JPH10142625A - 液晶ディスプレイの導電部製作方法及びその製作に用いるスパッタリングターゲット - Google Patents
液晶ディスプレイの導電部製作方法及びその製作に用いるスパッタリングターゲットInfo
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- JPH10142625A JPH10142625A JP8295038A JP29503896A JPH10142625A JP H10142625 A JPH10142625 A JP H10142625A JP 8295038 A JP8295038 A JP 8295038A JP 29503896 A JP29503896 A JP 29503896A JP H10142625 A JPH10142625 A JP H10142625A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】エッチング液によりＩＴＯ膜との界面が腐食さ
れにくく、ヒロックの発生がなく、低い抵抗率の導電部
を液晶ディスプレイに製作すること及びその製作に適し
たスパッタリングターゲットを提供すること。 【解決手段】液晶ディスプレイ用基板の表面に形成した
ＩＴＯ膜の膜面に、Ａｌ−Ｐｔ合金若しくはこれを主組
成とするスパッタリングターゲットを使用してスパッタ
リングにより配線や電極等の導電部を直接形成する。タ
ーゲットは、ＡｌにＰｔを０．１wt％〜４０wt％の範囲
で混合した合金もしくはこの合金を主組成とする高融点
金属との合金で構成される。
れにくく、ヒロックの発生がなく、低い抵抗率の導電部
を液晶ディスプレイに製作すること及びその製作に適し
たスパッタリングターゲットを提供すること。 【解決手段】液晶ディスプレイ用基板の表面に形成した
ＩＴＯ膜の膜面に、Ａｌ−Ｐｔ合金若しくはこれを主組
成とするスパッタリングターゲットを使用してスパッタ
リングにより配線や電極等の導電部を直接形成する。タ
ーゲットは、ＡｌにＰｔを０．１wt％〜４０wt％の範囲
で混合した合金もしくはこの合金を主組成とする高融点
金属との合金で構成される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶ディスプレイ
の配線や電極等の導電部を製作する方法とその製作に用
いるスパッタリングターゲットに関する。
の配線や電極等の導電部を製作する方法とその製作に用
いるスパッタリングターゲットに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、液晶ディスプレイ用基板に形成し
たＩＴＯ（Indium-Tin-Oxide）膜の表面に、スパッタリ
ングにより直接Ｃｒの配線や電極の導電部を形成するこ
とが行われている。Ｃｒを含有すると、これを廃棄する
ときに環境問題を生じるおそれがあるので、Ｃｒに代え
ＡｌやＡｌ合金で該導電部を形成することが行われてい
る。
たＩＴＯ（Indium-Tin-Oxide）膜の表面に、スパッタリ
ングにより直接Ｃｒの配線や電極の導電部を形成するこ
とが行われている。Ｃｒを含有すると、これを廃棄する
ときに環境問題を生じるおそれがあるので、Ｃｒに代え
ＡｌやＡｌ合金で該導電部を形成することが行われてい
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】液晶ディスプレイはウ
エットエッチングの工程を経て製作されるが、ピュアＡ
ｌやＡｌ合金の導電部を持つ液晶ディスプレイ用基板を
エッチング液中に浸漬すると、該導電部とＩＴＯ膜が電
池効果による界面腐食を起こして不良品となりやすく、
その対策として、ＩＴＯ膜とＡｌやＡｌ合金の間にＭｏ
などをバリヤメタルとして入れたり、或いはＡｌにＮｄ
などを添加してＩＴＯ膜との電位差を小さくすることが
行われている。
エットエッチングの工程を経て製作されるが、ピュアＡ
ｌやＡｌ合金の導電部を持つ液晶ディスプレイ用基板を
エッチング液中に浸漬すると、該導電部とＩＴＯ膜が電
