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- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
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- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
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- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
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- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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Description
經濟部中央標準局員工消費合作社印装 31S276 A7 ____JB7_^__ 五、發明説明(丨) 技術領域 本發明係關於適宜低電阻配線之形成之配線膜及配線 膜形成用之濺射閘,以及適用該低電阻配線之液晶顯示裝 置(L C D (Liquid Crystal Display))及半導體元件 等之電子零件。 背景技術 做爲T F T驅動型式之L C D之閘極線及信號線等而 被使用之配線膜,通常介經濺射法而形成。於此種配線膜 之形成材料,Cr,Ti ,Mo,Mo — Ta等被使用著 °但是’伴隨L CD之畫面尺寸之大型化,低電阻之配線 膜變成必要·例如於1 0英吋以上之大型L CD中,要求 1 0#Qcm以下之低電阻配線。於此,做爲構成閘極線 及信號線等之配線膜,低電阻之A 5被注目著。 依據A ί配線膜時,雖可實現低電阻配線,但是A又 配線膜因依據配線形成後之熱處理及CVD製程之4 7 3 〜7 7 3 K程度之加熱等,有產生被稱爲小丘之突起之問 題。伴隨加熱A又膜之應力之解放過程中,A 5原子例如 沿著結晶粒界而擴散。伴隨此A £原子之擴散突起產生。 此種之突起產生於A 配線時,對其後之製程產生不良影 響。 於此,被試以在Αί配線添加微量之金靥元素,例如 Fe,Co,Ni ,尺11,1111,11'等及丫,1^3, N d等之稀土類金靥元素(參考特開平7 — 4 5 5 5 5號 本ίϋ尺1適^中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) _裝 ϋ 訂 線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -4 - 經濟部中央樣準局員工消費合作社印裝 A7 B7 五、發明説明(2 ) 公報)。具體而言,使用微量添加這些金靥之A 濺射閘 以形成Α ί配線膜。上述之金靥元素和Α ί形成金靥間化 合物之故,具有做爲A j?之補捉材之機能。介經如此,可 以抑制上述小丘之形成。 又,在L CD之信號線等適用六又配線之場合,此 A又配線被和構成透明電極之I TO電極叠層》將此種 A又配線和I TO電極之叠層膜浸漬於圖案形成工程使用 之顯像液等之鹼性溶液時,Aj?配線與I TO電極直接接 觸部分產生電氣化學反應。此入配線和I TO電極之電 氣化學反應係由於A 之標準電極電位較I TO之標準電 極電位低而引起的。由於此電氣化學反應,配線和 I TO電極之間電子移動,I TO電極被還原而著色(例 如黑色化),反之Aj?配線被氧化,產生電氣特性降低之 問題。 對於依據上述Aj?配線和I TO電極之電氣化學反應 之問題,被檢討在A 配線添加各種之金屬元素。於此場 合,也使用微量添加金靥元素之A 2閘,形成含有微量金 屬元素之A 配線膜。 但是,於含有如上述之微置之金靥元素之配線膜中, 雖然抑制了 AJ2之擴散及和I TO電極之電氣化學反應等 ,生成之金靥間化合物及添加之金靥元素產生對於A 配 線之蝕刻性及濺射特性等有不良影響之問題。 即,對上述之Aj?配線膜施行CDE ( Chemical Dry Etching)或R I E (Reactive Ion Etching)等之 本紙張尺度適用中國國家梯準(CNS ) A4規格(210X297公釐) ------_-----^------、訂-----.1^ 請先閲请背面之注意事項再填寫本百) 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 318276 A7 B7 五、發明説明(3 ) 乾蝕刻或濕蝕刻時,產生很多稱爲殘渣之熔渣’對於配線 網之形成帶來很大之障礙*添加之金屬元素及生成之金屬 間化合物爲上述蝕刻後之殘渣之產生原因。又’包含上述 金靥元素之A 閘在濺射中由閘產生之灰塵置很多,此灰 塵對於健全之微細配線網之形成成爲障礙。 由於這種情形,於用於低電阻配線之形成之A 5閘以 及A又配線膜中,其課題爲:在抑制依據Α ί之擴散之小 丘的發生及和I TO電極之電氣化學反應等之外’於蝕刻 時抑制殘渣之發生及濺射時抑制灰塵之發生· 又,關於A 配線和I TO電極之電氣化學反應之抑 制,期望於金靥元素之添加量降低之外,圖謀效果之提昇 。又,Αβ配線和I TO電極之電氣化學反應,以把A)? 配線做成和Μ。膜等之疊層構造而抑制者也被檢討著。但 是,此種之叠層膜招致L CD構造之複雜化及高成本之故 ,被期望以單層構造之A 配線以抑制和I TO電極之電 氣化學反應。 上述之課題並不限於使用在L C D之閘極線及信號線 之Αί配線膜,例如,在VLSI及ULSI等之一般的 半導體元件適用Α又配線之場合,電子遷移(Electro-migration) 成爲問題 •上述之金屬元素雖也對電子遷移 之抑制產生效果(參考特開昭6 2 - 2 2 8 4 4 6號公報 及特公平4一48854號公報),和LCD之場合相同 ,蝕刻時殘渣之發生及濺射時灰塵之發生成爲問題。又, 如上述之課題,於彈性表面波共振子(S AW)之類的彈 本紙張尺度適用中國國家橾準(CNS ) A4規格(210X297公釐) ' -6 - ----------^------11-^------^ (請先閲i»·背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局貝工消费合作社印裝 A7 ____B7_^_ 五、發明説明(4 ) 性表面波裝置,或使用SAW之電子零件(SAW裝置) ,再者熱印表機頭(TPH)等之配線及電極等也同樣成 爲問題· 本發明之目的在提供:防止小丘以及蝕刻殘渣之發生 之低電阻配線膜,以及可以使該類之配線膜再現性良好的 成膜,而且,可以抑制濺射時灰塵之發生之濺射閘。本發 明之另外的目的在提供:防止和I TO等之電氣化學反應 以及蝕刻殘渣之發生之低電阻配線膜,以及可以使該類之 配線膜再現性良好的成膜,而且可以抑制濺射時灰塵之發 生之濺射閘•再者,目的在提供:使用該類之配線膜之電 子零件· 發明之公開揭露 本發明之第1之配線膜,其特徵爲:包含和Aj形成 金屬間化合物之至少一種之第1之元素0. 001〜30 原子%,以及由C,0,N以及Η選擇至少1種之第2之 元素,對於上述第1之元素置爲0. 01原子ppm〜 5 0原子%,剩餘部分實質上由Aj?構成。 關於本發明之第2之配線膜,其特徵爲:包含較A又 標準電極電位髙之至少一種之第1之元素〇. 001〜 3 0原子%,以及由C,Ο,Ν以及Η選擇之至少一種之 第2之元素,對於上述第1之元素量爲0. 01原子 p pm〜5 0原子%,剩餘部分實質上由Α又構成》 關於本發明之其他之配線膜,其特徵爲:包含由Y · 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) ----------^------1T------0 (#'先閲济背面之注意事項再填寫本I) ,7 - A7 B7 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 五、發明説明( 5 ) 1 | S C 9 L a 9 C e ) N d ,s m » G d 9 T b * D y > E 1 1 r 9 τ h 9 s r 9 τ i I Z r » V Ν b • Τ a » c r 9 1 1 Μ 0 > W > M η > τ C 9 Re F e C 0 9 Ν i 9 Ρ d 1 請- 1 I f I r » P t > c U A g, A u C d s i t Ρ b 以 先 μ 1 1 少 之 第 之元 讀· 1 及 B 選 擇 至 —. 種 1 素 0 • 0 0 1 3 0 原 子 % 背 1 之 1 > 以 及 由 C 9 0 » Ν 以 及 H選 擇 至 少 1 種 之第 2 之 元 素 對 音 1 事 1 於 上 述 第 1 之 元 素 量 爲 0 .0 1 原 子 Ρ P m 5 0 原 子 % 項 再 1 I 9 剩 餘 部 分 實 質 上 由 A 構成 〇 填 % 本 裝 又 關 於 本 發 明 之 第 ί之 濺 射 閘 其 特 徵 爲 包 含 和 頁 '—<· 1 1 A 形 成 金 屬 間 化 合 物 之 至少 1 種 之 第 1 之 元 素 1 1 0 0 0 1 3 0 原 子 % ,以 及 由 C 0 Ν 以 及 Η 選 擇 1 | 至 少 1 種 之 第 2 之 元 素 對於 上 述 第 1 之 元 素 量 爲 訂 I 0 0 1 原 子 P P m 5 0原 子 % 剩 餘 部 分 實 質 上 由 1 1 I A 9. 