CN1959508A - 一种tft lcd阵列基板结构和制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种TFT LCD阵列基板结构，包括：基板，形成在基板上的一组栅极扫描线和一种数据扫描线，相邻的栅极扫描线和数据扫描线定义一个亚像素区域，亚像素区域包括薄膜晶体管和像素电极，其中还包括补偿寄生电容结构。所述补偿寄生电容结构包括补偿栅极、补偿有源层、补偿源极、钝化层、及使补偿源极同像素电极相连的过孔。本发明同时公开了该阵列基板结构的制造方法。本发明在工艺不稳定，寄生电容Cgs交叠面积变化时，可以通过寄生电容Cgs’起到自补偿功能，使每个像素的总寄生电容Cgs_总恒定不变，从而使像素间的ΔVp偏差保持一致，减小画面闪烁(Flicker)和画面灰度不均匀(Mura)现象。

Description

一种TFT LCD阵列基板结构和制造方法

技术领域

本发明涉及一种TFT LCD(薄膜晶体管液晶显示器)阵列基板的结构和制造方法，尤其涉及一种TFT LCD的阵列基板自补偿寄生电容结构和制造方法。

背景技术

TFT LCD技术中，依靠排列成矩阵的像素点的亮度变化来实现画面的显示。一个TFT LCD包含许多个像素，每个像素由RGB三个亚像素构成，可以显示256种灰度变化。要显示一幅我们想要的画面，就要控制每个亚像素上的灰度。当某一行上的栅电极(Gate)加上开启电压Von，TFT(薄膜晶体管)器件打开时，漏、源极导通，给定的信号从数据线上加到亚像素的像素电极上。在公共电极电压不变的情况下，亚像素像素电极上一定的电压，决定了对应亚像素区域上一定的灰度。但是因为栅极和源极存在一定的交叠，并因此产生了寄生电容Cgs，当栅电极上加上关闭电压Voff，TFT器件关闭的时候，Cgs会引起像素上电压的跳变，这样的电压变化称为ΔVp。计算公式为：ΔVp＝[Cgs/(Clc+Cgs+Cst)]ΔVg，式中Cgs是寄生电容，Clc是液晶层的电容，Cst是存贮电容，ΔVg是栅线Von与Voff的电压差。如果工艺条件不稳定产生源极相对栅极的移动时，相邻或相近像素栅极和源极的交叠面积不一致，就会形成ΔVp’，其中ΔVp’＝ΔVp1-ΔVp2，ΔVp1，ΔVp2是相邻或相近像素的ΔVp数值。如果ΔVp’不等于0，就会使相邻或相近像素的灰度不均匀从而产生许多画面品质的不良如Mura等。

现有技术的TFT LCD亚像素结构设计，当栅极电压从Von变到Voff时，处在栅极和源极之间的寄生电容Cgs大小会对像素的灰度产生影响，当工艺稳定时，栅极和源极的交叠面积基本相同，Cgs大小基本相等，像素间的灰度基本恒定，不会出现画面灰度不均的现象，但当工艺条件不稳定产生源极相对栅极的移动时，栅极和源极的交叠面积发生变化导致Cgs大小不同，相邻或相近像素间的灰度不一致，某些区域亮度过高(发白)，某些区域亮度不足(发黑)，这样就会出现画面灰度不均的现象如Mura。

图1所示是现有技术中TFT LCD的各层薄膜结构示意图，依次为栅极金属层薄膜1a；栅极绝缘层薄膜2a；有源层薄膜3a；源漏极金属层薄膜4a；钝化层薄膜5a和像素电极薄膜6a。图2A所示是现有技术中TFT LCD阵列基板亚像素结构的俯视图；图3A所示是图2A中TFT开关部分的放大图；图3B是图3A中A-A部位的横截面图。结合图2A、图3A和图3B可以看出，阵列基板的亚像素结构基本上包括：形成在基板上的栅线和栅电极1，形成在栅电极1上的栅极绝缘层2，形成在栅极绝缘层2上的有源层3，形成在有源层3上的数据线4、漏极7和源极8，钝化层5覆盖数据线4和源、漏电极8、7等部分，其在源电极8的上方相应的形成钝化层过孔11，像素电极6形成在钝化层5上，并通过过孔11与源电极8相连，另外像素电极与栅极交叠区12构成存储电容。图2B所示的结构是在图2A所示的结构上增加了栅极金属层挡光条13，图2C所示的结构是在图2A所示的结构上增加了栅极金属层公共电极14；这三种亚像素结构的薄膜晶体管类似。

