TW318276B - - Google Patents

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Description

經濟部中央標準局員工消費合作社印装 31S276 A7 ____JB7_^__ 五、發明説明（丨） 技術領域 本發明係關於適宜低電阻配線之形成之配線膜及配線 膜形成用之濺射閘，以及適用該低電阻配線之液晶顯示裝 置（L C D (Liquid Crystal Display))及半導體元件 等之電子零件。 背景技術 做爲T F T驅動型式之L C D之閘極線及信號線等而 被使用之配線膜，通常介經濺射法而形成。於此種配線膜 之形成材料，Cr，Ti ，Mo，Mo — Ta等被使用著 °但是’伴隨L CD之畫面尺寸之大型化，低電阻之配線 膜變成必要·例如於1 0英吋以上之大型L CD中，要求 1 0#Qcm以下之低電阻配線。於此，做爲構成閘極線 及信號線等之配線膜，低電阻之A 5被注目著。 依據A ί配線膜時，雖可實現低電阻配線，但是A又 配線膜因依據配線形成後之熱處理及CVD製程之4 7 3 〜7 7 3 K程度之加熱等，有產生被稱爲小丘之突起之問 題。伴隨加熱A又膜之應力之解放過程中，A 5原子例如 沿著結晶粒界而擴散。伴隨此A £原子之擴散突起產生。 此種之突起產生於A 配線時，對其後之製程產生不良影 響。 於此，被試以在Αί配線添加微量之金靥元素，例如 Fe，Co，Ni ，尺11，1111，11'等及丫，1^3， N d等之稀土類金靥元素（參考特開平7 — 4 5 5 5 5號 本ίϋ尺1適^中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） _裝 ϋ 訂 線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -4 - 經濟部中央樣準局員工消費合作社印裝 A7 B7 五、發明説明（2 ) 公報）。具體而言，使用微量添加這些金靥之A 濺射閘 以形成Α ί配線膜。上述之金靥元素和Α ί形成金靥間化 合物之故，具有做爲A j?之補捉材之機能。介經如此，可 以抑制上述小丘之形成。 又，在L CD之信號線等適用六又配線之場合，此 A又配線被和構成透明電極之I TO電極叠層》將此種 A又配線和I TO電極之叠層膜浸漬於圖案形成工程使用 之顯像液等之鹼性溶液時，Aj?配線與I TO電極直接接 觸部分產生電氣化學反應。此入配線和I TO電極之電 氣化學反應係由於A 之標準電極電位較I TO之標準電 極電位低而引起的。由於此電氣化學反應，配線和 I TO電極之間電子移動，I TO電極被還原而著色（例 如黑色化），反之Aj?配線被氧化，產生電氣特性降低之 問題。 對於依據上述Aj?配線和I TO電極之電氣化學反應 之問題，被檢討在A 配線添加各種之金屬元素。於此場 合，也使用微量添加金靥元素之A 2閘，形成含有微量金 屬元素之A 配線膜。 但是，於含有如上述之微置之金靥元素之配線膜中， 雖然抑制了 AJ2之擴散及和I TO電極之電氣化學反應等 ，生成之金靥間化合物及添加之金靥元素產生對於A 配 線之蝕刻性及濺射特性等有不良影響之問題。 即，對上述之Aj?配線膜施行CDE ( Chemical Dry Etching)或R I E (Reactive Ion Etching)等之 本紙張尺度適用中國國家梯準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ------_-----^------、訂-----.1^ 請先閲请背面之注意事項再填寫本百) 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 318276 A7 B7 五、發明説明（3 ) 乾蝕刻或濕蝕刻時，產生很多稱爲殘渣之熔渣’對於配線 網之形成帶來很大之障礙*添加之金屬元素及生成之金屬 間化合物爲上述蝕刻後之殘渣之產生原因。又’包含上述 金靥元素之A 閘在濺射中由閘產生之灰塵置很多，此灰 塵對於健全之微細配線網之形成成爲障礙。 由於這種情形，於用於低電阻配線之形成之A 5閘以 及A又配線膜中，其課題爲：在抑制依據Α ί之擴散之小 丘的發生及和I TO電極之電氣化學反應等之外’於蝕刻 時抑制殘渣之發生及濺射時抑制灰塵之發生· 又，關於A 配線和I TO電極之電氣化學反應之抑 制，期望於金靥元素之添加量降低之外，圖謀效果之提昇 。又，Αβ配線和I TO電極之電氣化學反應，以把A)? 配線做成和Μ。膜等之疊層構造而抑制者也被檢討著。但 是，此種之叠層膜招致L CD構造之複雜化及高成本之故 ，被期望以單層構造之A 配線以抑制和I TO電極之電 氣化學反應。 上述之課題並不限於使用在L C D之閘極線及信號線 之Αί配線膜，例如，在VLSI及ULSI等之一般的 半導體元件適用Α又配線之場合，電子遷移（Electro-migration) 成爲問題 •上述之金屬元素雖也對電子遷移 之抑制產生效果（參考特開昭6 2 - 2 2 8 4 4 6號公報 及特公平4一48854號公報），和LCD之場合相同 ，蝕刻時殘渣之發生及濺射時灰塵之發生成爲問題。又， 如上述之課題，於彈性表面波共振子（S AW)之類的彈 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ' -6 - ----------^------11-^------^ (請先閲i»·背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局貝工消费合作社印裝 A7 ____B7_^_ 五、發明説明（4 ) 性表面波裝置，或使用SAW之電子零件（SAW裝置） ，再者熱印表機頭（TPH)等之配線及電極等也同樣成 爲問題· 本發明之目的在提供：防止小丘以及蝕刻殘渣之發生 之低電阻配線膜，以及可以使該類之配線膜再現性良好的 成膜，而且，可以抑制濺射時灰塵之發生之濺射閘。本發 明之另外的目的在提供：防止和I TO等之電氣化學反應 以及蝕刻殘渣之發生之低電阻配線膜，以及可以使該類之 配線膜再現性良好的成膜，而且可以抑制濺射時灰塵之發 生之濺射閘•再者，目的在提供：使用該類之配線膜之電 子零件· 發明之公開揭露 本發明之第1之配線膜，其特徵爲：包含和Aj形成 金屬間化合物之至少一種之第1之元素0. 001〜30 原子％，以及由C，0，N以及Η選擇至少1種之第2之 元素，對於上述第1之元素置爲0. 01原子ppm〜 5 0原子％，剩餘部分實質上由Aj?構成。 關於本發明之第2之配線膜，其特徵爲：包含較A又 標準電極電位髙之至少一種之第1之元素〇. 001〜 3 0原子％，以及由C，Ο，Ν以及Η選擇之至少一種之 第2之元素，對於上述第1之元素量爲0. 01原子 p pm〜5 0原子％，剩餘部分實質上由Α又構成》 關於本發明之其他之配線膜，其特徵爲：包含由Y · 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ----------^------1T------0 (#'先閲济背面之注意事項再填寫本I) ，7 - A7 B7 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 五、發明説明（ 5 ) 1 | S C 9 L a 9 C e ) N d ，s m » G d 9 T b * D y > E 1 1 r 9 τ h 9 s r 9 τ i I Z r » V Ν b • Τ a » c r 9 1 1 Μ 0 > W > M η > τ C 9 Re F e C 0 9 Ν i 9 Ρ d 1 請- 1 I f I r » P t > c U A g， A u C d s i t Ρ b 以 先 μ 1 1 少 之 第 之元 讀· 1 及 B 選 擇 至 —. 種 1 素 0 • 0 0 1 3 0 原 子 % 背 1 之 1 > 以 及 由 C 9 0 » Ν 以 及 H選 擇 至 少 1 種 之第 2 之 元 素 對 音 1 事 1 於 上 述 第 1 之 元 素 量 爲 0 .0 1 原 子 Ρ P m 5 0 原 子 % 項 再 1 I 9 剩 餘 部 分 實 質 上 由 A 構成 〇 填 % 本 裝 又 關 於 本 發 明 之 第 ί之 濺 射 閘 其 特 徵 爲 包 含 和 頁 '—<· 1 1 A 形 成 金 屬 間 化 合 物 之 至少 1 種 之 第 1 之 元 素 1 1 0 0 0 1 3 0 原 子 % ，以 及 由 C 0 Ν 以 及 Η 選 擇 1 | 至 少 1 種 之 第 2 之 元 素 對於 上 述 第 1 之 元 素 量 爲 訂 I 0 0 1 原 子 P P m 5 0原 子 % 剩 餘 部 分 實 質 上 由 1 1 I A 9. 構 成 〇 1 1 t 關 於 本 發 明 之 第 2 之濺射 閘 其 特 徵 爲 包 含 較 A 9. 