構 成 〇 1 1 t 關 於 本 發 明 之 第 2 之濺射 閘 其 特 徵 爲 包 含 較 A 9. 1 1 線 1 標 準 電 極 電 位 高 之 至 少 1 種之 第 1 之 元 素 0 - 0 0 1 3 0 原 子 % 以 及 由 C 0, N 以 及 Η 選 擇 至 少 1 種 之 第 1 2 之 元 素 > 對 於 上 述 第 1 之元 素 量 爲 0 • 0 1 原 子 Ρ P m 1 5 0 原 子 % 剩 餘 部 分 實質 上 由 A Si 構 成 0 - 關 於 本 發 明 之 其 他 之 濺射 閘 其 特 徵 爲 包含 由 Y 9 1 S C L a > C e N d ,S m G d τ b D y ) 1 1 E Γ T h I S Γ T i ,Ζ r V » N d T a C r 1 1 9 Μ 0 9 W 9 Μ η 9 T c ,R e 9 F e C 0 N i > 1 P d I r } Ρ t > C u ,A g A u C d S i » 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(2H)X297公釐) -8 - 318276 a7 B7 經濟部中央樣準局員工消費合作杜印製 五、發明説明( 6 ) 1 P b 以 及 B 選 擇 至 少 1 種 之第 — 之 元 素 0 0 0 1 3 0 1 1 原 子 % f 以 及 由 C f 0 » N 以 及 Η 選 擇 至 少 1 種 之 第 2 之 1 1 元 素 9 對 於 上 述 第 1 之 元 素 量 爲 0 - 0 1 原 子 P Ρ m S 1 I 5 0 原 子 % $ 剩 餘 部 分 實 質 上 由 A 又 JtUr 稱 成 0 請- 先 閲 1 I 而 且 9 本 發 明 之 電 子 零 件 其 特 徵 爲 具 備 上 述 之 本 發 背 面 1 1 明 之 配 線 膜 0 之 注 意 1 於 A 濺 射 閘 添 加 Y 等 之 與 A 形 成 金 屬 間 化 合 物 之 事 項 再 1 1 元 素 ( 以 下 記 爲 金 屬 間 化 合物 形 成 元 素 ) 或 A U 等 之 填 窝 本 1 i. 較A β 標 準 電 極 電 位 髙 之 元 素 ( 以 下 記 爲 髙 電 極 由 位 元 頁 1 1 素 ) 之 同 時 也 添 加 微 量 之 由 C 0 N 以 及 Η 選 擇 之 至 1 1 少 1 種 之 元 素 0 介 經 這 些 之 元 索 存在 於 此 獲得 之 濺 射 膜 1 I 中 之蝕 刻 加 工 性 不 好 之 金屬 間 化 合物 金屬 間 化合物 形 成 訂 I 元 素 高 電 極 電 位 元 素 在 A 9. 之粒 內 及 粒界面 微 細 而 且 均 1 1 1 勻 地析 出 0 1 1 如 此 介 經 使 金 靥 間 化 合物 金 靥 間 化 合 物 形 成 元 素 » '1 高 電 極 電 位 元 素 微 細 而 且 均 勻 地 析 出 蝕 刻 性 大 幅 提 昇 之 線 1 同 時 可 以 抑 制 濺 射 時 灰 塵 之 產 生 0 又 添 加 之 由 C 0 1 | N 以 及 Η 選 擇 之 至 少 1 種 之 元 素 不 會 對 A 1 之擴散 抑 制 1 1 效 果 及 和 I Τ 〇 等 之 電 氣 化 學 反 應 之 抑 制 效 果帶 來 不 良 影 - I 1 響 〇 因 此 可 以 有效 地 防 止 因 金 屬 間 化 合物形成 元 素 所致 • 1 1 1 之 小 丘 之 發 生 〇 或 可 以 有 效 地 防 止 因 髙 電 極 電 位 元 素 所 致 1 之 和 I T 0 等 之 電 氣 化 學 反 應 0 1 1 如 上 所 述 者 本 發 明 之 第 1 之 配 線 膜 於 耐 小 丘 性 以 及 1 微 細 配 線 網 之 形 成 很 優 異 0 又 本 發 明 之 第 2 之 配 線 膜 於 1 本紙張尺度適用中國國家捸準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 一 9 - 經濟部中央橾準局貞工消費合作社印製 31S276 at B7 五、發明説明(7 ) 和I TO等之電氣化學反應之防止性以及微細配線網之形 成性很優異。關於本發明之配線膜,可以兼具這些之特性 圖面之簡單說明 圇1爲把本發明之電子零件適用於液晶顯示裝置之一 實施形態之等價電路圖,圖2表示示於圖1之液晶顯示裝 置之重要部分構成之剖面圖,圖3表示把本發明之電子零 件適用於半導體元件之一實施形態之重要部分構成之剖面 圖,圖4表示把本發明之電子零件適用於熱印表機頭之一 實施形態之重要部分構成之剖面圖,圖5表示把本發明之 電子零件適用於彈性表面波共振子之一實施形態之構成之 平面圖,圖6表示把本發明之電子零件適用於彈性表面波 共振子之其他之實施形態之構成之平面圖,圖7表示使用 圖5或圖6所示之彈性表面波共振子(SAW)之SAW 裝置之重要部分構成之剖面圖,圖8表示將本發明之配線 膜之電極電位和Aj?以及I TO比較之圖。 用於實施發明之形態 以下,關於實施本發明用之形態說明之。 本發明之第1之配線膜爲包含和A 形成金靥間化合 物之至少1種之第1之元素0. 001〜30原子%,以 及由C,Ο,N以及Η選擇之至少1種之第2之元素,對 於第1之元素置爲0. 01原子ppm〜50原子%,剩 本紙張尺度通用中國國家揉準(CNS ) A4規格(210X297公釐) I-ml— 裝 訂—^ 線 ' * (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -10 - 31S276 經濟部中央揉準局貝工消费合作社印裝 Α7 Β7 五、發明説明(8 ) 於部分實質上由Αί構成。 做爲上述之第1之元素可以使用可以和A Ρ形成金靥 間化合物之元素之各種元素。具體而言可舉Y,S c , La ' C e ,Nd,Sm,Gd,Tb,Dy.,Er , Gd等之稀土類金饜元素,Nb,Ta,Te,Mo,W ,Z r,H f 等。 這些和A 5形成金屬間化合物之元素(金屬間化合物 形成元素)例如形成AP3Y之類之金靥間化合物,而具 做爲Aj?之補捉材之機能。因此,即使在對Aj?配線膜施 以熱處理,或在比較高溫形成A 配線膜之場合,也可以 抑制A j之擴散。其結果小丘等之產生被防止。又,電子 遷移等之抑制也變成可能。 使用之金屬間化合物形成元素,最好對於A 固溶度 在1. 0重童%以下。對Αβ之固溶度超過1. 0重量% 時,因和A 之金靥間化合物之形成之小丘之抑制效果, 有無法充分獲得之虞,同時,有招致比電阻之增大之虞。 做爲如此之金靥間化合物形成元素,可舉出Ge,L i , Mg,Th,Ti ,V,Zn,W 等。 又,本發明之第2之配線膜爲包含較A又標準電極電 位高之至少1種之第1之元素0. 0 0 1〜3 0原子% * 以及由C,〇,N以及Η選擇之至少1種之第2之元素, 對於第1之元素置爲0. 01原子ppm〜50原子%, 剩餘部分實質上由Αί構成· 做爲上述之第2之配線膜之第1之元素,可以使用較 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) ----------^.— I (請先閲東背面之注意事項再填寫本頁) '1Τ 線 -11 - 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明説明(9 ) — A又檁準電極電位髙之元素之各種之元素。具體而言可舉 aAg,Au,Cu,Ti,V,Nb,Ta’Cr, M〇,w,Mn,Fe,Co,Ni,Pd,Ir’Pt ’ Cd,S i ,尸13等。這些之中’特別是最好使用和 A又之標準電極電位之差在2V ( 2 9 8K)以上之Ag ’Au,Co,Mo,W,Mn 等。 介經使在Α ί配線膜中含有這些較A P標準電極電位 高之元素(高電極電位元素)’可以提髙A 配線膜之標 準電極電位•於此,在鹸性溶液中發生於A $配線膜和 1 T〇電極間之電氣化學反應’係由於之標準電極電 位較I Τ Ο之標準電極電位低,電子移動而引起之現象。 因此,在A 5配線膜使含有高電極電位元素,介經使A芡 配線膜之標準電極電位例如較I TO者高,可以防止A艾 配線膜與I T 0電極之間之鹸性溶液中之電氣化學反應。 不含招致因I Τ Ο電極之還原而致之著色或因A 2配線膜 之氧化而致之電氣特性之降低等,樊成可以例如將 L C D之閘極線以單層構造之A又配線膜健全地形成。 又,介經高電極電位元素之添加之A又配線膜之標準 電極電位之提昇,並不限定於和I TO電極疊層之場合, 對於將Α ί配線膜與由較Α ί標準電極電位髙之各種材料 所形成之電極或配線等疊層之場合也有效。 做爲上述之高電極電位元素,最好使用在抑制A 配 線膜之比電阻之增大外,和Α β形成金屬間化合物之元素 。又*.