池効果による界面腐食を起こして不良品となりやすく、
その対策として、ＩＴＯ膜とＡｌやＡｌ合金の間にＭｏ
などをバリヤメタルとして入れたり、或いはＡｌにＮｄ
などを添加してＩＴＯ膜との電位差を小さくすることが
行われている。
【０００４】しかし、前記バリヤメタルを入れる方法で
は工程が多くなる不都合があり、前記添加物を入れる方
法では導電部の抵抗率が高くなる欠点がある。この抵抗
率を下げるために添加元素の量を減らすと、導電部にヒ
ロック即ち丘状隆起が発生し、これは該導電部上に続い
て形成される膜の膜厚不均一をもたらすので好ましくな
い。Ａｌ合金の代わりにＴａ、Ｔｉ、Ｗなどを使用する
ことも試みられたが、いずれもＡｌよりも靱性が悪いた
め、ＩＴＯ膜との熱膨張差によるせん断力で破断する不
都合があって好ましくない。
は工程が多くなる不都合があり、前記添加物を入れる方
法では導電部の抵抗率が高くなる欠点がある。この抵抗
率を下げるために添加元素の量を減らすと、導電部にヒ
ロック即ち丘状隆起が発生し、これは該導電部上に続い
て形成される膜の膜厚不均一をもたらすので好ましくな
い。Ａｌ合金の代わりにＴａ、Ｔｉ、Ｗなどを使用する
ことも試みられたが、いずれもＡｌよりも靱性が悪いた
め、ＩＴＯ膜との熱膨張差によるせん断力で破断する不
都合があって好ましくない。
【０００５】本発明は、エッチング液によりＩＴＯ膜と
の界面が腐食されにくく、ヒロックの発生がなく、低い
抵抗率の導電部を液晶ディスプレイに製作すること及び
その製作に適したスパッタリングターゲットを提供する
ことを目的とする。
の界面が腐食されにくく、ヒロックの発生がなく、低い
抵抗率の導電部を液晶ディスプレイに製作すること及び
その製作に適したスパッタリングターゲットを提供する
ことを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明では、液晶ディス
プレイ用基板の表面に形成したＩＴＯ膜の膜面もしくは
液晶ディスプレイを形成する他の膜面に、Ａｌ−Ｐｔ合
金若しくはこれを主組成とするスパッタリングターゲッ
トを使用してスパッタリングにより配線や電極等の導電
部を直接形成することにより、上記目的を達成するよう
にした。該スパッタリングのスパッタリングターゲット
にはＡｌにＰｔを０．１wt％〜４０wt％の範囲で混合し
た合金もしくはこの合金を主組成とした高融点金属で構
成したものが適当である。
プレイ用基板の表面に形成したＩＴＯ膜の膜面もしくは
液晶ディスプレイを形成する他の膜面に、Ａｌ−Ｐｔ合
金若しくはこれを主組成とするスパッタリングターゲッ
トを使用してスパッタリングにより配線や電極等の導電
部を直接形成することにより、上記目的を達成するよう
にした。該スパッタリングのスパッタリングターゲット
にはＡｌにＰｔを０．１wt％〜４０wt％の範囲で混合し
た合金もしくはこの合金を主組成とした高融点金属で構
成したものが適当である。
【０００７】
【発明の実施の形態】ガラス基板にＩＴＯ（Indium-Tin
-Oxide）膜を形成した液晶ディスプレイ用基板を用意
し、該ＩＴＯ膜の表面にＡｌ−Ｐｔ合金或いはこの合金
を主組成として含有するスパッタリングターゲットを使
用して直流スパッタリングにより配線や電極の導電部を
形成する。このあと該基板はパターン形成のためにエッ
チング液に浸漬して処理されるが、エッチング液に浸漬
けされても導電部とＩＴＯ膜の界面には腐食が発生せ
ず、導電部表面も平滑でヒロックの発生もなく、導電部
の抵抗率も低いものが得られた。
-Oxide）膜を形成した液晶ディスプレイ用基板を用意
し、該ＩＴＯ膜の表面にＡｌ−Ｐｔ合金或いはこの合金
を主組成として含有するスパッタリングターゲットを使
用して直流スパッタリングにより配線や電極の導電部を
形成する。このあと該基板はパターン形成のためにエッ
チング液に浸漬して処理されるが、エッチング液に浸漬
けされても導電部とＩＴＯ膜の界面には腐食が発生せ
ず、導電部表面も平滑でヒロックの発生もなく、導電部
の抵抗率も低いものが得られた。
【０００８】該スパッタリングターゲットには、Ａｌに
