형성된 부분에 대응하여 데이터선 또는 차광 부재의 폭을 넓게 형성함으로써 빛샘을 방지할 수 있는 효과가 있다.
또한, 리페어 공정시 레이저를 이용하여 단락을 진행하게 될 부분의 폭을 다른 부분보다 넓게 형성함으로써 안정적으로 리페어 공정이 이루어질 수 있는 효과가 있다.
또한, 유지 전극은 화소 영역의 가장자리 전체를 둘러싸도록 형성됨으로써, 한 화소 내의 유지 용량이 증가하고, 유지 전극의 배선 저항이 감소될 수 있는 효과가 있다.
또한, 화소 영역의 네 개의 꼭지점에 화소 전극과 유지 전극이 중첩되지 않는 부분을 통해 유지 전극을 용이하게 컷팅할 수 있는 효과가 있다.
또한, 유지 전극의 제1 부분의 일측 단부가 제2 부분과 연결되지 않도록 함으로써, 리페어 진행시 레이저 조사를 줄일 수 있는 효과가 있다.
또한, 유지 전극의 제1 부분과 화소 전극의 중첩폭을 축소시킴으로써, 데이터선의 단선 불량 리페어 진행시 이용되는 제1 부분에 흐르는 데이터 신호에 의해 인접 화소 전극이 받는 영향을 줄일 수 있는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 의한 박막 트랜지스터 기판을 나타낸 평면도이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 의한 컬러 필터 기판을 나타낸 평면도이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 의한 액정 표시 장치를 나타낸 평면도이다.
도 4는 도 3의 IV-IV' 선을 따라 나타낸 단면도이다.
도 5는 본 발명의 제2 실시예에 의한 박막 트랜지스터 기판을 나타낸 평면도이다.
도 6은 본 발명의 제2 실시예에 의한 컬러 필터 기판을 나타낸 평면도이다.
도 7은 본 발명의 제2 실시예에 의한 액정 표시 장치를 나타낸 평면도이다.
도 8은 도 7의 VIII-VIII' 선을 따라 나타낸 단면도이다.
도 9는 본 발명의 제3 실시예에 의한 액정 표시 장치를 나타낸 평면도이다.
도 10은 본 발명의 제1 실시예에 의한 액정 표시 장치의 데이터선의 단선을 리페어하는 방법을 나타낸 평면도이다.
도 11은 본 발명의 제2 실시예에 의한 액정 표시 장치의 데이터선의 단선을 리페어하는 방법을 나타낸 평면도이다.
도 12는 본 발명의 제3 실시예에 의한 액정 표시 장치의 데이터선의 단선을 리페어하는 방법을 나타낸 평면도이다.
도 13은 본 발명의 제1 실시예에 의한 액정 표시 장치의 화소 전극과 유지 전극의 단락을 리페어하는 방법을 나타낸 평면도이다.
도 14는 본 발명의 제2 실시예에 의한 액정 표시 장치의 화소 전극과 유지 전극의 단락을 리페어하는 방법을 나타낸 평면도이다.
도 15는 본 발명의 제3 실시예에 의한 액정 표시 장치의 화소 전극과 유지 전극의 제1 부분의 단락을 리페어하는 방법을 나타낸 평면도이다.
도 16은 본 발명의 제3 실시예에 의한 액정 표시 장치의 화소 전극과 유지 전극의 제2 부분의 단락을 리페어하는 방법을 나타낸 평면도이다.
이하에서 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분의 "상부에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분의 "바로 상부에" 있는 경우 뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 상부에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 제1 실시예에 따른 액정 표시 장치에 대해 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 의한 박막 트랜지스터 기판을 나타낸 평면도이고, 도 2는 본 발명의 제1 실시예에 의한 컬러 필터 기판을 나타낸 평면도이며, 도 3은 본 발명의 제1 실시예에 의한 액정 표시 장치를 나타낸 평면도이고, 도 4는 도 3의 IV-IV' 선을 따라 나타낸 단면도이다.
본 발명의 제1 실시예에 따른 액정 표시 장치는 서로 마주보는 박막 트랜지스터 표시판(100)과 공통 전극 표시판(200), 그 사이에 형성되어 있는 액정층(도시하지 않음)으로 이루어져 있다.
박막 트랜지스터 표시판(100)은 제1 기판(110), 제1 기판(110)의 상부에 서로 교차하여 화소 영역을 정의하는 게이트선(121) 및 데이터선(171), 게이트선(121) 및 데이터선(171)과 연결되어 형성되는 박막 트랜지스터(TFT), 화소 영역에 박막 트랜지스터(TFT)와 연결되어 형성되는 화소 전극(191), 데이터선(171) 하부 및 화소 영역의 가장자리에 형성되는 유지 전극(131)으로 이루어져 있다.
게이트선(121)은 제1 기판(110) 상부에 일방향으로 형성되고, 게이트선(121)으로부터 돌출되어 게이트 전극(124)이 형성된다.
데이터선(171)은 게이트선(121)과 교차하는 방향으로 형성되고, 데이터선(171)으로부터 게이트 전극(124)의 상부로 돌출되어 소스 전극(173)이 형성되고, 소스 전극(173)과 일정 간격을 가지고 게이트 전극(124)의 상부에 드레인 전극(175)이 형성된다.
게이트선(121)과 데이터선(171)의 사이에는 게이트 절연막(140)이 형성되어 있고, 도시는 생략되어 있으나, 게이트 전극(124) 상부의 게이트 절연막(140) 상에는 반도체층이 형성되어 있다. 게이트 전극(124), 반도체층, 소스 전극(173), 드레인 전극(175)이 박막 트랜지스터(TFT)를 구성한다.
데이터선(171)과 화소 전극(191)의 사이에는 보호막(180)이 형성되어 있고, 화소 전극(191)은 보호막(180)에 형성된 접촉 구멍(181)을 통해 박막 트랜지스터(TFT)의 드레인 전극(175)과 연결된다.