1 1 線 1 標 準 電 極 電 位 高 之 至 少 1 種之 第 1 之 元 素 0 - 0 0 1 3 0 原 子 % 以 及 由 C 0， N 以 及 Η 選 擇 至 少 1 種 之 第 1 2 之 元 素 > 對 於 上 述 第 1 之元 素 量 爲 0 • 0 1 原 子 Ρ P m 1 5 0 原 子 % 剩 餘 部 分 實質 上 由 A Si 構 成 0 - 關 於 本 發 明 之 其 他 之 濺射 閘 其 特 徵 爲 包含 由 Y 9 1 S C L a > C e N d ，S m G d τ b D y ) 1 1 E Γ T h I S Γ T i ，Ζ r V » N d T a C r 1 1 9 Μ 0 9 W 9 Μ η 9 T c ,R e 9 F e C 0 N i > 1 P d I r } Ρ t > C u ，A g A u C d S i » 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2H)X297公釐） -8 - 318276 a7 B7 經濟部中央樣準局員工消費合作杜印製 五、發明説明（ 6 ) 1 P b 以 及 B 選 擇 至 少 1 種 之第 — 之 元 素 0 0 0 1 3 0 1 1 原 子 % f 以 及 由 C f 0 » N 以 及 Η 選 擇 至 少 1 種 之 第 2 之 1 1 元 素 9 對 於 上 述 第 1 之 元 素 量 爲 0 - 0 1 原 子 P Ρ m S 1 I 5 0 原 子 % $ 剩 餘 部 分 實 質 上 由 A 又 JtUr 稱 成 0 請- 先 閲 1 I 而 且 9 本 發 明 之 電 子 零 件 其 特 徵 爲 具 備 上 述 之 本 發 背 面 1 1 明 之 配 線 膜 0 之 注 意 1 於 A 濺 射 閘 添 加 Y 等 之 與 A 形 成 金 屬 間 化 合 物 之 事 項 再 1 1 元 素 ( 以 下 記 爲 金 屬 間 化 合物 形 成 元 素 ) 或 A U 等 之 填 窝 本 1 i. 較A β 標 準 電 極 電 位 髙 之 元 素 ( 以 下 記 爲 髙 電 極 由 位 元 頁 1 1 素 ) 之 同 時 也 添 加 微 量 之 由 C 0 N 以 及 Η 選 擇 之 至 1 1 少 1 種 之 元 素 0 介 經 這 些 之 元 索 存在 於 此 獲得 之 濺 射 膜 1 I 中 之蝕 刻 加 工 性 不 好 之 金屬 間 化 合物 金屬 間 化合物 形 成 訂 I 元 素 高 電 極 電 位 元 素 在 A 9. 之粒 內 及 粒界面 微 細 而 且 均 1 1 1 勻 地析 出 0 1 1 如 此 介 經 使 金 靥 間 化 合物 金 靥 間 化 合 物 形 成 元 素 » '1 高 電 極 電 位 元 素 微 細 而 且 均 勻 地 析 出 蝕 刻 性 大 幅 提 昇 之 線 1 同 時 可 以 抑 制 濺 射 時 灰 塵 之 產 生 0 又 添 加 之 由 C 0 1 | N 以 及 Η 選 擇 之 至 少 1 種 之 元 素 不 會 對 A 1 之擴散 抑 制 1 1 效 果 及 和 I Τ 〇 等 之 電 氣 化 學 反 應 之 抑 制 效 果帶 來 不 良 影 - I 1 響 〇 因 此 可 以 有效 地 防 止 因 金 屬 間 化 合物形成 元 素 所致 • 1 1 1 之 小 丘 之 發 生 〇 或 可 以 有 效 地 防 止 因 髙 電 極 電 位 元 素 所 致 1 之 和 I T 0 等 之 電 氣 化 學 反 應 0 1 1 如 上 所 述 者 本 發 明 之 第 1 之 配 線 膜 於 耐 小 丘 性 以 及 1 微 細 配 線 網 之 形 成 很 優 異 0 又 本 發 明 之 第 2 之 配 線 膜 於 1 本紙張尺度適用中國國家捸準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 一 9 - 經濟部中央橾準局貞工消費合作社印製 31S276 at B7 五、發明説明（7 ) 和I TO等之電氣化學反應之防止性以及微細配線網之形 成性很優異。關於本發明之配線膜，可以兼具這些之特性 圖面之簡單說明 圇1爲把本發明之電子零件適用於液晶顯示裝置之一 實施形態之等價電路圖，圖2表示示於圖1之液晶顯示裝 置之重要部分構成之剖面圖，圖3表示把本發明之電子零 件適用於半導體元件之一實施形態之重要部分構成之剖面 圖，圖4表示把本發明之電子零件適用於熱印表機頭之一 實施形態之重要部分構成之剖面圖，圖5表示把本發明之 電子零件適用於彈性表面波共振子之一實施形態之構成之 平面圖，圖6表示把本發明之電子零件適用於彈性表面波 共振子之其他之實施形態之構成之平面圖，圖7表示使用 圖5或圖6所示之彈性表面波共振子（SAW)之SAW 裝置之重要部分構成之剖面圖，圖8表示將本發明之配線 膜之電極電位和Aj?以及I TO比較之圖。 用於實施發明之形態 以下，關於實施本發明用之形態說明之。 本發明之第1之配線膜爲包含和A 形成金靥間化合 物之至少1種之第1之元素0. 001〜30原子％，以 及由C，Ο，N以及Η選擇之至少1種之第2之元素，對 於第1之元素置爲0. 01原子ppm〜50原子％，剩 本紙張尺度通用中國國家揉準（CNS ) A4規格（210X297公釐） I-ml— 裝 訂—^ 線 ' * (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -10 - 31S276 經濟部中央揉準局貝工消费合作社印裝 Α7 Β7 五、發明説明（8 ) 於部分實質上由Αί構成。 做爲上述之第1之元素可以使用可以和A Ρ形成金靥 間化合物之元素之各種元素。具體而言可舉Y，S c ， La ' C e ，Nd，Sm，Gd，Tb，Dy.，Er ， Gd等之稀土類金饜元素，Nb，Ta，Te，Mo，W ，Z r，H f 等。 這些和A 5形成金屬間化合物之元素（金屬間化合物 形成元素）例如形成AP3Y之類之金靥間化合物，而具 做爲Aj?之補捉材之機能。因此，即使在對Aj?配線膜施 以熱處理，或在比較高溫形成A 配線膜之場合，也可以 抑制A j之擴散。其結果小丘等之產生被防止。又，電子 遷移等之抑制也變成可能。 使用之金屬間化合物形成元素，最好對於A 固溶度 在1. 0重童％以下。對Αβ之固溶度超過1. 0重量％ 時，因和A 之金靥間化合物之形成之小丘之抑制效果， 有無法充分獲得之虞，同時，有招致比電阻之增大之虞。 做爲如此之金靥間化合物形成元素，可舉出Ge，L i ， Mg，Th，Ti ，V，Zn，W 等。 又，本發明之第2之配線膜爲包含較A又標準電極電 位高之至少1種之第1之元素0. 0 0 1〜3 0原子％ * 以及由C，〇，N以及Η選擇之至少1種之第2之元素， 對於第1之元素置爲0. 01原子ppm〜50原子％， 剩餘部分實質上由Αί構成· 做爲上述之第2之配線膜之第1之元素，可以使用較 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） ----------^.— I (請先閲東背面之注意事項再填寫本頁) '1Τ 線 -11 - 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明説明（9 ) — A又檁準電極電位髙之元素之各種之元素。具體而言可舉 aAg，Au，Cu，Ti，V，Nb，Ta’Cr， M〇，w，Mn，Fe，Co，Ni，Pd，Ir’Pt ’ Cd，S i ，尸13等。這些之中’特別是最好使用和 A又之標準電極電位之差在2V ( 2 9 8K)以上之Ag ’Au，Co，Mo，W，Mn 等。 介經使在Α ί配線膜中含有這些較A P標準電極電位 高之元素（高電極電位元素）’可以提髙A 配線膜之標 準電極電位•於此，在鹸性溶液中發生於A $配線膜和 1 T〇電極間之電氣化學反應’係由於之標準電極電 位較I Τ Ο之標準電極電位低，電子移動而引起之現象。 因此，在A 5配線膜使含有高電極電位元素，介經使A芡 配線膜之標準電極電位例如較I TO者高，可以防止A艾 配線膜與I T 0電極之間之鹸性溶液中之電氣化學反應。 不含招致因I Τ Ο電極之還原而致之著色或因A 2配線膜 之氧化而致之電氣特性之降低等，樊成可以例如將 L C D之閘極線以單層構造之A又配線膜健全地形成。 又，介經高電極電位元素之添加之A又配線膜之標準 電極電位之提昇，並不限定於和I TO電極疊層之場合， 對於將Α ί配線膜與由較Α ί標準電極電位髙之各種材料 所形成之電極或配線等疊層之場合也有效。 做爲上述之高電極電位元素，最好使用在抑制A 配 線膜之比電阻之增大外，和Α β形成金屬間化合物之元素 。又*.做爲高電極電位元素，介經使用和Αί形成金羼間 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） ----------7^------1Τ------m (請先閲命背面之注意事項再填寫本頁) -12 - 318276 A7 A7 B7 五、發明説明（10 ) 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 化 合 物 之 元 素 > 也 可 以 抑 制 如 上 述 之 小 丘 之 產 生 或 電 子 遷 移 等 如 此 9 較 A 標準 電 極 電 位 髙 > 而 且 和 A 形 成 金 靥 間 化 合 物 之 元 素 特 別 有 效 9 含有 此 類 元 素 之 A 又 配 線 膜 可 以 良 好 地使 用 於例如 L C D 之信號 線 以 及 閘 極 線 可 以 稱 爲 汎 用 性 髙 之 A 配 線 膜 〇 此 類 之 元 素 可 舉 出 P d > V * N i > Μ 0 9 W 9 C 0 等 〇 本 發 明 之 配 線 膜 9 具 體 而 言 爲 包 含 由 Y 9 S C » L a f C e Ν d 9 S m 9 G d t T b f D y E r 9 T h > S Γ y T i > Z r > V > N b > T a > C Γ 9 Μ 0 W % Μ η 9 T C t R e 9 F e f C 0 t Ν i y P d » I Γ 1 Ρ t > C U 9 A 8 9 A U 9 C d 9 S i 9 P b 以 及 B 選 擇 至 少 1 種 之 第 1 之 元 素 ( 滿足 金 靥 間 化 合 物 形成 元 素 以 及 高 電 極 電 位 元 素 之 至 少 一 方 之 元 素 ) 0 • 0 0 1 5 0 原 子 % » 以 及 由 C > 0 9 N 以 及 Η 選 擇 至 少 1 種 之 第 2 之 元 素 9 對 於 第 1 之 元 素 量 爲 0 • 0 1 原 子 P P m 5 0 原 子 % 1 剩餘部 分 實 質 上 由 A 構成 0 上 述 之 金 靥 間 化 合物 形 成 元 素 或髙 電 極 電 位 元 素 爲 在 A Si 配 線 膜 中 含 有 0 * 0 0 1 3 0 原 子 % 之 範 圍 0 例 如 金 靥 間 化 合 物 形 成 元 素 之 含 有 置 未 澜 0 0 0 1 原 子 % 時 » /nt". 