TW202124514A - 液晶高分子膜及包含其之積層板 - Google Patents

液晶高分子膜及包含其之積層板 Download PDF

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吳佳鴻
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Abstract

本創作關於一種液晶高分子膜及包含其之積層板。液晶高分子膜具有相對的第一表面和第二表面，該第一表面的面算數平均高度（Sa）係小於0.32微米。藉由控制液晶高分子膜的Sa，本創作之液晶高分子膜能適用於與金屬箔疊合，使包含液晶高分子膜之積層板保有低訊號損失的優點。

Description

液晶高分子膜及包含其之積層板
本創作係關於一種高分子膜，尤指一種液晶高分子膜及包含其之積層板。
隨著行動通訊技術的快速發展，業界正積極開發第五代行動通訊技術（5th generation mobile networks，簡稱5G），以優化4G通訊技術的資料傳輸速度、回應時間、系統容量等效能。
由於5G通訊技術係利用高頻波段進行訊號傳輸，當訊號頻率越高時，訊號在傳遞過程中發生衰減與失真的程度變得更為顯著，訊號損失（insertion loss）也越大。是以，現有技術選擇低吸濕性、相對低介電性的液晶高分子膜（liquid crystal polymer film，簡稱LCP膜）取代易吸濕、相對高介電性的聚醯亞胺膜（polyimide film，簡稱PI膜），並將LCP膜與金屬箔疊合形成積層板，以實現在高頻波段進行訊號傳輸。
然而，隨著科技產業的進步，現行產品已不合需求，業界無不積極追求各類電子產品能發揮更優異的傳輸品質，如何進一步減緩或抑制積層板的訊號損失成為各界積極研究開發的課題。
有鑑於此，本創作之目的在於減緩或抑制包含液晶高分子膜之積層板在高頻波段傳遞訊號時所產生的訊號損失，從而使積層板能夠更加適用於高頻電子產品。
為達成前述目的，本創作提供一種液晶高分子膜，其具有相對的第一表面和第二表面，該第一表面的面算數平均高度（arithmetical mean height of a surface，Sa）係小於0.32微米（µm）。
藉由控制液晶高分子膜之第一表面的Sa，能有利於減緩或抑制包含液晶高分子膜之積層板在高頻波段傳遞訊號所產生的訊號損失，使積層板能夠適用於高頻電子產品（例如，5G產品）。
除了控制液晶高分子膜之第一表面的Sa之外，於本創作的其中一實施態樣中，本創作之液晶高分子膜之第二表面的Sa也可控制在小於0.32微米。據此，本創作之液晶高分子膜不論是透過第一表面、第二表面或其二者分別與至少一金屬箔疊合，皆能使積層板具有低訊號損失的優點。
可選地，本創作之液晶高分子膜之第一表面的Sa也可為下列任一數值（單位皆為微米）：0.31、0.30、0.29、0.28、0.27、0.26、0.25、0.24、0.23、0.22、0.21、0.20、0.19、0.18、0.17、0.16、0.15、0.14、0.13、0.12、0.11、0.10、0.09、0.08、0.07、0.06、0.05、0.04、0.039、0.038、0.037、0.036、0.035、0.034、0.033、0.032、0.031、0.030、0.029、0.028，或者，液晶高分子膜之第一表面的Sa亦可介於由上述任二數值所構成之範圍，但並非僅限於此。於其中一實施態樣中，本創作之液晶高分子膜之第一表面的Sa可小於或等於0.31微米；於另一實施態樣中，本創作之液晶高分子膜之第一表面的Sa可小於或等於0.30微米；於又一實施態樣中，本創作之液晶高分子膜之第一表面的Sa可小於或等於0.29微米；於再一實施態樣中，本創作之液晶高分子膜之第一表面的Sa可大於或等於0.028微米；於又再一實施態樣中，本創作之液晶高分子膜之第一表面的Sa為0.028微米至0.290微米；於又再一實施態樣中，本創作之液晶高分子膜之第一表面的Sa為0.028微米至0.289微米。於本創作的一實施態樣中，本創作之液晶高分子膜的第一表面的Sa及第二表面的Sa皆落在前述範圍。視需要地，本創作之液晶高分子膜之第一表面的Sa與第二表面的Sa可為相同或不同。於其中一實施態樣中，本創作之液晶高分子膜之第一表面的Sa與第二表面的Sa並不相同。