Ｐｔを０．１wt％〜４０wt％の範囲で混合した合金、或
いはこの合金に周期律表III族からVIII族に含まれる高
融点金属（Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、
Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａ
ｇ、Ｔａ、Ｒｅ、Ｉｒ、Ａｕ、Ｃｅ、Ｅｕなど）の添加
物を１種以上で合計０．１wt％〜４０wt％を混合した合
金が用いられる。
Ｐｔを０．１wt％〜４０wt％の範囲で混合した合金、或
いはこの合金に周期律表III族からVIII族に含まれる高
融点金属（Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、
Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａ
ｇ、Ｔａ、Ｒｅ、Ｉｒ、Ａｕ、Ｃｅ、Ｅｕなど）の添加
物を１種以上で合計０．１wt％〜４０wt％を混合した合
金が用いられる。
【０００９】発明者等は、ＩＴＯ膜と導電部の界面腐食
の原因が電池効果であることに着目し、最初にピュアＡ
ｌに対し不純物金属として何を添加した合金が高い自然
電位を示すかを図１の測定装置を使用して測定した。こ
の装置は３０℃にヒータ１で温度調節した恒温槽２に現
像液（東京応化工業製 ＮＭＤ−３）を入れたもので、
現像液にＡｇ／ＡｇＣｌの基準電極３とピュアＡｌにＰ
ｔ、Ｐｄ、Ｗ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｓｉ、Ｇｅのいずれ
かを１wt％添加した合金試料４を漬け、合金試料４と基
準電極３間の電位をレコーダ５にて測定した。その結果
は図２の如くであり、Ｐｔを添加したＡｌ合金が最も高
い−１．０Ｖ台の自然電位を示したが、Ｐｔ以外の添加
金属でもピュアＡｌよりも高い自然電位が得られ、界面
腐食を小さくできる。特に良好であったＡｌ−Ｐｔ合金
について組成別に自然電位を調べるため、Ｐｔをwt％で
０．１、０．２、０．３、０．５、１．０、２．０、
３．０、５．０と異ならせた合金の試料を作製し、図１
の装置で測定した。その結果、図３に示すようにＰｔ組
成が３wt％以上になると電位が安定することが分かっ
た。この電位安定の原因は、３wt％以上の組成では合金
が共晶及び過共晶領域になるためと考えられる。
の原因が電池効果であることに着目し、最初にピュアＡ
ｌに対し不純物金属として何を添加した合金が高い自然
電位を示すかを図１の測定装置を使用して測定した。こ
の装置は３０℃にヒータ１で温度調節した恒温槽２に現
像液（東京応化工業製 ＮＭＤ−３）を入れたもので、
現像液にＡｇ／ＡｇＣｌの基準電極３とピュアＡｌにＰ
ｔ、Ｐｄ、Ｗ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｓｉ、Ｇｅのいずれ
かを１wt％添加した合金試料４を漬け、合金試料４と基
準電極３間の電位をレコーダ５にて測定した。その結果
は図２の如くであり、Ｐｔを添加したＡｌ合金が最も高
い−１．０Ｖ台の自然電位を示したが、Ｐｔ以外の添加
金属でもピュアＡｌよりも高い自然電位が得られ、界面
腐食を小さくできる。特に良好であったＡｌ−Ｐｔ合金
について組成別に自然電位を調べるため、Ｐｔをwt％で
０．１、０．２、０．３、０．５、１．０、２．０、
３．０、５．０と異ならせた合金の試料を作製し、図１
の装置で測定した。その結果、図３に示すようにＰｔ組
成が３wt％以上になると電位が安定することが分かっ
た。この電位安定の原因は、３wt％以上の組成では合金
が共晶及び過共晶領域になるためと考えられる。
【００１０】また、液晶ディスプレイ基板のＩＴＯ膜上
に直流スパッタでＡｌ−Ｐｔ合金膜の導電部を形成し、
その電位を図１の装置を使用して測定したところ図４に
示すような結果になった。この測定では、該基板の合金
膜のＰｔ組成を０．３、３、５wt％に変えて測定し、比
較のためにピュアＡｌ膜の導電部を液晶ディスプレイ基
