CN110488548B - 一种阵列基板和车载显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种阵列基板和车载显示装置,以解决现有技术中Dual Gate显示产品存在同一数据线两侧的子像素有一侧的像素发生闪烁的问题。所述阵列基板的所述第一晶体管包括:配置为与像素电极连接的源极、漏极、栅极、以及与所述栅极连接的补偿栅极,所述源极与所述栅极的交叠区和所述源极与所述补偿栅极的交叠区之和为第一交叠区;所述第二晶体管包括:配置为与像素电极连接的源极、漏极、栅极、以及与所述栅极连接的补偿栅极,所述源极与所述栅极的交叠区和所述源极与所述补偿栅极的交叠区之和为第二交叠区;所述第一交叠区和所述第二交叠区的面积相等。

Description

一种阵列基板和车载显示装置
技术领域
本发明涉及显示领域,尤其涉及一种阵列基板和车载显示装置。
背景技术
随着显示器件的发展,液晶显示器已广泛地应用于日常生活中,如手机屏幕、电脑显示屏、车载显示屏等。
双栅(Dual Gate)驱动设计能减少一半Data IC的引脚数量,能有效降低生产成本。但是在设计上会造成相邻子像素对应的晶体管结构不对称的情况,进而导致Dual Gate显示产品在进行画面测试时,会存在数据线一侧的子像素在相邻两帧不发生闪烁时,数据线另一侧相邻的子像素在相邻两帧时会发生闪烁的问题。
发明内容
本发明提供一种阵列基板和车载显示装置,以解决现有技术中Dual Gate显示产品存在同一数据线两侧的子像素有一侧的像素发生闪烁的问题。
本发明实施例提供一种阵列基板,包括:位于衬底基板上的多个沿第一方向延伸的双栅线构成的栅线组,每间隔一行像素设置一组所述栅线组;
多条沿第二方向延伸的数据线,每间隔两列像素设置一条数据线,相邻两列像素与同一条所述数据线连接;
以及位于相邻所述栅线组之间的多个像素电极组,每一所述像素电极组包括分别位于一所述数据线两侧的两个像素电极,两个所述像素电极分别通过第一晶体管和第二晶体管与同一条所述数据线电连接;
所述第一晶体管包括:配置为与像素电极连接的源极、漏极、栅极、以及与所述栅极连接的补偿栅极,所述源极与所述栅极的交叠区和所述源极与所述补偿栅极的交叠区之和为第一交叠区;
所述第二晶体管包括:配置为与像素电极连接的源极、漏极、栅极、以及与所述栅极连接的补偿栅极,所述源极与所述栅极的交叠区和所述源极与所述补偿栅极的交叠区之和为第二交叠区;
所述第一交叠区和所述第二交叠区的面积相等。
在一种可能的实施方式中,与所述两个像素电极分别相连的第一晶体管和第二晶体管的源极、栅极、漏极、补偿栅极关于所述两个像素电极两侧的栅线之间的数据线段的中心对称设置;
所述第一晶体管或所述第二晶体管的所述源极和所述补偿栅极均沿同一方向延伸。
在一种可能的实施方式中,所述第一晶体管或所述第二晶体管的源极和所述补偿栅极为条状且均沿所述第一方向延伸;所述补偿栅极设置在所述源极的远离所述漏极的一端且与所述源极位于不同层。
在一种可能的实施方式中,所述第一晶体管或所述第二晶体管的所述栅极与所述补偿栅极通过栅线连接。
在一种可能的实施方式中,所述补偿栅极与所述栅线之间通过连接部耦接;
所述显示面板还包括位于相邻所述像素电极组之间的第一信号线,所述连接部在所述衬底基板的正投影与所述第一信号线在所述衬底基板的正投影不交叠。
在一种可能的实施方式中,所述第一晶体管的源极包括:主体部,以及由所述主体部沿所述第一方向朝所述栅极所在区域延伸的延伸部;
所述延伸部与所述栅极之间存在所述第一交叠区域;
所述主体部与所述补偿栅极之间存在所述第二交叠区域;
所述补偿栅极在所述第二方向的宽度与所述延伸部在所述第二方向的宽度相同。
在一种可能的实施方式中,所述主体部为块状,在所述第二方向上的宽度大于所述延伸部的宽度。
在一种可能的实施方式中,所述第一晶体管的漏极为U型状,所述延伸部深入所述U型状漏极的开口中;
所述U型状漏极的底部与所述数据线相连,所述U型状漏极的侧部沿所述第一方向延伸;
所述U型状漏极的投影位于所述栅极内;
所述源极的主体部覆盖所述补偿栅极的至少部分。
在一种可能的实施方式中,位于同一列和同一行的所述第一晶体管和所述第二晶体管周期性重复排列。
本发明实施例还提供一种车载显示装置,包括如本发明实施例提供的所述阵列基板。