於其中一實施態樣，本創作之液晶高分子膜的第一表面的面最大高度（maximum height of a surface，Sz）可大於或等於0.8微米。可選地，本創作之液晶高分子膜之第一表面的Sz也可為下列任一數值（單位皆為微米）：0.80、0.81、0.82、0.83、0.84、0.85、0.86、0.87、0.88、0.89、0.90、0.91、0.92、0.93、0.94、0.95、0.96、0.97、0.98、0.99、1.00、1.10、1.20、1.30、1.40、1.50、1.60、1.70、1.80、1.90、2.00、2.10、2.20、2.30、2.40、2.50、2.60、2.70、2.80、2.90、3.00、3.10、3.20、3.30、3.40、3.50、3.60、3.70、3.80、3.90、4.00、4.10、4.20、4.30、4.40、4.50、4.60、4.70、4.80、4.90、5.00、5.10、5.20、5.30、5.40、5.50、5.60、5.70、5.80、5.90、6.00、6.10、6.20、6.30、6.40、6.50、6.60、6.70、6.80、6.90、7.00、7.10、7.20、7.21、7.22、7.23、7.24、7.25、7.26、7.27、7.28、7.29、7.30，或者，液晶高分子膜之第一表面的Sz亦可介於由上述任二數值所構成之範圍，但並非僅限於此。較佳的，本創作之液晶高分子膜的第一表面的Sz可大於或等於0.9微米；更佳的，本創作之液晶高分子膜的第一表面的Sz可大於或等於0.92微米；據此，本創作之液晶高分子膜應用於積層板中除了能夠具有低訊號損失的優點外，更能使液晶高分子膜與金屬箔之間具有較佳的剝離強度（peel strength），從而避免積層板於後續加工時發生如線路脫落之問題。於另一實施態樣中，本創作之液晶高分子膜的第一表面的Sz可小於或等於7.30微米；於又一實施態樣中，本創作之液晶高分子膜的第一表面的Sz可為0.92微米至7.30微米。於又再一實施態樣中，本創作之液晶高分子膜之第一表面的Sz可為0.921微米至7.239微米。於本創作的一實施態樣中，本創作之液晶高分子膜的第一表面的Sz及第二表面的Sz皆落在前述範圍。視需要地，本創作之液晶高分子膜之第一表面的Sz與第二表面的Sz可為相同或不同。於其中一實施態樣中，本創作之液晶高分子膜之第一表面的Sz與第二表面的Sz並不相同。
依據本創作，該液晶高分子膜可使用市售的液晶高分子樹脂所製得，也可使用習知的原料進行製備，在本創作中並沒有特別限制。舉例言之，可使用芳香族或脂肪族羥基化合物（例如，對苯二酚（hydroquinone）、間苯二酚（resorcin）、2,6-萘二酚（2,6-naphthalenediol）、乙二醇（ethanediol）、1,4-丁二醇（1,4-butanediol）、1,6-己二醇（1,6-hexanediol））、芳香族或脂肪族二羧酸（例如，對苯二甲酸（terephthalic acid）、間苯二甲酸（isophthalic acid）、2,6-萘二甲酸（2,6-naphthalenedicarboxylic acid）、2-氯對苯二甲酸（2-chloroterephthalic acid）、己二酸（adipic acid））、芳香族羥基羧酸（例如，3-羥基苯甲酸（3-hydroxybenzoic acid）、4-羥基苯甲酸（4-hydroxybenzoic acid）、6-羥基-2-萘甲酸（6-hydroxy-2-naphthalene carboxylic acid）、4'-羥基聯苯-4-羧酸（4'-hydroxy-4-biphenylcarboxylic acid））、芳香族胺類化合物（例如，對苯二胺（p -phenylenediamine）、4,4ˊ-二胺基聯苯（4,4ˊ-diaminobiphenyl）、2,6-萘二胺（naphthalene-2,6-diamine）、4-胺基苯酚（4-aminophenol）、4-胺基-3-甲基苯酚（4-amino-3-methyl phenol）、4-胺基苯甲酸（4-aminobenzoic acid））為原料製備液晶高分子樹脂，再利用此液晶高分子樹脂製得本創作的液晶高分子膜。在本創作其中一實施態樣中，可選用6-羥基-2-萘甲酸、4-羥基苯甲酸以及乙酸酐（acetyl anhydride）得到用於製備本創作之液晶高分子膜的液晶高分子樹脂。於其中一實施態樣中，液晶高分子樹脂的熔點約為250°C至360°C。
於其中一實施態樣中，所屬技術領域中具有通常知識者可視不同需求於製備本創作的液晶高分子膜時加入添加劑，例如潤滑劑、抗氧化劑、電絕緣劑或填充劑，但並非僅限於此。舉例言之，可選用的添加劑為聚碳酸酯、聚醯胺、聚苯硫醚或聚醚醚酮等，但並非僅限於此。