如图3A所示，其中的栅极和源极的交叠区9是一个矩形，如果某一型号的设计中栅极和源极的交叠区9的长a等于6μm，宽b等于30μm，那么在工艺条件稳定时，栅极和源极的交叠区9的面积是A＝6×30＝180μm²。当工艺不稳定时，这在生产过程中是在所难免的，又分两种情况，一种是源极8相对栅极1在竖直方向上产生移动，另一种是源极8相对栅极1在水平方向上产生移动，因为第一种情况在交叠区面积上不会产生影响，所以我们主要讨论源极8相对栅极1在水平方向上产生移动的情况，现在我们假设源极8相对栅极1在水平方向上向左产生1μm移动时，这时栅极和源极的交叠区9的长a变为7μm而宽b保持不变，这时栅极和源极的交叠区9的面积变为A_shift＝7×30＝210μm²，在介电常数和两个电极之间的距离不变的情况下，Cgs寄生电容的变化率为：(210-180)/180＝16.7％，根据公式

$\mathrm{\ΔVp}=\frac{\mathrm{Cgs}}{\mathrm{Cgs}+\mathrm{Clc}+\mathrm{Cst}}(\mathrm{Von}-\mathrm{Voff}),$ 其中Cgs是寄生电容，Clc是液晶的电容，Cst是储存电容，Von是栅极的开启电压，Voff是栅极的关闭电压，那么由此就会引起相邻或相近像素的ΔVp的差异的变化率大于16.7％，ΔVp变化进而使相邻或相近的像素的电压产生差异而导致mura的出现。图4所示为TFT LCD单个亚像素结构的电路图，图中N代表第n根栅线，N+1代表第n+1根栅线；图中M代表第m根数据线；N代表第n根数据线。

发明内容

本发明的目的是针对现有技术的缺陷，提供TFT LCD阵列基板自补偿寄生电容结构和制造方法，通过增加源极(Source)与栅极(Gate)间的寄生电容Cgs’，当工艺不稳定时，寄生电容Cgs交叠面积变化时，可以通过寄生电容Cgs’起到自补偿功能，使每个像素的总的寄生电容Cgs_总恒定不变，从而使像素间的ΔVp偏差保持一致，减小画面闪烁(Flicker)和画面灰度不均匀(Mura)现象对画面品质的影响。

为了实现上述目的，本发明提供一种TFT LCD阵列基板结构，包括：基板，形成在基板上的一组栅极扫描线和一种数据扫描线，相邻的栅极扫描线和数据扫描线定义一个亚像素区域，亚像素区域包括薄膜晶体管和像素电极，其中上述结构还包括补偿寄生电容结构，补偿寄生电容结构底部同栅极扫描线连接，顶部同像素电极连接。

上述方案中，所述补偿寄生电容结构包括补偿栅极，补偿栅极同所述栅极扫描线电连接；补偿有源层、补偿有源层形成在补偿栅极之上；补偿源极、补偿源极形成在补偿有源层之上；形成在补偿源极上的钝化层及使补偿源极同像素电极相连的过孔。所述薄膜晶体管和补偿寄生电容结构垂直或平行于栅极扫描线。所述补偿栅极设置在薄膜晶体管栅极位置附近；所述补偿有源层同薄膜晶体管的有源层为一体结构；所述补偿源极同薄膜晶体管的源极为一体结构；所述使补偿源极同像素电极相连的过孔同薄膜晶体管的过孔为同一过孔。所述补偿栅极也可设置距薄膜晶体管栅极较远位置处；所述补偿有源层同薄膜晶体管的有源层为分离部分；所述补偿源极同薄膜晶体管的源极为分离部分，且宽度相同；所述使补偿源极同像素电极相连的过孔同薄膜晶体管的过孔为不同过孔。所述薄膜晶体管形成在栅极扫描线上。并且本发明的阵列基板结构还可包括挡光条和/或公共电极部分。所述补偿栅极是和栅极扫描线同一光刻工艺中完成制作的材料相同部分。所述源极是和数据扫描线、薄膜晶体管的源、漏极为同一光刻工艺中完成其制作的材料相同部分。所述补偿有源层和有源层具有相同的成分、结构、厚度和介电常数。所述像素电极的材料为氧化铟锡或氧化铟锌或氧化铝锌。