本发明实施例有益效果如下:本发明实施例提供的阵列基板,第一所述晶体管包括:配置为与像素电极连接的源极、漏极、栅极、以及与所述栅极连接的补偿栅极,所述源极与所述栅极的交叠区和所述源极与所述补偿栅极的交叠区之和为第一交叠区;第二所述晶体管包括:配置为与像素电极连接的源极、漏极、栅极、以及与所述栅极连接的补偿栅极,所述源极与所述栅极的交叠区和所述源极与所述补偿栅极的交叠区之和为第二交叠区;所述第一交叠区和所述第二交叠区的面积相等,即,本发明实施例提供的阵列基板,通过对每一晶体管设置补偿栅极,使同一像素电极组的晶体管的寄存电容相同,进而相邻两个子像素所需要的△Vp相同,在提供同一公共电压时,可以使数据线一侧的子像素在相邻帧时使液晶的偏转程度相同,也可以使数据线另一侧的相邻的子像素在相邻帧时也使液晶的偏转程度相同,进而可以改善决现有技术中Dual Gate显示产品存在同一数据线两侧的子像素有一侧的像素发生闪烁的问题。
附图说明
图1为本发明实施例提供的一种阵列基板的俯视结构示意图;
图2为本发明实施例提供的一个像素电极组的结构示意图;
图3为源漏极层相对于栅极层未发生偏移时的结构示意图;
图4为源漏极层相对于栅极层发生偏移后的结构示意图;
图5为本发明实施例提供的一种数据线不同侧子像素在同一公共电压下的获得的像素电压的分布示意图;
图6为本发明实施例提供的设置有连接部的阵列基板的俯视结构示意图;
图7为本发明实施例提供的设置有第一信号线的阵列基板的俯视结构示意图;
图8为本发明实施例提供的一种阵列基板的制作流程示意图。
具体实施方式
为了使得本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本公开实施例的附图,对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例是本公开的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例,本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本公开保护的范围。
除非另外定义,本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性,而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同,而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接,而是可以包括电性的连接,不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系,当被描述对象的绝对位置改变后,则该相对位置关系也可能相应地改变。
为了保持本公开实施例的以下说明清楚且简明,本公开省略了已知功能和已知部件的详细说明。
参见图1和图2所示,本发明实施例提供一种阵列基板,包括:位于衬底基板上的多个沿第一方向A到B指示的箭头(第一方向例如具体可以是如图1中的横向)延伸的双栅线构成的栅线组1(每一栅线组1具体可以包括两条栅线11,例如由上至下方向的第二个栅线组1可以包括两条栅线,分别为第二栅线Gate2和第三栅线Gate3),每间隔一行像素设置一组栅线11;
多条沿第二方向C到D指示的箭头(第二方向例如具体可以是如图1中的竖向)延伸的数据线21(数据线21具体可以是如图1中的D1、D2、D3、D4),每间隔两列像素设置一条数据线21,相邻两列像素与同一条数据线21连接;
以及位于相邻栅线组1之间的多个像素电极组5,每一像素电极组5包括分别位于一数据线21两侧的两个像素电极,例如,如图1所示,每一像素电极组5包括位于数据线21左侧的第一像素电极51和位于数据线21右侧的第二像素电极52,两个像素电极分别通过第一晶体管T1和第二晶体管T2与同一条数据线21电连接,例如,图1中左上方的第一个像素电极组5的第一像素电极51通过第一晶体管T1与左起的第一条数据线21电连接,左上方的第一个像素电极组5的第二像素电极52通过第二晶体管T2与左起的第一条数据线21电连接。
结合图2所示,第一晶体管T1包括:配置为与像素电极连接的源极23、漏极22、栅极12、以及与栅极12连接的补偿栅极13,源极23与栅极12的交叠区和源极23与补偿栅极13的交叠区之和为第一交叠区;