依據本創作，該液晶高分子膜的厚度並沒有特別限制，舉例言之，該液晶高分子膜的厚度可為10微米至500微米；較佳的，本創作之液晶高分子膜的厚度可為10微米至300微米；更佳的，本創作之液晶高分子膜的厚度可為15微米至250微米；再更佳的，本創作之液晶高分子膜的厚度可為15微米至200微米；又再更佳的，本創作之液晶高分子膜的厚度可為20微米至200微米。
為達成前述目的，本創作另提供一種積層板，其包含第一金屬箔及前述液晶高分子膜，該第一金屬箔係設置於該液晶高分子膜的第一表面上，即，於本創作的積層板中，該第一金屬箔係疊合在該液晶高分子膜的第一表面上。
如前所述，由於液晶高分子膜之第一表面的Sa係小於0.32微米，故包含此種液晶高分子膜之積層板能具備低訊號損失的優點，使積層板能夠適用於高頻電子產品。
於其中一實施態樣中，本創作之積層板含有厚度約50微米之液晶高分子膜，此款積層板在10千兆赫（GHz）的高頻下所產生的訊號損失可不超過-3.0分貝（decibel，dB）/10公分；具體來說，於其中一實施態樣中，本創作之積層板含有厚度約50微米之液晶高分子膜，此款積層板在10 GHz的高頻下所產生的訊號損失可控制在-2.8分貝/10公分至-3.0分貝/10公分。
於其中一實施態樣中，本創作之積層板可進一步包含第二金屬箔，該第二金屬箔係設置於該液晶高分子膜的第二表面上，即，於本創作的積層板中，該第一金屬箔係疊合在該液晶高分子膜的第一表面上，且該第二金屬箔係疊合在該液晶高分子膜的第二表面上。於此實施態樣，可同時控制液晶高分子膜的第一、第二表面的Sa，使積層板具有低訊號損失的優點。或者，可同時控制液晶高分子膜的第一、第二表面的Sa與Sz，使積層板除了具備低訊號損失的優點外，更能同時提升液晶高分子膜疊合在第一、第二金屬箔上的附著性，即，同時提升液晶高分子膜與第一、第二金屬箔之間的剝離強度。
依據本創作，「疊合」並不限於直接接觸，更包含間接接觸。舉例言之，於本創作其中一實施態樣中，該積層板中第一金屬箔係與該液晶高分子膜的第一表面直接接觸。於本創作另一實施態樣中，該積層板中第一金屬箔係與該液晶高分子膜的第一表面間接接觸，具體言之，可視不同需求於第一金屬箔與液晶高分子膜的第一表面間設置一連結層，使第一金屬箔與液晶高分子膜之第一表面透過該連結層接觸，其中該連結層的材料可根據不同需求而調整；舉例言之，該連結層之材料可包含鎳、鈷、鉻或其合金，以提供例如耐熱性、耐化性、或電阻性之作用。同樣地，該積層板中第二金屬箔與液晶高分子膜亦可選擇以直接接觸或者間接接觸的方式疊合。於其中一實施態樣中，液晶高分子膜與第一金屬箔的疊合方式以及液晶高分子膜與第二金屬箔的疊合方式係相同。於其中一實施態樣中，液晶高分子膜與第一金屬箔的疊合方式係不同於液晶高分子膜與第二金屬箔的疊合方式。
依據本創作，該第一金屬箔及/或第二金屬箔可為銅箔、金箔、銀箔、鎳箔、鋁箔或不鏽鋼箔等，但並非僅限於此。於其中一實施態樣中，該第一金屬箔及第二金屬箔係選用不同材質。較佳的，第一金屬箔及/或第二金屬箔可為銅箔，使銅箔與液晶高分子膜疊合形成銅箔積層板（copper clad laminate，簡稱CCL）。此外，該第一金屬箔及/或第二金屬箔的製備方法並無特別限制，只要不違反本創作之發明目的即可，舉例言之，可選用輥軋法或電解法進行製備，但並非僅限於此。
依據本創作，該第一金屬箔及/或第二金屬箔的厚度並沒有特別限制，所屬技術領域中具有通常知識者可視不同需求進行相應的調整。舉例言之，於其中一實施態樣中，第一金屬箔及/或第二金屬箔的厚度可各自獨立為1微米至200微米；較佳的，該第一金屬箔及/或第二金屬箔的厚度可各自獨立為1微米至40微米；更佳的，該第一金屬箔及/或第二金屬箔的厚度可各自獨立為3微米至40微米。
依據本創作，所屬技術領域中具有通常知識者可視不同需求，對本創作之第一金屬箔及/或第二金屬箔進行表面處理。舉例言之，可選用粗糙化處理、酸鹼處理、加熱處理、脫脂處理、紫外線照射處理、電暈放電處理、電漿處理、塗佈底漆處理等，但並非僅限於此。
依據本創作，該第一金屬箔及/或第二金屬箔的粗糙度並無特別的限制，所屬技術領域中具有通常知識者可根據不同的需求進行相應的調整。於其中一實施態樣中，該第一金屬箔及/或第二金屬箔的線十點平均高度（ten-point mean roughness，Rz）可各自獨立為大於或等於0.1微米且小於或等於2.0微米。較佳的，該第一金屬箔及/或第二金屬箔的Rz可各自獨立為大於或等於0.1微米且小於或等於1.5微米。於其中一實施態樣中，第一金屬箔的Rz及第二金屬箔的Rz皆可落在前述範圍。於其中一實施態樣中，第一金屬箔及/或第二金屬箔的Rz可等於1.0微米。視需要地，第一金屬箔及第二金屬箔的Rz可為相同或不同。於其中一實施態樣中，第一金屬箔的Rz與第二金屬箔的Rz並不相同。