板に形成したものの電位も測定した。３wt％Ｐｔ及び５
wt％Ｐｔのものが約−１Ｖとなった。０．３wt％Ｐｔの
ものが図３の場合より電位が低くなっているが、これは
固溶度の差であり、図３の場合のブロック状の試料より
もスパッタ膜の方が固溶度が高いため電位が低くなって
いる（α−Ａｌが多い）と推定される。
に直流スパッタでＡｌ−Ｐｔ合金膜の導電部を形成し、
その電位を図１の装置を使用して測定したところ図４に
示すような結果になった。この測定では、該基板の合金
膜のＰｔ組成を０．３、３、５wt％に変えて測定し、比
較のためにピュアＡｌ膜の導電部を液晶ディスプレイ基
板に形成したものの電位も測定した。３wt％Ｐｔ及び５
wt％Ｐｔのものが約−１Ｖとなった。０．３wt％Ｐｔの
ものが図３の場合より電位が低くなっているが、これは
固溶度の差であり、図３の場合のブロック状の試料より
もスパッタ膜の方が固溶度が高いため電位が低くなって
いる（α−Ａｌが多い）と推定される。
【００１１】該導電部の抵抗率は、Ａｌ−Ｐｔ合金の場
合、導電部の厚さが厚いほど小さくなり、一般的な導電
部の厚さ、例えば１００００Åの厚さでは抵抗率が図５
に見られるように約３〜５μΩ・ｃｍになり、純粋なＡ
ｌの導電部に比べて遜色がない。尚、抵抗率を測定する
ため、ＳｉＯ2がコートされた６インチシリコンウエハ
を複数枚用意し、これに組成を異ならせたＡｌ−Ｐｔ合
金ターゲット及びピュアＡｌターゲットを３×１０-3To
rrのＡｒ雰囲気でＤＣマグネトロンスパッタによりスパ
ッタし、膜厚を１１０００〜１５０００Åの範囲で異な
らせた薄膜状のＡｌ−Ｐｔ合金導電部及びピュアＡｌ導
電部を形成し、各ウエハの導電部の抵抗率を公知の方法
即ち四探針法により測定した。
合、導電部の厚さが厚いほど小さくなり、一般的な導電
部の厚さ、例えば１００００Åの厚さでは抵抗率が図５
に見られるように約３〜５μΩ・ｃｍになり、純粋なＡ
ｌの導電部に比べて遜色がない。尚、抵抗率を測定する
ため、ＳｉＯ2がコートされた６インチシリコンウエハ
を複数枚用意し、これに組成を異ならせたＡｌ−Ｐｔ合
金ターゲット及びピュアＡｌターゲットを３×１０-3To
rrのＡｒ雰囲気でＤＣマグネトロンスパッタによりスパ
ッタし、膜厚を１１０００〜１５０００Åの範囲で異な
らせた薄膜状のＡｌ−Ｐｔ合金導電部及びピュアＡｌ導
電部を形成し、各ウエハの導電部の抵抗率を公知の方法
即ち四探針法により測定した。
【００１２】ＩＴＯ膜とＡｌ−Ｐｔ合金のターゲットを
スパッタして形成した導電部の界面の腐食状況を確認す
るため、０．３、３、５wt％Ｐｔの各種組成のＡｌ−Ｐ
ｔ合金の導電部をガラス基板のＩＴＯ膜（厚さ２０００
Å）上に２０００Åの厚さで薄膜状に形成して本発明に
よる液晶ディスプレイ基板の試料を作製し、この試料を
純水で５倍に希釈した液温３０℃のアルカリ性現像液
（東京応化工業製ＮＨＤ−３）に漬け、形成した該導電
部が完全に無くなるまでの時間を測定した。比較のため
に、ピュアＡｌのターゲットを使用して液晶ディスプレ
イのＩＴＯ膜上に薄膜状にピュアＡｌの導電部を形成し
た比較試料を用意して同様の試験を行った。その結果は
次表の通りであり、３wt％Ｐｔが最も長い時間で腐食し
た。３wt％Ｐｔ及び５wt％Ｐｔは膜表面での化学反応
で、０．３wt％ＰｔとピュアＡｌの導電部はＩＴＯ膜の
界面からの腐食であった。この腐食試験のためのスパッ
タ条件は上記抵抗率測定の場合と同じである。
スパッタして形成した導電部の界面の腐食状況を確認す
るため、０．３、３、５wt％Ｐｔの各種組成のＡｌ−Ｐ
ｔ合金の導電部をガラス基板のＩＴＯ膜（厚さ２０００
Å）上に２０００Åの厚さで薄膜状に形成して本発明に
よる液晶ディスプレイ基板の試料を作製し、この試料を
純水で５倍に希釈した液温３０℃のアルカリ性現像液
（東京応化工業製ＮＨＤ−３）に漬け、形成した該導電
部が完全に無くなるまでの時間を測定した。比較のため
に、ピュアＡｌのターゲットを使用して液晶ディスプレ
イのＩＴＯ膜上に薄膜状にピュアＡｌの導電部を形成し
た比較試料を用意して同様の試験を行った。その結果は