第二晶体管T2包括:配置为与像素电极连接的源极23、漏极22、栅极12、以及与栅极12连接的补偿栅极13,源极23与栅极12的交叠区和源极23与补偿栅极13的交叠区之和为第二交叠区;
第一交叠区和第二交叠区的面积相等。
即,源极23与栅极12之间具有第一电容C1,源极23与补偿栅极13之间具有补偿电容Cs,同一像素电极组5中的两个像素电极分别电连接的两个晶体管(如图2中的第一晶体管T1和第二晶体管T2)的寄存电容C相同,寄存电容C为第一电容C1与补偿电容Cs之和。晶体管在将像素电极与数据线21连接时,具体可以是晶体管的栅极12与栅线11电连接,漏极22与数据线21电连接,源极23与像素电极(第一像素电极51或第二像素电极52)电连接,在栅线11加载有效信号时,晶体管的源极23与漏极22导通,将数据线21的有效信号加载到像素电极。同一像素电极组5的两个像素电极通过晶体管分别电连接于该像素电极组5上下两侧的两条不同的栅线11。
本发明实施例有益效果如下:本发明实施例提供的阵列基板,第一或第二晶体管包括:源极23,栅极12,以及补偿栅极13;源极23与栅极12之间具有第一电容C1,源极23与补偿栅极13之间具有补偿电容Cs,第一交叠区和第二交叠区的面积相等,可以使同一像素电极组5电连接的两个晶体管的寄存电容C相同,寄存电容C为第一电容C1与补偿电容Cs之和,即,本发明实施例提供的阵列基板,通过对每一晶体管设置补偿栅极13,使同一像素电极组5的两个晶体管的寄存电容C相同,进而使相邻两个子像素的△Vp(理想的Pixel电压与实际的Pixel电压的差值)相同,在提供同一公共电压时,可以使数据线21一侧的子像素在相邻帧时使液晶的偏转程度相同,不发生闪烁,也可以使数据线21另一侧的相邻的子像素在相邻帧时也使液晶的偏转程度相同,不发生闪烁,可以改善决现有技术中Dual Gate显示产品存在同一数据线21两侧的子像素有一侧的像素发生闪烁的问题。相比于现有技术,可以避免由于工艺波动使栅极层和源漏极层之间发生偏移,造成Dual Gate产品相邻子像素对应的晶体管的Cgs(栅极与源极形成的电容)不同,△Vp不同,所需最佳的公共电压(VCOM)不同,进行画面测试时,例如,进行102A Pattern的Flicker Pattern图案测试,采用1+2dot反转方式(待测试显示的画面为静态画面,同一像素在相邻两帧所加的像素电极的电压的大小相同,正负相反),若同一根数据线(Date线)右侧子像素在相邻两帧电压若呈现对称状态,不闪烁,但是左侧像素由于△Vp比右侧大,正负电压偏离VCOM中心,则发生闪烁的问题。
需要说明的是,对于传统的Dual Gate显示产品,其△Vp与Cgs一般存在如下关系:
Figure BDA0002201031560000071
其中,△Vp为理想的Pixel电压与实际的Pixel电压的差值,Cgs为栅极与源极形成的电容,CLC为液晶电容,Cst为存储电容,Vgh为晶体管的开启电压,Vgl为晶体管的关闭电压;
在SD相对于Gate层向右轻微Shift时,结合图3和图4所示,其中,图3为SD相对于Gate层未发生偏移时的像素结构示意图,图4为SD相对于Gate层向右发生偏移的像素结构示意图。可知,在发生偏移后,对于左边的子像素,发生偏移后的L1较未发生偏移时的L1变大,即,舌头形源极23与栅极12交叠面积增大,Cgs会变大;而对于右边的子像素,发生偏移后的L2较未发生偏移时的L2变小,即,舌头形源极23与栅极12交叠面积减小,Cgs会变小,导致同一数据线两侧相邻子像素Cgs不一致,进而导致△Vp不同,左侧的△Vp偏大;
结合图5所示,液晶在相邻画面帧进行偏转时,若向公共电极(公共电极与像素电极形成压差使液晶进行偏转)施加一公共电压Vcom,该公共电压Vcom可以使同一根数据线(data)线右侧子像素在第N帧和第N+1帧的像素电极的电压关于公共电压Vcom对称,即,在该相邻两帧,该右侧子像素的像素电压与公共电压的压差相同,液晶偏转程度相同,表现为不闪烁;但是左侧子像素由于△Vp大,第N帧和第N+1帧时,施加大小相同、正负相反的像素电压,第N帧和第N+1帧的实际像素电压关于公共电压Vcom不对称(左侧子像素N帧和N+1帧电压的对称中心为点线位置处),所以左侧子像素第N帧和第N+1帧电压的中心偏离Vcom(正帧亮度偏暗多,负帧亮度偏亮多),像素亮度不同,表现为闪烁。而若给入图5点线位置处所表示的电压,则左侧子像素可以获得最佳VCOM,而右侧子像素则会发生闪烁。