유지 전극(131)은 인접하는 두 개의 게이트선(121) 사이에 데이터선(171)과 중첩하여 형성되는 제1 부분(131a) 및, 제1 부분(131a)과 연결되고 화소 영역의 가장자리를 둘러싸도록 형성되는 제2 부분(131b)으로 이루어져 있다. 제1 부분(131a)은 단선부(134)에 의해 두 개의 부분으로 나누어져 있으며, 단선부(134)는 인접하는 두 개의 게이트선(121) 사이의 중앙에 위치함이 바람직하다. 또한, 제1 부분(131a)은 두 개 이상의 부분으로 나뉠 수도 있으나, 두 개의 부분으로 나뉘어지는 것이 가장 바람직하다.
단선부(134)와 중첩하는 데이터선(171)은 유지 전극(131)의 제1 부분(131a)과 중첩하지 않는 데이터선(171)의 폭보다 더 넓은 폭을 가지는 것이 바람직하다. 유지 전극(131)은 불투명한 금속으로 이루어져 있어 빛샘을 막을 수 있으며, 단선부(134)가 형성된 부분은 빛샘이 발생할 수 있다. 이때, 단선부(134)와 중첩하는 데이터선(171)의 폭은 유지 전극(131)의 제1 부분(131a)의 폭으로 형성함이 바람직하다. 따라서 단선부(134) 상부의 데이터선(171)의 폭을 확장시킴으로써, 빛샘을 방지할 수 있다.
제1 실시예에 의한 액정 표시 장치의 개구율은 54.7%이고, 단선부(134)를 형성하지 않고 데이터선(171)의 폭을 확장하지 않은 액정 표시 장치의 개구율은 54.7%로써, 제1 실시예에서 데이터선(171)의 폭의 확장으로 인한 개구율의 감소가 전혀 없다.
데이터선(171)에서 리페어 진행시 단락이 진행될 리페어 예상부(171a)의 폭은 레이저를 조사하여 단락이 잘 일어나도록 하기 위해 그 폭을 확장하여 형성함이 바람직하다. 즉, 리페어 예상부(171a)의 폭은 유지 전극(131)의 제1 부분(131a)과 중첩하는 데이터선(171)의 폭보다는 넓고, 단선부(134)와 중첩하는 데이터선(171)의 폭보다는 좁은 것이 바람직하다. 리페어 예상부(171a)는 절연패턴(134)과 인접한 상,하부의 데이터선(171), 및 상기 제1 부분(131a)과 제2 부분(131b)이 연결되는 부분과 중첩되는 데이터선(171)이다.
각 화소 영역에 형성된 유지 전극(131)은 모두 연결되어 있다. 게이트선(121)을 사이에 두고 인접하는 두 개의 화소 영역에 형성되는 유지 전극(131)의 제2 부분(131b)은 브릿지(135)에 의해 서로 연결될 수 있다. 유지 전극(131)은 게이트선(121), 게이트 전극(124)과 동일한 층에 형성될 수 있고, 유지 전극(131)의 제2 부분(131b)과 브릿지(135)가 연결되는 부분에는 게이트 절연막(140), 보호막(180)을 관통하는 접촉 구멍(182)이 형성될 수 있다.
공통 전극 표시판(200)은 제2 기판(210), 제1 기판(110)의 화소 영역의 가장자리에 대응하여 제2 기판(210)의 상부에 형성되는 차광 부재(220), 제1 기판(110)의 화소 영역에 대응하여 제2 기판(210)의 상부에 형성되는 색필터(230), 제2 기판(210)의 상부 전면에 형성되는 공통 전극(270)으로 이루어져 있다.
차광 부재(220)는 빛샘을 방지하기 위한 것으로, 게이트선(121), 데이터선(171), 박막 트랜지스터(TFT), 유지 전극(131)의 상부에 대응하여 형성된다.
색필터(230)는 액정 표시 장치의 색상을 구현하기 위한 것으로써, 예를 들면 빨강, 녹색, 파랑의 색필터(230)가 반복하여 배치될 수 있다.
공통 전극(270)은 제1 기판(110)에 형성된 화소 전극(191)과 마주보고 형성되어 각 전극에 인가된 전압에 따라 액정층에 전기장을 생성하여 액정 분자들의 배향을 결정하고 입사광의 편광을 제어함으로써 영상을 표시한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 제2 실시예에 따른 액정 표시 장치에 대해 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 5는 본 발명의 제2 실시예에 의한 박막 트랜지스터 기판을 나타낸 평면도이고, 도 6은 본 발명의 제2 실시예에 의한 컬러 필터 기판을 나타낸 평면도이며, 도 7은 본 발명의 제2 실시예에 의한 액정 표시 장치를 나타낸 평면도이고, 도 8은 도 7의 VIII-VIII' 선을 따라 나타낸 단면도이다.
본 발명의 제2 실시예에 따른 액정 표시 장치는 서로 마주보는 박막 트랜지스터 표시판(100)과 공통 전극 표시판(200), 그 사이에 형성되어 있는 액정층(도시하지 않음)으로 이루어져 있다.
박막 트랜지스터 표시판(100)은 제1 실시예에서와 같이, 제1 기판(110), 게이트선(121), 데이터선(171), 박막 트랜지스터(TFT), 화소 전극(191), 유지 전극(131)으로 이루어져 있다. 유지 전극(131)은 제1 부분(131a)과 제2 부분(131b)으로 이루어져 있고, 제1 부분(131a)에는 단선부(134)가 형성되어 있다.
다만, 제1 실시예에서와 달리 단선부(134)와 중첩하는 데이터선(171)은 리페어 예상부(171a)의 폭으로 형성할 수 있다. 또는 단선부(134)와 중첩하는 데이터선(171)은 유지 전극(131)의 제1 부분과 중첩된 데이터선(171)의 폭으로 형성할 수도 있다. 즉, 제1 실시예에서는 데이터선(171)으로 단선부(134) 상부의 빛샘을 방지하기 위해 데이터선(171)의 폭을 확장하는 반면에 제2 실시예에서는 다른 수단으로 빛샘을 방지하게 되므로 데이터선(171)의 폭을 확장하여 형성하지 않아도 된다.
공통 전극 표시판(200)은 제1 실시예에서와 같이, 제2 기판(210), 차광 부재(220), 색필터(230), 공통 전극(270)으로 이루어져 있다.