做爲高電極電位元素,介經使用和Αί形成金羼間 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) ----------7^------1Τ------m (請先閲命背面之注意事項再填寫本頁) -12 - 318276 A7 A7 B7 五、發明説明(10 ) 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 化 合 物 之 元 素 > 也 可 以 抑 制 如 上 述 之 小 丘 之 產 生 或 電 子 遷 移 等 如 此 9 較 A 標準 電 極 電 位 髙 > 而 且 和 A 形 成 金 靥 間 化 合 物 之 元 素 特 別 有 效 9 含有 此 類 元 素 之 A 又 配 線 膜 可 以 良 好 地使 用 於例如 L C D 之信號 線 以 及 閘 極 線 可 以 稱 爲 汎 用 性 髙 之 A 配 線 膜 〇 此 類 之 元 素 可 舉 出 P d > V * N i > Μ 0 9 W 9 C 0 等 〇 本 發 明 之 配 線 膜 9 具 體 而 言 爲 包 含 由 Y 9 S C » L a f C e Ν d 9 S m 9 G d t T b f D y E r 9 T h > S Γ y T i > Z r > V > N b > T a > C Γ 9 Μ 0 W % Μ η 9 T C t R e 9 F e f C 0 t Ν i y P d » I Γ 1 Ρ t > C U 9 A 8 9 A U 9 C d 9 S i 9 P b 以 及 B 選 擇 至 少 1 種 之 第 1 之 元 素 ( 滿足 金 靥 間 化 合 物 形成 元 素 以 及 高 電 極 電 位 元 素 之 至 少 一 方 之 元 素 ) 0 • 0 0 1 5 0 原 子 % » 以 及 由 C > 0 9 N 以 及 Η 選 擇 至 少 1 種 之 第 2 之 元 素 9 對 於 第 1 之 元 素 量 爲 0 • 0 1 原 子 P P m 5 0 原 子 % 1 剩餘部 分 實 質 上 由 A 構成 0 上 述 之 金 靥 間 化 合物 形 成 元 素 或髙 電 極 電 位 元 素 爲 在 A Si 配 線 膜 中 含 有 0 * 0 0 1 3 0 原 子 % 之 範 圍 0 例 如 金 靥 間 化 合 物 形 成 元 素 之 含 有 置 未 澜 0 0 0 1 原 子 % 時 » /nt". 撕 法 充 分 獲 得 上 述小 丘 之 抑制效 果 0 另 — 方 面 > 超過 3 0 原 子 % 時 t 金 屬 間 化 合物 使 A 配 線 膜 之 電 阻 增 大 ί 又 濕 蝕 刻 或乾 蝕 刻 時 成 爲 殘 渣 之 產 生 原 因 0 又 > 高 電 極 電 位 元 素 之 含 有 量 未 滿 0 1 原 子 % 時 9 /nr. 3W? 法 充 分 獲 得 上 述之電氣化犖反應之抑制效果•另一方面,超過2 0原子 (請先閲東背面之注意事項再填寫本頁} 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 A7 B7 五、發明説明(U ) %時,使A 配線膜之電阻增大,又乾蝕刻或濕蝕刻時成 爲殘渣之產生。更理想之添加童爲〇· 1〜2 0原子%之 範圍。 本發明之配線膜滿足如上述之金靥間化合物形成元素 以及高電極電位元素之至少一方之元素’同時微量含有由 C,Ο,Ν以及Η選擇之至少1種之元素。此微量含有之 元素(C,Ο,Ν,Η)對於金屬間化合物,或金屬間化 合物形成元素以及高電極電位元素本身之微細析出有效地 作用。因此,可以使Α β配線中之金靥間化合物,金屬間 化合物形成元素,高電極電位元素於A 之粒內或粒界面 微細而且均一地析出。 如此於A 配線膜中,介經使金靥間化合物,金屬間 化合物形成元素,髙電極電位元素微細而且均一地析出, 蝕刻性大幅提昇。因此,於A j?配線膜以乾蝕刻等形成配 線網之際,可以大幅地抑制蝕刻殘渣之發生。又,如後詳 述者,在本發明之A j配線膜之製作適用濺射法之場合, 由C,Ο,N以及Η選擇之至少1種之元素,於濺射時之 灰塵發生量之抑制也發揮效果。因此,可以獲得微細灰塵 之含有量大幅減少之Α ί配線膜。 而且,伴隨熱處理等之加熱之AJ?之擴散,如上述者 介經金屬間化合物形成元素與A j?形成金靥間化合物而被 抑制,其結果小丘之發生可以有效地防止。因此,本發明 之第1之A j?配線膜耐小丘性優良,不會因小丘之發生對 其之後之製程帶來不良影響,同時*微細配線網之形成性 本紙張尺度適用中國國家梯準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝·
,tT 14 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 318276 A7 __B7_^_ 五、發明説明(12 ) 優良。又,於鹼性溶液中之和I TO電極等之電氣化學反 應,由於含有高電極電位元素而被抑制•因此,本發明之 第2之Aj?配線膜於和I TO電極等之電氣化學反應之防 止性,以及微細配線網之形成性優異。 於此,由上述之C,0,N以及Η選擇至少1種之元 素(以下,記爲微細析出化元素)之含有量,對於A 配 線膜中之金靥間化合物形成元素或髙電極電位元素之量爲 0 . 0 1原子ppm〜50原子%之範圍。微細析出化元 素之含有量對於金屬間化合物形成元素或髙電極電位元素 之量,未滿0. 01原子ppm時,無法充分獲得金屬間 化合物,金饜間化合物形成元素,髙電極電位元素之微細 析出化效果。另一方面,超過5 0原子%時,多餘之C或 Η等析出於A j?粒界或粒內等,反之使蝕刻性等降低* 更理想之微細析出化元素之含有量,在使用C之場合 爲了原子P pm〜3原子%之範圍,在使用〇,N以及Η 之場合,爲1. 5原子ppm〜7. 5原子%之範圍。在 使用C做爲微細析出化元素之場合,對於金靥間化合物形 成元素或高電極電位元素之量,更理想者爲3 0 0〜 3000原子ppm之範圍,期望在600〜1500原 子P pm之範圍。使用0,N以及Η做爲微細析出化元素 之場合,對於金屬間化合物形成元素或髙電極電位元素之 量,更理想者爲500原子ppm〜1. 5原子%之範圍 ,期望在300〜1500原子ppm之範圍。 上述微細析出化元素之中,特別是C對金屬間化合物 本紙張尺度適用中國國家梯準(CNS ) A4規格(210X297公釐) ----------1---J---1T------0 (.請先閱t»·背面之注意事項再填寫本頁) -15 - 經濟部中央搮準局貞工消费合作社印装 A7 —____B7_^____ 五、發明説明(13 ) 或金靥間化合物形成元素之微細析出發揮效果。因此,於 第1之配線膜,最好使用C做爲微細析出化元素。 又,Η於金靥間化合物,金靥間化合物形成元素,高 電極電位元素之微細析出化外,有使A J2配線膜之標準電 極電位更向上提昇之作用。因此,於第2之配線膜最好使 用Η做爲微細析出化元素。即,Η使Aj?,高電極電位元 素以及金屬間化合物自身具有之離子化能量降低。因此, 介經使用Η做爲微細析出化元素,可以使A 5配線膜之標 準電極電位更提昇。或可以消減髙電極電位元素之含有量 。再者,Η在濕蝕刻時促進化學反應,又,在乾蝕刻時, 加速度地促進A {配線膜之構成元素和蝕刻種(基等)之 反應之故,對蝕刻之微細加工精度之提昇也有貢獻。 但是,Η含太多量時,A 之塑性加工性等有下降之 虞。因此,在使用Η做爲微細析出化元素之場合,A j?配 線膜中之Η含有量最好爲5 0 0重置P pm以下。 本發明之第1之配線膜係介經使用例如具有和其同樣 組成之A P濺射閘,在通常之條件下濺射成膜而獲得。又 ,關於第2之配線膜也相同。 即,用於第1之配線膜之形成之濺射閘,係包含和 Α β形成金屬間化合物之至少1種之金屬間化合物形成元 素0. 001〜30原子%,以及由C,0,N以及Η選 擇之至少1種之微細析出化元素,對於金屬間化合物形成 量爲0. 01原子ppm〜50原子%,剩餘部分實質上 由A j?構成。又,用於第2之配線膜之形成之濺射閘,係 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) I--------—装------tr------^ (請先閱參背面之注意事項再填寫本百) -16 - 經濟部中央揉準局工消费合作社印装 A7 B7___ 五、發明説明(14 ) 包含較A 5標準電極電位髙之至少1種之高電極電位元素 0. 001〜30原子%,以及由C,0,N以及Η選擇 之至少1種之微細析出化元素,對於高電極電位元素量爲 0. 01原子ppm〜50原子%,剩餘部分實質上由 A又構成。 上述之金靥間化合物形成元素,高電極電位元素以及 微細析出化元素之具體例或含有量。爲如上述者*因此, 本發明之濺射閘也可以稱爲包含例如由Y,S c,L a , C e 9 Ν d t S m 9 G d ,T b 9 D y 9 E r 9 Τ h ♦ S r , Τ i > Z r » V y N b, Τ a 9 C r > Μ 0 » W » Μ η 9 Τ c > R e F e ,C ο N i » P d I Γ Ρ t > C u 9 A g > A u ,C d > S i > P b 以 及 B 選 擇 至 少 1 種 之 第 1 之 元 素 ( 滿足金 靥 間 化 合 物 形 成 元 素 以 及 高 電 極 位 元 素 之 至 少 一 方之元 素 ) 0 - 0 0 1 3 0 原 子 % 以 及 由 C > 0 9 Ν 以及Η 選 擇 至 少 1 種 之 第 2 之 元 素 ( 微 細 析 出 化 元 素 ) t 對於第 1 之 元 素 量 爲 0 • 0 1 原 子 Ρ Ρ m 5 0 原 子 % 9 剩餘部 分 實 質 上 由 A 9. 構 成 之 濺 射 閘 0 介 經 使 用 這 樣 之 濺 射 閘,可 以 再 現 性 良 好 地 獲 得 本 發 明 之 配 線膜 〇 除 此 之 外 9 微細析 出化 元 素 於 濺 射 時 發 生 之 灰 塵 之 抑 制 也 發 揮 效 果 ο 因此, 使 用 本 發 明 之 濺 射 閘 而 濺 射 成 膜 而 形 成 之 A 9. 