而本发明实施例中,结合图2所示,通过对每一晶体管设置补偿栅极13,若SD相对于Gate层向右轻微Shift后,左边的子像素的寄存电容C不变(源极23与栅极12之间的第一电容C1变大,源极23与补偿栅极13之间的补偿电容Cs减小,整体寄存电容C不变),同理,右边的寄存电容C不变(源极23与栅极12之间的第一电容C1变小,源极23与补偿栅极13之间的补偿电容Cs变大,整体寄存电容C不变)。在Vgh-Vgl以及CLC和Cst相同时,相邻两列△Vp相同,在最佳公共电压VCOM下解决了闪烁(Flicker)的问题。
在具体实施时,对于调整同一数据线两侧的两个晶体管的寄存电容C,可以根据影响电容大小的各个因素进行相应控制。具体的,结合图2所示,每一个晶体管中,源极23与栅极12之间存在第一交叠区域,源极23与补偿栅极13之间存在第二交叠区域,各晶体管的第一交叠区域与第二交叠区域的面积之和相同。本发明实施例中,通过控制源极23与栅极12,源极23与补偿栅极13之间的交叠区域实现对电容的控制,可以以较简单的方式实现使同一像素电极组5电连接的两个晶体管的寄存电容相同。
在具体实施时,补偿栅极13与栅极12同层同材质,可以通过一次构图形成。
在具体实施时,结合图1和图2所示,两个像素电极相连的第一晶体管和第二晶体管的源极23、栅极12、漏极22、补偿栅极13关于两个像素电极两侧的栅线11之间的数据线段S的中心H对称设置。
因第一晶体管和第二晶体管关于两个像素电极两侧的栅线11之间的数据线段的中心对称设置(旋转180度图像重叠),则第一晶体管和第二晶体管的结构和形状类似,下面仅描述第一晶体管,不赘述第二晶体管。
第一晶体管T1的源极23和补偿栅极13均沿同一方向延伸。可以是沿着第一方向延伸或第二方向延伸。
在具体实施时,沿着第二方向延伸,则U型漏极开口朝向栅线设置。所述源极23和补偿栅极13整体上为条状,二者可以设置在栅线的同一侧,也可以设置在不同侧。
在另一场景具体实施时,结合图1和图2所示,第一晶体管T1的源极23和补偿栅极13为条状且均沿第一方向延伸;补偿栅极13设置在源极23的远离漏极22的一端且与源极23位于不同层。
一般的U型漏极开口朝向像素电极的方向,与开口朝向与栅线延伸方向一致。
在具体实施时,结合图1和图2所示,同一晶体管中,补偿栅极13与栅极12均位于一条栅线11的相同侧,并设置在靠近与该晶体管相连的像素电极的一侧。即,例如,如图2所示,对于上侧的第一晶体管T1,栅极12电连接于栅线11的下侧,补偿栅极13也电连接于栅线11的下侧。本发明实施例中,同一晶体管中,补偿栅极13与栅极12均电连接于一条栅线11的相同侧,在源漏极层相对栅极层发生左右偏移时(在第一方向上的移动导致的偏移),可以保证使总的寄存电容不变。
在具体实施时,参见图2所示,源极23和补偿栅极13均沿第一方向(即沿图2中的横向)延伸,补偿栅极13和栅极12分别位于源极23的延伸方向的两侧。本发明实施例中,源极23沿第一方向延伸,则补偿栅极13也沿第一方向延伸,且补偿栅极13和栅极12分别位于源极23的延伸方向的两侧,可以在源漏极层相对栅极层发生例如向右的偏移时,在数据线左侧的子像素对应的晶体管,由于补偿电极13与源极23的第二交叠区域减小导致补偿电容减小时,栅极12与源极23的第一交叠区域会变大,进而第一电容会增大,可以使总的寄存电容保持不变;同理,对于数据线右侧的子像素对于的晶体管,源漏极层相对栅极层发生例如向右的偏移时,会使栅极12与源极23的第一交叠区域减小,进而第一电容会减小,而补偿栅极13与源极23的第二交叠区域会增大,可以使总的寄存电容不变。
在具体实施时,结合图2所示,补偿栅极13与栅极12之间具有第一间距L3;各晶体管的第一间距L1相同,例如,数据线21左侧的晶体管的补偿栅极13与栅极12之间的第一间距L1,与数据线21右侧的晶体管的补偿栅极13与栅极12之间的第一间距L3相同。本发明实施例中,各晶体管的第一间距L3相同,可以保证源漏极层相对于栅极层进行左右移动时,同一数据线21两侧的两个晶体管的寄存电容的变化量相同,进而使在变化前后两侧的寄存电容相同。