次表の通りであり、３wt％Ｐｔが最も長い時間で腐食し
た。３wt％Ｐｔ及び５wt％Ｐｔは膜表面での化学反応
で、０．３wt％ＰｔとピュアＡｌの導電部はＩＴＯ膜の
界面からの腐食であった。この腐食試験のためのスパッ
タ条件は上記抵抗率測定の場合と同じである。
【００１３】 また、ヒロックの発生状況を確認するため、ＳｉＯ２を
コートした複数枚のシリコンウエハに夫々Ａｌ−０．３
wt％Ｐｔ合金、Ａｌ−３％Ｐｔ合金、Ａｌ−５％Ｐｔ合
金の各ターゲットとピュアＡｌのターゲットを使用して
マグネトロンスパッタで薄膜状のＡｌ−Ｐｔ合金の導電
部とピュアＡｌの導電部を厚さ１１０００〜１５０００
Å程度に形成したのち、１０-6Torr台の真空中で３００
℃、３０分、徐冷のアニールを行い、そのアニール前後
の各導電部表面をＳＥＭにより目視観察し、約０．３μ
ｍ以上の大きさのヒロックの個数を数えた。その結果は
次表の通りであり、Ａｌ−Ｐｔ合金の導電部のヒロック
はピュアＡｌの導電部の約半数以下になり、良好なもの
ではヒロックの発生がなかった。この場合のスパッタ条
件も上記抵抗率測定の場合と同じである。
コートした複数枚のシリコンウエハに夫々Ａｌ−０．３
wt％Ｐｔ合金、Ａｌ−３％Ｐｔ合金、Ａｌ−５％Ｐｔ合
金の各ターゲットとピュアＡｌのターゲットを使用して
マグネトロンスパッタで薄膜状のＡｌ−Ｐｔ合金の導電
部とピュアＡｌの導電部を厚さ１１０００〜１５０００
Å程度に形成したのち、１０-6Torr台の真空中で３００
℃、３０分、徐冷のアニールを行い、そのアニール前後
の各導電部表面をＳＥＭにより目視観察し、約０．３μ
ｍ以上の大きさのヒロックの個数を数えた。その結果は
次表の通りであり、Ａｌ−Ｐｔ合金の導電部のヒロック
はピュアＡｌの導電部の約半数以下になり、良好なもの
ではヒロックの発生がなかった。この場合のスパッタ条
件も上記抵抗率測定の場合と同じである。
【００１４】 液晶ディスプレイの導電部をＩＴＯ膜以外の膜面形成す
る場合も本発明は適用可能である。
る場合も本発明は適用可能である。
【００１５】
【発明の効果】以上のように本発明によるときは、液晶
ディスプレイ用基板表面のＩＴＯ膜の膜面もしくは液晶
ディスプレイを形成する他の膜面に、Ａｌ−Ｐｔ合金若
しくはこれを主組成とするスパッタリングターゲットを
スパッタして配線や電極等の導電部を直接形成すること
により、Ｃｒを使用しないでもエッチング液により界面
腐食されにくくしかもヒロックの発生がなく、低い抵抗
率の導電部を液晶ディスプレイに製作することができ、
この導電部はＡｌにＰｔを０．１wt％〜４０wt％の範囲
で混合した合金もしくはこの合金を主組成とするスパッ
タリングターゲットにより簡単に製作できる等の効果が
ある。
ディスプレイ用基板表面のＩＴＯ膜の膜面もしくは液晶
ディスプレイを形成する他の膜面に、Ａｌ−Ｐｔ合金若
しくはこれを主組成とするスパッタリングターゲットを
スパッタして配線や電極等の導電部を直接形成すること
により、Ｃｒを使用しないでもエッチング液により界面
腐食されにくくしかもヒロックの発生がなく、低い抵抗
率の導電部を液晶ディスプレイに製作することができ、
この導電部はＡｌにＰｔを０．１wt％〜４０wt％の範囲
で混合した合金もしくはこの合金を主組成とするスパッ
タリングターゲットにより簡単に製作できる等の効果が
ある。
【図１】自然電位の測定装置の説明図
【図２】Ａｌ合金の添加金属別の自然電位の測定図
【図３】Ａｌ−Ｐｔ合金の組成別の電位測定図
【図４】本発明により形成された導電部の電位測定図
【図５】本発明により形成された導電部の抵抗率の測定
図
図
Claims (3)
- 【請求項１】液晶ディスプレイ用基板の表面に形成した
ＩＴＯ（Indium-Tin-Oxide）膜の膜面もしくは液晶ディ
スプレイを形成する他の膜面に、Ａｌ−Ｐｔ合金若しく
はこれを主組成とするスパッタリングターゲットを使用
してスパッタリングにより配線や電極等の導電部を直接
形成することを特徴とする液晶ディスプレイの導電部製
作方法。 - 【請求項２】上記成膜はスパッタリングにより行うこと