配 線 膜,微細 灰 塵 之 含 有 量 被 大 幅 降 低 * 在 微 細 配 線 網 之 形 成 性優良 〇 再者,由C,Ο,N以及Η選擇之至少1種之微細析 本紙張尺度適用中國國家橾準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -----:-----參------1Τ----;——^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -17 - 經濟部中央標準局員工消費合作社印聚 318276 A7 B7 五、發明説明(15 ) 出化元素,例如介經控制濺射時之環境或條件等,可以由 濺射環境中置入A 配線膜中•但是,在獲得濺射時之灰 塵發生量之抑制效果上,期望預先含於濺射閘中· 上述之本發明之濺射閘之製造方法,並沒有特別被限 定,例如可以適用大氣熔解法,真空熔解法,急冷凝固法 (例如噴隳成形法),粉末冶金法等之眾所周知之製造方 法而製作之。 例如,適用真空熔解法之場合,首先在A5中將滿足 金靥間化合物形成元素以及髙電極電位元素之至少一方之 元素和C等之微細析出化元素以規定量配合,將其在真空 中髙周波熔化以製造鋁錠。在使用0,N,Η做爲微細析 出化元素之場合,在考慮不純物元素之含有量上,例如在 熔解中將那些之氣體起泡等,使在鋁錠中含有規定量。在 使用0,Ν,Η做爲微細析出化元素之場合,於控制其之 含有量下,最好適用真空熔解法。 又,在適用噴霧成形法之場合,同樣地在Aj?中將滿 足金屬間化合物形成元素以及髙電極電位元素之至少一方 之元素和微細析出化元素以規定量配合,將其髙周波熔解 法後,介經噴霧器噴霧之以製作鋁錠。在使用0,Ν,Η 做爲微細析出化元素之場合,於考慮不純物元素之含有量 上,例如在噴霧時吹以那些之氣體等,在鋁錠中使含有規 定量。 在適用粉末冶金法之場合,在A 中將滿足金靥間化 合物形成元素以及高電極電位元素之至少一方之元素和微 本紙張尺度適用中國國家橾準(CNS ) A4規格(2丨0X297公釐) ----------I------訂·------i (,請先閲參背面之注意事項再填寫本頁) -18 - 經濟部中央標準局負工消费合作社印製 A7 __B7__ 五、發明説明(16 ) 細析出化元素以規定量配合,施以常壓燒結,熱壓, Η I P等以製作燒結體。在使用0,N,Η做爲微細析出 化元素之場合,關於Ν在製作燒結體之際,可以由n2S 氣中含有之。又,關於0,Η則在A j?母材中規定含有量 。如此爲之,使0,N,Η在燒結體中含有規定量。又, 這些之中,易於獏得比較髙密度之高純度,微細結晶之素 材之急冷凝固法很適合。 在上述介經溶融而得之鋁錠或介經粉末冶金而得之燒 結體,通常被施以熱間加工,冷間加工等•又,因應需要 進行再結晶熱處理或結晶方位控制,以獲得目標之濺射閘 。在大型閘之場合,也可以進行擴散接合等以做成所希望 之形狀之閘。但是,在製作用於大面稹之L CD等之形成 之大型閘之場合,以各種方法一次形成,在濺射時之灰塵 發生抑制上最爲理想。 又,在製作本發明之濺射閘之際,介經壓延,锻造等 之加工率最好在5 0%以上。此係由上述加工率而得之熱 能產生被整合之結晶格子之排列,在微小之內部缺陷之減 少有效之故。又,依據目標濺射閘,必要之純度,組織, 面方位等有不同之故,可以因應這些要求特性而適宜地設 定製造方法。 又,本發明之A又配線膜之製造方法,並不限定於上 述之濺射法,只要是可以獲得滿足上述組成之A j?配線膜 *可以適用種種之膜形成法·換言之*本發明之A 配線 膜不限於濺射膜,可以使用滿足上述組成之A文配線膜之 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) I裝 I'訂 I 線 (f先閲A背面之注意事項再填寫本育) -19 - 318276 Α7 Β7 五、發明説明(17 ) 以種種形成法製成之薄膜· 如上述之本發明之Α ί配線膜*可以使用在各種之電 子零件之配線或電極等。具體而言,可舉出使用本發明之 Α又配線膜做爲閘極線及信號線等之液晶顯示裝置( LCD),使用本發明之Aj?配線膜做爲配線網之 V I S I或ULS I等之半導體元件等。再者,在彈性表 面波元件(SAW)或使用其之SAW裝置,熱印表機頭 (T P Η )等之電子零件之配線等,也可以使用本發明之 Α 5配線膜。本發明之電子零件特別對於大型化以及髙精 細化之L C D面板或髙精細化之半導體元件等有效〃 圖1以及圖2表示使用本發明之A j?配線膜之液晶顯 示裝置之一實施形態之圖。圃1爲使用反交錯型T F T之 主動矩陣型液晶顯示裝置之等價電路圖,圖2表示該 TFT之構成之剖面圖。 經濟部中央樣準局負工消費合作社印製 (請先閲私背面之注意事項再填寫本頁) ________ _______ I . > 於圖1,1表示透明玻璃基板,在其上閘極配線2以 及資料配線3成矩陣狀地配設著。在這些配線之交差部, 介經a — S i膜形成TFT4。此TFT4之剖面構造如 圖2所示者,在透明玻璃基板1上形成由本發明之A 配 線膜(Αβ合金膜)所形成之閘極電極2 /。此閘極電極 2 >和圖1之閘極電極2以同一材料,同一工程一體形成 。而且,形成此閘極電極後,在其上形成S i 3Ν4 膜5做爲閘極絕緣膜,在其上堆稹無摻雜質(nond〇pe) 之a — S i膜6,n+型a-S i膜7,在其上形成Mo 膜8 最後在其上形成汲極電極3 <以及源極竃極9。在 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) -20 - A7 B7 五、發明説明(18 ) 0與液晶電容 T F T 4之源極連接各畫素之顯示電極 請, 先 閲 讀. 背 Λ 之 注 意 事 項 再 填 本衣 頁 圖3表示使用本發明之A史配線膜之半導體元件之一 實施形態之重要部位之構成之剖面圖。將此半導體元件之 構造連同其之製造工程一齊說明之。 訂 於圖3,21爲P - Si基板,對此P — S i基板施 以熱氧化,在表面形成熱氧化膜。接著,除了源極,閘極 ,汲極之各領域,選擇性地進行氧化處理,形成領域氧化 膜22。接著,將源極,汲極之各領域上之熱氧化膜,介 經保護膜之形成與蝕刻處理(P E P處理)而去除。介經 此PEP處理,形成閘極氧化膜23。接著,除了汲極之 各領域外於形成保護膜後,在P_S i基板2 1內注入不 純物元素,形成源極領域24以及汲極領域25。又,在 閘極氧化膜2 3上形成Mo或W之矽化物(silicide)膜 2 6° 線 經濟部中央標準局貝工消費合作社印裝 接著,在P-S i基面2 1之全面形成由矽酸鹽( silicate)玻璃等形成之絕緣膜2 7後,介經P E P處理 ,去除源極領域2 4以及汲極領域2 5上之磷矽酸鹽玻璃 層2 7 ·在去除磷矽酸鹽玻璃層2 7後之源極領域2 4以 及汲極領域25上,分別形成TiN,ZrN,HfN等 之阻擋層2 8。 之後,全面形成本發明之A5配線膜(Αβ合金膜) ,介經施以PEP處理,形成希望形狀之Α艾配線29 » 而且:形成由S i 3N4膜等形成之絕緣膜3 0後,介經 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公瘦) -21 - A7 B7 經濟部中央樣準局員工消费合作社印製 五、發明説明(19 ) 1 1 P E P 處 理 形 成 A U 導 線 3 1 之 接合 用 開 P 部 9 完 成 半 導 1 1 體 晶 片 3 2 0 1 1 圖 4 表 示 使 用 本發 明 之 A 9. 配 線 膜 之 熱 印 表 機 頭 之 —* y<—S 1 請* 1 1 實 施 形 態 之 重 要 部 位 之 構 成 之 分 解 斜 視 圖 0 1 I 如 由 讀· 1 於 圖 4 在 例 F e 一 C r 合 金 形 成 之 支 持 基 板 背 1 I 3 1 上 形 成 由 芳 香 族 聚 酰胺樹脂 等 形 成 之 耐 熱 樹 脂 層 之 注 意 1 1 I 3 2 P 在 此 rrr r 耐 熱 樹 脂 層 3 2 上 例 如 以 N 或 C 之 其 中 之 一 事 項 再 1 1 I 和 S i 爲 主 成 分 之 底 膜 3 3 介 經 濺 射 法 等 而 形 成 〇 在 此 底 填 寫 本 1 裝 膜 3 3 上 形 成 發 熱 電 阻 體 3 4 以 及 由 本 發 明 之 A 9. 配 線 頁 1 1 膜 形 成 之 個 別 電 極 3 5 以 及 共 通 電 極 3 6 0 覆 蓋 此 電 極 1 1 3 5 3 6 之 大 部 分 以 及 發 熱 電 阻 體 3 4 地 形 成 保 護 膜 1 I 3 7 P 秦 •訂 I 圖 5 圖 6 以 及 圖 7 表 示 使 用 本 發 明 之 A 9. 配 線 膜 之 1 1 I S A W 以 及 S A W 裝 置 之 實 施形 態 之 圖 0 圖 5 表 示 依據 —* 1 1 1 實 施 形 態 之 S A W 之 構成 之 平 面 圖 圖 6 表 示 依 據 其 他 之 1 1 實 施 形 態 之 S A W 之 構成 之 平 面 圖 圖 7 表 示 使 用 S A W 線 1 之 S A W 裝 置 之 構 成 之 剖 面 圖 0 1 於 圖 5 在 由 L i T a 0 3 基 板 或 L i N b 0 3 基 板 1 I 所 形 成 之 壓 電 體 基 板 4 1 上 由 本 發 明 之 A 配 線 膜 所 形 * 成 之 轉 換 器 4 2 4 3 隔 離 形 成 著 0 此 轉 換 器 例 如 將 輸 入 - 1 1 轉 換 器 4 2 之 電 極 之 交 差 寬 度 改 變 進 行 加 乘 效 果 形 成 1 濾 波 器 例 如 彩 色 電 視 接 收 機 之 P I F 濾 波 器 〇 將 此 被 加 乘 1 1 之 輸 入 轉換 器 4 2 之沒有 交 差 部 分 以 本 發 明 之 A 合 金 膜 I 全 面 塗 抹 使 輸 入 轉 換 器 4 2 之 電 極 端 子 4 4 變 大 〇 在 如 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(2丨OX297公釐) -22 - 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 318276 at B7 五、發明説明(20 ) 此形成之電極端子4 4之至少一部分以及輸入轉換器4 2 之外側部分重叠設置吸音材4 5。