在具体实施时,第一晶体管T1的栅极12与补偿栅极13通过栅线11连接。具体的,参见图6所示,补偿栅极13与栅线11之间通过连接部14耦接。在具体实施时,参见图7所示,显示面板还包括位于相邻像素电极组5之间的第一信号线4,连接部14在衬底基板的正投影与第一信号线4在衬底基板的正投影不交叠。本发明实施例中,连接部14与第一信号线4不交叠,保证在避免闪烁问题的同时也不形成其它的寄生电容,以免对显示面板的正常显示造成其它方面的影响。第一信号线具体可以是为公共电极提供信号的公共电极信号线。具体的,晶体管具体还可以包括有源层3。阵列基板还可以包括有公共电极层(图中未示出),公共电极层具体可以为一整层,在与像素电极对应的区域还可以设置有条状狭缝6。
在具体实施时,参见图7所示,第一晶体管以及第二晶体管的源极23包括:主体部231,以及由主体部沿第一方向朝栅极12所在区域延伸的延伸部232;
延伸部232与栅极12之间存在第一交叠区域;
主体部与231补偿栅极13之间存在第二交叠区域;
补偿栅极13在第二方向(具体可以为图7中的竖向)的宽度与延伸部232在第二方向(具体可以为图7中的竖向)的宽度相同。
本发明实施例中,补偿栅极13与延伸部232的宽度相同,保证同一晶体管在左右偏移过程中,减小的电容与增大的电容相同,即,例如,源漏极层相对与栅极层向右移动时,对于左侧子像素而言,由于补偿栅极13的宽度与延伸部232的宽度相同,补偿栅极13与源极23形成的补偿电容Cs减小的值,与栅极12与源极23形成的第一电容C1增大的值相同,进而使总的寄存电容相同,同理,也可以使右侧子像素的寄存电容相同。
在具体实施时,主体部231为块状,在第二方向上的宽度大于延伸部232的宽度。本发明实施例中,主体部231在第二方向上的宽度大于延伸部232的宽度,可以保证源漏极层相对与栅极层在上下偏移过程中,同一晶体管中,减小的电容与增大的电容相同,总电容不变。
在具体实施时,参见图7所示,第一晶体管T1的漏极22为U型状,延伸部232深入U型状漏极22的开口中;
U型状漏极22的底部与数据线21相连,U型状漏极22的侧部沿第一方向延伸;
U型状漏极22的投影位于栅极12内;
源极23的主体部231覆盖补偿栅极13的至少部分。
在具体实施时,各晶体管的补偿栅极13在第一方向上的长度相同。
在具体实施时,位于同一列和同一行的第一晶体管T1和第二晶体管T2周期性重复排列。
在具体实施时,阵列基板的制作过程具体可以如图8所示,其中,在有源层(Active)之后,以及在源漏极层(SD)之前制作的氧化铟锡(ITO)可以作为像素电极层,在钝化层(PVX)之后制作的2ITO可以作为公共电极层。
基于同一发明构思,本发明实施例还提供一种液晶显示面板,包括如本发明实施例提供的阵列基板。
基于同一发明构思,本发明实施例还提供一种车载显示装置,包括如本发明实施例提供的阵列基板。车载显示产品需要在更加严苛(高温、高湿)情况下运行,相对于其它消费品有更高的要求。本发明实施例提供的显示装置,可以适用于使用环境更恶劣的车载显示。
本发明实施例有益效果如下:本发明实施例提供的阵列基板,第一或第二晶体管包括:源极23,栅极12,以及补偿栅极13;源极23与栅极12之间具有第一电容C1,源极23与补偿栅极13之间具有补偿电容Cs,第一交叠区和第二交叠区的面积相等,可以使同一像素电极组5电连接的两个晶体管的寄存电容C相同,寄存电容C为第一电容C1与补偿电容Cs之和,即,本发明实施例提供的阵列基板,通过对每一晶体管设置补偿栅极13,使同一像素电极组5的两个晶体管的寄存电容C相同,进而使相邻两个子像素的△Vp(理想的Pixel电压与实际的Pixel电压的差值)相同,在提供同一公共电压时,可以使数据线21一侧的子像素在相邻帧时使液晶的偏转程度相同,不发生闪烁,也可以使数据线21另一侧的相邻的子像素在相邻帧时也使液晶的偏转程度相同,不发生闪烁,可以改善决现有技术中Dual Gate显示产品存在同一数据线21两侧的子像素有一侧的像素发生闪烁的问题。相比于现有技术,可以避免由于工艺波动使栅极层和源漏极层之间发生偏移,造成Dual Gate产品相邻子像素对应的晶体管的Cgs(栅极与源极形成的电容)不同,△Vp不同,所需最佳的公共电压(VCOM)不同,进行画面测试时,例如,进行102A Pattern的Flicker Pattern图案测试,采用1+2dot反转方式(待测试显示的画面为静态画面,同一像素在相邻两帧所加的像素电极的电压的大小相同,正负相反),若同一根数据线(Date线)右侧子像素在相邻两帧电压若呈现对称状态,不闪烁,但是左侧像素由于△Vp比右侧大,正负电压偏离VCOM中心,则发生闪烁的问题。