撕 法 充 分 獲 得 上 述小 丘 之 抑制效 果 0 另 — 方 面 > 超過 3 0 原 子 % 時 t 金 屬 間 化 合物 使 A 配 線 膜 之 電 阻 增 大 ί 又 濕 蝕 刻 或乾 蝕 刻 時 成 爲 殘 渣 之 產 生 原 因 0 又 > 高 電 極 電 位 元 素 之 含 有 量 未 滿 0 1 原 子 % 時 9 /nr. 3W? 法 充 分 獲 得 上 述之電氣化犖反應之抑制效果•另一方面，超過2 0原子 (請先閲東背面之注意事項再填寫本頁} 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 A7 B7 五、發明説明（U ) %時，使A 配線膜之電阻增大，又乾蝕刻或濕蝕刻時成 爲殘渣之產生。更理想之添加童爲〇· 1〜2 0原子％之 範圍。 本發明之配線膜滿足如上述之金靥間化合物形成元素 以及高電極電位元素之至少一方之元素’同時微量含有由 C，Ο，Ν以及Η選擇之至少1種之元素。此微量含有之 元素（C，Ο，Ν，Η)對於金屬間化合物，或金屬間化 合物形成元素以及高電極電位元素本身之微細析出有效地 作用。因此，可以使Α β配線中之金靥間化合物，金屬間 化合物形成元素，高電極電位元素於A 之粒內或粒界面 微細而且均一地析出。 如此於A 配線膜中，介經使金靥間化合物，金屬間 化合物形成元素，髙電極電位元素微細而且均一地析出， 蝕刻性大幅提昇。因此，於A j?配線膜以乾蝕刻等形成配 線網之際，可以大幅地抑制蝕刻殘渣之發生。又，如後詳 述者，在本發明之A j配線膜之製作適用濺射法之場合， 由C，Ο，N以及Η選擇之至少1種之元素，於濺射時之 灰塵發生量之抑制也發揮效果。因此，可以獲得微細灰塵 之含有量大幅減少之Α ί配線膜。 而且，伴隨熱處理等之加熱之AJ?之擴散，如上述者 介經金屬間化合物形成元素與A j?形成金靥間化合物而被 抑制，其結果小丘之發生可以有效地防止。因此，本發明 之第1之A j?配線膜耐小丘性優良，不會因小丘之發生對 其之後之製程帶來不良影響，同時*微細配線網之形成性 本紙張尺度適用中國國家梯準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝·
,tT 14 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 318276 A7 __B7_^_ 五、發明説明（12 ) 優良。又，於鹼性溶液中之和I TO電極等之電氣化學反 應，由於含有高電極電位元素而被抑制•因此，本發明之 第2之Aj?配線膜於和I TO電極等之電氣化學反應之防 止性，以及微細配線網之形成性優異。 於此，由上述之C，0，N以及Η選擇至少1種之元 素（以下，記爲微細析出化元素）之含有量，對於A 配 線膜中之金靥間化合物形成元素或髙電極電位元素之量爲 0 . 0 1原子ppm〜50原子％之範圍。微細析出化元 素之含有量對於金屬間化合物形成元素或髙電極電位元素 之量，未滿0. 01原子ppm時，無法充分獲得金屬間 化合物，金饜間化合物形成元素，髙電極電位元素之微細 析出化效果。另一方面，超過5 0原子％時，多餘之C或 Η等析出於A j?粒界或粒內等，反之使蝕刻性等降低* 更理想之微細析出化元素之含有量，在使用C之場合 爲了原子P pm〜3原子％之範圍，在使用〇，N以及Η 之場合，爲1. 5原子ppm〜7. 5原子％之範圍。在 使用C做爲微細析出化元素之場合，對於金靥間化合物形 成元素或高電極電位元素之量，更理想者爲3 0 0〜 3000原子ppm之範圍，期望在600〜1500原 子P pm之範圍。使用0，N以及Η做爲微細析出化元素 之場合，對於金屬間化合物形成元素或髙電極電位元素之 量，更理想者爲500原子ppm〜1. 5原子％之範圍 ，期望在300〜1500原子ppm之範圍。 上述微細析出化元素之中，特別是C對金屬間化合物 本紙張尺度適用中國國家梯準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ----------1---J---1T------0 (.請先閱t»·背面之注意事項再填寫本頁) -15 - 經濟部中央搮準局貞工消费合作社印装 A7 —____B7_^____ 五、發明説明（13 ) 或金靥間化合物形成元素之微細析出發揮效果。因此，於 第1之配線膜，最好使用C做爲微細析出化元素。 又，Η於金靥間化合物，金靥間化合物形成元素，高 電極電位元素之微細析出化外，有使A J2配線膜之標準電 極電位更向上提昇之作用。因此，於第2之配線膜最好使 用Η做爲微細析出化元素。即，Η使Aj?，高電極電位元 素以及金屬間化合物自身具有之離子化能量降低。因此， 介經使用Η做爲微細析出化元素，可以使A 5配線膜之標 準電極電位更提昇。或可以消減髙電極電位元素之含有量 。再者，Η在濕蝕刻時促進化學反應，又，在乾蝕刻時， 加速度地促進A {配線膜之構成元素和蝕刻種（基等）之 反應之故，對蝕刻之微細加工精度之提昇也有貢獻。 但是，Η含太多量時，A 之塑性加工性等有下降之 虞。因此，在使用Η做爲微細析出化元素之場合，A j?配 線膜中之Η含有量最好爲5 0 0重置P pm以下。 本發明之第1之配線膜係介經使用例如具有和其同樣 組成之A P濺射閘，在通常之條件下濺射成膜而獲得。又 ，關於第2之配線膜也相同。 即，用於第1之配線膜之形成之濺射閘，係包含和 Α β形成金屬間化合物之至少1種之金屬間化合物形成元 素0. 001〜30原子％，以及由C，0，N以及Η選 擇之至少1種之微細析出化元素，對於金屬間化合物形成 量爲0. 01原子ppm〜50原子％，剩餘部分實質上 由A j?構成。又，用於第2之配線膜之形成之濺射閘，係 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） I--------—装------tr------^ (請先閱參背面之注意事項再填寫本百) -16 - 經濟部中央揉準局工消费合作社印装 A7 B7___ 五、發明説明（14 ) 包含較A 5標準電極電位髙之至少1種之高電極電位元素 0. 001〜30原子％，以及由C，0，N以及Η選擇 之至少1種之微細析出化元素，對於高電極電位元素量爲 0. 01原子ppm〜50原子％，剩餘部分實質上由 A又構成。 上述之金靥間化合物形成元素，高電極電位元素以及 微細析出化元素之具體例或含有量。爲如上述者*因此， 本發明之濺射閘也可以稱爲包含例如由Y，S c，L a ， C e 9 Ν d t S m 9 G d ，T b 9 D y 9 E r 9 Τ h ♦ S r ， Τ i > Z r » V y N b， Τ a 9 C r > Μ 0 » W » Μ η 9 Τ c > R e F e ，C ο N i » P d I Γ Ρ t > C u 9 A g > A u ，C d > S i > P b 以 及 B 選 擇 至 少 1 種 之 第 1 之 元 素 ( 滿足金 靥 間 化 合 物 形 成 元 素 以 及 高 電 極 位 元 素 之 至 少 一 方之元 素 ) 0 - 0 0 1 3 0 原 子 % 以 及 由 C > 0 9 Ν 以及Η 選 擇 至 少 1 種 之 第 2 之 元 素 ( 微 細 析 出 化 元 素 ) t 對於第 1 之 元 素 量 爲 0 • 0 1 原 子 Ρ Ρ m 5 0 原 子 % 9 剩餘部 分 實 質 上 由 A 9. 構 成 之 濺 射 閘 0 介 經 使 用 這 樣 之 濺 射 閘，可 以 再 現 性 良 好 地 獲 得 本 發 明 之 配 線膜 〇 除 此 之 外 9 微細析 出化 元 素 於 濺 射 時 發 生 之 灰 塵 之 抑 制 也 發 揮 效 果 ο 因此， 使 用 本 發 明 之 濺 射 閘 而 濺 射 成 膜 而 形 成 之 A 9. 配 線 膜，微細 灰 塵 之 含 有 量 被 大 幅 降 低 * 在 微 細 配 線 網 之 形 成 性優良 〇 再者，由C，Ο，N以及Η選擇之至少1種之微細析 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -----：-----參------1Τ----；——^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -17 - 經濟部中央標準局員工消費合作社印聚 318276 A7 B7 五、發明説明（15 ) 出化元素，例如介經控制濺射時之環境或條件等，可以由 濺射環境中置入A 配線膜中•但是，在獲得濺射時之灰 塵發生量之抑制效果上，期望預先含於濺射閘中· 上述之本發明之濺射閘之製造方法，並沒有特別被限 定，例如可以適用大氣熔解法，真空熔解法，急冷凝固法 (例如噴隳成形法），粉末冶金法等之眾所周知之製造方 法而製作之。 