다만, 제1 실시예에서와 달리 단선부(134)와 중첩하는 차광 부재(220)는 유지 전극(131)의 제1 부분(131a)과 중첩하는 차광 부재(220)의 폭보다 더 넓은 폭을 가지는 것이 바람직하다. 또한, 단선부(134)와 중첩하는 차광 부재(220)는 유지 전극(131)의 제1 부분(131a)의 폭보다 더 넓은 폭을 가지는 것이 바람직하다. 즉, 단선부(134)에 대응하는 차광 부재(220)의 폭을 확장시킴으로써, 단선부(134)가 형성된 부분에 발생하는 빛샘을 방지할 수 있다.
제2 실시예에 의한 액정 표시 장치의 개구율은 54.3%이고, 단선부(134)를 형성하지 않고 데이터선(171)의 폭을 확장하지 않은 액정 표시 장치의 개구율은 54.7%로써, 제2 실시예에 의한 액정 표시 장치에서 차광 부재(220)의 폭의 확장으로 인한 개구율의 감소는 있으나, 미소한 차이에 불과하다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 제3 실시예에 따른 액정 표시 장치에 대해 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 9는 본 발명의 제3 실시예에 의한 박막 트랜지스터 기판을 나타낸 평면도이다.
본 발명의 제3 실시예에 따른 액정 표시 장치는 서로 마주보는 박막 트랜지스터 표시판(100)과 공통 전극 표시판(도시하지 않음), 그 사이에 형성되어 있는 액정층(도시하지 않음)으로 이루어져 있다.
박막 트랜지스터 표시판(100)은 제1 실시예에서와 같이, 제1 기판(110), 게이트선(121), 데이터선(171), 박막 트랜지스터(TFT), 화소 전극(191), 유지 전극(131)으로 이루어져 있다.
인접한 두 개의 게이트선(121)과 인접한 두 개의 데이터선(171)에 의해서 두 개의 화소 영역이 정의되고, 각 화소 영역에 화소 전극(191)이 형성된다. 화소 영역의 네 개의 꼭지점에서는 화소 전극(191)이 유지 전극(131)과 중첩되지 않도록 형성된다. 즉, 인접한 두 개의 화소 영역에 각각 형성된 화소 전극(191)들 사이에서 유지 전극이 분지된다. 이는 데이터선(171)의 단선 불량이나, 화소 전극(191)과 유지 전극(131) 간의 단락 불량이 발생한 경우 리페어 진행시 화소 전극(191)과 중첩되지 않는 유지 전극(131)에 레이저를 조사하여 유지 전극(131)을 단선시키기 위함이다.
유지 전극(131)은 제1 부분(131a)과 제2 부분(131b)으로 이루어져 있고, 제1 실시예에서와 달리 제1 부분(131a)의 하측 단부에 단선부(134)가 형성되어 있다. 즉, 제1 부분(131a)의 하측 단부는 제2 부분(131b)과 연결되지 않고, 제1 부분(131a)의 상측 단부는 제2 부분(131b)과 연결이 되도록 형성되어 있다. 이는 데이터선(171)과 중첩되는 부분에서 리페어 진행시 제1 부분(131a)의 하측 단부는 제2 부분(131b)과 연결이 이미 끊어져 있으므로 제1 부분(131a)의 상측 단부만 제2 부분(131b)과 연결이 끊어지도록 레이저를 조사하면 되도록 하기 위함이다.
데이터선(171)에서 리페어 진행시 단락이 진행될 리페어 예상부(171a)의 폭은 레이저를 조사하여 단락이 잘 일어나도록 하기 위해 그 폭을 확장하여 형성함이 바람직하다. 즉, 리페어 예상부(171a)의 폭은 유지 전극(131)의 제1 부분(131a)과 중첩하지 않는 부분보다 넓은 것이 바람직하다. 리페어 예상부(171a)는 단선부(134)와 인접한 제1 부분(131a)의 상부이다.
유지 전극(131)의 제1 부분(131a)과 화소 전극(191)은 서로 중첩되도록 형성되고, 그 중첩된 폭은 3.5um이하임이 바람직하다. 제1 부분(131a)과 화소 전극(191)의 중첩폭을 종래의 4.5um에서 3.5um로 축소함으로써, 데이터선(171)의 단선 불량 리페어 진행시 이용되는 제1 부분(131a)에 흐르는 데이터 신호에 의해 인접 화소 전극(191)이 받는 영향을 줄일 수 있다.
공통 전극 표시판은 도시는 생략하고 있으나 제1 실시예에서와 같이, 제2 기판, 차광 부재, 색필터, 공통 전극으로 이루어져 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 제1 실시예에 따른 액정 표시 장치의 데이터선의 단선을 리페어하는 방법을 설명하면 다음과 같다.
도 10은 본 발명의 제1 실시예에 의한 액정 표시 장치의 데이터선의 단선을 리페어하는 방법을 나타낸 평면도이다.
제1 실시예에 의한 액정 표시 장치에서 단선부(134)를 기준으로 상측에 위치한 데이터선(171)이 끊어지는 불량이 발생한 경우, 단선 불량부(320)의 하측으로는 데이터선(171)을 통해 신호가 전달되지 않는다.
이때, 단선 불량부(320)의 상/하측에 위치한 리페어 예상부(171a)에 레이저를 조사(340)하여 데이터선(171)과 유지 전극(131)의 제1 부분(131a)이 서로 연결되도록 함으로써, 유지 전극(131)으로 데이터선(171)에 인가되는 신호가 전달될 수 있도록 함이 바람직하다.
이어, 리페어에 이용된 유지 전극(131)의 제1 부분(131a)과 연결된 제2 부분(131b)이 전기적으로 분리될 수 있도록 데이터선(171)과 중첩되지 않는 유지 전극(131)의 제2 부분(131b)에 레이저를 조사(330)하여 단선시키는 것이 바람직하다. 이때, 데이터선(171)과 중첩하여 리페어에 이용된 유지 전극(131)과 인접한 양측에 레이저를 조사(330)함이 바람직하다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 제2 실시예에 따른 액정 표시 장치의 데이터선의 단선을 리페어하는 방법을 설명하면 다음과 같다.