於其中一實施態樣中，所屬技術領域中具有通常知識者可視不同需求額外設置第三金屬箔，視需要地，該第三金屬箔可與第一金屬箔及/或第二金屬箔相同或不同。於其中一實施態樣中，該第三金屬箔的Rz可落在前述第一金屬箔及/或第二金屬箔的Rz之範圍。於其中一實施態樣中，第一金屬箔的Rz、第二金屬箔的Rz和第三金屬箔的Rz並不相同。
較佳的，第一金屬箔、第二金屬箔及/或第三金屬箔可為低粗糙度的金屬箔，例如低粗糙度的銅箔。於其中一實施態樣中，第一金屬箔、第二金屬箔及/或第三金屬箔的Rz可小於1.5微米。於另一實施態樣中，第一金屬箔、第二金屬箔及/或第三金屬箔的Rz可等於1.0微米。
於其中一實施態樣中，該積層板可包含複數液晶高分子膜。在不違反本創作之精神的前提下，所屬技術領域中具有通常知識者可視不同需求將複數本創作之液晶高分子膜與複數金屬箔（例如，前述第一金屬箔、第二金屬箔及/或第三金屬箔）疊合，製得具有複數液晶高分子膜及複數金屬箔的積層板。
於本說明書中，「面算數平均高度」（Sa）以及「面最大高度」（Sz）皆係根據ISO25178:2012規定的標準方法所定義之面粗糙度（area roughness）。所屬技術領域中具有通常知識者應能理解，描述一特定表面的面粗糙度係有別於描述該特定表面的線粗糙度（line roughness），二者無法相互類推。舉例來說，面算數平均高度（Sa）無法類推至由粗糙度曲線（roughness profile）所評估得到的線算術平均高度（arithmetic mean roughness，Ra），反之亦然；另外，面最大高度（Sz）也無法類推至由粗糙度曲線所評估得到的線十點平均高度（ten-point mean roughness，Rz），反之亦然。
以下，列舉數種製備例說明用於製作本創作之液晶高分子膜的原料，另列舉數種實施例說明本創作之液晶高分子膜和積層板的實施方式，同時提供數種比較例作為對照，所屬技術領域中具有通常知識者可藉由下方實施例和比較例的內容輕易理解本創作能達到的優點及效果。應當理解的是，本說明書所列舉的實施例僅僅用於示範性說明本創作的實施方式，並非用於侷限本創作的範圍，本領域技術人員可以根據其通常知識在不悖離本創作的精神下進行各種修飾、變更，以實施或應用本創作之內容。
《液晶高分子樹脂》
製備例：液晶高分子樹脂
在3公升的高壓釜中，將440克的6-羥基-2-萘甲酸、1145克的4-羥基苯甲酸、1085克的乙酸酐及1.3克的亞磷酸鈉（sodium phosphite）混合，使其於氮氣氣氛、160°C、常壓的環境下進行約2小時的乙醯化反應；接著，以每小時30°C的升溫速率升溫至320°C，再於此溫度條件下將壓力由760托（torr）緩慢下降至3 torr以下、溫度由320°C升溫至340°C；之後，提高攪拌功率、升壓、洩料、拉條、切粒，得到熔點約305°C、黏度（@320°C）約40 Pa·s的液晶高分子樹脂。
《液晶高分子膜》
實施例 1 至 12 、比較例 1 至 5 ：液晶高分子膜
選用前述製備例的液晶高分子樹脂作為原料，並大致上經由如下所述之方法分別製備得到實施例1至12及比較例1至5之液晶高分子膜。
首先，將液晶高分子樹脂投入螺桿直徑27毫米的押出機（儀器型號：ZSE27，購自Leistritz）中加熱至300°C至330°C，再以每小時5.5公斤（kg/hr）至9.5 kg/hr的餵料速度將液晶高分子樹脂自寬度為500毫米，溫度為300°C至330°C的T模頭擠出，接著，通入距離T模頭約5至40毫米、溫度約290°C至330°C且直徑約35公分至45公分的二鑄膜輪間，以約20千牛頓（kN）至60 kN的力道壓出；隨後送至冷卻輪進行常溫冷卻後，獲得厚度約50微米（μm）、熔點約250°C至360°C的液晶高分子膜。
各實施例及比較例所設定的製程參數分別列於下表1中。製備實施例1至12及比較例1至5之液晶高分子膜的製程差異主要在於：T模頭至鑄模輪輪面的距離、餵料速度以及押出機所設定之溫度。 表1：製備實施例1至12及比較例1至5之液晶高分子膜之製程參數。
  製程參數
樣品編號 T模頭至鑄模輪輪面的距離(mm) 餵料速度(kg/hr) 押出機溫度(°C)
實施例1 10 6.5 305
實施例2 10 7.5 310