例如，適用真空熔解法之場合，首先在A5中將滿足 金靥間化合物形成元素以及髙電極電位元素之至少一方之 元素和C等之微細析出化元素以規定量配合，將其在真空 中髙周波熔化以製造鋁錠。在使用0，N，Η做爲微細析 出化元素之場合，在考慮不純物元素之含有量上，例如在 熔解中將那些之氣體起泡等，使在鋁錠中含有規定量。在 使用0，Ν，Η做爲微細析出化元素之場合，於控制其之 含有量下，最好適用真空熔解法。 又，在適用噴霧成形法之場合，同樣地在Aj?中將滿 足金屬間化合物形成元素以及髙電極電位元素之至少一方 之元素和微細析出化元素以規定量配合，將其髙周波熔解 法後，介經噴霧器噴霧之以製作鋁錠。在使用0，Ν，Η 做爲微細析出化元素之場合，於考慮不純物元素之含有量 上，例如在噴霧時吹以那些之氣體等，在鋁錠中使含有規 定量。 在適用粉末冶金法之場合，在A 中將滿足金靥間化 合物形成元素以及高電極電位元素之至少一方之元素和微 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS ) A4規格（2丨0X297公釐） ----------I------訂·------i (，請先閲參背面之注意事項再填寫本頁) -18 - 經濟部中央標準局負工消费合作社印製 A7 __B7__ 五、發明説明（16 ) 細析出化元素以規定量配合，施以常壓燒結，熱壓， Η I P等以製作燒結體。在使用0，N，Η做爲微細析出 化元素之場合，關於Ν在製作燒結體之際，可以由n2S 氣中含有之。又，關於0，Η則在A j?母材中規定含有量 。如此爲之，使0，N，Η在燒結體中含有規定量。又， 這些之中，易於獏得比較髙密度之高純度，微細結晶之素 材之急冷凝固法很適合。 在上述介經溶融而得之鋁錠或介經粉末冶金而得之燒 結體，通常被施以熱間加工，冷間加工等•又，因應需要 進行再結晶熱處理或結晶方位控制，以獲得目標之濺射閘 。在大型閘之場合，也可以進行擴散接合等以做成所希望 之形狀之閘。但是，在製作用於大面稹之L CD等之形成 之大型閘之場合，以各種方法一次形成，在濺射時之灰塵 發生抑制上最爲理想。 又，在製作本發明之濺射閘之際，介經壓延，锻造等 之加工率最好在5 0%以上。此係由上述加工率而得之熱 能產生被整合之結晶格子之排列，在微小之內部缺陷之減 少有效之故。又，依據目標濺射閘，必要之純度，組織， 面方位等有不同之故，可以因應這些要求特性而適宜地設 定製造方法。 又，本發明之A又配線膜之製造方法，並不限定於上 述之濺射法，只要是可以獲得滿足上述組成之A j?配線膜 *可以適用種種之膜形成法·換言之*本發明之A 配線 膜不限於濺射膜，可以使用滿足上述組成之A文配線膜之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） I裝 I'訂 I 線 (f先閲A背面之注意事項再填寫本育) -19 - 318276 Α7 Β7 五、發明説明（17 ) 以種種形成法製成之薄膜· 如上述之本發明之Α ί配線膜*可以使用在各種之電 子零件之配線或電極等。具體而言，可舉出使用本發明之 Α又配線膜做爲閘極線及信號線等之液晶顯示裝置（ LCD)，使用本發明之Aj?配線膜做爲配線網之 V I S I或ULS I等之半導體元件等。再者，在彈性表 面波元件（SAW)或使用其之SAW裝置，熱印表機頭 (T P Η )等之電子零件之配線等，也可以使用本發明之 Α 5配線膜。本發明之電子零件特別對於大型化以及髙精 細化之L C D面板或髙精細化之半導體元件等有效〃 圖1以及圖2表示使用本發明之A j?配線膜之液晶顯 示裝置之一實施形態之圖。圃1爲使用反交錯型T F T之 主動矩陣型液晶顯示裝置之等價電路圖，圖2表示該 TFT之構成之剖面圖。 經濟部中央樣準局負工消費合作社印製 (請先閲私背面之注意事項再填寫本頁) ________ _______ I . > 於圖1，1表示透明玻璃基板，在其上閘極配線2以 及資料配線3成矩陣狀地配設著。在這些配線之交差部， 介經a — S i膜形成TFT4。此TFT4之剖面構造如 圖2所示者，在透明玻璃基板1上形成由本發明之A 配 線膜（Αβ合金膜）所形成之閘極電極2 /。此閘極電極 2 >和圖1之閘極電極2以同一材料，同一工程一體形成 。而且，形成此閘極電極後，在其上形成S i 3Ν4 膜5做爲閘極絕緣膜，在其上堆稹無摻雜質（nond〇pe) 之a — S i膜6，n+型a-S i膜7，在其上形成Mo 膜8 最後在其上形成汲極電極3 <以及源極竃極9。在 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -20 - A7 B7 五、發明説明（18 ) 0與液晶電容 T F T 4之源極連接各畫素之顯示電極 請， 先 閲 讀. 背 Λ 之 注 意 事 項 再 填 本衣 頁 圖3表示使用本發明之A史配線膜之半導體元件之一 實施形態之重要部位之構成之剖面圖。將此半導體元件之 構造連同其之製造工程一齊說明之。 訂 於圖3，21爲P - Si基板，對此P — S i基板施 以熱氧化，在表面形成熱氧化膜。接著，除了源極，閘極 ，汲極之各領域，選擇性地進行氧化處理，形成領域氧化 膜22。接著，將源極，汲極之各領域上之熱氧化膜，介 經保護膜之形成與蝕刻處理（P E P處理）而去除。介經 此PEP處理，形成閘極氧化膜23。接著，除了汲極之 各領域外於形成保護膜後，在P_S i基板2 1內注入不 純物元素，形成源極領域24以及汲極領域25。又，在 閘極氧化膜2 3上形成Mo或W之矽化物（silicide)膜 2 6° 線 經濟部中央標準局貝工消費合作社印裝 接著，在P-S i基面2 1之全面形成由矽酸鹽（ silicate)玻璃等形成之絕緣膜2 7後，介經P E P處理 ，去除源極領域2 4以及汲極領域2 5上之磷矽酸鹽玻璃 層2 7 ·在去除磷矽酸鹽玻璃層2 7後之源極領域2 4以 及汲極領域25上，分別形成TiN，ZrN，HfN等 之阻擋層2 8。 之後，全面形成本發明之A5配線膜（Αβ合金膜） ，介經施以PEP處理，形成希望形狀之Α艾配線29 » 而且：形成由S i 3N4膜等形成之絕緣膜3 0後，介經 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公瘦） -21 - A7 B7 經濟部中央樣準局員工消费合作社印製 五、發明説明（19 ) 1 1 P E P 處 理 形 成 A U 導 線 3 1 之 接合 用 開 P 部 9 完 成 半 導 1 1 體 晶 片 3 2 0 1 1 圖 4 表 示 使 用 本發 明 之 A 9. 配 線 膜 之 熱 印 表 機 頭 之 —* y<—S 1 請* 1 1 實 施 形 態 之 重 要 部 位 之 構 成 之 分 解 斜 視 圖 0 1 I 如 由 讀· 1 於 圖 4 在 例 F e 一 C r 合 金 形 成 之 支 持 基 板 背 1 I 3 1 上 形 成 由 芳 香 族 聚 酰胺樹脂 等 形 成 之 耐 熱 樹 脂 層 之 注 意 1 1 I 3 2 P 在 此 rrr r 耐 熱 樹 脂 層 3 2 上 例 如 以 N 或 C 之 其 中 之 一 事 項 再 1 1 I 和 S i 爲 主 成 分 之 底 膜 3 3 介 經 濺 射 法 等 而 形 成 〇 在 此 底 填 寫 本 1 裝 膜 3 3 上 形 成 發 熱 電 阻 體 3 4 以 及 由 本 發 明 之 A 9. 配 線 頁 1 1 膜 形 成 之 個 別 電 極 3 5 以 及 共 通 電 極 3 6 0 覆 蓋 此 電 極 1 1 3 5 3 6 之 大 部 分 以 及 發 熱 電 阻 體 3 4 地 形 成 保 護 膜 1 I 3 7 P 秦 •訂 I 圖 5 圖 6 以 及 圖 7 表 示 使 用 本 發 明 之 A 9. 配 線 膜 之 1 1 I S A W 以 及 S A W 裝 置 之 實 施形 態 之 圖 0 圖 5 表 示 依據 —* 1 1 1 實 施 形 態 之 S A W 之 構成 之 平 面 圖 圖 6 表 示 依 據 其 他 之 1 1 實 施 形 態 之 S A W 之 構成 之 平 面 圖 圖 7 表 示 使 用 S A W 線 1 之 S A W 裝 置 之 構 成 之 剖 面 圖 0 1 於 圖 5 在 由 L i T a 0 3 基 板 或 L i N b 0 3 基 板 1 I 所 形 成 之 壓 電 體 基 板 4 1 上 由 本 發 明 之 A 配 線 膜 所 形 * 成 之 轉 換 器 4 2 4 3 隔 離 形 成 著 0 此 轉 換 器 例 如 將 輸 入 - 1 1 轉 換 器 4 2 之 電 極 之 交 差 寬 度 改 變 進 行 加 乘 效 果 形 成 1 濾 波 器 例 如 彩 色 電 視 接 收 機 之 P I F 濾 波 器 〇 將 此 被 加 乘 1 1 之 輸 入 轉換 器 4 2 之沒有 交 差 部 分 以 本 發 明 之 A 合 金 膜 I 全 面 塗 抹 使 輸 入 轉 換 器 4 2 之 電 極 端 子 4 4 變 大 〇 在 如 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨OX297公釐） -22 - 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 318276 at B7 五、發明説明（20 ) 此形成之電極端子4 4之至少一部分以及輸入轉換器4 2 之外側部分重叠設置吸音材4 5。