도 11은 본 발명의 제2 실시예에 의한 액정 표시 장치의 데이터선의 단선을 리페어하는 방법을 나타낸 평면도이다.
제2 실시예에서도 제1 실시예와 같은 방법으로 리페어가 진행되며, 이하에서는 제2 실시예에 의한 액정 표시 장치에서 단선부(134)를 기준으로 하측에 위치한 데이터선(171)이 끊어지는 불량이 발생한 경우를 살펴본다.
단선 불량부(320)의 상/하측에 위치한 리페어 예상부(171a)에 레이저를 조사(340)하여 데이터선(171)과 유지 전극(131)의 제1 부분(131a)이 서로 연결되도록 하고, 리페어에 이용된 유지 전극(131)의 제1 부분(131a)과 연결된 제2 부분(131b)이 전기적으로 분리될 수 있도록 레이저를 조사(330)하여 단선시킴이 바람직하다.
제1 및 제2 실시예에 따른 액정 표시 장치의 데이터선의 단선을 리페어하는 경우 주변 화소에 미치는 영향을 단선부가 형성되지 않은 액정 표시 장치와 비교하여 설명한다.
단선부가 형성되지 않은 액정 표시 장치에서 데이터선의 단선 불량 발생시 리페어를 진행하게 되면, 데이터선과 중첩하는 유지 전극의 제1 부분 전체를 리페어에 이용하게 된다. 반면에, 본 발명의 제1 및 제2 실시예에 따른 액정 표시 장치에서는 유지 전극의 제1 부분에 단선부가 형성되어 있으므로 단선부를 기준으로 그 상측에 데이터선의 단선 불량이 발생하는 경우에는 유지 전극의 제1 부분의 상측 절반만을 리페어에 이용한다. 또한, 단선부를 기준으로 그 하측에 데이터선의 단선 불량이 발생하는 경우에는 유지 전극의 제1 부분의 하측 절반만을 리페어에 이용하게 된다.
이때, 리페어에 이용되는 유지 전극과 화소 전극 사이의 유지 용량인 제1 유지 용량(Cst1)과 리페어에 이용되지 않은 유지 전극과 화소 전극 사이의 유지 용량인 제2 유지 용량(Cst2)의 비율로 화소 전극에 충전된 전위가 왜곡되는 정도를 알 수 있다. 리페어에 의해 발생한 유지 용량인 제1 유지 용량(Cst1)이 클수록 해당 화소가 원래 가지는 제2 유지 용량(Cst2)은 줄어들고, 이는 해당 화소에 충전된 전위를 왜곡시키는 문제점이 발생한다. 따라서, 제1 유지 용량과 제2 유지 용량의 비율(Cst1/Cst2)이 작을수록 해당 화소에 미치는 영향을 최소화할 수 있다.
단선부가 형성되지 않은 액정 표시 장치에서는 제1 유지 용량(Cst1)이 661pF 내지 905pF에 이르고, 제1 유지 용량과 제2 유지 용량의 비율(Cst1/Cst2)이 32% 내지 36%에 이른다. 반면에, 본 발명의 제1 및 제2 실시예에 따른 액정 표시 장치에서는 제1 유지 용량(Cst1)을 270pF까지 낮추고, 제1 유지 용량과 제2 유지 용량의 비율(Cst1/Cst2)을 14%까지 낮출 수 있어 해당 화소에 미치는 영향을 약 1/3로 줄일 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 제3 실시예에 따른 액정 표시 장치의 데이터선의 단선을 리페어하는 방법을 설명하면 다음과 같다.
도 12는 본 발명의 제3 실시예에 의한 액정 표시 장치의 데이터선의 단선을 리페어하는 방법을 나타낸 평면도이다.
단선 불량부(320)의 상/하측에 위치한 리페어 예상부(171a)에 레이저를 조사(340)하여 데이터선(171)과 유지 전극(131)의 제1 부분(131a)이 서로 연결되도록 하고, 리페어에 이용된 유지 전극(131)의 제1 부분(131a)과 연결된 제2 부분(131b)이 전기적으로 분리될 수 있도록 레이저를 조사(330)하여 단선시킴이 바람직하다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 제1 실시예에 따른 액정 표시 장치의 화소 전극과 유지 전극의 단락을 리페어하는 방법을 설명하면 다음과 같다.
도 13은 본 발명의 제1 실시예에 의한 액정 표시 장치의 화소 전극과 유지 전극의 단락을 리페어하는 방법을 나타낸 평면도이다.
제1 실시예에 의한 액정 표시 장치에서 단선부(134)를 기준으로 상측에 위치한 유지 전극(131)의 제1 부분(131a)과 그 우측의 화소 전극(191)이 서로 단락되는 불량이 발생하는 경우, 단락 불량부(322)를 통해 화소 전극(191)과 유지 전극(131)은 전기적으로 연결되어 화소 전극(191)에 입력된 신호의 전압과 유지 전극(131)에 입력된 전압이 서로 충돌하는 문제가 발생한다.
단락 불량부(322)가 있는 유지 전극(131)의 제1 부분(131a)과 연결된 제2 부분(131b)이 전기적으로 분리될 수 있도록, 단락 불량부(322)와 인접하면서, 데이터선(171) 및 화소 전극(191)과 중첩하지 않는 유지 전극(131)의 제2 부분(131b)에 레이저를 조사(330)하여 단선시키는 것이 바람직하다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 제2 실시예에 따른 액정 표시 장치의 화소 전극과 유지 전극의 단락을 리페어하는 방법을 설명하면 다음과 같다.
도 14는 본 발명의 제2 실시예에 의한 액정 표시 장치의 화소 전극과 유지 전극의 단락을 리페어하는 방법을 나타낸 평면도이다.
제2 실시예에서도 제1 실시예와 같은 방법으로 리페어가 진행되며, 이하에서는 제2 실시예에 의한 액정 표시 장치에서 단선부(134)를 기준으로 상측에 위치한 유지 전극(131)의 제1 부분(131a)과 그 좌측의 화소 전극(191)이 서로 단락되는 불량이 발생하는 경우를 살펴본다.