實施例3 10 8.5 315
實施例4 20 5.5 300
實施例5 20 6.5 305
實施例6 20 7.5 310
實施例7 20 8.5 315
實施例8 20 8.5 320
實施例9 5 5.5 310
實施例10 5 6.5 315
實施例11 5 7.5 320
實施例12 10 8.5 325
比較例1 40 5.5 305
比較例2 40 6.5 310
比較例3 40 7.5 315
比較例4 40 8.5 320
比較例5 40 9.5 330
上述製備液晶高分子膜的方法僅用於列舉說明本創作之實施方式，所屬技術領域中具有通常知識者亦可選用積層體延伸法（laminate extension method）、吹脹法（inflation method）、溶液澆注成型（solvent casting method）等習知方法製備液晶高分子膜。
於其中一實施態樣中，當液晶高分子樹脂從T模頭擠出後，所屬技術領域中具有通常知識者可視需要將液晶高分子樹脂與二耐高溫膜一起通入二鑄模輪間，進一步形成三層的疊層結構，於室溫下再將耐高溫膜與液晶高分子樹脂剝離，得到本創作的液晶高分子膜。可以理解的是，該鑄模輪的直徑並無特殊限制；該耐高溫膜可選用例如聚四氟乙烯膜（poly(tetrafluoroethene) film，PTFE film）、聚醯亞胺膜（polyimide film，PI film）、聚醚碸膜（poly(ether sulfone) film，PES film），但並非僅限於此。
此外，所屬技術領域中具有通常知識者可視不同需求對所製得之液晶高分子膜進行如拋光、紫外線照射、加熱、電漿等後處理，但並非僅限於此。舉例而言，針對電漿後處理，所屬技術領域中具有通常知識者亦可視不同需求於氮氣、氧氣或空氣氣氛、於減壓或常壓（1大氣壓）環境中施以1千瓦的電漿後處理，但並非僅限於此。
試驗例 1 ：液晶高分子膜的面粗糙度分析
本試驗例係將前述實施例1至12和比較例1至5所製得之液晶高分子膜作為待測樣品，根據ISO25178:2012規定的標準方法分析各待測樣品的其中一表面之面粗糙度，即，Sa及Sz。
為量測各待測樣品的Sa及Sz，首先利用雷射掃描共軛焦顯微鏡（型號：LEXT OLS5000-SAF，購自Olympus株式會社，物鏡為MPLAPON-50xLEXT），於24±3°C之溫度、63±3%之相對溼度的環境下，以波長為405奈米的光源、50倍的物鏡倍率、1.0倍的光學變焦的條件觀察各待測樣品的表面型貌，並擷取其影像。之後，設定模式為消除自動傾斜（auto tilt removal）、解析度為1024畫數（pixels） × 1024 pixels分析前述影像，得到各待測樣品的Sa及Sz。
根據上述分析方法，實施例1至12及比較例1至5之液晶高分子膜的其中一表面之Sa及Sz的量測結果統一於下表2中。 表2：實施例1至12及比較例1至5之液晶高分子膜的Sa及Sz結果。
  Sa（微米） Sz（微米）
實施例1 0.098 4.856
實施例2 0.058 2.347
實施例3 0.043 1.602
實施例4 0.289 7.239
實施例5 0.195 5.609
實施例6 0.187 2.591
實施例7 0.179 1.806
實施例8 0.164 1.334
實施例9 0.051 4.386
實施例10 0.028 1.402
實施例11 0.036 0.921
實施例12 0.037 0.864
比較例1 0.441 5.826
比較例2 0.437 3.186
比較例3 0.426 2.394
比較例4 0.396 1.535
比較例5 0.320 0.893
如上表2所示，實施例1至12之液晶高分子膜的其中一表面的Sa皆小於0.32微米，但比較例1至5之液晶高分子膜的其中一表面的Sa均大於或等於0.32微米。針對實施例1至12之液晶高分子膜而言，除了小於0.32微米的Sa之外，實施例1至12之液晶高分子膜的其中一表面的Sz更可大於或等於0.8微米，即，實施例1至12之液晶高分子膜的其中一表面兼具（1）Sa小於0.32微米以及（2）Sz大於或等於0.8微米之特性。
試驗例 2 ：液晶高分子膜的 Ra 和 Sa 比較
為探討線粗糙度（例如：Ra）和面粗糙度（例如：Sa）二者之間的差異，本試驗例由前述多個實施例及比較例中任意挑選實施例5、6以及比較例5之液晶高分子膜為例，根據JIS B 0601:1994規定的標準方法分析液晶高分子膜的其中一表面的線粗糙度，另根據ISO25178:2012規定的標準方法分析液晶高分子膜的其中一表面的面粗糙度。