显然,本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样,倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内,则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (9)

1.一种阵列基板,其特征在于,包括:位于衬底基板上的多个沿第一方向延伸的双栅线构成的栅线组,每间隔一行像素设置一组所述栅线组;
多条沿第二方向延伸的数据线,每间隔两列像素设置一条数据线,相邻两列像素与同一条所述数据线连接;
以及位于相邻所述栅线组之间的多个像素电极组,每一所述像素电极组包括分别位于一所述数据线两侧的两个像素电极,两个所述像素电极分别通过第一晶体管和第二晶体管与同一条所述数据线电连接;
所述第一晶体管包括:配置为与像素电极连接的源极、漏极、栅极、以及与所述栅极连接的补偿栅极,所述源极与所述栅极的交叠区和所述源极与所述补偿栅极的交叠区之和为第一交叠区;
所述第二晶体管包括:配置为与像素电极连接的源极、漏极、栅极、以及与所述栅极连接的补偿栅极,所述源极与所述栅极的交叠区和所述源极与所述补偿栅极的交叠区之和为第二交叠区;
所述第一交叠区和所述第二交叠区的面积相等;
所述第一晶体管的源极包括:主体部,以及由所述主体部沿所述第一方向朝所述栅极所在区域延伸的延伸部;所述主体部为块状,在所述第二方向上的宽度大于所述延伸部的宽度。
2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,与所述两个像素电极分别相连的第一晶体管和第二晶体管的源极、栅极、漏极、补偿栅极关于所述两个像素电极两侧的栅线之间的数据线段的中心对称设置;
所述第一晶体管或所述第二晶体管的所述源极和所述补偿栅极均沿同一方向延伸。
3.如权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述第一晶体管或所述第二晶体管的源极和所述补偿栅极为条状且均沿所述第一方向延伸;所述补偿栅极设置在所述源极的远离所述漏极的一端且与所述源极位于不同层。
4.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一晶体管或所述第二晶体管的所述栅极与所述补偿栅极通过栅线连接。
5.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述补偿栅极与所述栅线之间通过连接部耦接;
所述阵列基板还包括位于相邻所述像素电极组之间的第一信号线,所述连接部在所述衬底基板的正投影与所述第一信号线在所述衬底基板的正投影不交叠。
6.如权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,所述延伸部与所述栅极之间存在所述第一交叠区域;
所述主体部与所述补偿栅极之间存在所述第二交叠区域;
所述补偿栅极在所述第二方向的宽度与所述延伸部在所述第二方向的宽度相同。
7.如权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,所述第一晶体管的漏极为U型状,所述延伸部深入所述U型状漏极的开口中;
所述U型状漏极的底部与所述数据线相连,所述U型状漏极的侧部沿所述第一方向延伸;
所述U型状漏极的投影位于所述栅极内;
所述源极的主体部覆盖所述补偿栅极的至少部分。
8.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,位于同一列和同一行的所述第一晶体管和所述第二晶体管周期性重复排列。
9.一种车载显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-8任一项所述的阵列基板。
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