단락 불량부(322)가 있는 유지 전극(131)의 제1 부분(131a)과 연결된 제2 부분(131b)이 전기적으로 분리될 수 있도록, 단락 불량부(322)와 인접하면서, 데이터선(171) 및 화소 전극(191)과 중첩하지 않는 유지 전극(131)의 제2 부분(131b)에 레이저를 조사(330)하여 단선시키는 것이 바람직하다.
앞서 설명한 데이터선의 단선을 리페어하는 경우와 마찬가지로, 제1 및 제2 실시예에 따른 액정 표시 장치의 화소 전극과 유지 전극의 단락을 리페어하는 경우 주변 화소에 미치는 영향은 단선부가 형성되지 않는 액정 표시 장치와 비교하여 약 1/3로 줄일 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 제3 실시예에 따른 액정 표시 장치의 화소 전극과 유지 전극의 단락을 리페어하는 방법을 설명하면 다음과 같다.
도 15는 본 발명의 제3 실시예에 의한 액정 표시 장치의 화소 전극과 유지 전극의 제1 부분의 단락을 리페어하는 방법을 나타낸 평면도이다. 도 16은 본 발명의 제3 실시예에 의한 액정 표시 장치의 화소 전극과 유지 전극의 제2 부분의 단락을 리페어하는 방법을 나타낸 평면도이다.
도 15를 참조하면 유지 전극(131)의 제1 부분(131a)과 화소 전극(191)간에 단락 불량이 발생한 경우 단락 불량부(322)가 있는 유지 전극(131)의 제1 부분(131a)과 연결된 제2 부분(131b)이 전기적으로 분리될 수 있도록 레이저를 조사(330)하여 단선시킨다. 이때, 단락 불량부(322)와 인접하면서 유지 전극(131)이 데이터선(171) 및 화소 전극(191)과 중첩하지 않는 부분에 레이저를 조사(330)함이 바람직하다. 유지 전극(131)의 제1 부분(131a)의 하측 단부는 제2 부분(131b)과 이미 분리되어 있으므로, 제1 부분(131a)의 상측 단부의 양측에 위치한 제2 부분(131b)에만 레이저를 조사(330)하면 된다.
도 16을 참조하면 유지 전극(131)의 제2 부분(131b)과 화소 전극(191)간에 단락 불량이 발생한 경우 유지 전극(131) 중 단락 불량부(322)가 있는 부분이 분리되도록 레이저를 조사(330)하여 단선시킨다. 이때, 단락 불량부(322)와 인접하면서 유지 전극(131)이 데이터선(171) 및 화소 전극(191)과 중첩하지 않는 부분에 레이저를 조사(330)함이 바람직하다. 유지 전극(131)의 제2 부분(131b)은 게이트선(121)과 나란한 방향으로 형성된 부분과 데이터선(171)과 나란한 방향으로 형성된 부분이 모두 연결되어 있으므로, 단락 불량부(322)를 기준으로 유지 전극(131)의 제2 부분(131b)의 상측과 하측 모두에 레이저를 조사(330)하여야 한다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
100 : 박막 트랜지스터 표시판 110 : 제1 기판
121 : 게이트선 124 : 게이트 전극
131 : 유지 전극 131a : 제1 부분
131b : 제2 부분 134 : 단선부
135 : 브릿지 TFT : 박막 트랜지스터
171 : 데이터선 171a : 리페어 예상부
173 : 소스 전극 175 : 드레인 전극
181, 182 : 접촉 구멍 191 : 화소 전극
200 : 공통 전극 표시판 210 : 제2 기판
220 : 차광 부재 230 : 색필터
270 : 공통 전극 320 : 단선 불량부
322 : 단락 불량부 330, 340 : 레이저 조사

Claims (29)

  1. 기판;
    상기 기판 상에 서로 교차하여 화소 영역을 정의하는 게이트선 및 데이터선;
    상기 게이트선 및 상기 데이터선과 연결되어 형성되는 박막 트랜지스터;
    상기 화소 영역에 상기 박막 트랜지스터와 연결되어 형성되는 화소 전극;
    인접하는 두 개의 상기 게이트선 사이에 상기 데이터선과 중첩하여 형성되는 제1 부분 및 상기 제1 부분과 연결되고 상기 제1 부분이 형성된 영역을 제외한 상기 화소 영역의 가장자리를 둘러싸도록 형성되는 제2 부분을 포함하는 유지 전극; 및
    상기 제1 부분에 형성되는 단선부를 포함하고,
    인접한 두 개의 상기 게이트선과 인접한 두 개의 상기 데이터선에 의해서 두 개의 화소 영역이 정의되고,
    인접한 두 개의 화소 영역에 각각 형성된 상기 화소 전극들 사이에서 상기 유지 전극이 분지되는,
    박막 트랜지스터 기판.
  2. 삭제
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 단선부는 상기 제1 부분을 복수의 부분으로 나누는,
    박막 트랜지스터 기판.
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 단선부는 인접하는 두 개의 상기 게이트선 사이의 중앙에 형성되는,
    박막 트랜지스터 기판.
  5. 제3 항에 있어서,
    상기 단선부와 중첩하는 상기 데이터선은 상기 제1 부분과 중첩하지 않는 상기 데이터선의 폭보다 더 넓은 폭을 가지는,
    박막 트랜지스터 기판.
  6. 제3 항에 있어서,
    상기 단선부와 중첩하는 상기 데이터선의 폭은 상기 제1 부분의 폭과 동일한,
    박막 트랜지스터 기판.
  7. 제3 항에 있어서,
    상기 단선부와 인접한 상기 데이터선은 상기 제1 부분과 중첩하지 않는 상기 데이터선의 폭보다 더 넓은 폭을 가지는,
    박막 트랜지스터 기판.
  8. 제7 항에 있어서,
    상기 단선부와 인접한 상기 데이터선은 상기 단선부와 중첩하는 상기 데이터선의 폭보다 좁은 폭을 가지는,
    박막 트랜지스터 기판.