此吸音材4 5之形狀爲 幾乎覆蓋输入轉換器4 2之後緣部，而且彈性表面波之入 射側對於入射之彈性表面波成斜交地成爲傾斜側緣。再者 ，在輸出轉換器4 3之外側也設置吸音材4 6。 又，圖6表示其他之實施形態之SAW之平面圖。於 圖6，在由L i Ta03基板或L i Nb03基板所形成之 壓電體基板4 1上，形成將输入電氣信號轉換成傳播於壓 電體基板4 1上之彈性表面波用之轉換器，例如將一對之 鋸齒狀電極4 7 a，4 7 b互相嚙合而成之交錯配置（ inter-digital)電極4 7 *此交錯配置電極4 7介經本 發明之A又合金膜而形成。在此交錯配置電極4 7之兩端 之壓電體基板4 1上，形成反射分別以交錯配置電極4 7 激勵之彈性表面波用之由本發明之A又合金膜所形成之分 級反射器48，49。 示於圖5及圖6之S AW被當成示於圖7之裝置而使 用。於圖7，SAW5 1通過接著構件5 2而固定在例如 由陶瓷基板所形成之晶片載體5 3上，在此晶片載體5 3 上，金靥製蓋5 5通過由科瓦鐵鎳鈷合金（kovar )等之 低熱膨脹性金靥所形成之環5 4而接著。在此晶片載體 5 3上，形成由本發明之Aj?合金膜所形成之配線圖案 5 6。SAW5 1與配線圖案5 6介經接合線5 7而電氣 地連接。又，晶片載體53上之配線圓案56(獨立之各 圖案）.1在內壁面被塗以金等，而且通過以玻璃等之絕緣 本紙張尺度適用中國國家梯準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ----------^--：---1I1T------^ (i先閲讀t面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明（21 ) 構件塞住之通孔5 8，和晶片載體5 3之下面側之配線圖 案59電氣的連接著。 接著，關於本發明之AJ?濺射閘與Ap配線膜之具體 的實施例以及其之評價結果說明之。 實施例1 首先，在Aj?中添加對於此Aj2〇，83原子％ (2. 7重量％)之Y，以及對於此Y1630原子 p pm ( 2 2 0重量p pm)之C，將此混合原料髙周波 誘導溶解以製作目的組成之鋁錠9對此鋁錠施以冷壓延以 及機械加工，製成直徑1 2 7mmx厚5mm之Aj?濺射 蘭。 利用如此得到之A又濺射閘，以背壓1 X 1 〇 p a ，輸出DC200W，濺射時間3mi η之條件，在直徑 5英吋之玻璃基板上旋轉成膜，形成厚3 5 0 nm之Α5 膜。將此Aj?膜之比電阻，熱處理（5 7 3 K)後之小丘 密度，蝕刻殘渣之有無測定評價之。又，關於蝕刻殘渣之 評價試驗之蝕刻，使用B C文3 + C又2之混合氣體做爲蝕 刻氣體而進行。將其結果示於表1。 又，做爲與本發明之比較例，使用沒有添加Y以及C 而製作之Aj?濺射閘（比較例1一1)，以及沒有添加C 以外，和實施例1以同一條件製作之A 濺射閘（比較例 1 一 2)，分別同樣地濺射形成A)?膜。而且，關於這些 A又膜和實施例1同樣地評價其特性。將其之結果（熱處 理後）合併示於表1· 請· 先 閲 % 背 ir 之 注 項 再 填 %盤 本衣 頁 訂 線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） A7 B7 五、發明説明（22 ) 表1 閘組成 A又濺射膜之特性評價結果 金屬間化合物 C量*1 比電阻 熱處理後之 蝕刻 形成元素量 (Α Ω era) 小丘密度*2 殘渣*3 實施例1 Al-0.83am 1630at.ppm 3.14 〇 /rrr m 比較例1-1 A1 無 3.00 X 無 比較例1-2 Al-0.83at%Y 無 3.01 ◎ 有 *1:對於金靥間化合物形成元索童 *2:©=完全沒有小丘 〇=一部分側小丘 x=全面有小丘 *3:無=無殘渣有=全面有殘渣 經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -25 - A7 _^_B7_^_ 五、發明説明（23 ) 由表1可以明白，本發明之A 配線膜，耐小丘性及 蝕刻性優良。因而，介經使用此種A 5配線膜，健全之微 細配線網可以再現性良好地形成· 實施例2 將示於表2之各組成之Α ί濺射閘分別和實施例1相 同地製作後，以和實施例1相同之條件濺射成膜，分別獲 得A 配線膜。將這些各A j?配線膜之特性和實施例1同 樣地測定，評價。將其結果合併示於表2。 -II II · I I I I 訂 線 (·請先閲渰背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局負工消費合作杜印製 本紙張尺度適用中國國家梯準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -9R - 26 3iS276 A7 __B7 五、發明説明（24 ) 表2 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 閘組成 A又濺射膜之特性評價結果 試料 No 金屬間化合物 形成元素置 (原子比） C量*1 (原子比） 比電阻 (U Ω cm) 熱處理後之 小丘密度*2 蝕刻 殘渣*3 1 Al-O.71%Y 5¾ 3. 5 〇 /frif- m 實 2 Α卜0.73%Υ 12% 3. 8 ◎ <trrfL 撕 3 Al-1.\%Y 200ppm 4. 1 ◎ 4rrf. m 施 4 Al-l.73«Υ 580ρρηι 4. 6 ◎ m 5 Al-1. 2%Υ 7% 5. 1 ◎ •fm* m 例 2 6 Al-2.83%Υ 90ppm 6. 3 ◎ 無 7 Α1-4%Υ 37. 8¾ 6. 7 ◎ 4nr m 8 Α1-2%Υ 300ppm 5. 1 ◎ 4ttT. m 9 Α1-1.8%Υ 1.8ppm 4. 9 〇 /frrr. 挑 比較 1 Α1-2.3%Υ 4. 5 ◎ 有 例2 2 Α1-4«Υ 55% 4. 9 ◎ 有 批衣-- (請先閲讀^：面之注意事項再填寫本頁) 訂 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS )八4規格（210X297公釐） 316276 at _____B7_ 五、發明説明（25 ) 實施例3 將使用代替Y之各種元素之AP閘（在表3表示組成 )分別和實施例1同樣地製作後，以和實施例1相同之條 件濺射成膜，分別獲得Αί配線膜。 將這些各A j?配線膜之特性和實施例1同樣地測定， 評價。又’關於試料Nol6〜22之配線膜，於鹼 性溶液中和I TO電極之反應性也測定，評價。此鹼性溶 液中之和I TO電極之反應性，在參考電極使用銀，氯化 銀電極之同時，陽極爲I TO，陰極爲各AJ2合金，以通 常使用之電極測定法調査之。將其結果合併示於表3。 請. 先 閲 之 注 項 再 填 寫 本 頁 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（210X297公釐） -28 - 318276 at B7 五、發明説明（2〇 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 表3 閘組成 A 5濺射膜之特性評價結果 試料 No 金屬間化合物 形成元素量 (原子比） C量*1 (原子比） 比電阻 (β Ω era) 熱處理後之 小丘密度*2 蝕刻 殘渣*3 和ITO之 反應性*4 1 Al-1.5%Gd 2600ppm 3· 8 ◎ 無 - 2 A卜2.2%Gd 3700ppra 4.8 ◎ 無 - 3 Al-2.6«Th 1lOppm 4.0 ◎ 無 - 實 4 A1 - 5.3%Th 70ppm 5, 2 ◎ 無 - 5 Al-2.\%Re 220ppm 4. 0 ◎ 無 - 6 Α1Ί. 9«B 170ppm 4.2 〇 ^m* m - 施 7 Al-6.1*B 340ppm 5. 1 ◎ 無 - 8 Al-4.9%Sc 90ppra 4.4 〇 無 - 9 Al-3.7»Sc 41Oppm 5.3 ◎ 無 - 例 10 Al-1.6%Nd 20ppra 4.7 〇 無 - 11 Al-2.3«Dy 700ppni 3, 6 ◎ yfrrr m - 12 A 卜 l_8%Dy 12* 4.3 ◎ 無 - 3 13 A卜1·0%Zr -0.2%B 120ppm 3. 5 ◎ 4rrf. m - 14 Al-0. 8謝 -0.5%B 190ppm 3.8 ◎ 無 - 15 Al-1.1%Y -0·9%B 31Oppm 4.2 ◎ 無 - 16 A卜2.6%Cu 400ppra 4. 5 ◎ /m* m 〇 17 Al-4.2%Cu 580ppm 5. 1 ◎ 無 〇 18 Al-0.9»Mn 350ppra 3.4 ◎ 4nf 挑 〇 19 Al-9.7%V 1600ppra 5. 6 ◎ int m 〇 20 Al-15. \%M 5. 1¾ 7.9 ◎ /frnr m Δ 21 Al-13.2%la 7. 5¾ 8. 8 ◎ 無 Δ *4:〇=沒反應 △= 一部分有反應 x=有反應 ----------I--^----t------@ (請先閱1*·背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -2*f- A7 B7 五、發明説明（27 ) 實施例4 首先，將添加對於Aj?