在量測實施例5、6和比較例5之液晶高分子膜的其中一表面的Ra時，先利用雷射掃描共軛焦顯微鏡（型號：LEXT OLS5000-SAF，購自Olympus株式會社，物鏡為MPLAPON-50xLEXT），於24±3°C之溫度、63±3%之相對溼度的環境下，以波長為405奈米的光源、50倍的物鏡倍率、1.0倍的光學變焦的條件觀察各待測樣品的表面型貌，並擷取其影像。之後，設定評估長度為4 mm、截止值為0.8 mm分析前述影像，得到各液晶高分子膜的Ra，其結果列於下表3中。
於本試驗例中，量測面粗糙度的方法等同於前述試驗例1所述之方法，且其量測結果等同於上表2所示。為方便確認Ra和Sa的差異，下表3中除了列出液晶高分子膜的Ra之外，另將表2中實施例5、6和比較例5之液晶高分子膜的Sa一併呈列於下表3中。 表3：實施例5、6和比較例5之液晶高分子膜的Ra及Sa結果。
  Ra（微米） Sa（微米）
實施例5 0.086 0.195
實施例6 0.089 0.187
比較例5 0.096 0.320
如上表3所示，這三種液晶高分子膜的Ra排序和Sa排序如下： Ra排序：實施例5＜實施例6＜比較例5； Sa排序：實施例6＜實施例5＜比較例5。
由此可見，多個液晶高分子膜的Ra相對遞增關係顯然有別於多個液晶高分子膜的Sa的相對遞增關係，可見Ra和Sa二者無法直接相互類推。再由這三種液晶高分子膜中最大值和最小值的相對倍率探討Ra的差異或者Sa的差異，比較例5之液晶高分子膜的Ra（三者Ra之中為最大值）與實施例5之液晶高分子膜的Ra（三者Ra之中為最小值）接近，但比較例5之液晶高分子膜的Sa（三者Sa之中為最大值）與實施例6之液晶高分子膜的Sa（三者Sa之中為最小值）卻相差大約1.7倍；實驗結果可見，即便實施例5和比較例5之液晶高分子膜具有相近的Ra，二者仍可具有差異較為懸殊的Sa，此結果再次說明Ra和Sa二者無法直接相互類推。
試驗例 3 ：液晶高分子膜的 Rz 和 Sz 比較
為探討線粗糙度（例如：Rz）和面粗糙度（例如：Sz）二者之間的差異，本試驗例另由前述多個實施例及比較例中任意挑選實施例1以及實施例12之液晶高分子膜為例，根據JIS B 0601:1994規定的標準方法分析液晶高分子膜的其中一表面的線粗糙度，另根據ISO 25178:2012規定的標準方法分析液晶高分子膜的其中一表面的面粗糙度。
在量測實施例1和實施例12之液晶高分子膜的其中一表面的Rz時，先利用雷射掃描共軛焦顯微鏡（型號：LEXT OLS5000-SAF，購自Olympus株式會社，物鏡為MPLAPON-50xLEXT），於24±3°C之溫度、63±3%之相對溼度的環境下，以波長為405奈米的光源、50倍的物鏡倍率、1.0倍的光學變焦的條件觀察各待測樣品的表面型貌，並擷取其影像。之後，設定評估長度為4 mm、截止值為0.8 mm分析前述影像，得到各液晶高分子膜的Rz，其結果列於下表4中。
於本試驗例中，量測面粗糙度的方法等同於前述試驗例1所述之方法，且其量測結果等同於上表2所示。為方便確認Rz和Sz的差異，下表4中除了列出液晶高分子膜的Rz之外，另將前述試驗例1所測得之實施例1和實施例12之液晶高分子膜的Sz一併列於下表4。 表4：實施例1和12之液晶高分子膜的Rz及Sz結果。
  Rz（微米） Sz（微米）
實施例1 1.406 4.856
實施例12 1.804 0.864
如上表4所示，實施例1之液晶高分子膜的Rz係低於實施例12之液晶高分子膜的Rz，但實施例1之液晶高分子膜的Sz卻高於實施例12之液晶高分子膜的Sz；可見，Rz和Sz二者無法直接相互類推。再由二者的相對倍率探討Rz的差異或者Sz的差異，實施例12之液晶高分子膜的Rz僅高於實施例1之液晶高分子膜的Rz的大約1.3倍，但實施例1之液晶高分子膜的Sz卻具有高於實施例12之液晶高分子膜的Sz的約莫5.6倍；實驗結果可見，即便實施例1和實施例12之液晶高分子膜具有相近的Rz，二者仍可具有差異較為懸殊的Sz，此結果再次說明Rz和Sz二者無法直接相互類推。
由上述試驗例2及3的結果能夠確認，線粗糙度和面粗糙度確實存在顯著差異，所屬技術領域中具有通常知識者難以、甚至無法由液晶高分子膜的線粗糙度預期或類推液晶高分子膜的面粗糙度。具體來說，所屬技術領域中具有通常知識者無法由液晶高分子膜的Ra預期或類推液晶高分子膜的Sa，也無法由液晶高分子膜的Rz預期或類推液晶高分子膜的Sz，反之亦然。
《積層板》
實施例 1A 至 12A 、比較例 1A 至 5A ：積層板