  9. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 부분과 상기 제2 부분이 연결되는 부분과 중첩되는 상기 데이터선은 상기 제1 부분과 중첩되지 않는 상기 데이터선의 폭보다 넓은 폭을 가지는,
    박막 트랜지스터 기판.
  10. 제1 항에 있어서,
    상기 단선부는 상기 제1 부분의 일측 단부에 형성되는,
    박막 트랜지스터 기판.
  11. 제10 항에 있어서,
    상기 단선부와 인접한 상기 제1 부분 상부의 상기 데이터선은 상기 제1 부분과 중첩하지 않는 상기 데이터선의 폭보다 넓은 폭을 가지는,
    박막 트랜지스터 기판.

  12. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 부분과 상기 화소 전극이 중첩된 폭은 3.5um이하인,
    박막 트랜지스터 기판.
  13. 서로 대향하는 제1 및 제2 기판;
    상기 제1 기판 상에 서로 교차하여 화소 영역을 정의하는 게이트선 및 데이터선;
    상기 게이트선 및 상기 데이터선과 연결되어 형성되는 박막 트랜지스터;
    상기 화소 영역에 상기 박막 트랜지스터와 연결되어 형성되는 화소 전극;
    인접하는 두 개의 상기 게이트선 사이에 상기 데이터선과 중첩하여 형성되는 제1 부분 및 상기 제1 부분과 연결되고 상기 제1 부분이 형성된 영역을 제외한 상기 화소 영역의 가장자리를 둘러싸도록 형성되는 제2 부분을 포함하는 유지 전극; 및
    상기 제1 부분에 형성되는 단선부를 포함하고,
    인접한 두 개의 상기 게이트선과 인접한 두 개의 상기 데이터선에 의해서 두 개의 화소 영역이 정의되고,
    인접한 두 개의 화소 영역에 각각 형성된 상기 화소 전극들 사이에서 상기 유지 전극이 분지되는,
    액정 표시 장치.
  14. 삭제
  15. 제13 항에 있어서,
    상기 단선부는 상기 제1 부분을 복수의 부분으로 나누는,
    액정 표시 장치.
  16. 제15 항에 있어서,
    상기 단선부는 인접하는 두 개의 상기 게이트선 사이의 중앙에 형성되는,
    액정 표시 장치.
  17. 제15 항에 있어서,
    상기 제1 기판 또는 제2 기판의 상기 화소 영역의 가장자리에 형성되는 차광 부재를 더 포함하는,
    액정 표시 장치.
  18. 제17 항에 있어서,
    상기 차광 부재는 상기 유지 전극과 중첩하여 형성되고,
    상기 단선부와 중첩하는 상기 차광 부재는 상기 제1 부분과 중첩하는 상기 차광 부재의 폭보다 더 넓은 폭을 가지는,
    액정 표시 장치.
  19. 제18 항에 있어서,
    상기 단선부와 중첩하는 상기 차광 부재는 상기 제1 부분의 폭보다 더 넓은 폭을 가지는,
    액정 표시 장치.
  20. 기판;
    상기 기판 상에 서로 교차하여 화소 영역을 정의하는 게이트선 및 데이터선;
    상기 게이트선 및 상기 데이터선과 연결되어 형성되는 박막 트랜지스터;
    상기 화소 영역에 상기 박막 트랜지스터와 연결되어 형성되는 화소 전극;
    인접하는 두 개의 상기 게이트선 사이에 상기 데이터선과 중첩하여 형성되는 제1 부분 및 상기 제1 부분과 연결되고 상기 제1 부분이 형성된 영역을 제외한 상기 화소 영역의 가장자리를 둘러싸도록 형성되는 제2 부분을 포함하는 유지 전극; 및
    상기 제1 부분에 형성되는 단선부를 포함하고,
    인접한 두 개의 상기 게이트선과 인접한 두 개의 상기 데이터선에 의해서 두 개의 화소 영역이 정의되고,
    인접한 두 개의 화소 영역에 각각 형성된 상기 화소 전극들 사이에서 상기 유지 전극이 분지되는 박막 트랜지스터 기판의 데이터선의 단선을 리페어하는 방법에 있어서,
    (a) 상기 데이터선의 단선 부분을 중심으로 양측에 위치하는 상기 단선부와 인접한 부분 및 상기 제1 부분의 단부에 레이저를 조사하여 상기 데이터선과 상기 유지 전극을 단락시키는 단계; 및,
    (b) 상기 유지 전극 중 상기 데이터선과 단락된 부분을 분리하도록 레이저를 조사하여 단선시키는 단계를 포함하는,
    박막 트랜지스터 기판의 리페어 방법.
  21. 삭제
  22. 제20 항에 있어서,
    상기 (b)단계는,
    상기 유지 전극이 상기 데이터선과 중첩되지 않으면서, 상기 데이터선과 중첩하는 부분에 인접한 양측에 상기 레이저를 조사하는,
    박막 트랜지스터 기판의 리페어 방법.
  23. 기판;
    상기 기판 상에 서로 교차하여 화소 영역을 정의하는 게이트선 및 데이터선;
    상기 게이트선 및 상기 데이터선과 연결되어 형성되는 박막 트랜지스터;
    상기 화소 영역에 상기 박막 트랜지스터와 연결되어 형성되는 화소 전극; 및,
    인접하는 두 개의 상기 게이트선 사이에 상기 데이터선과 중첩하여 형성되는 제1 부분 및 상기 제1 부분과 연결되고 상기 제1 부분이 형성된 영역을 제외한 상기 화소 영역의 가장자리를 둘러싸도록 형성되는 제2 부분을 포함하는 유지 전극; 및
    상기 제1 부분에 형성되는 단선부를 포함하고,
    인접한 두 개의 상기 게이트선과 인접한 두 개의 상기 데이터선에 의해서 두 개의 화소 영역이 정의되고,
    인접한 두 개의 화소 영역에 각각 형성된 상기 화소 전극들 사이에서 상기 유지 전극이 분지되는 박막 트랜지스터 기판의 화소 전극과 유지 전극의 단락을 리페어하는 방법에 있어서,
    (c) 상기 유지 전극 중 상기 화소 전극과 단락된 부분을 분리하도록 레이저를 조사하여 단선시키는 단계를 포함하는,
    박막 트랜지스터 기판의 리페어 방법.