爲2，84原子％ (6重置％ )之C 〇之原料高周波誘導熔解（真空熔解），在此溶湯 內將Η 2氣體起泡以投入Η。Η之起泡量設定爲鋁錠中之 Η量對於Co量爲980原子ppm(200重量ppm )。對於如此製作之目的組成之鋁錠施以熱壓延以及機械 加工，以獲得直徑1 2 7mmx厚5mm之A5濺射閘。 利用如此獲得之A $濺射閘，以背壓1 X 1 0 _4 p a ，輸出DC200W，濺射時間2mi η之條件，在直徑 5英吋之玻璃基板上旋轉成膜，形成厚3 5 0 nm之Α义 膜。對此A 5膜施以圖案形成以及乾蝕刻，再以5 7 3 K 施以熱處理後，測定評價比電阻，小丘密度，蝕刻殘渣之 有無。將這些之結果示於表4。又，蝕刻殘渣之評價試驗 使用B C又3 + C又2之混合氣體做爲蝕刻氣體而進行之。 經濟部中央樣準局員工消費合作社印裝 ---------;--裝-- (*先閲t*.背面之注意事項再填寫本頁) 又，做爲與本發明之比較例，使用沒有添加C 〇以及 Η而製作之A 濺射閘（比較例4 — 1 )，以及沒有添加 Η之外，和實施例4以同一條件製作之A又濺射閘（比較 例4一2)，分別同樣地濺射形成A又膜。而且，關於這 些A 5膜和實施例4同樣地評價其特性。將其之結果合併 示於表4。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -30 - 318276 a? B7 五、發明説明（28 ) 表4 I---------批衣丨：-----ΪΤ------0 (·請先閲洗背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央橾準局員工消費合作社印製 閘組成 A又濺射膜之特性評價結果 添加元素量 Η量木1 比電阻 熱處理後之 蝕刻 (原子童） (原子比） (β Q cm) 小丘密度12 殘渣13 實施例4 Al-2.84%Co 980ppm 4.3 ◎ 無 實施例4-1 A1 無 2. 0 X Jm·. m 實施例4-2 Al-2.84»Co 無 4.2 〇 有 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -31 - 1 1:對添加元索童 *2:©=完全沒有小丘〇=—部分有側小丘△=一部分小丘存在x=全面有小丘 *3:無=無殘渣有=全面有殘渣 A7 B7 五、發明説明（29 ) 由表4可以明白，實施例4之Aj?配線膜，耐小丘性 以及蝕刻性優良。因而，介經使用此種AJ2配線膜，健全 之微細配線網可以再現性良好地形成》 實施例5 將示於表5之各組成之A 濺射閘分別和實施例4相 同地製作後，以和實施例4相同之條件濺射成膜。將如此 製作之各A又膜置於鹼性溶液（NMD — 3 1顯像液）中 ，使用參考電極（Ag/AgCi2/Cj2_)測定電極電 位。將其之結果示於表5以及圖8· ---------.I 裝-- (#*先閱瘦背面之注意事項再填寫本頁) 訂 線 經濟部中央橾準局員工消費合作杜印裝 本紙張尺度適用中國國家梂準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -32 - 五、發明説明（30 ) 表5 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 試料 閘組成 標準電極電位 No 高電極電位元素 H童*1 (V(vsAg/AgC1) 1 Al-1. 43%atS6Ni 3600at.ppm -1.15 2 A1 -1.19at%Co 190at.ppm -1.2 實 3 A 卜2. 01a«Pt 700at.ppm -1.12 4 Al-1.87at%Au 150at.ppra -1.25 施 5 Al-2·3at%Mo 920at.ppm -1.11 6 Al-4. 6am 80at.ppm -1. 27 7 A 卜3_ 8a«Pd 61 Oat.ppm -1. 12 例 8 Al-5.2at%Ta 11 Oat. ppra -1.27 9 Al-3.3at%Ti 180at_ ppm -1.25 5 10 A1 -1.2at%Ag 700at.ppm -1.11 11 Al-6.2at%V 300at.ppra -1. 22 比較例5-1 A1 m -1. 9 比較例5 - 2 (TIO) — -1. 44 *1 :對高電極電位元素量 ----------t.--!----IT------# (t先閲#背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS )八4規格（210X297公釐） -33 - 316276 A7 B7 五、發明説明（31 ) 由表5以及圖 高之A 膜，都較 可以明白，含有較A 標準電極電位 TO之電極電位髙。 實施例6 利用較Aj?標準電極電位高之元素（I r ，P t ，V ，Nb)，將示於表6之A5濺射閘分別和實施例4相同 地製作後，以和實施例4相同之條件濺射成膜，分別獲得 A又配線膜。將這些之各A又配線膜之特性和實施例1同 樣地測定，評價。又，關於這些之A j?配線膜，和實施例 3相同地也測定，評價鹸性溶液中之和I TO電極之反應 性。將其之結果合併示於表6。又，表6中之比較例6爲 髙電極電位元素之含有量在本發明之範圍外者。 請. 先 閱 背 Λ 之 注 意 事 項 再 填 寫焚 本衣 頁 訂 線 經濟部中央標準局負工消費合作杜印製 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） -34 - 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（父） 表6
閘組成 A 5濺射膜之特性評價結果 試料 No 高電極電位 元素添加量 (原子比） H量木1 (原子比） 比電阻 (β Ώ cm) 熱處理後之 小丘密度*2 蝕刻 殘渣*3 和IT0之 反應性*4 實 1 Ai-i. ηΐτ 50ppm 4. 5 ◎ 4rre. m 〇 施 2 Al-2.4%Pd 17000ppm 4. 8 ◎ 無 〇 例 3 Al-5.7%y 39000ppm 8. 2 ◎ 無 〇 6 4 Al-2.3%Nb 400ppm 5. 1 ◎ •frrf 〇 比 較 例 1 Al-0.009%Ir 120ppm 2_ 9 X 無 X 2 Al-32%Ir 300ppm 13. 5 ◎ 有 〇 3 Al-0.01%Pt 900ppm 3· 1 Δ 無 Δ 4 Al-35%Pt 20ppm 12. 5 ◎ 有 〇 0 5 A1-33«V 2500ppra 19. 9 ◎ 有 〇 6 Al-0.05«Nb 3000ppm 3. 3 Δ 無 * X ----------t.------ΐτ------ii (誇先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）-35- A7 B7 五、發明説明（33 由表6可 比電阻增大之 渣。另一方面 止小丘之發生 據含有適量之 配線膜，可以 電極之反應防 線膜，健全之 L C D之閘極 以明白，髙電極電位元素之含有置太多時， 同時，即使含有適當之Η也無法防止蝕刻殘 ，髙電極電位元素之含有量太少時，無法防 以及和I TO電極之反應。相對於這些，依 髙電極電位元素以及Η之實施例6之各A芡 明白比電阻，耐小丘性，蝕刻性，和I Τ 0 止性皆優良。因而，介經使用這種之Α又配 微細配線網可以再現性良好地形成•又， 線等也可以健全地形成。 請· 先 閲 讀. 背 A 之 注 意 事 項 再 填 本衣 頁 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 實施例7 利用較Aj?標準電極電位髙之元索（Au，Ag， Pd)，將示於表7之組成之A{濺射閘分別和實施例4 相同地製作後，以和實施例4相同之條件濺射成膜，分別 獲得A j配線膜。將這些之各A j?配線膜之特性和實施例 1同樣地測定，評價。又，關於Aj?配線膜之蝕刻性，調 査濕蝕刻以及乾蝕刻之各別之蝕刻率。其結果示於表7。 又，表7中之比較例7使用沒有添加Η之外’以和實 施例7相同之條件製作之A 5濺射閘’各別同樣地爲濺射 成膜之A 膜。 訂 線 本紙張尺度通用中國國家標準（CNS〉A4規格（210X297公釐） -36 - 31S276 五、發明説明（34 ) 表7 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 閘組成 A1濺射膜之特性評價結果 試料 No 高電極電位元素 添加量 (原子比） H置 (原子比*1) (阐中/wtppm) 比電阻 (β Ω cm) 熱處理後之 小丘密度 濕蝕刻率 (nm/min) 乾蝕刻率 (nm/min) 實 1 A1 -0. 2%Au 163ppm(450ppm) 3.1 ◎ 105 380 施 2 Al-0.9%Ag 354ppm(380ppra) 4.2 ◎ 111 400 例 3 Al-1.2«Pd 580ppra(480ppm) 4.6 ◎ 101 340 比 1 Al-0.7%Au - 3.1 Δ 75 210 較 2 Al-2. 5%Ag ― 4.8 Δ 70 250 例 3 Al-19%Pd - 13.2 ◎ 55 200 —---------裝—·1 (t先閲坑背面之注意事項再填寫本頁)