此吸音材4 5之形狀爲 幾乎覆蓋输入轉換器4 2之後緣部,而且彈性表面波之入 射側對於入射之彈性表面波成斜交地成爲傾斜側緣。再者 ,在輸出轉換器4 3之外側也設置吸音材4 6。 又,圖6表示其他之實施形態之SAW之平面圖。於 圖6,在由L i Ta03基板或L i Nb03基板所形成之 壓電體基板4 1上,形成將输入電氣信號轉換成傳播於壓 電體基板4 1上之彈性表面波用之轉換器,例如將一對之 鋸齒狀電極4 7 a,4 7 b互相嚙合而成之交錯配置( inter-digital)電極4 7 *此交錯配置電極4 7介經本 發明之A又合金膜而形成。在此交錯配置電極4 7之兩端 之壓電體基板4 1上,形成反射分別以交錯配置電極4 7 激勵之彈性表面波用之由本發明之A又合金膜所形成之分 級反射器48,49。 示於圖5及圖6之S AW被當成示於圖7之裝置而使 用。於圖7,SAW5 1通過接著構件5 2而固定在例如 由陶瓷基板所形成之晶片載體5 3上,在此晶片載體5 3 上,金靥製蓋5 5通過由科瓦鐵鎳鈷合金(kovar )等之 低熱膨脹性金靥所形成之環5 4而接著。在此晶片載體 5 3上,形成由本發明之Aj?合金膜所形成之配線圖案 5 6。SAW5 1與配線圖案5 6介經接合線5 7而電氣 地連接。又,晶片載體53上之配線圓案56(獨立之各 圖案).1在內壁面被塗以金等,而且通過以玻璃等之絕緣 本紙張尺度適用中國國家梯準(CNS ) A4規格(210X297公釐) ----------^--:---1I1T------^ (i先閲讀t面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明(21 ) 構件塞住之通孔5 8,和晶片載體5 3之下面側之配線圖 案59電氣的連接著。 接著,關於本發明之AJ?濺射閘與Ap配線膜之具體 的實施例以及其之評價結果說明之。 實施例1 首先,在Aj?中添加對於此Aj2〇,83原子% (2. 7重量%)之Y,以及對於此Y1630原子 p pm ( 2 2 0重量p pm)之C,將此混合原料髙周波 誘導溶解以製作目的組成之鋁錠9對此鋁錠施以冷壓延以 及機械加工,製成直徑1 2 7mmx厚5mm之Aj?濺射 蘭。 利用如此得到之A又濺射閘,以背壓1 X 1 〇 p a ,輸出DC200W,濺射時間3mi η之條件,在直徑 5英吋之玻璃基板上旋轉成膜,形成厚3 5 0 nm之Α5 膜。將此Aj?膜之比電阻,熱處理(5 7 3 K)後之小丘 密度,蝕刻殘渣之有無測定評價之。又,關於蝕刻殘渣之 評價試驗之蝕刻,使用B C文3 + C又2之混合氣體做爲蝕 刻氣體而進行。將其結果示於表1。 又,做爲與本發明之比較例,使用沒有添加Y以及C 而製作之Aj?濺射閘(比較例1一1),以及沒有添加C 以外,和實施例1以同一條件製作之A 濺射閘(比較例 1 一 2),分別同樣地濺射形成A)?膜。而且,關於這些 A又膜和實施例1同樣地評價其特性。將其之結果(熱處 理後)合併示於表1· 請· 先 閲 % 背 ir 之 注 項 再 填 %盤 本衣 頁 訂 線 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) A7 B7 五、發明説明(22 ) 表1 閘組成 A又濺射膜之特性評價結果 金屬間化合物 C量*1 比電阻 熱處理後之 蝕刻 形成元素量 (Α Ω era) 小丘密度*2 殘渣*3 實施例1 Al-0.83am 1630at.ppm 3.14 〇 /rrr m 比較例1-1 A1 無 3.00 X 無 比較例1-2 Al-0.83at%Y 無 3.01 ◎ 有 *1:對於金靥間化合物形成元索童 *2:©=完全沒有小丘 〇=一部分側小丘 x=全面有小丘 *3:無=無殘渣有=全面有殘渣 經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 本紙張尺度適用中國國家橾準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -25 - A7 _^_B7_^_ 五、發明説明(23 ) 由表1可以明白,本發明之A 配線膜,耐小丘性及 蝕刻性優良。因而,介經使用此種A 5配線膜,健全之微 細配線網可以再現性良好地形成· 實施例2 將示於表2之各組成之Α ί濺射閘分別和實施例1相 同地製作後,以和實施例1相同之條件濺射成膜,分別獲 得A 配線膜。將這些各A j?配線膜之特性和實施例1同 樣地測定,評價。將其結果合併示於表2。 -II II · I I I I 訂 線 (·請先閲渰背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局負工消費合作杜印製 本紙張尺度適用中國國家梯準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -9R - 26 3iS276 A7 __B7 五、發明説明(24 ) 表2 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 閘組成 A又濺射膜之特性評價結果 試料 No 金屬間化合物 形成元素置 (原子比) C量*1 (原子比) 比電阻 (U Ω cm) 熱處理後之 小丘密度*2 蝕刻 殘渣*3 1 Al-O.71%Y 5¾ 3. 5 〇 /frif- m 實 2 Α卜0.73%Υ 12% 3. 8 ◎ <trrfL 撕 3 Al-1.\%Y 200ppm 4. 1 ◎ 4rrf. m 施 4 Al-l.73«Υ 580ρρηι 4. 6 ◎ m 5 Al-1. 2%Υ 7% 5. 1 ◎ •fm* m 例 2 6 Al-2.83%Υ 90ppm 6. 3 ◎ 無 7 Α1-4%Υ 37. 8¾ 6. 7 ◎ 4nr m 8 Α1-2%Υ 300ppm 5. 1 ◎ 4ttT. m 9 Α1-1.8%Υ 1.8ppm 4. 9 〇 /frrr. 挑 比較 1 Α1-2.3%Υ 4. 5 ◎ 有 例2 2 Α1-4«Υ 55% 4. 9 ◎ 有 批衣-- (請先閲讀^:面之注意事項再填寫本頁) 訂 本紙張尺度適用中國國家揉準(CNS )八4規格(210X297公釐) 316276 at _____B7_ 五、發明説明(25 ) 實施例3 將使用代替Y之各種元素之AP閘(在表3表示組成 )分別和實施例1同樣地製作後,以和實施例1相同之條 件濺射成膜,分別獲得Αί配線膜。 將這些各A j?配線膜之特性和實施例1同樣地測定, 評價。又’關於試料Nol6〜22之配線膜,於鹼 性溶液中和I TO電極之反應性也測定,評價。此鹼性溶 液中之和I TO電極之反應性,在參考電極使用銀,氯化 銀電極之同時,陽極爲I TO,陰極爲各AJ2合金,以通 常使用之電極測定法調査之。將其結果合併示於表3。 請. 先 閲 之 注 項 再 填 寫 本 頁 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標隼(CNS ) A4規格(210X297公釐) -28 - 318276 at B7 五、發明説明(2〇 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 表3 閘組成 A 5濺射膜之特性評價結果 試料 No 金屬間化合物 形成元素量 (原子比) C量*1 (原子比) 比電阻 (β Ω era) 熱處理後之 小丘密度*2 蝕刻 殘渣*3 和ITO之 反應性*4 1 Al-1.5%Gd 2600ppm 3· 8 ◎ 無 - 2 A卜2.2%Gd 3700ppra 4.8 ◎ 無 - 3 Al-2.6«Th 1lOppm 4.0 ◎ 無 - 實 4 A1 - 5.3%Th 70ppm 5, 2 ◎ 無 - 5 Al-2.\%Re 220ppm 4. 0 ◎ 無 - 6 Α1Ί. 9«B 170ppm 4.2 〇 ^m* m - 施 7 Al-6.1*B 340ppm 5. 1 ◎ 無 - 8 Al-4.9%Sc 90ppra 4.4 〇 無 - 9 Al-3.7»Sc 41Oppm 5.3 ◎ 無 - 例 10 Al-1.6%Nd 20ppra 4.7 〇 無 - 11 Al-2.3«Dy 700ppni 3, 6 ◎ yfrrr m - 12 A 卜 l_8%Dy 12* 4.3 ◎ 無 - 3 13 A卜1·0%Zr -0.2%B 120ppm 3. 5 ◎ 4rrf. m - 14 Al-0. 8謝 -0.5%B 190ppm 3.8 ◎ 無 - 15 Al-1.1%Y -0·9%B 31Oppm 4.2 ◎ 無 - 16 A卜2.6%Cu 400ppra 4. 5 ◎ /m* m 〇 17 Al-4.2%Cu 580ppm 5. 1 ◎ 無 〇 18 Al-0.9»Mn 350ppra 3.4 ◎ 4nf 挑 〇 19 Al-9.7%V 1600ppra 5. 6 ◎ int m 〇 20 Al-15. \%M 5. 1¾ 7.9 ◎ /frnr m Δ 21 Al-13.2%la 7. 5¾ 8. 