  24. 제23 항에 있어서,
    상기 (c)단계는,
    상기 화소 전극과 유지 전극의 단락이 발생한 부분과 인접하면서, 상기 유지 전극이 상기 데이터선 및 상기 화소 전극과 중첩하지 않는 부분에 상기 레이저를 조사하는,
    박막 트랜지스터 기판의 리페어 방법.
  25. 서로 대향하는 제1 및 제2 기판;
    상기 제1 기판 상에 서로 교차하여 화소 영역을 정의하는 게이트선 및 데이터선;
    상기 게이트선 및 상기 데이터선과 연결되어 형성되는 박막 트랜지스터;
    상기 화소 영역에 상기 박막 트랜지스터와 연결되어 형성되는 화소 전극;
    인접하는 두 개의 상기 게이트선 사이에 상기 데이터선과 중첩하여 형성되는 제1 부분 및 상기 제1 부분과 연결되고 상기 제1 부분이 형성된 영역을 제외한 상기 화소 영역의 가장자리를 둘러싸도록 형성되는 제2 부분을 포함하는 유지 전극; 및
    상기 제1 부분에 형성되는 단선부를 포함하고,
    인접한 두 개의 상기 게이트선과 인접한 두 개의 상기 데이터선에 의해서 두 개의 화소 영역이 정의되고,
    인접한 두 개의 화소 영역에 각각 형성된 상기 화소 전극들 사이에서 상기 유지 전극이 분지되는 액정 표시 장치의 데이터선의 단선을 리페어하는 방법에 있어서,
    (d) 상기 데이터선의 단선 부분을 중심으로 양측에 위치하는 상기 단선부와 인접한 부분 및 상기 제1 부분의 단부에 레이저를 조사하여 상기 데이터선과 상기 유지 전극을 단락시키는 단계; 및,
    (e) 상기 유지 전극 중 상기 데이터선과 단락된 부분을 분리하도록 레이저를 조사하여 단선시키는 단계를 포함하는,
    액정 표시 장치의 리페어 방법.
  26. 삭제
  27. 제25 항에 있어서,
    상기 (e)단계는,
    상기 유지 전극이 상기 데이터선과 중첩되지 않으면서, 상기 데이터선과 중첩하는 부분에 인접한 양측에 상기 레이저를 조사하는,
    액정 표시 장치의 리페어 방법.
  28. 서로 대향하는 제1 및 제2 기판;
    상기 제1 기판 상에 서로 교차하여 화소 영역을 정의하는 게이트선 및 데이터선;
    상기 게이트선 및 상기 데이터선과 연결되어 형성되는 박막 트랜지스터;
    상기 화소 영역에 상기 박막 트랜지스터와 연결되어 형성되는 화소 전극;
    인접하는 두 개의 상기 게이트선 사이에 상기 데이터선과 중첩하여 형성되는 제1 부분 및 상기 제1 부분과 연결되고 상기 제1 부분이 형성된 영역을 제외한 상기 화소 영역의 가장자리를 둘러싸도록 형성되는 제2 부분을 포함하는 유지 전극; 및
    상기 제1 부분에 형성되는 단선부를 포함하고,
    인접한 두 개의 상기 게이트선과 인접한 두 개의 상기 데이터선에 의해서 두 개의 화소 영역이 정의되고,
    인접한 두 개의 화소 영역에 각각 형성된 상기 화소 전극들 사이에서 상기 유지 전극이 분지되는 액정 표시 장치의 화소 전극과 유지 전극의 단락을 리페어하는 방법에 있어서,
    (f) 상기 유지 전극 중 상기 화소 전극과 단락된 부분을 분리하도록 레이저를 조사하여 단선시키는 단계를 포함하는,
    액정 표시 장치의 리페어 방법.
  29. 제28 항에 있어서,
    상기 (f)단계는,
    상기 화소 전극과 유지 전극의 단락이 발생한 부분과 인접하면서, 상기 유지 전극이 상기 데이터선 및 상기 화소 전극과 중첩하지 않는 부분에 상기 레이저를 조사하는,
    액정 표시 장치의 리페어 방법.
KR1020100095177A 2010-09-30 2010-09-30 박막 트랜지스터 기판, 액정 표시 장치 및 이들의 리페어 방법 KR101820032B1 (ko)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100095177A KR101820032B1 (ko) 2010-09-30 2010-09-30 박막 트랜지스터 기판, 액정 표시 장치 및 이들의 리페어 방법
US13/016,438 US8514338B2 (en) 2010-09-30 2011-01-28 Thin film transistor array panel, liquid crystal display, and method to repair the same
US13/968,978 US9274393B2 (en) 2010-09-30 2013-08-16 Thin film transistor array panel, liquid crystal display, and method to repair the same
US15/004,305 US10007158B2 (en) 2010-09-30 2016-01-22 Thin film transistor array panel, liquid crystal display, and method to repair the same
US16/007,905 US10209588B2 (en) 2010-09-30 2018-06-13 Thin film transistor array panel, liquid crystal display, and method to repair the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100095177A KR101820032B1 (ko) 2010-09-30 2010-09-30 박막 트랜지스터 기판, 액정 표시 장치 및 이들의 리페어 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20120033584A KR20120033584A (ko) 2012-04-09
KR101820032B1 true KR101820032B1 (ko) 2018-01-19

Family

ID=45889335

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100095177A KR101820032B1 (ko) 2010-09-30 2010-09-30 박막 트랜지스터 기판, 액정 표시 장치 및 이들의 리페어 방법

Country Status (2)

Country Link
US (4) US8514338B2 (ko)
KR (1) KR101820032B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11716883B2 (en) 2020-09-25 2023-08-01 Samsung Display Co., Ltd. Light emitting diode display device

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5906138B2 (ja) * 2012-05-29 2016-04-20 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置
TWI649606B (zh) * 2013-06-05 2019-02-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置及電子裝置
KR20150033152A (ko) * 2013-09-23 2015-04-01 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치의 수리 방법
US10261375B2 (en) * 2014-12-30 2019-04-16 Boe Technology Group Co., Ltd. Array substrate, driving method thereof and display apparatus
CN106469737B (zh) * 2015-08-20 2019-09-10 群创光电股份有限公司 薄膜晶体管基板
CN205318071U (zh) 2016-01-27 2016-06-15 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及显示装置
JP2017151277A (ja) * 2016-02-25 2017-08-31 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置、配線基板、及び、センサ付き表示装置