、1T 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210 X 297公釐） -37 - A7 B7 五、發明説明（35 ) 由表7可以明白，依據含有適置之髙電極電位元素以 及Η之實施例7之各A 5配線膜，可以明白比電阻以及耐 小丘性優良，再者蝕刻性也髙。因而，介經使用這種之 A艾配線膜，健全之微細配線網可以再現性良好而且有效 率地形成。 實施例8 將示於表8之組成之A 濺射閘分別和實施例4相同 地製作後，以和實施例4相同之條件濺射成膜，分別獲得 Α又配線膜。將這些各A 配線膜之特性和實施例1同樣 地測定，評價。將其結果示於表8。 請‘ 先 閲 讀· 背 面 之 注 意 事 項 再 填 %裝 本衣 頁 訂 線 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -38 - 318276 A7 B7 五、發明説明（36 ) 表8 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 閘組成 A 濺射膜之特性評價結果 試料 No 金属間化合物 形成元素量 (原子比） H量木1 (原子比） 比電阻 (Μ Ω cm) 熱處理後之 小丘密度*2 蝕刻 殘渣*3 實 1 Al-l.4«Υ 300ppm 5. 4 ◎ 無 2 Α1-3.2%1τ 50ppm 6· 9 ◎ 無 施 3 A1-2.H 720ppm 4. 8 ◎ 無 例 4 Al-mCe 400ppm 8. 8 ◎ 無 5 Al-7.9«Nd 190ppm 6. 5 ◎ ΑττΤ. m 8 6 A1-2.2%Nd 300ppm 5· 3 ◎ /frn* m 7 Al-2.8%Nd δΟΟρριη 5· 7 〇 無 比 較 例 8 1 A1-45%Y 210ppm 28. 4 ◎ 有 2 Al-2.2%Zr 0.004ppm 3. 9 ◎ 有 3 Al-51%La 30ppm 31. 2 ◎ 有 4 Al-0.0005«Ce 7500ppm 3. 1 X -fnnr 覜 5 Al-80«Nd 15ppm 41，3 ◎ 有 請 先 閱 讀. 背 之 注 意 事 項 再 填 寫 本 頁 裝 訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -39 - 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（37 ) 實施例9 首先，將添加對Aj?爲2，3原子％ ( 2重量％)之 T a之原料髙周波誘導熔解（真空熔解）之，熔解時使 0 2起泡以投入氧氣。氧氣之投入置設定爲鋁錠中之〇量 對於Ta量爲10原子ppm (300重量ppm)。對 如此製作之目的組成之鋁錠，施以熱壓延以及機械加工， 以獲得直徑1 2 7mmx厚5mm之AJ2濺射閘。 利用如此獲得之Aj?濺射閘，以背壓1 X 1 〇_4P a ，輸出DC200W，濺射時間2mi η之條件，在直徑 5英吋之玻璃基板上旋轉成膜，形成厚3 5 Onm之Α)? 膜。對此A Ρ膜施以圖案形成以及乾蝕刻，再以5 7 3 Κ 施以熱處理後，測定，評價比電阻，小丘密度，蝕刻殘澄 之有無。將這些之結果示於表9。又，蝕刻殘渣之評價試 驗使用B C j?3+ C又2之混合氣體做爲蝕刻氣體而進行之 〇 又，做爲與本發明之比較例，使用沒有添加T a以及 0而製作之Αβ濺射閘（比較例9_1)，以及沒有添加 0之外，和實施例9以同一條件製作之A 濺射閘（比較 例9 — 2)，分別同樣地濺射形成膜。而且，關於這 些A 膜和實施例9同樣地評價其特性。將其之結果合併 不於表9。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） (請先閲洗背面之注意事項再填寫本頁) -裝· -40 - A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（38 ) 表9 閘組成 A义濺射膜之特性評價結果 添加元素量 0量*1 比電阻 (β Ώ cm) 熱處理後之 小丘密度*2 ’蝕刻 殘渣*3 實施例9 Al-O.3at%Ta 1 Oppm 3. 3 ◎ Λτι·- 撤 比較例9-1 A1 ΑτΤ m 3. 1 X 4πτ. m 比較例9-2 Al-O·3at%Ta Jrrr. m 3. 2 ◎ 有 ----------t-丨-----ΐτ------10 (請先閲攻背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） -41 - 318276 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（39 ) 由表9可以明白，實施例9之AP配線膜在耐小丘性 以及蝕刻性優良。因而，介經使用這種之A j?配線膜，健 全之微細配線網可以再現性良好地形成。 實施例1 0 將使用各種元素之Aj?閘（在表1 0表示其組成）分 別和實施例9同樣地製作後，以和實施例9相同之條件濺 射成膜，分別獲得Aj?配線膜。 將這些之各Αβ配線膜之特性和實施例1同樣地測定 ，評價•又，關於試料Ν 〇 5〜6之Α β配線膜’和實施 例3同樣地也測定，評價於鹼性溶液中和I το電極之反 應性。其結果示於表1 0 *又，表1 0中之比較例1 0爲 添加元素量在本發明之範圔外者。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐.) -42 -
A 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（如） 表10 閘組成 A β濺射膜之特性評價結果 試料 No 金屬間化合物 形成元素量 (原子比） 0量*1 (原子比） 比電阻 (jtz Ω cm) 熱處理後之 小丘密度*2 蝕刻 殘渣*3 和ΙΤ0之 反應性*4 1 A1-1.\%Ετ 190ppm 4.7 ◎ Jtrr 撕 - 實 2 Al-23%Th 70ppra 16.5 ◎ 無 - 施 3 Al-19.2%Sr 920ρρπι 17.3 ◎ 無 - 4 Al-1.4«Zr 90ppm 4.2 ◎ Jrrr m - 例 5 Al-1.2»Si 130ppm 4.6 ◎ 4trr. m 〇 6 Al-1.7%Ti 250ppm 5.3 ◎ 無 〇 1 ϋ 7 Al-0.9%Ίί 90ppni 4. 1 ◎ 無 - 8 Α1-0.7Π1 5000ppm 4.3 ◎ 無 - 比 較 1 Al-36.5«Er 20ppm 18.2 ◎ 有 - 2 Al-0.4%Th 0· 007ppni 3.2 〇 有 - 3 Al-0.6%Sr 0.003ppm 3.9 〇 有 - 例 4 Al-38.\%Zt 340ppm 23.6 ◎ 有 - 10 5 Al-0.0005«Si 29000ppm 3.4 X 4rrf. m Δ 6 Al-32.8%Ti 450ppra 26. 5 ◎ 有 〇 裝-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）-4 3 — 經濟部中央橾準局貝工消費合作社印製 318276 at B7 五、發明説明（41 ) 實施例1 1 首先，將添加對Aj?爲〇. 28原子％ (2重量％) 之P t之原料髙周波誘導熔解（真空熔解）之，熔解時使 1^2起泡以投入氮氣。氮氣之投入量設定爲鋁錠中之N量 對於Pt量爲19原子ppm(500重量ppm)。對 如此製成之目的組成之鋁錠，施以熱壓延以及機械加工， 以獲得直徑1 2 7mmx厚5mm之Aj?濺射閘。 利用如此獲得之A5濺射閘，以背壓1 X 1 〇 -4 P a ，输出DC200W，濺射時間2mi η之條件，在直徑 5英吋之玻璃基板上旋轉成膜，形成厚3 5 0 nm之Aj? 膜。對此A又膜施以圖案形成以及乾蝕刻，再以5 7 3 K 施以熱處理後，測定，評價比電阻，小丘密度，蝕刻殘渣 之有無。將這些之結果示於表1 1。又，蝕刻殘渣之評價 試驗使用B C又3 + C 之混合氣體做爲蝕刻氣體而進行 之。 又，做爲與本發明之比較例，使用沒有添加P t以及 N而製作之Aj?濺射閘（比較例11 — 1)，以及沒有添 加N之外，和實施例1 1以同一條件製作之Ap濺射閘（ 比較例11一2)，分別同樣地濺射形成A5膜。而且， 關於這些A 膜和實施例1 1同樣地評價其特性。將其之 結果合併币於表11。 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) A4規格（210X29*7公釐） -44 一 I-------·--^-- (免先閱讀俨面之注意事項再填寫本頁) 訂 線 318276 at _B7 五、發明説明（42 ) 表11 經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 閘組成 A义濺射膜之特性評價結果 添加元素量 N量*1 比電阻 (Μ Ω cm) 熱處理後之 小丘密度*2 蝕刻 殘渣*3 實施例11 Al-0.28at« 19ppm 3. 4 ◎ Ait m 比較例11-1 A1 4nt m 3. 1 X 無 比較例11-2 Al-0.28at% 無 3. 2 〇 有 I---------裝一.1 (I先閱讀^面之注意事項再填寫本頁) 、-° 線 _r 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐） ^ -45 - 1 A7 __B7__ 五、發明説明（43 ) 由表11可以明白，實施例11之Αί配線膜耐小丘 性以及蝕刻性優良。