为了实现上述目的，本发明同时提供一种TFT LCD阵列基板结构的制造方法，包括：

步骤1，在基板上淀积栅金属薄膜，采用掩模版掩模，并通过曝光工艺和刻蚀工艺，形成栅极扫描线、栅极和补偿栅极；

步骤2，在完成步骤1的基板上，连续淀积栅极绝缘层薄膜有源层薄膜，采用掩模版掩模，并通过曝光工艺和刻蚀工艺有源层和补偿有源层；

步骤3，在完成步骤2的基板上，淀积源漏金属薄膜，采用掩模版掩模，并通过曝光工艺和刻蚀工艺，形成数据扫描线、漏极、源极、补偿源极。

步骤4，在完成步骤3的基板上，淀积钝化层薄膜，采用掩模版掩模，并通过曝光工艺和刻蚀工艺，形成源极部分的钝化层过孔和补偿源极部分的钝化层过孔。

步骤5，在完成步骤4的基板上，淀积像素电极薄膜，采用掩模版掩模，并通过曝光工艺和刻蚀工艺，形成像素电极并使像素电极通过步骤4中形成的过孔同源极和补偿源极连接。

上述方案中，所述步骤1中还包括形成公共电极或/和挡光条。所述步骤5中形成的像素电极部分搭接在栅极扫描线上。

相对于现有技术，本发明中通过增加栅极和源极之间的补偿寄生电容Cgs’，使像素间的总的寄生电容Cgs_总恒定保持不变，从而形成寄生电容Cgs自补偿的双寄生电容结构。该双寄生电容自补偿结构的好处是，当工艺条件不稳定产生移动时，传统的Cgs和新增加的Cgs’可以互相补偿，从而使栅极(Gate)和源极(Source)总的交叠面积保持恒定不变，也就是Cgs_总保持恒定不变，这样像素间由于寄存电容Cgs不均匀产生的影响就会消失，改善了产品画面品质和提高了产品成品率。