於此，選用前述實施例1至12及比較例1至5之液晶高分子膜與同款市售銅箔疊合，分別製得如實施例1A至12A及比較例1A至5A的積層板。
具體而言，選用前述厚度約50微米的液晶高分子膜及厚度約12微米的二片市售銅箔（商品型號為CF-H9A-HD2，購自福田金屬箔粉工業株式會社，其Rz約1.0微米），將前述液晶高分子膜和二片市售銅箔各自裁切為20公分 × 20公分的尺寸大小後，將液晶高分子膜疊置於二片市售銅箔之間；先以180°C之溫度、5 kg/cm2 之壓力持續壓合60秒，再以300°C之溫度、20 kg/cm2 之壓力持續壓合25分鐘，再降至常溫後得到一積層板。各積層板中所含的液晶高分子膜的樣品編號係如下表5所示。
於此，積層板之壓合方式並無特別的限制，所屬技術領域中具有通常知識者可選用例如線壓合或面壓合等習知技術完成壓合步驟；本創作可適用之壓合機台例如間歇式熱壓機、卷對卷型輥壓機、雙帶壓機等，但並非僅限於此。根據不同需求，所屬技術領域中具有通常知識者也可直接將液晶高分子膜和銅箔對齊後進行加溫、加壓步驟，完成面壓合之步驟。
於其他實施態樣中，所屬技術領域中具有通常知識者亦可視不同需求選用例如濺射、電鍍、化學鍍、或蒸鍍等方式在液晶高分子膜上形成一金屬箔（例如：銅箔）或液晶高分子膜與金屬箔之間的一連結層（例如：膠、鎳層、鈷層、鉻層、或其合金層）。
試驗例 4 ：積層板的訊號損失分析
本試驗例係將前述實施例1A至12A和比較例1A至5A之積層板製成長度約10公分（cm）、寬度約140 μm、阻抗約50歐姆（Ω）的帶狀線試片（strip line specimen），再使用微波網路分析儀（儀器型號：8722ES，購自安捷倫科技（Agilent Technology）公司）、探針（型號：ACP40-250，購自Cascade Microtech公司）測定各試片在10 GHz下的訊號損失，其結果列於下表5中。 表5：實施例1至12及比較例1至5之液晶高分子膜的Sa以及實施例1A至12A及比較例1A至5A的積層板的訊號損失測試結果(@10 GHz)。
  液晶高分子膜 積層板
  樣品編號 Sa（微米） 樣品編號 訊號損失（dB/10 cm）
1 實施例1 0.098 實施例1A -2.9
2 實施例2 0.058 實施例2A -2.9
3 實施例3 0.043 實施例3A -2.8
4 實施例4 0.289 實施例4A -3.0
5 實施例5 0.195 實施例5A -3.0
6 實施例6 0.187 實施例6A -3.0
7 實施例7 0.179 實施例7A -3.0
8 實施例8 0.164 實施例8A -2.9
9 實施例9 0.051 實施例9A -2.9
10 實施例10 0.028 實施例10A -2.8
11 實施例11 0.036 實施例11A -2.9
12 實施例12 0.037 實施例12A -2.8
13 比較例1 0.441 比較例1A -3.2
14 比較例2 0.437 比較例2A -3.1
15 比較例3 0.426 比較例3A -3.1
16 比較例4 0.396 比較例4A -3.1
17 比較例5 0.320 比較例5A -3.1
如上表5所示，由於實施例1至12之液晶高分子膜的其中一表面的Sa皆小於0.32微米，故此種液晶高分子膜與市售銅箔所形成的積層板（實施例1A至12A）之訊號損失可控制在-3.0 dB/10 cm以下，即，-2.8 dB/10 cm至-3.0 dB/10 cm。反之，比較例1至5之液晶高分子膜其中一表面的Sa皆已高達0.32微米以上，故比較例1A至5A之積層板的訊號損失已達-3.1 dB/10 cm以上；尤其，比較例1之液晶高分子膜其中一表面的Sa已高達0.441微米，致使比較例1A之積層板的訊號損失更高達-3.2 dB/10 cm的程度，難以符合現今業界積極提升電子產品之傳輸品質的需求。
實驗結果顯示，將液晶高分子膜的其中一表面的Sa控制在小於0.32微米能有利於降低積層板的訊號損失，從而提升積層板應用於電子產品的效能。
試驗例 5 ：積層板的剝離強度分析