8 ◎ 無 Δ *4:〇=沒反應 △= 一部分有反應 x=有反應 ----------I--^----t------@ (請先閱1*·背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -2*f- A7 B7 五、發明説明(27 ) 實施例4 首先,將添加對於Aj?爲2,84原子% (6重置% )之C 〇之原料高周波誘導熔解(真空熔解),在此溶湯 內將Η 2氣體起泡以投入Η。Η之起泡量設定爲鋁錠中之 Η量對於Co量爲980原子ppm(200重量ppm )。對於如此製作之目的組成之鋁錠施以熱壓延以及機械 加工,以獲得直徑1 2 7mmx厚5mm之A5濺射閘。 利用如此獲得之A $濺射閘,以背壓1 X 1 0 _4 p a ,輸出DC200W,濺射時間2mi η之條件,在直徑 5英吋之玻璃基板上旋轉成膜,形成厚3 5 0 nm之Α义 膜。對此A 5膜施以圖案形成以及乾蝕刻,再以5 7 3 K 施以熱處理後,測定評價比電阻,小丘密度,蝕刻殘渣之 有無。將這些之結果示於表4。又,蝕刻殘渣之評價試驗 使用B C又3 + C又2之混合氣體做爲蝕刻氣體而進行之。 經濟部中央樣準局員工消費合作社印裝 ---------;--裝-- (*先閲t*.背面之注意事項再填寫本頁) 又,做爲與本發明之比較例,使用沒有添加C 〇以及 Η而製作之A 濺射閘(比較例4 — 1 ),以及沒有添加 Η之外,和實施例4以同一條件製作之A又濺射閘(比較 例4一2),分別同樣地濺射形成A又膜。而且,關於這 些A 5膜和實施例4同樣地評價其特性。將其之結果合併 示於表4。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -30 - 318276 a? B7 五、發明説明(28 ) 表4 I---------批衣丨:-----ΪΤ------0 (·請先閲洗背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央橾準局員工消費合作社印製 閘組成 A又濺射膜之特性評價結果 添加元素量 Η量木1 比電阻 熱處理後之 蝕刻 (原子童) (原子比) (β Q cm) 小丘密度12 殘渣13 實施例4 Al-2.84%Co 980ppm 4.3 ◎ 無 實施例4-1 A1 無 2. 0 X Jm·. m 實施例4-2 Al-2.84»Co 無 4.2 〇 有 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -31 - 1 1:對添加元索童 *2:©=完全沒有小丘〇=—部分有側小丘△=一部分小丘存在x=全面有小丘 *3:無=無殘渣有=全面有殘渣 A7 B7 五、發明説明(29 ) 由表4可以明白,實施例4之Aj?配線膜,耐小丘性 以及蝕刻性優良。因而,介經使用此種AJ2配線膜,健全 之微細配線網可以再現性良好地形成》 實施例5 將示於表5之各組成之A 濺射閘分別和實施例4相 同地製作後,以和實施例4相同之條件濺射成膜。將如此 製作之各A又膜置於鹼性溶液(NMD — 3 1顯像液)中 ,使用參考電極(Ag/AgCi2/Cj2_)測定電極電 位。將其之結果示於表5以及圖8· ---------.I 裝-- (#*先閱瘦背面之注意事項再填寫本頁) 訂 線 經濟部中央橾準局員工消費合作杜印裝 本紙張尺度適用中國國家梂準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -32 - 五、發明説明(30 ) 表5 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 試料 閘組成 標準電極電位 No 高電極電位元素 H童*1 (V(vsAg/AgC1) 1 Al-1. 43%atS6Ni 3600at.ppm -1.15 2 A1 -1.19at%Co 190at.ppm -1.2 實 3 A 卜2. 01a«Pt 700at.ppm -1.12 4 Al-1.87at%Au 150at.ppra -1.25 施 5 Al-2·3at%Mo 920at.ppm -1.11 6 Al-4. 6am 80at.ppm -1. 27 7 A 卜3_ 8a«Pd 61 Oat.ppm -1. 12 例 8 Al-5.2at%Ta 11 Oat. ppra -1.27 9 Al-3.3at%Ti 180at_ ppm -1.25 5 10 A1 -1.2at%Ag 700at.ppm -1.11 11 Al-6.2at%V 300at.ppra -1. 22 比較例5-1 A1 m -1. 9 比較例5 - 2 (TIO) — -1. 44 *1 :對高電極電位元素量 ----------t.--!----IT------# (t先閲#背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS )八4規格(210X297公釐) -33 - 316276 A7 B7 五、發明説明(31 ) 由表5以及圖 高之A 膜,都較 可以明白,含有較A 標準電極電位 TO之電極電位髙。 實施例6 利用較Aj?標準電極電位高之元素(I r ,P t ,V ,Nb),將示於表6之A5濺射閘分別和實施例4相同 地製作後,以和實施例4相同之條件濺射成膜,分別獲得 A又配線膜。將這些之各A又配線膜之特性和實施例1同 樣地測定,評價。又,關於這些之A j?配線膜,和實施例 3相同地也測定,評價鹸性溶液中之和I TO電極之反應 性。將其之結果合併示於表6。又,表6中之比較例6爲 髙電極電位元素之含有量在本發明之範圍外者。 請. 先 閱 背 Λ 之 注 意 事 項 再 填 寫焚 本衣 頁 訂 線 經濟部中央標準局負工消費合作杜印製 本紙張尺度適用中國國家橾準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) -34 - 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(父) 表6
閘組成 A 5濺射膜之特性評價結果 試料 No 高電極電位 元素添加量 (原子比) H量木1 (原子比) 比電阻 (β Ώ cm) 熱處理後之 小丘密度*2 蝕刻 殘渣*3 和IT0之 反應性*4 實 1 Ai-i. ηΐτ 50ppm 4. 5 ◎ 4rre. m 〇 施 2 Al-2.4%Pd 17000ppm 4. 8 ◎ 無 〇 例 3 Al-5.7%y 39000ppm 8. 2 ◎ 無 〇 6 4 Al-2.3%Nb 400ppm 5. 1 ◎ •frrf 〇 比 較 例 1 Al-0.009%Ir 120ppm 2_ 9 X 無 X 2 Al-32%Ir 300ppm 13. 5 ◎ 有 〇 3 Al-0.01%Pt 900ppm 3· 1 Δ 無 Δ 4 Al-35%Pt 20ppm 12. 5 ◎ 有 〇 0 5 A1-33«V 2500ppra 19. 9 ◎ 有 〇 6 Al-0.05«Nb 3000ppm 3. 3 Δ 無 * X ----------t.------ΐτ------ii (誇先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)-35- A7 B7 五、發明説明(33 由表6可 比電阻增大之 渣。另一方面 止小丘之發生 據含有適量之 配線膜,可以 電極之反應防 線膜,健全之 L C D之閘極 以明白,髙電極電位元素之含有置太多時, 同時,即使含有適當之Η也無法防止蝕刻殘 ,髙電極電位元素之含有量太少時,無法防 以及和I TO電極之反應。相對於這些,依 髙電極電位元素以及Η之實施例6之各A芡 明白比電阻,耐小丘性,蝕刻性,和I Τ 0 止性皆優良。因而,介經使用這種之Α又配 微細配線網可以再現性良好地形成•又, 線等也可以健全地形成。 請· 先 閲 讀. 背 A 之 注 意 事 項 再 填 本衣 頁 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 實施例7 利用較Aj?標準電極電位髙之元索(Au,Ag, Pd),將示於表7之組成之A{濺射閘分別和實施例4 相同地製作後,以和實施例4相同之條件濺射成膜,分別 獲得A j配線膜。將這些之各A j?配線膜之特性和實施例 1同樣地測定,評價。又,關於Aj?配線膜之蝕刻性,調 査濕蝕刻以及乾蝕刻之各別之蝕刻率。其結果示於表7。 又,表7中之比較例7使用沒有添加Η之外’以和實 施例7相同之條件製作之A 5濺射閘’各別同樣地爲濺射 成膜之A 膜。 訂 線 本紙張尺度通用中國國家標準(CNS〉A4規格(210X297公釐) -36 - 31S276 五、發明説明(34 ) 表7 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 閘組成 A1濺射膜之特性評價結果 試料 No 高電極電位元素 添加量 (原子比) H置 (原子比*1) (阐中/wtppm) 比電阻 (β Ω cm) 熱處理後之 小丘密度 濕蝕刻率 (nm/min) 乾蝕刻率 (nm/min) 實 1 A1 -0. 2%Au 163ppm(450ppm) 3.1 ◎ 105 380 施 2 Al-0.9%Ag 354ppm(380ppra) 4.2 ◎ 111 400 例 3 Al-1.2«Pd 580ppra(480ppm) 4.6 ◎ 101 340 比 1 Al-0.7%Au - 3.1 Δ 75 210 較 2 Al-2. 5%Ag ― 4.8 Δ 70 250 例 3 Al-19%Pd - 13.2 ◎ 55 200 —---------裝—·1 (t先閲坑背面之注意事項再填寫本頁)