下面结合附图和具体实施例对本发明进行进一步更为详细地说明。

附图说明

图1是现有技术中TFT LCD的各层结构示意图；

图2A是现有技术中TFT LCD阵列基板亚像素结构的俯视图；

图2B是现有技术中有挡光条的TFT LCD阵列基板亚像素结构的俯视图；

图2C是现有技术中有公共电极线的TFT LCD阵列基板亚像素结构的俯视图；

图3A是图2A中TFT开关部分的放大图；

图3B是图3A中A-A部位的横截面图；

图4是现有技术中TFT LCD单个亚像素结构的电路图；

图5A是本发明第1种自补偿寄生电容结构Cgs’的设计图；

图5B是图5A中TFT开关部分的放大图；

图5C是图5B中B-B部位的横截面图；

图6A是本发明第2种自补偿寄生电容结构Cgs’的设计图；

图6B是图6A中TFT开关部分的放大图；

图7A是本发明第3种自补偿寄生电容结构Cgs’的设计图；

图7B是图7A中TFT开关部分的放大图；

图7C是图7B中C-C部位的横截面图；

图8A是本发明第4种自补偿寄生电容结构Cgs’的设计图；

图8B是图8A中TFT开关部分的放大图；

图9A是本发明第5种自补偿寄生电容结构Cgs’的设计图；

图9B是图9A中TFT开关部分的放大图；

图9C是图9B中D-D部位的横截面图；

图10A是本发明第6种自补偿寄生电容结构Cgs’的设计图；

图10B是图10A中TFT开关部分的放大图；

图11A是本发明第7种自补偿寄生电容结构Cgs’的设计图；

图11B是图11A中TFT开关部分的放大图；

图11C是图11B中E-E部位的横截面图；

图12A是本发明第8种自补偿寄生电容结构Cgs’的设计图；

图12B是图12A中TFT开关部分的放大图；

图13是本发明自补偿结构的双寄生电容的TFT LCD单个亚像素电路图；

图14是本发明栅金属层工艺完成后TFT俯视图；

图15是本发明有源层工艺完成后TFT俯视图；

图16是本发明源漏金属层工艺完成后TFT俯视图。

图中标记：1a、栅极金属层薄膜；2a、栅极绝缘层薄膜；3a、有源层薄膜；4a、源漏极金属层薄膜；5a、钝化层薄膜；6a、像素电极层薄膜；1、栅极；2、栅极绝缘层；3、有源层；4、数据线，5、钝化层、6、像素电极；7、漏极；8、源极；9、栅极和源极的交叠区；10、补偿源极与补偿栅极交叠区；11、过孔；12、像素电极与栅极交叠区；13、栅极金属层挡光条；14、栅极金属层公共电极；15、补偿栅极；16、补偿有源层；17补偿源极。

具体实施方式

实施例1

图5A是本发明第1种自补偿寄生电容结构的具体实施例，如图5A所示，该自补偿寄生电容结构除了包含形成寄生电容Cgs的栅极和源极的交叠区9还包括一个补偿源极与补偿栅极交叠区10，以形成补偿寄生电容Cgs’；本实施例中寄生电容Cgs和补偿寄生电容Cgs’分别形成在靠近水平方向的薄膜晶体管位置处。图5B是图5A中TFT开关部分的放大图；图5C是图5B中B-B部位的横截面图。如图5B和图5C所示上述各图所示，本TFT LCD阵列结构包含一组栅极扫描线和一组数据扫描线4，相邻的栅极扫描线和数据扫描线定义了一个亚像素区域，每一个亚像素包含有一个TFT开关器件、栅极1、栅极绝缘层2、有源层3、数据线4、漏极7、源极8、栅极和源极交叠区9、钝化层5、过孔11、像素电极6，这些部分与现有技术亚像素结构并无差异，本实施例的特征在于，还包含补偿栅极15、形成在补偿栅极15上的补偿有源层16以及形成在补偿有源层16上的补偿源极17，其中补偿栅极和补偿源极交叠区10形成补偿的寄生电容Cgs’。另外，本实施例栅极1和补偿栅极15分开有一定距离，但是有源层3和补偿有源层16为一体结构，源极8和补偿源极17为一体结构，正是由于源极8和补偿源极17为一体结构，本实施例中钝化层过孔11可以仅为一个就能使源极8和补偿源极17通过过孔11与像素电极6相连。有时根据需要还可以在图示的亚像素结构上增加栅极金属层挡光条13和栅极金属层公共电极14等结构。

下面结合图5B来说明本实施例的自补偿原理，本实施例是在原来的基础上增加了一个补偿的寄生电容Cgs’，其中补偿栅极15和补偿源极17中间夹杂着补偿有源层16就构成了我们所说的补偿寄生电容Cgs’，现在我们假设栅极1和源极8的交叠区9的长a还等于6μm，宽b等于30μm，补偿栅极15和补偿源极17的交叠区10的长a’等于3μm，宽b还等于30μm。当工艺稳定时，栅极1和源极8的交叠区9的面积是A＝6×30＝180μm²，补偿栅极15和补偿源极17的交叠区10的面积是B＝3×30＝90μm²，总的交叠区面积＝180+90＝270μm²，对于Cgs的稳定性及画面的显示品质没有问题。当工艺不稳定时，因为源极8相对栅极1竖直方向的移动不会对交叠区面积产生影响，现在我们还是假设源极8相对栅极1在水平方向上向左产生1μm移动，这时栅极1和源极8的交叠区9的长a变为7μm而宽b保持不变，栅极1和源极8的交叠区9的面积变为A’＝7×30＝210μm²，而补偿栅极15和补偿源极17的交叠区10的长a’变为2μm而宽b保持不变，补偿栅极15和补偿源极17的交叠区10的面积变为B’＝2×30＝60μm²，这时总的交叠区面积＝210+60＝270μm²，和工艺稳定情况下的总面积270μm²保持一致，这样就有效的避免了因工艺问题对Cgs产生变化的影响，根据公式 $\mathrm{\ΔVp}=\frac{\mathrm{Cgs}}{\mathrm{Cgs}+\mathrm{Clc}+\mathrm{Cst}}(\mathrm{Von}-\mathrm{Voff}),$ 相邻或相近像素间的ΔVp保持一致，像素间的灰度就可以保证均匀一致，从而有效的改善画面品质，大大降低因为画面显示不均匀导致mura的出现，提高产品的成品率。