CN105938282A (zh) * 2016-06-22 2016-09-14 深圳市华星光电技术有限公司 液晶显示像素结构及液晶显示器件
KR20180063937A (ko) * 2016-12-02 2018-06-14 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이를 리페어하기 위한 방법
CN110488548B (zh) * 2019-09-12 2022-04-05 合肥鑫晟光电科技有限公司 一种阵列基板和车载显示装置
CN110764328B (zh) * 2019-10-28 2022-06-14 合肥京东方显示技术有限公司 显示基板及其维修方法、和显示装置
CN111338142B (zh) 2020-04-10 2022-09-06 成都京东方光电科技有限公司 阵列基板及其制作方法、显示装置
KR20210144973A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR0182014B1 (ko) 1995-08-23 1999-05-01 김광호 액정 표시 장치용 박막트랜지스터 기판
JP3680527B2 (ja) * 1997-01-31 2005-08-10 富士通ディスプレイテクノロジーズ株式会社 薄膜トランジスタマトリクス基板及びその製造方法
JPH10221704A (ja) * 1997-02-07 1998-08-21 Sharp Corp 反射型液晶表示装置およびその製造方法
JP3376379B2 (ja) * 1997-02-20 2003-02-10 富士通ディスプレイテクノロジーズ株式会社 液晶表示パネル、液晶表示装置及びその製造方法
KR100612992B1 (ko) 1999-12-28 2006-08-14 삼성전자주식회사 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 수리 방법
KR100656902B1 (ko) 1999-12-23 2006-12-15 삼성전자주식회사 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판
KR100385886B1 (ko) 2000-06-15 2003-06-02 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
TW507189B (en) * 2001-02-23 2002-10-21 Chi Mei Optoelectronics Corp Liquid crystal display capable of repairing the defects of data line
JP4454961B2 (ja) 2003-05-12 2010-04-21 東芝モバイルディスプレイ株式会社 表示装置の表示回路、液晶表示装置、および表示装置の表示回路の制御方法
KR101006434B1 (ko) 2003-06-26 2011-01-06 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 이를 포함하는 액정 표시장치의 수리 방법
KR101006450B1 (ko) 2004-08-03 2011-01-06 삼성전자주식회사 액정 표시 장치
JP4083752B2 (ja) 2005-01-31 2008-04-30 三菱電機株式会社 アクティブマトリクス基板及びその製造方法
JP4829534B2 (ja) 2005-05-31 2011-12-07 シャープ株式会社 薄膜トランジスタマトリクス基板及びその欠陥修復方法
KR101306239B1 (ko) 2006-11-03 2013-09-17 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그의 불량 화소 복구 방법
JP5115001B2 (ja) 2007-03-29 2013-01-09 カシオ計算機株式会社 表示パネル及びそれを用いたマトリックス表示装置
KR101443380B1 (ko) 2007-11-23 2014-09-26 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11716883B2 (en) 2020-09-25 2023-08-01 Samsung Display Co., Ltd. Light emitting diode display device

Also Published As

Publication number Publication date
US20130335667A1 (en) 2013-12-19
US20120081274A1 (en) 2012-04-05
US20160139473A1 (en) 2016-05-19
US10209588B2 (en) 2019-02-19
KR20120033584A (ko) 2012-04-09
US8514338B2 (en) 2013-08-20
US20180292723A1 (en) 2018-10-11
US9274393B2 (en) 2016-03-01
US10007158B2 (en) 2018-06-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101820032B1 (ko) 박막 트랜지스터 기판, 액정 표시 장치 및 이들의 리페어 방법
US7505106B2 (en) Substrate for a display device, a method for repairing the same, a method for repairing a display device and a liquid-crystal display device
JP4108078B2 (ja) アクティブマトリクス基板及び表示装置
KR20060046241A (ko) 액정표시소자
JP2005316489A (ja) 表示装置とそれに生じる欠陥の修復方法
JP2005326834A (ja) Ｌｃｄパネル構造とその形成方法
US9419017B2 (en) Active matrix substrate, display device, and short circuit defect correction method for active matrix substrate
KR20070074998A (ko) 액정 표시 장치와 그 제조 방법 및 리페어 방법
KR20080024278A (ko) 박막 트랜지스터 표시판 및 이를 포함하는 액정 표시 장치
KR20080087839A (ko) 액티브 매트릭스 기판, 표시 장치, ｔｖ 수상기, 액티브매트릭스 기판의 결함 수정 방법
CN109154750B (zh) 液晶显示装置
JP2005018080A (ja) 薄膜トランジスタ表示板及びこれを含む液晶表示装置の修理方法
JP2004361700A (ja) 表示装置
CN109946893B (zh) 显示装置
KR100806811B1 (ko) 액정 표시 장치 및 이의 리페어 방법
KR20090099281A (ko) 박막 트랜지스터 기판 및 이의 리페어 방법
KR101759557B1 (ko) 공통배선을 포함하는 액정표시장치의 어레이기판
KR20080056830A (ko) 액정표시장치 및 이의 리페어 방법
KR100720084B1 (ko) 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판
KR20080003176A (ko) 액정표시장치
WO2013084852A1 (ja) アクティブマトリクス型表示装置
JP2007328356A (ja) 表示装置用基板、その修正方法、表示装置の修正方法及び液晶表示装置
KR20170122905A (ko) 액정 표시 장치 및 그 수리 방법
US9110342B2 (en) TFT array substrate, liquid crystal panel having the same, and method of manufacturing the TFT array substrate
KR20010064400A (ko) 데이터 라인 오픈 리페어용 수단이 구비된 박막트랜지스터 액정표시장치

Legal Events

Date Code Title Description
N231 Notification of change of applicant
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right