、1T 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210 X 297公釐) -37 - A7 B7 五、發明説明(35 ) 由表7可以明白,依據含有適置之髙電極電位元素以 及Η之實施例7之各A 5配線膜,可以明白比電阻以及耐 小丘性優良,再者蝕刻性也髙。因而,介經使用這種之 A艾配線膜,健全之微細配線網可以再現性良好而且有效 率地形成。 實施例8 將示於表8之組成之A 濺射閘分別和實施例4相同 地製作後,以和實施例4相同之條件濺射成膜,分別獲得 Α又配線膜。將這些各A 配線膜之特性和實施例1同樣 地測定,評價。將其結果示於表8。 請‘ 先 閲 讀· 背 面 之 注 意 事 項 再 填 %裝 本衣 頁 訂 線 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -38 - 318276 A7 B7 五、發明説明(36 ) 表8 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 閘組成 A 濺射膜之特性評價結果 試料 No 金属間化合物 形成元素量 (原子比) H量木1 (原子比) 比電阻 (Μ Ω cm) 熱處理後之 小丘密度*2 蝕刻 殘渣*3 實 1 Al-l.4«Υ 300ppm 5. 4 ◎ 無 2 Α1-3.2%1τ 50ppm 6· 9 ◎ 無 施 3 A1-2.H 720ppm 4. 8 ◎ 無 例 4 Al-mCe 400ppm 8. 8 ◎ 無 5 Al-7.9«Nd 190ppm 6. 5 ◎ ΑττΤ. m 8 6 A1-2.2%Nd 300ppm 5· 3 ◎ /frn* m 7 Al-2.8%Nd δΟΟρριη 5· 7 〇 無 比 較 例 8 1 A1-45%Y 210ppm 28. 4 ◎ 有 2 Al-2.2%Zr 0.004ppm 3. 9 ◎ 有 3 Al-51%La 30ppm 31. 2 ◎ 有 4 Al-0.0005«Ce 7500ppm 3. 1 X -fnnr 覜 5 Al-80«Nd 15ppm 41,3 ◎ 有 請 先 閱 讀. 背 之 注 意 事 項 再 填 寫 本 頁 裝 訂 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -39 - 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(37 ) 實施例9 首先,將添加對Aj?爲2,3原子% ( 2重量%)之 T a之原料髙周波誘導熔解(真空熔解)之,熔解時使 0 2起泡以投入氧氣。氧氣之投入置設定爲鋁錠中之〇量 對於Ta量爲10原子ppm (300重量ppm)。對 如此製作之目的組成之鋁錠,施以熱壓延以及機械加工, 以獲得直徑1 2 7mmx厚5mm之AJ2濺射閘。 利用如此獲得之Aj?濺射閘,以背壓1 X 1 〇_4P a ,輸出DC200W,濺射時間2mi η之條件,在直徑 5英吋之玻璃基板上旋轉成膜,形成厚3 5 Onm之Α)? 膜。對此A Ρ膜施以圖案形成以及乾蝕刻,再以5 7 3 Κ 施以熱處理後,測定,評價比電阻,小丘密度,蝕刻殘澄 之有無。將這些之結果示於表9。又,蝕刻殘渣之評價試 驗使用B C j?3+ C又2之混合氣體做爲蝕刻氣體而進行之 〇 又,做爲與本發明之比較例,使用沒有添加T a以及 0而製作之Αβ濺射閘(比較例9_1),以及沒有添加 0之外,和實施例9以同一條件製作之A 濺射閘(比較 例9 — 2),分別同樣地濺射形成膜。而且,關於這 些A 膜和實施例9同樣地評價其特性。將其之結果合併 不於表9。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) (請先閲洗背面之注意事項再填寫本頁) -裝· -40 - A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明(38 ) 表9 閘組成 A义濺射膜之特性評價結果 添加元素量 0量*1 比電阻 (β Ώ cm) 熱處理後之 小丘密度*2 ’蝕刻 殘渣*3 實施例9 Al-O.3at%Ta 1 Oppm 3. 3 ◎ Λτι·- 撤 比較例9-1 A1 ΑτΤ m 3. 1 X 4πτ. m 比較例9-2 Al-O·3at%Ta Jrrr. m 3. 2 ◎ 有 ----------t-丨-----ΐτ------10 (請先閲攻背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家橾準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) -41 - 318276 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(39 ) 由表9可以明白,實施例9之AP配線膜在耐小丘性 以及蝕刻性優良。因而,介經使用這種之A j?配線膜,健 全之微細配線網可以再現性良好地形成。 實施例1 0 將使用各種元素之Aj?閘(在表1 0表示其組成)分 別和實施例9同樣地製作後,以和實施例9相同之條件濺 射成膜,分別獲得Aj?配線膜。 將這些之各Αβ配線膜之特性和實施例1同樣地測定 ,評價•又,關於試料Ν 〇 5〜6之Α β配線膜’和實施 例3同樣地也測定,評價於鹼性溶液中和I το電極之反 應性。其結果示於表1 0 *又,表1 0中之比較例1 0爲 添加元素量在本發明之範圔外者。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4规格(210X297公釐.) -42 -
A 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明(如) 表10 閘組成 A β濺射膜之特性評價結果 試料 No 金屬間化合物 形成元素量 (原子比) 0量*1 (原子比) 比電阻 (jtz Ω cm) 熱處理後之 小丘密度*2 蝕刻 殘渣*3 和ΙΤ0之 反應性*4 1 A1-1.\%Ετ 190ppm 4.7 ◎ Jtrr 撕 - 實 2 Al-23%Th 70ppra 16.5 ◎ 無 - 施 3 Al-19.2%Sr 920ρρπι 17.3 ◎ 無 - 4 Al-1.4«Zr 90ppm 4.2 ◎ Jrrr m - 例 5 Al-1.2»Si 130ppm 4.6 ◎ 4trr. m 〇 6 Al-1.7%Ti 250ppm 5.3 ◎ 無 〇 1 ϋ 7 Al-0.9%Ίί 90ppni 4. 1 ◎ 無 - 8 Α1-0.7Π1 5000ppm 4.3 ◎ 無 - 比 較 1 Al-36.5«Er 20ppm 18.2 ◎ 有 - 2 Al-0.4%Th 0· 007ppni 3.2 〇 有 - 3 Al-0.6%Sr 0.003ppm 3.9 〇 有 - 例 4 Al-38.\%Zt 340ppm 23.6 ◎ 有 - 10 5 Al-0.0005«Si 29000ppm 3.4 X 4rrf. m Δ 6 Al-32.8%Ti 450ppra 26. 5 ◎ 有 〇 裝-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)-4 3 — 經濟部中央橾準局貝工消費合作社印製 318276 at B7 五、發明説明(41 ) 實施例1 1 首先,將添加對Aj?爲〇. 28原子% (2重量%) 之P t之原料髙周波誘導熔解(真空熔解)之,熔解時使 1^2起泡以投入氮氣。氮氣之投入量設定爲鋁錠中之N量 對於Pt量爲19原子ppm(500重量ppm)。對 如此製成之目的組成之鋁錠,施以熱壓延以及機械加工, 以獲得直徑1 2 7mmx厚5mm之Aj?濺射閘。 利用如此獲得之A5濺射閘,以背壓1 X 1 〇 -4 P a ,输出DC200W,濺射時間2mi η之條件,在直徑 5英吋之玻璃基板上旋轉成膜,形成厚3 5 0 nm之Aj? 膜。對此A又膜施以圖案形成以及乾蝕刻,再以5 7 3 K 施以熱處理後,測定,評價比電阻,小丘密度,蝕刻殘渣 之有無。將這些之結果示於表1 1。又,蝕刻殘渣之評價 試驗使用B C又3 + C 之混合氣體做爲蝕刻氣體而進行 之。 又,做爲與本發明之比較例,使用沒有添加P t以及 N而製作之Aj?濺射閘(比較例11 — 1),以及沒有添 加N之外,和實施例1 1以同一條件製作之Ap濺射閘( 比較例11一2),分別同樣地濺射形成A5膜。而且, 關於這些A 膜和實施例1 1同樣地評價其特性。將其之 結果合併币於表11。 本紙張尺度適用中國國家標率(CNS ) A4規格(210X29*7公釐) -44 一 I-------·--^-- (免先閱讀俨面之注意事項再填寫本頁) 訂 線 318276 at _B7 五、發明説明(42 ) 表11 經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 閘組成 A义濺射膜之特性評價結果 添加元素量 N量*1 比電阻 (Μ Ω cm) 熱處理後之 小丘密度*2 蝕刻 殘渣*3 實施例11 Al-0.28at« 19ppm 3. 4 ◎ Ait m 比較例11-1 A1 4nt m 3. 1 X 無 比較例11-2 Al-0.28at% 無 3. 2 〇 有 I---------裝一.1 (I先閱讀^面之注意事項再填寫本頁) 、-° 線 _r 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4规格(210X297公釐) ^ -45 - 1 A7 __B7__ 五、發明説明(43 ) 由表11可以明白,實施例11之Αί配線膜耐小丘 性以及蝕刻性優良。