实施例2

图6A是本发明第2种自补偿寄生电容结构的具体实施例。图6B是图6A中TFT开关部分的放大图。

如图6A和图6B所示，本实施例的亚像素结构同具体实施例1中所示基本相同，其同实施例1的区别在于交叠结构，实施例1的补偿寄生电容Cgs’为补偿源极17交叠在补偿栅极15的上方，本实施例中的补偿寄生电容Cgs’为补偿栅极15交叠补偿源极17之下型结构。

实施例3

图7A是本发明第3种自补偿寄生电容结构的具体实施例；图7B是图7A中TFT开关部分的放大图；图7C是图7B中C-C部位的横截面图。如图7A至图7C所示，本发明中薄膜晶体管和补偿寄生电容Cgs’分别设置在了靠近相邻数据扫描线的两边。其薄膜晶体管结构和现有技术中的薄膜晶体管相同，其寄生电容结构类似于具体实施例1。其区别于具体实施例1之处在于：本实施例中栅极1和补偿栅极15相距的位置较远，因此栅极绝缘层2上方形成的有源层3和补偿有源层16位分离为两部分，同样形成在有源层上方的源极8和补偿源极17也为分离的两部分，这样为了实现自补偿的功能，源极8和补偿源极17必须同时与像素电极6相连，因此在源极8和补偿源极17上方钝化层5需同时形成钝化层过孔(本实施例中为2个)。其具体的自补偿功能的原理同具体实施例1中相同。

实施例4

图8A是本发明第4种自补偿寄生电容结构的具体实施例；图8B是图8A中TFT开关部分的放大图。如图8A和图8B所示，本实施例的亚像素结构同具体实施例1中所示基本相同，其同实施例3的区别在于交叠结构，实施例3的补偿寄生电容Cgs’为补偿源极17交叠在补偿栅极15的上方，本实施例中的补偿寄生电容Cgs’为补偿栅极15交叠补偿源极17之下型结构。其具体的自补偿功能的原理同具体实施例1中相同。

实施例5

图9A是本发明第5种自补偿寄生电容结构的具体实施例；图9B是图9A中TFT开关部分的放大图；图9C是图9B中D-D部位的横截面图。如图9A至图9C所示。其薄膜晶体管结构和补偿寄生电容Cgs’结构类似于具体实施例1，其区别于具体实施例1之处在于，本实施例中薄膜晶体管及补偿寄生电容Cgs’位于栅线垂直方向，且薄膜晶体管部分形成在栅线上。其具体的自补偿功能的原理同具体实施例1中相同。

实施例6

图10A是本发明第6种自补偿寄生电容结构Cgs’的具体实施例；图10B是图10A中TFT开关部分的放大图。如图10A和图10B所示，本实施例的亚像素结构同具体实施例5中所示基本相同，其同实施例5的区别在于交叠结构，实施例5的补偿寄生电容Cgs’为补偿源极17交叠在补偿栅极15的上方，本实施例中的补偿寄生电容Cgs’为补偿栅极15交叠补偿源极17之下型结构。