因而，介經使用此種a i?配線膜，健 全之微細配線網可以再現性良好地形成。 實施例1 2 將使用各種元素之Aj?閘（在表1 2表示其組成）分 別和實施例1 1同樣地製作後，以和實施例1 1相同之條 件濺射成膜，分別獲得Aj?配線膜。將這些之各A又配線 膜之特性和實施例1同樣地測定，評價。又，表12中2 比較例12爲添加元素量在本發明之範圔外者。 ---------_--t------IT------.^ (橡先閲讀r面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央揉準局員工消费合作社印袋 木紙張尺度適用中國國家梂準（CNS ) Μ規格（210X297公釐） -46 - 經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 318276 A7 B7 五、發明説明（44 ) 表12 ' 閘組成 A 5濺射膜之特性評價結果 試料 No 金靥間化合物 形成元素量 (原子比） 版木1 (原子比） 比電阻 (β Ώ cm) 熱處理後之 小丘密度*2 蝕刻 殘渣*3 1 A卜1.8%Sc 660ppm 4· 7 ◎ 無 實 2 Al-2.2%La 330ρρπι 4.4 ◎ 無 施 3 Al-1.3%Ce 910ppra 4. 9 ◎ /ftlf m 4 Al-2,4%Nd 420ppm 5. 1 ◎ 無 例 5 A卜2.8%Sm 70ppm 5. 7 ◎ 無 12 6 Al-3.Q%Qd 150ρρα 5.4 ◎ Jrrr. m 7 Al-4.5%Tb 220ppra 5. 9 ◎ 無 8 Al-ll%Dy 290ppni 6. 3 ◎ 無 9 Al-1.2%Sc 3000ppm 4. 6 ◎ 無 10 Al-1.3»Sc δΟΟρρπι 4.8 ◎ 無 比 較 1 Al-33%Sc 310ppm 18.9 ◎ 有 2 Al-31%La 700ppm 27.8 ◎ 有 3 Al-0.0008%Ce 6000ppm 3. 5 X fur m 例 4 Al-0.0007«Nd 3200ppm 3.2 X 無 12 5 A卜34%Sra 3000ppra 21. 2 ◎ 有 6 Al-36%Gd 7400ppm 22.6 ◎ 有 7 Al-21%Tb 0.003ppm 19. 9 ◎ 有 8 Al-26%Dy 0.005ppm 25. 6 ◎ 有 ---------------v------.^ (訛先閲讀賞面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -47 - 318276 A7 B7 五、發明説明（45 ) 產業上之利用可能性 由以上之實施例也可明白的，本發明之配線膜除了低 電阻之外，耐小丘性，蝕刻性，和I TO等之電氣化學反 應之防止性等皆極儍良。因此，介經使用本發明之配線膜 ，可以使L C D之信號線，閘極線或半導體元件之微細配 線網等健全地形成。又，依據本發明之濺射閘時’如上述 之低電阻之配線膜可以再現性良好地形成，而且也可以抑 制濺射時之灰塵之發生。 I ^ 裝 訂 線 (I先閱讀r面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家梂準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -48 -

Claims (1)

  1. 經濟部中央標準局貝工消費合作社印*. 318276 韶 C8 D8 六、申請專利範圍 1 · 一種配線膜，其特徵爲：包含和形成金靥間 化合物之至少1種之第1之元素〇 · ο 〇 1〜3 0原子％ ’以及由C，0，N以及Η選擇之至少1種之第2之元素 ’對於第1之元素量爲〇· 〇1原子ppm〜50原子％ ，剩餘部分實質上由A又構成。 2 _如申請專利範圍第1項所述之配線膜，其中a j? 和上述第1之元素之金牖間化合物均一地微細析出。 3 .如申請專利範圍第1項所述之配線膜，其中上述 之第1之元素對於Aj?之固溶度在1. 〇重量％以下。 4. —種配線膜，其特徵爲：包含較A5標準電極電 位高之至少1種之第1之元素〇. 001〜30原子％， 以及由C，Ο，N以及Η選擇之至少1種之第2之元素， 對於上述第1元素置爲0. 01原子ppm〜50原子％ ，剩餘部分實質上由Aj?構成· 5. 如申請專利範圍第4項所述之配線膜，其中上述 第1之元素爲和A又形成金靥間化合物之元素。 6. 如申請專利範圍第4項所述之配線膜，其中上述 第2之元素爲Η者。 7. 如申請專利範圍第6項所述之配線膜，其中上述 Η含有置在5 0 0重量p pm以下之範圍。 8. 如申請專利範圍第4項所述之配線膜，其中上述 第1之元素以及A j?和上述第1之元素之金屬間化合物之 至少一方均勻地微細析出· —種配線膜，其特徵爲：包含由Υ，Sc，La 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -49 一 裝 訂 I """線 (請先閲1!^面之注意事項再填寫本頁) ^18276 六、申請專利範圍 A8 B8 C8 D8 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 > C e 1 N d 9 S m > G d 9 T b 9 D y 9 E r » T h 9 S r T i > Z Γ » V 9 N b 9 T a ， C r 9 Μ 0 9 W » Μ η T C 9 R e » F e > C 0 » N i * P d > I r 9 Ρ t 9 C U A 8 9 A U 9 C d » S i P b 以 及 B 選 擇 至 少 1 種 之 第 1 之 元 素 0 • 0 0 1 3 0 原 子 % 以 及 至 少 由 C > 0 > N 以 及 Η 選 擇 至 少 一 種 之第 2 之 元 素 9 對 於 上 述 第 1 之 元 素 量 爲 0 • 0 1 原 子 P P m 5 0 原 子 % 9 剩 餘 部 分 實 質 上 由 A 又 構 成 〇 1 0 • 如 串 請 專 利 範 圍 第 9 項 所述 之 配 線 膜 9 其 中 上 述 第 1 之 元 素 9 以 及 A 和 上 述 第 1 之 元 素 之金 靥 間 化 合 物 之 至 少 一 方 均 勻 地 微細析 出 0 1 1 • 一 種 濺 射 閘 9 其特 徵 爲 : 包含 和 A S. 形 成 金 靥 間 化 合· 物 之 至 少 1 種 之 第 1 之 元 素 0 • 0 0 1 3 0 原 子 % 9 以 及 由 C 9 0 f N 以 及 Η 選 擇 至 少 1 種 之 第 2 之 元 素 9 對 於 上 述 第 1 之 元 素 量 爲 0 • 0 1 原 子 P P m 5 0 原 子 % > 剩 餘 部 分 實 質 上 由 A Si 構 成 0 1 2 • 一 種 濺 射 閘 9 其 特 徵 爲 ： 包 含較 A 又 標 準 電 極 電 位 高 之 至 少 1 種 之第 1 之 元 素 0 • 0 0 1 3 0 原 子 % » 以 及 由 C 9 0 9 N 以 及 Η 選 擇 至 少 1 種 之 第 2 之 元 素 » 對 於 上 述 第 1 之 元 素 童 爲 0 0 1 原 子 P P m 5 0 原 子 % 剩 餘 部 分 實 質 上 由 A 又 構 成 0 1 3 如 串 請 專 利 範 圍 第 1 2 項 所 述 之 濺 射 閘 其 中 上 述 第 1 之 元 素 爲 和 A 形 成 金 屬 間 化 合 物 之 元 素 0 1 4 如 申 請 專 利 範 圍 第 1 2 項 所 述 之 濺 射 閘 » 其 中 (誇先閲填背面之注意事項再填寫本頁) 衣紙張尺度適用中國國家橾準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -50 - A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 上述第2之元素爲Η· 15.如申請專利範圍第14項所述之濺射閘，其中 上述Η之含有量爲在5 0 0重量p pm以下之範圍。 1 6 • —· 種 濺 射 閘 9 其特 徵 爲 ： 包 含 由 Y $ S C L a » C e > N d 9 S m ，G d 1 τ b f D y y E r T h » S r T i 9 Z r ，V t N b » T a t C r 9 Μ 0 » W > Μ η 9 T c 9 R e ，F e 9 C 0 » N i > P d 9 I Γ » Ρ t 9 C u 9 A g ，A u C d » S i » P b 以 及 B 選 擇 至 少 1 種 之第 1 之 元素 0 * 0 0 1 3 0 原 子 % > 以 及 由 C » 0 9 N 以 及 Η 選擇 至 少 1 種 之第 2 之 元 素 > 對 於 上 述 第 1 之 元 素 量 爲 0 .0 1 原 子 P P m 5 0 原 子 % ，剩餘部分實質上由AJ?構成· 1 7 . —種電子零件，其特徵爲具備申請專利範圍第 1項，第4項或第9項所述之配線膜。 ---------裝-- (請&讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -51 _
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