因而,介經使用此種a i?配線膜,健 全之微細配線網可以再現性良好地形成。 實施例1 2 將使用各種元素之Aj?閘(在表1 2表示其組成)分 別和實施例1 1同樣地製作後,以和實施例1 1相同之條 件濺射成膜,分別獲得Aj?配線膜。將這些之各A又配線 膜之特性和實施例1同樣地測定,評價。又,表12中2 比較例12爲添加元素量在本發明之範圔外者。 ---------_--t------IT------.^ (橡先閲讀r面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央揉準局員工消费合作社印袋 木紙張尺度適用中國國家梂準(CNS ) Μ規格(210X297公釐) -46 - 經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 318276 A7 B7 五、發明説明(44 ) 表12 ' 閘組成 A 5濺射膜之特性評價結果 試料 No 金靥間化合物 形成元素量 (原子比) 版木1 (原子比) 比電阻 (β Ώ cm) 熱處理後之 小丘密度*2 蝕刻 殘渣*3 1 A卜1.8%Sc 660ppm 4· 7 ◎ 無 實 2 Al-2.2%La 330ρρπι 4.4 ◎ 無 施 3 Al-1.3%Ce 910ppra 4. 9 ◎ /ftlf m 4 Al-2,4%Nd 420ppm 5. 1 ◎ 無 例 5 A卜2.8%Sm 70ppm 5. 7 ◎ 無 12 6 Al-3.Q%Qd 150ρρα 5.4 ◎ Jrrr. m 7 Al-4.5%Tb 220ppra 5. 9 ◎ 無 8 Al-ll%Dy 290ppni 6. 3 ◎ 無 9 Al-1.2%Sc 3000ppm 4. 6 ◎ 無 10 Al-1.3»Sc δΟΟρρπι 4.8 ◎ 無 比 較 1 Al-33%Sc 310ppm 18.9 ◎ 有 2 Al-31%La 700ppm 27.8 ◎ 有 3 Al-0.0008%Ce 6000ppm 3. 5 X fur m 例 4 Al-0.0007«Nd 3200ppm 3.2 X 無 12 5 A卜34%Sra 3000ppra 21. 2 ◎ 有 6 Al-36%Gd 7400ppm 22.6 ◎ 有 7 Al-21%Tb 0.003ppm 19. 9 ◎ 有 8 Al-26%Dy 0.005ppm 25. 6 ◎ 有 ---------------v------.^ (訛先閲讀賞面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -47 - 318276 A7 B7 五、發明説明(45 ) 產業上之利用可能性 由以上之實施例也可明白的,本發明之配線膜除了低 電阻之外,耐小丘性,蝕刻性,和I TO等之電氣化學反 應之防止性等皆極儍良。因此,介經使用本發明之配線膜 ,可以使L C D之信號線,閘極線或半導體元件之微細配 線網等健全地形成。又,依據本發明之濺射閘時’如上述 之低電阻之配線膜可以再現性良好地形成,而且也可以抑 制濺射時之灰塵之發生。 I ^ 裝 訂 線 (I先閱讀r面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家梂準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -48 -
Claims (1)
- 經濟部中央標準局貝工消費合作社印*. 318276 韶 C8 D8 六、申請專利範圍 1 · 一種配線膜,其特徵爲:包含和形成金靥間 化合物之至少1種之第1之元素〇 · ο 〇 1〜3 0原子% ’以及由C,0,N以及Η選擇之至少1種之第2之元素 ’對於第1之元素量爲〇· 〇1原子ppm〜50原子% ,剩餘部分實質上由A又構成。 2 _如申請專利範圍第1項所述之配線膜,其中a j? 和上述第1之元素之金牖間化合物均一地微細析出。 3 .如申請專利範圍第1項所述之配線膜,其中上述 之第1之元素對於Aj?之固溶度在1. 〇重量%以下。 4. —種配線膜,其特徵爲:包含較A5標準電極電 位高之至少1種之第1之元素〇. 001〜30原子%, 以及由C,Ο,N以及Η選擇之至少1種之第2之元素, 對於上述第1元素置爲0. 01原子ppm〜50原子% ,剩餘部分實質上由Aj?構成· 5. 如申請專利範圍第4項所述之配線膜,其中上述 第1之元素爲和A又形成金靥間化合物之元素。 6. 如申請專利範圍第4項所述之配線膜,其中上述 第2之元素爲Η者。 7. 如申請專利範圍第6項所述之配線膜,其中上述 Η含有置在5 0 0重量p pm以下之範圍。 8. 如申請專利範圍第4項所述之配線膜,其中上述 第1之元素以及A j?和上述第1之元素之金屬間化合物之 至少一方均勻地微細析出· —種配線膜,其特徵爲:包含由Υ,Sc,La 本紙張尺度適用中國國家橾準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -49 一 裝 訂 I """線 (請先閲1!^面之注意事項再填寫本頁) ^18276 六、申請專利範圍 A8 B8 C8 D8 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 > C e 1 N d 9 S m > G d 9 T b 9 D y 9 E r » T h 9 S r T i > Z Γ » V 9 N b 9 T a , C r 9 Μ 0 9 W » Μ η T C 9 R e » F e > C 0 » N i * P d > I r 9 Ρ t 9 C U A 8 9 A U 9 C d » S i P b 以 及 B 選 擇 至 少 1 種 之 第 1 之 元 素 0 • 0 0 1 3 0 原 子 % 以 及 至 少 由 C > 0 > N 以 及 Η 選 擇 至 少 一 種 之第 2 之 元 素 9 對 於 上 述 第 1 之 元 素 量 爲 0 • 0 1 原 子 P P m 5 0 原 子 % 9 剩 餘 部 分 實 質 上 由 A 又 構 成 〇 1 0 • 如 串 請 專 利 範 圍 第 9 項 所述 之 配 線 膜 9 其 中 上 述 第 1 之 元 素 9 以 及 A 和 上 述 第 1 之 元 素 之金 靥 間 化 合 物 之 至 少 一 方 均 勻 地 微細析 出 0 1 1 • 一 種 濺 射 閘 9 其特 徵 爲 : 包含 和 A S. 形 成 金 靥 間 化 合· 物 之 至 少 1 種 之 第 1 之 元 素 0 • 0 0 1 3 0 原 子 % 9 以 及 由 C 9 0 f N 以 及 Η 選 擇 至 少 1 種 之 第 2 之 元 素 9 對 於 上 述 第 1 之 元 素 量 爲 0 • 0 1 原 子 P P m 5 0 原 子 % > 剩 餘 部 分 實 質 上 由 A Si 構 成 0 1 2 • 一 種 濺 射 閘 9 其 特 徵 爲 : 包 含較 A 又 標 準 電 極 電 位 高 之 至 少 1 種 之第 1 之 元 素 0 • 0 0 1 3 0 原 子 % » 以 及 由 C 9 0 9 N 以 及 Η 選 擇 至 少 1 種 之 第 2 之 元 素 » 對 於 上 述 第 1 之 元 素 童 爲 0 0 1 原 子 P P m 5 0 原 子 % 剩 餘 部 分 實 質 上 由 A 又 構 成 0 1 3 如 串 請 專 利 範 圍 第 1 2 項 所 述 之 濺 射 閘 其 中 上 述 第 1 之 元 素 爲 和 A 形 成 金 屬 間 化 合 物 之 元 素 0 1 4 如 申 請 專 利 範 圍 第 1 2 項 所 述 之 濺 射 閘 » 其 中 (誇先閲填背面之注意事項再填寫本頁) 衣紙張尺度適用中國國家橾準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -50 - A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 上述第2之元素爲Η· 15.如申請專利範圍第14項所述之濺射閘,其中 上述Η之含有量爲在5 0 0重量p pm以下之範圍。 1 6 • —· 種 濺 射 閘 9 其特 徵 爲 : 包 含 由 Y $ S C L a » C e > N d 9 S m ,G d 1 τ b f D y y E r T h » S r T i 9 Z r ,V t N b » T a t C r 9 Μ 0 » W > Μ η 9 T c 9 R e ,F e 9 C 0 » N i > P d 9 I Γ » Ρ t 9 C u 9 A g ,A u C d » S i » P b 以 及 B 選 擇 至 少 1 種 之第 1 之 元素 0 * 0 0 1 3 0 原 子 % > 以 及 由 C » 0 9 N 以 及 Η 選擇 至 少 1 種 之第 2 之 元 素 > 對 於 上 述 第 1 之 元 素 量 爲 0 .0 1 原 子 P P m 5 0 原 子 % ,剩餘部分實質上由AJ?構成· 1 7 . —種電子零件,其特徵爲具備申請專利範圍第 1項,第4項或第9項所述之配線膜。 ---------裝-- (請&讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -51 _
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