を特徴とする請求項１に記載の液晶ディスプレイの導電
部製作方法。 - 【請求項３】ＡｌにＰｔを０．１wt％〜４０wt％の範囲
で混合した合金もしくはこの合金を主組成とする高融点
金属で構成したことを特徴とする液晶ディスプレイの導
電部製作用スパッタリングターゲット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8295038A JPH10142625A (ja) | 1996-11-07 | 1996-11-07 | 液晶ディスプレイの導電部製作方法及びその製作に用いるスパッタリングターゲット |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8295038A JPH10142625A (ja) | 1996-11-07 | 1996-11-07 | 液晶ディスプレイの導電部製作方法及びその製作に用いるスパッタリングターゲット |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10142625A true JPH10142625A (ja) | 1998-05-29 |
Family
ID=17815526
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8295038A Pending JPH10142625A (ja) | 1996-11-07 | 1996-11-07 | 液晶ディスプレイの導電部製作方法及びその製作に用いるスパッタリングターゲット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10142625A (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6379950A (ja) * | 1986-09-22 | 1988-04-09 | Hitachi Ltd | 耐食性保護膜を有する物品及びその製造方法 |
| JPH01169751A (ja) * | 1987-12-23 | 1989-07-05 | Mitsubishi Kasei Corp | 相変化記録媒体 |
| JPH05216070A (ja) * | 1991-12-09 | 1993-08-27 | Toshiba Corp | 多層導体層構造デバイス |
| WO1997013885A1 (en) * | 1995-10-12 | 1997-04-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Wiring film, sputter target for forming the wiring film and electronic component using the same |
-
1996
- 1996-11-07 JP JP8295038A patent/JPH10142625A/ja active Pending
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|---|---|---|---|---|
| JPS6379950A (ja) * | 1986-09-22 | 1988-04-09 | Hitachi Ltd | 耐食性保護膜を有する物品及びその製造方法 |
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| WO1997013885A1 (en) * | 1995-10-12 | 1997-04-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Wiring film, sputter target for forming the wiring film and electronic component using the same |
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