实施例7

图11A是本发明第7种自补偿寄生电容结构Cgs’的具体实施例；图11B是图11A中TFT开关部分的放大图；图11C是图11B中E-E部位的横截面图。如图11A至图11C所示，本实施例中薄膜晶体管结构同其他实施例中的类似，但本实施例中薄膜晶体管成垂直方向形成在栅极扫描线上，另外本实施例中补偿寄生电容Cgs’形成在薄膜晶体管较远位置处，栅极1和补偿栅极15相距的位置也叫较远，因此栅极绝缘层2上方形成的有源层3和补偿有源层16位分离为两部分，同样形成在有源层上方的源极8和补偿源极17也为分离的两部分，这样为了实现自补偿的功能，源极8和补偿源极17必须同时与像素电极6相连，因此在源极8和补偿源极17上方钝化层5需同时形成钝化层过孔。另外，要实现本发明中的自补偿功能必需使源极8和补偿源极17的宽度相同。其具体的自补偿功能的原理同具体实施例1中相同。

实施例8

图12A是本发明第8种自补偿寄生电容结构Cgs’的具体实施例；图12B是图12A中TFT开关部分的放大图。如图12A和图12B所示，本实施例的亚像素结构同具体实施例7中所示基本相同，其同实施例7的区别在于交叠结构，实施例7的补偿寄生电容Cgs’为补偿源极17交叠在补偿栅极15的上方，本实施例中的补偿寄生电容Cgs’为补偿栅极15交叠补偿源极17之下型结构。

上述像素设计是本发明的一种典型结构，一共有八种类型，这些具有自补偿结构的双寄生电容的TFT LCD单个亚像素结构的电路图如图13所示，图中N代表第n根栅线，N+1代表第n+1根栅线；图中M代表第m根数据线；N代表第n根数据线。

总之，只要是防止工艺过程中Cgs变化抖动从而增加了自补偿双寄生电容Cgs的设计，也可以有其它形状和图案的像素结构，都是符合本发明范围的。

上述结构的TFT LCD可以通过下面的方法制造：

首先，使用磁控溅射方法，在玻璃基板上制备一层厚度在1000至7000的栅金属薄膜1a。栅金属材料通常使用钼、铝、铝镍合金、钼钨合金、铬、或铜等金属，也可以使用上述几种材料薄膜的组合。用栅极掩模版通过曝光工艺和刻蚀工艺，在玻璃基板的一定区域上形成栅极扫描线及栅极1和补偿栅极15，如图14所示。如图5C所示，栅极1和补偿栅极15具有相同的厚度和腐蚀后的坡度角。

然后，利用化学汽相沉积的方法在阵列基板上连续淀积1000到6000的栅极绝缘层薄膜2a和1000到6000的有源层薄膜3a，栅极绝缘层材料通常是氮化硅，也可以使用氧化硅和氮氧化硅等，用有源层的掩模版进行曝光后对非晶硅进行刻蚀，形成有源层3和补偿有源层16，如图15所示。有源层3和补偿有源层16具有相同的厚度和腐蚀后的坡度角，而栅金属和非晶硅之间的绝缘层起到阻挡刻蚀的作用。

接下来，采用和栅极金属类似的制备方法，在阵列基板上淀积一层类似于栅金属的厚度在1000到7000源漏金属薄膜4a。通过源漏极的掩模版在一定区域形成数据扫描线4、漏极7、源极8、补偿源极17、栅极和源极的交叠区9、补偿栅极和补偿源极的交叠区10，如图16所示。漏极7、源极8和补偿源极17具有相同的厚度和腐蚀后的坡度角。

随后，用和制备栅极绝缘层薄膜以及有源层薄膜相类似的方法，在整个阵列基板上沉积一层厚度在1000到6000的钝化层薄膜5a，其材料通常是氮化硅，通过钝化层的掩模版，利用曝光和刻蚀工艺形成源极部分的钝化层过孔11和补偿源极部分的钝化层过孔。

最后，在整个阵列基板上沉积一层厚度在100到1000的像素电极薄膜6a，其材料通常是氧化铟锡等，通过透明电极的掩模版，利用曝光和刻蚀工艺形成像素电极6。

以上所提出实施例为一种实现方法，也可以有其它的实现方法，通过选择不同的材料或材料组合完成或不同的光刻工艺，如3mask或4mask等工艺。在TFT位置、方向、补偿栅极和补偿源极的交叠方式上，TFT器件结构显然可以有各种修改和变化。而这些修改和变化都被包含在本发明的范围之内。

最后应说明的是，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制，尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当按照需要可使用不同材料和设备实现之，即可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的精神和范围。