本試驗例根據如IPC-TM-650 No.:2.4.9之測試方法，將前述實施例1A至12A和比較例1A至5A之積層板製成長度約228.6毫米、寬度約3.2毫米的蝕刻試片（etched specimen），再將各蝕刻試片置於23±2°C之溫度、50±5%之相對溼度下放置24小時使其趨於穩定；接著，將各蝕刻試片用雙面膠黏貼至測試機台（儀器型號：HT-9102，購自弘達儀器股份有限公司（Hung Ta Instrument Co., Ltd.））的夾具上，再以50.8毫米/分鐘（mm/min）的剝離速度剝離夾具上的蝕刻試片，並且持續記錄剝離過程中的剝離拉力。於此，剝離拉力應控制在測試機台可承受的15%至85%之範圍，剝離的長度至少應超過57.2毫米，並且忽略不計最初剝離6.4毫米的剝離拉力，其結果如下表6所示。 表6：實施例1至12及比較例1至5之液晶高分子膜的Sa、Sz以及實施例1A至12A及比較例1A至5A的積層板的訊號損失及剝離強度測試結果。
  液晶高分子膜 積層板
  樣品編號 Sa （微米） Sz （微米） 樣品編號 訊號損失 （dB/10 cm） 剝離強度 （kN/m）
1 實施例1 0.098 4.856 實施例1A -2.9 1.26
2 實施例2 0.058 2.347 實施例2A -2.9 1.18
3 實施例3 0.043 1.602 實施例3A -2.8 1.13
4 實施例4 0.289 7.239 實施例4A -3.0 1.28
5 實施例5 0.195 5.609 實施例5A -3.0 1.23
6 實施例6 0.187 2.591 實施例6A -3.0 1.18
7 實施例7 0.179 1.806 實施例7A -3.0 1.12
8 實施例8 0.164 1.334 實施例8A -2.9 1.08
9 實施例9 0.051 4.386 實施例9A -2.9 1.23
10 實施例10 0.028 1.402 實施例10A -2.8 1.14
11 實施例11 0.036 0.921 實施例11A -2.9 1.06
12 實施例12 0.037 0.864 實施例12A -2.8 0.98
13 比較例1 0.441 5.826 比較例1A -3.2 1.24
14 比較例2 0.437 3.186 比較例2A -3.1 1.19
15 比較例3 0.426 2.394 比較例3A -3.1 1.18
16 比較例4 0.396 1.535 比較例4A -3.1 1.14
17 比較例5 0.320 0.893 比較例5A -3.1 0.96
如上表6中實施例1至11相較於實施例12、比較例1至5的液晶高分子膜之面粗糙度及其對應之積層板的效能可見，實施例1至11之液晶高分子膜的其中一表面兼具（1）Sa係小於0.32微米、以及（2）Sz係大於或等於0.9微米以上之表面特性，故實施例1至11之液晶高分子膜與銅箔壓合時不僅能夠使實施例1A至11A之積層板具備低訊號損失（-3.0 dB/10 cm以下）的優點，更能進一步將液晶高分子膜與銅箔之間的剝離強度提升至1.0 kN/m以上。據此，除了調控液晶高分子膜的Sa之外，同時控制液晶高分子膜的Sz更能有助於優化液晶高分子膜與銅箔壓合的效能，進而提供同時展現高剝離強度與低訊號損失的積層板。
綜上所述，本創作藉由控制液晶高分子膜之第一表面的Sa為小於0.32微米，能具體減緩或抑制包含此種液晶高分子膜之積層板的訊號損失，從而令包含此種液晶高分子膜的積層板能適用於高階的高頻產品中。
無。
無。
無。
無。

Claims (11)

  1. 一種液晶高分子膜，其具有相對的第一表面和第二表面，該第一表面的面算數平均高度（Sa）係小於0.32微米。
  2. 如請求項1所述之液晶高分子膜，其中該第一表面的面最大高度（Sz）係大於或等於0.8微米。
  3. 如請求項1所述之液晶高分子膜，其中該第一表面的Sa係小於或等於0.29微米。
  4. 如請求項1所述之液晶高分子膜，其中該第一表面的Sa為0.028微米至0.290微米。
  5. 如請求項1所述之液晶高分子膜，其中該第一表面的Sz係大於或等於0.9微米。
  6. 如請求項1所述之液晶高分子膜，其中該第一表面的Sz係大於或等於0.92微米。
  7. 如請求項1所述之液晶高分子膜，其中該第一表面的Sz為0.92微米至7.30微米。
  8. 如請求項1至7中任一項所述之液晶高分子膜，其中該第二表面的Sa係小於0.32微米。
  9. 如請求項8所述之液晶高分子膜，其中該第二表面的Sz係大於或等於0.8微米。
  10. 一種積層板，該積層板包含第一金屬箔及如請求項1至9中任一項所述之液晶高分子膜，其中，該第一金屬箔係設置於該液晶高分子膜的第一表面上。
  11. 如請求項10所述之積層板，其中該積層板更包含第二金屬箔，其中，該第二金屬箔係設置於該液晶高分子膜的第二表面上。
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