Claims (14)

1、一种TFT LCD阵列基板结构，包括：基板，形成在基板上的一组栅极扫描线和一种数据扫描线，相邻的栅极扫描线和数据扫描线定义一个亚像素区域，亚像素区域包括薄膜晶体管和像素电极，其特征在于：还包括补偿寄生电容结构，补偿寄生电容结构底部同栅极扫描线连接，顶部同像素电极连接。

2、根据权利要求1所述的阵列基板结构，其特征在于：所述补偿寄生电容结构包括补偿栅极，补偿栅极同所述栅极扫描线电连接；补偿有源层、补偿有源层形成在补偿栅极之上；补偿源极、补偿源极形成在补偿有源层之上；形成在补偿源极上的钝化层及使补偿源极同像素电极相连的过孔。

3、根据权利要求2所述的阵列基板结构，其特征在于：所述薄膜晶体管和补偿寄生电容结构垂直或平行于栅极扫描线。

4、根据权利要求3所述的阵列基板结构，其特征在于：所述补偿栅极设置在薄膜晶体管的栅极位置附近；所述补偿有源层同薄膜晶体管的有源层为一体结构；所述补偿源极同薄膜晶体管的源极为一体结构；所述使补偿源极同像素电极相连的过孔同薄膜晶体管的过孔为同一过孔。

5、根据权利要求3所述的阵列基板结构，其特征在于：所述补偿栅极设置在距薄膜晶体管的栅极较远位置处；所述补偿有源层同薄膜晶体管的有源层为分离部分；所述补偿源极同薄膜晶体管的源极为分离部分，且宽度相同；所述使补偿源极同像素电极相连的过孔同薄膜晶体管的过孔为不同过孔。

6、根据权利要求5所述的阵列基板结构，其特征在于：所述薄膜晶体管形成在栅极扫描线上。

7、根据权利要求1至6任一所述的阵列基板结构，其特征在于：还包括挡光条和/或公共电极部分。

8、根据权利要求2、3、5和6任一所述的阵列基板结构，其特征在于：所述补偿栅极是和栅极扫描线同一光刻工艺中完成制作的材料相同部分。

9、根据权利要求2、3、5和6任一所述的阵列基板结构，其特征在于：所述源极是和数据扫描线、薄膜晶体管的源、漏极为同一光刻工艺中完成其制作的材料相同部分。

10、根据权利要求2、3、5和6任一所述的阵列基板结构，其特征在于：所述补偿有源层和薄膜晶体管的有源层具有相同的成分、结构、厚度和介电常数。

11、根据权利要求1至6任一所述的阵列基板结构，其特征在于：所述像素电极的材料为氧化铟锡、氧化铟锌或氧化铝锌。

12、一种TFT LCD阵列基板结构的制造方法，其特征在于，包括：

步骤1，在基板上淀积栅金属薄膜，采用掩模版掩模，并通过曝光工艺和刻蚀工艺，形成栅极扫描线、栅极和补偿栅极；

步骤2，在完成步骤1的基板上，连续淀积栅极绝缘层薄膜有源层薄膜，采用掩模版掩模，并通过曝光工艺和刻蚀工艺有源层和补偿有源层；

步骤3，在完成步骤2的基板上，淀积源漏金属薄膜，采用掩模版掩模，并通过曝光工艺和刻蚀工艺，形成数据扫描线、漏极、源极、补偿源极；

步骤4，在完成步骤3的基板上，淀积钝化层薄膜，采用掩模版掩模，并通过曝光工艺和刻蚀工艺，形成源极部分的钝化层过孔和补偿源极部分的钝化层过孔；

步骤5，在完成步骤4的基板上，淀积像素电极薄膜，采用掩模版掩模，并通过曝光工艺和刻蚀工艺，形成像素电极并使像素电极通过步骤4中形成的过孔同源极和补偿源极连接。

13、根据权利要求12所述的制造方法，其特征在于：所述步骤1中还包括形成公共电极或/和挡光条。

14、根据权利要求12所述的制造方法，其特征在于：所述步骤5中形成的像素电极的部分搭接在栅极扫描线上。

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